KR102104737B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 기판의 둘레 가장자리부의 처리 폭을 좁게 함과 함께, 처리 폭의 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
그 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 하방으로부터 대략 수평으로 유지하고, 소정의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 형성된 유지 부재와, 유지 부재를, 회전축을 중심으로 회전시킬 수 있는 회전 기구와, 유지 부재에 유지되어 있는 기판의 단면과 간극을 두고 기판의 직경 방향을 따라 기판의 외측에 배치되는 별도 부재와, 적어도 일부가 별도 부재의 상면에 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록 토출 목표 영역의 상방으로부터 처리액을 토출하는 노즐을 구비한다. 별도 부재와 기판의 단면의 간극은, 토출 목표 영역에 닿은 처리액이, 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다.An object of the present invention is to improve the uniformity of the processing width while narrowing the processing width of the peripheral portion of the substrate.
In order to achieve the object, the substrate processing apparatus of the present invention is capable of holding the substrate approximately horizontally from below and rotating the holding member and the holding member formed to be rotatable around a predetermined rotation axis. A rotating mechanism, a separate member disposed on the outside of the substrate along the radial direction of the substrate with a cross section and a gap of the substrate held by the holding member, and at least a portion of the substrate to reach the discharge target area included in the upper surface of the separate member A nozzle is provided for discharging the processing liquid from above the discharge target area. The gap between the separate member and the cross-section of the substrate is set such that the processing liquid contacting the discharge target area flows through the upper surface of the separate member and is discharged from the inner end of the upper surface on the rotation axis side, and touches the upper edge of the upper surface of the substrate from the upper edge. have.
Description
이 발명은, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 유리 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 태양 전지용 기판 등 (이하, 간단히「기판」이라고 한다) 에, 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.This invention includes semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal displays, glass substrates for plasma displays, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, glass substrates for photomasks, substrates for solar cells, etc. It is related with the substrate processing apparatus which performs a process to a "substrate").
이와 같은 기판 처리 장치로서, 특허문헌 1 에는, 기판을 수평으로 유지하는 유지 부재와, 기판의 둘레 가장자리부를 따라 기판의 단면 (端面) 과 간격을 두고 기판의 전체 둘레를 둘러싸는 링을 함께 회전시키면서, 기판의 상면 중앙부에 닿도록 처리액을 토출하는 장치가 개시되어 있다. 당해 링 표면은 친수성이다. 기판 표면이 소수성인 경우에 있어서, 당해 링이 형성되어 있지 않은 경우에는, 기판의 상면 중앙부에 공급된 처리액이 원심력에 의해 기판의 중앙부로부터 둘레 가장자리부로 확산될 때에 방사상으로 불균일하게 확산된다. 이 때문에, 기판의 상면 전체에 균일하게 처리액을 공급할 수 없다.As such a substrate processing apparatus, in
그래서, 특허문헌 1 의 장치는, 친수성의 링을 이용하여, 기판의 중앙부로부터 둘레 가장자리부에 도달한 처리액을, 기판의 둘레 가장자리부 근방에 있어서 막상으로 확산시킴으로써, 상면 전체에 균일하게 처리액을 공급하는 것을 도모하고 있다.Therefore, the apparatus of
특허문헌 2 에는, 하방으로부터 기판을 수평으로 유지하면서 회전하는 유지 부재와, 기판의 둘레 가장자리부를 따라 기판의 단면과 간격을 두고 기판의 전체 둘레를 둘러싸는 링과, 회전되고 있는 기판의 상면 중앙부에 닿도록 처리액을 토출하는 노즐을 구비하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 당해 링은, 발수성이 기판보다 높고, 회전하지 않고 유지되어 있다. 기판의 표면이 소수성인 경우에는, 상기 서술한 바와 같이, 상면 중앙부에 공급된 처리액은, 기판의 둘레 가장자리부 근방에 있어서 방사상으로 불균일하게 확산된다. 그러나, 특허문헌 2 의 장치에서는, 처리액이 기판의 둘레 가장자리부로부터 외부로 배출될 때에, 기판을 둘러싸는 링이 처리액의 흐름을 방해함으로써 처리액의 배출을 방해한다. 이로써, 당해 장치는, 배출되는 처리액의 일부를 기판 상에 모아, 기판 상에 처리액의 액막을 형성하고, 기판의 상면 전역에 확실하게 처리액을 공급하는 것을 도모하고 있다.
기판의 중앙부에 디바이스 패턴이 형성되는 디바이스 영역이 형성되고, 디바이스 영역 이외의 둘레 가장자리부에 에칭 등의 처리가 실시되는 경우가 있다. 특허문헌 3 에는, 이와 같은 기판의 둘레 가장자리부의 처리를 실시하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 당해 장치는, 기판의 상방에 기판 표면과 대향하는 차단 부재를 갖고, 기판을 대략 수평면 내에서 회전시키면서 차단 부재의 둘레 가장자리부에 배치된 노즐로부터, 기판 상면의 둘레 가장자리부를 향하여 처리액을 공급하여 기판 상면 중 둘레 가장자리부의 에칭 처리를 실시한다.A device region in which a device pattern is formed in a central portion of the substrate is formed, and processing such as etching may be performed on peripheral edges other than the device region.
기판의 처리면 중 둘레 가장자리부에 있어서의 둘레 가장자리측의 세폭 영역만을 처리하기 위해서는, 기판의 처리면 중 당해 둘레 가장자리측의 세폭 영역에만 처리액을 공급할 필요가 있다. 그러나, 특허문헌 1, 2 의 기판 처리 장치는, 기판의 상면 전체에 처리액을 공급하기 때문에, 기판의 처리면 중 당해 세폭 영역에만 처리액을 공급할 수 없다는 등의 문제가 있다.In order to process only the narrow area on the circumferential edge side of the circumferential edge portion of the processing surface of the substrate, it is necessary to supply the processing liquid only to the narrow area on the circumferential edge side of the processing surface of the substrate. However, since the substrate processing apparatuses of
또, 특허문헌 3 의 장치에서는, 처리액이 기판의 둘레 가장자리부 중 평탄 부분을 향하여 토출되기 때문에, 처리액이 기판의 둘레 가장자리부에 있어서 확산되어, 기판의 처리면 중 둘레 가장자리부의 세폭 영역만을 처리할 수 없는 등의 문제가 있다. 특허문헌 3 의 장치에 의해 당해 세폭 영역을 처리하기 위하여, 처리액의 토출 목표 영역을, 기판의 단면 끝으로 설정하면, 기판의 평탄부와 단부의 경계 부분에 처리액이 닿음으로써 처리액의 흐름이 흐트러진다. 즉, 기판에 닿은 처리액이 기판의 중심측으로 확산되거나 단면측으로 흐르거나 한다. 그 때문에, 처리액에 의해 처리되는 처리 폭은, 기판의 둘레 방향을 따라, 불균일해지고, 기판의 회전 중심측으로 확산된 처리액의 선단을 연결하는 선이, 기판의 둘레 방향을 따라 파형이 된다. 이 때문에, 기판의 둘레 가장자리부의 처리 폭이 불균일해진다는 문제가 있다.Further, in the apparatus of
본 발명은, 이러한 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 기판의 둘레 가장자리부를 처리하는 기판 처리 기술에 있어서, 기판의 둘레 가장자리부의 처리 폭을 좁게 할 수 있음과 함께, 처리 폭의 균일성을 향상할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve such a problem, and in the substrate processing technology for processing the peripheral edge of the substrate, it is possible to narrow the processing width of the peripheral edge of the substrate and improve the uniformity of the processing width. It aims to provide the technology.
상기의 과제를 해결하기 위해서, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 기판을 하방으로부터 대략 수평으로 유지하고, 소정의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 형성된 유지 부재와, 상기 유지 부재를, 상기 회전축을 중심으로 회전시킬 수 있는 회전 기구와, 상기 유지 부재에 유지되어 있는 상기 기판의 단면과 간극을 두고 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 기판의 외측에 배치되는 별도 부재와, 적어도 일부가 상기 별도 부재의 상면에 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록 상기 토출 목표 영역의 상방으로부터 처리액을 토출하는 노즐을 구비하고, 상기 별도 부재와 상기 기판의 단면의 상기 간극은, 상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다.In order to solve the above-mentioned problems, the substrate processing apparatus according to the first aspect maintains the substrate approximately horizontally from below, and a holding member formed to be rotatable around a predetermined rotation axis, and the holding member to rotate the rotation axis. A rotating mechanism capable of rotating centrally, a separate member disposed outside the substrate along the radial direction of the substrate with a cross section and a gap of the substrate held by the holding member, and at least a portion of the separate member A nozzle for discharging the treatment liquid from above the discharge target region so as to contact the discharge target region included in the upper surface, and the gap between the section of the separate member and the substrate, the treatment liquid contacting the discharge target region , Flows through the upper surface of the separate member and is discharged from the inner end of the rotating shaft side of the upper surface, and the upper surface of the substrate Les are set to rest against the upper side to the edge portion.
제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 토출 목표 영역의 전부가, 상기 별도 부재의 상면에 포함되어 있다.The substrate processing apparatus according to the second aspect is the substrate processing apparatus according to the first aspect, and the entire discharge target region is included in the upper surface of the separate member.
제 3 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 노즐과 상기 별도 부재를 일체적으로 유지하는 노즐 유지 부재를 추가로 구비한다.The substrate processing apparatus according to the third aspect is a substrate processing apparatus according to the first or second aspect, and further includes a nozzle holding member that integrally holds the nozzle and the separate member.
제 4 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재는, 상기 회전축을 중심으로 하는 상기 기판의 둘레 방향을 따라 상기 기판의 둘레 가장자리를 둘러싸는 환상 부재이고, 상기 기판 처리 장치는, 상기 별도 부재를 상기 기판과 동일한 회전 속도로 회전시키는 상기 환상 부재용 회전 기구를 추가로 구비한다.The substrate processing apparatus according to the fourth aspect is a substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the separate member surrounds the peripheral edge of the substrate along the circumferential direction of the substrate about the rotation axis. A member, and the substrate processing apparatus further includes a rotating mechanism for the annular member that rotates the separate member at the same rotational speed as the substrate.
제 5 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 4 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 환상 부재는, 복수의 원호상 부재를 포함하고 있고, 상기 복수의 원호상 부재는, 상기 기판의 둘레 방향을 따라 이웃하는 2 개의 원호상 부재를 포함하고, 상기 2 개의 원호상 부재의 각각의 상기 기판의 둘레 방향에 있어서의 일단끼리가 서로 대향하고 있고, 상기 2 개의 원호상 부재는, 각각의 타단을 중심으로 수평면 내에서 각각 회동 (回動) 가능하게 형성되어 있고, 상기 기판 처리 장치는, 상기 2 개의 원호상 부재의 각각의 타단을 회전 중심으로 하여 각각의 일단이 서로 상기 기판의 직경보다 떨어지도록 상기 2 개의 원호상 부재를 각각 회동시킬 수 있는 회동 기구를 추가로 구비한다.The substrate processing apparatus according to the fifth aspect is the substrate processing apparatus according to the fourth aspect, wherein the annular member includes a plurality of arc-shaped members, and the plurality of arc-shaped members are along the circumferential direction of the substrate. Two adjacent arc-shaped members are included, and one end in the circumferential direction of each of the two arc-shaped members faces each other, and the two arc-shaped members are centered at the other end of each. Each of the two substrates is formed to be rotatable within a horizontal plane, and the substrate processing apparatus is configured such that the two ends of each of the two arcuate members are centered around the rotation so that one end of each of the two ends is less than the diameter of the substrate. A rotating mechanism capable of rotating each of the circular arc members is further provided.
제 6 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재를 상기 기판의 직경 방향으로 이동 가능한 직경 방향 구동부와, 상기 직경 방향 구동부와 상기 노즐을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿을 때의 상기 별도 부재의 위치에 의해 상기 별도 부재의 처리 위치를 정의했을 때, 상기 제어부는, 상기 직경 방향 구동부에 상기 별도 부재를 상기 처리 위치보다 상기 기판의 직경 방향의 외측의 외측 위치에 배치시키고 있는 동안에, 상기 노즐에 상기 토출 목표 영역을 향하여 상기 처리액의 토출을 개시시킴과 함께, 상기 노즐에 상기 처리액의 토출을 시키면서, 상기 직경 방향 구동부에 상기 별도 부재를 상기 외측 위치로부터 상기 처리 위치로 이동시킨다.The substrate processing apparatus according to the sixth aspect is a substrate processing apparatus according to the first or second aspect, which controls the radial drive portion, the radial drive portion, and the nozzle capable of moving the separate member in the radial direction of the substrate. When the processing liquid contacting the discharge target region is provided with a control unit and flows through the upper surface of the separate member and is discharged from the inner end of the rotating shaft side of the upper surface, and reaches the edge of the upper surface of the substrate from above. When the processing position of the separate member is defined by the position of the separate member, while the control unit is disposing the separate member in the radial drive portion outside the processing position in the radial direction of the substrate, In addition to starting the discharge of the processing liquid toward the discharge target area to the nozzle, the nozzle While discharging the processing liquid, the separate member is moved from the outer position to the processing position in the radial drive unit.
제 7 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재의 상면의 상기 회전축측의 내측단이, 상기 기판의 둘레 가장자리보다 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 회전축측에 위치한다.The substrate processing apparatus according to the seventh aspect is a substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the inner end of the upper side of the separate member on the rotation axis side is along the radial direction of the substrate rather than the peripheral edge of the substrate. It is located on the rotating shaft side.
제 8 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 내측면이 그 하단으로부터 상단을 향하여 상기 회전축에 가까워지도록 상기 회전축에 대해 경사져 있다.The substrate processing apparatus according to the eighth aspect is the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the separate member includes an inner surface opposite to the cross section of the substrate, the inner surface being top to bottom It is inclined with respect to the axis of rotation so as to be closer to the axis of rotation.
제 9 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 내측면은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 상기 회전축에 가까워짐과 함께, 상기 회전축에 대해 경사지게 상방으로 돌출하여 만곡되어 있다.The substrate processing apparatus according to the ninth aspect is the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the separate member includes an inner surface facing the cross section of the substrate, and the inner surface is from its lower end. It is curved toward the top and protrudes upwards and inclined with respect to the rotating shaft, as it approaches the rotating shaft.
제 10 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 회전축을 포함하는 평면에 있어서의 상기 내측면의 단면 (斷面) 형상은, 상기 기판의 단면을 따라 만곡되어 있다.The substrate processing apparatus according to the tenth aspect is a substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the separate member includes an inner surface opposite to the cross section of the substrate, and in a plane including the rotation axis. The cross-sectional shape of the inner surface of the is curved along the cross-section of the substrate.
제 11 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서, 당해 기판 처리 장치는, 기판을 하방으로부터 대략 수평으로 유지하고, 소정의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 형성된 유지 부재와, 상기 유지 부재를, 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 기구와, 상기 기판으로부터 떨어져 배치되는 별도 부재와, 처리액을 토출 가능한 노즐을 구비하고, 상기 기판 처리 방법은, 상기 별도 부재를 상기 기판의 단면과 간극을 두고 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 기판의 외측에 배치하는 스텝과, 적어도 일부가 상기 별도 부재의 상면에 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록, 상기 노즐에 상기 토출 목표 영역의 상방으로부터 처리액을 토출시키는 스텝을 구비하고, 상기 별도 부재와 상기 기판의 단면의 상기 간극은, 상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다.The substrate processing method according to the eleventh aspect is a substrate processing method in the substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus is configured to hold the substrate approximately horizontally from below and is formed to be rotatable about a predetermined rotation axis. , A rotating mechanism for rotating the holding member about the rotation axis, a separate member disposed away from the substrate, and a nozzle capable of discharging a processing liquid, wherein the substrate processing method includes the separate member of the substrate. A step of arranging a cross section and a gap on the outside of the substrate along the radial direction of the substrate, and from the upper portion of the discharge target region to the nozzle so that at least a portion of the substrate is in contact with the discharge target region included in the upper surface of the separate member. And a step of discharging the processing liquid, and the gap of the cross section of the separate member and the substrate is an image. Wherein the process liquid comes in contact with the ejection target area, and the flow over the upper surface of another member is discharged from the inner end of the rotary shaft side of that top surface, and is configured to rest against the upper side on the upper surface peripheral edge portion of the substrate.
제 1 및 제 11 중 어느 양태에 관련된 발명에 의해서도, 별도 부재의 상면에 적어도 일부가 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록 노즐로부터 처리액이 토출된다. 별도 부재는, 기판의 단면과 간극을 두고 기판의 직경 방향을 따라 기판의 외측에 배치되어 있고, 당해 간극은, 토출 목표 영역에 닿은 처리액이, 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다. 따라서, 처리액에 의한 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭을 좁게 할 수 있음과 함께, 처리 폭의 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the invention according to any one of the first and eleventh aspects, the processing liquid is discharged from the nozzle so as to reach the discharge target area including at least a part of the upper surface of the separate member. The separate member is disposed on the outside of the substrate along the radial direction of the substrate with a cross-section and a gap of the substrate, and the gap has a processing liquid contacting the discharge target region flowing through the top surface of the separate member and on the rotation axis side of the top surface. It is discharged from the inner end, and is set to contact the upper edge of the upper surface of the substrate from above. Therefore, the processing width of the edge portion of the upper surface of the substrate by the processing liquid can be narrowed, and the uniformity of the processing width can be improved.
제 2 양태에 관련된 발명에 의하면, 토출 목표 영역의 전부가, 별도 부재의 상면에 포함되어 있다. 따라서, 기판의 상면 둘레 가장자리부에 닿는 처리액은, 전부 토출 목표 영역으로부터 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축측의 내측단으로부터 배출되는 처리액이다. 따라서, 처리액이 기판의 상면 둘레 가장자리부에 닿는 위치와, 별도 부재의 내측단의 기판의 직경 방향을 따른 거리를 짧게 할 수 있다. 이로써, 처리액에 의한 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭을 더욱 좁게 할 수 있다.According to the invention related to the second aspect, all of the discharge target region is included in the upper surface of the separate member. Therefore, all the processing liquid contacting the edge portion of the upper surface of the substrate is a processing liquid that flows through the upper surface of the separate member from the discharge target area and is discharged from the inner end of the rotating shaft side of the upper surface. Therefore, it is possible to shorten the position at which the processing liquid contacts the edge of the upper surface of the substrate and the distance along the radial direction of the substrate at the inner end of the separate member. Thereby, the processing width of the edge part of the upper surface of the board | substrate by a processing liquid can be made more narrow.
제 3 양태에 관련된 발명에 의하면, 노즐 유지 부재가 노즐과 별도 부재를 일체적으로 유지하기 때문에, 일정한 토출 목표 영역에 닿도록 처리액이 토출된다. 이로써, 내측단으로부터 배출되는 처리액의 배출 양태를 안정시킬 수 있다. 따라서, 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭을 안정시킬 수 있다.According to the invention related to the third aspect, since the nozzle holding member integrally holds the nozzle and the separate member, the processing liquid is discharged so as to reach a constant discharge target area. Thereby, the discharge mode of the processing liquid discharged from the inner end can be stabilized. Therefore, it is possible to stabilize the processing width of the edge portion of the upper surface of the substrate.
제 4 양태에 관련된 발명에 의하면, 별도 부재는, 회전축을 중심으로 하는 기판의 둘레 방향을 따라 기판의 둘레 가장자리를 둘러싸는 환상 부재이고, 별도 부재는 기판과 동일한 회전 속도로 회전된다. 따라서, 별도 부재를 기판과 함께 회전시키는 경우에 있어서도, 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭의 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the invention related to the fourth aspect, the separate member is an annular member surrounding the circumferential edge of the substrate along the circumferential direction of the substrate centered on the rotation axis, and the separate member is rotated at the same rotational speed as the substrate. Therefore, even when the separate member is rotated together with the substrate, the uniformity of the processing width of the edge portion of the upper surface of the substrate can be improved.
제 5 양태에 관련된 발명에 의하면, 2 개의 원호상 부재는, 일단끼리가 대향하여 기판의 둘레 방향을 따라 이웃하여 형성되어 있고, 각각의 타단을 회전 중심으로 하여 각각의 일단이 서로 기판의 직경보다 떨어지도록 회동될 수 있다. 따라서, 2 개의 원호상 부재의 당해 회동에 의해 기판 처리 장치로의 기판의 반출입이 가능해진다.According to the invention related to the fifth aspect, the two arc-shaped members are formed with one end facing each other and neighboring along the circumferential direction of the substrate, with each one end being the center of rotation, and one end of each other than the diameter of the substrate. It can be turned to fall. Accordingly, the rotation of the two arc-shaped members enables the substrate to be brought in and out of the substrate processing apparatus.
제 6 양태에 관련된 발명에 의하면, 처리 위치보다 기판의 직경 방향의 외측의 외측 위치에 배치되어 있는 별도 부재의 토출 목표 영역을 향하여 노즐이 처리액의 토출을 개시하고, 노즐이 처리액을 토출하고 있는 동안, 별도 부재가 외측 위치로부터 처리 위치로 이동된다. 따라서, 토출 개시시에 있어서의 처리액의 액류의 흐트러짐의 영향에 의해, 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭이 불균일해지는 것을 억제할 수 있다.According to the invention according to the sixth aspect, the nozzle starts discharging the treatment liquid toward the discharge target area of a separate member disposed outside the processing position in the radial direction of the substrate, and the nozzle discharges the treatment liquid. While there, a separate member is moved from the outer position to the processing position. Therefore, it is possible to suppress the unevenness in the processing width of the upper edge of the upper surface of the substrate due to the disturbance of the liquid flow of the processing liquid at the start of discharge.
제 7 양태에 관련된 발명에 의하면, 별도 부재의 상면의 회전축측의 내측단이, 기판의 둘레 가장자리보다 기판의 직경 방향을 따라 회전축측에 위치한다. 따라서, 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭을 넓게 할 수 있다.According to the invention according to the seventh aspect, the inner end of the upper surface of the separate member on the side of the rotating shaft is located on the side of the rotating shaft along the radial direction of the substrate rather than the peripheral edge of the substrate. Therefore, the processing width of the edge of the upper surface of the substrate can be widened.
제 8 양태에 관련된 발명에 의하면, 별도 부재의 내측면은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축에 가까워지도록 회전축에 대해 경사져 있다. 따라서, 별도 부재를 승강할 수 있는 경우, 처리 위치의 상방으로부터의 별도 부재의 강하에 의해 별도 부재를 처리 위치에 배치할 수 있다.According to the invention related to the eighth aspect, the inner surface of the separate member is inclined with respect to the rotating shaft so as to approach the rotating shaft from its lower end toward the upper end. Therefore, when the separate member can be elevated, the separate member can be placed at the processing position by the drop of the separate member from above the processing position.
제 9 양태에 관련된 발명에 의하면, 별도 부재의 내측면은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축에 가까워짐과 함께, 회전축에 대해 경사지게 상방으로 돌출하여 만곡되어 있다. 따라서, 기판의 단면과 별도 부재의 기판의 직경 방향의 간극을, 더욱 균일화할 수 있다. 이로써, 기판의 단면의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.According to the invention related to the ninth aspect, the inner surface of the separate member is curved toward the upper end from the lower end toward the upper end and protruding upwardly and inclined with respect to the rotating shaft. Therefore, the gap in the radial direction of the cross-section of the substrate and the substrate of the separate member can be made more uniform. Thereby, the processing efficiency of the cross section of a board | substrate can be improved.
제 10 의 양태에 관련된 발명에 의하면, 별도 부재는, 기판의 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 회전축을 포함하는 평면에 있어서의 내측면의 단면 형상은, 기판의 단면을 따라 만곡되어 있다. 따라서, 기판의 단면과 별도 부재의 기판의 직경 방향의 간극을, 더욱 균일화할 수 있다. 이로써, 기판의 단면의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.According to the invention related to the tenth aspect, the separate member includes an inner surface opposite to the cross-section of the substrate, and the cross-sectional shape of the inner surface in the plane including the rotation axis is curved along the cross-section of the substrate. Therefore, the gap in the radial direction of the cross-section of the substrate and the substrate of the separate member can be made more uniform. Thereby, the processing efficiency of the cross section of a board | substrate can be improved.
도 1 은 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 측면 모식도이다.
도 2 는 도 1 의 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 상면 모식도이다.
도 3 은 도 1 의 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 개략 사시도이다.
도 4 는 도 2 의 A1-A1 절단선에 있어서의 별도 부재와 기판 둘레 가장자리부의 단면 모식도이다.
도 5 는 도 4 의 별도 부재와 기판의 다른 위치 관계를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 6 은 별도 부재의 다른 실시형태를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 7 은 별도 부재의 다른 실시형태를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 8 은 별도 부재의 다른 실시형태를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 9 는 별도 부재의 다른 실시형태를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 10 은 도 4 의 별도 부재에 있어서의 토출 목표 영역을 나타내는 상면 모식도이다.
도 11 은 별도 부재에 있어서의 토출 목표 영역의 다른 배치예를 나타내는 상면 모식도이다.
도 12 는 도 1 의 별도 부재의 다른 구성예를 설명하기 위한 상면 모식도이다.
도 13 은 도 1 의 기판의 둘레 가장자리부 부근을 나타내는 단면 모식도이다.
도 14 는 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 15 는 도 14 의 플로 차트에 나타나는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 16 은 다른 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 측면 모식도이다.
도 17 은 도 16 의 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 상면 모식도이다.
도 18 은 도 17 의 별도 부재의 기판의 반출입시의 동작을 설명하기 위한 상면 모식도이다.1 is a schematic side view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a schematic top view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a schematic perspective view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is a schematic cross-sectional view of a separate member in the line A1-A1 of FIG. 2 and a peripheral portion of the substrate.
5 is a schematic cross-sectional view for explaining a different positional relationship between the separate member of FIG. 4 and the substrate.
6 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of a separate member.
7 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of a separate member.
8 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of a separate member.
9 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of a separate member.
10 is a schematic top view showing a discharge target region in a separate member in FIG. 4.
11 is a schematic top view showing another arrangement example of a discharge target region in a separate member.
12 is a schematic top view for explaining another configuration example of the separate member of FIG. 1.
13 is a schematic cross-sectional view showing the vicinity of the periphery of the substrate of FIG. 1.
14 is a flow chart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment.
FIG. 15 is a view for explaining the operation shown in the flow chart of FIG. 14.
16 is a schematic side view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment.
17 is a schematic top view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 16.
18 is a schematic top view for explaining the operation at the time of carrying in and out of the substrate of the separate member in FIG. 17.
이하, 도면을 참조하면서, 실시형태에 대해 설명한다. 이하의 실시형태는, 본 발명을 구체화한 일례로서, 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 사례는 아니다. 또, 이하에 참조하는 각 도면에서는, 이해를 용이하게 하기 위하여, 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화하여 도시되어 있는 경우가 있다. 상하 방향은 연직 방향이고, 스핀 척에 대해 기판측이 위이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment is demonstrated, referring drawings. The following embodiment is an example which embodied this invention, and is not the case which limits the technical scope of this invention. In addition, in each drawing referred to below, in order to facilitate understanding, the dimensions and number of parts may be exaggerated or simplified. The vertical direction is the vertical direction, and the substrate side is upward with respect to the spin chuck.
＜실시형태에 대해＞<About embodiment>
＜1. 기판 처리 장치 (1) 의 전체 구성＞<1. Overall structure of the
기판 처리 장치 (1) 의 구성에 대해, 도 1 ∼ 도 3 을 참조하면서 설명한다. 도 1 ∼ 도 3 은, 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 1, 도 2 는, 기판 처리 장치 (1) 의 측면 모식도, 상면 모식도이다. 도 3 은, 기판 처리 장치 (1) 를 경사지게 상방에서 본 개략 사시도이다.The structure of the
도 1 ∼ 도 3 에서는, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 가 각각의 처리 위치에 배치된 상태에서, 기판 (9) 이 스핀 척 (21) 에 의해 회전축 (a1) 둘레로 소정의 회전 방향 (화살표 (AR1) 의 방향) 으로 회전하고 있는 상태가 나타내어져 있다. 또, 도 2 에는, 대피 위치에 배치된 노즐 (51), 별도 부재 (52) 등이 가상선으로 나타내어져 있다. 도 2, 도 3 에서는, 기판 처리 장치 (1) 의 구성 요소 중 비산 방지부 (3) 등의 일부의 구성 요소의 기재는 생략되어 있다.1 to 3, in the state where the
기판 (9) 의 표면 형상은 대략 원형이다. 기판 (9) 의 기판 처리 장치 (1) 로의 반입 반출은, 노즐 (51) 등이 대피 위치에 배치된 상태에서, 로봇 등에 의해 실시된다. 기판 처리 장치 (1) 에 반입된 기판 (9) 은, 스핀 척 (21) 에 의해 자유롭게 착탈할 수 있게 유지된다.The surface shape of the
또한, 이하의 설명에 있어서,「처리액」에는, 약액 처리에 사용되는「약액」과, 약액을 헹구어 흘리는 린스 처리에 사용되는「린스액 (「세정액」으로도 칭해진다)」이 포함된다.In addition, in the following description, "treatment liquid" includes "medical liquid" used for chemical liquid treatment, and "rinsing liquid (also referred to as" cleaning liquid ")" used for rinsing treatment for rinsing and flowing out chemical liquid.
기판 처리 장치 (1) 는, 회전 유지 기구 (2), 비산 방지부 (3), 처리부 (5), 노즐 이동 기구 (6) 및 제어부 (130) 를 구비한다. 이들 각 부 (2 ∼ 3, 5 ∼ 6) 는, 제어부 (130) 와 전기적으로 접속되어 있고, 제어부 (130) 로부터의 지시에 따라 동작한다. 제어부 (130) 로는, 예를 들어, 일반적인 컴퓨터와 동일한 것을 채용할 수 있다. 즉, 제어부 (130) 는, 예를 들어, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 판독 출력 전용 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 읽고 쓸 수 있는 메모리인 RAM, 제어용 소프트웨어나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있다. 제어부 (130) 에 있어서는, 프로그램에 기술된 순서에 따라 주제어부로서의 CPU 가 연산 처리를 실시함으로써, 기판 처리 장치 (1) 의 각 부를 제어한다.The
＜2. 기판 (9) ＞ <2. Substrate (9) ＞
다음으로, 기판 처리 장치 (1) 에서 처리 대상이 되는 기판 (9) 에 대해, 도 13 을 참조하면서 설명한다. 도 13 은, 중심축을 포함하는 평면에 있어서의 기판 (9) 의 둘레 가장자리부 부근을 나타내는 단면도이다. 도 13 의 단면도는, 기판 (9) 의 주면의 중심 (c1) 을 통과하는 기판 (9) (스핀 척 (21)) 의 회전축 (a1) 을 포함하는 평면에 있어서의 단면도 (「종단면도」로도 칭해진다) 이다.Next, the
기판 처리 장치 (1) 에서 처리 대상이 되는 기판 (9) 은, 예를 들어, 실리콘 (Si) 에 의해 구성되는 중심층 (901), 중심층 (901) 의 외측에 성막된 하층막 (902) 및, 하층막 (902) 의 외측에 성막된 상층막 (903) 의 3 층 구조를 구비한다. 기판 (9) 의 표면 형상은 대략 원형이다. 기판 (9) 의 반경은, 예를 들어, 150 ㎜ 이다. 하층막 (902) 은, 예를 들어, 열산화막 (Th-SiO2), 혹은 절연막 (예를 들어, Hf (하프늄) 막, 또는, 산화 Hf 막 등) 이다. 또, 상층막 (903) 은, 예를 들어, 배리어 메탈막 (예를 들어, TiN 막, TaN 막 등), 혹은, 메탈막 (예를 들어, Al 막, W 막, NiSi 막, Cu 막 등) 이다. 그렇지만, 기판 처리 장치 (1) 에서 처리 대상이 되는 기판 (9) 은, 예를 들어, 중심층 (901) 과 하층막 (902) 의 2 층 구조를 구비하는 것이어도 되고, 4 층 이상의 구조를 구비하는 것이어도 된다.The
이하에 있어서, 기판 (9) 의 2 개의 주면 중 디바이스 패턴이 형성되는 쪽의 면을「상면 (91)」이라고 한다. 또, 상면 (91) 의 반대측의 면을「하면 (92)」이라고 한다. 또한, 상면 (91) 에 있어서의, 디바이스 패턴이 형성되는 영역을「디바이스 영역 (90)」이라고 한다. 또, 상면 (91) 에 있어서의, 디바이스 영역 (90) 보다 외측의 둘레 가장자리 영역을「상면 둘레 가장자리부 (911)」라고 한다. 상면 둘레 가장자리부 (911) 는, 구체적으로는, 예를 들어, 기판 (9) 의 끝 (「둘레 가장자리」) (94) 으로부터 미소 폭 (D1) (예를 들어, D1 ＝ 0.3 ㎜ ∼ 1.0 ㎜) 의 환상의 영역이다. 기판 (9) 의 끝단 (94) 은, 기판 (9) 의 표면 중 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 가장 외측의 부분이다. 기판 (9) 의 상면에서 보았을 때에 있어서의 끝단 (94) 의 형상은 원형이다. 또, 하면 (92) 에 있어서의, 끝단 (94) 으로부터 미소 폭 (D1) 의 환상의 영역을「하면 둘레 가장자리부 (921)」라고 한다. 상면 둘레 가장자리부 (911) 와 하면 둘레 가장자리부 (921) 를 합친 영역은, 간단히「둘레 가장자리부」로도 칭해진다.Hereinafter, the surface of the two main surfaces of the
기판 (9) 의 단면 (93) 은, 기판 (9) 의 표면 중 상면 (91) 및 하면 (92) 의 각각의 평탄부를 제외한 환상의 부분이다. 단면 (93) 은, 구체적으로는, 예를 들어, 끝단 (94) 으로부터 미소 폭 (D2) (예를 들어, D2 ＝ 0.3 ㎜ 정도) 의 환상의 영역이다. 기판 (9) 의 종단면에 있어서, 단면 (93) 은, 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 외측으로 돌출하여 만곡되어 있다. 단면 (93) 중 끝단 (94) 보다 상측의 환상의 부분은 상측 단면 (93a) 이고, 끝단 (94) 보다 하측의 환상의 부분은 하측 단면 (93b) 이다. 상측 단면 (93a) 은, 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 포함되고, 하측 단면 (93b) 은, 하면 둘레 가장자리부 (921) 에 포함되어 있다.The
기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (9) 을 처리 대상으로 하여, 그 상면 둘레 가장자리부 (911) 및 하측 단면 (93b) 에 대한 처리 (예를 들어, 상면 둘레 가장자리부 (911) 및 하측 단면 (93b) 에 형성되어 있는 박막을 제거하는 처리) 를 실시할 수 있다.The
＜3. 기판 처리 장치 (1) 의 각 부의 구성＞ <3. Structure of each part of the
＜회전 유지 기구 (2) ＞<Rotation holding mechanism (2)>
회전 유지 기구 (2) 는, 기판 (9) 을, 그 일방의 주면을 상방을 향하게 한 상태에서, 대략 수평 자세로 유지하면서 회전 가능한 기구이다. 회전 유지 기구 (2) 는, 기판 (9) 을, 주면의 중심 (c1) 을 통과하는 연직인 회전축 (a1) 을 중심으로 회전시킨다.The
회전 유지 기구 (2) 는, 기판 (9) 보다 작은 원판상의 부재인 스핀 척 (「유지 부재」,「기판 유지부」) (21) 을 구비한다. 스핀 척 (21) 은, 그 상면이 대략 수평이 되고, 그 중심축이 회전축 (a1) 에 일치하도록 형성되어 있다. 스핀 척 (21) 의 하면에는, 원통상의 회전축부 (22) 가 연결되어 있다. 회전축부 (22) 는, 그 축선을 연직 방향을 따르게 하는 자세로 배치된다. 회전축부 (22) 의 축선은, 회전축 (a1) 과 일치한다. 또, 회전축부 (22) 에는, 회전 구동부 (예를 들어, 서보 모터) (23) 가 접속된다. 회전 구동부 (23) 는, 회전축부 (22) 를 그 축선 둘레로 회전 구동시킨다. 따라서, 스핀 척 (21) 은, 회전축부 (22) 와 함께 회전축 (a1) 을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동부 (23) 와 회전축부 (22) 는, 스핀 척 (21) 을, 회전축 (a1) 을 중심으로 회전시키는 회전 기구 (231) 이다. 회전축부 (22) 및 회전 구동부 (23) 는, 통상 (筒狀) 의 케이싱 (24) 내에 수용되어 있다.The
스핀 척 (21) 의 중앙부에는, 도시를 생략한 관통공이 형성되어 있고, 회전축부 (22) 의 내부 공간과 연통되어 있다. 내부 공간에는, 도시를 생략한 배관, 개폐 밸브를 통하여 도시를 생략한 펌프가 접속되어 있다. 당해 펌프, 개폐 밸브는, 제어부 (130) 에 전기적으로 접속되어 있다. 제어부 (130) 는, 당해 펌프, 개폐 밸브의 동작을 제어한다. 당해 펌프는, 제어부 (130) 의 제어에 따라, 부압과 정압을 선택적으로 공급 가능하다. 기판 (9) 이 스핀 척 (21) 의 상면에 대략 수평 자세로 놓여진 상태에서 펌프가 부압을 공급하면, 스핀 척 (21) 은, 기판 (9) 을 하방으로부터 흡착 유지한다. 펌프가 정압을 공급하면, 기판 (9) 은, 스핀 척 (21) 의 상면으로부터 떼어낼 수 있게 된다.A through hole (not shown) is formed in the central portion of the
이 구성에 있어서, 스핀 척 (21) 이 기판 (9) 을 흡착 유지한 상태에서, 회전 구동부 (23) 가 회전축부 (22) 를 회전시키면, 스핀 척 (21) 이 연직 방향을 따른 축선 둘레에서 회전된다. 이로써, 스핀 척 (21) 상에 유지된 기판 (9) 이, 그 면내의 중심 (c1) 을 통과하는 연직인 회전축 (a1) 을 중심으로 화살표 (AR1) 방향으로 회전된다.In this configuration, when the
＜비산 방지부 (3) ＞ <Shatter prevention part (3)>
비산 방지부 (3) 는, 스핀 척 (21) 과 함께 회전되는 기판 (9) 으로부터 비산하는 처리액 등을 받아낸다.The
비산 방지부 (3) 는, 스플래시 가드 (31) 를 구비한다. 스플래시 가드 (31) 는, 상단이 개방된 통형상의 부재로서, 회전 유지 기구 (2) 를 둘러싸도록 형성된다. 또한, 스플래시 가드 (31) 의 외측에, 회전 유지 기구 (2) 를 둘러싸도록 가드가 추가로 형성되어도 된다.The
스플래시 가드 (31) 는, 원환상의 바닥부와, 바닥부의 내측 가장자리부로부터 상방으로 연장되는 원통상의 내측 벽부와, 바닥부의 외측 가장자리부로부터 상방으로 연장되는 원통상의 외측 벽부를 구비한다. 내측 벽부의 적어도 선단 부근은, 회전 유지 기구 (2) 의 케이싱 (24) 에 형성된 플랜지상 부재 (241) 의 내측 공간에 수용된다. 외측 벽부의 상부 (「상단측 부분」, 「상단 부분」) 는 내측 상방을 향하여 연장되어 있다. 즉, 당해 상부는, 회전축 (a1) 을 향하여 경사지게 상방으로 연장되어 있다.The
스플래시 가드 (31) 의 바닥부에는, 내측 벽부와 외측 벽부 사이의 공간과 연통되는 배액홈 (도시 생략) 이 형성된다. 이 배액홈은, 공장의 배액 라인과 접속된다. 또, 이 배액홈에는, 홈 내를 강제적으로 배기하여, 내측 벽부와 외측 벽부 사이의 공간을 부압 상태로 하는 배기액 기구가 접속되어 있다. 내측 벽부와 외측 벽부 사이의 공간은, 기판 (9) 의 처리에 사용된 처리액을 모아 배액하기 위한 공간이고, 이 공간에 모아진 처리액은, 배액홈으로부터 배액된다.On the bottom portion of the
스플래시 가드 (31) 에는, 이것을 승강 이동시키는 가드 구동 기구 (32) 가 배치 형성되어 있다. 가드 구동 기구 (32) 는, 예를 들어, 스테핑 모터에 의해 구성된다. 스플래시 가드 (31) 는, 가드 구동 기구 (32) 의 구동을 받아, 각각의 상방 위치와 하방 위치 사이에서 이동된다. 스플래시 가드 (31) 의 상방 위치는, 스플래시 가드 (31) 의 상단 가장자리부가, 스핀 척 (21) 상에 유지된 기판 (9) 의 측방, 또한 상방에 배치되는 위치이다. 한편, 스플래시 가드 (31) 의 하방 위치는, 스플래시 가드 (31) 의 상단 가장자리부가, 스핀 척 (21) 의 상면보다 하방에 배치되는 위치이다. 기판 처리 장치 (1) 에 기판 (9) 이 반출입될 때에는, 스플래시 가드 (31) 는 하방 위치에 배치된다. 가드 구동 기구 (32) 는, 제어부 (130) 와 전기적으로 접속되어 있고, 제어부 (130) 의 제어하에서 동작한다. 요컨대, 스플래시 가드 (31) 의 위치는, 제어부 (130) 에 의해 제어된다.The
또한, 기판 처리 장치 (1) 가 비산 방지부 (3) 를 구비하고 있지 않다고 하더라도 본 발명의 유용성을 저해하는 것이 아니다.Moreover, even if the
＜처리부 (5) ＞ <Processing unit (5)>
처리부 (5) 는, 스핀 척 (21) 상에 유지된 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 및 하측 단면 (93b) 에 대한 처리를 실시한다. 구체적으로는, 처리부 (5) 는, 스핀 척 (21) 상에 유지된 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 처리액을 공급한다. 처리부 (5) 는, 노즐 유지 부재 (50), 노즐 (51), 별도 부재 (52), 및 처리액 공급부 (83) 를 구비하고 있다.The
노즐 유지 부재 (50) 는, 노즐 (51) 과 별도 부재 (52) 를 일체적으로 유지하는 부재이다. 노즐 유지 부재 (50) 는, 후술하는 노즐 이동 기구 (6) 가 구비하는 장척의 아암 (63) 의 선단에 장착되어 있다. 아암 (63) 은, 수평면을 따라 연장된다.The
노즐 유지 부재 (50) 는, 예를 들어, 연직면을 따라 연장되는 판상 부재와, 당해 판상 부재의 상단으로부터 돌출되는 돌출 부재가 접합되어 형성되어 있다. 당해 판상 부재의 상단은, 아암 (63) 의 선단에 장착되어 있다. 당해 돌출 부재는, 당해 판상 부재에 대해 아암 (63) 과 반대측에, 아암 (63) 의 연장 방향을 따라 돌출되어 있다. 노즐 (51) 은, 당해 돌출 부재의 선단에 장착되어 있다. 노즐 유지 부재 (50) 의 판상 부재의 하단에는, 별도 부재 (52) 가 장착되어 있다.The
노즐 (51) 은, 스핀 척 (21) 상에 유지되어 회전하고 있는 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 일부에 닿도록 처리액의 액류 (L1) 를 토출한다. 액류 (L1) 는, 노즐 (51) 의 토출구로부터 액기둥상의 형상으로 토출된다. 노즐 (51) 의 선단부 (하단부) 는, 하방으로 돌출되어 있고 선단에 토출구를 구비한다. 당해 토출구는, 별도 부재 (52) 의 상면에 대향하고 있다. 노즐 (51) 에는, 이것에 처리액을 공급하는 배관계인 처리액 공급부 (83) 가 접속되어 있다. 구체적으로는, 노즐 (51) 의 상단에는, 처리액 공급부 (83) 의 배관 (832) 의 일단이 접속되어 있다. 노즐 (51) 은, 처리액 공급부 (83) 로부터 처리액이 공급되고, 공급된 처리액의 액류 (L1) 를 선단의 토출구로부터 액기둥상의 형상으로 토출한다. 노즐 (51) 은, 적어도 일부가 별도 부재 (52) 의 상면에 포함되는 토출 목표 영역 (521) 에 닿도록 토출 목표 영역 (521) 의 상방으로부터 처리액을 토출한다.The
처리액 공급부 (83) 는, 노즐 (51) 에 처리액을 공급한다. 처리액 공급부 (83) 는, 구체적으로는, 처리액 공급원 (831), 배관 (832), 및 개폐 밸브 (833) 를 조합하여 구성되어 있다. 처리액에는, 약액과 린스액이 포함된다. 약액으로서 예를 들어, SC-1, DHF, SC-2 등이 사용된다. 린스액으로서 예를 들어, 순수, 온수, 오존수, 자기수, 환원수 (수소수), 각종의 유기 용제 (이온수, IPA (이소프로필알코올), 기능수 (CO2 수 등) 등이 사용된다.The processing
처리액 공급부 (83) 로부터 처리액이 노즐 (51) 에 공급되면, 노즐 (51) 은 당해 처리액의 액류 (L1) 를 토출한다. 단, 처리액 공급부 (83) 가 구비하는 개폐 밸브 (833) 는, 제어부 (130) 와 전기적으로 접속되어 있는 도시를 생략한 밸브 개폐 기구에 의해, 제어부 (130) 의 제어하에서 개폐된다. 요컨대, 노즐 (51) 로부터의 처리액의 토출 양태 (구체적으로는, 토출되는 처리액의 토출 개시 타이밍, 토출 종료 타이밍, 토출 유량 등) 는 제어부 (130) 에 의해 제어된다. 즉, 처리부 (5) 의 노즐 (51) 은, 제어부 (130) 의 제어에 의해, 회전축 (a1) 을 중심으로 회전하고 있는 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 닿도록 처리액의 액류 (L1) 를 토출한다.When the processing liquid is supplied from the processing
별도 부재 (52) 는, 스핀 척 (21) 에 유지되어 있는 기판 (9) 의 단면 (93) 과 간극을 두고 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 외측에 배치되는 부재이다. 보다 상세하게는, 별도 부재 (52) 의 무게 중심이 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 외측에 배치된다. 별도 부재 (52) 의 상면에는, 토출 목표 영역 (521) 의 적어도 일부가 포함된다. 별도 부재 (52) 의 구성 및 다른 구성예에 대해서는 후술한다.The
＜노즐 이동 기구 (6) ＞ <Nozzle moving mechanism (6)>
노즐 이동 기구 (6) 는, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 를 각각의 처리 위치와 퇴피 위치 사이에서 이동시키는 기구이다. 노즐 이동 기구 (6) 는, 수평으로 연장되는 아암 (63), 노즐 기대 (66), 승강 구동부 (68), 회전 구동부 (69) 를 구비한다. 노즐 유지 부재 (50) 는, 아암 (63) 의 선단 부분에 장착되어 있다.The
아암 (63) 의 기단부는, 노즐 기대 (66) 의 상단 부분에 연결되어 있다. 노즐 기대 (66) 는, 그 축선을 연직 방향을 따르게 하는 자세로 케이싱 (24) 의 외측에 배치되어 있다. 노즐 기대 (66) 는, 그 축선을 따라 연직 방향으로 연장되고, 축선 둘레로 회전 가능한 회전축을 구비하고 있다. 노즐 기대 (66) 의 축선과 회전축의 축선은 일치한다. 회전축의 상단에는, 노즐 기대 (66) 의 상단 부분이 장착되어 있다. 회전축이 회전함으로써, 노즐 기대 (66) 의 상단 부분은 회전축의 축선, 즉 노즐 기대 (66) 의 축선을 중심으로 회전한다. 노즐 기대 (66) 에는, 그 회전축을 당해 축선을 중심으로 회전시키는 회전 구동부 (69) 가 형성되어 있다. 회전 구동부 (69) 는, 예를 들어, 서보 모터 등을 구비하여 구성된다.The base end portion of the
또, 노즐 기대 (66) 에는, 승강 구동부 (68) 가 형성되어 있다. 승강 구동부 (68) 는, 예를 들어, 서보 모터 등을 구비하여 구성된다. 승강 구동부 (68) 는, 그 출력축에 연결된 볼 나사를 갖는 볼 나사 기구 등을 통하여, 노즐 기대 (66) 의 회전축을 그 축선을 따라 승강시킨다.In addition, the
회전 구동부 (69) 는, 노즐 기대 (66) 의 회전축을 통하여 노즐 기대 (66) 의 상단 부분을 회전시킨다. 당해 상단 부분의 회전에 수반하여, 노즐 유지 부재 (50) 도 노즐 기대 (66) 의 축선 둘레로 회전한다. 이로써, 회전 구동부 (69) 는, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 를 수평 이동시킨다. 즉, 회전 구동부 (69) 는, 별도 부재 (52) 를 기판 (9) 의 직경 방향으로 이동 가능한「직경 방향 구동부」이다.The
승강 구동부 (68) 는, 노즐 기대 (66) 의 회전축을 그 축선을 따라 승강시킴으로써, 노즐 유지 부재 (50), 즉 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 를 승강시킨다. 승강 구동부 (68) 와 회전 구동부 (69) 는 협동하여, 스핀 척 (21) 에 유지된 기판 (9) 의 근방의 처리 위치와, 처리 위치로부터 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 외측, 또한 상방의 대피 위치 사이에서, 노즐 유지 부재 (50) 를 이동시킨다. 노즐 유지 부재 (50) 가 처리 위치에 배치되면, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 가 각각의 처리 위치에 배치된다.The elevating
노즐 유지 부재 (50), 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 의 각각의 대피 위치는, 이들이 기판 (9) 의 반송 경로와 간섭하지 않고, 또한 이들이 서로 간섭하지 않는 각 위치이다. 각 퇴피 위치는, 예를 들어, 스플래시 가드 (31) 의 외측, 또한 상방의 위치이다.The evacuation positions of the
구동부 (68, 69) 는, 제어부 (130) 와 전기적으로 접속되어 있고, 제어부 (130) 의 제어 하에서 동작한다. 요컨대, 노즐 유지 부재 (50) 의 위치는, 제어부 (130) 에 의해 제어된다. 즉, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 의 위치는, 제어부 (130) 에 의해 제어된다.The driving
＜4. 별도 부재 (52) 의 구성과, 별도 부재의 다른 구성예＞ <4. Configuration of
도 4 는, A1-A1 절단선 (도 2) 에 있어서의 별도 부재 (52) 와 기판 (9) 의 둘레 가장자리부의 단면 모식도이다. 도 5 는, 도 4 의 위치 관계와는 상이한 위치 관계로 배치된 별도 부재 (52) 와 기판 (9) 을 설명하기 위한 단면 모식도이다. 도 6 ∼ 도 9 는, 다른 실시형태에 관련된 별도 부재 (52A ∼ 52D) 를 설명하기 위한 단면 모식도이다. 도 4 ∼ 도 9 는, 종단면도에 의해 나타내어져 있다. 도 10 은, 별도 부재 (52) 에 있어서의 토출 목표 영역 (521) 의 예를 나타내는 상면 모식도이다. 도 11 은, 별도 부재 (52) 에 있어서의 토출 목표 영역 (521) 의 다른 배치예를 나타내는 상면 모식도이다. 도 12 는, 별도 부재 (52) 의 다른 구성예로서 별도 부재 (52E) 를 설명하기 위한 상면 모식도이다.4 is a schematic cross-sectional view of a
도 4 에 나타내는 바와 같이, 별도 부재 (52) 는, 축선이 기판 (9) 의 대략 둘레 방향을 따라 연장되는 삼각기둥상의 부재이다. 별도 부재 (52) 의 종단면은, 대략 삼각형이다. 별도 부재 (52) 는, 상면 (53), 외측면 (54), 내측면 (「대향면」) (55), 측면 (57), 측면 (58) 을 구비한다.As shown in FIG. 4, the
상면 (53) 은, 대략 수평인 사각형의 면이다. 외측면 (54) 은, 별도 부재 (52) 중 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 가장 외측의 면이고, 기판 (9) 의 직경 방향에 대해 대략 수직으로 형성되어 있다. 내측면 (55) 은, 기판 (9) 의 단면 (93) 에 대향하고 있고, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축 (a1) 에 가까워지도록 회전축 (a1) 에 대해 경사져 있다. 측면 (57, 58) 은, 상면 (53) 및 외측면 (54) 의 각각과 수직인 대략 삼각형상의 면이다. 측면 (57, 58) 은, 서로 평행해도 되고, 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 각각 연장되어 있어도 된다. 상면 (53) 의 회전축 (a1) 측의 내측단은, 기판 (9) 의 끝단 (94), 즉 둘레 가장자리보다 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 회전축 (a1) 측에 위치한다. 당해 내측단은, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 상방에 위치하고 있다.The
기판 (9) 의 직경 방향에 있어서의 별도 부재 (52) 의 길이 (D5) (도 10) 는, 예를 들어, 약 10 ㎜ 이다. 기판 (9) 의 끝단 (94) 의 접선 방향에 있어서의 별도 부재 (52) 의 길이 (D6) (도 10) 는, 예를 들어, 약 20 ㎜ 이다. 회전축 (a1) 을 따른 별도 부재 (52) 의 높이 (D7) (도 4) 는, 예를 들어, 약 5 ㎜ 이다.The length D5 (FIG. 10) of the
또한, 별도 부재 (52) 대신에, 예를 들어, 도 12 에 나타나는 별도 부재 (52E) 가 채용되어도 된다. 별도 부재 (52E) 는, 기판 (9) 의 단면 (93) 과 간극을 두고 대향하는 내측면을 구비하고, 당해 내측면이 기판 (9) 의 둘레 가장자리 (끝단 (94)) 를 따라 기판 (9) 의 둘레 방향으로 호상으로 연장되어 있다. 이로써, 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 있어서의 처리 폭의 균일성을 향상시킬 수 있다.Further, instead of the
별도 부재 (52) 에는, 대략 원형의 토출 목표 영역 (521) 이 포함되어 있다. 토출 목표 영역 (521) 은, 가상의 영역이다. 노즐 (51) 로부터 토출되는 처리액의 액류 (L1) 의 직경은, 토출 목표 영역 (521) 의 직경 (D3) 과 거의 동일한 길이이다. 직경 (D3) 은, 기판 (9) 의 단면 (93) 의 폭 (D2) 과 대략 동일한 길이이다. 도 4, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 토출 목표 영역 (521) 의 전부가, 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 에 포함되어 있다. 도 11 에 나타내는 바와 같이, 기판 (9) 의 상면에서 보았을 때, 토출 목표 영역 (521) 중 일부가 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 의 내측단으로부터 회전축 (a1) 측으로 비어져 나와 있어도 된다.The
도 4 에 나타내는 바와 같이, 노즐 (51) 로부터 액류 (L1) 로서 토출 목표 영역 (521) 에 닿도록 토출된 처리액은, 토출 목표 영역 (521) 으로부터 상면 (53) 상에서 주위로 확산된다. 일부의 처리액은, 상면 (53) 을 흘러 상면 (53) 의 회전축 (a1) 측의 내측단으로부터 별도 부재 (52) 의 외부로 배출된다. 별도 부재 (52) 와 기판 (9) 의 단면 (93) 의 간극 (97) (도 4) 은, 배출된 처리액이, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다. 따라서, 당해 처리액은, 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 상방으로부터 닿는다. 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 평탄부와 상측 단면 (93a) 의 경계와, 내측면 (55) 과의 기판 (9) 의 직경 방향을 따른 거리 (D4) 는, 단면 (93) 의 폭 (D2) 과 대략 동일한 길이이다.As shown in FIG. 4, the processing liquid discharged from the
상면 둘레 가장자리부 (911) 에 닿은 처리액은, 간극 (97) 을 통과하여, 기판 (9) 의 단면 (93) 을 따라 하방으로 흐른다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 중 처리액이 닿은 부분보다 끝단 (94) 측의 부분 및 하측 단면 (93b) 이 처리액에 의해 처리된다.The processing liquid contacting the upper
도 5 에 나타내는 바와 같이, 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 이 기판 (9) 의 상면 (91) 의 평탄부와 거의 동일한 높이의 수평면이 되도록 별도 부재 (52) 가 배치되어도 된다. 도 5 에서는, 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 평탄부와 상측 단면 (93a) 의 경계와, 내측면 (55) 과의 기판 (9) 의 직경 방향을 따른 거리 (D4) 는, 도 4 와 마찬가지로, 단면 (93) 의 폭 (D2) 과 대략 동일한 길이이다. 이 거리 (D4) 는, 당해 경계에서, 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 의 내측단까지의 거리이다.5, the
또, 별도 부재 (52) 대신에 도 6 에 나타나는 별도 부재 (52A) 가 채용되어도 된다. 별도 부재 (52A) 는, 수평인 상면 (53A) 과, 연직면인 외측면 (54A) 을 구비한다. 상면 (53A), 외측면 (54A) 은, 별도 부재 (52) (도 4) 의 상면 (53), 외측면 (54) 과 동일하게 구성되어 있다. 별도 부재 (52A) 는, 별도 부재 (52) 의 내측면 (55) 대신에, 기판 (9) 의 단면 (93) 에 대향하는 내측면 (55A) 을 구비하고 있다. 내측면 (55A) 은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축 (a1) 에 가까워짐과 함께, 회전축 (a1) 에 대해 경사지게 상방으로 돌출하여 만곡되어 있다. 또, 별도 부재 (52A) 는, 내측면 (55A) 및 외측면 (54A) 의 하단을 접속하고, 상면 (53A) 에 평행한 하면 (56A) 을 구비하고 있다.Moreover, instead of the
또, 별도 부재 (52) 대신에 도 7 에 나타나는 별도 부재 (52B) 가 채용되어도 된다. 별도 부재 (52B) 는, 별도 부재 (52) 의 상면 (53), 외측면 (54) 과 대략 동일하게 구성된 상면 (53B), 외측면 (54B) 을 구비함과 함께, 상면 (53B) 과 평행한 하면 (56B) 을 구비한다. 하면 (56B) 은, 상면 (53B) 과 동일한 형상 및 크기로 형성되어 있다. 별도 부재 (52B) 는, 또한 별도 부재 (52) 의 내측면 (55) 대신에, 기판 (9) 의 단면 (93) 에 대향하는 내측면 (55B) 을 구비한다. 회전축 (a1) 을 포함하는 평면에 있어서의 내측면 (55B) 의 단면 형상은, 기판 (9) 의 단면 (93) 을 따라 만곡되어 있다. 상면 (53B) 은, 기판 (9) 의 상면 (91) 보다 상방에 위치하고, 하면 (56B) 은, 기판 (9) 의 하면 (92) 보다 하방에 위치하고 있다.Further, instead of the
또, 별도 부재 (52) 대신에 도 8 에 나타나는 별도 부재 (52C) 가 채용되어도 된다. 별도 부재 (52C) 는, 별도 부재 (52B) 가 회전축 (a1) 방향을 따라 줄어든 형상을 갖고 있다. 별도 부재 (52C) 는, 상면 (53C), 하면 (56C), 외측면 (54C), 및 내측면 (55C) 을 구비하고 있다.Moreover, instead of the
상면 (53C) 은, 별도 부재 (52B) 의 상면 (53B) 과 동일 형상을 갖는 수평면이다. 하면 (56C) 은, 별도 부재 (52B) 의 하면 (56B) 과 동일 형상을 갖는 수평면이다. 상면 (53C) 은, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 평탄부와 동일한 수평면에 포함된다. 하면 (56C) 은, 기판 (9) 의 하면 (92) 의 평탄부와 동일한 수평면에 포함된다. 외측면 (54C) 은 연직면이다. 내측면 (55C) 은, 상면 (53C) 과 하면 (56C) 의 각각의 내측단을 접속하여 형성되어 있다. 회전축 (a1) 을 포함하는 평면에 있어서의 내측면 (55C) 의 단면 형상은, 기판 (9) 의 단면 (93) 을 따라 만곡되어 있다.The
또, 별도 부재 (52) 대신에 도 9 에 나타나는 별도 부재 (52D) 가 채용되어도 된다. 별도 부재 (52D) 는, 상면 (53D), 하면 (56D), 외측면 (54D), 및 내측면 (55D) 을 구비하고 있다. 별도 부재 (52D) 는, 별도 부재 (52C) 의 만곡되어 있는 내측면 (55C) 대신에, 연직면인 내측면 (55D) 을 구비하고 있다. 내측면 (55D) 은, 기판 (9) 의 직경 방향에 대해 수직이다. 별도 부재 (52D) 는, 직방체상의 형상을 구비하고 있다. 상면 (53D), 하면 (56D) 은, 별도 부재 (52C) 의 상면 (53C), 하면 (56C) 과 동일한 형상을 갖고 있다. 상면 (53D) 은, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 평탄부와 동일한 수평면에 포함되고, 하면 (56D) 은, 하면 (92) 의 평탄부와 동일한 수평면에 포함되어 있다. 내측면 (55D) 이 평면이기 때문에, 기판 (9) 의 단면 (93) 의 끝단 (94) 과 내측면 (55D) 사이에는, 간극이 형성되어 있다. 이 때문에, 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 평탄부와 상측 단면 (93a) 의 경계와, 내측면 (55D) 과의 거리 (기판 (9) 의 직경 방향의 거리) (D4) 는, 단면 (93) 의 폭 (D2) 보다 길어져 있다. 그러나, 별도 부재 (52D) 상의 토출 목표 영역 (521) 에 토출된 처리액의 일부는, 상면 (53D) 의 내측단으로부터 단면 (93) 에 닿는다. 이로써, 상면 둘레 가장자리부 (911) 및 하측 단면 (93b) 중 기판 (9) 의 끝단 (94) 근방의 세폭의 영역을 처리할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치 (1) 는, 노즐 유지 부재 (50) 에 의해 노즐 (51) 과 별도 부재 (52) 를 일체적으로 유지하여 이동시키지만, 기판 처리 장치 (1) 가 노즐 유지 부재 (50) 를 구비하지 않고, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 의 각각에 대해 승강 기구, 기판 (9) 의 직경 방향으로의 이동 기구가 개별적으로 형성되어도 된다.Moreover, instead of the
＜5. 기판 처리 장치의 동작에 대해＞<5. About the operation of the substrate processing equipment>
도 14 는, 기판 처리 장치 (1) 의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 도 15 는, 도 14 의 플로 차트에 나타나는 동작을 설명하기 위한 도면이다.14 is a flow chart showing an example of the operation of the
이하에, 도 14 ∼ 도 15 를 참조하면서, 기판 처리 장치 (1) 의 동작의 일례를 설명한다. 당해 동작예는, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 를 각각의 처리 위치에 배치하고, 노즐 (51) 로부터 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 처리액을 토출하는 동작이다. 도 14 의 동작 플로의 개시에 앞서, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 는, 예를 들어, 대피 위치에 배치되어 있고, 스핀 척 (21) 은, 기판 (9) 을 유지하고 있지만, 회전을 하고 있지 않은 것으로 한다.Below, an example of operation | movement of the
기판 처리 장치 (1) 의 제어부 (130) 는, 회전 기구 (231) 를 제어하여, 회전축 (a1) 을 중심으로 스핀 척 (21) 의 회전을 개시시킨다 (도 14, 도 15 의 스텝 S110). 당해 회전은, 예를 들어, 2000 rpm 의 회전 속도로 실시된다.The
제어부 (130) 는, 승강 구동부 (68), 회전 구동부 (69) 를 제어하여, 노즐 유지 부재 (50) 를 대피 위치로부터, 처리 위치에 대해, 기판 (9) 의 측방 (기판 (9) 의 직경 방향) 의 외측 위치에 배치한다. 승강 구동부 (68), 회전 구동부 (69) 는, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 를, 각각의 대피 위치로부터 각각의 외측 위치에 배치한다 (도 14, 도 15 의 스텝 S120). 노즐 (51), 별도 부재 (52) 의 각각의 외측 위치는, 각각의 처리 위치에 대해 기판 (9) 의 측방 (직경 방향) 의 외측에 위치한다.The
제어부 (130) 는, 처리부 (5) 를 제어하여 노즐 (51) 에, 별도 부재 (52) 상의 토출 목표 영역 (521) 에 대한 처리액의 토출을 개시시킨다 (도 14, 도 15 의 스텝 S130). 노즐 (51) 로부터 별도 부재 (52) 의 토출 목표 영역 (521) 에 토출된 처리액은, 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 을 따라 확산되고, 별도 부재 (52) 의 내측단으로부터 별도 부재 (52) 의 외부로 배출된다. 그러나, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 는, 각각의 외측 위치에 배치되어 있기 때문에, 별도 부재 (52) 의 외부로 배출된 처리액은, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 닿지 않는다.The
제어부 (130) 는, 노즐 (51) 에 의한 처리액의 액류 (L1) 의 토출 상태가 안정될 때까지 기다린다 (도 14, 도 15 의 스텝 S140). 당해 대기 시간은, 예를 들어, 미리 실험 등에 의해 취득되고, 제어부 (130) 의 ROM 등에 기억되어 있다.The
제어부 (130) 는, 회전 구동부 (69) 를 제어하여, 노즐 유지 부재 (50) 를 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 단면 (93) 측의 처리 위치에 배치한다. 이로써, 회전 구동부 (69) 는, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 를 기판 (9) 의 측방, 보다 상세하게는, 단면 (93) 의 측방의 각각의 처리 위치 (「내측 위치」로도 칭해진다) 에 배치한다 (도 14, 도 15 의 스텝 S150). 각 처리 위치로의 노즐 (51), 별도 부재 (52) 의 이동 과정에서, 노즐 (51) 은 처리액을 계속 토출한다. 이 때문에, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 가 각각의 처리 위치에 배치되었을 때에는, 토출 목표 영역 (521) 에 토출되는 처리액의 액류 (L1) 의 토출 상태는 안정적인 상태이다. 즉, 토출 목표 영역 (521) 으로부터 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 의 내측단을 향하여 흐르는 처리액의 액막 상태도 안정적이다.The
제어부 (130) 는, 처리 위치에 배치된 노즐 (51) 에, 그대로 처리액의 토출을 속행시킴으로써, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리를 실시한다 (도 14, 도 15 의 스텝 S160).The
제어부 (130) 는, 예를 들어, 정해진 시간이 경과하여 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리가 완료되면, 처리부 (5) 를 제어하여, 노즐 (51) 로부터의 처리액의 토출을 정지시킨다 (도 14, 도 15 의 스텝 S170). 제어부 (130) 는, 처리부 (5) 에 노즐 (51) 로부터의 처리액의 토출을 정지시키기 전에, 노즐 (51) 로부터 처리액을 토출시키면서, 회전 구동부 (69) 에 노즐 (51) 과 별도 부재 (52) 를 각각의 외측 위치에 배치시킨 후에, 노즐 (51) 로부터의 처리액의 토출을 정지시켜도 된다.The
제어부 (130) 는, 회전 기구 (231) 를 제어하여, 스핀 척 (21) 의 회전을 정지시키고 (도 14, 도 15 의 스텝 S180), 도 14 의 플로 차트의 동작을 종료시킨다.The
＜6. 다른 실시형태에 대해＞<6. About other embodiment>
도 16 은, 다른 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1A) 의 구성을 설명하기 위한 측면 모식도이다. 도 17 은, 기판 처리 장치 (1A) 의 구성을 설명하기 위한 상면 모식도이다. 도 18 은, 기판 처리 장치 (1A) 로의 기판 (9) 의 반출입시에 있어서의 기판 처리 장치 (1A) 의 별도 부재 (73) 의 동작을 설명하기 위한 상면 모식도이다.16 is a schematic side view for explaining the configuration of the
기판 처리 장치 (1A) 는, 기판 처리 장치 (1) 와 마찬가지로, 회전축 (a1) 을 중심으로 회전되고 있는 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 등에 처리액을 토출하여 상면 둘레 가장자리부 (911) 등의 처리를 실시하는 장치이다.The
기판 처리 장치 (1A) 는, 기판 처리 장치 (1) 와 상이한 구성으로서, 기판 처리 장치 (1) 의 노즐 유지 부재 (50) 대신에, 대좌 (25) 를 구비하고, 별도 부재 (52) 대신에, 별도 부재 (73) 를 구비하고 있다. 노즐 (51) 은, 아암 (63) 의 선단의 하방에 고정되어 있다.The
대좌 (25) 는, 원환상의 부재이고, 회전축부 (22) 를 중앙의 공부 (孔部) 에 삽입 통과시켜, 회전축부 (22) 에 고정되어 있다. 대좌 (25) 의 축심은, 회전축부 (22) 의 축심과 마찬가지로, 회전축 (a1) 과 일치하여 형성되어 있다. 이로써, 회전축부 (22) 는, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여, 기판 (9) 과 동일한 방향으로 동일한 속도로 회전된다.The
별도 부재 (73) 는, 회전축 (a1) 을 중심으로 하는 기판 (9) 의 둘레 방향을 따라 기판 (9) 의 둘레 가장자리 (끝단 (94), 단면 (93)) 를 둘러싸는 판상의 환상 부재이다.The
별도 부재 (73) 는, 복수 (도시의 예에서는 3 개) 의 원호상 부재 (73a ∼ 73c) 를 구비하고 있다. 2 개의 원호상 부재 (73a, 73b) 의 각각의 기판 (9) 의 둘레 방향에 있어서의 일단끼리는, 서로 대향하고 있다. 원호상 부재 (73a, 73b) 는, 각각의 타단을 중심으로 수평면 내에서 각각 회동 가능하게 형성되어 있다. 원호상 부재 (73a, 73b) 는, 기판 (9) 의 둘레 가장자리의 약 4 분의 1 의 길이를 따라 연장 형성되어 있고, 원호상 부재 (73c) 는, 기판 (9) 의 둘레 가장자리의 약 절반의 길이를 따라 연장 형성되어 있다. 별도 부재 (73) 의 상면은, 대략 수평면이다. 별도 부재 (73) (원호상 부재 (73a ∼ 73c)) 의 종단면의 형상으로서 예를 들어, 별도 부재 (52, 52A ∼ 52D) 의 단면 형상 등이 채용된다.The
원호상 부재 (73c) 는, 대좌 (25) 의 상면으로부터 상방으로 돌출하여 형성된 2 개의 돌편 (突片) (75) 에 의해, 대좌 (25) 의 상면과 간극을 두고 대좌 (25) 에 대해 고정되어 있다. 원호상 부재 (73a, 73b) 는, 각각의 타단에 장착된 돌편 (74) 을 통하여, 대좌 (25) 에 고정되어 있다. 보다 상세하게는, 돌편 (74) 은, 스테핑 모터 등에 의해 구성되는 회전 구동부 (「회동 기구」) (79) 에 의해 그 축심을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 당해 축심은 연직축이다.The arc-shaped
따라서, 기판 처리 장치 (1A) 는, 회전 기구 (231) 에 대좌 (25) 를 회전시킴으로써, 대좌 (25) 등을 통하여, 별도 부재 (73) 를 기판 (9) 과 동일한 회전 속도로 회전시킨다. 회전 구동부 (23), 회전축부 (22), 대좌 (25), 회전 구동부 (79), 돌편 (74), 돌편 (75) 은, 별도 부재 (73) 를, 회전축 (a1) 을 중심으로 회전시키는 회전 기구 (251) 이다.Therefore, the
원호상 부재 (73a, 73b) 는, 도 17 에 나타나는 상태로부터, 도 18 에 나타내는 바와 같이, 각 돌편 (74), 즉 각각의 타단을 회전 중심으로 하여 각각의 일단이 서로 기판 (9) 의 직경보다 떨어지도록 회전 구동부 (79) 에 의해 돌편 (74) 을 통하여 회동된다. 원호상 부재 (73a, 73b) 의 일단이 서로 떨어진 상태에서, 기판 처리 장치 (1) 에 기판이 반출입된다.From the state shown in FIG. 17, the arc-shaped
기판 처리 장치 (1A) 는, 상기의 차이점을 제외하고, 기판 처리 장치 (1) 와 동일한 구성을 구비하고 있고, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 대한 처리를 실시한다.The
즉, 별도 부재 (73) 는, 스핀 척 (21) 에 유지되어 있는 기판 (9) 의 단면 (93) 과 간극을 두고 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 외측에 배치된다. 노즐 (51) 은, 적어도 일부가 별도 부재 (73) 의 상면에 포함되는 토출 목표 영역 (731) 에 닿도록 토출 목표 영역 (731) 의 상방으로부터 처리액을 토출한다. 별도 부재 (73) 와 기판 (9) 의 단면 (93) 의 간극은, 토출 목표 영역 (731) 에 닿은 처리액이, 별도 부재 (73) 의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축 (a1) 측의 내측단으로부터 배출되고, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다. 기판 처리 장치 (1A) 는, 노즐 (51) 과 별도 부재 (73) 를 따로 이동시킨다. 노즐 (51) 은, 승강 구동부 (68), 회전 구동부 (69) 에 의해 기판 (9) 의 직경 방향 및 연직 방향으로 이동되지만, 별도 부재 (73) 는, 그 일부 (원호상 부재 (73a, 73b)) 를 제외하고, 대좌 (25) 에 대해 고정되어 있고, 대좌 (25) 와 함께, 즉 기판 (9) 과 함께 회전한다. 토출 목표 영역 (731) 의 전부가 별도 부재 (73) 의 상면에 포함되어도 되고, 토출 목표 영역 (731) 의 일부가, 별도 부재 (73) 의 상면의 내측단으로부터 회전축 (a1) 측으로는 비어져 나와 있어도 된다.That is, the
또한, 원호상 부재 (73a ∼ 73c) 를, 각각의 처리 위치와, 처리 위치에 대해 기판 (9) 의 직경 방향의 외측의 외측 위치 사이에서 구동시키는 구동 기구를 회전 구동부 (79), 및 각 돌편 (75) 의 하방에 구비해도 된다. 이 경우, 기판 처리 장치 (1A) 에 있어서도, 별도 부재 (73) (원호상 부재 (73a ∼ 73c)) 를 외측 위치에 배치하여, 노즐 (51) 로부터 처리액을 별도 부재 (73) 에 토출시키고, 토출 상태의 안정을 기다렸다가, 별도 부재 (73) (원호상 부재 (73a ∼ 73c)) 를 처리 위치에 배치시킬 수 있다.Moreover, the rotation drive
이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법 중 어느 것에 의해서도, 별도 부재 (52 (73)) 의 상면에 적어도 일부가 포함되는 토출 목표 영역 (521 (731)) 에 닿도록 노즐 (51) 로부터 처리액이 토출된다. 별도 부재 (52 (73)) 는, 기판 (9) 의 단면 (93) 과 간극을 두고 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 외측에 배치되어 있고, 당해 간극은, 토출 목표 영역 (521 (731)) 에 닿은 처리액이, 별도 부재 (52 (73)) 의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축 (a1) 측의 내측단으로부터 배출되고, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다. 따라서, 처리액에 의한 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭을 좁게 할 수 있음과 함께, 처리 폭의 균일성을 향상시킬 수 있다.By any of the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present embodiment configured as described above, the discharge target area 521 (731) including at least a portion of the upper surface of the separate member 52 (73) is contacted. The processing liquid is discharged from the
또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 토출 목표 영역 (521 (731)) 의 전부가, 별도 부재 (52 (73)) 의 상면에 포함되어 있다. 따라서, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 닿는 처리액은, 전부 토출 목표 영역 (521 (731)) 으로부터 별도 부재 (52 (73)) 의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축 (a1) 측의 내측단으로부터 배출되는 처리액이다. 따라서, 처리액이 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 닿는 위치와, 별도 부재 (52 (73)) 의 내측단과의 기판 (9) 의 직경 방향을 따른 거리를 짧게 할 수 있다. 이로써, 처리액에 의한 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭을 더욱 좁게 할 수 있다.Moreover, according to the substrate processing apparatus which concerns on this embodiment comprised as mentioned above, all of the discharge target area 521 (731) is contained in the upper surface of the separate member 52 (73). Therefore, all of the processing liquid that touches the upper surface
또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 노즐 유지 부재 (50) 가 노즐 (51) 과 별도 부재 (52) 를 일체적으로 유지하기 때문에, 일정한 토출 목표 영역 (521) 에 닿도록 처리액이 토출된다. 이로써, 내측단으로부터 배출되는 처리액의 배출 양태를 안정시킬 수 있다. 따라서, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭을 안정시킬 수 있다.In addition, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, since the
또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 별도 부재 (73) 는, 회전축 (a1) 을 중심으로 하는 기판 (9) 의 둘레 방향을 따라 기판 (9) 의 둘레 가장자리를 둘러싸는 환상 부재이고, 별도 부재 (73) 는 기판 (9) 과 동일한 회전 속도로 회전된다. 따라서, 별도 부재 (73) 를 기판 (9) 과 함께 회전시키는 경우에 있어서도, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭의 균일성을 향상시킬 수 있다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the
또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 2 개의 원호상 부재 (73a, 73b) 는, 일단끼리가 대향하여 기판 (9) 의 둘레 방향을 따라 이웃하여 형성되어 있고, 각각의 타단을 회전 중심으로 하여 각각의 일단이 서로 기판 (9) 의 직경보다 떨어지도록 회동될 수 있다. 따라서, 2 개의 원호상 부재 (73a, 73b) 의 당해 회동에 의해 기판 처리 장치로의 기판 (9) 의 반출입이 가능해진다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the two arc-shaped
또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 처리 위치보다 기판 (9) 의 직경 방향의 외측의 외측 위치에 배치되어 있는 별도 부재 (52 (73)) 의 토출 목표 영역 (521 (731)) 을 향하여 노즐 (51) 이 처리액의 토출을 개시하고, 노즐 (51) 이 처리액을 토출하고 있는 동안에, 별도 부재 (52 (73)) 가 외측 위치로부터 처리 위치로 이동된다. 따라서, 토출 개시시에 있어서의 처리액의 액류 (L1) 의 흐트러짐의 영향에 의해, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭이 불균일해지는 것을 억제할 수 있다.Moreover, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the
또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 별도 부재 (52 (73)) 의 상면의 회전축 (a1) 측의 내측단이, 기판 (9) 의 둘레 가장자리보다 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 회전축 (a1) 측에 위치한다. 따라서, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭을 넓게 할 수 있다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the inner end of the upper surface of the separate member 52 (73) on the side of the rotation axis (a1) is the
또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 별도 부재 (52) 의 내측면 (55) 은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축 (a1) 에 가까워지도록 회전축 (a1) 에 대해 경사져 있다. 따라서, 별도 부재 (52) 를 승강할 수 있는 경우, 처리 위치의 상방으로부터의 별도 부재 (52) 의 강하에 의해 별도 부재 (52) 를 처리 위치에 배치할 수 있다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the
또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 별도 부재 (52A) 의 내측면 (55A) 은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축 (a1) 에 가까워짐과 함께, 회전축 (a1) 에 대해 경사지게 상방으로 돌출하여 만곡되어 있다. 따라서, 기판 (9) 의 단면 (93) 과 별도 부재 (52A) 의 기판 (9) 의 직경 방향의 간극을, 더욱 균일화할 수 있다. 이로써, 기판 (9) 의 단면 (93) 의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the
또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 별도 부재 (52B (52C)) 는, 기판 (9) 의 단면 (93) 에 대향하는 내측면 (55B (55C)) 을 포함하고, 회전축 (a1) 을 포함하는 평면에 있어서의 내측면 (55B (55C)) 의 단면 형상은, 기판 (9) 의 단면 (93) 을 따라 만곡되어 있다. 따라서, 기판 (9) 의 단면 (93) 과 별도 부재 (52B (52C)) 의 기판 (9) 의 직경 방향의 간극을, 더욱 균일화할 수 있다. 이로써, 기판 (9) 의 단면 (93) 의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the
본 발명은 상세하게 나타내어 기술되었지만, 상기의 기술은 모든 양태에 있어서 예시이지 한정적이지는 않다. 따라서, 본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 실시형태를 적절히 변형, 생략하는 것이 가능하다.Although the present invention has been described in detail and described, the above description is illustrative and not restrictive in all aspects. Therefore, the present invention can appropriately modify and omit embodiments within the scope of the invention.
1, 1A : 기판 처리 장치
21 : 스핀 척 (유지 부재)
23 : 회전 구동부
231 : 회전 기구
251 : 회전 기구
50 : 노즐 유지 부재
51 : 노즐
52, 52A ∼ 52E : 별도 부재
68 : 승강 구동부
69 : 회전 구동부
73 : 별도 부재
73a ∼ 73c : 원호상 부재
79 : 회전 구동부 (회동 기구) 1, 1A: substrate processing equipment
21: spin chuck (no holding)
23: rotary drive
231: rotating mechanism
251: rotating mechanism
50: Nozzle holding member
51: nozzle
52, 52A to 52E: Separate member
68: elevating driving unit
69: rotary drive
73: separate member
73a to 73c: circular arc member
79: rotary drive (rotation mechanism)
Claims (11)
상기 유지 부재를, 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 기구와,
상기 유지 부재에 유지되어 있는 상기 기판의 단면과 간극을 두고 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 기판의 외측에 배치되는 별도 부재와,
적어도 일부가 상기 별도 부재의 상면에 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록 상기 토출 목표 영역의 상방으로부터 처리액을 토출하는 노즐을 구비하고,
상기 별도 부재와 상기 기판의 단면의 상기 간극은, 상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있는, 기판 처리 장치.A holding member formed to hold the substrate approximately horizontal from below and rotatably around a predetermined rotation axis;
A rotating mechanism for rotating the holding member about the rotation axis;
A separate member disposed on the outside of the substrate along a radial direction of the substrate with a cross section and a gap of the substrate held by the holding member,
It is provided with a nozzle for discharging the processing liquid from above the discharge target area so that at least a portion of the discharge target area included in the upper surface of the separate member,
The clearance between the separate member and the cross section of the substrate is such that the processing liquid contacting the discharge target region flows through the upper surface of the separate member and is discharged from the inner end of the upper surface on the rotation axis side, and the upper surface circumferential edge of the substrate The substrate processing apparatus is set so as to contact the part from above.
상기 토출 목표 영역의 전부가, 상기 별도 부재의 상면에 포함되어 있는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
A substrate processing apparatus, wherein all of the discharge target regions are included in the upper surface of the separate member.
상기 노즐과 상기 별도 부재를 일체적으로 유지하는 노즐 유지 부재를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1 or 2,
And a nozzle holding member integrally holding the nozzle and the separate member.
상기 별도 부재는, 상기 회전축을 중심으로 하는 상기 기판의 둘레 방향을 따라 상기 기판의 둘레 가장자리를 둘러싸는 환상 부재이고,
상기 기판 처리 장치는,
상기 별도 부재를 상기 기판과 동일한 회전 속도로 회전시키는 상기 환상 부재용 회전 기구를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1 or 2,
The separate member is an annular member surrounding the circumferential edge of the substrate along the circumferential direction of the substrate about the rotation axis,
The substrate processing apparatus,
And a rotation mechanism for the annular member that rotates the separate member at the same rotational speed as the substrate.
상기 환상 부재는, 복수의 원호상 부재를 포함하고 있고,
상기 복수의 원호상 부재는, 상기 기판의 둘레 방향을 따라 이웃하는 2 개의 원호상 부재를 포함하고,
상기 2 개의 원호상 부재의 각각의 상기 기판의 둘레 방향에 있어서의 일단끼리가 서로 대향하고 있고, 상기 2 개의 원호상 부재는, 각각의 타단을 중심으로 수평면 내에서 각각 회동 가능하게 형성되어 있고,
상기 기판 처리 장치는, 상기 2 개의 원호상 부재의 각각의 타단을 회전 중심으로 하여 각각의 일단이 서로 상기 기판의 직경보다 떨어지도록 상기 2 개의 원호상 부재를 각각 회동시킬 수 있는 회동 기구를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The annular member includes a plurality of arc-shaped members,
The plurality of arc-shaped members include two adjacent arc-shaped members along the circumferential direction of the substrate,
One end of each of the two arc-shaped members in the circumferential direction of the substrate is opposed to each other, and the two arc-shaped members are respectively rotatable in a horizontal plane around each other end,
The substrate processing apparatus further includes a rotation mechanism capable of rotating the two arc-shaped members, respectively, so that one end of each of the two arc-shaped members is centered around the rotation, so that each one end is less than the diameter of the substrate. The substrate processing apparatus provided.
상기 별도 부재를 상기 기판의 직경 방향으로 이동 가능한 직경 방향 구동부와,
상기 직경 방향 구동부와 상기 노즐을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿을 때의 상기 별도 부재의 위치에 의해 상기 별도 부재의 처리 위치를 정의했을 때,
상기 제어부는,
상기 직경 방향 구동부에 상기 별도 부재를 상기 처리 위치보다 상기 기판의 직경 방향의 외측의 외측 위치에 배치시키고 있는 동안에, 상기 노즐에 상기 토출 목표 영역을 향하여 상기 처리액의 토출을 개시시킴과 함께, 상기 노즐에 상기 처리액의 토출을 시키면서, 상기 직경 방향 구동부에 상기 별도 부재를 상기 외측 위치로부터 상기 처리 위치로 이동시키는, 기판 처리 장치.The method of claim 1 or 2,
A radial drive unit capable of moving the separate member in the radial direction of the substrate;
It is provided with a control unit for controlling the radial drive unit and the nozzle,
When the processing liquid contacting the discharge target region flows through the upper surface of the separate member and is discharged from the inner end of the rotating shaft side of the upper surface, and reaches the edge of the upper surface of the substrate from the upper side of the separate member. When defining the processing position of the separate member by,
The control unit,
While disposing the separate member in the radial drive portion at an outer position outside the radial direction of the substrate than the processing position, the nozzle starts discharging the processing liquid toward the discharge target area, and the A substrate processing apparatus for moving the separate member from the outer position to the processing position while the nozzle is discharging the processing liquid, to the radial drive unit.
상기 별도 부재의 상면의 상기 회전축측의 내측단이, 상기 기판의 둘레 가장자리보다 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 회전축측에 위치하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1 or 2,
A substrate processing apparatus, wherein an inner end of the upper surface of the separate member on the rotation axis side is located on the rotation axis side along the radial direction of the substrate rather than the circumferential edge of the substrate.
상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 내측면이 그 하단으로부터 상단을 향하여 상기 회전축에 가까워지도록 상기 회전축에 대해 경사져 있는, 기판 처리 장치.The method of claim 1 or 2,
The separate member includes an inner surface opposite to the cross section of the substrate, and the inner surface is inclined with respect to the rotating shaft such that the inner surface approaches the rotating shaft from the bottom to the top.
상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 내측면은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 상기 회전축에 가까워짐과 함께, 상기 회전축에 대해 경사지게 상방으로 돌출하여 만곡되어 있는, 기판 처리 장치.The method of claim 1 or 2,
The separate member includes an inner surface opposite to the cross-section of the substrate, and the inner surface is curved by protruding upwardly and inclined with respect to the rotating shaft, as it approaches the rotating shaft from its lower end toward the upper end. Substrate processing device.
상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 회전축을 포함하는 평면에 있어서의 상기 내측면의 단면 형상은, 상기 기판의 단면을 따라 만곡되어 있는, 기판 처리 장치.The method of claim 1 or 2,
The separate member includes an inner surface opposite to the cross-section of the substrate, and a cross-sectional shape of the inner surface in a plane including the rotation axis is curved along a cross-section of the substrate.
당해 기판 처리 장치는,
기판을 하방으로부터 대략 수평으로 유지하고, 소정의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 형성된 유지 부재와,
상기 유지 부재를, 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 기구와,
상기 기판으로부터 떨어져 배치되는 별도 부재와,
처리액을 토출 가능한 노즐을 구비하고,
상기 기판 처리 방법은,
상기 별도 부재를 상기 기판의 단면과 간극을 두고 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 기판의 외측에 배치하는 스텝과,
적어도 일부가 상기 별도 부재의 상면에 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록, 상기 노즐에 상기 토출 목표 영역의 상방으로부터 처리액을 토출시키는 스텝을 구비하고,
상기 별도 부재와 상기 기판의 단면의 상기 간극은, 상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있는, 기판 처리 방법.As a substrate processing method in a substrate processing apparatus,
The substrate processing apparatus,
A holding member formed to hold the substrate approximately horizontal from below and rotatably around a predetermined rotation axis;
A rotating mechanism for rotating the holding member about the rotation axis;
A separate member disposed away from the substrate,
Equipped with a nozzle capable of discharging the treatment liquid,
The substrate processing method,
A step of arranging the separate member on the outside of the substrate along a radial direction of the substrate with a cross section and a gap of the substrate;
A step of discharging the processing liquid from above the discharge target area is provided to the nozzle so that at least a part contacts the discharge target area included in the upper surface of the separate member,
The clearance between the separate member and the cross section of the substrate is such that the processing liquid contacting the discharge target region flows through the upper surface of the separate member and is discharged from the inner end of the upper surface on the rotation axis side, and the upper surface circumferential edge of the substrate The substrate processing method is set so as to contact the part from above.
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1170354A (en) * | 1997-07-04 | 1999-03-16 | Tokyo Electron Ltd | Coating apparatus |
| JP2001319849A (en) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing device and liquid processing method |
| CN100419968C (en) * | 2003-10-30 | 2008-09-17 | 株式会社荏原制作所 | Substrate treatment device and substrate treatment method |
| CN100362625C (en) * | 2005-03-30 | 2008-01-16 | 大日本网目版制造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP4889331B2 (en) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP4708286B2 (en) | 2006-08-11 | 2011-06-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2008218545A (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Sumco Corp | Single-wafer etching device for wafer |
| JP5031671B2 (en) * | 2008-06-03 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
| JP2010147262A (en) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning apparatus, substrate processing system, cleaning method, program, and computer storage medium |
| JP5300464B2 (en) | 2008-12-26 | 2013-09-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP5355179B2 (en) * | 2009-03-30 | 2013-11-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP5270607B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-08-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
| JP5795917B2 (en) | 2010-09-27 | 2015-10-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP5743853B2 (en) * | 2010-12-28 | 2015-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
| JP5852898B2 (en) * | 2011-03-28 | 2016-02-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2014150135A (en) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
| JP6226297B2 (en) * | 2014-03-26 | 2017-11-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing equipment |
-
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