KR101895409B1 - substrate processing apparatus - Google Patents

substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101895409B1
KR101895409B1 KR1020110090367A KR20110090367A KR101895409B1 KR 101895409 B1 KR101895409 B1 KR 101895409B1 KR 1020110090367 A KR1020110090367 A KR 1020110090367A KR 20110090367 A KR20110090367 A KR 20110090367A KR 101895409 B1 KR101895409 B1 KR 101895409B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
nozzle
treatment liquid
processing liquid
processing
Prior art date
Application number
KR1020110090367A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130026911A (en
Inventor
은길수
서경진
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020110090367A priority Critical patent/KR101895409B1/en
Publication of KR20130026911A publication Critical patent/KR20130026911A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101895409B1 publication Critical patent/KR101895409B1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B05B15/52Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter for removal of clogging particles
    • B05B15/522Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter for removal of clogging particles using cleaning elements penetrating the discharge openings
    • B05B15/5223Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter for removal of clogging particles using cleaning elements penetrating the discharge openings the cleaning element, e.g. a needle, and the discharge opening being movable relative to each other in a direction substantially parallel to the flow of liquid or other fluent material through said opening
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 설비에 관한 것으로, 본 발명은 기판이 수평하게 놓여지는 기판 지지 부재; 기판 지지 부재에 놓인 기판에 처리액을 토출하는 노즐; 및 기판 지지 부재의 일측에 배치되며, 노즐이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트를 포함하되, 대기 포트는 상부가 개방되고, 노즐이 수용되는 공간을 제공하는 하우징; 및 하우징 내의 공간에 설치되며, 하우징 내에서 공정 진행을 위해 대기하는 노즐에 맺혀 있는 처리액이 모세관 현상(capillarity)에 의해 흡입되어 제거되는 처리액 제거 부재를 포함한다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus including a substrate supporting member on which a substrate is placed horizontally; A nozzle for discharging the treatment liquid onto the substrate placed on the substrate supporting member; And a standby port disposed at one side of the substrate support member and providing a location for the nozzle to wait for processing progress, the standby port having a top open and providing a space in which the nozzle is received; And a treatment liquid removing member which is installed in a space in the housing and is sucked and removed by capillarity of the treatment liquid contained in the nozzle waiting for the process progress in the housing.

Description

기판 처리 설비{substrate processing apparatus} [0001]

본 발명은 기판 처리 설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 회전하는 스핀 척상에 지지된 기판에 처리액을 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 설비에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for performing a substrate processing by supplying a processing liquid to a substrate supported on a rotating spin chuck.

일반적으로 반도체 디바이스는 기판상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정이 요구된다.Generally, a semiconductor device is manufactured by depositing various materials on a substrate in a thin film form and patterning the same. For this purpose, different processes such as a deposition process, a photolithography process, an etching process and a cleaning process are required.

이들 공정 중 사진 공정 중에는 기판상에 감광액을 도포하는 도포 공정과, 기판상에 현상액을 공급하는 현상 공정이 포함되며, 식각 공정은 기판상에 식각액을 공급하여 기판상에 형성된 막질을 제거하는 공정이고, 세정 공정은 기판상에 세정액을 공급하여 기판 표면에 잔류하는 오염 물질을 제거하는 공정이다.During the photolithography process, a coating process of applying a photosensitive liquid onto a substrate and a developing process of supplying a developing solution onto the substrate are included. In the etching process, a film formed on the substrate is removed by supplying an etchant onto the substrate , And the cleaning step is a step of supplying a cleaning liquid onto the substrate to remove contaminants remaining on the substrate surface.

도포, 현상, 식각 및 세정 공정은 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 처리액(감광액, 현상액, 식각액, 세정액)을 공급하는 스핀 타입의 방식에 의해 진행된다. The coating, development, etching, and cleaning processes are performed by a spin type method in which a substrate is placed on a spin chuck and a processing solution (a sensitizing solution, a developing solution, an etching solution, a cleaning solution) is supplied to the surface of the substrate while rotating the substrate.

처리액을 공급하는 노즐은 대기 포트(홈 포트)에서 대기한다. 대기 포트에는 노즐에 맺혀 있는 처리액을 제거하기 위한 접촉 플레이트가 제공된다. 도 6은 기존 대기 포트에 설치되는 접촉 플레이트(2)를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 노즐(1)은 대기 포트 상에 정지 후 접촉 플레이트(2)를 향해 수직 하강하여 접촉 플레이트(2)와 접촉된다. 노즐에 맺힌 처리액 방울은 접촉 플레이트(2)를 따라 흘러내리면서 제거된다. The nozzle for supplying the treatment liquid waits at the standby port (home port). The atmospheric port is provided with a contact plate for removing the treatment liquid contained in the nozzle. 6 is a view showing a contact plate 2 installed in a conventional standby port. Referring to Fig. 6, the nozzle 1 is vertically lowered toward the contact plate 2 after stopping on the atmospheric port, and is brought into contact with the contact plate 2. The process liquid droplets formed on the nozzle are removed along the contact plate 2 while flowing down.

본 발명은 노즐과 직접 접촉하지 않고 노즐에 맺힌 처리액 방울을 제거할 수 있는 기판 처리 설비를 제공하기 위한 것이다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of removing process liquid droplets formed on a nozzle without directly contacting the nozzles.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비는 기판이 수평하게 놓여지는 기판 지지 부재; 상기 기판 지지 부재에 놓인 기판에 처리액을 토출하는 노즐; 및 상기 기판 지지 부재의 일측에 배치되며, 상기 노즐이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트를 포함하되, 상기 대기 포트는 상부가 개방되고, 상기 노즐이 수용되는 공간을 제공하는 하우징; 및 상기 하우징 내의 상기 공간에 설치되며, 상기 하우징 내에서 공정 진행을 위해 대기하는 상기 노즐에 맺혀 있는 처리액 방울이 모세관 현상(capillarity)에 의해 흡입되어 제거되는 처리액 제거 부재를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a substrate support member on which a substrate is placed horizontally; A nozzle for discharging the treatment liquid onto the substrate placed on the substrate supporting member; And a standby port disposed at one side of the substrate support member and providing a place for the nozzle to wait for process progression, the standby port having a top opened and a space for accommodating the nozzle; And a treatment liquid removing member installed in the space in the housing and sucked and removed by capillarity of the treatment liquid droplets formed in the nozzle waiting for the process progress in the housing.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리액 제거 부재는 다수의 모세관들이 형성된 처리액 흡입 블럭을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the treatment liquid removal member may include a treatment liquid suction block formed with a plurality of capillaries.

본 발명에 의하면, 노즐에 맺혀 있는 처리액 방울이 처리액 흡입 블럭과 접촉하면 처리액 방울이 모세관 현상에 의해 모세관들로 빨려들어 제거된다. According to the present invention, when the processing liquid droplets formed on the nozzle come into contact with the processing liquid suction block, the processing liquid droplets are sucked into and removed from the capillaries by the capillary phenomenon.

이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면 구성도이다.
도 2는 기판 처리 설비의 측면 구성도이다.
도 3은 도 1에 도시된 홈 포트에 설치된 약액 제거 부재를 보여주는 사시도이다.
도 4는 처리액 흡입 블럭에서 노즐에 맺힌 처리액 방울이 제거되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 처리액 흡입 블럭의 변형예들을 보여주는 도면이다.
도 6은 종래 대기 포트에서 노즐에 맺힌 처리액 방울이 제거되는 과정을 보여주는 도면이다.
The drawings described below are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the invention.
1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view of the substrate processing apparatus.
3 is a perspective view showing a chemical liquid removing member installed in the groove port shown in FIG.
4 is a view for explaining a process of removing a process liquid droplet formed on a nozzle in the process liquid suction block.
5 is a view showing modifications of the treatment liquid suction block.
6 is a view illustrating a process of removing a processing liquid droplet formed on a nozzle in a conventional atmospheric port.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

( 실시 예 )(Example)

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면 구성도이다. 도 2는 기판 처리 설비의 측면 구성도이다. 도 3은 도 1에 도시된 홈 포트에 설치된 약액 제거 부재를 보여주는 사시도이다. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a side view of the substrate processing apparatus. 3 is a perspective view showing a chemical liquid removing member installed in the groove port shown in FIG.

본 실시예에서는 기판으로 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명한다. 그러나 기판은 반도체 웨이퍼 이외에 평판 표시 패널, 포토 마스크 등 다양한 종류의 기판일 수 있다. In this embodiment, a semiconductor wafer will be described as an example of a substrate. However, the substrate may be various types of substrates such as a flat panel display panel and a photomask in addition to a semiconductor wafer.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(10)는 처리실(300), 처리유닛(400) 그리고 처리액 공급 유닛을 포함한다. 1 to 3, the substrate processing apparatus 10 includes a processing chamber 300, a processing unit 400, and a processing liquid supply unit.

처리실(300)은 기판 처리 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 처리실(300)의 측벽(302)에는 처리실(300)로 기판을 반출입하기 위한 개구(302a)가 형성된다. 처리실(300)에는 처리유닛(400)이 배치된다. 처리유닛(400)은 기판 지지 유닛(410)과 기판 지지 유닛(410)의 둘레에 배치되는 용기(420)를 포함한다.  The processing chamber 300 provides a space through which the substrate processing process proceeds. The side wall 302 of the processing chamber 300 is formed with an opening 302a for carrying the substrate into and out of the processing chamber 300. A processing unit 400 is disposed in the processing chamber 300. The processing unit 400 includes a substrate support unit 410 and a container 420 disposed around the substrate support unit 410.

기판 지지 유닛(410)은 기판을 지지하며, 회전 가능하게 제공된다. 용기(420)는 회전하는 기판에 의해 처리액이 비산되는 것을 방지한다. 처리액 공급 유닛은 기판 지지 유닛(410)에 놓인 기판 상으로 처리액을 공급하여 기판을 처리한다.The substrate supporting unit 410 supports the substrate and is rotatably provided. The container 420 prevents the treatment liquid from being scattered by the rotating substrate. The process liquid supply unit processes the substrate by supplying the process liquid onto the substrate placed in the substrate support unit 410. [

기판 지지 유닛(410)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 모터 등의 회전 구동 부재(412)에 의해 회전된다. 기판 지지 유닛(410)은 원형의 상부 면을 가지는 지지판(414)을 가지며, 지지판(414)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재(416)들이 설치된다. The substrate supporting unit 410 supports the substrate W during the process, and is rotated by the rotation driving member 412 such as a motor during the process. The substrate supporting unit 410 has a supporting plate 414 having a circular upper surface and pin members 416 supporting the substrate W are installed on the upper surface of the supporting plate 414. [

기판 지지 유닛(410)의 둘레에는 용기(420)가 배치된다. 용기(420)는 대체로 원통 형상을 가지며, 하부 벽(422)에는 배기 홀(424)이 형성되고, 배기 홀(424)에는 배기관(426)이 연통 설치된다. 배기관(426)에는 펌프와 같은 배기 부재(428)가 연결되며, 배기 부재(428)는 기판(W)의 회전에 의해 비산된 처리액을 포함하는 용기(420) 내부의 공기를 배기시키도록 음압을 제공한다.A container 420 is disposed around the substrate supporting unit 410. The container 420 has a generally cylindrical shape and an exhaust hole 424 is formed in the lower wall 422 and an exhaust pipe 426 is provided in the exhaust hole 424. An exhaust member 428 such as a pump is connected to the exhaust pipe 426. The exhaust member 428 is connected to the exhaust pipe 428 so as to exhaust air inside the container 420 containing the process liquid scattered by the rotation of the substrate W, .

처리액 공급 유닛은 기판 지지 유닛(410) 상에 놓인 기판(W)의 상면으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 유닛은 노즐(430), 대기 포트(440) 및 노즐 이동 유닛(500)을 포함한다. The processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the upper surface of the substrate W placed on the substrate supporting unit 410. The treatment liquid supply unit includes a nozzle 430, a standby port 440, and a nozzle moving unit 500.

노즐(430)은 사용되는 처리액의 종류에 따라 복수 개가 제공될 수 있다. 노즐(430)은, 기판 지지 유닛(410)에 놓인 기판으로 처리액을 토출하는 분사헤드(432)를 가진다. The plurality of nozzles 430 may be provided depending on the type of the used processing liquid. The nozzle 430 has an ejection head 432 for ejecting the processing liquid onto the substrate placed on the substrate supporting unit 410.

