JP3846773B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示器用のガラス基板などの非円形基板を水平面内で回転させながら薬液処理、洗浄処理や乾燥処理などの所要の処理を施す基板処理装置で、特に基板上に均一な処理を行うための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置として、例えば、ガラス基板を水平面内で回転させながら、基板Ｗの表裏面に薬液処理、洗浄処理、乾燥処理をその順に施す装置がある。この基板処理装置は、ガラス基板を水平姿勢で保持する回転支持板を備えている。回転支持板は平面視で円形状の平板であって、その上面にガラス基板の外周縁に係合してガラス基板を支持する複数個の駆動ピンが立設されている。
【０００３】
回転支持板の回転中心部が駆動源に連結されている。そして、ガラス基板の下面中心部とガラス基板の上面中心部に臨んでおのおの液ノズルが配設されており、この各液ノズルは薬液供給源および洗浄液供給源に選択的に接続されている。
【０００４】
以上のように構成された基板処理装置においては、次にように基板処理が行われる。
まず、回転支持板にガラス基板が載置される。続いて、駆動源が始動して、回転支持板の回転に伴って、その回転力が駆動ピンを介してガラス基板に伝達され回転する。ガラス基板の回転数が所定値に達すると、上下の液ノズルから薬液および洗浄液をその順に供給して、ガラス基板の表裏面の処理を行う。ガラス基板の薬液処理および洗浄処理が終わると、ガラス基板を回転させながら基板Ｗの乾燥処理を行う。
【０００５】
このような基板処理装置でガラス基板のような角形基板などの非円形の基板を処理する場合には、基板の外周部分で処理液の供給がバラつく傾向になり、処理の均一性が損なわれることがある。これは、非円形基板の場合、円形基板より回転中の基板周縁までの処理液の流れが異なることが原因で、処理均一性の確保が困難である。
【０００６】
従来のこの問題を解決する基板処理装置として、例えば特開２０００−２４６１６３号公報に以下の構成が提案されている。すなわち、角形基板を円形状に変換するための保持基板を備えている。この保持基板は、回転支持板にネジなどにより一体に固定され、角形基板の外周に沿って、角形基板と同じ表面高さになるようにされる。その結果、角形基板の全面で均一な処理を得ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。提供されている公知の技術は、保持基板が回転支持板に固定であるため、基板Ｗの表裏面に薬液処理、洗浄処理、乾燥処理をその順に施す装置に適用すると、処理が猥雑になった。
【０００８】
すなわち、保持基板は薬液処理中に角形基板と同様に薬液に曝されることとなるが、続いて洗浄処理を行うには、この保持基板に付着した薬液も角形基板に残余している薬液と同様に洗い流す必要が生じてしまう。保持基板を角形基板の周囲に配置されるもので、本来角形基板の大きさのみの洗浄でよかったものが、更に大きな面積を洗浄しなければならなく処理に時間がかかった。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、その本発明の目的は、処理の各工程において最適な処理形態を実施し得る装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上記目的を達成するために、本発明は、処理液が供給された基板を回転させながら、基板に所要の処理を施す基板処理装置において、非円形の基板を略水平に保持して回転する基板保持手段と、前記基板保持手段で保持された基板の表面高さと表面高さが等しくなるように、基板の周囲を取り囲む基板並列位置に位置して、基板と併せて上面円形を形成する整流体と、前記整流体を上下動させる昇降駆動機構と、前記基板保持手段で保持された基板の処理面に処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理液供給手段により供給される処理液に応じて、前記整流体を昇降駆動機構により前記基板並列位置から基板より上方の退避位置に離間する制御手段と、を具備することを特徴とする基板処理装置である。
【００１１】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記基板保持手段で保持された基板の上方に昇降駆動する遮蔽板と、を具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明の作用は次のとおりである。請求項１に係る発明の基板処理装置においては、処理液が供給された基板を回転させながら、基板に所要の処理を施す。基板保持手段で保持された非円形の基板と、整流体が基板の周囲を取り囲む基板並列位置に位置して、表面高さが等しくなる。制御手段は、処理液供給手段により基板の処理面に供給される処理液に応じて、整流体を昇降駆動機構により基板並列位置から基板より上方の退避位置に離間する。よって、整流体が退避位置にあるときは、整流体が基板より上方に位置して整流体への処理液の付着が防止できる一方で、整流体が基板並列位置にあるときは、非円形の基板と併せて上面円形を形成して処理液の均一な状態を維持しながら整流体も処理することができる。その結果、処理液に応じて基板処理を最適な処理形態で実施することが可能となっている。また、請求項２に係る発明によれば、基板保持手段で保持された基板の上方に昇降駆動する遮蔽板を有する。このため、整流体が基板並列位置から基板より上方の退避位置に離間し、遮蔽板も上昇されることで、基板のみで処理を行うことができる。一方で、整流体が下降されて基板並列位置に位置し、遮蔽板も下降されることで、雰囲気制御して処理を行うことができる。
【００１３】
また、請求項３に係る発明によれば、基板保持手段は、回転支持板と、該回転支持板上に設けられた突起とを有する一方で、整流体は、突起と嵌合可能な凹部を形成する凹部突起を有し、制御手段が整流体を基板並列位置に位置させた際に、突起が凹部突起に嵌合することで整流体が回転支持板に一体的に支持される。このため、整流体が基板並列位置に位置すると、回転支持板と整流体とが一体となって、基板と整流体とが一体的に回転する。したがって、非円形の基板は整流体により擬似的に円形とされ、基板を回転により流れる処理液は、基板の全面において均一な状態を維持できる。また、請求項４に係る発明によれば、所要の処理として基板に薬液を供給して薬液処理を行った後に、基板に洗浄液を供給して薬液を洗い流す洗浄処理を行う場合、薬液処理を行う際には整流体を退避位置に位置させる一方で、洗浄処理を行う際には整流体を基板並列位置に位置させている。このため、薬液処理時には整流体は基板より上方に位置して整流体への薬液の付着が防止できる一方で、洗浄処理時には、非円形の基板と併せて上面円形を形成して洗浄液の均一な状態を維持しながら整流体も洗浄処理することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
＜第１実施例＞
本発明の実施の形態を、基板の一例として液晶表示器用のガラス基板の処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明する。ただし、本発明は、ガラス基板の処理に限らず、非円形の各種の基板の処理にも適用することができる。また、本発明が適用できる基板処理は、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理を同じ装置内で連続して行うものだけに限らず、単一の処理を行うものや、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理を同じ装置内で連続して行うものなどにも適用可能である。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態としての基板処理装置が配置された基板処理システムの構成を示す概略斜視図である。
この基板処理システム１では、一方の端部にＬＣＤ用ガラス基板Ｗ（以下、単に基板Ｗという）を基板処理装置２に搬入出する移載装置３が配置される。この移載装置３の、一端に基板Ｗを収容する複数のカセット４が載置可能に構成されたカセットステーション５が設けられており、このカセットステーション５の側方には、カセット４から処理工程前の一枚ずつ基板Ｗを取出しと共に、処理工程後の基板Ｗをカセット４内に１枚ずつ収容する搬送アーム６を備えた基板搬送装置７とが備えられている。
【００１６】
カセットステーション５の載置部８は、基板Ｗを２５枚収納したカセット４を複数個載置できる構成になっている。基板搬送装置７は、水平、昇降（Ｘ、Ｙ、Ｚ）方向に移動自在でると共に、かつ鉛直軸を中心に回転（θ方向）できるように構成されている。
【００１７】
次に基板処理装置２の構成について説明する。図２は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。この基板処理装置２は、矩形状の基板Ｗを処理するのに、基板を保持する回転支持部２０、それらを回転する駆動部３０、回転支持部２０の上側で処理空間Ｓを形成し遮蔽する上部遮蔽部４０、上部遮蔽部４０の昇降部５０、基板Ｗから振り切られる液体を回収するカップ部６０、基板Wに超音波洗浄を洗浄を行う超音波洗浄機構２００、それぞれの機構を収納するユニットハウジング７０を備えている。
【００１８】
回転支持部２０は、上平面視でドーナツ状の回転支持板２１に、基板Ｗを下面から支える支持ピン２２と駆動ピン２３が立設されて構成されている。駆動ピン２３は、図３に示すように基板Wの４角部に対応して２個ずつ配置される。なお、図１では、図面が煩雑になることを避けるために、２個の駆動ピン２３のみを示している。そして、符号２１１は、後述する整流板の凹部に嵌合する突起である。この突起２１１により整流体を回転支持板２１上に保持する。
【００１９】
駆動ピン２３は、基板Ｗの外周端縁を下方から支持する支持部２３ａと支持部２３ａに支持された基板Ｗの外周端面に当接して基板Ｗの移動を規制する案内立ち上がり面２３ｂとを備えている。基板Ｗは、この回転支持板２１に水平姿勢で保持される。
【００２０】
駆動部３０は、回転支持板２１の回転中心の開口２４に連結して設けられている。そして、この開口２４に連通するように、回転支持板２１の下面に接続される筒軸３１と、この筒軸３１をベルト機構３２を介して回転するモータ３３とから構成されている。このモータ３３は本発明における駆動手段に相当し、筒軸３１は駆動軸に相当する。モーター３３を駆動することによって、筒軸３１、回転支持板２１とともに、保持された基板Ｗを鉛直方向の軸芯周りで回転させる。
【００２１】
また、筒軸３１は中空を有する筒状の部材で構成され、中心に沿って液ノズル３４が配設されており、この液ノズル３４の先端が基板Ｗの下面中心部に臨んでいる。そして上端部のノズル孔３４ａから基板Ｗの下面の回転中心付近に処理液を供給できるように構成されている。
【００２２】
筒軸３１は回転支持板２１の開口２４に臨んで延在し、回転支持板２１より上側に位置し排出口３６が開口される。そして、排出口３６において、この液ノズル３４の側面と筒軸３１内周面との間隙から大気圧雰囲気からのエアーが吐出される。液ノズル３４の先端部には断面Ｔ字状に形成され、平坦な上面の中央部に洗浄液のノズル孔３４ａが開口される。
【００２３】
液ノズル３４は、配管８０に連通接続されている。この配管８０の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管８０ａには薬液供給源８１が連通接続され、他方の分岐配管８０ｂには純水供給源８２が連通接続されている。各分岐配管８０ａ、８０ｂには開閉弁８３ａ、８３ｂが設けられていて、これら開閉弁８３ａ、８３ｂの開閉を切り換えることで、ノズル孔３４ａから薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できるようになっている。
【００２４】
また、気体供給路３５は、開閉弁８４ａが設けられた配管８４を介して気体供給源８５に連通接続されていて、気体供給路３５の上端部の吐出口３５ｃから回転支持板２１と基板Ｗの下面との間の空間に、清浄な空気や清浄な不活性ガス（窒素ガスなど）などの清浄な気体を供給できるように構成されている。
【００２５】
また、筒軸３１と液ノズル３４との間隙は流量調整弁８６ａを介して配管８６が大気圧雰囲気に開放されるよう構成されている。筒軸３１と液ノズル３４との間隙は開口３６を介して大気圧雰囲気からのエアーを排出される。この構成により、回転支持板２１が回転するとその遠心力で処理空間Ｓ内のエアーは排出され、回転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、大気圧雰囲気に開放されている筒軸３１内部はポンプ効果によりエアーを吸入する。その際、流量調整弁８６ａにより吸引されるエアー量は後述するように処理空間Ｓ内の気圧状態を所望の状態に設定するように調整される。
【００２６】
モータ３３やベルト機構３２などは、この基板処理装置２の底板としてのベース部材７１上に設けられた円筒状のケーシング３７内に収容されている。このケーシング３７が、筒軸３１の外周面に軸受け３８を介して接続され、筒軸３１を覆おう状態となる。すなわち、モータ３３から回転支持板２１に接続する直前までの筒軸３１の周囲をケーシング３７で覆い、これに伴い筒軸３１に下方に取り付けられたモータ３３もカバーで覆った状態とする。さらに、筒軸３１がケーシング３７の箇所の気密性を高めるため、ケーシング３７から突き出て回転支持板２１の下面を支持するでの筒軸３１の周囲の雰囲気を、その周面に沿って設けられた略円形状のシール部９０で密封する。
【００２７】
上部遮蔽部４０は、基板Ｗを挟んで回転支持板２１に対向するように上部回転板４１が配設されている。この上部回転板４１は基板Ｗの周縁領域を覆うリング状を呈しており、中央部に大きな開口４１ａが開けられている。そして開口４１ａの周囲は仕切壁４１ｂが円筒状に立設されており、この仕切壁４１ｂ内に、開口４１ａを塞ぐように補助遮蔽機構４５と、基板Ｗの上面に純水などの洗浄液を供給する液ノズル４３が、上下移動自在に設けられている。
