KR100614187B1 - Substrate processing method and apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명의 기판 처리 방법 및 장치에서는, 피처리 기판(10)을 개재하여 압박 유지하는 한 쌍의 유지판(14, 30) 사이에서 처리액 또는 처리 가스에 의한 처리(세정 처리, 건조 처리)를 실시하게 한 것이며, 그 때, O링 등의 탄성 부재(18, 34)에 의해 피처리 기판의 처리 영역을 한정한 것으로 특징을 가지는 것이다. 처리액 또는 처리 가스는 각 유지판에 형성된 구면상의 오목한 부분(16, 32)의 저부 부근에 구멍을 통하여 공급-배출된다. 다만, 처리액으로서 세정액이나 순수를 이용하며, 처리 가스로서 N2(질소) 등의 불활성 가스를 이용한다. 또, 마이크로파 방전 플라즈마에 의한 플라즈마 에칭 장치에도 응용 가능하다.In the substrate processing method and apparatus of the present invention, treatment (cleaning treatment, drying treatment) by a processing liquid or a processing gas is performed between a pair of holding plates 14 and 30 that are pressed and held through the substrate 10 to be processed. In this case, the processing region of the substrate to be processed is limited by the elastic members 18 and 34 such as an O-ring. The processing liquid or the processing gas is supplied and discharged through the hole near the bottom of the spherical recesses 16 and 32 formed in the respective holding plates. However, a cleaning liquid or pure water is used as the treatment liquid, and an inert gas such as N 2 (nitrogen) is used as the treatment gas. Moreover, it is applicable also to the plasma etching apparatus by a microwave discharge plasma.

Description

기판 처리 방법 및 장치{Substrate processing method and apparatus}Substrate processing method and apparatus

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 관한 매엽식(枚葉式) 기판 처리 장치에 대하여 피처리 기판을 출입하는 모양을 도시하는 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows the mode which moves out a to-be-processed board | substrate with respect to the single wafer type substrate processing apparatus which concerns on 1st Example of this invention.

도 2는 상기 기판 처리 장치의 유지판 사이에 피처리 기판을 압박 유지하여 세정 처리를 실시하는 모양을 도시하는 도 1의 X-X'선을 따르는 단면도이다.It is sectional drawing along the XX 'line | wire of FIG. 1 which shows the state which press-holds a to-be-processed board | substrate between the holding plates of the said substrate processing apparatus, and performs a washing process.

도 3은 제1 실시예에 관한 기판 처리 장치의 제1 변형예를 도시하는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the first modification of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.

도 4는 제1 실시예에 관한 기판 처리 장치의 제2 변형예를 도시하는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing the second modification of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 관한 매엽식 기판 처리 장치에서 피처리 기판에 세정 처리를 실시하는 모양을 도시하는 단면도이다. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which a cleaning treatment is performed on a substrate to be processed in the sheet type substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 관한 매엽식 기판 처리 장치에서 피처리 기판에 세정 처리를 실시하는 모양을 도시하는 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which the substrate to be processed is cleaned in the sheet type substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 관한 매엽식 기판 처리 장치에서 피처리 기판에 세정 처리를 실시하는 모양을 도시하는 주요부 단면도이다.FIG. 7 is a cross sectional view of an essential part showing how the substrate to be processed is cleaned in the sheet type substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. FIG.

도 8은 본 발명의 제4 실시예의 변형예를 도시하는 것이며, 매엽식 기판 처리 장치에서 피처리 기판에 세정 처리를 실시하는 모양을 도시하는 주요부 단면도 이다.Fig. 8 shows a modification of the fourth embodiment of the present invention, and is a sectional view of the essential parts showing a state in which a cleaning process is performed on a substrate to be processed in a sheet type substrate processing apparatus.

도 9는 종래 매엽식 기판 처리 장치의 주요부 구조의 일례를 도시하는 단면도이다.It is sectional drawing which shows an example of the principal part structure of the conventional single wafer type substrate processing apparatus.

도 10은 본 발명의 제5 실시예에 관한 매엽식 기판 처리 장치를 도시하고 있으며, 플라즈마 에칭 장치로의 응용예이다.FIG. 10 shows a sheet type substrate processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention, and is an application example to a plasma etching apparatus.

도 11은 본 발명의 제6 실시예에 관한 매엽식 기판 처리 장치의 주요부를 도시하는 사시도이다.It is a perspective view which shows the principal part of the sheet | seat type | mold substrate processing apparatus which concerns on 6th Example of this invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 피처리 기판 18, 34, 80, 82: O링10: substrate to be processed 18, 34, 80, 82: O-ring

12a, 12b : 로봇 암 20, 22, 36, 38, 88, 90 : 파이프12a, 12b: Robot Arm 20, 22, 36, 38, 88, 90: Pipe

14, 30 : 유지판 24, 26 : 가이드 부재14, 30: holding plate 24, 26: guide member

16, 32 : 오목한 부분 24A, 30A : 구동 암16, 32: recessed part 24A, 30A: drive arm

16a, 16b, 32a, 32b, 30a, 84a, 86a, 86b, 16c, 32c : 구멍 16a, 16b, 32a, 32b, 30a, 84a, 86a, 86b, 16c, 32c: hole

28 : 지지대 84 : 커버 부재28: support 84: cover member

28A, 28B : 축받이 28C : 지지축28A, 28B: bearing 28C: support shaft

92, 96 : 유로 94a, 94b : 스페이서92, 96: Euro 94a, 94b: spacer

본 발명은 반도체 기판 등의 기판에 세정, 건조 등의 처리를 실시하는 매엽 식 기판 처리 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a sheet type substrate processing method and apparatus for treating a substrate such as a semiconductor substrate with cleaning, drying, and the like.

종래 매엽식 기판 처리 장치로서 도 9에 도시한 것이 알려져 있다(예를 들면, 일본국 특개평 11-176787호 공보 참조).Conventionally, what is shown in FIG. 9 is known as a single wafer processing apparatus (for example, see Japanese Patent Laid-Open No. 11-176787).

도 9의 기판 처리 장치에서, 피처리 기판(1)을 고정편(2a, 2b)의 걸어 맞춤에 의해 유지하는 기판 장착대(2)는 스핀 베이스(3)의 상면에 고정되며, 이 스핀 베이스(3)는 중공 회전축(3a)에 의해 회전 가능하게 유지되어 있다. 기판 장착대(2)는 기판(1)의 외주를 따라서 닫힌 루프 형상으로 설치되어 있으며, 이 닫힌 루프의 내측으로부터 외측으로 연통하는 구멍(2A, 2B)을 가진다.In the substrate processing apparatus of FIG. 9, the substrate mounting base 2 which holds the substrate 1 to be processed by engaging the fixing pieces 2a and 2b is fixed to the upper surface of the spin base 3, and this spin base 3 is rotatably held by the hollow rotating shaft 3a. The board | substrate mounting stand 2 is provided in the closed loop shape along the outer periphery of the board | substrate 1, and has the hole 2A, 2B which communicates from the inner side of this closed loop to the outer side.

스핀 베이스(3)의 하측에는 밑 커버(4)가 설치되어 있다. 또, 기판(1), 스핀 베이스(3), 밑 커버(4) 등을 덮는 윗 커버(5)가 설치되어 있다. 윗 커버(5)와 밑 커버(4) 사이에는 칸막이(6)가 설치되어 있다. 이 칸막이(6)의 내주부에는 기판 장착대(2)의 외주부와 조합되어 라비린스(labyrinth) 구조(6a)를 구성하고 있다. 이 라비린스 구조(6a)에 의해, 기판 장착대(2)는 액밀봉 상태로 회전이 가능해진다. 배출 경로(7)가 밑 커버(4)와 칸막이(6) 사이에 형성되며, 마찬가지로, 배출 경로(8)가 윗 커버(5)와 칸막이(6) 사이에도 형성된다. 윗 커버(5)는 공급 파이프(5a)를 가진다. The bottom cover 4 is provided below the spin base 3. Moreover, the upper cover 5 which covers the board | substrate 1, the spin base 3, the bottom cover 4, etc. is provided. A partition 6 is provided between the upper cover 5 and the lower cover 4. The inner peripheral portion of the partition 6 is combined with the outer peripheral portion of the substrate mounting table 2 to form a labyrinth structure 6a. By this labyrinth structure 6a, the board | substrate mounting base 2 can be rotated in the liquid sealing state. A discharge path 7 is formed between the bottom cover 4 and the partition 6, and similarly, a discharge path 8 is also formed between the top cover 5 and the partition 6. The upper cover 5 has a supply pipe 5a.

처리시에는, 기판(1)은 회전축(3a)에 의해 회전되는 동시에, 공급 파이프(5a)로부터 기판(1)의 상면(1a)으로 처리액을 공급하여 배출 경로(8)로부터 배출시킨다. 또, 처리액을 회전축(3a)의 중공부를 통하여 기판(1)의 하면(1b)으로 공급하여 배출 경로(7)로부터 배출시킨다. 이와 같이 하여, 기판(1)의 상면(1a) 및 하면(1b)에 대하여 동시에 세정 처리를 실시할 수 있다. 또, 소망에 의해, 상면(1a) 또는 하면(1b)의 어느 한 쪽만에 대하여 소정의 처리(예를 들면, 에칭 처리)를 실시할 수 있다.At the time of a process, the board | substrate 1 is rotated by the rotating shaft 3a, and supplies a process liquid from the supply pipe 5a to the upper surface 1a of the board | substrate 1, and discharges it from the discharge path 8. Further, the processing liquid is supplied to the lower surface 1b of the substrate 1 through the hollow portion of the rotating shaft 3a and discharged from the discharge path 7. In this way, the washing | cleaning process can be performed simultaneously with respect to the upper surface 1a and the lower surface 1b of the board | substrate 1. As shown in FIG. Moreover, if desired, predetermined treatment (for example, etching treatment) can be performed on only one of the upper surface 1a or the lower surface 1b.

상술과 같이 종래 기술에서는 피처리 기판(1)의 양면에서 그 중앙부로부터 단면을 넘어서 넓은 영역에 대하여 처리액을 유통시키는 구조이기 때문에, 처리액의 사용량이 많아진다는 문제점이 있다. 또, 종래 기술에서는 기판(1)을 회전시키거나, 칸막이(6)나 라비린스 구조(6a)를 형성하기 때문에, 장치의 대형화를 초래하는 문제점도 있다.As described above, the conventional technique has a problem in that the amount of the processing liquid is increased because the processing liquid is circulated on both sides of the substrate 1 over a wide area from the center portion beyond the cross section. Moreover, in the prior art, since the substrate 1 is rotated or the partition 6 or labyrinth structure 6a is formed, there is also a problem in that the apparatus is enlarged.

본 발명은 상기 사정을 고려하여 행하여진 것이며, 그 목적은 처리액 또는 처리 가스의 사용량을 저감할 수 있는 신규의 기판 세정 방법을 제공하는 것이다. 또, 본 발명의 다른 목적은 처리액 또는 처리 가스의 사용량이 적은 소형의 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a novel substrate cleaning method capable of reducing the amount of processing liquid or processing gas used. Another object of the present invention is to provide a compact substrate processing apparatus with a low amount of processing liquid or processing gas.

본 발명의 기판 처리 방법 및 장치에서는 피처리 기판을 개재하여 압박 유지하는 한 쌍의 유지판 사이에서 처리액 또는 처리 가스에 의한 처리(세정 처리, 건조 처리)를 실시하게 한 것이며, 그 때, O링 등의 탄성 부재에 의해 피처리 기판의 처리 영역을 한정한 것으로 특징을 가진다.In the substrate processing method and apparatus of the present invention, treatment (cleaning treatment, drying treatment) with a processing liquid or a processing gas is performed between a pair of holding plates that are pressed and held through a substrate to be treated. The processing region of the substrate to be processed is defined by an elastic member such as a ring.

상술하면, 삽입 배치되는 피처리 기판에 대응하여 상하의 유지판 각각에 오목한 부분을 형성하며, 이 오목한 부분을 둘러싸게 닫힌 루프 형상의 O링을 배치한 다. 즉, 피처리 기판의 양측 주요면은 O링을 통하여 상하의 유지판 사이에 압박 유지되어, 이것으로써, 처리 영역이 구분 한정된다. 각 오목한 부분은 예를 들면 구면상으로 형성되어, 그 저부 부근에 2개의 구멍이 형성되어 있다. 즉, 한 쪽의 구멍으로부터 처리액 또는 처리 가스를 유지판의 오목한 부분 내로 공급하여, 오목한 부분 내를 유통시킨 후, 다른 쪽의 구멍으로 배출한다. 이것으로써, 피처리 기판의 각 주요면에 관해서 처리액 또는 처리 가스에 의한 처리가 실시된다. 구체적으로는, 처리액으로서 세정액이나 순수를 사용하여 피처리 기판의 주요면에 대하여 세정 처리를 실시하거나, 또는, 처리 가스로서 N2 등의 불활성 가스를 사용하여 건조 처리를 실시한다.In detail, concave portions are formed in each of the upper and lower retaining plates corresponding to the substrate to be inserted, and an O-ring of a closed loop shape is arranged to surround the concave portion. That is, the main surfaces on both sides of the substrate to be processed are pressed and held between the upper and lower holding plates via the O-rings, thereby limiting the treatment region. Each recessed part is formed in spherical shape, for example, and two holes are formed in the vicinity of the bottom part. That is, the processing liquid or the processing gas is supplied from one hole into the recessed portion of the holding plate, and the inside of the recessed portion is passed through and then discharged into the other hole. Thereby, the process by a process liquid or a process gas is performed with respect to each main surface of a to-be-processed substrate. Specifically, a cleaning treatment is performed on the main surface of the substrate to be treated using a cleaning liquid or pure water as the treatment liquid, or a drying treatment is performed using an inert gas such as N 2 as the treatment gas.

상기의 경우, 피처리 기판의 한 쪽 면만을 처리하거나, 양면을 동시에 처리할 수도 있다. 또, 처리 범위는 피처리 기판의 주요면에 한정할 필요는 없으며, 그 단면 등을 처리 대상으로 하면 된다. 즉, 피처리 기판을 압박 유지한 유지판으로 이루어지는 중첩체를 덮도록 커버 부재를 설치하여, 그 걸어 맞춤부를 닫힌 루프 형상의 O링을 통하여 유지판의 단면에 압박한다. 이것으로써, 피처리 기판의 단면을 따라서 닫힌 루프 형상의 유로가 형성되어, 이 유로 내로 처리액 또는 처리 가스를 유통시킴으로써, 피처리 기판의 단면 또는 그 근방 부분에 대하여 처리를 실시하게 한다.In this case, only one surface of the substrate to be processed may be processed, or both surfaces may be processed simultaneously. In addition, the processing range need not be limited to the main surface of the substrate to be processed, and the cross section or the like may be the processing target. That is, a cover member is provided so as to cover the superposition body which consists of a holding plate which pressed-processed the to-be-processed board | substrate, and the said engagement part is pressed to the end surface of a holding plate through the closed loop-shaped O-ring. As a result, a closed loop flow path is formed along the cross section of the substrate to be processed, and the processing liquid or the processing gas is passed through the passage so that the cross section of the substrate to be processed or a portion thereof is processed.

상기에 있어서, 피처리 기판의 한 쪽 주요면과 대향 배치된 유지판 사이에 O링을 대신하여 복수의 스페이서(spacer)를 설치하게 해도 된다. 이 경우에는, 피처리 기판의 단면 및 스페이서 측의 주요면에 관해서도 동시에 처리를 실시할 수 있다.In the above description, a plurality of spacers may be provided in place of the O-ring between one main surface of the substrate to be processed and the holding plate disposed to face each other. In this case, the cross section of the substrate to be processed and the main surface on the spacer side can be simultaneously processed.

피처리 기판에 대하여 처리액 또는 처리 가스를 공급-배출하는 방법으로서는, 단지 각 유지판의 오목한 부분에 형성된 구멍을 통하여 공급-배출하는 뿐만 아니라, 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 유지판의 오목한 부분의 저부와 연통하는 구멍을 형성하여, 거기에 2종류의 파이프를 관통시킨다. 즉, 한 쪽의 파이프를 통하여 오목한 부분 내에 배치된 노즐에 처리액 또는 처리 가스를 공급하여 그 분출구로부터 피처리 기판의 주요면에 대하여 처리액 또는 처리 가스를 분출 공급하여, 그후, 다른 쪽의 파이프를 통하여 외부로 배출하게 해도 된다.As a method of supplying / discharging the processing liquid or the processing gas to the substrate to be processed, not only the supply-discharging through the hole formed in the recessed portion of each holding plate but also various methods can be adopted. For example, the hole which communicates with the bottom part of the recessed part of a holding plate is formed, and two types of pipes are made to pass through it. That is, the processing liquid or the processing gas is supplied to the nozzle disposed in the concave portion through one pipe, and the processing liquid or the processing gas is jetted and supplied from the jet port to the main surface of the substrate to be processed, and then the other pipe is supplied. It may be discharged to the outside through.

게다가, 적절히, 유지판 등을 회전 운동시켜서 처리 효율이나 처리 균일성을 향상시키게 해도 된다. 또, 마이크로파 방전에 의한 플라즈마 에칭 장치에 대하여도 본 발명을 쉽게 적용할 수 있다.In addition, the holding plate or the like may be appropriately rotated to improve processing efficiency and processing uniformity. Moreover, this invention can also be applied easily also to the plasma etching apparatus by a microwave discharge.

상기와 같이, 본 발명에서는 반도체 기판 등의 기판에 대하여 세정, 건조 등의 처리를 실시할 때에 처리 영역을 미리 한정하기 때문에, 처리액 또는 처리 가스의 사용량을 저감할 수 있다.As mentioned above, in this invention, since a process area | region is defined beforehand when processes, such as a washing | cleaning and drying, with respect to board | substrates, such as a semiconductor substrate, the usage-amount of a process liquid or a process gas can be reduced.

<발명의 실시 형태> <Embodiment of the invention>

<제1 실시예> <First Embodiment>

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 관한 매엽식 기판 처리 장치를 도시하는 것이며, 이 장치의 처리 공간에는 반도체 기판(웨이퍼) 등의 피처리 기판(10)이 반송 장치의 로봇 암(12a, 12b)에 의해 유지된 상태로 화살표(A) 방향으로 출입된다. Fig. 1 shows a sheet type substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, wherein a substrate 10 such as a semiconductor substrate (wafer) has a robot arm 12a, It enters and exits in the direction of arrow A in the state maintained by 12b).

기판 처리 장치의 하부에 설치되어 있는 유지판(14)은 예를 들면 직사각형상 인 것이며, 피처리 기판(10)보다 약간 큰 사이즈를 갖는다. 유지판(14)의 주요 표면에서 중앙부에는 처리액 또는 처리 가스를 유통-순환시키기 위한 구면상의 오목한 부분(16)이 형성되어 있다. 이 오목한 부분(16)의 주위를 둘러싸게 O링(18)이 설치되어 있다. O링(18)은 고무 또는 플라스틱 등의 탄성 부재로 이루어지는 것이며, 이 O링(18) 위에 피처리 기판(10)이 배치된다. 도 1의 X-X'선을 따르는 단면도를 도 2에 도시한다. The holding plate 14 provided in the lower portion of the substrate processing apparatus is, for example, rectangular in shape, and has a size slightly larger than that of the substrate 10 to be processed. In the central portion of the main surface of the holding plate 14, a spherical concave portion 16 for flowing-circulating the processing liquid or the processing gas is formed. The O-ring 18 is provided to surround the concave portion 16. The O-ring 18 is made of an elastic member such as rubber or plastic, and the substrate 10 to be processed is disposed on the O-ring 18. 2 is a cross-sectional view taken along the line X-X 'of FIG.

유지판(14)에는 오목한 부분(16)의 내부로부터 외부(유지판(14)의 이면측)에 연통하는 구멍(16a, 16b)이 형성되어 있고, 이들 구멍(16a, 16b)에는 각각 파이프(20, 22)가 접속되어 있다. 유지판(14)의 양측면에서, 오목한 부분(16)을 개재하여 각각 대향하는 위치에 잘라낸 부분(14a, 14b)이 형성되어 있다. 이들 잘라낸 부분(14a, 14b)은 로봇 암(12a, 12b)의 선단부에 각각 끼워 맞추는 것이다. The holding plate 14 is provided with holes 16a and 16b communicating from the inside of the concave portion 16 to the outside (back side of the holding plate 14), and the holes 16a and 16b are each provided with a pipe ( 20 and 22 are connected. On both sides of the retaining plate 14, portions 14a and 14b cut out at opposing positions via the recessed portions 16 are formed. These cut out portions 14a and 14b are fitted to the distal ends of the robot arms 12a and 12b, respectively.

유지판(14)의 단면(14s) 측방에는 지지축(28C)이 설치되어 있으며, 이 지지축(28C)에는 지지대(28) 위에 설치한 축받이(28A, 28B)에 의해 회전 운동 가능하게 지지되어 있다. 또, 유지판(14)의 단면(14s) 근방에서 2개의 가이드 부재(24, 26)가 대략 지지축(28C)을 따라서 소정의 간격을 두고 세워져 있다.A support shaft 28C is provided on the side of the end face 14s of the holding plate 14, and the support shaft 28C is supported by the bearings 28A and 28B provided on the support 28 so as to be rotatable. have. Moreover, two guide members 24 and 26 are erected at predetermined intervals substantially along the support shaft 28C in the vicinity of the end face 14s of the holding plate 14.

한편, 기판 처리 장치의 상측에 설치되어 있는 유지판(30)에는 가이드 부재(24, 26)의 선단부에 각각 끼워 맞추는 2개의 구멍을 가지고 있다. 즉, 유지판(30)은 가이드 부재(24, 26)에 안내되어 상하 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 상측의 유지판(30)은 하측의 유지판(14)과 마찬가지로 직사각형상을 가지고 있으며, 또, 유지판(14)과 대략 동일 사이즈로 되어 있다. 상기 유지판(14, 30)은 어느 쪽도 금속 또는 플라스틱 등을 가공하여 형성할 수 있으며, 원형 또는 타원형 등의 직사각형 이외의 임의의 형상으로 할 수도 있다. On the other hand, the holding plate 30 provided on the upper side of the substrate processing apparatus has two holes respectively fitted to the tip portions of the guide members 24 and 26. That is, the holding plate 30 is guided by the guide members 24 and 26 so that it can move to an up-down direction. The upper retaining plate 30 has a rectangular shape similar to the lower retaining plate 14, and is substantially the same size as the retaining plate 14. Both the holding plates 14 and 30 can be formed by processing metal or plastic, and can be formed in any shape other than a rectangle such as a circle or an ellipse.

유지판(30)의 주 표면은 유지판(14)에 대향하여 하측을 향하고 있으며, 그 중앙부에 처리액 또는 처리 가스를 유통-순환시키기 위한 구면상의 오목한 부분(32)이 형성되어 있다. 즉 유지판(30)의 오목한 부분(32)은 유지판(14)의 오목한 부분(16)에 대응하여 형성되어 있다. 이 오목한 부분(32)의 주위를 둘러싸게 O링(34)이 설치되어 있다. O링(34)은 상기 O링(18)과 마찬가지의 탄성 부재로 이루어진다. 이들 O링(18, 34)에 적합한 재질로서, 예를 들면, 불소 고무 등의 불소 함유 재료를 들 수 있다. The main surface of the holding plate 30 faces downward against the holding plate 14, and a spherical concave portion 32 for flowing-circulating the processing liquid or the processing gas is formed in the center thereof. That is, the recessed part 32 of the retaining plate 30 is formed corresponding to the recessed part 16 of the retaining plate 14. An O-ring 34 is provided to surround the concave portion 32. The O ring 34 is made of the same elastic member as the O ring 18. As a material suitable for these O-rings 18 and 34, fluorine-containing materials, such as fluororubber, are mentioned, for example.

유지판(30)에는 오목한 부분(32)의 내측으로부터 외부(유지판(30)의 이면측)로 연통하는 구멍(32a, 32b)이 형성되어 있다. 이들 구멍(32a, 32b)에는 파이프(36, 38)가 각각 접속되어 있다. 유지판(30)의 양측면에서, 오목한 부분(32)을 개재하여 각각 대향하는 위치에 잘라낸 부분(30a, 30b)이 형성되어 있다. 이 유지판(30)의 잘라낸 부분(30a, 30b)은 상기 유지판(14)의 잘라낸 부분(14a, 14b)에 각각 대응하는 것이다. 즉, 유지판(30)을 하강시켜서 유지판(14)에 포갠 때, 대응하는 잘라낸 부분(30a, 14a)과 잘라낸 부분(30b, 14b)에 의해 형성되는 공간에 상기 로봇 암(12a, 12b)의 선단부가 각각 삽입-끼워 맞추어지게 된다. 유지판(30)의 이면측에서 잘라낸 부분(30a)이 형성된 측면 근방에는 구동 암(30A)이 설치되어 있고, 이 구동 암(30A)에 의해 유지판(30)이 화살표(B)에 도시하는 상하 방향으로 구동된다.The holding plate 30 is formed with holes 32a and 32b communicating from the inside of the concave portion 32 to the outside (back side of the holding plate 30). Pipes 36 and 38 are connected to these holes 32a and 32b, respectively. On both sides of the retaining plate 30, portions 30a and 30b cut out at opposing positions via the concave portions 32 are formed. The cutout portions 30a and 30b of the holding plate 30 correspond to the cutout portions 14a and 14b of the holding plate 14, respectively. That is, when the retaining plate 30 is lowered and folded on the retaining plate 14, the robot arms 12a and 12b are formed in a space formed by the corresponding cut portions 30a and 14a and the cut portions 30b and 14b. The leading ends of are each inserted-fit. 30 A of drive arms are provided in the vicinity of the side surface in which the part 30a cut out from the back surface side of the holding plate 30 is formed, and the holding plate 30 is shown by arrow B by this drive arm 30A. It is driven in the vertical direction.

처리시에, 피처리 기판(10)을 유지판(14)의 O링(18) 위에 배치한 후, 구동 암(30A)에 의해 유지판(30)을 가이드 부재(24, 26)의 안내를 따라서 하강시켜서 O링(34)을 통하여 피처리 기판(10) 위에 포갠다. 이와 같이 하여, 피처리 기판(10)을 유지판(14, 30) 사이에 개재하여 압박 유지한다. 기판(10)은 대략 원판상으로 형성되어 있으며, 유지판(14, 30) 측과 각각 접촉하는 제1, 제2 면(10a, 10b)을 가지고 있다. 즉, 도 2에 도시하는 바와 같이 기판(10)이 유지판(14, 30) 사이에 끼워진 상태에 있어서, 그 제1 면(10a)에 관해서 유지판(14) 측의 O링(18)에 의해 둘러싸인 제1 처리 영역이 구분 한정되는 동시에, 제2 면(10b)에 관해서 유지판(30) 측의 O링(34)에 의해 둘러싸인 제2 처리 영역이 구분 한정된다. 그후, 유지판(14) 측의 파이프(20) 및 구멍(16a)을 통하여 오목한 부분(16) 내로 처리액 또는 처리 가스가 공급되어, 오목한 부분(16) 내를 순환하여 구멍(16b) 및 파이프(22)를 통하여 배출된다. 이것으로써, 기판(10)의 제1 처리 영역에 관해서 처리를 실시할 수 있다. 또, 유지판(30) 측의 파이프(36) 및 구멍(32a)을 통하여 오목한 부분(32) 내로 처리액 또는 처리 가스가 공급되어, 오목한 부분(32) 내를 순환하여 구멍(32b) 및 파이프(38)를 통하여 배출된다. 이것으로써, 기판(10)의 제2 처리 영역에 관해서 처리를 실시할 수 있다. At the time of processing, the substrate 10 to be processed is placed on the O-ring 18 of the holding plate 14, and then the holding plate 30 is guided by the driving members 30A to guide the guide members 24 and 26. Therefore, it is lowered and piled on the to-be-processed substrate 10 through the O-ring 34. In this way, the substrate 10 to be processed is pressed and held between the holding plates 14 and 30. The board | substrate 10 is formed in substantially disk shape, and has the 1st, 2nd surface 10a, 10b which contact | connects the holding plate 14, 30 side, respectively. That is, in the state where the board | substrate 10 was sandwiched between the holding plates 14 and 30 as shown in FIG. 2, with respect to the 1st surface 10a to the O-ring 18 of the holding plate 14 side. The first processing region enclosed by the display is limited and the second processing region enclosed by the O-ring 34 on the holding plate 30 side with respect to the second surface 10b is defined. Thereafter, the processing liquid or the processing gas is supplied into the recessed portion 16 through the pipe 20 and the hole 16a on the holding plate 14 side, and circulates in the recessed portion 16 to circulate the hole 16b and the pipe. Through 22. Thereby, a process can be performed with respect to the 1st process area | region of the board | substrate 10. FIG. Further, the processing liquid or the processing gas is supplied into the recessed portion 32 through the pipe 36 and the hole 32a on the holding plate 30 side, and circulates in the recessed portion 32 to circulate the hole 32b and the pipe. Discharge through 38. Thereby, a process can be performed with respect to the 2nd process area | region of the board | substrate 10. FIG.

상기 처리에 있어서, 처리액으로서 세정액 또는 순수 등을 이용하면, 기판(10)에 세정 처리를 실시할 수 있다. 또, 처리 가스로서 N2 등의 불활성 가스를 이용하면, 기판(10)에 건조 처리를 실시할 수 있다. 또는, 세정 처리 후, 건조 처리로 전환하게 해도 된다. 처리액을 이용하는 경우, 배출 측(즉, 파이프(22, 38) 측)에 진공 펌프를 접속해도 된다. 처리 가스를 이용하는 경우에는, 공급 측(즉, 파이프(20, 36) 측)으로부터 가압 가스를 공급하게 해도 된다. 필요에 따라서 피처리 기판(10)의 제1 및 제2 처리 영역에 대하여 처리액 또는 처리 가스를 다르게 하거나, 한 쪽을 처리액으로 하고 다른 쪽을 처리 가스로 하여 이종의 처리를 실시하게 해도 된다.In the above processing, when the cleaning liquid, pure water or the like is used as the processing liquid, the substrate 10 can be cleaned. In addition, when an inert gas such as N 2 is used as the processing gas, the substrate 10 can be dried. Or you may make it switch to a drying process after a washing process. When using a process liquid, you may connect a vacuum pump to a discharge side (namely, the pipes 22 and 38 side). When using process gas, you may supply pressurized gas from a supply side (namely, the pipes 20 and 36 side). If necessary, the processing liquid or the processing gas may be different for the first and second processing regions of the substrate 10 to be processed, or one of the processing liquids may be used as the processing liquid and the other may be used as the processing gas. .

도 1 및 도 2에 도시하는 제1 실시예에 관한 기판 처리 장치에서는 피처리 기판(10)의 제1 및 제2 처리 영역이 O링(18, 34)에 의해 각각 한정되기 때문에, 처리액 또는 처리 가스의 사용량을 적게 할 수 있다. 또, 유지판(14, 30)의 사이즈는 피처리 기판(10)보다 약간 큰 정도로 하며, 피처리 기판(10)의 회전 운동 기구를 설치할 필요도 없기 때문에, 기판 처리 장치 전체의 소형화를 실현할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2, since the first and second processing regions of the substrate 10 to be processed are defined by the O rings 18 and 34, respectively, the processing liquid or The amount of processing gas used can be reduced. Moreover, since the size of the holding plates 14 and 30 is a little larger than the to-be-processed board | substrate 10, it is not necessary to provide the rotational motion mechanism of the to-be-processed board | substrate 10, and the miniaturization of the whole board | substrate processing apparatus can be realized have.

게다가, 피처리 기판(10)의 제1 및 제2 처리 영역에 관해서 동시에 처리를 실행하면 전체적인 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 피처리 기판(10)과 접촉하는 유지판(14, 30)의 오목한 부분(16, 32)의 어느 쪽에 관해서도 구면상의 내부 형상을 채용했기 때문에, 처리액 또는 처리 가스의 유통이 부드럽게 되어, 처리 균일성을 향상시킬 수 있다. In addition, when the processing is simultaneously performed on the first and second processing regions of the substrate 10 to be processed, the overall processing efficiency can be improved. Since spherical internal shapes were adopted for both of the concave portions 16 and 32 of the holding plates 14 and 30 in contact with the substrate 10 to be processed, the flow of the processing liquid or the processing gas was smoothed, and the processing uniformity. Can improve the sex.

다만, 가이드 부재(24)의 선단에는 구동 암(24A)이 설치되어 있어, 이것으로써 유지판(14, 30) 및 기판(10) 등으로 이루어지는 중첩체의 회전 운동각을 제어할 수 있다. 즉, 구동 암(24A)을 화살표(C) 방향으로 움직이게 함으로써, 지지축(28C)을 받힘점으로 하는 「지레의 원리」로 상기 중첩체의 회전 운동각을 임의로 제어할 수 있다. 예를 들면, 상기 처리의 개시 전에 있어서, 중첩체의 회 전 운동각을 처리액의 유통이 부드럽게 되도록 사전에 설정할 수 있다. 처리중에서는, 중첩체의 회전 운동각을 주기적 또는 비주기적으로 변화시킬 수도 있다. 이와 같이, 중첩체의 회전 운동각을 미조정함으로써, 처리 균일성이나 처리 효율을 한층 향상시킬 수 있다.However, 24 A of drive arms are provided in the front-end | tip of the guide member 24, and, thereby, the rotational movement angle of the superposition body which consists of the holding plates 14 and 30, the board | substrate 10, etc. can be controlled. In other words, by moving the drive arm 24A in the direction of the arrow C, the rotational movement angle of the superposed body can be arbitrarily controlled by the principle of lever with the support shaft 28C as the supporting point. For example, before the start of the treatment, the rotational movement angle of the superposed body can be set in advance so that the flow of the treatment liquid becomes smooth. During processing, the rotational movement angle of the superposed body may be changed periodically or aperiodically. Thus, by adjusting the rotational movement angle of a superposition body, process uniformity and process efficiency can be improved further.

제1 실시예에 관한 기판 처리 장치에 관해서 여러 가지 변형예를 구성할 수 있다. 도 3은 이 기판 처리 장치의 제1 변형예를 도시하고 있으며, 도 1 및 도 2에 도시한 것과 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙여서 그 상세한 설명을 생략한다.Various modifications can be configured with respect to the substrate processing apparatus according to the first embodiment. FIG. 3 shows a first modification of the substrate processing apparatus, and the same components as those shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

도 3에 도시하는 제1 변형예의 특징은 유지판(14, 30)의 구멍 및 파이프의 배치를 변경한 것이다. 즉 유지판(14)에 관해서 오목한 부분(16)의 저부에 구멍(16c)을 형성하여 파이프(42)와 접속하며, 구멍(16a, 16b)에는 측면 측으로부터 파이프(40a, 40b)를 각각 접속한다. 또, 유지판(30)에 관해서 오목한 부분(32)의 저부에 구멍(32c)을 형성하여 파이프(46)와 접속하며, 구멍(32a, 32b)에는 측면 측으로부터 파이프(44a, 44b)를 각각 접속한다. 우선, 유지판(14) 양측의 파이프(40a, 40b)로부터 오목한 부분(16) 내로 처리액 또는 처리 가스를 공급하여, 오목한 부분(16) 내를 순환시킨 후, 구멍(16c) 및 파이프(42)를 통하여 외부로 배출한다. 또, 유지판(30) 양측의 파이프(44a, 44b)로부터 오목한 부분(32) 내로 처리액 또는 처리 가스를 공급하여, 오목한 부분(32) 내를 순환시킨 후, 구멍(32c) 및 파이프(46)를 통하여 외부로 배출한다. 상기와 같은 구성에 의해, 처리액 또는 처리 가스의 유통을 보다 부드럽게 할 수 있어, 처리 균일성이나 처리 효율을 향상 시킬 수 있다.The characteristic of the 1st modification shown in FIG. 3 is the change of the arrangement | positioning of the hole of the holding plates 14 and 30, and a pipe. That is, a hole 16c is formed in the bottom of the recessed part 16 with respect to the holding plate 14, and it connects with the pipe 42, and the pipes 40a and 40b are respectively connected to the holes 16a and 16b from the side surface. do. In addition, a hole 32c is formed in the bottom of the concave portion 32 with respect to the holding plate 30 to connect with the pipe 46, and the pipes 44a and 44b are respectively provided in the holes 32a and 32b from the side surface. Connect. First, the processing liquid or the processing gas is supplied from the pipes 40a and 40b on both sides of the holding plate 14 into the recessed portion 16 to circulate the inside of the recessed portion 16, and then the hole 16c and the pipe 42 Discharge to the outside through). Moreover, after supplying a process liquid or process gas from the pipes 44a and 44b of both sides of the holding plate 30 to the recessed part 32, and circulating in the recessed part 32, the hole 32c and the pipe 46 Discharge to the outside through). With the above configuration, the flow of the processing liquid or the processing gas can be made more smooth, and the processing uniformity and the processing efficiency can be improved.

도 3에 도시하는 제1 변형예에 있어서, 처리액 또는 처리 가스의 유통 경로를 역으로 해도 된다. 즉, 파이프(42) 및 구멍(16c)을 통하여 처리액 또는 처리 가스를 오목한 부분(16) 내로 유입시켜, 구멍(16a, 16b) 및 파이프(40a, 40b)를 통하여 외부로 배출하게 해도 된다. 마찬가지로, 파이프(46) 및 구멍(32c)을 통하여 처리액 또는 처리 가스를 오목한 부분(32) 내로 유입시켜, 구멍(32a, 32b) 및 파이프(44a, 44b)를 통하여 외부로 배출하게 해도 된다. 구멍(16a, 16b)은 2개로 한정할 필요는 없으며, 오목한 부분(16)의 내주면을 따라서 다수 분산 배치해도 된다. 마찬가지로, 구멍(32a, 32b)도 2개로 한정할 필요는 없으며, 오목한 부분(32)의 내주면을 따라서 다수 분산 배치해도 좋다. In the first modification shown in FIG. 3, the flow path of the processing liquid or the processing gas may be reversed. That is, the processing liquid or the processing gas may be introduced into the concave portion 16 through the pipe 42 and the hole 16c and discharged to the outside through the holes 16a and 16b and the pipes 40a and 40b. Similarly, the processing liquid or the processing gas may be introduced into the concave portion 32 through the pipe 46 and the hole 32c, and discharged to the outside through the holes 32a and 32b and the pipes 44a and 44b. It is not necessary to limit the number of the holes 16a and 16b to two, and a plurality of holes 16a and 16b may be distributed along the inner circumferential surface of the concave portion 16. Similarly, the holes 32a and 32b need not be limited to two, and a plurality of holes 32a and 32b may be distributed along the inner circumferential surface of the concave portion 32.

도 4는 상기 기판 처리 장치의 제2 변형예를 도시하는 것이며, 도 1 및 도 3에 도시하는 것과 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙여서 그 상세한 설명을 생략한다. 도 4에 도시하는 제2 변형예의 특징은 유지판(14, 30)의 오목한 부분(16, 32)의 내부 형상을 구면상으로 하지 않고, 약간 평탄한 원형상으로 한 것이다. 기능적으로는 상기와 그다지 다르지 않지만, 오목한 부분을 구면상으로 하는 것에 비해 유지판의 가공이 간단하게 된다는 효과가 있다.FIG. 4 shows a second modified example of the substrate processing apparatus, and the same components as those shown in FIGS. 1 and 3 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. The characteristic of the second modification shown in Fig. 4 is that the inner shape of the concave portions 16 and 32 of the retaining plates 14 and 30 is not spherical but rather slightly rounded. Although functionally not so different from the above, there is an effect that processing of the holding plate becomes simple as compared with making the concave portion spherical.

<제2 실시예>Second Embodiment

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 관한 매엽식 처리 장치를 도시하고 있으며, 도 1에 도시한 상기 제1 실시예와 동일 구성을 일부 채용하고 있기 때문에, 도 1에 도시한 것과 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고 있다.FIG. 5 shows the sheet processing apparatus according to the second embodiment of the present invention, and since the same configuration as that of the first embodiment shown in FIG. 1 is partially employed, the same components as those shown in FIG. Are given the same reference numerals.

제2 실시예에 있어서도, 처리하는데, 피처리 기판(10)은 O링(18, 34)을 통하여 유지판(14, 30) 사이에 개재되어 압박 유지되어 있다. 상기 제1 실시예와 다르게, 상측 유지판(30)에는 기판(10)의 표면에 대향하는 오목한 부분이 형성되어 있지 않다. 또, 하측 유지판(14)의 오목한 부분(16) 내에는 가동 노즐(50)의 접시 형상 부재(50a)가 배치되어 있다. 이 접시 형상 부재(50a)는 다수의 분출구를 가지는 원판(50b)에 의해 덮여져 있다. 즉, 가동 노즐(50)은 그 원판(50b)의 분출구가 오목한 부분(16)의 개구부를 마주 보게 하여 유지판(14)의 오목한 부분(16) 내에 배치되어 있다. Also in the second embodiment, the substrate 10 to be processed is interposed between the holding plates 14 and 30 via the O-rings 18 and 34 to be pressed and held. Unlike the first embodiment, the upper holding plate 30 is not formed with a concave portion facing the surface of the substrate 10. Moreover, in the recessed part 16 of the lower holding plate 14, the plate-shaped member 50a of the movable nozzle 50 is arrange | positioned. This dish-shaped member 50a is covered by the disk 50b which has many ejection openings. That is, the movable nozzle 50 is arrange | positioned in the recessed part 16 of the holding plate 14 so that the ejection opening of the original plate 50b may face the opening part of the recessed part 16. As shown in FIG.

유지판(14) 오목한 부분(16)의 저부에는 구멍(16c)이 형성되어 있으며, 이 구멍(16c)의 내경보다 작은 외경을 가지는 파이프(52)가 구멍(16c)을 통하여 오목한 부분(16) 내의 가동 노즐(50)에 접속되어 있다. 또, 파이프(54)는 그 일단이 구멍(16c)에 접속되며, 구멍(16c)으로부터 하방으로 연장하여, L자형으로 굴곡하고 있다. 파이프(52)는 이 파이프(54) 안을 하방으로 연장하며, 그 L자형 굴곡부로부터 밀봉 부재(56)를 통하여 외측으로 도출되며, 또한 하방으로 연장하고 있다. 즉, 파이프(52)는 밀봉 부재(56)에 의해 액체 밀폐 상태로 회전 가능, 또한, 상하 구동 가능하게 파이프(54)에 장착되어 있다.A hole 16c is formed in the bottom of the recessed portion 16 of the retaining plate 14, and the pipe 52 having an outer diameter smaller than the inner diameter of the hole 16c is recessed through the hole 16c. It is connected to the movable nozzle 50 inside. In addition, one end of the pipe 54 is connected to the hole 16c, extends downward from the hole 16c, and is bent in an L shape. The pipe 52 extends downward in the pipe 54, is led outward through the sealing member 56 from the L-shaped bent portion, and extends downward. That is, the pipe 52 is attached to the pipe 54 by the sealing member 56 so that the liquid can be rotated in a liquid sealed state and can be driven up and down.

유지판(14) 및 파이프(54)의 하측에는 지지대(60)가 설치되어 있다. 밀봉 부재(56)의 하방으로 연장하는 파이프(52)에는 플랜지(flange)(58)가 설치되어 있으며, 이 플랜지(58)는 지지대(60)의 축받이(62)에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다. 단면이 대략 コ자형의 지지대(60) 위에는 모터(M)(64)가 설치되어 있으며, 그 회전은 동력 전달 기구(66)를 통하여 파이프(52)로 전달된다. 즉, 파이프(52)는 모터(64)에 의해 화살표(P) 방향으로 회전 구동된다.A support 60 is provided below the retaining plate 14 and the pipe 54. A flange 58 is provided in the pipe 52 extending below the sealing member 56, and the flange 58 is rotatably supported by the bearing 62 of the support 60. . A motor (M) 64 is provided on the support 60 having a substantially U-shaped cross section, and its rotation is transmitted to the pipe 52 through the power transmission mechanism 66. That is, the pipe 52 is driven to rotate in the direction of the arrow P by the motor 64.

지지대(60)는 지지면(70) 위에 배치된 상하 구동 장치(68) 위에 배치되어 있다. 즉, 지지대(60)는 상하 구동 장치(68)의 구동 막대(rod)(68a, 68b)를 통하여 화살표(Q)에 도시하는 바와 같이 상하 방향으로 구동된다. 지지대(60)의 상하 구동을 따라서, 파이프(52)도 상하 방향으로 구동된다. 따라서, 유지판(14)의 오목한 부분(16) 내의 가동 노즐(50)은 파이프(52)와 더불어 회전하며, 또한, 상하 구동하는 것이 된다. 다만, 파이프(52)는 가동 노즐(50)이 상하 구동하여도, 가동 노즐(50)의 하면과 오목한 부분(16)의 저면 사이에 약간의 틈새가 생기도록 가동 노즐을 지지하고 있다.The support 60 is disposed on the vertical drive device 68 disposed on the support surface 70. In other words, the support 60 is driven in the vertical direction as shown by an arrow Q through the driving rods 68a and 68b of the vertical drive device 68. According to the vertical drive of the support 60, the pipe 52 is also driven to an up-down direction. Therefore, the movable nozzle 50 in the recessed part 16 of the holding plate 14 rotates with the pipe 52, and will drive up and down. However, the pipe 52 supports the movable nozzle so that a slight clearance may arise between the lower surface of the movable nozzle 50 and the bottom surface of the recessed part 16, even if the movable nozzle 50 drives up and down.

파이프(52)는 지지면(70)의 구멍(70a)을 통하여 하방으로 연장하며, 그 하단부가 용기(72) 내에 충전된 처리액(74)에 침지되어 있다. 상기 파이프(54)의 일단을 도시하지 않는 펌프에 접속하여 유지판(14)의 오목한 부분(16) 내를 감압하면, 용기(72) 내의 처리액(74)은 파이프(52) 내를 상승하여 가동 노즐(50)에 도달하며, 그 접시 형상부(50a)를 덮는 원판(50b)의 다수의 분출구로부터 분출하여, 피처리 기판(10)의 처리 영역(즉, O링(18)으로 둘러싸인 표면 부분)에 공급된다. 그후, 처리액은 가동 노즐(50)과 오목한 부분(16)의 저부 사이의 틈새 및 구멍(16c)을 통하여 파이프(54)로부터 외부로 배출된다. 이 결과, 피처리 기판(10)의 처리 영역에 대하여 처리액에 의한 처리(예를 들면, 세정 처리)가 실시된다.The pipe 52 extends downward through the hole 70a of the support surface 70, and its lower end part is immersed in the processing liquid 74 filled in the container 72. As shown in FIG. When one end of the pipe 54 is connected to a pump (not shown) to depressurize the inside of the recessed portion 16 of the retaining plate 14, the processing liquid 74 in the container 72 rises inside the pipe 52. A surface that reaches the movable nozzle 50 and is ejected from a plurality of ejection openings of the disc 50b covering the dish-shaped portion 50a and surrounded by the processing region (ie, the O-ring 18) of the substrate 10 to be processed. Part). Thereafter, the processing liquid is discharged from the pipe 54 to the outside through a gap between the movable nozzle 50 and the bottom of the concave portion 16 and the hole 16c. As a result, processing (for example, cleaning processing) with the processing liquid is performed to the processing region of the substrate 10 to be processed.

도 5에 도시하는 제2 실시예에 관한 기판 처리 장치에 있어서도, 도 1에 도 시한 상기 제1 실시예와 마찬가지로, 처리액의 사용량을 저감할 수 있다. 또, 처리액은 가동 노즐(50)의 원판(50b)에 형성된 다수의 분출구로부터 피처리 기판(10)의 처리 영역에 대하여 공급되기 때문에, 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 또, 유지판(14, 30)의 사이즈는 피처리 기판(10)보다 약간 큰 정도이며, 피처리 기판(10)에 관해서 회전 기구가 불필요한 것도 상기 제1 실시예와 마찬가지이다. 제2 실시예에서는 또한 처리액이 유지판(14)의 오목한 부분(16)의 저부에 형성된 구멍(16c)을 통하여 공급 및 배출이 해하여지기 때문에, 기판 처리 장치 전체의 소형화를 실현할 수 있다. 처리중에 가동 노즐(50)을 적절히 회전시키거나, 상하 구동시키면 처리 효율 및 처리 균일성이 한층 향상한다. 상기 제2 실시예에서는 처리액에 의한 피처리 기판(10)의 처리에 관해서 기술하였지만, 처리액 대신에 처리 가스를 유통시켜서 피처리 기판(10)의 건조 처리를 행하게 해도 된다.Also in the substrate processing apparatus according to the second embodiment shown in FIG. 5, the amount of the processing liquid used can be reduced similarly to the first embodiment shown in FIG. 1. In addition, since the processing liquid is supplied to the processing region of the substrate 10 to be processed from a plurality of jetting ports formed in the disc 50b of the movable nozzle 50, the processing efficiency can be improved. In addition, the size of the holding plates 14 and 30 is a little larger than the substrate 10 to be processed, and the rotation mechanism is unnecessary with respect to the substrate 10 as in the first embodiment. In the second embodiment, since the processing liquid is supplied and discharged through the holes 16c formed at the bottom of the concave portion 16 of the holding plate 14, the entire substrate processing apparatus can be miniaturized. When the movable nozzle 50 is properly rotated or driven up and down during the processing, the processing efficiency and the processing uniformity are further improved. In the second embodiment, the treatment of the substrate 10 with the treatment liquid has been described, but instead of the treatment liquid, the treatment gas may be circulated to perform the drying treatment of the substrate 10.

<제3 실시예>Third Embodiment

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 관한 매엽식 기판 처리 장치를 도시하고 있으며, 도 1 및 도 5에 도시한 각 실시예와 마찬가지의 구성을 일부 채용하고 있기 때문에, 각 실시예와 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 있다. 즉, 도 6에 도시하는 제3 실시예에 관한 기판 처리 장치에서 피처리 기판(10) 및 유지판(14)에서 하측의 부분은 도 5에 도시한 상기 제2 실시예와 마찬가지의 구성을 채용하고 있기 때문에, 그 상세한 설명은 생략한다. 또, 피처리 기판(10)에서 상측의 부분은 제2 실시예의 구성을 응용한 것이다.FIG. 6 shows a sheet type substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, and since the same configuration as that of each of the embodiments shown in FIGS. Are given the same reference numerals. That is, in the substrate processing apparatus according to the third embodiment shown in FIG. 6, the lower portion of the substrate 10 and the holding plate 14 adopt the same configuration as that of the second embodiment shown in FIG. 5. The detailed description thereof is omitted. In addition, the upper part of the to-be-processed substrate 10 applies the structure of 2nd Example.

상기 실시예와 마찬가지로, 제3 실시예에 있어서도 피처리 기판(10)은 처리 시에 유지판(14, 30) 사이에 개재되어, O링(18, 34)을 통하여 압박 유지되고 있다. 또, 상기 제1 실시예와 마찬가지로 유지판(14, 30)의 양쪽에 관해서 오목한 부분(16, 32)이 각각 형성되어 있어, 피처리 기판(10)의 양면에 대하여 처리가 가능해지고 있다. 즉, 피처리 기판(10)의 하측면에 관해서는 유지판(14)의 오목한 부분(16) 및 O링(18)에 의해 피처리 영역이 구분 한정되며, 그 상측면에 관해서도 유지판(30)의 오목한 부분(32) 및 O링(34)에 의해 처리 영역이 구분 한정된다.Similarly to the above embodiment, also in the third embodiment, the substrate 10 to be processed is interposed between the holding plates 14 and 30 at the time of processing, and is pressed and held through the O-rings 18 and 34. In addition, concave portions 16 and 32 are formed on both sides of the holding plates 14 and 30, respectively, similarly to the first embodiment, so that both surfaces of the substrate 10 can be processed. That is, the region to be treated is defined by the concave portion 16 and the O-ring 18 of the retaining plate 14 with respect to the lower side of the substrate 10 to be processed, and the retaining plate 30 also with respect to the upper side thereof. The treatment region is defined by the concave portion 32 and the O-ring 34 of FIG.

제2 실시예와 마찬가지로, 유지판(14)의 오목한 부분(16) 내에는 가동 노즐(50)의 접시 형상부(50a)가 다수의 분출구를 가지는 원판(50b)에 덮여져 설치되어 있다. 제3 실시예에서는, 유지판(30)의 오목한 부분(32) 내에도 가동 노즐(150)의 접시 형상부(150a)가 다수의 분출구를 가지는 원판(150b)에 덮여져 설치되어 있다. 또, 원판(150b)의 분출구는 오목한 부분(32)의 개구부를 향하고 있다.As in the second embodiment, in the concave portion 16 of the retaining plate 14, the plate-shaped portion 50a of the movable nozzle 50 is covered with a disc 50b having a plurality of ejection openings. In the third embodiment, the plate-shaped portion 150a of the movable nozzle 150 is also covered with the disc 150b having a plurality of jet holes in the recessed portion 32 of the holding plate 30. Moreover, the blowing port of the disc 150b faces the opening part of the recessed part 32. As shown in FIG.

유지판(30)으로부터 상측으로 연출하는 파이프(152)는 유지판(30)의 오목한 부분(32)의 저부에 형성한 구멍(32c)의 내경보다 작은 외경을 가지고 있으며, 구멍(32c)을 통하여 가동 노즐(150)에 접속되어 있다. 파이프(154)도 구멍(32c)에 접속되어 있으며, 구멍(32c)으로부터 상방에 연장하며, L자형으로 굴곡하고 있다. 파이프(152)는 이 파이프(154) 안을 상방으로 연장하며, 파이프(154)의 L자형 굴곡부로부터 밀봉 부재(156)를 통하여 도출되며, 또한 상방으로 연장하고 있다. 파이프(152)는 밀봉 부재(156)에 의해 밀봉 상태로 회전 가능, 또한, 상하 구동 가능하게 파이프(154)에 장착되어 있다. The pipe 152 extending upward from the retaining plate 30 has an outer diameter smaller than the inner diameter of the hole 32c formed at the bottom of the concave portion 32 of the retaining plate 30, and through the hole 32c. It is connected to the movable nozzle 150. The pipe 154 is also connected to the hole 32c, extends upward from the hole 32c, and is bent in an L shape. The pipe 152 extends upward in the pipe 154 and is led out of the L-shaped bent portion of the pipe 154 through the sealing member 156 and extends upward. The pipe 152 is attached to the pipe 154 so as to be rotatable in a sealed state by the sealing member 156 and to be able to be driven up and down.

게다가 상방에는, 모터(M)(164)를 구비한 지지대(160)가 설치되어 있으며, 파이프(152)에 구비된 플랜지(158)는 지지대(160)의 축받이(162)에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다. 모터(164)의 회전은 동력 전달 기구(166)를 통하여 파이프(152)에 전달된다. 즉, 파이프(152)는 모터(164)에 의해 화살표(P') 방향으로 회전 구동된다.Furthermore, the support base 160 provided with the motor (M) 164 is provided upward, and the flange 158 with which the pipe 152 was equipped is rotatably supported by the bearing 162 of the support 160. It is. Rotation of the motor 164 is transmitted to the pipe 152 through the power transmission mechanism 166. That is, the pipe 152 is driven to rotate in the direction of the arrow P 'by the motor 164.

지지대(160)는 지지면(170)에 설치된 상하 구동 장치(168)와 접속되어 있으며, 그 상하 구동 장치(168)의 구동 막대(168a, 168b)를 통하여 화살표(Q')로 도시하는 바와 같이 상하 방향으로 구동된다. 이 지지대(160)의 상하 구동과 더불어, 파이프(152)도 상하 방향으로 구동된다. 따라서, 유지판(30)의 오목한 부분(32) 내의 가동 노즐(150)은 파이프(152)와 더불어 회전 및 상하 구동하는 것이 된다. 다만, 가동 노즐(150)의 상하 구동에 관계없이, 파이프(152)는 가동 노즐(150)과 유지판(30)의 오목한 부분(32)의 저면 사이에 틈새가 생기도록 가동 노즐(150)을 지지한다.The support base 160 is connected with the up-and-down drive device 168 provided in the support surface 170, and is shown by the arrow Q 'through the drive rods 168a and 168b of the up-and-down drive device 168. It is driven in the vertical direction. In addition to the vertical drive of the support 160, the pipe 152 is also driven in the vertical direction. Therefore, the movable nozzle 150 in the recessed part 32 of the holding plate 30 will rotate and drive up and down with the pipe 152. However, regardless of the vertical movement of the movable nozzle 150, the pipe 152 opens the movable nozzle 150 so that a gap is formed between the movable nozzle 150 and the bottom surface of the concave portion 32 of the retaining plate 30. I support it.

파이프(152)는 지지면(170)의 구멍(170a)을 통하여 또한 상방으로 연장한 후, 수평 방향으로 굴곡하며, 또한 하방으로 L자형으로 굴곡함으로써, 그 상단부가 용기(172) 내에 충전된 처리액(174) 내로 침지된다. 지지면(170) 등으로 이루어지는 지지 기구는 유지판(30)과 접속됨으로써 유지판(30)과 더불어 상하 구동시킬 수 있다. 파이프(154)의 일단을 도시하지 않는 펌프와 접속함으로써 유지판(30)의 오목한 부분(32)을 감압하면, 용기(172) 내의 처리액(174)은 파이프(152) 내를 상승-하강하여 가동 노즐(150)에 도달하며, 그 접시 형상부(150a)를 덮는 원판(150b)의 다수의 분출구로부터 하방으로 분출하여 피처리 기판(10)의 상측면의 처리 영역(즉, O링(34)으로 둘러싸인 부분)으로 공급된다. 그후, 처리액은 가동 노즐(150)과 유지판(30)의 오목한 부분(32)의 저면 사이의 틈새 및 구멍(32c)을 통하여 파이프(154)로부터 외부로 배출된다. 이 결과, 피처리 기판(10)의 양면의 처리 영역을 처리액에 의해 동시로 처리(예를 들면, 세정 처리)할 수 있다.The pipe 152 extends upwardly through the holes 170a of the support surface 170 and then bends in the horizontal direction and is bent L-shaped downwards, so that the upper end thereof is filled in the container 172. It is immersed into the liquid 174. The support mechanism made of the support surface 170 and the like can be driven up and down together with the retaining plate 30 by being connected to the retaining plate 30. When the one end of the pipe 154 is connected with a pump (not shown) to depress the concave portion 32 of the holding plate 30, the processing liquid 174 in the container 172 rises and falls inside the pipe 152. Reaching the movable nozzle 150 and ejecting downward from a plurality of ejection openings of the original plate 150b covering the dish-shaped portion 150a, that is, the processing region (ie, the O-ring 34 on the upper side of the substrate 10). Is enclosed). Thereafter, the processing liquid is discharged from the pipe 154 to the outside through the gap and the hole 32c between the movable nozzle 150 and the bottom surface of the concave portion 32 of the holding plate 30. As a result, the processing areas on both sides of the substrate 10 to be processed can be processed (for example, washed) simultaneously with the processing liquid.

도 6에 도시한 제3 실시예에 관한 기판 처리 장치에서도, 도 5에 도시한 상기 제2 실시예와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다. 또, 제3 실시예에서는 피처리 기판(10)의 양면을 동시로 처리할 수 있기 때문에, 처리 효과를 한층 향상시킬 수 있다. 다만, 제3 실시예에 있어서 처리액 대신에 처리 가스를 유통시켜, 피처리 기판(10)의 건조 처리 등을 행하게 해도 된다.Also in the substrate processing apparatus according to the third embodiment shown in FIG. 6, the same effects as those of the second embodiment shown in FIG. 5 can be obtained. In the third embodiment, since both surfaces of the substrate 10 can be processed simultaneously, the processing effect can be further improved. However, in the third embodiment, the processing gas may be passed in place of the processing liquid to perform the drying treatment of the substrate 10 to be processed.

<제4 실시예>Fourth Example

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 관한 매엽식 기판 처리 장치를 도시하고 있으며, 상기 제1 실시예 등과 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 있다.Fig. 7 shows a sheet type substrate processing apparatus in accordance with a fourth embodiment of the present invention, in which like parts have been assigned the same reference numerals.

제4 실시예에 있어서도, 피처리 기판(10)은 처리시에 유지판(14, 30) 사이에 개재되어, O링(18, 34)을 통하여 압박 유지되고 있다. 상기 각 실시예와 달리, 어느 유지판(14, 30)에도 오목한 부분이 형성되어 있지 않고, 피처리 기판(10)은 단지 O링(18, 34)을 통하여 유지판(14, 30) 사이에 끼워져 있다. O링(18)은 유지판(14) 주요면의 내측 소정 영역을 둘러싸게 닫힌 루프 형상으로 설치되어 있으며, 또, O링(34)은 유지판(30) 주요면의 내측 소정 영역을 둘러싸게 닫힌 루프 형상으로 설치되어 있다.Also in the fourth embodiment, the substrate 10 to be processed is interposed between the holding plates 14 and 30 at the time of processing, and is pressed and held through the O-rings 18 and 34. Unlike the respective embodiments described above, concave portions are not formed in any of the holding plates 14 and 30, and the substrate 10 to be processed is merely connected between the holding plates 14 and 30 through the O-rings 18 and 34. It is fitted. The O-ring 18 is provided in a closed loop shape so as to surround an inner predetermined area of the holding plate 14 main surface, and the O-ring 34 surrounds an inner predetermined area of the main plate 30 main surface. It is installed in a closed loop shape.

또, 유지판(14)의 단면을 따라서 별도의 O링(80)이 닫힌 루프 형상으로 설치되어 있으며, 마찬가지로, 유지판(30)의 단면을 따라서 별도의 O링(82)이 닫힌 루프 형상으로 설치되어 있다. 이들 O링(80, 82)은 어느 쪽도 고무 또는 플라스틱 등의 탄성 부재로 이루어진다.In addition, a separate O-ring 80 is provided in a closed loop shape along the cross section of the retaining plate 14, and similarly, a separate O-ring 82 is closed in a closed loop shape along the cross section of the retaining plate 30. It is installed. These O-rings 80 and 82 are both made of an elastic member such as rubber or plastic.

커버 부재(84)는 유지판(14, 30)이 피처리 기판(10)을 개재하여 압박 유지한 상태의 중첩체를 덮는 것이다. 즉, 커버 부재(84)에는 유지판(14, 30) 및 피처리 기판(10) 등으로 이루어지는 중첩체를 받아들이는 오목한 부분(86)을 가지고 있다. 오목한 부분(86)의 측벽은 닫힌 루프 형상 걸어 맞춤부(86A)에 의해 구성되고 있다. 걸어 맞춤부(86A)는 커버 부재(84)의 오목한 부분(86) 내로 상기 중첩체가 삽입된 상태에 있어서 O링(80, 82)에 각각 걸어 맞추는 것이다. 또, 걸어 맞춤부(86A)에는 외측으로 연통하는 구멍(86a, 86b)이 형성되어 있으며, 이들 구멍은 중첩체의 삽입시에 있어서 O링(80, 82) 사이에 위치하고 있다. 또, 구멍(86a, 86b)에는 파이프(88, 90)가 각각 접속되어 있다.The cover member 84 covers the overlapped body in the state in which the holding plates 14 and 30 were pressed and held through the to-be-processed substrate 10. That is, the cover member 84 has the recessed part 86 which receives the superposition body which consists of the holding plates 14 and 30, the to-be-processed substrate 10, etc. The side wall of the recessed part 86 is comprised by the closed loop shaped engaging part 86A. The engagement portion 86A engages with the O-rings 80 and 82, respectively, in the state where the overlap is inserted into the recessed portion 86 of the cover member 84. As shown in FIG. In addition, holes 86a and 86b communicating with the outside are formed in the engaging portion 86A, and these holes are located between the O-rings 80 and 82 when the superposed body is inserted. In addition, the pipes 88 and 90 are connected to the holes 86a and 86b, respectively.

걸어 맞춤부(86A)는 처리시에 도시하지 않는 유지 수단에 의해 유지판(14, 30)의 단면에 대하여 각각 O링(80, 82)을 통하여 압박 유지된다. 이것으로써, 피처리 기판(10)을 개재한 중첩체의 내부는 O링(80, 82) 및 걸어 맞춤부(86A)의 내벽에 의해 밀봉되어, 피처리 기판(10)의 단면을 따라서 유통하는 유체의 유로(92)를 형성한다. 즉, 구멍(86a)에 접속된 파이프(88)로부터 처리액 또는 처리 가스가 유로(92) 내로 공급되며, 그후, 구멍(86b)에 접속된 파이프(90)로부터 배출된다. 이 때, 처리액 또는 처리 가스가 유로(92) 내를 유통함으로써, 피처리 기판(10)의 단 면 또는 그 근방 부분에 관해서 처리(예를 들면, 세정 처리나 건조 처리)가 실시된다.The engagement portion 86A is pressed against the end faces of the holding plates 14 and 30 by the holding means (not shown) through the O-rings 80 and 82, respectively. As a result, the inside of the overlapped body via the substrate 10 is sealed by the inner walls of the O-rings 80 and 82 and the engaging portion 86A, and flows along the cross section of the substrate 10 to be processed. A flow path 92 of fluid is formed. That is, the processing liquid or the processing gas is supplied into the flow path 92 from the pipe 88 connected to the hole 86a and then discharged from the pipe 90 connected to the hole 86b. At this time, the processing liquid or the processing gas flows through the flow path 92 so that the processing (for example, a cleaning process or a drying process) is performed on the end surface of the substrate 10 or in the vicinity thereof.

도 7에 도시하는 제4 실시예에 관한 기판 처리 장치에서는, 처리액 또는 처리 가스의 유로(92)가 피처리 기판(10)의 단면을 따라서 닫힌 루프 형상 경로에 한정되기 때문에, 처리액 또는 처리 가스의 사용량은 적게 된다. 상기 각 실시예에 관한 기판 처리 장치에서는 피처리 기판(10)의 단면을 처리하는 것이 곤란하지만, 제4 실시예에 관한 기판 처리 장치에서는 피처리 기판(10)의 단면을 한정적으로 처리할 수 있다. 따라서, 상기 각 실시예에서 처리하지 못한 피처리 기판(10)의 단면에 관해서도 처리를 실시하는 경우에는 제4 실시예를 이용하면 된다.In the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment shown in FIG. 7, the processing liquid or the processing gas flow path 92 is limited to a closed loop path along the cross section of the substrate 10 to be processed. The amount of gas used is small. Although it is difficult to process the cross section of the to-be-processed board | substrate 10 in the board | substrate processing apparatus which concerns on each said Example, the cross section of the to-be-processed board | substrate 10 can be limitedly processed by the board | substrate processing apparatus which concerns on 4th Example. . Therefore, the fourth embodiment may be used to process the cross section of the substrate 10 to be processed which has not been processed in the above embodiments.

도 8은 도 7에 도시한 제4 실시예의 변형예를 도시하는 것이며, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고 있으며, 그 상세한 설명을 생략한다.FIG. 8 shows a modification of the fourth embodiment shown in FIG. 7, the same components are given the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

도 8에 도시하는 변형예의 특징은 이하의 두 가지이다.The characteristics of the modified example shown in FIG. 8 are as follows.

(1) O링(34)을 폐지하며, 그 대신에 유지판(30)의 피처리 기판(10)에 대향하는 주요면 위에 복수의 스페이서(94a, 94b)를 분산 배치하고 있다. 이것으로써, 서로 대향하는 유지판(30)의 스페이서 측의 주요면과 피처리 기판(10)의 상측면 사이에 새로이 유로(96)가 형성된다. 이 유로(96)는 상기 유로(92)와 연결되어 있어, 소정의 유체(즉, 처리액 또는 처리 가스)가 유통한다.(1) The O-ring 34 is closed, and instead, the plurality of spacers 94a and 94b are dispersed and disposed on the main surface of the holding plate 30 that faces the substrate 10 to be processed. Thereby, the flow path 96 is newly formed between the main surface of the spacer side of the holding plate 30 which mutually opposes, and the upper surface of the to-be-processed substrate 10. FIG. The flow path 96 is connected to the flow path 92 so that a predetermined fluid (that is, a processing liquid or a processing gas) flows.

(2) 커버 부재(84)의 중앙부에 구멍(84a)을 형성하며, 유지판(30)의 중앙부에도 구멍(30a)을 형성한다. 이들 구멍(30a, 84a)을 통하여 파이프(46)를 배설하며, 상기 유로(96) 내의 유체를 이 파이프(46)를 통하여 외부로 도출한다. 즉, 파 이프(88, 90)로부터 공급되는 처리액 또는 처리 가스는 유로(92, 96)를 각각 유통하며, 그후, 중앙부의 파이프(46)를 통하여 외부로 배출한다. 이 경우, 파이프(90)를 처리액 또는 처리 가스의 공급구로 하지 않고, 배출구로 해도 된다. 다만, 스페이서(94a, 94b)로서 피처리 기판(10)의 처리 영역에서의 처리를 방해하지 않게 접촉 면적이 적은 것을 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 스페이서(94a, 94b)로서 돌기 형상의 것을 이용해도 되지만, 그 경우에는, 피처리 기판(10)의 표면을 상처 입히지 않도록 배려할 필요가 있다. 이 스페이서의 재질로서, 예를 들면, 불소 고무 등의 불소 함유 재료를 들 수 있다.(2) The hole 84a is formed in the center part of the cover member 84, and the hole 30a is formed also in the center part of the holding plate 30. As shown in FIG. The pipe 46 is provided through these holes 30a and 84a, and the fluid in the flow path 96 is led out through the pipe 46 to the outside. That is, the processing liquid or processing gas supplied from the pipes 88 and 90 flows through the flow paths 92 and 96, respectively, and is then discharged to the outside through the pipe 46 at the center. In this case, the pipe 90 may be a discharge port instead of a supply port for the processing liquid or the processing gas. However, it is preferable to use those having a small contact area as the spacers 94a and 94b so as not to disturb the processing in the processing region of the substrate 10 to be processed. For example, although the protrusion shape may be used as the spacers 94a and 94b, in this case, it is necessary to consider the surface of the to-be-processed substrate 10 not to be damaged. As a material of this spacer, fluorine-containing materials, such as fluororubber, are mentioned, for example.

도 8의 기판 처리 장치에서는, 파이프(88, 90)로부터 유로(92, 96)로 처리액 또는 처리 가스를 공급하여, 파이프(46)로부터 외부로 배출하게 한 것이므로, 피처리 기판(10)의 단면 또는 스페이서 측의 주요면에 대하여 동시에 세정 또는 건조 처리를 실시할 수 있다. 이 경우, 처리액 또는 처리 가스의 유로는 피처리 기판(10)의 단면 및 스페이서 측의 주요면을 따르는 공간 영역에 한정되기 때문에, 피처리 기판(10)의 전면에 대하여 처리를 실시하는 경우에 비하여 처리액 또는 처리 가스의 사용량을 적게 할 수 있다. 또, 처리액 또는 처리 가스의 유통을 보다 부드럽게 할 수 있기 때문에, 처리 균일성이나 처리 효율을 향상시킬 수 있다.In the substrate processing apparatus of FIG. 8, the processing liquid or the processing gas is supplied from the pipes 88 and 90 to the flow paths 92 and 96 and discharged from the pipe 46 to the outside. Washing or drying can be performed simultaneously with respect to the end surface or the main surface on the spacer side. In this case, since the flow path of the processing liquid or the processing gas is limited to the space region along the end surface of the substrate 10 and the main surface on the spacer side, when the processing is performed on the entire surface of the substrate 10 In comparison, the amount of processing liquid or processing gas used can be reduced. In addition, since the flow of the processing liquid or the processing gas can be made more smooth, the processing uniformity and the processing efficiency can be improved.

도 8에서, 처리액 또는 처리 가스의 유통 방향을 역으로 해도 된다. 즉, 파이프(46)로부터 처리액 또는 처리 가스를 공급하여, 중앙부로부터 단부를 향하여 유로(92, 96)를 유통시킨 후, 양측의 파이프(88, 90)로부터 배출하게 해도 된다. 또, O링(18)을 스페이서로 바꾸며, 유지판(14)에 구멍을 형성하고 파이프를 접속하 여 처리액 또는 처리 가스를 배출할 수 있게 해도 된다. 이 경우, 피처리 기판(10)의 양면에 관해서도 동시에 처리할 수 있다. 또, 커버 부재(84)의 구멍(86a, 86b)은 걸어 맞춤부(86A)의 닫힌 루프를 따라서 다수 분산 배치하는 것이 바람직하다.In FIG. 8, the flow direction of the processing liquid or the processing gas may be reversed. That is, the processing liquid or the processing gas may be supplied from the pipe 46 to flow through the flow paths 92 and 96 from the center portion to the end portion, and then discharged from the pipes 88 and 90 on both sides. In addition, the O-ring 18 may be replaced with a spacer, a hole may be formed in the retaining plate 14, and a pipe may be connected to discharge the processing liquid or the processing gas. In this case, both surfaces of the substrate 10 can be processed simultaneously. Moreover, it is preferable to disperse | distribute many holes 86a and 86b of the cover member 84 along the closed loop of 86A of engagement parts.

<제5 실시예>Fifth Embodiment

도 10은 본 발명의 제5 실시예에 관한 기판 처리 장치를 도시하고 있으며, 마이크로파 방전에 의한 플라즈마 에칭 장치로의 응용예이다. 도 10에서 도 6에 도시한 제3 실시예와 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙여서 그 상세한 설명을 생략한다. 제5 실시예는 처리 가스에 마이크로파 방전 처리를 실시하여 발생하는 화학 활성종(라디칼)으로 기판 표면을 세정하는 것이다.10 shows a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention, and is an application example to a plasma etching apparatus by microwave discharge. 10 to 10, the same components as those in the third embodiment shown in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. In the fifth embodiment, the substrate surface is cleaned with chemically active species (radicals) generated by subjecting the processing gas to microwave discharge treatment.

상술하면, 유지판(14, 30)은 각각 석영 재질로 형성되어 있으며, 그 사이에 피처리 기판(10)을 압박 유지하고 있다. 또, O링(18, 34)의 재질로서는 퍼클로로엘라스토머(perchloroelastomer) 등의 불소 수지를 사용한다. 또한, 파이프(54, 154)에는 진공 펌프 배기를 실시하고 있다. In detail, the holding plates 14 and 30 are each formed of quartz material, and hold | maintain the to-be-processed board | substrate 10 between them. As the material of the O rings 18 and 34, fluororesins such as perchloroelastomer are used. In addition, the vacuum pumps are exhausted to the pipes 54 and 154.

단부에 UV램프(즉, 방전 스타터)를 배치하며, 3종류의 가스(GAS1(O2), GAS2(N2), GASn(H2))를 혼합하는 수송관(석영 재질)은 마이크로파 발생기(M1, M2)를 통하여 각각 파이프(52, 152)와 접속되어 있다. 이것으로써, 마이크로파 방전 플라즈마에 의한 처리 가스가 생성되며, 피처리 기판(10)의 각 주요면에 대하여 공급되어, 세정 처리가 실시된다.A UV tube (i.e., a discharge starter) is placed at the end and a transport tube (quartz material) that mixes three types of gases (GAS 1 (O 2 ), GAS 2 (N 2 ), GAS n (H 2 )) It is connected with the pipes 52 and 152 through the microwave generators M1 and M2, respectively. As a result, a processing gas generated by the microwave discharge plasma is generated, supplied to each main surface of the substrate 10 to be processed, and cleaning processing is performed.

다만, 도 10에서는 피처리 기판(10)의 양면에 대하여 처리를 실시하였지만, 단면만에 처리를 실시하게 해도 된다.In addition, although the process was performed to both surfaces of the to-be-processed board | substrate 10 in FIG. 10, you may make it process only to a cross section.

<제6 실시예>Sixth Embodiment

도 11은 본 발명의 제6 실시예에 관한 기판 처리 장치의 주요부를 도시하는 사시도이다. 제6 실시예는 각형의 기판, 예를 들면 디스플레이용 기판 등에 대한 세정 처리 등을 행하는 것이며, 각형의 피처리 기판(10)은 각형의 유지판(14, 30) 사이에 개재되어 압박 유지된다. 각형의 유지판(14, 30)에는 적적히 오목한 부분 및 구멍이 형성되어 있으며, 처리제(약품, 물, 처리 가스 등)가 파이프를 통하여 공급-배출된다. 또, 유지판(14) 상측의 각형의 단면에는 O링(18)이 홈에 맞물려져 있으며, 마찬가지로, 유지판(30) 하측의 각형의 단면에도 O링이 맞물려져 있다. 이것으로써, 각형의 피처리 기판(10)의 양면에 대하여 각형의 처리 영역이 각각 구분 한정된다.It is a perspective view which shows the principal part of the substrate processing apparatus which concerns on the 6th Example of this invention. In the sixth embodiment, a cleaning process is performed on a square substrate, for example, a display substrate, and the like, and the square to-be-processed substrate 10 is interposed between the rectangular holding plates 14 and 30 to be pressed and held. The rectangular holding plates 14 and 30 are formed with appropriately recessed portions and holes, and the treatment agent (chemicals, water, treatment gas, etc.) is supplied and discharged through the pipe. Moreover, the O-ring 18 is engaged with the groove | channel in the square cross section of the upper side of the holding plate 14, and similarly the O-ring is also engaged in the cross section of the square below the holding plate 30. As shown in FIG. Thereby, a square processing area | region is defined separately with respect to both surfaces of the square to-be-processed substrate 10, respectively.

다만, O링(18)으로서는 단면이 원형상인 것을 홈에 맞물리게 해도 좋으며, 또, 단면이 직각상인 판상의 O링을 이용하여 홈에 맞물리게 해도 좋다.However, the O-ring 18 may be engaged with the groove having a circular cross section, or may be engaged with the groove using a plate-shaped O-ring having a rectangular cross section.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 기판 처리 방법 및 장치에는 여러 가지의 기술적 특징 및 효과가 있으며, 이들에 관해서 이하에 설명한다.As described above, the substrate processing method and apparatus according to the present invention have various technical features and effects, which will be described below.

(1) 본 발명의 기판 처리 방법 및 장치에서는, 피처리 기판은 한 쌍의 유지판 사이에 개재되어 압박 유지되어 있으며, 처리액 또는 처리 가스(이하, 처리제라고 칭함)를 이용하여 소정의 처리(즉, 세정 처리 및 건조 처리)를 실시하게 구성되 어 있다.(1) In the substrate processing method and apparatus of the present invention, the substrate to be processed is sandwiched and held between a pair of holding plates, and a predetermined treatment is performed using a processing liquid or a processing gas (hereinafter referred to as a processing agent). That is, the washing treatment and the drying treatment) are performed.

(2) 상술하면, 피처리 기판의 주요면에 대향하여 각 유지판은 닫힌 루프 형상의 탄성 부재(O링)를 통하여 압박되어, 이것으로써, 피처리 기판의 주요면에서 탄성 부재로 둘러싸인 처리 영역이 구분 한정된다. 또, 각 유지판에는 탄성 부재로 감싸지는 영역에 오목한 부분이 형성되어 있으며, 이 오목한 부분을 통하여 처리제를 유통시킴으로써 피처리 기판의 처리 영역에 대하여 처리가 실시된다. 다만, 처리액으로서 세정액 또는 순수 등을 이용하여 처리 영역에 세정 처리를 실시하거나, 또는, 처리 가스로서 N2 등의 불활성 가스를 이용하여 처리 영역에 건조 처리를 실시할 수 있다. 처리 영역은 피처리 기판의 주요면보다도 작은 면적으로 구분 한정되어 있으며, 또, 유지판의 오목한 부분의 면적도 이 처리 영역 정도이다. 이 때문에, 처리제의 사용량을 저감할 수 있다. 유지판의 오목한 부분의 내부를 구면상(반구 형상)으로 하면 처리제의 흐름을 부드럽게 할 수 있어, 처리 균일성이 향상한다. 또한, 유지판에서 적어도 처리 영역에 대응하는 부분에 외부로부터의 관찰용 창을 설치하면, 작업자가 피처리 기판에 대한 처리의 진척 상태 등을 확인-측정하는데 상당히 편리하다. 예를 들면, 이 창은 유지판의 일부를 투명 재료(투명 유리나 아크릴 등)로 구성함으로써 실현된다.(2) In detail, each holding plate is pressed through a closed loop-shaped elastic member (O-ring) facing the main surface of the substrate to be processed, thereby processing region surrounded by the elastic member on the main surface of the substrate to be processed. This division is limited. Moreover, in each holding plate, the recessed part is formed in the area | region enclosed with an elastic member, and a process is performed with respect to the process area | region of a to-be-processed substrate by flowing a processing agent through this recessed part. However, the cleaning treatment may be performed in the treatment region using a washing liquid or pure water as the treatment liquid, or the treatment treatment may be dried in the treatment region using an inert gas such as N 2 as the treatment gas. The processing region is limited to an area smaller than the main surface of the substrate to be processed, and the area of the recessed portion of the holding plate is also about this processing region. For this reason, the usage-amount of a processing agent can be reduced. When the inside of the recessed part of the holding plate is spherical (semi-spherical), the flow of the treatment agent can be smoothed, and treatment uniformity is improved. In addition, providing an observation window from the outside at least in a portion of the holding plate corresponding to the processing area makes it extremely convenient for the operator to confirm and measure the progress of the processing on the processing target substrate and the like. For example, this window is realized by constituting a part of the holding plate with a transparent material (transparent glass, acrylic or the like).

(3) 상기에 있어서, 피처리 기판의 양쪽 주요면에 대하여 동시에 처리를 행하면, 처리 효율이 향상한다. 또, 한 쪽의 주요면과 다른 쪽의 주요면에서 처리제의 종류를 다르게 할 수 있다. 예를 들면, 한 쪽의 주요면에서 처리액에 의한 세정 처리를 행하며, 다른 쪽의 주요면에서는 처리 가스에 의한 건조 처리를 행할 수 도 있다. (3) In the above, when both main surfaces of the substrate to be processed are simultaneously processed, the processing efficiency is improved. Moreover, the kind of treatment agent can be different from the main surface of one side and the main surface of the other side. For example, one main surface may be cleaned by a processing liquid, and the other main surface may be dried by a processing gas.

(4) 피처리 기판을 압박 유지하고 있는 한 쌍의 유지판 등으로 이루어지는 중첩체 전체를 커버 부재로 덮으며, 그 닫힌 루프 형상 걸어 맞춤부와 각 유지판의 단면 사이에 탄성 부재(O링)가 배치하게 구성할 수도 있다. 즉, 피처리 기판의 단면을 따라서 유로가 형성되면, 이 유로 내로 처리제를 유통시켜서 피처리 기판의 단면에 처리를 실시한다. 즉, 세정 처리나 건조 처리 등을 피처리 기판의 단면 및 그 근방 부분에 대하여 한정적으로 행하는 것이 된다. 이 경우, 처리 영역이 한정되기 때문에, 처리제의 사용량을 저감할 수 있다.(4) The whole overlapping body which consists of a pair of holding plates etc. which hold | maintain the to-be-processed board | substrate is covered with a cover member, and the elastic member (O-ring) between the closed loop-shaped engagement part and the end surface of each holding plate It may be configured to arrange. That is, when a flow path is formed along the end surface of a to-be-processed substrate, a process agent is circulated in this flow path and a process is performed to the end surface of a to-be-processed substrate. That is, the cleaning treatment, the drying treatment, and the like are limited to the cross section of the substrate to be processed and its vicinity. In this case, since the treatment area is limited, the amount of the treatment agent used can be reduced.

(5) 상기에 있어서, 한 쪽의 유지판과 피처리 기판 사이에 닫힌 루프 형상의 탄성 부재를 대신하여 복수의 스페이서를 배치하게 해도 된다. 즉, 유로는 피처리 기판의 단면뿐만 아니라, 스페이서 측의 주요면을 따라서도 형성되는 것이 된다. 이것으로써, 피처리 기판의 단면 및 주요면에 대하여 선택적으로 처리가 실시된다.(5) In the above description, a plurality of spacers may be disposed between the one holding plate and the substrate to be processed in place of the closed loop-shaped elastic member. That is, the flow path is formed not only along the end face of the substrate to be processed but also along the main surface on the spacer side. Thereby, a process is selectively performed with respect to the cross section and main surface of a to-be-processed substrate.

(6) 기판 처리 장치에서는, 종래와 같은 피처리 기판의 회전 기구를 설치할 필요도 없기 때문에, 장치 전체의 소형화를 실현할 수 있다. 또, 피처리 기판을 압박 유지하고 있는 한 쌍의 유지판 등으로 이루어지는 중첩체를 회전 운동 가능하게 지지하거나, 그 회전 운동각을 제어할 수도 있다. 이것으로써, 처리제의 유통이 부드럽게 되는 소망의 회전 운동각을 설정하거나, 처리중에 회전 운동각을 주기적으로 변화시킴으로써, 처리 균일성이나 처리 효율을 향상시킬 수 있다.(6) In the substrate processing apparatus, since there is no need to provide a rotating mechanism of the substrate to be processed as in the prior art, miniaturization of the entire apparatus can be realized. Moreover, the superposition body which consists of a pair of holding plates etc. which hold | maintain and hold | maintain the to-be-processed board | substrate can be rotatably supported, or the rotational movement angle can also be controlled. As a result, the processing uniformity and the processing efficiency can be improved by setting the desired rotational movement angle at which the flow of the treatment agent is smoothed or by periodically changing the rotational movement angle during the treatment.

(7) 처리제는 각 유지판의 오목한 부분에 배치한 노즐의 복수의 분출구로부터 분출시켜서, 피처리 기판의 처리 영역을 향하여 공급하게 해도 된다. 또, 노즐을 지지하여 처리제를 공급하는 파이프를 상하 구동 가능이나 회전 가능하게 해도 된다. 이것으로써, 처리 효율 및 처리 균일성이 한층 향상한다.(7) The treatment agent may be ejected from a plurality of ejection openings of the nozzles arranged in the recessed portions of the respective holding plates, and may be supplied toward the treatment region of the substrate to be processed. Moreover, you may make a pipe which supports a nozzle and supplies a processing agent up-down driveable or rotatable. This further improves the processing efficiency and the processing uniformity.

(8) 본 발명을 플라즈마 에칭 장치에 응용하는 것도 가능하며, 석영 재질의 유지판 사이에 압박 유지한 피처리 기판에 대하여 마이크로파 방전 플라즈마에 의한 처리 가스를 작용시켜서, 세정 처리를 실시하는 것도 가능하다.(8) It is also possible to apply the present invention to a plasma etching apparatus, and to perform a cleaning process by acting a processing gas by microwave discharge plasma on a substrate to be pressurized and held between quartz holding plates. .

(9) 피처리 기판의 형상은 원형인 것으로 한정할 필요는 없으며, 예를 들면 디스플레이용 기판 등의 각형의 기판을 처리하게 해도 된다. 그 경우, 직각상의 처리 영역을 구분 한정하기 위해 유지판으로서 각형인 것을 이용한다.(9) The shape of the substrate to be processed is not limited to a circular one, and may be, for example, a rectangular substrate such as a display substrate. In that case, in order to distinguish a process area of a rectangular shape, a rectangular shape is used as the holding plate.

다만, 본 발명은 상기 각 실시예에 한정되는 것이 아니라, 발명의 범위 내에 있어서 여러 가지 변경이 가능하다.However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible within the scope of the invention.

Claims (12)

한 쪽 면에 오목한 부분(16)이 형성되며, 이 오목한 부분의 내부로부터 외부로 연통하는 제1 및 제2 구멍(16a, 16b)이 형성된 유지판(14)에 대하여 상기 오목한 부분을 둘러싸게 닫힌 루프 형상으로 설치된 탄성 부재(18)를 배치하며, A concave portion 16 is formed on one side, and is closed to surround the concave portion with respect to the holding plate 14 on which the first and second holes 16a and 16b communicate from the inside of the concave portion to the outside. Arrange the elastic member 18 installed in a loop shape, 상기 유지판의 한 쪽 면에 상기 탄성 부재를 통하여 피처리 기판(10)의 주요면을 대향 배치한 상태로, 피처리 기판을 유지판으로 압박 유지하여, 이것으로써, 피처리 기판의 주요면에서 탄성 부재로 둘러싸인 처리 영역을 구분 한정하며,In the state where the main surface of the substrate 10 to be processed is opposed to one surface of the holding plate via the elastic member, the substrate to be processed is pressed and held by the holding plate, whereby the main surface of the substrate to be processed is To distinguish and define the treatment area surrounded by the elastic member, 상기 제1 구멍을 통하여 상기 오목한 부분에 처리액 또는 처리 가스를 공급하며, 이 오목한 부분을 유통한 처리액 또는 처리 가스를 상기 제2 구멍을 통하여 외부로 배출함으로써, 상기 피처리 기판의 처리 영역에 대하여 처리액 또는 처리 가스에 의한 처리를 실시하게 한 기판 처리 방법.The processing liquid or the processing gas is supplied to the concave portion through the first hole, and the processing liquid or the processing gas that has flowed through the concave portion is discharged to the outside through the second hole, thereby to the processing region of the substrate to be processed. The substrate processing method which made it process with the process liquid or process gas. 한 쪽 면에 오목한 부분(16)이 형성되며, 이 오목한 부분의 내부로부터 외부로 연통하는 제1 및 제2 구멍(16a, 16b)이 형성된 제1 유지판(14)에 대하여 상기 오목한 부분을 둘러싸게 닫힌 루프 형상으로 설치된 제1 탄성 부재(18)를 배치하며,A concave portion 16 is formed on one side and surrounds the concave portion with respect to the first holding plate 14 on which the first and second holes 16a and 16b communicate from the inside of the concave portion to the outside. Cheaply arrange the first elastic member 18 installed in a closed loop shape, 한 쪽 면에 오목한 부분(32)이 형성되며, 이 오목한 부분의 내부로부터 외부로 연통하는 제3 및 제4 구멍(32a, 32b)이 형성된 제2 유지판(32)에 대하여 상기 오목한 부분을 둘러싸게 닫힌 루프 형상으로 설치된 제2 탄성 부재(34)를 배치하 며,A concave portion 32 is formed on one surface and surrounds the concave portion with respect to the second holding plate 32 on which third and fourth holes 32a and 32b communicate from the inside of the concave portion to the outside. Cheaply arranged second elastic member 34 installed in a closed loop shape, 상기 제1 및 제2 유지판을 대향 배치하며, 양쪽 사이에 상기 제1 및 제2 탄성 부재를 통하여 피처리 기판(10)을 개재한 상태로 압박 유지하여, 이것으로써, 피처리 기판의 양측 주요면에서 제1 및 제2 처리 영역을 각각 구분 한정하며,The first and second retaining plates are disposed to face each other, and are pressed and held in a state with the substrate 10 interposed therebetween through the first and second elastic members therebetween, whereby the main portions of both sides of the substrate to be processed are thereby maintained. The first and second treatment regions are respectively defined in terms of 상기 제1 구멍을 통하여 상기 제1 유지판의 오목한 부분에 처리액 또는 처리 가스를 공급하며, 이 오목한 부분을 유통한 처리액 또는 처리 가스를 상기 제2 구멍을 통하여 외부로 배출함으로써, 상기 피처리 기판의 제1 처리 영역에 대하여 처리액 또는 처리 가스에 의한 처리를 실시하며,The treatment liquid or the processing gas is supplied to the recessed portion of the first holding plate through the first hole, and the treatment liquid or the processing gas having passed through the recessed portion is discharged to the outside through the second hole. Processing is performed by the processing liquid or the processing gas to the first processing region of the substrate; 상기 제3 구멍을 통하여 상기 제2 유지판의 오목한 부분에 처리액 또는 처리 가스를 공급하며, 이 오목한 부분을 유통한 처리액 또는 처리 가스를 상기 제4 구멍을 통하여 외부로 배출함으로써, 상기 피처리 기판의 제2 처리 영역에 대하여 처리액 또는 처리 가스에 의한 처리를 실시하게 한 기판 처리 방법.The treatment liquid or the processing gas is supplied to the recessed portion of the second holding plate through the third hole, and the treatment liquid or the processing gas having passed through the recessed portion is discharged to the outside through the fourth hole. A substrate processing method in which a processing by a processing liquid or a processing gas is performed on a second processing region of a substrate. 제1 유지판(14)의 한 쪽 면에서 닫힌 루프 형상의 제1 탄성 부재(18)를 배치하면서, 그 단면에서도 닫힌 루프 형상의 제2 탄성 부재(80)를 배치하며,While arranging the closed loop-shaped first elastic member 18 on one side of the first holding plate 14, the second loop-shaped elastic member 80 in the closed loop shape is also disposed, 제2 유지판(30)의 한 쪽 면에서 닫힌 루프 형상의 제3 탄성 부재(34)를 배치하면서, 그 단면에서도 닫힌 루프 형상의 제4 탄성 부재(82)를 배치하며,While arranging the closed third loop-shaped elastic member 34 on one side of the second holding plate 30, the closed fourth loop-shaped elastic member 82 is also disposed in its cross section, 상기 제1 및 제2 유지판을 대향 배치하여, 양쪽 사이에 상기 제1 및 제3 탄성 부재를 통하여 피처리 기판(10)을 개재한 상태로 압박 유지하며,The first and second retaining plates are disposed to face each other, and are pressed and held in a state interposed between the substrate 10 through the first and third elastic members between both sides. 상기 피처리 기판을 압박 유지한 상기 제1 및 제2 유지판으로 이루어지는 중첩체를 커버 부재(84)로 덮으며, 상기 커버 부재(84)의 측벽을 구성하는 닫힌 루프 형상의 걸어 맞춤부(84A)를 상기 제2 및 제4 탄성 부재를 통하여 상기 제1 및 제2 유지판의 단면으로 압박하여, 이것으로써, 상기 피처리 기판의 단면 및 그 근방 부분을 포함하게 유로(92)를 상기 커버 부재와 상기 제1 및 제2 유지판 사이에 형성하며,A closed loop engaging portion 84A covering the overlap formed of the first and second retaining plates on which the substrate to be processed is pressed with a cover member 84 and constituting sidewalls of the cover member 84. ) Is pressed against the end faces of the first and second retaining plates through the second and fourth elastic members, whereby the flow path 92 includes the end face of the substrate to be processed and its vicinity. And formed between the first and second retaining plates, 상기 커버 부재의 한 쪽의 상기 커버 부재의 측벽을 구성하는 닫힌 루프 형상의 걸어 맞춤부에서 상기 제2 및 제4 탄성 부재 사이의 위치에 형성된 제1 구멍(86a)을 통하여 상기 유로로 처리액 또는 처리 가스를 공급하며, 이 유로를 유통한 처리액 또는 처리 가스를 상기 커버 부재의 다른 쪽의 상기 커버 부재의 측벽을 구성하는 닫힌 루프 형상의 걸어 맞춤부에서 상기 제2 및 제4 탄성 부재 사이의 위치에 형성된 제2 구멍(86b)을 통하여 배출함으로써, 상기 피처리 기판의 단면 및 그 근방 부분에 대하여 처리액 또는 처리 가스에 의한 처리를 실시하게 한 기판 처리 방법.A processing liquid into the flow path through a first hole 86a formed at a position between the second and fourth elastic members in a closed loop-shaped engagement portion constituting the sidewall of the cover member on one side of the cover member; A process gas is supplied, and the process liquid or process gas which flows through this flow path is connected between the second and fourth elastic members in a closed loop-shaped engaging portion constituting the side wall of the cover member on the other side of the cover member. The substrate processing method of discharging through the 2nd hole (86b) formed in the position to process with the processing liquid or the processing gas to the cross section of the said to-be-processed substrate, and its vicinity. 제1 유지판(14)의 한 쪽 면에서 닫힌 루프 형상의 제1 탄성 부재(18)를 배치하면서, 그 단면에서도 닫힌 루프 형상의 제2 탄성 부재(80)를 배치하며,While arranging the closed loop-shaped first elastic member 18 on one side of the first holding plate 14, the second loop-shaped elastic member 80 in the closed loop shape is also disposed, 제2 유지판(30)의 한 쪽 면에서 복수의 스페이서(94a, 94b)를 배치하면서, 그 단면에서도 닫힌 루프 형상의 제3 탄성 부재(82)를 배치하며,While arranging the plurality of spacers 94a and 94b on one surface of the second holding plate 30, the third elastic member 82 having a closed loop shape is also arranged in the cross section thereof. 상기 제1 및 제2 유지판을 대향 배치하여, 양쪽 사이에 상기 제1 탄성 부재 및 복수의 스페이서를 통하여 피처리 기판(10)을 개재하여 압박 유지하며,The first and second retaining plates are disposed to face each other, and are pressed and held through the substrate 10 to be processed through the first elastic member and the plurality of spacers therebetween, 상기 피처리 기판을 압박 유지한 상기 제1 및 제2 유지판으로 이루어지는 중첩체를 커버 부재(84)로 덮으며, 상기 커버 부재(84)의 측벽을 구성하는 닫힌 루프 형상의 걸어 맞춤부(84A)를 상기 제2 및 제3 탄성 부재를 통하여 상기 제1 및 제2 유지판의 단면으로 압박하여, 이것으로써, 상기 피처리 기판의 단면 및 그 근방 부분을 포함하게 제1 유로(92)를 상기 커버 부재와 상기 제1 및 제2 유지판 사이에 형성하면서, 상기 피처리 기판의 스페이서 측의 주요면을 따라서 제2 유로(96)를 형성하며,A closed loop engaging portion 84A covering the overlap formed of the first and second retaining plates on which the substrate to be processed is pressed with a cover member 84 and constituting sidewalls of the cover member 84. ) Is pressed into the end faces of the first and second retaining plates through the second and third elastic members, whereby the first flow path 92 is included to include the end face of the substrate to be processed and the vicinity thereof. While forming between the cover member and the first and second holding plates, the second flow path 96 is formed along the main surface of the spacer side of the substrate to be processed, 상기 커버 부재의 한 쪽의 상기 커버 부재의 측벽을 구성하는 닫힌 루프 형상의 걸어 맞춤부에서 상기 제2 및 제3 탄성 부재 사이의 위치에 형성된 제1 구멍(86a)을 통하여 상기 유로로 처리액 또는 처리 가스를 공급하며, 이 유로를 유통한 처리액 또는 처리 가스를 상기 커버 부재의 다른 쪽의 상기 커버 부재의 측벽을 구성하는 닫힌 루프 형상의 걸어 맞춤부에서 상기 제2 및 제3 탄성 부재 사이의 위치에 형성된 제2 구멍(86b)을 통하여 배출함으로써, 상기 피처리 기판의 단면과 그 근방 부분 및 스페이서 측의 주요면에 대하여 처리액 또는 처리 가스에 의한 처리를 실시하게 한 기판 처리 방법.A processing liquid into the flow path through a first hole 86a formed at a position between the second and third elastic members in a closed loop-shaped engaging portion constituting the sidewall of the cover member on one side of the cover member; A process gas is supplied, and the process liquid or process gas that flows through this flow path is connected between the second and third elastic members in a closed loop-shaped engagement portion that forms the side wall of the cover member on the other side of the cover member. The substrate processing method of discharging through the 2nd hole (86b) formed in the position to perform processing by a process liquid or a process gas to the cross section of the said to-be-processed substrate, its vicinity, and the main surface on the spacer side. 제4항에 있어서, 상기 제2 유지판의 대략 중앙부 및 상기 커버 부재의 대략 중앙부를 각각 관통하는 파이프(46)를 또한 배치하며, 상기 커버 부재의 걸어 맞춤부에서 상기 제2 및 제3 탄성 부재 사이의 위치에 형성된 구멍(86a, 86b)을 통하여 상기 유로로 처리액 또는 처리 가스를 공급하며, 이 유로를 유통한 처리액 또는 처리 가스를 상기 파이프를 통하여 배출함으로써 상기 피처리 기판의 단면과 그 근방 부분 및 스페이서 측의 주요면에 대하여 처리액 또는 처리 가스에 의한 처리를 실시하게 한 기판 처리 방법.5. A pipe according to claim 4, further comprising a pipe (46) penetrating approximately the central portion of the second retaining plate and the approximately central portion of the cover member, respectively, wherein the second and third elastic members are at the engaging portions of the cover member. The processing liquid or the processing gas is supplied to the flow path through the holes 86a and 86b formed at a position therebetween, and the cross section of the substrate to be processed and the processing gas are discharged through the pipe. The substrate processing method which made it process with the processing liquid or the processing gas with respect to the main surface of the vicinity part and the spacer side. 한 쪽 면에 제1 오목한 부분(16)이 형성되며, 이 오목한 부분의 내부로부터 외부로 연통하는 제1 및 제2 구멍(16a, 16b)이 형성된 제1 유지판(14)과,A first holding plate 14 having a first concave portion 16 formed on one surface thereof, and having first and second holes 16a and 16b communicating from the inside of the concave portion to the outside; 상기 제1 유지판의 제1 오목한 부분을 둘러싸게 닫힌 루프 형상으로 설치된 제1 탄성 부재(18)와,A first elastic member 18 provided in a closed loop shape so as to surround the first concave portion of the first holding plate; 한 쪽 면에 제2 오목한 부분(32)이 형성되며, 이 오목한 부분의 내부로부터 외부로 연통하는 제3 및 제4 구멍(32a, 32b)이 형성된 제2 유지판(30)과,A second holding plate 30 having a second concave portion 32 formed on one surface thereof, and having third and fourth holes 32a and 32b communicating from the inside of the concave portion to the outside; 상기 제2 유지판의 제2 오목한 부분을 둘러싸게 닫힌 루프 형상으로 설치된 제2 탄성 부재(34)와,A second elastic member 34 provided in a closed loop shape to surround the second concave portion of the second holding plate; 상기 제1 유지판을 제1 오목한 부분의 개구부 및 그것을 둘러싸는 제1 탄성 부재가 위로 향하게 지지하는 지지 수단(28)과,Support means 28 for supporting the first retaining plate with an opening in a first concave portion and a first elastic member surrounding the first holding plate facing upward; 상기 제2 유지판을 제2 오목한 부분의 개구부 및 그것을 둘러싸는 제2 탄성 부재가 밑으로 향하게 지지하면서 상기 제2 유지판을 상기 제1 유지판에 대향하여 수직 방향으로 안내하는 유지 안내 수단(24, 26)과,Retention guide means 24 for guiding the second retaining plate in a vertical direction opposite to the first retaining plate while supporting the second retaining plate with an opening in a second concave portion and a second elastic member surrounding the lower portion. , 26), 상기 제2 유지판을 상기 유지 안내 수단에 안내시켜서 수직 방향으로 구동하는 수단(30A)으로서, 상기 제1 유지판의 제1 오목한 부분을 둘러싸는 제1 탄성 수단 위에 피처리 기판(10)을 배치한 상태에 있어서, 상기 제2 유지판을 상기 제1 유지판을 향하여 구동하여, 이것으로써, 피처리 기판을 상기 제1 및 제2 탄성 수단을 통하여 상기 제1 및 제2 유지판 사이에 개재하여 압박 유지하여, 이것으로써, 피처리 기판의 하측면에 관해서 상기 제1 탄성 부재로 둘러싼 제1 처리 영역을 구분 한정하면서, 피처리 기판의 상측면에 관해서 상기 제2 탄성 부재로 둘러싼 제2 처리 영역을 구분 한정하는 수단과, 30A means for guiding the second holding plate to the holding guide means and driving in the vertical direction, wherein the substrate 10 to be processed is disposed on the first elastic means surrounding the first concave portion of the first holding plate. In this state, the second holding plate is driven toward the first holding plate, whereby the substrate to be processed is interposed between the first and second holding plates via the first and second elastic means. Press-holding, thereby defining the first processing region surrounded by the first elastic member with respect to the lower side of the substrate to be processed, while the second processing region surrounded by the second elastic member with respect to the upper surface of the substrate to be processed. Means for distinguishing between 피처리 기판이 상기 제1 및 제2 유지판 사이에 압박 유지된 상태로 제1 구멍을 통하여 제1 오목한 부분 내로 처리액 또는 처리 가스를 공급하여, 제2 구멍으로부터 배출함으로써 피처리 기판의 제1 처리 영역에 대하여 처리를 실시하는 제1 처리 수단과,The first substrate of the substrate to be processed by supplying the processing liquid or the processing gas into the first concave portion through the first hole and being discharged from the second hole while the substrate to be processed is pressed and held between the first and second holding plates. First processing means for processing the processing region; 피처리 기판이 상기 제1 및 제2 유지판 사이에 압박 유지된 상태로 제3 구멍을 통하여 제2 오목한 부분 내로 처리액 및 처리 가스를 공급하여, 제4 구멍으로부터 배출함으로써 피처리 기판의 제2 처리 영역에 대하여 처리를 실시하는 제2 처리 수단을 구비한 기판 처리 장치.The second substrate of the substrate to be processed by supplying the processing liquid and the processing gas into the second concave portion through the third hole and holding the substrate under pressure between the first and second holding plates. The substrate processing apparatus provided with the 2nd processing means which performs a process with respect to a process area. 제6항에 있어서, 상기 지지 수단은 상기 제1 및 제2 유지판 사이에 피처리 기판을 압박 유지한 상태의 중첩체를 회전 운동 가능하게 지지하는 것이며, 이 중첩체의 회전 운동각을 제어하는 제어 수단(24A)을 또한 구비한 기판 처리 장치.The said supporting means supports the superposition body of the state which hold | maintained the to-be-processed board | substrate between the said 1st and 2nd holding plate so that rotational movement was possible, and controls the rotational movement angle of this superposition body. Substrate processing apparatus further provided with control means (24A). 한 쪽 면에 오목한 부분이 형성되며, 이 오목한 부분의 저부로부터 외부로 연통하는 구멍(16c)이 형성된 유지판(14)과,A holding plate 14 having a recessed portion formed on one side thereof, and having a hole 16c communicating from the bottom of the recessed portion to the outside; 상기 유지판의 오목한 부분을 둘러싸게 닫힌 루프 형상으로 설치된 탄성 부재(18)와,An elastic member 18 provided in a closed loop shape so as to surround the recessed portion of the holding plate; 상기 유지판을 탄성 부재가 위로 향하게 지지하는 제1 지지 수단(60)과,First support means (60) for supporting the retaining plate with the elastic member facing upward; 복수의 분출구를 상기 유지판의 오목한 부분의 개구부를 향하여 오목한 부분 내에 배치된 노즐(50)과,A nozzle 50 having a plurality of jets disposed in the recess toward the opening of the recess of the retaining plate; 상기 유지판의 오목한 부분에 형성된 구멍의 내경보다 작은 외경을 가지며, 그 구멍을 통하여 상기 노즐에 접속된 파이프(52)와,A pipe 52 having an outer diameter smaller than the inner diameter of the hole formed in the recessed portion of the holding plate, and connected to the nozzle through the hole; 상기 노즐이 상기 유지판의 오목한 부분의 저부로부터 이간되도록 상기 파이프를 통하여 상기 노즐을 지지하는 제2 지지 수단(68, 70)과,Second supporting means (68, 70) for supporting the nozzle through the pipe such that the nozzle is spaced apart from the bottom of the concave portion of the holding plate; 상기 유지판의 표면에 상기 탄성 부재를 통하여 피처리 기판(10)의 주요면을 대향시킨 상태로 압박 유지함으로써, 이 피처리 기판의 주요면에서 상기 탄성부재로 둘러싸인 처리 영역을 구분 한정하는 수단(30)과,Means for delimiting the treatment region surrounded by the elastic member from the main surface of the substrate by pressing and holding the main surface of the substrate 10 to be opposed to the surface of the holding plate through the elastic member ( 30), 상기 파이프 및 상기 노즐을 통하여 상기 유지판의 오목한 부분 내로 처리액 또는 처리 가스를 공급하여, 오목한 부분의 저부에 형성된 구멍을 통하여 배출함으로써, 피처리 기판의 처리 영역에 관해서 처리를 실시하는 처리 수단(72, 74)을 구비한 기판 처리 장치.Processing means for supplying the processing liquid or the processing gas into the recessed portion of the holding plate through the pipe and the nozzle and discharging it through a hole formed in the bottom of the recessed portion, thereby processing the processing region of the substrate to be processed ( The substrate processing apparatus provided with 72, 74. 한 쪽 면에 제1 오목한 부분(16)이 형성되며, 이 제1 오목한 부분의 저부로부터 외부로 연통하는 제1 구멍(16c)이 형성된 제1 유지판(14)과,A first holding plate 14 having a first recessed portion 16 formed on one surface thereof, and having a first hole 16c communicating with the outside from the bottom of the first recessed portion; 상기 제1 유지판의 제1 오목한 부분을 둘러싸게 닫힌 루프 형상으로 설치된 제1 탄성 부재(18)와,A first elastic member 18 provided in a closed loop shape so as to surround the first concave portion of the first holding plate; 한 쪽 면에 제2 오목한 부분(32)이 형성되며, 이 제2 오목한 부분의 저부로부터 외부로 연통하는 제2 구멍(32c)이 형성된 제2 유지판(30)과,A second holding plate 30 having a second concave portion 32 formed on one surface thereof, and having a second hole 32c communicating with the outside from the bottom of the second concave portion; 상기 제2 유지판의 제2 오목한 부분을 둘러싸게 닫힌 루프 형상으로 설치된 제2 탄성 부재(34)와,A second elastic member 34 provided in a closed loop shape to surround the second concave portion of the second holding plate; 상기 제1 유지판을 제1 탄성 부재가 위로 향하게 지지하는 제1 지지 수단(60)과,First supporting means (60) for supporting the first retaining plate with the first elastic member facing upward; 복수의 분출구를 상기 제1 유지판의 제1 오목한 부분의 개구부를 향하여 제1 오목한 부분 내에 배치된 제1 노즐(50)과,A first nozzle 50 disposed in the first concave portion toward the opening of the first concave portion of the first retaining plate; 상기 제1 유지판의 제1 오목한 부분에 형성된 제1 구멍의 내경보다 작은 외경을 가지며, 그 제1 구멍을 통하여 상기 제1 노즐에 접속된 제1 파이프(52)와,A first pipe 52 having an outer diameter smaller than the inner diameter of the first hole formed in the first concave portion of the first holding plate, and connected to the first nozzle through the first hole; 상기 제1 노즐이 상기 제1 유지판의 제1 오목한 부분의 저부로부터 이간되도록 상기 제1 파이프를 통하여 상기 제1 노즐을 지지하는 제2 지지 수단(68, 70)과,Second supporting means (68, 70) for supporting the first nozzle through the first pipe such that the first nozzle is spaced apart from the bottom of the first concave portion of the first retaining plate; 상기 제2 유지판을 제2 탄성 부재가 밑으로 향하게 지지하는 제3 지지 수단(160)과,Third supporting means 160 for supporting the second retaining plate with the second elastic member facing downward; 복수의 분출구를 상기 제2 유지판의 제2 오목한 부분의 개구부를 향하여 제2 오목한 부분 내에 배치된 제2 노즐(150)과,A second nozzle 150 disposed in the second concave portion toward the opening of the second concave portion of the second holding plate; 상기 제2 유지판의 제2 오목한 부분에 형성된 제2 구멍의 내경보다 작은 외경을 가지며, 그 제2 구멍을 통하여 상기 제2 노즐에 접속된 제2 파이프(152)와,A second pipe 152 having an outer diameter smaller than the inner diameter of the second hole formed in the second concave portion of the second holding plate, and connected to the second nozzle through the second hole; 상기 제2 노즐이 상기 제2 유지판의 제2 오목한 부분의 저부로부터 이간되도록 상기 제2 파이프를 통하여 상기 제2 노즐을 지지하는 제4 지지 수단(168, 170)과,Fourth supporting means (168, 170) for supporting the second nozzle through the second pipe such that the second nozzle is spaced apart from the bottom of the second concave portion of the second holding plate; 피처리 기판(10)을 상기 제1 및 제2 탄성 부재를 통하여 상기 제1 및 제2 유지판 사이에 개재되어 압박 유지하여, 이것으로써, 피처리 기판의 제1 주요면에서 상기 제1 탄성 부재로 둘러싸인 제1 처리 영역을 구분 한정하면서, 피처리 기판의 제2 주요면에서 상기 제2 탄성 부재로 둘러싸인 제2 처리 영역을 구분 한정하는 수단과,The substrate 10 to be processed is interposed between the first and second retaining plates via the first and second elastic members and pressed to hold the substrate 10 to thereby hold the first elastic member on the first main surface of the substrate to be processed. Means for dividing and defining a first treatment region surrounded by the second treatment region surrounded by the second elastic member on a second main surface of the substrate; 상기 제1 파이프 및 상기 제1 노즐을 통하여 상기 제1 유지판의 제1 오목한 부분 내로 처리액 또는 처리 가스를 공급하여, 제1 오목한 부분의 저부에 형성된 제1 구멍을 통하여 배출함으로써, 피처리 기판의 제1 처리 영역에 관해서 처리를 실시하는 처리 수단(72, 74)과,The substrate to be processed is supplied through the first pipe and the first nozzle to supply the processing liquid or the processing gas into the first concave portion of the first retaining plate, and to discharge it through the first hole formed in the bottom of the first concave portion. Processing means (72, 74) for performing processing on the first processing region of 상기 제2 파이프 및 상기 제2 노즐을 통하여 상기 제2 유지판의 제2 오목한 부분 내로 처리액 또는 처리 가스를 공급하여, 제2 오목한 부분의 저부에 형성된 제2 구멍을 통하여 배출함으로써, 피처리 기판의 제2 처리 영역에 관해서 처리를 실시하는 처리 수단(172, 174)을 구비한 기판 처리 장치.The substrate to be processed is supplied by supplying a processing liquid or a processing gas into the second concave portion of the second holding plate through the second pipe and the second nozzle and discharging it through a second hole formed in the bottom of the second concave portion. The substrate processing apparatus provided with the processing means (172, 174) which performs a process with respect to the 2nd process area | region. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 파이프 및 상기 노즐을 통하여 마이크로파 방전 플라즈마(M1, M2)에 의한 처리 가스를 공급하여, 피처리 기판에 대하여 세정 처리를 실시하게 한 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 8 or 9, wherein a processing gas by microwave discharge plasmas (M1, M2) is supplied through the pipe and the nozzle to perform a cleaning process on the substrate to be processed. 제1 유지판(14)과,The first holding plate 14, 상기 제1 유지판의 표면에 설치된 닫힌 루프 형상의 제1 탄성 부재(18)와,A closed loop-shaped first elastic member 18 provided on the surface of the first retaining plate, 상기 제1 유지판과 대향 배치된 제2 유지판(30)과,A second holding plate 30 disposed to face the first holding plate; 상기 제2 유지판의 표면에 설치된 닫힌 루프 형상의 제2 탄성 부재(34)와,A second closed loop-shaped second elastic member 34 provided on the surface of the second retaining plate, 피처리 기판(10)을 상기 제1 및 제2 탄성 부재를 통하여 상기 제1 및 제2 유지판 사이에 압박 유지한 상태의 중첩체를 덮는 커버 부재(84)와,A cover member 84 for covering the superposed body in a state where the substrate 10 is pressed and held between the first and second holding plates via the first and second elastic members; 상기 커버 부재의 측벽을 구성하는 닫힌 루프 형상의 걸어 맞춤부(86A)와 상기 제1 유지판의 단면 사이에 배치된 닫힌 루프 형상의 제3 탄성 부재(80)와,A closed loop-shaped third elastic member 80 disposed between the closed loop engaging portion 86A constituting the sidewall of the cover member and the end face of the first holding plate; 상기 커버 부재의 측벽을 구성하는 닫힌 루프 형상의 걸어 맞춤부(86A)와 상기 제2 유지판의 단면 사이에 배치된 닫힌 루프 형상의 제4 탄성 부재(82)를 구비하며, A closed loop-shaped engaging portion 86A constituting the sidewall of the cover member and a fourth closed elastic loop member 82 disposed between the end face of the second holding plate; 상기 제3 및 제4 탄성 부재 사이의 위치에서 상기 커버 부재의 걸어 맞춤부를 관통하는 제1 구멍(86a)을 통하여 처리액 또는 처리 가스를 상기 중첩체를 향하여 공급하여, 피처리 기판의 단면을 따른 유로(92)를 유통시킨 후, 상기 제3 및 제4 탄성 부재 사이의 위치에서 상기 커버 부재의 걸어 맞춤부를 관통하는 제2 구멍(86b)을 통하여 배출하게 한 기판 처리 장치.The processing liquid or the processing gas is supplied toward the superposed body through the first hole 86a penetrating through the engaging portion of the cover member at a position between the third and fourth elastic members, thereby along the cross section of the substrate to be processed. The substrate processing apparatus which made it discharge through the 2nd hole (86b) which penetrates the engagement part of the said cover member at the position between the said 3rd and 4th elastic member after having passed through the flow path (92). 제1의 유지판(14)과,The first holding plate 14, 상기 제1 유지판의 표면에 설치된 닫힌 루프 형상의 제1 탄성 부재(18)와,A closed loop-shaped first elastic member 18 provided on the surface of the first retaining plate, 상기 제1 유지판과 대향 배치된 제2 유지판(30)과,A second holding plate 30 disposed to face the first holding plate; 상기 제2 유지판의 표면에 배치된 복수의 스페이서(94a, 94b)와,A plurality of spacers 94a and 94b disposed on a surface of the second holding plate; 피처리 기판(10)을 상기 제1 탄성 부재와 상기 복수의 스페이서(94a, 94b)를 통하여 상기 제1 및 제2 유지판 사이에 압박 유지한 상태의 중첩체를 덮는 커버 부재(84)와,A cover member 84 for covering the superposed body in a state where the substrate 10 is pressed and held between the first and second holding plates via the first elastic member and the plurality of spacers 94a and 94b; 상기 커버 부재의 측벽을 구성하는 닫힌 루프 형상의 걸어 맞춤부(86A)와 상기 제1 유지판의 단면 사이에 배치된 닫힌 루프 형상의 제3 탄성 부재(80)와,A closed loop-shaped third elastic member 80 disposed between the closed loop engaging portion 86A constituting the sidewall of the cover member and the end face of the first holding plate; 상기 커버 부재의 측벽을 구성하는 닫힌 루프 형상의 걸어 맞춤부(86A)와 상기 제2 유지판의 단면 사이에 배치된 닫힌 루프 형상의 제4 탄성 부재(82)를 구비하며,A closed loop-shaped engaging portion 86A constituting the sidewall of the cover member and a fourth closed elastic loop member 82 disposed between the end face of the second holding plate; 상기 제3 및 제4 탄성 부재 사이의 위치에서 상기 커버 부재의 걸어 맞춤부를 관통하는 제1 구멍(86a, 86b)을 통하여 처리액 또는 처리 가스를 상기 중첩체를 향하여 공급하여, 피처리 기판의 단면을 따른 유로(92) 및 상기 제2 유지판과 피처리 기판 사이의 유로(96)를 유통시킨 후, 상기 제2 유지판 및 상기 커버 부재의 각각의 대략 중앙부를 관통하는 파이프(46)를 통하여 배출하게 한 기판 처리 장치.The processing liquid or the processing gas is supplied toward the superposed body through the first holes 86a and 86b passing through the engaging portion of the cover member at a position between the third and fourth elastic members, so that the cross section of the substrate to be processed After passing through the flow path 92 and the flow path 96 between the second holding plate and the substrate to be processed, through the pipe 46 penetrating substantially the center of each of the second holding plate and the cover member. Exhaust Substrate Processing Equipment.
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