KR100623454B1 - 반도체 장치 - Google Patents

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KR100623454B1
KR100623454B1 KR1020040059292A KR20040059292A KR100623454B1 KR 100623454 B1 KR100623454 B1 KR 100623454B1 KR 1020040059292 A KR1020040059292 A KR 1020040059292A KR 20040059292 A KR20040059292 A KR 20040059292A KR 100623454 B1 KR100623454 B1 KR 100623454B1
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하치야요시아키
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마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
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Abstract

고출력화가 필요로 되는 스위칭전원에 사용하는 반도체 장치에 관한 것으로, 코일이나 변압기의 소리울림을 방지하고, 고효율 전원을 실현한다. 귀환신호 입력단자인 FB 단자 주변회로에, P형 MOSFET로 이루어지는 커런트미러 회로(9), 과전류 검출레벨 조정회로(10), 과전류 검출회로(12), 간헐 발진 제어회로(13)를 접속함으로써 중부하 상태로부터 경부하 상태에 있어서는 IDRAIN 피크값을 가변으로 하는 PWM제어, 경부하 상태로부터 무부하 상태에 있어서는 간헐 발진 제어로 하고, 코일이나 변압기로부터의 소리울림 억제, 및 고효율화를 실현한다.

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 동작을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 구성도이다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 구성도이다.
도 5는 종래의 기술에 있어서의 반도체 장치의 구성도이다.
도 6은 종래의 기술에 있어서의 반도체 장치의 동작을 나타내는 도면이다.
본 발명은 스위칭전원 등의 전원장치에 사용되는 반도체 장치에 관한 것이다. 특히, 전원장치의 전력절약화 기술에 관한 것이다.
도 5는 종래의 반도체 장치를 나타내는 도면이다(예컨대, 미국 특허 제6297623호 참조). 종래의 반도체 장치는 크게 나누어서 스위칭소자(1)와 스위칭소자(1)를 제어하기 위한 제어회로(2)로 구성된다.
스위칭소자(1)는 파워 MOSFET와 같은 고내압 파워 소자이다.
제어회로(2)는 스위칭소자(1)의 DRAIN 단자, GATE 단자, 또한, SOURCE 단자에 각각 접속되는 단자, 제어회로(2)의 기준전압단자인 BP 단자, 귀환신호 입력단자인 FB 단자의 합계 5개의 단자로 이루어진다. 스위칭소자(1)의 DRAIN 단자와 BP 단자 사이에는 레귤레이터(3)가 접속되고, BP 단자에는 기동/정지회로(4)와 정전류원(5)이 접속되어 있다. BP 단자와 FB 단자 사이에는 정전류원(5)과 N형 MOSFET(6)가 접속되어 있다. 발진기(14)로부터는 MAX DUTY신호(15)와 CLOCK신호(16)가 출력되어 있고, MAX DUTY신호(15)는 AND회로(17)에, 또한, MAX DUTY신호(15)의 반전회로는 OR회로(18)에 입력된다. AND회로(19)에는 발진기(14)의 CLOCK단자와 N형 MOSFET(6)의 고전압 단자가 접속되고, AND회로(19)의 출력신호는 RS 플립플롭회로(21)의 세트단자(S)에 입력된다. OR회로(18)의 또 하나의 입력에는 AND회로(20)의 출력신호가 입력된다. AND회로(20)의 입력에는 과전류 검출회로(12)의 출력신호와, 스위칭소자(1)의 GATE신호가 온일 때 귀선소거펄스 발생기(22)를 통한 신호가 입력되어 있다. OR회로(18)의 출력신호는 RS플립플롭회로(21)의 리셋단자(R)에 입력된다. AND회로(17)에는 기동/정지회로(4)의 출력신호, RS플립플롭회로(21)의 출력단자(Q)의 신호, 또한, 발진기(14)의 MAX DUTY신호(15)의 3개의 신호가 입력되어 있다. AND회로(17)의 출력신호는 스위칭소자(1)의 GATE단자에 접속되어 있다.
이와 같이 구성된 반도체 장치의 동작을 도 6의 동작 파형을 이용하여 설명한다. 도 6 중 VFB는 도 5의 제어회로(2)의 FB 단자전압을, IDRAIN은 스위칭소자(1)의 DRAIN단자와 SOURCE단자 사이를 흐르는 드레인 전류를 나타낸다.
제어회로(2)의 기준전압단자인 BP 단자는 동작 중 항상 일정전압으로 되도록 레귤레이터(3)에 의해 DRAIN단자로부터 전류가 공급된다. BP 단자전압이 기동/정지회로(4)에 의해 규정되는 기동전압 이상으로 되면 기동/정지회로(4)의 출력신호는 "H(하이)"로 되고, 스위칭소자(1)는 발진기(14)의 MAX DUTY신호(15)와 RS플립플롭회로(21)의 출력단자(Q)의 신호에 의해 제어된다. 반대로 BP 단자전압이 기동/정지회로(4)에 의해 규정되는 정지전압 이하로 되면 기동/정지회로(4)의 출력신호는 항상 "L(로우)"로 되기 때문에 스위칭소자(1)의 제어가 정지상태로 된다.
제어회로(2)의 동작상태에 있어서 스위칭소자(1)를 제어하는 제어회로(2)의 FB 단자전압이 "H(하이)"신호일 때, AND회로(19)의 출력은 발진기(14)의 CLOCK신호(16)로 되기 때문에 스위칭소자(1)는 MAX DUTY신호(15)와 CLOCK신호(16)가 입력되는 AND회로(17)의 출력신호에 의해 제어된다(도 6의 A영역). 이 때, 스위칭소자(1)의 DRAIN단자와 SOURCE단자 사이에 흐르는 드레인 전류 IDRAIN의 피크(과전류 검출레벨)는 과전류 검출회로(12)에 의해, 항상 일정하게 된다. 또한, 스위칭소자(1)를 제어하는 제어회로(2)의 FB 단자전압이 "L(로우)"신호일 때, AND회로(19)의 출력은 항상 "L(로우)"로 되고, 스위칭소자(1)는 항상 오프상태로 된다(도 6의 B영역). 즉, 종래의 반도체 장치를 스위칭전원에 사용하는 경우, FB 단자에 출력부하상태를 반영한 귀환신호를 입력시킴으로써, 출력측으로의 전력공급을 선형적인 스위칭소자(1)의 스위칭 회수 조정에 의해 실시한다(간헐 제어로 된다). 그 때문에 스위칭전원으로서 고효율화, 즉, 에너지 절약화를 도모할 수 있다.
그러나, 종래의 반도체 장치를 사용하여 스위칭전원의 고출력화를 실시한 경우, 이하의 과제가 발생한다.
(1) 출력전압에 맞추어 선형적으로 스위칭소자(1)를 간헐 제어하기 위해서 스위칭 동작시에 간헐 동작 주파수가 가청영역에 들어가기 때문에 스위칭전원에 사용되는 변압기나 코일로부터의 소리울림이 발생한다. 특히, 스위칭전원의 출력특성에 있어서 고출력화가 필요한 경우, 과전류 검출회로에 의해 결정되는 IDRAIN의 피크 전류값(과전류 검출레벨)을 크게 할 필요가 있기 때문에 상기 소리울림도 크게 된다. 종래의 반도체 장치에서 스위칭전원의 고출력화를 도모한 경우, 변압기나 코일로부터의 소리울림이 발생하고, 고출력 스위칭전원으로의 사용의 지장이 된다.
(2) 종래의 반도체 장치를 사용하여 스위칭전원을 고출력화하는 경우, 상기(1)에도 기재한 바와 같이, 과전류 검출레벨을 크게 할 필요가 있기 때문에 출력 부하상태가 경부하 상태나 무부하 상태에서는 고출력화와 함께 턴 오프시의 스위칭 손실이 크게 된다. 그 때문에, 고효율화의 지장이 된다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이고, 고출력 및 고효율의 스위칭전원을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 반도체 장치는 고전위측 단자와 저전위측 단자와 제어단자를 구비하는 스위칭소자와, 상기 고전위측 단자와 레귤레이터를 통해서 접속된 기준전압단자와 귀환신호 입력단자를 갖고, 또한, 상기 스위칭소자의 고전위측 단자와 저전위측 단자와 제어단자에 접속되어 상기 스위칭소자의 온 오프의 반복인 스위칭동작을 제어하는 특징을 갖는 제어회로를 구비하는 반도체 장치이다. 상기 제어회로에는,
고전위측 단자가 상기 기준전압단자에, 제어단자가 상기 귀환신호 입력단자 및 제 2의 P형 스위칭소자의 제어단자에, 저전위측 단자가 상기 귀환신호 입력단자와 자신의 제어단자에 접속된 제 1의 P형 스위칭소자와, 고전위측 단자가 상기 기준전압단자에, 제어단자가 상기 귀환신호 입력단자 및 상기 제 1의 P형 스위칭소자의 제어단자에, 저전위측 단자가 제 1의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자에 접속된 제 2의 P형 스위칭소자로 구성되는 제 1 커런트미러 회로와,
고전위측 단자가 상기 제 2의 P형 스위칭소자의 저전위측 단자에, 제어단자가 상기 제 2의 P형 스위칭소자의 저전위측 단자 및 제 2의 N형 스위칭소자의 제어단자에 접속되고, 저전위측 단자가 접지된 제 1의 N형 스위칭소자와, 고전위측 단자가 저항을 통해서 상기 기준전압단자에, 제어단자가 상기 제 1의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자 및 제어단자에, 저전위측 단자가 접지된 제 2의 N형 스위칭소자로 구성되는 제 2 커런트미러 회로와,
상기 제 2 커런트미러 회로와 클램프 회로를 포함하여 이루어지고, 상기 제 2 커런트미러 회로에 있어서의 상기 제 2의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자가 추가로 클램프 회로와, 간헐 발진 제어회로의 입력단자와, 과전류 검출회로의 제 1 콤퍼레이터의 검출단자에 접속된 구성인 과전류 검출레벨 조정회로와,
상기 스위칭소자의 고전위측 단자에 상기 제 1 콤퍼레이터의 검출단자가 접속된 과전류 검출회로와,
상기 제 2의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자가 접속된 검출단자와, 상기 검 출단자의 신호에 의해, 상기 검출단자에 의해 기준전압이 간헐 발진 검출 상한 전압과 간헐 발진 검출 하한 전압으로 바뀌는 기준단자를 갖는 제 2 콤퍼레이터로 이루어지고, 상기 검출단자의 신호가 상기 간헐 발진 검출 하한 전압보다 작게 되었을 때에 상기 스위칭소자의 스위칭동작을 정지시키고, 상기 검출단자의 신호가 상기 간헐 발진 검출 상한 전압보다 크게 되었을 때에 상기 스위칭소자의 스위칭동작을 재개시키는 간헐 발진 제어회로가 구비된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 반도체 장치는 고전위측 단자와 저전위측 단자와 제어단자를 구비하는 제 1 스위칭소자와, 상기 제 1 스위칭소자와 병렬로 접속되고, 고전위측 단자가 상기 제 1 스위칭소자의 고전위측 단자에, 저전위측 단자가 상기 제 1 스위칭소자의 저전위측 단자에, 제어단자가 상기 제 1 스위칭소자의 제어단자에 접속된 제 2 스위칭소자와, 상기 제 1 스위칭소자와 상기 제 2 스위칭소자 각각의 고전위측 단자와 레귤레이터를 통해서 접속된 기준전압단자와 귀환신호 입력단자를 갖고, 또한, 상기 스위칭소자의 고전위측 단자와 저전위측 단자와 제어단자에 접속되어 상기 스위칭소자의 온 오프의 반복인 스위칭동작을 제어하는 특징을 갖는 제어회로를 구비하는 반도체 장치이다. 상기 제어회로에는, 상기 제어회로와 모두 마찬가지로, 제 1 커런트미러 회로와, 제 2 커런트미러 회로와, 과전류 검출레벨 조정회로와, 과전류 검출회로와, 간헐 발진 제어회로가 구비된다.
상기 반도체 장치에 있어서 과열보호기능을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 스위칭소자 및 제어회로를 동일한 반도체 기판 상에 집적화하고, 4개이상의 단자를 갖는 패키지로 조립한 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 고출력 스위칭전원으로서 사용하는 경우, 종래와 비교하여 코일이나 변압기로부터의 소리울림을 대폭적으로 억제할 수 있음과 아울러 소비전력을 대폭적으로 저감화한 고효율 스위칭전원을 실현할 수 있다.
또한, 제어회로와 스위칭소자를 동일한 반도체 기판 상에 집적화함으로써 보다 소형이고 저가격의 전원을 실현할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관해서 설명한다.
(제 1 실시형태)
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 구성도이다.
도 1의 반도체 장치는 도 5에 나타낸 종래예와 비교하여 커런트미러 회로(9), 과전류 검출레벨 조정회로(10), 클램프 회로(11), 과전류 검출회로(12), 및 간헐 발진 제어회로(13)가 추가되어 있는 점이 다르다.
이와 같이 구성된 반도체 장치의 동작을 도 2에 나타낸 동작 파형을 이용하여 설명한다. 도 2 중 IFB는 도 1의 제어회로(2)의 FB 단자전류를, VFBL은 도 1의 간헐 발진 제어회로(13)의 출력신호를, Vp는 간헐 발진 제어회로(13)의 +단자에 접속된 단자 전압을, IDRAIN은 스위칭소자(1)의 DRAIN단자와 SOURCE단자 사이를 흐르는 드레인 전류를 각각 나타낸다.
제어회로(2)의 기준전압단자인 BP 단자는 동작 중 항상 일정한 전압으로 되도록 레귤레이터(3)에 의해 DRAIN단자로부터 전류가 공급된다. BP 단자전압이 기동/정지회로(4)에 의해 규정되는 기동전압 이상으로 되면 기동/정지회로(4)의 출력신 호는 "H(하이)"로 되고, 스위칭소자(1)는 발진기(14)의 MAX DUTY신호(15)와 RS플립플롭회로(21)의 출력단자(Q)의 신호에 의해 제어된다. 반대로 BP 단자전압이 기동/정지회로(4)에 의해 규정되는 정지전압 이하로 되면 기동/정지회로(4)의 출력신호는 항상 "L(로우)"로 되기 때문에 스위칭소자(1)의 제어가 정지상태로 된다.
제어회로(2)의 동작상태에 있어서 BP 단자로부터 P형 MOSFET(7)를 통해서 FB 단자에 전류(IFB)가 흘러 증가하면 커런트미러 회로(9)에 의해 P형 MOSFET(8)의 드레인-소스 간에 흐르는 전류도 증가한다. P형 MOSFET(8)에는 과전류 검출레벨 조정회로의 2개의 N형 MOSFET로 구성된 커런트미러 회로가 접속되어 있기 때문에 IFB전류가 증가함에 맞추어 Vp의 전압은, 도 2에 나타내는 바와 같이, IFB전류의 증가에 따라 Vp단자전압은 저하, IFB전류의 감소에 따라 Vp단자전압이 증가하도록 변화한다. Vp단자전압의 증감은 과전류 검출회로(12)의 기준단자전압이기 때문에 스위칭소자(1)의 DRAIN단자로부터 SOURCE단자에 흐르는 IDRAIN전류의 피크값은 상기 Vp단자전압변화와 동일하도록 변화하는 PWM제어로 된다. 여기서, Vp단자전압은 클램프 회로(11)에 의해 규정된 전압 이상으로는 되지 않도록 설정되어 있다.
이어서, IFB전류의 증가에 따라, Vp단자전압이 간헐 발진 제어회로(13)의 기준전압(Vp1) 이하까지 저하하면 VFBL의 신호가 "H(하이)"로부터 "L(로우)"로 되고, 동시에 간헐 발진 제어회로(13)의 기준전압도 Vp1로부터 Vp2로 바뀐다. 상기 VFBL이 "L(로우)"로 되면 그 기간 중에는 스위칭소자(1)의 온 오프 제어가 정지하기 때문에 IDRAIN은 간헐 발진 제어로 된다. 또한, IFB전류가 감소하면 Vp단자전압은 증가하고, 간헐 발진 제어회로(13)의 기준전압(Vp2)이상으로 되면 간헐 발진 제어회로(13)의 출력신호는 "L(로우)"에서 "H(하이)"로 바뀌고, 다시 스위칭소자(1)는 제어회로(2)에 의해 온 오프 제어를 시작한다.
이상을 정리하면, 기준전압 Vp1은 IFB 전류증가에 의한 Vp의 감소시의 간헐발진 제어회로(13)의 기준전압이고, 기준전압 Vp2는 IFB 전류감소에 의한 Vp의 증가시의 간헐발진 제어회로(13)의 기준전압이다.
본 실시형태의 반도체 장치를 사용하여 스위칭전원의 고출력화를 실시한 경우, 출력 부하 상태를 나타내는 신호를 FB 단자로부터 유출하는 전류로서 반영시킴으로써, 출력 부하 상태가 중부하 상태로부터 경부하 상태로 됨에 따라, 도 2 중 전압(Vp)이 변화하고, 스위칭소자(1)의 발진주파수는 일정하고, IDRAIN의 전류 피크값을 변화시키는 것에 의한 PWM제어로 되기 때문에 가청영역에 들어가지 않는다. 그 때문에 코일이나 변압기의 소리울림을 방지할 수 있고, 또한, 출력 부하 상태가 경부하 상태에 있어서의 턴 오프시의 스위칭 손실을 저감할 수 있다. 또한, 출력부하가 경부하 상태로부터 무부하 상태로 되면, 즉, 전압(Vp)이 Vp1 이하로 되면, 스위칭소자(1)는 간헐 발진 제어로 되기 때문에, 더욱 스위칭 손실이 저감되기 때문에 전원의 고효율화가 실현가능하다. 그 때, IDRAIN의 피크값 자체를 낮게 할 수 있기 때문에 간헐 발진 제어 중 코일이나 변압기로부터의 소리울림을 낮게 억제할 수 있게 된다.
(제 2 실시형태)
도 3은 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 구성도이고, 도 1에 나타낸 제 1 실시형태의 반도체 장치에 과열보호회로(24)가 추가되어 있는 것 이외에 회로구성 및 동작도 모두 동일하다.
과열보호회로(24)는 스위칭소자(1)의 온 오프 제어에 의한 스위칭소자(1)와 제어회로(2)로 이루어지는 반도체 장치(23)의 발열로부터 반도체 장치(23)를 보호 하기 위한 회로이다. 과열보호회로(24)에 의한 보호의 예로서는, 예컨대, 래치모드(규정 이상의 온도로 되면 해제수단에 의해 해제되기까지 스위칭소자(1)의 온 오프 제어를 완전히 정지시키는 모드)나, 자기복귀모드(규정상의 온도로 되면 스위칭소자(1)의 온 오프 제어를 정지시키고, 온도가 규정된 온도이하까지 저하하면 자동적으로 스위칭소자(1)의 온 오프 제어를 재개시키는 모드) 등이 있다. 이것에 의해 반도체 장치(23)를 보호한다.
(제 3 실시형태)
도 4는 본 발명의 제 3 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 구성도이다. 도 4에서 나타내는 본 발명의 제 3 실시형태에 있어서의 반도체 장치는 과전류 검출방식에 관한 것이고, 도 1의 제 1 실시형태에 있어서의 반도체 장치에서는 스위칭소자(1)의 온 전압을 검출하는 방식에 대해서 스위칭소자(1)가 갖는 일정한 전류비를 갖고, 또한, 스위칭소자(1)에 병렬 접속된 센스 MOSFET(25)와 센스 MOSFET(25)의 소스단자에 직렬 접속된 센스 저항(26)을 이용하여, 센스 저항(26) 양단 전압을 검출하고 있는 방식인 점이 다른 것 이외에는 본 발명의 제 1 실시형태와 동작은 동일하다.
또한, 본 발명의 제 3 실시형태에, 상기 본 발명을 제 2 실시형태에 나타내는 바와 같은 과열보호회로(24)를 추가함으로써 반도체 장치(23)의 발열로부터 반도체 장치(23)를 보호하는 기능을 추가하는 것도 가능하다.
이상과 같이, 본 발명의 제 1~3의 각 실시형태의 반도체 장치를 스위칭전원으로서 사용한 경우, 출력부하의 상태에 맞추어,(i) 중부하 상태로부터 경부하 상 태에 있어서는 PWM 제어로,(ii) 경부하 상태로부터 무부하 상태에 있어서는 간헐 발진 제어로 동작시키고, 스위칭전원의 고효율화, 즉, 에너지절약화를 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 1~3의 각 실시형태의 반도체 장치의 고출력 스위칭전원에의 사용에 있어서도 스위칭소자(1)의 온 오프 제어가 PWM 제어상태에 있어서는 주파수가 일정하기 때문에 가청영역에는 들어가지 않고, 또한, 스위칭소자(1)의 온 오프 제어가 간헐 발진 제어상태에 있어서는 IDRAIN 피크값이 낮게 억제되기 때문에 코일이나 변압기로부터의 소리울림을 낮게 억제할 수 있다.
본 발명의 반도체 장치는 고출력 스위칭전원으로서 사용하는 경우, 종래와 비교하여, 코일이나 변압기로부터의 소리울림을 대폭적으로 억제할 수 있음과 아울러 소비전력을 대폭적으로 저감화한 고효율 스위칭전원을 실현할 수 있음과 아울러 제어회로와 스위칭소자를 동일한 반도체 기판 상에 집적화함으로써 보다 소형이고 저가격의 전원을 실현할 수 있으므로 스위칭전원 등의 전원장치에 사용되는 반도체 장치에 적용할 수 있다.

Claims (4)

  1. 고전위측 단자와 저전위측 단자와 제어단자를 구비하는 스위칭소자(1)와, 상기 고전위측 단자와 레귤레이터(3)를 통해서 접속된 기준전압단자(BP)와 귀환신호 입력단자(FB)를 갖고, 또한, 상기 스위칭소자의 고전위측 단자와 저전위측 단자와 제어단자에 접속되어 상기 스위칭소자(1)의 온 오프의 반복인 스위칭동작을 제어하는 제어회로(2)를 구비하는 반도체 장치로서,
    상기 제어회로(2)는,
    고전위측 단자가 상기 기준전압단자에, 제어단자가 상기 귀환신호 입력단자 및 제 2의 P형 스위칭소자의 제어단자에, 저전위측 단자가 상기 귀환신호 입력단자와 자신의 제어단자에 접속된 제 1의 P형 스위칭소자(7)와, 고전위측 단자가 상기 기준전압단자에, 제어단자가 상기 귀환신호 입력단자 및 상기 제 1의 P형 스위칭소자의 제어단자에, 저전위측 단자가 제 1의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자에 접속된 제 2의 P형 스위칭소자(8)로 구성되는 제 1 커런트미러 회로(9);
    고전위측 단자가 상기 제 2의 P형 스위칭소자의 저전위측 단자에, 제어단자가 상기 제 2의 P형 스위칭소자의 저전위측 단자 및 제 2의 N형 스위칭소자의 제어단자에 접속되고, 저전위측 단자가 접지된 제 1의 N형 스위칭소자(6)와, 고전위측 단자가 저항을 통해서 상기 기준전압단자에, 제어단자가 상기 제 1의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자 및 제어단자에, 저전위측 단자가 접지된 제 2의 N형 스위칭소자(6)로 구성되는 제 2 커런트미러 회로;
    상기 제 2 커런트미러 회로와 클램프 회로(11)를 포함하여 이루어지고, 상기 제 2 커런트미러 회로에 있어서의 상기 제 2의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자가 추가로 클램프 회로(11)와, 간헐 발진 제어회로(13)의 입력단자와, 과전류 검출회로(12)의 제 1 콤퍼레이터의 검출단자에 접속된 구성인 과전류 검출레벨 조정회로(10);
    상기 스위칭소자의 고전위측 단자에 상기 제 1 콤퍼레이터의 검출단자가 접속된 과전류 검출회로(12); 및
    상기 제 2의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자가 접속된 검출단자와, 상기 검출단자의 신호에 의해, 상기 검출단자에 의해 기준전압이 간헐 발진 검출 상한 전압과 간헐 발진 검출 하한 전압으로 바뀌는 기준단자를 갖는 제 2 콤퍼레이터로 이루어지고, 상기 검출단자의 신호가 상기 간헐 발진 검출 하한 전압보다 작게 되었을 때에 상기 스위칭소자의 스위칭동작을 정지시키고, 상기 검출단자의 신호가 상기 간헐 발진 검출 상한 전압보다 크게 되었을 때에 상기 스위칭소자의 스위칭동작을 재개시키는 간헐 발진 제어회로(13)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 고전위측 단자와 저전위측 단자와 제어단자를 구비하는 제 1 스위칭소자(1)와, 상기 제 1 스위칭소자와 병렬로 접속되고, 고전위측 단자가 상기 제 1 스위칭소자의 고전위측 단자에, 저전위측 단자가 상기 제 1 스위칭소자의 저전위측 단자에, 제어단자가 상기 제 1 스위칭소자의 제어단자에 접속된 제 2 스위칭소자(25) 와, 상기 제 1 스위칭소자와 제 2 스위칭소자 각각의 고전위측 단자와 레귤레이터(3)를 통해서 접속된 기준전압단자(BP)와 귀환신호 입력단자(FB)를 갖고, 또한, 상기 스위칭소자의 고전위측 단자와 저전위측 단자와 제어단자에 접속되어 상기 스위칭소자의 온 오프의 반복인 스위칭동작을 제어하는 제어회로(2)를 구비하는 반도체 장치로서,
    상기 제어회로는,
    고전위측 단자가 상기 기준전압단자에, 제어단자가 상기 귀환신호 입력단자 및 제 2의 P형 스위칭소자의 제어단자에, 저전위측 단자가 상기 귀환신호 입력단자와 자신의 제어단자에 접속된 제 1의 P형 스위칭소자(7)와, 고전위측 단자가 상기 기준전압단자에, 제어단자가 상기 귀환신호 입력단자 및 상기 제 1의 P형 스위칭소자의 제어단자에, 저전위측 단자가 제 1의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자에 접속된 제 2의 P형 스위칭소자(8)로 구성되는 제 1 커런트미러 회로(9);
    고전위측 단자가 상기 제 2의 P형 스위칭소자의 저전위측 단자에, 제어단자가 상기 제 2의 P형 스위칭소자의 저전위측 단자 및 제 2의 N형 스위칭소자의 제어단자에 접속되고, 저전위측 단자가 접지된 제 1의 N형 스위칭소자(6)와, 고전위측 단자가 저항을 통해서 상기 기준전압단자에, 제어단자가 상기 제 1의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자 및 제어단자에, 저전위측 단자가 접지된 제 2의 N형 스위칭소자(6)로 구성되는 제 2 커런트미러 회로;
    상기 제 2 커런트미러 회로와 클램프 회로(11)를 포함하여 이루어지고, 상기 제 2 커런트미러 회로에 있어서의 상기 제 2의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자가 추가로 클램프 회로(11)와, 간헐 발진 제어회로(13)의 입력단자와, 과전류 검출회로(12)의 제 1 콤퍼레이터의 검출단자에 접속된 구성인 과전류 검출레벨 조정회로(10);
    상기 스위칭소자의 고전위측 단자에 상기 제 1 콤퍼레이터의 검출단자가 접속된 과전류 검출회로(12); 및
    상기 제 2의 N형 스위칭소자의 고전위측 단자가 접속된 검출단자와, 상기 검출단자의 신호에 의해, 상기 검출단자에 의해 기준전압이 간헐 발진 검출 상한 전압과 간헐 발진 검출 하한 전압으로 바뀌는 기준단자를 갖는 제 2 콤퍼레이터로 이루어지고, 상기 검출단자의 신호가 상기 간헐 발진 검출 하한 전압보다 작게 되었을 때에 상기 스위칭소자의 스위칭동작을 정지시키고, 상기 검출단자의 신호가 상기 간헐 발진 검출 상한 전압보다 크게 되었을 때에 상기 스위칭소자의 스위칭동작을 재개시키는 간헐 발진 제어회로(13)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 과열보호기능을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 스위칭소자 및 제어회로를 동일한 반도체 기판 상에 집적화하고, 4개이상의 단자를 갖는 패키지로 조립한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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