KR100609001B1 - 대전이 감소된, 전자빔 노출 장치의 정전 편향기 - Google Patents

대전이 감소된, 전자빔 노출 장치의 정전 편향기 Download PDF

Info

Publication number
KR100609001B1
KR100609001B1 KR1019990023203A KR19990023203A KR100609001B1 KR 100609001 B1 KR100609001 B1 KR 100609001B1 KR 1019990023203 A KR1019990023203 A KR 1019990023203A KR 19990023203 A KR19990023203 A KR 19990023203A KR 100609001 B1 KR100609001 B1 KR 100609001B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
outer cylinder
electrostatic deflector
conductive ceramic
electrode member
Prior art date
Application number
KR1019990023203A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000006317A (ko
Inventor
아베도모히코
오오아에요시히사
야수다히로시
Original Assignee
주식회사 아도반테스토
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아도반테스토 filed Critical 주식회사 아도반테스토
Publication of KR20000006317A publication Critical patent/KR20000006317A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100609001B1 publication Critical patent/KR100609001B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H01J37/1472—Deflecting along given lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
    • H01J2237/151—Electrostatic means
    • H01J2237/1516—Multipoles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

전자빔 노출 장치의 정전 편향기가 개시되어 있다. 원통형 고정 부재는 절연 재료로 만들어진다. 서로 이격된 관계로 확고하게 배치되고 금속 피막이 덮여져 있는 고정 부재 표면의 하나 이상의 부분을 갖는 다수의 전극 부재를 포함하는 전극은 고정 부재 내부에 배치되어 있다. 고정 부재의 표면상에 금속 피막으로 형성된 전극 부재 각각은 적어도 0.001 Ω·㎝ 내지 1000 Ω·㎝의 범위 내에서 선택된 비저항을 갖는 도전 세라믹으로 만들어진다.

Description

대전이 감소된, 전자빔 노출 장치의 정전 편향기{ELECTROSTATIC DEFLECTOR, FOR ELECTRON BEAM EXPOSURE APPARATUS, WITH REDUCED CHARGE-UP}
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 전자빔 노출 장치의 정전 편향기에 대한 외형 및 내부 구조를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2a 및 도 2b는 도 1a 내지 도 1c의 정전 편향기의 전극 부재 각각을 조립하기 위한 전극을 접합하는 예를 설명하기 위한 단면도.
도 3a 및 도 3b는 도 1a 내지 도 1c의 정전 편향기의 전극 부재 각각을 조립하기 위한 전극을 접합하는 또다른 예를 설명하기 위한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 정전 편향기 11 : 전극
12 : 중공형 외부 실린더 Ei : 전극 부재
H1, H2 : 개구부 13 : 전도용 금속 패드
14, 15, 16, 17 : 접합용 금속 패드
18 : 접합 금속 19, 20 : 접착 부분
21, 22 : 그루브 23 : 접착제
본 발명은 전자빔을 사용하는 노출 장치에 관한 것으로, 특히 정전 편향기를 부(副) 편향기로 사용하는 전자빔 노출 장치에서의 정전 편향기의 개량에 관한 것이다.
최근에, 집적 회로는 집적 회로의 밀도가 훨씬 더 증가함에 따라 점점 더 세밀해지고 있다. 지금까지, 수년 동안 미세한 패턴을 형성하는 공정의 주요한 추세이었던 포토리소그래피 기법 대신에, 전자빔 또는 이온빔과 같은 대전입자 빔을 사용하는 노출 방법 또는 X-선을 사용하는 새로운 노출 방법이 연구되어 실현되었다. 이들 개발 중에서, 전자빔을 사용하여 패턴을 형성하기 위한 전자빔 노출이 각광을 받고 있는데, 그 이유는 상기 전자빔 노출은 전자빔의 단면적을 수 십 nm 로 감소시키고 1 ㎛ 정도의 미세한 패턴을 형성할 수 있기 때문이다. 상기와 같은 단계에서, 전자빔 노출 장치는 안정한 작동 특성, 높은 재료 처리량 및 더 미세한 마이크로제조 특성을 갖도록 요구된다.
종래의 전자빔 노출 장치에서는, 비교적 저속의 전자 편향기는 전자빔이 노출되는 시편(특히, 웨이퍼) 상에서 상당히 편향되는 영역{주(主) 편향 범위}에 사용되는 주(主) 편향기로서 사용되는 반면에, 비교적 고속의 정전 편향기는 주(主) 편향 범위가 분할되는 수 개의 영역{부(副) 편향 범위} 각각에 대한 부(副) 편향기로 사용된다. 전자빔 노출 장치의 기둥은 적절하게 형성된 단면을 갖는 전자빔으로 웨이퍼를 조사하기 위해 투사 렌즈가 상기 기둥 내부에 조립되어 있다. 위에서 기술된 전자 편향기 및 정전 편향기는 실제적으로 투사 렌즈와 일체로(즉, 투사 렌즈에 근접하게) 배치된다.
높은 전도율을 갖지만 보다 우수한 가공성 및 높은 정밀도를 갖는 금속이 정전 편향기(부-편향기) 또는 그 주변 부품에 사용되는 경우에, 전자 편향기(주-편향기)의 지연 응답과 같은 유리하지 못한 와전류가 발생한다. 이것은 높은 처리량을 요구하는 전자빔 노출 장치에서 중대한 문제를 야기시킨다.
종래에 공지된 기술로서, 원통형 부재의 내부가 (예컨대, 베이스에 NiP, 표면에 Au로) 도금된, (알루미나와 같은) 부도체 재료의 원통형 부재는 정전 편향기의 전극으로 사용된다. 상기 기술은 어느 정도 성공적이었다. 그러나, 상기 종래 기술에서, 전극은 압출 성형에 의해 만들어지기 때문에, 전극의 뒤틀림과 원통형 부재 내부에 균일하게 도금되지 않는 문제점이 발생된다. 그 결과, 품질이 반드시 일정하지 않고 전극을 조립하는데 숙련을 요구해서, 상기 기술은 대량생산에는 부적합하다.
다른 한편, 전자빔 노출 장치에서, 기둥의 내부 및 기둥에 결합된 노출 챔버의 내부는 보통 고진공 상태이다. 그러나, 실제로 노출에 사용되는 절연 도료(resist) 또는 그와 유사한 것은 증발되고, 전자빔이 조사될 때 장치에서 표면 상에 증착되는 주성분으로서 탄소 또는 그와 유사한 것을 함유한 화합물을 연소 및 생성시킨다. 상기 증착물은 양호한 도체는 아니며, 따라서 전하가 "대전(charge- up)"이라 불리는 현상으로 조사된 부분에 축적된다. 최종 문제점은 전자빔이 원래 의도된 위치와 다른 위치로 편향되어, 감소된 노출 정밀도를 야기시킨다는 것이다. 특히, 상기 문제점은 절연 도료로 코팅된 웨이퍼의 부근에 위치해 있는 정전 편향기(부-편향기)에 가장 현저하게 나타낸다.
종래 기술에서, 정전 편향기 그 자체는 대전이 어떤 양을 초과할 때 새로운 편향기로 교체된다. 그러나, 교체 작업은 기둥 및 챔버 내의 고진공 상태를 일시적으로 (즉, 대기로의 누출) 제거할 필요가 있다. 대체 작업이 끝난 후, 노출 장치의 셋업(예컨대, 각각의 편향기에 공급되는 편향 데이터의 초기화) 동안, 상기 장치는 처리량을 줄이기 위해 정지된다.
상기 문제점에 대처하기 위하여, 증착물이 기둥 및 챔버의 내부로 누출하는 대기 없이 제거되는 방법{이하에서는 "인-시츄 클리닝 방법(in-situ cleaning method)"이라 함}이 제안되고 사용되었다. 상기 방법에 따라서, 주성분으로 산소를 함유한 매우 적은 양의 가스가 장치 내로 도입되고, 상기 희박한 가스 분위기에서 고주파 전력이 정전 편향 전극에 인가된다. 상기와 같은 방식으로, 산소 플라즈마가 생성되어 증착물이 회분화에 의해 제거된다.
인-시츄 클리닝 방법은 매우 효과적이지만, 반드시 완전히 만족스럽다고 생각될 수 없다. 위에서 기술된 바와 같이, 종래의 정전기 편향 전극은 압출 성형에 의해 원통형으로 만들어지고, 그 내부는 도금된다. 그러나, 상기와 같은 구조의 정전기 편향 전극에서, 절연 도료 또는 이와 유사한 것의 증발에 기여할 수 있는 주성분으로 탄소 또는 이와 유사한 것을 함유한 증착물뿐만 아니라, 산화물도 도금된 금속의 표면에 생성된다. 인-시츄 클리닝 방법은 주성분으로 탄소 또는 이와 유사한 것을 함유한 증착물에 대해 효과적이지만, 도금된 금속의 표면에 생성된 산화물에 대해서는 효과적이지 못하다.
상기의 관점에서 볼 때, 정전 편향기에 사용되는 전극 재료의 재질 및 특성을 연구한 후, 본 발명자는 산화물이 증발된 탄소 그룹(예컨대, 그래파이트 또는 유리질 탄소)의 재료로 만들어진 정전 편향기를 시험생산 하고 이에 관한 실험을 행했다. 그러나, 탄소 그룹의 재료는 전자빔에 악영향을 미치고 표면 또는 와전류의 문제로 인해 사용할 수 없다는 것이 발견되었다.
전극의 재료의 재질 및 특성을 더 연구한 후, 본 발명자는 (도금함이 없이) 대체적으로 이상적인 비저항(0.001 Ω·㎝ 내지 1000 Ω·㎝)을 갖는 전도성 세라믹 AlTiC(알루미나와 티타늄 탄산염의 화합물)을 시험생산 하고 이에 관한 실험을 행했다. 와전류의 문제가 발생하지 않더라도, 제 1 회의 실험에서 약간의 대전이 관찰되었다. 또한, 인-시츄 클리닝 방법의 사용은 대전을 증가시키고 티타늄 산화물이 전극 표면에 존재하여 전극이 상기 형태로 사용할 수 없게 한다는 것이 분석을 통해 보여준다는 것이 발견되었다.
본 발명의 목적은 와전류의 영향하에서 전자 편향기의 감소된 응답속도에 대한 문제를 해소하고, 실질적으로 대전(charge-up)이 없는 상태를 실현시켜서, 매우 정밀한 노출에 기여할 수 있는 전자빔 노출 장치의 정전 편향기를 제공하는 것이다.
본 발명에 따라, 전자빔 노출 장치에 정전 편향기가 제공되는데, 상기 정전 편향기는 절연 재료로 만들어진 원통형 고정 부재와, 상기 고정 부재의 내부 측면 상에서 서로 이격된 관계로 고정되고, 금속 피막이 덮여져 있는 상기 고정 부재의 하나 이상의 부분을 갖는 다수의 전극 부재를 포함하는 전극을 포함하되, 상기 전극 부재 각각은 최소한 0.001 Ω·㎝ 내지 1000 Ω·㎝의 범위 내에서 선택된 비저항을 갖는 전도성 세라믹의 표면상에 형성되는 금속 피막을 갖는다.
본 발명에 따른 정전 편향기의 구조와 더불어, 최소한 0.001 Ω·㎝ 내지 1000 Ω·㎝의 범위 내에서 선택된 비저항을 갖는 전도성 세라믹을 전극 재료로 사용하면, 위에서 기술된 와전류의 영향하에서 주(主) 편향기(전자 편향기)의 감소된 응답속도에 대한 문제를 해소할 수 있다. 또한, 금속 피막이 전도성 세라믹의 표면상에 형성되기 때문에, 정전 편향기는 조립될 전극이 지그(jig) 등과 같은 것에 의해 약간 손상되는 경우 조차에도 실질적으로 대전이 없이 유지될 수 있고, 이것에 의해 매우 정밀한 노출을 만드는 것이 가능하다.
본 발명은 첨부한 도면을 참조하여 아래에 설명되는 기술로부터 분명하게 이해될 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 전자빔 노출 장치 중에서 정전 편향기의 구조를 개략적으로 도시하고 있다. 도 1a는 정전 편향기의 외부 구조를 도시하고, 도 1b는 도 1a의 A - A′라인을 따라 보여지는 상부 표면 구조를 도시하며, 도 1c는 도 1b의 B - B′라인을 따라 절취 도시된 단면 구조를 도시한다.
전자 편향기를 주(主) 편향기(미도시됨)로 사용하는 전자빔 노출 장치 내에 포함되는 상기 실시예에 따른 정전 편향기(10)는 전자 편향기의 부근에 배치되어 부(副) 편향기로 사용된다. 도시된 바와 같이, 정전 편향기(10)는 전극(11) 및 상기 전극을 그 내부에 수용하는 중공형 외부 실린더(12)를 포함한다.
전극(11)은 전도성 세라믹의 8개 전극 부재(E1 내지 E8)로 구성되어 있다. 전극 부재(Ei 여기서, i는 1 내지 8)는 외부 실린더(12)의 축방향에 대해 대칭적으로 확고하게 배치된다(도 1b 참조). 전극 부재(Ei)는 나중에 기술될 형상 내에 연삭 가공되어 만들어진다. 또한, 각각의 전극 부재(Ei)를 구성하는 전도성 세라믹은 적어도 0.001 Ω·㎝ 내지 1000 Ω·㎝의 범위에서 선택된 비저항을 갖고, 금속 피막이 각각의 전도성 세라믹의 표면상에 형성되어 있다. 상기 실시예에 따라, 상기 금속 피막은 적어도 전기도금에 의해 각각의 전도성 세라믹의 표면상에 직접 형성되는, 백금족(platinum group)의 금속으로 덮여져 있는 전도성 세라믹의 표면을 갖는다. 백금족의 금속은 6가지 금속 원소, 즉 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir) 및 백금(Pt)을 나타낸다.
다른 한편, 외부 실린더(12)는 부도체 재료로 형성된다. 상기 외부 실린더(12)는 도 1c에 도시된 개구부(H1 및 H2)를 구비하고 있다. 이들 개구부는 전극(11)(즉, 8개의 전극 부재(E1 내지 E8))을 외부 실린더 내부에 고정적으로 배치할 때 사용되며, 이후에 기술되는 바와 같이 두개의 개구부가 각각의 전극 부재(Ei)에 제공된다(따라서, 개구부의 총수는 16개).
상기 실시예에 따른 정전 편향기(10)의 구조에 있어서, 특정의 값(최소한 0.001 Ω·㎝ 내지 1000 Ω·㎝의 범위 내에서)에 대해 선택된 비저항을 갖는 전도성 세라믹은 전극(11)의 재료로 사용된다. 그러므로, 주 편향기(전자 편향기)의 응답 성능이 와전류의 영향하에서 감소되는 문제를 제거하는 것이 가능하다. 또한, 각각의 전극 부재(Ei)를 구성하는 전도성 세라믹의 표면상에 형성된 금속 피막은 전극 부재(Ei)가 조립시에 지그 또는 그와 같은 종류의 것에 의해 약간 손상되는 경우 조차에서도 실질적으로 대전을 방지할 수 있다. 이것은 매우 정확한 노출의 실현에 기여한다.
또한, 백금족의 금속을 금속 피막으로의 사용과, 상기 백금족의 금속이 잘 알려져 있듯이 산소가 있는 화합물을 발생시킬 것 같지 않다라는 사실은 위에서 기술된 인-시츄 클리닝 방법이 사용될 때조차{즉, 회분화(ashing)가 산소 플라즈마로 실행될 때조차}에서도 증가된 대전의 문제를 방지할 수 있다.
게다가, 전극(11)이 다수(이 실시예에서는 8개)의 전극 부재로 구성되어 있다는 점에서, 전극 부재(Ei)가 외부 실린더(12)의 축방향에 대해 대칭적으로 고정적으로 배치될 때 고정밀도로 배치될 수 있다. 더욱이, 전도성 세라믹 각각의 전극 부재(Ei)는 연삭 가공에 의해 형상이 형성되고, 그러므로 고차원의 정밀도를 갖는 정전 편향기(10)가 제공될 수 있다.
위에서 기술된 실시예에 따른 정전 편향기(10)의 전극 부재(Ei)를 조립하기 위한 전극의 접합이 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명될 것이다.
도 2a는 각 전극 부재(Ei)의 외부 구조를 도시하고, 도 2b는 외부 실린더(12) 상에 고정된 각 전극 부재(Ei)의 횡단면을 도시한다.
