KR100552225B1 - 게이트구동회로 - Google Patents

게이트구동회로 Download PDF

Info

Publication number
KR100552225B1
KR100552225B1 KR1020030073326A KR20030073326A KR100552225B1 KR 100552225 B1 KR100552225 B1 KR 100552225B1 KR 1020030073326 A KR1020030073326 A KR 1020030073326A KR 20030073326 A KR20030073326 A KR 20030073326A KR 100552225 B1 KR100552225 B1 KR 100552225B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate
power
drive signal
power supply
terminal
Prior art date
Application number
KR1020030073326A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040034550A (ko
Inventor
타케하라노부요시
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20040034550A publication Critical patent/KR20040034550A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100552225B1 publication Critical patent/KR100552225B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • H02M3/1588—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load comprising at least one synchronous rectifier element
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/0406—Modifications for accelerating switching in composite switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0036—Means reducing energy consumption
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

게이트구동회로는, 직류전원; 하이레벨 또는 로레벨신호를 출력하는 구동신호원; 상기 구동신호원으로부터 출력된 신호가 게이트단자에 입력되고, 상기 신호의 레벨에 따라서 소스단자와 드레인단자간의 도통상태를 제어하는 주스위치소자; 상기 소스단자와 드레인단자간이 도통상태로 되었을 때에 통전되는 부하; 상기 구동신호원과 상기 게이트단자와의 사이에 접속되어, 상기 구동신호원으로부터 상기 게이트단자로의 방향에만 신호를 출력하는 역류방지수단; 및 상기 게이트단자와 상기 직류전원의 고전위측과의 사이에 접속되어, 상기 소스단자와 드레인단자간이 비도통상태인 때에 도통상태로 되는 회생수단을 구비하고 있으며, 상기 소스단자와 드레인단자간이 도통상태로 되는 게이트-소스 역치전압이, 직류전원의 출력전압보다도 높게 되어 있다.

Description

게이트구동회로{GATE DRIVING CIRCUIT}
도 1은, 본 발명의 제 1실시형태에 의한 게이트구동회로의 구성을 표시한 블록도
도 2는, 도 1의 회로에서 게이트 차지의 회생시의 등가회로를 표시한 블록도
도 3은, 도 1의 회로와 종래의 게이트구동회로간의 에너지의 비교를 표시한 표
도 4는, 본 발명의 제 2실시형태에 의한 게이트구동회로의 구성을 표시한 블록도
도 5는 도 4의 게이트구동회로의 동작에 필요한 각 부의 전위를 표시한 도면
도 6은 본 발명의 제 3실시형태에 의한 푸시-풀방식 전력변환기의 구성을 표시한 도면
도 7은 비교예로서의 종래의 푸시-풀방식 전력변환기의 구성을 표시한 블록도
도 8은 제 4실시형태에 의한 푸시-풀방식 전력변환기의 구성을 표시한 블록도
도 9는 비교예로서의 종래의 푸시-풀방식 전력변환기의 구성을 표시한 블록도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 역류방지수단 2: 회생수단
3, 3a, 3b: 주스위치소자 4: 부하
5: 구동신호원 6: 고전위측 단자
7: 저전위측 단자 8: 직류전원
9: 기생인피던스 10: 게이트의 정전용량
40: 트랜스 50a, 50b, 50c, 50d: 정류다이오드
60, 60a, 60b: 회생블록 70: 평활화 코일
71: 평활화 콘덴서 81; 태양전지
82: 콘덴서 90: 축전지
100: 역류방지다이오드 101: 3상 버퍼
200: MOSFET 201: NOT소자
본 발명은, 게이트구동회로에 관한 것으로, 상세하게는, 전력변환장치 등에서 사용되는 게이트구동회로에 관한 것이다.
근년, 화석연료의 사용에 따른 2산화탄소 등의 배출에 의한 지구온난화나, 원자력발전소의 사고나 핵폐기물에 의한 방사능오염 등의 문제가 심각하게 되어, 지구환경과 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 이와 같은 상황하, 무진장하고 청정한 에너지원으로서 태양광을 이용하는 태양광발전, 지열원을 이용하는 지열발전, 풍력을 이용하는 풍력발전 등이 세계에서 실용화되고 있다.
이와 같은 자연에너지에 의해서 발전된 직류전력은, 인버터라 불리는 전력변환장치에 의해서 교류전력으로 변환되고, 예를 들면, 상용 전력계통에 공급된다.
이와 같은 전력변환장치에서는, 변환효율의 향상이 중요하고, 게이트구동회로에 있어서의 손실은 무시할 수 없다. 이 손실을 감소시키기 위해, 스너버(snubber)에너지를 게이트구동에 이용하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 평 5-344708호 공보 참조). 또, 트랜지스터의 컨버터의 게이트전력을 게이트구동회로의 전원측에 회생하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 일본국 공고특허 평 3-36332호 공보 참조). 이들 기술은, 일반적으로는 전력회생기술의 일종으로 여겨지고, 이와 같은 기술을 이용하지 않는 경우에는, 게이트전력은, 그대로 전력손실로 된다.
한편, 태양전지에 의해서 발전된 전력을 유효하게 활용하는 방법으로서, 단일 셀 컨버터 시스템이 제안되어 있다(미국 특허 제 5,660,643호 참조). 이 방법에 의하면, 복수의 태양전지를 직렬접속하지 않고, 1V정도의 저전압인 채로 전력변환장치에 입력하여, 승압해서 이용한다고 하는 것이다.
이와 같은 변환장치에 있어서도 게이트구동전력 및 전력손실의 저감은 중요한 과제이다. 그러나, 저전압이고 취급전력도 비교적 소량인 영역에서 사용되는 게이트구동회로에 적합한 전력손실을 저감하는 방법은 이제까지 제안되어 있지 않다.
본 발명의 목적은, 저전압이고 취급하는 전력이 소량인 영역에서 사용되는 전력손실을 저감한 게이트구동회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일측면에 의하면, 상기 목적은, 직류전원; 하이(high)레벨 또는 로(low)레벨신호를 출력하는 구동신호원; 상기 구동신호원으로부터 출력된 신호가 게이트단자에 입력되고, 상기 신호의 레벨에 따라서 소스단자와 드레인단자간의 도통상태를 제어하는 주(主)스위치소자; 상기 소스단자와 드레인단자간이 도통상태로 되었을 때에 통전되는 부하; 상기 구동신호원과 상기 게이트단자와의 사이에 접속되어, 상기 구동신호원으로부터 상기 게이트단자로의 방향에만 신호를 출력하는 역류방지수단; 및 상기 게이트단자와 상기 직류전원의 고전위측과의 사이에 접속되어, 상기 소스단자와 드레인단자간이 비도통상태인 때에 도통상태로 되는 회생수단을 구비하고, 상기 소스단자와 드레인단자간이 도통상태로 되는 게이트-소스 역치전압이, 직류전원의 출력전압보다도 높게 되어 있는 것을 특징으로 하는 게이트구동회로를 제공함으로써 달성된다.
이러한 구성에 의하면, 주스위치소자를 구동할 때에 사용되는 전력의 일부를 전원측 혹은 부하측에 회생(재이용)하는 것이 가능하므로, 주스위치소자의 구동에 따른 전력의 손실을 감소시키는 것이 가능하다. 또, 주스위치소자가 비도통상태인 때에, 게이트단자에 인가되는 전압이 직류전원의 전압까지밖에 강하하지 않으므로, 도통시와 비도통시의 게이트의 전위차가 적어져, 도통상태로 될 때까지 필요한 구동전력도 감소시키는 것이 가능해진다.
따라서, 저전압이고 취급하는 전력이 소량인 영역에서 사용하는 게이트구동 회로에 있어서 전력손실을 저감시키는 것이 가능하다.
상기 게이트구동회로에 있어서, 상기 주스위치소자는 N-채널MOSFET 또는 N-채널IGBT를 포함해도 된다.
또, 상기 게이트구동회로에 있어서, 상기 역류방지수단은 다이오드를 포함해도 된다.
또한, 상기 게이트구동회로에 있어서, 상기 회생수단은 MOSFET이어도 된다.
또, 본 발명의 다른 목적은, 상기 게이트구동회로를 이용하는 전원회로를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 상기 목적은, 직류전원; 하이레벨 또는 로레벨신호를 출력하는 구동신호원; 상기 구동신호원으로부터 출력된 신호가 게이트단자에 입력되고, 상기 신호의 레벨에 따라서 소스단자와 드레인단자간의 도통상태를 제어하는 주스위치소자; 상기 소스단자와 드레인단자간이 도통상태로 되었을 때에 통전되는 부하; 상기 구동신호원과 상기 게이트단자와의 사이에 접속되어, 상기 구동신호원으로부터 상기 게이트단자로의 방향에만 신호를 출력하는 역류방지수단; 및 상기 게이트단자와 상기 직류전원의 고전위측과의 사이에 접속되어, 상기 소스단자와 드레인단자간이 비도통상태인 때에 도통상태로 되는 회생수단을 지닌 게이트구동회로를 구비하고, 상기 게이트구동회로에 있어서, 상기 소스단자와 드레인단자간이 도통상태로 되는 게이트-소스 역치전압이, 직류전원의 출력전압보다도 높게 되어 있고, 상기 소스단자와 드레인단자간이 도통상태로 된 때에, 상기 부하에 상기 직류전원으로부터의 출력전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 전원회로를 제공 함으로써 달성된다.
또한, 상기 전원회로에 있어서, 상기 부하가 트랜스의 1차측 코일을 포함해도 된다.
또, 상기 전원회로는, DC/AC변환을 행해도 된다.
또한, 상기 전원회로에 있어서, 상기 직류전원은, 직렬접속되어 있지 않은 복수의 태양전지를 포함해도 된다.
본 발명의 기타 특징과 이점은, 첨부도면과 관련해서 취한 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다. 또, 첨부도면을 통해서, 동일한 명칭 또는 동일한 부품은 동일한 참조부호로 표기하고 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 첨부도면을 참조해서 상세히 설명한다.
<제 1실시형태>
도 1은 본 발명의 제 1실시형태에 의한 게이트구동회로의 구성을 표시한 블록도이다. 도 1에 표시한 바와 같이, 게이트구동회로는, 역류방지수단(1), 회생수단(2), 주스위치소자(3), 부하(4), 게이트구동신호원(5) 및 직류전원(8)을 포함하고 있다. 또, (6)은 전원의 고전위측 단자, (7)은 전원의 저전위측 단자이다. 이하, 각 구성요소와 그의 동작에 대해서 설명한다.
[주스위치소자(3)]
주스위치소자(3)는, MOS형 게이트스위치소자이며, 그 도전형은 P채널이어도 N채널이어도 된다. 본질적으로 중요한 것은, 게이트 온으로 되는 역치전압의 절대치와 전원전압의 절대치와의 대소관계이며, 전자가 후자보다도 큰 것이, 본 발명에서는 필수조건이다. 이와 같은 관계가 성립할 경우에만, 본 발명의 효과인 "게이트 차지(charge)의 회생에 의한 효율향상"을 얻을 수 있다.
또, 본 명세서에 있어서, "전원의 고전위측"이란, 스위치소자의 도전형에 의존하고 있어, N채널 MOSFET나 N채널IGBT에서는 전원의 정극측에 상당하고, P채널 MOSFET나 P채널IGBT에서는 전원의 부극측에 상당하며, 단순한 전압의 고저를 나타내는 것이 아님에 주의해야 한다. 또, "전원의 저전위측"이란, "전원의 고전위측"과 반대로 되는 다른 쪽에 상당한다.
[역류방지수단(1)]
역류방지수단(1)은, 단적으로 주스위치소자(3)와 동기동작하는 스위치수단이며, 다이오도가 적합하다. 다이오드이외에, 릴레이와 같은 기계식 접점, 소용량 MOSFET, 또한, 디지틀회로에서 사용되는 3상 게이트(하이(high), 로(low)외에, 하이임피던스(무접속)상태라고 하는 3개의 상태를 출력가능한 로직게이트)도 사용가능하다. 또, 포토다이오드와 MOSFET를 조합시킨 소자인 포토MOS릴레이류도 사용할 수 있다.
본 실시형태에서는, 이와 같은 주스위치소자(3)가 온인 때에 스위치수단을 온(도통상태)으로 하는 한편, 주스위치소자가 오프인 때에 스위치수단을 오프(비도 통상태)로 하도록 제어하는 수단과 함께 역류방지수단(1)이 구성된다.
[회생수단(2)]
회생수단(2)은, 주스위치소자(3)와 상보적으로 동작하는 스위치수단이며, 기본적으로는 역류방지수단(1)과 마찬가지의 스위치수단으로 구성될 수 있다. 단, 회생수단(2)으로서는, 다이오드는 적합하다고는 말할 수 없다. 왜냐하면, 다이오드를 이용할 경우에는, 게이트에 고전위가 인가되어서 주스위치소자(3)가 온으로 될 때에, 전원측에 전류가 흘러 버려, 주스위치소자(3)가 온인 사이에, 계속해서 전력손실이 생기기 때문이다.
따라서, 본 실시형태의 회생수단(2)으로서는, 소용량 MOSFET 등의 제어단자에 의한 도통상태가 제어가능한 스위치소자를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고, 이와 같은 주스위치소자(3)가 온상태인 때에는 스위치수단을 온으로 하는 한편, 주스위치소자(3)가 오프상태일 때는 스위치수단을 오프로 하도록 제어하는 수단과 함께, 본 실시형태의 회생수단이 구성된다.
회생수단(2)에 사용되는 스위치수단으로서는, 특히 주스위치소자(3)와 동일한 도전형의 소용량 MOSFET가 적합하다. 이것은, 상술한 바와 같이 게이트온으로 되는 역치전압의 절대치가 전원전압의 절대치보다도 크다고 하는 전위관계를 이용하면, 주스위치소자(3)를 구동하는 전원으로 이 스위치수단을 구동하는 일이 가능하지기 때문이다. 또, 이 때 소용량 MOSFET에도 주스위치소자와 마찬가지로 게이트 차지에 의한 손실이 발생하나, 회생수단으로서 이용하는 스위치수단은 주스위치 소자를 구동할 수 있는 정도의 소용량의 것으로 충분하므로, 게이트 차지에 의한 전력손실은 주스위치소자의 그것에 비해서 현저하게 적다. 이 게이트 차지에 관해서는, 소용량의 N채널 MOSFET는 고성능이고, 특히 게이트 차지가 적다.
[부하(4)]
부하(4)로서는, 특히 제한은 없고, 저항성 부하, 유전성 부하, 또는 트랜스의 1차코일 등, 적절하게 필요한 부하를 사용하는 것이 가능하다.
[직류전원(8)]
직류전원(8)에 대해서도 그 종류에 특히 제한은 없으나, 그 출력전압은 주스위치소자(3)가 온으로 되는 게이트전압의 역치보다도 낮은 것이 필수이다. 예를 들면, 주스위치소자(3)가 온으로 되는 게이트전압이 2V라면, 전원전압이 낮은 값, 예를 들면, 1V일 필요가 있다.
일반적으로, MOSFET의 도통저항치는 게이트전압에 대해서 지수함수적으로 변화하므로, 어플리케이션이 필요로 하는 온상태에서의 저항치를 얻기 위한 역치전압은, 실측 등으로 적절하게 구할 필요가 있다. 사용하는 소자의 데이터시트에 기재된 값을 참고하는 것도 가능하나, 그 때에는, 그 때의 스위치소자의 저항치(이것은 데이터시트상에서 계측조건으로서 정의된 일이 많다)에 주의를 기울일 필요가 있다.
또, 본 실시형태에 있어서는 주스위치소자(3)가 오프일 때에 게이트에 인가되는 전압은, 직류전원의 전압과 동등해 지지만, 0으로는 되지 않는다. 따라서, 직류전원의 전압은, 상기와 같이 해서 구해진 역치전압보다도 충분히 낮게 설정하지 않으면, 회생시에 주스위치소자(3)가 오프로 되지 않고, 부하에 대한 전원공급제어가 가능하지 않게 되어 버린다.
또한, 본 실시형태에서 사용되는 직류전원에는, 게이트로부터 흘러들어오는 에너지를 입수하는 기능이 필요하고, 이 때문에 전해콘덴서 등으로 대표되는 축전수단을 지닐 것이 요망된다. 단, 축전수단에 대해서는, 전원에 존재하는 기생용량으로도 충분한 경우도 있으므로, 반드시 콘덴서를 설치할 필요는 없다.
이상과 같은 조건을 만족시키면, 직류전원으로서는 각종의 것이 선택가능하며, 예를 들면, 태양전지, 연료전지, 알칼리건전지, 니켈수소전지 등이 사용가능하다.
[게이트구동신호원(5)]
본 실시형태의 게이트구동신호원(5)은 단순한 신호원이 아니라, 게이트정전용량을 구동할 수 있는 전력을 공급할 수 있는 소용량 전원기능도 지닐 필요가 있다. 그 출력전압으로서는, 주스위치소자(3)가 온으로 되는 데 충분한 전압이 필요하며, 2.5 내지 15V정도가 사용된다. 최근에는, 로직IC의 저전압화에 맞춰서 3.3V나 5V가 특히 바람직하게 이용된다. 신호원으로서 이용되는 발진회로나 전원회로로서는, 공지 또는 주지의 회로가 사용가능하며, 그 구성은, 본 발명의 본질과는 거의 관련이 없으므로 상세한 설명은 생략한다.
(구체적 구성)
이하, 상기 실시형태의 동작에 관해서, 상세하게 설명한다. 또, 이하의 동작설명은, 직류전원(8)으로서는 시판의 AA 알카리-망간건전지(출력전압: 1.5V)와 다층세라믹콘덴서(100㎌)를 병렬 접속한 것을 이용하고, 부하(4)로서는 100Ω의 저항을 이용하고, 역류방지수단(1) 및 회생수단(2)에는 시판의 포토MOS릴레이를 사용하였다.
또, 주스위치소자(3)로서는, N채널 파워 MOSFET(페어챠일드 반도체사 제품, 형명 ISL9N302AP)를 사용하였다. N채널 MOSFET는 가장 일반적인 파워소자이므로, P채널소자보다도 고성능이 쉽게 얻어지므로, 바람직하게 이용된다. 또, 본 실시형태에서 사용한 MOS의 데이터시트에는 역치전압은 1.0 내지 3.0V로 표시되어 있으나, 실측한 도통저항은 게이트전압을 전원전압과 동등한 1.5V정도로 한 때에 10㏁이상(즉, 오프상태)이며, 본 실시형태의 동작에 관해서 지장은 없다. 실질적으로 온상태로 되는 역치전압은, 전원전압보다도 훨씬 높다고 말할 수 있다. 이와 같이 본 발명의 실시에 있어서는, 전원전압을 주스위치소자의 게이트에 가한 상태에서 주스위치소자가 오프상태로 되는 것이 본질적으로 중요하다.
구동용 신호원(5)으로서는 출력 5V의 직사각형파 발진기(발진주파수: 100㎐)를 이용하고, 그 출력을 역류방지수단(1)과 주스위치소자(3)의 게이트에 접속하여, 회생수단(2)에는 상기 발진기의 부정(negative) 출력을 접속하였다. 이것에 의해, 발진기의 출력이 5V(하이레벨)인 때에는, 주스위치소자(3)와 역류방지수단(1) 이 온으로 되고, 회생수단(2)은 오프로 된다. 한편, 발진기의 출력이 0V(로레벨)일 때에는 역류방지수단(1) 및 주스위치소자(3)가 오프로 되고, 회생수단(2)이 온으로 된다. 본 발명의 효과를 얻기 위해서는, 다른 회로부품으로 구성한다해도 상기와 같은 스위치의 동작을 실현하는 것이 필요하다.
또, 비교를 위한 회로로서, 도 9에 표시한 종래의 게이트구동회로를 이용하였다. 이 회로는, 본 실시형태의 구성으로부터, 역류방지수단과 회생수단을 제거한 것이다.
(동작)
(1) 온 동작
구동용 신호원(5)으로서의 발진기출력이 5V로 되면, 역류방지수단(1)을 개재해서 주스위치소자(3)의 게이트가 5V로 충전된다. 주스위치소자(3)의 게이트의 정전용량은 11000pF이고, 게이트에는 1/2CV2(J)의 에너지가 축적된다. 또, 비교를 위한 종래 회로에서도 온일 때의 동작은 마찬가지이다.
(2) 오프 동작
구동용 신호원(5)으로서의 발진기출력이 0V로 되면, 역류방지수단(1)이 오프로 되고, 회생수단(2)이 온으로 된다. 도 2는 이 상태의 등가회로도이다. 용량(10)은 주스위치소자(3)의 게이트의 정전용량을 나타내고 있고, (9)는 기생임피던스이다. 용량(10)은 기생임피던스(9)를 통해서 직류전원(8)에 접속된다.
게이트구동전압은 5V이고, 직류전원(8)의 전압은 1.5V이므로, 용량(10)에 축적된 전하의 일부는 직류전원(8)에 흘려들어가, 에너지가 회생되게 된다. 회생량은, 직류전원(8)의 전압과 게이트구동전압의 비로 결정되며, 이 경우에는, 직류전원의 전압이 1.5V, 게이트구동전압이 5V이므로, 구동용 신호원(5)으로부터 게이트로 송출된 에너지의 약 30%(=1.5/5)가 전원측에 회생된다. 이것에 의해 게이트전압은 직류전원(8)의 전압인 1.5V까지 내려가나, 그것 이하로는 내려가지 않는다.
이것에 대해서 도 9의 종래회로에서는, 게이트전압은 0V까지 내려가고, 게이트의 정전용량에 의해 축적된 에너지는, 그대로 저전위측에서 방출되어 손실되게 된다.
(3) 재차의 온 동작
종래의 회로에서는, 주스위치소자(3)가 온상태로 되는 데는 0V에서부터 5V로의 충전이 필요하게 되나, 본 실시형태의 회로에서는, 1.5V에서 5V로의 충전이면 되므로, 주스위치소자(3)가 재차 온상태로 되는 데 필요한 에너지도 감소되게 된다.
도 3은, 상기 실시형태 및 종래예의 동작에 있어서의 에너지회수량 등을 구체적으로 계산한 결과를 표시한 것이다. 도3에 표시한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 송출에너지의 약 30%를 회수할 수 있는 동시에, 온일 때의 송출에너지도 종래예보다 절약되므로, 결국 게이트구동에너지총량(= 송출에너지 - 회수에너지)를 종래예와 비교해서 약 51% 삭감할 수 있다. 이와 같이, 게이트구동에너지가 삭감될 수 있으므로, 게이트구동용 전원을 소용량으로 하는 것이 가능하다.
<제 2실시형태>
이하, 본 발명에 관한 제 2실시형태에 대해서 설명한다. 또, 이하의 설명에 있어서는 상기 제 1실시형태와 마찬가지 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 4는 본 발명의 제 2실시형태에 의한 구동회로의 구성을 표시한 도면이다. 본 실시형태에 있어서의 구체적인 구성을 설명하면, 직류전원(8)으로서는, 시판의 니켈수소전지(1.2V)와 알루미늄전해콘덴서(470㎌)를 병렬접속한 것을 이용하였다. 주스위치소자(3), 구동신호원(5) 및 부하(4)는 제 1실시형태와 마찬가지의 구성으로 하였다.
역류방지수단으로서는 쇼트키 배리어 다이오드(100)를 사용하고, 회생수단으로서는 소용량 N채널 MOSFET(200)(인터내셔널 렉티파이어사제품, 형명 IRLMS1902)를 사용하였다. 이와 같이 역류방지수단에 다이오드를 사용하였으므로, 자동적으로 역류방지가 가능해져, 구동신호원(5)으로부터의 배선을 생략할 수 있다.
또, NOT소자(201)를 개재해서 소용량 MOSFET(200)의 게이트에 주스위치소자(3)에 인가되는 것과는 역논리의 신호를 보내, 소용량 MOSFET(200)가 주스위치소자(3)가 온으로 될 때에는 오프로, 주스위치소자(3)가 오프로 될 때에는 온으로 되도록 하였다.
소용량 MOSFET(200)는, 도 4에 표시한 바와 같이 소스단자가 직류전원(8)의 고전위측에 접속되고, 드레인단자가 주스위치소자(3)의 게이트단자에 접속된다. 이것은 통상의 접속(통상은 N채널MOSFET에서는 전원의 정전위측에 드레인단자가 접속됨)과는 역의 접속이나, 이것에 의해 MOSFET의 내장다이오드를 통해서 주스위치소자(3)의 게이트에 축적된 전하가 방전되는(누설되는) 것이 방지된다.
또, 전위의 관계로부터, 주스위치소자(3)가 오프인 때에는 소용량 MOSFET(200)의 소스-게이트간 전압은, 3.8V(=5V-1.2V)로 되므로, 이와 같은 전압에서 온으로 되는 디바이스를 선택할 필요가 있다. 본 실시형태에서 이용한 소용량 MOSFET(200)는, 당연, 이 요건을 충족하고 있다. 이와 같이 해서 주스위치소자(3)의 게이트에 축적된 전하는, 소용량 MOSFET(200)를 개재해서 직류전원(8)에 회생된다.
도 5는, 본 실시형태에 있어서의 전위의 관계를 표시한 도면이다. 본 실시형태를 동작시키기 위해서는, 주스위치소자(3)가 온으로 되는 게이트의 역치전위, 직류전원(8)의 전위 및 주스위치소자(3)를 온상태로 해야할 게이트에 인가되는 구동전위간의 관계는, 도 5에 표시한 바와 같이 될 필요가 있다.
본 실시형태는, 제 1실시형태보다도 컴팩트한 구성으로 한 것을 특징으로 한다. 본 실시형태의 소용량 MOSFET(200), NOT소자(201) 및 역류방지다이오드(100)로 이루어진 회생블록(60)은, 1개의 반도체칩으로 형성하는 것도 용이하다. 본 실시형태의 동작에 관해서는, 제 1실시형태와 마찬가지이므로, 그의 설명을 생략한다.
<제 3실시형태>
이하, 본 발명에 관한 제 3실시형태에 대해서 설명한다. 또, 이하의 설명에 있어서는 상기 제 1 및 제 2실시형태와 마찬가지인 부분에 대해서는 동일한 부호로 표기하고, 그의 설명을 생략한다.
본 실시형태는, 푸시-풀(push-pull)방식 전력변환회로에 본 발명에 관한 게이트구동회로를 적용한 예이다. 도 6은, 본 발명의 게이트구동회로를 적용한 푸시-풀방식 전력변환기를 지닌 태양광발전시스템을 표시한 블록도이다.
이 태양광발전시스템은, 직류전원으로서 태양전지(81)와 콘덴서(82)를 병렬접속한 것을 지니고, 제 2실시형태의 게이트구동회로와 마찬가지의 주스위치소자(3a), (3b) 및 회생블록(60a), (60b)을 각각 2개 지니고 있다. 또, 전력변환을 위해 트랜스(40), 다이오드 브리지(50a) ~ (50d) 및 코일(70)과 콘덴서(71)로 이루어진 평활화 필터를 지니고 있고, 변환된 전력은 2차전지(90)에 축적된다.
도 6의 구성에 있어서, 태양전지(81)로서는 주지의 텐덤형 태양전지에 있어서, 외부에서 전기적으로 직렬접속되어 있지 않은, 소위 "단일 셀"형 태양전지모듈(표준측정조건(AM 1.5, 1.0㎾/㎡)하에서의 출력이 1.0V 10A)을 이용하고, 콘덴서(82)로서는 적층세라믹콘덴서(100㎌)를 이용하였다. 트랜스포머(82)로서는, 1:15의 권선비를 지닌 것을 이용하였다. 이 트랜스포머(40)의 1차측 코일이 주스위치소자(3)의 부하로서 사용되고 있다. 또, 트랜스포머(40)의 2차측 코일로부터의 출력은, 다이오드 브리지(50a) ~ (50d)에 의해서 정류되고, 코일(70)과 콘덴서(71)로 이루어진 평활화 필터를 통해서 평활화되고, 시판의 2차전지(90)(전압: 12V, 용량: 200Ah)로 송출된다. 구동신호원(5)으로서는, 50%듀티의 직사각형파 발진기를 이용하고, 주스위치소자(3a) 및 (3b)를 교대로 온/오프시키도록 구동한다.
도 7은, 비교예로서의 종래방법에 의한 게이트구동회로를 채택한 회로를 표시한 도면이다. 이 회로는, 도 6에 표시된 회로에 비해서 회생블록(60a) 및 (60b)을 이용하고 있지 않은 점에서 다른 것을 용이하게 이해할 수 있을 것이다.
본 실시형태에서의 회생블록(60a) 및 (60b)의 동작은, 제 2실시형태에서 설명한 것과 마찬가지이며, 주스위치소자(3a) 및 (3b)의 게이트에 축적된 전하를 전원측 및 부하측에 직접 회생하도록 동작하므로, 게이트구동전력을 삭감시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 푸시-풀회로와 같은 전력변환기에 있어서도 유효한 기술이다. 특히 본 실시형태의 푸시-풀회로와 같이 50%듀티에서 구동하는 회로에서는, 주스위치소자(3a) 및 (3b)에 대한 구동신호는 서로 상보적 관계이므로, 이 관계를 직접 이용함으로써 회생블록중에 포함되는 NOT소자를 생략하는 것도 가능하며, 회생블록의 구성을 보다 간소화할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.
<제 4실시형태>
이하, 본 발명에 관한 제 4실시형태에 대해서 설명한다. 또, 이하의 설명에 있어서는 상기 제 1 내지 제 3실시형태와 마찬가지인 부분에 대해서는, 마찬가지 부호로 표기하고 설명을 생략한다.
도 8은 본 실시형태의 구성을 표시한 도면이다. 본 실시형태에서는, 회생블록(60)내에 설치되는 역류방지수단으로서, 3상 버퍼소자(101)(형식명: 74HC 126)를 이용하고, 도 8에 표시한 바와 같이 도통제어단자에 구동신호원으로부터의 신호를 그대로 입력하도록 접속하였다.
본 실시형태에서는, 구동신호원(5)으로부터의 출력이 하이레벨이면 그 출력이 그대로 주스위치소자(3)의 게이트단자에 인가되고, 구동신호원(5)으로부터의 출력이 로레벨이면, 주스위치소자(3)의 게이트단자와 구동신호원(5)이 비접속(고임피던스접속상태)상태로 되어, 상기 역류방지수단으로서 동작한다. 이와 같이 하면, 역류방지수단에 쇼트키 다이오드를 사용할 경우보다도 손실이 적게 되고, 이 구성에 의해 집적화에도 적합하다.
본 발명의 게이트구동회로는, 단일의 소자로 이루어진 장치(예를 들면, 전원장치) 또는 복수의 소자로 구성된 시스템(예를 들면, 전원시스템)에 적용할 수 있다.
본 발명에 대해서는, 그의 정신과 범위로부터 벗어남이 없이 다수의 명백하게 광범위하게 다른 실시형태를 행할 수 있으므로, 본 발명은, 첨부된 청구범위에 규정된 것이외에 구체적인 실시형태로 한정되는 것은 아니다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 주스위치소자를 구동할 때에 사용되는 전력의 일부를 전원측 혹은 부하측에 회생(재이용)하는 것이 가능하고, 주스위치소자의 구동에 따른 전력의 손실을 감소시키는 것이 가능하다. 또, 주스위치 소자가 비도통상태인 때에, 게이트단자에 인가되는 전압이 직류전원의 전압까지밖에 강하하지 않으므로, 도통시와 비도통시의 게이트의 전위차가 적어져, 도통상태로 될 때까지 필요한 구동전력도 감소시키는 것이 가능해진다.
따라서, 저전압이고 취급하는 전력이 소량인 영역에서 사용하는 게이트구동회로에 있어서 전력손실을 저감시키는 것이 가능하다.

Claims (8)

  1. 직류전원으로부터 부하로 공급되는 전력을 절환하는 절환소자;
    상기 절환소자의 게이트단자에 공급되는 구동신호를 발생하는 구동신호원;
    상기 구동신호원과 상기 게이트단자와의 사이에 접속되어, 상기 구동신호원으로부터 상기 게이트단자로 흐르는 순방향전류는 통과시키고, 상기 게이트단자로부터 상기 구동신호원으로 흐르는 역방향전류는 방지하는 역류방지수단; 및
    상기 게이트단자와 상기 직류전원 사이에 접속되어, 상기 구동신호원이 구동신호를 출력해서 상기 절환소자를 도통상태로 할 때에는 비도통이고, 상기 구동신호원이 구동신호를 출력해서 상기 절환소자를 비도통상태로 할 때에는 도통인 회생수단을 구비하고,
    상기 절환소자를 도통상태로 하는 구동신호의 전압은 상기 직류전원의 출력전압보다도 높게 되어 있는 것을 특징으로 하는 전력절환회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 절환소자는 N-채널MOSFET 또는 N-채널IGBT를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력절환회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 역류방지수단은 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력절환회로.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 회생수단은 상기 구동신호의 극성을 반전시키는 인버터와, 상기 반전된 구동신호에 의해 구동되는 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력절환회로.
  5. 제1항에 기재된 전력절환회로와, 상기 절환회로의 절환소자를 도통상태로 하는 게이트전압보다 낮은 출력전압을 가진 직류전원을 구비한 것을 특징으로 하는 부하에 전력을 공급하는 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 직류전원과 상기 부하사이에 접속되어 상기 직류전원의 출력전압을 변압하고, 그 전력을 상기 부하에 공급하는 트랜스를 부가하여 포함하는 것을 특징으로 하는 부하에 전원을 공급하는 장치.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 절환회로는 DC/AC변환을 행하는 것을 특징으로 하는 부하에 전원을 공급하는 장치.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 직류전원은, 직렬접속되어 있지 않은 복수의 태양전지셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 부하에 전원을 공급하는 장치.
KR1020030073326A 2002-10-21 2003-10-21 게이트구동회로 KR100552225B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2002-00305833 2002-10-21
JP2002305833A JP2004140977A (ja) 2002-10-21 2002-10-21 ゲート駆動回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040034550A KR20040034550A (ko) 2004-04-28
KR100552225B1 true KR100552225B1 (ko) 2006-02-14

Family

ID=32064281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030073326A KR100552225B1 (ko) 2002-10-21 2003-10-21 게이트구동회로

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6967520B2 (ko)
EP (1) EP1414153A1 (ko)
JP (1) JP2004140977A (ko)
KR (1) KR100552225B1 (ko)
CN (1) CN1512650A (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7612283B2 (en) * 2002-07-09 2009-11-03 Canon Kabushiki Kaisha Solar power generation apparatus and its manufacturing method
KR100920767B1 (ko) * 2002-12-09 2009-10-07 엘아이지넥스원 주식회사 하이 파워 증폭기용 펄스 모듈레이터의 오버슈트 방지회로
JP2004336944A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Canon Inc 電力変換装置及び太陽光発電システム
US7746153B1 (en) * 2007-11-09 2010-06-29 National Semiconductor Corporation Power FET gate charge recovery
US8547161B1 (en) * 2008-05-08 2013-10-01 Google Inc. Transistor having asymmetric gate-voltage control
DE102009024161B4 (de) * 2009-06-08 2021-11-11 Texas Instruments Deutschland Gmbh Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur DC-DC-Umwandlung
GB201016935D0 (en) 2010-10-07 2010-11-24 Mallinckrodt Inc Extraction process
JP5263317B2 (ja) 2011-02-15 2013-08-14 株式会社デンソー 半導体スイッチング素子の駆動回路
JP5310758B2 (ja) 2011-02-15 2013-10-09 株式会社デンソー 半導体スイッチング素子の駆動回路
JP5263316B2 (ja) 2011-02-15 2013-08-14 株式会社デンソー 半導体スイッチング素子の駆動回路
CN102904558B (zh) * 2012-10-15 2015-09-09 艾维新能源科技南京有限公司 一种微功耗单向导通电路
CN102970015B (zh) * 2012-11-01 2015-01-21 电子科技大学 零死区栅极驱动电路
CN103219874B (zh) * 2013-03-20 2015-03-11 北京市信息技术研究所 无人机直流调制电源漏极调制装置
JP6197442B2 (ja) * 2013-07-26 2017-09-20 三菱電機株式会社 半導体素子の駆動回路
CN104038193A (zh) * 2013-11-19 2014-09-10 西安永电电气有限责任公司 Igbt驱动装置及其驱动方法
US10250249B1 (en) 2017-06-30 2019-04-02 Bel Power Solutions Inc. Recuperative gate drive circuit and method
US10511297B2 (en) 2017-07-25 2019-12-17 Psemi Corporation High-speed switch with accelerated switching time

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3654518A (en) * 1970-09-17 1972-04-04 Caterpillar Tractor Co Fast acting solid state circuit breaker
US3641424A (en) * 1970-11-20 1972-02-08 Trw Inc Regenerative voltage regulators
US4481434A (en) * 1982-06-21 1984-11-06 Eaton Corporation Self regenerative fast gate turn-off FET
JPS6014519A (ja) * 1983-07-04 1985-01-25 Kyosan Electric Mfg Co Ltd トランジスタインバ−タのベ−ス駆動装置
US4709316A (en) * 1985-12-27 1987-11-24 General Electric Company Single-ended DC-to-DC converter with lossless switching
FR2627033B1 (fr) * 1988-02-04 1990-07-20 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de commande de grille d'un transistor mos de puissance fonctionnant en commutation
JPH0336332A (ja) 1989-06-30 1991-02-18 Komatsu Ltd 油圧式掘削機
JPH03286619A (ja) * 1990-04-02 1991-12-17 Mitsubishi Electric Corp 絶縁ゲート形半導体装置のゲート駆動回路および該回路を用いたフラッシュ制御装置
US5315533A (en) * 1991-05-17 1994-05-24 Best Power Technology, Inc. Back-up uninterruptible power system
US5264736A (en) * 1992-04-28 1993-11-23 Raytheon Company High frequency resonant gate drive for a power MOSFET
JP2780566B2 (ja) * 1992-06-10 1998-07-30 株式会社日立製作所 電力変換器
US5347164A (en) * 1992-10-08 1994-09-13 Accton Technology Corporation Uninterruptible power supply having a 115V or 230V selectable AC output and power saving
US5298797A (en) * 1993-03-12 1994-03-29 Toko America, Inc. Gate charge recovery circuit for gate-driven semiconductor devices
CH685272A5 (de) * 1993-06-29 1995-05-15 Pms En Ag Solarzellen-Anlage.
US5455757A (en) * 1994-01-28 1995-10-03 Compaq Computer Corp. Power converter having regeneration circuit for reducing oscillations
US5467047A (en) * 1994-07-15 1995-11-14 Motorola, Inc. Power transistor rapid turn off circuit for saving power
US5737208A (en) * 1996-05-24 1998-04-07 Chen; Sung-Chin Modular uninterruptable power supply system
US6093883A (en) * 1997-07-15 2000-07-25 Focus Surgery, Inc. Ultrasound intensity determining method and apparatus
JPH11251615A (ja) * 1998-03-03 1999-09-17 Canon Inc 融雪機能付き太陽光発電システム
AU755700B2 (en) * 1999-11-29 2002-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Power generation system, and method for installing the same
JP2001345472A (ja) * 2000-03-29 2001-12-14 Canon Inc 太陽電池モジュールの検査方法、検査装置及び製造方法、太陽光発電システムの点検方法及び点検装置、並びに絶縁抵抗測定器及び耐電圧試験器
JP2002158021A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Sony Corp 発電装置およびこれに用いる水素カートリッジ
US6731023B2 (en) * 2001-03-29 2004-05-04 Autoliv Asp, Inc. Backup power supply for restraint control module

Also Published As

Publication number Publication date
US20040075486A1 (en) 2004-04-22
CN1512650A (zh) 2004-07-14
JP2004140977A (ja) 2004-05-13
KR20040034550A (ko) 2004-04-28
US6967520B2 (en) 2005-11-22
EP1414153A1 (en) 2004-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100552225B1 (ko) 게이트구동회로
US9941722B2 (en) Converter and method for extracting maximum power from piezo vibration harvester
CN102246405B (zh) 用于单相和多相系统的通用ac-dc同步整流技术
US8503199B1 (en) AC/DC power converter with active rectification and input current shaping
JP3505068B2 (ja) 同期整流式ｄｃ−ｄｃコンバータ
US9385624B2 (en) Rectifier circuit
CN102265499A (zh) Ac-dc转换器
JPH09322547A (ja) マルチレベルインバータ
CN102570833B (zh) 同步整流控制电路、方法和变换器
CN1158749C (zh) 控制电路的电源电路
KR20110113714A (ko) 인터버 회로
CN111181442B (zh) 一种自适应压电能量收集接口电路
CN1479441B (zh) 电力再生电路及电力变换装置
CN109347311A (zh) 一种双管正激同步整流电路的自驱驱动电路
CN105811773A (zh) 减小与同步整流mosfet相关联的开关损耗
JP2001224172A (ja) 電力変換装置
CN111817535A (zh) 一种待机零功耗的开关电源及用电设备
CN101860180A (zh) Mos管驱动装置及电源模块
JP2007166794A (ja) 電源回路
CN102035380A (zh) 脉宽调制电源电路
US20220181985A1 (en) Power conversion system, and diagnosis method and program for power conversion circuit
CN215072184U (zh) 高压放电电路及高压系统
CN214756068U (zh) 一种高频滤波电路及其电源
CN101478236B (zh) 电压转换器
CN118157498A (zh) 基于同步磁通提取的升压电路及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120127

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130123

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee