KR100619401B1 - Method for forming a semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 배리어 금속막 형성 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 소정의 금속 배선이 형성된 반도체 기판 상에, 제1 IMD막을 형성하는 단계; 상기 제1 IMD막 상부에 식각 종료층을 증착하는 단계; 상기 식각 종료층 상부에 제1 포토레지스트를 도포하고, 비아 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트로 하여 상기 식각 종료층을 식각하는 단계; 상기 식각된 식각 종료층에 측벽막을 증착하는 단계; 상기 측벽막을 식각하는 단계; 상기 측벽막이 식각된 기판 상에 제2 IMD막을 형성하는 단계; 상기 식각 종료층 상부에 듀얼 다마신 패턴 형성을 위해 제2 포토레지스트를 도포하고, 패터닝하는 단계; 상기 제 2포토레지스트로 하여 트렌치와 비아 홀을 식각하는 단계; 상기 트렌치와 비아 홀에 배리어 금속막을 증착하는 단계; 및 상기 배리어 금속막 상부에 구리를 증착하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.The present invention relates to a method of forming a barrier metal film of a semiconductor device, and more particularly, forming a first IMD film on a semiconductor substrate on which a predetermined metal wiring is formed; Depositing an etch stop layer on the first IMD layer; Applying a first photoresist on the etch stop layer and forming a via pattern; Etching the etch stop layer using the first photoresist; Depositing a sidewall film on the etched end layer; Etching the sidewall film; Forming a second IMD film on the substrate on which the sidewall film is etched; Applying and patterning a second photoresist on the etch stop layer to form a dual damascene pattern; Etching trenches and via holes using the second photoresist; Depositing a barrier metal film in the trench and via hole; And depositing copper on the barrier metal film.

따라서, 본 발명의 반도체 소자의 배리어 금속막 형성 방법 측벽 스페이서를 이용하여 배리어 금속막 및 금속 증착시에 발생될 수 있는 미세공간이나 균열(Seam)을 방지할 수 있으며, 미세한 홀을 구현할 수 있어 사진식각 장비의 초점 마진(Focus Margin)확보할 수 있으므로 공정의 안정성을 향상시키는 효과가 있다. Therefore, by using the barrier metal film forming method sidewall spacer of the semiconductor device of the present invention, it is possible to prevent micro-spaces or cracks that may occur during deposition of the barrier metal film and the metal, and to implement fine holes. The focus margin of etching equipment can be secured, which improves the stability of the process.

듀얼 다마신, 측벽막, 측벽 스페이서, 식각 종료층, 측벽완충층Dual damascene, sidewall film, sidewall spacer, etch stop layer, sidewall buffer layer

Description

반도체 소자의 제조 방법{Method for forming a semiconductor device}Method for manufacturing a semiconductor device {Method for forming a semiconductor device}

도 1a 및 도 1b는 종래기술에 의한 반도체 소자의 배리어 금속막 형성 방법.1A and 1B illustrate a barrier metal film forming method of a semiconductor device according to the prior art.

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 의한 반도체 소자의 배리어 금속막 형성 방법.2A and 2B illustrate a method of forming a barrier metal film of a semiconductor device according to the present invention.

본 발명은 반도체 소자의 배리어 금속막 형성 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 듀얼 다마신 패턴을 형성하여 금속 배선을 구현하는 경우, 측벽 스페이서로 작용하는 측벽막을 이용하여, 배리어 금속막의 피복성을 개선시키기 위한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for forming a barrier metal film of a semiconductor device, and more particularly, when forming a dual damascene pattern to implement metal wiring, by using a sidewall film serving as sidewall spacers, improving the coating property of the barrier metal film. It relates to a method for manufacturing a semiconductor device for.

도 1a 내지 도 1b는 종래의 반도체 소자의 배리어 금속막 형성 방법을 나타낸 도면이다. 도에서 보는 바와 같이 소정의 금속 배선이 형성된 반도체 기판(101) 상에, 제1 IMD막(102)을 형성하고, 상기 제1 IMD막 상부에 식각 종료층(103)을 증착한 다음, 제1 포토레지스트(104)를 도포하고, 상기 제1 포토레지스트로 하여 상 기 식각 종료층을 식각하여, 듀얼 다마신 패턴 가운데 비아 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 식각 종료층 상부에 제2 IMD막(105)을 증착하고, 기계화학적연마(Chemical Mechanical Polishing, 이하 CMP)로 평탄화한 다음, 제2 포토레지스트(106)를 도포하고, 패터닝하여, 트렌치와 비아 홀을 순차적으로 식각한다. 계속해서, 듀얼 다마신 패턴에 배리어 금속막(107)을 증착시키고, 구리(108)를 매립한 다음, CMP로 평탄화한다. 1A to 1B illustrate a method of forming a barrier metal film of a conventional semiconductor device. As shown in the drawing, a first IMD film 102 is formed on a semiconductor substrate 101 on which a predetermined metal wiring is formed, and an etch stop layer 103 is deposited on the first IMD film. The photoresist 104 is applied, and the etch finish layer is etched using the first photoresist to form a via pattern among the dual damascene patterns. Subsequently, a second IMD film 105 is deposited on the etch stop layer, planarized by chemical mechanical polishing (CMP), and then the second photoresist 106 is applied and patterned to form a trench. And via holes are sequentially etched. Subsequently, a barrier metal film 107 is deposited on the dual damascene pattern, the copper 108 is embedded, and then planarized by CMP.

그러나, 상기와 같은 종래의 반도체 소자의 배리어 금속막 형성 방법은 배리어 금속막 증착시 피복성에 따라 금속 증착시 미세공간(Void)(109)이나 균열(Seam)이 발생할 수 있어, 제품의 신뢰성 및 전기적 특성에 문제를 야기할 수 있는 단점이 있었다. However, in the method of forming the barrier metal film of the conventional semiconductor device as described above, microcavity (Void) 109 or crack may occur during metal deposition depending on the coating property of the barrier metal film. There were drawbacks that could cause problems with the properties.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로배리어 금속막 형성 방법에 있어서, 측벽 스페이서를 이용하여 배리어 금속막 및 금속 증착시에 발생될 수 있는 미세공간이나 균열을 방지할 수 있으며, 미세한 홀을 구현할 수 있어 사진식각 장비의 초점 마진(Focus Margin)확보할 수 있어 공정의 안정성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 형성 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, in the barrier metal film forming method, it is possible to prevent the micro-space or cracks that may occur during the deposition of the barrier metal film and the metal using the sidewall spacer. In addition, it is an object of the present invention to provide a method of forming a semiconductor device that can implement a fine hole to secure the focus margin of the photolithography equipment to improve the stability of the process.

본 발명의 상기 목적은 반도체 소자의 형성 방법에 있어서, 반도체 기판 상에, 제1 IMD막을 형성하는 단계; 상기 제1 IMD막 상부에 식각 종료층을 증착하는 단계; 상기 식각 종료층 상부에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 식각 종료층을 식각하는 단계; 상기 제1 포토레지스트를 제거하고, 기판 전면에 측벽막을 증착하는 단계; 상기 측벽막을 식각하여 식각된 식각 종료층 측벽에 측벽 스페이서를 형성하는 단계; 상기 측벽 스페이서가 형성된 기판 상에 제2 IMD막을 형성하는 단계; 상기 제2 IMD막 상에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 2포토레지스트를 마스크로 제2 IMD를 식각하여 트렌치를 형성하고 상기 측벽 스페이서를 마스크로 제1 IMD를 식각하여 비아홀을 형성하는 단계; 상기 트렌치와 비아홀에 배리어 금속막을 증착하는 단계; 및 상기 배리어 금속막 상부에 구리를 증착하는 단계로 이루어질 수 있다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.The above object of the present invention is a method of forming a semiconductor device, comprising: forming a first IMD film on a semiconductor substrate; Depositing an etch stop layer on the first IMD layer; Forming a first photoresist pattern on the etch stop layer; Etching the etch stop layer using the first photoresist as a mask; Removing the first photoresist and depositing a sidewall film over the substrate; Etching the sidewall layer to form sidewall spacers on the etched end layer sidewalls; Forming a second IMD film on the substrate on which the sidewall spacers are formed; Forming a second photoresist pattern on the second IMD film; Etching a second IMD using the second photoresist as a mask to form a trench, and forming a via hole by etching the first IMD using the sidewall spacer as a mask; Depositing a barrier metal film in the trenches and via holes; And depositing copper on the barrier metal layer.
Details of the above object and technical configuration of the present invention and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.

삭제delete

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 의한 반도체 소자의 배리어 금속막 형성 방법을 나타낸 도면이다. 2A and 2B illustrate a method of forming a barrier metal film of a semiconductor device according to the present invention.

먼저, 도 2a 및 도 2b에서 보는 바와 같이 소정의 금속 배선이 형성된 반도체 기판(201) 상에, 제1 IMD막(202)을 형성하고, 상기 제1 IMD막 상부에 식각 종료층(203)을 증착한다. 이 때, 상기 식각 종료층은 측벽완충층 역할을 하며, 상기 식각 종료층 외에 별도의 측벽완충층을 증착시킬 수도 있다. 상기 식각 종료층 및 측벽완충층은 질화막, 산화막 가운데 하나를 사용하는 것이 바람직하다. First, as shown in FIGS. 2A and 2B, a first IMD film 202 is formed on a semiconductor substrate 201 on which predetermined metal wirings are formed, and an etch stop layer 203 is formed on the first IMD film. Deposit. In this case, the etch stop layer may serve as a sidewall buffer layer, and in addition to the etch stop layer, a separate sidewall buffer layer may be deposited. The etching termination layer and the sidewall buffer layer may preferably use one of a nitride film and an oxide film.

상기 식각 종료층 상부에 제1 포토레지스트(204)를 도포하고, 비아 패턴을 형성한 다음, 상기 제1 포토레지스트로 하여 상기 식각 종료층을 식각하며, 상기 식각된 식각 종료층에 측벽막(205)을 증착하고 식각한다. 상기 측벽막은 측벽 스페이서로 작용하고, 하드마스크 역할을 하며, 질화막, 산화막 가운데 하나를 사용하는 것이 바람직하다. A first photoresist 204 is coated on the etch stop layer, a via pattern is formed, and the etch stop layer is etched using the first photoresist, and a sidewall layer 205 is formed on the etch finish layer. ) Is deposited and etched. The sidewall film serves as a sidewall spacer, serves as a hard mask, and preferably uses one of a nitride film and an oxide film.

이어서, 상기 측벽막이 식각된 기판 상에 제2 IMD막(206)을 형성한 다음, 상기 식각 종료층 상부에 듀얼 다마신 패턴 형성을 위해 제2 포토레지스트를 도포하고, 패터닝한다. 계속해서, 상기 제 2포토레지스트를 식각 마스크로 하여 트렌치와 비아 홀을 식각하고, 상기 트렌치와 비아 홀에 배리어 금속막(207)을 증착한 다음, 상기 배리어 금속막 상부에 구리(208)를 증착한다. 이 때, 상기 트렌치와 비아 홀을 형성하는 방법은 듀얼 다마신, 싱글 다마신, 콘벤셔널 홀(Convention Hole) 제조법 가운데 어느 하나를 사용할 수 있다. Subsequently, a second IMD film 206 is formed on the substrate on which the sidewall film is etched, and then a second photoresist is applied and patterned on the etch finish layer to form a dual damascene pattern. Subsequently, trenches and via holes are etched using the second photoresist as an etch mask, a barrier metal film 207 is deposited in the trench and via holes, and copper 208 is then deposited on the barrier metal film. do. In this case, the trench and the via hole may be formed using any one of dual damascene, single damascene, and a convention hole manufacturing method.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above-described embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

따라서, 본 발명의 반도체 소자의 배리어 금속막 형성 방법은 측벽 스페이서를 이용하여 배리어 금속막 및 금속 증착시에 발생될 수 있는 미세공간이나 균열을 방지할 수 있으며, 미세한 크한 홀을 구현할 수 있어 사진식각 장비의 초점 마진을 확보할 수 있어 공정의 안정성을 향상시키는 효과가 있다. Therefore, the barrier metal film forming method of the semiconductor device of the present invention can prevent micro-spaces or cracks that may occur during deposition of the barrier metal film and the metal by using sidewall spacers, and can implement fine large holes to photograph. The focus margin of the equipment can be secured, thereby improving the stability of the process.

Claims (7)

반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 있어서,In the metal wiring formation method of a semiconductor element, 반도체 기판 상에, 제1 IMD막을 형성하는 단계;Forming a first IMD film on the semiconductor substrate; 상기 제1 IMD막 상부에 식각 종료층을 증착하는 단계;Depositing an etch stop layer on the first IMD layer; 상기 식각 종료층 상부에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;Forming a first photoresist pattern on the etch stop layer; 상기 제1 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 식각 종료층을 식각하는 단계;Etching the etch stop layer using the first photoresist as a mask; 상기 제1 포토레지스트를 제거하고, 기판 전면에 측벽막을 증착하는 단계;Removing the first photoresist and depositing a sidewall film over the substrate; 상기 측벽막을 식각하여 식각된 식각 종료층 측벽에 측벽 스페이서를 형성하는 단계;Etching the sidewall layer to form sidewall spacers on the etched end layer sidewalls; 상기 측벽 스페이서가 형성된 기판 상에 제2 IMD막을 형성하는 단계;Forming a second IMD film on the substrate on which the sidewall spacers are formed; 상기 제2 IMD막 상에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;Forming a second photoresist pattern on the second IMD film; 상기 제 2포토레지스트를 마스크로 제2 IMD를 식각하여 트렌치를 형성하고 상기 측벽 스페이서를 마스크로 제1 IMD를 식각하여 비아홀을 형성하는 단계;Etching a second IMD using the second photoresist as a mask to form a trench, and forming a via hole by etching the first IMD using the sidewall spacer as a mask; 상기 트렌치와 비아홀에 배리어 금속막을 증착하는 단계; 및Depositing a barrier metal film in the trenches and via holes; And 상기 배리어 금속막 상부에 구리를 증착하는 단계Depositing copper on the barrier metal layer 로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.Method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that consisting of. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 측벽막을 식각하여 식각된 식각 종료층 측벽에 측벽 스페이서를 형성하는 단계에서, Etching sidewall layers to form sidewall spacers on the etched end layer sidewalls; 상기 식각 종료층은 측벽완충층 역할을 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.The etching termination layer is a method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that it serves as a side wall buffer layer. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 식각 종료층 외에 별도의 측벽완충층을 증착시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a separate sidewall buffer layer may be deposited in addition to the etch stop layer. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 식각 종료층과 측벽완충층중 적어도 어느 하나는 질화막 또는 산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.At least one of the etch stop layer and the sidewall buffer layer uses a nitride film or an oxide film. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 측벽막은 질화막 또는 산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.The sidewall film is a semiconductor device manufacturing method characterized in that the use of a nitride film or an oxide film. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 트렌치와 비아 홀은 듀얼 다마신, 싱글 다마신, 콘벤셔널 홀(Convention Hole)방법 가운데 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.The trench and the via hole may be any one of dual damascene, single damascene, and a convention hole method.
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