JP3717399B2

JP3717399B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP3717399B2
Application number: JP2000381261A
Authority: JP
Inventors: 裕之北澤
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-12-15
Filing date: 2000-12-15
Publication date: 2005-11-16
Anticipated expiration: 2020-12-15
Also published as: JP2002184739A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示器用のガラス基板や半導体ウェハなどの基板を水平面内で回転させながら薬液処理、洗浄処理や乾燥処理などの所要の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置として、例えば特開平９−３３０９０４号公報に開示された装置を図６を参照して説明する。
この基板処理装置は、半導体ウェハなどの基板Ｗを水平面内で回転させながら、基板Ｗの表裏面に薬液処理、洗浄処理、乾燥処理をその順に施す装置である。この基板処理装置は、基板Ｗを水平姿勢で保持する回転支持板１を備えている。回転支持板１１０は平面視で円形状の平板であって、その上面に基板Ｗの外周縁に係合して基板Ｗを支持する複数個の駆動ピン１１１が立設されている。
【０００３】
回転支持板１１０の回転中心部に開口１１０ａがあり、この開口１１０ａに筒軸１１２が連結固定されている。この筒軸１１２はベルト機構１１３を介してモータ１１４に連結されている。筒軸１１２の中心に沿って液ノズル１１５が配設されており、この液ノズル１１５の先端が基板Ｗの下面中心部に臨んでいる。液ノズル１１５は薬液供給源および洗浄液供給源に選択的に接続されるようになっている。また、筒軸１１２と液ノズル１１５との間隙は窒素ガスなどの不活性ガス供給源に連通接続されている。
【０００４】
基板Ｗを挟んで回転支持板１１０に平行に対向するように上部回転板１１６が配設されている。この上部回転板１１６も回転支持板１１０と同様に平面視で円形状の平板である。回転支持板１１０と同様に、上部回転板１１６の回転中心部に開口１１６ａがあり、この開口１１６ａに筒軸１１７が連結固定されている。この筒軸１１７はモータ１１８の出力軸に連結されている。筒軸１１７の中心に沿って液ノズル１１９が配設されており、この液ノズル１１９の先端が基板Ｗの上面中心部に臨んでいる。液ノズル１１５の場合と同様に、液ノズル１１９も薬液供給源および洗浄液供給源に選択的に接続されており、また、筒軸１１７と液ノズル１１９との間隙は不活性ガス供給源に連通接続されている。
【０００５】
そして、上下に平行に配置された回転支持板１１０と上部回転板１１６を囲むように処理室を形成するカップ１２０が配設されており、このカップ１２０の底部に排気管１２１が連通接続されている。このカップ１２０の内壁面は、処理中に、回転される基板Wから飛散される薬液および洗浄液を受け止めて排気管１２１に案内する。
【０００６】
以上のように構成された基板処理装置においては、次にように基板処理が行われる。
まず、上部回転板１１６が上方に退避した状態で、回転支持板１１０に基板Ｗが載置される。この基板Ｗは駆動ピン１１１によって支持される。続いて、上部回転板１１６が回転支持板１１０に対向する位置（図６の状態）にまで下降する。この状態でモータ１１４および１１８が始動して、回転支持板１１０および上部回転板１１６をそれぞれ同期して回転する。回転支持板１１０の回転に伴って、その回転力が駆動ピン１１１を介して基板Ｗに伝達され、基板Ｗも回転支持板１１０および上部回転板１１６と同期して回転する。基板Ｗの回転数が所定値に達すると、上下の開口１１０ａ、１１６ａから不活性ガスを導入しながら、上下の液ノズル１１９、１１５から薬液および洗浄液をその順に供給して、基板Ｗの表裏面の処理を行う。基板Ｗの薬液処理および洗浄処理が終わると、基板Ｗを回転させながら不活性ガスだけを導入して、基板Ｗの乾燥処理を行う。
【０００７】
このように薬液処理から乾燥処理までの間、回転支持板１１０と上部回転板１１６とで区画された偏平な処理空間Ｓ内で基板Ｗが処理される。基板Ｗに供給された薬液や洗浄液は不活性ガスとともに、回転支持板１１０および上部回転板１１６の回転による遠心力によって外方に追いやられて処理空間Ｓの外周端から排出され、カップ１２０の底部に連通する排気管１２１から排出される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。液ノズル１１５、１１９による薬液処理および洗浄処理以外に専用の処理ノズル、例えば超音波洗浄ノズルを配置して基板Ｗに超音波洗浄を行えるようにするには、上部回転板１１６を退去させる必要があった。
【０００９】
すなわち、上部回転板１１６を退去させた基板Wの上部空間に超音波洗浄ノズルを移動させて処理を行う。そのため、基板Ｗの超音波洗浄中は処理空間Ｓの雰囲気制御が行えないという問題があった。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、複数の処理ノズルを装備していても処理空間の雰囲気制御ができる処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上記目的を達成するために、本発明は、処理液が供給された基板を回転させながら、基板に所要の処理を施す基板処理装置において、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板を挟んで前記基板保持手段に対向して雰囲気遮断する上部遮蔽機構と、前記上部遮蔽機構の前記基板に臨んだ開口で、独立して接離移動して雰囲気遮断する補助遮断機構と、前記補助遮断機構が基板より離間した時に、前記上部遮断機構の開口より進入して、基板処理面に作用する処理ノズルと、を具備したことを特徴とする基板処理装置である。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記処理ノズルは、基板処理面を走査して処理を行うスキャンノズルであることを特徴とする。
【００１３】
本発明の作用は次のとおりである。請求項１に係る発明の基板処理装置においては、基板は水平に保持されその上部が上部遮蔽機構で雰囲気制御されながら処理が行われる。上部遮蔽機構にはその開口に臨んで補助遮蔽機構を有する。処理ノズルで基板処理を行う場合は、補助遮蔽機構が開口より離間し、その開口より処理ノズルが進入する。その結果、基板に処理ノズルが作用する時、基板は上部遮蔽機構により雰囲気遮断されたままで処理が行える。
【００１４】
請求項２記載の発明は、処理ノズルが例えば、基板を走査するスキャンノズルである。すなわち、スキャンノズルが上部遮蔽機構の開口より進入して基板を処理する。その結果、スキャンノズルにより処理においても、基板は上部遮蔽機構で雰囲気制御しながら処理が行われる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
＜第１実施例＞
本発明の実施の形態を、基板の一例として液晶表示器用のガラス基板の処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明する。ただし、本発明は、ガラス基板の処理に限らず、半導体ウェハなどの各種の基板の処理にも適用することができる。また、本発明が適用できる基板処理は、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理を同じ装置内で連続して行うものだけに限らず、単一の処理を行うものや、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理を同じ装置内で連続して行うものなどにも適用可能である。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態としての基板処理装置が配置された基板処理システムの構成を示す概略斜視図である。
この基板処理システム１では、一方の端部にＬＣＤ用ガラス基板Ｗ（以下、単に基板Ｗという）を基板処理装置２に搬入出する移載装置３が配置される。この移載装置３の、一端に基板Ｗを収容する複数のカセット４が載置可能に構成されたカセットステーション５が設けられており、このカセットステーション５の側方には、カセット４から処理工程前の一枚ずつ基板Ｗを取出しと共に、処理工程後の基板Ｗをカセット４内に１枚ずつ収容する搬送アーム６を備えた基板搬送装置７とが備えられている。
【００１７】
カセットステーション５の載置部８は、基板Ｗを２５枚収納したカセット４を複数個載置できる構成になっている。基板搬送装置７は、水平、昇降（Ｘ、Ｙ、Ｚ）方向に移動自在でると共に、かつ鉛直軸を中心に回転（θ方向）できるように構成されている。
【００１８】
次に基板処理装置２の構成について説明する。図２は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。この基板処理装置２は、矩形状の基板Ｗを処理するのに、基板を保持する回転支持部２０、それらを回転する駆動部３０、回転支持部２０の上側で処理空間Ｓを形成し遮蔽する上部遮蔽部４０、上部遮蔽部４０の昇降部５０、基板Ｗから振り切られる液体を回収するカップ部６０、基板Wに超音波洗浄を洗浄を行う超音波洗浄機構２００、それぞれの機構を収納するユニットハウジング７０を備えている。
