WO2020261868A1 - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

In the present invention, an inner peripheral end 74a of a first guard tip part 86 faces a peripheral end surface Wc of a substrate W with a first annular gap C1 interposed therebetween in the horizontal direction. In addition, an inner peripheral end 75a of a second guard tip part 88 faces an outer peripheral end 28c of a disk part 28 with a second annular gap C2 interposed therebetween in the horizontal direction. A shield member 6 faces the substrate W while a substrate-facing surface 26a and a surface Wa of the substrate W has a predetermined gap WU therebetween. The sum (L1+L2) of the length L1 of the first annular gap C1 and the length L2 of the second annular gap C2 is no less than a flow passage width WF in an exhaust path EP, and is no greater than the gap WU between the substrate-facing surface 26a and the surface Wa of the substrate W (WF≤(L1+L2)≤WU).

Description

基板処理装置および基板処理方法Substrate processing equipment and substrate processing method
　この出願は、２０１９年６月２８日提出の日本国特許出願２０１９－１２２１３４号に基づく優先権を主張しており、この出願の全内容はここに引用により組み込まれるものとする。 This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2019-122134 filed on June 28, 2019, and the entire contents of this application shall be incorporated herein by reference.
　この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象になる基板の例には、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, substrates for liquid crystal display devices, substrates for FPDs (Flat Panel Display) such as organic EL (Electroluminescence) display devices, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, and substrates for optomagnetic disks. Includes substrates, photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, and the like.
　半導体装置の製造工程では、半導体ウエハなどの基板の表面に薬液等の処理液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板に処理液を供給するためのノズルと、スピンチャックに保持された基板の表面（上面）に対向する遮断部材と、基板から排出される処理液を捕獲するための処理カップと、スピンチャックおよび遮断部材等を収容するチャンバーとを含む。 In the manufacturing process of a semiconductor device, in order to treat the surface of a substrate such as a semiconductor wafer with a processing solution such as a chemical solution, a single-wafer type substrate processing device that processes the substrates one by one may be used. This single-wafer type substrate processing apparatus is held by, for example, a spin chuck that holds and rotates the substrate substantially horizontally, a nozzle for supplying a processing liquid to the substrate rotated by the spin chuck, and a spin chuck. It includes a blocking member facing the surface (upper surface) of the substrate, a processing cup for capturing the processing liquid discharged from the substrate, and a chamber for accommodating a spin chuck, a blocking member, and the like.
　下記特許文献１において、スピンチャックは、たとえば、基板の外径よりも大きな外径を有する円板状のスピンベースと、スピンベースの上面の外周部において、基板の外周形状に対応する円周上に適当な間隔を空けて設けられた複数の挟持部材と、を含む。 In Patent Document 1 below, the spin chuck has, for example, a disk-shaped spin base having an outer diameter larger than the outer diameter of the substrate, and an outer peripheral portion of the upper surface of the spin base on the circumference corresponding to the outer peripheral shape of the substrate. Includes a plurality of holding members provided at appropriate intervals.
　また、特許文献１において、遮断部材は、基板の上方の上方空間（基板と前記遮断部材との間に形成される空間）のまわりの空間である外方空間から上方空間をより効果的に隔離するために、スピンチャックに保持されている基板の上方に配置される円板部と、円板部との周縁から垂下する円筒部と、を備えている。遮断部材の円筒部の下端部と、スピンベースの上面の外周端縁との間に形成される隙間が狭く保たれるから（特許文献１の図３参照）、外方空間内の酸素を含む雰囲気が上方空間に進入することを効果的に抑制できる。これにより、上方空間を低酸素環境下に保つことができる。 Further, in Patent Document 1, the blocking member more effectively isolates the upper space from the outer space, which is the space around the upper space above the substrate (the space formed between the substrate and the blocking member). In order to do so, a disk portion arranged above the substrate held by the spin chuck and a cylindrical portion hanging from the peripheral edge of the disk portion are provided. Since the gap formed between the lower end of the cylindrical portion of the blocking member and the outer peripheral edge of the upper surface of the spin base is kept narrow (see FIG. 3 of Patent Document 1), oxygen in the outer space is contained. It is possible to effectively suppress the atmosphere from entering the upper space. As a result, the upper space can be maintained in a low oxygen environment.
　また、特許文献１において、処理カップは、複数のガードを備えている。複数のガードによって、排気および排液が通過する排気液経路が区画されている。排気装置の駆動によって排気液経路が減圧されることにより、排気される。各ガードの内周端は、遮断部材の円筒部を取り囲んでおり、遮断部材の円筒部に隣接している。 Further, in Patent Document 1, the processing cup is provided with a plurality of guards. A plurality of guards partition the exhaust gas and the exhaust liquid path through which the drainage liquid passes. Exhaust is exhausted by depressurizing the exhaust liquid path by driving the exhaust device. The inner peripheral end of each guard surrounds the cylindrical portion of the blocking member and is adjacent to the cylindrical portion of the blocking member.
特許６３３０９９８号公報Japanese Patent No. 6330998
　スピンチャックには、基板のまわりに配置された複数の挟持部材で基板を水平に挟むことにより基板を水平に保持する挟持式のスピンチャックと、基板の下面の吸着により基板を水平に保持するバキューム式のスピンチャック（いわゆるバキュームチャック）とが含まれる。 The spin chuck includes a holding type spin chuck that holds the board horizontally by sandwiching the board horizontally with a plurality of holding members arranged around the board, and a vacuum that holds the board horizontally by suction on the lower surface of the board. A spin chuck of the formula (so-called vacuum chuck) is included.
　挟持式のスピンチャックでは、基板の外径よりも大きな外径を有する円板状のスピンベースが用いられる。これに対して、バキューム式のスピンチャックでは、基板の外径よりも小さな外径を有する円板状のスピンベースが用いられる。 In the pinch type spin chuck, a disk-shaped spin base having an outer diameter larger than the outer diameter of the substrate is used. On the other hand, in the vacuum type spin chuck, a disk-shaped spin base having an outer diameter smaller than the outer diameter of the substrate is used.
　挟持式のスピンチャックでは、スピンベースの外周部が基板の周端面よりも外側に配置される。そのため、特許文献１に記載の基板処理装置では、スピンベースの外周部が、基板の周端面と遮断部材の円筒部との間の隙間の下方に配置される。しかしながら、バキューム式のスピンチャックでは、スピンベースの外周部が基板の周端面よりも内側に配置されるので、円板部と円筒部とを備える遮断部材を用いたとしても、酸素を含む雰囲気が、基板の周端面と遮断部材の円筒部との間の隙間を通じて、基板の上面と遮断部材との間の空間に進入するおそれがある（図１２参照）。 In the pinch type spin chuck, the outer peripheral portion of the spin base is arranged outside the peripheral end surface of the substrate. Therefore, in the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, the outer peripheral portion of the spin base is arranged below the gap between the peripheral end surface of the substrate and the cylindrical portion of the blocking member. However, in the vacuum type spin chuck, the outer peripheral portion of the spin base is arranged inside the peripheral end surface of the substrate, so even if a blocking member having a disk portion and a cylindrical portion is used, an atmosphere containing oxygen is created. , There is a possibility of entering the space between the upper surface of the substrate and the blocking member through the gap between the peripheral end surface of the substrate and the cylindrical portion of the blocking member (see FIG. 12).
　そこで、この発明の目的は、基板の外周部ではなく基板の中央部を支持する場合に、低酸素環境下で、薬液を用いた処理を基板の上面に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 Therefore, an object of the present invention is a substrate processing apparatus and a substrate treatment capable of performing a treatment using a chemical solution on the upper surface of the substrate in a low oxygen environment when supporting the central portion of the substrate instead of the outer peripheral portion of the substrate. To provide a method.
　この発明の一実施形態は、チャンバーと、基板の下方に配置されており、平面視で前記基板よりも小さいベースプレート、を有し、前記ベースプレート上の前記基板を前記チャンバーの内部で水平に保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に間隔を空けて対向する基板対向面が設けられた円板部を有する遮断部材と、前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む第１の円筒部と、前記第１の円筒部の上端から、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の中央部を通る鉛直線に向かって延びる第１のガード先端部と、を有し、前記第１のガード先端部の内周端が、前記基板の周端面に、第１の環状隙間を隔てて水平に対向する、内側ガードと、前記第１の円筒部の周囲を取り囲む第２の円筒部と、前記第２の円筒部の上端から前記鉛直線に向かって延び、かつ前記第１のガード先端部よりも上方に位置する第２のガード先端部と、を有し、前記第２のガード先端部の内周端が、前記円板部の外周端に、第２の環状隙間を隔てて水平に対向する、外側ガードと、を有し、前記第１のガード先端部と前記第２のガード先端部とによって区画される第１の空間と、前記第１の空間に連通する排気経路と、が内部に形成された処理カップと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板と前記遮断部材との間に形成されており、前記第１の空間に連通する第２の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に薬液を供給する薬液供給ユニットと、前記不活性ガス供給ユニットおよび前記薬液供給ユニットを制御する制御装置と、を含み、前記制御装置が、前記不活性ガス供給ユニットによって前記第２の空間に不活性ガスを供給して、前記第１の空間および前記第２の空間の双方を陽圧に保つ陽圧維持工程と、前記陽圧維持工程に並行して、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に前記薬液供給ユニットによって薬液を供給して、前記基板の上面に薬液を用いた処理を施す薬液処理工程と、を実行する、基板処理装置を提供する。 One embodiment of the present invention has a chamber and a base plate that is located below the substrate and is smaller than the substrate in plan view, and holds the substrate on the base plate horizontally inside the chamber. A board holding unit, a blocking member having a disc portion provided with a substrate facing surface facing each other at intervals on the upper surface of the board held by the board holding unit, and a third board surrounding the substrate holding unit. It has a cylindrical portion of 1 and a first guard tip portion extending from the upper end of the first cylindrical portion toward a vertical line passing through a central portion of the substrate held by the substrate holding unit. A second guard that surrounds the inner guard and the circumference of the first cylindrical portion so that the inner peripheral end of the first guard tip portion horizontally opposes the peripheral end surface of the substrate with a first annular gap. It has a cylindrical portion and a second guard tip portion extending from the upper end of the second cylindrical portion toward the vertical line and located above the first guard tip portion, and the second guard tip portion. The inner peripheral end of the guard tip portion of the guard has an outer guard that horizontally faces the outer peripheral end of the disk portion with a second annular gap, and the first guard tip portion and the first guard tip portion and the first guard tip portion. A processing cup in which a first space partitioned by a guard tip of 2 and an exhaust path communicating with the first space are formed inside, and the substrate held by the substrate holding unit. An inert gas supply unit formed between the blocking member and supplying the inert gas to the second space communicating with the first space, and the substrate held by the substrate holding unit. A chemical solution supply unit that supplies a chemical solution to the upper surface, the inert gas supply unit, and a control device that controls the chemical solution supply unit are included, and the control device is moved into the second space by the inert gas supply unit. It is held by the substrate holding unit in parallel with the positive pressure maintenance step of supplying an inert gas to keep both the first space and the second space at positive pressure and the positive pressure maintenance step. Provided is a substrate processing apparatus for executing a chemical solution treatment step of supplying a chemical solution to the upper surface of the substrate by the chemical solution supply unit and performing a treatment using the chemical solution on the upper surface of the substrate.
　この構成によれば、基板保持ユニットに保持されている基板の上方に配置された遮断部材が、基板対向面と基板の上面との間隔が所定間隔になるように基板の上面に対向している。基板の周端面に、第１のガード先端部の内周端が水平方向に第１の環状隙間を隔てて対向している。遮断部材の円板部の外周端に、第２のガード先端部の内周端が水平方向に第２の環状隙間を隔てて対向している。基板および円板部を、処理カップに対して回転させる場合には、基板の周端面と第１のガード先端部との間、および円板部の外周端と第１のガード先端部との間に、それぞれ環状隙間（第１の環状隙間、第２の環状隙間）を設ける必要がある。 According to this configuration, the blocking member arranged above the substrate held by the substrate holding unit faces the upper surface of the substrate so that the distance between the substrate facing surface and the upper surface of the substrate becomes a predetermined distance. .. The inner peripheral end of the first guard tip portion faces the peripheral end surface of the substrate in the horizontal direction with a first annular gap in between. The inner peripheral end of the second guard tip is horizontally opposed to the outer peripheral end of the disc portion of the blocking member with a second annular gap in between. When the substrate and the disk portion are rotated with respect to the processing cup, between the peripheral end surface of the substrate and the first guard tip portion, and between the outer peripheral end of the disk portion and the first guard tip portion. It is necessary to provide an annular gap (a first annular gap and a second annular gap), respectively.
　第２の空間に不活性ガスを供給することにより、第１の空間（第１のガード先端部と第２のガード先端部とによって区画される空間）、および第２の空間（基板と前記遮断部材との間に形成される空間）の双方を陽圧に保つ。これにより、第１の空間および第２の空間に連通するチャンバー内の空間である近接空間内の酸素を含む雰囲気が、２つの環状隙間を通って第２の空間に進入することを、効果的に抑制できる。これにより、第２の空間を低酸素環境下に保つことができる。 By supplying the inert gas to the second space, the first space (the space partitioned by the first guard tip and the second guard tip) and the second space (the substrate and the cutoff). Both sides of the space formed between the member and the member are kept at positive pressure. As a result, it is effective that the oxygen-containing atmosphere in the approach space, which is the space in the chamber communicating with the first space and the second space, enters the second space through the two annular gaps. Can be suppressed. As a result, the second space can be maintained in a low oxygen environment.
　不活性ガスの供給によって第１の空間および第２の空間が陽圧に保たれている状態で、薬液を用いた処理が基板の上面に施される。これにより、薬液を用いた処理を、低酸素環境下で基板に施すことができる。 Treatment with a chemical solution is performed on the upper surface of the substrate while the first space and the second space are maintained at positive pressure by the supply of the inert gas. Thereby, the treatment using the chemical solution can be applied to the substrate in a low oxygen environment.
　ゆえに、基板の外周部ではなく基板の中央部を支持する場合に、低酸素環境下で、薬液を用いた処理を基板の上面に施すことができる。 Therefore, when the central portion of the substrate is supported instead of the outer peripheral portion of the substrate, the upper surface of the substrate can be treated with a chemical solution in a low oxygen environment.
　この発明の一実施形態では、前記陽圧維持工程が、前記排気経路から排出される排気の流量よりも多い流量の不活性ガスを前記第２の空間に供給する工程を含む。 In one embodiment of the present invention, the positive pressure maintenance step includes a step of supplying an inert gas having a flow rate larger than the flow rate of the exhaust gas discharged from the exhaust path to the second space.
　この構成によれば、排気経路から排出される排気の流量よりも多い流量の不活性ガスが、第２の空間に供給される。これにより、第１の空間および第２の空間を比較的容易に陽圧に保つことができる。 According to this configuration, the inert gas having a flow rate larger than the flow rate of the exhaust gas discharged from the exhaust path is supplied to the second space. As a result, the first space and the second space can be relatively easily maintained at positive pressure.
　この発明の一実施形態では、前記排気経路における流路幅が、前記第１の環状隙間の距離と、前記第２の環状隙間の距離と、の合計である隙間合計距離以下である。 In one embodiment of the present invention, the flow path width in the exhaust path is equal to or less than the total gap distance, which is the sum of the distance of the first annular gap and the distance of the second annular gap.
　この構成によれば、排気経路の流路幅が狭いので、第１の空間および第２の空間を比較的容易に陽圧に保つことができる。また、隙間合計距離が、排気経路における流路幅以上であるので、陽圧状態にある第２の空間の雰囲気が、第１の環状隙間および第２の環状隙間を通って近接空間に流出し易い。これにより、近接空間内の酸素を含む雰囲気が、これら２つの環状隙間を通って第２の空間に進入することを抑制または防止できる。 According to this configuration, since the flow path width of the exhaust path is narrow, the first space and the second space can be relatively easily maintained at positive pressure. Further, since the total gap distance is equal to or larger than the flow path width in the exhaust path, the atmosphere of the second space in the positive pressure state flows out to the approach space through the first annular gap and the second annular gap. easy. Thereby, it is possible to suppress or prevent the oxygen-containing atmosphere in the proximity space from entering the second space through these two annular gaps.
　前記隙間合計距離が、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面と前記遮断部材の前記基板対向面との距離以下であってもよい。 The total gap distance may be equal to or less than the distance between the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit and the substrate facing surface of the blocking member.
　この構成によれば、２つの環状隙間のそれぞれが狭い。これにより、近接空間内の酸素を含む雰囲気が、これら２つの環状隙間を通って第２の空間に進入することを、より一層効果的に、抑制または防止できる。これにより、第２の空間を低酸素環境下に保つことができる。 According to this configuration, each of the two annular gaps is narrow. Thereby, it is possible to more effectively suppress or prevent the oxygen-containing atmosphere in the proximity space from entering the second space through these two annular gaps. As a result, the second space can be maintained in a low oxygen environment.
　この発明の一実施形態では、前記排気経路における流路幅が、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面と前記遮断部材の前記基板対向面との間隔以下であってもよい。 In one embodiment of the present invention, the flow path width in the exhaust path may be equal to or less than the distance between the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit and the substrate facing surface of the blocking member.
　この構成によれば、排気経路が狭いので、第１の空間および第２の空間を比較的容易に陽圧に保つことができる。 According to this configuration, since the exhaust path is narrow, the first space and the second space can be relatively easily maintained at positive pressure.
　前記排気経路における前記流路幅が前記隙間合計距離以下である場合、前記流路幅が、前記第１の円筒部と前記第２の円筒部との間の径方向の距離であることが好ましい。 When the flow path width in the exhaust path is equal to or less than the total gap distance, it is preferable that the flow path width is the radial distance between the first cylindrical portion and the second cylindrical portion. ..
　この構成によれば、第１の円筒部と第２の円筒部との間の径方向の距離が隙間合計距離以下である。排気経路の流路幅が狭いので、第１の空間および第２の空間を比較的容易に陽圧に保つことができる。 According to this configuration, the radial distance between the first cylindrical portion and the second cylindrical portion is less than or equal to the total clearance distance. Since the flow path width of the exhaust path is narrow, the first space and the second space can be relatively easily maintained at positive pressure.
　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記排気経路を通じて前記処理カップの前記内部の雰囲気を吸引することにより、前記チャンバーの雰囲気を前記チャンバーの外に排出する排気ユニットをさらに含み、前記排気ユニットが、前記第１の空間および第２の空間の雰囲気と、前記処理カップ外でかつ前記チャンバー内の空間の雰囲気と、の双方を排出する。 In one embodiment of the invention, the substrate processing apparatus further comprises an exhaust unit that exhausts the atmosphere of the chamber to the outside of the chamber by sucking the atmosphere inside the processing cup through the exhaust path. The exhaust unit exhausts both the atmosphere of the first space and the atmosphere of the second space and the atmosphere of the space outside the processing cup and inside the chamber.
　この構成によれば、排気ユニットによって、第１の空間の雰囲気および第２の空間の雰囲気と、処理カップ外でかつチャンバー内の空間の雰囲気と、の双方が除去される。チャンバー内の気流を安定させる必要があるので、排気ユニットの排気力を過度に高めることはできない。 According to this configuration, the exhaust unit removes both the atmosphere of the first space and the atmosphere of the second space and the atmosphere of the space outside the processing cup and inside the chamber. Since it is necessary to stabilize the air flow in the chamber, the exhaust force of the exhaust unit cannot be excessively increased.
　しかしながら、排気経路における流路幅を前述のように規定することにより、強い排気力を用いて排気することなく、第１の空間および第２の空間を比較的容易に陽圧に保つことができる。 However, by defining the flow path width in the exhaust path as described above, the first space and the second space can be relatively easily maintained at positive pressure without exhausting using a strong exhaust force. ..
　この発明の一実施形態では、前記内側ガードと前記外側ガードとが、互いに独立して昇降可能に設けられている。 In one embodiment of the present invention, the inner guard and the outer guard are provided so as to be able to move up and down independently of each other.
　この構成によれば、第１のガード先端部と第２のガード先端部との上下方向の距離を調整できる。これにより、基板の上面と遮断部材の基板対向面との間隔によらずに、基板の周端面に対する第１のガード先端部の対向、および遮断部材の円板部の外周端に対する第２のガード先端部の対向を、容易に実現できる。 According to this configuration, the vertical distance between the first guard tip and the second guard tip can be adjusted. As a result, regardless of the distance between the upper surface of the substrate and the substrate facing surface of the blocking member, the first guard tip portion faces the peripheral end surface of the substrate and the second guard against the outer peripheral end of the disc portion of the blocking member. Opposition of the tips can be easily realized.
　前記内側ガードと前記外側ガードとが互いに独立して昇降可能である場合、前記基板処理装置は、前記内側ガードおよび前記外側ガードの少なくとも一方に設けられており、上下方向における前記内側ガードと前記外側ガードとの相対的な移動に伴って前記排気経路の流路幅を調整することにより、前記排気経路の圧力損失を変更する排気流量調整リングを、さらに含んでいてもよい。 When the inner guard and the outer guard can be raised and lowered independently of each other, the substrate processing device is provided on at least one of the inner guard and the outer guard, and the inner guard and the outer side in the vertical direction are provided. An exhaust flow rate adjusting ring that changes the pressure loss of the exhaust path by adjusting the flow path width of the exhaust path with relative movement to the guard may be further included.
　この構成によれば、内側ガードおよび外側ガードの相対的な上下関係を変更することにより、排気経路の流路幅を狭めて排気経路の圧力損失を高めることが可能である。これにより、第１の空間および第２の空間の双方を、さらに容易に陽圧に保つことが可能である。 According to this configuration, it is possible to narrow the flow path width of the exhaust path and increase the pressure loss of the exhaust path by changing the relative vertical relationship between the inner guard and the outer guard. This makes it possible to more easily maintain both the first space and the second space at positive pressure.
　この発明の一実施形態では、前記内側ガードの前記第１のガード先端部の前記内周端が、前記円板部の前記外周端よりも、水平方向に関して内側に位置している。 In one embodiment of the present invention, the inner peripheral end of the first guard tip portion of the inner guard is located inside the outer peripheral end of the disk portion in the horizontal direction.
　この構成によれば、基板の周端面とともに第１の環状隙間を形成する内側ガードの内周端が、外側ガードの内周端とともに第２の環状隙間を形成する円板部の外周端よりも、内側に位置するので、第２の隙間を基板の周端面から遠ざけることが可能である。仮に、基板の周端面が第２の隙間に近いと、酸素を含む雰囲気が第２の隙間を通って第２の空間に進入したときに、基板の上面の外周部が酸化されるおそれがある。 According to this configuration, the inner peripheral end of the inner guard forming the first annular gap together with the peripheral end surface of the substrate is larger than the outer peripheral end of the disk portion forming the second annular gap together with the inner peripheral end of the outer guard. Since it is located inside, it is possible to keep the second gap away from the peripheral end surface of the substrate. If the peripheral end surface of the substrate is close to the second gap, the outer peripheral portion of the upper surface of the substrate may be oxidized when an atmosphere containing oxygen enters the second space through the second gap. ..
　本構成では、第２の隙間を基板の周端面から遠ざけることが可能であるので、万が一、酸素を含む雰囲気が第２の隙間を通って第２の空間に進入した場合であっても、基板の上面が酸化されることを抑制または防止できる。 In this configuration, it is possible to keep the second gap away from the peripheral end surface of the substrate, so even if an atmosphere containing oxygen enters the second space through the second gap, the substrate It is possible to suppress or prevent the upper surface of the surface from being oxidized.
　この発明の第２の実施形態は、基板処理装置によって実行される基板処理方法を提供する。 A second embodiment of the present invention provides a substrate processing method executed by a substrate processing apparatus.
　前記基板処理装置は、チャンバーと、基板の下方に配置されており、平面視で前記基板よりも小さいベースプレート、を有し、前記ベースプレート上の前記基板を前記チャンバーの内部で水平に保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に間隔を空けて対向する基板対向面が設けられた円板部を有する遮断部材と、前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む第１の円筒部と、前記第１の円筒部の上端から、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の中央部を通る鉛直線に向かって延びる第１のガード先端部と、を有し、前記第１のガード先端部の内周端が、前記基板の周端面に、第１の環状隙間を隔てて水平に対向する、内側ガードと、前記第１の円筒部の周囲を取り囲む第２の円筒部と、前記第２の円筒部の上端から前記鉛直線に向かって延び、かつ前記第１のガード先端部よりも上方に位置する第２のガード先端部と、を有し、前記第２のガード先端部の内周端が、前記円板部の外周端に、第２の環状隙間を隔てて水平に対向する、外側ガードと、を有し、前記第１のガード先端部と前記第２のガード先端部とによって区画される第１の空間と、前記第１の空間に連通する排気経路と、が内部に形成された処理カップと、を含む。 The substrate processing apparatus has a chamber and a base plate which is arranged below the substrate and is smaller than the substrate in a plan view, and holds the substrate on the base plate horizontally inside the chamber. A unit, a blocking member having a disc portion provided with a substrate facing surface facing the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit at intervals, and a first surrounding the substrate holding unit. It has a cylindrical portion and a first guard tip portion extending from the upper end of the first cylindrical portion toward a vertical line passing through a central portion of the substrate held by the substrate holding unit. An inner guard in which the inner peripheral end of the guard tip portion 1 faces the peripheral end surface of the substrate horizontally with a first annular gap, and a second cylindrical portion surrounding the circumference of the first cylindrical portion. And a second guard tip that extends from the upper end of the second cylinder toward the vertical line and is located above the first guard tip, and has the second guard. The inner peripheral end of the tip portion has an outer guard that is horizontally opposed to the outer peripheral end of the disk portion with a second annular gap in between, and the first guard tip portion and the second guard tip portion. A processing cup in which a first space partitioned by a guard tip portion and an exhaust path communicating with the first space are formed therein is included.
　前記基板処理方法は、前記基板対向面と前記基板の上面との間隔を一定に保ちながら、前記基板保持ユニットに保持されている前記基板の上方に前記遮断部材を配置する遮断部材対向工程と、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の周端面に前記第１のガード先端部の内周端が第１の環状隙間を隔てて水平に対向し、かつ前記遮断部材の前記円板部の外周端に前記第２のガード先端部の内周端が第２の環状隙間を隔てて水平に対向するように、前記内側ガードおよび前記外側ガードを配置することにより、前記処理カップの内部に、前記第１のガード先端部と前記第２のガード先端部とによって区画される第１の空間と、前記第１の空間に連通する排気経路と、を形成するガード対向工程と、前記遮断部材対向工程および前記ガード対向工程に並行して、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板と前記遮断部材との間に形成される第２の空間に不活性ガスを供給して、前記第１の空間および前記第２の空間の双方を陽圧に保つ陽圧維持工程と、前記遮断部材対向工程、前記ガード対向工程および前記陽圧維持工程に並行して、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に薬液を供給して、前記基板の上面に薬液を用いた処理を施す薬液処理工程と、を含む。 The substrate processing method includes a blocking member facing step of arranging the blocking member above the substrate held by the substrate holding unit while maintaining a constant distance between the substrate facing surface and the upper surface of the substrate. The inner peripheral end of the first guard tip portion horizontally faces the peripheral end surface of the substrate held by the substrate holding unit with a first annular gap in between, and the disc portion of the blocking member. By arranging the inner guard and the outer guard so that the inner peripheral end of the second guard tip portion horizontally faces the outer peripheral end with a second annular gap, the inside of the processing cup A guard facing step for forming a first space partitioned by the first guard tip portion and the second guard tip portion and an exhaust path communicating with the first space, and the blocking member facing. In parallel with the step and the guard facing step, the inert gas is supplied to the second space formed between the substrate and the blocking member held by the substrate holding unit to supply the inert gas to the first space. It is held by the substrate holding unit in parallel with the positive pressure maintaining step of keeping both the space and the second space at positive pressure, the blocking member facing step, the guard facing step, and the positive pressure maintaining step. It includes a chemical solution treatment step of supplying a chemical solution to the upper surface of the substrate and performing a treatment using the chemical solution on the upper surface of the substrate.
　この方法によれば、基板保持ユニットに保持されている基板の上方に配置された遮断部材が、基板対向面と基板の上面との間隔が所定間隔になるように基板の上面に対向している。基板の周端面に、第１のガード先端部の内周端が水平方向に第１の環状隙間を隔てて対向している。円板部の外周端に、第２のガード先端部の内周端が水平方向に第２の環状隙間を隔てて対向している。基板および円板部を、処理カップに対して回転させる場合には、基板の周端面と第１のガード先端部との間、および円板部の外周端と第１のガード先端部との間に、それぞれ環状隙間（第１の環状隙間、第２の環状隙間）を設ける必要がある。 According to this method, the blocking member arranged above the substrate held by the substrate holding unit faces the upper surface of the substrate so that the distance between the substrate facing surface and the upper surface of the substrate becomes a predetermined distance. .. The inner peripheral end of the first guard tip portion faces the peripheral end surface of the substrate in the horizontal direction with a first annular gap in between. The inner peripheral end of the second guard tip is horizontally opposed to the outer peripheral end of the disk portion with a second annular gap in between. When the substrate and the disk portion are rotated with respect to the processing cup, between the peripheral end surface of the substrate and the first guard tip portion, and between the outer peripheral end of the disk portion and the first guard tip portion. It is necessary to provide an annular gap (a first annular gap and a second annular gap), respectively.
　第２の空間に不活性ガスを供給することにより、第１の空間（第１のガード先端部と第２のガード先端部とによって区画される空間）と第２の空間（基板と前記遮断部材との間に形成される空間）との双方を陽圧に保つ。これにより、第１の空間および第２の空間に連通するチャンバー内の空間である近接空間内の酸素を含む雰囲気が、２つの環状隙間を通って第２の空間に進入することを、効果的に抑制できる。これにより、第２の空間を低酸素環境下に保つことができる。 By supplying the inert gas to the second space, the first space (the space partitioned by the first guard tip and the second guard tip) and the second space (the substrate and the blocking member) The space formed between and the space) is kept at positive pressure. As a result, it is effective that the oxygen-containing atmosphere in the approach space, which is the space in the chamber communicating with the first space and the second space, enters the second space through the two annular gaps. Can be suppressed. As a result, the second space can be maintained in a low oxygen environment.
　不活性ガスの供給によって第１の空間および第２の空間が陽圧に保たれている状態で、薬液を用いた処理が基板の上面に施される。これにより、薬液を用いた処理を、低酸素環境下で基板に施すことができる。 Treatment with a chemical solution is performed on the upper surface of the substrate while the first space and the second space are maintained at positive pressure by the supply of the inert gas. Thereby, the treatment using the chemical solution can be applied to the substrate in a low oxygen environment.
　ゆえに、基板の外周部ではなく基板の中央部を支持する場合に、低酸素環境下で、薬液を用いた処理を基板の上面に施すことができる。 Therefore, when the central portion of the substrate is supported instead of the outer peripheral portion of the substrate, the upper surface of the substrate can be treated with a chemical solution in a low oxygen environment.
　この発明の第２実施形態では、前記陽圧維持工程が、前記排気経路から排出される排気の流量よりも多い流量の不活性ガスを前記第２の空間に供給する工程を含む。 In the second embodiment of the present invention, the positive pressure maintenance step includes a step of supplying an inert gas having a flow rate larger than the flow rate of the exhaust gas discharged from the exhaust path to the second space.
　この方法によれば、排気経路から排出される排気の流量よりも多い流量の不活性ガスが、第２の空間に供給される。これにより、第１の空間および第２の空間を比較的容易に陽圧に保つことができる。 According to this method, the inert gas having a flow rate larger than the flow rate of the exhaust gas discharged from the exhaust path is supplied to the second space. As a result, the first space and the second space can be relatively easily maintained at positive pressure.
　この発明の第３の実施形態は、チャンバーと、基板の下方に配置されており、平面視で前記基板よりも小さいベースプレート、を有し、前記ベースプレート上の前記基板を前記チャンバーの内部で水平に保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に間隔を空けて対向する基板対向面が設けられた円板部を有する遮断部材と、前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む第１の円筒部と、前記第１の円筒部の上端から、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の中央部を通る鉛直線に向かって延びる第１のガード先端部と、を有し、前記第１のガード先端部の内周端が、前記基板の周端面に、第１の環状隙間を隔てて水平に対向する、内側ガードと、前記第１の円筒部の周囲を取り囲む第２の円筒部と、前記第２の円筒部の上端から前記鉛直線に向かって延び、かつ前記第１のガード先端部よりも上方に位置する第２のガード先端部と、を有し、前記第２のガード先端部の内周端が、前記円板部の外周端に、第２の環状隙間を隔てて水平に対向する、外側ガードと、を有し、前記第１のガード先端部と前記第２のガード先端部とによって区画される第１の空間と、前記第１の空間に連通する排気経路と、が内部に形成された処理カップと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板と前記遮断部材との間に形成されており、前記第１の空間に連通する第２の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に薬液を供給する薬液供給ユニットと、を含む基板処理装置を提供する。 A third embodiment of the present invention has a chamber and a base plate that is located below the substrate and is smaller than the substrate in plan view, with the substrate on the base plate horizontally inside the chamber. A board holding unit to be held, a blocking member having a disc portion provided with a board facing surface facing the upper surface of the board held by the board holding unit at intervals, and a periphery of the board holding unit. It has a first cylindrical portion that surrounds it, and a first guard tip that extends from the upper end of the first cylindrical portion toward a vertical line passing through the central portion of the substrate held by the substrate holding unit. Then, the inner peripheral end of the first guard tip portion horizontally faces the peripheral end surface of the substrate with a first annular gap in between, and surrounds the inner guard and the periphery of the first cylindrical portion. It has two cylindrical portions and a second guard tip portion that extends from the upper end of the second cylindrical portion toward the vertical line and is located above the first guard tip portion. The inner peripheral end of the second guard tip portion has an outer guard that is horizontally opposed to the outer peripheral end of the disk portion with a second annular gap in between, and the first guard tip portion. A processing cup in which a first space partitioned by the second guard tip portion and an exhaust path communicating with the first space are internally formed, and the substrate holding unit holds the first space. An inert gas supply unit formed between the substrate and the blocking member and supplying the inert gas to the second space communicating with the first space, and the substrate holding unit holding the inert gas. Provided is a substrate processing apparatus including a chemical solution supply unit for supplying a chemical solution to the upper surface of the substrate.
　この構成によれば、基板保持ユニットに保持されている基板の上方に配置された遮断部材が、基板対向面と基板の上面との間隔が所定間隔になるように基板の上面に対向している。基板の周端面に、第１のガード先端部の内周端が水平方向に第１の環状隙間を隔てて対向している。円板部の外周端に、第２のガード先端部の内周端が水平方向に第２の環状隙間を隔てて対向している。第１の空間（第１のガード先端部と第２のガード先端部とによって区画される空間）と、第２の空間（基板と前記遮断部材との間に形成される空間）とが連通している。基板および円板部を、処理カップに対して回転させる場合には、基板の周端面と第１のガード先端部との間、および円板部の外周端と第１のガード先端部との間に、それぞれ環状隙間（第１の環状隙間、第２の環状隙間）を設ける必要がある。 According to this configuration, the blocking member arranged above the substrate held by the substrate holding unit faces the upper surface of the substrate so that the distance between the substrate facing surface and the upper surface of the substrate becomes a predetermined distance. .. The inner peripheral end of the first guard tip portion faces the peripheral end surface of the substrate in the horizontal direction with a first annular gap in between. The inner peripheral end of the second guard tip is horizontally opposed to the outer peripheral end of the disk portion with a second annular gap in between. The first space (the space partitioned by the first guard tip and the second guard tip) and the second space (the space formed between the substrate and the blocking member) communicate with each other. ing. When the substrate and the disk portion are rotated with respect to the processing cup, between the peripheral end surface of the substrate and the first guard tip portion, and between the outer peripheral end of the disk portion and the first guard tip portion. It is necessary to provide an annular gap (a first annular gap and a second annular gap), respectively.
　第２の空間に不活性ガスを供給することにより、第１の空間および第２の空間の双方を陽圧に保つことが可能である。この場合、第１の空間および第２の空間に連通するチャンバー内の空間である近接空間内の酸素を含む雰囲気が、２つの環状隙間を通って第２の空間に進入することを、効果的に抑制することが可能である。これにより、第２の空間を低酸素環境下に保つことが可能である。 By supplying the inert gas to the second space, it is possible to keep both the first space and the second space at positive pressure. In this case, it is effective that the oxygen-containing atmosphere in the approach space, which is the space in the chamber communicating with the first space and the second space, enters the second space through the two annular gaps. It is possible to suppress it. This makes it possible to keep the second space in a low oxygen environment.
　不活性ガスの供給によって第１の空間および第２の空間が陽圧に保たれている状態で、薬液を用いた処理を基板の上面に施すことにより、薬液を用いた処理を、低酸素環境下で基板に施すことが可能である。 In a state where the first space and the second space are maintained at positive pressure by the supply of the inert gas, the treatment using the chemical solution is performed on the upper surface of the substrate, so that the treatment using the chemical solution is performed in a low oxygen environment. It can be applied to the substrate below.
　ゆえに、基板の外周部ではなく基板の中央部を支持する場合であっても、低酸素環境下で、薬液を用いた処理を基板の上面に施すことが可能である。 Therefore, even when the central portion of the substrate is supported instead of the outer peripheral portion of the substrate, it is possible to perform the treatment using the chemical solution on the upper surface of the substrate in a low oxygen environment.
　本発明における前述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。 The above-mentioned or still other purposes, features and effects of the present invention will be clarified by the description of the embodiments described below with reference to the accompanying drawings.
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置を上から見た模式図である。FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention as viewed from above. 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of a processing unit provided in the substrate processing apparatus. 図３は、前記処理ユニットに備えられた遮断部材の底面図である。FIG. 3 is a bottom view of a blocking member provided in the processing unit. 図４Ａは、前記処理ユニットに備えられた処理カップのガード非対向状態を示す図である。FIG. 4A is a diagram showing a guard non-opposing state of the processing cup provided in the processing unit. 図４Ｂは、前記処理ユニットに備えられた処理カップのガード捕獲状態の一例を示す図である。FIG. 4B is a diagram showing an example of a guard capture state of the processing cup provided in the processing unit. 図５は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。FIG. 5 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the main part of the substrate processing apparatus. 図６は、前記基板処理装置によって処理される基板の表面を拡大して示す断面図である。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing the surface of the substrate processed by the substrate processing apparatus. 図７は、前記処理ユニットにおいて実行される基板処理例の内容を説明するための流れ図である。FIG. 7 is a flow chart for explaining the contents of a substrate processing example executed in the processing unit. 図８Ａは、前記基板処理例を説明するための図解的な図である。FIG. 8A is a schematic diagram for explaining the substrate processing example. 図８Ｂは、図８Ａに続く工程を説明するための図解的な図である。FIG. 8B is a schematic diagram for explaining the steps following FIG. 8A. 図８Ｃは、図８Ｂに続く工程を説明するための図解的な図である。FIG. 8C is a schematic diagram for explaining the steps following FIG. 8B. 図９は、本発明の第１の変形例を説明するための図である。FIG. 9 is a diagram for explaining a first modification of the present invention. 図１０は、本発明の第２の変形例を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining a second modification of the present invention. 図１１は、本発明の第３の変形例を説明するための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining a third modification of the present invention. 図１２は、基板の中央部を吸着保持するスピンチャックを用いた基板処理を説明するための図である。FIG. 12 is a diagram for explaining substrate processing using a spin chuck that attracts and holds the central portion of the substrate.
　図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１を上から見た模式図である。 FIG. 1 is a schematic view of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention as viewed from above.
　基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板処理装置１は、処理流体を用いて基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容する基板収容器Ｃが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送するインデクサロボットＩＲおよび搬送ロボットＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３と、を含む。インデクサロボットＩＲは、基板収容器Ｃと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。 The substrate processing device 1 is a single-wafer type device that processes substrates W such as silicon wafers one by one. In this embodiment, the substrate W is a disc-shaped substrate. The substrate processing apparatus 1 is a load port LP on which a plurality of processing units 2 for processing the substrate W using the processing fluid and a substrate container C accommodating a plurality of substrates W processed by the processing unit 2 are mounted. The indexer robot IR and the transfer robot CR that transfer the substrate W between the load port LP and the processing unit 2, and the control device 3 that controls the substrate processing device 1 are included. The indexer robot IR transfers the substrate W between the substrate container C and the transfer robot CR. The transfer robot CR transfers the substrate W between the indexer robot IR and the processing unit 2. The plurality of processing units 2 have, for example, a similar configuration.
　図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。図３は、遮断部材６の底面図である。図４Ａは、処理カップ１３のガード非対向状態を示す図である。図４Ｂは、処理カップ１３のガード捕獲状態（第２のガード捕獲状態）の一例を示す図である。 FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 2. FIG. 3 is a bottom view of the blocking member 6. FIG. 4A is a diagram showing a guard non-opposing state of the processing cup 13. FIG. 4B is a diagram showing an example of a guard capture state (second guard capture state) of the processing cup 13.
