JP2011086871A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板を加熱処理する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that heat-treats a substrate.
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP用ガラス基板、記録ディスク用基板等の基板の製造工程では、基板に対する加熱処理が適宜に行われる。例えば、基板のフォトリソグラフィ工程では、基板の表面にレジスト液が塗布された後、基板の表面とレジストとの密着性を向上させるために、基板を加熱処理している。このような加熱処理を行う基板処理装置は、例えば特許文献1に開示されている。
In the manufacturing process of a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP, or a substrate for a recording disk, a heat treatment is appropriately performed on the substrate. For example, in the photolithography process of the substrate, after the resist solution is applied to the surface of the substrate, the substrate is heat-treated in order to improve the adhesion between the surface of the substrate and the resist. A substrate processing apparatus that performs such heat treatment is disclosed in
特許文献1の基板処理装置は、複数の吐出孔から気体を吐出することにより、高温のプレート上で基板に浮上力を付与しながら、加熱処理する。また、あらかじめ加熱した気体を基板に吹き付けることによって、基板の加熱処理を促進している。
The substrate processing apparatus of
ところが、従来の基板処理装置では、基板の表面のうち、気体が吹き付けられる部分とそうでない部分とで温度差が生じ易いため、加熱ムラが発生する虞がある。そこで、加熱ムラの発生を抑制する技術が求められている。 However, in the conventional substrate processing apparatus, a temperature difference is likely to occur between the portion where the gas is blown and the portion where the gas is not sprayed on the surface of the substrate, which may cause uneven heating. Therefore, there is a demand for a technique for suppressing the occurrence of uneven heating.
例えば、基板とプレートとの間の離間距離を大きくすることにより、加熱ムラの発生をある程度抑制することは可能である。しかしこの場合、加熱効率を維持するためには、基板に吹き付ける気体の量を増やすか、または、気体の温度をさらに上昇させておくことが必要となり、いずれの場合も、基板の処理コストが大幅に増大してしまう。 For example, the occurrence of uneven heating can be suppressed to some extent by increasing the separation distance between the substrate and the plate. However, in this case, in order to maintain the heating efficiency, it is necessary to increase the amount of gas blown to the substrate or to further increase the temperature of the gas. In either case, the processing cost of the substrate is greatly increased. Will increase.
そこで本願では、基板処理コストの大幅な増大を抑えつつ、基板の加熱処理における加熱ムラの発生を軽減する技術を提供する。 Therefore, the present application provides a technique for reducing the occurrence of heating unevenness in the substrate heat treatment while suppressing a significant increase in substrate processing costs.
上記課題を解決するため、第1の態様は、基板を加熱処理する基板処理装置であって、基板と対向する表面の部分に気体を噴出する吐出口が設けられた、基板を面状に加熱するプレートと、前記吐出口から噴出させる気体を前記プレート内部に供給する気体供給部と、を備え、前記吐出口は、内部から前記プレートの前記表面に向けて開口が大きくなる部分を含む。 In order to solve the above-described problem, a first aspect is a substrate processing apparatus for heat-treating a substrate, wherein the substrate is heated in a planar shape, provided with a discharge port for ejecting gas at a portion of the surface facing the substrate. And a gas supply unit that supplies the gas to be ejected from the discharge port to the inside of the plate, and the discharge port includes a portion having an opening that increases from the inside toward the surface of the plate.
第2の態様は、第1の態様に係る基板処理装置において、前記吐出口から噴出する気体が、所定温度に加熱されている。 According to a second aspect, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the gas ejected from the discharge port is heated to a predetermined temperature.
第3の態様は、第1または第2の態様に係る基板処理装置において、前記吐出口は、その内部から前記表面に向かって同心円状に開口が大きくなる部分を含む。 According to a third aspect, in the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, the discharge port includes a portion in which an opening increases concentrically from the inside toward the surface.