노즐 이동 유닛(500)은 노즐(430)을 대기 포트(440)의 대기 위치와 기판 지지 유닛(410) 상부의 공정 위치 간에 이동시킨다. 노즐 이동 유닛(500)은 노즐(430)을 지지하는 수평 지지대(531)를 가진다. 수평 지지대(531)는 수평 지지대(531)에 수직하게 배치된 이동 로드(533)에 결합된다. 이동 로드(533)의 하단부에는 연결 부재(534)가 결합되고, 연결 부재(534)는 가이드 부재(535)에 연결된다. 가이드 부재(535)는 기판 지지 유닛(410)의 일 측에 배치된다. 가이드 부재(535)는 가이드 레일 형상으로 제공될 수 있으며, 이동 로드(533)의 직선 이동을 안내한다. 그리고, 연결 부재(534)에는 가이드 부재(535)와 평행을 이루도록 배치된 리드 스크류(537)가 연결될 수 있으며, 리드 스크류(537)의 일단에는 리드 스크류(537)를 회전시키기 위한 제 3 구동기(536)가 연결된다. 제 3 구동기(536)의 회전력이 리드 스크류(537)로 전달되면, 리드 스크류(537)의 회전에 의해 리드 스크류(537)에 결합된 연결 부재(534)가 직선 운동을 한다. 그러면, 연결 부재(534)가 결합된 이동 로드(533)와, 이동 로드(523)가 연결된 수평 지지대(531)가 직선 이동하여, 노즐(430)이 대기 위치와 공정 위치 간에 이동될 수 있다.The nozzle moving unit 500 moves the nozzle 430 between the standby position of the standby port 440 and the process position above the substrate support unit 410. The nozzle moving unit 500 has a horizontal support 531 for supporting the nozzle 430. The horizontal support 531 is coupled to a moving rod 533 disposed perpendicularly to the horizontal support 531. A connecting member 534 is coupled to the lower end of the moving rod 533, and the connecting member 534 is connected to the guide member 535. The guide member 535 is disposed on one side of the substrate supporting unit 410. The guide member 535 may be provided in the form of a guide rail and guides the linear movement of the moving rod 533. [ A lead screw 537 disposed in parallel with the guide member 535 may be connected to the connecting member 534. A third driver for rotating the lead screw 537 may be connected to one end of the lead screw 537 536 are connected. When the rotational force of the third driver 536 is transmitted to the lead screw 537, the connecting member 534 coupled to the lead screw 537 is linearly moved by the rotation of the lead screw 537. Then the moving rod 533 to which the connecting member 534 is coupled and the horizontal support 531 to which the moving rod 523 is connected move linearly so that the nozzle 430 can be moved between the standby position and the process position.

대기 포트(440)는 노즐(430)이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공한다. 노즐(430)은 대기 포트(440)에서 처리액을 토출할 수 있으며, 대기 포트(440)는 토출된 처리액을 배출할 수 있는 구조를 포함할 수 있다. The standby port 440 provides a place for the nozzle 430 to wait for process progress. The nozzle 430 may discharge the treatment liquid from the standby port 440 and the standby port 440 may include a structure capable of discharging the discharged treatment liquid.

대기 포트(440)는 하우징(442)과 처리액 제거 부재(450)를 포함한다. 하우징(442)은 상부가 개방되고, 노즐(430)이 수용되는 공간을 제공한다. 처리액 제거 부재(450)는 하우징(442)의 내부 공간에 설치된다. The standby port 440 includes a housing 442 and a treatment liquid removing member 450. The housing 442 is open at the top and provides a space in which the nozzle 430 is received. The treatment liquid removing member 450 is installed in the inner space of the housing 442.

처리액 제거 부재(450)는 하우징(442) 내에서 공정 진행을 위해 대기하는 노즐(430)에 맺히는 처리액 방울을 제거한다. 처리액 제거 부재(450)는 모세관 현상(capillarity)을 이용하여 처리액 방울을 제거한다. 처리액 제거 부재(450)는 다수의 모세관(458)(미세 타공)들이 형성된 처리액 흡입 블록(452)을 포함한다. The treatment liquid removing member 450 removes the treatment liquid droplets that form in the nozzle 430 waiting for the process progress in the housing 442. The treatment liquid removing member 450 removes the treatment liquid droplets by using the capillarity. The treatment liquid removing member 450 includes a treatment liquid suction block 452 in which a plurality of capillaries 458 (fine pores) are formed.

