KR100573447B1 - 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제, 그 제조 방법, 고순도옥타플루오로프로판 및 옥타플루오로시클로부탄 및 그 용도 - Google Patents

퍼플루오로카본의 정제용 흡착제, 그 제조 방법, 고순도옥타플루오로프로판 및 옥타플루오로시클로부탄 및 그 용도 Download PDF

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Abstract

퍼플루오로카본중에 함유된 불순물을 효과적으로 제거하고, 불순물의 함량을 1 질량ppm 이하로 감소시킨 퍼플루오로카본을 얻는 것이 가능한 정제용 흡착제;그 제조 방법; 고순도 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄;그 정제 및 제조 방법 및 그 용도를 제공한다. (1) 원료탄을 산세정 처리 후, 물세정 처리하여, (2) 원료탄을 탈산소 및/또는 탈수하여, (3) 500 내지 700℃의 온도 범위에서, 상기 원료탄을 재탄화처리 하고, (4) 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기를 함유하는 혼합 가스 기류 중에서, 700 내지 900℃의 온도 범위에서, 상기 원료탄을 활성화 처리하는 공정으로 이루어진 방법에 의하여 제조된 정제 흡착제를 사용하여 정제를 수행한다.

Description

퍼플루오로카본의 정제용 흡착제, 그 제조 방법, 고순도 옥타플루오로프로판 및 옥타플루오로시클로부탄 및 그 용도{ADSORBENT FOR PURIFYING PERFLUOROCARBON, PROCESS FOR PRODUCING SAME, HIGH PURITY OCTAFLUOROPROPANE AND OCTAFLUOROCYCLOBUTANE, AND USE THEREOF}
관련 참조출원
본 출원은 35 U.S.C.§119(e)(1)에 따라, 35 U.S.C.§111(b)의 규정하에 2000년 10월 20일에 출원된 미국 가출원 제60/241,742호 및 2000년 10월 20일에 출원된 가출원 제60/241,744호의 출원일의 이익을 주장하여 U.S.C.§111(a) 규정에 의거하여 출원된 것이다.
본 발명은 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제, 그 제조 방법, 고순도 옥타플루오로프로판 및 옥타플루오로시클로부탄, 그 정제 방법과 제조 방법, 및 그 용도에 관한 것이다.
옥타플루오로프로판(이하, "FC-218"로 지칭함) 또는 옥타플루오로시클로부탄(이하, "FC-C318"로 지칭함)과 같은 퍼플루오로카본은 반도체 디바이스 제조 과정에서 에칭 가스 또는 클리닝 가스로서 사용된다.
FC-218을 제조하는 방법으로는, 1-클로로프로판의 전해 불화 반응 방법(참조, 미국 특허 제 3,709,800 호), 트리플루오로펜타클로로프로판과 삼불화망간의 반응 방법(참조, 미국 특허 제 2,578,721 호) 및 프로판 또는 프로필렌을 불화수소 및 염소와 반응시키는 방법(참조, 미국 특허 제 5,220,083 호)이 알려져 있다. 그러나, 이러한 방법은 출발물질로서 염소를 함유하는 화합물을 사용하므로, 부산물로서 염소-함유 불순물이 생기는 문제가 있다.
무염소류의 출발물질을 사용하는 방법에 관하여, 프로판의 전해 불화 반응 방법(참조, 미국 특허 제 3,840,0445 호)이 알려져 있지만, 장치가 매우 복잡하고 수득률이 낮으므로, 이 방법은 산업상 바람직한 방법이 아니다. 또한, 헥사플루오로프로펜(이하, "FC-1216"으로 지칭함)을 불화 반응하여 FC-218을 생산하는 방법이 알려져 있다. 예컨대, 불활성 및 반응 생성물 가스로 희석하에 FC-1216을 불소 가스와 반응시키는 방법(참조, JP-B-62-61682)(여기서 사용된 용어 "JP-B"는 "일본 특허 공보"를 의미함), 불화수소에서 FC-1216을 전해 불화 반응시키는 방법(참조, JP-B-62-61115), 및 삼불화코발트, 삼불화망간 및 이불화은으로부터 선택되는 적어도 1 종류를 함유하는 고차 금속 불화물을 반응시키는 방법(참조, JP-B-62-54777)이 알려져 있다.
FC-1216을 제조하는 방법으로는, 클로로디플루오로메탄(이하, "HCFC-22"로 지칭함)의 열분해를 이용하는 방법이 알려져 있다. 또한, 퍼할로겐화 C-3 클로로플루오로카본을 불화한 다음 불화 생성물을 디할로겐화하여 FC-1216을 생산하는 방법(참조, 미국 특허 제 5,057,634 호)이 알려져 있다. 또한, 이러한 방법도 출발물질로서 염소-함유 화합물을 사용하므로, 많은 경우에, FC-1216은 불순물로서 염소-함유 화합물을 함유하고, 이 FC-1216에서 출발하여 생산된 FC-218은 많은 경우에 미반응 FC-1216과 함께 염소-함유 불순물을 함유한다. 염소-함유 불순물의 끓는점을 표 1에 나타내었다. 상기 불순물을 증류에 의하여 대부분 분리시킬수 있지만, 클로로펜타플루오로에탄(이하, "CHF-115"로 지칭함) 및 FC-1216의 끓는점은 각각 FC-218의 끓는점에 근접하므로, 증류에 의한 이러한 불순물 분리는 매우 어렵다.
Figure 112003008672426-pct00001
유사하게, 옥타플루오로시클로부탄(FC-C318)은 테트라플루오로에틸렌(이하, "FC-1114"로 지칭함) 또는 헥사플루오로프로펜(FC-1216)의 생성물에서 부산물로서 산출된 FC-C318을 정제하여 얻을 수 있다. FC-1114, 또는 FC-1216을 제조하는 방법, 예컨대, EP451793에 기술된 바와 같이, 클로로디플루오로메탄을 열분해하는 방법이 사용되나, 열분해 반응에 의하여 다양한 물질이 생성된다. 또한, 미반응 HCFC-22 및 다수의 염소-함유 화합물이 생성물로 함유된다.
FC-C318 및 불순물이 함유된 화합물의 끓는점을 표 1에 나타내었다. 대부분의 이러한 반응 생성물 및 미반응 HCFC-22를 증류에 의하여 분리시킬 수 있다. 그러나, FC-1216, 2-클로로-1,1,1,2-테트라플루오로에탄(이하 "HCFC-124"로 지칭함), 1-클로로-1,1,2,2-테트라 플루오로에탄(이하 "HCFC-124a""로 지칭함), 1H-헵타플루오로프로판(이하, "HFC-227ca"로 지칭함) 및 1,2-디클로로테트라플루오로에탄(이하, "CFC-114"로 지칭함) 각각의 끓는점은 FC-C318의 끓는점과 근접하다. 또한, 각각의 HCFC-124 및 HCFC-124a는 FC-C318과 함께, 공비(azeotropic) 혼합물을 생성한다. 그러므로, 이러한 불순물의 농도가 1 질량 ppm 이하로 감소된 FC-C318을, 증류 분리하는 정제 방법에 의하여 얻기는 어렵다.
증류 분리 이외의 정제 방법으로는 추출 증류법, 막분리법 및 흡착 분리법을 들 수 있다. 그러나, 추출 증류 방법은 설비 비용이 고가이고, 공정이 복잡한 문제가 있다. 막분리법은 FC-218 또는 FC-C318과 불순물을 분리하는 데에 필요한 특성을 갖는 적절한 막이 알려져 있지 않으며, 불순물 함량을 1 질량 ppm 이하로 정제하는 것이 어렵다는 문제가 있다. FC-218 또는 FC-C318 및 이들의 불순물 화합물의 분자 크기(안정 상태 구조로 계산된 값)를 표 2에 나타내었다. 활성탄, 실리카 겔, 제올라이트(분자체) 또는 분자체 탄소 (이하, "MSC"로 지칭함)와 같은 기존의 흡착 분리법은 FC-218 이나 FC-318과 이들의 불순물의 분자 크기 및 끓는점의 차이가 거의 없고, 또한 FC-218 이나 FC-C318과 이들의 불순물 사이의 물성이 유사하기 때문에 정제가 어려울 수 있다.
Figure 112003008672426-pct00002
활성탄은 흡착에 효과적이고, 이로써, 불순물 중 하나인 FC-1216을 제거할수 있지만, 다른 모든 불순물들을 분리할 수는 없다. 종래의 정제 방법으로, 특히, CFC-115의 농도가 1 질량 ppm 이하인 FC-218 또는 HCFC-124 및 HCFC-124a의 농도가 1 질량 ppm 이하인 FC-318을 얻는 데에는 어려움이 있었다.
본 발명은 이러한 배경하에서 이루어진 것이고, 통상적인 정제 방법에 의하여 퍼플루오로카본으로부터 특히, FC-218로부터 FC-1216, CFC-115 등과, FC-C318로부터 FC-1216, HCFC-124, HCFC-124a, HFC-227ca, CFC-114 등을 제거하는 데에 어려움이 있었으므로, 퍼플루오로카본에 함유된 불순물을 효과적으로 제거할 수 있는 정제 흡착제를 제공함으로써, 이러한 불순물의 함량을 1 질량 ppm 이하로 감소시킨 퍼플루오로카본을 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 퍼플루오로카본 정제용 흡착제; 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법; 고순도의 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄;옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄의 정제 및 제조 방법; 및 그 용도를 제공하는 것을 포함한다.
본 발명자들은 상술한 문제를 해결하기 위하여 예의 검토한 결과, 원료탄을 산세정 처리하고, 원료탄 중에 함유된 금속, 특히, 알칼리 금속을 감소시킨 후, 일련의 활성화 처리를 수행할 경우, 얻어진 활성화 탄(char)은 퍼플루오로카본중에 함유된 상술한 불순물을 흡착하는 특성이 우수한 흡착제라는 것을 발견하였다. 본 발명은 이러한 발견을 기초로 하여 완성되었다. 본 발명은 하기 [1] 내지 [35]에 관한 것이다.
[1] 하기 4가지 공정을 포함하는 방법을 사용하여 제조된 퍼플루오로 카본의 정제용 흡착제:
(1) 원료탄을 산세정 처리 후, 물세정 처리하는 공정;
(2) 불활성 가스의 기류 중에서, 50 내지 250℃의 온도 범위에서, 공정 (1)에서 얻은 원료탄을 탈산소 및/또는 탈수하는 공정;
(3) 불활성 가스의 기류 중에서, 500 내지 700℃의 온도 범위에서, 공정 (2)에서 얻은 원료탄을 재탄화 처리 하는 공정; 및
(4) 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기를 함유하는 혼합 가스 기류 중에서, 700 내지 900℃의 온도 범위에서, 공정 (3)에서 얻은 원료탄을 활성화 처리하는 공정.
[2] 상기 [1]에 있어서, 원료탄이, 코코넛 껍질탄, 석탄, 목탄 및 타르 피치(tar pitch)로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류를 400 내지 600℃의 온도에서 탄화 처리하여 얻어지는 것인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[3] 상기 [1] 또는 [2]에 있어서, 공정 (1)의 산 세정 처리에 사용되는 산이 무기산이고 산 농도가 1 내지 1,000 mol/m3인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[4] 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 있어서, 공정 (1)의 산 세정 처리에 사용되는 산이 염산 및/또는 황산인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[5] 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 있어서, 공정 (3)은, 공정 (2) 후, 불활성 가스 기류 중에서 300 내지 500℃/hr의 속도로 공정 (3)의 재탄화 처리 온도까지 승온시켜 수행되는 것인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[6] 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 있어서, 공정(4)는, 공정 (3) 후, 불활성 가스 기류 중에서 100 내지 200℃/hr의 속도로 공정 (4)의 활성화 온도까지 승온시켜 수행되는 것인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[7] 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 있어서, 공정 (4)에서, 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기를 함유하는 혼합 가스가 불활성 가스 50 내지 89 부피%, 이산화탄소 10 내지 30 부피% 및 수증기 1 내지 20 부피%를 함유하는 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[8] 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 있어서, 공정 (4) 후, 활성탄을 불활성 가스 기류 중에서 200 내지 300℃/hr 의 속도로 상온으로 냉각시키는 것인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[9] 상기 [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 있어서, 흡착제의 요오드 흡착량이 700 내지 1,000 mg/g인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[10] 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 있어서, 흡착제중 알칼리 금속의 총 함량이 1,000ppm 이하인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[11] 상기 [10]에 있어서, 흡착제중 칼륨 함량이 500ppm 이하인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[12] 상기 [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 있어서, 퍼플루오로카본이 옥타플루오로프로판인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[13] 상기 [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 있어서, 퍼플루오로카본이 옥타플루오로시클로부탄인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제.
[14] 다음의 4 가지 공정을 포함하는 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.:
(1) 원료탄을 산세정 처리 후, 물세정 처리하는 공정;
(2) 불활성 가스의 기류 중에서, 50 내지 250℃의 온도 범위에서, 공정 (1)에서 얻은 원료탄을 탈산소 및/또는 탈수하는 공정;
(3) 불활성 가스의 기류 중에서, 500 내지 700℃의 온도 범위에서, 공정 (2)에서 얻은 원료탄을 재탄화 처리 하는 공정; 및
(4) 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기를 함유하는 혼합 가스 기류 중에서, 700 내지 900℃의 온도 범위에서, 공정 (3)에서 얻은 원료탄을 활성화 처리하는 공정.
[15] 상기 [14]에 있어서, 원료탄은, 코코넛 껍질탄, 석탄, 목탄 및 타르 피치(tar pitch)로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류를 400 내지 600℃의 온도에서 탄화 처리하여 얻어지는 것인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.
[16] 상기 [14] 또는 [15]에 있어서, 공정 (1)의 산 세정 처리에 사용되는 산이 무기산이고, 산 농도가 1 내지 1,000 mol/m3인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.
[17] 상기 [14] 내지 [16] 중 어느 하나에 있어서, 공정 (1)의 산 세정 처리에 사용되는 산이 염산 및/또는 황산인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.
[18] 상기 [14] 내지 [17] 중 어느 하나에 있어서, 공정 (3)은, 공정 (2) 후, 불활성 가스 기류 중에서 300 내지 500℃/hr의 속도로 공정 (3)의 재탄화 처리 온도까지 승온시켜 수행되는 것인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.
[19] 상기 [14] 내지 [18] 중 어느 하나에 있어서, 공정 (4)는, 공정 (3) 후, 불활성 가스 기류 중에서 100 내지 200℃/hr의 속도로 공정 (4)의 활성화 온도까지 승온시켜 수행되는 것인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.
[20] 상기 [14] 내지 [19] 중 어느 하나에 있어서, 공정 (4)에서, 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기를 함유하는 혼합 가스가 불활성 가스 50 내지 89 부피%, 이산화탄소 10 내지 30 부피% 및 수증기 1 내지 20 부피%를 함유하는 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.
[21] 상기 [14] 내지 [20] 중 어느 하나에 있어서, 공정 (4) 후, 활성탄을 불활성 가스 기류 중에서 200 내지 300℃/hr 의 속도로 상온으로 냉각시키는 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.
[22] 상기 [14] 내지 [21] 중 어느 하나에 있어서, 흡착제의 요오드 흡착량이 700 내지 1,000 mg/g인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.
[23] 상기 [14] 내지 [22] 증 어느 하나에 있어서, 흡착제중 알칼리 금속의 총 함량이 1,000ppm 이하인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.
[24] 상기 [23]에 있어서, 흡착제중 칼륨 함량이 500ppm 이하인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.
[25] 상기 [14] 내지 [24] 중 어느 하나에 있어서, 퍼플루오로카본이 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄인 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조 방법.
[26] 10 내지 10,000 ppm의 불순물을 함유하는 조(crude) 옥타플루오로프로판을 상기 [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기술된 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제와 접촉시켜 정제하는 것을 특징으로하는 옥타플루오로프로판의 정제 방법.
[27] 상기 [26]에 있어서, 불순물이 클로로펜타플루오로에탄, 헥사플루오로프로펜 및 1H-헵타플루오로프로판으로 구성되는 군으로부터 선택되는 한가지 이상의 화합물인 옥타플루오로프로판의 정제 방법.
[28] 10 내지 10,000 ppm의 불순물을 함유하는 미정제(crude) 옥타플루오로시클로부탄을 상기 [1] 내지 [11] 및 [13] 중 어느 하나에 기술된 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제와 접촉시켜 정제하는 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄의 정제 방법.
[29] 상기 [28]에 있어서, 불순물이 2-클로로-1,1,1,2-테트라플루오로에탄, 1-클로로-1,1,2,2,-테트라플루오로에탄, 1,2-디클로로테트라플루오로에탄, 1H-헵타플루오로프로판 및 헥사플루오로프로펜으로 구성되는 군으로부터 선택되는 한가지 이상의 화합물인 옥타플루오로시클로부탄의 정제 방법.
[30] 하기 공정 (I) 및 (II)를 포함하는, 고순도 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄의 제조 방법:
(I) 클로로디플루오로메탄을 열분해하여 미정제 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄을 얻는 공정; 및
(II) 공정 (I)에서 얻은 미정제 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄을 상기 [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기술된 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제와 접촉하여 미정제 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로부탄을 정제하는 공정.
[31] 상기 [30]에 있어서, 정제된 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄의 순도가 99.9999 질량% 이상인 고순도 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로 부탄의 제조 방법.
[32] 99.9999 질량% 이상의 순도를 갖는 옥타플루오로프로판을 함유하는 에칭 가스.
[33] 99.9999 질량% 이상의 순도를 갖는 옥타플루오로시클로부탄을 함유하는 에칭 가스.
[34] 99.9999 질량% 이상의 순도를 갖는 옥타플루오로프로판을 함유하는 클리닝 가스.
[35] 99.9999 질량% 이상의 순도를 갖는 옥타플루오로시클로부탄을 함유하는 클리닝 가스.
본 발명의 실시 형태
하기에 본 발명을 상세히 설명하고자 한다.
본 발명의 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제는, 다음의 4가지 공정으로 이루어진 방법을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 한다:
(1) 원료탄을 산세정 처리후, 물세정 처리하는 공정;
(2) 불활성 가스의 기류 중에서, 50 내지 250℃의 온도 범위에서, 공정 (1)에서 얻은 원료탄을 탈산소 및/또는 탈수를 수행하는 공정;
(3) 불활성 가스의 기류 중에서, 500 내지 700℃의 온도 범위에서, 공정 (2)에서 얻은 원료탄을 재탄화 처리하는 공정; 및
(4) 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기를 함유하는 혼합 가스 기류 중에서, 700 내지 900℃의 온도 범위에서, 공정 (3)에서 얻은 원료탄을 활성화 처리한다.
본 발명의 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제는 상기 기술된 처리 공정을 통하여 초미세 기공(micropore) 크기로 조절된 흡착제로 얻을 수 있다.
본 발명의 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제의 제조에 사용되는 원료탄은 코코넛 껍질탄, 석탄, 목탄 및 타르 피치로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류일 수 있다. 초미세 기공 발달에 필요한 탄의 치밀성 및 흡착제로서 경도 등을 고려하여, 코코넛 껍질탄을 사용하는 것이 바람직하다. 원료탄의 탄화 온도가 특별히 한정되는 것은 아니지만, 초미세 기공의 발달이 거의 없는, 400 내지 600℃, 바람직하게는 400 내지 500 ℃에서의 탄화 처리에 의하여 얻어지는 것이 바람직하다.
이하에서는, 선택된 원료탄을 산세정 처리하고, 이어서 물세정 처리하는 공정 (1), 탈산소 및/또는 탈수를 수행하는 공정 (2), 재탄화 처리하는 공정 (3) 및 활성화 처리하는 공정 (4)의 순서로 처리 공정이 설명된다.
원료탄을 산세정 처리한 다음 물세정 처리하는 공정(1)은 원료탄 중에 함유된 금속분, 특히 알칼리 금속을 제거하기 위하여 수행되는 공정이다. 원료탄에 함유된 금속분, 특히 알칼리 금속은 활성화 처리 공정 (4)에서 촉매로서 작용하고, 활성화 가스(수증기 및 이산화탄소)와 원료탄 중의 탄소 원자의 반응을 촉진시키고, 그 결과 초미세 기공 크기의 제어가 어렵게 된다. 그러므로, 금속분, 특히 알칼리 금속을 게저하기 위하여, 산 및 물 세정 공정 (1)을 수행한다.
공정 (1)의 산세정에 사용될 수 있는 산의 구체예로는 염산, 황산, 질산 및 인산과 같은 무기산 및 아세트산과 트리플루오로아세트산과 같은 유기산을 들 수 있다. 이들 중, 바람직한 것은 무기산이고, 더 바람직한 것은 염산 및/또는 황산이고, 생성된 금속염을 고려하면, 염산을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 산 농도에 대하여, 농도가 너무 낮은 경우, 금속 제거 효과가 감소될 것이고, 반면, 과도하게 높은 경우, 그 효과는 포화될 것이다. 그러므로, 산 농도는 적절하게는 1 내지 1,000 mol/m3 이고, 바람직하게는 200 내지 500 mol/m3 이다.산세정에 사용되는 산 용액의 원료탄에 대한 비율은, 산 농도와 유사하게, 그 비율이 너무 작은 경우, 금속 제거 효과가 없고, 반면, 과도하게 큰 경우, 효과는 포화될 것이다. 그러므로, 비율은 부피비로, 적합하게는 1:1 내지 5:1, 바람직하게는 1:1 내지 2:1이다.
세정 시간은 세정 온도가 높은 경우 수 시간 정도일 수 있다. 세정 온도가 상온 정도로 낮은 경우라도, 원료탄을 하루 종일 방치함으로써 원료탄에 함유된 금속분을 만족할 수준으로 세정할 수 있다. 산세정 후 수행된 물 세정 처리는 원료탄으로부터 용해된 금속염이 원료탄에 잔류하지 않도록 하기 위하여 수행되는 세정 처리이고, 그 세정 방법은 특히 한정되지는 않는다. 예컨대, 세정 처리는 청수(clean water)와 같은 금속염 성분이 적은 물을 사용하는 연속 시스템 또는 배치 시스템에 의하여 철저하게 세정될 수 있다. 세정 종료는 세정 후, 세정액의 pH (pH: 3 내지 5)에 의하여 알 수 있다.
물 세정한 원료탄의 건조 작업을 탈산소 및/또는 탈수 공정 (2) 이전에 독립적으로 수행하거나, 공정 (2)에서 수행할 수 있다. 공정 (2)는 재탄화 처리 공정 (3)에서 산소원의 영향을 감소시키기 위하여, 산소 가스 및 수분을 추방(purging)하기 위하여 수행하는 공정이다. 추방 가스(purging gas)로는 다양한 불활성 가스를 사용할 수 있고, 이들 중 질소 가스가 바람직하다. 추방 가스의 유속 및 처리 시간은 특별히 한정되지 않으며, 탄소원으로부터 방출된 산소 가스 및 수분이 계외로 원활하게 방출될 수 있도록, 적절한 가스 유속 및 적절한 처리 시간을 선택할 수 있다. 공정 (2)에서의 온도는 재탄화 처리 공정 (3)의 온도보다 낮아서 공정 (3)의 탄화 온도로 신속히 승온될 수 있는 것과 동시에, 그 온도는 일정하고, 재탄화가 일어나지 않는, 적합하게는 50 내지 250℃, 바람직하게는 100 내지 250℃인 것이 좋다. 적어도 공정 (1)의 방법을 사용하여 세정된 상기 원료탄을 출발 물질로 하는 경우에, 본 발명의 퍼플루오로카본 정제용 흡착제는 공정 (2) 내지 (4)를 포함하는 방법을 사용하여 제조될 수 있다.
재탄화 처리 공정 (3)은 공정 (1)에서 금속이 제거된 원료탄을 가열하여 증류 건조하기 위하여 수행되어, 타르분의 분해, 탄화 거시 기공(macropore)의 발현과 발달, 및 적어도 타르분의 탄화를 야기한다. 이 공정은 활성화 처리 공정 (4)에서 초미세 기공의 발현 및 발달과 밀접한 관계가 있으므로, 공정 (3)의 온도 조건을 신중히 선택하여야 한다. 공정 (2)에서 공정 (3)으로 이행시 승온 속도가 느린 경우, 건조 증류 시에 타르분이 휘발성 물질로서 제거될 수 없고, 거시 기공이 발달할 수 없다. 승온 속도는 빠른 것이 바람직하고, 300 내지 500 ℃/hr일 수 있다. 온도를 상승시키는 동안 불활성 가스 기류 중에서 처리하는 것이 바람직하다.
재탄화 처리를 수행하는 공정 (3)에서, 온도가 낮은 경우, 휘발성 물질을 완전히 제거할 수 없고, 초미세 기공 분포는 넓어지고, 반면, 온도가 높은 경우, 탄소 기질이 수축되어 초미세 기공을 수축시킨다. 그러므로, 재탄화 처리는 500 내지 700℃의 온도에서 수행되는 것이 적합하고, 바람직하게는 600 내지 700℃가 좋다. 재탄화 처리 시간은 상기 목적을 위하여 1 내지 2시간일 수 있다. 재탄화 처리는 불활성 가스 기류하에서 수행되며, 불활성 가스로서 다양한 불활성 가스를 사용할 수 있다. 이들 중, 질소 가스가 바람직하다. 불활성 가스의 유속은 처리된 원료탄 1L 당 적합하게는 2 내지 10 L/분, 바람직하게는 3 내지 5 L/분 이다.
활성화 처리 공정 (4)는 공정 (3)에서 재탄화된 원료탄과 가스를 반응시켜 초미세 기공을 발달시키는 공정이며, 이 공정은 결정체 내의 폐쇄된 초미세 기공을 개방하는 제 1 공정과, 인접한 초미세 기공간의 벽이 완전히 소실되어, 크기가 큰 초미세 기공이 형성되는 제 2 공정을 통하여 진행된다.
공정 (4)에 있어서, 처리 가스의 조성, 온도 및 시간 등의 조건을 신중히 선택하여야 한다. 활성 처리 공정 (4)에서의 처리 가스의 종류에 있어서, 공기(산소)는 바람직하지 않다. 그 이유는 원료탄의 탄소와의 반응이 다량의 열 발생을 수반하므로, 노에서의 온도 제어가 어렵고, 그 결과, 부분적인 과열이 야기되고 균일한 활성화를 달성할 수 없다. 또한 수증기와 탄소와의 반응이 비교적 격렬하므로, 수증기를 단독으로 사용한다면, 활성 처리 공정에서 초미세 기공 크기를 제어할 수 없다. 그러므로, 수증기에 비하여 비교적 더 온화하게 탄소와 반응하는 이산화탄소 또는 불활성 가스인 질소와 혼합함으로써, 반응을 온화하게 진행시킬 수 있다. 이러한 목적을 위하여, 질소와 같은 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기 를 함유하는 혼합 가스를 사용할 수 있다.
혼합 가스에서 각 성분의 비율에 있어서는, 탄소와 격렬하게 반응하는 수증기가 더 낮은 것이 바람직하다. 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기를 함유하는 혼합 가스는 바람직하게는 불활성 가스 50 내지 89 부피%, 이산화탄소 10 내지 30 부피%, 수증기 1 내지 20 부피%를 함유하고, 더욱 바람직하게는 질소 가스 70 내지 80 부피%, 이산화탄소 15 내지 25 부피%, 수증기 2 내지 10 부피%를 함유한다. 혼합 가스의 유속은 처리되는 원료탄 1L 당 적합하게는 0.5 내지 3 L/분, 바람직하게는 1 내지 2 L/분이 좋다.
공정 (2) 내지 (4) 각각은 가열하면서 수행되므로, 이들 공정을 연속적으로 수행하는 것이 바람직하다. 특히, 고온에서 처리하는 공정 (3) 및 공정 (4)를 연속적으로 수행하는 것이 바람직하다. 공정 (3)에서 공정 (4)로의 이행시, 승온 속도가 낮다면, 탄소 결정체 내의 폐쇄된 초미세 기공이 개방되지 않고, 표면적이 증가하지 않는 반면, 승온 속도가 높다면, 특정 표면적 및 초미세 기공 크기는 과도하게 증가할 것이다. 그러므로, 공정 (3)에서 공정 (4)로의 이행시 승온 속도는 100 내지 200℃/hr이 바람직하다.
활성화 처리 공정 (4)의 온도가 낮다면, 초미세 기공의 개방 및 확대가 바람직하게 진행되지 않는 반면, 온도가 높다면, 그 제어가 어렵다. 따라서, 활성화 처리 공정의 온도는 적합하게는 700 내지 900℃, 바람직하게는 800 내지 900℃가 좋다. 처리 시간을 연장하여, 활성화 진행으로 인해 활성화된 초미세 기공 크기가 더 커지므로, 흡착 제거의 대상인 불순물의 크기에 따라 처리 시간을 결정할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 목적의 한가지인, FC-218 또는 FC-C318에 함유된 불순물을 흡착하기 위하여, 처리 시간은 1 내지 20 시간의 범위에서 선택될 수 있다. 바람직하게, 처리 시간은 5 내지 18시간이다.
공정 (4)를 수행한 후, 불활성 가스 기류하에 활성탄을 상온까지 냉각시키고, 그러므로, 온도 하강 속도(temperature falling rate)는 가능한 한 빠른 것이 바람직하다. 온도 하강 속도는 200 내지 300℃/hr의 범위에서 선택될 수 있다. 속도가 저하된다면, 온도 하강에 시간을 필요로 하며, 초미세 기공 크기를 제어한 흡착제에 불행하게도 초미세 기공의 변화가 일어나야 한다. 불활성 가스의 유속은 바람직하게 흡착제의 열량을 계 외부로 원활하게 제거하기 위하여 더 높아야 하지만, 처리된 석탄 1L 당 1.5 내지 3 L/분의 범위에서 선택될 수 있다.
상기 언급된 방법을 사용하여, 본 발명의 퍼플루오로카본의 정제용 흡착제를 제조할 수 있다. 얻어진 흡착제는 원료탄을 산 세정 처리 및 물 세정 처리하기 때문에, 특히 알칼리 금속의 함량이 적은 것을 특징으로 한다. 상기 흡착제에 함유된 알칼리 금속의 총 함량은 1,000ppm 이하이다. 특히, 칼륨 함량은 500ppm 이하이고, 바람직하게는 200 ppm 이하이다. 상기 흡착제중 알칼리 금속 함량을 측정하는 방법으로는, 예컨대, 흡착제를 회화 후, 이를 산에서 용해시키고, ICP 측정에 의하여 용액을 측정하는 방법을 사용할 수 있다. 요오드 흡착량은 700 내지 1,000mg/g 이다. 요오드 흡착량을 JIS K 1474에 따른 측정 방법을 통하여 결정할 수 있다.
본 발명의 퍼플루오로카본 정제용 흡착제는 퍼플루오로카본 사이에 FC-218 및 FC-C318의 정제용 흡착제로서 사용될 수 있고, 이들 퍼플루오로카본에 함유된 상기-언급된 염소계 불순물을 효과적으로 흡착 제거할 수 있다.
상기-언급된 방법에 의하여 제조된 흡착제를 사용한 FC-218 또는 FC-C318을 정제하는 방법을 하기에 설명한다.
상기 설명한 바와 같이, 조 FC-218은 특히, CFC-115, FC-1216,등으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 화합물을 불순물로서 함유하고, FC-C318은 HCFC-124, HCFC-124a, CFC-114, HFC-227ca 및 FC-1216으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 화합물을 불순물로서 함유하고, FC-218 또는 FC-C318의 불순물 함량은 일반적으로 10 내지 10,000 ppm이다. 본 발명의 FC-218 또는 FC-C318과 같은 퍼플루오로카본을 정제하는 방법은 공지 방법, 예컨대, 고정층을 사용하는 유동법(flow method)을 사용할 수 있다. 유동법을 사용하는 접촉법은 연속적 처리가 가능하기 때문에 바람직하다. 접촉된 상은 가스상 또는 액상 및 어느 경우에나 가능하며, FC-218 또는 FC-C318로부터 효과적으로 불순물을 제거할 수 있다.
흡착제에 대하여, FC-218 또는 FC-C318의 선속도는 가스상 접촉법의 경우에는, 1 내지 10 m/분, 바람직하게는 2 내지 5 m/분, 액상 접촉법의 경우에는, 0.2 내지 5 m/hr, 바람직하게는 0.5 내지 2 m/hr이다. 가스상 접촉법 및 액상 접촉법 모두에, 선속도가 상기 범위보다 크다면, 흡착 밴드는 길어지고, 파과(break through)시까지의 시간이 짧으며, 그 결과, 흡착 능력이 감소하는 반면, 선속도가 상기 범위보다 작을지라도, 흡착 능력은 향상되지 않으나, 이에 반하여, 처리 시간이 오래 걸려 바람직하지 않다. 본 발명의 흡착제를 사용하여 정제하는 처리 온도는 상온정도 일 수 있고, 특정 냉각 또는 가열을 수행할 수 없다. 압력은 게이지 압력으로 0 내지 3MPa, 바람직하게는 0 내지 1 MPa이고, 처리는 다루기 용이한 표준 압력하에서 수행시킬 수 있다. 가압과 같은 작업은 필요하지 않는다.
흡착제는 흡착 능력이 충분할 경우, 재생시켜 사용하는 것이 가능하다. 흡착제를 재생하는 경우, 불활성 가스를 고온에서 흡착제에 통과시켜, FC-218 또는 FC-C318을 함유하는 불순물을 탈착시킬 수 있고, 불활성 가스로서, 질소를 사용할 수 있다. 재생 온도는 적합하게는 100 내지 400℃, 더 바람직하게는 100 내지 200℃의 범위로 재생하는 것이 좋다.
상기 설명한 바와 같이, 본 발명의 정제 방법을 사용할 경우, 고순도의 FC-218 또는 FC-C318을 얻을 수 있다. 따라서, 예컨대, 공정 (I)에서, 클로로디플루오로메탄을 열분해하여 미정제 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄을 얻는 공정을 수행하고, 공정 (II)에서, 공정 (1)에서 얻은 미정제 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄을 본 발명의 퍼플루로오카본의 정제용 흡착제에 접촉시켜 정제하는 공정을 행하여, 고순도의 FC-218 또는 FC-C318을 제조 할 수 있다.
조 FC-218 또는 FC-C318에 함유된 불순물의 함량은 보통 10 내지 10,000 ppm 이며, 반면, 본 발명의 제조 방법으로 얻은 FC-218 또는 FC-C318의 순도는 99.9999 질량 % 이상이다. 그러므로, FC-218 또는 FC-C318의 순도는 FC-218 또는 FC-C318 이외의 할로카본 부를 100 질량 %에서 빼서 얻은 수치로 정의 된다. 순도가 99.9999 질량 %이상인 FC-218 또는 FC-C318의 분석의 경우, (1) 가스 크로마토그래피 (GC)의 TCD법, FID법(각각은 프리컷 방법(precut method)을 포함) 또는 ECD법(2)가스크로마토그래피-질량 분석계 (GC-MS)와 같은 분석 기기를 사용할 수 있다.
고순도 FC-218 및 FC-C318은 반도체 디바이스 제조 공정중 에칭 공정시에 에칭 가스로서 사용될 수 있다. 또한, 고순도 FC-218 및 FC-318은 반도체 디바이스 제조 공정중 클리닝 공정시에 클리닝 가스로서도 사용될 수 있다. LSI 및 TFT와 같은 반도체 디바이스의 제조 방법에서, CVD법, 스푸터링법 또는 증착법을 사용하여 박막 또는 후막을 형성시키고, 회로 패턴을 형성하기 위하여 막을 에칭한다. 박막 또는 후막을 형성하기 위한 장치에서, 장치 내벽, 지그(jig)등에 침전된 불필요한 침전물을 제거하기 위하여 클리닝을 수행하며, 이는 불필요한 침전물이 입자 발생을 야기하고, 양질의 막을 제조할 경우에 이를 제거해야만 하기 때문에 필요하다.
FC-218 또는 FC-C318을 사용하는 에칭 방법에서, 플라즈마 에칭 및 마이크로파 에칭과 같은 다양한 드라이 에칭 상태하에 에칭을 수행할 수 있다. 또한 FC-218 또는 FC-C318도 He, N2, 및 Ar등의 불활성 가스 또는 HCl, O2 및 H2등의 가스와 적절한 비율로 혼합하여 사용할 수 있다.
하기 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하고자 하나, 본 발명을 이들 실시예로 한정하여 해석해서는 안된다.
실시예 1
코코넛 껍질탄(필리핀산)의 75L를 300mol/m3의 농도인 염산으로 세정한 다음, 물세정 작업을 3회 반복하였다. 300mol/m3의 농도인 염산의 사용량은 세정된 원료탄과 동일 부피량이였고, 염산을 원료탄에 첨가시켜, 15시간 동안 방치한 후, 탈액화(deliquefied)시켰다. 물세정에서 물 양은 원료탄의 5배 부피량으로 하였고, 세정 완료는 세정 후 세정액의 pH가 4가 되는 점으로 확인되었다.
산세정 전후에 원료탄중 금속 농도를 분석하고, 그 결과를 표 3에 나타내었다.
Figure 112003008672426-pct00003
표 3에 나타낸 금속 함량의 측정 결과로부터 명백한 것은, 산 세정을 수행하여 원료탄중 금속 함량을 감소시킬 수 있다는 것이다. 특히, 초미세 기공 크기의 제어를 억제하는 물질인 알칼리 금속 가운데, 칼륨 함량을 감소시킬 수 있다.
그 다음, 원료탄을 소성로(전기외열식 금속 회전로, 회전수:8rpm, 로내경:950mm, 원통부:620mm, 50kw, 150a(max)) 에 투입시켰고, 90℃에서 2시간동안 질소로 건조시켰다. 질소는 순도 99% 이상의 것을 사용하였고, 그 유속은 50L/분이었다. 건조된 원료탄은 상기 소성로에서, 표 4에 나타낸 조건하에서 공정 (2) 내지 (4)의 처리를 행하였다.
Figure 112005032923615-pct00004
실시예 2
11mm (내경) * 100cm (탑 기장)의 흡착탑에, 실시예 1과 동일한 방법으로 활성화 처리하여 얻은 55g의 흡착제를 충전하였고, FC-218에 함유된 불순물을 흡착시켰다. 흡착제 내에 있는 물 및 휘발성 물질을 제거하기 위하여, 흡착제를 미리 60℃에서 1시간과 160℃에서 7시간, 총 8시간 동안 질소 기류(>1 L/분)하에서 처리하였다. 이 흡착제를 사용하는 것은, CFC-115을 400 질량 ppm 및 FC-1216을 600 질량ppm을 함유한 FC-218을 상온, 압력 0.7 MPa, 선속도 1m/분의 조건하에서 가스상으로 흡착제중으로 통과시킴으로써, 불순물을 흡착 처리하였다. 흡착제로 처리한 전후의 불순물 양을 가스 크로마토그래피로 측정하였다. 가스 크로마토그래피의 분석 조건은 하기와 같다.
기기 본체 : GC-14B(Shimadzu Seisakusho K.K사)
캐리어 : He 가스
검출기 : 불꽃 이온화 검출기(flame ionization detector;FID)
시료양 : 0.2ml
측정법 : 절대 검정 곡선
FC-218의 유동 개시로부터 50, 100, 150, 및 200분 경과후, 흡착 탑출구에서 FC-218중의 CFC-115 및 FC-1216을 분석하였고, 그 결과를 표 5에 나타내었다. 어느불순물이라도, 흡착 탑 출구의 불순물 농도가 200분 경과후에, 1 질량ppm 이하로 관찰되었다. 그 결과로부터, 상기 불순물을 함유하는 FC-218을 일련의 활성화 처리를 통하여 얻은 흡착제와 접촉하여, 불순물을 효과적으로 흡착 분리함으로써, 고순도의 FC-218을 정제할 수 있다는 것을 알 수 있었다.
비교예 1
실시예 1에서 원료탄으로서 사용되는 코코넛 껍질탄의 산-세정 및 물-세정의 공정을 실행하지 않은 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 활성화 처리를 수행하였다. 얻은 흡착제를 사용하여, 실시예 2와 동일한 방법으로 FC-218중의 불순물의 흡착 처리를 수행하였다. 흡착제로 처리한 전 후의 불순물의 양을 가스크로마토그래피에 의하여 동일 방법으로 측정하였다. FC-218의 유동 개시로부터 50분과 100분 경과 후 흡착 탑 출구에서 FC-218중의 CFC-115 및 FC-1216을 분석하였고, 그 결과를 표 5에 나타내었다. FC-1216을 실시예 2와 동일한 방법으로 흡착 분리하였으나, 50분 경과 후, CFC-115는 이미 파과되었다.
그 결과로부터, 원료탄을 처리하는 공정에서, 산 세정 및 물세정 처리 공정을 생략할 경우, 활성탄의 초미세 기공 크기를 제어할 수 없고, CFC-115를 흡착 분리할 수 없다.
비교예 2 및 3
Takeda Yakuhin Kogyo K.K 사의 MORSIEBON X2M/6(비교예 2)를 46g (보통 MSC-5A) 또는 Ajinomoto Fine Techno K.K사의 코코넛 겁질 활성탄 Y-10 (비교예 3)을 57g을 흡착제로서, 비교예 1의 흡착제 대신에 사용한 것을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 FC-218중 불순물을 흡착하였다. 상기 활성탄으로 처리한 전 후의 불순물의 양을 동일한 방법으로 가스크로마토그래피에 의하여 측정하였다. FC-218의 유동 개시로부터 50분과 100분 경과 후, 흡착 탑 출구에서 FC-218중의 CFC-115 및 FC-1216을 분석하였고, 그 결과를 표 5에 나타내었다. FC-1216을 실시예 2와 동일한 방법으로 흡착 분리하였으나, 50분 경과 후, CFC-115는 이미 파과되었다. 이러한 상용화된 흡착제는 실시예 1의 방법에 의하여 얻은 흡착제와 비교하여, CFC-115 흡착 능력이 열등하다 것이 관찰 되었다.
Figure 112005032923615-pct00005
실시예 2 및 비교예 1 내지 3에서 사용된 각 흡착제에 대한 각 불순물의 흡착 부피를 측정하여, 표 6에 나타내었다. 불순물의 흡착 부피는 흡착 탑 출구에서 가스중의 각 불순물의 농도가 1 질량 ppm을 초과하는 점을 파과점으로 하고, 파과점(break point)에 도달될때까지 각 불순물의 부피를 측정하였고, 그 측정된 값을 사용된 흡착제의 질량으로 나누어 산출하였다. 실시예 2에 사용된 흡착제와 비교예 1 내지 3의 흡착제와 비교하여, 실시예 2에 사용된 흡착제의 불순물의 흡착 부피가 비교예의 흡착제보다 부피가 더 많이 증가되었음을 알 수 있다.
Figure 112005032923615-pct00006
실시예 3
22mm (내경) * 60cm (탑 기장)의 흡착탑에, 실시예 2에 사용된 동일한 흡착제 101g을 충전하였고, 헬륨 기류하에서 120℃에서 2시간 및 150℃에서 4시간 동안 처리하였다. 이 흡착제를 사용하는 것은, FC-1216만 600 질량ppm을 함유한 FC-218을 흡착제중으로 상온, 압력 0.7 MPa, 선속도 5 m/분의 조건하에, 가스상으로 통과시킴으로써, 불순물을 흡착 처리하였다. 흡착제로 처리한 전후의 불순물 양을 동일한 방법으로 가스 크로마토그래피로 측정하였다. 실시예 2와 동일한 방법으로 흡착제의 파과점을 측정하였고, FC-1216의 흡착 부피를 산출하였다. 그 결과를 표 7에 나타내었다.
비교예 4 내지 6
코코넛 껍질 활성탄 Y-10을 104g (비교예 4), 과립석탄계 활성탄 CL-H를 94g (Ajinomoto Fine Techno K.K 사) (비교예 5), 또는 MSC-5A을 91g(비교예 6)을 흡착제로서, 실시예 3에 사용한 흡착제 대신에 사용한 것을 제외하고, 실시예 3과 동일한 방법으로 FC-1216을 흡착하였다. 상기 흡착제로 처리한 전 후의 불순물의 양을 동일한 방법으로 가스크로마토그래피에 의하여 측정하였다. FC-1216의 흡착부피를 실시예 2와 동일한 방법으로 산출하였다. 그 결과를 표 7에 나타내었다.
Figure 112005032923615-pct00007
실시예 3 및 비교예 4내지 6의 결과로부터, 단독 불순물로서, FC-1216의 흡착제로 종래의 활성탄계 흡착제가 확실히 효과적이지만, 본 발명의 흡착제에 의하여 흡착된 불순물의 부피는 종래의 활성탄의 약 10배만큼 컸음을 관찰 할 수 있었고, 이는 본 발명의 흡착제가 종래의 흡착제보다 극도로 향상되고 더 효과적이다는 것을 나타낸다.
실시예 4
11mm (내경) * 200cm (탑 기장)의 흡착탑에, 실시예 1과 동일한 방법으로 활성화 처리하여 얻은 110g의 흡착제를 충전하였다. 초기에, 흡착제내에 있는 물 및 휘발성 물질을 제거하기 위하여, 흡착제를 흡착 처리 수행 전, 흡착제를 120℃에서 2시간 처리한 다음, 150℃에서 4시간, 총 6시간 동안 질소 기류(유속 : >5 L/분)하에서 처리하였다. 이 흡착제로, FC-1216을 200 질량ppm, HCFC-124를 50 질량ppm, HCFC-124a를 50 질량ppm, HFC-227ca를 100질량ppm 및 CFC-114를 200 질량ppm 함유한 FC-C318을 상온, 압력 0.2 MPa, 선속도 2.5m/분의 조건하에, 가스상으로 흡착제와 접촉시켰고, 이로써, 불순물을 흡착 처리하였다. 흡착제로 처리한 전후의 불순물 양을 가스 크로마토그래피로 정량하였다. 가스 크로마토그래피의 분석 조건은 하기와 같다.
기기 본체 : GC-14B(Shimadzu Seisakusho K.K사)
캐리어 : He 가스
검출기 : 불꽃 이온화 검출기(flame ionization detector;FID)
시료양 : 1 ml
정량법 : 단순 면적 백분율(%)
표 8에 FC-C318의 유동 개시로부터 25, 50, 75, 100 및 125 시간 경과후, 흡착 탑출구에서 FC-C318중의 FC-1216, HCFC-124. HCFC-124a, HFC-227ca 및 CFC-114의 분석 결과를 나타내었다. 모든 불순물이 125 시간 경과후 농도가 1 질량ppm 이하로 관찰되었다. 그 결과로부터, 이러한 불순물을 함유하는 FC-C318을 일련의 활성화 처리를 통하여 얻은 흡착제와 접촉하여, 불순물을 흡착 분리함으로써, 고순도의 FC-C318을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있었다.
비교예 7
실시예 1의 원료탄으로서 사용된 코코넛 껍질탄의 산세정 및 물세정 공정을 수행하지 않은 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 처리를 수행하였다. 얻은 흡착제를 사용하여, 실시예 4와 동일한 방법으로 불순물의 흡착 처리를 수행하였다. 흡착제로 처리한 전 후의 불순물의 양을 동일한 방식으로 가스 크로마토그래피에 의하여 정량하였다. 표 8에 FC-C318의 유동 개시로부터 25시간과 50시간 경과후, 흡착 탑출구에서 FC-C318중의 FC-1216, HCFC-124, HCFC-124a, HFC-227ca 및 CFC-114의 분석 결과를 나타내었다. 표 8에 나타난 결과로부터, 명백한 것은 25 시간 경과후, 모든 불순물의 농도가 10 질량ppm 을 초과하였고, 이미 파과에 이르른것을 볼 수 있었으며, 실시예 1의 방법에 의하여 얻은 흡착제와 비교하여, 상기 흡착제는 불순물 흡착 능력이 명백하게 열등하다는 것을 나타낸다. 이러한 결과로부터, 원료탄을 산세정 처리 및 물 세정 처리를 수행하는 공정을 생략할 경우, 흡착제의 초미세 기공 크기가 제어 될 수 없고, 불순물이 흡착제에 의하여 분리될 수 없다는 것을 알았다.
비교예 8 및 9
MORSIEBON X2M4/6을 99g (통상 MSC-5A, Takeda Yakuhin Kogyo K.K 사)(비교예 8) 또는 코코넛 껍질 활성탄 Y-10을 107g (Ajinomoto Fine Techno K.K사)(비교예 9)을 흡착제로서, 비교예 7의 흡착제 대신에 사용한 것을 제외하고, 실시예 4와 동일한 방법으로 불순물 흡착 처리를 수행하였다. 상기 활성탄으로 처리한 전 후의 불순물의 양을 동일한 방법으로 가스크로마토그래피에 의하여 정량하였다. 표 8에 비교예 7과 동일한 방법으로 FC-C318의 유동 개시로부터 25시간과 50시간 경과후, 흡착 탑출구에서 FC-C318중의 FC-1216, HCFC-124, HCFC-124a, HFC-227ca 및 CFC-114의 분석 결과를 나타내었다. 비교예 7과 유사하게, 명백한 것은 25 시간 경과후, 모든 물질의 농도가 10 질량ppm 을 초과하였고, 이미 파과에 이르른것을 볼 수 있었다. 이는, 실시예 1의 방법에 의하여 얻은 흡착제와 비교하여, 상기 흡착제는 불순물 흡착 능력이 열등하다는 것을 나타내고, 비교예 7과 유사하게 불순물을 흡착제에 의하여 충분히 분리할 수 없었다.
Figure 112005032923615-pct00008
실시예 4 및 비교예 7 내지 9에서 사용된 각 흡착제에 대한 각 불순물의 흡착 부피를 측정하여, 그 결과를 표 9에 나타내었다. 불순물의 흡착 부피는 흡착 탑 출구에서 가스중의 각 불순물의 농도가 1 질량 ppm을 초과하는 점을 파과점으로 하고, 파과에 도달될때까지 각 불순물의 양을 측정하였고, 사용된 흡착제의 얻은 값을 질량으로 나누어 산출하였다. 실시예 4와 비교예 7 내지 9의 결과와 비교하여, 실시예 4에 사용된 흡착제의 불순물의 흡착 부피가 비교예에 사용된 흡착제보다 극도로 증가되었음을 알 수 있다.
Figure 112005032923615-pct00009
실시예 5
22mm (내경) * 60cm (탑 기장)의 흡착탑에, 실시예 1과 동일하게 활성 처리를 수행하여 얻은 101g의 흡착제를 충전하였고, 헬륨 기류하에서 120℃에서 2시간 및 150℃에서 4시간 동안 처리하였다. 이 흡착제를 사용하여, FC-1216만 450 질량ppm을 함유한 FC-C318을 흡착제중으로 상온, 압력 0.2 MPa, 선속도 4m/분의 조건하에, 가스상으로 통과시켰다. 흡착제로 처리한 전후의 불순물 양을 동일한 방법으로 가스 크로마토그래피로 정량하였다. 동일한 방법으로 흡착제의 파과점을 측정하였고, FC-1216의 흡착 부피를 산출하였다. 그 결과를 표 10에 나타내었다.
비교예 10 내지 12
비교예 9에서 사용된 것과 동일한 활성탄 Y-10을 104g (비교예 10), 과립석탄계 활성탄 CL-H를 94g (Ajinomoto Fine Techno K.K 사) (비교예 11), 또는 비교예 8에서 사용된 것과 동일한 MSC-5A을 91g(비교예 12)을 흡착제로서, 실시예 5에 사용한 흡착제 대신에 사용한 것을 제외하고, 실시예 5와 동일한 방법으로 FC-1216을 흡착하였다. 상기 흡착제로 처리한 전 후의 불순물의 양을 동일한 방법으로 가스크로마토그래피에 의하여 측정하였다. FC-1216의 흡착부피를 실시예 5와 동일한 방법으로 산출하였다. 그 얻은 결과를 표 10에 나타내었다.
Figure 112005032923615-pct00010
실시예 5 및 비교예 10 내지 12의 결과로부터, 단독 불순물로서, FC-1216을 흡착하는데 종래의 활성탄계가 효과적이지만, 본 발명의 흡착제에 의하여 흡착된 불순물의 부피는 종래의 활성탄의 약 10배만큼 컸고, 이는 본 발명의 흡착제가 종래의 흡착제보다 극도로 향상되고 더 효과적이다는 것을 나타낸다.
이상으로 설명된 바와 같이, 본 발명의 FC-218 및 FC-C318을 제조하는 방법을 이용할 경우, 고순도 FC-218 및 FC-C318을 얻을 수 있고, 본 발명을 사용하여 제조된 고순도 FC-218 및 FC-C318을 반도체 디바이스를 제조하는 방법으로 에칭가스 또는 클리닝 가스로서 사용할 수 있다.

Claims (35)

  1. (1) 코코넛 껍질탄, 석탄, 목탄, 타르 피치 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 원료를 400 내지 600℃의 온도에서 탄화 처리하여 얻어지는 원료탄을 산세정 처리 후, 물세정 처리하는 공정;
    (2) 불활성 가스의 기류 중에서, 50 내지 250℃의 온도 범위에서, 공정 (1)에서 얻은 원료탄을 탈산소 또는 탈수하거나, 또는 탈산소와 탈수를 동시에 수행하는 공정;
    (3) 불활성 가스의 기류 중에서, 500 내지 700℃의 온도 범위에서, 공정 (2)에서 얻은 원료탄을 재탄화 처리 하는 공정; 및
    (4) 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기를 함유하는 혼합 가스 기류 중에서, 700 내지 900℃의 온도 범위에서, 공정 (3)에서 얻은 원료탄을 활성화 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의하여 제조되며,
    요오드 흡착량이 700 내지 1,000 mg/g이고, 알칼리 금속의 총 함량이 1,000ppm 이하인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 공정 (1)의 산 세정 처리에 사용되는 산이 염산, 황산, 질산, 인산 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 무기산이고, 산의 농도가 1 내지 1,000 mol/m3의 범위인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제.
  4. 제1항에 있어서, 공정 (1)의 산 세정 처리에 사용되는 산이 염산, 황산 또는 이들의 혼합물인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제.
  5. 제1항에 있어서, 공정 (3)은, 공정 (2) 이후에, 불활성 가스 기류 중에서 300 내지 500℃/hr의 속도로 공정 (3)의 재탄화 처리 온도까지 승온시켜 수행되는 것인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제.
  6. 제1항에 있어서, 공정(4)는, 공정 (3) 이후에, 불활성 가스 기류 중에서 100 내지 200℃/hr의 속도로 공정 (4)의 활성화 온도까지 승온시켜 수행되는 것인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제.
  7. 제1항에 있어서, 공정 (4)에서, 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기를 함유하는 혼합 가스는 불활성 가스를 50 내지 89 부피%, 이산화탄소를 10 내지 30 부피% 및 수증기를 1 내지 20 부피% 함유하는 것인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제.
  8. 제1항에 있어서, 공정 (4) 이후에, 활성탄을 불활성 가스 기류 중에서 200 내지 300℃/hr 의 속도로 상온까지 냉각시키는 것인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서, 흡착제중 칼륨 함량이 500ppm 이하인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제.
  12. 제1항에 있어서, 퍼플루오로카본이 옥타플루오로프로판인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제.
  13. 제1항에 있어서, 퍼플루오로카본이 옥타플루오로시클로부탄인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제.
  14. 하기 4 가지 공정을 포함하는, 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법:
    (1) 원료탄을 산세정 처리 후, 물세정 처리하는 공정,
    (2) 불활성 가스의 기류 중에서, 50 내지 250℃의 온도 범위에서, 공정 (1)에서 얻은 원료탄을 탈산소 또는 탈수하거나, 또는 탈산소와 탈수를 동시에 수행하는 공정,
    (3) 불활성 가스의 기류 중에서, 500 내지 700℃의 온도 범위에서, 공정 (2)에서 얻은 원료탄을 재탄화 처리 하는 공정, 및
    (4) 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기를 함유하는 혼합 가스 기류 중에서, 700 내지 900℃의 온도 범위에서, 공정 (3)에서 얻은 원료탄을 활성화 처리하는 공정.
  15. 제14항에 있어서, 원료탄은, 코코넛 껍질탄, 석탄, 목탄, 타르 피치 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 원료를 400 내지 600℃의 온도에서 탄화 처리하여 얻어지는 것인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서, 공정 (1)의 산 세정 처리에 사용되는 산이 염산, 황산, 질산, 인산 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 무기산이고, 산의 농도가 1 내지 1,000 mol/m3인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법.
  17. 제14항 또는 제15항에 있어서, 공정 (1)의 산 세정 처리에 사용되는 산이 염산, 황산 또는 이들의 혼합물인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법.
  18. 제14항 또는 제15항에 있어서, 공정 (3)은, 공정 (2) 이후에, 불활성 가스 기류 중에서 300 내지 500℃/hr의 속도로 공정 (3)의 재탄화 처리 온도까지 승온시켜 수행되는 것인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법.
  19. 제14항 또는 제15항에 있어서, 공정 (4)는, 공정 (3) 이후에, 불활성 가스 기류 중에서 100 내지 200℃/hr의 속도로 공정 (4)의 활성화 온도까지 승온시켜 수행되는 것인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법.
  20. 제14항 또는 제15항에 있어서, 공정 (4)에서, 불활성 가스, 이산화탄소 및 수증기를 함유하는 혼합 가스는 불활성 가스를 50 내지 89 부피%, 이산화탄소를 10 내지 30 부피% 및 수증기를 1 내지 20 부피% 함유하는 것인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법.
  21. 제14항 또는 제15항에 있어서, 공정 (4) 이후에, 활성탄을 불활성 가스 기류 중에서 200 내지 300℃/hr 의 속도로 상온까지 냉각시키는 것인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법.
  22. 제14항 또는 제15항에 있어서, 흡착제의 요오드 흡착량이 700 내지 1,000 mg/g인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법.
  23. 제14항 또는 제15항에 있어서, 흡착제중 알칼리 금속의 총 함량이 1,000ppm 이하인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서, 흡착제중 칼륨 함량이 500ppm 이하인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법.
  25. 제14항 또는 제15항에 있어서, 퍼플루오로카본이 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄인 퍼플루오로카본 정제용 흡착제의 제조 방법.
  26. 클로로펜타플루오로에탄, 헥사플루오로프로펜 및 1H-헵타플루오로프로판으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 불순물을 10 내지 10,000 ppm의 농도로 함유하는 미정제 옥타플루오로프로판을, 제1항, 제3항 내지 제8항, 제11항 및 제12항 중 어느 하나의 항에 따른 퍼플루오로카본 정제용 흡착제에 접촉시켜 정제하는 것이 특징인, 옥타플루오로프로판의 정제 방법.
  27. 삭제
  28. 2-클로로-1,1,1,2-테트라플루오로에탄, 1-클로로-1,1,2,2,-테트라플루오로에탄, 1,2-디클로로테트라플루오로에탄, 1H-헵타플루오로프로판 및 헥사플루오로프로펜으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 불순물을 10 내지 10,000 ppm의 농도로 함유하는 미정제 옥타플루오로시클로부탄을, 제1항, 제3항 내지 제8항, 제11항 및 제13항 중 어느 하나의 항에 따른 퍼플루오로카본 정제용 흡착제에 접촉시켜 정제하는 것이 특징인, 옥타플루오로시클로부탄의 정제 방법.
  29. 삭제
  30. 하기 공정 (I) 및 (II)를 포함하는, 고순도 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄의 제조 방법:
    (I) 클로로디플루오로메탄을 열분해하여, 클로로펜타플루오로에탄, 헥사플루오로프로펜 및 1H-헵타플루오로프로판으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 불순물을 함유하는 미정제 옥타플루오로프로판 또는 2-클로로-1,1,1,2-테트라플루오로에탄, 1-클로로-1,1,2,2,-테트라플루오로에탄, 1,2-디클로로테트라플루오로에탄, 1H-헵타플루오로프로판 및 헥사플루오로프로펜으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 불순물을 함유하는 미정제 옥타플루오로시클로부탄을 얻는 공정, 및
    (II) 공정 (I)에서 얻은 미정제 옥타플루오로프로판 또는 미정제 옥타플루오로시클로부탄을
    제1항, 제3항 내지 제8항 및 제11항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 따른 퍼플루오로카본 정제용 흡착제에 접촉시켜 정제하는 공정.
  31. 제30항에 있어서, 정제된 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄의 순도가 99.9999 질량% 이상인 고순도 옥타플루오로프로판 또는 옥타플루오로시클로부탄의 제조 방법.
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210036449A (ko) * 2019-09-25 2021-04-05 주식회사 도시광부 커피 활성탄 탈취제의 제조방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1276902C (zh) * 2001-01-15 2006-09-27 昭和电工株式会社 八氟环丁烷的纯化方法、其制备方法及其用途
CN101942648A (zh) * 2003-08-15 2011-01-12 东京毅力科创株式会社 等离子cvd法用气体
GB0516154D0 (en) * 2005-08-05 2005-09-14 Ntnu Technology Transfer As Carbon membranes
GB0611742D0 (en) 2006-06-14 2006-07-26 Ineos Fluor Holdings Ltd Desiccants for fluids
US8628707B2 (en) 2008-01-08 2014-01-14 Carbonxt Group Limited System and method for making carbon foam anodes
US8617492B2 (en) * 2008-01-08 2013-12-31 Carbonxt Group Limited System and method for making low volatile carboneaceous matter with supercritical CO2
US20090172998A1 (en) * 2008-01-08 2009-07-09 Carbonxt Group Limited System and method for refining carbonaceous material
US8691166B2 (en) * 2008-01-08 2014-04-08 Carbonxt Group Limited System and method for activating carbonaceous material
FR2933402B1 (fr) * 2008-07-03 2010-07-30 Arkema France Procede de purification de 2,3,3,3-tetrafluoro-1-propene (hfo1234yf)
CN102527326A (zh) * 2011-12-29 2012-07-04 天津大学 用煤系高岭土制备高温吸附二氧化碳吸附剂的方法
CN102766016B (zh) * 2012-08-09 2014-11-05 山东东岳高分子材料有限公司 从六氟丙烯生产工艺中回收八氟丙烷的方法
GB201410174D0 (en) 2014-06-09 2014-07-23 Mexichem Amanco Holding Sa Process
US20160175774A1 (en) * 2014-12-18 2016-06-23 Uop Llc Process for adsorbing hydrogen chloride from a regenerator vent gas
US20160175775A1 (en) * 2014-12-18 2016-06-23 Uop Llc Process for adsorbing hydrogen chloride from a regeneration vent gas
RU2605967C1 (ru) * 2015-11-19 2017-01-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева (ФГБОУ ВО РХТУ им. Д.И. Менделеева) Способ получения дробленого активного угля
CN105510464B (zh) * 2015-12-10 2018-12-18 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 一种全氟烷烃中杂质的定性分析方法
CN107118074B (zh) * 2017-04-11 2019-10-25 黎明化工研究设计院有限责任公司 一种提纯全氟甲基环己烷的方法
KR102338183B1 (ko) * 2020-01-30 2021-12-10 한국에너지기술연구원 폴리비닐리덴 플루오라이드 기반 활성탄을 포함하는 흡착제, 이의 제조방법 및 이에 의한 메탄 또는 이산화탄소의 흡착 방법
CN111250038B (zh) * 2020-03-09 2023-01-13 临海市利民化工有限公司 一种六氟丙烯二聚体的分离纯化方法及所用吸附剂
CN115925506B (zh) * 2022-11-30 2023-06-23 福建省巨颖高能新材料有限公司 一种八氟丙烷的制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3004075A (en) * 1959-09-17 1961-10-10 Du Pont Purification of fluorocarbons
US3026359A (en) * 1960-03-16 1962-03-20 Du Pont Process for preparing polyfluoroalkanes of high purity
JPS6081134A (ja) 1983-10-12 1985-05-09 Showa Denko Kk オクタフルオロプロパンの製造方法
GB8923361D0 (en) * 1989-10-17 1989-12-06 Holland Kenneth M Active carbon
JPH06256009A (ja) * 1991-07-19 1994-09-13 Nok Corp 活性炭の製造方法
EP0663370B1 (en) 1992-05-27 2001-08-29 Jca, Ltd. Method of producing active carbon from waste tires
US5417742A (en) * 1993-12-03 1995-05-23 The Boc Group, Inc. Removal of perfluorocarbons from gas streams
JP3132962B2 (ja) 1994-08-05 2001-02-05 三菱重工業株式会社 改質活性炭の製造方法
JP3067633B2 (ja) 1996-03-26 2000-07-17 昭和電工株式会社 パーフルオロカーボンの製造方法
KR20010041583A (ko) 1998-03-05 2001-05-25 메리 이. 보울러 과플루오로시클로부탄의 정제 방법
CN1276902C (zh) * 2001-01-15 2006-09-27 昭和电工株式会社 八氟环丁烷的纯化方法、其制备方法及其用途

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210036449A (ko) * 2019-09-25 2021-04-05 주식회사 도시광부 커피 활성탄 탈취제의 제조방법
KR102413737B1 (ko) 2019-09-25 2022-06-30 주식회사 도시광부 커피 활성탄 탈취제의 제조방법

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