【００１９】
回転支持部２０は、上平面視でドーナツ状の回転支持板２１に、基板Ｗを下面から支える支持ピン２２と駆動ピン２３が立設されて構成されている。駆動ピン２３は基板Wの４角部に対応して２個ずつ配置される。なお、図２では、図面が煩雑になることを避けるために、２個の駆動ピン２３のみを示している。
【００２０】
駆動ピン２３は、基板Ｗの外周端縁を下方から支持する支持部２３ａと支持部２３ａに支持された基板Ｗの外周端面に当接して基板Ｗの移動を規制する案内立ち上がり面２３ｂとを備えている。基板Ｗは、この回転支持板２１に水平姿勢で保持される。
【００２１】
駆動部３０は、回転支持板２１の回転中心の開口２４に連結して設けられている。そして、この開口２４に連通するように、回転支持板２１の下面に接続される筒軸３１と、この筒軸３１をベルト機構３２を介して回転するモータ３３とから構成されている。このモータ３３は本発明における駆動手段に相当し、筒軸３１は駆動軸に相当する。モーター３３を駆動することによって、筒軸３１、回転支持板２１とともに、保持された基板Ｗを鉛直方向の軸芯周りで回転させる。
【００２２】
また、筒軸３１は中空を有する筒状の部材で構成され、中心に沿って液ノズル３４が配設されており、この液ノズル３４の先端が基板Ｗの下面中心部に臨んでいる。そして上端部のノズル孔３４ａから基板Ｗの下面の回転中心付近に処理液を供給できるように構成されている。
【００２３】
筒軸３１は回転支持板２１の開口２４に臨んで延在し、回転支持板２１より上側に位置し排出口３６が開口される。そして、排出口３６において、この液ノズル３４の側面と筒軸３１内周面との間隙から大気圧雰囲気からのエアーが吐出される。液ノズル３４の先端部には断面Ｔ字状に形成され、平坦な上面の中央部に洗浄液のノズル孔３４ａが開口される。
【００２４】
液ノズル３４は、配管８０に連通接続されている。この配管８０の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管８０ａには薬液供給源８１が連通接続され、他方の分岐配管８０ｂには純水供給源８２が連通接続されている。各分岐配管８０ａ、８０ｂには開閉弁８３ａ、８３ｂが設けられていて、これら開閉弁８３ａ、８３ｂの開閉を切り換えることで、ノズル孔３４ａから薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できるようになっている。
【００２５】
また、気体供給路３５は、開閉弁８４ａが設けられた配管８４を介して気体供給源８５に連通接続されていて、気体供給路３５の上端部の吐出口３５ｃから回転支持板２１と基板Ｗの下面との間の空間に、清浄な空気や清浄な不活性ガス（窒素ガスなど）などの清浄な気体を供給できるように構成されている。
【００２６】
また、筒軸３１と液ノズル３４との間隙は流量調整弁８６ａを介して配管８６が大気圧雰囲気に開放されるよう構成されている。筒軸３１と液ノズル３４との間隙は開口３６を介して大気圧雰囲気からのエアーを排出される。この構成により、回転支持板２１が回転するとその遠心力で処理空間Ｓ内のエアーは排出され、回転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、大気圧雰囲気に開放されている筒軸３１内部はポンプ効果によりエアーを吸入する。その際、流量調整弁８６ａにより吸引されるエアー量は後述するように処理空間Ｓ内の気圧状態を所望の状態に設定するように調整される。
【００２７】
モータ３３やベルト機構３２などは、この基板処理装置２の底板としてのベース部材７１上に設けられた円筒状のケーシング３７内に収容されている。このケーシング３７が、筒軸３１の外周面に軸受け３８を介して接続され、筒軸３１を覆おう状態となる。すなわち、モータ３３から回転支持板２１に接続する直前までの筒軸３１の周囲をケーシング３７で覆い、これに伴い筒軸３１に下方に取り付けられたモータ３３もカバーで覆った状態とする。さらに、筒軸３１がケーシング３７の箇所の気密性を高めるため、ケーシング３７から突き出て回転支持板２１の下面を支持するでの筒軸３１の周囲の雰囲気を、その周面に沿って設けられた略円形状のシール部９０で密封する。
【００２８】
上部遮蔽部４０は、以下に説明する本発明の上部遮蔽機構を構成し、基板Ｗを挟んで回転支持板２１に対向するように上部回転板４１が配設されている。この上部回転板４１は基板Ｗの周縁領域を覆うリング状を呈しており、中央部に大きな開口４１ａが開けられている。そして開口４１ａの周囲は仕切壁４１ｂが円筒状に立設されており、この仕切壁４１ｂ内に、開口４１ａを塞ぐように補助遮蔽機構４５と、基板Ｗの上面に純水などの洗浄液を供給する液ノズル４３が、上下移動自在に設けられている。
【００２９】
そして、上部回転板４１は押えピン４４を介して駆動ピン２３により支持され、回転支持板２１とで挟まれた処理空間Ｓを構成している。駆動ピン２３は、支持部２３ａが基板Ｗの周縁に対して点接触することで基板Ｗに不均一に応力がかかることを防止している。押えピン４４は、逆凸形状を呈し、上部回転板４１下面に固定して取り付けられている。
【００３０】
上記の構成により、駆動ピン２３は押えピン４４とで上下に分離可能に構成されている。上部回転板４１がアームバー５５によって処理位置まで下降移動されたときに、駆動ピン２３が押えピン４４に嵌合することにより、上部回転板４１が回転支持板２１と一体回転可能に回転支持板２１に支持されるようになっている。つまり、駆動ピン２３は、上部回転板４１を回転支持板２１に着脱自在に支持する支持機構を兼ねている。また、この押えピン４４が基板Ｗの浮き上がりを防止する。
【００３１】
補助遮蔽機構４５は、図３に示すように円板形状の遮蔽板４５１の中心開口４５２に液ノズル４３が間隙４５２ａにより非接触に挿入配置されている。中心開口４５２の上端にはプレート４５３が延設され、その端部に昇降駆動手段４５４が連設される。昇降駆動機構４５４は公知のシリンダー等により構成され、後述する接離機構４３０の支持アーム４３１に装着される。
【００３２】
この構成により、回転支持板３１が回転するとその遠心力で処理空間Ｓ内のエアーは排出され、回転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、処理空間Ｓは遮蔽板４５１と液ノズル４３との間隙４５２ａよりエアーを吸入する。その際、間隙４５２ａは吸引されるエアー（気流）の流れに抵抗を与えて、処理空間Ｓ内に供給されるエアーの流量を制限する役目を担っている。そして、エアー量は後述するように処理空間Ｓ内の気圧状態を所望の状態に設定するように調整される。処理空間Ｓは、基板Ｗを挟んで下部と上部に区画され、間隙４５２ａにより上部に流入するエアー流量を規定することで上部の気圧を設定し、開口３６により下部に流入するエアー流量を規定することで下部の気圧を設定する。この基板Ｗの上部と下部の気圧の設定で基板Ｗの回転処理中の浮き上がりや波打ちが抑制される。
【００３３】
昇降部５０は、上部回転板４１の上面に上方に張り出し設置されたＴ字状の係合部５１と、この係合部５１の上部鍔部５１ａに連結された昇降駆動手段５２とから構成されている。この昇降駆動手段５２はシリンダー５３のロッド５４が伸縮することでアームバー５５が昇降する。アームバー５５の下面には上述の係合部５１に対向して門形アーム５６が配置され、係合部５１の上部鍔部５１ａが係合される。この構成で門形アーム５６が上部鍔部５１ａに当接して上下動することにより、回転支持板２１に支持される処理位置と、基板Ｗの搬入・搬出を許容する上方の退避位置とにわたって上部回転板４１が移動するようになっている。尚、図１では、２つの昇降駆動手段５２が開示されているが、上部回転板２１の上面で等間隔に４つの係合部５１が配置され、それに対応して４つの昇降駆動手段５２が配置される。そして上部回転板４１の回転停止位置の制御により、係合部５１と門形アーム５６が係合される。
【００３４】
さらに、この昇降部５０と上部回転板４１の上方は、例えばステンレス鋼板に多数の小孔を開けた、いわゆるパンチングプレートであって、中心側に開口が形成された流路抵抗部材５７が配置されている。この流路抵抗部材５７は、その内周縁には仕切壁５７ａが下方に延在して構成され、仕切壁５７ａは仕切壁４１ｂの外周面に近接している。流路抵抗部材５７の外周縁はユニットハウジング７０に接続される。そして、この流路抵抗部材５７が装置２内の上部を略閉塞し２分することで、後述する排気構造を介した排気に伴う負圧に応じて、引き込まれるエアー（気流）に流れを与えて、処理空間Ｓから排出されるミストを含んだエアーが飛散することを制限する役目を担っている。
【００３５】
なお、流路抵抗部材５７は本実施例のようなパンチングプレートに限らず、例えば複数枚の板材を鉛直方向に傾斜させて近接配置したものであってもよく、好ましくは、このような板材の傾斜角度を変えることにより、流路抵抗を可変するようにしてもよい。
【００３６】
流路抵抗部材５７の上面には図３に示すように液ノズル４３の接離機構４３０と、上部遮蔽部４０を挟んで対角線上に超音波洗浄機構２００が配置される。液ノズル４３は、支持アーム４３１に支持され、支持アーム４３１は接離機構４３０によって旋回及び昇降される。この支持アーム４３１の昇降によって、基板Ｗに対して液ノズル４３が接離され、旋回によって上部遮蔽部４０の中心位置（図２の状態）と側部の待機位置（図３の状態）との間で旋回するように構成されている。このような接離動を実現する接離機構４３０は、螺軸などを用いた機構や、あるいは、エアシリンダなどで構成されている。この時、補助遮蔽機構４５も同時に昇降および旋回を行うが、遮蔽板４５１は昇降駆動手段４５４により独立して液ノズル４３に沿って昇降される。
【００３７】
液ノズル４３の中空部には、液供給管４３２が貫通され、その下端部から回転支持板２１に保持された基板Ｗの上面の回転中心付近に処理液を供給できるように構成されている。液供給管４３２は配管８７に連通接続されている。この配管８７の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管８７ａには薬液供給源８１が連通接続され、他方の分岐配管８７ｂには純水供給源８２が連通接続されている。各分岐配管８７ａ、８７ｂには開閉弁８８ａ、８８ｂが設けられていて、
【００３８】
また、液ノズル４３の内周面と液供給管４３２の外周面との間の隙間は、気体供給路４３３となっている。この気体供給路４３３は、開閉弁８９ａが設けられた配管８９を介して気体供給源８５に連通接続されていて、気体供給路４３３の下端部から上部回転板４１と基板Ｗの上面との間の空間に清浄な気体を供給できるように構成されている。この気体供給路３５とガス貯溜部３５ａ、導管３５ｂ、吐出口３５ｃ、配管８４、開閉弁８４ａおよび気体供給源８５が本発明の不活性ガス噴出手段に相当する。
【００３９】
超音波洗浄機構２００は、図３に示すように、接離機構２０１と、接離機構２０１の側部から延設される支持アーム２０２と、支持アーム２０２の先端に２個の著音波洗浄ノズル２０３が支持される。この構成により支持アーム２０２は接離機構２０１によって接離機構２０１の回動中心２０４を中心に旋回及び昇降される。この支持アーム４３１の昇降によって、基板Ｗに対して超音波洗浄ノズル２０３が接離され、旋回によって上部遮蔽部４０の中心位置（図３の状態）と側部の待機位置（図２の状態）との間で旋回するように構成されている。
【００４０】
さらに、支持アーム２０２の先端の超音波洗浄ノズル２０３を保持する保持片２０２ａはその大きさが上部回転板４１の開口４１ａの直径より少し短尺に形成され、開口４１ａより進入してた状態で支持アーム２０２が開口４１ａの直径分の長さ旋回することで、保持片２０２ａが基板Ｗの表面に対向した状態で超音波洗浄ノズル２０３を走査する。すなわち、この超音波洗浄機構２００の構成が本発明のスキャンノズルに相当する。
【００４１】
また、保持片２０２ａが基板Ｗと上部回転板４１との間に進入するには、支持アーム２０２が開口４１ａの仕切壁４１ｂに近接して旋回を停止することで、開口４１ａを保持片２０２ａが通過可能とする。そして、保持片２０２ａが支持アーム２０２の旋回方向に直角に形成されることで、支持アーム２０２が基板Ｗの回転中心Ｐから仕切壁４１ｂまで旋回することで、保持片２０２ａの先端は基板Ｗの回転軌跡Ｗ１まで移動することができる。その結果、保持片２０２ａに装着される超音波洗浄ノズル２０３が基板Ｗの半径方向を走査して、基板Ｗが回転することで、基板Ｗ全面を洗浄する。
【００４２】
図２に戻って、カップ部６０は、回転支持板２１と上部回転板４１との外周端の間隙である排出口に臨んで開口したリング状の排気カップ６１が配設され、以下の排気構造を含む。この排気カップ６１は、回転支持板２１の下方に延設し、回転支持板２１の回転軸（本実施例では筒軸３１）と平行して配置される排気管６２に繋がり、この排気管６２を介して装置外の排気手段に連通している。また、排気カップ６１の底部外周側には、エアーとともに排出された処理液を排出するための排液管６３が連通接続されている。符号６４は、この排気カップ６１を上下動する昇降駆動手段である。
【００４３】
ユニットハウジング７０は、ベース部材７１上にカップ部６０を囲む大きさの枠体７２と、この枠体７２に基板搬入出口７３を形成される。この構成により、昇降駆動手段５２が昇降すると上部回転板４１が上昇し、同時に昇降駆動手段６４が昇降すると排気カップ６１が下降しする。それに伴い回転支持板２１が枠体７２の搬入口７３に臨むことにより装置２に基板Ｗを外部から搬入可能となる。
【００４４】
図４は、本装置の制御系の構成を示すブロック図であり、回転支持板２１を回転制御するためのモータ３３と、薬液供給源８１と純水供給源８２と気体供給源８５からの薬液、純水、気体の供給制御をするための開閉弁８３ａ、８３ｂ、８４ａ、８８ａ、８８ｂ、８９ａと、上部回転板４１の昇降制御をするための昇降部５０と、液ノズル４３と補助遮蔽機構４５の旋回及び接離制御をするための接離機構４３０と、遮蔽板４５１を昇降制御するための昇降駆動手段４５４と、超音波洗浄ノズル２０３を旋回及び接離制御をするための接離機構２０１とを制御するための構成が示されている。制御部３００には、基板Ｗに応じた洗浄条件が、洗浄プログラム（レシピーとも呼ばれれる）として予め制御部３００に格納されており、各基板Ｗごとの洗浄プログラムに準じて前記各部が制御されている。なお、制御部３００には、さらに洗浄プログラムの作成・変更や、複数の洗浄プログラムの中から所望のものを選択するために用いる指示部３０１が接続されている。
【００４５】
次に、以上のような構成を有する装置の動作を図５（ａ）ないし図５（ｄ）を参照して説明する。図５（ａ）は基板Ｗの薬液処理状態を示し、図５（ｂ）は洗浄処理の状態、図５（ｃ）は超音波洗浄の状態、図５（ｄ）は乾燥処理の状態を示している。なお、一例として、基板Ｗは表裏面をエッチングして洗浄する処理を施すことを目的としているものとして説明する。
【００４６】
処理工程の全体の流れについて以下に概説する。
まず、所定の基板Ｗに応じた洗浄プログラムを指示部３０１から選択して実行する。そうすると、制御部３００は基板Ｗが本実施例装置２に搬入されるとき、上部回転板４１および液ノズル４３は上方の退避位置にする。上部回転板４１が退避位置にある状態で、駆動ピン２３と押えピン４４は上下に分離されており、回転支持板２１上には駆動ピン２３だけがある。こうして、上部回転板４１と回転支持板２１との間に、基板Ｗの搬入経路が確保される。基板搬入出口７３を介して基板搬送装置７で搬送されてきた基板Ｗは、駆動ピン２３によって受け持ち支持される。基板搬送装置７の搬送アーム６が処理装置２内に入り込み、駆動ピン２３の上に未処理の基板Ｗをおき、その後、処理装置２外に退避する。
【００４７】
次いで、この状態で、接離機構４３０を制御し、液ノズル４３を旋回し、開口部４１ａの上方から下降させ基板Ｗ表面上に配置する。液ノズル３４、４３のから薬液を基板Ｗの下面に供給して本発明の薬液処理過程を開始する。すなわち、開閉弁８３ａ、８８ａを開成することにより、液ノズル３４、４３から洗浄用薬液としてのエッチング液を吐出させる。なお、遮蔽板４５１は昇降駆動手段４５４を伸縮して上方に位置させる。
【００４８】
さらに、制御部３００は、駆動制御信号を与え、モータ３３を回転させる。これにより、筒軸３１が回転され、回転支持板２１が一体的に回転することになる。したがって、回転支持板２１に保持されている基板Ｗは、水平に保持された状態で回転されることになる。これにより、基板Ｗの表裏面の中央に向けてエッチング液が至近距離から供給される。供給されたエッチング液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって回転半径方向外方側へと導かれるので、結果として、基板Ｗの表裏面の全域に対して隈無く薬液洗浄を行うことができる。
【００４９】
この薬液処理の際に、回転される基板Ｗの周縁から振り切られて周囲に飛散する薬液は、排気カップ６１で受け止められ、排液管６２に導かれ排液されることになる。また、この時、上部回転板４１と遮蔽板４５１が基板Ｗより離間しているので、薬液が飛散して上部回転板４１と遮蔽板４５１に付着することを防止する。
【００５０】
なお、薬液供給源８１から基板Ｗに供給されるエッチング液としては、たとえば、ＨＦ、ＢＨＦ（希フッ酸）、Ｈ_３ＰＯ_４、ＨＮＯ_３、ＨＦ＋Ｈ_２Ｏ_２（フッ酸過水）、Ｈ_３ＰＯ_４＋Ｈ_２Ｏ_２（リン酸過水）、Ｈ_２ＳＯ_４＋Ｈ_２Ｏ_２（硫酸過水）、ＨＣｌ＋Ｈ_２Ｏ_２（アンモニア過水）、Ｈ_３ＰＯ_４＋ＣＨ_３ＣＯＯＨ＋ＨＮＯ_３、ヨウ素＋ヨウ化アンモニウム、しゅう酸系やクエン酸系の有機酸、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド）やコリンなどの有機アルカリを例示することができる。
【００５１】
また、基板Ｗから飛散され排気カップ６１に当たった薬液の一部はミストとなって浮遊することになる。しかしながら、この装置では、回転支持板２１近傍に浮遊するミストがケーシング３７との間を筒軸３１へ移動したとしても、シール部９０により、そのミストが駆動部３０に侵入することが防止される。
【００５２】
所定の薬液洗浄処理時間が経過すると、液ノズル３４、４３からのエッチング液の供給を停止する。続いて、制御部３００は昇降部５０を制御して、図５（ｂ）に示すように上部回転板４１を下降させる。これにより、退避位置にあった上部回転板４１が処理位置にまで下降移動することにより、上部回転板４１の押えピン４４が回転支持板２１の駆動ピン２３に嵌合連結される。この状態ので開閉弁８３ａを閉成して薬液処理過程を終了するとともに、開閉弁８３ｂ、８８ｂを開成する。
【００５３】
これにより、液ノズル３４、４３からは、洗浄液として純水が、基板Ｗの上下面の中央に向けて供給されることになる。よって、純水を基板Ｗの上下両面に供給して基板Ｗに付着している薬液を純水で洗い落とす洗浄処理過程を行う。こうして、薬液処理工程後の基板Ｗの上下面に存在するエッチング液を洗い流すための洗浄処理過程が行われる。なお、洗浄液としては、他に、オゾン水、電解イオン水などであってもよい。
【００５４】
さらに、駆動制御信号を与え、モータ３３を回転させる。これにより、筒軸３１が回転され、筒軸３１に固定されている回転支持板２１が中心を通る鉛直軸芯まわりに回転することになる。回転支持板２１の回転力は駆動ピン２３を介して基板Ｗに伝達されて、基板Ｗが回転支持板２１とともに回転する。さらに、回転支持板２１の回転力は押えピン４４を介して上部回転板４１に伝達され、上部回転板４１も回転支持板２１とともに回転する。
【００５５】
この洗浄処理過程の際に、回転される基板Ｗの周縁から振り切られて周囲に飛散する廃液（薬液が混ざった純水）の一部はミストとなって浮遊するが、基板Ｗの上面から所定間隔隔てて配置された上部回転板２１により、排気カップ６１の上部開口の中央部分が塞がれているので、上部回転板２１と排気カップ６１の内壁面との円環状の狭い隙間から気体が流入することになり、基板Ｗ及び回転支持板２１の周囲を流下して排気管６２に流れる気体の流速は比較的速くなり、回転支持板２１の下方空間で気体の対流が起き難くなる。従って、洗浄液のミストが基板Ｗに再付着することと、上部回転板４１の外側に飛散するのを抑制することができる。
【００５６】
洗浄処理の時間が経過すると、図５（ｃ）に示すように、制御部３００は、接離機構４３０を制御して、液ノズル４３と遮蔽板４５１を待機位置に位置させる。そして、超音波洗浄機構２００の接離機構２０１を制御して保持片２０２ａを開口４１ａの範囲に位置するように支持アーム２０２を旋回する。次に、支持アーム２０２を下降して、保持片２０２ａを処理空間Ｓ内に進入させる。保持片２０２ａが上部回転板４１と基板Ｗとの間隙に位置すると、支持アーム２０２の下降を停止する。
【００５７】
次に、制御部３００は、２個の超音波洗浄ノズル２０３、２０３から洗浄液を吐出しながら支持アームを基板Ｗの半径間を往復移動する。所定回数、往復移動を行った後、超音波洗浄ノズル２０３、２０３からの洗浄液の吐出を停止して、支持アーム２０２を保持片２０２ａが開口４１ａの中央付近まで移動させる。そして、接離機構２０１により支持アーム２０２を上昇させ、上部回転板４１より上部に位置してから、待機位置へ旋回させる。
【００５８】
すなわち、この超音波洗浄機構２００による洗浄を行う間、処理空間Ｓは基板Ｗの上面の大半が上部回転板４１により遮蔽された状態のまま超音波洗浄が行われる。よって、処理空間Ｓは雰囲気制御を行った状態であり、基板Ｗ表面の全面に対して均一的に洗浄処理が施される。
【００５９】
洗浄液の供給が停止された後は、回転支持板２１が高速回転駆動されることにより、基板Ｗに付着した洗浄液が振り切られる。この乾燥工程の際、図５（ｄ）に示すように、制御部３００は接離機構４３０を制御して液ノズル４３と遮蔽板４５１を上部回転板４１の開口４１ａに対向する位置まで旋回させる。そして、昇降駆動手段４５４を伸長させて、遮蔽板４５１を基板Ｗに近接するまで下降する。
【００６０】
続いて、開閉弁８４ａ、８９ａを開成し、気体供給路３５、４３３から基板Ｗの上下面に窒素ガスを供給させる。これにより、処理空間Ｓの空気は、すみやかに窒素ガスに置換されるので、洗浄処理後の基板Ｗの上下面に不所望な酸化膜が成長することはない。基板Ｗから振り切られた洗浄液のミストはエアーの流れに乗って処理空間Ｓ内を半径方向外側に流動し、回転支持板２１と上部回転板４１及び遮蔽板４５１の間隙から排出される。この、乾燥開始と同時に、排気管６２、６２に連通する装置外の排気手段が作動して排気カップ部６１が排気される。そして、排出された洗浄液のミストを含むエアーは排気カップ部６１および排気管６２、６２を介して装置２外へ排出される
【００６１】
また、回転支持板２１と上部回転板４１との間隙（処理空間Ｓ）は外周端側で絞られて、その上下の間隔が回転中心側のそれよりも狭くなっているので、外周からのエアーの排出量が規制される。これに合わせて、回転支持板２１側から基板Ｗとの処理空間Ｓである下側空間内へポンプ効果により吸入されるエアーの量も流量調整弁８６ａによって調整され、また、上部回転板４１側から基板Ｗとの処理空間Ｓである上側空間内へ吸入されるエアーの量は流路抵抗部材４２によって規制される。
【００６２】
乾燥工程の終了後には、モータ３３の回転を停止させ、さらに、上部回転板４１および液ノズル４３と遮蔽板４５１が退避位置に戻されて、基板搬送装置７によって処理済の基板Ｗが装置外へ搬出される。以下、上述したと同様に未処理の基板Ｗが搬入されて処理が繰り返し行われる。
【００６３】
以上、上記実施例によれば、この基板処理装置は、基板Ｗを上下の回転板で処理空間の雰囲気制御を行いながら水平面内で回転させて、基板Ｗの表裏面に処理を施す装置である。上部回転板にはその開口に臨んで補助遮蔽機構を有する。処理ノズルで基板処理を行う場合は、補助遮蔽機構が開口より離間し、その開口より処理ノズルが進入する。その結果、基板に処理ノズルが作用する時、基板は上部回転板により雰囲気遮断されたままで処理が行える。
【００６４】
本発明は上述した実施例に限らず次のように変形実施することができる。
（１）気体供給路３５からの窒素ガスの噴射は、乾燥処理に限らず、薬液処理時や洗浄処理時に各処理液の供給中に平行して行ってもい。
【００６５】
（２）さらに、上述の実施形態では、開口４１ａから進入する処理ノズルとして超音波洗浄ノズル２０３、２０３で構成したが、他の構成の処理ノズルであったもよい。例えば、洗浄ブラシを先端に装着し基板Ｗ表面をスクラブ洗浄するブラシ処理ノズルであったも本発明を適用できる。
【００６６】
（３）さらに、上述の実施形態では、エッチング液を薬液処理として用いているが、剥離液を用いた薬液処理に適用してもよい。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、この基板処理装置は、半導体ウェハなどの基板Ｗを上下の回転板で処理空間の雰囲気制御を行いながら水平面内で回転させて、基板Ｗの表裏面に処理を施す装置である。処理ノズルで基板処理を行う場合は、上部遮蔽機構の開口より処理空間内に処理ノズルが進入する。その結果、基板は上部遮蔽機構により雰囲気遮断されたままで処理が行える。よって、基板の処理を全面にわたって斑なく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理システムの一実施例の概略構成を示した斜視図である。
【図２】本発明に係る基板処理装置の一実施例の概略構成を示した縦断面図である。
【図３】上部遮蔽機構とその周辺の構成を示す概略平面図である。
【図４】本装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図５】図５は基板Ｗの処理状態を説明する図で、（ａ）は基板Ｗの薬液処理状態を示し、（ｂ）は洗浄処理の状態、（ｃ）は超音波洗浄の状態、（ｄ）は乾燥処理の状態を示している説明図である。
【図６】従来装置の概略構成を示した縦断面図である。
【符号の説明】
Ｗ基板
Ｓ処理空間
２基板処理装置
２０回転支持部
２１、１１０回転支持板
３０駆動部
４０上部遮蔽部
４１、１１６上部回転板
４５補助遮蔽機構
３４、４３液ノズル
４５１遮断板
４５４昇降駆動機構
２０１、４３０接離機構
２００超音波洗浄機構
２０３超音波洗浄ノズル
３００制御部
６０カップ部
６１排気カップ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs required processing such as chemical processing, cleaning processing, and drying processing while rotating a substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer for a liquid crystal display in a horizontal plane.
[0002]
[Prior art]
As a conventional substrate processing apparatus of this type, for example, an apparatus disclosed in JP-A-9-330904 will be described with reference to FIG.
This substrate processing apparatus is an apparatus that performs chemical treatment, cleaning treatment, and drying treatment on the front and back surfaces of the substrate W in that order while rotating the substrate W such as a semiconductor wafer in a horizontal plane. The substrate processing apparatus includes a rotation support plate 1 that holds a substrate W in a horizontal posture. The rotation support plate 110 is a circular flat plate in plan view, and a plurality of drive pins 111 that support the substrate W by being engaged with the outer peripheral edge of the substrate W are provided on the upper surface thereof.
[0003]
An opening 110a is provided at the center of rotation of the rotation support plate 110, and a cylindrical shaft 112 is connected and fixed to the opening 110a. The cylindrical shaft 112 is connected to a motor 114 via a belt mechanism 113. A liquid nozzle 115 is disposed along the center of the cylindrical shaft 112, and the tip of the liquid nozzle 115 faces the center of the lower surface of the substrate W. The liquid nozzle 115 is selectively connected to a chemical liquid supply source and a cleaning liquid supply source. The gap between the cylinder shaft 112 and the liquid nozzle 115 is connected to an inert gas supply source such as nitrogen gas.
[0004]
An upper rotating plate 116 is disposed so as to face the rotating support plate 110 in parallel with the substrate W interposed therebetween. The upper rotating plate 116 is also a circular flat plate in plan view like the rotation support plate 110. Similar to the rotation support plate 110, there is an opening 116a at the center of rotation of the upper rotation plate 116, and a cylindrical shaft 117 is connected and fixed to the opening 116a. The cylindrical shaft 117 is connected to the output shaft of the motor 118. A liquid nozzle 119 is disposed along the center of the cylindrical shaft 117, and the tip of the liquid nozzle 119 faces the center of the upper surface of the substrate W. As in the case of the liquid nozzle 115, the liquid nozzle 119 is also selectively connected to the chemical liquid supply source and the cleaning liquid supply source, and the gap between the cylindrical shaft 117 and the liquid nozzle 119 is connected to the inert gas supply source. Has been.
[0005]
A cup 120 forming a processing chamber is disposed so as to surround the rotary support plate 110 and the upper rotary plate 116 arranged in parallel in the vertical direction, and an exhaust pipe 121 is connected to the bottom of the cup 120. Yes. The inner wall surface of the cup 120 receives the chemical liquid and the cleaning liquid scattered from the rotating substrate W and guides them to the exhaust pipe 121 during processing.
[0006]
In the substrate processing apparatus configured as described above, the substrate processing is performed as follows.
First, the substrate W is placed on the rotation support plate 110 with the upper rotation plate 116 retracted upward. This substrate W is supported by drive pins 111. Subsequently, the upper rotating plate 116 is lowered to a position (state shown in FIG. 6) facing the rotating support plate 110. In this state, the motors 114 and 118 are started to rotate the rotation support plate 110 and the upper rotation plate 116 in synchronization with each other. As the rotation support plate 110 rotates, the rotational force is transmitted to the substrate W via the drive pins 111, and the substrate W also rotates in synchronization with the rotation support plate 110 and the upper rotation plate 116. When the number of rotations of the substrate W reaches a predetermined value, the chemical liquid and the cleaning liquid are sequentially supplied from the upper and lower liquid nozzles 119 and 115 while introducing the inert gas from the upper and lower openings 110a and 116a. Perform the process. When the chemical liquid processing and the cleaning processing of the substrate W are completed, the substrate W is dried by introducing only an inert gas while rotating the substrate W.
[0007]
As described above, the substrate W is processed in the flat processing space S defined by the rotation support plate 110 and the upper rotation plate 116 from the chemical treatment to the drying treatment. The chemical solution and the cleaning solution supplied to the substrate W together with the inert gas are driven outward by the centrifugal force generated by the rotation of the rotation support plate 110 and the upper rotation plate 116 and discharged from the outer peripheral end of the processing space S, and the bottom of the cup 120 Is exhausted from an exhaust pipe 121 communicating with.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional example having such a configuration has the following problems. In order to perform ultrasonic cleaning on the substrate W by arranging a dedicated processing nozzle, for example, an ultrasonic cleaning nozzle, in addition to the chemical processing and cleaning processing by the liquid nozzles 115 and 119, it is necessary to move the upper rotating plate 116 away. there were.
[0009]
That is, processing is performed by moving the ultrasonic cleaning nozzle into the upper space of the substrate W from which the upper rotating plate 116 has been removed. Therefore, there is a problem that the atmosphere of the processing space S cannot be controlled during the ultrasonic cleaning of the substrate W.
[0010]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a processing apparatus capable of controlling the atmosphere of a processing space even if a plurality of processing nozzles are provided.
[0011]
[Means for solving the problems and their functions and effects]
In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing required processing on a substrate while rotating the substrate supplied with a processing liquid, and a substrate holding means for holding the substrate substantially horizontally, An upper shielding mechanism that interrupts the atmosphere while facing the substrate holding means, an auxiliary shielding mechanism that independently contacts and separates the atmosphere by an opening facing the substrate of the upper shielding mechanism, and the auxiliary shielding A substrate processing apparatus comprising: a processing nozzle that enters the opening of the upper blocking mechanism and acts on a substrate processing surface when the mechanism is separated from the substrate.
[0012]
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the processing nozzle is a scan nozzle that performs processing by scanning the substrate processing surface.
[0013]
The operation of the present invention is as follows. In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the substrate is held horizontally, and the processing is performed while the upper portion of the substrate is controlled by the upper shielding mechanism. The upper shielding mechanism has an auxiliary shielding mechanism facing the opening. When the substrate processing is performed with the processing nozzle, the auxiliary shielding mechanism is separated from the opening, and the processing nozzle enters from the opening. As a result, when the processing nozzle acts on the substrate, the substrate can be processed while the atmosphere is blocked by the upper shielding mechanism.
[0014]
According to a second aspect of the present invention, the processing nozzle is, for example, a scan nozzle that scans the substrate. That is, the scan nozzle enters from the opening of the upper shielding mechanism to process the substrate. As a result, even when processing is performed by the scan nozzle, the substrate is processed while the atmosphere is controlled by the upper shielding mechanism.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
<First embodiment>
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, taking as an example a substrate processing apparatus used for processing a glass substrate for a liquid crystal display as an example of the substrate. However, the present invention can be applied not only to processing of glass substrates but also to processing of various substrates such as semiconductor wafers. In addition, the substrate processing to which the present invention can be applied is not limited to a chemical treatment, a cleaning treatment, and a drying treatment performed continuously in the same apparatus, but a single treatment, a chemical treatment, a cleaning treatment, In addition, the present invention can also be applied to those in which the drying process is continuously performed in the same apparatus.
[0016]
FIG. 1 is a schematic perspective view showing the configuration of a substrate processing system in which a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is arranged.
In the substrate processing system 1, a transfer device 3 that carries an LCD glass substrate W (hereinafter simply referred to as a substrate W) into and out of the substrate processing apparatus 2 is disposed at one end. A cassette station 5 in which a plurality of cassettes 4 for accommodating substrates W are placed on one end of the transfer device 3 is provided, and a processing step from the cassette 4 to the side of the cassette station 5 is provided. A substrate transfer device 7 including a transfer arm 6 for taking out the substrates W one by one and storing the processed substrates W one by one in the cassette 4 is provided.
[0017]
The placement unit 8 of the cassette station 5 is configured to be able to place a plurality of cassettes 4 containing 25 substrates W. The substrate transfer device 7 is configured to be movable in the horizontal and vertical (X, Y, Z) directions and to be rotatable (θ direction) about the vertical axis.
[0018]
Next, the configuration of the substrate processing apparatus 2 will be described. FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing the configuration of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 2 forms and shields a processing space S on the upper side of the rotation support unit 20, a rotation support unit 20 that holds the substrates, a drive unit 30 that rotates them, and the rotation support unit 20 to process the rectangular substrate W. The upper shielding part 40, the raising / lowering part 50 of the upper shielding part 40, the cup part 60 for collecting the liquid shaken off from the substrate W, the ultrasonic cleaning mechanism 200 for cleaning the substrate W with ultrasonic cleaning, and the units for storing the respective mechanisms A housing 70 is provided.
[0019]
The rotation support unit 20 is configured such that a support pin 22 and a drive pin 23 that support a substrate W from the lower surface are erected on a donut-shaped rotation support plate 21 in an upper plan view. Two drive pins 23 are arranged corresponding to the four corners of the substrate W. In FIG. 2, only two drive pins 23 are shown in order to avoid complicated drawing.
[0020]
The drive pin 23 includes a support portion 23a that supports the outer peripheral edge of the substrate W from below, and a guide rising surface 23b that abuts on the outer peripheral end surface of the substrate W supported by the support portion 23a and restricts the movement of the substrate W. ing. The substrate W is held on the rotation support plate 21 in a horizontal posture.
[0021]
The drive unit 30 is provided so as to be connected to the opening 24 at the rotation center of the rotation support plate 21. A cylindrical shaft 31 connected to the lower surface of the rotation support plate 21 and a motor 33 that rotates the cylindrical shaft 31 via a belt mechanism 32 so as to communicate with the opening 24. The motor 33 corresponds to drive means in the present invention, and the cylindrical shaft 31 corresponds to a drive shaft. By driving the motor 33, the substrate W held together with the cylindrical shaft 31 and the rotation support plate 21 is rotated around the vertical axis.
[0022]
The cylindrical shaft 31 is formed of a hollow cylindrical member, and a liquid nozzle 34 is disposed along the center. The tip of the liquid nozzle 34 faces the center of the lower surface of the substrate W. And it is comprised so that a process liquid can be supplied to the vicinity of the rotation center of the lower surface of the board | substrate W from the nozzle hole 34a of an upper end part.
[0023]
The cylinder shaft 31 extends toward the opening 24 of the rotation support plate 21, is positioned above the rotation support plate 21, and the discharge port 36 is opened. Then, air from the atmospheric pressure atmosphere is discharged from the gap between the side surface of the liquid nozzle 34 and the inner peripheral surface of the cylindrical shaft 31 at the discharge port 36. The tip of the liquid nozzle 34 is formed in a T-shaped cross section, and a cleaning liquid nozzle hole 34a is opened at the center of the flat upper surface.
[0024]
The liquid nozzle 34 is connected in communication with the pipe 80. The base end portion of the pipe 80 is branched, and a chemical solution supply source 81 is connected to one branch pipe 80a, and a pure water supply source 82 is connected to the other branch pipe 80b. The branch pipes 80a and 80b are provided with on-off valves 83a and 83b. By switching between the on-off valves 83a and 83b, the chemical solution and pure water can be selectively switched and supplied from the nozzle hole 34a. It has become.
[0025]
The gas supply path 35 is connected to a gas supply source 85 through a pipe 84 provided with an on-off valve 84a. The gas supply path 35 is connected to the rotation support plate 21 and the substrate W from the discharge port 35c at the upper end of the gas supply path 35. A clean gas such as clean air or a clean inert gas (nitrogen gas, etc.) can be supplied to the space between the lower surface of the gas.
[0026]
The gap between the cylinder shaft 31 and the liquid nozzle 34 is configured such that the pipe 86 is opened to an atmospheric pressure atmosphere via a flow rate adjusting valve 86a. Air from the atmospheric pressure atmosphere is discharged through the opening 36 in the gap between the cylindrical shaft 31 and the liquid nozzle 34. With this configuration, when the rotation support plate 21 rotates, the air in the processing space S is discharged by the centrifugal force, and the closer to the rotation center, the lower the pressure is. For this reason, the inside of the cylindrical shaft 31 opened to the atmospheric pressure atmosphere sucks air by the pump effect. At that time, the amount of air sucked by the flow rate adjusting valve 86a is adjusted so as to set the atmospheric pressure in the processing space S to a desired state as will be described later.
[0027]
The motor 33 and the belt mechanism 32 are accommodated in a cylindrical casing 37 provided on a base member 71 as a bottom plate of the substrate processing apparatus 2. The casing 37 is connected to the outer peripheral surface of the cylindrical shaft 31 via a bearing 38 so as to cover the cylindrical shaft 31. That is, the periphery of the cylinder shaft 31 from the motor 33 to immediately before connecting to the rotation support plate 21 is covered with the casing 37, and the motor 33 attached to the cylinder shaft 31 along with this is also covered with the cover. Furthermore, in order to improve the airtightness of the location of the casing 37, the cylinder shaft 31 protrudes from the casing 37 and supports the lower surface of the rotation support plate 21. An atmosphere around the cylinder shaft 31 is provided along the peripheral surface. Sealing is performed with a substantially circular sealing portion 90.
[0028]
The upper shielding part 40 constitutes an upper shielding mechanism of the present invention described below, and an upper rotating plate 41 is disposed so as to face the rotating support plate 21 with the substrate W interposed therebetween. The upper rotating plate 41 has a ring shape that covers the peripheral area of the substrate W, and has a large opening 41a at the center. A partition wall 41b is provided in a cylindrical shape around the opening 41a, and an auxiliary shielding mechanism 45 and a cleaning liquid such as pure water are supplied to the upper surface of the substrate W in the partition wall 41b so as to close the opening 41a. A liquid nozzle 43 is provided to be movable up and down.
[0029]
The upper rotary plate 41 is supported by the drive pin 23 via the presser pin 44 and constitutes a processing space S sandwiched between the rotary support plate 21. The drive pin 23 prevents the substrate W from being stressed unevenly by the point of contact of the support portion 23a with the peripheral edge of the substrate W. The presser pin 44 has an inverted convex shape and is fixedly attached to the lower surface of the upper rotating plate 41.
[0030]
With the above configuration, the drive pin 23 is configured to be separable up and down with the presser pin 44. When the upper rotating plate 41 is moved down to the processing position by the arm bar 55, the driving pin 23 is fitted to the presser pin 44, so that the upper rotating plate 41 can rotate integrally with the rotating support plate 21. Has come to be supported. That is, the drive pin 23 also serves as a support mechanism that detachably supports the upper rotary plate 41 on the rotary support plate 21. Further, the presser pins 44 prevent the substrate W from being lifted.
[0031]
In the auxiliary shielding mechanism 45, as shown in FIG. 3, a liquid nozzle 43 is inserted and disposed in a non-contact manner through a gap 452a in a central opening 452 of a disk-shaped shielding plate 451. A plate 453 is extended at the upper end of the central opening 452, and an elevating drive means 454 is continuously provided at the end thereof. The elevating drive mechanism 454 is configured by a known cylinder or the like, and is attached to a support arm 431 of an approach / separation mechanism 430 described later.
[0032]
With this configuration, when the rotation support plate 31 rotates, the air in the processing space S is discharged by the centrifugal force, and the closer to the rotation center, the lower the pressure is. Therefore, the processing space S sucks air from the gap 452 a between the shielding plate 451 and the liquid nozzle 43. At that time, the gap 452a serves to limit the flow rate of the air supplied into the processing space S by giving resistance to the flow of the sucked air (airflow). The air amount is adjusted so as to set the atmospheric pressure in the processing space S to a desired state as will be described later. The processing space S is divided into a lower portion and an upper portion with the substrate W interposed therebetween, and the air pressure flowing into the upper portion is defined by the gap 452a to set the upper atmospheric pressure, and the air flow amount flowing into the lower portion through the opening 36. To set the lower barometric pressure. By setting the upper and lower air pressures of the substrate W, lifting and undulation during the rotation processing of the substrate W are suppressed.
[0033]
The elevating part 50 is composed of a T-shaped engaging part 51 projecting upward on the upper surface of the upper rotating plate 41 and elevating drive means 52 connected to the upper collar part 51 a of the engaging part 51. ing. The lifting / lowering driving means 52 moves the arm bar 55 up and down as the rod 54 of the cylinder 53 expands and contracts. A gate-shaped arm 56 is disposed on the lower surface of the arm bar 55 so as to face the above-described engaging portion 51, and the upper collar portion 51 a of the engaging portion 51 is engaged. With this configuration, the gate-shaped arm 56 moves up and down in contact with the upper flange 51a, so that the upper portion extends over the processing position supported by the rotation support plate 21 and the upper retreat position that allows loading and unloading of the substrate W. The rotating plate 41 moves. In FIG. 1, two lifting drive means 52 are disclosed, but four engaging portions 51 are arranged at equal intervals on the upper surface of the upper rotating plate 21, and correspondingly four lifting drive means 52 are provided. Be placed. The engaging portion 51 and the portal arm 56 are engaged by controlling the rotation stop position of the upper rotating plate 41.
[0034]
Further, above the elevating part 50 and the upper rotary plate 41, a so-called punching plate in which a large number of small holes are formed in, for example, a stainless steel plate, and a flow path resistance member 57 having an opening formed at the center side is disposed. ing. The flow path resistance member 57 is configured such that a partition wall 57a extends downward on the inner peripheral edge thereof, and the partition wall 57a is close to the outer peripheral surface of the partition wall 41b. The outer peripheral edge of the flow path resistance member 57 is connected to the unit housing 70. Then, the flow path resistance member 57 substantially closes the upper part of the device 2 and divides it into two parts, thereby giving a flow to the drawn air (air flow) according to the negative pressure accompanying the exhaust through the exhaust structure described later. Thus, the air containing the mist discharged from the processing space S plays a role of restricting the scattering.
[0035]
Note that the flow path resistance member 57 is not limited to the punching plate as in the present embodiment, and may be, for example, a plurality of plate members that are arranged close to each other while being inclined in the vertical direction. The flow path resistance may be varied by changing the inclination angle.
[0036]
As shown in FIG. 3, the ultrasonic cleaning mechanism 200 is disposed diagonally on the upper surface of the flow path resistance member 57 with the contact / separation mechanism 430 of the liquid nozzle 43 and the upper shielding portion 40 interposed therebetween. The liquid nozzle 43 is supported by the support arm 431, and the support arm 431 is turned and raised / lowered by the contact / separation mechanism 430. As the support arm 431 is moved up and down, the liquid nozzle 43 is brought into contact with and separated from the substrate W, and the center position of the upper shielding part 40 (state shown in FIG. 2) and the side standby position (state shown in FIG. 3) are turned. It is comprised so that it may turn between. The contact / separation mechanism 430 that realizes such contact / separation movement includes a mechanism using a screw shaft or the like, or an air cylinder. At this time, the auxiliary shielding mechanism 45 also moves up and down and turns at the same time, but the shielding plate 451 is raised and lowered along the liquid nozzle 43 independently by the raising and lowering driving means 454.
[0037]
A liquid supply pipe 432 is passed through the hollow portion of the liquid nozzle 43 so that the processing liquid can be supplied to the vicinity of the rotation center of the upper surface of the substrate W held by the rotation support plate 21 from the lower end thereof. The liquid supply pipe 432 is connected in communication with the pipe 87. The base end portion of the pipe 87 is branched, and a chemical solution supply source 81 is connected to one branch pipe 87a, and a pure water supply source 82 is connected to the other branch pipe 87b. Each branch pipe 87a, 87b is provided with on-off valves 88a, 88b,
[0038]
A gap between the inner peripheral surface of the liquid nozzle 43 and the outer peripheral surface of the liquid supply pipe 432 is a gas supply path 433. The gas supply path 433 is connected to a gas supply source 85 through a pipe 89 provided with an on-off valve 89a. The gas supply path 433 is connected to the upper rotating plate 41 and the upper surface of the substrate W from the lower end of the gas supply path 433. It is configured so that clean gas can be supplied to the space. The gas supply path 35, the gas reservoir 35a, the conduit 35b, the discharge port 35c, the pipe 84, the on-off valve 84a, and the gas supply source 85 correspond to the inert gas ejection means of the present invention.
[0039]
As shown in FIG. 3, the ultrasonic cleaning mechanism 200 includes an approach / separation mechanism 201, a support arm 202 extending from the side of the contact / separation mechanism 201, and two ultrasonic cleaning nozzles at the tip of the support arm 202. 203 is supported. With this configuration, the support arm 202 is turned and raised / lowered by the contact / separation mechanism 201 around the rotation center 204 of the contact / separation mechanism 201. As the support arm 431 is moved up and down, the ultrasonic cleaning nozzle 203 is brought into contact with and separated from the substrate W, and the center position of the upper shielding part 40 (state shown in FIG. 3) and the side standby position (state shown in FIG. 2) are turned. It is comprised so that it may turn between.
[0040]
Further, the holding piece 202a that holds the ultrasonic cleaning nozzle 203 at the tip of the support arm 202 is formed to be slightly shorter than the diameter of the opening 41a of the upper rotating plate 41, and is supported in a state of entering from the opening 41a. The ultrasonic cleaning nozzle 203 is scanned with the holding piece 202a facing the surface of the substrate W by the arm 202 turning by the length of the diameter of the opening 41a. That is, the configuration of the ultrasonic cleaning mechanism 200 corresponds to the scan nozzle of the present invention.
[0041]
Further, in order for the holding piece 202a to enter between the substrate W and the upper rotating plate 41, the support arm 202 stops turning in the vicinity of the partition wall 41b of the opening 41a, so that the holding piece 202a moves the opening 41a. Pass through. Since the holding piece 202a is formed at right angles to the turning direction of the support arm 202, the support arm 202 is turned from the rotation center P of the substrate W to the partition wall 41b, so that the tip of the holding piece 202a is at the tip of the substrate W. It is possible to move to the rotation locus W1. As a result, the ultrasonic cleaning nozzle 203 mounted on the holding piece 202a scans the radial direction of the substrate W, and the substrate W rotates to clean the entire surface of the substrate W.
[0042]
Returning to FIG. 2, the cup portion 60 is provided with a ring-shaped exhaust cup 61 that opens toward a discharge port that is a gap between the outer peripheral ends of the rotation support plate 21 and the upper rotation plate 41. including. The exhaust cup 61 extends below the rotary support plate 21, and is connected to an exhaust pipe 62 that is arranged in parallel with the rotary shaft (cylinder shaft 31 in this embodiment) of the rotary support plate 21. It communicates with the exhaust means outside the apparatus via. Further, a drain pipe 63 for discharging the processing liquid discharged together with air is connected to the outer peripheral side of the bottom of the exhaust cup 61. Reference numeral 64 is a lifting drive means for moving the exhaust cup 61 up and down.
[0043]
The unit housing 70 has a frame 72 having a size surrounding the cup portion 60 on the base member 71, and a substrate loading / unloading port 73 formed in the frame 72. With this configuration, the upper rotary plate 41 rises when the elevating drive means 52 moves up and down, and the exhaust cup 61 descends when the elevating drive means 64 moves up and down at the same time. Accordingly, the rotation support plate 21 faces the carry-in port 73 of the frame body 72, so that the substrate W can be carried into the apparatus 2 from the outside.
[0044]
FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of the control system of this apparatus, and the chemical solution from the motor 33 for controlling the rotation of the rotation support plate 21, the chemical solution supply source 81, the pure water supply source 82, and the gas supply source 85. On-off valves 83a, 83b, 84a, 88a, 88b, and 89a for controlling the supply of pure water and gas, a lifting unit 50 for controlling the lifting and lowering of the upper rotating plate 41, a liquid nozzle 43, and an auxiliary shielding mechanism 45, a contact / separation mechanism 430 for controlling the turning and contact / separation, a lifting drive means 454 for controlling the lifting / lowering of the shielding plate 451, and a contact / separation mechanism for controlling the turning / contact / separation of the ultrasonic cleaning nozzle 203. A configuration for controlling the system 201 is shown. In the control unit 300, cleaning conditions corresponding to the substrate W are stored in the control unit 300 in advance as a cleaning program (also called a recipe), and each unit is controlled according to the cleaning program for each substrate W. ing. The controller 300 is further connected to an instruction unit 301 used for creating / changing a cleaning program and selecting a desired one from a plurality of cleaning programs.
[0045]
Next, the operation of the apparatus having the above configuration will be described with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (d). FIG. 5A shows the state of chemical treatment of the substrate W, FIG. 5B shows the state of cleaning, FIG. 5C shows the state of ultrasonic cleaning, and FIG. 5D shows the state of drying. ing. Note that, as an example, the substrate W will be described as being intended to perform a process of etching and cleaning the front and back surfaces.
[0046]
The overall process flow is outlined below.
First, a cleaning program corresponding to a predetermined substrate W is selected from the instruction unit 301 and executed. Then, when the substrate W is carried into the apparatus 2 according to the present embodiment, the control unit 300 brings the upper rotating plate 41 and the liquid nozzle 43 into the upper retreat position. In a state where the upper rotating plate 41 is in the retracted position, the drive pin 23 and the presser pin 44 are separated vertically, and only the drive pin 23 is on the rotation support plate 21. Thus, a carry-in path for the substrate W is secured between the upper rotating plate 41 and the rotation support plate 21. The substrate W transported by the substrate transport device 7 via the substrate loading / unloading port 73 is supported and supported by the drive pins 23. The transfer arm 6 of the substrate transfer apparatus 7 enters the processing apparatus 2, puts an unprocessed substrate W on the drive pins 23, and then retreats out of the processing apparatus 2.
[0047]
Next, in this state, the contact / separation mechanism 430 is controlled, the liquid nozzle 43 is turned, and the liquid nozzle 43 is lowered from above the opening 41 a and placed on the surface of the substrate W. The chemical liquid is supplied from the liquid nozzles 34 and 43 to the lower surface of the substrate W to start the chemical liquid treatment process of the present invention. That is, by opening the on-off valves 83a and 88a, the etching liquid as the cleaning chemical is discharged from the liquid nozzles 34 and 43. The shielding plate 451 extends and retracts the elevating drive means 454 to be positioned above.
[0048]
Further, the control unit 300 gives a drive control signal and rotates the motor 33. Thereby, the cylinder shaft 31 is rotated and the rotation support plate 21 is rotated integrally. Therefore, the substrate W held on the rotation support plate 21 is rotated while being held horizontally. Thereby, the etching solution is supplied from a close distance toward the center of the front and back surfaces of the substrate W. The supplied etching solution is guided to the outer side in the rotational radial direction by the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W, and as a result, the chemical cleaning can be performed on the entire front and back surfaces of the substrate W. .
[0049]
During the chemical treatment, the chemical solution that is shaken off from the periphery of the rotating substrate W and scattered around is received by the exhaust cup 61 and guided to the drain pipe 62 to be drained. At this time, since the upper rotating plate 41 and the shielding plate 451 are separated from the substrate W, the chemical solution is prevented from being scattered and adhering to the upper rotating plate 41 and the shielding plate 451.
[0050]
Examples of the etching liquid supplied from the chemical liquid supply source 81 to the substrate W include HF, BHF (dilute hydrofluoric acid), H ₃ PO ₄ , HNO ₃ , HF + H ₂ O ₂ (Hydrofluoric acid overwater), H ₃ PO ₄ + H ₂ O ₂ (Phosphate hydrogen peroxide), H ₂ SO ₄ + H ₂ O ₂ (Sulfuric acid / hydrogen peroxide), HCl + H ₂ O ₂ (Ammonia overwater), H ₃ PO ₄ + CH ₃ COOH + HNO ₃ And organic alkalis such as iodine + ammonium iodide, oxalic acid-based and citric acid-based organic acids, TMAH (tetra-methyl-ammonium-hydroxide), and choline.
[0051]
Further, a part of the chemical solution scattered from the substrate W and hitting the exhaust cup 61 becomes floating as mist. However, in this apparatus, even if the mist floating in the vicinity of the rotation support plate 21 moves to the cylindrical shaft 31 between the casing 37 and the sealing portion 90, the mist is prevented from entering the driving unit 30. .
[0052]
When a predetermined chemical cleaning time elapses, the supply of the etching liquid from the liquid nozzles 34 and 43 is stopped. Subsequently, the control unit 300 controls the elevating unit 50 to lower the upper rotating plate 41 as shown in FIG. As a result, the upper rotating plate 41 in the retracted position is moved down to the processing position, so that the presser pin 44 of the upper rotating plate 41 is fitted and connected to the drive pin 23 of the rotation support plate 21. In this state, the on-off valve 83a is closed to complete the chemical treatment process, and the on-off valves 83b and 88b are opened.
[0053]
As a result, pure water is supplied from the liquid nozzles 34 and 43 toward the center of the upper and lower surfaces of the substrate W as a cleaning liquid. Therefore, a cleaning process is performed in which pure water is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W to wash away the chemical solution adhering to the substrate W with pure water. In this way, a cleaning process for washing away the etching solution present on the upper and lower surfaces of the substrate W after the chemical processing process is performed. In addition, ozone water, electrolytic ionic water, or the like may be used as the cleaning liquid.
[0054]
Further, a drive control signal is given to rotate the motor 33. Thereby, the cylinder shaft 31 is rotated, and the rotation support plate 21 fixed to the cylinder shaft 31 rotates around the vertical axis passing through the center. The rotational force of the rotation support plate 21 is transmitted to the substrate W through the drive pins 23, and the substrate W rotates with the rotation support plate 21. Further, the rotational force of the rotation support plate 21 is transmitted to the upper rotation plate 41 via the presser pin 44, and the upper rotation plate 41 also rotates together with the rotation support plate 21.
[0055]
During this cleaning process, a part of the waste liquid (pure water mixed with chemicals) that is shaken off from the periphery of the rotating substrate W and scatters to the periphery floats as mist. Since the central portion of the upper opening of the exhaust cup 61 is closed by the upper rotating plate 21 that is spaced apart, the gas flows from the narrow annular gap between the upper rotating plate 21 and the inner wall surface of the exhaust cup 61. As a result, the flow velocity of the gas flowing down around the substrate W and the rotary support plate 21 and flowing into the exhaust pipe 62 becomes relatively high, and gas convection hardly occurs in the space below the rotary support plate 21. Therefore, it is possible to suppress the mist of the cleaning liquid from reattaching to the substrate W and scattering to the outside of the upper rotating plate 41.
[0056]
When the cleaning process time elapses, the control unit 300 controls the contact / separation mechanism 430 to place the liquid nozzle 43 and the shielding plate 451 at the standby position as shown in FIG. Then, the support arm 202 is rotated so that the contact / separation mechanism 201 of the ultrasonic cleaning mechanism 200 is controlled so that the holding piece 202a is positioned in the range of the opening 41a. Next, the support arm 202 is lowered, and the holding piece 202a enters the processing space S. When the holding piece 202a is positioned in the gap between the upper rotating plate 41 and the substrate W, the lowering of the support arm 202 is stopped.
[0057]
Next, the control unit 300 reciprocates the support arm between the radii of the substrate W while discharging the cleaning liquid from the two ultrasonic cleaning nozzles 203 and 203. After reciprocating a predetermined number of times, the discharge of the cleaning liquid from the ultrasonic cleaning nozzles 203 and 203 is stopped, and the support arm 202 is moved to the vicinity of the center of the opening 41a by the holding piece 202a. Then, the support arm 202 is raised by the contact / separation mechanism 201, and after being positioned above the upper rotating plate 41, the support arm 202 is turned to the standby position.
[0058]
That is, while the cleaning by the ultrasonic cleaning mechanism 200 is performed, the processing space S is subjected to the ultrasonic cleaning while the upper surface of the substrate W is mostly shielded by the upper rotating plate 41. Therefore, the processing space S is in a state in which the atmosphere is controlled, and the entire surface of the surface of the substrate W is uniformly cleaned.
[0059]
After the supply of the cleaning liquid is stopped, the cleaning liquid adhering to the substrate W is shaken off by rotating the rotary support plate 21 at a high speed. During the drying process, as shown in FIG. 5D, the controller 300 controls the contact / separation mechanism 430 to turn the liquid nozzle 43 and the shielding plate 451 to a position facing the opening 41a of the upper rotating plate 41. . Then, the elevating drive means 454 is extended, and the shielding plate 451 is lowered until it approaches the substrate W.
[0060]
Subsequently, the on-off valves 84a and 89a are opened, and nitrogen gas is supplied from the gas supply paths 35 and 433 to the upper and lower surfaces of the substrate W. As a result, the air in the processing space S is immediately replaced with nitrogen gas, so that an undesired oxide film does not grow on the upper and lower surfaces of the substrate W after the cleaning process. The cleaning liquid mist shaken off from the substrate W rides on the air flow and flows radially outward in the processing space S, and is discharged from the gap between the rotary support plate 21, the upper rotary plate 41 and the shielding plate 451. Simultaneously with the start of drying, the exhaust means outside the apparatus communicating with the exhaust pipes 62 and 62 is activated to exhaust the exhaust cup portion 61. Then, the air containing the mist of the discharged cleaning liquid is discharged out of the apparatus 2 through the exhaust cup portion 61 and the exhaust pipes 62 and 62.
[0061]
In addition, the gap (processing space S) between the rotation support plate 21 and the upper rotation plate 41 is narrowed on the outer peripheral end side, and the vertical distance thereof is narrower than that on the rotation center side. Emissions are regulated. In accordance with this, the amount of air sucked by the pump effect into the lower space which is the processing space S with the substrate W from the rotation support plate 21 side is also adjusted by the flow rate adjusting valve 86a, and the upper rotation plate 41 side The amount of air sucked into the upper space, which is the processing space S with the substrate W, is regulated by the flow path resistance member 42.
[0062]
After completion of the drying process, the rotation of the motor 33 is stopped, and the upper rotating plate 41, the liquid nozzle 43 and the shielding plate 451 are returned to the retracted position, and the substrate W processed by the substrate transfer device 7 is removed from the apparatus. It is carried out to. Thereafter, as described above, the unprocessed substrate W is loaded and the process is repeated.
[0063]
As mentioned above, according to the said Example, this substrate processing apparatus is an apparatus which rotates the board | substrate W within a horizontal surface, performing atmosphere control of processing space with an upper and lower rotating plate, and processes the front and back of the board | substrate W. . The upper rotating plate has an auxiliary shielding mechanism facing the opening. When the substrate processing is performed with the processing nozzle, the auxiliary shielding mechanism is separated from the opening, and the processing nozzle enters from the opening. As a result, when the processing nozzle acts on the substrate, the substrate can be processed while the atmosphere is blocked by the upper rotating plate.
[0064]
The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be modified as follows.
(1) The injection of nitrogen gas from the gas supply path 35 is not limited to the drying process, and may be performed in parallel with the supply of each processing solution during the chemical processing or the cleaning processing.
[0065]
(2) Furthermore, in the above-described embodiment, the ultrasonic cleaning nozzles 203 and 203 are used as the processing nozzles that enter from the opening 41a. However, the processing nozzles may have other configurations. For example, the present invention can also be applied to a brush processing nozzle that attaches a cleaning brush to the tip and scrubs the surface of the substrate W.
[0066]
(3) Furthermore, in the above-described embodiment, the etching solution is used as the chemical treatment, but may be applied to the chemical treatment using the stripping solution.
[0067]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, this substrate processing apparatus rotates the substrate W such as a semiconductor wafer in the horizontal plane while controlling the atmosphere of the processing space with the upper and lower rotating plates, and thereby the front and back surfaces of the substrate W Is a device that performs processing. When substrate processing is performed using the processing nozzle, the processing nozzle enters the processing space from the opening of the upper shielding mechanism. As a result, the substrate can be processed while the atmosphere is blocked by the upper shielding mechanism. Therefore, the substrate can be processed without any spots over the entire surface.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing system according to the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is a schematic plan view showing a configuration of an upper shielding mechanism and its periphery.
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a control system of the apparatus.
FIGS. 5A and 5B are diagrams for explaining a processing state of the substrate W, where FIG. 5A shows a chemical processing state of the substrate W, FIG. 5B shows a cleaning processing state, FIG. 5C shows an ultrasonic cleaning state; (D) is explanatory drawing which has shown the state of the drying process.
FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a conventional apparatus.
[Explanation of symbols]
W substrate
S processing space
2 Substrate processing equipment
20 Rotation support
21, 110 Rotating support plate
30 Drive unit
40 Upper shield
41, 116 Upper rotating plate
45 Auxiliary shielding mechanism
34, 43 Liquid nozzle
451 Barrier plate
454 Lifting drive mechanism
201, 430 Contact / separation mechanism
200 Ultrasonic cleaning mechanism
203 Ultrasonic cleaning nozzle
300 Control unit
60 cups
61 exhaust cup

Claims

In a substrate processing apparatus for performing required processing on a substrate while rotating the substrate supplied with the processing liquid,
Substrate holding means for holding the substrate substantially horizontally;
An upper shielding mechanism that blocks the atmosphere opposite the substrate holding means across the substrate;
An auxiliary blocking mechanism that blocks the atmosphere by independently moving toward and away from the opening of the upper shielding mechanism facing the substrate;
When the auxiliary shut-off mechanism is separated from the substrate, a processing nozzle that enters from the opening of the upper shut-off mechanism and acts on the substrate processing surface;
A substrate processing apparatus comprising:

The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the processing nozzle is a scan nozzle that performs processing by scanning a substrate processing surface.