KR100565364B1 - 가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자에 의한 오염의 저감 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

가공 툴(2), 바람직하게 회전 코팅기는 적어도 3개의 아암(5) 세트 및 조절가능한 린스 노즐(7)을 포함한다. 아암(5)은 대응하는 제조 단계(예를 들면, 코팅)를 수행한 후에 처리실(3) 내측의 척(4)으로부터 기판(1)(예를 들면, 반도체 웨이퍼)을 상승시킨다. 아암과 기판(1) 사이의 접촉 영역은 가능한 한 작게 한다. 린스 노즐(7)은 용매액(10)을 기판(1)의 배면측(1b)상에 분배하며, 그에 의해 기판(1)과 척(4)의 진공 채널(23)의 접촉 영역의 위치에 모인 오염 입자를 제거한다. 아암(5)의 세트는 균질한 세정을 위해 회전시킨다. 척의 진공 포트(24)의 외부로의 가스 유출은 입자에 의한 진공 포트(24)의 막힘을 방지한다. 기판이 상승되는 동안에, 척(4)은 상기 용매액(10)을 상기 척(4)상에 분배함으로써 세정될 수도 있다.

Description

가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자에 의한 오염의 저감 장치 및 방법{ARRANGEMENT AND A METHOD FOR REDUCING CONTAMINATION WITH PARTICLES ON A SUBSTRATE IN A PROCESS TOOL}
본 발명은 가공 툴(processing tool)내에서 기판상의 입자에 의한 오염을 저감하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이며, 상기 기판은 척을 향해 배향될 배면측을 갖는다.
반도체 디바이스 제조에 있어서, 기판이 집적 회로의 소망의 구조체를 수납할 때까지 몇가지 처리 단계가 수행되어야 한다. 많은 경우에 있어서, 대응 장비는 내측에 척을 갖는 처리실을 포함하며, 이 척상에는 반도체 디바이스, 예를 들어 반도체 웨이퍼가 실제 처리 단계를 경험하도록 놓여질 수 있다. 제한적인 클린룸 규격에도 불구하고, 입자 오염물질로 인한 문제는 취급 동안에 반도체 디바이스와 척 사이의 기계적 상호작용으로 인해, 또한 현 처리의 물리적 또는 화학적 부산물로 인해 종종 발생한다. 반도체 디바이스의 정면측상에 불규칙적으로 모인 입자가 최종 집적 회로상에 결함을 야기할 수 있으며, 또한 반도체 디바이스의 배면측상에 축적된 입자가 다음 처리 단계에서 심각한 문제를 일으킬 수 있다. 일단 입자가 디바이스의 배면측상에 축적되면, 디바이스는 다음 처리 단계의 척상에 탑재되어 그것의 배면측 면과 척 표면 사이에 입자를 로킹한 경우에 뒤틀리게 된다. 특히, 다음에 리소그래픽 단계는 측방향으로 100nm 까지의 비선형 뒤틀림(warpage)을 받으며, 디바이스를 가로질러 초점 깊이 변동을 받는다.
웨이퍼인 반도체 디바이스의 경우에 있어서, 리소그래픽 단계 전의 가공 트랙은, 보통 회전 코팅기에 이어서 고온 플레이트와, 코팅 단계 중에 웨이퍼상에 분포된 레지스트를 미리 지지하는 추가의 고온 플레이트를 포함한다. 웨이퍼 노출전의 이들 단계중에, 주로 코팅 단계가 웨이퍼의 배면측에 입자를 축적하는데 크게 기여한다. 이것은 웨이퍼를 코팅할 때의 회전 운동 중에 웨이퍼 표면으로부터 레지스트 물질이 제거되기 때문이며, 이 레지스트 물질은 기류에 의해 웨이퍼 배면측상에 입자로서 모일 수 있거나, 또는 웨이퍼가 처리실, 즉 스피너 컵(spinner cup)으로부터 제거된 후에 척 상에 퇴적된다. 이어서, 처리될 다음 웨이퍼는 오염된 척상에 탑재되며, 입자가 웨이퍼 배면측에 고착된다.
5000rpm까지의 속도로 회전하는 동안에 웨이퍼를 유지 및 고정하기 위해, 진공 채널이 척 표면상에 분포되고, 진공 포트에 연결된다. 또한, 이것은 진공 채널내의 부압(underpressure)으로 인해 웨이퍼와 척 사이의 강한 기계적 상호작용을 유발한다. 입자는 주로 웨이퍼 하부의 이들 채널 내측에 모이며, 결국 집중 영역, 즉 웨이퍼 배면측과 진공 채널 사이의 접촉 영역의 웨이퍼 배면측에 고착한다.
배면측 입자 오염의 문제를 회피하기 위한 몇가지 기술이 제안되어 왔다. 종래의 해결책중 하나는 용매(solvent)를 디바이스의 에지에 가하여 불필요하면서 다음 단계에서 입자의 발생을 야기할 수 있는 레지스트를 제거하는 것이다. 예를 들어 200mm 웨이퍼가 척보다 약간 큰 직경을 갖기 때문에, 배면측의 에지 부분이 또한 용매에 의해 흔히 세정된다. 그러나, 웨이퍼 배면측의 대부분이 척과 접촉하고 있기 때문에, 이러한 기술을 사용하여 오염 입자가 배면측으로부터 거의 제거될 수 없다.
입자 오염물질을 저감하기 위한 다른 종래 기술은 제 1 처리 단계, 즉 코팅 단계에서 척상에서 오염된 배면측 영역을, 다음 단계, 즉 리소그래픽 단계의 척상의 진공 채널의 위치에 배치시키는 것이다. 뒤틀림이 효과적으로 저감될 수 있는 반면에, 예를 들어 광학적 검사를 사용하여 오염 영역을 정확하게 예측하는 것이 용이하지 않다. 또한, 대응 척의 디자인이 동일하여야 한다.
미국 특허 제 5,966,635 호에는, 용매액을 척에 도포함으로써 웨이퍼의 2개의 처리 단계 사이에서 척을 세정함으로써, 척으로부터 입자를 제거하는 것을 제안하고 있으며, 이에 의해 처리될 다음 웨이퍼의 배면측에 입자가 고착할 수 없다. 처리실내에 입자가 축적될 수 없지만, 척상에서는 입자의 대부분이 발생되는 처리 단계에서 웨이퍼의 배면측으로 입자가 여전히 이동할 수 있다. 일단 입자가 진공 채널로 들어가면, 입자가 웨이퍼 하부로 보다 더 이송될 수 있다.
직경이 300mm인 웨이퍼에 통상 적용되는 또 다른 기술은 웨이퍼와 진공 척의 접촉 면적을 감소시키는 것이다. 오늘날 척에 대한 전형적으로 사용되는 척-웨이퍼 배면 지지 면적은 웨이퍼 배면측 면적의 약 50%이다. 따라서, 용매액을 에지 비드 제거 노즐을 통해 웨이퍼의 배면측으로 인가함으로써, 웨이퍼 배면측 면적의 약 절반을 세정할 수 있지만, 중앙 부분은 오염된 상태로 있다. 이러한 해결책의 주요 단점은 300mm 웨이퍼가 통상 사용되는 회전 진동수로 정상 모드에서 진동하기 시작한다는 점이다. 약 5000rpm으로 회전하는 동안에 웨이퍼상으로 분배되는 레지스트는 웨이퍼 정면측 표면상에 불균질적으로 분포된다. 반대로, 이것은 지지되지 않은 외부 표면 영역, 즉 웨이퍼의 배면측이 척과 접촉하지 않은 영역에서 기계적 간섭 영향으로 인해 파형 두께 구조를 형성한다.
이러한 이유 때문에, 회전 코팅기의 회전 속도는 300mm 경우에서 전형적으로 약 2000rpm으로 감소된다. 이 때문에, 보다 두꺼운 두께의 레지스트를 처리하는 것이 어렵게 되어, 소정의 점도가 리소그래픽 단계에서 처리 품질을 저하시킨다.
발명의 요약
따라서, 본 발명의 주 목적은 반도체 디바이스 제조시에 입자 오염물질을 저감하여 다음 제조 단계에서의 처리 조건을 향상시키는 것이다.
이러한 목적은, 척을 향해 배향될 배면측을 갖는, 가공 툴내 기판상의 입자 오염물질을 저감하기 위한 장치로서, 상기 기판을 처리하는 단계를 제공하는 상기 가공 툴의 처리실로서, 상기 처리실 내측에는 기판을 유지하기 위한 상기 척이 배치되는, 처리실과, 상기 척으로부터 기판을 상승시키기 위해 테이퍼형 선반을 갖는 적어도 3개의 이동가능한 아암의 세트와, 드라이브를 포함하고 아암의 이동을 제어하기 위한 수단과, 용매액을 분배하기 위한 적어도 하나의 린스 노즐과, 상기 적어도 하나의 린스 노즐로 공급하기 위한 상기 용매액을 제공하기 위한 수단을 포함하는 가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자에 의한 오염의 저감 장치에 의해, 또한 상기 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판을 가공 툴 내측의 척상으로 로딩하는 단계와, 상기 기판을 처리하는 단계와, 적어도 3개의 아암의 세트를 사용하여 척으로부터 상기 기판을 상승시키는 단계와, 적어도 하나의 린스 노즐을 사용하여 기판 배면측상에 용매액을 분배하는 단계와, 상기 기판을 상기 척으로부터 언로딩하는 단계를 포함하는 가공 툴내 기판상의 입자 오염물질의 저감 방법에 의해 해결된다.
본 발명에 따르면, 가공 툴의 처리실내측에는 아암의 세트가 제공되며, 이 아암의 세트는 처리후의 반도체 디바이스를 척으로부터 상승시켜, 린스 노즐을 통해 반도체 디바이스의 배면측상에 용매액을 가함으로써 세정되게 한다. 유리하게, 본 발명은 특히 예를 들어 웨이퍼의 노출전에 코팅 트랙에 적용될 수 있으며, 가공 툴이 회전 코팅기이지만, 마스크 및 레티클(reticle), 평판 디스플레이 등과 같은 임의의 다른 적합한 반도체 디바이스 또는 기판을 처리하는 CMP, 에칭 등과 같은 임의의 다른 가공 툴이 본 발명의 장치 및 방법에 합체하도록 취해질 수 있다.
반도체 디바이스 배면측을 세정한 후에, 이 디바이스는 로봇에 의해 다음 처리 단계로 반송되도록 척상에 다시 하강되거나, 또는 본 발명에 따른 장치에 의해 제공된 아암의 세트로부터 트랙 자동 시스템의 로봇 아암으로 직접 반송될 수도 있다. 장치의 아암은 반도체 디바이스에 가능한 한 가장 작은 접촉 영역을 제공하기 위한 테이퍼형 선반을 포함하며, 나이프 에지의 형태를 가질 수 있다. 접촉 영역, 즉 아암이 기판에 접촉하여 유지하는 위치는 기판 에지에 위치되는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 접촉 영역은 종래의 에치 비드 제거 노즐(etch bead removal nozzle)에 의해 이미 세정될 수 있기 때문이다. 아암은 디바이스를 아래로부터 상승시키도록 구성되며, 디바이스가 안정한 위치를 회복하도록 적어도 3개의 아암에 의해 지지된다.
지지 아암 또는 핀의 바람직한 개수는 3개 내지 5개이다. 아암은 디바이스를 상승시키도록 적어도 수직 방향으로 이동되어야 한다. 선택적인 조인트는 아암이 다른 기판 크기로 조절되고 기판을 클램핑하게 한다. 모든 아암은 제어 유닛에 의해 그 이동이 조정될 수 있는 각각의 드라이브를 가질 수 있거나, 또는 하나의 공통 드라이브에 의해 승강된다. 아암은 처리실내의 척 위치의 아래 또는 위로 이동가능한 소켓상에 배치될 수도 있다. 이러한 상부 위치의 경우에, 추가적인 드라이브 또는 조인트는 기판을 그 배면측에서 지지하기 위해 상부로부터 기판 주위로 아암을 인도할 필요가 있으며, 상기 배면측은 척을 향해, 즉 통상 하부 방향을 향해 배향된다. 접촉이 이루어진 후에 디바이스가 상승될 수 있다. 바람직하게, 기판은 중력에 의해서만 유지되는 적어도 3개의 지지 아암상에 놓인 안정한 위치에 고정된다. 또한, 기판의 정면측(가공 툴이 회전 코팅기인 경우에 레지스트에 의해 덮여짐)과 접촉하지 않고 기판 중앙을 향해 기판 에지상에 힘이 작용하는 클램핑 기구가 적용될 수도 있다.
아암에 사용되는 재료는 강철 또는 테플론 등과 같은 임의의 중성 재료일 수 있다. 다른 측면에 있어서, 린스 노즐을 통해서 기판 배면측의 전체의 부분에 용매액을 균질하게 접근시키기 위해서, 적어도 3개의 이동가능한 아암은 베르누이 효과에 기초하여 축을 중심으로 회전될 수 있다. 바람직한 실시예에 있어서, 회전축은 척의 회전축과 동일하다. 약간 중심에서 벗어난 기판 위치와 관련하여 원심력에 의한 미끄러져 떨어짐에 의해 손상되지 않도록, 회전시에 기판은 아암에 의해 고정될 필요가 있다. 용매액을 기판 배면측상에 분배할 때 아암의 회전 속도는 전형적으로 1000rpm인 회전-건조 회전 속도를 초과하지 않아야 한다. 바람직한 회전 속도는 50rpm 내지 300rpm 범위이다.
기판의 배면측을 세정하기 위해 적어도 하나의 린스 노즐이 제공된다. 린스 노즐은 용매액의 공급원에 접속되며, 이 용매액은 노즐을 통해 배면측상에 3psi 내지 10psi의 압력으로 분배될 수 있다. 용매액으로는, PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에스테르 아세테이트), EGMEA(ethylene glycol monomethyl ether acetate; 에틸렌 글리콜 모노메틸 에스테르 아세테이트) 또는 임의의 다른 통상 용매액을 사용할 수 있다. 아암의 세트기 회전할 수 없다면, 2개의 린스 노즐이 전체 기판 배면측을 용매액으로 덮도록 이용되는 것이 바람직하다. 다른 양태에 있어서, 적어도 하나의 린스 노즐이 이동하도록 제어될 수 있어 디바이스 배면측의 접근성이 더욱 향상되는 것이 유리하다.
적어도 하나의 린스 노즐의 수평 높이 레벨은 기판의 상승 위치 아래에 있다. 즉, 아암의 테이퍼형 선반의 가장 상부 위치가 기판과 접촉한다. 이러한 위치에 있어서, 기판 배면측은 린스 노즐을 통해 용매액에 의해 접근될 수 있다. 또한, 린스 노즐은 척 표면 레벨 이상의 높이를 가지며, 노즐 위치 및/또는 방향을 변경하는 드라이브에 의해, 다른 양태에 있어서, 린스 노즐을 척 표면상으로 지향시켜 용매액을 척 표면상에 분배할 수 있어 그로부터 오염 입자를 유리하게 제거할 수 있다.
다른 양태에 있어서, 척의 진공 채널 또는 진공 포트의 오염물질이 고려된다. 상기 진공 채널 또는 포트 내측에 입자의 부착을 방지하기 위해, 가스가 처리실내의 압력보다 높은 압력을 갖는 진공 채널을 통해 또한 진공 포트의 외부로 지향될 수 있다. 이것을 위해, N2 가스 또는 임의의 다른 중성 가스, 예를 들어 헬륨이 이용될 수 있다. 기판을 진공 채널을 통해 척 표면상으로 흡인하기 위해 진공 포트로 진공을 가하거나, 또는 진공 채널을 세정 상태로 유지하기 위해 진공 포트를 벗어나 가스를 지향시키는데 스위치가 사용된다.
본 발명의 다른 유리한 특징, 양태 및 상세 내용은 종속 청구항으로부터 명백해진다.
이하, 본 발명은 첨부된 도면과 연계하여 취해진 실시예를 참조하여 설명된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 회전 코팅기의 처리실 내측의 장치의 측면도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법을 사용하는 코팅 처리의 흐름도.
회전 코팅기(2)의 처리실(3) 내측에는, 4개 아암(5)의 세트가 수직 아암 이 동을 위한 회전가능한 구동 및 안내 수단(6a)상에 장착된다. 구동 및 안내 수단(6a)의 회전축은 처리 동안에 반도체 웨이퍼(1)를 유지하기 위한 회전 코팅기 척(4)의 회전축과 동일하다. 도 1에 도시된 바와 같이, 수직 아암 이동을 위한 구동 및 안내 수단(6a)이 아암(5)의 이동을 제어하기 위한 수단(6)에 의해 제어되어 반도체 웨이퍼(1)를 척(4)으로부터 상승시킴으로써, 반도체 웨이퍼 배면측(1b)과 척(4)의 표면이 린스 노즐(7)을 통해 용매액(10)에 의해 자유롭게 접근가능하다. 수평 아암 이동용 조인트(5b)에 의해, 아암(5)은 반도체 웨이퍼(1)의 크기로 조절 될 수 있어, 아암(5)의 단부에서 테이퍼형 선반(tapered shelf)(5a)내에 적절하게 클램핑될 수 있다. 아암의 이동을 제어하기 위한 수단(6)은 제어 유닛을 포함하며, 이 제어 유닛은 코팅 처리를 제어하는 자동 시스템에 접속된다. 특히, 구동 및 안내 수단(6a)에 의한 아암(5)의 상승과, 각각의 드라이브를 갖는 조인트(6b)에 의한 클램핑과, 베어링 및 드라이브(6b)에 의한 아암(5)의 세트의 회전은 완전한 코팅 트랙 처리에 따른 시간 순서로 이루어진다.
아암(5)의 세트의 상승 위치에 있어서, 린스 노즐은 용매액(10)을 웨이퍼 배면측(1b)상에 분배할 수 있으며, 이는 린스 노들의 높이 레벨이 웨이퍼(1)를 유지하는 테이퍼형 선반(5a)을 갖는 아암(5)의 상승 위치 아래에 있기 때문이다. 그때에, 유리하게는 오염 입자가 웨이퍼 배면측(1b)으로부터 제거될 수 있다. 또한, 린스 노즐의 방향을 조절하기 위한 수단(8)은 용매액(10)을 척 표면상에 분배하기 위한 린스 노즐 척 세정 위치(7a)로 린스 노즐(7)의 방향을 전환할 수 있다. 용매액(10)은 용매액을 제공하기 위한 외부 수단(11)에 의해 공급된다.
척(4)은 반도체 웨이퍼(1)를 척 표면으로 흡인하기 위한 진공 포트(24)에 접속된 진공 채널(23)을 포함한다. 도 1의 구성에 있어서, 웨이퍼 배면측(1b)이 용매액으로 세정되어, 진공 채널(23)이 웨이퍼 배면측(1b)으로부터 제거된 입자로 오염될 수 있다. 따라서, 진공 포트(24)와 진공 공급원(22)의 접속은, [스위치(20)에 의해서] 처리실(3) 내부 보다도 높은 압력을 갖는 N2 가스를 함유하는 가스 용기(21)와의 접속으로 대체되며, 이에 의해 질소 가스가 진공 포트(24)를 지나 진공 채널(23)을 통해 흘러 입자가 진공 채널(23)내에 내려 앉는 것을 방지한다.
본 발명의 방법의 일 실시예에 따라 기판상의 입자 오염물질을 저감하기 위한 단계의 순서를 도 2에 나타낸다. 사용된 장치는 상기 실시예에서 설명된 것과 동일한 장치이다. 웨이퍼를 코팅하기 위한 트랙 자동 시스템의 로봇은 웨이퍼(1)를 회전 코팅기(2)에 제공하여, 웨이퍼(1)를 척(4)상에 탑재한다. 직경이 300mm인 웨이퍼가 4000rpm(분당 회전수)으로 회전되는 웨이퍼 정면측(1a)상에는 유기 레지스트가 분배된다. 척(4)의 직경은 290mm이다. 코팅후에, 에지 비드 린스 노즐을 사용하는 종래의 배면측 린스는 척이 200rpm으로 회전할 때 척 외부로 노출되는 웨이퍼(1)의 에지상에 수행된다. 레지스트 분배 노즐을 명확화하기 위해, 처리실(2)을 밀폐하는 회전 컵 및 에지 비드 린스 노즐은 도 1의 실시예에서 도시되어 있지 않다. 배면측 린스는 선택적 단계이며, 본 발명에 따라 수행될 필요는 없다.
그후에, 아암의 이동을 제어하는 수단(6)을 사용함으로써, 아암(5)이 상승되어 웨이퍼(1)를 테이퍼형 선반(5a)과 접촉시키고 웨이퍼(1)를 상승 위치까지 상승시킨다. 그 후에, 3가지의 처리가 병행하여 행하여진다. 4개의 아암이 웨이퍼를 100rpm으로 회전시키는 동시에, 린스 노즐이 용매액을 웨이퍼 배면측(1b)상에 8psi의 압력으로 분배하며, 스위치(20)가 개방되어 용기(21)로부터 진공 포트(24)를 지나 진공 채널(23)을 통해 N2 가스를 방출함으로써, 웨이퍼 배면측(1b)상에 세정 처리에서 발생된 입자를 제거한다. 또한, 회전 및 코팅 단계에서 생긴 기류 중에 부유하는 레지스트 입자는 척을 향해 이동할 수 있지만, 진공 채널(23)내로 침전하는 것이 방지된다.
세정 단계후에, 웨이퍼는 아암(5)상에 유지된 상태로 1000rpm의 회전 속도로 건조 회전되며, 마지막으로 로봇 아암으로 건네주며, 이 로봇 아암은 웨이퍼(1)를 다음 처리 단계로 반송한다.
유사한 실시예에 있어서, 웨이퍼(1)가 세정 단계후에 다시 척(4)상(하강 위치)에 탑재될 수 있으며, 척상에 건조 회전되어 로봇 반송 단계로 이어진다.
또 다른 실시예에 있어서, 웨이퍼 배면측 세정 단계는 린스 노즐(7)을 척 세정 위치(7a)로 전환하여 용매액을 분배함으로써 척 표면 세정 단계로 이어질 수 있으며, 상기 실시예의 단계들이 계속 진행된다.
(도면 부호)
1 : 기판, 반도체 웨이퍼 1a : 기판의 정면측
1b : 기판의 배면측 2 : 가공 툴, 회전 코팅기
3 : 처리실 4 : 척
5 : 이동가능한 아암의 세트
5a : 이동가능한 아암의 테이퍼형 선반
5b : 수평 아암 이동을 위한 조인트
6 : 아암의 이동을 제어하기 위한 수단
6a : 수직 아암 이동을 위한 구동 및 안내 수단
6b : 아암을 회전하기 위한 드라이브를 갖는 베어링
7 : 린스 노즐 7a : 척 세정 위치내의 린스 노즐
8 : 린스 노즐의 방향을 조절하기 위한 수단
10 : 용매액 11 : 용매액을 제공하기 위한 수단
20 : 스위치: 진공 또는 N2 가스 21 : N2 가스의 공급원
22 : 진공의 공급원 23 : 진공 채널
24 : 진공 포트

Claims (11)

  1. 가공 툴(2)내에서 기판(1)의 배면측상의 입자에 의한 오염을 저감하기 위한 장치로서, 상기 기판(1)의 배면측(1b)을 수용하기 위해, 상기 기판(1)을 처리하는 단계를 제공하도록 설계되는 처리실(3) 내측에 배치되는 척(4)과, 상기 기판(1)을 상기 척(4)으로부터 상승시키기 위한 적어도 3개의 이동가능한 아암(5)의 세트와, 드라이브를 포함하고, 아암의 이동을 제어하기 위한 수단(6)을 포함하는, 가공 툴내에서 기판의 배면측상의 입자에 의한 오염의 저감 장치에 있어서,
    상기 적어도 3개의 이동가능한 아암(5)이 각각 테이퍼형 선반(5a)을 구비하며,
    상기 장치는, 용매액(10)을 분배하기 위한 적어도 하나의 린스 노즐(7)과,
    상기 적어도 하나의 린스 노즐(7)에 공급하기 위한 상기 용매액을 제공하기 위한 수단(12)을 포함하며,
    상기 척(4)은 기판(1)을 고정하기 위해 진공 포트(24)와, 상기 진공 포트(24)에 접속된 진공 채널(23)을 포함하며,
    상기 장치는, 상기 진공 포트에 접속되는 적어도 2개의 가스 압력 공급원으로,
    ⓐ 거의 진공 상태를 제공하도록 처리실의 가스 압력보다 낮은 제 1 가스 압력부(22)와,
    ⓑ 중성 가스를 상기 진공 채널에 제공하도록 처리실의 가스 압력보다 높은 제 2 가스 압력부(21)를 포함하는, 적어도 2개의 가스 압력 공급원과,
    상기 제 1 가스 압력부(22)와 상기 제 2 가스 압력부(21) 사이에서 상기 진공 포트(24)에 부여되는 가스 압력 공급원을 전환하기 위한 수단(20)을 포함하는 것을 특징으로 하는
    가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자에 의한 오염의 저감 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가공 툴(2)은 상기 기판(1)의 배면측(1b)에 대향하는 정면측(1a)상에 레지스트를 분배하기 위한 수단을 갖는 회전 코팅기이며, 상기 척(4)은 축을 중심으로 회전하도록 설계된 것을 특징으로 하는
    가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자에 의한 오염의 저감 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 3개의 아암(5)의 세트는 상기 축을 중심으로 회전될 수 있도록 장착되는 것을 특징으로 하는
    가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자에 의한 오염의 저감 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 기판(1)은 적어도 300mm의 직경을 갖는 반도체 웨이퍼이며, 상기 척(4)은 적어도 280mm의 직경을 갖는 접촉 표면을 갖는 것을 특징으로 하는
    가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자에 의한 오염의 저감 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 적어도 3개의 아암(5)의 세트에 의해 상승된 상기 웨이퍼(1)의 배면측(1b) 또는 상기 척의 접촉 표면 또는 진공 채널(23)에, 상기 적어도 하나의 린스 노즐(7)을 통해 용매액(10)을 접근시킬 수 있도록, 상기 적어도 하나의 린스 노즐의 위치 및 방향을 조절하기 위한 수단(8)을 포함하는 것을 특징으로 하는
    가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자에 의한 오염의 저감 장치.
  6. 척(4)을 향해 배향된 배면측(1b)을 갖는 가공 툴(2)내에서 기판(1)의 배면측상의 입자를 저감하기 위한 방법에 있어서,
    상기 기판(1)을 제공하는 단계와,
    상기 기판(1)을 가공 툴(2) 내측의 척(4)상에 탑재하는 단계와,
    상기 기판(1)을 처리하는 단계와,
    적어도 3개의 아암(5)의 세트를 사용하여 척(4)으로부터 상기 기판(1)을 상승시키는 단계와,
    적어도 하나의 린스 노즐(7)을 사용하여 기판(1)의 배면측(1b)상에 용매액(10)을 분배하는 동시에, 상기 척(4)상에 형성된 적어도 하나의 진공 포트(24)의 외부로 가스를 지향시켜, 상기 적어도 하나의 진공 포트(24)가 입자로 오염되는 것을 방지하는 단계와,
    상기 기판(1)을 상기 척으로부터 언로딩하는 단계를 포함하는
    가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자의 저감 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 용매액(10)을 분배하면서, 상기 기판(1)을 유지하는 상기 적어도 3개의 아암(5)의 세트를 축을 중심으로 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는
    가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자의 저감 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판(1)의 배면상에 용매액을 분배하는 상기 단계 후에, 상기 용매액(10)을 상기 척(4)상에 분배하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는
    가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자의 저감 방법.
  9. 제 6 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 있어서,
    기판과 아암의 접촉 영역에 상기 용매액(10)이 접근하도록, 기판을 상기 적어도 3개의 아암(5)의 세트에 의해 유지하면서, 베르누이 효과(Bernoulli-effect)에 기초하여 회전 수단에 의해 상기 기판을 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는
    가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자의 저감 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
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