KR101842720B1 - Organic development processing apparatus and organic development processing method - Google Patents

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다카후미 니와
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Abstract

본 발명은 린스액을 이용하지 않고, 유기 현상 처리의 시간차의 영향을 받지 않고 회로 패턴의 미세 선폭의 안정화 및 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있도록 한 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 현상 노즐(30)과, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 현상 정지 및 건조용 N2 가스를 토출하는 가스 노즐(40)을 구비한다. 현상 노즐(30)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에 현상액을 토출하여 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성한 후, 가스 노즐(40)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 토출하여, 현상을 정지하고, 현상액을 제거하여 웨이퍼(W)를 건조한다. The present invention provides an organic development processing method and an organic development processing apparatus capable of stabilizing a fine line width of a circuit pattern and improving a throughput without being influenced by a time difference of an organic development process without using a rinsing liquid .
A development nozzle 30 for discharging a developer containing an organic solvent all over the surface of the wafer W in a developing process in which a resist is applied to the surface of the wafer W and a developing solution is supplied to the surface of the wafer W after exposure, And a gas nozzle 40 for discharging the N 2 gas for stopping and drying the development over the entire surface of the wafer W. The developer is discharged from the developing nozzle 30 over the entire surface of the wafer W to simultaneously form a liquid film of the developer containing the organic solvent over the entire surface of the wafer W. Then, The N 2 gas is discharged to the entire surface of the wafer W, the development is stopped, the developer is removed, and the wafer W is dried.

Figure R1020120003374
Figure R1020120003374

Description

유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치{ORGANIC DEVELOPMENT PROCESSING APPARATUS AND ORGANIC DEVELOPMENT PROCESSING METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic development processing method and an organic development processing apparatus,

본 발명은, 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic development processing method and an organic development processing apparatus using a developer containing an organic solvent.

반도체 제조 공정에서는, 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 기판 위에, 예컨대 화학 증폭형의 포토레지스트를 도포하고, 레지스트막을 정해진 회로 패턴에 따라 노광하여, 현상 처리하는 것에 의해 회로 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정이 채용되어 있다. In the semiconductor manufacturing process, a photolithography process for forming a circuit pattern by applying a chemically amplified photoresist, for example, on a semiconductor wafer or the like, exposing the resist film in accordance with a predetermined circuit pattern, have.

포토리소그래피 공정에서, 알칼리 현상액을 이용한 알칼리 현상 방법(포지티브 현상 방법이라고도 함) 대신에, 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 유기 현상 방법(네거티브 현상 방법이라고도 함)이 행해지고 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). An organic developing method (also referred to as a negative developing method) using a developing solution containing an organic solvent is performed in the photolithography step in place of the alkali developing method (also referred to as positive developing method) using an alkaline developing solution (see, for example, Patent Document 1) .

상기 유기 현상 방법은, 노광용 마스크에 형성된 회로 패턴을 노광한 광 조사 강도가 약한 레지스트막의 영역을 선택적으로 용해·제거하여 패턴을 형성하는 방법이다. 이것에 대하여, 알칼리 현상 방법은, 반대로 노광용 마스크에 형성된 회로 패턴을 노광한 광 조사 강도가 강한 레지스트막의 영역을 용해·제거하여 패턴을 형성하는 방법이다. The organic developing method is a method of forming a pattern by selectively dissolving or removing a region of a resist film exposed to a circuit pattern formed on an exposure mask and having a weak light irradiation intensity. On the contrary, the alkali developing method is a method of forming a pattern by dissolving / removing a region of a resist film having a high light irradiation intensity exposed to a circuit pattern formed on an exposure mask.

특허문헌 1에 기재된 패턴 형성 방법에서는, 유기 용제를 함유하는 현상액에 대한 용해도가 감소하는 수지를 함유하는 유기 용제계 현상용 레지스트 조성물에 의해 레지스트막을 형성하는 공정과, 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용하여 현상 공정을 행한 후, 용제를 함유하는 린스액을 이용한 세정 공정을 행하고 있다. The pattern forming method disclosed in Patent Document 1 includes a step of forming a resist film by an organic solvent-based developing resist composition containing a resin whose solubility in a developing solution containing an organic solvent is reduced, and a step of forming a resist film by using a developing solution containing an organic solvent A developing step is performed, and then a cleaning step using a rinsing liquid containing a solvent is performed.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2010-152353호 공보(특허청구범위)Patent Document 1: JP-A-2010-152353 (claims)

그런데, 본 발명의 발명자는 연구의 결과, 유기 현상 처리의 경우에는, 현상 후에 린스액을 이용한 세정 공정을 행하지 않아도 현상 처리만으로 해상이 가능하고, 결함도 증가하지 않는 것을 지견하였다. 한편, 린스액에 의한 세정 공정을 생략한 경우에는, 회로 패턴의 선폭이 변동하여 건조 얼룩이 생기는 것도 알았다. The inventors of the present invention have found that, in the case of the organic developing treatment, it is possible to solve the problem only by the developing process without increasing the number of defects without performing the cleaning process using the rinsing liquid after development. On the other hand, when the cleaning process by the rinsing liquid is omitted, it has been found that the line width of the circuit pattern fluctuates to cause drying unevenness.

여기서, 도 12를 참조하여, 유기 현상 방법과 알칼리 현상 방법의 현상 시간 10초∼20초의 범위에서의 현상 속도와, 현상 시간 20초∼30초의 범위에서의 현상 속도를 보면, 유기 현상액이 알칼리 현상액보다 용해 속도가 빠른 것을 알 수 있다. 또한, 유기 현상액에서는 알칼리 현상액과 비교하여, 일정 시간 경과 후에도 높은 용해 속도를 유지하고 있다. 즉, 유기 현상 처리에서는, 현상 처리의 시간차의 영향이 강하고, 이것이 회로 패턴의 선폭의 면내 분포에 반영되는 경향이 있다. 이것으로부터, 린스액을 이용한 세정 공정을 생략한 경우에는, 잔존한 현상액에 의해 회로 패턴의 선폭이 변동하여 건조 얼룩이 생긴 것으로 생각된다. Here, referring to Fig. 12, when the developing speed in the developing time of 10 to 20 seconds and the developing speed in the developing time of 20 to 30 seconds in the organic developing method and the alkaline developing method are examined, It can be seen that the dissolution rate is faster than that In the organic developer, a higher dissolution rate is maintained even after a certain period of time as compared with the alkaline developer. That is, in the organic developing process, the influence of the time difference of the developing process is strong, and this tends to be reflected in the in-plane distribution of the line width of the circuit pattern. From this, when the cleaning process using the rinsing liquid is omitted, it is considered that the line width of the circuit pattern varies due to the remaining developer, resulting in drying unevenness.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 린스액을 이용하지 않고, 유기 현상 처리의 시간차의 영향을 받지 않고 회로 패턴의 미세 선폭의 안정화 및 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있도록 한 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치를 제공한다. The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide an organic developing process capable of stabilizing the fine line width of a circuit pattern and improving the throughput of the circuit without being influenced by the time difference of the organic developing process without using the rinsing liquid And an organic developing apparatus.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 유기 현상 처리 방법은, 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리 방법에 있어서, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성하는 공정과, 상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to solve the above problems, the present invention provides an organic developing method for developing an organic developer by applying a developing solution onto a surface of a substrate coated with a resist on an exposed surface, And a step of supplying gas to the entire surface of the substrate on which the liquid film is formed, stopping the development, and drying the substrate.

또한, 본 발명의 유기 현상 처리 방법은, 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리 방법에 있어서, 기판을 수평 상태로 유지하는 공정과, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성하는 공정과, 상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. The organic developing method of the present invention is a developing method for supplying a developing solution onto a surface of a substrate coated with a resist on a surface thereof and developing the same, the method comprising the steps of: maintaining the substrate in a horizontal state; A step of forming a liquid film of a developing solution containing an organic solvent all over the entire area; and a step of supplying gas to the entire surface of the substrate on which the liquid film is formed, stopping the development, and drying the substrate.

상기한 발명에 있어서, 상기 액막을 형성하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 현상액을 기판의 표면 전역에 토출하여 행하는 편이 바람직하다. In the above-described invention, it is preferable that the step of forming the liquid film is performed by discharging the developer from the plurality of developer supply nozzles opposed to the surface of the substrate to the entire surface of the substrate.

또한, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판의 표면 전역에 토출하여 행하는 편이 바람직하다. 이 경우, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 수평 상태로 유지된 기판을 정지시킨 상태로 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판의 표면 전역에 토출하여 행하여도 좋지만, 기판을 연직축 둘레로 회전시키면서 행하는 편이 바람직하다. In the step of stopping the development and drying the substrate, it is preferable that the step of discharging gas from the plurality of gas supply nozzles opposed to the surface of the substrate to the entire surface of the substrate is performed. In this case, in the step of stopping the development and drying the substrate, the gas may be discharged from the plurality of gas supply nozzles over the entire surface of the substrate while the substrate held in the horizontal state is stopped. However, As shown in Fig.

또한, 본 발명의 유기 현상 처리 방법은, 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리 방법에 있어서, 기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로, 저류 용기 안에 저류되어 있는 유기 용제를 함유하는 현상액에 상기 기판의 표면만을 침지하여, 기판의 표면 전역에 동시에 상기 현상액의 액막을 형성하는 공정과, 상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the present invention provides a developing method for developing an organic developer by supplying a developing solution onto a surface of a substrate coated with a resist on the surface thereof and developing the developing solution, the method comprising the steps of: A step of immersing only the surface of the substrate in a developing solution containing an organic solvent that has been stored to simultaneously form a liquid film of the developer on the entire surface of the substrate; And a step of drying the substrate.

또한, 본 발명의 유기 현상 처리 방법은, 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 처리 방법에 있어서, 기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로 유지하는 공정과, 기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로, 저류 용기 안에 저류되어 있는 유기 용제를 함유하는 현상액에 상기 기판의 표면만을 침지하여, 기판의 표면 전역에 동시에 상기 현상액의 액막을 형성하는 공정과, 상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention also provides a developing method for developing an organic developer by applying a developing solution onto a surface of a substrate coated with a resist on a surface thereof and developing the same, , A step of immersing only the surface of the substrate in a developing solution containing an organic solvent stored in a storage container in a state in which the surface of the substrate faces downward to simultaneously form a liquid film of the developing solution on the entire surface of the substrate, Supplying a gas to the entire surface of the formed substrate, stopping the development, and drying the substrate.

상기한 발명에 있어서, 상기 현상액의 액막을 형성하는 공정은, 기판을 정지시킨 상태로 기판 표면만을 현상액에 침지하여도 지장이 없지만, 기판을 연직축 둘레로 회전시키면서 기판 표면만을 현상액에 침지하는 편이 바람직하다. In the above-described invention, the step of forming the liquid film of the developer preferably includes immersing only the surface of the substrate in the developer in a state in which the substrate is kept stationary, but it is preferable that the substrate is immersed in the developer only while rotating the substrate around the vertical axis Do.

또한, 상기한 발명에 있어서, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판 표면 전역에 토출하여 행하는 편이 바람직하다. 이 경우, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 수평 상태로 유지된 기판을 정지시킨 상태로 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판의 표면 전역에 토출하여 행하여도 좋지만, 기판을 연직축 둘레로 회전시키면서 행하는 편이 바람직하다.In the above invention, it is preferable that the step of stopping the development and drying the substrate is performed by discharging the gas from the plurality of gas supply nozzles opposed to the surface of the substrate over the entire surface of the substrate. In this case, in the step of stopping the development and drying the substrate, the gas may be discharged from the plurality of gas supply nozzles over the entire surface of the substrate while the substrate held in the horizontal state is stopped. However, As shown in Fig.

상기한 유기 현상 처리 방법은, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 현상액 공급 수단과, 기판의 표면 전역에 현상 정지 및 건조용 가스를 토출하는 가스 공급 수단을 구비하는 유기 현상 처리 장치에 의해 실시된다. The organic development processing method includes: a developer supply unit that simultaneously discharges a developer containing an organic solvent all over the surface of a substrate; and an organic development unit that includes a gas supply unit that discharges development stop and drying gas over the entire surface of the substrate Processing apparatus.

상기한 유기 현상 처리 방법은, 기판을 수평 상태로 유지하는 기판 유지 수단과, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 현상액 공급 수단과, 기판의 표면 전역에 현상 정지 및 건조용 가스를 토출하는 가스 공급 수단을 구비하는 유기 현상 처리 장치에 의해 실시된다. The above organic development processing method includes: substrate holding means for holding a substrate in a horizontal state; developer supply means for discharging a developer containing an organic solvent all over the surface of the substrate at the same time; And gas supply means for discharging the gas.

상기한 유기 현상 처리 장치에 있어서, 상기 현상액 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 현상액 공급 노즐을 구비하는 편이 바람직하다. 또한, 상기 가스 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐을 구비하는 편이 바람직하다. 또한, 상기 기판 유지 수단을 연직축 둘레로 회전시키는 회전 구동 기구를 더 구비하는 편이 바람직하다. In the organic developing apparatus described above, it is preferable that the developer supplying means has a plurality of developer supplying nozzles facing the surface of the substrate. It is also preferable that the gas supply means has a plurality of gas supply nozzles facing the surface of the substrate. Further, it is preferable to further include a rotation driving mechanism for rotating the substrate holding means about the vertical axis.

또한, 상기한 유기 현상 처리 장치에 있어서, 상기 현상액 공급 수단과 가스 공급 수단은, 별체로 형성되어 있어도 좋지만, 바람직하게는 수평 상태로 유지된 기판의 표면에 대하여 상대적으로 접촉 분리 이동하는 노즐 헤드에 설치되어 있는 편이 좋다. Further, in the organic developing apparatus described above, the developer supplying means and the gas supplying means may be formed separately, but it is preferable that the developer supplying means and the gas supplying means are provided separately from each other in the nozzle head It is better to have installed.

또한, 상기한 유기 현상 처리 방법은, 기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로 유지하는 기판 유지 수단과, 유기 용제를 함유하는 현상액을 저류하는 용기와, 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판과 상기 용기를 상대적으로 접촉 분리 이동시키는 이동 기구와, 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판의 표면 전역에 현상 정지 및 기판 건조용 가스를 토출하는 가스 공급 수단을 구비하는 유기 현상 처리 장치에 의해 실시된다. 이 경우, 상기 가스 공급 수단은, 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판과 상기 용기 사이에, 이동 가능하게 형성되어 있는 편이 바람직하다. 또한 상기 가스 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐을 구비하는 편이 바람직하다. In addition, the above organic development processing method may further comprise: substrate holding means for holding the surface of the substrate downward; a container for storing a developer containing the organic solvent; a substrate held by the substrate holding means; And a gas supply means for supplying development stop and substrate drying gas to the entire surface of the substrate held by the substrate holding means. In this case, it is preferable that the gas supply means is formed movably between the substrate held by the substrate holding means and the container. It is also preferable that the gas supply means has a plurality of gas supply nozzles facing the surface of the substrate.

상기한 발명에 의하면, 현상액 공급 수단으로부터 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 것에 의해, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성한 후, 가스 공급 수단으로부터 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조할 수 있다. According to the invention described above, a liquid developer of a developer containing an organic solvent is simultaneously formed on the entire surface of a substrate by simultaneously discharging a developer containing an organic solvent from the developer supply means over the entire surface of the substrate, The gas is supplied to the entire surface of the substrate on which the liquid film is formed, the development is stopped, and the substrate can be dried.

상기한 발명에 의하면, 기판 유지 수단에 의해 기판의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로 유지한 상태로, 저류 용기 안에 저류되어 있는 유기 용제를 함유하는 현상액에 기판의 표면만을 침지하여, 기판의 표면 전역에 동시에 현상액의 액막을 형성한 후, 가스 공급 수단으로부터 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조할 수 있다. According to the above invention, only the surface of the substrate is immersed in the developing solution containing the organic solvent stored in the storage container while the surface of the substrate is kept downward by the substrate holding means, At the same time, after the liquid film of the developer is formed, the gas is supplied from the gas supply means to the entire surface of the substrate on which the liquid film is formed to stop the development and dry the substrate.

본 발명에 의하면, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성한 후, 가스 공급 수단으로부터 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 기판을 건조함으로써, 린스액을 이용하지 않고, 유기 현상 처리의 시간차의 영향을 받지 않고 회로 패턴의 미세 선폭의 안정화를 도모할 수 있고, 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있다. According to the present invention, after a liquid film of a developer containing an organic solvent is simultaneously formed over the entire surface of the substrate, gas is supplied from the gas supply means to the entire surface of the substrate on which the liquid film is formed, the development is stopped, The fine line width of the circuit pattern can be stabilized without being influenced by the time difference of the organic developing process without using the rinsing liquid and the work throughput can be improved.

도 1은 본 발명에 따른 유기 현상 처리 장치의 제1 실시형태를 도시하는 개략 단면도.
도 2는 상기 유기 현상 처리 장치의 개략 평면도.
도 3은 제1 실시형태에서의 현상액 공급 노즐을 도시하는 바닥면도(a) 및 (a)의 선 I-I를 따라 취한 단면도(b).
도 4는 제1 실시형태의 현상액의 토출 상태를 도시하는 개략 측면도(a) 및 가스의 토출 상태를 도시하는 개략 측면도(b).
도 5는 본 발명에서의 현상액의 액막 형성 상태를 도시하는 확대 단면도(a), 가스 토출 상태를 도시하는 확대 단면도(b) 및 건조 상태를 도시하는 확대 단면도(c).
도 6은 본 발명에 따른 유기 현상 처리 장치의 제2 실시형태를 도시하는 개략 단면도.
도 7은 제2 실시형태에서의 반전 기구의 기판의 반입 동작·반전 전의 동작을 도시하는 개략 측면도(a),(b), 반전 동작을 도시하는 개략 정면도(c),(d), 기판의 반전 후의 동작·반출 동작을 도시하는 개략 측면도(e) 및 (d)의 화살표 II 방향에서 본 도면(f).
도 8은 제2 실시형태에서의 가스 공급 노즐을 도시하는 평면도(a) 및 (a)의 선 III-III을 따라 취한 단면도(b).
도 9은 제2 실시형태에서의 기판의 액막 형성 공정을 도시하는 개략 단면도(a), 현상 정지·건조 공정을 도시하는 개략 단면도(b) 및 현상 정지·건조 공정의 주요부를 도시하는 확대 단면도(c).
도 10은 평가 시험에 이용되는 웨이퍼의 개략 평면도.
도 11은 평가 시험에 의해 얻어진 선폭과 웨이퍼의 중심으로부터의 거리와의 관계를 도시하는 그래프.
도 12는 유기 현상과 알칼리 현상의 선폭 용해 속도와 현상 시간의 의존 관계를 도시하는 그래프. 1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of an organic development processing apparatus according to the present invention.
2 is a schematic plan view of the organic development processing apparatus.
3 is a bottom view (a) showing the developer supply nozzle in the first embodiment and a cross-sectional view (b) taken along the line II in (a).
Fig. 4 is a schematic side view (a) showing the discharge state of the developer in the first embodiment and a schematic side view (b) showing the discharge state of the gas. Fig.
5 is an enlarged cross-sectional view (a) showing a liquid film formation state of a developing solution in the present invention, an enlarged sectional view (b) showing a gas discharging state, and an enlarged sectional view (c) showing a drying state.
6 is a schematic sectional view showing a second embodiment of an organic development processing apparatus according to the present invention.
7 is a schematic side view (a), (b), and a schematic front view (c), (d) showing a reversing operation, showing operations before and after the inversion operation and inversion of the substrate of the inversion mechanism in the second embodiment; (F) seen from the direction of arrow II in (e) and (d) of Fig.
8 is a plan view (a) showing the gas supply nozzle in the second embodiment and a sectional view (b) taken along the line III-III in FIG.
Fig. 9 is a schematic sectional view (a) showing the liquid film forming step of the substrate in the second embodiment, a schematic sectional view (b) showing the development stopping and drying step, and an enlarged cross- c).
10 is a schematic plan view of a wafer used in the evaluation test.
11 is a graph showing the relationship between the line width obtained by the evaluation test and the distance from the center of the wafer.
12 is a graph showing the dependence of linewidth dissolution rate and development time on organic development and alkali development.

이하에, 본 발명의 실시형태에 대해서 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 여기서는, 피처리 기판인 반도체 웨이퍼(W)[이하에 웨이퍼(W)라고 함]는, 도시하지 않는 도포 장치에서, 화학 증폭형의 포토레지스트가 도포되고, 노광 장치에서 노광 처리된 웨이퍼(W)를, 반송 수단(1)에 의해 본 발명에 따른 유기 현상 처리 장치에 반송하여 현상 처리를 행하는 경우에 대해서 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a semiconductor wafer W (hereinafter referred to as a wafer W) to be processed is a wafer W coated with a chemically amplified photoresist in a coating apparatus not shown, Is conveyed to the organic developing apparatus according to the present invention by the conveying means 1 to carry out the developing process.

<제1 실시형태> &Lt; First Embodiment >

제1 실시형태의 유기 현상 처리 장치(10)[이하에 현상 장치(10)라고 함]는, 하우징(11)을 구비하고 있고, 하우징(11)의 일측벽에는 웨이퍼(W)의 반송구(12)가형성되어 있다. 이 반송구(12)를 통해 도 2에 도시하는 반송 수단(1)에 의해 웨이퍼(W)가 하우징(11) 안에 반송된다. 이 경우, 반송 수단(1)은, 웨이퍼(W)의 옆 둘레를 둘러싸는 대략 말굽 형상의 아암체(2)와, 이 아암체(2)의 내주에 복수, 이 예에서는 4개가 설치되어, 웨이퍼(W)의 이면 주변을 지지하는 지지부(3)를 구비하고 있다. The organic developing apparatus 10 of the first embodiment (hereinafter referred to as a developing apparatus 10) is provided with a housing 11 and is provided at one side wall of the housing 11 with a conveying port 12). The wafer W is carried into the housing 11 by the carrying means 1 shown in Fig. 2 through the carrying opening 12. In this case, the transfer means 1 is provided with an armature 2 having an approximately horseshoe shape and surrounding the side surface of the wafer W, and a plurality of (four in this example) inner circumferences of the arm body 2, And a support portion 3 for supporting the periphery of the back surface of the wafer W. [

하우징(11) 안에는, 이 하우징(11) 안을 상하로 구획하는 구획판(13)이 설치되어 있다. 구획판(13)의 상측은 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리 영역(14a)으로서 구성되고, 구획판(13)의 하측은 구동 영역(14b)이 구성되어 있다. In the housing 11, there is provided a partition plate 13 for vertically dividing the inside of the housing 11. [ The upper side of the partition plate 13 is configured as a processing region 14a for processing the wafer W and the lower side of the partition plate 13 constitutes a drive region 14b.

하우징(11) 안에는 웨이퍼(W)를 수평 상태로 배치하는 기판 유지 수단인 기판 유지척(20)이 설치되어 있다. 이 기판 유지척(20)은 회전 구동 기구인, 예컨대 서버 모터로 형성되는 회전 구동 모터(21)의 회전축(21a)에 연결되어 있고, 회전 구동 모터(21)의 구동에 의해 수평 방향으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 기판 유지척(20)의 표면의 복수 지점에는 흡인 구멍(22)이 형성되어 있고, 회전축(21a)에는 흡인 구멍(22)에 연통하는 흡인 통로(도시 생략)가 설치되어 있으며, 흡인 통로에 일단이 접속하는 배기관(23)의 타단이, 배기 수단인 진공 펌프(24)에 접속되어 있다. 또한, 회전축(21a)은 구획판(13)에 형성된 관통 구멍(13a)에 회전 가능하게 삽입 관통되어 있다.In the housing 11, a substrate holding chuck 20, which is a substrate holding means for horizontally arranging the wafer W, is provided. The substrate holding chuck 20 is connected to a rotary shaft 21a of a rotary drive motor 21 which is a rotary drive mechanism such as a server motor and is rotatable in the horizontal direction . A suction hole 22 is formed at a plurality of points on the surface of the substrate holding chuck 20. A suction passage (not shown) communicating with the suction hole 22 is provided in the rotary shaft 21a, And the other end of the exhaust pipe 23 to which the exhaust pipe 23 is connected is connected to the vacuum pump 24 as the exhaust means. The rotary shaft 21a is rotatably inserted through the through hole 13a formed in the partition plate 13. [

또한, 기판 유지척(20)과 회전 구동 모터(21)는, 예컨대 실린더나 볼나사 기구 등으로 형성되는 승강 기구(25)에 의해 연직 방향으로 이동(승강) 가능하게 구성되어 있다. The substrate holding chuck 20 and the rotary drive motor 21 are configured to be vertically movable (elevated) by a lifting mechanism 25 formed of, for example, a cylinder or a ball screw mechanism.

회전 구동 모터(21), 승강 기구(25) 및 진공 펌프(24)는 제어부(100)에 전기적으로 접속되어, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 제어된다. The rotary drive motor 21, the elevating mechanism 25 and the vacuum pump 24 are electrically connected to the control unit 100 and controlled based on a control signal from the control unit 100. [

기판 유지척(20)의 위쪽에는 아래쪽이 개구되는 편평한 원형상의 커버체(26)가 설치되어 있고, 이 커버체(26)는, 지지 부재(27)를 통해 커버체(26)를 승강, 즉 기판 유지척(20)에 대하여 접촉 분리 이동시키는 접촉 분리 이동 기구(28)가 연접되어 있다. 접촉 분리 이동 기구(28)는 제어부(100)에 전기적으로 접속되어 있어, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 의해 커버체(26)가 기판 유지척(20)에 대하여 접촉 분리 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한 커버체(26)의 개구 단부에는 O링(29)이 끼워져 있고, 커버체(26)가 하강하여 구획판(13)에 밀접하여, 커버체(26) 안의 기밀성이 유지되도록 되어 있다. A flat circular cover member 26 having a lower opening is provided on the upper side of the substrate holding chuck 20. The cover member 26 lifts the cover member 26 through the support member 27 And a contact separation moving mechanism 28 for contacting and separating from the substrate holding chuck 20 are connected. The contact separating and moving mechanism 28 is electrically connected to the controller 100 and the cover body 26 is configured to be contactably and separably movable with respect to the substrate holding chuck 20 by a control signal from the controller 100 have. An O-ring 29 is fitted in the opening end of the cover member 26 so that the cover member 26 is lowered so as to be in close contact with the partition plate 13 so that airtightness in the cover member 26 is maintained.

커버체(26)의 상부판(26a)의 하면에는 현상액 공급 수단인 현상액 공급 노즐(30)과 가스 공급 수단인 가스 공급 노즐(40)을 구비한 노즐체(50)가 장착되어 있다. 이 경우, 노즐체(50)는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 기판 유지척(20) 위에 배치되는 웨이퍼(W)의 직경과 같은 직경 이상의 원에 내접하는 코너부(51)를 갖는, 예컨대 8각형상의 편평형의 노즐 헤드(52)를 구비하고 있고, 노즐 헤드(52)의 하면에 복수의 현상액 공급 노즐(30)[이하에 현상 노즐(30)이고 함]과, 가스 공급 노즐(40)[이하에 가스 노즐(40)이라고 함)이, 예컨대 교대로 흩어진 점 형상으로 설치되어 있다. 또한 노즐 헤드(52)는 반드시 8각형상일 필요는 없고, 예컨대 8각 이외의 다각형이나 원형이어도 좋다. A nozzle body 50 having a developer supply nozzle 30 as a developer supply means and a gas supply nozzle 40 as a gas supply means is mounted on the lower surface of the top plate 26a of the cover member 26. [ 2 and 3, the nozzle body 50 has a corner portion 51 which is in contact with a circle having a diameter equal to or larger than the diameter of the wafer W placed on the substrate holding chuck 20 A plurality of developer supply nozzles 30 (hereinafter referred to as &quot; development nozzles 30 &quot;), and a plurality of developer supply nozzles 30 (Hereinafter referred to as gas nozzles 40) are provided in, for example, alternately scattered point shapes. Further, the nozzle head 52 is not necessarily an octagonal shape, and may be a polygonal shape or a circle other than an octagonal shape, for example.

이 중 현상 노즐(30)은 노즐 헤드(52)에 설치된 현상액 유로(31)에 접속되어 있다. 현상액 유로(31)는 현상액 공급관(32)을 통해 유기 용제를 함유하는 현상액의 현상액 공급원(33)에 접속되어 있다. 현상액 공급관(32)에는, 밸브나 매스플로 컨트롤러를 구비한 유량 제어부(34A)와 온도 조절 제어부(35)가 개재되어 있다. 또한, 본 실시예에서 이용되는 유기 용제를 함유하는 현상액으로서는, 예컨대 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알콜계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제 및 탄화수소계 용제 등을 이용할 수 있고, 본 실시형태에서는, 에스테르계 용제인 초산부틸을 함유하는 현상액을 이용한다. The developing nozzle 30 is connected to the developer flow path 31 provided in the nozzle head 52. The developer flow path 31 is connected to the developer supply source 33 of the developer containing the organic solvent through the developer supply tube 32. In the developer supply pipe 32, a flow rate control unit 34A including a valve and a mass flow controller and a temperature regulation control unit 35 are interposed. As the developer containing the organic solvent used in this embodiment, for example, a polar solvent such as a ketone solvent, an ester solvent, an alcohol solvent, an amide solvent or an ether solvent and a hydrocarbon solvent may be used. In the present embodiment, a developer containing an ester-based solvent, butyl acetate, is used.

한편, 가스 노즐(40)은 노즐 헤드(52)에 설치된 가스 유로(41)에 접속되어 있다. 가스 유로(41)는 가스 공급관(42)을 통해 가스 공급원(43)에 접속되어 있다. 가스 공급관(42)에는, 밸브나 매스플로 컨트롤러를 구비한 유량 제어부(34B)가 개재되어 있다. 또한, 본 실시예에서 이용되는 가스로서는, 예컨대 질소(N2) 가스 등의 비활성 가스나 청정 공기 등이 이용되고, 본 실시형태에서는 비활성 가스인 N2 가스가 이용된다. On the other hand, the gas nozzle 40 is connected to the gas passage 41 provided in the nozzle head 52. The gas flow path 41 is connected to the gas supply source 43 through the gas supply pipe 42. The gas supply pipe 42 is provided with a flow control unit 34B including a valve and a mass flow controller. As the gas used in this embodiment, for example, an inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas, clean air or the like is used. In this embodiment, N 2 gas, which is an inert gas, is used.

상기 유량 제어부(34A, 34B)와 온도 조절 제어부(35)는 제어부(100)와 전기적으로 접속되어 있어, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 현상액이 정해진 온도, 예컨대 23℃로 설정되고 정해진 양, 예컨대 80 mL∼600 mL 토출되며, 또한 N2 가스가 정해진 양, 예컨대 5 L/min∼50 L/min 토출되도록 형성되어 있다. The flow control units 34A and 34B and the temperature control unit 35 are electrically connected to the control unit 100. The flow control units 34A and 34B and the temperature control unit 35 are electrically connected to the control unit 100. Based on the control signal from the control unit 100, For example, 80 mL to 600 mL, and the N 2 gas is discharged to a predetermined amount, for example, 5 L / min to 50 L / min.

상기한 바와 같이 형성되는 노즐체(50)는, 커버체(26)와 함께 기판 유지척(20)에 대하여 접촉 분리 이동 가능하게 구성되어 있고, 하강하여 기판 유지척(20)에 근접한 상태로, 현상 노즐(30)로부터 현상액을 토출하는 것에 의해, 기판 유지척(20)에 배치된 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 현상액의 액막을 형성한다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 현상액의 액막을 형성한 후, 가스 노즐(40)로부터 N2 가스를 토출하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 공급하여, 현상을 정지하고, 웨이퍼(W) 표면 위의 현상액을 제거하여 건조할 수 있다. 또한, 현상 노즐(30)로부터 현상액을 토출할 때, 기판 유지척(20)을 회전시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 균일하게 현상액의 액막을 형성할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 공급할 때에 기판 유지척(20)을 회전시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 균일하게 N2 가스를 공급할 수 있어, 현상액의 제거 및 건조 시간의 단축을 도모할 수 있다. The nozzle body 50 formed as described above is configured so as to be capable of contacting and separating from the substrate holding chuck 20 together with the cover body 26 and is moved downward to be close to the substrate holding chuck 20, A liquid film of the developer is simultaneously formed on the entire surface of the wafer W disposed on the substrate holding chuck 20 by discharging the developer from the developing nozzle 30. [ N 2 gas is supplied to the entire surface of the wafer W by discharging N 2 gas from the gas nozzle 40 after forming a liquid film of the developer on the entire surface of the wafer W, And the developer on the surface of the wafer W can be removed and dried. Further, when the developing solution is discharged from the developing nozzle 30, a liquid film of the developing liquid can be formed uniformly over the entire surface of the wafer W by rotating the substrate holding chuck 20. Further, by rotating the substrate holding chuck 20 when supplying the N 2 gas to the entire surface of the wafer (W), it can supply N 2 gas uniformly to the entire surface of the wafer (W), removal of a developing solution and The drying time can be shortened.

다음에, 제1 실시형태의 현상 장치의 동작 양태와 현상 방법에 대해서 도 1 내지 도 5를 참조하여 상세히 설명한다. 우선, 반송 수단(1)에 의해 웨이퍼(W)가 하우징(11) 안에 반송되어, 기판 유지척(20)의 위쪽에 웨이퍼(W)가 위치한다. 그러면, 승강 기구(25)의 구동에 의해 기판 유지척(20)이 상승하고, 흡인 동작에 의해 웨이퍼(W)는 기판 유지척(20) 위에 흡착 유지된다. 그 후, 반송 수단(1)은 후퇴한다. Next, an operation mode and a developing method of the developing apparatus of the first embodiment will be described in detail with reference to Figs. 1 to 5. Fig. First, the wafer W is transferred into the housing 11 by the transfer means 1, and the wafer W is positioned above the substrate holding chuck 20. Then, the substrate holding chuck 20 is raised by the driving of the lifting mechanism 25, and the wafer W is attracted and held on the substrate holding chuck 20 by the suction operation. Thereafter, the conveying means 1 is retracted.

기판 유지척(20) 위에 웨이퍼(W)를 유지한 상태로, 접촉 분리 이동 기구(28)가 구동하여 커버체(26)와 함께 현상 노즐(30)과 가스 노즐(40)을 구비한 노즐체(50)가 하강하여, 웨이퍼 표면 위쪽의 근접 위치, 예컨대 30 ㎜에 이동한다. 또한 이 때, 승강 기구(25)를 구동하여 웨이퍼(W)의 표면과 노즐체(50)와의 거리를 조정할 수도 있다. The contact separation moving mechanism 28 is driven so that the wafer W is held on the substrate holding chuck 20 and the nozzle body 30 having the developing nozzle 30 and the gas nozzle 40 together with the cover body 26 The wafer 50 is lowered and moved to a position close to the wafer surface, for example, 30 mm. At this time, it is also possible to adjust the distance between the surface of the wafer W and the nozzle body 50 by driving the lifting mechanism 25.

다음에, 정해진 온도, 예컨대 23℃로 설정된 유기 용제를 함유하는 현상액(D)이 현상 노즐(30)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에, 예컨대 10초∼30초간 토출되어, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 현상액(D)의 액막이 형성된다. 이 때, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 기판 유지척(20)을 회전(예컨대 10 rpm∼1000 rpm)시키는 것에 의해, 기판 유지척(20)에 배치된 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 현상액의 액막을 형성한다. 현상액(D)의 액막이 형성된 상태를 확대하면, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 현상액(D)에 레지스트의 용해성 부위가 용해되고, 불용해성의 부위가 남아 회로 패턴(C)이 형성된다. 이 상태에서는, 현상액(D)에 용해 생성물(d)이 혼재되어 있다. Next, a developing liquid D containing an organic solvent set at a predetermined temperature, for example, 23 占 폚, is discharged from the developing nozzle 30 over the entire surface of the wafer W for 10 seconds to 30 seconds, A liquid film of the developer D is simultaneously formed all over the surface. 4 (a), by rotating the substrate holding chuck 20 (for example, 10 rpm to 1000 rpm), the surface of the wafer W placed on the substrate holding chuck 20 Thereby forming a liquid film of the developer at the same time. As shown in Fig. 5A, when the state in which the liquid film of the developing solution D is enlarged, the soluble portion of the resist is dissolved in the developing solution D, and the insoluble portion remains to form the circuit pattern C do. In this state, the dissolution products (d) are mixed in the developer (D).

다음에, 노즐체(50)를 웨이퍼 표면 위쪽의 근접 위치, 예컨대 30 ㎜에 이동시킨다. 이 상태에서, 기판 유지척(20)을 500 rpm∼3000 rpm, 예컨대 1000 rpm의 회전수로 회전시키면서, 가스 노즐(40)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 5 L/min∼50 L/min, 예컨대 5 L/min의 유량으로 5초∼30초간 토출한다[도 4의 (b) 참조]. 이와 같이, 현상액(D)의 액막이 형성된 후에, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 토출하면, 그 토출에 의한 충격과 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력의 작용에 의해, 도 5의 (b), (c)에 도시하는 바와 같이, N2 가스는 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 퍼지고, 용해 생성물(d)이 혼재되어 있는 현상액(D)은 효율적으로 외측으로 배출되어, 회로 패턴(C)의 오목부 안의 현상액(D)은 확실하게 배출(제거)된다. Next, the nozzle body 50 is moved to a close position above the wafer surface, for example, 30 mm. In this state, while the substrate holding chuck 20 is rotated at a rotational speed of 500 rpm to 3000 rpm, for example, at 1000 rpm, N 2 gas is supplied to the entire surface of the wafer W from the gas nozzle 40 at a rate of 5 L / And discharged at a flow rate of 50 L / min, for example, 5 L / min for 5 seconds to 30 seconds (see Fig. 4 (b)). After the liquid film of the developer D is formed and the N 2 gas is discharged onto the entire surface of the wafer W while rotating the wafer W as described above, the impact caused by the discharge and the centrifugal force due to the rotation of the wafer W The developer D in which the N 2 gas spreads from the central portion of the wafer W toward the periphery and the dissolved products d are mixed as shown in Figs. 5 (b) and 5 (c) So that the developer D in the concave portion of the circuit pattern C is reliably discharged (removed).

상기한 바와 같이 하여 현상 처리가 종료한 후, 상기 동작과 반대의 동작에 의해 기판 유지척(20) 위의 웨이퍼(W)는, 기판 유지척(20)으로부터 반송 수단(1)에 수취되고, 반송 수단(1)에 의해 하우징(11) 안으로부터 반출된다. The wafer W on the substrate holding chuck 20 is received by the carrying means 1 from the substrate holding chuck 20 by the operation opposite to the above operation after the development processing is completed as described above, Is carried out from inside the housing (11) by the conveying means (1).

상기 제1 실시형태에 의하면, 현상 노즐(30)에 의해, 웨이퍼(W)의 전체면에 동시에 현상액을 공급하여 액막을 형성한 후, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 공급하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 전체면에서 동시에 현상을 정지할 수 있다. 따라서, 회로 패턴의 선폭을 안정화시킬 수 있다. According to the first embodiment, N 2 gas is supplied to the entire surface of the wafer W after the liquid developer is supplied to the entire surface of the wafer W by the developing nozzle 30 at the same time The development can be stopped at the same time on the entire surface of the wafer W. Therefore, the line width of the circuit pattern can be stabilized.

또한, 상기 제1 실시형태에서는, 현상 노즐(30)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에 현상액을 토출하여 웨이퍼 표면에 현상액의 액막을 형성할 때에, 웨이퍼(W)를 회전시키는 경우에 대해서 설명했지만, 현상 노즐(30)로부터 토출되는 현상액이 웨이퍼(W)의 표면 전역에 걸쳐 토출되어 있으면, 반드시 웨이퍼(W)를 회전시키지 않아도 좋다. In the first embodiment, the case where the wafer W is rotated when the developer is discharged from the developing nozzle 30 over the entire surface of the wafer W to form a liquid film of the developer on the wafer surface has been described , The wafer W need not necessarily be rotated if the developer discharged from the developing nozzle 30 is discharged over the entire surface of the wafer W. [

또한, 상기 실시형태에서는, 노즐체(50)의 각 현상 노즐(30)은 공통의 현상액 유로(31)를 통해 현상액 공급원(33)에 접속되어, 각 현상 노즐(30)로부터 동량의 현상액을 토출하는 경우에 대해서 설명했지만, 각 현상 노즐(30)에 연통하는 현상액 유로를, 예컨대 중심부와 외주부로 구획하고, 분리하여 현상액을 토출하도록 하여도 좋다. 이와 같이 하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 더 균일하게 현상액의 액막을 형성할 수 있다. In the above embodiment, each of the developing nozzles 30 of the nozzle body 50 is connected to the developer supply source 33 through a common developer flow path 31, and the same amount of developer is discharged from each developing nozzle 30 However, the developer flow paths communicating with the respective developing nozzles 30 may be partitioned into, for example, a central portion and an outer peripheral portion, and the developing solution may be discharged separately. By doing so, a liquid film of the developer can be formed more uniformly over the entire surface of the wafer W. [

<제2 실시형태>&Lt; Second Embodiment >

다음에, 본 발명에 따른 유기 현상 처리 장치의 제2 실시형태에 대해서, 도 6 내지 도 9를 참조하여 설명한다. Next, a second embodiment of an organic developing apparatus according to the present invention will be described with reference to Figs. 6 to 9. Fig.

제2 실시형태의 유기 현상 처리 장치(10A)[이하에 현상 장치(10A)라고 함]는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 도시하지 않는 하우징 안에, 웨이퍼(W)의 표면을 아래쪽으로 향한 상태로 유지하는 기판 유지 수단인 기판 유지척(20A)과, 유기 용제를 함유하는 현상액(D)을 저류하는 현상액 저류 용기(60)[이하에 용기(60)라고 함]와, 기판 유지척(20A)에 유지된 웨이퍼(W)와 용기(60)를 상대적으로 접촉 분리 이동시키는 접촉 분리 이동 기구(28A)와, 기판 유지척(20A)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면 전역에 현상 정지 및 기판 건조용 가스, 예컨대 질소(N2) 가스를 토출하는 가스 공급 수단인 가스 공급 노즐(40A)[이하에 가스 노즐(40A)이라고 함]을 구비하고 있다. 또한, 현상 장치(10A)는, 도시하지 않는 반송 수단으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 웨이퍼(W)의 표리면을 반전시키는 전달 아암(70)을 구비하고 있고, 전달 아암(70)에 의해 표리 반전된 웨이퍼(W)를 기판 유지척(20A)에 전달 가능하게 구성되어 있다. 6, the organic developing apparatus 10A (hereinafter referred to as developing apparatus 10A) of the second embodiment includes a housing (not shown) in which the surface of the wafer W faces downward A developer holding container 60 (hereinafter referred to as a container 60) for storing a developer D containing an organic solvent, and a substrate holding chuck 20A A contact separation moving mechanism 28A for relatively moving the wafer W held by the substrate holding chuck 20A and the container 60 in contact with each other, And a gas supply nozzle 40A (hereinafter referred to as a gas nozzle 40A) which is a gas supply means for discharging a drying gas such as nitrogen (N 2 ) gas. The developing apparatus 10A has a transfer arm 70 that receives the wafer W from a transfer means not shown and inverts the front and back surfaces of the wafer W. The transfer arm 70 transfers, So that the inverted wafer W can be transferred to the substrate holding chuck 20A.

이 경우, 전달 아암(70)은, 도 7에 도시하는 바와 같이, 베이스(71)의 상단에, 수평 방향으로 회전 및 신축 가능한 링크 부재(72)를 개재하여 상부 수평축(73)을 설치하고, 상부 수평축(73)을 따라 외측을 향해 수평 방향으로 진퇴 가능한 웨이퍼 유지부(74)가 설치되어 있다. 또한, 전달 아암(70)은, 도시하지 않는 반전용 모터를 구비하는 반전 기구(75)를 구비하고 있고, 이 반전 기구(75)에 의해 웨이퍼 유지부(74)는, 상부 수평축(73)에 대하여 180도 회동 가능, 즉 반전 가능하게 형성되어 있다. In this case, as shown in Fig. 7, the transfer arm 70 is provided with an upper horizontal axis 73 via an upper end of the base 71 via a link member 72 that is rotatable and extendable in the horizontal direction, And a wafer holding portion 74 capable of moving back and forth in the horizontal direction toward the outside along the upper horizontal axis 73 is provided. The transfer arm 70 is provided with a reversing mechanism 75 having a reversing motor not shown and the wafer retaining portion 74 is held by the reversing mechanism 75 on the upper horizontal shaft 73 That is, reversible.

웨이퍼 유지부(74)는, 도 7의 (f)에 도시하는 바와 같이, 선단이 대략 말굽 형상으로 형성되고, 웨이퍼(W)의 이면 중심부측을, 예컨대 진공 흡착에 의해 유지하도록 구성되어 있다. 또한, 이 경우, 웨이퍼 유지부(74)의 말굽 형상부에는, 둘레 방향을 따라 적절하게 간격을 두고, 복수의 흡인 구멍(74a)이 형성되어 있으며, 도시하지 않는 개폐 밸브를 개재한 배관(도시 생략)을 통해 흡착원, 예컨대 진공 펌프(도시 생략)에 접속되어 있다. 7 (f), the wafer holding portion 74 is formed to have a substantially horseshoe shape at the tip end thereof, and is configured to hold the back side center portion side of the wafer W by, for example, vacuum adsorption. In this case, a plurality of suction holes 74a are formed in the horseshoe-shaped portion of the wafer holding portion 74 at appropriate intervals along the circumferential direction, and a pipe (not shown) For example, a vacuum pump (not shown) through a vacuum pump (not shown).

상기한 바와 같이 구성되는 전달 아암(70)은, 도 7의 (a)에 도시하는 상태로부터 웨이퍼 유지부(74)가 수평 방향으로 신장하여, 도시하지 않는 반송 수단으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 흡착 유지한 상태[도 7의 (b) 참조]로, 반전 기구(75)에 의해 웨이퍼 유지부(74)가 상부 수평축(73)에 대하여 180도 회동하여 웨이퍼(W)의 표리면을 반전시킨다[도 7의 (c)∼도 7의 (e) 참조]. The transfer arm 70 constructed as described above is configured such that the wafer holding portion 74 extends in the horizontal direction from the state shown in Fig. 7A to receive the wafer W from the transfer means (not shown) The wafer holding portion 74 is rotated by 180 degrees with respect to the upper horizontal axis 73 by the reversing mechanism 75 in a state where the wafer W is attracted and held (see Fig. 7B), thereby inverting the front and back surfaces of the wafer W (See Figs. 7 (c) to 7 (e)).

또한, 현상 장치(10A)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 도시하지 않는 하우징 안의 상부에 배치되는, 예컨대 볼나사 기구나 타이밍 벨트 기구 등으로 형성되는 접촉 분리 이동 기구(28A)와, 접촉 분리 이동 기구(28A)에 의해 연직 방향으로 이동 가능한 승강 브래킷(28b)의 하부에 연결되는, 회전 구동 기구인, 예컨대 서보 모터로 형성되는 회전 구동 모터(21A)를 구비하고 있다. 회전 구동 모터(21A)의 회전축(21a)의 하단부에 기판 유지척(20A)이 하향으로 연결되어 있고, 회전 구동 모터(21A)의 구동에 의해 수평 방향으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 기판 유지척(20A)은, 제1 실시형태의 기판 유지척(20)과 마찬가지로, 기판 유지척(20A)의 표면의 복수 지점에는 흡인 구멍(도시 생략)이 형성되어 있고, 회전축(21a)에는 흡인 구멍과 연통하는 흡인 통로(도시 생략)가 형성되며, 흡인 통로에 일단이 접속하는 배기관(도시 생략)의 타단이 배기 수단인 진공 펌프에 접속되어 있다. 6, the developing apparatus 10A is provided with a contact separation moving mechanism 28A which is disposed at an upper portion in a housing (not shown) and which is formed of, for example, a ball screw mechanism or a timing belt mechanism, And a rotary drive motor 21A formed of, for example, a servo motor, which is a rotary drive mechanism, connected to the lower portion of a lift bracket 28b movable in the vertical direction by the moving mechanism 28A. The substrate holding chuck 20A is connected downward at the lower end of the rotary shaft 21a of the rotary drive motor 21A and is configured to be rotatable in the horizontal direction by driving the rotary drive motor 21A. The substrate holding chuck 20A is provided with suction holes (not shown) at a plurality of points on the surface of the substrate holding chuck 20A in the same manner as the substrate holding chuck 20 of the first embodiment, (Not shown) communicating with the suction hole is formed. The other end of an exhaust pipe (not shown) having one end connected to the suction passage is connected to a vacuum pump serving as exhaust means.

회전 구동 모터(21A), 접촉 분리 이동 기구(28A) 및 진공 펌프(도시 생략)는 제어부(100)에 전기적으로 접속되어, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 제어된다. The rotary drive motor 21A, the contact separation moving mechanism 28A and the vacuum pump (not shown) are electrically connected to the control unit 100 and controlled based on the control signal from the control unit 100. [

상기 용기(60)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 상단이 개구된 상자형으로 형성되고, 도시하지 않는 지지대 등에 의해 수평 상태로 설치되어 있다. 용기(60)의 대향하는 측벽의 상부에 형성된 연통구(61a, 61b)에 순환 관로(62)의 양단이 접속되어 있고, 순환 관로(62)에는 필터(63)와 순환 펌프(64)가 개재되며, 순환 관로(62)를 흐르는 유기 용제를 함유하는 현상액(D)의 온도를 일정한 온도로 설정하는 온도 제어부(65)가 개재되어 있다. 또한, 용기(60)의 바닥부에는 배액구(66)가 형성되어 있고, 배액구(66)에 드레인 밸브(67)를 개재한 드레인관(68)이 접속되어 있다. As shown in Fig. 6, the container 60 is formed in a box-like shape having an opening at the top, and is installed horizontally by a supporting stand or the like not shown. Both ends of the circulation duct 62 are connected to the communication ports 61a and 61b formed in the upper portion of the opposing side wall of the vessel 60. The filter 63 and the circulation pump 64 are interposed in the circulation duct 62, And a temperature controller 65 for setting the temperature of the developer D containing the organic solvent flowing through the circulation duct 62 at a constant temperature is interposed. A drain port 66 is formed in the bottom of the container 60 and a drain port 68 is connected to the drain port 66 through a drain valve 67. [

용기(60)의 외주에는 컵(80)이 배치되어 있다. 컵(80)은, 용기(60)의 외주 바깥쪽 및 아래쪽을 포위하는 바닥을 갖는 원통형의 하부 컵체(81)와, 하부 컵체(81)의 개구부측의 내주면을 따라 이동 가능한 상부 컵체(82)로 구성되어 있다. 이 경우, 상부 컵체(82)는, 하부 컵체(81)의 개구부측의 내주면을 따라 이동 가능한 편평한 통형 기부(基部)(83)와, 편평한 통형 기부(83)의 상단으로 굴곡되는 경사부(84)와, 경사부(84)의 상단으로부터 용기(60)측으로 굴곡되는 내향 플랜지부(85)로 구성되어 있다. 또한, 상부 컵체(82)는, 이 상부 컵체(82)의 편평한 통형 기부(83)의 외측에 연결되는 지지 부재(86)를 통해 컵 승강 기구(87)에 연접되어 있어, 컵 승강 기구(87)에 의해 상부 컵체(82)가 승강 가능하게 구성되어 있다. The cup (80) is disposed on the outer periphery of the container (60). The cup 80 includes a cylindrical lower cup body 81 having a bottom surrounding the outer periphery of the outer periphery of the vessel 60 and an upper cup body 82 movable along the inner periphery of the opening of the lower cup body 81, . The upper cup body 82 includes a flat cylindrical base portion 83 which is movable along the inner circumferential surface of the opening of the lower cup body 81 and a sloped portion 84 bent to the upper end of the flat cylindrical base portion 83 And an inward flange portion 85 bent from the upper end of the inclined portion 84 toward the container 60 side. The upper cup body 82 is connected to the cup lifting mechanism 87 through a support member 86 connected to the outside of the flat cylindrical base 83 of the upper cup body 82 so that the cup lifting mechanism 87 So that the upper cup body 82 can be raised and lowered.

또한, 가스 노즐(40A)은 노즐체(50A)에 구비되어 있다. 노즐체(50A)는, 도 6 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 기판 유지척(20A)에 흡착 유지되는 웨이퍼(W)의 직경과 같은 직경 이상의 원에 내접하는 코너부(51)를 갖는 8각 형상의 편평형의 노즐 헤드(52A)를 구비하고 있고, 노즐 헤드(52A)의 상면에 복수의 가스 노즐(40A)이 흩어진 점 형상으로 설치되어 있다. 가스 노즐(40A)은 노즐 헤드(52A)에 설치된 가스 유로(41)에 접속되어 있고, 가스 유로(41)는 가스 공급관(42)을 통해 N2 가스 공급원(43)에 접속되어 있다. 가스 공급관(42)에는, 밸브나 매스플로 컨트롤러를 구비한 유량 제어부(도시 생략)가 개재되어 있다. 또한 노즐 헤드(52A)는 반드시 8각 형상일 필요는 없고, 예컨대 8각 이외의 다각형이나 원형이어도 좋다. The gas nozzle 40A is provided in the nozzle body 50A. As shown in Figs. 6 and 8, the nozzle body 50A has a corner portion 51 which is in contact with a circle having a diameter equal to or larger than the diameter of the wafer W held by the substrate holding chuck 20A And a plurality of gas nozzles 40A are provided on the upper surface of the nozzle head 52A in the form of scattered points. The gas nozzle 40A is connected to the gas passage 41 provided in the nozzle head 52A and the gas passage 41 is connected to the N 2 gas supply source 43 through the gas supply pipe 42. The gas supply pipe 42 is provided with a flow control unit (not shown) having a valve and a mass flow controller. The nozzle head 52A is not necessarily an octagonal shape, but may be a polygonal shape or a circle other than an octagonal shape.

상기한 바와 같이 형성되는 가스 노즐(40A)을 구비하는 노즐 헤드(52A)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 가이드 레일(90)을 따라 이동 가능한 가동 베이스(91)의 하부에 늘어지는 접촉 분리 이동 기구(28B)에 의해 연직 방향으로 이동 가능한 승강 브래킷(28c)에 연결되어 있다. 또한, 가동 베이스(91)는, 도시하지 않는, 예컨대 볼나사 기구나 타이밍 벨트 기구 등의 구동 수단에 의해 가이드 레일(90) 위를 이동 가능하게 형성되어 있고, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 구동하는 구동 수단에 의해, 기판 유지척(20A)에 유지된 웨이퍼(W)와 용기(60) 사이의 위치와, 용기(60) 바깥쪽의 대기 위치에 이동 가능하게 구성되어 있다. 6, the nozzle head 52A having the gas nozzle 40A formed as described above is mounted on the lower surface of the movable base 91 movable along the guide rail 90, And is connected to a lifting bracket 28c movable in the vertical direction by the moving mechanism 28B. The movable base 91 is movable on a guide rail 90 by a driving means such as a ball screw mechanism or a timing belt mechanism, not shown, Is configured to be movable between a position between the wafer W held by the substrate holding chuck 20A and the container 60 and a standby position outside the container 60 by driving means driven on the basis of the driving force.

다음에, 제2 실시형태의 현상 장치의 동작 양태와 현상 방법에 대해서, 도 6 내지 도 9를 참조하여 상세히 설명한다. 우선, 도시하지 않는 반송 수단에 의해 반송된 웨이퍼(W)를 전달 아암(70)이 웨이퍼(W)의 표면을 위로 한 채 수취한다. 웨이퍼(W)를 수취한 전달 아암(70)은, 반전 기구(75)에 의해 웨이퍼 유지부(74)가 상부 수평축(73)에 대하여 180도 회동하여 웨이퍼(W)의 표리면을 반전시킨다[도 7의 (c)∼도 7의 (e) 참조]. Next, the operation of the developing apparatus and the developing method of the second embodiment will be described in detail with reference to Figs. 6 to 9. Fig. First, the transfer arm 70 receives the wafer W carried by the transfer means (not shown) with the surface of the wafer W facing up. The transfer arm 70 that receives the wafer W is rotated by 180 degrees with respect to the upper horizontal axis 73 by the inversion mechanism 75 to invert the front and back surfaces of the wafer W See Figs. 7 (c) to 7 (e)).

전달 아암(70)에 의해 웨이퍼(W)를 반전시킨 상태로, 전달 아암(70)의 웨이퍼 유지부(74)가 기판 유지척(20A)측에 이동하여, 기판 유지척(20A)이 대략 말굽 형상의 웨이퍼 유지부(74) 안쪽으로 들어간다[도 7의 (f)의 이점쇄선 참조]. 이 상태로, 웨이퍼 유지부(74)의 진공 흡착을 해제하면 동시에 또는 해제 직전에, 기판 유지척(20A)의 진공 흡착을 시작하여 기판 유지척(20A)에 의해 웨이퍼(W)의 이면측을 흡착 유지한다. 그 후, 기판 유지척(20A)을 용기(60) 위쪽으로 이동시킨다. The wafer holding portion 74 of the transfer arm 70 is moved to the side of the substrate holding chuck 20A with the wafer W inverted by the transfer arm 70 so that the substrate holding chuck 20A is approximately in the shape of a horseshoe (See the chain double-dashed line in FIG. 7 (f)). In this state, when the vacuum suction of the wafer holding portion 74 is released, the vacuum suction of the substrate holding chuck 20A is started and the back side of the wafer W is held by the substrate holding chuck 20A Absorbed and held. Thereafter, the substrate holding chuck 20A is moved above the container 60. Then,

다음에, 접촉 분리 이동 기구(28A)를 구동하여 기판 유지척(20A)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면만을 용기(60) 안에 저류되어 있는 유기 용제를 함유하는 현상액(D)에 정해진 시간, 예컨대 20초간 침지하여, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 동시에 현상액의 액막을 형성한다. Next, the contact separation / movement mechanism 28A is driven so that only the surface of the wafer W held on the substrate holding chuck 20A is exposed to the developing solution D containing the organic solvent stored in the container 60 for a predetermined time , For example, for 20 seconds to simultaneously form a liquid film of the developer on the entire surface of the wafer W.

다음에, 접촉 분리 이동 기구(28A)를 구동하여 기판 유지척(20A)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)를 용기(60) 위쪽으로 이동시켜 수평 상태로 유지한다. 웨이퍼(W)의 상승과 동시 또는 상승 후, 구동 수단의 구동에 의해 가동 베이스(91)가 가이드 레일(90)을 따라 이동하여, 노즐 헤드(52A)가 기판 유지척(20A)에 유지된 웨이퍼(W)와 용기(60) 사이에 위치하고, 가스 노즐(40A)을 웨이퍼(W)의 표면과 대향하는 위치에 둔다. 이 때, 컵 승강 기구(87)의 구동에 의해 상부 컵체(82)는 용기(60)의 위쪽과 노즐 헤드(52A)의 주위를 포위한다. 이 상태로, 기판 유지척(20A)을 500 rpm∼3000 rpm, 예컨대 1000 rpm의 회전수로 회전시키면서, 가스 노즐(40A)로부터 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 5 L/min∼50 L/min, 예컨대 5 L/min의 유량으로 5초∼30초간 토출한다. 이와 같이, 현상액(D)의 액막이 형성된 후에, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 토출하면, 그 토출에 의한 충격과 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력의 작용에 의해, N2 가스는 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 퍼지고, 용해 생성물(d)이 혼재되어 있는 현상액(D)은 효율적으로 외측으로 배출되어, 회로 패턴(C)의 오목부 안의 현상액(D)이 확실하게 배출(제거)된다. Next, the contact separation moving mechanism 28A is driven to move the wafer W held on the substrate holding chuck 20A to the upper side of the container 60 to keep it horizontal. The movable base 91 is moved along the guide rail 90 by driving of the driving means so that the nozzle head 52A is moved to the position of the wafer W held by the substrate holding chuck 20A, The gas nozzle 40A is located between the wafer W and the container 60 and is located at a position facing the surface of the wafer W. [ At this time, the upper cup body 82 surrounds the upper portion of the container 60 and the periphery of the nozzle head 52A by driving the cup lifting mechanism 87. [ In this state, while the substrate holding chuck 20A is rotated at a rotational speed of 500 rpm to 3000 rpm, for example, at 1000 rpm, N 2 gas is supplied to the entire surface of the wafer W from the gas nozzle 40A at a rate of 5 L / And is discharged at a flow rate of 50 L / min, for example, 5 L / min for 5 seconds to 30 seconds. After the liquid film of the developer D is formed and the N 2 gas is discharged onto the entire surface of the wafer W while the wafer W is rotated as described above, the impact caused by the discharge and the centrifugal force due to the rotation of the wafer W The N 2 gas spreads from the central portion of the wafer W toward the periphery of the wafer W and the developer D in which the dissolved products d are mixed is efficiently discharged to the outside, The developer D is reliably discharged (removed).

상기한 바와 같이 하여 현상 처리가 종료한 후, 상기 동작과 반대의 동작에 의해 기판 유지척(20A)에 의해 유지된 웨이퍼(W)는, 기판 유지척(20A)으로부터 전달 아암(70)에 수취되고, 전달 아암(70)에 의해 표리 반전, 즉 표면이 상면측으로 반전된 후, 도시하지 않는 반송 수단에 의해 반송된다. The wafer W held by the substrate holding chuck 20A is transferred from the substrate holding chuck 20A to the transfer arm 70 by the operation opposite to the above operation after the completion of the developing processing as described above And is conveyed by conveyance means (not shown) after the front and back surfaces are inverted by the transfer arm 70, that is, the surface is inverted to the upper surface side.

또한, 상기 제2 실시형태에서는, 가스 노즐(40A)을 구비하는 노즐 헤드(52A)가 가이드 레일(90) 위를 이동하는 가동 베이스(91)에 부착되는 경우에 대해서 설명했지만, 노즐 헤드(52A)의 이동은 반드시 이 구조에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 수평 방향으로 선회 가능한 아암에 의해 웨이퍼(W)와 용기(60) 사이와, 용기(60)의 바깥쪽 위치에 이동 가능한 구조로 하여도 좋다. Although the nozzle head 52A having the gas nozzle 40A is attached to the movable base 91 moving on the guide rail 90 in the second embodiment, Is not necessarily limited to this structure but may be structured so as to be movable between the wafer W and the container 60 by an arm pivotable in the horizontal direction and at an outer position of the container 60 .

상기 제2 실시형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 표면만을 용기(60) 안에 저류된 현상액(D)에 침지하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 전체면에 동시에 현상액을 공급하여 액막을 형성한 후, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 N2 가스를 공급하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 전체면에서 동시에 현상을 정지할 수 있다. 따라서, 회로 패턴의 선폭을 안정화시킬 수 있다. 또한, 제2 실시형태에서는, 용기(60)에 저류된 현상액(D)은, 순환 관로(62)를 통해 필터(63)에 의해 불순물을 제거한 후에, 온도 제어부(65)로 온도가 조정되어 재차 현상에 이용할 수 있어, 현상액의 낭비를 적게 할 수 있다. According to the second embodiment, only the surface of the wafer W is immersed in the developing solution D stored in the container 60, so that the developer is simultaneously supplied to the entire surface of the wafer W to form a liquid film , And by supplying N 2 gas to the entire surface of the wafer W, the development can be stopped simultaneously on the entire surface of the wafer W. Therefore, the line width of the circuit pattern can be stabilized. In the second embodiment, the developer D stored in the container 60 is regulated in temperature by the temperature control unit 65 after the impurities are removed by the filter 63 through the circulation duct 62, It is possible to reduce the waste of the developing solution.

(평가 시험)(Evaluation test)

다음에, 유기 용제를 함유하는 현상액을 웨이퍼에 공급하여 현상액의 액막을 형성한 후의 N2 가스의 토출의 유무에 의한 평가 시험에 대해서 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다. Next, an evaluation test based on the presence or absence of discharge of the N 2 gas after supplying the developing solution containing the organic solvent to the wafer and forming the liquid film of the developing solution will be described with reference to Figs. 10 and 11. Fig.

도 10에 도시하는 바와 같이, 300 ㎜ 웨이퍼(W)의 표면에 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 액막을 형성한 후, 웨이퍼(W)의 중심부에 N2 가스를 5 L/min의 유량으로, 3초간 토출한 경우와, N2 가스를 토출하지 않는 경우의 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주에서의 임의의 지점의 선폭의 상한과 하한을 조사한 바, 도 11에 도시하는 바와 같은 결과를 얻을 수 있었다. 10, a developer containing an organic solvent was supplied to the surface of a 300 mm wafer W to form a liquid film. Then, N 2 gas was supplied to the center of the wafer W at a flow rate of 5 L / min , The upper and lower limits of the line width at an arbitrary point on the outer periphery from the center of the wafer W in the case of ejection for 3 seconds and in the case of not ejecting N 2 gas were examined to obtain the result as shown in Fig. I could.

그 결과, 도 11에 도시하는 바와 같이, N2 가스를 토출한 경우는, N2 가스를 토출하지 않는 경우에 비해 N2 가스 토출 영역의 현상의 정지가 빨라지고, 선폭이 변동한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 N2 가스를 토출함으로써, 웨이퍼 면내의 선폭의 제어가 가능해진다. The result, when discharging the N 2 gas, N 2 accelerating the stop of the phenomenon of gas discharge area in comparison with the case that does not discharge the N 2 gas, the line width varies as shown in Fig. As a result, the line width in the wafer surface can be controlled by discharging N 2 gas to the entire surface of the wafer W.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성한 후, 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 현상의 정지와 건조를 행하는 모든 유기 현상 처리에 적용할 수 있다. The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be applied to a case where a liquid film of a developer containing an organic solvent is formed all over the surface of the substrate at the same time, , And can be applied to all organic developing processes for stopping development and drying.

또한, 상기 실시형태에서는, 피처리 기판이 반도체 웨이퍼(W)인 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은 반도체 웨이퍼 이외의, 예컨대 FPD 기판 등의 다른 기판의 유기 현상 처리에도 적용할 수 있다. In the above embodiment, the case where the substrate to be processed is the semiconductor wafer W has been described. However, the present invention can also be applied to the organic development processing of another substrate such as an FPD substrate other than the semiconductor wafer.

W: 웨이퍼(기판), 20, 20A: 기판 유지척(기판 유지 수단), 21, 21A: 회전 구동 모터(회전 구동 기구), 28, 28A, 28B: 접촉 분리 이동 기구, 30: 현상 노즐(현상액 공급 수단), 40, 40A: 가스 노즐(가스 공급 수단), 50, 50A: 노즐체, 52, 52A: 노즐 헤드, 60: 용기(현상액 저류 용기), 100: 제어부W: Wafer (substrate), 20, 20A: Substrate holding chuck (substrate holding means), 21, 21A: Rotary driving motor (rotation drive mechanism), 28, 28A, 28B: And 50A: nozzle body, 52A, 52A: nozzle head, 60: container (developer storage container), 100: control unit

Claims (19)

표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 유기 현상 처리 방법에 있어서,
기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성하는 공정과,
상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 상기 기판의 전체면에서 동시에 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정
을 포함하고,
상기 액막을 형성하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 현상액을 기판의 표면 전역에 토출하여 행하고, 상기 복수의 현상액 공급 노즐 각각은 현상액 유로를 통해 현상액 공급원에 접속되고, 상기 복수의 현상액 공급 노즐 각각에 연통하는 현상액 유로를, 중심부와 외주부로 구획하고, 분리하여 현상액을 토출하고,
상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판의 표면 전역에 토출하여 행하고,
상기 복수의 현상액 공급 노즐과 상기 복수의 가스 공급 노즐은, 수평 상태로 유지된 기판의 표면에 대하여 상대적으로 접촉 분리 이동하는 노즐 헤드에 교대로 흩어진 점 형상으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법. A method for organic development processing for applying a resist on a surface of a substrate after exposure and developing the surface of the substrate,
A step of forming a liquid film of a developer containing an organic solvent all over the surface of the substrate at the same time,
Supplying gas to the entire surface of the substrate on which the liquid film is formed, stopping the development on the entire surface of the substrate simultaneously, and drying the substrate
/ RTI &gt;
Wherein the step of forming the liquid film is performed by discharging the developer from the plurality of developer supply nozzles opposed to the surface of the substrate to the entire surface of the substrate and each of the plurality of developer supply nozzles is connected to the developer supply source through the developer flow path, A developer flow path communicating with each of the plurality of developer supply nozzles is divided into a central portion and an outer peripheral portion,
Wherein the step of stopping the development and drying the substrate is performed by discharging gas from the plurality of gas supply nozzles opposed to the surface of the substrate to the entire surface of the substrate,
Characterized in that the plurality of developer supply nozzles and the plurality of gas supply nozzles are provided in a dot shape alternately scattered in a nozzle head which is relatively moved apart and moved relative to the surface of the substrate held in a horizontal state Way. 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 유기 현상 처리 방법에 있어서,
기판을 수평 상태로 유지하는 공정과,
기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액의 액막을 형성하는 공정과,
상기 액막이 형성된 기판의 표면 전역에 가스를 공급하여, 상기 기판의 전체면에서 동시에 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정
을 포함하고,
상기 액막을 형성하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 현상액을 기판의 표면 전역에 토출하여 행하고, 상기 복수의 현상액 공급 노즐 각각은 현상액 유로를 통해 현상액 공급원에 접속되고, 상기 복수의 현상액 공급 노즐 각각에 연통하는 현상액 유로를, 중심부와 외주부로 구획하고, 분리하여 현상액을 토출하고,
상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐로부터 가스를 기판의 표면 전역에 토출하여 행하고,
상기 복수의 현상액 공급 노즐과 상기 복수의 가스 공급 노즐은, 수평 상태로 유지된 기판의 표면에 대하여 상대적으로 접촉 분리 이동하는 노즐 헤드에 교대로 흩어진 점 형상으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법. A method for organic development processing for applying a resist on a surface of a substrate after exposure and developing the surface of the substrate,
A step of holding the substrate in a horizontal state,
A step of forming a liquid film of a developer containing an organic solvent all over the surface of the substrate at the same time,
Supplying gas to the entire surface of the substrate on which the liquid film is formed, stopping the development on the entire surface of the substrate simultaneously, and drying the substrate
/ RTI &gt;
Wherein the step of forming the liquid film is performed by discharging the developer from the plurality of developer supply nozzles opposed to the surface of the substrate to the entire surface of the substrate and each of the plurality of developer supply nozzles is connected to the developer supply source through the developer flow path, A developer flow path communicating with each of the plurality of developer supply nozzles is divided into a central portion and an outer peripheral portion,
Wherein the step of stopping the development and drying the substrate is performed by discharging gas from the plurality of gas supply nozzles opposed to the surface of the substrate to the entire surface of the substrate,
Characterized in that the plurality of developer supply nozzles and the plurality of gas supply nozzles are provided in a dot shape alternately scattered in a nozzle head which is relatively moved apart and moved relative to the surface of the substrate held in a horizontal state Way. 삭제delete 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 현상을 정지하고, 기판을 건조하는 공정은, 수평 상태로 유지된 기판을 연직축 둘레로 회전시키면서 행하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 방법. The organic developing method according to claim 1 or 2, wherein the step of stopping the development and drying the substrate is performed while rotating the substrate held in the horizontal state about the vertical axis. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 유기 현상 처리 장치에 있어서,
기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 현상액 공급 수단과,
기판의 표면 전역에 동시에 현상 정지 및 건조용 가스를 토출하는 가스 공급 수단
을 구비하고,
상기 현상액 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 현상액 공급 노즐을 구비하고,
상기 복수의 현상액 공급 노즐 각각은 현상액 유로를 통해 현상액 공급원에 접속되고, 상기 복수의 현상액 공급 노즐 각각에 연통하는 현상액 유로를, 중심부와 외주부로 구획하고, 분리하여 현상액을 토출하고,
상기 가스 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐을 구비하고,
상기 복수의 현상액 공급 노즐과 상기 복수의 가스 공급 노즐은, 수평 상태로 유지된 기판의 표면에 대하여 상대적으로 접촉 분리 이동하는 노즐 헤드에 교대로 흩어진 점 형상으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치. An organic developing apparatus for applying a resist on a surface thereof and supplying the developing solution to a surface of the substrate after exposure to develop,
A developer supplying means for discharging a developer containing an organic solvent all over the surface of the substrate at the same time,
A gas supply means for simultaneously stopping the development and discharging the drying gas onto the entire surface of the substrate,
And,
Wherein the developer supply means includes a plurality of developer supply nozzles facing the surface of the substrate,
Wherein each of the plurality of developer supply nozzles is connected to a developer supply source through a developer flow path and divides the developer flow path communicating with each of the plurality of developer supply nozzles into a central portion and an outer peripheral portion,
Wherein the gas supply means comprises a plurality of gas supply nozzles facing the surface of the substrate,
Characterized in that the plurality of developer supply nozzles and the plurality of gas supply nozzles are provided in a dot shape alternately scattered in a nozzle head which is relatively moved apart and moved relative to the surface of the substrate held in a horizontal state Device. 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 유기 현상 처리 장치에 있어서,
기판을 수평 상태로 유지하는 기판 유지 수단과,
기판의 표면 전역에 동시에 유기 용제를 함유하는 현상액을 토출하는 현상액 공급 수단과,
기판의 표면 전역에 동시에 현상 정지 및 건조용 가스를 토출하는 가스 공급 수단
을 구비하고,
상기 현상액 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 현상액 공급 노즐을 구비하고,
상기 복수의 현상액 공급 노즐 각각은 현상액 유로를 통해 현상액 공급원에 접속되고, 상기 복수의 현상액 공급 노즐 각각에 연통하는 현상액 유로를, 중심부와 외주부로 구획하고, 분리하여 현상액을 토출하고,
상기 가스 공급 수단은, 기판의 표면에 대향하는 복수의 가스 공급 노즐을 구비하고,
상기 복수의 현상액 공급 노즐과 상기 복수의 가스 공급 노즐은, 수평 상태로 유지된 기판의 표면에 대하여 상대적으로 접촉 분리 이동하는 노즐 헤드에 교대로 흩어진 점 형상으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치. An organic developing apparatus for applying a resist on a surface thereof and supplying the developing solution to a surface of the substrate after exposure to develop,
Substrate holding means for holding the substrate in a horizontal state,
A developer supplying means for discharging a developer containing an organic solvent all over the surface of the substrate at the same time,
A gas supply means for simultaneously stopping the development and discharging the drying gas onto the entire surface of the substrate,
And,
Wherein the developer supply means includes a plurality of developer supply nozzles facing the surface of the substrate,
Wherein each of the plurality of developer supply nozzles is connected to a developer supply source through a developer flow path and divides the developer flow path communicating with each of the plurality of developer supply nozzles into a central portion and an outer peripheral portion,
Wherein the gas supply means comprises a plurality of gas supply nozzles facing the surface of the substrate,
Characterized in that the plurality of developer supply nozzles and the plurality of gas supply nozzles are provided in a dot shape alternately scattered in a nozzle head which is relatively moved apart and moved relative to the surface of the substrate held in a horizontal state Device. 삭제delete 삭제delete 제12항에 있어서, 상기 기판 유지 수단을 연직축 둘레로 회전시키는 회전 구동 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 현상 처리 장치. The organic developing apparatus according to claim 12, further comprising a rotation driving mechanism for rotating the substrate holding means about a vertical axis. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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