먼저, AlTiC(알루미나 및 티타늄 탄산염의 화합물)은 각각의 전극 부재(Ei 여기서, i는 1 내지 8)를 구성하는 전도성 세라믹으로 사용되고, 전극 부재(Ei)는 도 2a에 도시된 형상 내에 연삭 가공되어 만들어진다.
다음에, 티타늄(Ti)을 주성분으로 하는 전도용 금속 패드(13)가 각각의 전극 부재(Ei)를 전기적으로 접속하는 일부분 상에 금속화 현상에 의해 형성된다. 유사한 방식으로, Ti를 주성분으로 함유하는 접합용 금속 패드(14, 15)는 각각의 전극 부재(Ei)가 고정되어 있는 외부 실린더(12)의 일부분 상에 임의의 두 개 지점에서 금속화 현상에 의해 형성된다. 상기와 같은 공정에서, 금속 패드(13 내지 15) 각각이 최소 크기로 형성된다.
그 다음에, 각 전극 부재(Ei)의 표면을 클리닝한 후에, 백금(Pt)이 전기도금에 의해 전극 부재(Ei)의 표면상에 어떠한 베이스(base)도 없이 직접 형성된다. 도금 두께는 2 ㎛ 또는 이보다 더 작게 설정된다.
다음에, 알루미나를 외부 실린더(12)의 부도체 재료로 사용하여, 개구부(도 1의 H1, H2)는 각각의 전극 부재(Ei)를 외부 실린더(12) 내에 고정적으로 배치할 때 전극 부재(Ei)의 접합용 금속 패드(14 및 15)에 의해 접촉되는 외부 실린더(12)의 위치에 형성된다. 위에서 기술된 바와 같이, 두 개의 개구부(총 16개의 개구부)가 각각의 전극 부재(Ei)에 형성된다.
또한, 주성분으로 몰리브덴-망간(Mo-Mn)을 함유하는 접합용 금속 패드(16 및 17)는 각 개구부(H1, H2)의 내부 벽부 상에 금속화 현상에 의해 형성된다.
다음에, 조립 지그에 의해 고정밀도로 배치되는 전극 부재(Ei)가 조립 지그에 의해 외부 실린더(12) 내에 삽입된다{즉, 전극 부재(Ei)는 서로 축방향에 대해 대칭적으로 배치된다}.
최종적으로, 매우 적은 양의 땜납과 같은 접합 금속(18)이 개구부(H1, H2) 내에 주입되고, 따라서 외부 실린더(12) 내에 형성되고(도 2b 참조) 가열된다. 그 결과, 전극 부재(Ei) 상에 형성된 접합용 금속 패드(14, 15)는 외부 실린더(12) 상에 형성된 접합용 금속 패드(16, 17)와 함께 고정된다. 바꾸어 말하면, 전극 부재(Ei)는 외부 실린더(12) 상에 단단히 고정된다.
다음으로, 상기 실시예에 따른 정전 편향기(10)의 각 전극 부재(Ei)를 조립하기 위한 전극의 접합에 대한 또다른 예가 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명될 것이다.
도 3a는 각 전극 부재(Ei)의 외부 구조를 도시하고, 도 3b는 외부 실린더(12) 상에 고정된 각 전극 부재(Ei)의 횡단면을 도시한다.
먼저, AlTiC(알루미나 및 티타늄 탄산염의 화합물)은 각각의 전극 부재(Ei 여기서, i는 1 내지 8)를 구성하는 전도성 세라믹으로 사용되고, 전극 부재(Ei)는 도 3a에 도시된 형상 내에 연삭 가공되어 만들어진다.
다음에, 접착 부분(19, 20)은 각각의 전극 부재(Ei)가 외부 실린더(12) 상에 고정되어 있는 임의의 두 개 지점에 설정된다. 게다가, 환형 그루브(21, 22)가 접착 부분(19, 20) 각각의 주위에 형성된다.
다음에, 티타늄(Ti)을 주성분으로 함유하는 전기 접속을 위한 금속 패드(13)가 각각의 전극 부재(Ei)와 전기적으로 접속하기 위해 일부분에서 금속화 현상에 의해 형성된다. 상기와 같은 금속 패드(13)가 최소 크기로 형성된다.
각 전극 부재(Ei)의 표면을 클리닝한 후에, 백금(Pt)이 전기도금에 의해 전극 부재(Ei)의 표면상에 어떠한 베이스도 없이 직접 형성된다. 도금 두께는 2 ㎛ 또는 이보다 더 작게 설정된다.
다음에, 알루미나를 외부 실린더(12)의 부도체 재료로 사용하여, 개구부(도 1c의 H1, H2)는 각각의 전극 부재(Ei)를 외부 실린더(12) 내에 고정적으로 배치할 때 전극 부재(Ei)의 접착 부분(19, 20)에 의해 접촉되는 외부 실린더(12)의 부분에 형성된다. 위에서 기술된 바와 같이, 두 개의 개구부(총 16개의 개구부)가 각각의 전극 부재(Ei)에 형성된다.
다음에, 고정밀도로 배치되는 전극 부재(Ei)가 조립 지그에 의해 외부 실린더(12) 내에 삽입된다{즉, 전극 부재(Ei)는 외부 실린더(12)의 축방향에 대해 대칭적으로 배치된다}.
최종적으로, 에폭시 수지 등과 같은 접착제(23)의 매우 적은 양이 외부 실린더(12)에 형성된 개구부(H1, H2) 내에 주입된다(도 3b 참조). 접착제(23)가 전극 부재(Ei) 각각에 설정된 접합 부분(19, 20)에 부착되며, 그 결과 전극 부재(Ei)는 외부 실린더(12) 상에 단단히 고정된다.
주입된 접착제(23)는 각각의 전극 부재(Ei)와 외부 실린더(12) 사이의 경계를 따라 확산되는 경향이 있다. 그러나, 접착제(23)의 확산은 접착 부분(19, 20) 각각의 주위에 형성된 그루브(21, 22)에 의해 차단된다. 그러므로, 접착제(23)의 성분이 전자빔 또는 산소 플라즈마에 직접 노출되지 않는다. 따라서, 전극의 순도가 유지된다. 바꾸어 말하면, 노출 장치 내에 배치된 정전 편향기와 같은 부품은 오염되지 못한다.
따라서, 본 발명에 따라, 와전류의 영향하에서 전자 편향기의 감소된 응답속도의 문제를 해소할 수 있고, 전극을 조립할 때 지그 등과 같은 것에 의해 사소한 결점이 발생되는 경우 조차에도 대전이 실질적으로 없는 상태를 가정할 수 있고, 그래서 매우 정확한 노출을 실현할 수 있는 정전 편향기가 제공된다는 것이 상술한 기술로부터 이해될 것이다.

Claims (8)

  1. 전자빔 노출 장치의 정전 편향기에 있어서,
    절연 재료로 만들어진 원통형 고정 부재와,
    상기 고정 부재 내에서 서로 이격된 관계로 고정되고, 금속 피막이 형성된 상기 고정 부재의 표면 중 하나 이상의 부분을 갖는 다수의 전극 부재를 포함하는 전극을 포함하되,
    상기 전극 각각은 최소한 0.001 Ω·㎝ 내지 1000 Ω·㎝의 범위 내에서 선택된 비저항을 갖는 전도성 세라믹의 표면상에 형성되는 상기 금속 피막을 갖는 전자빔 노출 장치의 정전 편향기.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 금속 피막은 백금족(platinum group)의 금속으로 덮여져 있는 하나 이상의 상기 고정 부재의 표면을 갖는 전자빔 노출 장치의 정전 편향기.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 금속 피막은 전기 도금에 의해 상기 전도성 세라믹의 표면상에 직접 형성되는 전자빔 노출 장치의 정전 편향기.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 정전 편향기의 전극은 전도성 세라믹으로 된 다수의 전극 부재로 구성되고, 상기 전극 부재는 부도체 재료로 만들어진 중공형 외부 실린더의 축방향에 대해 대칭적으로 고정적으로 배치되는 전자빔 노출 장치의 정전 편향기.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 도전 세라믹의 상기 전극 부재는 동일한 형상으로 연삭 가공되어 만들어지는 전자빔 노출 장치의 정전 편향기.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 전도성 세라믹의 상기 전극 부재 각각은 하나 이상의 지점에 금속 패드를 구비하고; 상기 외부 실린더는 상기 전극 부재가 상기 외부 실린더 내에 고정적으로 배치될 때 상기 전극 부재의 상기 금속 패드에 의해 접촉되는 상기 외부 실린더의 위치에 형성되는 다수의 개구부를 구비하되, 상기 금속 패드는 상기 개구부의 상기 내부 벽부 상에 형성되고; 및 상기 전극 부재는 상기 개구부로부터 주입된 접합 금속에 의해 상기 외부 실린더의 내부 벽부 상에 고정되는 전자빔 노출 장치의 정전 편향기.
  7. 제 4항에 있어서, 상기 전도성 세라믹의 상기 전극 부재 각각은 하나 이상의 접착 부분 및 상기 접착 부분 주위에 형성되는 하나 이상의 그루브를 포함하고; 상기 외부 실린더는 상기 전극 부재가 상기 외부 실린더 내에 고정적으로 배치될 때 상기 전극 부재의 상기 접착 부분 각각에 의해 접촉되는 상기 외부 실린더의 위치에 형성되는 다수의 개구부를 포함하고; 및 상기 전극 부재 각각은 상기 개구부로부터 주입된 접착제에 의해 상기 외부 실린더의 내부 벽부 상에 고정되는 전자빔 노출 장치의 정전 편향기.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 도전 세라믹은 알루미나 및 티타늄 탄산염의 화합물인 전자빔 노출 장치의 정전 편향기.
KR1019990023203A 1998-06-26 1999-06-21 대전이 감소된, 전자빔 노출 장치의 정전 편향기 KR100609001B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10-180751 1998-06-26
JP10180751A JP2000011937A (ja) 1998-06-26 1998-06-26 電子ビーム露光装置の静電偏向器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000006317A KR20000006317A (ko) 2000-01-25
KR100609001B1 true KR100609001B1 (ko) 2006-08-03

Family

ID=16088688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990023203A KR100609001B1 (ko) 1998-06-26 1999-06-21 대전이 감소된, 전자빔 노출 장치의 정전 편향기

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6268606B1 (ko)
JP (1) JP2000011937A (ko)
KR (1) KR100609001B1 (ko)
DE (1) DE19930234A1 (ko)
TW (1) TW419734B (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4809966B2 (ja) * 2000-02-10 2011-11-09 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光装置、静電偏向器およびその製造方法
FR2806527B1 (fr) 2000-03-20 2002-10-25 Schlumberger Technologies Inc Colonne a focalisation simultanee d'un faisceau de particules et d'un faisceau optique
JP4750921B2 (ja) * 2000-04-21 2011-08-17 富士通株式会社 荷電粒子線装置用電極及びその製造方法
EP1304717A4 (en) * 2000-07-27 2009-12-09 Ebara Corp FLOOR BEAM ANALYSIS APPARATUS
JP5032721B2 (ja) * 2001-04-03 2012-09-26 富士通株式会社 導電性電極材料、電極部品、静電偏向器及び荷電粒子ビーム露光装置
GB2404782B (en) * 2003-08-01 2005-12-07 Leica Microsys Lithography Ltd Pattern-writing equipment
DE102005005801B4 (de) 2005-02-04 2007-08-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrostatisches Ablenksystem für Korpuskularstrahlung
JP2007287365A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Jeol Ltd 多極子レンズ及び多極子レンズの製造方法
JP5548375B2 (ja) * 2009-03-23 2014-07-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5517816B2 (ja) * 2010-07-30 2014-06-11 京セラ株式会社 導電層付きセラミック体、およびセラミックスと金属との接合体
JP6474359B2 (ja) * 2016-02-22 2019-02-27 日新イオン機器株式会社 イオンビーム照射装置
JP7296274B2 (ja) * 2019-08-20 2023-06-22 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置および偏向器
CN110660634B (zh) * 2019-08-28 2022-05-06 中科晶源微电子技术（北京）有限公司 用于带电粒子束的多极型偏转器和带电粒子束成像设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63136449A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Anelva Corp 荷電ビ−ム用静電偏向器
JPH05129193A (ja) * 1991-11-01 1993-05-25 Fujitsu Ltd 荷電ビーム露光装置
US5245194A (en) * 1991-04-26 1993-09-14 Fujitsu Limited Electron beam exposure system having an electrostatic deflector wherein an electrostatic charge-up is eliminated
JPH08124821A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Fujitsu Ltd 静電偏向器及びこれを用いた荷電粒子ビーム露光装置
US5719402A (en) * 1994-01-28 1998-02-17 Fujitsu Limited Method of and system for charged particle beam exposure
KR100250801B1 (ko) * 1996-04-26 2000-06-01 아끼구사 나오유끼 하전 입자 빔 노광 장치와 그 노광 방법 및 그 제조 방법
KR100350308B1 (ko) * 1998-11-02 2002-08-24 주식회사 아도반테스토 전자빔 노출 장치를 위한 정전 편향기

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63136449A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Anelva Corp 荷電ビ−ム用静電偏向器
US5245194A (en) * 1991-04-26 1993-09-14 Fujitsu Limited Electron beam exposure system having an electrostatic deflector wherein an electrostatic charge-up is eliminated
JPH05129193A (ja) * 1991-11-01 1993-05-25 Fujitsu Ltd 荷電ビーム露光装置
US5719402A (en) * 1994-01-28 1998-02-17 Fujitsu Limited Method of and system for charged particle beam exposure
JPH08124821A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Fujitsu Ltd 静電偏向器及びこれを用いた荷電粒子ビーム露光装置
KR100250801B1 (ko) * 1996-04-26 2000-06-01 아끼구사 나오유끼 하전 입자 빔 노광 장치와 그 노광 방법 및 그 제조 방법
KR100350308B1 (ko) * 1998-11-02 2002-08-24 주식회사 아도반테스토 전자빔 노출 장치를 위한 정전 편향기

Also Published As

Publication number Publication date
US6268606B1 (en) 2001-07-31
KR20000006317A (ko) 2000-01-25
TW419734B (en) 2001-01-21
DE19930234A1 (de) 1999-12-30
JP2000011937A (ja) 2000-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100609001B1 (ko) 대전이 감소된, 전자빔 노출 장치의 정전 편향기
US6509568B1 (en) Electrostatic deflector for electron beam exposure apparatus
KR100250801B1 (ko) 하전 입자 빔 노광 장치와 그 노광 방법 및 그 제조 방법
KR102255246B1 (ko) 정전척 및 그 제조방법
US5929452A (en) Electrostatic deflecting electrode unit for use in charged beam lithography apparatus and method of manufacture the same
JP3568553B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光装置及びそのクリーニング方法
JP4083768B2 (ja) 電子ビーム照射装置
JP2002231170A (ja) 静電偏向器及びその製造方法、静電レンズ及びその製造方法、電子ビーム照射装置及びそのクリーニング方法
JP2000106117A (ja) 電子ビーム照射装置の静電偏向器
JP4610029B2 (ja) 電子ビーム照射装置の静電偏向器
JP2007149655A (ja) 電子光学コラムおよび電子光学多層コラム
US6586746B1 (en) Multipole electrostatic e-beam deflector
US7193221B2 (en) Electronic optical lens barrel and production method therefor
US11721520B2 (en) Semiconductor device, multi-charged-particle beam writing apparatus, and multi-charged-particle beam exposure apparatus
TWI844817B (zh) 半導體裝置，多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束照射裝置
JP4195632B2 (ja) 静電吸着装置及びそれを用いた荷電粒子応用装置
TWI749693B (zh) 遮蔽偏向器以及帶電粒子束描繪裝置
KR100505512B1 (ko) 지지볼을 접촉면으로 하는 정전척, 기판지지대,기판고정용 클램프 및 그 제조방법
JP5988356B2 (ja) 制御素子およびそれを用いた荷電粒子線装置
JP3929873B2 (ja) 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JPH08124821A (ja) 静電偏向器及びこれを用いた荷電粒子ビーム露光装置
JP2002341216A (ja) 電子線装置用の光学要素組立体、その光学要素組立体の加工方法及びそのような光学要素組立体を備えた電子線装置を用いるデバイス製造方法
JP2000138036A (ja) 電子ビーム照射装置の静電偏向器
JPH04174510A (ja) 電子ビーム露光装置用静電偏向器の製造方法
JPH02123651A (ja) 半導体装置製造装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee