KR100551606B1 - 고전력 전자빔 작동 방법 - Google Patents
고전력 전자빔 작동 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100551606B1 KR100551606B1 KR1019980043318A KR19980043318A KR100551606B1 KR 100551606 B1 KR100551606 B1 KR 100551606B1 KR 1019980043318 A KR1019980043318 A KR 1019980043318A KR 19980043318 A KR19980043318 A KR 19980043318A KR 100551606 B1 KR100551606 B1 KR 100551606B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electron beam
- deflection
- current
- coordinates
- vaporized
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
- H01J2237/30483—Scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
- H01J2237/3132—Evaporating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (21)
- 도가니 내의 물질을 기상화하는데 사용되는 고전력 전자빔의 작동 방법에 있어서,a) 상기 전자빔용 편향부가 제공되는 단계;b) 상기 전자빔이 거의 일정한 강도로 기상화될 물질에 조사되는 단계;c) 상기 전자빔이 기상화될 상기 물질의 표면 상의 다수의 지점에 각각 특정가능 속도로 안내되는 단계; 및d) 용융될 상기 물질의 표면상의 지점의 기하학적 좌표가 선택되는 단계를 포함하고,상기 선택된 기하학적 좌표(x,y; r,ψ)가 보정된 편향 전류(Ix,Iy; Ir,Iψ)로 변환되어 상기 해당 편향부로 공급되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 도가니 내의 물질을 기상화하는데 사용되는 고전력 전자빔의 작동 방법에 있어서,a) 상기 전자빔용 편향부가 제공되는 단계;b) 상기 전자빔이 거의 일정한 강도로 기상화될 물질에 조사되는 단계;c) 상기 전자빔이 기상화될 상기 물질의 표면 상의 다수의 지점에 각각 특정가능 속도로 조사되는 단계;d) 기상화될 상기 물질의 표면 상에 상기 전자빔의 기하학적인 전력 분산을 특정하는 단계;e) 상기 전력 분산에 해당하는 기상화될 상기 물질의 표면 상의 상기 기하학적 좌표(x,y; r,ψ)가 확인되는 단계; 및f) 상기 확인된 기하학적 좌표(x,y; r,ψ)가 보정 편향 전류(Ix,Iy; Ir,Iψ)로 변환되어 상기 해당 편향 코일로 공급되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 보정 편향 전류가 정적으로 보정되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 보정 편향 전류가 동적으로 보정되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 편향 전류가 먼저 정적으로 보정되고, 다음에 동적으로 보정되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 도가니 내의 물질을 기상화하는데 사용되는 고전력 전자빔의 작동 방법에 있어서,a) 상기 전자빔이 거의 일정한 강도로 기상화될 물질에 조사되는 단계;b) 상기 전자빔이 기상화될 상기 물질의 표면 상의 다수의 지점에 각각 특정가능 속도로 조사되는 단계;c) 용융될 상기 물질의 표면 상의, 상기 전자빔이 차례로 조사될 지점들의 기하학적 좌표가 차례로 선택되는 단계;d) 상기 기하학적 좌표(x,y; r,ψ)와 편향-전류 좌표(Ix,Iy; Ir,Iψ) 사이의 실제 관계가 상기 전자빔의 정적 동작을 통하여 확인되는 단계;e) 상기 기하학적 좌표(x,y; r,ψ)와 편향-전류 좌표(Ix,Iy; Ir,Iψ) 사이의 실제 관계가 상기 전자빔의 동적 동작을 통하여 확인되는 단계;f) 상기 기하학적 좌표(x,y; r,ψ)와 연관된 이상적인 전류 좌표(Ixi,Iyi; Iri,Iψi)와 상기 실제 편향 전류 좌표(Ix,Iy; Ir,Iψ) 사이의 일탈량을 결정하는 보정 파라미터가 확인되는 단계; 및g) 상기 확인된 파라미터로 전자빔을 제어하기 위하여 상기 이상적인 전류 좌표가 보정되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제6항에 있어서,상기 보정 파라미터가 훈련 과정(티치-인 과정)을 통하여 특정 기하학적 좌표에 대하여 확인되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제6항에 있어서,상기 전류 좌표의 보정이 주파수 도메인 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제6항에 있어서,상기 특정 기하학적 좌표 사이의 중간 지점에 대한 보정 파라미터가 최소 스퀘어 방법을 사용하여 정적 동작에 대하여 확인된 상기 보정 파라미터로부터 확인되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제9항에 있어서,상기 훈련 과정에서 고려되지 않은 기상화될 상기 표면의 한 지점(x',y')에 대한 보정된 전류가 아래의 수식전류 크기 x',y' =(여기에서, ai,j는 상기 좌표 x, y와 관련된 상기 훈련 과정에서 확인 된 보정 인자이고, i와 j는 1보다 큰 수임)에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제6항에 있어서,상기 특정 기하학적 좌표 사이의 중간 지점에 대한 보정 파라미터가 패스트 푸리에 변환을 사용하여 동적 동작에 대하여 확인된 상기 보정 파라미터로부터 확인되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제11항에 