KR20180122670A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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KR20180122670A
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히로아키 이시이
레이 다케아키
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

본 발명은, 기판의 둘레 가장자리부의 처리 폭을 좁게 함과 함께, 처리 폭의 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
그 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 하방으로부터 대략 수평으로 유지하고, 소정의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 형성된 유지 부재와, 유지 부재를, 회전축을 중심으로 회전시킬 수 있는 회전 기구와, 유지 부재에 유지되어 있는 기판의 단면과 간극을 두고 기판의 직경 방향을 따라 기판의 외측에 배치되는 별도 부재와, 적어도 일부가 별도 부재의 상면에 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록 토출 목표 영역의 상방으로부터 처리액을 토출하는 노즐을 구비한다. 별도 부재와 기판의 단면의 간극은, 토출 목표 영역에 닿은 처리액이, 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다.An object of the present invention is to narrow the processing width of the peripheral portion of the substrate and to improve the uniformity of the processing width.
In order to achieve the object, a substrate processing apparatus of the present invention comprises: a holding member which is formed so as to be rotatable about a predetermined rotation axis while holding the substrate substantially horizontally from below; A separate member disposed on the outer side of the substrate along the radial direction of the substrate with a gap between the end face and the gap of the substrate held by the holding member; And a nozzle for discharging the treatment liquid from above the discharge target region. The gap between the separate member and the cross section of the substrate is set so that the treatment liquid that has come into contact with the discharge target region flows from the upper end of the separate member and is discharged from the inner end on the side of the rotation axis of the upper face and comes into contact with the upper face peripheral portion of the substrate from above have.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법Substrate processing apparatus and substrate processing method

이 발명은, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 유리 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 태양 전지용 기판 등 (이하, 간단히「기판」이라고 한다) 에, 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, a glass substrate for a photomask, Quot; substrate ") to a substrate processing apparatus.

이와 같은 기판 처리 장치로서, 특허문헌 1 에는, 기판을 수평으로 유지하는 유지 부재와, 기판의 둘레 가장자리부를 따라 기판의 단면 (端面) 과 간격을 두고 기판의 전체 둘레를 둘러싸는 링을 함께 회전시키면서, 기판의 상면 중앙부에 닿도록 처리액을 토출하는 장치가 개시되어 있다. 당해 링 표면은 친수성이다. 기판 표면이 소수성인 경우에 있어서, 당해 링이 형성되어 있지 않은 경우에는, 기판의 상면 중앙부에 공급된 처리액이 원심력에 의해 기판의 중앙부로부터 둘레 가장자리부로 확산될 때에 방사상으로 불균일하게 확산된다. 이 때문에, 기판의 상면 전체에 균일하게 처리액을 공급할 수 없다.Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus in which a holding member for holding a substrate horizontally and a ring surrounding an entire circumference of the substrate are spaced apart from the end surface of the substrate along the circumferential edge portion of the substrate, , And an apparatus for discharging the treatment liquid so as to reach the center of the upper surface of the substrate. The ring surface is hydrophilic. In the case where the surface of the substrate is hydrophobic and the ring is not formed, the treatment liquid supplied to the central portion of the upper surface of the substrate spreads radially nonuniformly when diffused from the central portion of the substrate to the peripheral portion by centrifugal force. Therefore, the treatment liquid can not be uniformly supplied to the entire upper surface of the substrate.

그래서, 특허문헌 1 의 장치는, 친수성의 링을 이용하여, 기판의 중앙부로부터 둘레 가장자리부에 도달한 처리액을, 기판의 둘레 가장자리부 근방에 있어서 막상으로 확산시킴으로써, 상면 전체에 균일하게 처리액을 공급하는 것을 도모하고 있다.Thus, the apparatus of Patent Document 1 uses a hydrophilic ring to diffuse the treatment liquid reaching the peripheral portion from the central portion of the substrate to the film in the vicinity of the periphery of the substrate, Is to be supplied.

특허문헌 2 에는, 하방으로부터 기판을 수평으로 유지하면서 회전하는 유지 부재와, 기판의 둘레 가장자리부를 따라 기판의 단면과 간격을 두고 기판의 전체 둘레를 둘러싸는 링과, 회전되고 있는 기판의 상면 중앙부에 닿도록 처리액을 토출하는 노즐을 구비하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 당해 링은, 발수성이 기판보다 높고, 회전하지 않고 유지되어 있다. 기판의 표면이 소수성인 경우에는, 상기 서술한 바와 같이, 상면 중앙부에 공급된 처리액은, 기판의 둘레 가장자리부 근방에 있어서 방사상으로 불균일하게 확산된다. 그러나, 특허문헌 2 의 장치에서는, 처리액이 기판의 둘레 가장자리부로부터 외부로 배출될 때에, 기판을 둘러싸는 링이 처리액의 흐름을 방해함으로써 처리액의 배출을 방해한다. 이로써, 당해 장치는, 배출되는 처리액의 일부를 기판 상에 모아, 기판 상에 처리액의 액막을 형성하고, 기판의 상면 전역에 확실하게 처리액을 공급하는 것을 도모하고 있다.Patent Document 2 discloses a semiconductor device comprising a holding member which rotates while holding the substrate horizontally from below, a ring which surrounds the entire periphery of the substrate with an interval from the end face of the substrate along the periphery of the substrate, And a nozzle for discharging the treatment liquid so as to reach the substrate processing apparatus. The water repellency of the ring is higher than that of the substrate and is maintained without rotation. When the surface of the substrate is hydrophobic, as described above, the treatment liquid supplied to the central portion of the upper surface diffuses in the radial direction nonuniformly in the vicinity of the periphery of the substrate. However, in the apparatus of Patent Document 2, when the treatment liquid is discharged from the periphery of the substrate to the outside, the ring surrounding the substrate interferes with the flow of the treatment liquid, thereby hindering the discharge of the treatment liquid. As a result, the apparatus collects a part of the process liquid to be discharged on the substrate, forms a liquid film of the process liquid on the substrate, and supplies the process liquid to the entire surface of the substrate in a reliable manner.

기판의 중앙부에 디바이스 패턴이 형성되는 디바이스 영역이 형성되고, 디바이스 영역 이외의 둘레 가장자리부에 에칭 등의 처리가 실시되는 경우가 있다. 특허문헌 3 에는, 이와 같은 기판의 둘레 가장자리부의 처리를 실시하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 당해 장치는, 기판의 상방에 기판 표면과 대향하는 차단 부재를 갖고, 기판을 대략 수평면 내에서 회전시키면서 차단 부재의 둘레 가장자리부에 배치된 노즐로부터, 기판 상면의 둘레 가장자리부를 향하여 처리액을 공급하여 기판 상면 중 둘레 가장자리부의 에칭 처리를 실시한다.A device region where a device pattern is formed in a central portion of the substrate is formed and a process such as etching is performed on a peripheral portion other than the device region. Patent Document 3 discloses a substrate processing apparatus that performs the processing of the periphery of such a substrate. The apparatus has a shutoff member opposed to a substrate surface above a substrate and supplies the process liquid from a nozzle arranged at a peripheral edge portion of the shutoff member toward a peripheral edge portion of an upper surface of the substrate while rotating the substrate in a substantially horizontal plane And the peripheral edge portion of the upper surface of the substrate is etched.

일본 공개특허공보 2012-94836호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-94836 일본 공개특허공보 2010-157531호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2010-157531 일본 공개특허공보 2008-47629호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-47629

기판의 처리면 중 둘레 가장자리부에 있어서의 둘레 가장자리측의 세폭 영역만을 처리하기 위해서는, 기판의 처리면 중 당해 둘레 가장자리측의 세폭 영역에만 처리액을 공급할 필요가 있다. 그러나, 특허문헌 1, 2 의 기판 처리 장치는, 기판의 상면 전체에 처리액을 공급하기 때문에, 기판의 처리면 중 당해 세폭 영역에만 처리액을 공급할 수 없다는 등의 문제가 있다.It is necessary to supply the processing liquid only to the narrow area on the peripheral edge side of the processing surface of the substrate in order to process only the narrow area on the peripheral edge side of the processing surface of the substrate. However, since the substrate processing apparatuses of Patent Documents 1 and 2 supply the processing liquid to the entire upper surface of the substrate, there is a problem that the processing liquid can not be supplied only to the narrow area of the processing surface of the substrate.

또, 특허문헌 3 의 장치에서는, 처리액이 기판의 둘레 가장자리부 중 평탄 부분을 향하여 토출되기 때문에, 처리액이 기판의 둘레 가장자리부에 있어서 확산되어, 기판의 처리면 중 둘레 가장자리부의 세폭 영역만을 처리할 수 없는 등의 문제가 있다. 특허문헌 3 의 장치에 의해 당해 세폭 영역을 처리하기 위하여, 처리액의 토출 목표 영역을, 기판의 단면 끝으로 설정하면, 기판의 평탄부와 단부의 경계 부분에 처리액이 닿음으로써 처리액의 흐름이 흐트러진다. 즉, 기판에 닿은 처리액이 기판의 중심측으로 확산되거나 단면측으로 흐르거나 한다. 그 때문에, 처리액에 의해 처리되는 처리 폭은, 기판의 둘레 방향을 따라, 불균일해지고, 기판의 회전 중심측으로 확산된 처리액의 선단을 연결하는 선이, 기판의 둘레 방향을 따라 파형이 된다. 이 때문에, 기판의 둘레 가장자리부의 처리 폭이 불균일해진다는 문제가 있다.In the apparatus of Patent Document 3, since the process liquid is discharged toward the flat portion of the periphery of the substrate, the process liquid diffuses in the periphery of the substrate, and only the narrow region of the peripheral portion of the processed surface of the substrate There is a problem that it can not be processed. If the discharge target area of the treatment liquid is set as the end face of the substrate in order to treat the narrow width area by the apparatus of Patent Document 3, the treatment liquid touches the boundary part between the flat part and the end part of the substrate, This is disturbing. That is, the processing liquid contacted to the substrate is diffused toward the center of the substrate or flows to the side of the substrate. Therefore, the processing width processed by the processing liquid becomes non-uniform along the circumferential direction of the substrate, and a line connecting the front ends of the processing liquid diffused toward the rotational center side of the substrate becomes a waveform along the circumferential direction of the substrate. For this reason, there is a problem that the processing width of the peripheral edge portion of the substrate becomes uneven.

본 발명은, 이러한 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 기판의 둘레 가장자리부를 처리하는 기판 처리 기술에 있어서, 기판의 둘레 가장자리부의 처리 폭을 좁게 할 수 있음과 함께, 처리 폭의 균일성을 향상할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve such a problem, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing technique for processing the periphery of a substrate, in which the processing width of the periphery of the substrate can be narrowed, It is aimed to provide the technology that exists.

상기의 과제를 해결하기 위해서, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 기판을 하방으로부터 대략 수평으로 유지하고, 소정의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 형성된 유지 부재와, 상기 유지 부재를, 상기 회전축을 중심으로 회전시킬 수 있는 회전 기구와, 상기 유지 부재에 유지되어 있는 상기 기판의 단면과 간극을 두고 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 기판의 외측에 배치되는 별도 부재와, 적어도 일부가 상기 별도 부재의 상면에 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록 상기 토출 목표 영역의 상방으로부터 처리액을 토출하는 노즐을 구비하고, 상기 별도 부재와 상기 기판의 단면의 상기 간극은, 상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다.In order to solve the above problems, a substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention is a substrate processing apparatus comprising: a holding member which holds a substrate substantially horizontally from below and rotatable about a predetermined rotation axis; A holding member for holding the substrate held by the holding member, a rotating member rotatable about the center of the holding member, a separate member disposed on the outer side of the substrate along a radial direction of the substrate with a gap therebetween, And a nozzle for discharging the process liquid from above the discharge target area so as to reach a discharge target area included in the upper surface of the substrate, wherein the gap between the separate member and the substrate, , Flows through the upper surface of the separate member and is discharged from the inner end of the upper surface on the side of the rotation axis, Les are set to rest against the upper side to the edge portion.

제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 토출 목표 영역의 전부가, 상기 별도 부재의 상면에 포함되어 있다.The substrate processing apparatus according to the second aspect is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein all of the discharge target areas are included in the upper surface of the separate member.

제 3 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 노즐과 상기 별도 부재를 일체적으로 유지하는 노즐 유지 부재를 추가로 구비한다.The substrate processing apparatus according to the third aspect is the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, further comprising a nozzle holding member for integrally holding the nozzle and the separate member.

제 4 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 또는 제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재는, 상기 회전축을 중심으로 하는 상기 기판의 둘레 방향을 따라 상기 기판의 둘레 가장자리를 둘러싸는 환상 부재이고, 상기 기판 처리 장치는, 상기 별도 부재를 상기 기판과 동일한 회전 속도로 회전시키는 상기 환상 부재용 회전 기구를 추가로 구비한다.The substrate processing apparatus according to the fourth aspect is the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the separate member has a ring shape surrounding the periphery of the substrate along the circumferential direction of the substrate about the rotation axis, And the substrate processing apparatus further comprises a rotation mechanism for the annular member which rotates the separate member at the same rotation speed as the substrate.

제 5 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 4 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 환상 부재는, 복수의 원호상 부재를 포함하고 있고, 상기 복수의 원호상 부재는, 상기 기판의 둘레 방향을 따라 이웃하는 2 개의 원호상 부재를 포함하고, 상기 2 개의 원호상 부재의 각각의 상기 기판의 둘레 방향에 있어서의 일단끼리가 서로 대향하고 있고, 상기 2 개의 원호상 부재는, 각각의 타단을 중심으로 수평면 내에서 각각 회동 (回動) 가능하게 형성되어 있고, 상기 기판 처리 장치는, 상기 2 개의 원호상 부재의 각각의 타단을 회전 중심으로 하여 각각의 일단이 서로 상기 기판의 직경보다 떨어지도록 상기 2 개의 원호상 부재를 각각 회동시킬 수 있는 회동 기구를 추가로 구비한다.The substrate processing apparatus according to the fifth aspect is the substrate processing apparatus according to the fourth aspect, wherein the annular member includes a plurality of arc-shaped members, and the plurality of arc-shaped members are arranged along the circumferential direction of the substrate Each of the two arc-shaped members has one end in the circumferential direction facing each other, and the two arc-shaped members are arranged so as to face each other about the other end And the substrate processing apparatus is configured such that each of the two arc-shaped members is rotated about the other end of the two arcs so that one end of each of the two arc- Further comprising a pivoting mechanism capable of pivoting the respective arcuate members.

제 6 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 내지 제 5 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재를 상기 기판의 직경 방향으로 이동 가능한 직경 방향 구동부와, 상기 직경 방향 구동부와 상기 노즐을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿을 때의 상기 별도 부재의 위치에 의해 상기 별도 부재의 처리 위치를 정의했을 때, 상기 제어부는, 상기 직경 방향 구동부에 상기 별도 부재를 상기 처리 위치보다 상기 기판의 직경 방향의 외측의 외측 위치에 배치시키고 있는 동안에, 상기 노즐에 상기 토출 목표 영역을 향하여 상기 처리액의 토출을 개시시킴과 함께, 상기 노즐에 상기 처리액의 토출을 시키면서, 상기 직경 방향 구동부에 상기 별도 부재를 상기 외측 위치로부터 상기 처리 위치로 이동시킨다.The substrate processing apparatus according to the sixth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the substrate processing apparatus further comprises: a radial direction driving unit capable of moving the separate member in a radial direction of the substrate; Wherein the processing liquid that has contacted the discharge target area flows through the upper surface of the separate member and is discharged from the inner end of the upper surface on the rotation axis side, When the processing position of the separate member is defined by the position of the separate member when it is touched, the control unit places the separate member in the radial direction driving unit at an outer position on the outer side in the radial direction of the substrate than the processing position The discharge of the processing liquid toward the discharge target area is started to the nozzle, The separate member is moved from the outer position to the processing position in the radial direction driving unit while the process liquid is discharged to the nozzle.

제 7 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 내지 제 6 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재의 상면의 상기 회전축측의 내측단이, 상기 기판의 둘레 가장자리보다 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 회전축측에 위치한다.The substrate processing apparatus according to the seventh aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, wherein the inner end of the upper surface of the separate member on the side of the rotation axis is located on the outer periphery of the substrate And is located on the rotation axis side along the radial direction.

제 8 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 내지 제 7 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 내측면이 그 하단으로부터 상단을 향하여 상기 회전축에 가까워지도록 상기 회전축에 대해 경사져 있다.The substrate processing apparatus according to the eighth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, wherein the separate member includes an inner surface opposed to the end surface of the substrate, And is inclined with respect to the rotation axis so as to approach the rotation axis from the lower end toward the upper end.

제 9 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 내지 제 7 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 내측면은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 상기 회전축에 가까워짐과 함께, 상기 회전축에 대해 경사지게 상방으로 돌출하여 만곡되어 있다.The substrate processing apparatus according to the ninth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, wherein the separate member includes an inner surface opposed to the end surface of the substrate, , And comes close to the rotation shaft from the lower end toward the upper end, and is curved so as to protrude upward and obliquely with respect to the rotation shaft.

제 10 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 내지 제 7 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 회전축을 포함하는 평면에 있어서의 상기 내측면의 단면 (斷面) 형상은, 상기 기판의 단면을 따라 만곡되어 있다.The substrate processing apparatus according to the tenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, wherein the separate member includes an inner surface opposed to the end surface of the substrate, Sectional shape of the inner surface in the plane of the substrate is curved along the cross section of the substrate.

제 11 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서, 당해 기판 처리 장치는, 기판을 하방으로부터 대략 수평으로 유지하고, 소정의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 형성된 유지 부재와, 상기 유지 부재를, 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 기구와, 상기 기판으로부터 떨어져 배치되는 별도 부재와, 처리액을 토출 가능한 노즐을 구비하고, 상기 기판 처리 방법은, 상기 별도 부재를 상기 기판의 단면과 간극을 두고 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 기판의 외측에 배치하는 스텝과, 적어도 일부가 상기 별도 부재의 상면에 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록, 상기 노즐에 상기 토출 목표 영역의 상방으로부터 처리액을 토출시키는 스텝을 구비하고, 상기 별도 부재와 상기 기판의 단면의 상기 간극은, 상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다.The substrate processing method according to the eleventh aspect is a substrate processing method in a substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus includes: a holding member which is rotatably held around a predetermined rotation axis while holding the substrate substantially horizontally from below; A rotation mechanism for rotating the holding member about the rotation axis; a separate member disposed away from the substrate; and a nozzle capable of discharging the treatment liquid, wherein the substrate processing method includes: A step of disposing the nozzle on the outer side of the substrate along a radial direction of the substrate with a cross section and a gap therebetween; And a step of discharging the treatment liquid, wherein the gap between the separate member and the substrate has a gap Wherein the process liquid comes in contact with the ejection target area, and the flow over the upper surface of another member is discharged from the inner end of the rotary shaft side of that top surface, and is configured to rest against the upper side on the upper surface peripheral edge portion of the substrate.

제 1 및 제 11 중 어느 양태에 관련된 발명에 의해서도, 별도 부재의 상면에 적어도 일부가 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록 노즐로부터 처리액이 토출된다. 별도 부재는, 기판의 단면과 간극을 두고 기판의 직경 방향을 따라 기판의 외측에 배치되어 있고, 당해 간극은, 토출 목표 영역에 닿은 처리액이, 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다. 따라서, 처리액에 의한 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭을 좁게 할 수 있음과 함께, 처리 폭의 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the invention according to any one of the first and eleventh aspects, the treatment liquid is ejected from the nozzle so as to reach the ejection target area including at least a part of the upper surface of the separate member. The separate member is disposed on the outer side of the substrate along the radial direction of the substrate with the end face and the gap of the substrate being positioned such that the treatment liquid that has contacted the discharge target region flows on the upper surface of the separate member, And is set so as to be brought into contact with the peripheral edge of the upper surface of the substrate from above. Therefore, the treatment width of the peripheral portion of the upper surface of the substrate by the treatment liquid can be narrowed, and the uniformity of the treatment width can be improved.

제 2 양태에 관련된 발명에 의하면, 토출 목표 영역의 전부가, 별도 부재의 상면에 포함되어 있다. 따라서, 기판의 상면 둘레 가장자리부에 닿는 처리액은, 전부 토출 목표 영역으로부터 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축측의 내측단으로부터 배출되는 처리액이다. 따라서, 처리액이 기판의 상면 둘레 가장자리부에 닿는 위치와, 별도 부재의 내측단의 기판의 직경 방향을 따른 거리를 짧게 할 수 있다. 이로써, 처리액에 의한 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭을 더욱 좁게 할 수 있다.According to the invention related to the second aspect, all of the discharge target area is included in the upper surface of the separate member. Therefore, the processing liquid which comes into contact with the peripheral edge portion of the upper surface of the substrate is a processing liquid which flows from the entire discharge target region to the upper surface of the separate member, and is discharged from the inner end on the rotation axis side of the upper surface. Therefore, it is possible to shorten the distance between the position where the treatment liquid touches the peripheral edge of the upper surface of the substrate and the radial direction of the substrate at the inner edge of the separate member. This makes it possible to further narrow the processing width of the peripheral portion of the upper surface of the substrate by the treatment liquid.

제 3 양태에 관련된 발명에 의하면, 노즐 유지 부재가 노즐과 별도 부재를 일체적으로 유지하기 때문에, 일정한 토출 목표 영역에 닿도록 처리액이 토출된다. 이로써, 내측단으로부터 배출되는 처리액의 배출 양태를 안정시킬 수 있다. 따라서, 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭을 안정시킬 수 있다.According to the invention related to the third aspect, since the nozzle holding member integrally holds the nozzle and the separate member, the process liquid is discharged so as to reach a constant discharge target area. This makes it possible to stabilize the discharge mode of the treatment liquid discharged from the inner end. Therefore, the processing width of the peripheral edge portion of the upper surface of the substrate can be stabilized.

제 4 양태에 관련된 발명에 의하면, 별도 부재는, 회전축을 중심으로 하는 기판의 둘레 방향을 따라 기판의 둘레 가장자리를 둘러싸는 환상 부재이고, 별도 부재는 기판과 동일한 회전 속도로 회전된다. 따라서, 별도 부재를 기판과 함께 회전시키는 경우에 있어서도, 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭의 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the invention related to the fourth aspect, the separate member is an annular member surrounding the periphery of the substrate along the circumferential direction of the substrate around the rotation axis, and the separate member is rotated at the same rotational speed as the substrate. Therefore, even when the separate member is rotated together with the substrate, the uniformity of the processing width of the peripheral portion of the upper surface of the substrate can be improved.

제 5 양태에 관련된 발명에 의하면, 2 개의 원호상 부재는, 일단끼리가 대향하여 기판의 둘레 방향을 따라 이웃하여 형성되어 있고, 각각의 타단을 회전 중심으로 하여 각각의 일단이 서로 기판의 직경보다 떨어지도록 회동될 수 있다. 따라서, 2 개의 원호상 부재의 당해 회동에 의해 기판 처리 장치로의 기판의 반출입이 가능해진다.According to the invention related to the fifth aspect, the two arc-shaped members are formed so as to be adjacent to each other along the circumferential direction of the substrate with their ends opposed to each other, and each one end of the two arc- It can be pivoted to fall. Therefore, the substrate can be carried in and out of the substrate processing apparatus by the rotation of the two arc-shaped members.

제 6 양태에 관련된 발명에 의하면, 처리 위치보다 기판의 직경 방향의 외측의 외측 위치에 배치되어 있는 별도 부재의 토출 목표 영역을 향하여 노즐이 처리액의 토출을 개시하고, 노즐이 처리액을 토출하고 있는 동안, 별도 부재가 외측 위치로부터 처리 위치로 이동된다. 따라서, 토출 개시시에 있어서의 처리액의 액류의 흐트러짐의 영향에 의해, 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭이 불균일해지는 것을 억제할 수 있다.According to the invention related to the sixth aspect, the nozzle starts discharging the treatment liquid toward the discharge target area of the other member disposed at the outer side in the radial direction of the substrate than the treatment position, and the nozzle discharges the treatment liquid The separate member is moved from the outer position to the process position. Therefore, it is possible to suppress the uneven processing width of the peripheral portion of the upper surface of the substrate due to the influence of the disturbance of the liquid flow of the processing liquid at the start of discharge.

제 7 양태에 관련된 발명에 의하면, 별도 부재의 상면의 회전축측의 내측단이, 기판의 둘레 가장자리보다 기판의 직경 방향을 따라 회전축측에 위치한다. 따라서, 기판의 상면 둘레 가장자리부의 처리 폭을 넓게 할 수 있다.According to the invention related to the seventh aspect, the inner end on the rotation axis side of the upper surface of the separate member is positioned on the rotation axis side along the radial direction of the substrate than the peripheral edge of the substrate. Therefore, the processing width of the peripheral portion of the upper surface of the substrate can be widened.

제 8 양태에 관련된 발명에 의하면, 별도 부재의 내측면은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축에 가까워지도록 회전축에 대해 경사져 있다. 따라서, 별도 부재를 승강할 수 있는 경우, 처리 위치의 상방으로부터의 별도 부재의 강하에 의해 별도 부재를 처리 위치에 배치할 수 있다.According to the invention related to the eighth aspect, the inner surface of the separate member is inclined with respect to the rotation axis so as to approach the rotation axis from the lower end toward the upper end. Therefore, when the separate member can be moved up and down, the separate member can be disposed at the processing position by the drop of the separate member from above the processing position.

제 9 양태에 관련된 발명에 의하면, 별도 부재의 내측면은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축에 가까워짐과 함께, 회전축에 대해 경사지게 상방으로 돌출하여 만곡되어 있다. 따라서, 기판의 단면과 별도 부재의 기판의 직경 방향의 간극을, 더욱 균일화할 수 있다. 이로써, 기판의 단면의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.According to the invention related to the ninth aspect, the inner surface of the separate member is curved so as to approach the rotation axis from the lower end toward the upper end, and to project upward in an inclined manner with respect to the rotation axis. Therefore, the gap between the end surface of the substrate and the radial direction of the substrate of the other member can be made more uniform. As a result, the processing efficiency of the cross section of the substrate can be improved.

제 10 의 양태에 관련된 발명에 의하면, 별도 부재는, 기판의 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 회전축을 포함하는 평면에 있어서의 내측면의 단면 형상은, 기판의 단면을 따라 만곡되어 있다. 따라서, 기판의 단면과 별도 부재의 기판의 직경 방향의 간극을, 더욱 균일화할 수 있다. 이로써, 기판의 단면의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.According to the invention related to the tenth aspect, the separate member includes an inner surface opposed to the end surface of the substrate, and a cross-sectional shape of the inner surface in the plane including the rotation axis is curved along the end surface of the substrate. Therefore, the gap between the end surface of the substrate and the radial direction of the substrate of the other member can be made more uniform. As a result, the processing efficiency of the cross section of the substrate can be improved.

도 1 은 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 측면 모식도이다.
도 2 는 도 1 의 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 상면 모식도이다.
도 3 은 도 1 의 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 개략 사시도이다.
도 4 는 도 2 의 A1-A1 절단선에 있어서의 별도 부재와 기판 둘레 가장자리부의 단면 모식도이다.
도 5 는 도 4 의 별도 부재와 기판의 다른 위치 관계를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 6 은 별도 부재의 다른 실시형태를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 7 은 별도 부재의 다른 실시형태를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 8 은 별도 부재의 다른 실시형태를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 9 는 별도 부재의 다른 실시형태를 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 10 은 도 4 의 별도 부재에 있어서의 토출 목표 영역을 나타내는 상면 모식도이다.
도 11 은 별도 부재에 있어서의 토출 목표 영역의 다른 배치예를 나타내는 상면 모식도이다.
도 12 는 도 1 의 별도 부재의 다른 구성예를 설명하기 위한 상면 모식도이다.
도 13 은 도 1 의 기판의 둘레 가장자리부 부근을 나타내는 단면 모식도이다.
도 14 는 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 15 는 도 14 의 플로 차트에 나타나는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 16 은 다른 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 측면 모식도이다.
도 17 은 도 16 의 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 상면 모식도이다.
도 18 은 도 17 의 별도 부재의 기판의 반출입시의 동작을 설명하기 위한 상면 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a side schematic view for explaining a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment. Fig.
Fig. 2 is a schematic top view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus of Fig. 1;
3 is a schematic perspective view for explaining a configuration of the substrate processing apparatus of FIG.
4 is a cross-sectional schematic diagram of a separate member and a peripheral edge portion of the substrate at the cutting line A1-A1 in Fig.
5 is a cross-sectional view for explaining another positional relationship between the separate member of FIG. 4 and the substrate.
6 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of the separate member.
7 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of the separate member.
8 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of the separate member.
9 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of the separate member.
Fig. 10 is a top view schematically showing the discharge target area in the separate member of Fig. 4;
11 is a top view schematically showing another arrangement example of the discharge target area in the separate member.
12 is a top view schematically illustrating another configuration example of the separate member of Fig.
13 is a schematic cross-sectional view showing the vicinity of the periphery of the substrate of Fig. 1;
14 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment.
Fig. 15 is a diagram for explaining the operation shown in the flowchart of Fig.
16 is a side schematic view for explaining a configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment.
17 is a top view schematically illustrating the configuration of the substrate processing apparatus of Fig. 16;
FIG. 18 is a top view schematically illustrating the operation of the substrate of the separate member of FIG. 17 during loading and unloading.

이하, 도면을 참조하면서, 실시형태에 대해 설명한다. 이하의 실시형태는, 본 발명을 구체화한 일례로서, 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 사례는 아니다. 또, 이하에 참조하는 각 도면에서는, 이해를 용이하게 하기 위하여, 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화하여 도시되어 있는 경우가 있다. 상하 방향은 연직 방향이고, 스핀 척에 대해 기판측이 위이다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. The following embodiment is an example embodying the present invention and is not an example of limiting the technical scope of the present invention. In the drawings referred to below, in order to facilitate understanding, the dimensions and the numbers of the respective portions may be exaggerated or simplified. The vertical direction is the vertical direction, and the substrate side is above the spin chuck.

＜실시형태에 대해＞≪ Embodiment >

＜1. 기판 처리 장치 (1) 의 전체 구성＞<1. Overall Configuration of Substrate Processing Apparatus 1>

기판 처리 장치 (1) 의 구성에 대해, 도 1 ∼ 도 3 을 참조하면서 설명한다. 도 1 ∼ 도 3 은, 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 1, 도 2 는, 기판 처리 장치 (1) 의 측면 모식도, 상면 모식도이다. 도 3 은, 기판 처리 장치 (1) 를 경사지게 상방에서 본 개략 사시도이다.The configuration of the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to Figs. 1 to 3. Fig. 1 to 3 are views for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment. Figs. 1 and 2 are a schematic side view and a schematic top view of the substrate processing apparatus 1. Fig. 3 is a schematic perspective view of the substrate processing apparatus 1 as viewed obliquely from above.

도 1 ∼ 도 3 에서는, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 가 각각의 처리 위치에 배치된 상태에서, 기판 (9) 이 스핀 척 (21) 에 의해 회전축 (a1) 둘레로 소정의 회전 방향 (화살표 (AR1) 의 방향) 으로 회전하고 있는 상태가 나타내어져 있다. 또, 도 2 에는, 대피 위치에 배치된 노즐 (51), 별도 부재 (52) 등이 가상선으로 나타내어져 있다. 도 2, 도 3 에서는, 기판 처리 장치 (1) 의 구성 요소 중 비산 방지부 (3) 등의 일부의 구성 요소의 기재는 생략되어 있다.1 to 3 show a state in which the substrate 9 is rotated by the spin chuck 21 around the rotating shaft a1 in a predetermined rotational direction a1 in a state in which the nozzle 51 and the separate member 52 are disposed at the respective processing positions (In the direction of the arrow AR1). In Fig. 2, the nozzle 51, the separate member 52, and the like arranged at the retracted position are indicated by virtual lines. 2 and 3, the description of some components of the substrate processing apparatus 1, such as the scattering prevention portion 3, is omitted.

기판 (9) 의 표면 형상은 대략 원형이다. 기판 (9) 의 기판 처리 장치 (1) 로의 반입 반출은, 노즐 (51) 등이 대피 위치에 배치된 상태에서, 로봇 등에 의해 실시된다. 기판 처리 장치 (1) 에 반입된 기판 (9) 은, 스핀 척 (21) 에 의해 자유롭게 착탈할 수 있게 유지된다.The surface shape of the substrate 9 is approximately circular. The carrying-in and carrying-out of the substrate 9 into and from the substrate processing apparatus 1 is carried out by a robot or the like in a state where the nozzles 51 and the like are arranged at the retracted position. The substrate 9 loaded into the substrate processing apparatus 1 is freely detachably held by the spin chuck 21.

또한, 이하의 설명에 있어서,「처리액」에는, 약액 처리에 사용되는「약액」과, 약액을 헹구어 흘리는 린스 처리에 사용되는「린스액 (「세정액」으로도 칭해진다)」이 포함된다.In the following description, the term &quot; treating liquid &quot; includes &quot; chemical liquid &quot; used for chemical liquid treatment and &quot; rinse liquid (also referred to as &quot; cleaning liquid &quot;) used for rinsing and rinsing the chemical liquid.

기판 처리 장치 (1) 는, 회전 유지 기구 (2), 비산 방지부 (3), 처리부 (5), 노즐 이동 기구 (6) 및 제어부 (130) 를 구비한다. 이들 각 부 (2 ∼ 3, 5 ∼ 6) 는, 제어부 (130) 와 전기적으로 접속되어 있고, 제어부 (130) 로부터의 지시에 따라 동작한다. 제어부 (130) 로는, 예를 들어, 일반적인 컴퓨터와 동일한 것을 채용할 수 있다. 즉, 제어부 (130) 는, 예를 들어, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 판독 출력 전용 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 읽고 쓸 수 있는 메모리인 RAM, 제어용 소프트웨어나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있다. 제어부 (130) 에 있어서는, 프로그램에 기술된 순서에 따라 주제어부로서의 CPU 가 연산 처리를 실시함으로써, 기판 처리 장치 (1) 의 각 부를 제어한다.The substrate processing apparatus 1 includes a rotation maintaining mechanism 2, a scattering prevention unit 3, a processing unit 5, a nozzle moving mechanism 6, and a control unit 130. These parts 2 to 3 and 5 to 6 are electrically connected to the control unit 130 and operate in accordance with an instruction from the control unit 130. [ As the control unit 130, for example, the same as a general computer can be employed. That is, for example, the control unit 130 may include a CPU that performs various kinds of processing, a ROM that is a read only memory for storing a basic program, a RAM that is a memory that is free to read and write various information, And a magnetic disk for storing the data. In the control unit 130, the CPU as the main control unit performs calculation processing in accordance with the procedure described in the program, thereby controlling each section of the substrate processing apparatus 1. [

＜2. 기판 (9) ＞ <2. Substrate 9>

다음으로, 기판 처리 장치 (1) 에서 처리 대상이 되는 기판 (9) 에 대해, 도 13 을 참조하면서 설명한다. 도 13 은, 중심축을 포함하는 평면에 있어서의 기판 (9) 의 둘레 가장자리부 부근을 나타내는 단면도이다. 도 13 의 단면도는, 기판 (9) 의 주면의 중심 (c1) 을 통과하는 기판 (9) (스핀 척 (21)) 의 회전축 (a1) 을 포함하는 평면에 있어서의 단면도 (「종단면도」로도 칭해진다) 이다.Next, the substrate 9 to be processed in the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to Fig. 13 is a cross-sectional view showing the vicinity of the periphery of the substrate 9 in the plane including the central axis. 13 is a sectional view in a plane including the rotation axis a1 of the substrate 9 (spin chuck 21) passing through the center c1 of the main surface of the substrate 9 Quot;).

기판 처리 장치 (1) 에서 처리 대상이 되는 기판 (9) 은, 예를 들어, 실리콘 (Si) 에 의해 구성되는 중심층 (901), 중심층 (901) 의 외측에 성막된 하층막 (902) 및, 하층막 (902) 의 외측에 성막된 상층막 (903) 의 3 층 구조를 구비한다. 기판 (9) 의 표면 형상은 대략 원형이다. 기판 (9) 의 반경은, 예를 들어, 150 ㎜ 이다. 하층막 (902) 은, 예를 들어, 열산화막 (Th-SiO2), 혹은 절연막 (예를 들어, Hf (하프늄) 막, 또는, 산화 Hf 막 등) 이다. 또, 상층막 (903) 은, 예를 들어, 배리어 메탈막 (예를 들어, TiN 막, TaN 막 등), 혹은, 메탈막 (예를 들어, Al 막, W 막, NiSi 막, Cu 막 등) 이다. 그렇지만, 기판 처리 장치 (1) 에서 처리 대상이 되는 기판 (9) 은, 예를 들어, 중심층 (901) 과 하층막 (902) 의 2 층 구조를 구비하는 것이어도 되고, 4 층 이상의 구조를 구비하는 것이어도 된다.The substrate 9 to be processed in the substrate processing apparatus 1 is formed of a core layer 901 made of, for example, silicon (Si), a lower layer film 902 formed on the outer side of the center layer 901, And an upper layer film 903 formed on the outer side of the lower layer film 902. The surface shape of the substrate 9 is approximately circular. The radius of the substrate 9 is, for example, 150 mm. The lower layer film 902 is, for example, a thermally oxidized film (Th-SiO 2 ) or an insulating film (for example, a Hf (hafnium) film or an oxidized Hf film or the like). The upper layer film 903 may be formed of a metal film (for example, a TiN film, a TaN film or the like) or a metal film (for example, an Al film, a W film, a NiSi film, ) to be. However, the substrate 9 to be processed in the substrate processing apparatus 1 may have a two-layer structure of, for example, a center layer 901 and a lower layer film 902, May be provided.

이하에 있어서, 기판 (9) 의 2 개의 주면 중 디바이스 패턴이 형성되는 쪽의 면을「상면 (91)」이라고 한다. 또, 상면 (91) 의 반대측의 면을「하면 (92)」이라고 한다. 또한, 상면 (91) 에 있어서의, 디바이스 패턴이 형성되는 영역을「디바이스 영역 (90)」이라고 한다. 또, 상면 (91) 에 있어서의, 디바이스 영역 (90) 보다 외측의 둘레 가장자리 영역을「상면 둘레 가장자리부 (911)」라고 한다. 상면 둘레 가장자리부 (911) 는, 구체적으로는, 예를 들어, 기판 (9) 의 끝 (「둘레 가장자리」) (94) 으로부터 미소 폭 (D1) (예를 들어, D1 ＝ 0.3 ㎜ ∼ 1.0 ㎜) 의 환상의 영역이다. 기판 (9) 의 끝단 (94) 은, 기판 (9) 의 표면 중 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 가장 외측의 부분이다. 기판 (9) 의 상면에서 보았을 때에 있어서의 끝단 (94) 의 형상은 원형이다. 또, 하면 (92) 에 있어서의, 끝단 (94) 으로부터 미소 폭 (D1) 의 환상의 영역을「하면 둘레 가장자리부 (921)」라고 한다. 상면 둘레 가장자리부 (911) 와 하면 둘레 가장자리부 (921) 를 합친 영역은, 간단히「둘레 가장자리부」로도 칭해진다.Hereinafter, of the two main surfaces of the substrate 9, the surface on which the device pattern is formed is referred to as &quot; top surface 91 &quot;. The surface on the opposite side of the upper surface 91 is referred to as &quot; lower surface 92 &quot;. A region where the device pattern is formed on the upper surface 91 is referred to as &quot; device region 90 &quot;. The peripheral edge region on the upper surface 91 outside the device region 90 is referred to as the &quot; upper peripheral edge portion 911 &quot;. Concretely, for example, the upper surface peripheral edge portion 911 may have a minute width D1 (for example, D1 = 0.3 mm to 1.0 mm) from the end ("peripheral edge") 94 of the substrate 9 ). The end 94 of the substrate 9 is the outermost part of the surface of the substrate 9 along the radial direction of the substrate 9. The shape of the end 94 when viewed from the top surface of the substrate 9 is circular. An annular region of the minute width D1 from the end 94 in the lower surface 92 is referred to as &quot; lower peripheral edge portion 921 &quot;. The area including the upper surface peripheral edge portion 911 and the lower surface peripheral edge portion 921 is also simply referred to as a "peripheral edge portion".

기판 (9) 의 단면 (93) 은, 기판 (9) 의 표면 중 상면 (91) 및 하면 (92) 의 각각의 평탄부를 제외한 환상의 부분이다. 단면 (93) 은, 구체적으로는, 예를 들어, 끝단 (94) 으로부터 미소 폭 (D2) (예를 들어, D2 ＝ 0.3 ㎜ 정도) 의 환상의 영역이다. 기판 (9) 의 종단면에 있어서, 단면 (93) 은, 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 외측으로 돌출하여 만곡되어 있다. 단면 (93) 중 끝단 (94) 보다 상측의 환상의 부분은 상측 단면 (93a) 이고, 끝단 (94) 보다 하측의 환상의 부분은 하측 단면 (93b) 이다. 상측 단면 (93a) 은, 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 포함되고, 하측 단면 (93b) 은, 하면 둘레 가장자리부 (921) 에 포함되어 있다.The end surface 93 of the substrate 9 is an annular portion excluding the flat portions of the upper surface 91 and the lower surface 92 of the surface of the substrate 9. Concretely, the end surface 93 is, for example, an annular area having a minute width D2 (for example, about D2 = 0.3 mm) from the end 94. The end surface 93 of the substrate 9 is curved so as to protrude to the outside of the substrate 9 along the radial direction of the substrate 9. An annular portion above the end 94 of the end surface 93 is an upper end surface 93a and an annular portion below the end 94 is a lower end surface 93b. The upper end face 93a is included in the upper face peripheral portion 911 and the lower end face 93b is included in the lower face peripheral edge portion 921. [

기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (9) 을 처리 대상으로 하여, 그 상면 둘레 가장자리부 (911) 및 하측 단면 (93b) 에 대한 처리 (예를 들어, 상면 둘레 가장자리부 (911) 및 하측 단면 (93b) 에 형성되어 있는 박막을 제거하는 처리) 를 실시할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 is configured to process the substrate 9 and perform processing for the upper peripheral edge portion 911 and the lower side edge face 93b (for example, the upper peripheral edge portion 911 and the lower side edge portion 911) (A process of removing a thin film formed on the substrate 93b).

＜3. 기판 처리 장치 (1) 의 각 부의 구성＞ <3. Configuration of each part of the substrate processing apparatus 1>

＜회전 유지 기구 (2) ＞<Rotation Holding Mechanism (2)>

회전 유지 기구 (2) 는, 기판 (9) 을, 그 일방의 주면을 상방을 향하게 한 상태에서, 대략 수평 자세로 유지하면서 회전 가능한 기구이다. 회전 유지 기구 (2) 는, 기판 (9) 을, 주면의 중심 (c1) 을 통과하는 연직인 회전축 (a1) 을 중심으로 회전시킨다.The rotation maintaining mechanism 2 is a mechanism capable of rotating the substrate 9 while maintaining the substrate 9 in a substantially horizontal posture with its one main surface facing upward. The rotation maintaining mechanism 2 rotates the substrate 9 about the rotation axis a1 which is a vertical axis passing through the center c1 of the main surface.

회전 유지 기구 (2) 는, 기판 (9) 보다 작은 원판상의 부재인 스핀 척 (「유지 부재」,「기판 유지부」) (21) 을 구비한다. 스핀 척 (21) 은, 그 상면이 대략 수평이 되고, 그 중심축이 회전축 (a1) 에 일치하도록 형성되어 있다. 스핀 척 (21) 의 하면에는, 원통상의 회전축부 (22) 가 연결되어 있다. 회전축부 (22) 는, 그 축선을 연직 방향을 따르게 하는 자세로 배치된다. 회전축부 (22) 의 축선은, 회전축 (a1) 과 일치한다. 또, 회전축부 (22) 에는, 회전 구동부 (예를 들어, 서보 모터) (23) 가 접속된다. 회전 구동부 (23) 는, 회전축부 (22) 를 그 축선 둘레로 회전 구동시킨다. 따라서, 스핀 척 (21) 은, 회전축부 (22) 와 함께 회전축 (a1) 을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동부 (23) 와 회전축부 (22) 는, 스핀 척 (21) 을, 회전축 (a1) 을 중심으로 회전시키는 회전 기구 (231) 이다. 회전축부 (22) 및 회전 구동부 (23) 는, 통상 (筒狀) 의 케이싱 (24) 내에 수용되어 있다.The rotation maintaining mechanism 2 includes a spin chuck ("holding member", "substrate holding unit") 21, which is a disk-like member smaller than the substrate 9. The spin chuck 21 is formed such that its upper surface is substantially horizontal and its central axis coincides with the rotation axis a1. A cylindrical rotary shaft portion 22 is connected to the lower surface of the spin chuck 21. The rotary shaft portion 22 is disposed in a posture such that the axial line thereof follows the vertical direction. The axis of the rotary shaft portion 22 coincides with the rotation axis a1. A rotary drive part (for example, a servo motor) 23 is connected to the rotary shaft part 22. The rotation drive section 23 drives the rotation axis section 22 to rotate around its axis. Therefore, the spin chuck 21 is rotatable about the rotation axis a1 together with the rotation axis portion 22. [ The rotation drive section 23 and the rotation axis section 22 are a rotation mechanism 231 for rotating the spin chuck 21 around the rotation axis a1. The rotary shaft portion 22 and the rotary drive portion 23 are housed in a cylindrical casing 24. [

스핀 척 (21) 의 중앙부에는, 도시를 생략한 관통공이 형성되어 있고, 회전축부 (22) 의 내부 공간과 연통되어 있다. 내부 공간에는, 도시를 생략한 배관, 개폐 밸브를 통하여 도시를 생략한 펌프가 접속되어 있다. 당해 펌프, 개폐 밸브는, 제어부 (130) 에 전기적으로 접속되어 있다. 제어부 (130) 는, 당해 펌프, 개폐 밸브의 동작을 제어한다. 당해 펌프는, 제어부 (130) 의 제어에 따라, 부압과 정압을 선택적으로 공급 가능하다. 기판 (9) 이 스핀 척 (21) 의 상면에 대략 수평 자세로 놓여진 상태에서 펌프가 부압을 공급하면, 스핀 척 (21) 은, 기판 (9) 을 하방으로부터 흡착 유지한다. 펌프가 정압을 공급하면, 기판 (9) 은, 스핀 척 (21) 의 상면으로부터 떼어낼 수 있게 된다.A through hole (not shown) is formed in the center of the spin chuck 21 and communicates with the inner space of the rotary shaft portion 22. [ In the internal space, a pump (not shown) is connected through a piping and an opening / closing valve, not shown. The pump and the on-off valve are electrically connected to the control unit 130. The control unit 130 controls the operation of the pump and the on-off valve. This pump is capable of selectively supplying negative pressure and positive pressure under the control of the control unit 130. The spin chuck 21 sucks and holds the substrate 9 from below when the pump 9 supplies a negative pressure in a state in which the substrate 9 is placed in a substantially horizontal posture on the upper surface of the spin chuck 21. When the pump supplies a positive pressure, the substrate 9 can be detached from the upper surface of the spin chuck 21.

이 구성에 있어서, 스핀 척 (21) 이 기판 (9) 을 흡착 유지한 상태에서, 회전 구동부 (23) 가 회전축부 (22) 를 회전시키면, 스핀 척 (21) 이 연직 방향을 따른 축선 둘레에서 회전된다. 이로써, 스핀 척 (21) 상에 유지된 기판 (9) 이, 그 면내의 중심 (c1) 을 통과하는 연직인 회전축 (a1) 을 중심으로 화살표 (AR1) 방향으로 회전된다.In this configuration, when the spin chuck 21 rotates the rotary shaft portion 22 while the rotary drive portion 23 holds the substrate 9 by suction, the spin chuck 21 rotates about the axis along the vertical direction . Thereby, the substrate 9 held on the spin chuck 21 is rotated in the direction of the arrow AR1 about the rotational axis a1 which is the vertical passing through the center c1 in the plane.

＜비산 방지부 (3) ＞ <Shatterproofing portion 3>

비산 방지부 (3) 는, 스핀 척 (21) 과 함께 회전되는 기판 (9) 으로부터 비산하는 처리액 등을 받아낸다.The scattering prevention portion 3 receives a treatment liquid or the like scattering from the substrate 9 rotated together with the spin chuck 21.

비산 방지부 (3) 는, 스플래시 가드 (31) 를 구비한다. 스플래시 가드 (31) 는, 상단이 개방된 통형상의 부재로서, 회전 유지 기구 (2) 를 둘러싸도록 형성된다. 또한, 스플래시 가드 (31) 의 외측에, 회전 유지 기구 (2) 를 둘러싸도록 가드가 추가로 형성되어도 된다.The scattering prevention portion 3 is provided with a splash guard 31. [ The splash guard 31 is a tubular member whose upper end is opened and is formed so as to surround the rotation maintaining mechanism 2. [ Further, a guard may be additionally formed on the outer side of the splash guard 31 so as to surround the rotation holding mechanism 2. [

스플래시 가드 (31) 는, 원환상의 바닥부와, 바닥부의 내측 가장자리부로부터 상방으로 연장되는 원통상의 내측 벽부와, 바닥부의 외측 가장자리부로부터 상방으로 연장되는 원통상의 외측 벽부를 구비한다. 내측 벽부의 적어도 선단 부근은, 회전 유지 기구 (2) 의 케이싱 (24) 에 형성된 플랜지상 부재 (241) 의 내측 공간에 수용된다. 외측 벽부의 상부 (「상단측 부분」, 「상단 부분」) 는 내측 상방을 향하여 연장되어 있다. 즉, 당해 상부는, 회전축 (a1) 을 향하여 경사지게 상방으로 연장되어 있다.The splash guard 31 has an annular bottom portion, a cylindrical inner wall portion extending upward from the inner edge portion of the bottom portion, and a cylindrical outer wall portion extending upward from the outer edge portion of the bottom portion. At least the vicinity of the front end of the inner wall portion is accommodated in the inner space of the flange-like member 241 formed in the casing 24 of the rotation maintaining mechanism 2. [ The upper portion (&quot; upper portion &quot;, &quot; upper portion &quot;) of the outer wall portion extends toward the inner upper side. That is, the upper portion extends upward in an inclined manner toward the rotating shaft a1.

스플래시 가드 (31) 의 바닥부에는, 내측 벽부와 외측 벽부 사이의 공간과 연통되는 배액홈 (도시 생략) 이 형성된다. 이 배액홈은, 공장의 배액 라인과 접속된다. 또, 이 배액홈에는, 홈 내를 강제적으로 배기하여, 내측 벽부와 외측 벽부 사이의 공간을 부압 상태로 하는 배기액 기구가 접속되어 있다. 내측 벽부와 외측 벽부 사이의 공간은, 기판 (9) 의 처리에 사용된 처리액을 모아 배액하기 위한 공간이고, 이 공간에 모아진 처리액은, 배액홈으로부터 배액된다.A drainage groove (not shown) communicating with the space between the inside wall portion and the outside wall portion is formed at the bottom of the splash guard 31. [ This drain groove is connected to the drain line of the factory. In this drainage groove, an exhaust liquid mechanism for discharging the inside of the groove forcibly and making the space between the inside wall portion and the outside wall portion into a negative pressure state is connected. The space between the inside wall portion and the outside wall portion is a space for collecting and draining the processing solution used for processing the substrate 9, and the processing solution collected in this space is drained from the drainage groove.

스플래시 가드 (31) 에는, 이것을 승강 이동시키는 가드 구동 기구 (32) 가 배치 형성되어 있다. 가드 구동 기구 (32) 는, 예를 들어, 스테핑 모터에 의해 구성된다. 스플래시 가드 (31) 는, 가드 구동 기구 (32) 의 구동을 받아, 각각의 상방 위치와 하방 위치 사이에서 이동된다. 스플래시 가드 (31) 의 상방 위치는, 스플래시 가드 (31) 의 상단 가장자리부가, 스핀 척 (21) 상에 유지된 기판 (9) 의 측방, 또한 상방에 배치되는 위치이다. 한편, 스플래시 가드 (31) 의 하방 위치는, 스플래시 가드 (31) 의 상단 가장자리부가, 스핀 척 (21) 의 상면보다 하방에 배치되는 위치이다. 기판 처리 장치 (1) 에 기판 (9) 이 반출입될 때에는, 스플래시 가드 (31) 는 하방 위치에 배치된다. 가드 구동 기구 (32) 는, 제어부 (130) 와 전기적으로 접속되어 있고, 제어부 (130) 의 제어하에서 동작한다. 요컨대, 스플래시 가드 (31) 의 위치는, 제어부 (130) 에 의해 제어된다.The splash guard 31 is provided with a guard drive mechanism 32 for moving the splash guard 31 up and down. The guard drive mechanism 32 is constituted by, for example, a stepping motor. The splash guard 31 is driven by the guard drive mechanism 32 and is moved between the upper position and the lower position. The upper position of the splash guard 31 is a position at which the upper edge portion of the splash guard 31 is disposed on the side and upper side of the substrate 9 held on the spin chuck 21. On the other hand, the lower position of the splash guard 31 is a position where the upper edge portion of the splash guard 31 is disposed below the upper surface of the spin chuck 21. When the substrate 9 is carried in and out of the substrate processing apparatus 1, the splash guard 31 is disposed at a lower position. The guard drive mechanism 32 is electrically connected to the control unit 130 and operates under the control of the control unit 130. [ In short, the position of the splash guard 31 is controlled by the control unit 130. [

또한, 기판 처리 장치 (1) 가 비산 방지부 (3) 를 구비하고 있지 않다고 하더라도 본 발명의 유용성을 저해하는 것이 아니다.Even if the substrate processing apparatus 1 does not include the scattering prevention unit 3, it does not hinder the usefulness of the present invention.

＜처리부 (5) ＞ &Lt; Processing unit (5) &gt;

처리부 (5) 는, 스핀 척 (21) 상에 유지된 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 및 하측 단면 (93b) 에 대한 처리를 실시한다. 구체적으로는, 처리부 (5) 는, 스핀 척 (21) 상에 유지된 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 처리액을 공급한다. 처리부 (5) 는, 노즐 유지 부재 (50), 노즐 (51), 별도 부재 (52), 및 처리액 공급부 (83) 를 구비하고 있다.The processing section 5 performs processing on the upper surface peripheral portion 911 and the lower end surface 93b of the substrate 9 held on the spin chuck 21. Specifically, the processing section 5 supplies the treatment liquid to the peripheral edge portion 911 of the upper surface of the substrate 9 held on the spin chuck 21. The processing unit 5 includes a nozzle holding member 50, a nozzle 51, a separate member 52, and a process liquid supply unit 83.

노즐 유지 부재 (50) 는, 노즐 (51) 과 별도 부재 (52) 를 일체적으로 유지하는 부재이다. 노즐 유지 부재 (50) 는, 후술하는 노즐 이동 기구 (6) 가 구비하는 장척의 아암 (63) 의 선단에 장착되어 있다. 아암 (63) 은, 수평면을 따라 연장된다.The nozzle holding member 50 is a member that integrally holds the nozzle 51 and the separate member 52. The nozzle holding member 50 is attached to the tip end of a long arm 63 provided in a nozzle moving mechanism 6 to be described later. The arm 63 extends along the horizontal plane.

노즐 유지 부재 (50) 는, 예를 들어, 연직면을 따라 연장되는 판상 부재와, 당해 판상 부재의 상단으로부터 돌출되는 돌출 부재가 접합되어 형성되어 있다. 당해 판상 부재의 상단은, 아암 (63) 의 선단에 장착되어 있다. 당해 돌출 부재는, 당해 판상 부재에 대해 아암 (63) 과 반대측에, 아암 (63) 의 연장 방향을 따라 돌출되어 있다. 노즐 (51) 은, 당해 돌출 부재의 선단에 장착되어 있다. 노즐 유지 부재 (50) 의 판상 부재의 하단에는, 별도 부재 (52) 가 장착되어 있다.The nozzle holding member 50 is formed by joining, for example, a plate-like member extending along a vertical plane and a projecting member projecting from the upper end of the plate-like member. The upper end of the plate-like member is attached to the tip of the arm 63. The protruding member protrudes from the plate-like member on the opposite side of the arm 63 along the extending direction of the arm 63. The nozzle 51 is attached to the tip end of the projecting member. A separate member 52 is mounted on the lower end of the plate-like member of the nozzle holding member 50.

노즐 (51) 은, 스핀 척 (21) 상에 유지되어 회전하고 있는 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 일부에 닿도록 처리액의 액류 (L1) 를 토출한다. 액류 (L1) 는, 노즐 (51) 의 토출구로부터 액기둥상의 형상으로 토출된다. 노즐 (51) 의 선단부 (하단부) 는, 하방으로 돌출되어 있고 선단에 토출구를 구비한다. 당해 토출구는, 별도 부재 (52) 의 상면에 대향하고 있다. 노즐 (51) 에는, 이것에 처리액을 공급하는 배관계인 처리액 공급부 (83) 가 접속되어 있다. 구체적으로는, 노즐 (51) 의 상단에는, 처리액 공급부 (83) 의 배관 (832) 의 일단이 접속되어 있다. 노즐 (51) 은, 처리액 공급부 (83) 로부터 처리액이 공급되고, 공급된 처리액의 액류 (L1) 를 선단의 토출구로부터 액기둥상의 형상으로 토출한다. 노즐 (51) 은, 적어도 일부가 별도 부재 (52) 의 상면에 포함되는 토출 목표 영역 (521) 에 닿도록 토출 목표 영역 (521) 의 상방으로부터 처리액을 토출한다.The nozzle 51 discharges the liquid L 1 of the processing liquid so as to reach a part of the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 held on the spin chuck 21 and rotating. The liquid flow L1 is discharged from the discharge port of the nozzle 51 in the form of a liquid column. The distal end (lower end) of the nozzle 51 protrudes downward and has a discharge port at its tip. The discharge port is opposed to the upper surface of the separate member 52. The nozzle 51 is connected with a process liquid supply unit 83 which is a piping system for supplying the process liquid to the nozzle 51. Specifically, one end of the pipe 832 of the process liquid supply unit 83 is connected to the upper end of the nozzle 51. [ The nozzle 51 is supplied with the treatment liquid from the treatment liquid supply unit 83 and discharges the supplied treatment liquid liquid L1 from the discharge port at the tip end in the form of a liquid column. The nozzle 51 discharges the treatment liquid from above the discharge target area 521 so that at least a part of the nozzle 51 comes into contact with the discharge target area 521 included in the upper surface of the separate member 52.

처리액 공급부 (83) 는, 노즐 (51) 에 처리액을 공급한다. 처리액 공급부 (83) 는, 구체적으로는, 처리액 공급원 (831), 배관 (832), 및 개폐 밸브 (833) 를 조합하여 구성되어 있다. 처리액에는, 약액과 린스액이 포함된다. 약액으로서 예를 들어, SC-1, DHF, SC-2 등이 사용된다. 린스액으로서 예를 들어, 순수, 온수, 오존수, 자기수, 환원수 (수소수), 각종의 유기 용제 (이온수, IPA (이소프로필알코올), 기능수 (CO2 수 등) 등이 사용된다.The treatment liquid supply unit 83 supplies the treatment liquid to the nozzle 51. Specifically, the treatment liquid supply unit 83 is formed by combining a treatment liquid supply source 831, a pipe 832, and an on-off valve 833. The treatment liquid includes a chemical liquid and a rinsing liquid. As the chemical liquid, for example, SC-1, DHF, SC-2 and the like are used. As the rinsing liquid, for example, pure water, hot water, ozonated water, magnetic water, reduced water (hydrogenated water), various organic solvents (ionized water, IPA (isopropyl alcohol), functional water (CO 2 water, etc.)

처리액 공급부 (83) 로부터 처리액이 노즐 (51) 에 공급되면, 노즐 (51) 은 당해 처리액의 액류 (L1) 를 토출한다. 단, 처리액 공급부 (83) 가 구비하는 개폐 밸브 (833) 는, 제어부 (130) 와 전기적으로 접속되어 있는 도시를 생략한 밸브 개폐 기구에 의해, 제어부 (130) 의 제어하에서 개폐된다. 요컨대, 노즐 (51) 로부터의 처리액의 토출 양태 (구체적으로는, 토출되는 처리액의 토출 개시 타이밍, 토출 종료 타이밍, 토출 유량 등) 는 제어부 (130) 에 의해 제어된다. 즉, 처리부 (5) 의 노즐 (51) 은, 제어부 (130) 의 제어에 의해, 회전축 (a1) 을 중심으로 회전하고 있는 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 닿도록 처리액의 액류 (L1) 를 토출한다.When the process liquid is supplied from the process liquid supply unit 83 to the nozzle 51, the nozzle 51 discharges the liquid L 1 of the process liquid. The open / close valve 833 provided in the process liquid supply unit 83 is opened and closed under the control of the control unit 130 by a valve opening / closing mechanism which is electrically connected to the control unit 130 (not shown). That is, the manner of discharge of the process liquid from the nozzle 51 (specifically, the discharge start timing of the discharged process liquid, the discharge end timing, the discharge flow rate, etc.) is controlled by the control unit 130. That is, under the control of the control unit 130, the nozzle 51 of the processing unit 5 is controlled so as to make contact with the peripheral edge 911 of the substrate 9 rotating around the rotation axis a1 And discharges the liquid flow L1.

별도 부재 (52) 는, 스핀 척 (21) 에 유지되어 있는 기판 (9) 의 단면 (93) 과 간극을 두고 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 외측에 배치되는 부재이다. 보다 상세하게는, 별도 부재 (52) 의 무게 중심이 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 외측에 배치된다. 별도 부재 (52) 의 상면에는, 토출 목표 영역 (521) 의 적어도 일부가 포함된다. 별도 부재 (52) 의 구성 및 다른 구성예에 대해서는 후술한다.The separate member 52 is a member disposed on the outer side of the substrate 9 along the radial direction of the substrate 9 with a gap between the end surface 93 of the substrate 9 held by the spin chuck 21. More specifically, the center of gravity of the separate member 52 is arranged on the outside of the substrate 9 along the radial direction of the substrate 9. At least a part of the discharge target area 521 is included in the upper surface of the separate member 52. The configuration of the separate member 52 and other configuration examples will be described later.

＜노즐 이동 기구 (6) ＞ &Lt; Nozzle moving mechanism 6 &gt;

노즐 이동 기구 (6) 는, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 를 각각의 처리 위치와 퇴피 위치 사이에서 이동시키는 기구이다. 노즐 이동 기구 (6) 는, 수평으로 연장되는 아암 (63), 노즐 기대 (66), 승강 구동부 (68), 회전 구동부 (69) 를 구비한다. 노즐 유지 부재 (50) 는, 아암 (63) 의 선단 부분에 장착되어 있다.The nozzle moving mechanism 6 is a mechanism for moving the nozzle 51 and the separate member 52 between the respective processing positions and the retreat position. The nozzle moving mechanism 6 includes an arm 63 extending horizontally, a nozzle base 66, a lifting and driving unit 68, and a rotation driving unit 69. The nozzle holding member 50 is attached to the tip end portion of the arm 63.

아암 (63) 의 기단부는, 노즐 기대 (66) 의 상단 부분에 연결되어 있다. 노즐 기대 (66) 는, 그 축선을 연직 방향을 따르게 하는 자세로 케이싱 (24) 의 외측에 배치되어 있다. 노즐 기대 (66) 는, 그 축선을 따라 연직 방향으로 연장되고, 축선 둘레로 회전 가능한 회전축을 구비하고 있다. 노즐 기대 (66) 의 축선과 회전축의 축선은 일치한다. 회전축의 상단에는, 노즐 기대 (66) 의 상단 부분이 장착되어 있다. 회전축이 회전함으로써, 노즐 기대 (66) 의 상단 부분은 회전축의 축선, 즉 노즐 기대 (66) 의 축선을 중심으로 회전한다. 노즐 기대 (66) 에는, 그 회전축을 당해 축선을 중심으로 회전시키는 회전 구동부 (69) 가 형성되어 있다. 회전 구동부 (69) 는, 예를 들어, 서보 모터 등을 구비하여 구성된다.The proximal end of the arm 63 is connected to the upper end of the nozzle base 66. The nozzle base 66 is disposed on the outside of the casing 24 in such a posture that its axis extends along the vertical direction. The nozzle base 66 has a rotation axis extending in the vertical direction along the axis thereof and rotatable about the axis. The axis of the nozzle base 66 coincides with the axis of the rotation axis. An upper end portion of the nozzle base 66 is mounted on the upper end of the rotary shaft. As the rotary shaft rotates, the upper end portion of the nozzle base 66 rotates about the axis of the rotary shaft, that is, the axis of the nozzle base 66. The nozzle base 66 is provided with a rotation drive portion 69 for rotating the rotation axis about the axis. The rotation drive unit 69 is constituted by, for example, a servo motor.

또, 노즐 기대 (66) 에는, 승강 구동부 (68) 가 형성되어 있다. 승강 구동부 (68) 는, 예를 들어, 서보 모터 등을 구비하여 구성된다. 승강 구동부 (68) 는, 그 출력축에 연결된 볼 나사를 갖는 볼 나사 기구 등을 통하여, 노즐 기대 (66) 의 회전축을 그 축선을 따라 승강시킨다.Further, the nozzle base 66 is provided with a lifting and lowering drive portion 68. The lifting and lowering drive unit 68 includes, for example, a servo motor. The lifting and lowering drive unit 68 moves the rotary shaft of the nozzle base 66 along its axis via a ball screw mechanism or the like having a ball screw connected to the output shaft thereof.

회전 구동부 (69) 는, 노즐 기대 (66) 의 회전축을 통하여 노즐 기대 (66) 의 상단 부분을 회전시킨다. 당해 상단 부분의 회전에 수반하여, 노즐 유지 부재 (50) 도 노즐 기대 (66) 의 축선 둘레로 회전한다. 이로써, 회전 구동부 (69) 는, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 를 수평 이동시킨다. 즉, 회전 구동부 (69) 는, 별도 부재 (52) 를 기판 (9) 의 직경 방향으로 이동 가능한「직경 방향 구동부」이다.The rotary drive portion 69 rotates the upper end portion of the nozzle base 66 through the rotation axis of the nozzle base 66. [ As the top portion is rotated, the nozzle holding member 50 also rotates about the axis of the nozzle base 66. Thereby, the rotation driving unit 69 horizontally moves the nozzle 51 and the separate member 52. That is, the rotation driving portion 69 is a &quot; radial direction driving portion &quot; that allows the separate member 52 to move in the radial direction of the substrate 9. [

승강 구동부 (68) 는, 노즐 기대 (66) 의 회전축을 그 축선을 따라 승강시킴으로써, 노즐 유지 부재 (50), 즉 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 를 승강시킨다. 승강 구동부 (68) 와 회전 구동부 (69) 는 협동하여, 스핀 척 (21) 에 유지된 기판 (9) 의 근방의 처리 위치와, 처리 위치로부터 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 외측, 또한 상방의 대피 위치 사이에서, 노즐 유지 부재 (50) 를 이동시킨다. 노즐 유지 부재 (50) 가 처리 위치에 배치되면, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 가 각각의 처리 위치에 배치된다.The lifting and lowering drive unit 68 lifts the nozzle holding member 50, that is, the nozzle 51 and the separate member 52, by lifting the rotary shaft of the nozzle base 66 along the axis thereof. The elevation drive section 68 and the rotation drive section 69 cooperate with each other so that the process position in the vicinity of the substrate 9 held by the spin chuck 21 and the process position in the radial direction of the substrate 9, The nozzle holding member 50 is moved between the retracted positions. When the nozzle holding member 50 is disposed at the processing position, the nozzle 51 and the separate member 52 are disposed at the respective processing positions.

노즐 유지 부재 (50), 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 의 각각의 대피 위치는, 이들이 기판 (9) 의 반송 경로와 간섭하지 않고, 또한 이들이 서로 간섭하지 않는 각 위치이다. 각 퇴피 위치는, 예를 들어, 스플래시 가드 (31) 의 외측, 또한 상방의 위치이다.The retracted positions of the nozzle holding member 50, the nozzle 51 and the separate member 52 are angular positions that do not interfere with the conveying path of the substrate 9 and do not interfere with each other. Each retreat position is, for example, an outer side of the splash guard 31 and an upper position.

구동부 (68, 69) 는, 제어부 (130) 와 전기적으로 접속되어 있고, 제어부 (130) 의 제어 하에서 동작한다. 요컨대, 노즐 유지 부재 (50) 의 위치는, 제어부 (130) 에 의해 제어된다. 즉, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 의 위치는, 제어부 (130) 에 의해 제어된다.The driving units 68 and 69 are electrically connected to the control unit 130 and operate under the control of the control unit 130. [ In short, the position of the nozzle holding member 50 is controlled by the control unit 130. [ That is, the positions of the nozzle 51 and the separate member 52 are controlled by the control unit 130.

＜4. 별도 부재 (52) 의 구성과, 별도 부재의 다른 구성예＞ <4. The constitution of the separate member 52 and the other constitution example of the different member>

도 4 는, A1-A1 절단선 (도 2) 에 있어서의 별도 부재 (52) 와 기판 (9) 의 둘레 가장자리부의 단면 모식도이다. 도 5 는, 도 4 의 위치 관계와는 상이한 위치 관계로 배치된 별도 부재 (52) 와 기판 (9) 을 설명하기 위한 단면 모식도이다. 도 6 ∼ 도 9 는, 다른 실시형태에 관련된 별도 부재 (52A ∼ 52D) 를 설명하기 위한 단면 모식도이다. 도 4 ∼ 도 9 는, 종단면도에 의해 나타내어져 있다. 도 10 은, 별도 부재 (52) 에 있어서의 토출 목표 영역 (521) 의 예를 나타내는 상면 모식도이다. 별도 부재 (52) 에 있어서의 토출 목표 영역 (521) 의 다른 배치예를 나타내는 상면 모식도이다. 도 12 는, 별도 부재 (52) 의 다른 구성예로서 별도 부재 (52E) 를 설명하기 위한 상면 모식도이다.4 is a schematic cross-sectional view of the peripheral portion of the substrate 9 and the separate member 52 in the cutting line A1-A1 (Fig. 2). 5 is a schematic cross-sectional view for explaining the substrate 9 and the separate member 52 disposed in a positional relationship different from the positional relationship of FIG. Figs. 6 to 9 are sectional schematic views for explaining the separate members 52A to 52D according to other embodiments. Fig. Figs. 4 to 9 are shown by vertical cross-sectional views. Fig. 10 is a top view schematically showing an example of the discharge target area 521 in the separate member 52. Fig. Is a top view schematically showing another arrangement example of the discharge target area 521 in the separate member 52. Fig. 12 is a top view schematically illustrating another member 52E as another example of the constitution of the separate member 52. As shown in Fig.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 별도 부재 (52) 는, 축선이 기판 (9) 의 대략 둘레 방향을 따라 연장되는 삼각기둥상의 부재이다. 별도 부재 (52) 의 종단면은, 대략 삼각형이다. 별도 부재 (52) 는, 상면 (53), 외측면 (54), 내측면 (「대향면」) (55), 측면 (57), 측면 (58) 을 구비한다.As shown in Fig. 4, the separate member 52 is a triangular columnar member whose axis extends along the substantially circumferential direction of the substrate 9. As shown in Fig. The longitudinal section of the separate member 52 is substantially triangular. The separate member 52 has an upper surface 53, an outer surface 54, an inner surface ("opposite surface") 55, a side surface 57,

상면 (53) 은, 대략 수평인 사각형의 면이다. 외측면 (54) 은, 별도 부재 (52) 중 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 가장 외측의 면이고, 기판 (9) 의 직경 방향에 대해 대략 수직으로 형성되어 있다. 내측면 (55) 은, 기판 (9) 의 단면 (93) 에 대향하고 있고, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축 (a1) 에 가까워지도록 회전축 (a1) 에 대해 경사져 있다. 측면 (57, 58) 은, 상면 (53) 및 외측면 (54) 의 각각과 수직인 대략 삼각형상의 면이다. 측면 (57, 58) 은, 서로 평행해도 되고, 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 각각 연장되어 있어도 된다. 상면 (53) 의 회전축 (a1) 측의 내측단은, 기판 (9) 의 끝단 (94), 즉 둘레 가장자리보다 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 회전축 (a1) 측에 위치한다. 당해 내측단은, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 상방에 위치하고 있다.The upper surface 53 is a substantially horizontal rectangular surface. The outer surface 54 is the outermost surface of the separate member 52 along the radial direction of the substrate 9 and is formed substantially perpendicular to the radial direction of the substrate 9. The inner surface 55 is opposite to the end surface 93 of the substrate 9 and is inclined with respect to the rotation axis a1 so as to approach the rotation axis a1 from the lower end thereof toward the upper end. The side surfaces 57 and 58 are substantially triangular surfaces perpendicular to the upper surface 53 and the outer surface 54, respectively. The side surfaces 57 and 58 may be parallel to each other or may extend along the radial direction of the substrate 9. The inner end of the upper surface 53 on the rotation axis a1 side is located on the rotation axis a1 side along the radial direction of the substrate 9 than the end edge 94 of the substrate 9, The inner end is located above the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9. [

기판 (9) 의 직경 방향에 있어서의 별도 부재 (52) 의 길이 (D5) (도 10) 는, 예를 들어, 약 10 ㎜ 이다. 기판 (9) 의 끝단 (94) 의 접선 방향에 있어서의 별도 부재 (52) 의 길이 (D6) (도 10) 는, 예를 들어, 약 20 ㎜ 이다. 회전축 (a1) 을 따른 별도 부재 (52) 의 높이 (D7) (도 4) 는, 예를 들어, 약 5 ㎜ 이다.The length D5 (FIG. 10) of the separate member 52 in the radial direction of the substrate 9 is, for example, about 10 mm. The length D6 (FIG. 10) of the separate member 52 in the tangential direction of the end 94 of the substrate 9 is, for example, about 20 mm. The height D7 (Fig. 4) of the separate member 52 along the rotation axis a1 is, for example, about 5 mm.

또한, 별도 부재 (52) 대신에, 예를 들어, 도 12 에 나타나는 별도 부재 (52E) 가 채용되어도 된다. 별도 부재 (52E) 는, 기판 (9) 의 단면 (93) 과 간극을 두고 대향하는 내측면을 구비하고, 당해 내측면이 기판 (9) 의 둘레 가장자리 (끝단 (94)) 를 따라 기판 (9) 의 둘레 방향으로 호상으로 연장되어 있다. 이로써, 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 있어서의 처리 폭의 균일성을 향상시킬 수 있다.Instead of the separate member 52, for example, a separate member 52E shown in Fig. 12 may be employed. The separate member 52E has an inner surface opposed to the end surface 93 of the substrate 9 with a gap therebetween and the inner surface of the separate member 52E extends along the peripheral edge (end 94) In the circumferential direction. This makes it possible to improve the uniformity of the processing width in the upper surface peripheral portion 911.

별도 부재 (52) 에는, 대략 원형의 토출 목표 영역 (521) 이 포함되어 있다. 토출 목표 영역 (521) 은, 가상의 영역이다. 노즐 (51) 로부터 토출되는 처리액의 액류 (L1) 의 직경은, 토출 목표 영역 (521) 의 직경 (D3) 과 거의 동일한 길이이다. 직경 (D3) 은, 기판 (9) 의 단면 (93) 의 폭 (D2) 과 대략 동일한 길이이다. 도 4, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 토출 목표 영역 (521) 의 전부가, 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 에 포함되어 있다. 도 11 에 나타내는 바와 같이, 기판 (9) 의 상면에서 보았을 때, 토출 목표 영역 (521) 중 일부가 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 의 내측단으로부터 회전축 (a1) 측으로 비어져 나와 있어도 된다.The separate member 52 includes a substantially circular discharge target area 521. The discharge target area 521 is a virtual area. The diameter of the liquid L1 of the processing liquid discharged from the nozzle 51 is substantially equal to the diameter D3 of the discharge target area 521. [ The diameter D3 is approximately the same as the width D2 of the end surface 93 of the substrate 9. [ As shown in Figs. 4 and 10, all of the discharge target areas 521 are included in the upper surface 53 of the separate member 52. Fig. Some of the ejection target areas 521 may be ejected from the inner end of the upper surface 53 of the separate member 52 toward the rotation axis a1 as viewed from the upper surface of the substrate 9 .

도 4 에 나타내는 바와 같이, 노즐 (51) 로부터 액류 (L1) 로서 토출 목표 영역 (521) 에 닿도록 토출된 처리액은, 토출 목표 영역 (521) 으로부터 상면 (53) 상에서 주위로 확산된다. 일부의 처리액은, 상면 (53) 을 흘러 상면 (53) 의 회전축 (a1) 측의 내측단으로부터 별도 부재 (52) 의 외부로 배출된다. 별도 부재 (52) 와 기판 (9) 의 단면 (93) 의 간극 (97) (도 4) 은, 배출된 처리액이, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다. 따라서, 당해 처리액은, 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 상방으로부터 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 닿는다. 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 평탄부와 상측 단면 (93a) 의 경계와, 내측면 (55) 과의 기판 (9) 의 직경 방향을 따른 거리 (D4) 는, 단면 (93) 의 폭 (D2) 과 대략 동일한 길이이다.The treatment liquid discharged from the nozzle 51 so as to reach the discharge target area 521 as the liquid flow L1 diffuses from the discharge target area 521 to the periphery on the upper surface 53. As shown in Fig. A part of the processing liquid flows through the upper surface 53 and is discharged from the inner end of the upper surface 53 on the rotating axis a1 side to the outside of the different member 52. [ The gap 97 between the separate member 52 and the end face 93 of the substrate 9 is set so that the discharged process liquid contacts the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 from above . Therefore, the treatment liquid touches the upper surface peripheral edge portion 911 from the upper surface peripheral edge portion 911. The distance D4 along the radial direction of the substrate 9 between the flat portion and the upper end face 93a of the upper surface peripheral portion 911 and the inner surface 55 is larger than the width D2 ).

상면 둘레 가장자리부 (911) 에 닿은 처리액은, 간극 (97) 을 통과하여, 기판 (9) 의 단면 (93) 을 따라 하방으로 흐른다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 중 처리액이 닿은 부분보다 끝단 (94) 측의 부분 및 하측 단면 (93b) 이 처리액에 의해 처리된다.The processing liquid which has come into contact with the upper surface peripheral edge portion 911 flows downward along the end surface 93 of the substrate 9 through the gap 97. Thereby, the portion on the side of the end 94 and the lower end face 93b of the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 are treated by the treatment liquid.

도 5 에 나타내는 바와 같이, 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 이 기판 (9) 의 상면 (91) 의 평탄부와 거의 동일한 높이의 수평면이 되도록 별도 부재 (52) 가 배치되어도 된다. 도 5 에서는, 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 평탄부와 상측 단면 (93a) 의 경계와, 내측면 (55) 과의 기판 (9) 의 직경 방향을 따른 거리 (D4) 는, 도 4 와 마찬가지로, 단면 (93) 의 폭 (D2) 과 대략 동일한 길이이다. 이 거리 (D4) 는, 당해 경계에서, 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 의 내측단까지의 거리이다.The separate member 52 may be disposed such that the upper surface 53 of the separate member 52 is a horizontal surface having substantially the same height as that of the flat surface of the upper surface 91 of the substrate 9 as shown in Fig. 5, the boundary between the flat portion and the upper end face 93a of the upper surface peripheral portion 911 and the distance D4 along the radial direction of the substrate 9 between the inner surface 55 are the same as in Fig. 4 , And the width D2 of the end surface 93. [ This distance D4 is the distance from the boundary to the inner end of the upper surface 53 of the separate member 52. [

또, 별도 부재 (52) 대신에 도 6 에 나타나는 별도 부재 (52A) 가 채용되어도 된다. 별도 부재 (52A) 는, 수평인 상면 (53A) 과, 연직면인 외측면 (54A) 을 구비한다. 상면 (53A), 외측면 (54A) 은, 별도 부재 (52) (도 4) 의 상면 (53), 외측면 (54) 과 동일하게 구성되어 있다. 별도 부재 (52A) 는, 별도 부재 (52) 의 내측면 (55) 대신에, 기판 (9) 의 단면 (93) 에 대향하는 내측면 (55A) 을 구비하고 있다. 내측면 (55A) 은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축 (a1) 에 가까워짐과 함께, 회전축 (a1) 에 대해 경사지게 상방으로 돌출하여 만곡되어 있다. 또, 별도 부재 (52A) 는, 내측면 (55A) 및 외측면 (54A) 의 하단을 접속하고, 상면 (53A) 에 평행한 하면 (56A) 을 구비하고 있다.It is also possible to adopt a separate member 52A shown in Fig. 6 in place of the separate member 52. Fig. The separate member 52A has a horizontal upper surface 53A and an outer side surface 54A which is a vertical surface. The upper surface 53A and the outer surface 54A are configured in the same manner as the upper surface 53 and the outer surface 54 of the separate member 52 (FIG. 4). The separate member 52A has an inner surface 55A opposed to the end surface 93 of the substrate 9 in place of the inner surface 55 of the separate member 52. [ The inner side surface 55A is closer to the rotation axis a1 from the lower end toward the upper end and is curved so as to protrude upward and obliquely with respect to the rotation axis a1. The separate member 52A has a lower surface 56A that connects the lower ends of the inner side surface 55A and the outer side surface 54A and is parallel to the upper surface 53A.

또, 별도 부재 (52) 대신에 도 7 에 나타나는 별도 부재 (52B) 가 채용되어도 된다. 별도 부재 (52B) 는, 별도 부재 (52) 의 상면 (53), 외측면 (54) 과 대략 동일하게 구성된 상면 (53B), 외측면 (54B) 을 구비함과 함께, 상면 (53B) 과 평행한 하면 (56B) 을 구비한다. 하면 (56B) 은, 상면 (53B) 과 동일한 형상 및 크기로 형성되어 있다. 별도 부재 (52B) 는, 또한 별도 부재 (52) 의 내측면 (55) 대신에, 기판 (9) 의 단면 (93) 에 대향하는 내측면 (55B) 을 구비한다. 회전축 (a1) 을 포함하는 평면에 있어서의 내측면 (55B) 의 단면 형상은, 기판 (9) 의 단면 (93) 을 따라 만곡되어 있다. 상면 (53B) 은, 기판 (9) 의 상면 (91) 보다 상방에 위치하고, 하면 (56B) 은, 기판 (9) 의 하면 (92) 보다 하방에 위치하고 있다.Instead of the separate member 52, a separate member 52B shown in Fig. 7 may be employed. The separate member 52B has an upper surface 53B and an outer side surface 54B which are substantially identical to the upper surface 53 and the outer side surface 54 of the separate member 52 and are parallel to the upper surface 53B And a lower surface 56B. The lower surface 56B is formed in the same shape and size as the upper surface 53B. The separate member 52B also has an inner side 55B opposite to the end face 93 of the substrate 9 instead of the inner side 55 of the separate member 52. [ The cross-sectional shape of the inner surface 55B in the plane including the rotation axis a1 is curved along the cross section 93 of the substrate 9. [ The upper surface 53B is located above the upper surface 91 of the substrate 9 and the lower surface 56B is below the lower surface 92 of the substrate 9. [

또, 별도 부재 (52) 대신에 도 8 에 나타나는 별도 부재 (52C) 가 채용되어도 된다. 별도 부재 (52C) 는, 별도 부재 (52B) 가 회전축 (a1) 방향을 따라 줄어든 형상을 갖고 있다. 별도 부재 (52C) 는, 상면 (53C), 하면 (56C), 외측면 (54C), 및 내측면 (55C) 을 구비하고 있다.Instead of the separate member 52, a separate member 52C shown in Fig. 8 may be employed. The separate member 52C has a shape in which the separate member 52B is reduced along the direction of the rotation axis a1. The separate member 52C has an upper surface 53C, a lower surface 56C, an outer surface 54C, and an inner surface 55C.

상면 (53C) 은, 별도 부재 (52B) 의 상면 (53B) 과 동일 형상을 갖는 수평면이다. 하면 (56C) 은, 별도 부재 (52B) 의 하면 (56B) 과 동일 형상을 갖는 수평면이다. 상면 (53C) 은, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 평탄부와 동일한 수평면에 포함된다. 하면 (56C) 은, 기판 (9) 의 하면 (92) 의 평탄부와 동일한 수평면에 포함된다. 외측면 (54C) 은 연직면이다. 내측면 (55C) 은, 상면 (53C) 과 하면 (56C) 의 각각의 내측단을 접속하여 형성되어 있다. 회전축 (a1) 을 포함하는 평면에 있어서의 내측면 (55C) 의 단면 형상은, 기판 (9) 의 단면 (93) 을 따라 만곡되어 있다.The upper surface 53C is a horizontal surface having the same shape as the upper surface 53B of the separate member 52B. The lower surface 56C is a horizontal surface having the same shape as the lower surface 56B of the separate member 52B. The upper surface 53C is included in the same horizontal plane as the flat portion of the upper surface 91 of the substrate 9. [ The lower surface 56C is included in the same horizontal plane as the flat portion of the lower surface 92 of the substrate 9. [ The outer surface 54C is a vertical surface. The inner surface 55C is formed by connecting inner ends of the upper surface 53C and the lower surface 56C. The cross-sectional shape of the inner surface 55C in the plane including the rotation axis a1 is curved along the cross section 93 of the substrate 9. [

또, 별도 부재 (52) 대신에 도 9 에 나타나는 별도 부재 (52D) 가 채용되어도 된다. 별도 부재 (52D) 는, 상면 (53D), 하면 (56D), 외측면 (54D), 및 내측면 (55D) 을 구비하고 있다. 별도 부재 (52D) 는, 별도 부재 (52C) 의 만곡되어 있는 내측면 (55C) 대신에, 연직면인 내측면 (55D) 을 구비하고 있다. 내측면 (55D) 은, 기판 (9) 의 직경 방향에 대해 수직이다. 별도 부재 (52D) 는, 직방체상의 형상을 구비하고 있다. 상면 (53D), 하면 (56D) 은, 별도 부재 (52C) 의 상면 (53C), 하면 (56C) 과 동일한 형상을 갖고 있다. 상면 (53D) 은, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 평탄부와 동일한 수평면에 포함되고, 하면 (56D) 은, 하면 (92) 의 평탄부와 동일한 수평면에 포함되어 있다. 내측면 (55D) 이 평면이기 때문에, 기판 (9) 의 단면 (93) 의 끝단 (94) 과 내측면 (55D) 사이에는, 간극이 형성되어 있다. 이 때문에, 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 평탄부와 상측 단면 (93a) 의 경계와, 내측면 (55D) 과의 거리 (기판 (9) 의 직경 방향의 거리) (D4) 는, 단면 (93) 의 폭 (D2) 보다 길어져 있다. 그러나, 별도 부재 (52D) 상의 토출 목표 영역 (521) 에 토출된 처리액의 일부는, 상면 (53D) 의 내측단으로부터 단면 (93) 에 닿는다. 이로써, 상면 둘레 가장자리부 (911) 및 하측 단면 (93b) 중 기판 (9) 의 끝단 (94) 근방의 세폭의 영역을 처리할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치 (1) 는, 노즐 유지 부재 (50) 에 의해 노즐 (51) 과 별도 부재 (52) 를 일체적으로 유지하여 이동시키지만, 기판 처리 장치 (1) 가 노즐 유지 부재 (50) 를 구비하지 않고, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 의 각각에 대해 승강 기구, 기판 (9) 의 직경 방향으로의 이동 기구가 개별적으로 형성되어도 된다.Instead of the separate member 52, a separate member 52D shown in Fig. 9 may be employed. The separate member 52D has an upper surface 53D, a lower surface 56D, an outer surface 54D, and an inner surface 55D. The separate member 52D has an inner surface 55D which is a vertical surface instead of the curved inner surface 55C of the separate member 52C. The inner side surface 55D is perpendicular to the radial direction of the substrate 9. The separate member 52D has a rectangular parallelepiped shape. The upper surface 53D and the lower surface 56D have the same shape as the upper surface 53C and the lower surface 56C of the separate member 52C. The upper surface 53D is included in the same horizontal plane as the flat portion of the upper surface 91 of the substrate 9 and the lower surface 56D is included in the same horizontal plane as the flat portion of the lower surface 92. [ A gap is formed between the end 94 of the end face 93 of the substrate 9 and the inner side face 55D because the inner side face 55D is flat. Therefore, the distance between the flat portion and the upper end face 93a of the upper surface peripheral portion 911 and the inner side surface 55D (the distance in the radial direction of the substrate 9) The width D2 of the protruding portion is larger than the width D2 of the protruding portion. However, a part of the treatment liquid discharged onto the discharge target area 521 on the separate member 52D contacts the end face 93 from the inner end of the upper face 53D. This makes it possible to process a narrower area in the vicinity of the end 94 of the substrate 9 among the upper surface peripheral edge portion 911 and the lower side edge surface 93b. Although the substrate processing apparatus 1 moves the nozzle 51 and the separate member 52 integrally by the nozzle holding member 50 and moves the substrate processing apparatus 1 in the nozzle holding member 50, The elevating mechanism and the moving mechanism in the radial direction of the substrate 9 may be separately formed for each of the nozzle 51 and the separate member 52. [

＜5. 기판 처리 장치의 동작에 대해＞<5. Regarding the operation of the substrate processing apparatus,

도 14 는, 기판 처리 장치 (1) 의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 도 15 는, 도 14 의 플로 차트에 나타나는 동작을 설명하기 위한 도면이다.Fig. 14 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus 1. Fig. 15 is a diagram for explaining the operation shown in the flowchart of Fig.

이하에, 도 14 ∼ 도 15 를 참조하면서, 기판 처리 장치 (1) 의 동작의 일례를 설명한다. 당해 동작예는, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 를 각각의 처리 위치에 배치하고, 노즐 (51) 로부터 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 처리액을 토출하는 동작이다. 도 14 의 동작 플로의 개시에 앞서, 노즐 (51) 및 별도 부재 (52) 는, 예를 들어, 대피 위치에 배치되어 있고, 스핀 척 (21) 은, 기판 (9) 을 유지하고 있지만, 회전을 하고 있지 않은 것으로 한다.Hereinafter, an example of the operation of the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to Figs. 14 to 15. Fig. This operation example is an operation in which the nozzle 51 and the separate member 52 are disposed at the respective processing positions and the treatment liquid is discharged from the nozzle 51 to the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9. [ 14, the nozzle 51 and the separate member 52 are arranged at, for example, a retracted position, and the spin chuck 21 holds the substrate 9, It is assumed that it does not do.

기판 처리 장치 (1) 의 제어부 (130) 는, 회전 기구 (231) 를 제어하여, 회전축 (a1) 을 중심으로 스핀 척 (21) 의 회전을 개시시킨다 (도 14, 도 15 의 스텝 S110). 당해 회전은, 예를 들어, 2000 rpm 의 회전 속도로 실시된다.The control unit 130 of the substrate processing apparatus 1 controls the rotation mechanism 231 to start rotation of the spin chuck 21 around the rotation axis a1 (step S110 in FIG. 14 and FIG. 15). This rotation is carried out, for example, at a rotational speed of 2000 rpm.

제어부 (130) 는, 승강 구동부 (68), 회전 구동부 (69) 를 제어하여, 노즐 유지 부재 (50) 를 대피 위치로부터, 처리 위치에 대해, 기판 (9) 의 측방 (기판 (9) 의 직경 방향) 의 외측 위치에 배치한다. 승강 구동부 (68), 회전 구동부 (69) 는, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 를, 각각의 대피 위치로부터 각각의 외측 위치에 배치한다 (도 14, 도 15 의 스텝 S120). 노즐 (51), 별도 부재 (52) 의 각각의 외측 위치는, 각각의 처리 위치에 대해 기판 (9) 의 측방 (직경 방향) 의 외측에 위치한다.The control unit 130 controls the elevation driving unit 68 and the rotation driving unit 69 to move the nozzle holding member 50 from the evacuation position to the side of the substrate 9 Direction). The elevation drive unit 68 and the rotation drive unit 69 arrange the nozzles 51 and the separate members 52 at the respective outer positions from the respective retracted positions (step S120 in FIG. 14 and FIG. 15). The outer position of each of the nozzle 51 and the separate member 52 is located outside the side (radial direction) of the substrate 9 with respect to each processing position.

제어부 (130) 는, 처리부 (5) 를 제어하여 노즐 (51) 에, 별도 부재 (52) 상의 토출 목표 영역 (521) 에 대한 처리액의 토출을 개시시킨다 (도 14, 도 15 의 스텝 S130). 노즐 (51) 로부터 별도 부재 (52) 의 토출 목표 영역 (521) 에 토출된 처리액은, 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 을 따라 확산되고, 별도 부재 (52) 의 내측단으로부터 별도 부재 (52) 의 외부로 배출된다. 그러나, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 는, 각각의 외측 위치에 배치되어 있기 때문에, 별도 부재 (52) 의 외부로 배출된 처리액은, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 닿지 않는다.The control unit 130 controls the processing unit 5 to start discharging the treatment liquid to the discharge target area 521 on the separate member 52 to the nozzle 51 (step S130 in Fig. 14 and Fig. 15) . The treatment liquid discharged from the nozzle 51 to the discharge target area 521 of the separate member 52 is diffused along the upper surface 53 of the separate member 52 and is separated from the inner end of the separate member 52 (52). Since the nozzle 51 and the separate member 52 are disposed at the respective outer positions, the treatment liquid discharged to the outside of the separate member 52 is discharged to the peripheral edge portion 911 of the upper surface of the substrate 9, .

제어부 (130) 는, 노즐 (51) 에 의한 처리액의 액류 (L1) 의 토출 상태가 안정될 때까지 기다린다 (도 14, 도 15 의 스텝 S140). 당해 대기 시간은, 예를 들어, 미리 실험 등에 의해 취득되고, 제어부 (130) 의 ROM 등에 기억되어 있다.The control unit 130 waits until the discharge state of the liquid L1 of the processing liquid by the nozzle 51 becomes stable (step S140 in Fig. 14 and Fig. 15). The waiting time is acquired in advance, for example, by experiments and stored in the ROM of the control unit 130 or the like.

제어부 (130) 는, 회전 구동부 (69) 를 제어하여, 노즐 유지 부재 (50) 를 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 단면 (93) 측의 처리 위치에 배치한다. 이로써, 회전 구동부 (69) 는, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 를 기판 (9) 의 측방, 보다 상세하게는, 단면 (93) 의 측방의 각각의 처리 위치 (「내측 위치」로도 칭해진다) 에 배치한다 (도 14, 도 15 의 스텝 S150). 각 처리 위치로의 노즐 (51), 별도 부재 (52) 의 이동 과정에서, 노즐 (51) 은 처리액을 계속 토출한다. 이 때문에, 노즐 (51), 별도 부재 (52) 가 각각의 처리 위치에 배치되었을 때에는, 토출 목표 영역 (521) 에 토출되는 처리액의 액류 (L1) 의 토출 상태는 안정적인 상태이다. 즉, 토출 목표 영역 (521) 으로부터 별도 부재 (52) 의 상면 (53) 의 내측단을 향하여 흐르는 처리액의 액막 상태도 안정적이다.The control section 130 controls the rotation drive section 69 to arrange the nozzle holding member 50 at the processing position on the end face 93 side of the substrate 9 along the radial direction of the substrate 9. [ The rotary drive unit 69 can move the nozzle 51 and the separate member 52 to the side of the substrate 9 and more specifically to the respective processing positions on the side of the end face 93 (Step S150 in Fig. 14 and Fig. 15). In the process of moving the nozzle 51 and the separate member 52 to the respective processing positions, the nozzle 51 continuously discharges the processing liquid. Therefore, when the nozzle 51 and the separate member 52 are disposed at the respective processing positions, the discharge state of the liquid L 1 of the processing liquid discharged to the discharge target region 521 is in a stable state. That is, the liquid film state of the processing liquid flowing from the discharge target area 521 toward the inner end of the upper surface 53 of the separate member 52 is also stable.

제어부 (130) 는, 처리 위치에 배치된 노즐 (51) 에, 그대로 처리액의 토출을 속행시킴으로써, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리를 실시한다 (도 14, 도 15 의 스텝 S160).The control unit 130 performs processing on the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 by continuing the discharge of the processing liquid to the nozzle 51 disposed at the processing position Step S160).

제어부 (130) 는, 예를 들어, 정해진 시간이 경과하여 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리가 완료되면, 처리부 (5) 를 제어하여, 노즐 (51) 로부터의 처리액의 토출을 정지시킨다 (도 14, 도 15 의 스텝 S170). 제어부 (130) 는, 처리부 (5) 에 노즐 (51) 로부터의 처리액의 토출을 정지시키기 전에, 노즐 (51) 로부터 처리액을 토출시키면서, 회전 구동부 (69) 에 노즐 (51) 과 별도 부재 (52) 를 각각의 외측 위치에 배치시킨 후에, 노즐 (51) 로부터의 처리액의 토출을 정지시켜도 된다.The control unit 130 controls the processing unit 5 to control the flow rate of the processing liquid from the nozzle 51 to the processing unit 5 when the processing of the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 is completed, Thereby stopping the discharge (step S170 in Fig. 14 and Fig. 15). The control unit 130 causes the rotation drive unit 69 to drive the nozzle 51 and the other member in the rotation direction of the rotation driving unit 69 while discharging the treatment liquid from the nozzle 51 before stopping the discharge of the process liquid from the nozzle 51 to the treatment unit 5. [ The discharge of the process liquid from the nozzles 51 may be stopped after the discharge nozzles 52 are disposed at the respective outer positions.

제어부 (130) 는, 회전 기구 (231) 를 제어하여, 스핀 척 (21) 의 회전을 정지시키고 (도 14, 도 15 의 스텝 S180), 도 14 의 플로 차트의 동작을 종료시킨다.The control unit 130 controls the rotation mechanism 231 to stop the rotation of the spin chuck 21 (step S180 in Fig. 14 and Fig. 15), and ends the operation of the flowchart in Fig.

＜6. 다른 실시형태에 대해＞<6. For another embodiment,

도 16 은, 다른 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1A) 의 구성을 설명하기 위한 측면 모식도이다. 도 17 은, 기판 처리 장치 (1A) 의 구성을 설명하기 위한 상면 모식도이다. 도 18 은, 기판 처리 장치 (1A) 로의 기판 (9) 의 반출입시에 있어서의 기판 처리 장치 (1A) 의 별도 부재 (73) 의 동작을 설명하기 위한 상면 모식도이다.16 is a side schematic view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1A according to another embodiment. 17 is a schematic top view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1A. 18 is a top schematic view for explaining the operation of the separate member 73 of the substrate processing apparatus 1A at the time of loading / unloading the substrate 9 into / from the substrate processing apparatus 1A.

기판 처리 장치 (1A) 는, 기판 처리 장치 (1) 와 마찬가지로, 회전축 (a1) 을 중심으로 회전되고 있는 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 등에 처리액을 토출하여 상면 둘레 가장자리부 (911) 등의 처리를 실시하는 장치이다.The substrate processing apparatus 1A is configured such that the processing liquid is discharged to the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 which is rotated around the rotation axis a1 to form the upper surface peripheral portion 911) and the like.

기판 처리 장치 (1A) 는, 기판 처리 장치 (1) 와 상이한 구성으로서, 기판 처리 장치 (1) 의 노즐 유지 부재 (50) 대신에, 대좌 (25) 를 구비하고, 별도 부재 (52) 대신에, 별도 부재 (73) 를 구비하고 있다. 노즐 (51) 은, 아암 (63) 의 선단의 하방에 고정되어 있다.The substrate processing apparatus 1A is different from the substrate processing apparatus 1 in that a pedestal 25 is provided instead of the nozzle holding member 50 of the substrate processing apparatus 1, , And a separate member (73). The nozzle 51 is fixed to the lower end of the arm 63.

대좌 (25) 는, 원환상의 부재이고, 회전축부 (22) 를 중앙의 공부 (孔部) 에 삽입 통과시켜, 회전축부 (22) 에 고정되어 있다. 대좌 (25) 의 축심은, 회전축부 (22) 의 축심과 마찬가지로, 회전축 (a1) 과 일치하여 형성되어 있다. 이로써, 회전축부 (22) 는, 회전축 (a1) 을 중심으로 하여, 기판 (9) 과 동일한 방향으로 동일한 속도로 회전된다.The pedestal 25 is an annular member and is fixed to the rotary shaft portion 22 by inserting the rotary shaft portion 22 into a central hole portion. The axis of the pedestal 25 is formed coincident with the axis of rotation a1 in the same manner as the axis of the rotary shaft portion 22. Thus, the rotary shaft portion 22 is rotated at the same speed in the same direction as the substrate 9, with the rotation axis a1 being the center.

별도 부재 (73) 는, 회전축 (a1) 을 중심으로 하는 기판 (9) 의 둘레 방향을 따라 기판 (9) 의 둘레 가장자리 (끝단 (94), 단면 (93)) 를 둘러싸는 판상의 환상 부재이다.The separate member 73 is a plate-like annular member surrounding the peripheral edge (the end 94 and the end face 93) of the substrate 9 along the circumferential direction of the substrate 9 about the rotation axis a1 .

별도 부재 (73) 는, 복수 (도시의 예에서는 3 개) 의 원호상 부재 (73a ∼ 73c) 를 구비하고 있다. 2 개의 원호상 부재 (73a, 73b) 의 각각의 기판 (9) 의 둘레 방향에 있어서의 일단끼리는, 서로 대향하고 있다. 원호상 부재 (73a, 73b) 는, 각각의 타단을 중심으로 수평면 내에서 각각 회동 가능하게 형성되어 있다. 원호상 부재 (73a, 73b) 는, 기판 (9) 의 둘레 가장자리의 약 4 분의 1 의 길이를 따라 연장 형성되어 있고, 원호상 부재 (73c) 는, 기판 (9) 의 둘레 가장자리의 약 절반의 길이를 따라 연장 형성되어 있다. 별도 부재 (73) 의 상면은, 대략 수평면이다. 별도 부재 (73) (원호상 부재 (73a ∼ 73c)) 의 종단면의 형상으로서 예를 들어, 별도 부재 (52, 52A ∼ 52D) 의 단면 형상 등이 채용된다.The separate member 73 has a plurality (three in the illustrated example) of arc-shaped members 73a to 73c. One end in the circumferential direction of each substrate 9 of the two arc-shaped members 73a and 73b are opposed to each other. The arc-shaped members 73a and 73b are rotatably formed in the horizontal plane around the other end. The arc-shaped members 73a and 73b extend along a length of about one-quarter of the circumferential edge of the substrate 9 and the arc-shaped member 73c extends about half of the circumferential edge of the substrate 9 As shown in Fig. The upper surface of the separate member 73 is a substantially horizontal surface. The sectional shapes of the separate members 52 and 52A to 52D and the like are employed as the shape of the longitudinal section of the separate member 73 (the arc-shaped members 73a to 73c).

원호상 부재 (73c) 는, 대좌 (25) 의 상면으로부터 상방으로 돌출하여 형성된 2 개의 돌편 (突片) (75) 에 의해, 대좌 (25) 의 상면과 간극을 두고 대좌 (25) 에 대해 고정되어 있다. 원호상 부재 (73a, 73b) 는, 각각의 타단에 장착된 돌편 (74) 을 통하여, 대좌 (25) 에 고정되어 있다. 보다 상세하게는, 돌편 (74) 은, 스테핑 모터 등에 의해 구성되는 회전 구동부 (「회동 기구」) (79) 에 의해 그 축심을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 당해 축심은 연직축이다.The circular arc member 73c is fixed to the pedestal 25 with a clearance from the upper surface of the pedestal 25 by two protruding pieces 75 formed upwardly from the upper surface of the pedestal 25 . The arc-shaped members 73a and 73b are fixed to the pedestal 25 via the protrusions 74 attached to the other ends. More specifically, the protruding piece 74 is configured to be rotatable about its axial center by a rotation driving portion (&quot; pivoting mechanism &quot;) 79 constituted by a stepping motor or the like. The axis is the vertical axis.

따라서, 기판 처리 장치 (1A) 는, 회전 기구 (231) 에 대좌 (25) 를 회전시킴으로써, 대좌 (25) 등을 통하여, 별도 부재 (73) 를 기판 (9) 과 동일한 회전 속도로 회전시킨다. 회전 구동부 (23), 회전축부 (22), 대좌 (25), 회전 구동부 (79), 돌편 (74), 돌편 (75) 은, 별도 부재 (73) 를, 회전축 (a1) 을 중심으로 회전시키는 회전 기구 (251) 이다.The substrate processing apparatus 1A rotates the pedestal 25 to the rotating mechanism 231 and rotates the separate member 73 at the same rotational speed as the substrate 9 via the pedestal 25 and the like. The rotary member 23, the rotary shaft portion 22, the pedestal 25, the rotary drive portion 79, the protruding piece 74 and the protruding piece 75 rotate the separate member 73 around the rotary axis a1 And a rotation mechanism 251.

원호상 부재 (73a, 73b) 는, 도 17 에 나타나는 상태로부터, 도 18 에 나타내는 바와 같이, 각 돌편 (74), 즉 각각의 타단을 회전 중심으로 하여 각각의 일단이 서로 기판 (9) 의 직경보다 떨어지도록 회전 구동부 (79) 에 의해 돌편 (74) 을 통하여 회동된다. 원호상 부재 (73a, 73b) 의 일단이 서로 떨어진 상태에서, 기판 처리 장치 (1) 에 기판이 반출입된다.17, from the state shown in Fig. 17, the respective protrusions 74, that is, the respective ends of the other ends of the protrusions 74, And is rotated by the rotation drive unit 79 through the protruding piece 74 so as to be separated from the protruding piece. The substrates are carried in and out of the substrate processing apparatus 1 in a state where one ends of the arc-shaped members 73a and 73b are separated from each other.

기판 처리 장치 (1A) 는, 상기의 차이점을 제외하고, 기판 처리 장치 (1) 와 동일한 구성을 구비하고 있고, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 대한 처리를 실시한다.The substrate processing apparatus 1A has the same configuration as the substrate processing apparatus 1 except for the difference described above and performs processing on the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9. [

즉, 별도 부재 (73) 는, 스핀 척 (21) 에 유지되어 있는 기판 (9) 의 단면 (93) 과 간극을 두고 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 외측에 배치된다. 노즐 (51) 은, 적어도 일부가 별도 부재 (73) 의 상면에 포함되는 토출 목표 영역 (731) 에 닿도록 토출 목표 영역 (731) 의 상방으로부터 처리액을 토출한다. 별도 부재 (73) 와 기판 (9) 의 단면 (93) 의 간극은, 토출 목표 영역 (731) 에 닿은 처리액이, 별도 부재 (73) 의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축 (a1) 측의 내측단으로부터 배출되고, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다. 기판 처리 장치 (1A) 는, 노즐 (51) 과 별도 부재 (73) 를 따로 이동시킨다. 노즐 (51) 은, 승강 구동부 (68), 회전 구동부 (69) 에 의해 기판 (9) 의 직경 방향 및 연직 방향으로 이동되지만, 별도 부재 (73) 는, 그 일부 (원호상 부재 (73a, 73b)) 를 제외하고, 대좌 (25) 에 대해 고정되어 있고, 대좌 (25) 와 함께, 즉 기판 (9) 과 함께 회전한다. 토출 목표 영역 (731) 의 전부가 별도 부재 (73) 의 상면에 포함되어도 되고, 토출 목표 영역 (731) 의 일부가, 별도 부재 (73) 의 상면의 내측단으로부터 회전축 (a1) 측으로는 비어져 나와 있어도 된다.That is, the separate member 73 is disposed outside the substrate 9 along the radial direction of the substrate 9 with a gap between the end surface 93 of the substrate 9 held by the spin chuck 21. The nozzle 51 discharges the treatment liquid from above the discharge target region 731 so that at least a portion of the nozzle 51 comes into contact with the discharge target region 731 included in the upper surface of the separate member 73. The clearance between the separate member 73 and the end face 93 of the substrate 9 is set such that the treatment liquid contacted to the discharge target region 731 flows on the upper surface of the separate member 73, And is set so as to touch the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 from above. The substrate processing apparatus 1A moves the nozzle 51 and the separate member 73 separately. The nozzle 51 is moved in the radial direction and the vertical direction of the substrate 9 by the elevation drive section 68 and the rotation drive section 69 while the separate member 73 is moved in a part ), And is fixed with respect to the pedestal 25 and rotates together with the pedestal 25, that is, with the substrate 9. All of the discharge target area 731 may be included in the upper surface of the separate member 73 and part of the discharge target area 731 is evacuated from the inner end of the upper surface of the separate member 73 to the rotating shaft a1 side You can stay with me.

또한, 원호상 부재 (73a ∼ 73c) 를, 각각의 처리 위치와, 처리 위치에 대해 기판 (9) 의 직경 방향의 외측의 외측 위치 사이에서 구동시키는 구동 기구를 회전 구동부 (79), 및 각 돌편 (75) 의 하방에 구비해도 된다. 이 경우, 기판 처리 장치 (1A) 에 있어서도, 별도 부재 (73) (원호상 부재 (73a ∼ 73c)) 를 외측 위치에 배치하여, 노즐 (51) 로부터 처리액을 별도 부재 (73) 에 토출시키고, 토출 상태의 안정을 기다렸다가, 별도 부재 (73) (원호상 부재 (73a ∼ 73c)) 를 처리 위치에 배치시킬 수 있다.The drive mechanism that drives the arc-shaped members 73a to 73c between the respective processing positions and the outer position on the outer side in the radial direction of the substrate 9 with respect to the processing position is called the rotation drive unit 79, (Not shown). In this case, also in the substrate processing apparatus 1A, the separate member 73 (the arc-shaped members 73a to 73c) is disposed at the outer position and the treatment liquid is discharged from the nozzle 51 to the separate member 73 , The separate member 73 (the arc-shaped members 73a to 73c) can be disposed at the processing position after waiting for the discharge state to stabilize.

이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법 중 어느 것에 의해서도, 별도 부재 (52 (73)) 의 상면에 적어도 일부가 포함되는 토출 목표 영역 (521 (731)) 에 닿도록 노즐 (51) 로부터 처리액이 토출된다. 별도 부재 (52 (73)) 는, 기판 (9) 의 단면 (93) 과 간극을 두고 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 기판 (9) 의 외측에 배치되어 있고, 당해 간극은, 토출 목표 영역 (521 (731)) 에 닿은 처리액이, 별도 부재 (52 (73)) 의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축 (a1) 측의 내측단으로부터 배출되고, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있다. 따라서, 처리액에 의한 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭을 좁게 할 수 있음과 함께, 처리 폭의 균일성을 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present embodiment configured as described above can be configured so as to reach the discharge target area 521 (731) including at least a part of the upper surface of the separate member 52 (73) And the process liquid is discharged from the nozzle 51. The separate member 52 (73) is disposed on the outer side of the substrate 9 along the radial direction of the substrate 9 with a gap between the end surface 93 of the substrate 9, The processing liquid that has come into contact with the upper surface peripheral portion 911 (731) of the substrate 9 flows through the upper surface of the separate member 52 (731) and is discharged from the inner end of the upper surface on the rotation axis a1 side, As shown in Fig. Therefore, the treatment width of the peripheral edge portion 911 of the upper surface of the substrate 9 by the treatment liquid can be narrowed, and the uniformity of the treatment width can be improved.

또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 토출 목표 영역 (521 (731)) 의 전부가, 별도 부재 (52 (73)) 의 상면에 포함되어 있다. 따라서, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 닿는 처리액은, 전부 토출 목표 영역 (521 (731)) 으로부터 별도 부재 (52 (73)) 의 상면을 흘러 당해 상면의 회전축 (a1) 측의 내측단으로부터 배출되는 처리액이다. 따라서, 처리액이 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 에 닿는 위치와, 별도 부재 (52 (73)) 의 내측단과의 기판 (9) 의 직경 방향을 따른 거리를 짧게 할 수 있다. 이로써, 처리액에 의한 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭을 더욱 좁게 할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to this embodiment configured as described above, all of the discharge target areas 521 (731) are included in the upper surface of the separate member 52 (73). Therefore, the processing liquid contacting the upper peripheral edge portion 911 of the substrate 9 flows from the entire discharge target region 521 (731) to the upper surface of the separate member 52 (73) Is discharged from the inner side of the side of the processing solution. It is possible to shorten the distance along the radial direction of the substrate 9 between the position where the process liquid contacts the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 and the inner end of the different member 52 (73). This makes it possible to further narrow the processing width of the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 by the treatment liquid.

또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 노즐 유지 부재 (50) 가 노즐 (51) 과 별도 부재 (52) 를 일체적으로 유지하기 때문에, 일정한 토출 목표 영역 (521) 에 닿도록 처리액이 토출된다. 이로써, 내측단으로부터 배출되는 처리액의 배출 양태를 안정시킬 수 있다. 따라서, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭을 안정시킬 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, since the nozzle holding member 50 integrally holds the nozzle 51 and the separate member 52, The processing liquid is discharged. This makes it possible to stabilize the discharge mode of the treatment liquid discharged from the inner end. Therefore, the processing width of the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 can be stabilized.

또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 별도 부재 (73) 는, 회전축 (a1) 을 중심으로 하는 기판 (9) 의 둘레 방향을 따라 기판 (9) 의 둘레 가장자리를 둘러싸는 환상 부재이고, 별도 부재 (73) 는 기판 (9) 과 동일한 회전 속도로 회전된다. 따라서, 별도 부재 (73) 를 기판 (9) 과 함께 회전시키는 경우에 있어서도, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭의 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the present embodiment configured as described above, the separate member 73 surrounds the peripheral edge of the substrate 9 along the circumferential direction of the substrate 9 about the rotation axis a1 And the separate member 73 is rotated at the same rotational speed as that of the substrate 9. [ Therefore, even when the separate member 73 is rotated together with the substrate 9, the uniformity of the process width of the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 can be improved.

또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 2 개의 원호상 부재 (73a, 73b) 는, 일단끼리가 대향하여 기판 (9) 의 둘레 방향을 따라 이웃하여 형성되어 있고, 각각의 타단을 회전 중심으로 하여 각각의 일단이 서로 기판 (9) 의 직경보다 떨어지도록 회동될 수 있다. 따라서, 2 개의 원호상 부재 (73a, 73b) 의 당해 회동에 의해 기판 처리 장치로의 기판 (9) 의 반출입이 가능해진다.In the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the two arc-shaped members 73a and 73b are formed so as to be adjacent to each other along the circumferential direction of the substrate 9, So that one end of each of them is separated from the diameter of the substrate 9 by the rotation center. Therefore, by the rotation of the two arc-shaped members 73a and 73b, the substrate 9 can be carried in and out of the substrate processing apparatus.

또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 처리 위치보다 기판 (9) 의 직경 방향의 외측의 외측 위치에 배치되어 있는 별도 부재 (52 (73)) 의 토출 목표 영역 (521 (731)) 을 향하여 노즐 (51) 이 처리액의 토출을 개시하고, 노즐 (51) 이 처리액을 토출하고 있는 동안에, 별도 부재 (52 (73)) 가 외측 위치로부터 처리 위치로 이동된다. 따라서, 토출 개시시에 있어서의 처리액의 액류 (L1) 의 흐트러짐의 영향에 의해, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭이 불균일해지는 것을 억제할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to this embodiment configured as described above, the discharge target area 521 (521) of the separate member 52 (73) disposed at the outer side in the radial direction of the substrate 9 with respect to the processing position, The nozzle 51 starts the discharge of the process liquid toward the discharge port 731 and the separate member 52 (73) is moved from the outer position to the process position while the nozzle 51 discharges the process liquid. Therefore, the processing width of the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 can be prevented from becoming uneven due to the influence of the disturbance of the liquid flow L1 of the processing liquid at the start of discharge.

또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 별도 부재 (52 (73)) 의 상면의 회전축 (a1) 측의 내측단이, 기판 (9) 의 둘레 가장자리보다 기판 (9) 의 직경 방향을 따라 회전축 (a1) 측에 위치한다. 따라서, 기판 (9) 의 상면 둘레 가장자리부 (911) 의 처리 폭을 넓게 할 수 있다.The inner end of the upper surface of the separate member 52 (73) on the side of the rotation axis a1 is positioned closer to the substrate 9 than the peripheral edge of the substrate 9, And is located on the side of the rotation axis a1 along the radial direction. Therefore, the processing width of the upper surface peripheral portion 911 of the substrate 9 can be widened.

또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 별도 부재 (52) 의 내측면 (55) 은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축 (a1) 에 가까워지도록 회전축 (a1) 에 대해 경사져 있다. 따라서, 별도 부재 (52) 를 승강할 수 있는 경우, 처리 위치의 상방으로부터의 별도 부재 (52) 의 강하에 의해 별도 부재 (52) 를 처리 위치에 배치할 수 있다.The inner surface 55 of the separate member 52 is inclined with respect to the rotation axis a1 so as to approach the rotation axis a1 from the lower end thereof toward the upper end, have. Therefore, when the separate member 52 can be moved up and down, the separate member 52 can be disposed at the processing position by the drop of the separate member 52 from above the processing position.

또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 별도 부재 (52A) 의 내측면 (55A) 은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 회전축 (a1) 에 가까워짐과 함께, 회전축 (a1) 에 대해 경사지게 상방으로 돌출하여 만곡되어 있다. 따라서, 기판 (9) 의 단면 (93) 과 별도 부재 (52A) 의 기판 (9) 의 직경 방향의 간극을, 더욱 균일화할 수 있다. 이로써, 기판 (9) 의 단면 (93) 의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.In the substrate processing apparatus according to this embodiment configured as described above, the inner surface 55A of the separate member 52A is made to approach the rotation axis a1 from the lower end thereof toward the upper end, And is curved upwardly. Therefore, the gap in the radial direction between the end surface 93 of the substrate 9 and the substrate 9 of the separate member 52A can be made more uniform. As a result, the processing efficiency of the end surface 93 of the substrate 9 can be improved.

또, 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 별도 부재 (52B (52C)) 는, 기판 (9) 의 단면 (93) 에 대향하는 내측면 (55B (55C)) 을 포함하고, 회전축 (a1) 을 포함하는 평면에 있어서의 내측면 (55B (55C)) 의 단면 형상은, 기판 (9) 의 단면 (93) 을 따라 만곡되어 있다. 따라서, 기판 (9) 의 단면 (93) 과 별도 부재 (52B (52C)) 의 기판 (9) 의 직경 방향의 간극을, 더욱 균일화할 수 있다. 이로써, 기판 (9) 의 단면 (93) 의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.In the substrate processing apparatus according to this embodiment configured as described above, the separate member 52B (52C) includes an inner side 55B (55C) opposed to the end face 93 of the substrate 9 Sectional shape of the inner surface 55B (55C) in the plane including the rotation axis a1 is curved along the end surface 93 of the substrate 9. [ Therefore, the gap between the end surface 93 of the substrate 9 and the separate member 52B (52C) in the radial direction of the substrate 9 can be made even more uniform. As a result, the processing efficiency of the end surface 93 of the substrate 9 can be improved.

본 발명은 상세하게 나타내어 기술되었지만, 상기의 기술은 모든 양태에 있어서 예시이지 한정적이지는 않다. 따라서, 본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 실시형태를 적절히 변형, 생략하는 것이 가능하다.While the invention has been shown and described in detail, the foregoing description is by way of example and not of limitation in all aspects. Therefore, the present invention can appropriately modify or omit the embodiments within the scope of the invention.

1, 1A : 기판 처리 장치
21 : 스핀 척 (유지 부재)
23 : 회전 구동부
231 : 회전 기구
251 : 회전 기구
50 : 노즐 유지 부재
51 : 노즐
52, 52A ∼ 52E : 별도 부재
68 : 승강 구동부
69 : 회전 구동부
73 : 별도 부재
73a ∼ 73c : 원호상 부재
79 : 회전 구동부 (회동 기구) 1, 1A: substrate processing apparatus
21: spin chuck (holding member)
23:
231: Rotation mechanism
251: Rotation mechanism
50: nozzle holding member
51: Nozzle
52, 52A to 52E: separate member
68:
69:
73: separate member
73a to 73c:
79: rotation driving part (turning mechanism)

Claims (11)

기판을 하방으로부터 대략 수평으로 유지하고, 소정의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 형성된 유지 부재와,
상기 유지 부재를, 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 기구와,
상기 유지 부재에 유지되어 있는 상기 기판의 단면과 간극을 두고 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 기판의 외측에 배치되는 별도 부재와,
적어도 일부가 상기 별도 부재의 상면에 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록 상기 토출 목표 영역의 상방으로부터 처리액을 토출하는 노즐을 구비하고,
상기 별도 부재와 상기 기판의 단면의 상기 간극은, 상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있는, 기판 처리 장치.A holding member configured to hold the substrate substantially horizontally from below and to be rotatable about a predetermined rotation axis,
A rotating mechanism for rotating the holding member about the rotating shaft,
A separate member disposed on the outer side of the substrate along the radial direction of the substrate with a gap between the end surface of the substrate held by the holding member,
And a nozzle for discharging the treatment liquid from above the discharge target region such that at least a portion of the nozzle reaches the discharge target region included in the upper surface of the separate member,
The clearance between the separate member and the cross section of the substrate is such that the treatment liquid that has come into contact with the discharge target area flows through the upper surface of the separate member and is discharged from the inner end of the upper surface on the side of the rotation axis, Is set so as to be in contact with the upper surface of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 토출 목표 영역의 전부가, 상기 별도 부재의 상면에 포함되어 있는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein all of the discharge target areas are included in the upper surface of the separate member. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 노즐과 상기 별도 부재를 일체적으로 유지하는 노즐 유지 부재를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a nozzle holding member that integrally holds the nozzle and the separate member. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 별도 부재는, 상기 회전축을 중심으로 하는 상기 기판의 둘레 방향을 따라 상기 기판의 둘레 가장자리를 둘러싸는 환상 부재이고,
상기 기판 처리 장치는,
상기 별도 부재를 상기 기판과 동일한 회전 속도로 회전시키는 상기 환상 부재용 회전 기구를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The separate member is an annular member surrounding the periphery of the substrate along the circumferential direction of the substrate about the rotation axis,
The substrate processing apparatus includes:
Further comprising a rotation mechanism for the annular member which rotates the separate member at the same rotational speed as the substrate. 제 4 항에 있어서,
상기 환상 부재는, 복수의 원호상 부재를 포함하고 있고,
상기 복수의 원호상 부재는, 상기 기판의 둘레 방향을 따라 이웃하는 2 개의 원호상 부재를 포함하고,
상기 2 개의 원호상 부재의 각각의 상기 기판의 둘레 방향에 있어서의 일단끼리가 서로 대향하고 있고, 상기 2 개의 원호상 부재는, 각각의 타단을 중심으로 수평면 내에서 각각 회동 가능하게 형성되어 있고,
상기 기판 처리 장치는, 상기 2 개의 원호상 부재의 각각의 타단을 회전 중심으로 하여 각각의 일단이 서로 상기 기판의 직경보다 떨어지도록 상기 2 개의 원호상 부재를 각각 회동시킬 수 있는 회동 기구를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the annular member includes a plurality of arc-shaped members,
The plurality of arc-shaped members include two arc-shaped members neighboring along the circumferential direction of the substrate,
One end of each of the two arcuate members in the circumferential direction of the substrate is opposed to each other and the two arcuate members are formed so as to be rotatable in a horizontal plane around each of the other ends,
The substrate processing apparatus may further include a turning mechanism capable of rotating the two arc-shaped members so that one end of each of the two arc-shaped members is at a rotational center, And the substrate processing apparatus. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 별도 부재를 상기 기판의 직경 방향으로 이동 가능한 직경 방향 구동부와,
상기 직경 방향 구동부와 상기 노즐을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿을 때의 상기 별도 부재의 위치에 의해 상기 별도 부재의 처리 위치를 정의했을 때,
상기 제어부는,
상기 직경 방향 구동부에 상기 별도 부재를 상기 처리 위치보다 상기 기판의 직경 방향의 외측의 외측 위치에 배치시키고 있는 동안에, 상기 노즐에 상기 토출 목표 영역을 향하여 상기 처리액의 토출을 개시시킴과 함께, 상기 노즐에 상기 처리액의 토출을 시키면서, 상기 직경 방향 구동부에 상기 별도 부재를 상기 외측 위치로부터 상기 처리 위치로 이동시키는, 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
A radial driving part capable of moving the separate member in a radial direction of the substrate,
And a control unit for controlling the radial direction driving unit and the nozzle,
The processing liquid that has come into contact with the discharge target region flows through the upper surface of the separate member and is discharged from the inner end of the upper surface on the side of the rotation axis and is discharged at the position of the separate member when the upper surface peripheral portion of the substrate comes in contact from above When the processing position of the separate member is defined,
Wherein,
The discharge of the treatment liquid toward the discharge target area is started to the nozzle while the separate member is arranged at the outer side position in the radial direction outer side of the substrate than the treatment position in the radial direction driving part, And moves the separate member from the outer position to the processing position in the radial direction drive unit while causing the nozzle to discharge the processing liquid. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 별도 부재의 상면의 상기 회전축측의 내측단이, 상기 기판의 둘레 가장자리보다 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 회전축측에 위치하는, 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And the inner end of the upper surface of the separate member on the side of the rotation axis is located closer to the rotation axis side than the peripheral edge of the substrate along the radial direction of the substrate. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 내측면이 그 하단으로부터 상단을 향하여 상기 회전축에 가까워지도록 상기 회전축에 대해 경사져 있는, 기판 처리 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the separate member includes an inner surface opposed to the end surface of the substrate and is inclined with respect to the rotation axis such that the inner surface is closer to the rotation axis from the lower end thereof toward the upper end. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 내측면은, 그 하단으로부터 상단을 향하여 상기 회전축에 가까워짐과 함께, 상기 회전축에 대해 경사지게 상방으로 돌출하여 만곡되어 있는, 기판 처리 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the separate member includes an inner surface opposed to the end surface of the substrate, and the inner surface is curved so as to approach the rotation axis from the lower end toward the upper end and to project upwardly with respect to the rotation axis, / RTI &gt; 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 별도 부재는, 상기 기판의 상기 단면에 대향하는 내측면을 포함하고, 상기 회전축을 포함하는 평면에 있어서의 상기 내측면의 단면 형상은, 상기 기판의 단면을 따라 만곡되어 있는, 기판 처리 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the separate member includes an inner surface opposed to the cross section of the substrate and a cross sectional shape of the inner surface in the plane including the rotation axis is curved along the cross section of the substrate. 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서,
당해 기판 처리 장치는,
기판을 하방으로부터 대략 수평으로 유지하고, 소정의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 형성된 유지 부재와,
상기 유지 부재를, 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 기구와,
상기 기판으로부터 떨어져 배치되는 별도 부재와,
처리액을 토출 가능한 노즐을 구비하고,
상기 기판 처리 방법은,
상기 별도 부재를 상기 기판의 단면과 간극을 두고 상기 기판의 직경 방향을 따라 상기 기판의 외측에 배치하는 스텝과,
적어도 일부가 상기 별도 부재의 상면에 포함되는 토출 목표 영역에 닿도록, 상기 노즐에 상기 토출 목표 영역의 상방으로부터 처리액을 토출시키는 스텝을 구비하고,
상기 별도 부재와 상기 기판의 단면의 상기 간극은, 상기 토출 목표 영역에 닿은 상기 처리액이, 상기 별도 부재의 상면을 흘러 당해 상면의 상기 회전축측의 내측단으로부터 배출되고, 상기 기판의 상면 둘레 가장자리부에 상방으로부터 닿도록 설정되어 있는, 기판 처리 방법.A substrate processing method in a substrate processing apparatus,
The substrate processing apparatus includes:
A holding member configured to hold the substrate substantially horizontally from below and to be rotatable about a predetermined rotation axis,
A rotating mechanism for rotating the holding member about the rotating shaft,
A separate member disposed away from the substrate,
And a nozzle capable of discharging the treatment liquid,
The substrate processing method includes:
Disposing the separate member on the outer side of the substrate along the radial direction of the substrate with a gap between the end face and the end face of the substrate;
And a step of causing the nozzle to discharge the treatment liquid from above the discharge target area so that at least a part of the nozzle reaches the discharge target area included in the upper surface of the separate member,
The clearance between the separate member and the cross section of the substrate is such that the treatment liquid that has come into contact with the discharge target area flows through the upper surface of the separate member and is discharged from the inner end of the upper surface on the side of the rotation axis, Wherein the substrate is set to be in contact with the substrate from above.
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