KR100614544B1 - 탄성 표면파 디바이스, 그 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 패키지의 밀봉 마진을 충분히 갖고, 또한 반송시의 엠보싱 테이프에의 부식을 방지할 수 있는 탄성 표면파 디바이스, 그 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
패키지(2)의 측벽을 상부면측의 모서리(2A)가 외측으로 밀어 낸 형상으로 한다. 패키지(2)의 측면은 SAW 디바이스(1)를 개편화할 때의 절단면이다. 캐비티(4)의 주위인 패키지(2)의 상부면, 즉 캡(3)의 접합 영역을 넓어진 형상으로서 SAW 디바이스(1)를 개편화함으로써, 캡(3)을 와셔(6)로 접합하는 영역을 넓게 취할 수 있어 캐비티(4)의 밀봉 마진을 크게 하는 것이 가능해진다. 또한, SAW 디바이스(1)를 반송용의 엠보싱 테이프(200)의 오목부(201)에 수납하였을 때에, 오목부(201)의 측면의 경사와 SAW 디바이스(1)의 측면의 경사를 이용한 셀프 얼라이먼트의 작용에 의해 확실하게 SAW 디바이스(1)를 오목부(201) 내부에 수납할 수 있다.
패키지, 모서리, SAW 디바이스, 오목부, 엠보싱 테이프, 캡

Description

탄성 표면파 디바이스, 그 패키지 및 그 제조 방법 {SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, PACKAGE FOR THE DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE DEVICE}
도1은 종래 기술에 의한 SAW 디바이스(100)의 구성을 도시하는 사시도.
도2는 도1에 있어서의 SAW 디바이스(100)의 A-A' 단면도.
도3은 종래 기술에 있어서의 SAW 디바이스(100)를 엠보싱 테이프(200)에 수납하였을 때의 과제를 설명하기 위한 도면.
도4는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 SAW 디바이스(1)의 구성을 도시하는 사시도.
도5의 (a)는 도4에 도시한 SAW 디바이스(1)의 B-B' 단면도이며, (b)는 (a)에 있어서의 모서리(2A)의 확대도.
도6은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 SAW 디바이스(1)를 엠보싱 테이프(200)에 수납하였을 때의 효과를 설명하기 위한 도면.
도7은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 SAW 디바이스(1)의 제조 방법을 도시하는 공정도.
도8은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 SAW 디바이스(1B)의 구성을 도시하는 사시도.
도9는 도8에 도시한 SAW 디바이스(1B)의 D-D' 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 1B : SAW 디바이스
2 : 패키지
2A : 모서리
2B : 베이스 기판
3 : 캡
4 : 캐비티
5 : 금속 도금
6 : 와셔
7, 16 : 캐스터레이션
7B : 홀
9, 23 : 전극 패드
10, 15, 24 : 배선
11 : 비어 배선
12 : 금속 범프
13 : 그랜드 풋 패턴
14 : 풋 패턴
20 : SAW 소자 칩
21 : 압전 기판
22 : IDT
90 : 다이싱 블레이드
91 : 가압 기구
92 : 가열 기구
본 발명은 탄성 표면파 디바이스, 그 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 소형화 및 고성능화에 수반하여, 이에 탑재된 전자 부품에도 소형화 및 고성능화가 요구되고 있다. 예를 들어, 전파를 송신 또는 수신하는 전자 기기에 있어서의 필터, 지연선, 발진기 등의 전자 부품으로서 사용되는 탄성 표면파(Surface Acoustic Wave : 이하, SAW라 약칭함) 디바이스에도, 패키지를 포함하여 전체적인 소형화 및 고성능화가 요구되고 있다.
일반적인 SAW 디바이스는, 예를 들어 압전성 소자 기판(이하, 압전 기판이라 함) 상에 형성된 빗살 무늬형 전극부의 인터디지털 트랜스듀서(InterDigital Transducer : 이하, IDT라 약칭함)를 갖는 SAW 소자 칩이 캐비티 내에 기밀 밀봉된 구성을 갖고 있다(예를 들어, 특허 문헌 1에 있어서의 특히 도3 참조). 이 구성에 있어서, 입력측의 IDT에 전기 신호를 인가하고, 이를 SAW로 변환하여 압전 기판 상을 전파시킴으로써, 출력측의 IDT로부터 소정의 변조가 이루어진 전기 신호를 얻을 수 있다.
종래 기술에 의한 SAW 디바이스(100)의 구성을 도1 및 도2를 이용하여 이하에 설명한다. 또한, 도1은 SAW 디바이스(100)의 사시도이며, 도2는 도1의 A-A' 단면도이다.
도1 및 도2에 도시한 바와 같이, SAW 디바이스(100)는 패키지(102)에 설치된 캐비티(104) 내에 SAW 소자 칩(120)이 수용된 구성을 갖는다. SAW 소자 칩(120)의 페이스면, 즉 압전 기판(121)의 한 쪽 주요면(이를 상부면이라 함)에는 IDT(122)와 배선(124)과 전극 패드(123)를 포함하는 금속 패턴이 형성되어 있다. 캐비티(104)의 바닥면(다이아 터치면)에는 SAW 소자 칩(120)의 전극 패드(123)와 위치 맞춤된 전극 패드(109)를 포함하는 금속 패턴이 형성되어 있다. SAW 소자 칩(120)은 금속 범프(112)를 이용하여 표면 하향 상태로 다이아 터치면에 플립 칩이 실제 장착된다. 이에 의해, 패키지(102)와 SAW 소자 칩(120)이 전기적 또한 기계적으로 접속된다. 또한, 다이아 터치면에 형성된 전극 패드(109)는 패키지(102) 내에 형성된 배선이나 비어 배선을 통해 패키지(102)의 이면[캐비티(104)의 개구측과 반대측]에 형성된 풋 패턴(114)과 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 캐비티(104)는 금속으로 된 캡(103)에 의해 기밀성 높게 밀봉된다. 캡(103)의 고정 부착에는 땜납이나 금ㆍ주석 등의 금속에 의한 접착제(본 설명에서는 와셔라 함)(106)가 사용된다. 패키지(102)에 있어서의 캡(103)의 고정 부착 부분에는 패키지(102)의 외벽에 형성된 캐스터레이션(107) 상의 금속 도금 부분, 패키지(102) 내부에 형성된 배선(110) 및 비어 배선(111)을 통해, 패키지(102)의 이면에 형성된 그랜드 풋 패턴(113)과 전기적으로 접속된 금속 도금(105)이 형성되어 있다.
종래, 상기와 같은 SAW 디바이스는 구성 요소가 2차원 배열된 다면 취득 기판을 다이싱 또는 스크라이브함으로써, 하나의 SAW 디바이스로서 개편화되어 있었다.
[특허 문헌 1]
일본 특허 공개 제2001-53577호 공보
그러나, 종래에서는 SAW 디바이스의 측벽이 수직이 되도록 개편화되어 있었기 때문에, 패키지(102)의 상부면을 밀봉하기 위한 마진이 작다는 문제가 존재하였다.
또한, SAW 디바이스(100)를 반송할 때 도3에 도시한 바와 같이, 이를 엠보싱 테이프(200)에 수납하여 상부로부터 시트(210)로 밀봉하지만, 종래와 같이 SAW 디바이스(100)의 측벽이 수직인 경우, SAW 디바이스(100)가 엠보싱 테이프(200)의 오목부(201)에 잘 수납되지 않아 엠보싱 테이프(200)에 부식되거나, 시트(210)를 인장하거나 한다는 문제가 발생된다. 또한, SAW 디바이스(100)가 엠보싱 테이프(200)에 부식되어 버린 경우, 이를 떼어내기 어렵다는 문제도 존재한다.
그래서 본 발명은, 패키지의 밀봉 마진을 충분히 갖고, 또 반송시의 엠보싱 테이프에의 부식을 방지할 수 있는 탄성 표면파 디바이스, 그 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 청구항 1에 기재된 바와 같이 압전 기판 상에 빗살형 전극 및 전극 패드가 형성된 탄성 표면파 소자와, 상기 탄성 표면파 소자를 수납하는 패키지를 갖는 탄성 표면파 디바이스에 있어서, 상기 패키지가 상기 탄성 표면파 소자를 수납하는 캐비티를 갖고, 또한 상기 캐비티의 개구부가 형성된 제1 면이 상기 제1 면과 반대측의 제2 면보다도 넓게 구성된다. 패키지의 바닥면측보다도 개구측이 넓은 형상으로 함으로써, 캡을 접합하는 영역을 넓게 취할 수 있어 캐비티의 밀봉 마진을 크게 하는 것이 가능해진다. 또한, 패키지의 바닥면의 크기를 상부면의 크기보다도 작게 함으로써, 이를 엠보싱 테이프에 수납하였을 때에 엠보싱 테이프의 오목부 측면의 경사와 패키지 측면의 경사를 이용한 셀프 얼라이먼트의 작용에 의해 확실하게 탄성 표면파 디바이스를 오목부 내부에 수납할 수 있다. 이에 의해, 탄성 표면파 디바이스가 엠보싱 테이프에 부식되거나, 이를 밀봉하는 시트를 인장하거나 하는 등을 회피할 수 있다. 또한, 탄성 표면파 디바이스가 엠보싱 테이프에 부식되는 것을 회피할 수 있으므로, 엠보싱 테이프로부터 탄성 표면파 디바이스를 쉽게 취출하는 것도 가능해진다.
또한, 청구항 1에 기재된 상기 탄성 표면파 디바이스는 청구항 2에 기재된 바와 같이, 상기 제1 면에 있어서의 제1 변의 길이와 상기 제2 면에 있어서의 상기 제1 변과 평행한 제2 변의 길이와의 차의 절반분(W)과, 상기 패키지의 높이(H)와의 비(W/H)가 0.02 이상이고 또한 0.10 이하인 것이 바람직하다. 비(W/H)를 0.10 이하로 함으로써, 탄성 표면파 디바이스가 과도하게 대형화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 비(W/H)를 0.02 이상으로 함으로써, 캡의 접합 영역을 충분히 크게 취 할 수 있는, 즉 캐비티의 밀봉 마진을 충분히 크게 취할 수 있다.
또한, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 상기 패키지의 외측의 측면은, 예를 들어 청구항 3에 기재된 바와 같이, 다이싱에 의한 절단면이라도 좋다. 탄성 표면파 디바이스를 다이싱에 의해 개편화함으로써, 다이싱 블레이드의 선단부에 이르기까지의 두께의 경사를 이용하는 것이 가능해져 패키지 외측 상부면의 모서리가 넓어진 형상을 쉽게 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명은 청구항 4에 기재된 바와 같이, 압전 기판 상에 빗살형 전극 및 전극 패드가 형성된 탄성 표면파 소자를 수납하는 패키지에 있어서, 상기 탄성 표면파 소자를 수납하는 캐비티를 갖고, 상기 캐비티의 개구부가 형성된 제1 면이 상기 제1 면과 반대측의 제2 면보다도 넓게 구성된다. 패키지의 바닥면측보다도 개구측이 넓은 형상으로 함으로써, 캡을 접합하는 영역을 넓게 취할 수 있어 캐비티의 밀봉 마진을 크게 하는 것이 가능해진다. 또한, 패키지의 바닥면의 크기를 상부면의 크기보다도 작게 제조함으로써, 제조한 탄성 표면파 디바이스를 엠보싱 테이프에 수납하였을 때에 엠보싱 테이프의 오목부 측면의 경사와 패키지 측면의 경사를 이용한 셀프 얼라이먼트의 작용에 의해 확실하게 탄성 표면파 디바이스를 오목부 내부에 수납할 수 있다. 이에 의해, 탄성 표면파 디바이스가 엠보싱 테이프에 부식되거나, 이를 밀봉하는 시트를 인장하거나 하는 등을 회피할 수 있다. 또한, 탄성 표면파 디바이스가 엠보싱 테이프에 부식되는 것을 회피할 수 있으므로, 엠보싱 테이프로부터 탄성 표면파 디바이스를 쉽게 취출하는 것도 가능해진다.
또한, 청구항 4에 기재된 상기 패키지는 청구항 5에 기재된 바와 같이, 상기 제1 면에 있어서의 제1 변의 길이와 상기 제2 면에 있어서의 상기 제1 변과 평행한 제2 변의 길이와의 차의 절반분(W)과, 상기 패키지의 높이(H)와의 비(W/H)가 0.02 이상이고 또한 0.10 이하인 것이 바람직하다. 비(W/H)를 0.10 이하로 함으로써, 패키지가 과도하게 대형화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 비(W/H)를 0.02 이상으로 함으로써, 캡의 접합 영역을 충분히 크게 취할 수 있는, 즉 캐비티의 밀봉 마진을 충분히 크게 취할 수 있다.
또한, 청구항 4 또는 청구항 5에 기재된 상기 패키지는, 예를 들어 청구항 6에 기재된 바와 같이, 외측의 측면이 다이싱에 의한 절단면이라도 좋다. 패키지를 다이싱에 의해 개편화함으로써, 다이싱 블레이드의 선단부에 이르기까지의 두께의 경사를 이용하는 것이 가능해져 패키지 외측 상부면의 모서리가 넓어진 형상을 쉽게 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명은 청구항 7에 기재된 바와 같이, 캐비티의 개구부를 제1 면측에 갖는 패키지가 2차원 배열된 다면 취득 구조의 베이스 기판을 이용한 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법에 있어서, 외주에 근접함에 따라서 예리해지는 다이싱 블레이드를 이용하여 상기 제1 면과 반대측의 제2 면측으로부터 상기 베이스 기판을 개편화하는 공정을 갖고, 상기 공정이 상기 다이싱 블레이드에 있어서의 두께의 경사가 있는 영역만을 이용하여 상기 베이스 기판을 개편화하도록 구성된다. 패키지의 바닥면측보다도 개구측이 넓은 형상으로서 제조함으로써, 캡을 접합하는 영역을 넓게 취할 수 있어 캐비티의 밀봉 마진을 크게 하는 것이 가능해진다. 또한, 패키지의 바닥면의 크기를 상부면의 크기보다도 작게 제조함으로써, 제조한 탄성 표면 파 디바이스를 엠보싱 테이프에 수납하였을 때에 엠보싱 테이프의 오목부 측면의 경사와 패키지 측면의 경사를 이용한 셀프 얼라이먼트의 작용에 의해 확실하게 탄성 표면파 디바이스를 오목부 내부에 수납할 수 있다. 이에 의해, 탄성 표면파 디바이스가 엠보싱 테이프에 부식되거나, 이를 밀봉하는 시트를 인장하거나 하는 등을 회피할 수 있다. 또한, 탄성 표면파 디바이스가 엠보싱 테이프에 부식되는 것을 회피할 수 있으므로, 엠보싱 테이프로부터 탄성 표면파 디바이스를 쉽게 취출하는 것도 가능해진다.
또한, 청구항 7에 기재된 상기 공정은 청구항 8에 기재된 바와 같이, 개편화 후의 상기 패키지의 상기 제1 면에 있어서의 제1 변의 길이와 상기 패키지의 상기 제2 면에 있어서의 상기 제1 변과 평행한 제2 변의 길이와의 차의 절반분(W)과, 상기 패키지의 높이(H)와의 비(W/H)가 0.02 이상이고 또한 0.10 이하가 되도록, 상기 베이스 기판을 개편화하는 것이 바람직하다. 비(W/H)를 0.10 이하로서 제조함으로써, 탄성 표면파 디바이스가 과도하게 대형화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 비(W/H)를 0.02 이상으로서 제조함으로써, 캡의 접합 영역을 충분히 크게 취할 수 있는, 즉 캐비티의 밀봉 마진을 충분히 크게 취할 수 있다.
또한, 청구항 7에 기재된 상기 공정은 청구항 9에 기재된 바와 같이, 상기 패키지의 상기 제1 면을 절단하는 부분의 두께와 상기 패키지의 제2 면을 절단하는 부분의 두께와의 차의 절반분(W)과, 상기 패키지의 높이(H)와의 비(W/H)가 0.02 이상이고 또한 0.10 이하인 다이싱 블레이드를 이용하여 상기 베이스 기판을 개편화하는 것이 바람직하다. 패키지를 개편화하는 다이싱 블레이드에, 선단부에 이르기 까지의 두께의 경사를 갖는 것을 적용하고, 이 때에 비(W/H)가 0.10이고 또한 0.02 이상의 다이싱 블레이드를 이용함으로써, 패키지 외측 하부면의 모서리가 넓어진 형상을 쉽게 형성하는 것이 가능해질 뿐만 아니라, 탄성 표면파 디바이스의 과도한 대형화를 방지하면서 캡의 접합 영역이 충분히 크게 취해진, 즉 캐비티의 밀봉 마진이 충분히 큰 탄성 표면파 디바이스를 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
[제1 실시 형태]
우선, 본 발명의 제1 실시 형태에 대해 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 도4 및 도5는, 본 실시 형태에 의한 SAW 디바이스(1)의 구성을 도시하는 도면이다. 또한, 도4는 SAW 디바이스(1)의 사시도이다. 또한, 도5의 (a)는 도4의 B-B' 단면도이며, 도5의 (b)는 (a)의 패키지(2)에 있어서의 모서리(2A)의 확대도이다.
도4 및 도5에 도시한 바와 같이, SAW 디바이스(1)에는 세라믹이나 BT(비스무스이미드ㆍ트리아진) 레진 등의 가요성 기판으로 형성한 패키지(2)가 사용된다. 또한, 패키지(2)의 내부에는 캐비티(4)가 설치되어 있고, 이 속에 SAW 소자 칩(20)이 수용된다. 또한, 캐비티(4)의 깊이는 SAW 소자 칩(20)을 완전히 수용할 수 있는 정도, 즉 SAW 소자 칩(20)의 높이보다도 깊은 것이 바람직하다. 단, 후술하는 캡(3)측에도 SAW 소자 칩(20)을 수납하는 캐비티를 설치하는 경우는, 이 뿐만은 아니다.
SAW 소자 칩(20)의 페이스면, 즉 압전 기판(21)의 한 쪽 주요면(이를 상부면 이라 함)에는 IDT(22)와 배선(24)과 전극 패드(23)를 포함하는 금속 패턴이 형성되어 있다. 압전 기판(21)에는 절취각이 회전 Y 커트판인 42° Y 커트 X 전파 리튬탄탈레이트(SAW의 전파 방향 X의 선팽창 계수가 16.1 ppm/℃)의 압전 단결정 기판(이하, LT 기판이라 함), 절취각이 회전 Y 커트판인 42° Y 커트 X 전파 리튬나이오베이트(SAW의 전파 방향 X의 선팽창 계수가 16.1 ppm/℃)의 압전 단결정 기판(이하, LN 기판이라 함), 이 외 수정 등의 압전 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어 LT 기판을 사용함으로써, 저손실인 특성을 얻을 수 있다. 또한, IDT(22)나 배선(24)이나 전극 패드(23) 등을 포함하는 금속 패턴은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 백금(Pt), 루테늄(Ru) 또는 로듐(Rh) 등의 금속 재료를 주성분으로 한 단층 또는 다층 구조를 갖고 형성된다. 이 형성에는 예를 들어 포토 리소그래피 기술 등을 사용할 수 있다.
캐비티(4)의 바닥면(다이아 터치면)에는 SAW 소자 칩(20)의 전극 패드(23)와 위치 맞춤된 전극 패드(9)를 포함하는 금속 패턴이 형성되어 있다. 이 금속 패턴도, 상술한 금속 패턴과 같이 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 백금(Pt), 루테늄(Ru) 또는 로듐(Rh) 등의 금속 재료를 주성분으로 한 단층 또는 다층 구조의 금속막을 사용할 수 있고, 이것의 형성에 예를 들어 포토 리소그래피 기술 등을 사용할 수 있다.
SAW 소자 칩(20)은 금이나 땜납 등의 금속 범프(12)를 이용하여 표면 하향 상태로 다이아 터치면에 플립 칩이 실제 장착된다. 이에 의해, 패키지(2)와 SAW 소자 칩(20)이 전기적으로 접속되고 또한 기계적으로 고정된다. 또한, 다이아 터 치면에 형성된 전극 패드(9)는 패키지(2) 내에 형성된 배선이나 비어 배선을 통해 패키지(2)의 이면[캐비티(4)의 개구측과 반대측]에 형성된 풋 패턴(14)과 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 캐비티(4)는 알루미늄 등의 금속제의 캡(3)에 의해 기밀성 높게 밀봉된다. 캡(3)의 크기로서는, 캐비티(4)의 개구부의 크기보다도 크게 또한 패키지(2)의 상부면의 크기의 80 ％ 내지 97 ％ 정도인 것이 바람직하다. 또한, 캡(3)의 두께는 0.1 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. 이러한 캡(3)의 고정 부착에는 땜납이나 금ㆍ주석 등의 금속을 이용한 접착제(본 설명에서는 와셔라 함)(6)가 사용된다. 패키지(2)에 있어서의 캡(3)의 고정 부착 부분, 즉 패키지(2)에 있어서의 측벽의 상부면에는 금속 도금(5)이 실시되어 있다. 금속 도금(5)의 폭은, 예를 들어 패키지(2)의 측벽의 폭에 대해 60 ％ 이상 100 ％ 이하이면 좋다.
패키지(2)의 측벽의 두께는, 예를 들어 0.1 ㎜ 내지 0.3 ㎜ 정도이다. 패키지(2) 측벽에는 캐스터레이션(7)이 형성되어 있다. 캐스터레이션(7)의 표면은 금속 도금이 실시되어 있다. 패키지(2)의 내벽[캐비티(4)측]에는 캐스터레이션(16)이 형성되어 있다. 캐스터레이션(16)의 표면도 마찬가지로 금속 도금이 실시되어 있다. 캐스터레이션(7) 상의 금속 도금[이하, 캐스터레이션(7)에 포함시켜 설명함] 및 캐스터레이션(16) 상의 금속 도금[이하, 캐스터레이션(16)에 포함시켜 설명함]은 패키지(2)의 측벽 내부에 설치된 배선(15)에 의해 전기적으로 접속된다. 또한, 캐스터레이션(7)은 금속 도금(5)과 전기적으로 접속되어 있다. 캐스터레이션(16)은 배선(15)과 접속된 측과 반대측이 캐비티(4)의 바닥부에 설치 된 배선(10)과 접속되어 있다. 배선(10)은 캐비티(4)의 바닥면을 형성하는 패키지(2)의 바닥판 부분을 관통하는 비어 배선(11)을 통해, 패키지(2)의 이면에 형성된 그랜드 풋 패턴(13)과 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 캡(3)은 금속 도금(5), 캐스터레이션(7), 배선(15), 캐스터레이션(16), 배선(10), 비어 배선(11) 및 그랜드 풋 패턴(13)을 통해 접지된다. 또한, 패키지(2)의 바닥판의 두께는, 예를 들어 0.2 ㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다.
이러한 구성에 있어서, 패키지(2)의 측벽은 도5의 (b)에 도시한 바와 같이, 상부측[도5의 (a)에 있어서의 모서리(2A)]이 외측으로 밀어 낸 형상으로 되어 있다. 패키지(2)의 측면은 SAW 디바이스(1)를 개편화할 때의 절단면이다. 따라서, 캐비티(4)의 개구측의 주위가 외측으로 밀어 낸 형상으로서 SAW 디바이스(1)를 잘라내는, 바꿔 말하면 패키지(2)의 바닥면측보다도 개구측이 넓은 형상으로서 SAW 디바이스(1)를 개편화함으로써, 캐비티(4) 개구부 주위의 측벽의 두께, 즉 캡(3)을 와셔(6)로 접합하는 영역을 넓게 취할 수 있어 캐비티(4)의 밀봉 마진을 크게 하는 것이 가능해진다.
이 때, 도5의 (b)에 도시한 바와 같이 패키지(2)의 외측의 상부면에 있어서의 세로 및 가로가 적어도 1변의 길이와, 마찬가지로 패키지(2)의 외측의 이면에 있어서의 상기한 1변과 평행한 변의 길이와의 차분의 절반분(즉 한 쪽)(W)과, 패키지(2)의 외측의 높이(H)와의 비(W/H)가 0.02 이상이고 또한 0.10 이하가 되도록 설계하면 좋다. 비(W/H)를 0.10 이하로 함으로써, 패키지(2)[및 SAW 디바이스(1)]가 과도하게 대형화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 비(W/H)를 0.02 이상으로 함으 로써, 캡(3)의 접합 영역을 충분히 크게 취할 수 있는, 즉 캐비티(4)의 밀봉 마진을 충분히 크게 취할 수 있다. 예를 들어, 패키지(2)의 외측에 있어서의 바닥면의 크기를 세로 2.0 ㎜ × 가로 1.6 ㎜로 하고, 상부면의 크기를 세로 2.02 ㎜ × 가로 1.62 ㎜로 하고, 패키지(2)의 외측의 높이를 0.5 ㎜로 한 경우 W/H = 0.02가 되고, 패키지(2)의 대형화를 회피하면서 캐비티(4)의 밀봉 마진을 충분히 크게 취할 수 있다. 또한, 패키지(2)의 외측의 높이(H)에는 캡(3)이나 와셔(6)의 두께를 가해도 좋다. 즉, 본 발명에 있어서의 패키지의 개념으로는 캡(3)이나 와셔(6)를 포함해도 좋다.
또한, 이상과 같이 패키지(2)의 바닥면의 크기를 상부면의 크기보다도 작게 함으로써, 도6에 도시한 바와 같이 SAW 디바이스(1)를 반송용의 엠보싱 테이프(200)의 오목부(201)에 수납하였을 때에 오목부(201)의 측면의 경사와 SAW 디바이스(1)의 측면의 경사를 이용한 셀프 얼라이먼트의 작용에 의해 확실하게 SAW 디바이스(1)를 오목부(201) 내부에 수납할 수 있다. 이에 의해, SAW 디바이스(1)가 엠보싱 테이프(200)에 부식되거나, 이를 밀봉하는 시트(210)를 인장하거나 하는 등을 회피할 수 있다. 또한, SAW 디바이스(1)가 엠보싱 테이프(200)에 부식되는 것을 회피할 수 있으므로, 엠보싱 테이프(200)로부터 SAW 디바이스(1)를 쉽게 취출할 수도 있다.
다음에, 도7을 이용하여 SAW 디바이스(1)의 제조 방법을 설명한다. 또한, 도7에서는 도4에 있어서의 C-C' 단면을 기초로 하여 설명한다.
본 제조 방법에서는, 우선 도7의 (a)에 도시한 바와 같이, 패키지(2)가 2차 원 배열된 다면 취득 구조의 베이스 기판(2B)을 제조하고, 이것의 캐비티(4) 내에 금속 범프(12)를 이용하여 SAW 소자 칩(20)을 표면 하향 상태로 플립 칩을 실제 장착한다[도7의 (b) 참조].
다음에, 선단부 또는 날끝이 오므라진 형상의 다이싱 블레이드(90)를 이용하여 패키지(2)를 개편화한다[도7의 (c) 참조]. 이 때, 다이싱 블레이드(90)에 있어서의 평탄한 중앙 부근이 아니라, 선단부 또는 날끝이 오므라진 형상인 외주 부분만을 이용하여 베이스 기판(2B)의 배면측, 즉 캐비티(4)의 개구측과 반대측으로부터 절단한다. 다이싱 블레이드의 선단부에 이르기까지의 두께의 경사를 이용함으로써, 도7의 (c) 및 도4, 도5에 도시한 바와 같이 모서리(2A)가 넓어진 형상으로 패키지(2)를 절단할 수 있다. 또한, 다이싱 블레이드(90)에는 패키지(2)의 상부면을 절단하는 부분의 두께와 패키지(2)의 하부면을 절단하는 부분의 두께와의 차의 절반분(이 값은 상술에 있어서의 W와 대략 일치함)과, 상기 패키지의 높이(H)와의 비, 즉 비(W/H)가 0.02 이상이고 또한 0.10 이하인 것을 이용하는 것이 바람직하다.
그 후, 도7의 (d)에 도시한 바와 같이 패키지(2) 상에 있어서의 측벽 상부면[금속 도금(5) 상]에 와셔(6)를 설치하고, 이 위에 캡(3)을 적층한 상태로 가압 기구(91) 및 가열 기구(92)를 이용하여 가압ㆍ가열함으로써, 와셔(6)를 융해하여 캡(3)을 접착한다. 와셔(6)에는, 예를 들어 두께가 0.1 ㎜의 땜납 등의 금속에 금ㆍ주석이 미리 도포되어 있는 것을 이용하면 좋다. 이에 의해, 도7의 (e)에 도시한 바와 같은 SAW 디바이스(1)가 제조된다. 이 때, 융해하여 흐르기 시작한 와셔(6)는 캐스터레이션(7)에 멈추기 때문에, 패키지(2) 이면까지 도달하는 일이 없다. 이로 인해, 패키지(2)의 이면에 형성된 그랜드 풋 패턴(13) 및 풋 패턴(14)의 쇼트가 방지된다.
이상과 같이, 패키지 외측에 있어서의 상부면을 바닥면보다도 넓게 형성함으로써, 캐비티(4)의 밀봉 마진을 크게 하는 것이 가능해진다. 또한, 이상과 같이 패키지(2)의 바닥면의 크기를 상부면의 크기보다도 작게 함으로써, 셀프 얼라이먼트에 의해 확실하게 SAW 디바이스(1)를 엠보싱 테이프(200)의 오목부(201) 내부에 수납할 수 있기 때문에, SAW 디바이스(1)가 엠보싱 테이프(200)에 부식되는 것을 회피할 수 있고, 또한 엠보싱 테이프(200)로부터 SAW 디바이스(1)를 쉽게 취출할 수도 있다.
[제2 실시 형태]
다음에, 본 발명의 제2 실시 형태에 대해 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 도8 및 도9는, 본 실시 형태에 의한 SAW 디바이스(1B)의 구성을 도시하는 도면이다. 또한, 도8은 SAW 디바이스(1B)의 사시도이다. 또한, 도9는 도8의 D-D' 단면도이다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지인 구성에는 동일한 부호를 부여함으로써, 상세한 설명을 생략한다.
상기한 제1 실시 형태에서는, 패키지(2)의 측벽 상부면에 형성한 금속 도금(5)을 상기 패키지(2)의 측벽에 형성한 캐스터레이션(7)을 통해 패키지(2)의 측벽 속에 형성한 배선(15)에 접속하고 있었다. 이에 대해 본 실시 형태는 패키지(2)의 측벽 상부면으로부터 상기 측벽의 도중까지 개구함으로써, 설치한 홀(7B)을 통해 금속 도금(5)이 배선(15)과 접속하도록 구성한다.
홀(7B)은, 상술한 바와 같이 패키지(2)의 측벽 상부면으로부터 패키지(2)의 측벽 속에 형성한 배선(15)까지 설치된다. 또한, 홀(7B)의 내측 표면에는 캐스터레이션(7)과 마찬가지로, 금속 도금이 실시된다. 이에 의해, 금속 도금(5)과 배선(15)을 홀(7B) 내측 표면의 금속 도금을 통해 전기적으로 접속하는 것이 가능해진다.
홀(7B)은, 예를 들어 패키지(2)의 모서리에 대응하는 부위에 설치되고, 그 직경을 예를 들어 0.35 ㎜의 원주형으로 하는 것이 가능하다. 또한, 홀(7B)의 깊이, 즉 배선(15)을 형성하는 패키지(2) 측벽 내의 위치는 캐비티(4) 바닥면의 다이아 터치면에 도달하지 않는 정도의 깊이, 예를 들어 캐비티(4)의 깊이의 절반 정도로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어 캐비티(4)의 깊이를 0.3 ㎜로 하면, 홀(7B)의 깊이를 이 절반의 0.15 ㎜로 한다. 이에 의해, 패키지(2)를 동일한 두께의 기판을 적층하여 형성하는 것이 가능해진다.
이상과 같이, 패키지 외측에 있어서의 상부면을 바닥면보다도 넓게 형성함으로써, 캐비티(4)의 밀봉 마진을 크게 하는 것이 가능해진다. 또한, 이상과 같이 패키지(2)의 바닥면의 크기를 상부면의 크기보다도 작게 함으로써, 셀프 얼라이먼트에 의해 확실하게 SAW 디바이스(1)를 엠보싱 테이프(200)의 오목부(201) 내부에 수납할 수 있기 때문에, SAW 디바이스(1)가 엠보싱 테이프(200)에 부식되는 것을 회피할 수 있고, 또한 엠보싱 테이프(200)로부터 SAW 디바이스(1)를 쉽게 취출할 수도 있다. 또한, 본 실시 형태 특유의 홀(7B)에 의해, 캡(3)의 융착시에 녹기 시 작한 와셔(6)를 홀(7B) 속에서 멈추게 할 수 있으므로, 패키지(2)의 이면에 형성된 그랜드 풋 패턴(13) 및 풋 패턴(14)의 쇼트를 방지할 수 있다. 또한, 다른 구성은 제1 실시 형태와 마찬가지이므로, 여기에서는 설명을 생략한다.
[다른 실시 형태]
이상, 설명한 실시 형태는 본 발명의 바람직한 일실시 형태에 지나지 않으며, 본 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 한 여러 가지로 변형하여 실시 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 패키지의 밀봉 마진을 충분히 확보하는 것이 가능해지고, 또한 반송시의 엠보싱 테이프에의 부식(부식)을 방지하는 것이 가능해진다.

Claims (9)

  1. 압전 기판 상에 빗살형 전극 및 전극 패드가 형성된 탄성 표면파 소자와, 상기 탄성 표면파 소자를 수납하는 패키지를 갖는 탄성 표면파 디바이스에 있어서,
    상기 패키지는 상기 탄성 표면파 소자를 수납하는 캐비티를 갖고, 또한 상기 캐비티의 개구부가 형성된 제1 면이 상기 제1 면과 반대측의 제2 면보다도 넓은 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 면에 있어서의 제1 변의 길이와 상기 제2 면에 있어서의 상기 제1 변과 평행한 제2 변의 길이와의 차의 절반분(W)과, 상기 패키지의 높이(H)와의 비(W/H)가 0.02 이상이고 또한 0.10 이하인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 패키지의 외측의 측면은 다이싱에 의한 절단면인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  4. 압전 기판 상에 빗살형 전극 및 전극 패드가 형성된 탄성 표면파 소자를 수납하는 패키지에 있어서,
    상기 탄성 표면파 소자를 수납하는 캐비티를 갖고,
    상기 캐비티의 개구부가 형성된 제1 면이 상기 제1 면과 반대측의 제2 면보 다도 넓은 것을 특징으로 하는 패키지.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 면에 있어서의 제1 변의 길이와 상기 제2 면에 있어서의 상기 제1 변과 평행한 제2 변의 길이와의 차의 절반분(W)과, 상기 패키지의 높이(H)와의 비(W/H)가 0.02 이상이고 또한 0.10 이하인 것을 특징으로 하는 패키지.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 외측의 측면이 다이싱에 의한 절단면인 것을 특징으로 하는 패키지.
  7. 캐비티의 개구부를 제1 면측에 갖는 패키지가 2차원 배열된 다면 취득 구조의 베이스 기판을 이용한 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법에 있어서,
    외주에 근접함에 따라서 예리해지는 다이싱 블레이드를 이용하여 상기 제1 면과 반대측의 제2 면측으로부터 상기 베이스 기판을 개편화하는 공정을 갖고,
    상기 공정은 상기 다이싱 블레이드에 있어서의 두께의 경사가 있는 영역만을 이용하여 상기 베이스 기판을 개편화하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 공정은 개편화 후의 상기 패키지의 상기 제1 면에 있어서의 제1 변의 길이와 상기 패키지의 상기 제2 면에 있어서의 상기 제1 변과 평 행한 제2 변의 길이와의 차의 절반분(W)과, 상기 패키지의 높이(H)와의 비(W/H)가 0.02 이상이고 또한 0.10 이하가 되도록, 상기 베이스 기판을 개편화하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 공정은 상기 패키지의 상기 제1의 면을 절단하는 부분의 두께와 상기 패키지의 제2 면을 절단하는 부분의 두께와의 차의 절반분(W)과, 상기 패키지의 높이(H)와의 비(W/H)가 0.02 이상이고 또한 0.10 이하인 다이싱 블레이드를 이용하여 상기 베이스 기판을 개편화하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법.
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