있어서,편향 코일에 흐르는 상기 이상적인 전류는(여기에서,Fl는 푸리에 크기ωT는 각진동수l는 1 이상의 수임)으로 의하여 정의되고,상기 동적 에러에 관하여 보정된 편향 코일에 흐르는 전류 I'는(여기에서, 보정된 푸리에 크기 Fl '는 다음식으로 계산되고, 여기에서,는 상기 전자빔의 직류 편향에 대한 편향각도이고,는 상기 전자빔의 교류 편향에 대한 편향각도임)으로 정의되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제7항에 있어서,상기 정적 동작에 대한 리드-인 과정이a) 특정 표시 지점에 제공되는 패턴이 상기 도가니 상에 배치되는 단계;b) 상기 전자빔이 상기 표시 지점에 도달하는 단계; 및c) 상기 전자빔이 상기 표시 지점에 도달하였을 때, 상기 각 표시 지점과 상기 편향 코일에 흐르는 전류가 저장되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제7항에 있어서,상기 동적 동작에 대한 리드-인 과정이a) 특정 표시 지점에 제공되는 패턴이 상기 도가니 상에 배치되는 단계;b) 상기 전자빔이 두 개의 특정 표시 지점 사이를 왕복 이동하는 단계;c) 상기 왕복 이동의 주파수가 변하는 단계; 및d) 상기 전자빔이 상기 각 표시 지점에 도달하도록 교류의 크기가 변하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 도가니 내의 물질을 기상화하는데 사용되는 고전력 전자빔의 작동 방법에 있어서,a) 상기 전자빔이 거의 일정한 강도로 기상화될 물질에 조사되는 단계;b) 상기 전자빔이 기상화될 상기 물질의 표면 상의 다수의 지점에 각각 특정가능 속도로 조사되는 단계;c) 기상화될 상기 물질의 표면 상의 특정 기하학적인 지점들이 상기 해당 지점에 충돌하는 전자빔의 강도 및 속도에 의해 결정되는 상기 전자빔의 전력과 연관되는 단계; 및d) 상기 전자빔의 특정 전력이 상기 기하학적 지점에 공급되는 것을 보증하도록 상기 전자빔의 이상적인 기하학적 이동 패턴에 대한 좌표가 확인되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제15항에 있어서,상기 이상적인 이동 패턴이 상기 이상적인 편향 전류 내로 재계산되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제16항에 있어서,상기 이상적인 편향 전류가 정적 및 동적 편향 에러에 대하여 보정되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제1항, 제2항, 제6항 및 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자빔(7')의 강도의 변화가 느리게 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 도가니 등의 내에 있는 물질을 기상화 또는 용융시키기 위해 사용되는 고전 력 전자빔의 작동 방법에 있어서,편향 에러를 가진 상기 전자빔용 편향부를 하나 이상 제공하는 단계;기상화 또는 용융되는 상기 물질의 표면 상에서 둘 이상의 지점의 기하학적좌표(x,y; r,ψ)를 선택하는 단계;티치-인 공정(teach-in procedure)에서 전류 크기를 변경함으로써, 상기 전자빔의 정적 작용에서 상기 선택된 지점의 좌표(x,y; r,ψ)에 인가되는 편향 전류Ix,Iy; Ir,Iψ)를 보정하고, 최소 에러 스퀘어 방법에 의한 보간법(interpolation)으로 상기 전자빔의 미리 정해진 패스 사이에 있는 지점들에 대해 상기 보정된 편향전류를 산출하는 단계;추가의 티치-인 공정에서 상기 전류 크기를 변경함으로써, 상기 전자빔의 동적 작용에서 상기 전자빔 패스의 상기 선택된 지점의 좌표(x,y; r,ψ)에 인가되는 상기 편향 전류Ix,Iy; Ir,Iψ)를 보정하는 단계;상기 보정된 편향 전류를 상기 하나 이상의 편향부에 공급하는 단계; 및상기 하나 이상의 편향부에 의해, 상기 기상화 또는 용융시킬 재료의 표면에대해 상기 전자빔을 미리 정해진 가변 속도 및 소정의 강도로 안내하는 단계를 포함하고,상기 전자빔 패스의 상기 선택된 지점의 좌표(x,y; r,ψ)에 인가되는 상기 편향 전류Ix,Iy; Ir,Iψ)를 보정하는 단계에서, 상기 변경은 상기 편향 전류의 주파수에 의존하고, 이로써 상기 전자빔이 상기 기상화 또는 용융시킬 재료의 표면 상의 미리 정해진 두 개의 표시 지점 사이에서 상호 편향되며, 상기 전자빔이 각각의 경우에 상기 미리 정해진 표시 지점에 도달하도록 이 편향의 주파수가 변경되고 또 이로 인해 상기 편향 전류가 변경되는 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제19항에 있어서,상기 기상화 또는 용융시킬 물질의 표면 상에 전력 분산을 특정하는 단계; 및상기 물질의 표면 상의 전력 분산에 기하학적 좌표(x,y, r,ψ)를 부여하는 단계를 더 포함하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
- 제19항 또는 제20항에 있어서,다음의 푸리에 급수와 같이 상기 보정되지 않은 편향 전류를 푸리에 변환하여 다음의 푸리에 급수(여기서, F1는 푸리에 크기, ωT는 각진동수, l은 1 이상의 수, t는 시간임)와 같이 나타내는 단계를 더 포함하고,여기서, 상기 푸리에 급수에 의해 동적 에러에 대해 보정된 편향 전류의 정의는(여기서,는 상기 전자빔의 직류 편향에 대한 편향각도이며,는 상기 전자빔의 교류 편향에 대한 편향각도)인 것을 특징으로 하는 고전력 전자빔의 작동 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19745771.1 | 1997-10-16 | ||
DE19745771A DE19745771B4 (de) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | Verfahren für den Betrieb eines Hochleistungs-Elektronenstrahls |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990037157A KR19990037157A (ko) | 1999-05-25 |
KR100551606B1 true KR100551606B1 (ko) | 2006-06-23 |
Family
ID=7845749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980043318A KR100551606B1 (ko) | 1997-10-16 | 1998-10-16 | 고전력 전자빔 작동 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6214408B1 (ko) |
EP (1) | EP0910110B1 (ko) |
JP (1) | JP4410325B2 (ko) |
KR (1) | KR100551606B1 (ko) |
CN (1) | CN1165951C (ko) |
DE (2) | DE19745771B4 (ko) |
TW (1) | TW423016B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210060564A (ko) * | 2019-01-23 | 2021-05-26 | 주식회사 히타치하이테크 | 전자빔 관찰 장치, 전자빔 관찰 시스템, 전자빔 관찰 장치에 있어서의 화상 보정 방법 및 화상 보정을 위한 보정 계수 산출 방법 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6983718B1 (en) * | 1999-08-04 | 2006-01-10 | General Electric Company | Electron beam physical vapor deposition apparatus |
DE50213645D1 (de) * | 2001-07-11 | 2009-08-13 | Carl Zeiss Vision Gmbh | Bedampfungsanlage |
EP1591750B1 (de) * | 2004-04-26 | 2016-04-13 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Dicke einer Beschichtung auf einem in seiner Längsrichtung bewegten Band |
US7479632B1 (en) * | 2005-02-01 | 2009-01-20 | Trustees Of Boston University | E-beam vision system for monitoring and control |
US7764008B2 (en) * | 2006-02-24 | 2010-07-27 | Ferrotec (Usa) Corporation | Electron beam gun |
DE102006035793B8 (de) * | 2006-07-28 | 2011-01-05 | Global Beam Technologies Ag | Elektronenstrahlanlage zur Materialbearbeitung und Stromaddieranordnung zur schnellen Ansteuerung einer Induktivität |
DE102007027372A1 (de) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Cognis Oleochemicals Gmbh | Verfahren zur Hydrierung von Glycerin |
DE102008032271B4 (de) * | 2007-07-30 | 2009-11-12 | Ambos, Eberhard, Prof. Dr.-Ing. | Verfahren zur Herstellung eines Verbundmaterials |
US8283631B2 (en) * | 2008-05-08 | 2012-10-09 | Kla-Tencor Corporation | In-situ differential spectroscopy |
JP5254055B2 (ja) * | 2009-01-19 | 2013-08-07 | 日本電子株式会社 | 電子ビーム蒸着用電子銃装置 |
JP2011017050A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Ulvac Japan Ltd | 電子ビームの制御方法 |
DE102010029690A1 (de) * | 2010-06-03 | 2011-12-08 | 44Solar S.A.R.L. | Steuer- und/oder Regeleinrichtung, Steuerstrecke, Computerprogramm, computerlesbares Speichermedium und Verfahren des Herunterladens des Computerprogramms |
JP2013112894A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Ulvac Japan Ltd | 真空蒸着装置、電子銃及び真空蒸着方法 |
CN104603078B (zh) * | 2012-07-07 | 2018-03-23 | 利拉茨有限公司 | 用于产生电子束的装置 |
US20140050847A1 (en) * | 2012-08-20 | 2014-02-20 | Ensiltech Corporation | Deposition device and deposition method using joule heating |
DE102013107454B4 (de) * | 2013-07-15 | 2020-02-06 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Elektronenstrahlprozessanordnung, mobile Auswertevorrichtung, Verfahren zum Betreiben eines Elektronenstrahlverdampfers; und Verfahren zum Kalibrieren einer Elektronenstrahlprozessanordnung |
DE102016122671A1 (de) * | 2016-11-24 | 2018-05-24 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Verfahren und Elektronenstrahlkanone |
US20180277857A1 (en) * | 2017-03-21 | 2018-09-27 | Apollo Energy Systems, Inc. | Method of manufacturing a spongy nickel catalyst and spongy nickel catalyst made thereby |
DE102018100623A1 (de) * | 2018-01-12 | 2019-07-18 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Verfahren, Steuerungsvorrichtung und Elektronenstrahlkanone |
DE102018108726B4 (de) | 2018-04-12 | 2019-11-07 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Elektronenstrahlverdampfer und Verfahren zum Verdampfen eines Verdampfungsguts mittels eines Elektronenstrahls |
DE102018131904A1 (de) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Verdampfungsanordnung und Verfahren |
DE102020109383A1 (de) | 2020-04-03 | 2021-10-07 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Verfahren und Steuervorrichtung |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3046936A (en) * | 1958-06-04 | 1962-07-31 | Nat Res Corp | Improvement in vacuum coating apparatus comprising an ion trap for the electron gun thereof |
DE1521584A1 (de) * | 1966-03-15 | 1969-10-23 | Lokomotivbau Elektrotech | Verfahren zum Bedampfen im Vakuum von grossen Flaechen und Einrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens |
US3582529A (en) * | 1969-09-24 | 1971-06-01 | Air Reduction | Electron beam heating apparatus and control system therein |
CH566399A5 (ko) * | 1973-05-26 | 1975-09-15 | Balzers Patent Beteilig Ag | |
US4042801A (en) * | 1974-08-31 | 1977-08-16 | British Aircraft Corporation Limited | Electron beam apparatus |
DE2812311C2 (de) * | 1978-03-21 | 1986-10-09 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum gleichzeitigen Vakuumaufdampfen dünner Schichten auf mehrere Substrate mittels Elektronenstrahlen und Anwendung auf die Bedampfung von Turbinenschaufeln |
DE2812285C2 (de) * | 1978-03-21 | 1986-05-15 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum Verdampfen von Legierungsschmelzen aus Metallen mit voneinander abweichenden Dampfdrücken |
DE2826165C2 (de) * | 1978-06-15 | 1986-09-18 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum Verdampfen von Legierungsschmelzen aus Metallen mit voneinander abweichenden Dampfdrücken und seine Anwendung |
DE2936911A1 (de) * | 1979-09-12 | 1981-04-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zur regelung eines magnetischen ablenksystems |
DE3330092A1 (de) * | 1983-08-20 | 1985-03-07 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen |
DE3339131A1 (de) * | 1983-10-28 | 1985-05-09 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Elektronenstrahlverdampfer mit mindestens zwei magnetischen ablenksystemen |
US4604293A (en) * | 1984-10-16 | 1986-08-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process for producing magnetic recording medium |
DE3442207A1 (de) | 1984-11-19 | 1986-05-28 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Elektronenstrahl-istpositionsgeber |
DE3532888A1 (de) * | 1985-09-14 | 1987-04-02 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Anordnung zur regelung der ablenkung eines elektronenstrahls |
DE3538857A1 (de) * | 1985-11-02 | 1987-05-07 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Einrichtung fuer die eingabe eines sollwerts fuer den auftreffpunkt eines elektronenstrahls auf ein medium |
US4721842A (en) * | 1986-08-29 | 1988-01-26 | Ferranti Sciaky, Inc. | Beam position correction device |
DE3810391A1 (de) * | 1988-03-26 | 1989-10-05 | Leybold Ag | Einrichtung und verfahren fuer die steuerung und ueberwachung eines ablenkbaren elektronenstrahls fuer die metallbearbeitung |
DE58908004D1 (de) | 1988-11-10 | 1994-08-11 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Steuerung der Verdampfungsratenverteilung eines Elektronenstrahls. |
DE3902274C2 (de) | 1989-01-26 | 1994-03-17 | Leybold Ag | Einrichtung zum Erkennen der Auftreffstelle eines Ladungsträgerstrahls auf einem Target |
DE3923899A1 (de) * | 1989-07-19 | 1991-01-31 | Leybold Ag | Verfahren fuer die regelung der auftreffpositionen von mehreren elektronenstrahlen auf ein schmelzbad |
US5346554A (en) * | 1990-04-12 | 1994-09-13 | Seiko Instruments Inc. | Apparatus for forming a thin film |
JPH04109429A (ja) | 1990-07-19 | 1992-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
US5311028A (en) * | 1990-08-29 | 1994-05-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions |
DE59106675D1 (de) * | 1990-12-13 | 1995-11-16 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Zentrieren eines Elektronenstrahles. |
DE4203632C2 (de) * | 1992-02-08 | 2003-01-23 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vakuumbeschichtungsanlage |
DE4208484C2 (de) * | 1992-03-14 | 1998-09-17 | Ald Vacuum Techn Gmbh | Magnetisches Ablenksystem für einen Hochleistungs-Elektronenstrahl |
JP3173162B2 (ja) * | 1992-08-20 | 2001-06-04 | 富士通株式会社 | 透過マスク板 |
JPH06192823A (ja) | 1992-12-28 | 1994-07-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸発装置 |
-
1997
- 1997-10-16 DE DE19745771A patent/DE19745771B4/de not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-08 EP EP98119063A patent/EP0910110B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-08 DE DE59812827T patent/DE59812827D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-15 CN CNB981269931A patent/CN1165951C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-16 US US09/173,743 patent/US6214408B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-16 JP JP29569498A patent/JP4410325B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-16 KR KR1019980043318A patent/KR100551606B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-10-23 TW TW087117050A patent/TW423016B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-01-02 US US09/750,663 patent/US6436466B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210060564A (ko) * | 2019-01-23 | 2021-05-26 | 주식회사 히타치하이테크 | 전자빔 관찰 장치, 전자빔 관찰 시스템, 전자빔 관찰 장치에 있어서의 화상 보정 방법 및 화상 보정을 위한 보정 계수 산출 방법 |
KR102577946B1 (ko) * | 2019-01-23 | 2023-09-14 | 주식회사 히타치하이테크 | 전자빔 관찰 장치, 전자빔 관찰 시스템, 전자빔 관찰 장치에 있어서의 화상 보정 방법 및 화상 보정을 위한 보정 계수 산출 방법 |
US11791130B2 (en) | 2019-01-23 | 2023-10-17 | Hitachi High-Tech Corporation | Electron beam observation device, electron beam observation system, and image correcting method and method for calculating correction factor for image correction in electron beam observation device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19745771B4 (de) | 2005-12-22 |
TW423016B (en) | 2001-02-21 |
EP0910110A2 (de) | 1999-04-21 |
EP0910110A3 (de) | 2000-12-27 |
CN1165951C (zh) | 2004-09-08 |
DE19745771A1 (de) | 1999-04-29 |
EP0910110B1 (de) | 2005-06-01 |
US6436466B2 (en) | 2002-08-20 |
CN1241800A (zh) | 2000-01-19 |
US6214408B1 (en) | 2001-04-10 |
US20010016237A1 (en) | 2001-08-23 |
JP4410325B2 (ja) | 2010-02-03 |
KR19990037157A (ko) | 1999-05-25 |
JPH11217667A (ja) | 1999-08-10 |
DE59812827D1 (de) | 2005-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100551606B1 (ko) | 고전력 전자빔 작동 방법 | |
JPH0322336A (ja) | 走査電子顕微鏡の倍率補償装置 | |
JP2013251225A (ja) | 荷電粒子ビームの軸合わせ方法および荷電粒子ビーム装置 | |
JP5277317B2 (ja) | 荷電粒子顕微鏡 | |
JPH0122705B2 (ko) | ||
NL8302181A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het corrigeren van astigmatisme in een elektronenbundelinrichting. | |
JP3400608B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JPH02160350A (ja) | 電子線照射位置決め方法及び装置 | |
Kuznetсov et al. | X-ray imaging diagnostic in the high heat flux test facilities | |
US5532446A (en) | Magnetic deflection system for a high-power electron beam | |
JP2012015227A (ja) | 電子線装置の位置決め方法及び装置 | |
JP2004060019A (ja) | 真空アーク蒸着装置、および、真空アーク蒸着方法 | |
Guo et al. | Scanning system development and digital beam control method for electron beam selective melting | |
JP7361213B2 (ja) | 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置の制御方法 | |
KR100213461B1 (ko) | 증발프로세스의 제어방법 | |
RU2113954C1 (ru) | Способ электронно-лучевой сварки | |
Takai et al. | Preliminary experiments for development of real-time defocus-image modulation processing electron microscope | |
JPH1092364A (ja) | 集束イオンビーム加工位置合わせ方法 | |
JPH04160150A (ja) | 電子ビームの加熱制御方法および制御装置 | |
JP4690586B2 (ja) | マスク、電子ビームの偏向量の校正方法、電子ビーム露光装置 | |
JPH0261951A (ja) | フィラメント像の振動補正装置を備えた電子顕微鏡 | |
SU780079A1 (ru) | Способ регулировани температуры в электронно-лучевой установке | |
JPS614146A (ja) | 電子線装置 | |
JPH04264344A (ja) | 高電圧・低電流方式電子ビーム照射装置 | |
JPH11101629A (ja) | 電子ビーム測長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130125 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140123 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150130 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160128 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170127 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180125 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Expiration of term |