　図２に示すように、処理ユニット２は、箱形のチャンバー４と、チャンバー４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線（所定の鉛直線）Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（表面Ｗａ（図６参照））の上方の空間をその周囲の雰囲気から遮断するための遮断部材６と、を含む。処理ユニット２は、さらに、遮断部材６の内部で上下に延びており、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の中央部に向けて処理ガスや処理液（薬液、リンス液、有機溶剤等）などの処理流体を吐出するための中央ノズル７と、薬液の一例としてのフッ酸を中央ノズル７に供給するための薬液供給ユニット８と、リンス液を中央ノズル７に供給するためのリンス液供給ユニット９と、低表面張力液体としての有機溶剤を中央ノズル７に供給する有機溶剤供給ユニット１０と、不活性ガスを中央ノズル７に供給する不活性ガス供給ユニット１１と、スピンチャック５の側方を取り囲む筒状の処理カップ１３と、を含む。 As shown in FIG. 2, the processing unit 2 holds the box-shaped chamber 4 and one substrate W in the chamber 4 in a horizontal posture, and holds a vertical rotation axis (predetermined) passing through the center of the substrate W. (Vertical line) The space above the spin chuck (board holding unit) 5 that rotates the board W around A1 and the upper surface (surface Wa (see FIG. 6)) of the board W held by the spin chuck 5 is around it. Includes a blocking member 6 for blocking from the atmosphere. The processing unit 2 further extends vertically inside the blocking member 6, and the processing gas or processing liquid (chemical solution, rinsing solution, organic solvent) is directed toward the central portion of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5. Etc.), a central nozzle 7 for discharging a processing fluid such as, a chemical solution supply unit 8 for supplying a fluorophore as an example of a chemical solution to the central nozzle 7, and a rinse for supplying a rinse solution to the central nozzle 7. A liquid supply unit 9, an organic solvent supply unit 10 that supplies an organic solvent as a low surface tension liquid to the central nozzle 7, an inert gas supply unit 11 that supplies an inert gas to the central nozzle 7, and a spin chuck 5. Includes a tubular processing cup 13 that surrounds the sides.
　チャンバー４は、スピンチャック５や遮断部材６を収容する箱状の隔壁１８と、隔壁１８の上部から隔壁１８内に清浄空気（フィルタによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１９と、隔壁１８の下部からチャンバー４内の気体を排出する排気ダクト（排気ユニット）２０と、を含む。ＦＦＵ１９は、隔壁１８の上方に配置されており、隔壁１８の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１９は、隔壁１８の天井からチャンバー４内に下向きに清浄空気を送る。排気ダクト２０は、処理カップ１３の後述する円筒部材７０に接続されており、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気装置（排気ユニット）１４に接続されている。 The chamber 4 has a box-shaped partition wall 18 for accommodating the spin chuck 5 and the blocking member 6, and an FFU (fan. It includes a filter unit (19) and an exhaust duct (exhaust unit) 20 for discharging the gas in the chamber 4 from the lower part of the partition wall 18. The FFU 19 is arranged above the partition wall 18 and is attached to the ceiling of the partition wall 18. The FFU 19 sends clean air downward from the ceiling of the partition wall 18 into the chamber 4. The exhaust duct 20 is connected to a cylindrical member 70 described later of the processing cup 13, and is connected to an exhaust device (exhaust unit) 14 provided in a factory where the substrate processing device 1 is installed.
　排気ダクト２０は、排気装置１４に向けてチャンバー４内の気体を案内する。したがって、チャンバー４内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が、ＦＦＵ１９および排気ダクト２０によって形成される。基板Ｗの処理は、チャンバー４内にダウンフローが形成されている状態で行われる。 The exhaust duct 20 guides the gas in the chamber 4 toward the exhaust device 14. Therefore, a downflow (downflow) flowing downward in the chamber 4 is formed by the FFU 19 and the exhaust duct 20. The processing of the substrate W is performed in a state where a downflow is formed in the chamber 4.
　図２に示すように、スピンチャック５は、この実施形態では、真空吸着式のチャックである。スピンチャック５は、基板Ｗの下面（表面Ｗａと反対側の裏面）の中央部を吸着支持している。スピンチャック５は、鉛直な方向に延びた下スピン軸２１と、この下スピン軸２１の上端に取り付けられて、基板Ｗを水平な姿勢でその下面を吸着して保持するスピンベース２２と、下スピン軸２１と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ２３と、を備えている。基板Ｗは、スピンベース２２の上に置かれる。スピンベース２２は、基板Ｗの外径よりも小さな外径を有する水平な円形の上面２２ａを含む。基板Ｗの中心は、スピンベース２２の上面２２ａの中心部を通る鉛直な回転軸線Ａ１上に配置される。スピンベース２２は、基板Ｗの下面の中央部に接触するものの、基板Ｗの下面の外周部には接触しない。したがって、基板Ｗの下面がスピンベース２２に吸着保持された状態では、基板Ｗの外周部が、スピンベース２２の周端縁よりも外側にはみ出ている。スピンモータ２３が駆動されることにより、下スピン軸２１の中心軸線まわりに基板Ｗが回転される。 As shown in FIG. 2, the spin chuck 5 is a vacuum suction type chuck in this embodiment. The spin chuck 5 attracts and supports the central portion of the lower surface of the substrate W (the back surface opposite to the front surface Wa). The spin chuck 5 includes a lower spin shaft 21 extending in a vertical direction, a spin base 22 attached to the upper end of the lower spin shaft 21, and a spin base 22 that attracts and holds the lower surface of the substrate W in a horizontal posture. It includes a spin motor 23 having a rotation shaft coaxially coupled to the spin shaft 21. The substrate W is placed on the spin base 22. The spin base 22 includes a horizontal circular upper surface 22a having an outer diameter smaller than the outer diameter of the substrate W. The center of the substrate W is arranged on the vertical rotation axis A1 passing through the center of the upper surface 22a of the spin base 22. Although the spin base 22 contacts the central portion of the lower surface of the substrate W, it does not contact the outer peripheral portion of the lower surface of the substrate W. Therefore, in a state where the lower surface of the substrate W is attracted and held by the spin base 22, the outer peripheral portion of the substrate W protrudes outside the peripheral edge of the spin base 22. By driving the spin motor 23, the substrate W is rotated around the central axis of the lower spin shaft 21.
　遮断部材６は、遮断板２６と、遮断板２６に一体回転可能に設けられた上スピン軸２７と、を含む。遮断板２６は、水平な姿勢で保持された円板部２８を含む。円板部２８の中央部には、遮断板２６および上スピン軸２７を上下に貫通する円筒状の貫通穴が形成されている。貫通穴は、内部空間を区画する円筒状の内周面を含む。貫通穴には、中央ノズル７が上下に挿通している。遮断板２６（すなわち円板部２８）は、基板Ｗの外径よりも大きい外径を有する円板状である。 The blocking member 6 includes a blocking plate 26 and an upper spin shaft 27 rotatably provided on the blocking plate 26. The blocking plate 26 includes a disc portion 28 held in a horizontal position. A cylindrical through hole that vertically penetrates the blocking plate 26 and the upper spin shaft 27 is formed in the central portion of the disk portion 28. The through hole includes a cylindrical inner peripheral surface that partitions the internal space. The central nozzle 7 is inserted vertically through the through hole. The blocking plate 26 (that is, the disk portion 28) has a disk shape having an outer diameter larger than the outer diameter of the substrate W.
　遮断板２６（円板部２８）の下面には、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に上下方向に対向する基板対向面２６ａが形成されている。基板対向面２６ａは、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面と平行な平坦面である。 On the lower surface of the blocking plate 26 (disk portion 28), a substrate facing surface 26a facing in the vertical direction is formed on the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5. The substrate facing surface 26a is a flat surface parallel to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5.
　中央ノズル７は、遮断板２６（円板部２８）および基板Ｗの中心を通る鉛直な軸線、すなわち、回転軸線Ａ１に沿って上下方向に延びている。中央ノズル７は、スピンチャック５の上方に配置され、遮断板２６および上スピン軸２７の内部空間を挿通する。中央ノズル７は、遮断板２６および上スピン軸２７と共に昇降する。 The central nozzle 7 extends in the vertical direction along a vertical axis passing through the center of the blocking plate 26 (disk portion 28) and the substrate W, that is, the rotation axis A1. The central nozzle 7 is arranged above the spin chuck 5 and passes through the internal space of the blocking plate 26 and the upper spin shaft 27. The central nozzle 7 moves up and down together with the blocking plate 26 and the upper spin shaft 27.
　上スピン軸２７は、遮断板２６の上方で水平に延びる支持アーム３１に相対回転可能に支持されている。遮断板２６および上スピン軸２７には、電動モータ等を含む遮断板回転ユニット３２が結合されている。遮断板回転ユニット３２は、遮断板２６および上スピン軸２７を、支持アーム３１に対して回転軸線Ａ１と同軸の中心軸線まわりに回転させる。 The upper spin shaft 27 is supported by a support arm 31 extending horizontally above the blocking plate 26 so as to be relatively rotatable. A blocking plate rotating unit 32 including an electric motor and the like is coupled to the blocking plate 26 and the upper spin shaft 27. The cutoff plate rotating unit 32 rotates the cutoff plate 26 and the upper spin shaft 27 around the central axis coaxial with the rotation axis A1 with respect to the support arm 31.
　また、支持アーム３１には、電動モータ、ボールねじ等を含む遮断部材昇降ユニット３３が結合されている。遮断部材昇降ユニット３３は、遮断部材６（遮断板２６および上スピン軸２７）および中央ノズル７を、支持アーム３１と共に鉛直方向に昇降させる。 Further, the support arm 31 is coupled with a blocking member elevating unit 33 including an electric motor, a ball screw, and the like. The blocking member elevating unit 33 raises and lowers the blocking member 6 (blocking plate 26 and upper spin shaft 27) and the central nozzle 7 in the vertical direction together with the support arm 31.
　遮断部材昇降ユニット３３は、遮断板２６を、基板対向面２６ａがスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に近接する下位置（図２に破線で示す位置）と、基板対向面２６ａから基板Ｗの上面までの上下方向の距離が下位置のときよりも大きい上位置（図２に実線で示す位置）と、の間で昇降させる。 The blocking member elevating unit 33 displays the blocking plate 26 from a lower position (position shown by a broken line in FIG. 2) where the substrate facing surface 26a is held by the spin chuck 5 close to the upper surface of the substrate W and from the substrate facing surface 26a. It is moved up and down between the upper position (the position shown by the solid line in FIG. 2) where the vertical distance to the upper surface of the substrate W is larger than that in the lower position.
　遮断空間は、後述するガード間空間ＳＰ１（第１の空間。図４Ｂ等参照）と、基板上空間ＳＰ２（第２の空間。図４Ｂ等参照）とによって形成されている。基板上空間ＳＰ２は、下位置に位置している遮断部材６の基板対向面２６ａと基板Ｗの上面との間の空間である。この遮断空間は、その周囲の空間から完全に隔離されているわけではないが、基板上空間ＳＰ２およびガード間空間ＳＰ１は、それらに連通するチャンバー４内の空間（以下、「近接空間ＳＰ３」（図４Ｂ等参照）という）との間で流体の流通がほとんどない。 The blocking space is formed by a space between guards SP1 (first space, see FIG. 4B, etc.) and a space SP2 on the substrate (second space, see FIG. 4B, etc.), which will be described later. The space SP2 on the substrate is a space between the substrate facing surface 26a of the blocking member 6 located at the lower position and the upper surface of the substrate W. Although this cutoff space is not completely isolated from the space around it, the space SP2 on the substrate and the space SP1 between guards are the spaces in the chamber 4 communicating with them (hereinafter, "proximity space SP3" (hereinafter, "proximity space SP3"). There is almost no fluid flow to and from)).
　中央ノズル７は、上下に延びる円柱状のケーシング４０と、それぞれケーシング４０の内部を上下に挿通する第１のノズル配管４１、第２のノズル配管４６、第３のノズル配管５１および第４のノズル配管５６と、を含む。第１～第４のノズル配管４１，４６，５１，５６のそれぞれは、インナーチューブに相当する。 The central nozzle 7 has a cylindrical casing 40 extending vertically, and a first nozzle pipe 41, a second nozzle pipe 46, a third nozzle pipe 51, and a fourth nozzle that vertically insert the inside of the casing 40, respectively. Includes piping 56 and. Each of the first to fourth nozzle pipes 41, 46, 51, 56 corresponds to an inner tube.
　図３に示すように、第１のノズル配管４１の下端は、ケーシング４０の下端面に開口して、第１の吐出口（中央部吐出口）４１ａを形成している。第１のノズル配管４１には、薬液供給ユニット８からの薬液が供給される。 As shown in FIG. 3, the lower end of the first nozzle pipe 41 opens to the lower end surface of the casing 40 to form the first discharge port (central discharge port) 41a. The chemical solution from the chemical solution supply unit 8 is supplied to the first nozzle pipe 41.
　図２に示すように、薬液供給ユニット８は、第１のノズル配管４１の上流端に接続された薬液配管４２と、薬液配管４２の途中部に介装された薬液バルブ４３と、薬液配管４２を流れる薬液の流量を変更する第１の流量調整バルブ４４と、を含む。薬液配管４２には、薬液供給源から溶存酸素量が低減された（溶存酸素濃度の低い）薬液が供給される。第１の流量調整バルブ４４は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータと、を含む構成であってもよい。他の流量調整バルブも、同等の構成であってもよい。 As shown in FIG. 2, the chemical liquid supply unit 8 includes a chemical liquid pipe 42 connected to the upstream end of the first nozzle pipe 41, a chemical liquid valve 43 interposed in the middle of the chemical liquid pipe 42, and a chemical liquid pipe 42. Includes a first flow rate adjusting valve 44, which changes the flow rate of the chemical liquid flowing through the pipe. A chemical solution having a reduced amount of dissolved oxygen (low dissolved oxygen concentration) is supplied to the chemical solution pipe 42 from the chemical solution supply source. The first flow rate adjusting valve 44 includes a valve body having a valve seat inside, a valve body that opens and closes the valve seat, and an actuator that moves the valve body between an open position and a closed position. It may be. Other flow rate adjusting valves may have the same configuration.
　薬液バルブ４３が開かれると、第１の吐出口４１ａから下方に薬液が吐出される。薬液バルブ４３が閉じられると、第１の吐出口４１ａからの薬液の吐出が停止される。第１の流量調整バルブ４４によって、第１の吐出口４１ａからの薬液の吐出流量が調整される。薬液は、フッ酸（希フッ酸）、バファードフッ酸（Buffered HF：フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液）、ＦＯＭ（フッ酸オゾン）、ＦＰＭ（フッ酸過酸化水素水混合液）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）およびポリマー除去液などを例示できる。フッ酸を含む薬液（フッ酸、バファードフッ酸、ＦＯＭ、ＦＰＭ等）は、酸化膜（シリコン酸化膜）を除去するエッチング液として好適である。 When the chemical solution valve 43 is opened, the chemical solution is discharged downward from the first discharge port 41a. When the chemical solution valve 43 is closed, the discharge of the chemical solution from the first discharge port 41a is stopped. The first flow rate adjusting valve 44 adjusts the discharge flow rate of the chemical solution from the first discharge port 41a. The chemicals are hydrofluoric acid (dilute hydrofluoric acid), buffered hydrofluoric acid (Buffered HF: mixed solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride), FOM (ozone hydrofluoric acid), FPM (mixed solution of hydrogen peroxide solution of hydrofluoric acid), SC1 ( Ammonia hydrogen peroxide mixture), SC2 (hydrochloric acid hydrogen peroxide mixture), SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture), polymer removal solution, and the like can be exemplified. A chemical solution containing hydrofluoric acid (hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid, FOM, FPM, etc.) is suitable as an etching solution for removing an oxide film (silicon oxide film).
　フッ酸を含む薬液を用いる場合、薬液配管４２に供給されるフッ酸を含む薬液は、フッ酸中の酸素によって基板Ｗの表面Ｗａが酸化されることを防止するために、溶存酸素量が十分に低減されたものである。溶存酸素量が低減された薬液が，薬液供給源から薬液配管４２に供給されている。 When a chemical solution containing hydrofluoric acid is used, the chemical solution containing hydrofluoric acid supplied to the chemical solution pipe 42 has a sufficient amount of dissolved oxygen in order to prevent the surface Wa of the substrate W from being oxidized by the oxygen in the hydrofluoric acid. It has been reduced to. A chemical solution having a reduced amount of dissolved oxygen is supplied to the chemical solution pipe 42 from the chemical solution supply source.
　図３に示すように、第２のノズル配管４６の下端は、ケーシング４０の下端面に開口して、第２の吐出口（中央部吐出口）４６ａを形成している。第２のノズル配管４６には、リンス液供給ユニット９からのリンス液が供給される。 As shown in FIG. 3, the lower end of the second nozzle pipe 46 opens to the lower end surface of the casing 40 to form the second discharge port (central discharge port) 46a. The rinse liquid from the rinse liquid supply unit 9 is supplied to the second nozzle pipe 46.
　図２に示すように、リンス液供給ユニット９は、第２のノズル配管４６の上流端に接続されたリンス液配管４７と、リンス液配管４７の途中部に介装されたリンス液バルブ４８と、リンス液配管４７を流れるリンス液の流量を変更する第２の流量調整バルブ４９と、を含む。リンス液バルブ４８が開かれると、第２の吐出口４６ａから下方にリンス液が吐出される。リンス液バルブ４８が閉じられると、第２の吐出口４６ａからのリンス液の吐出が停止される。第２の流量調整バルブ４９によって、第２の吐出口４６ａからのリンス液の吐出流量が調整される。リンス液は、水である。水は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）であるが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。 As shown in FIG. 2, the rinse liquid supply unit 9 includes a rinse liquid pipe 47 connected to the upstream end of the second nozzle pipe 46 and a rinse liquid valve 48 interposed in the middle of the rinse liquid pipe 47. A second flow rate adjusting valve 49 for changing the flow rate of the rinse liquid flowing through the rinse liquid pipe 47 is included. When the rinse liquid valve 48 is opened, the rinse liquid is discharged downward from the second discharge port 46a. When the rinse liquid valve 48 is closed, the discharge of the rinse liquid from the second discharge port 46a is stopped. The second flow rate adjusting valve 49 adjusts the discharge flow rate of the rinse liquid from the second discharge port 46a. The rinse solution is water. The water is, for example, deionized water (DIW), but is not limited to DIW, and may be carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, ammonia water, or hydrochloric acid water having a dilution concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm). It may be.
　図３に示すように、第３のノズル配管５１の下端は、ケーシング４０の下端面に開口して、第３の吐出口（中央部吐出口）５１ａを形成している。第３のノズル配管５１には、有機溶剤供給ユニット１０からの有機溶剤が供給される。 As shown in FIG. 3, the lower end of the third nozzle pipe 51 opens to the lower end surface of the casing 40 to form a third discharge port (central discharge port) 51a. The organic solvent from the organic solvent supply unit 10 is supplied to the third nozzle pipe 51.
　図２に示すように、有機溶剤供給ユニット１０は、第３のノズル配管５１の上流端に接続された有機溶剤配管５２と、有機溶剤配管５２の途中部に介装された有機溶剤バルブ５３と、有機溶剤配管５２を流れる有機溶剤の流量を変更する第３の流量調整バルブ５４と、を含む。有機溶剤バルブ５３が開かれると、第３の吐出口５１ａから下方に有機溶剤が吐出される。有機溶剤バルブ５３が閉じられると、第３の吐出口５１ａからの有機溶剤の吐出が停止される。第３の流量調整バルブ５４によって、第３の吐出口５１ａからの有機溶剤の吐出流量が調整される。 As shown in FIG. 2, the organic solvent supply unit 10 includes an organic solvent pipe 52 connected to the upstream end of the third nozzle pipe 51 and an organic solvent valve 53 interposed in the middle of the organic solvent pipe 52. A third flow rate adjusting valve 54 for changing the flow rate of the organic solvent flowing through the organic solvent pipe 52 is included. When the organic solvent valve 53 is opened, the organic solvent is discharged downward from the third discharge port 51a. When the organic solvent valve 53 is closed, the discharge of the organic solvent from the third discharge port 51a is stopped. The third flow rate adjusting valve 54 adjusts the discharge flow rate of the organic solvent from the third discharge port 51a.
　有機溶剤配管５２に供給される有機溶剤は、水よりも表面張力が低い溶剤である。有機溶剤の具体例としては、アルコールや、フッ素系有機溶剤とアルコールの混合液が挙げられる。アルコールは、たとえば、メチルアルコール、エタノール、プロピルアルコール、およびＩＰＡの少なくとも一つを含む。フッ素系有機溶剤は、たとえば、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、ＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）の少なくとも一つを含む。以下では、有機溶剤がＩＰＡ（isopropyl alcohol）である例を説明する。 The organic solvent supplied to the organic solvent pipe 52 is a solvent having a lower surface tension than water. Specific examples of the organic solvent include alcohol and a mixed solution of a fluorine-based organic solvent and alcohol. Alcohols include, for example, at least one of methyl alcohol, ethanol, propyl alcohol, and IPA. The fluorinated organic solvent contains, for example, at least one of HFE (hydrofluoroether) and HFC (hydrofluorocarbon). In the following, an example in which the organic solvent is IPA (isopropyl alcohol) will be described.
　図３に示すように、第４のノズル配管５６の下端は、ケーシング４０の下端面に開口して、第４の吐出口（不活性ガス吐出口）５６ａを形成している。第４のノズル配管５６には、不活性ガス供給ユニット１１からの不活性ガスが供給される。 As shown in FIG. 3, the lower end of the fourth nozzle pipe 56 opens to the lower end surface of the casing 40 to form the fourth discharge port (inert gas discharge port) 56a. The inert gas from the inert gas supply unit 11 is supplied to the fourth nozzle pipe 56.
　図２に示すように、不活性ガス供給ユニット１１は、第４のノズル配管５６の上流端に接続された不活性ガス配管５７と、不活性ガス配管５７の途中部に介装された不活性ガスバルブ５８と、不活性ガス配管５７を流れる不活性ガスの流量を変更する第４の流量調整バルブ５９と、を含む。不活性ガスバルブ５８が開かれると、第４の吐出口５６ａから下方に不活性ガスが吐出される（吹き出される）。不活性ガスバルブ５８が閉じられると、第４の吐出口５６ａからの不活性ガスの吐出が停止される。第４の流量調整バルブ５９によって、第４の吐出口５６ａからの不活性ガスの吐出流量が調整される。不活性ガスは、たとえば、窒素ガスであるが、アルゴンガス等であってもよい。 As shown in FIG. 2, the inert gas supply unit 11 has an inert gas pipe 57 connected to the upstream end of the fourth nozzle pipe 56 and an inert gas pipe 57 interposed in the middle of the inert gas pipe 57. It includes a gas valve 58 and a fourth flow rate adjusting valve 59 that changes the flow rate of the inert gas flowing through the inert gas pipe 57. When the inert gas valve 58 is opened, the inert gas is discharged (blowed out) downward from the fourth discharge port 56a. When the inert gas valve 58 is closed, the discharge of the inert gas from the fourth discharge port 56a is stopped. The fourth flow rate adjusting valve 59 adjusts the discharge flow rate of the inert gas from the fourth discharge port 56a. The inert gas is, for example, nitrogen gas, but may be argon gas or the like.
　図２、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、処理カップ１３は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。 As shown in FIGS. 2, 4A and 4B, the processing cup 13 is arranged outside the substrate W held by the spin chuck 5 (in the direction away from the rotation axis A1).
　以下、主として図４Ａおよび図４Ｂを参照しながら、処理カップ１３について説明する。 Hereinafter, the processing cup 13 will be described mainly with reference to FIGS. 4A and 4B.
　処理カップ１３は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗから排出される処理液（薬液、リンス液、有機溶剤等）を捕獲し、処理液の種類に応じた排液設備に送る。処理カップ１３は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗ上の雰囲気を排気ダクト２０を介して排気装置１４に送る。 The processing cup 13 captures the processing liquid (chemical solution, rinsing liquid, organic solvent, etc.) discharged from the substrate W held by the spin chuck 5 and sends it to the drainage facility according to the type of the treatment liquid. The processing cup 13 sends the atmosphere on the substrate W held by the spin chuck 5 to the exhaust device 14 via the exhaust duct 20.
　処理カップ１３は、円筒部材７０と、円筒部材７０の内側においてスピンチャック５の周囲を取り囲む複数のカップ（第１のカップ７１、第２のカップ７２、第３のカップ７３）と、基板Ｗの周囲に飛散した処理液を受け止める複数（図２の例では３つ）のガード（第１のガード（内側ガード）７４、第２のガード（外側ガード）７５、第３のガード７６）と、複数のガードを個別に昇降させるガード昇降ユニット７８と、を含む。処理カップ１３は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの外周よりも外側（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。 The processing cup 13 includes a cylindrical member 70, a plurality of cups (first cup 71, second cup 72, third cup 73) surrounding the spin chuck 5 inside the cylindrical member 70, and a substrate W. Multiple guards (first guard (inner guard) 74, second guard (outer guard) 75, third guard 76) that receive the treatment liquid scattered around (three in the example of FIG. 2) Includes a guard elevating unit 78 that elevates and elevates the guards of The processing cup 13 is arranged outside the outer circumference of the substrate W held by the spin chuck 5 (in the direction away from the rotation axis A1).
　各カップ（第１のカップ７１、第２のカップ７２、第３のカップ７３）は、円筒状（円環状）であり、スピンチャック５の周囲を取り囲んでいる。内側から２番目の第２のカップ７２は、第１のカップ７１よりも外側に配置されており、最も外側の第３のカップ７３は、第２のカップ７２よりも外側に配置されている。第３のカップ７３は、たとえば、第２のガード７５と一体であり、第２のガード７５と共に昇降する。各カップ（第１のカップ７１、第２のカップ７２、第３のカップ７３）は、上向きに開いた環状の溝を形成している。 Each cup (first cup 71, second cup 72, third cup 73) has a cylindrical shape (annular shape) and surrounds the spin chuck 5. The second cup 72, which is the second from the inside, is arranged outside the first cup 71, and the third cup 73, which is the outermost, is arranged outside the second cup 72. The third cup 73 is integrated with, for example, the second guard 75, and moves up and down together with the second guard 75. Each cup (first cup 71, second cup 72, third cup 73) forms an annular groove that opens upward.
　第１のカップ７１の溝には、第１の排液配管７９が接続されている。第１のカップ７１の溝に導かれた処理液（主としてリンス液）は、第１の排液配管７９を通して、基板処理装置１外の排液処理設備に送られ、この排液処理設備において処理される。 The first drainage pipe 79 is connected to the groove of the first cup 71. The treatment liquid (mainly the rinse liquid) guided to the groove of the first cup 71 is sent to the drainage treatment equipment outside the substrate treatment apparatus 1 through the first drainage pipe 79 and processed in this drainage treatment equipment. Will be done.
　第２のカップ７２の溝には、第２の排液配管８０が接続されている。第２のカップ７２の溝に導かれた処理液（主として薬液）は、第２の排液配管８０を通して、基板処理装置１外の排液処理設備に送られ、この排液処理設備において処理される。 The second drainage pipe 80 is connected to the groove of the second cup 72. The treatment liquid (mainly the chemical liquid) guided to the groove of the second cup 72 is sent to the drainage treatment facility outside the substrate treatment device 1 through the second drainage pipe 80, and is treated in this drainage treatment facility. To.
　第３のカップ７３の溝には、第３の排液配管８１が接続されている。第３のカップ７３の溝に導かれた処理液（主として有機溶剤）は、第３の排液配管８１を通して、基板処理装置１外の排液処理設備に送られ、この排液処理設備において処理される。 A third drainage pipe 81 is connected to the groove of the third cup 73. The treatment liquid (mainly an organic solvent) guided to the groove of the third cup 73 is sent to the drainage treatment equipment outside the substrate treatment apparatus 1 through the third drainage pipe 81 and processed in this drainage treatment equipment. Will be done.
　最も内側の第１のガード７４は、スピンチャック５の周囲を取り囲み、基板Ｗの回転軸線Ａ１（図２参照）に対して、平面視でほぼ回転対称な形状を有している。第１のガード７４は、スピンチャック５の周囲を取り囲む円筒状の下端部８３と、下端部８３の上端から外方（基板Ｗの回転軸線Ａ１から遠ざかる方向）に延びる筒状部８４と、筒状部８４の上面外周部から鉛直上方に延びる中段の第１の円筒部８５と、第１の円筒部８５の上端から内方（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に延びる円環状の第１のガード先端部８６と、を含む。下端部８３は、第１のカップ７１の溝上に位置し、第１のガード７４と第１のカップ７１とが最も近接した状態で、第１のカップ７１の溝の内部に収容される。第１のガード７４の内周端７４ａ（第１のガード先端部８６の先端）は、平面視で、スピンチャック５に保持される基板Ｗを取り囲む円形である。第１のガード７４の内周端７４ａの内径は、基板Ｗの外径よりも大きい。第１のガード先端部８６は、第１の円筒部８５の上端から内側に、斜め上方に延びる傾斜部である。図４Ａ、図４Ｂ等に示すように、第１のガード先端部８６の断面形状は直線状である。 The innermost first guard 74 surrounds the spin chuck 5 and has a shape substantially rotationally symmetric in plan view with respect to the rotation axis A1 (see FIG. 2) of the substrate W. The first guard 74 includes a cylindrical lower end portion 83 that surrounds the circumference of the spin chuck 5, a cylindrical portion 84 that extends outward from the upper end of the lower end portion 83 (in a direction away from the rotation axis A1 of the substrate W), and a cylinder. The first cylindrical portion 85 in the middle stage extending vertically upward from the outer peripheral portion of the upper surface of the shaped portion 84, and the annular first cylindrical portion extending inward (in the direction approaching the rotation axis A1 of the substrate W) from the upper end of the first cylindrical portion 85. The guard tip portion 86 of 1 is included. The lower end portion 83 is located on the groove of the first cup 71, and is housed inside the groove of the first cup 71 with the first guard 74 and the first cup 71 being closest to each other. The inner peripheral end 74a (tip of the first guard tip portion 86) of the first guard 74 is a circular shape surrounding the substrate W held by the spin chuck 5 in a plan view. The inner diameter of the inner peripheral end 74a of the first guard 74 is larger than the outer diameter of the substrate W. The first guard tip portion 86 is an inclined portion extending obliquely upward from the upper end of the first cylindrical portion 85 inward. As shown in FIGS. 4A, 4B, etc., the cross-sectional shape of the first guard tip portion 86 is linear.
　内側から２番目の第２のガード７５は、第１のガード７４の外側において、スピンチャック５の周囲を取り囲み、基板Ｗの回転軸線Ａ１に対してほぼ回転対称な形状を有している。第２のガード７５は、第１のガード７４と同軸の第２の円筒部８７と、第２の円筒部８７の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に延びる第２のガード先端部８８と、を有している。第２の円筒部８７は、第２のカップ７２の溝上に位置している。第２のガード先端部８８は、第２の円筒部８７の上端から内側に、斜め上方に延びる傾斜部である。図４Ａ、図４Ｂ等に示すように、第２のガード先端部８８の断面形状は直線状である。第２のガード７５の内周端７５ａ（第２のガード先端部８８の先端）は、平面視で、スピンチャック５に保持される基板Ｗを取り囲む円形である。第２のガード７５の内周端７５ａの内径は、基板Ｗの外径よりも大きい。 The second guard 75, which is the second from the inside, surrounds the spin chuck 5 on the outside of the first guard 74, and has a shape substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis A1 of the substrate W. The second guard 75 has a second cylindrical portion 87 coaxial with the first guard 74, and a second guard 75 extending from the upper end of the second cylindrical portion 87 toward the center (direction approaching the rotation axis A1 of the substrate W). It has a guard tip portion 88 and. The second cylindrical portion 87 is located on the groove of the second cup 72. The second guard tip portion 88 is an inclined portion extending obliquely upward from the upper end of the second cylindrical portion 87 inward. As shown in FIGS. 4A, 4B, etc., the cross-sectional shape of the second guard tip portion 88 is linear. The inner peripheral end 75a of the second guard 75 (the tip of the second guard tip 88) is a circular shape surrounding the substrate W held by the spin chuck 5 in a plan view. The inner diameter of the inner peripheral end 75a of the second guard 75 is larger than the outer diameter of the substrate W.
　第２のガード先端部８８は、第１のガード７４の第１のガード先端部８６の上方に配置されており、平面視で第１のガード７４の第１のガード先端部８６に重なる。第２のガード先端部８８は、第１のガード７４と第２のガード７５とが上下方向に最も近接した状態で第１のガード先端部８６に対して接触せずに近接するように形成されている。 The second guard tip portion 88 is arranged above the first guard tip portion 86 of the first guard 74, and overlaps the first guard tip portion 86 of the first guard 74 in a plan view. The second guard tip 88 is formed so that the first guard 74 and the second guard 75 are closest to each other in the vertical direction without contacting the first guard tip 86. ing.
　最も外側の第３のガード７６は、第２のガード７５の外側において、スピンチャック５の周囲を取り囲み、基板Ｗの回転軸線Ａ１に対して、平面視でほぼ回転対称な形状を有している。第３のガード７６は、第２のガード７５と同軸の円筒部８９と、円筒部８９の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に延びる第３のガード先端部９０と、を有している。円筒部８９は、第３のカップ７３の溝上に位置している。第３のガード７６の内周端７６ａ（第３のガード先端部９０の先端）は、平面視で、スピンチャック５に保持される基板Ｗを取り囲む円形である。第３のガード７６の内周端７６ａの内径は、基板Ｗの外径よりも大きい。第３のガード先端部９０は、円筒部８９の上端から内側に、斜め上方に延びる傾斜部である。図４Ａ、図４Ｂ等に示すように、第３のガード先端部９０の断面形状は直線状である。 The outermost third guard 76 surrounds the spin chuck 5 on the outside of the second guard 75, and has a shape substantially rotationally symmetric in plan view with respect to the rotation axis A1 of the substrate W. .. The third guard 76 includes a cylindrical portion 89 coaxial with the second guard 75, and a third guard tip portion 90 extending from the upper end of the cylindrical portion 89 toward the center (direction approaching the rotation axis A1 of the substrate W). have. The cylindrical portion 89 is located on the groove of the third cup 73. The inner peripheral end 76a (the tip of the third guard tip 90) of the third guard 76 is a circular shape surrounding the substrate W held by the spin chuck 5 in a plan view. The inner diameter of the inner peripheral end 76a of the third guard 76 is larger than the outer diameter of the substrate W. The third guard tip 90 is an inclined portion extending diagonally upward from the upper end of the cylindrical portion 89 inward. As shown in FIGS. 4A, 4B, etc., the cross-sectional shape of the third guard tip 90 is linear.
　第３のガード先端部９０は、第２のガード７５の第２のガード先端部８８の上方に配置されており、平面視で第２のガード７５の第２のガード先端部８８に重なる。第３のガード先端部９０は、第２のガード７５と第３のガード７６とが上下方向に最も近接した状態で第２のガード先端部８８に対して接触せずに近接するように形成されている。 The third guard tip 90 is arranged above the second guard tip 88 of the second guard 75 and overlaps the second guard tip 88 of the second guard 75 in a plan view. The third guard tip 90 is formed so that the second guard 75 and the third guard 76 are closest to each other in the vertical direction without contacting the second guard tip 88. ing.
　各先端部（第１のガード先端部８６、第２のガード先端部８８、第３のガード先端部９０）の内周端（すなわち、先端）７４ａ，７５ａ，７６ａは、下方に折れ曲がった折り返し部の内周端によって規定されている。 The inner peripheral ends (that is, the tips) 74a, 75a, 76a of each tip (first guard tip 86, second guard tip 88, third guard tip 90) are folded portions that are bent downward. It is defined by the inner peripheral edge of.
　処理カップ１３は、折り畳み可能である。ガード昇降ユニット７８が３つのガード（第１のガード７４、第２のガード７５、第３のガード７６）の少なくとも一つを昇降させることにより、処理カップ１３の展開および折り畳みが行われる。 The processing cup 13 is foldable. The processing cup 13 is unfolded and folded by the guard elevating unit 78 raising and lowering at least one of the three guards (first guard 74, second guard 75, and third guard 76).
　ガード昇降ユニット７８は、各ガード（第１のガード７４、第２のガード７５、第３のガード７６）を上位置と下位置との間で昇降させる。ガード昇降ユニット７８は、上位置から下位置までの範囲内の任意の位置で各ガードを静止させることができる。上位置は、先端部（第１のガード先端部８６、第２のガード先端部８８、第３のガード先端部９０）の内周端が、基板Ｗの上面よりも上方に配置される位置であり、下位置は、前記先端部の前記内周端が基板Ｗの上面よりも下方に配置される位置である。 The guard elevating unit 78 raises and lowers each guard (first guard 74, second guard 75, third guard 76) between the upper position and the lower position. The guard elevating unit 78 can make each guard stationary at an arbitrary position within the range from the upper position to the lower position. The upper position is a position where the inner peripheral end of the tip portion (first guard tip portion 86, second guard tip portion 88, third guard tip portion 90) is arranged above the upper surface of the substrate W. The lower position is a position where the inner peripheral end of the tip portion is arranged below the upper surface of the substrate W.
　第２のガード７５の内周端７５ａおよび第３のガード７６の内周端７６ａが、第１のガード７４の内周端７４ａよりも、径方向外方に位置している。すなわち、第２のガード７５の内周端７５ａおよび第３のガード７６の内周端７６ａの直径Ｄ２（図４Ａ参照）が、第１のガード７４の内周端７４ａの直径Ｄ１（図４Ａ参照）よりも大きい（Ｄ２＞Ｄ１）。直径Ｄ２と直径Ｄ１との差は、たとえば１０ｍｍである。 The inner peripheral end 75a of the second guard 75 and the inner peripheral end 76a of the third guard 76 are located radially outward of the inner peripheral end 74a of the first guard 74. That is, the diameter D2 of the inner peripheral end 75a of the second guard 75 and the inner peripheral end 76a of the third guard 76 (see FIG. 4A) is the diameter D1 of the inner peripheral end 74a of the first guard 74 (see FIG. 4A). ) Is greater than (D2> D1). The difference between the diameter D2 and the diameter D1 is, for example, 10 mm.
　第１のガード７４の内周端７４ａの直径Ｄ１は、遮断部材６の円板部２８の外径（すなわち、遮断板２６の外径）Ｄ３（図４Ｂ参照）よりも小さい。 The diameter D1 of the inner peripheral end 74a of the first guard 74 is smaller than the outer diameter (that is, the outer diameter of the blocking plate 26) D3 (see FIG. 4B) of the disk portion 28 of the blocking member 6.
　３つのガードの全て（第１のガード７４、第２のガード７５、第３のガード７６）が下位置に位置している場合、いずれのガードも基板Ｗの周端面Ｗｃ（図４Ｂ参照）に水平に対向しないガード非対向状態が実現される。 When all three guards (first guard 74, second guard 75, third guard 76) are located at lower positions, all guards are on the peripheral end surface Wc (see FIG. 4B) of the substrate W. A non-opposed guard state that does not face horizontally is realized.
　基板Ｗへの処理液（薬液、リンス液、有機溶剤等）の供給や基板Ｗの乾燥は、いずれかのガードが、基板Ｗの周端面Ｗｃに対向している状態で行われる。 Supply of the treatment solution (chemical solution, rinsing solution, organic solvent, etc.) to the substrate W and drying of the substrate W are performed in a state where one of the guards faces the peripheral end surface Wc of the substrate W.
　また、基板Ｗの外周部から排出される処理液を第１のガード７４によって捕獲可能な状態（後述する図８Ａに示す状態。以下、この状態を「第１のガード捕獲状態」という。）を実現するために、３つのガードの全てを上位置に配置する。第１のガード捕獲状態では、回転状態にある基板Ｗの外周部から排出される処理液の全てが、第１のガード７４によって受け止められる（捕獲される）。 Further, a state in which the processing liquid discharged from the outer peripheral portion of the substrate W can be captured by the first guard 74 (a state shown in FIG. 8A described later. Hereinafter, this state is referred to as a “first guard capture state”). To achieve this, all three guards are placed in the upper position. In the first guard capture state, all of the processing liquid discharged from the outer peripheral portion of the rotating substrate W is received (captured) by the first guard 74.
　また、基板Ｗの外周部から排出される処理液を第３のガード７６によって捕獲可能な状態（後述する図８Ｃに示す状態。以下、この状態を「第３のガード捕獲状態」という。）を実現するために、第１のガード７４および第２のガード７５を下位置に配置し、第３のガード７６を上位置に配置する。第３のガード捕獲状態では、回転状態にある基板Ｗの外周部から排出される処理液の全てが、第３のガード７６によって受け止められる（捕獲される）。 Further, a state in which the processing liquid discharged from the outer peripheral portion of the substrate W can be captured by the third guard 76 (a state shown in FIG. 8C described later. Hereinafter, this state is referred to as a “third guard capture state”). To achieve this, the first guard 74 and the second guard 75 are placed in the lower position, and the third guard 76 is placed in the upper position. In the third guard capture state, all of the processing liquid discharged from the outer peripheral portion of the rotating substrate W is received (captured) by the third guard 76.
　図４Ｂに示す第２のガード捕獲状態では、回転状態にある基板Ｗの外周部から排出される処理液の全てが、第２のガード７５によって受け止められる（捕獲される）。処理カップ１３の第２のガード捕獲状態では、第２のガード７５および第３のガード７６は、上位置に位置している。一方、第１のガード７４は、下位置ではなく、下位置よりも上方でかつ上位置よりも下方の周端面対向位置（図４Ｂおよび後述する図８Ａに示す第１のガード７４の位置）に位置している。周端面対向位置は、第１のガード７４の上端がスピンベース２２の下端よりも上方に配置される位置である。周端面対向位置は、第１のガード７４の上端が基板Ｗの上面と等しい高さに配置される位置であってもよいし、第１のガード７４の上端が基板Ｗの上面と基板Ｗの下面との間の高さに配置される位置であってもよい。 In the second guard capture state shown in FIG. 4B, all of the processing liquid discharged from the outer peripheral portion of the rotating substrate W is received (captured) by the second guard 75. In the second guard capture state of the processing cup 13, the second guard 75 and the third guard 76 are located in the upper position. On the other hand, the first guard 74 is not at the lower position but at a position facing the peripheral end surface above the lower position and below the upper position (the position of the first guard 74 shown in FIG. 4B and FIG. 8A described later). positioned. The peripheral end surface facing position is a position where the upper end of the first guard 74 is arranged above the lower end of the spin base 22. The peripheral end surface facing position may be a position where the upper end of the first guard 74 is arranged at the same height as the upper surface of the substrate W, or the upper end of the first guard 74 is the upper surface of the substrate W and the substrate W. It may be a position arranged at a height between the lower surface and the lower surface.
　また、処理カップ１３の第２のガード捕獲状態では、第１のガード７４と第２のガード７５との間に、ガード間空間（第１の空間）ＳＰ１が形成される。ガード間空間ＳＰ１は、基板対向面２６ａと基板Ｗの上面（表面Ｗａ）との間の空間である基板上空間（第２の空間）ＳＰ２を取り囲んでおり、基板上空間ＳＰ２に連通している。処理カップ１３の第２のガード捕獲状態では、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの外周部から排出される処理液は、ガード間空間ＳＰ１に進入し、第２のガード７５の内壁によって受け止められる。 Further, in the second guard capture state of the processing cup 13, an inter-guard space (first space) SP1 is formed between the first guard 74 and the second guard 75. The inter-guard space SP1 surrounds the space on the substrate (second space) SP2, which is the space between the surface facing the substrate 26a and the upper surface (surface Wa) of the substrate W, and communicates with the space SP2 on the substrate. .. In the second guard capture state of the processing cup 13, the processing liquid discharged from the outer peripheral portion of the substrate W held by the spin chuck 5 enters the inter-guard space SP1 and is received by the inner wall of the second guard 75. Be done.
　処理カップ１３の第２のガード捕獲状態では、図４Ｂに示すように、第１のガード先端部８６の内周端７４ａが第１の環状隙間Ｃ１を隔てて基板Ｗの周端面Ｗｃに水平に対向しており、第２のガード先端部８８の内周端７５ａが第２の環状隙間Ｃ２を隔てて遮断部材６の円板部２８の外周端２８ｃに水平に対向している。 In the second guard capture state of the processing cup 13, as shown in FIG. 4B, the inner peripheral end 74a of the first guard tip portion 86 is horizontal to the peripheral end surface Wc of the substrate W with the first annular gap C1 in between. The inner peripheral end 75a of the second guard tip portion 88 faces the outer peripheral end 28c of the disc portion 28 of the blocking member 6 across the second annular gap C2.
　距離Ｌ１は、基板Ｗの周端面Ｗｃから第１のガード先端部８６の内周端７４ａまでの基板Ｗの径方向（基板Ｗの回転軸線Ａ１に直交する水平方向）の距離を意味する。距離Ｌ２は、遮断部材６の円板部２８の外周端２８ｃから第２のガード先端部８８の内周端７５ａまでの基板Ｗの径方向の距離を意味する。第１の環状隙間Ｃ１の距離Ｌ１と、第２の環状隙間Ｃ２の距離Ｌ２と、の合計距離（すなわち、Ｌ１＋Ｌ２）を、隙間合計距離と定義すると、後述する排気経路ＥＰにおける流路幅ＷＦは、隙間合計距離（Ｌ１＋Ｌ２）以下である（ＷＦ＜（Ｌ１＋Ｌ２））。 The distance L1 means the distance in the radial direction of the substrate W (horizontal direction orthogonal to the rotation axis A1 of the substrate W) from the peripheral end surface Wc of the substrate W to the inner peripheral end 74a of the first guard tip portion 86. The distance L2 means the radial distance of the substrate W from the outer peripheral end 28c of the disc portion 28 of the blocking member 6 to the inner peripheral end 75a of the second guard tip portion 88. If the total distance (that is, L1 + L2) of the distance L1 of the first annular gap C1 and the distance L2 of the second annular gap C2 is defined as the total gap distance, the flow path width WF in the exhaust path EP described later is , The total gap distance (L1 + L2) or less (WF <(L1 + L2)).
　前述のように、第１のガード７４の内周端７４ａが遮断部材６の円板部２８の外周端２８ｃよりも基板Ｗの径方向における内方に位置している。そのため、第２の環状隙間Ｃ２を基板Ｗの外周端２８ｃから基板Ｗの径方向における外方に遠ざけることが可能である。 As described above, the inner peripheral end 74a of the first guard 74 is located inward in the radial direction of the substrate W with respect to the outer peripheral end 28c of the disk portion 28 of the blocking member 6. Therefore, it is possible to move the second annular gap C2 from the outer peripheral end 28c of the substrate W outward in the radial direction of the substrate W.
　処理カップ１３の円筒部材７０の側壁には開口７０ａ（図２参照）が形成されており、その開口７０ａには排気ダクト２０（図２参照）が接続されている。排気装置１４の吸引力は、排気ダクト２０を介して開口７０ａに常時伝達されている。したがって、開口７０ａは、常に減圧状態にある。 An opening 70a (see FIG. 2) is formed on the side wall of the cylindrical member 70 of the processing cup 13, and an exhaust duct 20 (see FIG. 2) is connected to the opening 70a. The suction force of the exhaust device 14 is constantly transmitted to the opening 70a via the exhaust duct 20. Therefore, the opening 70a is always in a depressurized state.
　処理カップ１３の第２のガード捕獲状態では、図４Ｂに示すように、ガード間空間ＳＰ１に連通する排気経路ＥＰが第１のガード７４と第２のガード７５との間に形成される。具体的には、排気経路ＥＰは、第１の円筒部８５と第２の円筒部８７とによって区画される狭流路Ｐ１と、第２の円筒部８７と第２のカップ７２の外壁７２ａとによって区画される流路Ｐ２と、第２のカップ７２の外壁７２ａと第３のカップ７３の内壁７３ａとによって区画される流路Ｐ３と、を含む。排気経路ＥＰの流路幅ＷＦは、基板Ｗの径方向における排気経路ＥＰの距離の最小値を意味する。この実施形態では、狭流路Ｐ１が最も狭く、そのため、狭流路Ｐ１の流路幅（狭流路Ｐ１の、基板Ｗの半径方向の間隔）が、排気経路ＥＰの流路幅ＷＦに相当する。第２のカップ７２と第３のカップ７３との間から、円筒部材７０の内部空間に排出された排気は、開口７０ａを介して排気ダクト２０に取り込まれる。 In the second guard capture state of the processing cup 13, as shown in FIG. 4B, an exhaust path EP communicating with the inter-guard space SP1 is formed between the first guard 74 and the second guard 75. Specifically, the exhaust path EP includes a narrow flow path P1 partitioned by a first cylindrical portion 85 and a second cylindrical portion 87, and an outer wall 72a of the second cylindrical portion 87 and the second cup 72. Includes a flow path P2 partitioned by, and a flow path P3 partitioned by an outer wall 72a of the second cup 72 and an inner wall 73a of the third cup 73. The flow path width WF of the exhaust path EP means the minimum value of the distance of the exhaust path EP in the radial direction of the substrate W. In this embodiment, the narrow flow path P1 is the narrowest, so that the flow path width of the narrow flow path P1 (the radial distance of the substrate W of the narrow flow path P1) corresponds to the flow path width WF of the exhaust path EP. To do. The exhaust gas discharged from between the second cup 72 and the third cup 73 into the internal space of the cylindrical member 70 is taken into the exhaust duct 20 through the opening 70a.
　処理カップ１３の第２のガード捕獲状態において、基板Ｗの上方にある雰囲気（基板上空間ＳＰ２の雰囲気）は、ガード間空間ＳＰ１および排気経路ＥＰを通って、排気ダクト２０および排気装置１４に吸い込まれる
　また、排気ダクト２０および排気装置１４は、基板Ｗの上方にある雰囲気（基板上空間ＳＰ２の雰囲気）だけでなく、チャンバー４の内部の雰囲気を吸い込む。具体的には、排気ダクト２０による開口７０ａの排気によって、チャンバー４の内部の雰囲気が、円筒部材７０の内部に取り込まれる。円筒部材７０の内部に取り込まれた雰囲気は、開口７０ａおよび排気ダクト２０を介して排気装置１４に送られる。 In the second guard capture state of the processing cup 13, the atmosphere above the substrate W (the atmosphere of the space SP2 on the substrate) is sucked into the exhaust duct 20 and the exhaust device 14 through the inter-guard space SP1 and the exhaust path EP. Further, the exhaust duct 20 and the exhaust device 14 suck not only the atmosphere above the substrate W (the atmosphere of the space SP2 on the substrate) but also the atmosphere inside the chamber 4. Specifically, the atmosphere inside the chamber 4 is taken into the inside of the cylindrical member 70 by the exhaust of the opening 70a by the exhaust duct 20. The atmosphere taken into the inside of the cylindrical member 70 is sent to the exhaust device 14 through the opening 70a and the exhaust duct 20.
　すなわち、排気ダクト２０および排気装置１４は、ガード間空間ＳＰ１および基板上空間ＳＰ２の雰囲気と、処理カップ１３外でかつチャンバー４の内部の雰囲気と、の双方を吸い込む。 That is, the exhaust duct 20 and the exhaust device 14 suck both the atmosphere of the space SP1 between guards and the space SP2 on the substrate and the atmosphere outside the processing cup 13 and inside the chamber 4.
　処理ユニット２によって実行される基板処理例では、処理カップ１３が第２のガード捕獲状態のときに、遮断部材６が下位置に配置される。遮断部材６が下位置に配置されているとき、基板Ｗの上面から遮断部材６の基板対向面２６ａまでの上下方向の距離は、所定の間隔ＷＵである。この間隔ＷＵは、隙間合計距離（Ｌ１＋Ｌ２）以上である（ＷＵ≧（Ｌ１＋Ｌ２））。 In the substrate processing example executed by the processing unit 2, the blocking member 6 is arranged at the lower position when the processing cup 13 is in the second guard capture state. When the blocking member 6 is arranged at a lower position, the vertical distance from the upper surface of the substrate W to the substrate facing surface 26a of the blocking member 6 is a predetermined interval WU. This interval WU is equal to or greater than the total clearance distance (L1 + L2) (WU ≧ (L1 + L2)).
　すなわち、隙間合計距離（Ｌ１＋Ｌ２）は、排気経路ＥＰにおける流路幅ＷＦ以上であり、基板対向面２６ａと基板Ｗの上面との間隔ＷＵ以下である（ＷＦ≦（Ｌ１＋Ｌ２）≦ＷＵ）。 That is, the total gap distance (L1 + L2) is equal to or greater than the flow path width WF in the exhaust path EP and equal to or less than the distance WU between the substrate facing surface 26a and the upper surface of the substrate W (WF ≦ (L1 + L2) ≦ WU).
　図５は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 FIG. 5 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the main part of the substrate processing device 1.
　制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。 The control device 3 is configured by using, for example, a microcomputer. The control device 3 has an arithmetic unit such as a CPU, a fixed memory device, a storage unit such as a hard disk drive, and an input / output unit. The storage unit stores the program executed by the arithmetic unit.
　また、制御装置３には、制御対象として、スピンモータ２３、遮断部材昇降ユニット３３、遮断板回転ユニット３２およびガード昇降ユニット７８等が接続されている。制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ２３、遮断部材昇降ユニット３３、遮断板回転ユニット３２およびガード昇降ユニット７８等の動作を制御する。 Further, the control device 3 is connected to the spin motor 23, the blocking member elevating unit 33, the blocking plate rotating unit 32, the guard elevating unit 78, and the like as control targets. The control device 3 controls the operations of the spin motor 23, the blocking member elevating unit 33, the blocking plate rotating unit 32, the guard elevating unit 78, and the like according to a predetermined program.
　また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、薬液バルブ４３、リンス液バルブ４８、有機溶剤バルブ５３、不活性ガスバルブ５８等を開閉する。 Further, the control device 3 opens and closes the chemical solution valve 43, the rinse solution valve 48, the organic solvent valve 53, the inert gas valve 58, etc. according to a predetermined program.
　また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、第１の流量調整バルブ４４、第２の流量調整バルブ４９、第３の流量調整バルブ５４、第４の流量調整バルブ５９等の開度を調整する。 Further, the control device 3 adjusts the opening degree of the first flow rate adjusting valve 44, the second flow rate adjusting valve 49, the third flow rate adjusting valve 54, the fourth flow rate adjusting valve 59, etc. according to a predetermined program. adjust.
　以下では、デバイス形成面である表面Ｗａに、パターンが形成された基板Ｗを処理する場合について説明する。 The case where the substrate W on which the pattern is formed is processed on the surface Wa which is the device forming surface will be described below.
　図６は、基板処理装置１によって処理される基板Ｗの表面Ｗａを拡大して示す断面図である。処理対象の基板Ｗは、たとえばシリコンウエハであり、そのパターン形成面である表面Ｗａにパターン１００が形成されている。パターン１００は、たとえば微細パターンである。パターン１００は、図６に示すように、凸形状（柱状）を有する構造体１０１が行列状に配置されたものであってもよい。この場合、構造体１０１の線幅Ｗ１はたとえば１０ナノメートル～４５ナノメートル程度に、パターン１００の隙間Ｗ２はたとえば１０ナノメートル～数マイクロメートル程度に、それぞれ設けられている。パターン１００の膜厚Ｔは、たとえば、１マイクロメートル程度である。また、パターン１００は、たとえば、アスペクト比（線幅Ｗ１に対する膜厚Ｔの比）が、たとえば、５～５００程度であってもよい（典型的には、５～５０程度である）。 FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing the surface Wa of the substrate W processed by the substrate processing apparatus 1. The substrate W to be processed is, for example, a silicon wafer, and the pattern 100 is formed on the surface Wa which is the pattern forming surface thereof. The pattern 100 is, for example, a fine pattern. As shown in FIG. 6, the pattern 100 may be a structure in which structures 101 having a convex shape (columnar shape) are arranged in a matrix. In this case, the line width W1 of the structure 101 is provided, for example, about 10 nanometers to 45 nanometers, and the gap W2 of the pattern 100 is provided, for example, about 10 nanometers to several micrometers. The film thickness T of the pattern 100 is, for example, about 1 micrometer. Further, in the pattern 100, for example, the aspect ratio (ratio of the film thickness T to the line width W1) may be, for example, about 5 to 500 (typically, about 5 to 50).
　また、パターン１００は、微細なトレンチにより形成されたライン状のパターンが、繰り返し並ぶものであってもよい。また、パターン１００は、薄膜に、複数の微細穴（ボイド（void）またはポア（pore））を設けることにより形成されていてもよい。 Further, the pattern 100 may be a pattern in which line-shaped patterns formed by fine trenches are repeatedly arranged. Further, the pattern 100 may be formed by providing a plurality of fine holes (voids or pores) in the thin film.
　パターン１００は、たとえば絶縁膜を含む。また、パターン１００は、導体膜を含んでいてもよい。より具体的には、パターン１００は、複数の膜を積層した積層膜により形成されており、さらには、絶縁膜と導体膜とを含んでいてもよい。パターン１００は、単層膜で構成されるパターンであってもよい。絶縁膜は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）であってもよい。また、導体膜は、低抵抗化のための不純物を導入したアモルファスシリコン膜であってもよいし、金属膜（たとえば金属配線膜）であってもよい。 The pattern 100 includes, for example, an insulating film. Further, the pattern 100 may include a conductor film. More specifically, the pattern 100 is formed by a laminated film in which a plurality of films are laminated, and may further include an insulating film and a conductor film. The pattern 100 may be a pattern composed of a monolayer film. The insulating film may be a silicon oxide film (SiO 2 film) or a silicon nitride film (SiN film). Further, the conductor film may be an amorphous silicon film into which impurities for lowering the resistance are introduced, or may be a metal film (for example, a metal wiring film).
　また、パターン１００は、親水性膜であってもよい。親水性膜として、ＴＥＯＳ膜（シリコン酸化膜の一種）を例示できる。 Further, the pattern 100 may be a hydrophilic film. As the hydrophilic film, a TEOS film (a type of silicon oxide film) can be exemplified.
　図７は、処理ユニット２において実行される基板処理例の内容を説明するための流れ図である。図８Ａ～８Ｃは、前記基板処理例を説明する模式的な図である。 FIG. 7 is a flow chart for explaining the contents of a substrate processing example executed in the processing unit 2. 8A to 8C are schematic views for explaining the substrate processing example.
　図１～図７を参照しながら、前記基板処理例について説明する。図８Ａ～８Ｃについては適宜参照する。 The substrate processing example will be described with reference to FIGS. 1 to 7. 8A to 8C will be referred to as appropriate.
　まず、未処理の基板Ｗ（たとえば直径３００ｍｍの円形基板）は、インデクサロボットＩＲおよび搬送ロボットＣＲによって基板収容器Ｃから処理ユニット２に搬入され、チャンバー４の内部に搬入される（図７のＳ１）。搬入された基板Ｗは、その表面Ｗａを上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。その後、基板Ｗの下面中央部が吸着支持されることにより、スピンチャック５によって基板Ｗが保持される。 First, the unprocessed substrate W (for example, a circular substrate having a diameter of 300 mm) is carried into the processing unit 2 from the substrate container C by the indexer robot IR and the transfer robot CR, and is carried into the chamber 4 (S1 in FIG. 7). ). The carried-in substrate W is delivered to the spin chuck 5 with its surface Wa facing upward. After that, the central portion of the lower surface of the substrate W is attracted and supported, so that the substrate W is held by the spin chuck 5.
　チャンバー４への基板Ｗの搬入は、全てのガードが下位置に配置され（図４Ａに示すガード非対向状態）、かつ、遮断部材６が上位置に退避されている状態で行われる。 The substrate W is carried into the chamber 4 in a state where all the guards are arranged at the lower position (the guards are not opposed to each other as shown in FIG. 4A) and the blocking member 6 is retracted to the upper position.
　搬送ロボットＣＲが処理ユニット２外に退避した後、制御装置３は、遮断部材昇降ユニット３３を制御して、遮断部材６を下降させ、図８Ａに示すように、下位置に配置する（図７のＳ２：遮断部材降下。遮断部材対向工程）。これにより、基板対向面２６ａと基板Ｗの上面との間に、基板上空間ＳＰ２が形成される。 After the transfer robot CR has retracted to the outside of the processing unit 2, the control device 3 controls the blocking member elevating unit 33 to lower the blocking member 6 and arranges the blocking member 6 at a lower position as shown in FIG. 8A (FIG. 7). S2: Breaking member lowering. Breaking member facing process). As a result, the space SP2 on the substrate is formed between the substrate facing surface 26a and the upper surface of the substrate W.
　次いで、制御装置３は、スピンモータ２３を制御してスピンベース２２の回転速度を、所定の液処理速度（１０～１２００ｒｐｍの範囲内で、たとえば１０００ｒｐｍ）まで上昇させ、その液処理速度に維持する（図７のＳ３：基板Ｗ回転開始）。基板Ｗがスピンベース２２に保持されているので、スピンベース２２が液処理速度で回転すると、基板Ｗも液処理速度で回転軸線Ａ１まわりに回転する。 Next, the control device 3 controls the spin motor 23 to increase the rotation speed of the spin base 22 to a predetermined liquid treatment speed (within a range of 10 to 1200 rpm, for example, 1000 rpm) and maintain the liquid treatment speed. (S3 in FIG. 7: Substrate W rotation start). Since the substrate W is held by the spin base 22, when the spin base 22 rotates at the liquid processing speed, the substrate W also rotates around the rotation axis A1 at the liquid processing speed.
　また、制御装置３は、遮断板回転ユニット３２を制御して、遮断板２６を、基板Ｗの回転に同期して（つまり、基板Ｗの回転と同じ回転方向および同じ回転速度で）、回転軸線Ａ１まわりに回転させる。 Further, the control device 3 controls the blocking plate rotating unit 32 to synchronize the blocking plate 26 with the rotation of the substrate W (that is, in the same rotation direction and the same rotation speed as the rotation of the substrate W), and to rotate the axis. Rotate around A1.
　また、制御装置３は、ガード昇降ユニット７８を制御して、第２のガード７５および第３のガード７６を上位置に上昇させ、かつ第１のガード７４を、周端面対向位置（図４Ｂに示す位置）に配置する。これにより、処理カップ１３が図４Ａに示すガード非対向状態から図４Ｂに示す第２のガード捕獲状態に切り替わる。この状態では、基板Ｗの周端面Ｗｃに、第１のガード先端部８６の内周端７４ａが水平に対向し、円板部２８の外周端２８ｃに、第２のガード先端部８８の内周端７５ａが水平に対向する（ガード対向工程）。これにより、基板上空間ＳＰ２の外側に隣接して、基板上空間ＳＰ２に連通するガード間空間ＳＰ１が設けられる。 Further, the control device 3 controls the guard elevating unit 78 to raise the second guard 75 and the third guard 76 to the upper position, and raises the first guard 74 to the peripheral end surface facing position (FIG. 4B). Place at the indicated position). As a result, the processing cup 13 switches from the guard non-opposing state shown in FIG. 4A to the second guard capturing state shown in FIG. 4B. In this state, the inner peripheral end 74a of the first guard tip portion 86 is horizontally opposed to the peripheral end surface Wc of the substrate W, and the inner peripheral edge of the second guard tip portion 88 is opposed to the outer peripheral end 28c of the disk portion 28. The ends 75a face each other horizontally (guard facing step). As a result, the inter-guard space SP1 communicating with the space SP2 on the substrate is provided adjacent to the outside of the space SP2 on the substrate.
　また、制御装置３は不活性ガスバルブ５８を開く。これにより、図８Ａに示すように、中央ノズル７（第４のノズル配管５６）の第４の吐出口５６ａから下方に（すなわち、基板Ｗの上面の中央部に向けて）不活性ガスが吐出される。第４の吐出口５６ａから吐出される不活性ガスの流量は、第４の流量調整バルブ５９によって、たとえば１００（リットル／分）に調整されている。第４の吐出口５６ａから吐出された不活性ガスは、基板Ｗの上面と遮断部材６の基板対向面２６ａとの間の基板上空間ＳＰ２を、基板Ｗの上面に沿って広がる。これにより、基板上空間ＳＰ２の雰囲気が不活性ガスに置換され、基板上空間ＳＰ２の雰囲気中の酸素濃度が低下する。 In addition, the control device 3 opens the inert gas valve 58. As a result, as shown in FIG. 8A, the inert gas is discharged downward from the fourth discharge port 56a of the central nozzle 7 (fourth nozzle pipe 56) (that is, toward the central portion of the upper surface of the substrate W). Will be done. The flow rate of the inert gas discharged from the fourth discharge port 56a is adjusted to, for example, 100 (liters / minute) by the fourth flow rate adjusting valve 59. The inert gas discharged from the fourth discharge port 56a spreads the space SP2 on the substrate between the upper surface of the substrate W and the substrate facing surface 26a of the blocking member 6 along the upper surface of the substrate W. As a result, the atmosphere of the space SP2 on the substrate is replaced with the inert gas, and the oxygen concentration in the atmosphere of the space SP2 on the substrate decreases.
　図４Ｂに示す排気経路ＥＰを通って排気ダクト２０に吸引される排気の流量は、排気装置１４の吸引力と、処理カップ１３の第２のガード捕獲状態において形成される排気経路ＥＰの流路幅ＷＦと、を含む複数の排気条件によって定まる。中央ノズル７の第４の吐出口５６ａから吐出される不活性ガスの流量は、排気経路ＥＰを通って排気ダクト２０に吸引される排気の流量よりも多い。すなわち、排気経路ＥＰから排出される排気の流量よりも多い流量の不活性ガスが、基板上空間ＳＰ２に供給される。 The flow rate of the exhaust gas sucked into the exhaust duct 20 through the exhaust path EP shown in FIG. 4B is the flow path of the exhaust path EP formed in the suction force of the exhaust device 14 and the second guard capture state of the processing cup 13. It is determined by a plurality of exhaust conditions including the width WF. The flow rate of the inert gas discharged from the fourth discharge port 56a of the central nozzle 7 is larger than the flow rate of the exhaust gas sucked into the exhaust duct 20 through the exhaust path EP. That is, the inert gas having a flow rate larger than the flow rate of the exhaust gas discharged from the exhaust path EP is supplied to the space SP2 on the substrate.
　基板上空間ＳＰ２の雰囲気が低酸素濃度状態（たとえば、酸素濃度が１００ｐｐｍ未満の状態）になるのに十分な不活性ガス供給時間が経過し、かつ基板Ｗの回転速度が液処理速度に達すると、制御装置３は、図８Ａに示すように、薬液の一例としてのフッ酸を用いて基板Ｗの表面Ｗａを、処理する薬液処理工程（図７のＳ４）を開始する。 When an inert gas supply time sufficient for the atmosphere of the space SP2 on the substrate to become a low oxygen concentration state (for example, a state where the oxygen concentration is less than 100 ppm) elapses and the rotation speed of the substrate W reaches the liquid treatment speed. As shown in FIG. 8A, the control device 3 starts a chemical solution treatment step (S4 in FIG. 7) for treating the surface Wa of the substrate W using hydrofluoric acid as an example of the chemical solution.
　薬液処理工程（図７のＳ４）において、制御装置３は、薬液バルブ４３を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの上面（表面Ｗａ）の中央部に向けて、中央ノズル７（第１のノズル配管４１）の第１の吐出口４１ａからフッ酸が吐出される（薬液供給工程）。このときのフッ酸の吐出流量は、たとえば２（リットル／分）である。基板Ｗの上面に供給されるフッ酸として、溶存酸素量が十分に低減されたものが用いられる。 In the chemical solution treatment step (S4 in FIG. 7), the control device 3 opens the chemical solution valve 43. As a result, hydrofluoric acid is discharged from the first discharge port 41a of the central nozzle 7 (first nozzle pipe 41) toward the central portion of the upper surface (surface Wa) of the rotating substrate W (chemical solution supply step). ). The discharge flow rate of hydrofluoric acid at this time is, for example, 2 (liters / minute). As the hydrofluoric acid supplied to the upper surface of the substrate W, one having a sufficiently reduced amount of dissolved oxygen is used.
　基板Ｗの上面に供給されたフッ酸は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの外周部に移動する。これにより、基板Ｗの上面の全域を覆うフッ酸の液膜ＬＦ１が形成される。すなわち、フッ酸による基板Ｗの上面のカバレッジが行われ、基板Ｗの上面の全域がフッ酸の液膜ＬＦ１で覆われる。フッ酸の液膜ＬＦ１に含まれるフッ酸が、基板Ｗの表面Ｗａに接することにより、表面Ｗａがフッ酸を用いて処理される。具体的には、表面Ｗａに形成された自然酸化膜（シリコン酸化膜）が、フッ酸によって除去される。 Hydrofluoric acid supplied to the upper surface of the substrate W receives centrifugal force due to the rotation of the substrate W and moves to the outer peripheral portion of the substrate W. As a result, a hydrofluoric acid liquid film LF1 that covers the entire upper surface of the substrate W is formed. That is, the upper surface of the substrate W is covered with hydrofluoric acid, and the entire upper surface of the substrate W is covered with the hydrofluoric acid liquid film LF1. The hydrofluoric acid contained in the liquid film LF1 of hydrofluoric acid comes into contact with the surface Wa of the substrate W, so that the surface Wa is treated with hydrofluoric acid. Specifically, the natural oxide film (silicon oxide film) formed on the surface Wa is removed by hydrofluoric acid.
　基板Ｗの外周部に移動したフッ酸は、基板Ｗの外周部から基板Ｗの側方に向けて飛散する。基板Ｗから飛散したフッ酸は、第２のガード７５の内壁に受け止められ、第２のガード７５の内壁を伝って流下し、第２のカップ７２および第２の排液配管８０を介して、基板処理装置１外の排液処理設備に送られる。 Hydrofluoric acid that has moved to the outer peripheral portion of the substrate W scatters from the outer peripheral portion of the substrate W toward the side of the substrate W. The hydrofluoric acid scattered from the substrate W is received by the inner wall of the second guard 75, flows down along the inner wall of the second guard 75, and flows down through the second cup 72 and the second drainage pipe 80. It is sent to the wastewater treatment facility outside the substrate treatment device 1.
　薬液処理工程（図７のＳ４）において、不活性ガスが前記の流量で連続的に供給される。制御装置３が基板上空間ＳＰ２に不活性ガスを供給することにより、ガード間空間ＳＰ１および基板上空間ＳＰ２の双方が陽圧（処理カップ１３外でかつチャンバー４内の空間の気圧よりも高い気圧）に保たれる（陽圧維持工程）。これにより、近接空間ＳＰ３内の酸素を含む雰囲気が、第１の環状隙間Ｃ１および第２の環状隙間Ｃ２を通って基板上空間ＳＰ２に進入することを、効果的に抑制できる。これにより、基板上空間ＳＰ２を低酸素環境下に保つことができる。 In the chemical treatment step (S4 in FIG. 7), the inert gas is continuously supplied at the above flow rate. When the control device 3 supplies the inert gas to the space SP2 on the substrate, both the space SP1 between the guards and the space SP2 on the substrate have positive pressure (the air pressure outside the processing cup 13 and higher than the air pressure in the space inside the chamber 4). ) (Positive pressure maintenance process). As a result, it is possible to effectively prevent the oxygen-containing atmosphere in the proximity space SP3 from entering the space SP2 on the substrate through the first annular gap C1 and the second annular gap C2. As a result, the space SP2 on the substrate can be maintained in a low oxygen environment.
　そして、不活性ガスの供給によってガード間空間ＳＰ１および基板上空間ＳＰ２が陽圧に保たれている状態で、フッ酸を用いた処理が基板Ｗの表面Ｗａに施される。これにより、フッ酸を用いた処理を、低酸素環境下で基板Ｗに施すことができる。 Then, the surface Wa of the substrate W is treated with hydrofluoric acid while the space SP1 between guards and the space SP2 on the substrate are maintained at a positive pressure by the supply of the inert gas. Thereby, the treatment using hydrofluoric acid can be applied to the substrate W in a low oxygen environment.
　薬液処理工程（図７のＳ４）において、パターン形成面である基板Ｗの表面Ｗａから酸化膜が除去される。基板Ｗに接する雰囲気中の酸素濃度が高いと、酸化膜の厚みが増加したり、新たな酸化膜が形成されたりする。これらの酸化膜は、薬液によって除去される。したがって、基板Ｗに接する雰囲気中の酸素濃度が高いと、パターン１００が脆弱化することがある。 In the chemical treatment step (S4 in FIG. 7), the oxide film is removed from the surface Wa of the substrate W, which is the pattern forming surface. If the oxygen concentration in the atmosphere in contact with the substrate W is high, the thickness of the oxide film increases or a new oxide film is formed. These oxide films are removed by the chemical solution. Therefore, if the oxygen concentration in the atmosphere in contact with the substrate W is high, the pattern 100 may be weakened.
　酸素濃度の低い雰囲気下において、フッ酸を用いた薬液処理を基板Ｗの表面Ｗａに施すことにより、薬液処理工程（図７のＳ４）における表面Ｗａの酸化を抑制または防止できる。これにより、基板Ｗの表面Ｗａの酸化に伴うパターン１００が脆弱化を抑制または防止できる。 By applying the chemical solution treatment using hydrofluoric acid to the surface Wa of the substrate W in an atmosphere of low oxygen concentration, the oxidation of the surface Wa in the chemical solution treatment step (S4 of FIG. 7) can be suppressed or prevented. As a result, the pattern 100 associated with the oxidation of the surface Wa of the substrate W can suppress or prevent weakening.
　フッ酸の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、薬液バルブ４３を閉じて、中央ノズル７（第１のノズル配管４１）からのフッ酸の吐出を停止する。これにより、薬液処理工程（図７のＳ４）が終了する。 When a predetermined period elapses from the start of hydrofluoric acid discharge, the control device 3 closes the chemical solution valve 43 and stops the discharge of hydrofluoric acid from the central nozzle 7 (first nozzle pipe 41). As a result, the chemical solution treatment step (S4 in FIG. 7) is completed.
　次いで、制御装置３は、基板Ｗ上のフッ酸をリンス液に置換して基板Ｗ上からフッ酸を排除するためのリンス工程（図７のＳ５）を実行する。具体的には、制御装置３は、ガード昇降ユニット７８を制御して、第２のガード捕獲状態にある処理カップ１３の第１のガード７４を、周端面対向位置から上昇させることにより、図８Ｂに示すように、第１のガード先端部８６の内周端７４ａ（図４Ｂ参照）を基板Ｗの上面よりも上方に位置させる（第１のガード捕獲状態を実現）。 Next, the control device 3 executes a rinsing step (S5 in FIG. 7) for replacing the hydrofluoric acid on the substrate W with a rinsing solution to remove the hydrofluoric acid from the substrate W. Specifically, the control device 3 controls the guard elevating unit 78 to raise the first guard 74 of the processing cup 13 in the second guard capture state from the position facing the peripheral end surface, whereby FIG. 8B As shown in the above, the inner peripheral end 74a (see FIG. 4B) of the first guard tip portion 86 is positioned above the upper surface of the substrate W (the first guard capture state is realized).
　制御装置３は、基板Ｗおよび遮断板２６の回転速度を液処理速度に維持しながら、リンス液バルブ４８を開く。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央部に向けて、中央ノズル７（第２のノズル配管４６）の第２の吐出口４６ａから、リンス液が吐出される。基板Ｗの上面の中央部に供給されたリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの外周部に移動する。これにより、基板Ｗの上面の全域を覆うリンス液の液膜ＬＦ２が形成される。リンス液による基板Ｗの表面Ｗａのカバレッジが行われることにより、表面Ｗａに付着しているフッ酸が、リンス液によって洗い流される。 The control device 3 opens the rinse liquid valve 48 while maintaining the rotation speeds of the substrate W and the blocking plate 26 at the liquid processing speed. As a result, the rinse liquid is discharged from the second discharge port 46a of the central nozzle 7 (second nozzle pipe 46) toward the central portion of the upper surface of the rotating substrate W. The rinse liquid supplied to the central portion of the upper surface of the substrate W receives the centrifugal force due to the rotation of the substrate W and moves to the outer peripheral portion of the substrate W. As a result, a liquid film LF2 of a rinse liquid that covers the entire upper surface of the substrate W is formed. By covering the surface Wa of the substrate W with the rinsing liquid, the hydrofluoric acid adhering to the surface Wa is washed away by the rinsing liquid.
　基板Ｗの外周部に移動したリンス液は、基板Ｗの外周部から基板Ｗの側方に向けて飛散する。基板Ｗから飛散したリンス液は、基板Ｗの周端面Ｗｃに水平に対向する第１のガード７４の内壁に受け止められ、第１のガード７４の内壁を伝って流下し、第１のカップ７１および第１の排液配管７９を介して、基板処理装置１外の排液処理設備に送られる。 The rinse liquid that has moved to the outer peripheral portion of the substrate W scatters from the outer peripheral portion of the substrate W toward the side of the substrate W. The rinse liquid scattered from the substrate W is received by the inner wall of the first guard 74 horizontally opposed to the peripheral end surface Wc of the substrate W, flows down along the inner wall of the first guard 74, and flows down to the first cup 71 and It is sent to the drainage treatment facility outside the substrate treatment apparatus 1 via the first drainage pipe 79.
　リンス液の供給開始から予め定める期間が経過すると、基板Ｗの上面の全域がリンス液に覆われている状態で、制御装置３は、リンス液の吐出を続行させながら、スピンモータ２３および遮断板回転ユニット３２を制御して、基板Ｗおよび遮断板２６の回転速度を液処理速度からパドル速度（零または４０ｒｐｍ以下の低回転速度。この基板処理例では、たとえば１０ｒｐｍ）まで段階的に低下させる。その後、制御装置３は、基板Ｗの回転速度をそのパドル速度に維持する（パドルリンス工程（図７のＳ６））。これにより、基板Ｗの上面に、その全域を覆うリンス液の液膜ＬＦ２がパドル状に支持される。この状態では、リンス液の液膜ＬＦ２に作用する遠心力がリンス液と基板Ｗの上面との間で作用する表面張力よりも小さいか、あるいは前記の遠心力と前記の表面張力とがほぼ拮抗している。基板Ｗの減速により、基板Ｗ上のリンス液に作用する遠心力が弱まり、基板Ｗ上から排出されるリンス液の量が減少する。これにより、基板Ｗの上面に保持されているリンス液の液膜ＬＦ２の厚みが大きくなる。 After a predetermined period has elapsed from the start of supply of the rinse liquid, the control device 3 continues to discharge the rinse liquid while the entire upper surface of the substrate W is covered with the rinse liquid, and the spin motor 23 and the blocking plate The rotation unit 32 is controlled to gradually reduce the rotation speed of the substrate W and the blocking plate 26 from the liquid processing speed to the paddle speed (zero or a low rotation speed of 40 rpm or less. In this substrate processing example, for example, 10 rpm). After that, the control device 3 maintains the rotation speed of the substrate W at the paddle speed (paddle rinsing step (S6 in FIG. 7)). As a result, the liquid film LF2 of the rinse liquid covering the entire area is supported on the upper surface of the substrate W in a paddle shape. In this state, the centrifugal force acting on the liquid film LF2 of the rinse liquid is smaller than the surface tension acting between the rinse liquid and the upper surface of the substrate W, or the centrifugal force and the surface tension are substantially antagonistic. doing. Due to the deceleration of the substrate W, the centrifugal force acting on the rinse liquid on the substrate W weakens, and the amount of the rinse liquid discharged from the substrate W decreases. As a result, the thickness of the liquid film LF2 of the rinse liquid held on the upper surface of the substrate W is increased.
　基板Ｗの回転をパドル速度に減速してから予め定める期間が経過すると、制御装置３は、基板Ｗの回転をパドル速度に維持しながら、リンス液バルブ４８を閉じて、中央ノズル７（第２のノズル配管４６）からのリンス液の吐出を停止する。 When a predetermined period elapses after decelerating the rotation of the substrate W to the paddle speed, the control device 3 closes the rinse liquid valve 48 while maintaining the rotation of the substrate W at the paddle speed, and the central nozzle 7 (second). The discharge of the rinse liquid from the nozzle pipe 46) of the above is stopped.
　次いで、制御装置３は、置換工程（図７のＳ７）を開始する。具体的には、制御装置３は、基板Ｗの回転速度をパドル速度に維持しながら、有機溶剤バルブ５３を開く。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央部に向けて、中央ノズル７（第３のノズル配管５１）の第３の吐出口５１ａから、有機溶剤の一例としてのＩＰＡが吐出される。これにより、リンス液の液膜ＬＦ２に含まれるリンス液がＩＰＡに順次置換されていく。これにより、基板Ｗの上面全域を覆うＩＰＡの液膜ＬＦ３がパドル状に保持される。 Next, the control device 3 starts the replacement step (S7 in FIG. 7). Specifically, the control device 3 opens the organic solvent valve 53 while maintaining the rotation speed of the substrate W at the paddle speed. As a result, IPA as an example of the organic solvent is discharged from the third discharge port 51a of the central nozzle 7 (third nozzle pipe 51) toward the central portion of the upper surface of the rotating substrate W. As a result, the rinse liquid contained in the liquid film LF2 of the rinse liquid is sequentially replaced with IPA. As a result, the IPA liquid film LF3 that covers the entire upper surface of the substrate W is held in a paddle shape.
　ＩＰＡの吐出開始から予め定める期間（液膜が完全にＩＰＡに置換されるのに十分な期間）が経過すると、制御装置３は、ガード昇降ユニット７８を制御して、第１のガード捕獲状態にある処理カップ１３の第１のガード７４および第２のガード７５を、下位置に下降させることにより、図８Ｃに示すように、第３のガード７６の内壁を基板Ｗの周端面Ｗｃに水平に対向させる（第３のガード捕獲状態を実現）。 When a predetermined period (a period sufficient for the liquid film to be completely replaced with IPA) elapses from the start of discharging the IPA, the control device 3 controls the guard elevating unit 78 to enter the first guard capture state. By lowering the first guard 74 and the second guard 75 of a processing cup 13 to the lower position, the inner wall of the third guard 76 is made horizontal to the peripheral end surface Wc of the substrate W as shown in FIG. 8C. Face each other (realize the third guard capture state).
　基板Ｗの外周部からは、ＩＰＡが排出される。基板Ｗの外周部から排出されたＩＰＡは、第３のガード７６の内壁に受け止められ、第３のガード７６の内壁を伝って流下し、第３のカップ７３および第３の排液配管８１を介して、基板処理装置１外の排液処理設備に送られる。 IPA is discharged from the outer peripheral portion of the substrate W. The IPA discharged from the outer peripheral portion of the substrate W is received by the inner wall of the third guard 76, flows down along the inner wall of the third guard 76, and runs through the third cup 73 and the third drainage pipe 81. It is sent to the drainage treatment facility outside the substrate processing device 1 via the substrate processing device 1.
　有機溶剤バルブ５３が開かれてから予め定める期間が経過すると、制御装置３は有機溶剤バルブ５３を閉じる。これにより、置換工程（図７のＳ７）が終了する。 When a predetermined period has elapsed since the organic solvent valve 53 was opened, the control device 3 closes the organic solvent valve 53. As a result, the replacement step (S7 in FIG. 7) is completed.
　次いで、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（図７のＳ８）が行われる。 Next, a drying step (S8 in FIG. 7) for drying the substrate W is performed.
　具体的には、制御装置３は、処理カップ１３の状態を第３のガード捕獲状態に保ち、遮断部材６を下位置に配置し、中央ノズル７からの不活性ガスの吐出を継続させた状態で、制御装置３は、スピンモータ２３および遮断板回転ユニット３２を制御して、基板Ｗおよび遮断板２６の回転速度を乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで上昇させ、その乾燥回転速度で基板Ｗおよび遮断板２６を回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。 Specifically, the control device 3 keeps the state of the processing cup 13 in the third guard capture state, arranges the blocking member 6 at the lower position, and continues to discharge the inert gas from the central nozzle 7. Then, the control device 3 controls the spin motor 23 and the blocking plate rotation unit 32 to increase the rotation speed of the substrate W and the blocking plate 26 to the drying rotation speed (for example, several thousand rpm), and the substrate at the drying rotation speed. The W and the blocking plate 26 are rotated. As a result, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W.
　基板Ｗの加速開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ２３を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（図７のＳ９）。また、制御装置３は、遮断板回転ユニット３２を制御して、遮断板２６の回転を停止させる。その後、制御装置３は、遮断部材昇降ユニット３３を制御して、遮断部材６を上昇させて、上位置に退避させる。 When a predetermined period elapses from the start of acceleration of the substrate W, the control device 3 controls the spin motor 23 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5 (S9 in FIG. 7). Further, the control device 3 controls the blocking plate rotating unit 32 to stop the rotation of the blocking plate 26. After that, the control device 3 controls the blocking member elevating unit 33 to raise the blocking member 6 and retract it to the upper position.
　その後、チャンバー４内から基板Ｗが搬出される（図７のＳ１０）。具体的には、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバー４の内部に進入させる。制御装置３は、スピンチャック５による基板Ｗの吸着を解除する。そして、制御装置３は、吸着が解除された基板Ｗを、搬送ロボットＣＲのハンドに保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバー４内から退避させる。これにより、処理後の基板Ｗがチャンバー４から搬出され、一連の基板処理例は終了する。搬出された基板Ｗは、搬送ロボットＣＲからインデクサロボットＩＲへと渡され、インデクサロボットＩＲによって、基板収容器Ｃに収納される。 After that, the substrate W is carried out from the chamber 4 (S10 in FIG. 7). Specifically, the control device 3 causes the hand of the transfer robot CR to enter the inside of the chamber 4. The control device 3 releases the adsorption of the substrate W by the spin chuck 5. Then, the control device 3 causes the hand of the transfer robot CR to hold the substrate W whose suction has been released. After that, the control device 3 retracts the hand of the transfer robot CR from the chamber 4. As a result, the processed substrate W is carried out from the chamber 4, and a series of substrate processing examples is completed. The carried-out board W is passed from the transfer robot CR to the indexer robot IR, and is housed in the board container C by the indexer robot IR.
　以上によりこの実施形態によれば、遮断部材６が下位置に配置される。すなわち、基板対向面２６ａと基板Ｗの上面との間隔を所定の間隔ＷＵに保ちながら、遮断部材６をスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に対向させる。さらに、第１のガード先端部８６の内周端７４ａを第１の環状隙間Ｃ１を隔てて基板Ｗの周端面Ｗｃに水平に対向させ、第２のガード先端部８８の内周端７５ａを第２の環状隙間Ｃ２を隔てて遮断部材６の円板部２８の外周端２８ｃに水平に対向させる。これにより、第１のガード７４と第２のガード７５との間のガード間空間ＳＰ１が、基板対向面２６ａと基板Ｗの上面との間の空間である基板上空間ＳＰ２のまわりに配置され、基板上空間ＳＰ２に連通する。 As described above, according to this embodiment, the blocking member 6 is arranged at the lower position. That is, the blocking member 6 is made to face the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 while maintaining the distance between the substrate facing surface 26a and the upper surface of the substrate W at a predetermined interval WU. Further, the inner peripheral end 74a of the first guard tip 86 is horizontally opposed to the peripheral end surface Wc of the substrate W across the first annular gap C1, and the inner peripheral end 75a of the second guard tip 88 is the second. It is horizontally opposed to the outer peripheral end 28c of the disk portion 28 of the blocking member 6 with the annular gap C2 of 2 separated. As a result, the inter-guard space SP1 between the first guard 74 and the second guard 75 is arranged around the space SP2 on the substrate, which is the space between the substrate facing surface 26a and the upper surface of the substrate W. It communicates with the space SP2 on the board.
　そして、基板上空間ＳＰ２に不活性ガスを供給することにより、ガード間空間ＳＰ１および基板上空間ＳＰ２の双方を陽圧に保つ。これにより、ガード間空間ＳＰ１および基板上空間ＳＰ２に連通する近接空間ＳＰ３内の酸素を含む雰囲気が、２つの環状隙間（第１の環状隙間Ｃ１、第２の環状隙間Ｃ２）を通って基板上空間ＳＰ２に進入することを、効果的に抑制できる。これにより、基板上空間ＳＰ２を低酸素環境下に保つことができる。 Then, by supplying the inert gas to the space SP2 on the substrate, both the space SP1 between guards and the space SP2 on the substrate are kept at positive pressure. As a result, the atmosphere containing oxygen in the proximity space SP3 communicating with the inter-guard space SP1 and the space SP2 on the substrate passes through the two annular gaps (first annular gap C1 and second annular gap C2) on the substrate. It is possible to effectively suppress the entry into the space SP2. As a result, the space SP2 on the substrate can be maintained in a low oxygen environment.
　不活性ガスの供給によってガード間空間ＳＰ１および基板上空間ＳＰ２が陽圧に保たれている状態で、薬液（フッ酸を含む薬液）を用いた処理が基板Ｗの表面Ｗａに施される。これにより、薬液（フッ酸を含む薬液）を用いた処理を、低酸素環境下で基板Ｗの表面Ｗａに施すことができる。 The surface Wa of the substrate W is treated with a chemical solution (chemical solution containing hydrofluoric acid) while the space SP1 between guards and the space SP2 on the substrate are maintained at positive pressure by the supply of the inert gas. Thereby, the treatment using the chemical solution (chemical solution containing hydrofluoric acid) can be applied to the surface Wa of the substrate W in a low oxygen environment.
　ゆえに、スピンチャック５（バキュームチャック）によって基板Ｗの外周部ではなく基板Ｗの中央部を支持する場合に、低酸素環境下で、薬液（フッ酸）を用いた処理を基板Ｗの表面Ｗａに施すことができる。 Therefore, when the spin chuck 5 (vacuum chuck) supports the central portion of the substrate W instead of the outer peripheral portion of the substrate W, the surface Wa of the substrate W is treated with a chemical solution (hydrofluoric acid) in a low oxygen environment. Can be applied.
　また、排気経路ＥＰにおける流路幅ＷＦが、第１の環状隙間Ｃ１の距離Ｌ１と、第２の環状隙間Ｃ２の距離Ｌ２と、の合計である隙間合計距離（Ｌ１＋Ｌ２）以下である。このように、排気経路ＥＰにおける流路幅ＷＦが狭いので、処理カップ１３が第２のガード捕獲状態にあるときの排気経路ＥＰの圧力損失が大きい。したがって、ガード間空間ＳＰ１および基板上空間ＳＰ２を比較的容易に陽圧に保つことができる。また、隙間合計距離（Ｌ１＋Ｌ２）が、排気経路ＥＰにおける流路幅ＷＦ以上であるので、陽圧状態にある基板上空間ＳＰ２の雰囲気が、第１の環状隙間Ｃ１および第２の環状隙間Ｃ２を通って近接空間ＳＰ３に流出し易い。これにより、近接空間ＳＰ３内の雰囲気が、これら２つの環状隙間（第１の環状隙間Ｃ１、第２の環状隙間Ｃ２）を通って基板上空間ＳＰ２に進入することを抑制または防止できる。 Further, the flow path width WF in the exhaust path EP is equal to or less than the total gap distance (L1 + L2), which is the sum of the distance L1 of the first annular gap C1 and the distance L2 of the second annular gap C2. As described above, since the flow path width WF in the exhaust path EP is narrow, the pressure loss in the exhaust path EP when the processing cup 13 is in the second guard capture state is large. Therefore, the space SP1 between guards and the space SP2 on the substrate can be relatively easily maintained at a positive pressure. Further, since the total gap distance (L1 + L2) is equal to or larger than the flow path width WF in the exhaust path EP, the atmosphere of the space SP2 on the substrate in the positive pressure state makes the first annular gap C1 and the second annular gap C2. It easily flows out to the approach space SP3 through it. Thereby, it is possible to suppress or prevent the atmosphere in the proximity space SP3 from entering the space SP2 on the substrate through these two annular gaps (first annular gap C1 and second annular gap C2).
　隙間合計距離（Ｌ１＋Ｌ２）が、下位置に位置している遮断部材６の基板対向面２６ａと基板Ｗの上面との間隔ＷＵ以下である。そのため、２つの環状隙間（第１の環状隙間Ｃ１、第２の環状隙間Ｃ２）のそれぞれが狭い。これにより、近接空間ＳＰ３内の酸素を含む雰囲気が、これら２つの環状隙間（第１の環状隙間Ｃ１、第２の環状隙間Ｃ２）を通って基板上空間ＳＰ２に進入することを、より一層効果的に、抑制または防止できる。これにより、基板上空間ＳＰ２を低酸素環境下に保つことができる。 The total clearance distance (L1 + L2) is equal to or less than the distance WU between the substrate facing surface 26a of the blocking member 6 located at the lower position and the upper surface of the substrate W. Therefore, each of the two annular gaps (the first annular gap C1 and the second annular gap C2) is narrow. As a result, it is even more effective that the oxygen-containing atmosphere in the proximity space SP3 enters the space SP2 on the substrate through these two annular gaps (first annular gap C1 and second annular gap C2). Can be suppressed or prevented. As a result, the space SP2 on the substrate can be maintained in a low oxygen environment.
　また、排気ダクト２０および排気装置１４は、ガード間空間ＳＰ１および基板上空間ＳＰ２の雰囲気だけでなく、処理カップ１３外でかつチャンバー４内の空間の雰囲気も吸い込む。チャンバー４内の気流を安定させる必要があるので、排気装置１４の排気力を過度に高めることはできない。排気装置１４が、基板処理装置１が設置される工場で共用される共用排気源である場合、工場において準備可能な排気力による制限のため、処理カップ１３の十分な排気を実現可能な強い排気力の確保が困難な場合もある。しかしながら、排気経路ＥＰにおける流路幅ＷＦを前述のように狭くすることにより、強い排気力を用いて排気することなく、ガード間空間ＳＰ１および基板上空間ＳＰ２を比較的容易に陽圧に保つことができる。 Further, the exhaust duct 20 and the exhaust device 14 suck not only the atmosphere of the space SP1 between guards and the space SP2 on the substrate, but also the atmosphere of the space outside the processing cup 13 and inside the chamber 4. Since it is necessary to stabilize the air flow in the chamber 4, the exhaust force of the exhaust device 14 cannot be excessively increased. When the exhaust device 14 is a shared exhaust source shared by the factory where the substrate processing device 1 is installed, strong exhaust capable of achieving sufficient exhaust of the processing cup 13 due to the limitation due to the exhaust force that can be prepared at the factory. It may be difficult to secure power. However, by narrowing the flow path width WF in the exhaust path EP as described above, the inter-guard space SP1 and the space SP2 on the substrate can be relatively easily maintained at positive pressure without exhausting using a strong exhaust force. Can be done.
　また、第１のガード７４の内周端７４ａが遮断部材６の円板部２８の外周端２８ｃよりも水平方向に関して内側に位置しているので、第２の環状隙間Ｃ２を基板Ｗの周端面Ｗｃから遠ざけることが可能である。仮に、基板Ｗの周端面Ｗｃが第２の環状隙間Ｃ２に近いと、酸素を含む雰囲気が第２の環状隙間Ｃ２を通って基板上空間ＳＰ２に進入したときに、この雰囲気によって基板Ｗの表面Ｗａの外周部が酸化されるおそれがある。 Further, since the inner peripheral end 74a of the first guard 74 is located inside the outer peripheral end 28c of the disk portion 28 of the blocking member 6 in the horizontal direction, the second annular gap C2 is formed on the peripheral end surface of the substrate W. It is possible to keep away from Wc. If the peripheral end surface Wc of the substrate W is close to the second annular gap C2, when an atmosphere containing oxygen enters the space SP2 on the substrate through the second annular gap C2, the atmosphere causes the surface of the substrate W to enter. The outer peripheral portion of Wa may be oxidized.
　しかし、この実施形態では、第２の環状隙間Ｃ２を基板Ｗの周端面Ｗｃから遠ざけるので、万が一、酸素を含む雰囲気が第２の環状隙間Ｃ２を通って基板上空間ＳＰ２に進入した場合であっても、基板Ｗの表面Ｗａの外周部が酸化されることを抑制または防止できる。 However, in this embodiment, since the second annular gap C2 is kept away from the peripheral end surface Wc of the substrate W, in the unlikely event that an atmosphere containing oxygen enters the space SP2 on the substrate through the second annular gap C2. However, it is possible to suppress or prevent oxidation of the outer peripheral portion of the surface Wa of the substrate W.
　以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can also be implemented in other embodiments.
　たとえば、処理カップ１３の第３のガード捕獲状態において、第１のガード７４および第２のガード７５を、下位置ではなく、図８Ｃの破線に示す中間位置に配置してもよい。この場合、基板Ｗと遮断部材６との間の空間に、酸素を含む雰囲気が進入することを抑制できる。中間位置は、上位置と下位置との間の位置である。中間位置は、第１のガード７４の内周端７４ａがスピンベース２２の下端よりも上方に配置され、第２のガード７５の内周端７５ａが基板Ｗの上面よりも下方に配置される位置であってもよい。 For example, in the third guard capture state of the processing cup 13, the first guard 74 and the second guard 75 may be arranged at the intermediate position shown by the broken line in FIG. 8C instead of the lower position. In this case, it is possible to prevent an atmosphere containing oxygen from entering the space between the substrate W and the blocking member 6. The intermediate position is the position between the upper position and the lower position. The intermediate position is a position where the inner peripheral end 74a of the first guard 74 is arranged above the lower end of the spin base 22 and the inner peripheral end 75a of the second guard 75 is arranged below the upper surface of the substrate W. It may be.
　前述の基板処理例において、薬液処理工程（図７のＳ４）において遮断部材６が下位置に配置されるのであれば、それ以降のリンス工程（図７のＳ５）、パドルリンス工程（図７のＳ６）および置換工程（図７のＳ７）において、遮断部材６が上位置に配置されていてもよい。 In the above-mentioned substrate processing example, if the blocking member 6 is arranged at a lower position in the chemical solution treatment step (S4 in FIG. 7), the subsequent rinsing step (S5 in FIG. 7) and the paddle rinsing step (FIG. 7). In S6) and the replacement step (S7 in FIG. 7), the blocking member 6 may be arranged at the upper position.
　この場合、中央ノズル７とは別のノズル（たとえば、基板Ｗの上面に沿って移動可能なスキャンノズル）を用いて、リンス液や有機溶剤を供給するようにしてもよい。 In this case, a rinsing liquid or an organic solvent may be supplied by using a nozzle different from the central nozzle 7 (for example, a scan nozzle that can move along the upper surface of the substrate W).
　図９に示すように、第１のガード７４の内周端７４ａの内径が、第２のガード７５の内周端７５ａの内径と等しく、第３のガード７６の内周端７６ａの内径と等しくてもよい。この場合、第１のガード７４の内周端７４ａの内径は、遮断部材６の円板部２８の外径（すなわち、遮断板２６の外径）Ｄ３よりも大きい。遮断部材６の円板部２８の外径Ｄ３は、スピンチャック５に保持される基板Ｗの外径と等しいまたは概ね等しい。 As shown in FIG. 9, the inner diameter of the inner peripheral end 74a of the first guard 74 is equal to the inner diameter of the inner peripheral end 75a of the second guard 75, and is equal to the inner diameter of the inner peripheral end 76a of the third guard 76. You may. In this case, the inner diameter of the inner peripheral end 74a of the first guard 74 is larger than the outer diameter (that is, the outer diameter of the blocking plate 26) D3 of the disk portion 28 of the blocking member 6. The outer diameter D3 of the disk portion 28 of the blocking member 6 is equal to or substantially equal to the outer diameter of the substrate W held by the spin chuck 5.
　前述の実施形態では、第１の円筒部８５と第２の円筒部８７とによって区画される流路（狭流路Ｐ１）が排気経路ＥＰの最狭部分であり、狭流路Ｐ１の水平方向の間隔が排気経路ＥＰの流路幅ＷＦであったが、狭流路Ｐ１以外の排気経路ＥＰの一部が排気経路ＥＰの最狭部分であってもよい。 In the above-described embodiment, the flow path (narrow flow path P1) partitioned by the first cylindrical portion 85 and the second cylindrical portion 87 is the narrowest portion of the exhaust path EP, and the narrow flow path P1 is in the horizontal direction. The interval was the flow path width WF of the exhaust path EP, but a part of the exhaust path EP other than the narrow flow path P1 may be the narrowest part of the exhaust path EP.
　図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、第１のガード先端部８６と第２のガード先端部８８との上下方向の間隔が一定に維持されるように、第１のガード先端部８６が第２のガード７５に連結されていてもよい。図１０Ａは、基板Ｗから排出される処理液を、第２のガード先端部８８で捕獲する第２のガード捕獲状態を示す。図１０Ｂは、基板Ｗから排出される処理液を、第１のガード先端部８６で捕獲する第１のガード捕獲状態を示す。 As shown in FIGS. 10A and 10B, the first guard tip 86 is second so that the vertical distance between the first guard tip 86 and the second guard tip 88 is kept constant. It may be connected to the guard 75 of. FIG. 10A shows a second guard capture state in which the treatment liquid discharged from the substrate W is captured by the second guard tip portion 88. FIG. 10B shows a first guard capture state in which the treatment liquid discharged from the substrate W is captured by the first guard tip portion 86.
　図１０Ａおよび図１０Ｂに示す処理カップでは、第１のガードを第２のガードに一体化させている。具体的には、図４Ａ等に示す処理カップ１３から、第１のカップ７１および第１のガード７４を廃止するとともに、第１のガード７４の第１のガード先端部８６のみを第２のガード先端部８８の下方に設け、第１のガード先端部８６を第２の円筒部８７の途中部（上下方向の途中部）に結合（一体化）させている。 In the processing cups shown in FIGS. 10A and 10B, the first guard is integrated with the second guard. Specifically, from the processing cup 13 shown in FIG. 4A or the like, the first cup 71 and the first guard 74 are abolished, and only the first guard tip portion 86 of the first guard 74 is the second guard. It is provided below the tip portion 88, and the first guard tip portion 86 is coupled (integrated) to the middle portion (midway portion in the vertical direction) of the second cylindrical portion 87.
　第１のガード先端部８６の根元部（外周部）には、第２のガード先端部８８によって受けた処理液を、第２の円筒部８７に向けて案内する貫通穴２０１が形成されている。 A through hole 201 is formed at the root portion (outer peripheral portion) of the first guard tip portion 86 to guide the treatment liquid received by the second guard tip portion 88 toward the second cylindrical portion 87. ..
　図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、上下方向における第１のガード７４および第２のガード７５の間隔に応じて、排気経路ＥＰの流路幅ＷＦを変更する円環状の排気流量調整リング３０１を排気経路ＥＰに設けてもよい。排気流量調整リング３０１は、第２のガード７５にとともに昇降する。第２のガード７５を昇降させることにより、図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、処理カップ１３の第２のガード捕獲状態にあるときに、排気経路ＥＰの流路幅ＷＦを調整できる。図１１Ｂでは、図１１Ａに示されるときよりも遮断部材６が下方に配置されており、図１１Ａに示されるときよりも流路幅ＷＦが減少するように第２のガード７５が下方に配置されている。図１１Ｂでは、第１のガード７４と排気流量調整リング３０１とが、排気経路ＥＰの最狭部分を区画している。図１１Ａと比較すると、図１１Ｂでは、排気経路ＥＰの流路幅ＷＦが減少しているので、排気経路ＥＰの圧力損失が増加し、排気経路ＥＰの排気流量が減少する。つまり、排気流量調整リング３０１の位置を変更するだけで、排気経路ＥＰの排気流量を増減させることができる。これにより、ガード間空間ＳＰ１および基板上空間ＳＰ２を、さらに容易に陽圧に保つことができる。なお、排気流量調整リング３０１は、第１のガード７４に昇降可能に設けられていてもよい。 As shown in FIGS. 11A and 11B, an annular exhaust flow rate adjusting ring 301 that changes the flow path width WF of the exhaust path EP according to the distance between the first guard 74 and the second guard 75 in the vertical direction is provided. It may be provided in the exhaust path EP. The exhaust flow rate adjusting ring 301 moves up and down together with the second guard 75. By raising and lowering the second guard 75, as shown in FIGS. 11A and 11B, the flow path width WF of the exhaust path EP can be adjusted when the processing cup 13 is in the second guard capture state. In FIG. 11B, the blocking member 6 is arranged lower than that shown in FIG. 11A, and the second guard 75 is arranged lower so that the flow path width WF is smaller than that shown in FIG. 11A. ing. In FIG. 11B, the first guard 74 and the exhaust flow rate adjusting ring 301 demarcate the narrowest portion of the exhaust path EP. Compared with FIG. 11A, in FIG. 11B, since the flow path width WF of the exhaust path EP is reduced, the pressure loss of the exhaust path EP is increased and the exhaust flow rate of the exhaust path EP is reduced. That is, the exhaust flow rate of the exhaust path EP can be increased or decreased simply by changing the position of the exhaust flow rate adjusting ring 301. As a result, the space between guards SP1 and the space SP2 on the substrate can be more easily maintained at positive pressure. The exhaust flow rate adjusting ring 301 may be provided on the first guard 74 so as to be able to move up and down.
　前述の実施形態では、遮断部材６を昇降させることにより、上下方向における遮断部材６とスピンチャック５との相対的な位置関係を変更する場合について説明したが、遮断部材６およびスピンチャック５の双方、またはスピンチャック５だけを昇降させることにより、上下方向における遮断部材６とスピンチャック５との相対的な位置関係を変更してもよい。 In the above-described embodiment, the case where the relative positional relationship between the blocking member 6 and the spin chuck 5 in the vertical direction is changed by raising and lowering the blocking member 6 has been described, but both the blocking member 6 and the spin chuck 5 have been described. Alternatively, the relative positional relationship between the blocking member 6 and the spin chuck 5 in the vertical direction may be changed by raising and lowering only the spin chuck 5.
　処理カップ１３の各ガードのガード先端部（第１のガード先端部８６，第２のガード先端部８８，第３のガード先端部９０）の断面形状は、たとえば滑らかな上に凸の円弧であってもよい。 The cross-sectional shape of the guard tip portion (first guard tip portion 86, second guard tip portion 88, third guard tip portion 90) of each guard of the processing cup 13 is, for example, a smooth upward convex arc. You may.
　ガード間空間ＳＰ１が、第１のガード７４と第２のガード７５とによって区画されるのではなく、第２のガード７５と第３のガード７６とによって区画されていてもよい。 The inter-guard space SP1 may not be partitioned by the first guard 74 and the second guard 75, but may be partitioned by the second guard 75 and the third guard 76.
　処理カップ１３が３段のカップである場合を例に挙げて説明したが、処理カップ１３は、内側のガードおよび外側のガードを備えていれば、２段のカップであってもよいし、４段以上の多段カップであってもよい。 Although the case where the processing cup 13 is a three-stage cup has been described as an example, the processing cup 13 may be a two-stage cup as long as it has an inner guard and an outer guard. It may be a multi-stage cup with more than one stage.
　スピンチャック５は、バキュームチャックに限らず、ベルヌーイの定理により基板Ｗをスピンベース２２の上面に引き付ける吸着力を発生させて、基板Ｗをスピンベース２２に固定するベルヌーイチャックであってもよいし、基板Ｗをスピンベース２２の上面に静電吸着させる静電チャックであってもよい。 The spin chuck 5 is not limited to the vacuum chuck, and may be a Bernoulli chuck that fixes the substrate W to the spin base 22 by generating an attractive force that attracts the substrate W to the upper surface of the spin base 22 according to Bernoulli's theorem. It may be an electrostatic chuck that electrostatically attracts the substrate W to the upper surface of the spin base 22.
　本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の精神および範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail, these are merely specific examples used for clarifying the technical contents of the present invention, and the present invention is construed as being limited to these specific examples. Should not, the spirit and scope of the invention is limited only by the appended claims.
１　　　：基板処理装置
２　　　：処理ユニット
３　　　：制御装置
４　　　：チャンバー
５　　　：スピンチャック（基板保持ユニット）
６　　　：遮断部材
８　　　：薬液供給ユニット
１１　　：不活性ガス供給ユニット
１３　　：処理カップ
１４　　：排気装置（排気ユニット）
２０　　：排気ダクト（排気ユニット）
２６　　：遮断板
２６ａ　：基板対向面
２８　　：円板部
２８ｃ　：外周端
７４　　：第１のガード（内側ガード）
７４ａ　：内周端
７５　　：第２のガード（外側ガード）
７５ａ　：内周端
８５　　：第１の円筒部
８６　　：第１のガード先端部
８７　　：第２の円筒部
８８　　：第２のガード先端部
Ａ１　　：回転軸線（鉛直線）
Ｃ１　　：第１の環状隙間
Ｃ２　　：第２の環状隙間
ＥＰ　　：排気経路
Ｌ１　　：距離（第１の環状隙間の距離）
Ｌ２　　：距離（第２の環状隙間の距離）
ＳＰ１　：ガード間空間（第１の空間）
ＳＰ２　：基板上空間（第２の空間）
Ｗａ　　：表面
Ｗｃ　　：周端面
ＷＦ　　：流路幅
ＷＵ　　：間隔（基板の上面と基板対向面との間隔） 1: Substrate processing device 2: Processing unit 3: Control device 4: Chamber 5: Spin chuck (board holding unit)
6: Breaking member 8: Chemical solution supply unit 11: Inert gas supply unit 13: Processing cup 14: Exhaust device (exhaust unit)
20: Exhaust duct (exhaust unit)
26: Blocking plate 26a: Substrate facing surface 28: Disk portion 28c: Outer peripheral end 74: First guard (inner guard)
74a: Inner peripheral end 75: Second guard (outer guard)
75a: Inner peripheral end 85: First cylindrical portion 86: First guard tip portion 87: Second cylindrical portion 88: Second guard tip portion A1: Rotation axis (vertical line)
C1: First annular gap C2: Second annular gap EP: Exhaust path L1: Distance (distance of the first annular gap)
L2: Distance (distance of the second annular gap)
SP1: Space between guards (first space)
SP2: Space on the board (second space)
Wa: Surface Wc: Peripheral end surface WF: Flow path width WU: Spacing (distance between the top surface of the substrate and the facing surface of the substrate)

Claims (13)

  1. 　チャンバーと、
    　基板の下方に配置されており、平面視で前記基板よりも小さいベースプレート、を有し、前記ベースプレート上の前記基板を前記チャンバーの内部で水平に保持する基板保持ユニットと、
    　前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に間隔を空けて対向する基板対向面が設けられた円板部を有する遮断部材と、
    　前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む第１の円筒部と、前記第１の円筒部の上端から、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の中央部を通る鉛直線に向かって延びる第１のガード先端部と、を有し、前記第１のガード先端部の内周端が、前記基板の周端面に、第１の環状隙間を隔てて水平に対向する、内側ガードと、前記第１の円筒部の周囲を取り囲む第２の円筒部と、前記第２の円筒部の上端から前記鉛直線に向かって延び、かつ前記第１のガード先端部よりも上方に位置する第２のガード先端部と、を有し、前記第２のガード先端部の内周端が、前記円板部の外周端に、第２の環状隙間を隔てて水平に対向する、外側ガードと、を有し、前記第１のガード先端部と前記第２のガード先端部とによって区画される第１の空間と、前記第１の空間に連通する排気経路と、が内部に形成された処理カップと、
    　前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板と前記遮断部材との間に形成されており、前記第１の空間に連通する第２の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニットと、
    　前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に薬液を供給する薬液供給ユニットと、
    　前記不活性ガス供給ユニットおよび前記薬液供給ユニットを制御する制御装置と、を含み、
    　前記制御装置が、
    　前記不活性ガス供給ユニットによって前記第２の空間に不活性ガスを供給して、前記第１の空間および前記第２の空間の双方を陽圧に保つ陽圧維持工程と、
    　前記陽圧維持工程に並行して、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に前記薬液供給ユニットによって薬液を供給して、前記基板の上面に薬液を用いた処理を施す薬液処理工程と、を実行する、基板処理装置。     With the chamber
    A substrate holding unit which is arranged below the substrate, has a base plate which is smaller than the substrate in a plan view, and holds the substrate on the base plate horizontally inside the chamber.
    A blocking member having a disc portion provided with a substrate facing surface facing the substrate at intervals on the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit.
    A first cylindrical portion surrounding the substrate holding unit and a first extending from the upper end of the first cylindrical portion toward a vertical line passing through a central portion of the substrate held by the substrate holding unit. An inner guard having a guard tip portion and an inner peripheral end of the first guard tip portion horizontally facing the peripheral end surface of the substrate with a first annular gap in between, and the first guard. A second cylindrical portion that surrounds the circumference of the cylindrical portion, and a second guard tip portion that extends from the upper end of the second cylindrical portion toward the vertical line and is located above the first guard tip portion. The outer guard, wherein the inner peripheral end of the second guard tip portion horizontally opposes the outer peripheral end of the disk portion with a second annular gap in between. A processing cup in which a first space partitioned by a first guard tip and a second guard tip and an exhaust path communicating with the first space are formed inside.
    An inert gas supply unit formed between the substrate held by the substrate holding unit and the blocking member and supplying the inert gas to the second space communicating with the first space.
    A chemical solution supply unit that supplies a chemical solution to the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit,
    Including the inert gas supply unit and a control device for controlling the chemical supply unit.
    The control device
    A positive pressure maintenance step of supplying an inert gas to the second space by the inert gas supply unit to maintain both the first space and the second space at positive pressure.
    In parallel with the positive pressure maintenance step, a chemical solution treatment step of supplying a chemical solution to the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit by the chemical solution supply unit and treating the upper surface of the substrate with the chemical solution. And, the board processing equipment to execute.
  2. 　前記陽圧維持工程が、前記排気経路から排出される排気の流量よりも多い流量の不活性ガスを前記第２の空間に供給する工程を含む、請求項１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the positive pressure maintaining step includes a step of supplying an inert gas having a flow rate larger than the flow rate of the exhaust gas discharged from the exhaust path to the second space.
  3. 　前記排気経路における流路幅が、前記第１の環状隙間の距離と、前記第２の環状隙間の距離と、の合計である隙間合計距離以下である、請求項１または２に記載の基板処理装置。 The substrate treatment according to claim 1 or 2, wherein the flow path width in the exhaust path is equal to or less than the total gap distance, which is the sum of the distance of the first annular gap and the distance of the second annular gap. apparatus.
  4. 　前記隙間合計距離が、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面と前記遮断部材の前記基板対向面との間隔以下である、請求項３に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the total gap distance is equal to or less than the distance between the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit and the substrate facing surface of the blocking member.
  5. 　前記排気経路における流路幅が、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面と前記遮断部材の前記基板対向面との間隔以下である、請求項１または２に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the flow path width in the exhaust path is equal to or less than the distance between the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit and the substrate facing surface of the blocking member.
  6. 　前記流路幅が、前記第１の円筒部と前記第２の円筒部との間の径方向の距離である、請求項３～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 3 to 5, wherein the flow path width is a radial distance between the first cylindrical portion and the second cylindrical portion.
  7. 　前記基板処理装置は、前記排気経路を通じて前記処理カップの前記内部の雰囲気を吸引することにより、前記チャンバーの雰囲気を前記チャンバーの外に排出する排気ユニットをさらに含み、
    　前記排気ユニットが、前記第１の空間および第２の空間の雰囲気と、前記処理カップ外でかつ前記チャンバー内の空間の雰囲気と、の双方を排出する、請求項３～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。     The substrate processing apparatus further includes an exhaust unit that exhausts the atmosphere of the chamber to the outside of the chamber by sucking the atmosphere inside the processing cup through the exhaust path.
    Any one of claims 3 to 6, wherein the exhaust unit exhausts both the atmosphere of the first space and the atmosphere of the second space and the atmosphere of the space outside the processing cup and inside the chamber. The substrate processing apparatus according to.
  8. 　前記内側ガードと前記外側ガードとが、互いに独立して昇降可能に設けられている、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the inner guard and the outer guard are provided so as to be able to move up and down independently of each other.
  9. 　前記内側ガードおよび前記外側ガードの少なくとも一方に設けられており、上下方向における前記内側ガードと前記外側ガードとの相対的な移動に伴って前記排気経路の流路幅を調整することにより、前記排気経路の圧力損失を変更する排気流量調整リングを、さらに含む、請求項８に記載の基板処理装置。 The exhaust is provided by at least one of the inner guard and the outer guard, and by adjusting the flow path width of the exhaust path with the relative movement of the inner guard and the outer guard in the vertical direction. The substrate processing apparatus according to claim 8, further comprising an exhaust flow rate adjusting ring for changing the pressure loss of the path.
  10. 　前記内側ガードの前記第１のガード先端部の前記内周端が、前記円板部の前記外周端よりも、水平方向に関して内側に位置している、請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。 According to any one of claims 1 to 9, the inner peripheral end of the first guard tip portion of the inner guard is located inside the outer peripheral end of the disk portion in the horizontal direction. The substrate processing apparatus described.
  11. 　基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
    　前記基板処理装置は、
    　チャンバーと、
    　基板の下方に配置されており、平面視で前記基板よりも小さいベースプレート、を有し、前記ベースプレート上の前記基板を前記チャンバーの内部で水平に保持する基板保持ユニットと、
    　前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に間隔を空けて対向する基板対向面が設けられた円板部を有する遮断部材と、
    　前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む第１の円筒部と、前記第１の円筒部の上端から、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の中央部を通る鉛直線に向かって延びる第１のガード先端部と、を有し、前記第１のガード先端部の内周端が、前記基板の周端面に、第１の環状隙間を隔てて水平に対向する、内側ガードと、前記第１の円筒部の周囲を取り囲む第２の円筒部と、前記第２の円筒部の上端から前記鉛直線に向かって延び、かつ前記第１のガード先端部よりも上方に位置する第２のガード先端部と、を有し、前記第２のガード先端部の内周端が、前記円板部の外周端に、第２の環状隙間を隔てて水平に対向する、外側ガードと、を有し、前記第１のガード先端部と前記第２のガード先端部とによって区画される第１の空間と、前記第１の空間に連通する排気経路と、が内部に形成された処理カップと、を含み、
    　前記基板処理方法は、
    　前記基板対向面と前記基板の上面との間隔を一定に保ちながら、前記基板保持ユニットに保持されている前記基板の上方に前記遮断部材を配置する遮断部材対向工程と、
    　前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の周端面に前記第１のガード先端部の内周端が第１の環状隙間を隔てて水平に対向し、かつ前記遮断部材の前記円板部の外周端に前記第２のガード先端部の内周端が第２の環状隙間を隔てて水平に対向するように、前記内側ガードおよび前記外側ガードを配置することにより、前記処理カップの内部に、前記第１のガード先端部と前記第２のガード先端部とによって区画される第１の空間と、前記第１の空間に連通する排気経路と、を形成するガード対向工程と、
    　前記遮断部材対向工程および前記ガード対向工程に並行して、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板と前記遮断部材との間に形成される第２の空間に不活性ガスを供給して、前記第１の空間および前記第２の空間の双方を陽圧に保つ陽圧維持工程と、
    　前記遮断部材対向工程、前記ガード対向工程および前記陽圧維持工程に並行して、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に薬液を供給して、前記基板の上面に薬液を用いた処理を施す薬液処理工程と、を含む、基板処理方法。     A substrate processing method executed by a substrate processing apparatus.
    The substrate processing device is
    With the chamber
    A substrate holding unit which is arranged below the substrate, has a base plate which is smaller than the substrate in a plan view, and holds the substrate on the base plate horizontally inside the chamber.
    A blocking member having a disc portion provided with a substrate facing surface facing the substrate at intervals on the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit.
    A first cylindrical portion surrounding the substrate holding unit and a first extending from the upper end of the first cylindrical portion toward a vertical line passing through a central portion of the substrate held by the substrate holding unit. An inner guard having a guard tip portion and an inner peripheral end of the first guard tip portion horizontally facing the peripheral end surface of the substrate with a first annular gap in between, and the first guard. A second cylindrical portion that surrounds the circumference of the cylindrical portion, and a second guard tip portion that extends from the upper end of the second cylindrical portion toward the vertical line and is located above the first guard tip portion. The outer guard, wherein the inner peripheral end of the second guard tip portion horizontally opposes the outer peripheral end of the disk portion with a second annular gap in between. Includes a first space partitioned by a first guard tip and a second guard tip, and a processing cup internally formed with an exhaust path communicating with the first space.
    The substrate processing method is
    A blocking member facing step of arranging the blocking member above the substrate held by the substrate holding unit while keeping the distance between the substrate facing surface and the upper surface of the substrate constant.
    The inner peripheral end of the first guard tip portion horizontally faces the peripheral end surface of the substrate held by the substrate holding unit with a first annular gap in between, and the disc portion of the blocking member. By arranging the inner guard and the outer guard so that the inner peripheral end of the second guard tip portion horizontally faces the outer peripheral end with a second annular gap, the inside of the processing cup A guard facing step of forming a first space partitioned by the first guard tip portion and the second guard tip portion, and an exhaust path communicating with the first space.
    In parallel with the blocking member facing step and the guard facing step, an inert gas is supplied to a second space formed between the substrate and the blocking member held by the substrate holding unit. A positive pressure maintaining step of maintaining both the first space and the second space at positive pressure,
    In parallel with the blocking member facing step, the guard facing step, and the positive pressure maintaining step, a chemical solution was supplied to the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit, and the chemical solution was used on the upper surface of the substrate. A substrate treatment method comprising a chemical treatment step of performing treatment.
  12. 　前記陽圧維持工程が、前記排気経路から排出される排気の流量よりも多い流量の不活性ガスを前記第２の空間に供給する工程を含む、請求項１１に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 11, wherein the positive pressure maintenance step includes a step of supplying an inert gas having a flow rate larger than the flow rate of the exhaust gas discharged from the exhaust path to the second space.
  13. 　チャンバーと、
    　基板の下方に配置されており、平面視で前記基板よりも小さいベースプレート、を有し、前記ベースプレート上の前記基板を前記チャンバーの内部で水平に保持する基板保持ユニットと、
    　前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に間隔を空けて対向する基板対向面が設けられた円板部を有する遮断部材と、
    　前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む第１の円筒部と、前記第１の円筒部の上端から、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の中央部を通る鉛直線に向かって延びる第１のガード先端部と、を有し、前記第１のガード先端部の内周端が、前記基板の周端面に、第１の環状隙間を隔てて水平に対向する、内側ガードと、前記第１の円筒部の周囲を取り囲む第２の円筒部と、前記第２の円筒部の上端から前記鉛直線に向かって延び、かつ前記第１のガード先端部よりも上方に位置する第２のガード先端部と、を有し、前記第２のガード先端部の内周端が、前記円板部の外周端に、第２の環状隙間を隔てて水平に対向する、外側ガードと、を有し、前記第１のガード先端部と前記第２のガード先端部とによって区画される第１の空間と、前記第１の空間に連通する排気経路と、が内部に形成された処理カップと、
    　前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板と前記遮断部材との間に形成されており、前記第１の空間に連通する第２の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニットと、
    　前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の上面に薬液を供給する薬液供給ユニットと、を含む基板処理装置。     With the chamber
    A substrate holding unit which is arranged below the substrate, has a base plate which is smaller than the substrate in a plan view, and holds the substrate on the base plate horizontally inside the chamber.
    A blocking member having a disc portion provided with a substrate facing surface facing the substrate at intervals on the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit.
    A first cylindrical portion surrounding the substrate holding unit and a first extending from the upper end of the first cylindrical portion toward a vertical line passing through a central portion of the substrate held by the substrate holding unit. An inner guard having a guard tip portion and an inner peripheral end of the first guard tip portion horizontally facing the peripheral end surface of the substrate with a first annular gap in between, and the first guard. A second cylindrical portion that surrounds the circumference of the cylindrical portion, and a second guard tip portion that extends from the upper end of the second cylindrical portion toward the vertical line and is located above the first guard tip portion. The outer guard, wherein the inner peripheral end of the second guard tip portion horizontally opposes the outer peripheral end of the disk portion with a second annular gap in between. A processing cup in which a first space partitioned by a first guard tip and a second guard tip and an exhaust path communicating with the first space are formed inside.
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