【００２８】
そして、上部回転板４１は押えピン４４を介して駆動ピン２３により支持され、回転支持板２１とで挟まれた処理空間Ｓを構成している。そして、処理空間Ｓに整流体４００が配置される。駆動ピン２３は、支持部２３ａが基板Ｗの周縁に対して点接触することで基板Ｗに不均一に応力がかかることを防止している。押えピン４４は、逆凸形状を呈し、上部回転板４１下面に固定して取り付けられている。
【００２９】
整流体４００は、図３に示すように、円形の薄板より構成され、その中央内部に基板Ｗの外形より大きい開口４１０が形成される。開口４１０の４隅の角部４２０は、駆動ピン２３と押えピン４４が嵌合するために拡張して開口されてなる。そして、回転支持板２１上の突起２１１と嵌合する、凹部を形成する４個の凹部突起４３０が整流体４００の上面に配置される。
【００３０】
上記の構成により、駆動ピン２３は押えピン４４とで上下に分離可能に構成されている。上部回転板４１が処理位置まで下降移動されたときに、駆動ピン２３が押えピン４４に嵌合することにより、上部回転板４１が回転支持板２１と一体回転可能に回転支持板２１に支持されるようになっている。整流体４００は、回転支持板２１の突起２１１に凹部突起４３０が嵌合することで、回転支持板２１上に保持される。つまり、駆動ピン２３は、上部回転板４１を回転支持板２１に着脱自在に支持する支持機構を兼ねている。また、この押えピン４４が基板Ｗの浮き上がりを防止する。
【００３１】
補助遮蔽機構４５は、円板形状の遮蔽板４５１の中心開口４５２に液ノズル４３が間隙４５２ａにより非接触に挿入配置されている。中心開口４５２の上端にはプレート４５３が延設され、その端部に昇降駆動手段４５４が連設される。昇降駆動機構４５４は公知のシリンダー等により構成され、後述する接離機構４３０の支持アーム４３１に装着される。
【００３２】
この構成により、回転支持板２１が回転するとその遠心力で処理空間Ｓ内のエアーは排出され、回転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、処理空間Ｓは遮蔽板４５１と液ノズル４３との間隙４５２ａよりエアーを吸入する。その際、間隙４５２ａは吸引されるエアー（気流）の流れに抵抗を与えて、処理空間Ｓ内に供給されるエアーの流量を制限する役目を担っている。そして、エアー量は後述するように処理空間Ｓ内の気圧状態を所望の状態に設定するように調整される。処理空間Ｓは、基板Ｗを挟んで下部と上部に区画され、間隙４５２ａにより上部に流入するエアー流量を規定することで上部の気圧を設定し、開口３６により下部に流入するエアー流量を規定することで下部の気圧を設定する。この基板Ｗの上部と下部の気圧の設定で基板Ｗの回転処理中の浮き上がりや波打ちが抑制される。
【００３３】
次に図４を参照して上部回転板４１の昇降部５０と整流体４００の昇降駆動機構４５０について説明する。まず昇降部５０は、上部回転板４１の上面に上方に張り出し設置されたＴ字状の係合部５１と、この係合部５１の上部鍔部５１ａに連結された昇降駆動手段５２とから構成されている。この昇降駆動手段５２はシリンダー５３のロッド５４が伸縮することでアームバー５５が昇降する。アームバー５５の先端は、係合部５１の上部鍔部５１ａが係合される。この構成でアームバー５５が上部鍔部５１ａに当接して上下動することにより、回転支持板２１に支持される処理位置と、基板Ｗの搬入・搬出を許容する上方の退避位置とにわたって上部回転板４１が移動するようになっている。尚、図２では、２つの昇降駆動手段５２が開示されているが、上部回転板４１の上面で等間隔に４つの係合部５１が配置され、それに対応して４つの昇降駆動手段５２が配置される。そして上部回転板４１の回転停止位置の制御により、係合部５１とアームバー５５が係合される。
【００３４】
次に、整流体４００の昇降駆動機構４５０は、整流体４００の周縁の下方に係合し昇降するよう構成されている。この昇降駆動機構４５０はシリンダー４５３のロッド４５４が伸縮することでアームバー４５５が昇降する。アームバー５５の先端は、整流体４００の周縁下面に係合される。この構成でアームバー４５５が整流体４００の周縁下面に当接して上下動することにより、回転支持板２１に支持された基板Ｗの表面高さと表面高さが等しくなるように、基板Ｗの周囲を取り囲む基板並列位置に基板Ｗと併せて上面円形を形成する処理位置、すなわち回転支持板２１に支持された状態と、アームバー４５５に支持され基板Ｗの搬入・搬出を許容する上方の退避位置とにわたって整流体４００が移動するようになっている。尚、図２では、２つの昇降駆動機構４５０が開示されているが、上部回転板２１の上面で等間隔に４つのアームバー４５５が配置され、それに対応して４つの昇降駆動機構４５０が配置される。そして回転支持板２１の回転停止位置の制御により、整流体４００とアームバー４５５が係合される。また、昇降駆動機構４５０のシリンダー４５３は、後述するカップ部６０内に配置される。
【００３５】
さらに、この昇降部５０、昇降駆動機構４５０と上部回転板４１の上方は、例えばステンレス鋼板に多数の小孔を開けた、いわゆるパンチングプレートであって、中心側に開口が形成された流路抵抗部材５７が配置されている。この流路抵抗部材５７は、その内周縁には仕切壁５７ａが下方に延在して構成され、仕切壁５７ａは仕切壁４１ｂの外周面に近接している。流路抵抗部材５７の外周縁はユニットハウジング７０に接続される。そして、この流路抵抗部材５７が装置２内の上部を略閉塞し２分することで、後述する排気構造を介した排気に伴う負圧に応じて、引き込まれるエアー（気流）に流れを与えて、処理空間Ｓから排出されるミストを含んだエアーが飛散することを制限する役目を担っている。この流路抵抗部材５７の上面に昇降部５０のシリンダー５３は載置され、流路抵抗部材５７を貫通して下方にロッド５３が延設される。
【００３６】
なお、流路抵抗部材５７は本実施例のようなパンチングプレートに限らず、例えば複数枚の板材を鉛直方向に傾斜させて近接配置したものであってもよく、好ましくは、このような板材の傾斜角度を変えることにより、流路抵抗を可変するようにしてもよい。
【００３７】
さらに、流路抵抗部材５７の上面には液ノズル４３の接離機構４３０と、図５に示すように上部遮蔽部４０を挟んで対角線上に超音波洗浄機構２００が配置される。液ノズル４３は、支持アーム４３１に支持され、支持アーム４３１は接離機構４３０によって旋回及び昇降される。この支持アーム４３１の昇降によって、基板Ｗに対して液ノズル４３が接離され、旋回によって上部遮蔽部４０の中心位置（図２の状態）と側部の待機位置（図３の状態）との間で旋回するように構成されている。このような接離動を実現する接離機構４３０は、螺軸などを用いた機構や、あるいは、エアシリンダなどで構成されている。この時、補助遮蔽機構４５も同時に昇降および旋回を行うが、遮蔽板４５１は昇降駆動手段４５４により独立して液ノズル４３に沿って昇降可能とされる。
【００３８】
液ノズル４３の中空部には、液供給管４３２が貫通され、その下端部から回転支持板２１に保持された基板Ｗの上面の回転中心付近に処理液を供給できるように構成されている。液供給管４３２は配管８７に連通接続されている。この配管８７の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管８７ａには薬液供給源８１が連通接続され、他方の分岐配管８７ｂには純水供給源８２が連通接続されている。各分岐配管８７ａ、８７ｂには開閉弁８８ａ、８８ｂが設けられていて、これら開閉弁８８ａ、８８ｂの開閉を切り換えることで、液ノズル４３から薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できるようになっている。
【００３９】
また、液ノズル４３の内周面と液供給管４３２の外周面との間の隙間は、気体供給路４３３となっている。この気体供給路４３３は、開閉弁８９ａが設けられた配管８９を介して気体供給源８５に連通接続されていて、気体供給路４３３の下端部から上部回転板４１と基板Ｗの上面との間の空間に清浄な気体を供給できるように構成されている。この気体供給路３５とガス貯溜部３５ａ、導管３５ｂ、吐出口３５ｃ、配管８４、開閉弁８４ａおよび気体供給源８５が本発明の不活性ガス噴出手段に相当する。
【００４０】
超音波洗浄機構２００は、図５に示すように、接離機構２０１と、接離機構２０１の側部から延設される支持アーム２０２と、支持アーム２０２の先端に２個の著音波洗浄ノズル２０３が支持される。この構成により支持アーム２０２は接離機構２０１によって接離機構２０１の回動中心２０４を中心に旋回及び昇降される。この支持アーム４３１の昇降によって、基板Ｗに対して超音波洗浄ノズル２０３が接離され、旋回によって上部遮蔽部４０の中心位置（図２の状態）と側部の待機位置（図５の状態）との間で旋回するように構成されている。
【００４１】
さらに、支持アーム２０２の先端の超音波洗浄ノズル２０３を保持する保持片２０２ａはその大きさが上部回転板４１の開口４１ａの直径より少し短尺に形成され、開口４１ａより進入してた状態で支持アーム２０２が開口４１ａの直径分の長さ旋回することで、保持片２０２ａが基板Ｗの表面に対向した状態で超音波洗浄ノズル２０３を走査する。
【００４２】
また、保持片２０２ａが基板Ｗと上部回転板４１との間に進入するには、支持アーム２０２が開口４１ａの仕切壁４１ｂに近接して旋回を停止することで、開口４１ａを保持片２０２ａが通過可能とする。そして、保持片２０２ａが支持アーム２０２の旋回方向に直角に形成され、支持アーム２０２が基板Ｗの回転中心Ｐから仕切壁４１ｂまで旋回することで、保持片２０２ａの先端は基板Ｗの回転軌跡Ｗ１まで移動することができる。その結果、保持片２０２ａに装着される超音波洗浄ノズル２０３が基板Ｗの半径方向を走査して、基板Ｗが回転することで、基板Ｗ全面を洗浄する。
【００４３】
図２に戻って、カップ部６０は、回転支持板２１と上部回転板４１との外周端の間隙である口に臨んで開口したリング状の排気カップ６１が配設され、以下の排気構造を含む。排気カップ６１の底面６２には、円筒状の仕切り部材６３が立設されていて、この仕切り部材６３と排気カップ６１の内周壁６１ａとによって、また、仕切り部材６３と排気カップ６１の外周壁６１ｂとによって、各々平面視で略ドーナツ形状の第１の排液槽６４ａ、第２の排液槽６４ｂが形成されている。それぞれの第１の排液槽６４ａ、第２の排液槽６４ｂはその空間が排液と排気を兼ねる。
【００４４】
次に図６と図７を参照して更に詳細に説明する。図６は排気カップ６１の平面図、図７は排気カップ６１の一部断面側面図である。第１の排液槽６４ａの底面には廃棄ドレインに連通接続された第１の排液口６５ａが設けらている。この第１の排液口６５ａの基板Ｗ回転方向Ｆの下流側には第１の排気口６６ａが底面に設けられおり排気部に連通接続される。この第１の排気口６６ａの上方を覆うように第１のスカート部６７ａが配設される。
【００４５】
第１のスカート部６７ａは、排気カップ６１の内周壁６１ａと仕切り部材６３との間に渡って配設され、第１の排気口６６ａの上方から基板回転方向Ｆの下流側に向かって下方へ傾斜し、その下端が次の第１の排液口６５１ａが開口される底面の上流側に連接して配設される。すなわち、第１のスカート部６７ａは第１の排液槽６４ａの形状に沿って円弧を描くように湾曲され、基板回転方向Ｆに沿って上流側から下流側へ向かって下方へ傾斜している。
【００４６】
このような第１のスカート部６７ａは、第１の排液槽６４ａの全周において、円周方向に４個（６７ａ、６７１ａ、６７２ａ、６７３ａ）配置され、それに応じて第１の排液口６５ａと、第１の排気口６６ａが同じ位置配置で構成される。以上の構成により、基板Ｗの処理に伴って発生するミスト等の渦流は、回転支持板２１が基板回転方向Ｆに旋回して、各第１のスカート部６７ａに案内されて旋回流として第１の排液槽６４ａの内部を下方へ流れる。そして、排気カップ６１に底面でまず第１の排液口６５ａ にて気液混合流体の液体成分が回収され、気体成分は下流側へと進み、下流側に配設された第１の排気口６６ａ から排気される。この時、第１の排気口６６ａの上方は第１のスカート部６７ａで覆われているので、落下してくる液体成分が直接、進入することはなく、気液混合流体は旋回されて、底部で良好に気液分離される。
【００４７】
第２の排液槽６４ｂは、第１の排液槽６４ａと同様の構成で、その全周において第２のスカート部６７ｂが円周方向に４個（６７ｂ、６７１ｂ、６７２ｂ、６７３ｂ）配置され、それに応じて第２の排液口６５ｂと、第２の排気口６６ｂが同じ位置配置で構成される。一方、第２の排液槽６４ｂは、第１の排液槽６４ａの外周に位置するので、その底面の形状が半径方向に大きくなる。そのため、第２の排気口６６ｂの上流側に第２の排液槽６４ｂ、６４ｃと２個配置することで、より液体成分の分離回収を確実な構成としている。以上の構成により、基板Ｗの処理に伴って発生するミスト等の渦流は、各第２のスカート部６７ｂに案内されて旋回流として、排気カップ６１に底面でまず第２の排液口６５ｂ、６５ｃ にて気液混合流体の液体成分が回収され、気体成分は下流側の第２の排気口６６ｂ から排気される。
【００４８】
なお、図２では、図面が煩雑になることを避けるために、仕切り部材６３及び、後述する周囲案内部材６８（スプラッシュガード）は、断面形状のみを示している。第１、第２の排液槽６４ａ、６４ｂの上方には、回転支持板２１及びそれによって保持された基板Ｗの周縁の周囲を包囲するように、軸芯Ｊに対して略回転対称な形状を有する筒状の周囲案内部材６８が昇降自在に設けられている。周囲案内部材６８は、その外壁面で支持部材６８１を介して昇降機構６９に支持されている。この昇降機構６９は、図示しないモーターを駆動することにより昇降され、これに伴って周囲案内部材６８が回転支持板２１に対して昇降されるようになっている。そして、図８に示すように、この昇降制御は、制御部３００によって行われるように構成されている。
【００４９】
周囲案内部材６８は、軸芯Ｊに対して回転対称な形状を有する内壁面を有している。この内壁面には、傾斜面が形成され下端部には垂直部６８ａ、６８ｂが連なっている。各垂直部６８ａ、６８ｂは、その上端で連結されており、この連結部分には円周方向に、垂直部６８ａと垂直部６８ｂの間に円環状の溝６８ｃが形成されていている。この溝６８ｃが仕切り部材６３に嵌入されるとともに、垂直部６８ａが第１の排液槽６４ａ内に、垂直部６８ｂが、第２の排液槽６４ｂ内に嵌入されるように、周囲案内部材６８が配置されている。
【００５０】
この周囲案内部材６８は、回転支持板２１に保持された基板Ｗの高さ位置に、周囲案内部材６８が位置しているとき、すなわち、昇降機構６９で上昇されたとき、回転される基板Ｗから振り切られる洗浄液が傾斜面で受け止められ、垂直部６８ａに沿って第１の排液槽６４ａに導かれる。
【００５１】
一方、周囲案内部材３０の上方側の部位には、上方に向かうほど径が小さくなるように形成されており、この外壁面が、基板Ｗの周縁が周囲案内部材６８の上方に位置する高さ位置に位置しているとき、すなわち、昇降機構６９で下降されたとき、回転される基板Ｗから降り注ぐ洗浄液が外壁面で受け止められ、第２の排液槽６４ｂに導かれることになる。
【００５２】
昇降機構６９は、ボールネジなどの周知の１軸方向駆動機構（図示せず）を備えていて、この１軸方向駆動機構で支持部材６８１を昇降させることで、周囲案内部材６８を昇降させるように構成している。また、周囲案内部材６８の各々の高さ位置に対応する昇降機構６９の高さ位置には、反射型の光センサ（いずれも図示せず）などで構成される昇降検出用のセンサが配設され、これらセンサからの検出信号に基づき、モーターが駆動制御され周囲案内部材６８が各高さ位置に位置させるように構成されている。
【００５３】
ユニットハウジング７０は、ベース部材７１上にカップ部６０を囲む大きさの枠体７２と、この枠体７２に基板搬入出口７３を形成される。この構成により、昇降駆動手段５２が昇降すると上部回転板４１が上昇し、同時に昇降駆動手段６４が昇降すると排気カップ６１が下降しする。それに伴い回転支持板２１が枠体７２の搬入口７３に臨むことにより装置２に基板Ｗを外部から搬入可能となる。
【００５４】
図８は、本装置の制御系の構成を示すブロック図であり、回転支持板２１を回転制御するためのモータ３３と、薬液供給源８１と純水供給源８２と気体供給源８５からの薬液、純水、気体の供給制御をするための開閉弁８３ａ、８３ｂ、８４ａ、８８ａ、８８ｂ、８９ａと、上部回転板４１の昇降制御をするための昇降部５０と、液ノズル４３と補助遮蔽機構４５の旋回及び接離制御をするための接離機構４３０と、遮蔽板４５１を昇降制御するための昇降駆動手段４５４と、超音波洗浄ノズル２０３を旋回及び接離制御をするための接離機構２０１と、周囲案内部材６８を昇降制御するための昇降機構６９と、整流体４００を昇降制御するための昇降駆動機構４５０とを制御するための構成が示されている。
【００５５】
制御部３００には、周囲案内部材６８が各高さに位置したことを検出するセンサからの出力信号が与えられており、これらのセンサの出力に基づいて、制御部３００は昇降機構６９を制御して、周囲案内部材６８を所望の高さに位置させるように制御している。そして、制御部３００には、基板Ｗに応じた洗浄条件が、洗浄プログラム（レシピーとも呼ばれれる）として予め制御部３００に格納されており、各基板Ｗごとの洗浄プログラムに準じて前記各部が制御されている。なお、制御部３００には、さらに洗浄プログラムの作成・変更や、複数の洗浄プログラムの中から所望のものを選択するために用いる指示部３０１が接続されている。
【００５６】
次に、以上のような構成を有する装置の動作を図９（ａ）ないし図９（ｄ）を参照して説明する。図９（ａ）は基板Ｗの薬液処理状態を示し、図９（ｂ）は洗浄処理の状態、図９（ｃ）は超音波洗浄の状態、図９（ｄ）は乾燥処理の状態を示している。なお、一例として、基板Ｗは表裏面をエッチングして洗浄する処理を施すことを目的としているものとして説明する。
【００５７】
処理工程の全体の流れについて以下に概説する。
まず、所定の基板Ｗに応じた洗浄プログラムを指示部３０１から選択して実行する。そうすると、制御部３００は基板Ｗが本実施例装置２に搬入されるとき、上部回転板４１と整流体４００および液ノズル４３は上方の退避位置にする。上部回転板４１と整流体４００が退避位置にある状態で、駆動ピン２３と押えピン４４は上下に分離されており、回転支持板２１上には駆動ピン２３だけがある。そして、昇降機構６９を制御して、周囲案内部材６８を下降させて、回転支持板２１を周囲案内部材６８の上方に位置させる。こうして、上部回転板４１と回転支持板２１との間に、基板Ｗの搬入経路が確保される。基板搬入出口７３を介して基板搬送装置７で搬送されてきた基板Ｗは、駆動ピン２３によって受け持ち支持される。基板搬送装置７の搬送アーム６が処理装置２内に入り込み、駆動ピン２３の上に未処理の基板Ｗをおき、その後、処理装置２外に退避する。
【００５８】
続いて、基板Ｗの受け取りが終わると、図９（ａ）に示すように、制御部３００は、上部回転板４１と整流体４００を離間位置のままで、周囲案内部材６８を上昇し位置させて、回転支持板２１に保持された基板Ｗの周縁に対向する高さに周囲案内部材６８を位置させる。
【００５９】
次いで、この状態で、接離機構４３０を制御し、液ノズル４３を旋回し、開口部４１ａの上方から下降させ基板Ｗ表面上に配置する。液ノズル３４、４３のから薬液を基板Ｗの下面に供給して本発明の薬液処理過程を開始する。すなわち、開閉弁８３ａ、８８ａを開成することにより、液ノズル３４、４３から洗浄用薬液としてのエッチング液を吐出させる。なお、遮蔽板４５１は昇降駆動手段４５４を伸縮して上方に位置させる。
【００６０】
さらに、制御部３００は、駆動制御信号を与え、モータ３３を回転させる。これにより、筒軸３１が回転され、回転支持板２１が一体的に回転することになる。したがって、回転支持板２１に保持されている基板Ｗは、水平に保持された状態で回転されることになる。これにより、基板Ｗの表裏面の中央に向けてエッチング液が至近距離から供給される。供給されたエッチング液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって回転半径方向外方側へと導かれるので、結果として、基板Ｗの表裏面の全域に対して隈無く薬液洗浄を行うことができる。
【００６１】
この薬液処理の際に、回転される基板Ｗの周縁から振り切られて周囲に飛散する薬液は、周囲案内部材６８に案内されて排気カップ６１の第１の排液槽６４ａで受け止められることになる。この、薬液処理の開始と同時に、第１の排液口６５ａに連通する装置外の排気手段が作動して排気カップ部６１が排気される。基板Ｗの処理に伴って発生するミスト等の渦流は、この第１の排液槽６４ａの全周において、第１のスカート部６７ａ （６７１ａ、６７２ａ、６７３ａ）に案内されて旋回流として第１の排液槽６４ａの内部を下方へ流れる。そして、排気カップ６１の底面でまず第１の排液口６５ａ にて気液混合流体の液体成分が回収され、気体成分は下流側へと進み、下流側に配設された第１の排気口６６ａ から排気され良好に気液分離される。また、この時、上部回転板４１と遮蔽板４５１が基板Ｗより離間しているので、薬液が飛散して上部回転板４１と遮蔽板４５１に付着することを防止する。
【００６２】
なお、薬液供給源８１から基板Ｗに供給されるエッチング液としては、たとえば、ＨＦ、ＢＨＦ（希フッ酸）、Ｈ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２（フッ酸過水）、Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ２Ｏ２（リン酸過水）、Ｈ２ＳＯ４＋ Ｈ２Ｏ２（硫酸過水）、ＨＣｌ＋ Ｈ２Ｏ２（アンモニア過水）、Ｈ３ＰＯ４＋ＣＨ３ＣＯＯＨ＋ＨＮＯ３、ヨウ素＋ヨウ化アンモニウム、しゅう酸系やクエン酸系の有機酸、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド）やコリンなどの有機アルカリを例示することができる。
【００６３】
また、基板Ｗから飛散され排気カップ６１に当たった薬液の一部はミストとなって浮遊することになる。しかしながら、この装置では、回転支持板２１近傍に浮遊するミストがケーシング３７との間を筒軸３１へ移動したとしても、シール部９０により、そのミストが駆動部３０に侵入することが防止される。
【００６４】
さらに、上部回転板４１と整流体４００が上方に退避しているので、基板Ｗから飛散され廃液の付着を好適に抑制することができる。すなわち、上部回転板４１と整流体４００は薬液による汚染を抑制されるので、続けて異なる処理を行う場合にも、上部回転板４１と整流体４００の汚れによって基板Ｗの処理が影響を受けることがない。
【００６５】
所定の薬液洗浄処理時間が経過すると、液ノズル３４、４３からのエッチング液の供給を停止する。続いて、制御部３００は昇降部５０を制御して、図９（ｂ）に示すように上部回転板４１を下降させると、同時に昇降駆動機構４５０を制御して整流体４００を下降させる。これにより、退避位置にあった上部回転板４１が処理位置にまで下降移動することにより、上部回転板４１の押えピン４４が回転支持板２１の駆動ピン２３に嵌合連結される。また整流体４００は突起２１１が凹部突起４３０に嵌合することで回転支持板２１に一体的に支持される。この状態で開閉弁８３ａを閉成して薬液処理過程を終了するとともに、開閉弁８３ｂ、８８ｂを開成する。
【００６６】
これにより、液ノズル３４、４３からは、洗浄液として純水が、基板Ｗの上下面の中央に向けて供給されることになる。よって、純水を基板Ｗの上下両面に供給して基板Ｗに付着している薬液を純水で洗い落とす洗浄処理過程を行う。こうして、薬液処理工程後の基板Ｗの上下面に存在するエッチング液を洗い流すための洗浄処理過程が行われる。なお、洗浄液としては、他に、オゾン水、電解イオン水などであってもよい。
【００６７】
さらに、駆動制御信号を与え、モータ３３を回転させる。これにより、筒軸３１が回転され、筒軸３１に固定されている回転支持板２１が中心を通る鉛直軸芯まわりに回転することになる。回転支持板２１の回転力は駆動ピン２３を介して基板Ｗに伝達されて、基板Ｗが回転支持板２１とともに回転する。さらに、回転支持板２１の回転力は押えピン４４を介して上部回転板４１に伝達され、上部回転板４１も回転支持板２１とともに回転する。整流体４００は、回転支持板２１に支持された基板Ｗの表面高さと表面高さが等しくなるように、基板Ｗの周囲を取り囲む基板並列位置に基板Ｗと併せて上面円形を形成する。すなわち非円形の基板Ｗは整流体４００により擬似的に円形とされ、基板Ｗの表裏面を回転により流れる純水は、基板Ｗの全面において均一な状態を維持できる。
【００６８】
さらに、制御部３００は、昇降機構６９を制御して、周囲案内部材６８を下降し位置させて、回転支持板２１に保持された基板Ｗを周囲案内部材６８より上方に位置させる。このとき、基板Ｗ上面に供給される洗浄液は、基板Ｗの回転により振り切られ、基板Ｗ周縁より流出し、周囲案内部材６８の上面に降り注ぐ。この降り注ぐ純水は、上面に沿って流下し第２の排液槽６４ｂに導かれ、第２の排液口６５ｂから排液され、廃棄ドレインを経て廃棄されることになる。
【００６９】
この、洗浄処理の開始と同時に、第２の排液口６５ｂに連通する装置外の排気手段が作動して排気カップ部６１が排気される。基板Ｗの処理に伴って発生するミスト等の渦流は、この第２の排液槽６４ｂの全周において、第２のスカート部６７ｂに案内されて旋回流として第２の排液槽６４ｂの内部を下方へ流れる。そして、排気カップ６１の底面でまず第２の排液口６５ｂ、６５ｃ にて気液混合流体の液体成分が回収され、気体成分は下流側へと進み、下流側に配設された第２の排気口６６ｂ から排気され良好に気液分離される。
【００７０】
さらに、この洗浄処理過程の際に、回転される基板Ｗの周縁から振り切られて周囲に飛散する廃液（薬液が混ざった純水）の一部はミストとなって浮遊するが、基板Ｗの上面に配置された上部回転板４１により、処理空間Ｓが塞がれているので、上部回転板４１と回転支持板２１の円環状の狭い隙間から気体が流出し、さらに、排気カップ６１の第２のスカート部６７ｂによって旋回されるので一層、流下して第２の排気口６６ｂに流れる気体の流速は比較的速くなり、回転支持板２１の下方空間で気体の対流が起き難くなる。従って、洗浄液のミストが基板Ｗに再付着することを抑制することができる。
【００７１】
洗浄処理の時間が経過すると回転支持板２１の回転を停止し、図９（ｃ）に示すように、制御部３００は、接離機構４３０を制御して、液ノズル４３と遮蔽板４５１を待機位置に位置させる。そして、超音波洗浄機構２００の接離機構２０１を制御して保持片２０２ａを開口４１ａの範囲に位置するように支持アーム２０２を旋回する。次に、支持アーム２０２を下降して、保持片２０２ａを処理空間Ｓ内に進入させる。保持片２０２ａが上部回転板４１と基板Ｗとの間隙に位置すると、支持アーム２０２の下降を停止する。
【００７２】
次に、制御部３００は、２個の超音波洗浄ノズル２０３、２０３から洗浄液を吐出しながら支持アームを基板Ｗの半径間を往復移動する。所定回数、往復移動を行った後、超音波洗浄ノズル２０３、２０３からの洗浄液の吐出を停止して、支持アーム２０２を保持片２０２ａが開口４１ａの中央付近まで移動させる。そして、接離機構２０１により支持アーム２０２を上昇させ、上部回転板４１より上部に位置してから、待機位置へ旋回させる。
【００７３】
この時、整流体４００は基板並列位置のままで、上部回転板４１は退避位置に上昇される。こうすることで、上部回転板４１が超音波洗浄ノズル２０３、２０３の旋回の際に当接することを防止される。また、整流体４００を配置したまま超音波洗浄を行うことで以下のような効果がある。すなわち、基板Ｗの周縁端部を洗浄するのに、一部が基板Ｗ周縁から逸脱して洗浄が行われる。こうすると基板Ｗの周縁には超音波洗浄がバランスを崩して行われ、その結果、処理が不均一になる。そこで、基板Ｗの並列位置に整流体４００があることで、基板Ｗの周縁端部を洗浄する際には、基板Ｗの周縁端部と整流体４００に渡って超音波洗浄を行う。こうすることで、超音波洗浄は常に同一高さ面に対して作用することで、バランスが保たれて均一な処理が行える。また、整流体４００があることで、不必要に処理液が基板Ｗの裏面に回り込むことも防止される。すなわち、この超音波洗浄機構２００による洗浄を行う間、基板Ｗの上面に均一的に超音波洗浄が行われる。
【００７４】
洗浄液の供給が停止された後は、上部回転板４１が下降され回転支持板２１に載置される。そして、回転支持板２１が高速回転駆動されることにより、基板Ｗに付着した洗浄液が振り切られる。この乾燥工程の際、図９（ｄ）に示すように、制御部３００は接離機構４３０を制御して液ノズル４３と遮蔽板４５１を上部回転板４１の開口４１ａに対向する位置まで旋回させる。そして、昇降駆動手段４５４を伸長させて、遮蔽板４５１を基板Ｗに近接するまで下降する。
【００７５】
続いて、開閉弁８４ａ、８９ａを開成し、気体供給路３５、４３３から基板Ｗの上下面に窒素ガスを供給させる。これにより、処理空間Ｓの空気は、すみやかに窒素ガスに置換されるので、洗浄処理後の基板Ｗの上下面に不所望な酸化膜が成長することはない。この時、整流体４００が基板Ｗの表面高さと表面高さが等しくなるように、基板Ｗの周囲を取り囲む基板並列位置に基板Ｗと併せて上面円形を形成するので、気流が整流されて速やかに処理空間Ｓから排出される。基板Ｗから振り切られた洗浄液のミストはエアーの流れに乗って処理空間Ｓ内を半径方向外側に流動し、回転支持板２１と上部回転板４１及び遮蔽板４５１の間隙から排出される。そして、排出された洗浄液のミストを含むエアーは排気カップ部６１および排気管６２、６２を介して装置２外へ排出される
【００７６】
また、回転支持板２１と上部回転板４１との間隙（処理空間Ｓ）は外周端側で絞られて、その上下の間隔が回転中心側のそれよりも狭くなっているので、外周からのエアーの排出量が規制される。これに合わせて、回転支持板２１側から基板Ｗとの処理空間Ｓである下側空間内へポンプ効果により吸入されるエアーの量も流量調整弁８６ａによって調整され、また、上部回転板４１側から基板Ｗとの処理空間Ｓである上側空間内へ吸入されるエアーの量は流路抵抗部材４２によって規制される。
【００７７】
乾燥工程の終了後には、モータ３３の回転を停止させ、さらに、上部回転板４１、整流体４００および液ノズル４３と遮蔽板４５１が退避位置に戻されて、基板搬送装置７によって処理済の基板Ｗが装置外へ搬出される。以下、上述したと同様に未処理の基板Ｗが搬入されて処理が繰り返し行われる。
【００７８】
以上、上記実施例によれば、この基板処理装置は、ガラス基板などの非円形の基板Ｗを上下の回転板で処理空間の雰囲気制御を行いながら水平面内で回転させて、基板Ｗの表裏面に処理を施す装置である。整流体は基板の周囲を取り囲む基板並列位置に位置して表面高さが等しく基板並列位置と、基板並列位置から離間する状態とに切り換え制御される。よって、処理液が薬液のような場合、整流体を基板並列位置から離間して、基板のみで処理が行われる。また、処理液が洗浄液のような場合、整流体は下降されて基板並列位置に位置されて処理が行われる。その結果、薬液処理時には整流体は薬液が付着せず、洗浄処理時は整流体も洗浄されるように最適な処理形態で実施される。
【００７９】
本発明は上述した実施例に限らず次のように変形実施することができる。
（１）処理ノズルは超音波洗浄ノズルに限らず、ジェットノズルやミストノズルや他のノズル形態のものを適用してもよい。
【００８０】
（２）さらに、上記実施例では、エッチング液による薬液処理を例に説明したが、剥離液を用いた処理に適用してもよい。
【００８１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、この基板処理装置は、非円形の基板に対して整流体を並列位置に配置する状態と配置しない状態に切り換え制御される。よって、基板処理が最適な処理形態で実施される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理システムの一実施例の概略構成を示した斜視図である。
【図２】本発明に係る基板処理装置の一実施例の概略構成を示した縦断面図である。
【図３】回転支持板上部の構成を説明する分解斜視図である。
【図４】回転支持板側部の構成を説明する要部拡大図である。
【図５】上部遮蔽機構とその周辺の構成を示す概略平面図である。
【図６】排気カップの構成を示す平面図である。
【図７】排気カップの構成を示す一部断面側面図である。
【図８】本装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図９】図９は基板Ｗの処理状態を説明する図で、（ａ）は基板Ｗの薬液処理状態を示し、（ｂ）は洗浄処理の状態、（ｃ）は超音波洗浄の状態、（ｄ）は乾燥処理の状態を示している説明図である。
【符号の説明】
Ｗ 基板
Ｓ 処理空間
２ 基板処理装置
２０ 回転支持部
３０ 駆動部
４０ 上部遮蔽部
６０ カップ部
６１ 排気カップ
２１ 回転支持板
４１ 上部回転板
４００ 整流体
４５０ 昇降駆動機構
４５１ 係合部
５２ 昇降駆動手段[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is a substrate processing apparatus for performing required processing such as chemical processing, cleaning processing and drying processing while rotating a non-circular substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display in a horizontal plane, and in particular, uniform processing on the substrate. Relates to an apparatus for performing.
[0002]
[Prior art]
As a conventional substrate processing apparatus of this type, for example, there is an apparatus that performs chemical processing, cleaning processing, and drying processing on the front and back surfaces of the substrate W in that order while rotating the glass substrate in a horizontal plane. The substrate processing apparatus includes a rotation support plate that holds a glass substrate in a horizontal posture. The rotation support plate is a flat plate having a circular shape in a plan view, and a plurality of drive pins that support the glass substrate by being engaged with the outer peripheral edge of the glass substrate are provided on the upper surface thereof.
[0003]
The rotation center part of the rotation support plate is connected to a drive source. And each liquid nozzle is arrange | positioned facing the lower surface center part of a glass substrate, and the upper surface center part of a glass substrate, and each this liquid nozzle is selectively connected to the chemical | medical solution supply source and the washing | cleaning liquid supply source.
[0004]
In the substrate processing apparatus configured as described above, the substrate processing is performed as follows.
First, a glass substrate is placed on the rotation support plate. Subsequently, the drive source is started, and with the rotation of the rotation support plate, the rotational force is transmitted to the glass substrate via the drive pin and rotated. When the number of rotations of the glass substrate reaches a predetermined value, the chemical solution and the cleaning solution are supplied in this order from the upper and lower liquid nozzles, and the front and back surfaces of the glass substrate are processed. When the chemical treatment and the cleaning treatment of the glass substrate are finished, the substrate W is dried while rotating the glass substrate.
[0005]
When processing a non-circular substrate such as a square substrate such as a glass substrate with such a substrate processing apparatus, the supply of the processing liquid tends to vary at the outer peripheral portion of the substrate, and processing uniformity is impaired. Sometimes. In the case of a non-circular substrate, it is difficult to ensure processing uniformity because the processing liquid flows from the circular substrate to the periphery of the rotating substrate.
[0006]
As a conventional substrate processing apparatus for solving this problem, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-246163 proposes the following configuration. That is, a holding substrate for converting a square substrate into a circular shape is provided. The holding substrate is integrally fixed to the rotation support plate with screws or the like, and is made to have the same surface height as the rectangular substrate along the outer periphery of the rectangular substrate. As a result, uniform processing can be obtained on the entire surface of the rectangular substrate.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional example having such a configuration has the following problems. Since the holding substrate is fixed to the rotation support plate, the known technology provided is complicated when applied to an apparatus that sequentially performs chemical treatment, cleaning treatment, and drying treatment on the front and back surfaces of the substrate W. .
[0008]
That is, the holding substrate is exposed to the chemical solution in the same manner as the square substrate during the chemical treatment, but in order to perform the cleaning process subsequently, the chemical solution adhering to the holding substrate is also the chemical solution remaining on the square substrate. Similarly, it will be necessary to wash away. Although the holding substrate is arranged around the square substrate, and it was originally only necessary to clean the size of the square substrate, a larger area has to be cleaned, and the processing takes time.
[0009]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an apparatus capable of implementing an optimum processing form in each process step.
[0010]
[Means for solving the problems and their functions and effects]
  To achieve the above object, the present invention provides a substrate processing apparatus for performing a required process on a substrate while rotating the substrate supplied with a processing liquid, and rotating the substrate while holding the non-circular substrate substantially horizontally. A holding unit and a rectifier that forms a top circular shape together with the substrate, located at a substrate parallel position surrounding the periphery of the substrate so that the surface height of the substrate held by the substrate holding unit is equal to the surface height. An elevating drive mechanism for moving the rectifier up and down, a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the processing surface of the substrate held by the substrate holding means, and a processing liquid supplied by the processing liquid supply means Accordingly, the rectifier is moved from the substrate parallel position by the lift drive mechanism.In the retracted position above the boardAnd a control means for separating the substrate processing apparatus.
[0011]
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the apparatus further comprises a shielding plate that is driven to move up and down above the substrate held by the substrate holding means.
[0012]
  The operation of the present invention is as follows. In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the substrate is supplied with the required processing while rotating the substrate supplied with the processing liquid. The non-circular substrate held by the substrate holding means and the substrate parallel position where the rectifier surrounds the periphery of the substrate are located, and the surface height becomes equal. In accordance with the processing liquid supplied to the processing surface of the substrate by the processing liquid supply means, the control means moves the rectifier from the substrate parallel position by the lift drive mechanism.In the retracted position above the boardSeparate. Therefore,When the rectifier is in the retracted position, the rectifier is positioned above the substrate to prevent the processing liquid from adhering to the rectifier, while when the rectifier is in the substrate parallel position, In addition, it is possible to process the rectifier while maintaining a uniform state of the processing liquid by forming a circular top surface. As a result, it is possible to carry out the substrate processing in an optimum processing mode according to the processing liquid. According to the second aspect of the present invention, the shield plate is driven up and down above the substrate held by the substrate holding means. For this reason, the rectifier is separated from the substrate parallel position to the retracted position above the substrate, and the shielding plate is also raised, so that the processing can be performed only with the substrate. On the other hand, the rectifier is lowered and positioned at the substrate parallel position, and the shielding plate is also lowered, so that the process can be performed under atmosphere control.
[0013]
  According to the invention of claim 3, the substrate holding means includes the rotation support plate and the protrusion provided on the rotation support plate, while the rectifier includes the recess that can be fitted to the protrusion. When the control means positions the rectifying body at the substrate parallel position, the rectifying body is integrally supported by the rotation support plate by fitting the protrusion into the concave protrusion. For this reason, when the rectifying body is located at the substrate parallel position, the rotation support plate and the rectifying body are integrated, and the substrate and the rectifying body rotate integrally. Therefore, the non-circular substrate is pseudo-circularly formed by the rectifier, and the processing liquid flowing by rotating the substrate can maintain a uniform state over the entire surface of the substrate. According to the invention of claim 4, when the chemical processing is performed by supplying the chemical liquid to the substrate and performing the chemical processing as the required processing, the chemical processing is performed when the cleaning liquid is supplied to the substrate and the chemical liquid is washed away. At this time, the rectifying body is positioned at the retracted position, while the rectifying body is positioned at the substrate parallel position when performing the cleaning process. For this reason, during the chemical treatment, the rectifying body is positioned above the substrate to prevent the chemical solution from adhering to the rectifying body, while during the cleaning treatment, the upper surface is formed with the non-circular substrate to form a uniform cleaning liquid. The rectifier can also be cleaned while maintaining the state.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
<First embodiment>
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, taking as an example a substrate processing apparatus used for processing a glass substrate for a liquid crystal display as an example of the substrate. However, the present invention can be applied not only to processing of glass substrates but also to processing of various non-circular substrates. In addition, the substrate processing to which the present invention can be applied is not limited to a chemical treatment, a cleaning treatment, and a drying treatment performed continuously in the same apparatus, but a single treatment, a chemical treatment, a cleaning treatment, In addition, the present invention can also be applied to those in which the drying process is continuously performed in the same apparatus.
[0015]
FIG. 1 is a schematic perspective view showing the configuration of a substrate processing system in which a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is arranged.
In the substrate processing system 1, a transfer device 3 that carries an LCD glass substrate W (hereinafter simply referred to as a substrate W) into and out of the substrate processing apparatus 2 is disposed at one end. A cassette station 5 in which a plurality of cassettes 4 for accommodating substrates W are placed on one end of the transfer device 3 is provided, and a processing step from the cassette 4 to the side of the cassette station 5 is provided. A substrate transfer device 7 including a transfer arm 6 for taking out the substrates W one by one and storing the processed substrates W one by one in the cassette 4 is provided.
[0016]
The placement unit 8 of the cassette station 5 is configured to be able to place a plurality of cassettes 4 containing 25 substrates W. The substrate transfer device 7 is configured to be movable in the horizontal and vertical (X, Y, Z) directions and to be rotatable (θ direction) about the vertical axis.
[0017]
Next, the configuration of the substrate processing apparatus 2 will be described. FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing the configuration of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 2 forms and shields a processing space S on the upper side of the rotation support unit 20, a rotation support unit 20 that holds the substrates, a drive unit 30 that rotates them, and the rotation support unit 20 to process the rectangular substrate W. The upper shielding part 40, the raising / lowering part 50 of the upper shielding part 40, the cup part 60 for collecting the liquid shaken off from the substrate W, the ultrasonic cleaning mechanism 200 for cleaning the substrate W with ultrasonic cleaning, and the units for storing the respective mechanisms A housing 70 is provided.
[0018]
The rotation support unit 20 is configured such that a support pin 22 and a drive pin 23 that support a substrate W from the lower surface are erected on a donut-shaped rotation support plate 21 in an upper plan view. As shown in FIG. 3, two drive pins 23 are arranged corresponding to the four corners of the substrate W. In FIG. 1, only two drive pins 23 are shown in order to avoid a complicated drawing. Reference numeral 211 denotes a protrusion that fits into a recess of a rectifying plate described later. The rectifier is held on the rotation support plate 21 by the protrusion 211.
[0019]
The drive pin 23 includes a support portion 23a that supports the outer peripheral edge of the substrate W from below, and a guide rising surface 23b that abuts on the outer peripheral end surface of the substrate W supported by the support portion 23a and restricts the movement of the substrate W. ing. The substrate W is held on the rotation support plate 21 in a horizontal posture.
[0020]
The drive unit 30 is provided so as to be connected to the opening 24 at the rotation center of the rotation support plate 21. A cylindrical shaft 31 connected to the lower surface of the rotation support plate 21 and a motor 33 that rotates the cylindrical shaft 31 via a belt mechanism 32 so as to communicate with the opening 24. The motor 33 corresponds to drive means in the present invention, and the cylindrical shaft 31 corresponds to a drive shaft. By driving the motor 33, the substrate W held together with the cylindrical shaft 31 and the rotation support plate 21 is rotated around the vertical axis.
[0021]
The cylindrical shaft 31 is formed of a hollow cylindrical member, and a liquid nozzle 34 is disposed along the center. The tip of the liquid nozzle 34 faces the center of the lower surface of the substrate W. And it is comprised so that a process liquid can be supplied to the rotation center vicinity of the lower surface of the board | substrate W from the nozzle hole 34a of an upper end part.
[0022]
The cylinder shaft 31 extends toward the opening 24 of the rotation support plate 21, is positioned above the rotation support plate 21, and the discharge port 36 is opened. Then, air from the atmospheric pressure atmosphere is discharged from the gap between the side surface of the liquid nozzle 34 and the inner peripheral surface of the cylindrical shaft 31 at the discharge port 36. The tip of the liquid nozzle 34 is formed in a T-shaped cross section, and a cleaning liquid nozzle hole 34a is opened at the center of the flat upper surface.
[0023]
The liquid nozzle 34 is connected in communication with the pipe 80. The base end portion of the pipe 80 is branched, and a chemical solution supply source 81 is connected to one branch pipe 80a, and a pure water supply source 82 is connected to the other branch pipe 80b. The branch pipes 80a and 80b are provided with on-off valves 83a and 83b. By switching between the on-off valves 83a and 83b, the chemical solution and pure water can be selectively switched and supplied from the nozzle hole 34a. It has become.
[0024]
The gas supply path 35 is connected to a gas supply source 85 through a pipe 84 provided with an on-off valve 84a. The gas supply path 35 is connected to the rotation support plate 21 and the substrate W from the discharge port 35c at the upper end of the gas supply path 35. A clean gas such as clean air or a clean inert gas (nitrogen gas, etc.) can be supplied to the space between the lower surface of the gas.
[0025]
The gap between the cylinder shaft 31 and the liquid nozzle 34 is configured such that the pipe 86 is opened to an atmospheric pressure atmosphere via a flow rate adjusting valve 86a. Air from the atmospheric pressure atmosphere is discharged through the opening 36 in the gap between the cylindrical shaft 31 and the liquid nozzle 34. With this configuration, when the rotation support plate 21 rotates, the air in the processing space S is discharged by the centrifugal force, and the closer to the rotation center, the lower the pressure is. For this reason, the inside of the cylindrical shaft 31 opened to the atmospheric pressure atmosphere sucks air by the pump effect. At that time, the amount of air sucked by the flow rate adjusting valve 86a is adjusted so as to set the atmospheric pressure in the processing space S to a desired state as will be described later.
[0026]
The motor 33 and the belt mechanism 32 are accommodated in a cylindrical casing 37 provided on a base member 71 as a bottom plate of the substrate processing apparatus 2. The casing 37 is connected to the outer peripheral surface of the cylindrical shaft 31 via a bearing 38 so as to cover the cylindrical shaft 31. That is, the periphery of the cylinder shaft 31 from the motor 33 to immediately before connecting to the rotation support plate 21 is covered with the casing 37, and the motor 33 attached to the cylinder shaft 31 along with this is also covered with the cover. Furthermore, in order to improve the airtightness of the location of the casing 37, the cylinder shaft 31 protrudes from the casing 37 and supports the lower surface of the rotation support plate 21. An atmosphere around the cylinder shaft 31 is provided along the peripheral surface. Sealing is performed with a substantially circular sealing portion 90.
[0027]
The upper shielding part 40 is provided with an upper rotating plate 41 so as to face the rotating support plate 21 with the substrate W interposed therebetween. The upper rotating plate 41 has a ring shape that covers the peripheral area of the substrate W, and has a large opening 41a at the center. A partition wall 41b is provided in a cylindrical shape around the opening 41a, and an auxiliary shielding mechanism 45 and a cleaning liquid such as pure water are supplied to the upper surface of the substrate W in the partition wall 41b so as to close the opening 41a. A liquid nozzle 43 is provided to be movable up and down.
[0028]
The upper rotary plate 41 is supported by the drive pin 23 via the presser pin 44 and constitutes a processing space S sandwiched between the rotary support plate 21. The rectifier 400 is disposed in the processing space S. The drive pin 23 prevents the substrate W from being stressed unevenly by the point of contact of the support portion 23a with the peripheral edge of the substrate W. The presser pin 44 has an inverted convex shape and is fixedly attached to the lower surface of the upper rotating plate 41.
[0029]
As shown in FIG. 3, the rectifying body 400 is formed of a circular thin plate, and an opening 410 larger than the outer shape of the substrate W is formed in the center thereof. The corners 420 at the four corners of the opening 410 are expanded and opened so that the drive pin 23 and the presser pin 44 can be fitted. Then, four recessed protrusions 430 that form recessed portions that fit into the protrusions 211 on the rotation support plate 21 are disposed on the upper surface of the rectifying body 400.
[0030]
  With the above configuration, the drive pin 23 is configured to be separable up and down with the presser pin 44. When the upper rotating plate 41 is moved down to the processing position, the driving pin 23 is fitted to the presser pin 44, so that the upper rotating plate 41 is supported by the rotating support plate 21 so as to be integrally rotatable with the rotating support plate 21. It has become so. In the rectifier 400, the concave protrusion 430 is fitted to the protrusion 211 of the rotation support plate 21.thingThus, it is held on the rotation support plate 21. That is, the drive pin 23 also serves as a support mechanism that detachably supports the upper rotary plate 41 on the rotary support plate 21. Further, the presser pins 44 prevent the substrate W from being lifted.
[0031]
In the auxiliary shielding mechanism 45, the liquid nozzle 43 is inserted and disposed in a non-contact manner through a central opening 452 of a disk-shaped shielding plate 451 through a gap 452a. A plate 453 is extended at the upper end of the central opening 452, and an elevating drive means 454 is continuously provided at the end thereof. The elevating drive mechanism 454 is configured by a known cylinder or the like, and is attached to a support arm 431 of an approach / separation mechanism 430 described later.
[0032]
  With this configuration, the rotation support plate21Is rotated, the air in the processing space S is discharged by the centrifugal force, and the closer to the center of rotation, the lower the pressure is. Therefore, the processing space S sucks air from the gap 452 a between the shielding plate 451 and the liquid nozzle 43. At that time, the gap 452a serves to limit the flow rate of the air supplied into the processing space S by giving resistance to the flow of the sucked air (airflow). The air amount is adjusted so as to set the atmospheric pressure in the processing space S to a desired state as will be described later. The processing space S is partitioned into a lower part and an upper part with the substrate W interposed therebetween, and the air pressure flowing into the upper part is defined by the gap 452a to set the upper atmospheric pressure, and the air flow flowing into the lower part through the opening 36. To set the lower barometric pressure. By setting the upper and lower air pressures of the substrate W, lifting and undulation during the rotation processing of the substrate W are suppressed.
[0033]
  Next, the elevating part 50 of the upper rotating plate 41 and the elevating drive mechanism 450 of the rectifier 400 will be described with reference to FIG. First, the elevating part 50 is composed of a T-shaped engaging part 51 projecting upward on the upper surface of the upper rotating plate 41 and elevating drive means 52 connected to the upper collar part 51a of the engaging part 51. Has been. The lifting / lowering driving means 52 moves the arm bar 55 up and down as the rod 54 of the cylinder 53 expands and contracts. The top end of the arm bar 55 is engaged with the upper flange portion 51 a of the engaging portion 51. With this configuration, the arm bar 55 abuts on the upper flange 51a and moves up and down, so that the upper rotating plate extends over the processing position supported by the rotating support plate 21 and the upper retreating position that allows loading and unloading of the substrate W. 41 moves. In FIG. 2, two lifting drive means 52 are disclosed.41The four engaging portions 51 are arranged at equal intervals on the upper surface of the four, and four lifting drive means 52 are arranged correspondingly. Then, by controlling the rotation stop position of the upper rotating plate 41, the engaging portion 51 and the arm bar 55 are engaged.
[0034]
  Next, the elevating drive mechanism 450 of the rectifying body 400 is configured to engage and move up and down below the periphery of the rectifying body 400. In the lift drive mechanism 450, the arm bar 455 moves up and down as the rod 454 of the cylinder 453 expands and contracts. The tip end of the arm bar 55 is engaged with the lower peripheral surface of the rectifying body 400. With this configuration, the arm bar 455 abuts on the lower surface of the peripheral edge of the rectifier 400 and moves up and down, so that the surface height of the substrate W supported by the rotation support plate 21 is equal to the surface height of the substrate W. A processing position for forming a circular top surface together with the substrate W at the surrounding substrate parallel position, that is, a state supported by the rotary support plate 21 and supported by the arm bar 455IsThe rectifying body 400 is moved over an upper retreat position that allows loading and unloading of the substrate W. In FIG. 2, two lifting drive mechanisms 450 are disclosed. However, four arm bars 455 are arranged at equal intervals on the upper surface of the upper rotating plate 21, and four lifting drive mechanisms 450 are arranged correspondingly. The Then, by controlling the rotation stop position of the rotation support plate 21, the rectifier 400 and the arm bar455Are engaged. Further, the cylinder 453 of the elevating drive mechanism 450 is disposed in a cup portion 60 described later.
[0035]
Further, above the elevating part 50, the elevating drive mechanism 450 and the upper rotating plate 41 is a so-called punching plate in which a large number of small holes are formed in, for example, a stainless steel plate, and a flow path resistance having an opening formed in the center side. A member 57 is arranged. The flow path resistance member 57 is configured such that a partition wall 57a extends downward on the inner peripheral edge thereof, and the partition wall 57a is close to the outer peripheral surface of the partition wall 41b. The outer peripheral edge of the flow path resistance member 57 is connected to the unit housing 70. Then, the flow path resistance member 57 substantially closes the upper part of the device 2 and divides it into two parts, thereby giving a flow to the drawn air (air flow) according to the negative pressure accompanying the exhaust through the exhaust structure described later. Thus, the air containing the mist discharged from the processing space S plays a role of restricting the scattering. The cylinder 53 of the elevating unit 50 is placed on the upper surface of the flow path resistance member 57, and the rod 53 extends downward through the flow path resistance member 57.
[0036]
Note that the flow path resistance member 57 is not limited to the punching plate as in the present embodiment, and may be, for example, a plurality of plate members that are arranged close to each other while being inclined in the vertical direction. The flow path resistance may be varied by changing the inclination angle.
[0037]
Further, on the upper surface of the flow path resistance member 57, the contact / separation mechanism 430 of the liquid nozzle 43 and the ultrasonic cleaning mechanism 200 are disposed diagonally across the upper shielding part 40 as shown in FIG. The liquid nozzle 43 is supported by the support arm 431, and the support arm 431 is turned and raised / lowered by the contact / separation mechanism 430. As the support arm 431 is moved up and down, the liquid nozzle 43 is brought into contact with and separated from the substrate W, and the center position of the upper shielding part 40 (state shown in FIG. 2) and the side standby position (state shown in FIG. 3) are turned. It is comprised so that it may turn between. The contact / separation mechanism 430 that realizes such contact / separation movement includes a mechanism using a screw shaft or the like, or an air cylinder. At this time, the auxiliary shielding mechanism 45 also moves up and down simultaneously, but the shielding plate 451 can be moved up and down along the liquid nozzle 43 independently by the lifting drive means 454.
[0038]
A liquid supply pipe 432 is passed through the hollow portion of the liquid nozzle 43 so that the processing liquid can be supplied to the vicinity of the rotation center of the upper surface of the substrate W held by the rotation support plate 21 from the lower end thereof. The liquid supply pipe 432 is connected in communication with the pipe 87. The base end portion of the pipe 87 is branched, and a chemical solution supply source 81 is connected to one branch pipe 87a, and a pure water supply source 82 is connected to the other branch pipe 87b. The branch pipes 87a and 87b are provided with on / off valves 88a and 88b. By switching between the on / off valves 88a and 88b, the chemical solution and pure water can be selectively switched and supplied from the liquid nozzle 43. It has become.
[0039]
A gap between the inner peripheral surface of the liquid nozzle 43 and the outer peripheral surface of the liquid supply pipe 432 is a gas supply path 433. The gas supply path 433 is connected to a gas supply source 85 through a pipe 89 provided with an on-off valve 89a. The gas supply path 433 is connected to the upper rotating plate 41 and the upper surface of the substrate W from the lower end of the gas supply path 433. It is configured so that clean gas can be supplied to the space. The gas supply path 35, the gas reservoir 35a, the conduit 35b, the discharge port 35c, the pipe 84, the on-off valve 84a, and the gas supply source 85 correspond to the inert gas ejection means of the present invention.
[0040]
As shown in FIG. 5, the ultrasonic cleaning mechanism 200 includes an approach / separation mechanism 201, a support arm 202 extending from the side of the contact / separation mechanism 201, and two ultrasonic cleaning nozzles at the tip of the support arm 202. 203 is supported. With this configuration, the support arm 202 is turned and raised / lowered by the contact / separation mechanism 201 around the rotation center 204 of the contact / separation mechanism 201. As the support arm 431 is moved up and down, the ultrasonic cleaning nozzle 203 is brought into contact with and separated from the substrate W, and the center position of the upper shielding part 40 (state shown in FIG. 2) and the side standby position (state shown in FIG. 5) are turned. It is comprised so that it may turn between.
[0041]
Further, the holding piece 202a that holds the ultrasonic cleaning nozzle 203 at the tip of the support arm 202 is formed to be slightly shorter than the diameter of the opening 41a of the upper rotating plate 41, and is supported in a state of entering from the opening 41a. The ultrasonic cleaning nozzle 203 is scanned with the holding piece 202a facing the surface of the substrate W by the arm 202 turning by the length of the diameter of the opening 41a.
[0042]
Further, in order for the holding piece 202a to enter between the substrate W and the upper rotating plate 41, the support arm 202 stops turning in the vicinity of the partition wall 41b of the opening 41a, so that the holding piece 202a moves the opening 41a. Pass through. The holding piece 202a is formed at a right angle to the turning direction of the support arm 202, and the support arm 202 is turned from the rotation center P of the substrate W to the partition wall 41b, so that the tip of the holding piece 202a is the rotation locus W1 of the substrate W. Can move up to. As a result, the ultrasonic cleaning nozzle 203 mounted on the holding piece 202a scans the radial direction of the substrate W, and the substrate W rotates to clean the entire surface of the substrate W.
[0043]
Returning to FIG. 2, the cup portion 60 is provided with a ring-shaped exhaust cup 61 that opens to face the mouth that is the gap between the outer peripheral ends of the rotation support plate 21 and the upper rotation plate 41, and has the following exhaust structure. Including. A cylindrical partition member 63 is erected on the bottom surface 62 of the exhaust cup 61, and the partition member 63 and the outer peripheral wall 61 b of the exhaust cup 61 are formed by the partition member 63 and the inner peripheral wall 61 a of the exhaust cup 61. Thus, a first drainage tank 64a and a second drainage tank 64b each having a substantially donut shape in plan view are formed. Each of the first drainage tank 64a and the second drainage tank 64b serves as both drainage and exhaust.
[0044]
Next, a more detailed description will be given with reference to FIGS. FIG. 6 is a plan view of the exhaust cup 61, and FIG. 7 is a partial sectional side view of the exhaust cup 61. A first drain port 65a connected to the waste drain is provided on the bottom surface of the first drain tank 64a. A first exhaust port 66a is provided on the bottom surface of the first drain port 65a downstream of the substrate W rotation direction F, and is connected to the exhaust unit. A first skirt portion 67a is disposed so as to cover the upper side of the first exhaust port 66a.
[0045]
The first skirt portion 67a is disposed between the inner peripheral wall 61a of the exhaust cup 61 and the partition member 63, and extends downward from the upper side of the first exhaust port 66a toward the downstream side in the substrate rotation direction F. It is inclined and its lower end is connected to the upstream side of the bottom surface where the next first drainage port 651a is opened. That is, the first skirt portion 67a is curved so as to draw an arc along the shape of the first drainage tank 64a, and is inclined downward along the substrate rotation direction F from the upstream side toward the downstream side. .
[0046]
Four such first skirt portions 67a (67a, 671a, 672a, 673a) are arranged in the circumferential direction on the entire circumference of the first drainage tank 64a, and the first drainage port is accordingly provided. 65a and the 1st exhaust port 66a are comprised by the same position arrangement | positioning. With the above configuration, the vortex flow such as mist generated with the processing of the substrate W is first rotated as the swirl flow by the rotation support plate 21 turning in the substrate rotation direction F and being guided by the first skirt portions 67a. Flows downward in the drainage tank 64a. The liquid component of the gas-liquid mixed fluid is first recovered at the bottom surface of the exhaust cup 61 at the first drain port 65a, and the gas component proceeds downstream, and the first exhaust port disposed on the downstream side. 66a is exhausted. At this time, since the upper portion of the first exhaust port 66a is covered with the first skirt portion 67a, the falling liquid component does not directly enter, and the gas-liquid mixed fluid is swirled, and the bottom portion Gas-liquid separation.
[0047]
The second drainage tank 64b has a configuration similar to that of the first drainage tank 64a, and four second skirt portions 67b (67b, 671b, 672b, 673b) are arranged in the circumferential direction on the entire circumference. Accordingly, the second drain port 65b and the second exhaust port 66b are configured in the same position. On the other hand, since the second drainage tank 64b is located on the outer periphery of the first drainage tank 64a, the shape of the bottom surface thereof increases in the radial direction. For this reason, by arranging two second drainage tanks 64b and 64c upstream of the second exhaust port 66b, the liquid component can be more reliably separated and recovered. With the above configuration, the vortex flow such as mist generated along with the processing of the substrate W is guided to each second skirt portion 67b as a swirl flow, and the first drainage port 65b, The liquid component of the gas-liquid mixed fluid is recovered at 65c, and the gas component is exhausted from the second exhaust port 66b on the downstream side.
[0048]
In FIG. 2, the partition member 63 and a surrounding guide member 68 (splash guard), which will be described later, only show a cross-sectional shape in order to avoid the drawing from becoming complicated. Above the first and second drainage tanks 64a and 64b, a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to the axis J so as to surround the periphery of the rotation support plate 21 and the periphery of the substrate W held thereby. A cylindrical peripheral guide member 68 having a height is provided so as to be movable up and down. The peripheral guide member 68 is supported by the elevating mechanism 69 via a support member 681 on the outer wall surface thereof. The elevating mechanism 69 is moved up and down by driving a motor (not shown), and the surrounding guide member 68 is moved up and down with respect to the rotation support plate 21 accordingly. And as shown in FIG. 8, this raising / lowering control is comprised so that the control part 300 may perform.
[0049]
The surrounding guide member 68 has an inner wall surface having a rotationally symmetric shape with respect to the axis J. An inclined surface is formed on the inner wall surface, and vertical portions 68a and 68b are connected to the lower end portion. The vertical portions 68a and 68b are connected at their upper ends, and an annular groove 68c is formed between the vertical portion 68a and the vertical portion 68b in the circumferential direction at the connecting portion. The groove 68c is fitted into the partition member 63, and the surrounding guide member is fitted so that the vertical portion 68a is fitted into the first drainage tank 64a and the vertical portion 68b is fitted into the second drainage tank 64b. 68 is arranged.
[0050]
The peripheral guide member 68 is rotated when the peripheral guide member 68 is positioned at the height position of the substrate W held on the rotation support plate 21, that is, when the peripheral guide member 68 is lifted by the elevating mechanism 69. The cleaning liquid shaken off is received by the inclined surface and guided to the first drainage tank 64a along the vertical portion 68a.
[0051]
On the other hand, the upper side portion of the peripheral guide member 30 is formed so that the diameter decreases toward the upper side, and this outer wall surface is a height at which the peripheral edge of the substrate W is positioned above the peripheral guide member 68. When it is in the position, that is, when it is lowered by the elevating mechanism 69, the cleaning liquid poured from the rotating substrate W is received by the outer wall surface and guided to the second drainage tank 64b.
[0052]
The elevating mechanism 69 includes a well-known uniaxial driving mechanism (not shown) such as a ball screw, and the peripheral guiding member 68 is moved up and down by elevating and lowering the support member 681 with this uniaxial driving mechanism. It is composed. In addition, at the height position of the lifting mechanism 69 corresponding to the height position of each of the surrounding guide members 68, a sensor for detecting the lifting composed of a reflection type optical sensor (none is shown) is disposed. Based on the detection signals from these sensors, the motor is driven and controlled so that the surrounding guide member 68 is positioned at each height position.
[0053]
The unit housing 70 has a frame 72 having a size surrounding the cup portion 60 on the base member 71, and a substrate loading / unloading port 73 formed in the frame 72. With this configuration, the upper rotary plate 41 rises when the elevating drive means 52 moves up and down, and the exhaust cup 61 descends when the elevating drive means 64 moves up and down at the same time. Accordingly, the rotation support plate 21 faces the carry-in port 73 of the frame body 72, so that the substrate W can be carried into the apparatus 2 from the outside.
[0054]
FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of the control system of this apparatus, and the chemical solution from the motor 33 for controlling the rotation of the rotation support plate 21, the chemical solution supply source 81, the pure water supply source 82, and the gas supply source 85. On-off valves 83a, 83b, 84a, 88a, 88b, and 89a for controlling the supply of pure water and gas, a lifting unit 50 for controlling the lifting and lowering of the upper rotating plate 41, a liquid nozzle 43, and an auxiliary shielding mechanism 45, a contact / separation mechanism 430 for controlling the turning and contact / separation, a lifting drive means 454 for controlling the lifting / lowering of the shielding plate 451, and a contact / separation mechanism for controlling the turning / contact / separation of the ultrasonic cleaning nozzle 203. The structure for controlling 201, the raising / lowering mechanism 69 for raising / lowering the surrounding guide member 68, and the raising / lowering drive mechanism 450 for raising / lowering the rectifier 400 is shown.
[0055]
The control unit 300 is given an output signal from a sensor that detects that the surrounding guide member 68 is positioned at each height, and the control unit 300 controls the lifting mechanism 69 based on the outputs of these sensors. Thus, the surrounding guide member 68 is controlled to be positioned at a desired height. In the control unit 300, cleaning conditions corresponding to the substrate W are stored in the control unit 300 in advance as a cleaning program (also referred to as a recipe), and each unit is configured according to the cleaning program for each substrate W. It is controlled. The controller 300 is further connected to an instruction unit 301 used for creating / changing a cleaning program and selecting a desired one from a plurality of cleaning programs.
[0056]
Next, the operation of the apparatus having the above configuration will be described with reference to FIGS. 9 (a) to 9 (d). 9A shows the chemical treatment state of the substrate W, FIG. 9B shows the state of the cleaning process, FIG. 9C shows the state of ultrasonic cleaning, and FIG. 9D shows the state of the drying process. ing. Note that, as an example, the substrate W will be described as being intended to perform a process of etching and cleaning the front and back surfaces.
[0057]
The overall process flow is outlined below.
First, a cleaning program corresponding to a predetermined substrate W is selected from the instruction unit 301 and executed. If it does so, when the board | substrate W will be carried in into the apparatus 2 of a present Example by the control part 300, the upper rotating plate 41, the rectifier 400, and the liquid nozzle 43 will be in the upper retraction position. In a state where the upper rotating plate 41 and the rectifying body 400 are in the retracted position, the drive pin 23 and the presser pin 44 are separated from each other vertically, and only the drive pin 23 is on the rotation support plate 21. Then, the lifting mechanism 69 is controlled to lower the surrounding guide member 68 so that the rotation support plate 21 is positioned above the surrounding guiding member 68. Thus, a carry-in path for the substrate W is secured between the upper rotating plate 41 and the rotation support plate 21. The substrate W transported by the substrate transport device 7 via the substrate loading / unloading port 73 is supported and supported by the drive pins 23. The transfer arm 6 of the substrate transfer apparatus 7 enters the processing apparatus 2, puts an unprocessed substrate W on the drive pins 23, and then retreats out of the processing apparatus 2.
[0058]
Subsequently, when the reception of the substrate W is finished, as shown in FIG. 9A, the control unit 300 raises and positions the peripheral guide member 68 while keeping the upper rotating plate 41 and the rectifying body 400 in the separated position. Thus, the peripheral guide member 68 is positioned at a height facing the periphery of the substrate W held on the rotation support plate 21.
[0059]
Next, in this state, the contact / separation mechanism 430 is controlled, the liquid nozzle 43 is turned, and the liquid nozzle 43 is lowered from above the opening 41 a and placed on the surface of the substrate W. The chemical solution is supplied from the liquid nozzles 34 and 43 to the lower surface of the substrate W, and the chemical treatment process of the present invention is started. That is, by opening the on-off valves 83a and 88a, the etching liquid as the cleaning chemical is discharged from the liquid nozzles 34 and 43. The shielding plate 451 extends and retracts the elevating drive means 454 to be positioned above.
[0060]
Further, the control unit 300 gives a drive control signal and rotates the motor 33. Thereby, the cylinder shaft 31 is rotated and the rotation support plate 21 is rotated integrally. Therefore, the substrate W held on the rotation support plate 21 is rotated while being held horizontally. Thereby, the etching solution is supplied from a close distance toward the center of the front and back surfaces of the substrate W. The supplied etching solution is guided to the outer side in the rotational radial direction by the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W, and as a result, the chemical cleaning can be performed on the entire front and back surfaces of the substrate W. .
[0061]
During this chemical processing, the chemical that is shaken off from the periphery of the rotating substrate W and scattered around is guided by the peripheral guide member 68 and received by the first drain tank 64a of the exhaust cup 61. . Simultaneously with the start of the chemical treatment, the exhaust means outside the apparatus communicating with the first drain port 65a is activated to exhaust the exhaust cup portion 61. The vortex flow such as mist generated by the processing of the substrate W is guided to the first skirt portion 67a (671a, 672a, 673a) and swirled in the entire circumference of the first drainage tank 64a. Flows downward in the drainage tank 64a. The liquid component of the gas-liquid mixed fluid is first recovered at the bottom surface of the exhaust cup 61 at the first drain port 65a, and the gas component proceeds downstream, and the first exhaust port disposed on the downstream side. 66a is exhausted and gas-liquid separation is performed satisfactorily. At this time, since the upper rotating plate 41 and the shielding plate 451 are separated from the substrate W, the chemical solution is prevented from being scattered and adhering to the upper rotating plate 41 and the shielding plate 451.
[0062]
Examples of the etching liquid supplied from the chemical liquid supply source 81 to the substrate W include HF, BHF (dilute hydrofluoric acid), H3PO4, HNO3, HF + H2O2(Hydrofluoric acid overwater), H3PO4+ H2O2(Phosphate hydrogen peroxide), H2SO4+ H2O2(Sulfuric acid / hydrogen peroxide), HCl + H2O2(Ammonia overwater), H3PO4+ CH3COOH + HNO3And organic alkalis such as iodine + ammonium iodide, oxalic acid-based and citric acid-based organic acids, TMAH (tetra-methyl-ammonium-hydroxide), and choline.
[0063]
Further, a part of the chemical solution scattered from the substrate W and hitting the exhaust cup 61 becomes floating as mist. However, in this apparatus, even if the mist floating in the vicinity of the rotation support plate 21 moves to the cylindrical shaft 31 between the casing 37 and the sealing portion 90, the mist is prevented from entering the drive unit 30. .
[0064]
Furthermore, since the upper rotating plate 41 and the rectifier 400 are retracted upward, it is possible to suitably suppress the waste liquid from being scattered from the substrate W. That is, since the upper rotating plate 41 and the rectifying body 400 are prevented from being contaminated by the chemical solution, the processing of the substrate W is affected by the contamination of the upper rotating plate 41 and the rectifying body 400 even when different processing is performed subsequently. There is no.
[0065]
  When a predetermined chemical cleaning time elapses, the supply of the etching liquid from the liquid nozzles 34 and 43 is stopped. Subsequently, the control unit 300 controls the elevating unit 50 to lower the upper rotating plate 41 as shown in FIG. 9B, and simultaneously controls the elevating drive mechanism 450 to lower the rectifier 400. As a result, the upper rotating plate 41 in the retracted position is moved down to the processing position, so that the presser pin 44 of the upper rotating plate 41 is fitted and connected to the drive pin 23 of the rotation support plate 21. Further, in the rectifying body 400, the protrusion 211 is fitted into the concave protrusion 430.thingThus, it is integrally supported by the rotation support plate 21. This statesoThe on-off valve 83a is closed to complete the chemical treatment process, and the on-off valves 83b and 88b are opened.
[0066]
As a result, pure water is supplied from the liquid nozzles 34 and 43 toward the center of the upper and lower surfaces of the substrate W as a cleaning liquid. Therefore, a cleaning process is performed in which pure water is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W to wash away the chemical solution adhering to the substrate W with pure water. In this way, a cleaning process for washing away the etching solution present on the upper and lower surfaces of the substrate W after the chemical processing process is performed. In addition, ozone water, electrolytic ionic water, or the like may be used as the cleaning liquid.
[0067]
Further, a drive control signal is given to rotate the motor 33. Thereby, the cylinder shaft 31 is rotated, and the rotation support plate 21 fixed to the cylinder shaft 31 rotates around the vertical axis passing through the center. The rotational force of the rotation support plate 21 is transmitted to the substrate W through the drive pins 23, and the substrate W rotates with the rotation support plate 21. Further, the rotational force of the rotation support plate 21 is transmitted to the upper rotation plate 41 via the presser pin 44, and the upper rotation plate 41 also rotates together with the rotation support plate 21. The rectifier 400 forms a top circular shape together with the substrate W at a substrate parallel position surrounding the periphery of the substrate W so that the surface height of the substrate W supported by the rotation support plate 21 is equal to the surface height. That is, the non-circular substrate W is pseudo-circularly formed by the rectifier 400, and the pure water flowing by rotation on the front and back surfaces of the substrate W can maintain a uniform state on the entire surface of the substrate W.
[0068]
Further, the control unit 300 controls the elevating mechanism 69 to lower the peripheral guide member 68 and position the substrate W held by the rotation support plate 21 above the peripheral guide member 68. At this time, the cleaning liquid supplied to the upper surface of the substrate W is shaken off by the rotation of the substrate W, flows out from the periphery of the substrate W, and pours onto the upper surface of the peripheral guide member 68. The pure water that pours down flows down along the upper surface, is guided to the second drainage tank 64b, is drained from the second drainage port 65b, and is discarded through the waste drain.
[0069]
Simultaneously with the start of the cleaning process, the exhaust means outside the apparatus that communicates with the second drainage port 65b operates to exhaust the exhaust cup portion 61. The vortex flow such as mist generated due to the processing of the substrate W is guided to the second skirt portion 67b in the entire circumference of the second drainage tank 64b and is swirled inside the second drainage tank 64b. Flows downward. The liquid component of the gas-liquid mixed fluid is first recovered at the bottom surface of the exhaust cup 61 at the second drainage ports 65b and 65c, and the gas component proceeds downstream, and the second component disposed downstream. The gas is exhausted from the exhaust port 66b and is well separated into gas and liquid.
[0070]
Furthermore, during this cleaning process, a part of the waste liquid (pure water mixed with chemicals) that is shaken off from the periphery of the rotating substrate W and scatters to the periphery floats as mist, but the upper surface of the substrate W Since the processing space S is closed by the upper rotating plate 41 disposed in the upper part, the gas flows out from an annular narrow gap between the upper rotating plate 41 and the rotation support plate 21, and further, the second of the exhaust cup 61 , The flow velocity of the gas flowing down and flowing into the second exhaust port 66b becomes relatively high, and the convection of the gas hardly occurs in the space below the rotation support plate 21. Therefore, it is possible to suppress the mist of the cleaning liquid from reattaching to the substrate W.
[0071]
When the cleaning process time elapses, the rotation of the rotation support plate 21 is stopped, and as shown in FIG. 9C, the control unit 300 controls the contact / separation mechanism 430 to wait for the liquid nozzle 43 and the shielding plate 451. To position. Then, the support arm 202 is rotated so that the contact / separation mechanism 201 of the ultrasonic cleaning mechanism 200 is controlled so that the holding piece 202a is positioned in the range of the opening 41a. Next, the support arm 202 is lowered, and the holding piece 202a enters the processing space S. When the holding piece 202a is positioned in the gap between the upper rotating plate 41 and the substrate W, the lowering of the support arm 202 is stopped.
[0072]
Next, the control unit 300 reciprocates the support arm between the radii of the substrate W while discharging the cleaning liquid from the two ultrasonic cleaning nozzles 203 and 203. After reciprocating a predetermined number of times, the discharge of the cleaning liquid from the ultrasonic cleaning nozzles 203 and 203 is stopped, and the support arm 202 is moved to the vicinity of the center of the opening 41a by the holding piece 202a. Then, the support arm 202 is raised by the contact / separation mechanism 201, and after being positioned above the upper rotating plate 41, the support arm 202 is turned to the standby position.
[0073]
At this time, the rectifier 400 remains in the substrate parallel position, and the upper rotating plate 41 is raised to the retracted position. This prevents the upper rotating plate 41 from coming into contact with the ultrasonic cleaning nozzles 203 and 203 when they are turned. Moreover, the following effects can be obtained by performing ultrasonic cleaning while the rectifying body 400 is disposed. That is, when cleaning the peripheral edge of the substrate W, a part of the substrate W deviates from the peripheral edge of the substrate W and is cleaned. In this way, ultrasonic cleaning is performed on the periphery of the substrate W out of balance, and as a result, the processing becomes uneven. Therefore, since the rectifier 400 is provided at the parallel position of the substrate W, when cleaning the peripheral edge of the substrate W, ultrasonic cleaning is performed across the peripheral edge of the substrate W and the rectifier 400. In this way, ultrasonic cleaning always acts on the same height surface, so that the balance is maintained and uniform processing can be performed. Further, the presence of the rectifying body 400 prevents the processing liquid from unnecessarily flowing around the back surface of the substrate W. That is, the ultrasonic cleaning is uniformly performed on the upper surface of the substrate W during the cleaning by the ultrasonic cleaning mechanism 200.
[0074]
After the supply of the cleaning liquid is stopped, the upper rotating plate 41 is lowered and placed on the rotating support plate 21. And the cleaning liquid adhering to the board | substrate W is shaken off by the rotational support plate 21 being rotationally driven at high speed. 9D, the controller 300 controls the contact / separation mechanism 430 to turn the liquid nozzle 43 and the shielding plate 451 to a position facing the opening 41a of the upper rotary plate 41. . Then, the elevating drive means 454 is extended, and the shielding plate 451 is lowered until it approaches the substrate W.
[0075]
Subsequently, the on-off valves 84a and 89a are opened, and nitrogen gas is supplied from the gas supply paths 35 and 433 to the upper and lower surfaces of the substrate W. As a result, the air in the processing space S is immediately replaced with nitrogen gas, so that an undesired oxide film does not grow on the upper and lower surfaces of the substrate W after the cleaning process. At this time, the rectifier 400 forms a circular top surface together with the substrate W at the substrate parallel position that surrounds the periphery of the substrate W so that the surface height of the substrate W becomes equal to the surface height. Are discharged from the processing space S. The cleaning liquid mist shaken off from the substrate W rides on the air flow and flows radially outward in the processing space S, and is discharged from the gap between the rotary support plate 21, the upper rotary plate 41 and the shielding plate 451. Then, the air containing the mist of the discharged cleaning liquid is discharged out of the apparatus 2 through the exhaust cup portion 61 and the exhaust pipes 62 and 62.
[0076]
In addition, the gap (processing space S) between the rotation support plate 21 and the upper rotation plate 41 is narrowed on the outer peripheral end side, and the vertical distance thereof is narrower than that on the rotation center side. Emissions are regulated. In accordance with this, the amount of air sucked by the pump effect into the lower space which is the processing space S with the substrate W from the rotation support plate 21 side is also adjusted by the flow rate adjusting valve 86a, and the upper rotation plate 41 side The amount of air sucked into the upper space, which is the processing space S with the substrate W, is regulated by the flow path resistance member 42.
[0077]
After completion of the drying process, the rotation of the motor 33 is stopped, and the upper rotating plate 41, the rectifying body 400, the liquid nozzle 43 and the shielding plate 451 are returned to the retracted position, and the substrate transported by the substrate transport device 7 is processed. W is carried out of the apparatus. Thereafter, as described above, the unprocessed substrate W is loaded and the process is repeated.
[0078]
As described above, according to the above-described embodiment, the substrate processing apparatus rotates the non-circular substrate W such as a glass substrate in the horizontal plane while controlling the atmosphere of the processing space with the upper and lower rotating plates, so Is a device that performs processing. The rectifier is positioned at a substrate parallel position that surrounds the periphery of the substrate, and is controlled to be switched between a substrate parallel position having the same surface height and a state separated from the substrate parallel position. Therefore, when the processing liquid is a chemical liquid, the rectifier is separated from the substrate parallel position and the processing is performed only with the substrate. When the processing liquid is a cleaning liquid, the rectifier is lowered and positioned at the substrate parallel position for processing. As a result, the rectifying body is not attached to the rectifier during the chemical treatment, and the rectifier is also cleaned in the optimum processing mode during the cleaning process.
[0079]
The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be modified as follows.
(1) The processing nozzle is not limited to the ultrasonic cleaning nozzle, but may be a jet nozzle, a mist nozzle, or another nozzle type.
[0080]
(2) Further, in the above-described embodiment, the chemical liquid treatment with the etching liquid has been described as an example, but the present invention may be applied to the treatment using the stripping liquid.
[0081]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the substrate processing apparatus is controlled to be switched between a state in which the rectifier is disposed in a parallel position and a state in which the rectifier is not disposed with respect to the non-circular substrate. Therefore, the substrate processing is performed in an optimal processing mode.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing system according to the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is an exploded perspective view illustrating a configuration of an upper part of a rotation support plate.
FIG. 4 is an enlarged view of a main part for explaining the configuration of a rotation support plate side part;
FIG. 5 is a schematic plan view showing a configuration of an upper shielding mechanism and its periphery.
FIG. 6 is a plan view showing a configuration of an exhaust cup.
FIG. 7 is a partial cross-sectional side view showing the configuration of the exhaust cup.
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a control system of the apparatus.
FIGS. 9A and 9B are diagrams for explaining the processing state of the substrate W, where FIG. 9A shows the chemical processing state of the substrate W, FIG. 9B shows the state of cleaning processing, FIG. 9C shows the state of ultrasonic cleaning, (D) is explanatory drawing which has shown the state of the drying process.
[Explanation of symbols]
W substrate
S processing space
2 Substrate processing equipment
20 Rotation support
30 Drive unit
40 Upper shield
60 cups
61 exhaust cup
21 Rotating support plate
41 Upper rotating plate
400 rectifier
450 Lifting drive mechanism
451 engaging part
52 Lifting drive means

Claims (4)

処理液が供給された基板を回転させながら、基板に所要の処理を施す基板処理装置において、
非円形の基板を略水平に保持して回転する基板保持手段と、
前記基板保持手段で保持された基板の表面高さと表面高さが等しくなるように、基板の周囲を取り囲む基板並列位置に位置して、基板と併せて上面円形を形成する整流体と、
前記整流体を上下動させる昇降駆動機構と、
前記基板保持手段で保持された基板の処理面に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段により供給される処理液に応じて、前記整流体を昇降駆動機構により前記基板並列位置から基板より上方の退避位置に離間する制御手段と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。In a substrate processing apparatus for performing required processing on a substrate while rotating the substrate supplied with the processing liquid,
A substrate holding means for rotating the non-circular substrate while holding it substantially horizontally;
A rectifier that forms a top circular shape together with the substrate, located in a parallel position of the substrate surrounding the periphery of the substrate so that the surface height of the substrate held by the substrate holding means is equal to the surface height;
An elevating drive mechanism for moving the rectifier up and down;
A processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the processing surface of the substrate held by the substrate holding means;
Control means for separating the rectifying body from the substrate parallel position to the retracted position above the substrate by an elevating drive mechanism according to the processing liquid supplied by the processing liquid supply means;
A substrate processing apparatus comprising: 請求項１に記載の基板処理装置において、前記基板保持手段で保持された基板の上方に昇降駆動する遮蔽板と、を具備することを特徴とする基板処理装置。  The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a shielding plate that is driven to move up and down above the substrate held by the substrate holding unit. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
前記基板保持手段は、回転支持板と、該回転支持板上に設けられた突起とを有する一方で、前記整流体は、前記突起と嵌合可能な凹部を形成する凹部突起を有し、The substrate holding means has a rotation support plate and a protrusion provided on the rotation support plate, while the rectifier has a recess protrusion that forms a recess that can be fitted to the protrusion.
前記制御手段が前記整流体を前記基板並列位置に位置させた際に、前記突起が前記凹部突起に嵌合することで前記整流体が前記回転支持板に一体的に支持されることを特徴とする基板処理装置。When the control means positions the rectifying body in the substrate parallel position, the rectifying body is integrally supported by the rotation support plate by fitting the protrusion into the concave protrusion. Substrate processing apparatus. 前記所要の処理として基板に薬液を供給して薬液処理を行った後に、基板に洗浄液を供給して薬液を洗い流す洗浄処理を行う請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein, as the required process, a chemical process is performed by supplying a chemical solution to the substrate, and then a cleaning process is performed by supplying the cleaning liquid to the substrate to wash away the chemical solution. 5. ,
前記制御手段は、前記昇降駆動機構を駆動させることにより、薬液処理を行う際には前記整流体を前記退避位置に位置させる一方で、洗浄処理を行う際には前記整流体を前記基板並列位置に位置させることを特徴とする基板処理装置。The control means drives the elevating drive mechanism to position the rectifying body at the retracted position when performing chemical processing, while placing the rectifying body at the substrate parallel position when performing cleaning processing. A substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus is positioned on the substrate.
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