第4の態様は、第1から第3までの態様のいずれか1態様に係る基板処理装置において、前記吐出口は、前記表面においてスリット状に開口するスリット状孔と、開口の大きさが前記スリット状孔よりも小さくかつ前記スリット状孔に連通する接続孔と、で形成される。 According to a fourth aspect, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the discharge port has a slit-like hole that opens in a slit shape on the surface, and the size of the opening is the above-described size. The connecting hole is smaller than the slit-shaped hole and communicates with the slit-shaped hole.
第5の態様は、第1から第4までの態様のいずれか1態様に係る基板処理装置において、前記吐出口の内壁面は、内部から前記表面に向かって次第に前記吐出口の開口が大きくなるように傾斜する部分を含む。 According to a fifth aspect, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the inner wall surface of the discharge port gradually increases in size from the inside toward the surface. So as to include an inclined portion.
第6の態様は、第1から第5までの態様のいずれか1態様に係る基板処理装置において、前記吐出口は、内部から前記表面に向かって開口の大きさが不連続的に大きくなっており、前記気体が滞留する滞留部を形成する。 According to a sixth aspect, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, the discharge port has a discontinuous increase in size from the inside toward the surface. And forms a staying portion in which the gas stays.
第1から第5までの態様に係る基板処理装置によれば、吐出口から噴出させる気体の流量を維持したまま、気体の流速を適度に弱めることができる。したがって、加熱ムラの発生を軽減できる。 According to the substrate processing apparatus according to the first to fifth aspects, it is possible to moderately reduce the gas flow velocity while maintaining the flow rate of the gas ejected from the discharge port. Therefore, the occurrence of uneven heating can be reduced.
特に、第2の態様に係る基板処理装置によれば、吐出口から噴出する高温の気体の流速を弱めることができるため、基板の加熱処理を促進しつつ、加熱ムラの発生を軽減できる。 In particular, according to the substrate processing apparatus according to the second aspect, since the flow rate of the high-temperature gas ejected from the discharge port can be weakened, the occurrence of uneven heating can be reduced while promoting the heat treatment of the substrate.
特に、第3の態様に係る基板処理装置によれば、同心円状に吐出口が設けられているため、吐出口から噴出する気体の流速を比較的均一に抑制できる。したがって、加熱ムラの発生を軽減できる。 In particular, according to the substrate processing apparatus which concerns on a 3rd aspect, since the discharge port is provided concentrically, the flow velocity of the gas ejected from a discharge port can be suppressed comparatively uniformly. Therefore, the occurrence of uneven heating can be reduced.
特に、第4の態様に係る基板処理装置によれば、吐出口の開口形状をスリット状にすることよって、気体の流速を適度に弱めることができる。 In particular, according to the substrate processing apparatus which concerns on a 4th aspect, the flow velocity of gas can be moderately weakened by making the opening shape of a discharge outlet into a slit shape.
特に、第5の態様に係る基板処理装置によれば、気体の流れが、傾斜面に沿って吐出口内に広がるため、吐出口全体から均一に気体を噴出させることができる。 In particular, according to the substrate processing apparatus which concerns on a 5th aspect, since the flow of gas spreads in a discharge outlet along an inclined surface, gas can be uniformly ejected from the whole discharge outlet.
特に、第6の態様に係る基板処理装置によれば、不連続に開口の大きさを変化させることで、吐出口から噴出する気体の一部を吐出口内に一時的に滞留させることができる。したがって、吐出口から噴出する気体の流速を適度に弱めることができる。 In particular, according to the substrate processing apparatus which concerns on a 6th aspect, a part of gas ejected from a discharge outlet can be temporarily retained in a discharge outlet by changing the magnitude | size of an opening discontinuously. Therefore, the flow velocity of the gas ejected from the discharge port can be moderately reduced.
以下、実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.
<1.第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る基板処理装置1の斜視図である。図2は、基板処理装置1の上面図である。また、図3は、図2に示すIII−III線断面図である。なお、以下の説明では、基板9が搬送される方向を「搬送方向」と称し、搬送方向に直交する水平方向を「幅方向」と称する。また図面においては、搬送方向および幅方向を矢印で示している。ただし、これは説明の便宜のために定義されるものであって、以下で説明する各要素の位置関係を限定するものではない。
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view of a
基板処理装置1は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板9(以下、単に「基板9」という)の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板9に加熱処理を行う装置である。基板9の製造工程では、例えば複数台の基板処理装置1が、搬送方向に沿って配列される。基板9は、複数台の基板処理装置1上において搬送されながら、加熱処理を受ける。
The
図1〜図3に示すように、基板処理装置1は、加熱プレート10を備えている。加熱プレート10は、その上面に沿って搬送される基板9を加熱するためのプレートである。加熱プレート10は、略矩形の平板状に形成されている。図3中に拡大して示すように、加熱プレート10は、上段プレート11、下段プレート12、ヒータ13、および押さえ板14を、上から順に積層させた構造を有している。
As shown in FIGS. 1 to 3, the
上段プレート11、下段プレート12、および押さえ板14は、例えば、アルミニウム等の金属により形成されている。押さえ板14は、下段プレート12との間でヒータ13を保持する役割を果たす。ヒータ13は薄板状の発熱体であり、例えばステンレスのエッチングにより形成されるが、このようなものに限定されない。また、ヒータ13は、所定の電源装置(図示省略)に接続されている。
The
電源装置からヒータ13へ電流を与えると、ヒータ13は、その抵抗に応じて発熱する。ヒータ13から発生した熱は、下段プレート12および上段プレート11へ伝導し、下段プレート12および上段プレート11を昇温させる。加熱プレート10上において搬送される基板9は、上段プレート11の上面からの輻射熱を受けて加熱される。
When a current is supplied from the power supply device to the
また、加熱プレート10の上面には、基板9の下面へ向けて加熱された清浄な空気(エア)を噴出する、複数の吐出口101が形成されている。吐出口101は、加熱プレート10の上面において、搬送方向および幅方向に沿って等間隔に配置されている。
A plurality of
図4は、加熱プレート10の上面図である。また、図5は、図4に示すV−V線断面図である。図4および図5に示すように、加熱プレート10の内部には、複数の吐出口101へエアを送るための内部流路102が形成されている。本実施形態では、上段プレート11の下面に形成された溝と、下段プレート12の上面とに囲まれた空間が、内部流路102となっている。内部流路102は、加熱プレート10の下面側に形成された導入口103から、各吐出口101まで、複数本に分岐しつつ、フリーローラ30と重ならないように延設されている。
FIG. 4 is a top view of the
導入口103には、内部流路102へエアを供給するための給気管151が接続されている。給気管151の上流側の端部は、エア供給原152に接続されている。また、給気管151には、開閉弁153とヒータ154とが、介挿されている。
An
開閉弁153を開放すると、エア供給源152から給気管151へ、圧縮されたエアが供給される。エアは、ヒータ154により加熱された後、導入口103を介して、内部流路102へ導入される。そして、内部流路102を通って各吐出口101へ送られたエアは、複数の吐出口101から上方へ向けて噴出され、基板9の下面に吹き付けられる。加熱プレート10上において搬送される基板9は、比較的高温のエアからの熱を受けて加熱されるとともに、加熱プレート10表面に対して浮上するための浮上力が付与される。
When the on-off
このように、本実施形態の基板処理装置1は、加熱プレート10の上面からの輻射熱により基板9を加熱する第1加熱手段と、加熱プレート10の上面から高温のエアを噴出することにより基板9を加熱する第2加熱手段とを有している。このため、輻射熱のみで基板9を加熱する場合よりも、効率よく基板9を加熱できる。
As described above, the
図6は、加熱プレート10の吐出口101近傍を拡大して示す斜視図である。また図7は、加熱プレート10の吐出口101部分を拡大して示す縦断面図である。図6,7に示すように、吐出口101は、加熱プレート10の上面部分において円筒状に設けられた第1孔H1と、第1孔H1および内部流路102に対して空間的に連通する円筒状の第2孔H2とで形成されている。
FIG. 6 is an enlarged perspective view showing the vicinity of the
第1孔H1,第2孔H2の中心位置は、吐出孔101の深さ方向(ここでは、鉛直方向)に沿って延びる軸Pに一致している。このように第1孔H1および第2孔H2とは、同心円状に開口している。換言すれば、吐出孔101を上方から見た場合、第1孔H1および第2孔H2の縁部分が同心円を形成している。
The center positions of the first hole H1 and the second hole H2 coincide with the axis P extending along the depth direction (here, the vertical direction) of the
また第2孔H2の口径bは、第1孔H1の口径aよりも小さくなっており(a>b)、吐出口101の口径が、内部から加熱プレート10上面に向かって大きくなっている。より詳細には、第1孔H1と第2孔H2との境界部分において、吐出口101の開口の口径がbからaへと不連続的に変化している。
The diameter b of the second hole H2 is smaller than the diameter a of the first hole H1 (a> b), and the diameter of the
内部流路102に供給されたエアは、図7中矢印で示すように、まず第2孔H2に侵入する。第1孔H1と第2孔H2との境界部分において、吐出孔101の口径が広がっているため、エアの一部は、第1孔H1において側方に広がるように流れ、さらに第1孔H1の内壁面H1Sに当たって下方へ流れる。したがって、第1孔H1は、エアが一時的に滞留する滞留部を形成する。
The air supplied to the
またこのような滞留部が形成されることより、吐出口101から噴出するエアの流速が適度に低減される。したがって、基板9に対してエアを穏やかに当てることができるとともに、比較的広い範囲(少なくとも第1孔H1の開口より広い範囲)にエアを噴出できる。これにより、基板9が局所的に温度上昇することを抑制できる。また、吐出孔101から噴出するエアの流量は変わらないため、基板9の加熱効率は維持される。
Further, since such a staying portion is formed, the flow velocity of the air ejected from the
また、十分にエアの流速を抑えるためには、第1孔H1の深さhが第2孔H2の口径bよりも十分に大きい方が好ましい。第1孔H1を深くすることによって、口径の広い第1孔H1部分において、エアの流れを内壁面H1S側へ十分に広げることができる。これにより、エアの流速を良好に弱めることできる。 In order to sufficiently suppress the air flow rate, it is preferable that the depth h of the first hole H1 is sufficiently larger than the diameter b of the second hole H2. By deepening the first hole H1, the air flow can be sufficiently expanded toward the inner wall surface H1S in the portion of the first hole H1 having a wide diameter. Thereby, the flow velocity of air can be weakened favorably.
また、吐出口101のように同心円状に開口を形成する場合、吐出口101の各位置におけるエアの流速が、軸Pを中心に対称的に分布しやすくなる。したがって、吐出口101から噴出するエアの流速を均一に弱めることが容易になる。
Further, when the openings are formed concentrically like the
なお、本実施形態では、第1孔H1,第2孔H2の開口形状を円形としているが、楕円形や、あるいは四角形などの多角形にしてもよい。また、第2孔H2と内部流路102との間に、第2孔H2とは開口の大きさが異なる孔をさらに設けることも妨げられない。
In addition, in this embodiment, although the opening shape of the 1st hole H1 and the 2nd hole H2 is made into circular, you may make it polygonal, such as an ellipse or a tetragon | quadrangle. Further, it is not hindered to further provide a hole having a different opening size from the second hole H2 between the second hole H2 and the
図1〜図3に戻って、加熱プレート10の両側部(基板9の搬送方向に向かって左右の側部)には、それぞれ、4つの駆動ローラ20が、搬送方向において等間隔に配置されている。各駆動ローラ20は、加熱プレート10の側面に形成された凹部104の内部に、配置されている。
Returning to FIGS. 1 to 3, four
各駆動ローラ20の駆動軸21は、加熱プレート10の左右に配置されたフレーム22に、回転自在に支持されている。フレーム22は、加熱プレート10とは別体の部材である。フレーム22の外側には、駆動ローラ20の駆動源となるモータ23が、配置されている。各駆動ローラ20の駆動軸21およびモータ23の駆動軸231には、無端ベルト24が掛け渡されている。モータ23を動作させると、モータ23から発生する駆動力が、無端ベルト24を介して、各駆動ローラ20へ伝達される。これにより、各駆動ローラ20が、同じ方向に、能動的に回転する。駆動ローラ20上に支持された基板9は、駆動ローラ20の回転により、搬送方向に搬送される。
The
一方、加熱プレート10の両側部以外の部位には、複数のフリーローラ30が配置されている。本実施形態では、幅方向に4つのフリーローラ30が等間隔に配列され、そのフリーローラ30の列が、搬送方向に等間隔に4つ配列されている。すなわち、本実施形態では、計16個のフリーローラ30が、搬送方向および幅方向に、等間隔に配列されている。
On the other hand, a plurality of
図8は、フリーローラ30とその近傍の部位の縦断面図である。図8に示すように、加熱プレート10の上段プレート11には、フリーローラ30の配置空間を確保するための貫通孔105が形成されている。フリーローラ30の上部は、上段プレート11の上面より上方に位置している。また、下段プレート12、ヒータ13、および押さえ板14には、貫通孔105より幅方向の寸法が大きい貫通孔106が形成されている。
FIG. 8 is a longitudinal sectional view of the
フリーローラ30の回転軸31は、上段プレート11の下面に、ボルト311で固定されている。フリーローラ30は、軸受32を介して、回転軸31に回転自在に取り付けられている。フリーローラ30は、モータ等の駆動源に接続されていない。このため、フリーローラ30が、能動的に回転することはない。フリーローラ30は、基板9の下面を支持しつつ、基板9の移動に伴って従動的に回転する。
The
このように、基板9は、駆動ローラ20およびフリーローラ30上に支持されつつ、加熱プレート10の上面に沿って、搬送される。すなわち、本実施形態では、駆動ローラ20とフリーローラ30とが、基板9を搬送する搬送手段を構成している。また、基板9を搬送する際には、加熱プレート10が、駆動ローラ20とフリーローラ30とによって、基板9を保持することとなる。
As described above, the
加熱プレート10の上面と基板9の下面との間隔は、上段プレート11、回転軸31、およびフリーローラ30、の寸法に応じて決まる。このため、気体の吹き付けのみで加熱プレート10から基板9を浮上させる場合よりも、加熱プレート10と基板9との間隔を、大きくとることができる。また、基板9のサイズが大きい場合に、加熱による基板9の反りが発生したとしても、少なくともフリーローラ30の位置においては、加熱プレート10と基板9との間隔が維持される。これにより、搬送中に基板9が加熱プレート10に接触することを抑制できる。
The distance between the upper surface of the
また、加熱プレート10の側部以外の部位に配置されたフリーローラ30は、モータ等の駆動源に接続されていない。このため、フリーローラ30の回転軸31の高さ位置は、駆動源から延びる駆動軸の位置に制限されない。そのため、フリーローラ30の回転軸31をより高い位置に配置することによって、フリーローラ30の半径をより小さくすることができるため、上段プレート11に形成される貫通孔105の搬送方向の寸法も小さくすることができる。これにより、貫通孔105による基板9の加熱ムラを抑制し、基板9の表面をより均一に加熱できる。
Moreover, the
駆動ローラ20およびフリーローラ30は、耐熱性および耐摩耗性の高い樹脂により形成される。このような樹脂として、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を使用することができる。また、駆動ローラ20およびフリーローラ30は、ステンレス等の金属により形成されていてもよい。ただし、ローラと基板9とが滑ったり、基板9に傷が付いたりすることを防止するためには、駆動ローラ20およびフリーローラ30を、樹脂により形成することが好ましい。
The
<2. 第2実施形態>
上記実施形態では、同心円状に開口する第1孔H1と第2孔H2とで形成される吐出口101を加熱プレート10に設けているが、吐出口の形状は、このようなものに限られない。なお、以下の説明において、第1実施形態と同様の機能を有する要素については適宜同一符号を付して、その説明を省略する。
<2. Second Embodiment>
In the above embodiment, the
図9は、第2実施形態に係る加熱プレート10aの上面図である。また図10は、加熱プレート10aの吐出口101a近傍を拡大して示す斜視図である。図9に示すように、本実施形態の加熱プレート10aの表面には、幅方向に延びるスリット状の吐出口101aが設けられている。本実施形態では、吐出口101aは、内部流路102の延びる方向に沿って設けられている。
FIG. 9 is a top view of the
図10に示すように、本実施形態の吐出口101aは、加熱プレート10aの表面部分においてスリット状に開口する第1孔H1aと、第1孔H1aの底部に対して空間的に連通する複数(図9に示す例では5個)の第2孔H2とで形成されている。
As shown in FIG. 10, the
第1孔H1aのスリット状の開口の長さ(幅方向の長さ)は、第2孔H2の開口の口径以上の大きさを有している。したがって、吐出口101aにおいても、加熱プレート10aの表面に向かうに連れて、開口の大きさが大きくなっている。内部流路102へ供給されて第2孔H2を通過したエアは、第1孔H1aで上方だけではなくスリット状孔H1aの延びる方向(幅方向)に拡散される。したがって、吐出口101aから噴出するエアの流速を、良好に弱めることができる。
The length of the slit-shaped opening of the first hole H1a (length in the width direction) is larger than the diameter of the opening of the second hole H2. Therefore, the opening size of the
また、吐出口101aをスリット状に延ばすことにより、高温のエアをカーテン状に噴出させることができる。このようなエアを、加熱プレート10a上を移動する基板9に当てることによって、基板9をより均一に加熱できる。
Further, by extending the
なお、吐出口101aの開口の幅(搬送方向の長さ)は、第2孔H2の開口の口径と同一としてもよい。また本実施形態では、吐出口101aを幅方向に延ばしているが、搬送方向に延ばしたり、あるいは幅方向に対して斜めの方向に延ばしたりすることも妨げられない。また、スリット状の開口部を直線状に延ばすだけでなく、途中で屈曲させてもよいし、また曲線状に延ばしてもよい。
Note that the width of the opening of the
<3. 第3実施形態>
第1実施形態では、吐出口101の開口の大きさを不連続的に変化させているが、吐出口101の形状はこのようなものに限られない。
<3. Third Embodiment>
In the first embodiment, the size of the opening of the
図11は、第3実施形態に係る加熱プレート10bの吐出口101b近傍を拡大して示す斜視図である。本実施形態の吐出口101bの加熱プレート10bの上面部分を形成する第1孔H1bは、その内壁面H1Sbが、吐出口101bの内部から加熱プレート10a上面に向けて、吐出口101bの開口が大きくように傾斜する傾斜面となっている。
FIG. 11 is an enlarged perspective view showing the vicinity of the
より詳細には、第1孔H1bは、第1孔H1bの孔の径が、内部から加熱プレート10a上面に向けて次第に大きくなるように形成されている。また、第1孔H1bの底部において、第2孔H2が空間的に連通している。
More specifically, the first hole H1b is formed such that the diameter of the first hole H1b gradually increases from the inside toward the upper surface of the
このような第1孔H1b設けることによって、第2孔H2を通過したエアの一部が、第1孔H1bの内壁面H1Sb(傾斜面)に沿って流れる。したがって、吐出孔101bの開口部全体から、エアが均一に噴出しやすくなるため、加熱ムラの発生が軽減される。
By providing such a first hole H1b, part of the air that has passed through the second hole H2 flows along the inner wall surface H1Sb (inclined surface) of the first hole H1b. Therefore, air can be easily ejected uniformly from the entire opening of the
なお、第1孔H1bにおいても、傾斜面の傾斜の角度を比較的緩やかにした場合には、第1実施形態の第1孔H1と同様に、エアが一時的に滞留する滞留部を形成しやすくなる。 In the first hole H1b as well, when the angle of inclination of the inclined surface is made relatively gentle, a retention portion where air stays temporarily is formed as in the first hole H1 of the first embodiment. It becomes easy.
<4. 第4実施形態>
第3実施形態では、第1孔H1bの内壁面H1Sbを孔の深さ方向に対して直線的に傾斜させることで、吐出口101bの開口の大きさを次第に大きくしている。しかしながら、吐出口101bの形状はこのようなものに限られない。
<4. Fourth Embodiment>
In the third embodiment, the size of the opening of the
図12は、第4実施形態に係る加熱プレート10cの吐出口101c近傍を拡大して示す斜視図である。第1孔H1cの内壁面H1Scは、吐出口101cの内部から加熱プレート10c上面に向けて、開口が次第に大きくなるように曲面を形成している。
FIG. 12 is an enlarged perspective view showing the vicinity of the
このような吐出口101cの場合においても、第3実施形態の吐出口101bと同様に、吐出口101cの開口部全体からエアが均一に噴出しやすくなる。
Even in the case of such a
なお、本実施形態では、内部から加熱プレート10c上面に向けて、第1孔H1cの内壁面H1Scの傾斜角度が次第に大きくなるようにしている。これとは逆に、内壁面H1Scの傾斜角度が次第に小さくなるようにして、吐出口101cの開口を大きくしてもよい。この場合、第1孔H1cは、ラッパ状に形成されることになる。
In the present embodiment, the inclination angle of the inner wall surface H1Sc of the first hole H1c gradually increases from the inside toward the upper surface of the
また、第3,第4実施形態では、第1孔H1b,H1cの内壁面H1Sb,H1Scを傾斜させているが、第2孔H2の内壁面を傾斜させてもよい。 In the third and fourth embodiments, the inner wall surfaces H1Sb and H1Sc of the first holes H1b and H1c are inclined, but the inner wall surface of the second hole H2 may be inclined.
<5. 変形例>
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
<5. Modification>
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment.
また、フリーローラ30は、必ずしも等間隔に配置されている必要はなく、加熱プレート10上において疎または密となる部分が存在するように配置されていてもよい。また、噴出孔112についても、必ずしも等間隔に設けられている必要はなく、加熱プレート10上において疎または密となる部分が存在するように設けられていてもよい。
Further, the
また、本実施形態では、能動的に回転する駆動ローラ20を基板9の下面のみに当接させているが、例えば図13に示すように、基板9の上面に当接する駆動ローラ20をさらに設けてもよい。一対の駆動ローラ20が基板9を上下から挟持しつつ回転することで、基板9をより確実に搬送することができる。なお、上側または下側の駆動ローラ20を、フリーローラ30に置き換えてもよい。
In the present embodiment, the actively rotating
また、本実施形態では、駆動ローラ20が基板9の表面(裏面)に当接しながら回転することで、基板9を搬送しているが、例えば図14に示すように、駆動軸21が上下方向に沿うように駆動ローラ20を配置し、駆動ローラ20を基板9の側端面に当接させて回転させることにより、基板9を搬送するようにしてもよい。
In the present embodiment, the
また、本実施形態では、駆動ローラ20が加熱プレート10の両側部に配置されているが、加熱プレート10の一方の側部のみに配置されていてもよい。また、駆動ローラ20が両側部以外の部位(例えば加熱プレート10の幅方向の中央)に設けられていてもよい。
Further, in the present embodiment, the driving
また、上記実施形態では、加熱プレートからの輻射熱と、高温のエアの吹きつけとによって、基板が加熱されるが、輻射熱のみで基板を加熱するようにしてもよい。このような場合においても、吐出口から噴出するエアの流速を抑えることで、基板が局所的に冷却されることを抑制できるため、加熱ムラの発生を抑制できる。 Moreover, in the said embodiment, although a board | substrate is heated by the radiant heat from a heating plate and blowing of high temperature air, you may make it heat a board | substrate only with radiant heat. Even in such a case, it is possible to suppress the local cooling of the substrate by suppressing the flow velocity of the air ejected from the discharge port, and thus it is possible to suppress the occurrence of heating unevenness.
また、上記実施形態では、複数の吐出口からエアを吐出しているが、エアに代えて窒素ガスなど、他の種類の気体を噴出するようにてもよい。例えば、基板の表面において意図しない化学反応が起こることを抑制するためには、窒素ガス等の不活性ガスを使用することが好ましい。 In the above embodiment, air is discharged from a plurality of discharge ports, but other types of gas such as nitrogen gas may be ejected instead of air. For example, in order to suppress an unintended chemical reaction from occurring on the surface of the substrate, it is preferable to use an inert gas such as nitrogen gas.
また、上記実施形態に係る基板処理装置は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板に対して加熱処理を行う装置であったが、本発明の基板処理装置は、半導体ウエハ、PDP用ガラス基板、記録ディスク用基板等の他の基板に対して、加熱処理を行うものであってもよい。 Moreover, although the substrate processing apparatus which concerns on the said embodiment was an apparatus which heat-processes with respect to the rectangular glass substrate for liquid crystal display devices, the substrate processing apparatus of this invention is a semiconductor wafer, the glass substrate for PDP, Heat treatment may be performed on another substrate such as a recording disk substrate.
さらに、上記実施形態および変形例で説明した各要素は、矛盾が生じない限りにおいて、自由に選択して組合せたり、適宜省略したりすることができる。 Furthermore, the elements described in the above embodiments and modifications can be freely selected and combined or appropriately omitted as long as no contradiction occurs.
1 基板処理装置
9 基板
10,10a,10b,10c 加熱プレート
101,101a,101b,101c 吐出口
102 内部流路
H1,H1a,H1b,H1c 第1孔
H2 第2孔
DESCRIPTION OF
Claims (6)
基板と対向する表面の部分に気体を噴出する吐出口が設けられた、基板を加熱するプレートと、
前記吐出口から噴出させる気体を前記プレート内部に供給する気体供給部と、
を備え、
前記吐出口は、内部から前記プレートの前記表面に向けて開口が大きくなる部分を含む基板処理装置。 A substrate processing apparatus for heating a substrate,
A plate for heating the substrate, provided with a discharge port for ejecting gas at a portion of the surface facing the substrate;
A gas supply unit for supplying gas to be ejected from the discharge port into the plate;
With
The substrate processing apparatus, wherein the discharge port includes a portion where an opening increases from the inside toward the surface of the plate.
前記吐出口から噴出する気体が、所定温度に加熱されている基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
A substrate processing apparatus in which a gas ejected from the discharge port is heated to a predetermined temperature.
前記吐出口は、その内部から前記表面に向かって同心円状に開口が大きくなる部分を含む基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the discharge port includes a portion where the opening increases concentrically from the inside toward the surface.
前記吐出口は、
前記表面においてスリット状に開口するスリット状孔と、
開口の大きさが前記スリット状孔よりも小さくかつ前記スリット状孔に連通する接続孔と、で形成される基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of any one of Claim 1 to 3,
The discharge port is
A slit-shaped hole opening in a slit shape on the surface;
A substrate processing apparatus formed by a connection hole having a size of an opening smaller than the slit-shaped hole and communicating with the slit-shaped hole.
前記吐出口の内壁面は、内部から前記表面に向かって次第に前記吐出口の開口が大きくなるように傾斜する部分を含む基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of any one of Claim 1 to 4,
The substrate processing apparatus, wherein an inner wall surface of the discharge port includes a portion that is inclined so that an opening of the discharge port gradually increases from the inside toward the surface.
前記吐出口は、内部から前記表面に向かって開口の大きさが不連続的に大きくなっており、前記気体が滞留する滞留部を形成する基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of any one of Claim 1-5,
The discharge port is a substrate processing apparatus in which a size of an opening is discontinuously increased from the inside toward the surface, and a staying portion in which the gas stays is formed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009240492A JP2011086871A (en) | 2009-10-19 | 2009-10-19 | Substrate processing apparatus |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011124342A (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing device, substrate processing method, and recording medium recording program for implementing the substrate processing method |
-
2009
- 2009-10-19 JP JP2009240492A patent/JP2011086871A/en active Pending
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JP2011124342A (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing device, substrate processing method, and recording medium recording program for implementing the substrate processing method |
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