KR100619019B1 - 정보저장매체 - Google Patents

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Abstract

정보재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 것으로, 제벡현상(Seebeck Effect)을 이용하여 초해상 재생을 수행할 수 있도록 된 구조의 정보저장매체가 개시되어 있다.
이 개시된 정보저장매체는 기판과; 기판 상에 형성되는 것으로, 정보가 기록되는 기록층과; 기록층 상에 형성되는 것으로, 제벡현상(Seebeck Effect)에 의해 입사된 빔 중심부의 광학적 특성이 바뀌어 광학적 어퍼쳐를 형성하는 초해상재생층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

정보저장매체{Information storing medium}
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도.
도 2는 도 1의 초해상재생층에 대한 제벡현상을 설명하기 위한 개략적인 모식도.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 정보저장매체의 광학적 특성 변화를 살펴보기 위하여 사용된 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도.
도 5는 도 4의 정보저장매체의 기록마크 길이 변화에 따른 CNR 특성을 나타낸 그래프.
도 6은 도 4의 정보저장매체의 재생반복횟수에 따른 CNR 특성 변화를 나타낸 그래프.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 정보저장매체에 대한 정보의 기록/재생을 수행할 수 있도록 된 정보기록재생장치를 보인 개략적인 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11, 31...기판 13...제1유전체층
15...기록층 17...제2유전체층
19, 37...초해상재생층 20...광학적 어퍼쳐
21, 39...커버층 33...기록마크
35...유전체층
본 발명은 초해상 현상을 이용할 수 있는 구조의 정보저장매체에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제벡현상(Seebeck Effect)을 이용하여 초해상 재생을 수행할 수 있도록 된 구조의 정보저장매체에 관한 것이다.
정보저장매체는 비접촉식으로 정보의 기록 재생을 수행하는 광픽업장치의 저장매체로서 이용되는 것으로, 산업 발전과 더불어 저장되는 정보의 기록밀도가 높아질 것이 요구되고 있다.
이를 위하여, 레이저 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 가지는 초해상 현상을 이용하여 고밀도 기록/재생을 구현할 수 있는 광기록매체가 연구되고 있다.
하지만, 초해상 현상을 이용한 정보저장매체의 연구에 있어서, 재생 가능한 신호대 잡음비(Carrier-to-Noise Noise: 이하 CNR 이라 함)를 얻을 수 있는 구성 및, 반복적인 재생시 재생신호의 열화를 방지하기 위한 구성에 대하여 구체화되지 못하고 있는 실정이다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 단순화된 적층 구조를 가지면서도 반복적인 재생을 수행하는 경우에도 재생신호가 열화되지 않도록 된 구조의 정보저장매체를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 정보재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서, 기판과; 상기 기판 상에 형성되는 것으로, 상기 기록마크가 기록되는 기록층과; 상기 기록층 상에 형성되는 것으로, 제벡현상(Seebeck Effect)에 의해 입사된 빔 중심부의 광학적 특성이 바뀌어 광학적 어퍼쳐를 형성하는 초해상재생층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 정보재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서, 일면에 상기 기록마크가 기록된 기판과; 상기 기판의 기록마크 상에 형성된 제1유전체층과; 상기 제1유전체층 상에 형성되는 것으로, 제벡현상(Seebeck Effect)에 의해 입사된 빔 중심부의 광학적 특성이 바뀌어 광학적 어퍼쳐를 형성하는 초해상재생층과; 입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 초해상재생층 상에 형성된 제2유전체층과; 상기 제2유전체층 상에 형성되어 상기 초해상재생층을 보호하는 커버층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 정보재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서, 기판과; 상기 기판 상에 형성된 제1유전체층과; 상기 제1유전체층 상에 형성되는 것으로, 상기 기록마크가 기록되는 기록층과; 상기 기록층 상에 형성되는 제2유전체층과; 상기 제2유전체층 상에 형성되는 것으로, 제벡현상(Seebeck Effect)에 의해 입사된 빔 중심부의 광학적 특성이 바뀌 어 광학적 어퍼쳐를 형성하는 초해상재생층과; 입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 초해상재생층 상에 형성되어 상기 초해상재생층을 보호하는 커버층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기한 초해상재생층은 GeSbTe, Bi2Te3, Sb2Te3, Bi 2Se3, ZnSb, InSb, Ge 및, TiO2로 이루어진 제벡 현상을 나타내는 재질 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정보저장매체에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도이다.
도면을 참조하면, 본 제1실시예에 따른 정보저장매체는 기판(11)과, 이 기판(11) 상에 순차로 형성된 제1유전체층(13), 기록층(15), 제2유전체층(17), 초해상재생층(19), 제3유전체층(21) 및 커버층(23)을 포함한다. 여기서, 정보의 기록/재생에 이용되는 빔은 대물렌즈(OL)에 의해 집속되고, 상기 커버층(23)을 투과하고, 상기 초해상재생층(19)에 형성되는 광학적 어퍼쳐(20)를 투과하여 상기 기록층(15)에 입사된다.
상기 기판(11)은 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리메틸메타아크릴레이트 (PMMA), 비정질 폴리올레핀(APO) 및 글래스 재질 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 구성되며, 그 일면 즉, 상기 제1유전체층(13)과 마주하는 면에는 입사빔을 반사 시키는 반사막이 코팅 형성된 것이 바람직하다.
상기 제1 내지 제3유전체층(13)(17)(21)은 광학적 및/또는 열적 특성 제어하는 층이다. 상기 커버층(23)은 상기 초해상재생층(19)을 덮도록 형성된 층이다. 여기서, 상기 제1 내지 제3유전체층(13)(17)(21)과 커버층(23)은 본 발명의 필수적인 구성 요소는 아니며, 이 층들이 없는 경우에도 정보의 재생이 가능함은 물론이다.
상기 제1 내지 제3유전체층(13)(17)(21) 각각은 광학적 및/또는 열적 특성을 제어하는 층으로, 산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 불화물 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 제1 내지 제3유전체층(13)(17)(21)은 산화규소(SiOx), 산화마그네슘(MgOx), 산화알루미늄(AlOx), 산화티타늄(TiOx), 산화바나듐(VOx), 산화크롬(CrOx), 산화니켈(NiOx), 산화질코늄(ZrOx), 산화게르마늄(GeOx), 산화아연(ZnOx), 질화규소(SiNX), 질화알루미늄(AlNx), 질화티타늄(TiNx), 질화질코늄(ZrNx), 질화게르마늄(GeNx), 탄화규소(SiC), 황화아연(ZnS), 황화아연-이산화규소 화합물(ZnS-SiO2), 불화마그네슘(MgF2) 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 재질로 구성되는 것이 바람직하다.
상기 기록층(15)은 정보신호가 기록되는 층으로, 자기기록 재료, 상변화 재료, 부피변화 재료 및 반응성 재료 중 어느 하나의 재료로 구성된다.
상기 자기기록 재료는 광자기방식으로 정보의 기록 재생할 수 있도록 된 재료이며, 상변화 재료는 입사빔의 파워 및 냉각속도에 따라 결정과 비결정상을 가지는 재료이다. 따라서, 상기 자기기록 재료 또는 상변화 재료로 기록층(15)을 형성 하는 경우는 반복기록재생 가능한 타입(RW 타입 : Rewritable type)의 정보저장매체를 구현할 수 있다.
상기 부피변화 재료는 기록용 레이저 빔에 의해 변화된 부피를 이용하여 기록마크를 형성하는 재료이다. 그리고, 반응성 재료는 소정 파워의 빔에 감응하여 반사율 특성이 변화하는 유기물질 등을 말한다. 따라서, 상기 부피변화 재료 또는 반응성 재료로 기록층(15)을 형성하는 경우는 일회기록 및 반복 재생가능한 타입(WORM 타입 : Write Once Read Many type)의 정보저장매체를 구현할 수 있다.
여기서, 상기 자기기록 재료, 상변화 재료, 부피변화 재료 및, 반응성 재료 각각은 그 자체로 널리 알려져 있으므로, 그 재질의 예 및 물성에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 초해상재생층(19)은 제벡현상(Seebeck Effect, 열전현상 (Thermoelectric Effect)이라고도 함)에 의해 입사된 빔 중심부의 광학적 특성이 바뀌어 광학적 어퍼쳐를 형성하는 층이다.
도 2를 참조하면서 제벡현상에 대해 보다 상세히 살펴 본 후, 상기 초해상재생층(19)의 재질에 대해 설명하기로 한다.
제벡현상이란 재생 파워의 증가에 따라 초해상재생층에 맺힌 레이저 빔 스폿의 내부에 온도 차이가 생기고, 고온쪽 전자의 에너지가 저온쪽 전자의 에너지보다 크게 되면서 제벡 전위차(Seebeck Voltage)가 발생되고, 이에 따라 전자가 레이저 빔 스폿의 중심에서 외곽으로 이동하여 재료 내에 전자의 농도구배가 생기게 되는 현상을 말한다.
도 2를 참조하면, 전자(e)가 일정하게 분포된 초해상재생층(19)에 대하여 레이저 빔 L을 조사하면, 레이저 빔의 강도분포에 의해 초해상재생층(19)에 조사된 빔 스폿은 그 중앙부 온도가 가장 높고, 그 주변으로 갈수록 낮아지는 가우시안 형태를 온도분포를 가진다. 즉, A영역은 빔스폿의 중앙부에 해당하는 초해상 영역으로, 주변과의 관계에서 상대적으로 고온이다. B영역은 A영역의 주변에 형성되는 영역으로 A영역에 비하여 상대적으로 저온영역이다. 이와 같은 온도 구배가 형성되면, 상기한 제벡현상에 의하여 레이저 빔 L이 조사되기 전 균일하던 전자(e)가 고온영역(A)에서 저온영역(B)으로 이동하면서, 초해상재생층의 전자밀도차가 발생된다. 즉, 고온영역(A)은 낮은 전자밀도를 가지게 되어, 입사빔을 용이하게 통과시킨다. 반면, 저온영역(B)은 상대적으로 높은 전자밀도를 가지게 되어, 입사빔이 잘 통과되지 않는다. 따라서, 상기한 제벡현상에 의하여, 상기 고온영역(A)에 광학적 어퍼쳐(aperture)가 형성되어, 이 고온영역(A)을 통과한 빔이 상기 기록층(15)으로 향하게 되어, 초해상 기록/재생을 수행할 수 있다.
상기한 제벡현상은 도체와 반도체 재료에서 주로 나타나는 것으로, 특히 기전력에 있어서는 반도체 재료에서 보다 더 크게 나타난다.
이러한 점을 고려하여 상기 초해상재생층은 GeSbTe, Bi2Te3, Sb2Te 3, Bi2Se3, ZnSb, InSb, Ge 및, TiO2로 이루어진 제벡 현상을 나타내는 반도체 재료 중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 것이 바람직하다.
상기한 초해상재생층 재료는 1℃ 온도 차이에 의한 제벡 전위차를 살펴보면 표 1과 같다. 따라서, 초해상재생층으로서 상기한 재료를 선택함으로써, 상기 기록층()에 초해상 현상에 의한 정보의 기록/재생을 수행할 수 있다.
재료 Seebeck Voltage [mV] 재료 Seebeck Voltage [mV]
GeSbTe 0.190 ZnSb 0.220
Bi2Te3 0.195 InSb 0.130
Sb2Te3 0.195 Ge 0.210
Bi2Se3 0.210 TiO2 0.200
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 정보저장매체를 보인 개략적인 단면도이다.
도면을 참조하면, 본 실시예에 따른 정보저장매체는 초해상 현상에 의해 정보를 재생하는 재생전용 매체로서, 일면에 기록마크(33)가 기록된 기판(31)과, 이 기판(31)의 기록마크(33) 상에 순차로 형성된 제1유전체층(35), 초해상재생층(37) , 제2유전체층(39) 및 커버층(41)을 포함한다. 여기서, 정보의 재생에 이용되는 빔은 상기 커버층(41)을 투과하고, 상기 초해상재생층(37)에 형성되는 광학적 어퍼쳐를 투과하여 상기 기록마크(33)에 입사된다.
본 실시예에 따른 정보저장매체는 상기 기판(31) 상에 기록마크(33)가 직접 형성된 점과, 정보가 기록되는 별도의 기록층(도 1의 15)과 일 유전체층 예컨대 제1유전체층(13)이 배제된 점에 특징이 있다.
여기서, 상기 기판(31), 제1유전체층(35), 초해상재생층(37), 제2유전체층(39) 및 커버층(41)의 재료 및 구조는 제1실시예에 따른 동일 이름의 구성요소 각각과 실질상 동일하므로 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이와 같이, 제벡현상을 이용하여 초해상 재생전용 정보저장매체를 구현함으로써, 구성이 간단하면서도 고밀도 정보 저장이 가능하다는 이점이 있다.
이하, 상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 정보저장매체에 있어서, 분해능 이하의 기록마크에 대하여 초해상 신호 재생이 가능한지 여부를 살펴보면 다음과 같다.
이를 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 정보저장매체의 조건을 충족하는 실험용 정보저장매체를 마련하였다.
이 정보저장매체는 도 4에 도시된 바와 같이, 1.1 mm 두께와 0.32㎛ 트랙피치의 그루브를 가지는 폴리카보네이트 재질의 기판 상에, 30 nm 두께의 ZnS-SiO2로 된 유전체층, 20 nm 두께의 Ge-Sb-Te로 된 제벡현상에 의해 광학적 어퍼쳐 기능을 수행하는 초해상재생층, 50 nm 두께의 ZnS-SiO2로 된 유전체층을 스퍼터링 공정을 통하여 순차적으로 증착 형성하였다. 이어서 0.1 mm 두께의 레진으로 된 커버층을 스핀 코팅 공정을 통하여 형성하였다.
이 정보저장매체를 파장 650 nm, 개구수 NA 0.60의 광픽업장치를 사용하여 실험하였으며, 이때의 재생 분해능은 270 nm가 된다.
도 5는 상기한 조건의 정보저장매체에 있어서, 기록마크 길이 변화에 따른 CNR(Carrier-to-Noise Ratio) 특성을 나타낸 그래프이다. 도면을 살펴보면, 재생 분해능인 270 nm 보다 작은 150 nm 길이의 기록마크에 대해서도 약 40 dB의 CNR을 얻을 수 있음을 알 수 있다.
도 6은 상기한 정보저장매체에 있어서 재생반복횟수에 따른 CNR 특성 변화를 나타낸 그래프이다.
여기서, 정보저장매체를 5 m/sec의 선속도로 회전시키면서, 150 nm 크기의 마크길이를 가지는 신호에 대해 재생파워 Pr가 2.0 mW인 레이저 빔을 이용하여 반복적으로 재생하면서 CNR의 변화를 측정하였다. 그 결과 대략 100,000번 이상 반복 재생을 수행한 경우에도 초기의 CNR 값에 비하여 미미한 정도의 대략 1 dB 정도의 저하된 대략 41dB 값을 가짐을 알 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 정보저장매체는 도 7에 도시된 바와 같은 정보기록재생장치에 채용될 수 있다.
도 7을 참조하면, 정보기록/재생 장치는 픽업부(110), 신호처리부(120) 및 제어부(130)를 포함하여, 도 1, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같은 구조의 정보저장매체에 대하여 정보의 기록 및/또는 재생을 수행한다.
상기 픽업부(110)는 빔을 조사하는 광원(111)과, 입사빔을 집속시켜 정보저장매체(D)에 빔스폿이 형성되도록 하는 대물렌즈(117) 및 상기 정보저장매체(D)에서 반사된 빔을 수광하는 광검출기(119)를 포함한다. 또한, 상기 픽업부(110)는 입사빔을 평행하게 바꾸어주는 콜리메이팅렌즈(113)와, 입사빔의 진행 경로를 변환하는 빔스프리터(113)을 포함한다.
상기 신호처리부(120)는 상기 광검출기(119)에서 검출되고, 광전변환된 신호로부터 정보신호와 오차신호를 산출한다. 즉, 상기 광검출기(119)에서 광전변환되어 출력된 신호는 연산회로(121)를 거쳐 전기신호로 변환되어 RF 신호, 즉, 썸신 호로 검출되는 채널1(Ch1)과 푸시풀 방식의 신호를 검출하는 차동신호 채널(Ch2)로 출력된다. 이들 중 RF 신호는 재생신호로 이용되고, 차동신호는 상기 대물렌즈(117)의 트랙 오차 및 포커스 오차를 보상하는데 이용된다.
상기 제어부(13)는 상기 신호처리부(120)에서 검출된 신호로부터 상기 광(110)원에서 출력되는 빔 파워 및 대물렌즈(117)의 구동을 제어한다.
상기한 바와 같이 구성된 정보저장매체는 제벡현상을 잘 나타내는 재료를 선택하여 초해상재생층을 구성함으로써 간단한 구조의 고밀도 기록/재생 가능한 초해상 정보저장매체를 구현할 수 있다. 또한, 반복적인 재생을 수행하는 경우에도 재생신호가 열화되지 않음으로써 안정성을 높일 수 있다.
상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.

Claims (13)

  1. 정보재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서,
    기판과;
    상기 기판 상에 형성되는 것으로, 상기 기록마크가 기록되는 기록층과;
    상기 기록층 상에 형성되는 것으로, 제벡현상(Seebeck Effect)에 의해 입사된 빔 중심부의 광학적 특성이 바뀌어 광학적 어퍼쳐를 형성하는 초해상재생층; 및
    상기 기판 상에 적어도 일 층 이상으로 형성되는 유전체층;을 포함하며,
    상기 유전체층은,
    산화규소(SiOx), 산화마그네슘(MgOx), 산화알루미늄(AlOx), 산화티타늄(TiOx), 산화바나듐(VOx), 산화크롬(CrOx), 산화니켈(NiOx), 산화질코늄(ZrOx), 산화게르마늄(GeOx), 산화아연(ZnOx) 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 산화물; 질화규소(SiNX), 질화알루미늄(AlNx), 질화티타늄(TiNx), 질화질코늄(ZrNx), 질화게르마늄(GeNx) 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 질화물; 탄화규소(SiC)로 이루어진 탄화물; 황화아연(ZnS) 또는 황화아연-이산화규소 화합물(ZnS-SiO2)로 이루어진 황화물; 및, 불화마그네슘(MgF2)으로 이루어진 불화물; 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 초해상재생층은,
    GeSbTe, Bi2Te3, Sb2Te3, Bi2Se3, ZnSb, InSb, Ge 및, TiO2로 이루어진 제벡 현상을 나타내는 재질 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기록층은,
    자기기록 재료, 부피변화 재료, 유기 재료 및 상변화 재료 중에서 선택된 어느 하나의 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 정보재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서,
    일면에 상기 기록마크가 형성된 기판과;
    상기 기판의 기록마크 상에 형성된 제1유전체층과;
    상기 유전체층 상에 형성되는 것으로, 제벡현상(Seebeck Effect)에 의해 입사된 빔 중심부의 광학적 특성이 바뀌어 광학적 어퍼쳐를 형성하는 초해상재생층과;
    상기 초해상층 상에 형성된 제2유전체층과;
    입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 제2유전체층 상에 형성되어 상기 초해상재생층을 보호하는 커버층;을 포함하며,
    상기 제1 및 제2유전체층 각각은,
    산화규소(SiOx), 산화마그네슘(MgOx), 산화알루미늄(AlOx), 산화티타늄(TiOx), 산화바나듐(VOx), 산화크롬(CrOx), 산화니켈(NiOx), 산화질코늄(ZrOx), 산화게르마늄(GeOx), 산화아연(ZnOx) 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 산화물; 질화규소(SiNX), 질화알루미늄(AlNx), 질화티타늄(TiNx), 질화질코늄(ZrNx), 질화게르마늄(GeNx) 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 질화물; 탄화규소(SiC)로 이루어진 탄화물; 황화아연(ZnS) 또는 황화아연-이산화규소 화합물(ZnS-SiO2)로 이루어진 황화물; 및, 불화마그네슘(MgF2)으로 이루어진 불화물; 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  8. 삭제
  9. 정보재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서,
    기판과;
    상기 기판 상에 형성된 제1유전체층과;
    상기 제1유전체층 상에 형성되는 것으로, 상기 기록마크가 기록되는 기록층과;
    상기 기록층 상에 형성된 제2유전체층과;
    상기 제2유전체층 상에 형성되는 것으로, 제벡현상(Seebeck Effect)에 의해 입사된 빔 중심부의 광학적 특성이 바뀌어 광학적 어퍼쳐를 형성하는 초해상재생층과;
    입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 초해상재생층 상에 형성되어 상기 초해상재생층을 보호하는 커버층;을 포함하며,
    상기 제1 및 제2유전체층 각각은,
    산화규소(SiOx), 산화마그네슘(MgOx), 산화알루미늄(AlOx), 산화티타늄(TiOx), 산화바나듐(VOx), 산화크롬(CrOx), 산화니켈(NiOx), 산화질코늄(ZrOx), 산화게르마늄(GeOx), 산화아연(ZnOx) 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 산화물; 질화규소(SiNX), 질화알루미늄(AlNx), 질화티타늄(TiNx), 질화질코늄(ZrNx), 질화게르마늄(GeNx) 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 질화물; 탄화규소(SiC)로 이루어진 탄화물; 황화아연(ZnS) 또는 황화아연-이산화규소 화합물(ZnS-SiO2)로 이루어진 황화물; 및, 불화마그네슘(MgF2)으로 이루어진 불화물; 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기록층은,
    자기기록 재료, 부피변화 재료, 유기 재료 및 상변화 재료 중에서 선택된 어느 하나의 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제7항, 제9항 또는 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 초해상재생층은,
    GeSbTe, Bi2Te3, Sb2Te3, Bi2Se3, ZnSb, InSb, Ge 및, TiO2로 이루어진 제벡 현상을 나타내는 재질 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체.
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