KR100579196B1 - 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 종래의 유기 전계 발광 소자에 사용되는 불투명한 흡습제를 인캡슐레이션용 기판에 부착하게 되면 발광 면적이 감소하거나, 배면 발광 소자에만 적용 가능하다는 제한이 따르고, 투명 흡습제를 사용하더라도 상기 투명 흡습제의 재료 또는 양산성의 문제가 발생하게 되는데, 이를 해결하기 위해 유기막층과 공통 전극인 제2전극사이에 칼슘 산화막 또는 칼슘으로 구성된 흡습층을 형성함으로서, 발광 면적이 증가할 뿐만 아니라, 배면 발광형과 전면 발광형 유기 전계 발광 소자 양쪽 모두 적용할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법은 절연 기판; 상기 절연 기판상에 형성된 제1전극; 상기 제1전극상에 형성되고, 유기 발광층을 포함하는 유기막층; 상기 유기막층의 발광부를 제외한 기판 전면에 형성된 흡습층; 및 상기 유기막층 및 흡습층이 형성된 기판상에 형성된 제2전극을 포함하여 이루어진 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법은 유기막층과 공통 전극인 제2전극사이에 칼슘 산화막 또는 칼슘으로 구성된 흡습층을 형성함으로서, 발광 면적의 증가 뿐만 아니라, 배면 발광형과 전면 발광형 유기 전계 발광 소자 양쪽 모두 적용할 수 있고, 양산성, 흡습도의 균일성 및 공정을 단순화할 수 있는 효과가 있다.
흡습층, 전면 발광형, 배면 발광형, 유기 전계 발광 소자
Description
도 1은 종래의 배면 발광형 유기 전계 발광 소자의 구조를 나타내는 단면도.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 의해 형성된 유기 전계 발광 소자의 공정 단면도.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시 예로서, 박막트랜지스터, 패시베이션층, 평탄화층, 제1전극, PDL 및 유기막층이 형성된 기판상에 흡습층, 제2전극 및 인캡슐레이션 기판을 형성하는 공정의 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 제1전극 112 : 유기막층
113, 117 : 흡습층 114, 118 : 제2전극
115, 119 : 인캡슐레이션 기판
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 유기 발광층을 포함하는 유기막층과 공통 전극인 제2전극 사이에 칼슘 산화막 또는 칼슘으로 구성된 흡습층을 형성하여 발광 면적의 증가 뿐만 아니라, 배면 발광형과 전면 발광형 유기 전계 발광 소자 양쪽 모두 적용할 수 있고, 양산성, 흡습도의 균일성 및 공정을 단순화할 수 있는 유기 전계 발광 조자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
평판형 표시 소자(Flat Panel Display Device)중에 하나인 유기 전계 발광 소자(Organic Electroluminescence Device)는 자체 발광형이기 때문에 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Deivce)에 비해 시야각, 콘트라스트(Contrast) 등이 우수하며 백라이트(Back Light)가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 또한 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 구성하는 소자 모두가 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 비용 측면에서도 저렴하다는 장점을 가지고 있다.
특히, 상기 유기 전계 발광 소자의 제조 공정은 액정 표시 장치나 PDP(Plasma Display Panel)와는 달리 증착/식각(Deposition/Etching) 공정의 반복 및 인캡슐레이션(Encapsulation) 공정이 전부라고 할 수 있기 때문에 공정이 매우 단순하다는 장점이 있다.
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자의 구조를 나타내는 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 플라스틱 또는 유리와 같은 투명한 절연 기판(11)상에 소오스/드레 인 영역을 포함하는 반도체층(12), 게이트 절연막(13), 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트 전극(14), 상기 게이트 전극 및 반도체층을 보호하는 층간절연막(15) 및 상기 소오스/드레인 영역에 콘택하는 소오스/드레인 전극(16), 상기 기판상에 형성된 소자들을 보호하는 패시베이션층(17), 기판의 평탄화를 위해 형성된 평탄화층(18), 상기 평탄화층에 형성되고, 상기 소오스/드레인 전극에 콘택되어 형성된 제1전극(19), 상기 절연막층에 형성되고 발광부를 정의하는 PDL(20), 상기 제1전극상에 형성되고, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층(21) 및 상기 기판 전면에 형성된 제2전극(22)이 형성되어 있고, 상기 절연 기판에 대향하고, 금속 캔과 같은 금속 또는 유리와 같은 투명한 절연 물질로 형성된 인캡슐레이션 기판(31)상에 소정의 영역에 오목부(32)가 형성한 후 상기 오목부에 흡습제(33) 및 투습지(34)를 형성하고, 상기 절연 기판과 상기 인캡슐레이션 기판이 완전히 밀착되어 밀봉되도록 하는 씰링(Sealing) 패턴(35)이 상기 절연 기판과 인캡슐레이션 기판의 가장자리에 형성되어 있는 유기 전계 발광 소자의 구조의 단면을 보여 주고 있다.
이때, 배면 발광인 경우 상기 제1전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 전극으로 형성하고, 상기 제2전극은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 빛을 반사하는 금속 전극으로 형성되어 있다.
그러나, 상기의 유기 전계 발광 소자는 전면 발광의 경우, 불투명한 흡습제를 인캡슐레이션용 기판에 부착하게 되면 발광 면적이 감소하므로 투명한 흡습제를 사용해야만 하는 문제점이 발생하여 배면 발광 소자에만 적용 가능하다는 제한이 따르고, 투명 흡습제를 사용하더라도 상기 투명 흡습제의 재료 또는 양산성의 문제 가 발생하는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유기 발광층을 포함하는 유기막층과 공통 전극인 제2전극 사이에 칼슘 산화막 또는 칼슘으로 구성된 흡습층이 형성된 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 절연 기판; 상기 절연 기판상에 형성된 제1전극; 상기 제1전극상에 형성되고, 유기 발광층을 포함하는 유기막층; 상기 유기막층의 발광부를 제외한 기판 전면에 형성된 흡습층; 및 상기 유기막층 및 흡습층이 형성된 기판상에 형성된 제2전극으로 이루어진 유기 전계 발광 소자에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 절연 기판을 준비하는 단계; 절연 기판상에 제1전극을 형성하는 단계; 상기 제1전극이 형성된 기판상에 발광부를 정의하는 PDL을 형성하는 단계; 상기 제1전극의 발광부상에 유기 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계; 상기 유기막층의 발광부를 제외한 기판 전면에 흡습층을 형성하는 단계; 및 상기 유기막층 및 흡습층이 형성된 기판상에 제2전극을 형성하는 단계로 이루어진 유기 전계 발광 소자 제조 방법에 의해서도 달성된다.
본 발명의 상기 목적은 절연 기판; 상기 절연 기판상에 형성된 제1전극; 상 기 제1전극상에 형성되고, 유기 발광층을 포함하는 유기막층; 상기 유기막층상에 형성되고, 기판 전면에 형성된 흡습층; 및 상기 흡습층상에 형성된 제2전극으로 이루어진 유기 전계 발광 소자에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 절연 기판상에 제1전극을 형성하는 단계; 상기 제1전극이 형성된 기판상에 발광부를 정의하는 PDL을 형성하는 단계; 상기 제1전극의 발광부상에 유기 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 흡습층을 형성하는 단계; 및 상기 흡습층상에 제2전극을 형성하는 단계로 이루어진 유기 전계 발광 소자 제조 방법에 의해서도 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 의해 형성된 유기 전계 발광 소자의 공정 단면도이다.
먼저, 도 2a는 절연 기판상에 박막트랜지스터를 형성하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 플라스틱 또는 유리와 같은 절연 기판(101)상에 버퍼층(102)을 형성하고, 상기 버퍼층상에 비정질 실리콘층을 형성한 후, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 다결정 또는 단결정 실리콘층을 형성하고, 패터닝하여 반도체층(103)을 형성한다.
이때 상기 버퍼층은 하부 기판에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하거나, 결정화시 열의 전달의 속도를 조절함으로서, 반도체층의 결정화가 잘 이 루어질 수 있도록 하는 역활을 한다.
이때 상기 비정질 실리콘은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) 또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)을 이용할 수 있다. 또한 상기 비정질 실리콘을 형성할 때 또는 형성한 후에 탈수소처리하여 수소의 농도를 낮추는 공정을 진행할 수 있다. 상기 결정화법은 RTA(Rapid Thermal Annealing) 공정, SPC법(Solid Phase Crystallization), ELA법(Excimer Laser Crystallization), MIC법(Metal Induced Crystallization), MILC법(Metal Induced Lateral Crystallization) 또는 SLS법(Sequential Lateral Solidification) 중 어느 하나 이상을 이용할 수 있다.
이어서, 상기 반도체층이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막(104)을 형성하고, 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극 형성 물질을 형성한 후, 패터닝하여 게이트 전극(105)을 형성한다. 게이트 전극을 형성한 후, 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 불순물 이온 주입 공정을 진행하여 상기 반도체층에 소오스/드레인 및 채널 영역을 정의하는 공정을 진행할 수 있다.
이어서, 상기 기판 전면에 층간절연막(106)을 형성하는데, 상기 층간절연막은 하부에 형성된 소자들을 보호하는 역활 또는 전기적 절연을 위해 형성된다. 이때, 상기 버퍼층, 게이트 절연막 및 층간절연막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 산화막 또는 질화막을 이용하여 형성한다.
이어서, 상기 층간절연막이 형성된 기판상에 상기 반도체층에 형성된 소오스/드레인 영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하고, 기판 전면에 소오스/드레인 전극 물질을 증착한 후, 패터닝하여 소오스/드레인 전극(107)을 형성하여 박막트랜지스터를 완성한다.
다음, 도 2b는 박막트랜지스터가 형성된 절연 기판상에 패시베이션층, 평탄화층, 제1전극, PDL 및 유기막층을 형성하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 박막트랜지스터가 형성된 기판상에 상기 박막트랜지스터를 보호하기 위한 패시베이션층(108)을 형성하고, 상기 패시베이션층이 형성된 기판상에 하부 구조에 의해 발생한 단차를 제거하기 위한 평탄화층(109)을 형성한다.
이어서, 상기 평탄화층 및 패시베이션층의 일부를 식각하여 상기 소오스/드레인 전극이 노출되도록 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀이 형성된 기판상에 제1전극(110)을 형성한다. 이때 상기 제1전극은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 전극으로 형성할 수 있다. 또한 상기 제1전극을 형성하기 전에 제1전극의 하부에 반사막을 더 형성하여 이후 완성된 유기 전계 발광 소자가 배면 발광형 뿐만 아니라 전면 발광형 유기 전계 발광 소자로 응용할 수 있도록 할 수 있다.
이어서, 상기 제1전극이 형성된 기판상에 발광부를 정의하는 PDL(111)을 형성한다. 이때 상기 PDL은 발광부를 제외한 영역에 형성하고, 상기 제1전극의 표면의 최대한 넓게 노출되도록 상기 PDL을 형성하여 유기 전계 발광 소자의 개구율을 높인다.
이어서, 상기 PDL에 의해 노출된 제1전극의 발광부상에 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층(112)을 형성한다. 이때 상기 유기막층은 유기 발광층만으로 형성할 수 있으나, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 중 어느 한 층 이상을 더 형성하여 유기막층을 형성할 수도 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시 예들로서, 상기 박막트랜지스터, 패시베이션층, 평탄화층, 제1전극, PDL 및 유기막층이 형성된 기판상에 흡습층, 제2전극 및 인캡슐레이션 기판을 형성하는 공정의 단면도이다.
먼저, 도 3a는 본 발명의 실시 예로서, 상기 박막트랜지스터, 패시베이션층, 평탄화층, 제1전극, PDL 및 유기막층이 형성된 기판상에 흡습층, 제2전극 및 인캡슐레이션 기판을 형성하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 박막트랜지스터, 패시베이션층, 평탄화층, 제1전극, PDL 및 유기막층이 형성된 기판상에 흡습층(113a, 113b)을 형성한다. 이때 상기 흡습층은 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask)를 이용하여 칼슘 산화막(CaO)을 증기 증착(evaporation deposition)하여 상기 유기막층의 발광부를 제외한 기판 전면에 형성하거나, 상기 흡습층 형성 물질을 기판 전면에 형성한 후, 패터닝으로 상기 유기막층의 발광부상에 형성된 흡습층 형성 물질을 제거하여 형성할 수도 있다.
이때 상기 흡습층은 도 3a의 A 영역에서 보는 바와 같이 기판상에 형성된 발광부가 아닌 유기막층과 오버랩(Overlapping)되도록 형성할 수 있고, 도 3a의 B 영역에서 보는 바와 같이 보는 바와 같이 상기 유기막층과는 오버랩되지 않도록 형성할 수도 있다. 상기 유기막층과 오버랩되게 흡습층을 형성하는 경우에는 상기 유기막층의 발광부를 감소시키지 않으면서 흡습층이 형성된 영역이 최대가 될 수 있는 장점이 있다.
상기와 같이 흡습층을 유기막층의 발광부상에는 형성하지 않는 것은 상기 흡 습층이 칼슘 산화막으로 형성되기 때문에 즉, 절연막이기 때문에, 상기 발광부에는 상기 흡습층을 형성하지 않아야 유기막층의 유기 발광층에 전자 및 정공이 공급되어 빛을 발생할 수 있기 때문이다.
이어서, 상기 기판상에 제2전극(114)을 형성한다. 상기 제2전극은 공통 전극으로 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같이 반사형 도체를 이용할 수도 있고, ITO 또는 IZO 등과 같이 투명한 도체를 사용할 수도 있으나, 바람직하게는 MgAg와 같은 투명한 금속으로 형성한다. 상기 반사형 도체를 제2전극으로 사용하는 경우에는 배면 발광형 유기 전계 발광 소자로 이용되고, 투명한 도체를 제2전극으로 사용하는 경우에는 전면 발광형 유기 전계 발광 소자로 이용될 수 있다.
따라서, 상기 제2전극이 전면 발광형 유기 전계 발광 소자에 적용되는 경우에는 흡습층 상부에 MgAg막 및 ITO 또는 IZO와 같은 투명 전극을 순차적으로 형성되고, 배면 발광형 유기 전계 발광 소자에 적용되는 경우에는 흡습층 상부에 알루미늄 또는 은이 적층되는 구조로 형성된다.
이어서, 상기 기판과 대향하는 인캡슐레이션 기판(115)을 씰링 패턴(116)을 이용하여 상기 기판에 밀봉하고 결합하는 인캡슐레이션 공정을 진행함으로서 유기 전계 발광 소자를 완성할 수 있다. 상기 인캡슐레이션 기판은 유리 또는 금속 캔 중 어느 것을 이용하여 형성하여도 무방하다.
따라서, 유기막층을 기판상에 형성한 후, 상기 유기막층의 발광부를 제외한 전 기판상에 칼슘 산화막으로 흡습층을 형성하고, 제2전극을 형성함으로서, 상기 유기 전계 발광 소자의 발광 영역의 감소없이 형성 가능할 뿐만 아니라, 종래의 인 캡슐레이션 기판상에 흡습제를 형성하는데 따른 문제점을 해결할 수 있는 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다.
다음, 도 3b는 본 발명의 다른 실시 예로서, 상기 박막트랜지스터, 패시베이션층, 평탄화층, 제1전극, PDL 및 유기막층이 형성된 기판상에 흡습층, 제2전극 및 인캡슐레이션 기판을 형성하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 박막트랜지스터, 패시베이션층, 평탄화층, 제1전극, PDL 및 유기막층이 형성된 기판상에 흡습층(117)을 형성한다.
상기 흡습층은 칼슘으로 기판 전면에 형성하는데 이는 상기 칼슘으로 형성된 흡습층은 도전체이므로 기판 전면에 형성되어도, 상기 제1전극, 유기막층 및 이후 형성될 제2전극과 전기적으로 접촉될 수 있어 상기 유기막층의 유기 발광층에 정공과 전자를 공급할 수 있기 때문이다.
이어서, 상기 기판 전면에 제2전극(118)을 형성한다. 상기 제2전극은 공통 전극으로 알루미늄 또는 은과 같이 반사형 도체를 이용할 수도 있고, MgAg, ITO 또는 IZO 등과 같이 투명한 도체를 사용할 수도 있다. 상기 반사형 도체를 제2전극으로 사용하는 경우에는 배면 발광형 유기 전계 발광 소자로 이용되고, 투명한 도체를 제2전극으로 사용하는 경우에는 전면 발광형 유기 전계 발광 소자로 이용될 수 있다.
이어서, 상기 기판과 대향하는 인캡슐레이션 기판(119)을 씰링 패턴(120)을 이용하여 상기 기판에 밀봉하고 결합하는 인캡슐레이션 공정을 진행함으로서 유기 전계 발광 소자를 완성할 수 있다. 상기 인캡슐레이션 기판은 유리 또는 금속 캔 중 어느 것을 이용하여 형성하여도 무방하다.
따라서, 유기막층을 기판상에 형성한 후, 상기 기판 전면에 칼슘으로 흡습층을 형성하고, 제2전극을 형성함으로서, 상기 유기 전계 발광 소자의 발광 영역의 감소없이 형성 가능할 뿐만 아니라, 종래 기술에서와 같이 인캡슐레이션 기판상에 흡습제를 형성하지 않아도 되는 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법은 유기막층과 공통 전극인 제2전극사이에 칼슘 산화막 또는 칼슘으로 구성된 흡습층을 형성함으로서, 발광 면적의 증가 뿐만 아니라, 배면 발광형과 전면 발광형 유기 전계 발광 소자 양쪽 모두 적용할 수 있고, 양산성, 흡습도의 균일성 및 공정을 단순화할 수 있는 효과가 있다.
Claims (28)
- 절연 기판;상기 절연 기판상에 형성된 제1전극;상기 제1전극상에 형성되고, 유기 발광층을 포함하는 유기막층;상기 유기막층의 발광부를 제외한 기판 전면에 형성된 흡습층; 및상기 유기막층 및 흡습층이 형성된 기판상에 형성된 제2전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 흡습층은 칼슘 산화막으로 형성됨을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 절연 기판은 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스/드레인 전극을 포함하여 형성된 박막트랜지스터, 패시베이션층 및 평탄화층이 형성된 절연 기판임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 흡습층은 파인 메탈 마스크를 이용하여 증기 증착으로 형성됨을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 흡습층은 기판 전면에 흡습층 물질을 형성한 후, 패터닝하여 형성됨을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 흡습층은 상기 유기막층의 가장자리와 오버랩됨을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제1전극은 투명 전극임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제1전극은 제1전극의 하부에 반사막이 형성되어 있음을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제2전극은 투명한 도체 또는 반사형 도체임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 절연 기판과 대향하는 인캡슐레이션 기판 및 상기 인캡슐레이션 기판과 절연 기판을 밀봉하는 씰링 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 절연 기판을 준비하는 단계;절연 기판상에 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극이 형성된 기판상에 발광부를 정의하는 PDL을 형성하는 단계;상기 제1전극의 발광부상에 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층을 형성 하는 단계;상기 유기막층의 발광부를 제외한 기판 전면에 흡습층을 형성하는 단계; 및상기 유기막층 및 흡습층이 형성된 기판상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 형성 방법.
- 제 11항에 있어서,상기 절연 기판을 준비하는 단계는절연 기판상에 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 박막트랜지스터가 형성된 기판상에 패시베이션층 및 평탄화층을 형성하는 단계임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 형성 방법.
- 제 11항에 있어서,상기 유기막층의 발광부를 제외한 기판 전면에 흡습층을 형성하는 단계는상기 제1전극이 형성된 기판상에 파인 메탈 패턴을 이용하여 상기 유기막층의 발광부를 제외한 기판의 전 영역에 흡습층을 형성하는 단계임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 형성 방법.
- 제 11항에 있어서,상기 유기막층의 발광부를 제외한 기판 전면에 흡습층을 형성하는 단계는상기 제1전극이 형성된 기판의 전면에 흡습층 형성 물질을 증착하고, 패터닝하여 상기 유기막층의 발광부상에 형성된 흡습층 형성 물질을 제거하여 흡습층을 형성하는 단계임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 형성 방법.
- 제 11항에 있어서,상기 흡습층 형성 물질은 칼슘 산화물임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 형성 방법.
- 제 11항에 있어서,상기 제2전극을 형성하는 단계 이후,상기 절연 기판에 대향하는 인캡슐레이션 기판을 씰링 패턴으로 밀봉하고 결합시켜 유기 전계 발광 소자를 완성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 형성 방법.
- 절연 기판;상기 절연 기판상에 형성된 제1전극;상기 제1전극상에 형성되고, 유기 발광층을 포함하는 유기막층;상기 유기막층상에 형성되고, 기판 전면에 형성된 흡습층; 및상기 흡습층상에 형성된 제2전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17항에 있어서,상기 흡습층은 칼슘으로 형성됨을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17항에 있어서,상기 절연 기판은 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스/드레인 전극을 포함하여 형성된 박막트랜지스터, 패시베이션층 및 평탄화층임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17항에 있어서,상기 제1전극은 투명 전극임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17항에 있어서,상기 제1전극은 제1전극의 하부에 반사막이 형성되어 있음을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17항에 있어서,상기 제2전극은 반사형 도체임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17항에 있어서,상기 제2전극은 MgAg와 투명 전극의 적층 구조임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17항에 있어서,상기 절연 기판과 대향하는 인캡슐레이션 기판 및 상기 인캡슐레이션 기판과 절연 기판을 밀봉하는 씰링 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 절연 기판상에 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극이 형성된 기판상에 발광부를 정의하는 PDL을 형성하는 단계;상기 제1전극의 발광부상에 유기 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계;상기 기판 전면에 흡습층을 형성하는 단계; 및상기 흡습층상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 형성 방법.
- 제 25항에 있어서,상기 절연 기판을 준비하는 단계는절연 기판상에 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 박막트랜지스터가 형성된 기판상에 패시베이션층 및 평탄화층을 형성하는 단계임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 형성 방법.
- 제 25항에 있어서,상기 흡습층은 칼슘임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 형성 방법.
- 제 25항에 있어서,상기 제2전극을 형성하는 단계 이후,상기 절연 기판에 대향하는 인캡슐레이션 기판을 씰링 패턴으로 밀봉하고 결합시켜 유기 전계 발광 소자를 완성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 형성 방법.
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