KR100560553B1 - 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 및 그 제조 방법 - Google Patents

이산화티탄ㆍ코발트 자성막 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100560553B1
KR100560553B1 KR1020027005204A KR20027005204A KR100560553B1 KR 100560553 B1 KR100560553 B1 KR 100560553B1 KR 1020027005204 A KR1020027005204 A KR 1020027005204A KR 20027005204 A KR20027005204 A KR 20027005204A KR 100560553 B1 KR100560553 B1 KR 100560553B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
titanium dioxide
magnetic film
cobalt magnetic
substrate
cobalt
Prior art date
Application number
KR1020027005204A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020068041A (ko
Inventor
고이누마히데오미
마쓰모토유지
Original Assignee
도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 filed Critical 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬
Publication of KR20020068041A publication Critical patent/KR20020068041A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100560553B1 publication Critical patent/KR100560553B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/20—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by evaporation
    • H01F41/205—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by evaporation by laser ablation, e.g. pulsed laser deposition [PLD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
    • B01J23/002—Mixed oxides other than spinels, e.g. perovskite
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
    • B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
    • B01J23/74—Iron group metals
    • B01J23/75—Cobalt
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
    • B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
    • B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
    • B01J35/39—Photocatalytic properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
    • G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/007—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure ultrathin or granular films
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
    • H01F10/193—Magnetic semiconductor compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
    • H01F10/28—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2523/00—Constitutive chemical elements of heterogeneous catalysts
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12986—Adjacent functionally defined components

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

촉매능력이 높은 광촉매, 광ㆍ전기ㆍ자기기능도 갖는 반도체 재료 및 투명 자석으로 유용한 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 제공하므로, 화학식 Ti1-xCoxO2 (여기서 0 < x ≤ 0.3)로 표시되며, Ti 격자 위치에 Co가 치환되고, 단결정 기판상에 에피택셜 성장된 이산화티탄ㆍ코발트 자성막이 형성된다. 이 결정 구조는 아나타제 구조 또는 루틸 구조이고, 밴드갭 에너지가 Ti 격자 위치에 치환되는 Co 농도에 대응하여 3.13eV~3.33eV의 범위로 변화하고, 실온 이상의 온도에서도 자화를 유지하며 가시광에 투명하다.
이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 제조하는 경우, 소정의 산소압 분위기의 진공조내에 소정의 혼합비로 혼합한 TiO2와 Co로 이루어진 타겟에 소정의 레이저광을 소정의 조건으로 조사하고, TiO2와 Co를 증발시켜 소정의 기판 온도로 가열한 단결정 기판에 막을 형성함으로써 제조한다.
이산화티탄ㆍ코발트 자성막

Description

이산화티탄ㆍ코발트 자성막 및 그 제조 방법 {TITANIUM DIOXIDEㆍCOBALT MAGNETIC FILM AND METHOD OF ITS MANUFACTURE}
본 발명은 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 자성막을 이용한 광촉매, 전기ㆍ광ㆍ자기 기능을 지닌 반도체 재료, 투명자석 등에 유용한 재료 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이산화티탄(TiO2)은 그 광촉매 기능으로 인하여 물의 광분해나 유해물질의 분해 제거에 실용화된 재료이며, 에너지 문제나 환경 문제의 관점에서 금후에 이산화티탄의 광촉매 활성을 더욱 향상시킬 것이 요구된다.
또, 반도체 재료로 Si, GaAs가 주를 이루며, 이러한 종래의 반도체 재료는 캐리어(carrier) 제어에 의하여 전기적 기능 또는 레이저다이오드, 광다이오드라고 하는 광ㆍ전기적 기능을 실현하는 재료이지만, 자기 메모리라고 하는 자기적 기능도 실현된 반도체 재료는 아직 존재하지 않는다. 이산화티탄은 밴드갭 에너지가 자외 영역에 있는 광ㆍ전기적 기능을 가진 반도체 결정이지만, 그 광ㆍ전기적 기능을 그대로 가지고, 이와 더불어 자기적 기능을 구비할 수 있으면, 광ㆍ전기ㆍ자기적 기능을 모두 실현하는 반도체 재료를 얻을 수 있다.
종래의 자석 물질은 가시광을 투과하지 않는 매우 검은 물질이다. 투명자석이 실현될 수 있으면, 종이 집게 등의 용도에 편리한 것은 말할 것도 없고 폭넓은 산업 분야에 걸쳐 유용한 것이 명확하다.
한편, 투명 절연물에 자성을 부가하는 종래 기술에는 도 14에 나타낸 예가 있다. 이것은 가시광에 투명한 Al2O3 등으로 된 비자성 절연물 분말에 Co 등으로 이루어진 자성 금속 입자를 혼입하여 태워서 굳힌 것이다. 이러한 투명자석은 자성금속의 입자량을 증가시키면, 자성금속입자를 혼입함에 따라 비자성 절연물의 비정질화가 일어나 결정성이 소실되므로, 모체인 투명 절연물의 본래 성질인 투명성 및 절연성이 없어져 버린다.
자성 반도체로서 GaAs에 Mn을 혼입한 것 또는 CdMnTe계의 것이 있고, 자기 기능 및 패러데이 회전 등의 광기능을 지닌 것이 있다. 그러나 이러한 종래의 자성 반도체는 가시광에 투명하지 않다.
이와 같이, 종래에는 가시광에 투명이며 자기적 기능을 지닌 반도체 재료가 존재하지 않았다.
본 발명은 전술한 과제를 감안하여, 이산화티탄의 결정성을 잃지 않고 자기기능을 부가하였다. 광촉매, 광ㆍ전기ㆍ자기 기능을 부가적으로 지닌 반도체 재료 및 투명 자석으로서 사용가능한 이산화티탄ㆍ코발트 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은,
화학식: Ti1-xCoxO2
단, 0 < x ≤ 0.3 으로 표시되며, Ti 격자 위치에 Co가 치환되었다. 또한, 단결정 기판상에 에피택셜 성장시킨 이산화티탄ㆍ코발트 자성막인 것을 특징으로 한다.
이러한 자성막의 결정 구조는 아나타제 구조 또는 바람직하게는 루틸 구조이다.
이러한 아나타제 구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은 밴드갭 에너지가 Ti 격자 위치에 치환되는 Co 농도(X)에 따라서 3.13eV~3.33eV의 범위에서 변화되는 것을 특징으로 한다.
이러한 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은 실온 이상의 온도에서도 자화를 유지할 수 있으며, 가시광으로 투명하다.
이러한 단결정 기판은 결정 구조가 아나타제 구조인 경우, LaAlO3 (OO1) 기판인 것이 바람직하다.
이러한 단결정 기판은 결정구조가 루틸구조인 경우, Al2O3 기판인 것이 바람직하다.
이러한 단결정 기판은 결정구조가 루틸구조인 경우, 루틸 결정 구조를 지닌 TiO2 기판인 것이 바람직하다.
이러한 구조에 의하면, 이산화티탄이 반도체 결정으로서의 결정성을 잃지 않 고 자기적 기능을 지니므로, 광촉매, 광ㆍ전기ㆍ자기적 기능을 겸비한 반도체 재료 및 투명 자석으로서 사용할 수 있다.
본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 제조 방법은, 산소압 분위기의 진공조내에서 소정의 혼합비로 혼합한 TiO2와 Co로 이루어진 타겟에 소정의 레이저광을 소정의 조사 조건으로 조사하여 TiO2와 Co를 증발시켜 소정의 기판온도로 가열한 단결정 기판에 막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
산소압은 10-5~10-6Torr, 기판 온도는 500~700℃, 레이저광은 KrF 엑시머 레이저-광(248nm)인 것이 바람직하고, 조사 조건은 레이저광의 펄스 파워가 1~2Joule/cm2이고, 레이저 펄스의 조사속도가 1~10Hz이 되도록 설정할 수 있다.
또한, 소정의 혼합비로 혼합한 TiO2와 Co로 이루어진 타겟과, TiO2만으로 이루어진 타겟에 소정의 레이저광 펄스를 소정의 Co 농도에 대응하는 펄스비로 교대로 조사하여 소정 Co 농도의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 형성하도록 할 수도 있다.
이러한 구조에 의하면, 원하는 Co 농도를 지닌 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 얻을 수 있다.
본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 광촉매로서 사용하면 촉매 활성이 높다.
본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 반도체 재료로 사용하면, 캐리어 제 어에 의한 전기적 기능, 수발광기능, 자기 제어에 의한 자기적 기능을 더불어 가지는 반도체 디바이스를 제작할 수 있다.
본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 투명 자석, 예를 들면 종이 집게로 사용하면 유용하다.
본 발명은 이하의 상세한 설명 및 본 발명의 여러 실시예를 나타내는 첨부 도면에 따라 더욱 잘 이해될 것이다. 또, 첨부 도면에 나타내는 실시예는 본 발명을 특정 또는 한정하도록 의도된 것이 아니라, 단순히 본 발명의 설명 및 이해를 용이하게 하도록 기재된 것이다.
도 1은 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 제조 장치의 개략도이다.
도 2는 이산화티탄의 아나타제 결정구조 및 루틸 결정 구조를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제조 방법에 따라 제작한 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 X선 회절측정 결과를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제조 방법에 의해 제작한 루틸결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 X선 회절측정결과를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따라 제작한 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 단면 방향에서 본 TEM(투과전자선회절)에 의한 측정 결과를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따라 Co 농도를 다양하게 변화시켜 제조한 아나타제 결정 구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 c축 방향의 격자상수를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 Co 농도 8%의 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 투과율 측정결과를 나타내는 그래프이다.
도 8은 주사형 SQUID 현미경을 이용하여 촬영한 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 자구 구조를 도시한 도면이다.
도 9는 주사형 SQUID 현미경을 이용하여 촬영한 루틸 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 자구구조를 도시한 도면이다.
도 10은 주사형 SQUID 현미경을 이용하여 촬영한 다양한 Co 농도의 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 자구구조를 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 자화 히스테리시스 특성을 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 자화특성의 온도 의존도를 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 Co 농도가 상이한 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 광흡수 특성을 도시한 도면이다.
도 14는 투명 절연물에 자성을 부가하는 종래 기술을 설명하는 도면이다.
이하에 도 1 내지 도 13에 기초하여 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 제조장치의 개략도이다.
도 1에서 이 제조장치(10)는 레이저제거 퇴적장치로 이루어져 있고, 진공챔버(17)내에 기판(11)과, 기판(11)에 대향하여 배치된 타겟(12)이 장착되어 진공챔버(17)의 외측으로부터 창을 통해서 타겟(12)에 펄스레이저를 조사하는 레이저 장치(13) 및 기판(11)을 가열하기 위한 가열장치(14)가 배치되어 있다. 또, 기판(11)의 타겟(12)에 대향하는 표면에는 이 기판(11)을 부분적으로 덮도록 마스크(15)가 이동 가능하게 지지되어 있다. 또, 도면 부호 16은 산소를 도입하는 노즐이다.
이 기판(11)은 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 에피택셜 성장시키는 경우, 비교적 격자부정합이 작은 투명기판인 LaAlO3 (001)기판으로 이루어지고, 그 표면이 (001)면으로 되도록 성형되어 있다. 또, 루틸결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 에피택셜 성장시키는 경우, 기판(11)은 Al2O3 또는 루틸결정구조를 지닌 TiO2 단결정기판으로 된다.
타겟(12)은 예를 들면 루틸결정구조의 TiO2에 Co를 10mo1% 도핑한 것을 1000℃로 소결한 것이다.
또, 타겟(12)을 전술한 조성의 타겟과 루틸결정구조의 TiO2만으로 이루어진 타겟으로서 2개를 사용하고, 이들 타겟을 소정수 비율의 레이저광 펄스로 교대 조사함으로써 제작할 수도 있다. 이 경우, 각 타겟은 복수의 타겟을 지지할 수 있는 멀티타겟홀더(18)상에 유지되어 멀티타겟홀더(18)의 회전샤프트(19)에 따라 각 타겟이 레이저 장치(13)의 레이저 조사위치에 선택적으로 위치하도록 되어 있다.
레이저 장치(13)에 이용하는 레이저는, 예를 들면 248nm의 레이저광을 출사하는 KrF 엑시머 레이저이며, 이 레이저광 펄스의 광에너지 밀도를 1~2Joule/cm2 중으로 조정하여, 레이저펄스를 1~10개/초, 즉 속도를 1~10Hz로 하여 조사한다.
가열장치(14)는 Nd:YAG 레이저를 사용한 기판가열장치로서, 산화성 분위기이지만 기판(11)을 고온으로 가열할 수 있다. 또, 기판가열장치는 통상적인 램프히터일 수도 있다.
진공챔버내는 1×10-9Torr 정도의 진공으로 유지된 후, 10-5~10-6Torr 정도의 산소 분압이 되도록 가스도입밸브(16)를 통하여 산소가 도입된다.
다음으로, 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 결정구조를 설명한다. 도 2는 이산화티탄(TiO2)의 결정구조를 모식적으로 나타낸 도면으로서, 도 2의 (a)는 아나타제 결정구조 및 루틸 결정구조에서의 Ti 배위 위치(흑원)를 도시한 것이며, 도 2의 (b)는 아나타제 결정구조 및 루틸 결정구조에서의 Ti와 O로 이루어진 8면체배위자의 배치를 모식적으로 나타낸 도면이다. 또한, 도 2의 (c)는 아나타제 결정구조 및 루틸 결정구조에서의 Ti와 O의 결합수 모델을 나타내고 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제조 방법에 따라 제작한 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 X선 회절 측정 결과이다. 도 3a는 XRD(X-ray Diffract Meter)에 의한 회절패턴을 나타낸다. 도 3b는 막형성시의 RHEED(반사 전 자선 회절) 결과를 나타낸다.
측정에 이용한 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은 LaAlO3 (001)기판상에 루틸결정구조의 TiO2에 Co를 10mo1% 도핑한 타겟과, 루틸결정구조의 TiO2만으로 이루어진 타겟을 소정수 비율의 레이저광 펄스로 교대로 조사함으로써 막을 형성한 Co 농도 5.8%의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막이다. 또, Co 농도는 EPMA(Electron Probe Micro Analysis)에 의해 결정했다. 기판온도 및 산소분압은 각각 650℃, 10-5Torr 이다.
도 3a의 회절 패턴으로부터 본 발명의 제조 방법으로 제작한 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은 아나타제 결정구조를 가지고, 기판상에 c축으로 배향되어 있는 것을 알 수 있다. 또, 도 3b의 RHEED 결과로부터 단분자층마다 에피택셜 성장하고 있는 것을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 제조 방법에 따라 제작한 루틸 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 X선 회절 측정 결과이다.
이 측정에 이용한 루틸결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트자성막은 에피택셜 단결정 기판에 A12O3 기판 또는 루틸 결정구조의 TiO2 기판을 이용한 것 이외에는 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 제작 조건과 동일하다.
도 4의 회절 패턴으로부터 본 발명의 제조 방법에 따라 제작한 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은 루틸 결정구조를 가지고, 기판상에 (101)축으로 배향하고 있는 것을 알 수 있다. 또, 도시하지는 않았지만 RHEED 측정 결과로부터 단분자층마다 에 피택셜로 성장하고 있는 것이 확인되고 있다.
도 5는 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 단면방향의 TEM(투과전자선회절) 측정 결과를 나타내는 회절상이다. 도 5에 명확히 나타낸 바와 같이, Ti 및 Co의 격자 배열에 기초하는 규칙적으로 배열한 회절점이 보이는 것으부터 본 발명의 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막에서는 격자점 위치에 Co가 치환되어 있는 것을 알 수 있다. 또, 도시하지 않았지만 루틸 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막에서도 동일하게 Ti의 격자점 위치에 Co가 치환되어 있는 것이 확인되고 있다.
도 6은 Co 농도를 다양하게 변화시켜 제조한 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 c축 방향의 격자상수를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다. 도 6에 명확히 나타낸 바와 같이, Co 농도에 대략 비례하여 격자상수가 커지는 것을 알 수 있다. 이 결과로부터 Ti의 격자점 위치에 Co가 치환되어 있는 것을 알 수 있다.
도 5 및 도 6에 명확히 나타낸 바와 같이, 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은 자성 특성을 가지는 Co 원자를 함유하더라도 반도체 결정 구조를 유지하는 것을 알 수 있다.
도 7은 Co 농도 8%의 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 투과율을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다. 이 도면으로부터 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은 가시광에 투명한 것을 알 수 있다. 또, 도시하지 않았지만 루틸 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막에서도 가시광에 투명인 것이 확인된다.
도 8은 주사형 SQUID 현미경을 이용하여 촬영한 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 자구 구조의 측정 결과를 나타내는 이미지 도면이다.
도 8에서 횡축의 농도 스케일은 마이크로테슬라로 나타낸 자화 강도를 나타내고, +, - 는 자화 방향을 나타낸다. 이것은 주사형 SQUID 현미경을 사용하여 측정한 것으로서 측정도는 각각 3K, 30K 및 60K이며, 측정 면적은 200㎛×200㎛이다.
도 9는 주사형 SQUID 현미경을 이용하여 촬영한 루틸 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 자구 구조의 측정 결과를 나타내는 이미지 도면이다.
종축의 농도 스케일은 마이크로테슬라로 나타낸 자화 강도를 나타내고, 측정온도는 3K, 측정 면적은 200㎛×200㎛이다.
이 측정에 이용한 루틸결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은 Co 농도를 도면의 좌로부터 우로 연속 변화시켜 제조하였다. 좌측단의 Co 농도는 14.6%, 우측단의 Co 농도는 15.4% 이다.
도 1O은 도 8과 동일한 수단을 이용하여 여러가지 Co 농도의 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 자구 구조를 측정한 것이다. 횡축의 농도 스케일은 마이크로테슬라로 나타낸 자화 강도를 나타내고, +, - 는 자화 방향을 나타낸다. 도 10에 명확히 나타낸 바와 같이, Co 농도가 커짐에 따라 자화가 커짐을 알 수 있다.
도 11은 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 자화특성을 나타내는 그래프이며, 도 11a는 자기 히스테리시스 특성을 도시한 도면이고, 종축은 CO 원자 1개당의 자기 모멘트를 μB 단위로 나타내고, 횡축은 자성막 표면에 평행하게 인가한 자계 강도를 나타내며, 측정한 온도는 300K이다. 또, 도 11b는 잔류자기 모멘트, 즉 잔류 자화의 온도에 의한 소자 특성을 나타낸다.
도 12는 아나타제 결정구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 자화특성의 온도 의존성을 나타낸 그래프이다. 인가한 자계강도는 200Gauss이고, 측정온도범위는 0~400K 이다.
도 7 내지 도 12로부터 명확히 나타낸 바와 같이, 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은 자구구조를 가지며, Co 농도의 증대에 따라 자화가 커진다. 또, 0~400K의 온도 범위에서 잔류 자화가 발생할 수 있다. 즉 자석화할 수 있어서 400K의 고온에서도 그 자화가 소멸하지 않는다.
도 13은 본 발명의 Co 농도가 상이한 아나타제 결정 구조의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막의 광흡수특성을 나타낸 그래프이다. 각각의 흡수곡선은 양호한 반도체 결정을 나타내고, 흡수단에서 구한 밴드갭 에너지는 3.13~3.33 eV이다.
도 14에 명확히 나타낸 바와 같이, 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은 밴드갭 에너지가 Co 농도에 의해서 변화하는 양호한 반도체 결정인 것을 알 수 있다.
이상의 설명에서 이해되는 바와 같이, 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막은 Ti 격자 위치에 Co 원자가 치환된 반도체 결정이며, 자구구조를 가지고, 잔류자화를 형성할 수 있으므로, 이 잔류자화는 400K에서도 소멸하지 않는다. 또한, 가 시광에 투명이며, 도핑 Co 농도에 의하여 밴드갭 에너지를 변화시킬 수 있다. 또, 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 제조 방법에 따라 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 제조할 수 있다.
TiO2에 의한 광촉매 반응은 TiO2의 밴드갭 에너지 이상의 에너지를 가지는 광자를 흡수하여 생성되는 홀 및 자유 전자에 의한 산화환원반응이지만, 이들 홀 및 자유전자는 생성과 동시에 재결합하는 비율도 상당히 높고, 광촉매효율이 너무 높지 않았다. 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 광촉매로 사용하면, Co에 의한 자화에 따라 홀과 전자의 재결합 비율을 감소시킬 수 있다. 따라서 광촉매효율이 높아진다.
종래에는 컴퓨터 등에 사용하는 데이터를 자성 박막의 원반 등에 기록하여 유지하였다. 그러나 이러한 종래의 방법에서는 CPU의 외부에 이러한 기록장치를 설치하는 것이 필요하며, 기계적 구동부분을 필요로 하므로 컴팩트하지 않고 신뢰성이 결여되었다. 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 반도체 재료로서 이용하면, CPU와 데이터 기록부를 동일 기판상에 집적할 수 있다. 따라서 이러한 종류의 장치를 컴팩트하게 하고 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 투명인 것을 살려서, 투명 디스플레이나 전자페이퍼 등의 회로 구동부의 투명소자 재료로서의 이용이 기대된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 이용하면 촉매능력이 좋은 광촉매, 광ㆍ전기ㆍ자기기능을 함께 갖는 반도체 재료 및 투명 자석을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 제조 방법에 따르면, 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 확실하게 제조할 수 있다.

Claims (15)

  1. 화학식: Ti1-xCoxO2, 여기서 0 < x ≤ 0.3
    으로 표시되며, Ti 격자 위치에 Co가 치환되고, 단결정 기판상에 에피택셜 성장된 이산화티탄ㆍ코발트 자성막.
  2. 제1항에서,
    결정 구조가 아나타제 구조인 것을 특징으로 하는 이산화티탄ㆍ코발트 자성막.
  3. 제1항에서,
    결정 구조가 루틸 구조인 것을 특징으로 하는 이산화티탄ㆍ코발트 자성막.
  4. 제1항 또는 제2항에서,
    밴드갭 에너지가 상기 Ti 격자 위치에 치환되는 상기 Co 농도에 따라서 3.13eV~3.33eV의 범위에서 변화하는 것을 특징으로 하는 이산화티탄ㆍ코발트 자성막.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서,
    실온 이상의 온도에서도 자화를 유지하고, 가시광에 투명인 것을 특징으로 하는 이산화티탄ㆍ코발트 자성막.
  6. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 단결정기판이 LaAlO3 (001)기판인 것을 특징으로 하는 이산화티탄ㆍ코발트 자성막.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서,
    상기 단결정기판이 Al2O3 기판인 것을 특징으로 하는 이산화티탄ㆍ코발트 자성막.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서,
    상기 단결정기판이 루틸 결정구조를 가지는 TiO2 기판인 것을 특징으로 하는 이산화티탄ㆍ코발트 자성막.
  9. 산소압 분위기의 진공조 내에서 TiO2와 Co의 혼합물로 이루어진 타겟에, 펄스 파워밀도 1 내지 2 Joule/㎠ 및 펄스 조사속도 1 내지 10Hz로 레이저 광을 조사하여, 상기 TiO2와 Co를 증발시켜, 가열된 단결정 기판에 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 이산화 티탄ㆍ코발트 자성막 제조 방법.
  10. 제9항에서,
    상기 산소압은 10-5~10-6Torr이며, 상기 기판의 온도는 500~700℃이고, 상기 레이저광은 KrF 엑시머 레이저광(248nm)인 것을 특징으로 하는 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 제조 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 TiO2와 Co의 혼합물로 이루어진 타겟 및, TiO2만으로 이루어진 타겟에 상기 레이저광 펄스를 소정의 Co 농도에 대응한 상기 펄스수의 비로 교대로 조사하여, 상기 소정의 Co 농도의 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 형성하는 것을 특징으로 하는 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 제조 방법.
  12. 제10항에 따른 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 제조 방법으로 제조한 이산화티탄ㆍ코발트 자성막.
  13. 제1항 내지 제3항 및 제12항 중 어느 한 항에 따른 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 이용한 광촉매.
  14. 제1항 내지 제3항 및 제12항 중 어느 한 항에 따른 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 이용한 자기 기능을 가지는 반도체 재료.
  15. 제1항 내지 제3항 및 제12항 중 어느 한 항에 따른 이산화티탄ㆍ코발트 자성막을 이용한 투명자석.
KR1020027005204A 2000-08-30 2001-08-17 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 및 그 제조 방법 KR100560553B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000261050 2000-08-30
JPJP-P-2000-00261050 2000-08-30
JP2001091276A JP3569763B2 (ja) 2000-08-30 2001-03-27 二酸化チタン・コバルト磁性膜及びその製造方法
JPJP-P-2001-00091276 2001-03-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020068041A KR20020068041A (ko) 2002-08-24
KR100560553B1 true KR100560553B1 (ko) 2006-03-15

Family

ID=26598791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020027005204A KR100560553B1 (ko) 2000-08-30 2001-08-17 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 및 그 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6919138B2 (ko)
EP (1) EP1314793A4 (ko)
JP (1) JP3569763B2 (ko)
KR (1) KR100560553B1 (ko)
CN (1) CN1289707C (ko)
WO (1) WO2002018668A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014123252A1 (ko) * 2013-02-05 2014-08-14 Lim Seong-Kyu 보조렌즈 착탈형 안경

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7521039B2 (en) * 2002-11-08 2009-04-21 Millennium Inorganic Chemicals, Inc. Photocatalytic rutile titanium dioxide
JP4612340B2 (ja) * 2003-05-21 2011-01-12 独立行政法人科学技術振興機構 ビスマスを構成元素に含む多元系酸化物単結晶の製造方法
JP3944584B2 (ja) * 2004-01-23 2007-07-11 国立大学法人東北大学 コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法、コバルトドープ二酸化チタン膜、及び多層膜構造
JP4102880B2 (ja) * 2004-02-23 2008-06-18 国立大学法人東北大学 多層膜構造体、及び素子構造
WO2006103853A1 (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Japan Science And Technology Agency 二酸化チタンを活性層として用いる半導体装置およびその製造方法
SG127749A1 (en) * 2005-05-11 2006-12-29 Agency Science Tech & Res Method and solution for forming anatase titanium dioxide, and titanium dioxide particles, colloidal dispersion and film
CN100350520C (zh) * 2005-06-03 2007-11-21 山东大学 非晶态高掺杂COxTi1－xO2铁磁性半导体薄膜的制备方法
WO2007022462A2 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 North Carolina State University Solar photocatalysis using transition-metal oxides combining d0 and d6 electron configurations
JP4604197B2 (ja) * 2005-12-01 2010-12-22 国立大学法人横浜国立大学 磁性粉末微粒子の製造方法
JP4831629B2 (ja) * 2005-12-13 2011-12-07 独立行政法人物質・材料研究機構 磁性人工超格子とその製造方法
CN1929049B (zh) * 2006-08-14 2011-08-03 南京大学 利用激光诱导效应改变CrO2薄膜磁性的方法
JP2008262109A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Fujitsu Ltd 光送受信装置
JP5626649B2 (ja) * 2008-06-10 2014-11-19 独立行政法人物質・材料研究機構 電磁波吸収材料
US8501052B2 (en) 2009-02-05 2013-08-06 JX Nippon Mining & Metals Corporatoin Thin film comprising titanium oxide as main component and sintered compact sputtering target comprising titanium oxide as main component
EP2412844A4 (en) 2009-03-27 2016-12-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp SPUTTERING TARGET OF A SINTERED TI-NB OXID BODY, TI-NB OXID THIN LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE THIN LAYER
CN101850251B (zh) * 2010-06-10 2011-12-07 大连大学 可磁分离二氧化钛可见光催化剂的制备方法
JP5603304B2 (ja) * 2011-08-04 2014-10-08 日本電信電話株式会社 光触媒の製造方法
CN102654671B (zh) * 2011-11-14 2014-09-10 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示器及其制作方法
JP5891990B2 (ja) * 2012-07-30 2016-03-23 コニカミノルタ株式会社 光学式検体検出装置
US9604859B2 (en) 2012-08-17 2017-03-28 Council Of Scientific & Industrial Research Process for decomposition of organic synthetic-dyes using semiconductor-oxides nanotubes via dark-catalysis
JP6145332B2 (ja) * 2013-06-20 2017-06-07 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、磁気記憶装置
TW202300959A (zh) * 2021-03-11 2023-01-01 美商應用材料股份有限公司 藉由物理氣相沉積所沉積的氧化鈦光學裝置薄膜

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100210579B1 (ko) * 1990-01-08 1999-07-15 가나이 쓰도무 강자성막 및 그 제조방법과 이것을 사용한 자기헤드
US5145713A (en) 1990-12-21 1992-09-08 Bell Communications Research, Inc. Stoichiometric growth of compounds with volatile components
ATE198733T1 (de) * 1995-09-15 2001-02-15 Rhodia Chimie Sa Substrat mit einer photokatalytischen beschichtung von titandioxyd und organische dispersionen mit titandioxyd
US6027766A (en) * 1997-03-14 2000-02-22 Ppg Industries Ohio, Inc. Photocatalytically-activated self-cleaning article and method of making same
JPH1192176A (ja) * 1997-07-22 1999-04-06 Bridgestone Corp 光触媒膜及びその作製方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014123252A1 (ko) * 2013-02-05 2014-08-14 Lim Seong-Kyu 보조렌즈 착탈형 안경

Also Published As

Publication number Publication date
CN1289707C (zh) 2006-12-13
KR20020068041A (ko) 2002-08-24
EP1314793A1 (en) 2003-05-28
US20030091500A1 (en) 2003-05-15
WO2002018668A1 (en) 2002-03-07
JP2002145622A (ja) 2002-05-22
EP1314793A4 (en) 2007-10-03
US6919138B2 (en) 2005-07-19
CN1388838A (zh) 2003-01-01
JP3569763B2 (ja) 2004-09-29
US20050233163A1 (en) 2005-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100560553B1 (ko) 이산화티탄ㆍ코발트 자성막 및 그 제조 방법
Hays et al. Effect of Co doping on the structural, optical and magnetic properties of ZnO nanoparticles
Vijayaprasath et al. Structural and magnetic behavior of Ni/Mn co-doped ZnO nanoparticles prepared by co-precipitation method
López-Suárez et al. Optical, structural and electrical properties of ZnO thin films doped with Mn
Shibata et al. Indications of Intrinsic Chemical and Structural Inhomogeneity in Lightly Doped La 1− x Sr x MnO 3
Boulkroune et al. Hydrothermal synthesis of strontium-doped ZnS nanoparticles: structural, electronic and photocatalytic investigations
Duraimurugan et al. Morphology and size controlled synthesis of zinc oxide nanostructures and their optical properties
JP4298194B2 (ja) 自然超格子ホモロガス単結晶薄膜の製造方法。
Alzahrani et al. Effect of calcination temperature on the structural and optical properties of (ZnO) 0.8 (ZrO2) 0.2 nanoparticles
Ono et al. Epitaxial growth of a homogeneous anatase TiO2 thin film on LaAlO3 (0 0 1) using a solvothermal method with anticorrosive ligands
Shanmugam et al. Enhanced solar-light-driven photocatalytic activity of surfactant-assisted Sn4+-doped ZnO
Chambers et al. Molecular beam epitaxial growth and characterization of mixed (Ti, Nb) O2 rutile films on TiO2 (100)
Pitchaimani et al. Microstructure, optical and structural characterization of Cd0. 98Fe0. 02S thin films co-doped with Zn by chemical bath deposition method
Da Silva et al. Deposition and photo-induced electrical resistivity of dip-coated NiO thin films from a precipitation process
Golego et al. Characterization of KTiOPO4 thin films grown by spray pyrolysis
Zhao et al. Optical Properties of Mg x Zn 1− x O Polycrystalline Thin Films Prepared by Sol-Gel Deposition Method
Kassim et al. EXPERIMENTAL AND DFT STUDY ON THE EFFECTS OF Mn DOPING ON THE STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF CUO NANOPARTICLES
Hassanpour Controlled Hydrothermal Growth of ZnO Nanorod Arrays: Selective Growth and Cation Doping
Liu Study on Fabrication and Characterization of Zn1-xMgxO Thin Films and Zn1-xMgxO/AgyO Heterojunction Diodes by Mist-CVD
Sagan et al. Properties of multicomponent (Mn-Ni-Co-Al-Si-Ti) oxide spinel hierarchically organized nanostructures deposited by magnetron sputtering in two temperatures.
Asikuzun et al. Effect of doping on microstructure and optical properties of ternary structure of Zn 1− x− y B x C y O (B= Cu, C= Co) nano thin films
Mahdee et al. Studying the effect of adding Mo on the optical and structural properties of the CoFe2O4 compound
Akinwunmi et al. Synthesis and characterization of metal organic chemical vapour deposited chromium doped zinc oxide thin film for gas sensing applications
John et al. Electrical conductivity, carrier concentration, mobility and XPS studies on thin films of metallic PdCoO2 delafossite
Demirozu Senol et al. The Effects of Ni/Cu Co-Doped Zno Nanorods: Structural, and Optoelectronic Study

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120224

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee