KR100598817B1 - 커넥터 및 커넥터의 도금 방법 - Google Patents

커넥터 및 커넥터의 도금 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100598817B1
KR100598817B1 KR1020040025716A KR20040025716A KR100598817B1 KR 100598817 B1 KR100598817 B1 KR 100598817B1 KR 1020040025716 A KR1020040025716 A KR 1020040025716A KR 20040025716 A KR20040025716 A KR 20040025716A KR 100598817 B1 KR100598817 B1 KR 100598817B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plating layer
layer
connector
plating
base
Prior art date
Application number
KR1020040025716A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050055062A (ko
Inventor
하기우다다이치
Original Assignee
교우세라 에르코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 교우세라 에르코 가부시키가이샤 filed Critical 교우세라 에르코 가부시키가이샤
Publication of KR20050055062A publication Critical patent/KR20050055062A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100598817B1 publication Critical patent/KR100598817B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C13/00—Alloys based on tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
    • C25D5/611—Smooth layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

본 발명은 콘택트 표면의 땜납 습윤성을 확보하면서, 위스커 발생을 억제할 수 있는 커넥터, 및 코넥트의 도금방법을 제공한다. 콘택트 모재(母材)의 표면 위에 형성된 하지 도금층과, 하지 도금층의 표면 위에 형성되며, 광택제를 포함하지 않는 중간 도금층과, 중간 도금층의 표면 위에 형성되며, 광택제를 포함하는 윗면 도금층을 구비한다.
도금, 커넥터

Description

커넥터 및 커넥터의 도금 방법{CONNECTOR AND PLATING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 커넥터의 도금구조의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 커넥터의 도금구조에 있어서, 중간 도금층의 층두께와 윗면 도금층의 층두께의 합계에 대한 중간 도금층 두께의 비율(%)을 가로축으로 하고, 발생, 성장한 위스커의 최대길이(㎛)를 세로축으로 한 위스커 발생의 억제효과를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 커넥터의 도금구조에 있어서, 중간 도금층의 층두께와 윗면 도금층의 층두께의 합계에 대한 중간 도금층 두께의 비율(%)을 가로축으로 하고, 윗면 도금층의 제로크로스 시간(초)을 세로축으로 한 땜납의 습윤성을 나타내는 그래프이다.
도 4는 종래 도금구조의 구성을 나타내는 개략도이다.
***주요 도면부호의 부호설명***
10 : 도금구조 20 : 모재(콘택트 모재)
30 : 하지 도금층 40 : 중간 도금층
50 : 윗면 도금층
본 발명은 커넥터 및 커넥터의 도금 방법에 관한 것이다.
커넥터의 콘택트의 표면처리에 사용하는 도금구조로서, 근래의 무연화(lead free)의 요구를 반영하여, 도 4에 나타내는 바와 같은 도금구조(100)가 있다.
이 도금구조(100)는 콘택트의 표면부를 구성하는 모재(120)의 표면에 형성된 하지 도금층(130)과, 하지 도금층(130)의 위에 형성된 윗면 도금층(160)으로 이루어진다. 이 윗면 도금층(160)은 종래 주석과 납의 합금을 가진 윗면 도금층 대신에, 주석과 구리의 합금 및 광택제를 가지는 반광택층으로서 구성한 것으로, 이와 같은 종래의 기술은 예를 들어, 일본 공개특허공보 2001-234387호 및 일본 공개특허공보 2002-302790호에 개시된 것을 들 수 있다.
상술한 도금구조(100)는 무연화에 대한 요구는 만족하지만, 윗면 도금층(160)의 표면에서 위스커(Whiskers)라는 바늘모양의 주석의 단결정이 발생, 성장하고, 이것에 의해 회로의 단락이 쉽게 생기게 된다. 특히, FPC/FFC 등의 커넥터를 끼워맞추어, 콘택트에 대하여 외부로부터 힘이 가해지는 상태로 하면, 그 콘택트의 접점부(접촉부)에 비교적 단시간에 위스커가 발생하기 쉽다.
따라서, 본 발명의 목적은 커넥터의 콘택트 표면의 땜납의 습윤성을 확보하면서, 위스커 발생을 억제할 수 있는 커넥터를 제공하는데 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 커넥터에서는 콘택트 모재의 표면 위에 형성된 하지 도금층과, 하지 도금층의 표면 위에 형성되며, 광택제를 포함하지 않는 중간 도금층과, 중간 도금층의 표면 위에 형성되며, 광택제를 포함하는 윗면 도금층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 중간 도금층의 층두께는 중간 도금층의 층두께와 윗면 도금층의 층두께의 합계에 대하여 30~90%의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.
상기 중간 도금층은 주석-구리 합금을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 윗면 도금층은 주석-구리 합금을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 커넥터 도금방법에 있어서는, 콘택트 모재의 표면 위에 하지 도금층을 형성하는 공정과, 하지 도금층의 표면 위에 광택제를 포함하지 않는 중간 도금층을 형성하는 공정과, 중간 도금층의 표면 위에 광택제를 포함하는 윗면 도금층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 구체적으로 설명한다.
본 발명의 실시형태에 따른 도금구조(10)는 도 1에 나타내는 바와 같이, 커넥터의 콘택트 표면부를 구성하는 모재(콘택트 모재)(20)의 표면(21)에 형성된 하지 도금층(30)과, 이 하지 도금층(30)의 표면(31) 위에 형성된 중간 도금층(40)과, 이 중간 도금층(40)의 표면(41) 위에 형성된 윗면 도금층(50)으로 구성된다. 즉, 종래의 윗면 도금층(160)(도 4)대신에, 중간 도금층(40) 및 윗면 도금층(50)을 하지 도금층(30) 위에 형성하고 있다.
하지 도금층(30)은 니켈로 이루어지며, 구리합금(인청동(燐靑銅), 황동(黃銅), 베릴륨(beryllium)동 등) 모재(20)를 니켈 도금 욕조에 침지하여 전착(電着)에 의해 형성한다.
중간 도금층(40)은 주석과 구리의 합금으로 구성되어서, 광택제를 포함하지 않는 무광택층으로서 구성되어 있다. 이 중간 도금층(40)은 표면(21)에 하지 도금층(30)이 형성된 모재(20)를, 주석-구리 합금 도금욕조에 침지하여 전착에 의해 형성한다.
윗면 도금층(50)은 주석과 구리의 합금 및 광택제로 구성되며, 광택제를 포함하는 반광택제로서 구성되어 있다. 이 윗면 도금층(50)은 표면(21)에 하지 도금층(30) 및 중간 도금층(40)이 형성된 모재(20)를, 광택제를 포함하는 주석과 구리 합금 도금욕조에 침지하여 전착에 의해 형성한다.
여기서, 광택제로서는 예를 들어, m-클로로벤즈알데히드(chlorobenz aldehyde), p-니트로벤즈알데히드, p-히드록시벤즈알데히드, 1-냅트알데히드 (naphthaldehyde), 벤질리덴알데히드(benzylidenealdehyde), 살리실알데히드, 파라알데히드(paraldehyde) 등의 각종 알데히드, 바닐린(vanillin), 트리아진(triazine), 이미다졸, 인돌(indole), 퀴놀린(quinoline), 2-비닐피리딘 (vinylpyridine), 아닐린(aniline)을 사용할 수 있다.
도금구조(10)에 있어서는 하지 도금층(30)과 윗면 도금층(50) 사이에, 광택제를 포함하지 않는 무광택층으로서의 중간 도금층(40)을 형성함으로써, 커넥터를 끼워맞추어 콘택트에 대하여 외부로부터 힘이 가해지는 상태로 하여도, 그 콘택트 의 접점부에 위스커가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 윗면 도금부(50)를 주석과 구리의 합금 및 광택제를 가지는 반광택층으로서 구성함으로써, 상술한 바와 같이 위스커의 발생을 억제하는 동시에, 양호한 땜납 습윤성을 확보할 수 있다.
(실시예)
이어서, 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다.
본 실시예에서는 아래의 조건에 따라 하지 도금층(30), 중간 도금층(40) 및 윗면 도금층(50)을 형성하였다.
먼저, 하지 도금층(30)에 대해서는, 아래의 조성을 가지는 하지 도금층 도금 욕조에 모재(20)를 침지하여 형성하였다.
술파민산 니켈 415[g/l]
붕산 40[g/l]
염화니켈 5[g/l]
침지 중의 욕조 온도는 50[℃]로 하고, 전류밀도 5[A/dm2]에서 하지 도금층(30)을 막두께 2[㎛]만큼 형성하였다.
중간 도금층(40)에 대해서는, 아래의 조성을 가지는 중간 도금 욕조에, 하지 도금층(30)을 형성한 모재(20)를 침지하여 형성하였다.
유리산(遊離酸) 120[ml/l]
주석(Sn) 45[g/l]
구리(Cu) 1.5[g/l]
안정제 100[ml/l]
침지 중의 욕조 온도는 상온(常溫)으로 하고, 전류밀도 15[A/dm2]에서 중간 도금층(40)을 형성하였다.
윗면 도금층(50)에 대해서는 아래의 조성을 가지는 윗면 도금 욕조에, 하지 도금층(30) 및 중간 도금층(40)을 형성한 모재(20)를 침지하여 형성하였다.
유리산 120[ml/l]
주석(Sn) 45[g/l]
구리(Cu) 1.5[g/l]
안정제 100[ml/l]
광택제 5[ml/l]
침지 중의 욕조 온도는 상온으로 하고, 전류밀도 15[A/dm2]에서 윗면 도금층(50)을 형성하였다.
중간 도금층(40)의 층두께와 윗면 도금층(50)의 층두께는, 합계두께로 막두께 5[㎛]만큼 형성하였다.
상술한 조건으로 형성한 도금구조(10)에 대하여, 위스커의 최대 길이를 측정한 결과를 도 2에 나타낸다. 이 측정은 위스커 평가용 하중 시험기에 의한 하중시험에 의해 아래의 조건으로 행하였다.
접촉부 형상 : SR 0.5
하중 : 200[g]
시간 : 72[h]
도 2에 나타내는 바와 같이, 중간 도금층(40)의 층두께와 윗면 도금층(50)의 층두께의 합께두께에 대한 중간 도금층(무광택층)(40)의 층두께의 비율이 '0'에서부터 커짐에 따라 위스커의 최대길이는 작아져 위스커 발생의 억제효과가 높아지는 것을 알 수 있다. 위스커의 최대 길이는 중간 도금층(40)의 비율이 80%인 점에서 최소가 되어, 위스커 발생의 억제효과는 가장 높아졌다. 실용적으로는 위스커 최대길이가 20㎛ 미만이면, 단락을 방지할 수 있기 때문에, 중간 도금층(40)의 비율이 30%이상이면, 실용상 충분한 위스커 발생의 억제 효과를 발휘할 수 있다.
이어서, 상술한 조건으로 형성한 도금구조(10)에 대하여, 아래의 조건에서 제로크로스 타임(s)을 측정한 결과를 도 3에 나타낸다.
땜납조 : 64Sn-Pb
땜납조 온도 : 230[℃]
침지 깊이 : 0.5[mm]
침지 속도 : 2.5[mm/s]
침지 시간 : 5[s]
플럭스(flux) : 타무라카켄 가부시키가이샤 제품 SOLDERITE L-35
한편, 측정하기 전에 아래의 조건으로 전처리를 행하였다.
온도 : 105[℃]
습도 : 100[%RH]
압력 : 1.22×105[Pa]
처리시간 : 8[h]
도 3의 세로축에 나타내는 제로크로스 시간은, 윗면 도금층(50)의 땜납 습윤성을 나타내는 것으로서, 중간 도금층(40)의 층두께와 윗면 도금층(50)의 층두께의 합계두께에 대한 중간 도금층(40)의 층두께(무광택층)의 비율이 '0'에서부터 커짐에 따라 제로크로스 시간은 작아져 땜납 습윤성이 높아지는 것을 알 수 있다. 제로 크로스 시간은 중간 도금층(40)의 비율이 50%인 부근에서 최소가 되고, 땜납의 습윤성은 가장 높아진다. 실용적으로는 제로크로스 시간은 2.0s미만이면 땜납의 습윤성이 충분하기 때문에, 중간 도금층의 비율이 0~100%인 모든 범위에서 양호한 땜납의 습윤성을 실현할 수 있다.
한편, 중간 도금층(40)의 비율을 100%로하여 윗면 도금층(50)을 없애면, 커넥터의 제조공정 또는 커넥터의 사용중에 중간 도금층(40)의 표면에 쉽게 손상을 주게 되는 것이 발명자의 실험에 의해 판명되었다. 따라서, 중간 도금층(40)의 비율을 100%로 한 커넥터는, 핸들링이 어려워지기 때문에, 이러한 점에서 중간 도금층(40)의 비율은 90%이하로 하는 것이 바람직하다.
이로부터, 중간 도금층(40)의 비율을 30~90%로 하면, 실용상 충분한 땜납 습윤성을 발휘하면서, 위스커 발생의 억제 효과를 발휘할 수 있고, 핸들링도 쉬운 커넥터를 실현할 수 있다.
본 발명에 대하여, 상기 실시예를 참조하면서 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니며, 개량의 목적 또는 본 발명의 사상의 범위내에서 개량 또는 변경이 가능하다.
본 발명에 따르면, 하지 도금층과 윗면 도금층의 사이에, 광택제를 포함하지 않는 무광택층으로서의 중간 도금층을 형성함으로써, 커넥터를 끼워맞추어 콘택트에 대하여 외부로부터 힘이 가해지는 상태로 하여도, 그 콘택트의 접점부에 위스커가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 윗면 도금부를 주석과 구리의 합금 및 광택제를 가지는 반광택층으로서 구성함으로써, 상술한 바와 같이 위스커의 발생을 억제하는 동시에, 양호한 땜납의 습윤성을 확보할 수 있다.

Claims (8)

  1. 콘택트 모재의 표면 위에 형성된 하지 도금층과,
    상기 하지 도금층의 표면 위에 형성되며, 광택제를 포함하지 않는 중간 도금층과,
    상기 중간 도금층의 표면 위에 형성되며, 광택제를 포함하는 윗면 도금층을 구비하고,
    상기 중간 도금층의 층두께는, 상기 중간 도금층의 층두께와 상기 윗면 도금층의 층두께의 합계에 대하여 30~90%의 범위 내에 있도록 함을 특징으로 하는 커넥터.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 도금층은 주석-구리 합금을 포함하는 커넥터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 윗면 도금층은 주석-구리 합금을 포함하는 커넥터.
  5. 커넥터 모재의 표면 위에 하지 도금층을 형성하는 공정과,
    상기 하지 도금층의 표면 위에 광택제를 포함하지 않는 중간 도금층을 형성하는 공정과,
    상기 중간 도금층의 표면 위에 광택제를 포함하는 윗면 도금층을 형성하는 공정을 구비하고,
    상기 중간 도금층의 층두께는, 상기 중간 도금층의 층두께와 상기 윗면 도금층의 층두께의 합계에 대하여 30~90%의 범위 내에 있도록 함을 특징으로 하는 커넥터의 도금 방법.
  6. 삭제
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 중간 도금층은 주석-구리 합금을 포함하는 커넥터의 도금 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 윗면 도금층은 주석-구리 합금을 포함하는 커넥터의 도금 방법.
KR1020040025716A 2003-12-05 2004-04-14 커넥터 및 커넥터의 도금 방법 KR100598817B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00407085 2003-12-05
JP2003407085 2003-12-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050055062A KR20050055062A (ko) 2005-06-10
KR100598817B1 true KR100598817B1 (ko) 2006-07-11

Family

ID=37250096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040025716A KR100598817B1 (ko) 2003-12-05 2004-04-14 커넥터 및 커넥터의 도금 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100598817B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02170996A (ja) * 1988-12-22 1990-07-02 Kobe Steel Ltd 光沢錫めっき金属板
JPH02270986A (ja) * 1989-04-10 1990-11-06 Kobe Steel Ltd 光沢および耐ウィスカー性に優れた錫めっき金属板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02170996A (ja) * 1988-12-22 1990-07-02 Kobe Steel Ltd 光沢錫めっき金属板
JPH02270986A (ja) * 1989-04-10 1990-11-06 Kobe Steel Ltd 光沢および耐ウィスカー性に優れた錫めっき金属板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050055062A (ko) 2005-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7391116B2 (en) Fretting and whisker resistant coating system and method
CN101318390B (zh) 重熔镀Sn材料和使用该材料的电子部件
JP2002100718A (ja) 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置
US20030025182A1 (en) Metal article coated with tin or tin alloy under tensile stress to inhibit whisker growth
US20080261071A1 (en) Preserving Solderability and Inhibiting Whisker Growth in Tin Surfaces of Electronic Components
JP4940081B2 (ja) リフローＳｎめっき材及びそれを用いた電子部品
JPH11350188A (ja) 電気・電子部品用材料とその製造方法、およびその材料を用いた電気・電子部品
KR20140117274A (ko) 삽입 발출성이 우수한 주석 도금 구리 합금 단자재
WO2002049077A2 (en) Barrier layer for electrical connectors and methods of applying the layer
KR20190117596A (ko) 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법, 그것을 사용한 커넥터 단자, 커넥터 및 전자 부품
US20050249969A1 (en) Preserving solderability and inhibiting whisker growth in tin surfaces of electronic components
JP2004300524A (ja) Ｓｎ被覆を施した銅または銅合金部材およびその製造方法
JP2007291457A (ja) ウィスカーが抑制されたＣｕ−Ｚｎ合金耐熱Ｓｎめっき条
US6207298B1 (en) Connector surface-treated with a Sn-Ni alloy
JP2006127939A (ja) 電気導体部品及びその製造方法
JP5185759B2 (ja) 導電材及びその製造方法
KR20190098963A (ko) 표면 처리재 및 이를 이용하여 제작한 부품
KR100598817B1 (ko) 커넥터 및 커넥터의 도금 방법
JP2005105307A (ja) リフローＳｎめっき部材、前記部材の製造方法、および前記部材が用いられた電気電子機器用部品
TW201907622A (zh) 鍍錫銅端子材、端子及電線終端部構造
JP7313600B2 (ja) コネクタ用端子材及びコネクタ用端子
US4994329A (en) Article having nickel plated film comprising a varying content of phosphorus
EP3235588A1 (en) Solder alloy for plating and electronic component
KR101175092B1 (ko) 땜납 젖음성 및 삽입 발출성이 우수한 구리 합금 주석 도금조
JP2005307240A (ja) Ｓｎ被覆導電材及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130604

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140603

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150602

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee