JP2002177854A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

Substrate treatment apparatus

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JP2002177854A
JP2002177854A JP2000380036A JP2000380036A JP2002177854A JP 2002177854 A JP2002177854 A JP 2002177854A JP 2000380036 A JP2000380036 A JP 2000380036A JP 2000380036 A JP2000380036 A JP 2000380036A JP 2002177854 A JP2002177854 A JP 2002177854A
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JP
Japan
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substrate
processing
center
liquid
support plate
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Application number
JP2000380036A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Kitazawa
裕之 北澤
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment apparatus capable of accurately treating a substrate by a wet process and capable of washing even the back surface of the substrate. SOLUTION: In the substrate treatment apparatus 2, the substrate W is held on a rotary support plate 21 and subjected to rotary treatment in the treatment space S formed between an upper rotary plate 41 and the rotary support plate 21 so as to hold the substrate W. A liquid nozzle 34 has a nozzle orifice 34a formed thereto so as to face to the center of the back surface of the substrate W. Nitrogen gas discharge orifices 35c are equally formed to the periphery of the nozzle orifices 34a. A gas supply passage 35 is connected to a conduit 35b through a gas storage part 35a and the leading end of the conduit 35b is connected to the discharge orifices 35c. The conduit 35b is inclined so as to eject nitrogen gas to the vicinity of the center of the substrate W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示器用のガ
ラス基板や半導体ウェハなどの基板を水平面内で回転さ
せながら薬液処理、洗浄処理や乾燥処理などの所要の処
理を施す基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing required processing such as chemical processing, cleaning processing and drying processing while rotating a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display or a semiconductor wafer in a horizontal plane.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置を図5を参
照して説明する。この基板処理装置は、半導体ウェハや
ガラス基板などの基板Wを水平面内で回転させながら、
基板Wの表裏面に薬液処理、洗浄処理、乾燥処理をその
順に施す装置である。この基板処理装置は、基板Wを水
平姿勢で保持する回転支持板110を備えている。回転
支持板110は平面視で円形状の平板であって、その上
面に基板Wの外周縁に係合して基板Wを支持する複数個
の駆動ピン120が立設されている。
2. Description of the Related Art A conventional substrate processing apparatus of this type will be described with reference to FIG. This substrate processing apparatus rotates a substrate W such as a semiconductor wafer or a glass substrate in a horizontal plane,
This is an apparatus that performs a chemical treatment, a cleaning treatment, and a drying treatment on the front and back surfaces of the substrate W in that order. This substrate processing apparatus includes a rotation support plate 110 that holds a substrate W in a horizontal posture. The rotation support plate 110 is a circular flat plate in a plan view, and has a plurality of drive pins 120 that stand on the upper surface of the rotation support plate 110 to engage with the outer peripheral edge of the substrate W and support the substrate W.

【0003】複数の処理を単一の装置で行うようにした
ものは、例えば特開平10−57877号公報において
知られている。この公知の基板処理装置は、洗浄が終了
した後に、洗浄液の供給を停止して基板を高速回転する
と、スピン乾燥を行うことができるものの、基板の回転
中心位置と周辺部とでは周速が異なるために、全面にわ
たってむらなく乾燥することができない点に鑑みて概略
図5に示したように構成されている。
A device in which a plurality of processes are performed by a single device is known, for example, from Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-57877. In this known substrate processing apparatus, after the cleaning is completed, when the supply of the cleaning liquid is stopped and the substrate is rotated at high speed, spin drying can be performed, but the peripheral speed differs between the rotational center position of the substrate and the peripheral portion. Therefore, in view of the fact that the entire surface cannot be dried evenly, it is configured as schematically shown in FIG.

【0004】すなわち、基板Wを挟んで基板Wの上方に
は、液ノズル130が配設されており、この液ノズル1
30の先端が基板Wの上面中心部に臨んでいる。液ノズ
ル130は、薬液供給源および洗浄液供給源にそれぞれ
に接続された複数を備えている。一方、基板Wの下方
は、回転支持板110の回転中心部に開口110aがあ
り、この開口110aに筒軸140が連結固定されてい
る。この筒軸140の中心に沿って液ノズル150が配
設されており、この液ノズル150の先端が基板Wの下
面中心部に臨んでいる。液ノズル150は二重管で形成
され、その内管151は窒素ガスが供給する経路であ
り、また、外管152は純水を供給する経路となってい
る。
That is, a liquid nozzle 130 is provided above the substrate W with the substrate W interposed therebetween.
The tip of 30 faces the center of the upper surface of the substrate W. The liquid nozzle 130 includes a plurality of liquid nozzles connected to the chemical liquid supply source and the cleaning liquid supply source, respectively. On the other hand, below the substrate W, an opening 110a is provided at the center of rotation of the rotation support plate 110, and the cylindrical shaft 140 is connected and fixed to the opening 110a. A liquid nozzle 150 is provided along the center of the cylindrical shaft 140, and the tip of the liquid nozzle 150 faces the center of the lower surface of the substrate W. The liquid nozzle 150 is formed as a double pipe, and the inner pipe 151 is a path for supplying nitrogen gas, and the outer pipe 152 is a path for supplying pure water.

【0005】そして、内管151に通じる噴出口151
aが基板Wの裏面における回転中心部に開口して、基板
Wの裏面の回転中心に向けて窒素ガスが噴射される。ま
た、この噴射口151aの周囲には、複数の噴出口15
2aが外管152の軸線に対して所定の角度を持った状
態にして穿設され、噴出口152aは外管152に通じ
ている。外管152に純水を供給されると、基板Wの裏
面に純水が噴射される。
[0005] Then, a jet port 151 communicating with the inner pipe 151 is provided.
a is opened at the center of rotation on the back surface of the substrate W, and nitrogen gas is injected toward the center of rotation on the back surface of the substrate W. In addition, a plurality of ejection ports 15 are provided around the ejection port 151a.
2 a is bored at a predetermined angle with respect to the axis of the outer tube 152, and the jet port 152 a communicates with the outer tube 152. When the pure water is supplied to the outer tube 152, the pure water is sprayed on the back surface of the substrate W.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。上述のように構成された基板処理装置において
は、次にように基板処理が行われる。 基板Wの回転数
が所定値に達すると、不活性ガスを導入しながら、上下
の液ノズル130、150から薬液および洗浄液をその
順に供給して、基板Wの表裏面の処理を行う。基板Wの
薬液処理および洗浄処理が終わると、基板Wを回転させ
ながら不活性ガスだけを導入して、基板Wの乾燥処理を
行う。
However, the prior art having such a structure has the following problems. In the substrate processing apparatus configured as described above, the substrate processing is performed as follows. When the number of rotations of the substrate W reaches a predetermined value, a chemical solution and a cleaning liquid are supplied in that order from the upper and lower liquid nozzles 130 and 150 while introducing an inert gas, and the front and back surfaces of the substrate W are processed. When the chemical processing and the cleaning processing of the substrate W are completed, only the inert gas is introduced while rotating the substrate W, and the substrate W is dried.

【0007】一方、より微細化技術が要求されている今
日の各種デバイスの製造工程では、従来では問題に成ら
なかった程度の微細な塵埃等でもパーティクルの原因と
なり歩留まりの低下を招くおそれがある。そのため、基
板Wの裏面においても十分な洗浄が要求されるようにな
った。
On the other hand, in today's various device manufacturing processes that require finer technology, even fine dust and the like, which has not been a problem in the past, may cause particles and reduce the yield. Therefore, sufficient cleaning has been required even on the back surface of the substrate W.

【0008】すなわち、従来例の場合には、基板Wの裏
面の中心付近が噴出される不活性ガスにより薬液や洗浄
液で十分に洗浄されないという問題があった。このこと
は基板Wが大型化した場合に、不活性ガスの供給量が多
くなるとさらに顕著になった。
That is, in the case of the conventional example, there is a problem that the vicinity of the center of the back surface of the substrate W is not sufficiently cleaned by the chemical solution or the cleaning solution due to the inert gas ejected. This becomes more remarkable when the supply amount of the inert gas increases when the size of the substrate W is increased.

【0009】そのことに対して、不活性ガスの供給を外
管152、152からとし、処理液の供給を内管151
から基板Wの裏面における回転中心部に噴射することが
考えられる。しかしながら、この場合は、処理液が基板
Wの裏面の回転中心付近に滞留してしまい、乾燥後に付
着物としてパーティクルの原因となった。
On the other hand, the supply of the inert gas is made from the outer pipes 152, 152, and the supply of the processing liquid is made from the inner pipe 151.
From the center of rotation on the back surface of the substrate W. However, in this case, the processing liquid stays near the rotation center on the back surface of the substrate W, and causes particles as attached matter after drying.

【0010】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、ウェットプロセスによる
基板の処理を正確に行ない、基板裏面をむらなく洗浄で
きる処理装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a processing apparatus which can accurately process a substrate by a wet process and can evenly clean the back surface of the substrate. is there.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記目的を達成するために、本発明は、処理液が供給され
た基板を回転させながら、基板に所要の処理を施す基板
処理装置において、基板を保持する基板保持手段と、前
記基板保持手段に保持された基板の処理面の中心付近に
対向して処理液吐出ノズルが配置され、基板の処理面の
中心付近に向けて処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液吐出ノズルの周囲に配置され、基板の処理面
の中心付近に向けて不活性ガスを噴出する吐出口を有す
る不活性ガス噴出手段と、を具備したことを特徴とする
基板処理装置である。
In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate processing apparatus for performing a required process on a substrate while rotating the substrate supplied with the processing liquid. A substrate holding means for holding the substrate, and a processing liquid discharge nozzle are arranged to face the vicinity of the center of the processing surface of the substrate held by the substrate holding means, and supply the processing liquid toward the vicinity of the center of the processing surface of the substrate. Processing liquid supply means,
An inert gas ejecting means disposed around the processing liquid ejection nozzle and having an ejection port for ejecting an inert gas toward the vicinity of the center of the processing surface of the substrate. is there.

【0012】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置において、前記処理液供給手段は、複数
の処理液供給源を有し、前記処理液吐出ノズルに切り換
え供給することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first aspect, the processing liquid supply means has a plurality of processing liquid supply sources, and switches and supplies the processing liquid to the processing liquid discharge nozzle. It is characterized by.

【0013】請求項3に記載の発明は、請求項1および
請求項2に記載の基板処理装置において、前記不活性ガ
ス噴出手段は、処理液吐出ノズルの周囲に環状に形成さ
れたガス貯溜部と、前記ガス貯溜部から基板の処理面の
中心付近に向かった複数の導管が吐出口に接続されるこ
とを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, the inert gas jetting means is a gas reservoir formed annularly around a processing liquid discharge nozzle. And a plurality of conduits extending from the gas reservoir toward the vicinity of the center of the processing surface of the substrate are connected to a discharge port.

【0014】本発明の作用は次のとおりである。請求項
1に係る発明の基板処理装置においては、基板保持手段
に保持された基板の処理面の中心付近に対向して処理液
吐出ノズルが配置され、基板の処理面の中心付近に向け
て処理液が吐出される。処理液吐出ノズルの周囲には、
不活性ガス噴出手段が配置され、基板の処理面の中心付
近に向けて不活性ガスされる。ここで、処理液による処
理は基板全面に対してむらなく行われる。不活性ガスも
基板処理面の中心付近に向けて噴出されるので基板全面
がむらなく処理される。
The operation of the present invention is as follows. In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the processing liquid discharge nozzle is disposed so as to face near the center of the processing surface of the substrate held by the substrate holding means, and the processing liquid is processed toward the center of the processing surface of the substrate. The liquid is discharged. Around the processing liquid discharge nozzle,
An inert gas ejecting means is disposed, and the inert gas is injected toward the vicinity of the center of the processing surface of the substrate. Here, the processing with the processing liquid is performed evenly on the entire surface of the substrate. Since the inert gas is also ejected toward the vicinity of the center of the substrate processing surface, the entire surface of the substrate is uniformly processed.

【0015】例えば、基板を回転して処理液を供給しつ
つ、不活性ガスが供給される場合、基板の中心付近に供
給された処理液は、同様に中心付近に噴射された不活性
ガスにより、勢いが与えられ滞留することがない。ま
た、基板を回転し不活性ガスを供給し基板を乾燥させる
場合、基板の中心付近から基板の外周に向かって遠心力
で気流が生じるので、全面が斑なく乾燥される。
For example, when an inert gas is supplied while rotating the substrate and supplying the processing liquid, the processing liquid supplied near the center of the substrate is similarly supplied by the inert gas injected near the center. There is no momentum and no stagnation. When the substrate is rotated to supply an inert gas to dry the substrate, an air flow is generated by centrifugal force from the vicinity of the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate, so that the entire surface is dried without unevenness.

【0016】請求項2記載の発明は、処理液吐出ノズル
から複数の処理液が切り換え供給される。そして、この
場合でも、基板裏面は斑なく清浄化される。
According to the second aspect of the present invention, a plurality of processing liquids are switched and supplied from a processing liquid discharge nozzle. And even in this case, the back surface of the substrate is cleaned without unevenness.

【0017】請求項3に記載の発明は、不活性ガス噴出
手段は、処理液吐出ノズルの周囲に環状に形成されたガ
ス貯溜部から基板の処理面の中心付近に向かった複数の
導管を介して、不活性ガスが吐出口から噴射される。よ
って、供給される不活性ガスはガス貯溜部に充填される
ことで、処理液吐出ノズルの周囲に均等に分布する。そ
して、複数の導管に案内されることで、均等な量の不活
性ガスがそれぞれの吐出口から噴射され、より一層、斑
なく処理が行われる。
According to a third aspect of the present invention, the inert gas jetting means is provided through a plurality of conduits extending from a gas storage portion formed annularly around the processing liquid discharge nozzle to near the center of the processing surface of the substrate. Thus, an inert gas is injected from the discharge port. Therefore, the supplied inert gas is evenly distributed around the processing liquid discharge nozzle by filling the gas reservoir. Then, by being guided to the plurality of conduits, an equal amount of the inert gas is ejected from each of the discharge ports, and the processing is further performed without unevenness.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する。 <第1実施例>本発明の実施の形態を、基板の一例とし
て液晶表示器用のガラス基板の処理に用いられる基板処
理装置を例に採って図面を参照して説明する。ただし、
本発明は、ガラス基板の処理に限らず、半導体ウェハな
どの各種の基板の処理にも適用することができる。ま
た、本発明が適用できる基板処理は、薬液処理、洗浄処
理、および乾燥処理を同じ装置内で連続して行うものだ
けに限らず、単一の処理を行うものや、薬液処理、洗浄
処理、および乾燥処理を同じ装置内で連続して行うもの
などにも適用可能である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First Embodiment An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, taking a substrate processing apparatus used for processing a glass substrate for a liquid crystal display as an example of a substrate. However,
The present invention can be applied not only to processing of a glass substrate but also to processing of various substrates such as a semiconductor wafer. In addition, the substrate processing to which the present invention can be applied is not limited to one in which chemical solution processing, cleaning processing, and drying processing are continuously performed in the same apparatus, one in which a single processing is performed, and one in which chemical processing, cleaning processing, The present invention can also be applied to a case where the drying process is continuously performed in the same apparatus.

【0019】図1は、本発明の一実施形態としての基板
処理装置が配置された基板処理システムの構成を示す概
略斜視図である。この基板処理システム1では、一方の
端部にLCD用ガラス基板W(以下、単に基板Wとい
う)を基板処理装置2に搬入出する移載装置3が配置さ
れる。この移載装置3の、一端に基板Wを収容する複数
のカセット4が載置可能に構成されたカセットステーシ
ョン5が設けられており、このカセットステーション5
の側方には、カセット4から処理工程前の一枚ずつ基板
Wを取出しと共に、処理工程後の基板Wをカセット4内
に1枚ずつ収容する搬送アーム6を備えた基板搬送装置
7とが備えられている。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing the configuration of a substrate processing system in which a substrate processing apparatus as one embodiment of the present invention is disposed. In this substrate processing system 1, a transfer device 3 that carries a glass substrate W for LCD (hereinafter simply referred to as a substrate W) into and out of the substrate processing device 2 is arranged at one end. At one end of the transfer device 3, there is provided a cassette station 5 in which a plurality of cassettes 4 accommodating the substrates W can be placed.
A substrate transfer device 7 having a transfer arm 6 for taking out the substrates W one by one before the processing step from the cassette 4 and accommodating the substrates W after the processing step one by one in the cassette 4 is provided on the side of. Provided.

【0020】カセットステーション5の載置部8は、基
板Wを25枚収納したカセット4を複数個載置できる構
成になっている。基板搬送装置7は、水平、昇降(X、
Y、Z)方向に移動自在でると共に、かつ鉛直軸を中心
に回転(θ方向)できるように構成されている。
The mounting section 8 of the cassette station 5 is configured to mount a plurality of cassettes 4 each containing 25 substrates W. The substrate transfer device 7 is horizontally, vertically moved (X,
It is configured to be movable in the (Y, Z) directions and to be rotatable (θ direction) about a vertical axis.

【0021】次に基板処理装置2の構成について説明す
る。図2は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を示す縦断面図である。この基板処理装置2は、矩形
状の基板Wを処理するのに、基板を保持する回転支持部
20、それらを回転する駆動部30、回転支持部20の
上側で処理空間Sを形成し遮蔽する上部遮蔽部40、上
部遮蔽部40の昇降部50、基板Wから振り切られる液
体を回収するカップ部60、それぞれの機構を収納する
ユニットハウジング70を備えている。
Next, the configuration of the substrate processing apparatus 2 will be described. FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing the configuration of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 2 forms and shields a processing space S above the rotation support unit 20, a rotation support unit 20 for holding the substrates, a rotation support unit 20 for rotating the substrates, and processing the rectangular substrate W. The apparatus includes an upper shielding unit 40, an elevating unit 50 of the upper shielding unit 40, a cup unit 60 for collecting a liquid shaken off from the substrate W, and a unit housing 70 for accommodating respective mechanisms.

【0022】回転支持部20は、上平面視でドーナツ状
の回転支持板21に、基板Wを下面から支える支持ピン
22と駆動ピン23が立設されて構成されている。駆動
ピン23は基板Wの4角部に対応して2個ずつ配置され
る。なお、図2では、図面が煩雑になることを避けるた
めに、2個の駆動ピン23のみを示している。
The rotation support section 20 is configured by supporting pins 22 and drive pins 23 for supporting the substrate W from below, on a rotation support plate 21 having a donut shape in plan view. The drive pins 23 are arranged two by two corresponding to the four corners of the substrate W. FIG. 2 shows only two drive pins 23 in order to avoid complicating the drawing.

【0023】駆動ピン23は、基板Wの外周端縁を下方
から支持する支持部23aと支持部23aに支持された
基板Wの外周端面に当接して基板Wの移動を規制する案
内立ち上がり面23bとを備えている。基板Wは、この
回転支持板21に水平姿勢で保持される。
The drive pin 23 has a supporting portion 23a for supporting the outer peripheral edge of the substrate W from below, and a guide rising surface 23b for contacting the outer peripheral end surface of the substrate W supported by the supporting portion 23a to regulate the movement of the substrate W. And The substrate W is held by the rotation support plate 21 in a horizontal posture.

【0024】駆動部30は、回転支持板21の回転中心
の開口24に連結して設けられている。そして、この開
口24に連通するように、回転支持板21の下面に接続
される筒軸31と、この筒軸31をベルト機構32を介
して回転するモータ33とから構成されている。このモ
ータ33は本発明における駆動手段に相当し、筒軸31
は駆動軸に相当する。モーター33を駆動することによ
って、筒軸31、回転支持板21とともに、保持された
基板Wを鉛直方向の軸芯周りで回転させる。
The drive section 30 is provided so as to be connected to the opening 24 at the center of rotation of the rotation support plate 21. The motor includes a cylindrical shaft 31 connected to the lower surface of the rotation support plate 21 so as to communicate with the opening 24, and a motor 33 that rotates the cylindrical shaft 31 via a belt mechanism 32. This motor 33 corresponds to the driving means in the present invention,
Corresponds to the drive shaft. By driving the motor 33, the held substrate W is rotated around the vertical axis along with the cylindrical shaft 31 and the rotation support plate 21.

【0025】また、筒軸31は中空を有する筒状の部材
で構成され、中心に沿って液ノズル34が配設されてお
り、この液ノズル34の先端が基板Wの下面中心部に臨
んでいる。そして上端部のノズル孔34aから基板Wの
下面の回転中心付近に処理液を供給できるように構成さ
れている。
The cylinder shaft 31 is formed of a hollow cylindrical member, and a liquid nozzle 34 is provided along the center. The tip of the liquid nozzle 34 faces the center of the lower surface of the substrate W. I have. The processing liquid can be supplied to the vicinity of the rotation center on the lower surface of the substrate W from the nozzle hole 34a at the upper end.

【0026】図3に示すように、筒軸31は回転支持板
21の開口24に臨んで延在し、回転支持板21より上
側に位置し排出口36が開口される。そして、排出口3
6において、この液ノズル34の側面と筒軸31内周面
との間隙から大気圧雰囲気からのエアーが吐出される。
液ノズル34の先端部には断面T字状に形成され、平坦
な上面の中央部に洗浄液のノズル孔34aが開口され、
導管34bが連接される。
As shown in FIG. 3, the cylindrical shaft 31 extends toward the opening 24 of the rotation support plate 21, is located above the rotation support plate 21, and has a discharge port 36 opened. And the outlet 3
At 6, the air from the atmospheric pressure atmosphere is discharged from the gap between the side surface of the liquid nozzle 34 and the inner peripheral surface of the cylinder shaft 31.
The tip of the liquid nozzle 34 is formed in a T-shaped cross section, and a cleaning liquid nozzle hole 34a is opened at the center of the flat upper surface.
A conduit 34b is connected.

【0027】さらに、液ノズル34には気体供給路35
が一体的に穿設される。この気体供給路35は、導管3
4bの側部に導管34bと平行に形成される。そして、
気体供給路35の上端には、円環状に形成されたガス貯
溜部35aが接続される。ガス貯溜部35aは、図4に
示すように導管34bと同心円状に形成され、その上面
に8個の導管35bが等間隔で放射状に接続される。8
個の導管35bは液ノズル34の上面に形成された吐出
口35cに向かって傾斜して形成される。吐出口35c
は、ノズル孔34aの周囲に等間隔で開口される。各々
の導管35bは、導管35bの中心軸の延長線上には基
板W裏面の中心が位置するように傾斜角度が設定されて
いる。
Further, a gas supply path 35 is connected to the liquid nozzle 34.
Are integrally formed. The gas supply path 35 is connected to the conduit 3
4b is formed on the side part in parallel with the conduit 34b. And
An annular gas reservoir 35a is connected to the upper end of the gas supply path 35. The gas reservoir 35a is formed concentrically with the conduit 34b as shown in FIG. 4, and eight conduits 35b are radially connected to the upper surface thereof at regular intervals. 8
Each of the conduits 35b is formed to be inclined toward a discharge port 35c formed on the upper surface of the liquid nozzle 34. Discharge port 35c
Are opened at equal intervals around the nozzle hole 34a. The inclination angle of each conduit 35b is set such that the center of the back surface of the substrate W is located on the extension of the central axis of the conduit 35b.

【0028】この構成により、気体供給路35に導入さ
れた気体は、一旦、ガス貯溜部35aに充填される。こ
のガス貯溜部35aに充満されることで、気体はノズル
孔35aの周囲に均等に分布される。ガス貯溜部35a
が充満されると、気体は各導管35bに導入され、吐出
口35cから基板W裏面の中心付近に噴射される。この
噴射は、吐出口35cから均等な流量で吐出されとこと
となる。
With this configuration, the gas introduced into the gas supply path 35 is temporarily filled in the gas storage 35a. By filling the gas reservoir 35a, the gas is evenly distributed around the nozzle hole 35a. Gas reservoir 35a
Is filled, the gas is introduced into each of the conduits 35b, and is injected from the discharge port 35c to the vicinity of the center of the back surface of the substrate W. This injection is discharged at a uniform flow rate from the discharge port 35c.

【0029】液ノズル34の導管34bは、配管80に
連通接続されている。この配管80の基端部は分岐され
ていて、一方の分岐配管80aには薬液供給源81が連
通接続され、他方の分岐配管80bには純水供給源82
が連通接続されている。各分岐配管80a、80bには
開閉弁83a、83bが設けられていて、これら開閉弁
83a、83bの開閉を切り換えることで、ノズル孔3
4aから薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できる
ようになっている。
The conduit 34 b of the liquid nozzle 34 is connected to a pipe 80. A base end portion of the pipe 80 is branched, and a chemical liquid supply source 81 is connected to one branch pipe 80a, and a pure water supply source 82 is connected to the other branch pipe 80b.
Are connected. Opening / closing valves 83a and 83b are provided in the branch pipes 80a and 80b, respectively.
From 4a, a chemical solution and pure water can be selectively switched and supplied.

【0030】また、気体供給路35は、開閉弁84aが
設けられた配管84を介して気体供給源85に連通接続
されていて、図3乃至図4に示す構成のもと気体供給路
35の上端部の吐出口35cから回転支持板21と基板
Wの下面との間の空間に、清浄な空気や清浄な不活性ガ
ス(窒素ガスなど)などの清浄な気体を供給できるよう
に構成されている。この気体供給路35とガス貯溜部3
5a、導管35b、吐出口35c、配管84、開閉弁8
4aおよび気体供給源85が本発明の不活性ガス噴出手
段に相当する。
The gas supply passage 35 is connected to a gas supply source 85 via a pipe 84 provided with an on-off valve 84a, and has a configuration shown in FIGS. It is configured such that clean gas such as clean air or clean inert gas (such as nitrogen gas) can be supplied from the discharge port 35c at the upper end to the space between the rotary support plate 21 and the lower surface of the substrate W. I have. The gas supply path 35 and the gas storage 3
5a, conduit 35b, discharge port 35c, pipe 84, on-off valve 8
The reference numeral 4a and the gas supply source 85 correspond to the inert gas jetting means of the present invention.

【0031】また、筒軸31と液ノズル34との間隙は
流量調整弁86aを介して配管86が大気圧雰囲気に開
放されるよう構成されている。筒軸31と液ノズル34
との間隙は開口36を介して大気圧雰囲気からのエアー
を排出される。この構成により、回転支持板21が回転
するとその遠心力で処理空間S内のエアーは排出され、
回転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、大気圧
雰囲気に開放されている筒軸31内部はポンプ効果によ
りエアーを吸入する。その際、流量調整弁86aにより
吸引されるエアー量は後述するように処理空間S内の気
圧状態を所望の状態に設定するように調整される。
The gap between the cylinder shaft 31 and the liquid nozzle 34 is configured such that the pipe 86 is opened to the atmospheric pressure atmosphere via the flow rate adjusting valve 86a. Tube shaft 31 and liquid nozzle 34
The air from the atmospheric pressure atmosphere is discharged through the opening 36 through the gap. With this configuration, when the rotation support plate 21 rotates, the air in the processing space S is discharged by the centrifugal force,
The closer to the rotation center, the lower the pressure. Therefore, the inside of the cylindrical shaft 31 that is open to the atmospheric pressure atmosphere sucks air by a pump effect. At this time, the amount of air sucked by the flow control valve 86a is adjusted so as to set the pressure state in the processing space S to a desired state as described later.

【0032】図2に戻って、モータ33やベルト機構3
2などは、この基板処理装置2の底板としてのベース部
材71上に設けられた円筒状のケーシング37内に収容
されている。このケーシング37が、筒軸31の外周面
に軸受け38を介して接続され、筒軸31を覆おう状態
となる。すなわち、モータ33から回転支持板21に接
続する直前までの筒軸31の周囲をケーシング37で覆
い、これに伴い筒軸31に下方に取り付けられたモータ
33もカバーで覆った状態とする。さらに、筒軸31が
ケーシング37の箇所の気密性を高めるため、ケーシン
グ37から突き出て回転支持板21の下面を支持するで
の筒軸31の周囲の雰囲気を、その周面に沿って設けら
れた略円形状のシール部90で密封する。
Returning to FIG. 2, the motor 33 and the belt mechanism 3
2 are accommodated in a cylindrical casing 37 provided on a base member 71 as a bottom plate of the substrate processing apparatus 2. The casing 37 is connected to the outer peripheral surface of the cylindrical shaft 31 via a bearing 38, and is in a state of covering the cylindrical shaft 31. That is, the periphery of the cylindrical shaft 31 immediately before the connection from the motor 33 to the rotation support plate 21 is covered with the casing 37, and the motor 33 attached below the cylindrical shaft 31 is also covered with the cover. Further, in order to increase the airtightness of the portion of the casing 37, the atmosphere around the cylinder shaft 31 protruding from the casing 37 and supporting the lower surface of the rotation support plate 21 is provided along the peripheral surface. Sealed with a substantially circular seal portion 90.

【0033】上部遮蔽部40は、基板Wを挟んで回転支
持板21に対向するように上部回転板41が配設されて
いる。この上部回転板41は基板Wの周縁領域を覆うリ
ング状を呈しており、中央部に大きな開口41aが開け
られている。そして開口41aの周囲は仕切壁41bが
円筒状に立設されており、この仕切壁41b内に、この
仕切壁41b内に、処理空間Sへの気流の流入を制御す
る可動式の遮断板42が開口41aを塞ぐように設置し
てある。遮断板42は、シリンダで昇降され薬液処理時
に上方へ退避し、乾燥処理時には下降し気流制御する。
そして、上下移動自在に設けられている基板Wの上面に
純水などの洗浄液を供給する液ノズル43が、処理空間
S内に挿入されるために遮断板42に中央開口42bが
形成されている。
The upper shield 40 is provided with an upper rotary plate 41 so as to face the rotary support plate 21 with the substrate W interposed therebetween. The upper rotating plate 41 has a ring shape that covers the peripheral region of the substrate W, and has a large opening 41a in the center. A partition wall 41b is erected in a cylindrical shape around the opening 41a. Inside the partition wall 41b, a movable blocking plate 42 for controlling the inflow of an air flow into the processing space S is provided. Is installed so as to close the opening 41a. The blocking plate 42 is moved up and down by a cylinder to retreat upward during chemical solution processing, and to descend and control airflow during drying processing.
A central opening 42b is formed in the blocking plate 42 so that a liquid nozzle 43 for supplying a cleaning liquid such as pure water is inserted into the processing space S on the upper surface of the substrate W provided to be vertically movable. .

【0034】そして、上部回転板41は押えピン44を
介して駆動ピン23により支持され、回転支持板21と
で挟まれた処理空間Sを構成している。駆動ピン23
は、支持部23aが基板Wの周縁に対して点接触するこ
とで基板Wに不均一に応力がかかることを防止してい
る。押えピン44は、逆凸形状を呈し、上部回転板41
下面に固定して取り付けられている。
The upper rotating plate 41 is supported by the driving pins 23 via the holding pins 44, and forms a processing space S sandwiched between the rotating supporting plates 21. Drive pin 23
This prevents the substrate W from being unevenly stressed due to the point of contact of the support portion 23a with the peripheral edge of the substrate W. The holding pin 44 has an inverted convex shape, and the upper rotating plate 41
It is fixedly attached to the lower surface.

【0035】上記の構成により、駆動ピン23は押えピ
ン44とで上下に分離可能に構成されている。上部回転
板41がアームバー55によって処理位置まで下降移動
されたときに、駆動ピン23が押えピン44に嵌合する
ことにより、上部回転板41が回転支持板21と一体回
転可能に回転支持板21に支持されるようになってい
る。つまり、駆動ピン23は、上部回転板41を回転支
持板21に着脱自在に支持する支持機構を兼ねている。
また、この押えピン44が基板Wの浮き上がりを防止す
る。
With the above configuration, the drive pin 23 is configured to be vertically separable with the holding pin 44. When the upper rotating plate 41 is moved down to the processing position by the arm bar 55, the drive pin 23 is fitted to the holding pin 44, so that the upper rotating plate 41 can rotate integrally with the rotation supporting plate 21. Is to be supported. That is, the drive pin 23 also serves as a support mechanism for detachably supporting the upper rotary plate 41 on the rotary support plate 21.
The holding pins 44 prevent the substrate W from lifting.

【0036】この構成により、回転支持板31が回転す
るとその遠心力で処理空間S内のエアーは排出され、回
転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、処理空間
Sは遮断板42と仕切壁41bよりエアーを吸入する。
その際、遮断板42は、吸引されるエアー(気流)の流
れに抵抗を与えて、処理空間S内に供給されるエアーの
流量を制限する役目を担っている。そして、エアー量は
後述するように処理空間S内の気圧状態を所望の状態に
設定するように調整される。処理空間Sは、基板Wを挟
んで下部と上部に区画され、遮断板42により上部に流
入するエアー流量を規定することで上部の気圧を設定
し、開口36により下部に流入するエアー流量を規定す
ることで下部の気圧を設定する。この基板Wの上部と下
部の気圧の設定で基板Wの回転処理中の浮き上がりや波
打ちが抑制される。
With this configuration, when the rotation support plate 31 rotates, the air in the processing space S is discharged by the centrifugal force, and the pressure becomes lower as the rotation support plate 31 is closer to the rotation center. Therefore, the processing space S sucks air from the blocking plate 42 and the partition wall 41b.
At that time, the blocking plate 42 has a role of giving a resistance to the flow of the sucked air (air flow) and limiting the flow rate of the air supplied into the processing space S. Then, the air amount is adjusted so as to set the air pressure state in the processing space S to a desired state as described later. The processing space S is divided into a lower part and an upper part with the substrate W interposed therebetween, and the upper air pressure is set by regulating the air flow rate flowing into the upper part by the blocking plate 42, and the air flow rate flowing into the lower part is regulated by the opening 36. To set the lower pressure. By setting the upper and lower pressures of the substrate W, lifting and waving during the rotation processing of the substrate W are suppressed.

【0037】昇降部50は、上部回転板41の上面に上
方に張り出し設置されたT字状の係合部51と、この係
合部51の上部鍔部51aに連結された昇降駆動手段5
2とから構成されている。この昇降駆動手段52はシリ
ンダー53のロッド54が伸縮することでアームバー5
5が昇降する。アームバー55の下面には上述の係合部
51に対向して門形アーム56が配置され、係合部51
の上部鍔部51aが係合される。この構成で門形アーム
56が上部鍔部51aに当接して上下動することによ
り、回転支持板21に支持される処理位置と、基板Wの
搬入・搬出を許容する上方の退避位置とにわたって上部
回転板41が移動するようになっている。尚、図2で
は、2つの昇降駆動手段52が開示されているが、上部
回転板21の上面で等間隔に4つの係合部51が配置さ
れ、それに対応して4つの昇降駆動手段52が配置され
る。そして上部回転板41の回転停止位置の制御によ
り、係合部51と門形アーム56が係合される。
The elevating part 50 includes a T-shaped engaging part 51 projecting upward from the upper surface of the upper rotating plate 41 and an elevating driving means 5 connected to an upper flange part 51a of the engaging part 51.
And 2. The raising / lowering driving means 52 is configured to extend and contract the rod 54 of the cylinder 53 so that the arm bar 5 is moved.
5 goes up and down. On the lower surface of the arm bar 55, a gate-shaped arm 56 is disposed so as to face the above-described engaging portion 51, and the engaging portion 51
The upper flange portion 51a is engaged. In this configuration, the gate-shaped arm 56 moves up and down in contact with the upper flange portion 51a, so that the upper portion extends over the processing position supported by the rotary support plate 21 and the upper evacuation position allowing the loading and unloading of the substrate W. The rotating plate 41 moves. In FIG. 2, two lifting / lowering driving means 52 are disclosed. However, four engaging portions 51 are arranged at equal intervals on the upper surface of the upper rotating plate 21, and four lifting / lowering driving means 52 are correspondingly provided. Be placed. Then, by controlling the rotation stop position of the upper rotating plate 41, the engaging portion 51 and the portal arm 56 are engaged.

【0038】さらに、この昇降部50と上部回転板41
の上方は、内ベース板57と、連設して例えばステンレ
ス鋼板に多数の小孔を開けた、いわゆるパンチングプレ
ートであって、中心側に開口が形成された流路抵抗部材
57bが配置されている。この流路抵抗部材57bは、
その内周縁には仕切壁57aが下方に延在して構成さ
れ、仕切壁57aは仕切壁41bの外周面に近接してい
る。内ベース板57の外周縁はユニットハウジング70
に接続される。そして、この内ベース板57と流路抵抗
部材57bが装置2内の上部を略閉塞し2分すること
で、後述する排気構造を介した排気に伴う負圧に応じ
て、引き込まれるエアー(気流)に流れを与えて、処理
空間Sから排出されるミストを含んだエアーが飛散する
ことを制限する役目を担っている。
Further, the lifting unit 50 and the upper rotating plate 41
Above is a so-called punching plate provided with a plurality of small holes in, for example, a stainless steel plate in series with the inner base plate 57, and a flow path resistance member 57b having an opening formed on the center side is disposed. I have. This flow path resistance member 57b is
A partition wall 57a extends downward from the inner peripheral edge thereof, and the partition wall 57a is close to the outer peripheral surface of the partition wall 41b. The outer peripheral edge of the inner base plate 57 is
Connected to. The inner base plate 57 and the flow path resistance member 57b substantially close the upper part of the apparatus 2 and divide the upper part into two parts, so that the air (air flow) drawn in according to the negative pressure accompanying the exhaust through the exhaust structure described later. ), And serves to limit the scattering of air containing mist discharged from the processing space S.

【0039】なお、流路抵抗部材57bは本実施例のよ
うなパンチングプレートに限らず、例えば複数枚の板材
を鉛直方向に傾斜させて近接配置したものであってもよ
く、好ましくは、このような板材の傾斜角度を変えるこ
とにより、流路抵抗を可変するようにしてもよい。
The flow path resistance member 57b is not limited to the punching plate as in the present embodiment, and may be, for example, a plurality of plate members arranged in close proximity to each other while being inclined in the vertical direction. The flow path resistance may be varied by changing the inclination angle of the plate material.

【0040】内ベース板57の上面には液ノズル43の
接離機構430が配置される。液ノズル43は、支持ア
ーム431に支持され、支持アーム431は接離機構4
30によって旋回及び昇降される。この支持アーム43
1の昇降によって、基板Wに対して液ノズル43が接離
されるように構成されている。このような接離動を実現
する接離機構430は、螺軸などを用いた機構や、ある
いは、エアシリンダなどで構成されている。
On the upper surface of the inner base plate 57, a contact / separation mechanism 430 for the liquid nozzle 43 is arranged. The liquid nozzle 43 is supported by a support arm 431, and the support arm 431 is
It is turned and moved up and down by 30. This support arm 43
The liquid nozzle 43 is configured to be brought into contact with and separated from the substrate W by moving up and down 1. The contact / separation mechanism 430 that realizes such contact / separation movement is configured by a mechanism using a screw shaft or the like, or an air cylinder.

【0041】液ノズル43の中空部には、液供給管43
2が貫通され、その下端部から回転支持板21に保持さ
れた基板Wの上面の回転中心付近に処理液を供給できる
ように構成されている。液供給管432は配管87に連
通接続されている。この配管87の基端部は分岐されて
いて、一方の分岐配管87aには薬液供給源81が連通
接続され、他方の分岐配管87bには純水供給源82が
連通接続されている。各分岐配管87a、87bには開
閉弁88a、88bが設けられていて、これら開閉弁8
8a、88bの開閉を切り換えることで、液ノズル43
から薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できるよう
になっている。
A liquid supply pipe 43 is provided in the hollow portion of the liquid nozzle 43.
2, through which the processing liquid can be supplied from the lower end to the vicinity of the center of rotation of the upper surface of the substrate W held by the rotation support plate 21. The liquid supply pipe 432 is connected to the pipe 87 in communication. The base end of the pipe 87 is branched, and one branch pipe 87a is connected to a chemical solution supply source 81, and the other branch pipe 87b is connected to a pure water supply source 82. On / off valves 88a and 88b are provided in each of the branch pipes 87a and 87b.
8a and 88b are switched to open and close the liquid nozzle 43.
It is possible to selectively switch between a chemical solution and pure water.

【0042】また、液ノズル43の内周面と液供給管4
32の外周面との間の隙間は、気体供給路433となっ
ている。この気体供給路433は、開閉弁89aが設け
られた配管89を介して気体供給源85に連通接続され
ていて、気体供給路433の下端部から上部回転板41
と基板Wの上面との間の空間に清浄な気体を供給できる
ように構成されている。
The inner peripheral surface of the liquid nozzle 43 and the liquid supply pipe 4
A gap between the outer peripheral surface of the gas turbine 32 and the outer peripheral surface of the gas turbine 32 serves as a gas supply path 433. The gas supply path 433 is connected to a gas supply source 85 via a pipe 89 provided with an opening / closing valve 89a.
It is configured such that clean gas can be supplied to the space between the substrate and the upper surface of the substrate W.

【0043】カップ部60は、回転支持板21と上部回
転板41との外周端の間隙である排出口に臨んで開口し
たリング状の排気カップ61が配設され、以下の排気構
造を含む。この排気カップ61は、回転支持板21の下
方に延設し、回転支持板21の回転軸(本実施例では筒
軸31)と平行して配置される排気管62に繋がり、こ
の排気管62を介して装置外の排気手段に連通してい
る。また、排気カップ61の底部外周側には、エアーと
ともに排出された処理液を排出するための排液管63が
連通接続されている。符号64は、この排気カップ61
を上下動する昇降駆動手段である。
The cup portion 60 is provided with a ring-shaped exhaust cup 61 which is open to a discharge port which is a gap between the outer peripheral end of the rotary support plate 21 and the upper rotary plate 41, and includes the following exhaust structure. The exhaust cup 61 extends below the rotation support plate 21 and is connected to an exhaust pipe 62 arranged in parallel with the rotation axis of the rotation support plate 21 (the cylindrical shaft 31 in this embodiment). Through the exhaust means outside the apparatus. A drain pipe 63 for discharging the processing liquid discharged together with the air is connected to the bottom outer peripheral side of the exhaust cup 61. Reference numeral 64 denotes the exhaust cup 61
Is a lifting drive means for moving up and down.

【0044】ユニットハウジング70は、ベース部材7
1上にカップ部60を囲む大きさの枠体72と、この枠
体72に基板搬入出口73を形成される。この構成によ
り、昇降駆動手段52が昇降すると上部回転板41が上
昇し、同時に昇降駆動手段64が昇降すると排気カップ
61が下降しする。それに伴い回転支持板21が枠体7
2の搬入口73に臨むことにより装置2に基板Wを外部
から搬入可能となる。
The unit housing 70 includes the base member 7
1, a frame 72 having a size surrounding the cup portion 60 and a substrate loading / unloading port 73 are formed in the frame 72. With this configuration, when the elevation drive unit 52 moves up and down, the upper rotating plate 41 moves up, and at the same time, when the elevation drive unit 64 moves up and down, the exhaust cup 61 descends. Accordingly, the rotation support plate 21 is attached to the frame 7.
The substrate W can be carried into the apparatus 2 from outside by facing the carry-in port 73 of the second apparatus.

【0045】次に上述した構成を備えた実施例装置2の
動作を説明する。処理の対象である基板Wが本実施例装
置2に搬入されるとき、上部回転板41および液ノズル
43は上方の退避位置にある。上部回転板41が退避位
置にある状態で、駆動ピン23と押えピン44は上下に
分離されており、回転支持板21上には駆動ピン23だ
けがある。こうして、上部回転板41と回転支持板21
との間に、基板Wの搬入経路が確保される。基板搬入出
口73を介して基板搬送装置7で搬送されてきた基板W
は、駆動ピン23によって受け持ち支持される。基板搬
送装置7の搬送アーム6が処理装置2内に入り込み、駆
動ピン23の上に未処理の基板Wをおき、その後、処理
装置2外に退避する。
Next, the operation of the embodiment 2 having the above-described configuration will be described. When the substrate W to be processed is carried into the apparatus 2 of the present embodiment, the upper rotating plate 41 and the liquid nozzle 43 are at the upper retreat position. When the upper rotary plate 41 is in the retracted position, the drive pin 23 and the holding pin 44 are vertically separated, and only the drive pin 23 is provided on the rotary support plate 21. Thus, the upper rotating plate 41 and the rotating support plate 21
In between, a carry-in route for the substrate W is secured. The substrate W transferred by the substrate transfer device 7 through the substrate loading / unloading port 73
Is supported by the driving pin 23. The transfer arm 6 of the substrate transfer device 7 enters the inside of the processing device 2, places the unprocessed substrate W on the drive pin 23, and then retreats outside the processing device 2.

【0046】次いで、この状態で、液ノズル34のノズ
ル孔34aから薬液を基板Wの下面に供給して本発明の
薬液処理過程を開始する。すなわち、開閉弁83aを開
成することにより、液ノズル34のノズル孔34aから
洗浄用薬液としてのエッチング液を吐出させる。これに
より、基板Wの下面の中央に向けてエッチング液が至近
距離から供給される。供給されたエッチング液は、基板
Wの回転に伴う遠心力によって回転半径方向外方側へと
導かれるので、結果として、基板Wの下面の全域に対し
て隈無く薬液洗浄を行うことができる。
Next, in this state, a chemical solution is supplied to the lower surface of the substrate W from the nozzle hole 34a of the liquid nozzle 34 to start the chemical solution processing process of the present invention. That is, by opening the on-off valve 83a, the etching liquid as the cleaning chemical is discharged from the nozzle hole 34a of the liquid nozzle 34. Thus, the etchant is supplied from a short distance toward the center of the lower surface of the substrate W. The supplied etchant is guided outward in the radial direction of rotation by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W, and as a result, the entire area of the lower surface of the substrate W can be thoroughly washed with the chemical solution.

【0047】この薬液処理の際に、回転される基板Wの
周縁から振り切られて周囲に飛散する薬液は、排気カッ
プ61で受け止められ、排液管62に導かれ排液される
ことになる。また、この時、上部回転板41が基板Wよ
り離間しているので、薬液が飛散して上部回転板41に
付着することを防止する。
At the time of this chemical treatment, the chemical that is shaken off from the periphery of the rotating substrate W and scattered around is received by the exhaust cup 61, guided to the drain pipe 62, and discharged. At this time, since the upper rotating plate 41 is separated from the substrate W, it is possible to prevent the chemical solution from scattering and adhering to the upper rotating plate 41.

【0048】なお、薬液供給源9から基板Wに供給され
るエッチング液としては、たとえば、HF、BHF(希
フッ酸)、HPO、HNO、HF+H(フ
ッ酸過水)、HPO+H(リン酸過水)、H
SO+ H(硫酸過水)、HCl+ H
(アンモニア過水)、HPO+CHCOOH+H
NO、ヨウ素+ヨウ化アンモニウム、しゅう酸系やク
エン酸系の有機酸、TMAH(テトラ・メチル・アンモ
ニウム・ハイドロオキサイド)やコリンなどの有機アル
カリを例示することができる。
The etching solution supplied from the chemical supply source 9 to the substrate W is, for example, HF, BHF (dilute hydrofluoric acid), H 3 PO 4 , HNO 3 , HF + H 2 O 2 (hydrogen peroxide). , H 3 PO 4 + H 2 O 2 (hydrogen phosphate), H
2 SO 4 + H 2 O 2 (sulfuric acid / hydrogen peroxide), HCl + H 2 O 2
(Ammonia hydrogen peroxide), H 3 PO 4 + CH 3 COOH + H
Examples include NO 3 , iodine + ammonium iodide, oxalic acid and citric acid organic acids, and organic alkalis such as TMAH (tetramethyl ammonium hydroxide) and choline.

【0049】また、基板Wから飛散され排気カップ61
に当たった薬液の一部はミストとなって浮遊することに
なる。しかしながら、この装置では、回転支持板21近
傍に浮遊するミストがケーシング37との間を筒軸31
へ移動したとしても、シール部90により、そのミスト
が駆動部30に侵入することが防止される。
The exhaust cup 61 scattered from the substrate W
A part of the chemical solution hit by the mist becomes a mist and floats. However, in this device, the mist floating near the rotation support plate 21 moves between the casing 37 and the cylindrical shaft 31.
Even if the mist moves, the mist is prevented from entering the drive unit 30 by the seal unit 90.

【0050】所定の薬液洗浄処理時間が経過すると、液
ノズル34からのエッチング液の供給を停止する。続い
て、昇降部50を制御して、上部回転板41を下降させ
る。これにより、退避位置にあった上部回転板41が処
理位置にまで下降移動することにより、上部回転板41
の押えピン44が回転支持板21の駆動ピン23に嵌合
連結される。また接離機構430を制御し、液ノズル4
3を旋回し、中央開口部42aの上方から下降させる。
この状態ので開閉弁83aを閉成して薬液処理過程を終
了するとともに、開閉弁83b、88bを開成する。
When a predetermined chemical cleaning time has elapsed, supply of the etching liquid from the liquid nozzle 34 is stopped. Subsequently, the control unit 50 controls the lifting unit 50 to lower the upper rotating plate 41. As a result, the upper rotating plate 41 at the retreat position moves down to the processing position, and the upper rotating plate 41
Press pin 44 is fitted and connected to the drive pin 23 of the rotation support plate 21. In addition, the contact / separation mechanism 430 is controlled, and the liquid nozzle 4 is controlled.
3 is lowered from above the central opening 42a.
In this state, the on-off valve 83a is closed to end the chemical solution treatment process, and the on-off valves 83b and 88b are opened.

【0051】これにより、液ノズル34、43からは、
洗浄液として純水が、基板Wの上下面の中央に向けて供
給されることになる。よって、純水を基板Wの上下両面
に供給して基板Wに付着している薬液を純水で洗い落と
す洗浄処理過程を行う。こうして、薬液処理工程後の基
板Wの上下面に存在するエッチング液を洗い流すための
洗浄処理過程が行われる。なお、洗浄液としては、他
に、オゾン水、電解イオン水などであってもよい。
Thus, the liquid nozzles 34, 43
Pure water is supplied as a cleaning liquid toward the center of the upper and lower surfaces of the substrate W. Therefore, a cleaning process is performed in which pure water is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W and the chemical liquid attached to the substrate W is washed away with the pure water. Thus, the cleaning process for washing away the etching liquid existing on the upper and lower surfaces of the substrate W after the chemical solution processing step is performed. In addition, ozone water, electrolytic ion water, etc. may be used as the cleaning liquid.

【0052】さらに、駆動制御信号を与え、モータ33
を回転させる。これにより、筒軸31が回転され、筒軸
31に固定されている回転支持板21が中心を通る鉛直
軸芯まわりに回転することになる。回転支持板21の回
転力は駆動ピン23を介して基板Wに伝達されて、基板
Wが回転支持板21とともに回転する。さらに、回転支
持板21の回転力は押えピン44を介して上部回転板4
1に伝達され、上部回転板41も回転支持板21ととも
に回転する。
Further, a drive control signal is given and the motor 33
To rotate. Accordingly, the cylinder shaft 31 is rotated, and the rotation support plate 21 fixed to the cylinder shaft 31 rotates around the vertical axis passing through the center. The rotational force of the rotation support plate 21 is transmitted to the substrate W via the drive pins 23, and the substrate W rotates with the rotation support plate 21. Further, the rotational force of the rotation support plate 21 is applied to the upper rotation plate 4 via the holding pin 44.
1 and the upper rotary plate 41 also rotates together with the rotary support plate 21.

【0053】洗浄液の供給が停止された後は、回転支持
板21が高速回転駆動されることにより、基板Wに付着
した洗浄液が振り切られる。基板Wから振り切られた洗
浄液のミストはエアーの流れに乗って処理空間S内を半
径方向外側に流動し、回転支持板21と上部回転板41
の間隙から排出される。この、乾燥開始と同時に、排気
管62、62に連通する装置外の排気手段が作動して排
気カップ部61が排気される。そして、排出された洗浄
液のミストを含むエアーは排気カップ部61および排気
管62、62を介して装置2外へ排出される。
After the supply of the cleaning liquid is stopped, the rotation supporting plate 21 is driven to rotate at a high speed, so that the cleaning liquid adhering to the substrate W is shaken off. The mist of the cleaning liquid shaken off from the substrate W flows radially outward in the processing space S by the flow of air, and the rotation support plate 21 and the upper rotation plate 41
Is discharged from the gap. Simultaneously with the start of the drying, the exhaust means outside the apparatus communicating with the exhaust pipes 62, 62 is operated to exhaust the exhaust cup portion 61. Then, the air containing the mist of the discharged cleaning liquid is discharged out of the apparatus 2 through the exhaust cup 61 and the exhaust pipes 62 and 62.

【0054】この乾燥工程の際、開閉弁84a、89a
を開成し、気体供給路35、433から基板Wの上下面
に窒素ガスを供給させる。これにより、処理空間Sの空
気は、すみやかに窒素ガスに置換されるので、洗浄処理
後の基板Wの上下面に不所望な酸化膜が成長することは
ない。
During this drying step, the on-off valves 84a, 89a
Is opened, and nitrogen gas is supplied from the gas supply paths 35 and 433 to the upper and lower surfaces of the substrate W. Thus, the air in the processing space S is immediately replaced with the nitrogen gas, so that an undesired oxide film does not grow on the upper and lower surfaces of the substrate W after the cleaning processing.

【0055】特に、基板Wの裏面側は、窒素ガスが吐出
口35cから基板W裏面の中心近傍に噴射される。よっ
て、回転中心で周速が遅く、遠心力による乾燥が促進さ
れないとしても、基板W裏面の中心近傍は十分に乾燥さ
れる。この際、噴射される窒素ガスは、ノズル34aの
周囲に吐出口35cが分散配置された構成であるが、ガ
ス貯溜部35aで均等に分布された後に、噴射されるこ
とで、乾燥斑が生じることもない。
In particular, on the back surface side of the substrate W, nitrogen gas is injected from the discharge port 35c to the vicinity of the center of the back surface of the substrate W. Therefore, even if the peripheral speed is slow at the rotation center and the drying by the centrifugal force is not promoted, the vicinity of the center of the back surface of the substrate W is sufficiently dried. At this time, the nitrogen gas to be injected has a configuration in which the discharge ports 35c are dispersedly arranged around the nozzle 34a, but after being uniformly distributed in the gas storage 35a, the nitrogen gas is injected to cause dry spots. Not even.

【0056】また、回転支持板21と上部回転板41と
の間隙(処理空間S)は外周端側で絞られて、その上下
の間隔が回転中心側のそれよりも狭くなっているので、
外周からのエアーの排出量が規制される。これに合わせ
て、回転支持板21側から基板Wとの処理空間Sである
下側空間内へポンプ効果により吸入されるエアーの量も
流量調整弁86aによって調整され、また、上部回転板
41側から基板Wとの処理空間Sである上側空間内へ吸
入されるエアーの量は流路抵抗部材42によって規制さ
れる。
Further, the gap (processing space S) between the rotation support plate 21 and the upper rotation plate 41 is narrowed on the outer peripheral end side, and the upper and lower spaces are narrower than those on the rotation center side.
The amount of air discharged from the outer periphery is regulated. In accordance with this, the amount of air sucked from the rotation support plate 21 side into the lower space which is the processing space S with the substrate W by the pump effect is also adjusted by the flow control valve 86a. The amount of air sucked into the upper space, which is the processing space S with the substrate W, is regulated by the flow path resistance member 42.

【0057】乾燥工程の終了後には、モータ33の回転
を停止させ、さらに、上部回転板41および液ノズル4
3が退避位置に戻されて、基板搬送装置7によって処理
済の基板Wが装置外へ搬出される。以下、上述したと同
様に未処理の基板Wが搬入されて処理が繰り返し行われ
る。
After the drying step, the rotation of the motor 33 is stopped, and the upper rotating plate 41 and the liquid nozzle 4
The substrate 3 is returned to the retracted position, and the processed substrate W is carried out of the apparatus by the substrate transfer device 7. Hereinafter, as described above, the unprocessed substrate W is carried in and the processing is repeatedly performed.

【0058】以上、上記実施例によれば、この基板処理
装置は、基板Wを水平面内で回転させながら、基板Wの
表裏面に処理を施す装置である。基板Wの回転中心に対
して処理液を供給できるとともに、気体の供給も中心付
近に対して行える。その結果、基板の処理面が斑なく、
洗浄処理または乾燥処理等行うことができる。
As described above, according to the above-described embodiment, this substrate processing apparatus is an apparatus that performs processing on the front and back surfaces of the substrate W while rotating the substrate W in a horizontal plane. The processing liquid can be supplied to the rotation center of the substrate W, and the gas can be supplied to the vicinity of the center. As a result, the processing surface of the substrate is not uneven,
A washing treatment, a drying treatment, or the like can be performed.

【0059】本発明は上述した実施例に限らず次のよう
に変形実施することができる。 (1)気体供給路35からの窒素ガスの噴射は、乾燥処
理に限らず、薬液処理時や洗浄処理時に各処理液の供給
中に平行して行ってもい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be modified as follows. (1) The injection of the nitrogen gas from the gas supply path 35 is not limited to the drying process, and may be performed in parallel with the supply of each processing liquid at the time of chemical solution processing or cleaning processing.

【0060】(2)さらに、上述の実施形態では、基板
Wの裏面に配置される液ノズル34のみに本発明の構成
を適用した例を示したが、基板Wの表面上に配置される
液ノズル43も同様の構成としてもよい。
(2) Further, in the above-described embodiment, an example is shown in which the configuration of the present invention is applied to only the liquid nozzle 34 disposed on the back surface of the substrate W. The nozzle 43 may have the same configuration.

【0061】(3)さらに、上述の実施形態では、液ノ
ズル34と一体的に気体供給路35を形成しているが、
気体供給路35を別体として構成してもよい。
(3) In the above embodiment, the gas supply path 35 is formed integrally with the liquid nozzle 34.
The gas supply path 35 may be configured separately.

【0062】(4)さらに、上述の実施形態では、エッ
チング液を基板に供給する薬液処理を例として説明した
が、剥離液を供給するようにしてもよい。
(4) Further, in the above-described embodiment, the description has been made of the example of the chemical treatment in which the etching liquid is supplied to the substrate, but the stripping liquid may be supplied.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板を保持して良好に処理することができる基板処理装
置が提供される。即ち、基板の中心付近に対向して処理
液吐出ノズルが配置され、その処理液吐出ノズルより処
理液が供給されるとともに、処理液吐出ノズルの周囲か
ら基板の中心付近に不活性ガスが噴射される。よって、
基板の処理を全面にわたって斑なく行うことができる。
As described above, according to the present invention,
A substrate processing apparatus capable of holding a substrate and performing favorable processing is provided. That is, a processing liquid discharge nozzle is disposed to face the center of the substrate, and the processing liquid is supplied from the processing liquid discharge nozzle, and an inert gas is injected from the periphery of the processing liquid discharge nozzle to the vicinity of the center of the substrate. You. Therefore,
Substrate processing can be performed without unevenness over the entire surface.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理システムの一実施例の概
略構成を示した斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing system according to the present invention.

【図2】本発明に係る基板処理装置の一実施例の概略構
成を示した縦断面図である。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.

【図3】液ノズル34の構成を示す拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a configuration of a liquid nozzle 34.

【図4】液ノズル34の構成を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a configuration of a liquid nozzle 34.

【図5】従来装置の概略構成を示した縦断面図である。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W 基板 S 処理空間 2 基板処理装置 20 回転支持部 21 回転支持板 30 駆動部 34、43、130、150 液ノズル 31、140 筒軸 35 気体供給路 34a ノズル孔 35a ガス貯溜部 34b、35b 導管 35c 吐出口 40 上部遮蔽部 41 上部回転板 60 カップ部 61 排気カップ 81 薬液供給源 82 純水供給源 85 気体供給源 W substrate S processing space 2 substrate processing apparatus 20 rotation support unit 21 rotation support plate 30 drive unit 34, 43, 130, 150 liquid nozzle 31, 140 cylinder shaft 35 gas supply path 34a nozzle hole 35a gas storage unit 34b, 35b conduit 35c Discharge port 40 Upper shielding part 41 Upper rotating plate 60 Cup part 61 Exhaust cup 81 Chemical supply source 82 Pure water supply source 85 Gas supply source

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 643 H01L 21/304 643C 651 651B 21/306 21/306 J ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/304 643 H01L 21/304 643C 651 651B 21/306 21/306 J

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理液が供給された基板を回転させなが
ら、基板に所要の処理を施す基板処理装置において、 基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面の中心付近
に対向して処理液吐出ノズルが配置され、基板の処理面
の中心付近に向けて処理液を供給する処理液供給手段
と、 前記処理液吐出ノズルの周囲に配置され、基板の処理面
の中心付近に向けて不活性ガスを噴出する吐出口を有す
る不活性ガス噴出手段と、を具備したことを特徴とする
基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for performing a required process on a substrate while rotating a substrate supplied with a processing liquid, comprising: a substrate holding unit for holding the substrate; and a processing surface of the substrate held by the substrate holding unit. A processing liquid discharge nozzle is disposed to face the vicinity of the center of the substrate, and processing liquid supply means for supplying a processing liquid toward the vicinity of the center of the processing surface of the substrate; A substrate processing apparatus comprising: an inert gas jetting unit having a discharge port for jetting an inert gas toward a vicinity of a center of a surface.
【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記処理液供給手段は、複数の処理液供給源を有し、 前記処理液吐出ノズルに切り換え供給することを特徴と
する基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid supply unit has a plurality of processing liquid supply sources, and switches and supplies the processing liquid to the processing liquid discharge nozzle. .
【請求項3】 請求項1および請求項2に記載の基板処
理装置において、 前記不活性ガス噴出手段は、処理液吐出ノズルの周囲に
環状に形成されたガス貯溜部と、 前記ガス貯溜部から基板の処理面の中心付近に向かった
複数の導管が吐出口に接続されることを特徴とする基板
処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the inert gas ejecting unit includes: a gas storage portion formed in an annular shape around a processing liquid discharge nozzle; A substrate processing apparatus, wherein a plurality of conduits directed to near the center of a processing surface of a substrate are connected to a discharge port.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024890A (en) * 2004-06-07 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method, equipment, and system for processing substrate
WO2008065820A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Processing apparatus, processing method, and surface processing jig
KR100884851B1 (en) 2006-09-26 2009-02-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Mechanism and method for supplying thermal conduction gas, and substrate processing apparatus and method, and computer readable storage medium
US7679086B2 (en) 2006-02-20 2010-03-16 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing electro-optic device
KR20160115801A (en) * 2015-03-27 2016-10-06 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing device and substrate processing method
JP2022104866A (en) * 2020-12-30 2022-07-12 セメス株式会社 Back nozzle unit and substrate processing device having the same

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024890A (en) * 2004-06-07 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method, equipment, and system for processing substrate
JP4553781B2 (en) * 2004-06-07 2010-09-29 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing method, substrate processing apparatus, and substrate processing system
US7679086B2 (en) 2006-02-20 2010-03-16 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing electro-optic device
KR100884851B1 (en) 2006-09-26 2009-02-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Mechanism and method for supplying thermal conduction gas, and substrate processing apparatus and method, and computer readable storage medium
WO2008065820A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Processing apparatus, processing method, and surface processing jig
JP2008140908A (en) * 2006-11-30 2008-06-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Treatment device, treatment method, and surface treatment jig
US9129999B2 (en) 2006-11-30 2015-09-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Treatment device, treatment method, and surface treatment jig
US10037902B2 (en) 2015-03-27 2018-07-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device and substrate processing method
KR20160115801A (en) * 2015-03-27 2016-10-06 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing device and substrate processing method
KR101939437B1 (en) * 2015-03-27 2019-01-16 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing device and substrate processing method
KR20190006052A (en) * 2015-03-27 2019-01-16 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing device and substrate processing method
KR102044114B1 (en) * 2015-03-27 2019-11-12 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing device and substrate processing method
US10998203B2 (en) 2015-03-27 2021-05-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device and substrate processing method
US11804387B2 (en) 2015-03-27 2023-10-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device and substrate processing method
JP2022104866A (en) * 2020-12-30 2022-07-12 セメス株式会社 Back nozzle unit and substrate processing device having the same
TWI804944B (en) * 2020-12-30 2023-06-11 南韓商細美事有限公司 Back nozzle unit and process chamber and apparatus for processing a substrate
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