도 4는 처리액 흡입 블럭에서 노즐에 맺힌 처리액 방울이 제거되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a process of removing a process liquid droplet formed on a nozzle in the process liquid suction block.

도 4를 참조하면, 처리액 흡입 블록(452)은 노즐(430)과 직접 접촉하지 않고 노즐(430)에 맺힌 처리액 방울과 접촉된다. 노즐(430)에 맺힌 처리액 방울은 처리액 흡입 블럭(452)과 접촉 시 모세관(458)들에 의한 모세관 현상에 의해 처리액 방울이 모세관(458)들로 빨려들어감으로써 노즐(430)로부터 제거된다. 처리액 흡입 블록(452)의 상면에는 노즐에 맺히는 처리액 방울의 직경보다 좁은 간격으로 수직방향으로 모세관(458)들이 형성되는 것이 바람직하며, 처리액 흡입 블록(452)의 상면은 노즐(430)의 저면(처리액 방울이 맺히는 면)보다 넓은 것이 바람직하다. Referring to FIG. 4, the processing liquid suction block 452 is in direct contact with the processing liquid droplets formed on the nozzle 430 without contacting the nozzle 430 directly. The processing liquid droplets formed in the nozzles 430 are removed from the nozzles 430 by sucking the processing liquid droplets into the capillaries 458 by the capillary phenomenon caused by the capillaries 458 in contact with the processing liquid suction block 452 . Capillaries 458 are preferably formed on the upper surface of the processing liquid suction block 452 in the vertical direction at a distance narrower than the diameter of the processing liquid droplets formed on the nozzles, and the upper surface of the processing liquid suction block 452, (The surface where the treatment liquid droplets are formed).

도 5는 처리액 흡입 블럭의 변형예들을 보여주는 도면이다.5 is a view showing modifications of the treatment liquid suction block.

도 5에 도시된 바와 같이, 처리액 흡입 블럭(450a)은 모세관(458a) 형상이 슬롯 타입으로 이루어질 수 있다. 또한, 처리액 흡입 블럭(450b)은 처리액 방울과 접촉되는 상면이 반구 형태로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 5, the treatment liquid suction block 450a may have a slot type capillary 458a. In addition, the treatment liquid suction block 450b may be formed in a hemispherical shape in an upper surface contacting with the treatment liquid droplets.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

300 : 처리실 400 : 처리유닛
450 : 처리액 제거 부재 452 : 처리액 흡입 블럭
458 : 모세관 500 : 노즐 이동 유닛
300: processing chamber 400: processing unit
450: treatment liquid removing member 452: treating liquid suction block
458: capillary tube 500: nozzle moving unit

Claims (6)

기판 처리 설비에 있어서:
기판이 수평하게 놓여지는 기판 지지 부재;
상기 기판 지지 부재에 놓인 기판에 처리액을 토출하는 노즐; 및
상기 기판 지지 부재의 일측에 배치되며, 상기 노즐이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트를 포함하되,
상기 대기 포트는
상부가 개방되고, 상기 노즐이 수용되는 공간을 제공하는 하우징; 및
상기 하우징 내의 상기 공간에 설치되며, 상기 하우징 내에서 공정 진행을 위해 대기하는 상기 노즐에 맺혀 있는 처리액이 모세관 현상(capillarity)에 의해 흡입되어 제거되도록 다수의 모세관들이 형성된 처리액 흡입 블록을 갖는 처리액 제거 부재를 포함하며,
상기 처리액 흡입 블록은
처리액 방울과 접촉되는 상면이 반구 형태로 제공되며, 상기 반구 형태의 상면에는 상기 모세관들이 형성되는 기판 처리 설비.
A substrate processing facility comprising:
A substrate support member on which the substrate is placed horizontally;
A nozzle for discharging the treatment liquid onto the substrate placed on the substrate supporting member; And
A standby port disposed at one side of the substrate support member and providing a location for the nozzle to wait for process progression,
The standby port
A housing having a top open and providing a space in which the nozzle is received; And
A processing liquid suction block installed in the space in the housing and having a plurality of capillaries formed therein so as to be sucked and removed by capillarity in the processing liquid sealed in the nozzle waiting for the process progress in the housing And a liquid removing member,
The treatment liquid suction block
Wherein an upper surface in contact with the processing liquid droplet is provided in a hemispherical shape, and the capillaries are formed on the hemispherical upper surface.
삭제delete 제1항에 있어서:
상기 다수의 모세관들은 상기 노즐에 맺히는 처리액 방울의 직경보다 좁은 간격으로 수직방향으로 형성되는 기판 처리 설비.
The method of claim 1,
Wherein the plurality of capillaries are formed in a vertical direction at an interval narrower than the diameter of the droplets of the processing liquid which are formed on the nozzles.
제1항에 있어서:
상기 처리액 흡입 블럭의 상면은 처리액 방울이 맺히는 상기 노즐의 저면보다 넓은 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
The method of claim 1,
Wherein the upper surface of the processing liquid suction block is wider than the lower surface of the nozzle where the processing liquid droplets are formed.
제1항에 있어서:
상기 다수의 모세관은 슬롯 타입으로 제공되는 기판 처리 설비.
The method of claim 1,
Wherein the plurality of capillaries are provided in a slot type.
삭제delete
KR1020110090367A 2011-09-06 2011-09-06 substrate processing apparatus KR101895409B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110090367A KR101895409B1 (en) 2011-09-06 2011-09-06 substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110090367A KR101895409B1 (en) 2011-09-06 2011-09-06 substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130026911A KR20130026911A (en) 2013-03-14
KR101895409B1 true KR101895409B1 (en) 2018-09-06

Family

ID=48178039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110090367A KR101895409B1 (en) 2011-09-06 2011-09-06 substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101895409B1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5934161B2 (en) * 2013-09-09 2016-06-15 武蔵エンジニアリング株式会社 Nozzle and liquid material discharge apparatus including the nozzle
KR102250365B1 (en) * 2014-05-28 2021-05-12 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR101714433B1 (en) * 2015-08-24 2017-03-09 주식회사 케이씨텍 Nozzle unit and cleaning apparatus having the same
KR102024615B1 (en) * 2017-12-06 2019-09-24 세메스 주식회사 Apparatus for Cleaning Droplet in Inkjet Head and Method for Cleaning Droplet in Inkjet
KR102065599B1 (en) * 2018-04-06 2020-01-13 세메스 주식회사 Apparatus for cleaning nozzle and apparatus for processing substrate comprising the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100691481B1 (en) 2006-05-02 2007-03-12 주식회사 케이씨텍 Preventing device and method for sensitive-liquid in slit-nozzle

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100691481B1 (en) 2006-05-02 2007-03-12 주식회사 케이씨텍 Preventing device and method for sensitive-liquid in slit-nozzle

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130026911A (en) 2013-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100935280B1 (en) Process liquid supply nozzle and process liquid supply apparatus
JP4621055B2 (en) Interface between the substrate and the meniscus and the handling method thereof
EP1583136B1 (en) Control of ambient environment during wafer drying using proximity head
US8127391B2 (en) Subtrate treatment apparatus
KR101895409B1 (en) substrate processing apparatus
US10622225B2 (en) Substrate processing apparatus and nozzle cleaning method
JP5486708B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH1154394A (en) Device and method for forming liquid film
KR20120083841A (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
CN107275260B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20010062439A (en) Coating film and forming apparatus
KR102297377B1 (en) Substrate treating apparatus
JP2014179490A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2020115513A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2001232250A (en) Membrane forming apparatus
JP6319941B2 (en) Substrate processing apparatus and discharge head standby method
US8858755B2 (en) Edge bevel removal apparatus and method
JP2000140505A (en) Apparatus and method for degassing
KR102096945B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101842720B1 (en) Organic development processing apparatus and organic development processing method
KR101757814B1 (en) Standby port and Apparatus for treating substrate with the port
US7357840B2 (en) Solvent bath and drain
JP2002177854A (en) Substrate treatment apparatus
JP6405259B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20220375743A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant