KR100551599B1 - 실드 마이크로전자 커넥터 어셈블리와 제조방법 - Google Patents

실드 마이크로전자 커넥터 어셈블리와 제조방법 Download PDF

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Abstract

진보된 다중 커넥터 전자 어셈블리는 노이즈간섭을 감소하고 실행을 증가하는 다양한 별개의 노이즈실드요소를 통합한다. 첫번째 실시예에서, 상기 커넥터 어셈블리는 두개의 평행한 열(rows)로, 하나가 나머지 하나의 꼭대기에 위치되어 모든 커넥터들의 모듈라 플러그 리셋이 사용자에 의해 접근 가능하도록 배열된 전자 성분과 관련된 다수의 커넥터를 포함한다. 상기 어셈블리는 그 바닥표면을 통해 노이즈전달이 완화되도록 기판실드를 이용할 뿐만 아니라, 그 나머지 외부표면을 통해 노이즈전달이 완화되도록 외부 "랩으로 둘러쌓인 실드(Wrap-around shield)"를 이용한다. 두번째 실시예에서, 상기 커넥터 어셈블리는 커넥터의 열들 사이에서 노이즈전달이 감소되도록 커넥터의 정상열과 바닥열 사이에 위치된 정상에서 바닥에 이르는 실드(top-to-bottom shield)를 더 포함하며, 다수의 전후방 실드요소가 각각의 정상열과 바닥열 커넥터의 전자 성분사이에 위치되어 상기 전자성분들 사이에서 전달을 제한한다. 상기에서 언급된 어셈블리를 제조하는 방법도 설명된다.
리셋,실드,커넥터,전도체,모듈라 플러그,전기통로,주입몰딩프로세스

Description

실드 마이크로전자 커넥터 어셈블리와 제조방법{SHIELDED MICROELECTRIC CONNECTOR ASSEMBLY AND METHOD OF MANUFACTURING}
본 발명은 일반적으로 소형 전자요소에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 노이즈실드와 내부 전자구성요소를 구비한 다중 커넥터 어셈블리의 진보된 디자인과 방법에 관한 것이다.
본 출원은 2000. 12. 06일에 출원된 미국 특허 출원번호 09/732,098의 제목"실드 마이크로전자 커넥터 어셈블리와 제조방법", 및 같은 제목으로 2001. 12. 03일에 출원된 PCT출원 PCT/US01/46588 에 대해 우선권을 주장한다.
다중 커넥터 어셈블리는 전자 커넥터 기술분야에서 잘 알려져 있다. 도1a-1c 에서 알수 있는 바와 같이, 그러한 어셈블리(100)는 전형적으로 (도시하지 않은)다중 모듈라 플러그가 상기 커넥터의 플러그 리셋(106)으로 동시에 삽입되고 연결되도록 배열되는 개개의 커넥터(104)(RJ11 이나 RJ45 타입과 같은)의 다수의 횡열(101)과 종열(103)을 포함한다. 다음을 포함하는 다중 커넥터 어셈블리를 디자인하고 제조하는데 있어서 서너개의 주요한 고려사항이 있다: (ⅰ)외부로 발생되는 전자기 간섭(이하 "EMI"라 한다) 또는 "노이즈(noise)"에 대향하는 개개의 커넥터의 실딩(shielding), (ⅱ)상기 어셈블리에 의해 소모되는 사이즈와 부피, (ⅲ)신뢰 도, 및 (ⅳ)제조비용.
EMI 에 관하여, 도1a-1c 의 것과 같은 공지 기술의 다중 커넥터 어셈블리는 전형적으로 개개의 커넥터가 완전하게 형성되는 주조된 플라스틱 하우징(120)과 상기 커넥터 하우징의 외부 표면적의 많은 부분을 둘러 싸거나 덮어 싸는 외부 금속재 노이즈실드(172)로 부터 만들어 진다. 그러나, 단지 외부의 "둘러 싸는" 노이즈실드(172)를 사용하는 접근 방법은 서너개의 단점이 있다. 상세하게는, 그러한 배열은 상기 커넥터 하우징의 바닥표면(111)이 종종 커넥터 전도체(120)와 금속실드(172) 사이의 전기 단절에 의한 감소된 신뢰도의 고려에 의해 주로 실드되지 않은 채로 남겨지기 때문에, 상기 어셈블리(100) 내의 개개의 커넥터(104)의 완전하거나 심지어 완전에 가까운 실딩을 제공하지 못한다. 실딩에 있어서 이러한 "갭"은 상기 증가된 노이즈에 기인한 신호 대 노이즈 비율(SNR)을 감소시키므로서 상기 커넥터 어셈블리(100)의 전면적인 실행을 감소시킨다. 부가적으로, 그러한 둘러 싸는 외부 실드(172)는 커넥터 간 노이즈 누설양; 즉, 다른 커넥터들의 신호와 간섭하는 상기 어셈블리내의 하나의 커넥터의 구성요소에 의해 방사되는 노이즈문제를 처리하지 못한다.
따라서, 커넥터들 사이에 하나 이상의 실드요소를 제공하는 것을 포함하여, 어셈블리 내의 개개의 커넥터들 사이에 부가적인 실딩을 제공하는 시도들이 있어 왔다. 1996.07.02에 발행된 제목 "다중 포트 모듈라 어셈블리"의 미국 특허번호 5,531,612(이하 '612 특허)를 보자. 상기에서 언급된 공지기술에 대한 개선책이 단지 "둘러 싸는" 노이즈실드 만을 사용한 반면에, 상기 '612 특허의 발명은 그 중 에서도 특히 다음을 포함한 서너개의 결함을 갖는다: (ⅰ)커넥터 어셈블리와 탑재된 기판(예를들면, PCB) 사이의 노이즈실딩을 위한 어떠한 설비도 없으며; 및 (ⅱ)상기 장치의 제조와 어셈블리를 완성하고 제조비용을 증가시키는 대체로 수직으로 주조된 전도체 삽입부(140a,140b) 또는 캐리어(두개/커넥터)의 사용. 부가적으로, 상기 '612 특허에서 보여주는 장치는 필터링, 전압변환, 또는 상기 어셈블리 그 자체내에서 완전하게 각 커넥터를 위한 다른 전자구성요소를 포함하지 않는다; 그러므로, 그런 구성요소를 물리적으로 수용하고 실드하기 위한 어떤 설비도 제공되지 않는다.
관계되는 문제로서 고려되는 것은 상기 어셈블리의 커넥터 내의 광 발산 다이오드(이하 "LEDs"라 한다)(160)와 같은 노이즈발산원의 사용이다; 그러한 구성요소는 또한 EMI 의 잠재적으로 중요한 원천이며, 그러므로 많은 경우에 최상의 결과를 얻기 위해서 다른 커넥터 구성요소로부터 실드되어야 한다. 도1a-1c 의 것 또는 '612 특허와 같은 공지 기술의 다중 커넥터 어셈블리는 전형적으로 다른 커넥터 어셈블리 구성요소로 부터 LEDs의 실딩이나, 중요한 결점을 위한 어떠한 설비도 가지고 있지 않다. 그 보다는, 상기 LEDs(160)는 상기 외부실드(172)내에, 종종 전도체(120) 및 횡 전자필터(도시되지 않은)와 같은 다른 커넥터 구성요소에 밀착되어 물리적으로 주로 위치된다.
일반 소비자들이 다중 커넥터의 비용과 단가에 매우 민감하므로, 최저 비용으로 최상의 (노이즈)성능을 가져오는 다중 커넥터 어셈블리를 생산하는 것 사이에는 끊임없는 긴장이 존재한다. 그러므로, 가장 바람직한 상황은 포괄적인 외부의 대응성분 노이즈실딩이 전체로써 완성품 단가에 거의 영향을 받지 않고 완수 될 수 있는 것이다. 부가적으로, 보드스페이스("접지면")와 부피가 소형화된 전자구성요소에서 중요한 요소이므로, 실행과 노이즈실딩에 있어서의 개선책은 이상적으로 상기 구성요소의 사이즈를 결코 증가시키지 않는다. 마지막으로, 상기 커넥터 어셈블리는 또한 유도 반응기(즉,"초크"코일), 변압기, 및 스페이스나 노이즈성능 면에서 어떠한 결함도 없는 것과 같은 신호 필터/조절하는 구성요소를 최선책으로 포함해야 한다.
상기의 언급된 것에 기초하여, 개량된 다중 커넥터 어셈블리와 그 제조방법을 제공하는 것이 가장 바람직할 것이다. 그러한 개량된 어셈블리는 신뢰될 수 있고, 상기 어셈블리가 탑재되는 상기 기판과 완전한 전자 구성요소 사이에 압축노이즈을 포함하는 반면에 최소 부피를 차지하는 강화된 외부와 커넥터 간 노이즈 압축(suppression)을 제공한다. 부가적으로, 그러한 개량장치는 용이하면서도 효율적인 비용으로 제조될 수 있다.
본 발명은 개량된 실드 다중 커넥터 어셈블리와 그 제조방법을 제공함으로서 상기에서 언급된 요구사항을 만족한다.
본 발명의 첫번째 측면으로, 특히, 인쇄된 회로판이나 다른 전자 기판 상에서 사용되는 개량된 실드 커넥터 어셈블리가 나타난다. 대표적인 실시예로, 상기 어셈블리는 다수의 커넥터 리셋을 구비한 커넥터 하우징을 포함하며; 다수의 전도체는 다수의 각 리셋 내에 위치되며; 및 실드 기판은 상기 커넥터 하우징에 관해 위치되어 그곳에 실딩을 제공한다. 상기 커넥터 하우징은 부도체 폴리머(polimer)로 부터 형성되어 개개의 RJ45 나 RJ11 커넥터의 다중열을 포함하며, 그 각각은 상기 각 리셋내에 수용된 모듈라 플러그의 대응하는 전도체와 짝을 이루도록 적응된 다수의 전도체를 구비한다. 각 개개의 커넥터의 전도체들은 과주조된(overmolded) 캐리어들에 대한 요구를 제거하도록 형성되며, 제거 가능한 전자 구성요소 패키지상에 위치된다. 상기 전도체들의 종단부는 상기 커넥터 하우징의 바닥에 위치된 실드기판을 관통하며, 상기 기판은 전자기 간섭(EMI) 또는 다른 해로운 전자노이즈에 대향하여 실드를 제공하도록 특별하게 만들어진 다중 층으로 된 장치이다. 상기 기판은 더우기 외부 구성요소에 빠르고 쉬운 연결을 용이하게 하도록 상기 전도체의 종단부들을 정합하는 것을 돕도록 작용한다. 외부 노이즈실드는 또한 상기 하우징의 바닥 이외의 표면에 대해 전달되는 전자노이즈에 대향하여 실드하도록 설치된다. 두번째 실시예에서, 상기 실드기판은 상기 커넥터의 바닥의 대부분 표면 영역을 덮도록 형성된 단일층의 구리합금 실드를 포함한다.
다른 변형으로서, 상기 커넥터 하우징은 다수열의 커넥터를 포함하며, 상기의 실드를 관통하는 하부종단부를 구비한 내부 PCBs 는 하우징내에 대체로 전후방향으로 위치되며, 상기 종단부도 전후배열로 상기 실드를 관통한다.
두번째 실시예로, 상기 커넥터 어셈블리는 커넥터들의 수평열 사이에 대체로 위치되는 정상에서 바닥에 이르는 실드요소를 더 포함하며, 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드요소는 각 열 내의 상기 커넥터의 전도체들 사이에 노이즈분리를 제공한다. 일 변형으로서, 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드요소는 개개의 커넥터의 열들 사이에 존재하는 미리 형성된 그루브 내에 수용되는 제거가능한 금속 스트립을 포함한다. 또 다른 변형으로서, 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드요소는 제조과정 동안에 상기 커넥터 하우징내에 얇은 금속필름으로 형성된다. 상기 어셈블리는 각 개개의 커넥터의 전자 구성요소 패키지사이에 위치되는 개개의 전후 실딩요소를 포함하며, 상기 전후 실딩요소는 각 인접한 패키지 내의 전자 구성요소 사이에 노이즈분리를 제공한다. 일 변형에서 상기 전후 실딩요소는 제1열과 제2열 커넥터의 상기 구성요소 패키지 사이의 위치에 유지되는 구리합금 삽입부를 포함한다. 또 다른 변형에서 상기 실딩요소는 제1열 구성요소 패키지의 후측에 위치되는 얇은 구리필름을 포함한다.
세번째 실시예로, 상기 어셈블리는 작동동안에 작동자에 의해 보여지도록 적응된 다수의 광원(예를들면, 광 발산 다이오드, 또는 LEDs)을 포함한다. 상기 광원은 작동자로 하여금 상기 어셈블리의 정면을 봄으로써 간단하게 개개의 커넥터 각각의 위상을 결정하도록 허용하는 이점이 있다. 상기 LEDs에 의해 발산된 노이즈을 압축하기 위한 상기 LEDs에 근접한 임의의 실드도 보여준다.
본 발명의 두번째 측면으로, 상기의 커넥터 어셈블리를 이용하는 개량 전자 어셈블리가 보여진다. 대표적인 실시예에서, 상기 전자 어셈블리는 솔더링(soldering) 프로세스를 사용하여, 그것에 의해 상기 패키지의 각 커넥터의 전도체를 통해서 트레이스(traces)로 부터 전도통로를 형성하도록 다수의 전도 트레이스가 형성되어 있는 인쇄된 회로보드(PCB) 기판에 탑재되어 있는 전술한 실드 커넥터 어셈블리를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 상기 커넥터 어셈블리는 매개 기판위에 탑재되고, 후자는 감소된 접지면 종단배열을 사용하는 PCB 나 다른 구성요소에 탑재된다.
본 발명의 세번째 측면으로, 본 발명의 커넥터 어셈블리를 제조하는 개량된 방법이 보여진다. 상기 방법은 일반적으로 내부에 위치된 다수의 모듈라 플러그 리셋을 구비한 어셈블리 하우징을 형성하고, 상기 리셋이 적어도 제1열과 제2열 내에 형성되는 단계; 상기 하우징 요소내에 커넥터 중 제1열을 가지고 사용하도록 적응된 제1세트, 및 제2열을 가지고 사용하도록 적응된 제2세트를 포함하는 다수의 전도체를 제공하는 단계; 모듈라 플러그의 대응하는 전도체와 짝을 이루도록 상기의 플러그 리셋내에 수용되는 전도체 말단부를 형성하는 단계; 실드기판과 외부 실드를 제공하는 단계; 상기 하우징 요소내의 커넥터 중 제1열 안에 전도체 제1세트를 설치하는 단계; 상기 하우징 요소내의 커넥터 중 제2열 안에 전도체 제2세트를 설치하는 단계; 실드 기판을 상기 하우징 요소의 한 면에 설치하는 단계; 및 외부 실드를 상기 하우징 요소의 남아 있는 노출면의 적어도 일부 둘레에 설치하는 단계를 포함한다. 일 실시예로, 상기 커넥터는 RJ11 커넥터를 포함하고, 상기 방법은 상기 시그널이 상기 전도체에 관해 통과되는 것을 조건으로 하도록 적어도 하나의 전도체 세트의 전도통로내에 적어도 하나의 전자 구성요소를 더 제공하는 것을 포함한다. 외부 실드는 또한 상기 어셈블리에 강도를 더하도록 상기 기판위의 여러 포인트들에 접합된다. 또 다른 실시예에서, 상기 방법은 정상에서 바닥에 이르는 실드와 다수의 전후방 실드요소를 제공하며; 제1열 커넥터와 제2열 커넥터 사이에 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드를 설치하며; 여러 커넥터들의 전도통로내 에 존재하는 전자 구성요소들 사이에 상기 전후방 실드요소를 설치하며; 및 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드요소에 상기 전후방 실드요소를, 상기 외부실드에 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드를 결합하는 것을 더 포함한다.
본 발명의 특성, 목적, 이점은 첨부된 도면을 참조할 때 다음에서 설명될 상세한 설명으로부터 더 명백할 것이다.
도1a는 구성요소를 설명하는, 종래기술의 실드된 다중커넥터 어셈블리의 사시 어셈블리도.
도1b는 어셈블리 후 기판(PCB)위에 탑재한 도1a의 커넥터 어셈블리의 사시도.
도1c는 여러 구성요소의 관계를 설명하는, 절개선 1-1을 따른 도1b의 어셈블된 커넥터 어셈블리의 단면도.
도2a는 외부와 기판 노이즈실드를 포함하는, 본 발명에 따른 커넥터 어셈블리의 첫번째 표준 실시예의 어셈블리도.
도2b는 도2a의 어셈블리 커넥터의 저면도.
도2c는 도2a의 커넥터 어셈블리내에서 사용되는 커넥터 하우징의 정면도.
도2d는 절개선 2-2를 따른 도2b의 표준 커넥터 어셈블리의 단면도.
도2e는 본 발명에 따른 커넥터 어셈블리의 변경 실시예의 후방 사시도로서, 상기 구성요소 패키지는 주조된 캐리어를 가진 일직선 상에서 작동하는 전도체로 대체된다.
도2f는 단일층의 금속실드기판의 사용을 설명하는 본 발명에 따른 커넥터 어셈블리의 변경 실시예의 저면 사시도.
도2g는 관련된 윤곽선요소를 구비한 전도체를 통합하는 커넥터 어셈블리의 부분(바닥 열만)측면도.
도3a는 정상에서 바닥 까지의 실드요소와 전후방 실드요소를 포함하는, 본 발명에 따른 커넥터 어셈블리의 두번째 표준 실시예의 후방 어셈블리도.
도3b는 도3a의 커넥터 어셈블리 내에서 사용되는 관련된 슬롯(slot)과 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드의 전방 사시도.
도3c는 도3a의 상기 어셈블리의 커넥터 하우징의 정면도.
도3d는 "T"자형의, 도3a의 커넥터 어셈블리 내에서 사용되는 전후방 실드(변형 전의)의 평면도.
도4a 와 도4b는 광 방사 다이오드를 포함하는, 본 발명에 따른 커넥터 어셈블리의 세번째 표준 실시예의 각각의 부분 어셈블리도와 단면도.
도4c는 상부 커넥터의 열 구성요소 패키지의 배면에 형성된 그루브내에서 LED 전도체의 위치를 설명하는 도4a-도4b의 커넥터의 부분 배면도.
도5는 본 발명에 관련하여 임의로 사용되는 연동장치 베이스 어셈블리의 일 실시예의 어셈블리도.
도5a는 본 발명의 커넥터와 관련하여 사용되는 환형코아변압기의 표준 형성배열의 부분 단면도.
도6은 전자 어셈블리를 형성하도록 전형적인 기판(PCB)위에 탑재된, 본 발명 에 따른 커넥터 어셈블리의 사시도.
도7은 본 발명에 따른 커넥터 어셈블리를 제조하는 방법의 일 표준 실시예를 설명하는 논리적 플로우 다이어그램.
도7a는 상기 커넥터 어셈블리의 구성요소 패키지를 제조하는 방법의 일 표준 실시예를 설명하는 논리적 플로우 다이어그램.
도7b는 상기 커넥터 어셈블리의 기판실드를 제조하는 방법의 일 표준 실시예를 설명하는 논리적 플로우 다이어그램.
(상기 도7 및 이하 실시예의 도7은 식별기호 도7-1, 도7-2, 도7-3의 연속적인 도면임을 명시한다.)
시종일관 유사한 부분들에 유사한 넘버를 한 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
다음의 설명이 종래기술에서 잘 알려진 타입의 다수의 RJ타입 커넥터와 관련된 모듈라플러그에 의해 주로 정리되는 반면에, 본 발명은 많은 다른 커넥터 타입과 관련하여 사용되는 것이 주목된다. 따라서, RJ커넥터와 플러그에 대한 다음의 설명은 더 넓은 개념의 단지 하나의 표준이다.
도2a-2c를 참조하면, 본 발명에 따른 커넥터 어셈블리의 첫 번째 실시예가 묘사된다. 도2a-2c에서 알 수 있는 바와 같이, 어셈블리(200)는 대개 다수의 개개의 커넥터(204)를 구비한 커넥터(204) 하우징요소(202)를 포함한다. 특히, 상기 커넥터(204)는 상기 하우징내에 나란한 열(row) 배열로 상기 실시예에서 배열되어 상 기 커넥터(204)의 두 열(208,210)이 하나가 나머지 하나의 꼭대기에 위치되도록 형성된다. 각 개개의 커넥터(204)의 전방벽(wall)(206a)은 서로에 대해 평행하고 일반적으로 동일 평면상에 더 위치되어 모듈라 플러그(도2a)가 물리적 간섭없이 동시에 각 커넥터(204)내에 형성되는 플러그 리셋(212)내로 삽입되도록 한다. 상기 플러그 리셋은 각각 예정된 배열로 내부에 위치되는 다수의 전기 전도체를 구비한 하나의 (도시되지 않은) 모듈라플러그를 수용하도록 적응되며, 상기 배열은 각 리셋(212)내에 존재하는 각 전도체(220a)와 짝을 이루도록 적응되어 아래에서 상세히 설명되는 것처럼, 플러그전도체와 커넥터 전도체(220a) 사이에 전기적 커넥션을 형성한다. 비록 폴리머나 기타 다른 재료가 사용될 것으로 알려졌을지라도, 상기 커넥터 하우징요소(202)는 상기 설명된 실시예에서 전기부도체이고 열가소성부재(예를들면, PCT, IR, UL94V-0)로 만들어진다. 주입몰딩프로세스는, 비록 다른 프로세스가 사용될지라도, 선택된 재료에 의존하는 상기 하우징요소(202)를 형성하는데 사용된다. 상기 하우징 요소의 선택과 제조는 상기 기술분야에서 잘 이해되므로, 여기서는 더 언급하지 않는다.
또한 상기 하우징(202)내에 대개 평행으로 위치되며 수직방향인 다수의 그루브(222)가 상기 하우징요소(202)내의 각 커넥터(204)의 리셋(212)내에서 일반적으로 형성된다. 그루브(222)는 일정간격이 있고 상기 모듈라 플러그의 전도체(216)와 짝을 이루는데 사용되는 상기의 전도체(220)를 가이드하고 수용하도록 적응된다. 전도체(220)는 예정된 모양으로 형성되어 다수의 전자 구성요소 패키지(230,232)(도5를보라)위에 유지되며, 그 패키지는 또한 도 2C에서 보여주는 것처럼 상기 하우 징요소(202)와 짝을 이룬다. 상세하게는, 상기 하우징요소(202)는 각 커넥터(204)의 후방벽에 대개 인접한 각 커넥터(204)의 후방에서 형성되는 다수의 캐버티(cavity)(234)를 포함하며, 각 캐버티(234)는 상기 구성요소 패키지(230,232)를 연속되는 순서로 수용하도록 적응된다. 상기 캐버티는 또한 두개의 구성요소 패키지(230,232)의 두께에 근사적인 깊이의 사이즈이므로 상기 구성요소 패키지(230,232)가 전후 순서로, 바닥열 패키지(232)가 정상열 패키지(230)보다 앞에 (즉, 상기 커넥터 어셈블리의 정면에 더 가깝게) 놓이도록 한다. 상기 정상열 패키지로부터 상기 상부전도체(220a)가 각 캐버티(234)의 상부(235)를 점유하는 반면에, 각 캐버티(234)는 대개 상기 하우징요소(202)내의 커넥터 하부열내에 위치되므로서, 각 패키지(230,232)의 상부 전도체들(220a) 사이에 전기적 분리를 허용한다. 상기 구성요소 패키지의 상부전도체(220a)는 변형되어 상기 패키지(230,232)가 각 캐버티(234)로 삽입될 때, 상기 상부 전도체(220a)가 그루브(222)내에 수용되고, 후자가 상기 플러그 리셋(212)내에 수용될 때 상기 모듈과 플러그의 전도체와 짝을 이루는 위치에 유지되며, 또한 그루브(222)를 정의하고 그 사이에 위치된 분리자(separators)(223)에 의해 전기적 분리를 유지하도록 한다.
상기 구성요소 패키지(230,232)는 상기 하우징요소(202)로 주조되고 상기 하우징 요소의 중앙부로부터 후미로 추진되는 각 래치(latch)메카니즘(233)에 의해 대체적으로 그들의 캐버티내에 보유된다. 상기 설명된 실시예에서, 래치메카니즘(233) 각각은 상기 래치 부재(237)의 말단부에 위치된 래치 돌출부(239)를 구비한 연장되고, 평편하며 어느정도 유연한 부재를 포함한다. 상기 돌출부(239)는 상기 정상열 구성요소 패키지(230)의 상단표면에 형성된 대응되는 리셋 또는 데탄트(detent)(243)와 관련되므로서 캐버티내에 위치될 때 상기 패키지(230)를 제 위치에 보유한다. 랜드(land)세트(245)와 대응되는 그루브(247)는 각 캐버티(234)의 내부벽면((247)과 각 구성요소 패키지(230,232)의 외부벽면(249)에 형성되어, 각 패키지(230,232)는 후자가 캐버티(234)내에 설치될 때 이탈로부터 배제되어 적절하게 배열되도록한다. 그러므로 상기 랜드와 그루브 (245,247)및 상기 래치메카니즘(233)은 상기 장치(200)가 어셈블될 때 상기 구성요소 패키지를 요구되는 배열과 위치에 안전하게 유지한다.
그러나 마찰, 점착제, 또는 역학적 기술분야에서 잘 알려진 타입의 심지어 다른 타입의 래치 메카니즘을 포함하며, 상기 구성요소 패키지(230,232)를 상기 하우징요소(202)내에 정렬시키고 고정하기 위한 많은 다른 배열이 사용된다는 것은 이해될 것이다. 그러나, 설명된 실시예는 특히 어셈블리의 용이성, 강도, 및 요구될 때는 언제나 디스어셈블리(disassembled) 될 수 있는 능역의 이점을 가지므로서, 요구될 때는 언제나 단일의 구성요소 패키지를 교체하거나 대체하도록 한다.
도2a-2c에서 설명되는 실시예는 각 패키지(즉, 패키지당 전도체 4세트)내에 전도체 세트 쌍(220a,220b)을 구비한 구성요소 패키지를 포함하는 반면, 다른 배열이 사용된다는 것은 주목할 만하다. 예를들면, 본 발명은 개개의 커넥터(204)당 개개의 구성요소 패키지(230,232), 또는 패키지당 커넥터 전도체(220a,220b)의 두 개 이상의 완전한 세트로 형성된다. 변경적으로, 정상 하우징 열 내의 모든 커넥터(204)에 대한 전도체(220a,220b)는 전 커넥터 하우징(202)의 너비를 채우는(도시하지 않은) 단일 구성요소 패키지내에 포함될 것이다. 많은 다른 그러한 대안이 가능하며 여기서 보여주는 본 발명의 범주내에 있다고 고려된다.
상기 설명된 실시예에서, 커넥터의 두개의 열(208,210)이 서로에 관하여 위치되어 정상열(208)과 관련된 상기 패키지(230)의 상부 전도체(220a)는 바닥열(210)에 대한 상기 패키지(232)와 관련된 것보다 모양과 길이에서 다르도록 한다. 이러한 모양과 길이에 있어서의 차이는 주로 상기 기판 실드(260)내에 수용되고 상기 커넥터 어셈블리의 바닥면에 동일 평면 형태로 종단하는 각 동일선상의 패키지(230,232)에 대한 하부 전도체(220b)의 말단부(229)를 구비하며, 그럼으로서 PCB와 같은 기판 또한 평편한 구성요소에 짝을 맞추는 것을 허용하는 인위구조이다. (도6을 보라)
또한 상기 설명된 실시예에서, 각 커넥터의 상부전도체의 두개의 전도체(294a,294b)는 도2d에서 보여주는 것처럼, 그 나머지 전도체를 포함하는 플레인(plane)(295)을 벗어나서 위치된다. 비록 다른 기능을 가진 전도체가 여기서 설명되는 배열로 이득을 얻을지라도, 이 두개의 전도체(294a,294b)는 본 실시예에서 "전송하고" "수용하는" 전도체이다. 상기의 변위(displacement)는 이들 전도체(294a,294b)와 같은 커넥터의 남아있는 상부 전도체 사이에 전자 "누화(cross-talk)"를 제거하거나 감소하기 위해 각 커넥터의 전송하고 수용하는 종단부를 위해 제공된다. 상세하게는, 상부 전도체(220a)의 길이가 더 길어짐에 따라, 관련된 캐퍼시턴스(capacitance)도 증가하고 그럼으로써 누화에 대한 기회도 증가한다. 본 발명에서 각 전도체 일부의 공동 플레인(295)을 벗어난 변위는 두 전도체(294a,294b)와 같은 커넥터의 다른 전도체 사이에 더 긴 간격거리를 더하고, 그럼으로서 계(field)강도를 줄이며 그 사이의 누화도 따라서 줄인다. 그러나, 본 실시예가 그들의 유효길이의 실질부에 대한 전도체(294a,294b)의 수직변위를 이용하는 반면, 두 전도체(294a,294b)와 같은 커넥터의 다른 전도체 사이에 실드요소를 제공하거나, 또는 상기 전도체(294a,294b)를 그들의 실행부에 대해 그 나머지로부터 측면으로( 즉, 공동플레인(295) 내에서 ) 벗어나게 움직이는 것과 같은 다른 기술이 사용된다. 다른 접근도 사용되는데, 그러한 접근은 보통기술에 의한 접근으로 알려졌다.
도2a-2c의 실시예가 도5에 관하여 여기서 묘사되는 것처럼 정상열과 바닥열 커넥터 구성요소 패키지(230,232)를 포함하는 반면에, 그러한 패키지의 모두 또는 일부는 선택적이며, 도2c의 변경적인 실시예에서 보여주는 것처럼 전기적으로 요구되지 않는다면 상기 디자인으로부터 제거될 것이다. 예를들면, 어떠한 시그널 필터링 또는 전압변환이 요구되지 않는 적용에서, 상기 패키지(230,232)내의 전자구성요소는 제거되고, "스트레이트런(straight run)" 전도체(290)는 상기 패키지(230,232)와 관련된 상부와 하부 전도체(220a,220b)를 대체하는데 사용된다. 도2d에서 보여주는 것처럼, 상기 스트레이트런 전도체(290)는 각 커넥터(204)의 후방부로부터 나와 부수적으로 아래쪽(292)으로 추진되고 궁극적으로는 PCB 또는 다른 외부장치에서 종단되기 위해 기판실드(260)를 통해서 추진된다. 상기 전도체(290)는 선택적으로 더해진 강도와 정렬을 위해 과주조(overmold)된 "캐리어(293)"내에 유지된다. 그러나, 예를들면 (도시되지 않은) 전도체 세트 각각 위에 절연 분리자의 전후방벽에 형성된 가이드 슬롯을 이용하는 것과 같은 도2d에서 보여주는 것 이외의 배열이 사용됨은 명백하다.
도2a-2c의 실시예가 각 4개의 커넥터의 두개의 열(208,210)을 포함하는 반면에(그럼으로서 2×4 커넥터 배열을 형성하는), 다른 배열형성도 사용된다. 예를들면, 각 2개의 커넥터의 두개 열을 포함하는 2×2 배열은 대체될 수 있다. 변경적으로, 2×8배열도 사용될 수 있다. 또 다른 변경으로, 열 당 4개의 커넥터 중 3개의 열(즉, 3×4)가 사용될 것이다. 또 다른 변경으로, 각 열내에 동등하지 않은 수의 커넥터들을 가진 두개의 열을 구비하는 것(예를들면, 정상열에 2개 커넥터, 바닥열에 4개 커넥터)과 같은 비대칭 배열이 사용될 것이다. 각 커넥터의 상기 플러그리셋(212)(그리고 정면부(206a))도 도2a-2c의 실시예에서처럼 동일평면상일 필요는 없다. 더욱이, 각 배열내의 임의의 커넥터는 전가 구성요소 패키지를 구비할 필요가 없거나, 또는 변경적으로 같은 배열내의 다른 커넥터들보다 상기 패키지내에 다른 구성요소를 구비할 수 있다. 본 발명을 만족하는 많은 다른 치환이 가능하다 ; 그래서 여기서 보여주는 실시예들은 더 넓은 개념의 설명일 뿐이다.
도2a-2c의 실시예의 상기 열(208,210)은 미러이미지모양(mirror-imagefashion)으로 배향되어, 상기 정상열(208)내의 각 커넥터(204)를 위한 래칭메카니즘(250)이 상기 바닥열내의 대응되는 커넥터의 래칭메카니즘으로부터 역 또는 미러이미지된다. 이러한 접근은 사용자로 하여금 최소한도의 물리적 간섭을 가지고 양 열(208,210)의 래칭메카니즘(250) (이 경우에는,비록 다른 타입이 대체될지라 도, RJ 모듈과 잭에서 주로 사용되는 타입의 유연한 탭(tab)과 리셋배열) 에 접근하는 것을 허용한다. 그러나, 상기 정상열과 바닥열(208,210)내의 커넥터들은 그들의 래칭메카니즘(250)에 관하여 동등하게 배향되어, 요구된다면 상기 플러그리셋(212)의 정상부에 위치된 커넥터들의 양 열의 모든 래치를 구비하도록 한다.
본 발명의 상기 커넥터 어셈블리(200)는 어셈블리(100)가 궁극적으로 탑재되어있는 PCB 또는 기판에 인접한 상기 커넥터 어셈블리(200)의 바닥면에 본 실시예에서 위치된 실드기판(260)을 더 포함한다(도6). 상기 설명된 실시예에서, 상기 실드 기판은 단일층의 주석으로 도금된 구리 또는 다른 금속의 실드재(266)가 위치되는 적어도 단일층의 섬유유리(262)를 포함한다. 상기 섬유유리(262)와 금속실드의 노출부분도 안정성과 절연내력을 더하기 위해 선택적으로 폴리머로 코팅될 수도 있다. 상기 기판(260)은 각 구성요소 패키지(230,232)의 하부 전도체(220b)에 관하여 상기 기판(260)위의 예정된 위치에 형성된 다수의 종단 핀(pin) 구멍 배열(268)을 더 포함하여, 상기 커넥터 어셈블리(200)가 충분히 어셈블될 때, 상기 하부 전도체(220b)가 각각의 상기 종단 핀 배열(268)에 관해 상기 기판(260)을 관통하도록 한다. 상기 금속실드(266)를 외부 노이즈실드(272)에 연결하는 핀이나(도시되지 않은) 다른 요소에 대한 설비(provision)도 제공된다. 이러한 방법으로, 상기 실드요소(266,272)는 정전기적 포텐셜 또는 다른 잠재적인 결함효과의 축적을 피하도록 전기적으로 커플되고 궁극적으로 접지된다.
상기 설명된 실시예에서, 금속 실드층(266)은 상기 종단 핀 배열(268)을 둘 러싸고 바로 인접한 영역(270)으로부터 에칭되고 제거되며, 그럼으로써 그 영역내에서 바람직하지 않은 전기단락 또는 전기전도에 대한 임의의 포텐셜을 제거한다. 그러므로, 각 커넥터의 하부전도체(220b)는 상기 기판을 관통하여 단지 상기 기판(260)의 비전도 섬유유리층(262)과 접촉하며, 후자는 하부전도체(220b)에 대한 역학적 지지와 위치등록을 제공하는 이점이 있다. 그러나, 예를들면 그 사이에 "샌드위치된" 금속실드층(266)을 가진 이중층의 섬유유리, 또는 다른 접근과 같은 상기 기판실드(260)의 다른 구조가 사용된다는 것은 이해된다.
상기 기판(260)의 금속실드층(266)은 전자 노이즈전달에 대향하여 커넥터 어셈블리(200)의 바닥면을 실드하도록 작용한다. 이것이 상기 커넥터 어셈블리(200)의 일부를 둘러싸는 외부 금속실드에 대한 요구를 제거하며, 뿐만아니라 상기 전도체(220b)가 이 영역을 점유하기 때문에 실제 기준점으로부터 실행하는 것은 매우 어려울 수 있다. 반대로 본 발명의 기판(260)은 하부전도체(220b)로부터 외부실드까지 단락되는 위험없이 상기 커넥터 어셈블리(200)의 바닥부의 실드를 제공하며, 또한 상기 하부전도체(220b)에 대한 역학적 안정성과 등록을 제공한다.
도2a-2c에서 보여주는 것의 변경 실시예에서, 상기 실드기판(260)은(구리합금 ; 두께 대략 0.005 인치; 과 같은) 금속 실드재의 단일칭(253)을 포함하며, 도2f에서 보여주는 것처럼, 상기 커넥터 어셈블리의 바닥면의 실질상 대부분을 덮도록 형성된다. 도2a-2c의 실드 기판을 가지고 한 것 처럼, 하부전도체(220b)에 바로 인접한 단일 금속층 일부는 상기 실드(253)에서 전기단락 가능성을 없애도록 제거된다. 상기 실드(253)는 또한 접지되도록 (아래에서 설명되는) 외부노이즈실드에 접합(255)되거나 그렇지 않으면 전도가능하게 결합된다. 도2f의 실시예는, 단일층금속(253) 제조가 도2a-2c에서의 실시예의 다중층 대조물보다 훨씬 더 단순하므로, 구조의 단순성과 제조비용절감의 이점이 있다.
도2a-2c의 커넥터 어셈블리(200)는 또한 도2b에서 설명되는 것처럼 일반적으로 일치되는 방법으로 상기 커넥터 하우징(202)위에 탑재되는 외부노이즈실드(272)를 포함한다. 상기 외부실드(272)는 금속구조로, 특히 0.010inch 두께의 구리에 근거한 합금이다. 상기 실시예에서, 상기 외부실드(272)는 어셈블될 때 (상기 하우징(202)의 바닥표면(206d), 및 각 커넥터(204)의 모듈과 프러그 리셋(212)을 제외한) 상기 커넥터 어셈블리(200)의 대부분 표면영역을 둘러싸는 다수의 연동 평면부분(274a-e)로 분할된다. 그러므로, 상기 외부실드(272)가 이전에 설명된 기판실드(260)와 결합할 때, 상기 하우징요소의 6면 모두를 가로지르는 전자노이즈전달은 대체로 완화되거나 심지어 제거된다. 상기 외부노이즈실드(272)는 측면과 후방 실드부분(274b-d)의 하단부를 따라 위치된 다수의 접지 "스파이크(spikes)"(277)를 더 포함하며, 상기 실드의 접지를 위해(도시되지 않은) PCB위의 대응되는 접지구멍 또는 종단부와 짝을 이룬다. 외부 금속노이즈실드의 사용과 구조는 전자분야에서는 잘 알려진 사실이고, 따라서 여기서는 더 이상 언급하지 않는다.
또한 위치하거나 보유하는 요소(예를들면, 양수인에게 양도되고 전체를 참조함으로서 여기에 통합된, 2000,9,12에 발간된 "두 부분 마이크로전자 커넥터와 방법"이라는 제목의 U.S 특허번허 6, 116, 963에서 설명되는 것과 같은 "윤곽선"요 소)는 본 발명의 하우징요소(202)의 일부로써 선택적으로 이용된다는 것도 이해될 것이다. 이들 위치 또는 보유요소는 특히, 개개의 상부 전도체(220a)를 상기 리셋(212)내에 수용되는 모듈라플러그에 관해 위치시키고, 그럼으로서 상기 상부 전도체(220a)에 대해 역학적 피봇포인트 또는 펄크럼(fulcrum)을 제공하는데 사용된다. 부가적으로 또는 대안으로, 이들 요소는 상기 전도체(220a)와 임의의 관련 패키지(230,232)에 대한 유지장치로써 작용하며, 그럼으로서 상기 하우징(202)으로부터 패키지와 전도체의 제거에 대향하는 마찰보유력을 제공한다. 도2g는 표준 커넥터 바디(body)내에서 그러한 윤곽선 요소의 사용을 설명한다. 그런 요소의 구조는 본 기술분야에서 잘 알려진 사실이고, 따라서 여기서 더 이상 언급하지 않는다.
도3a-3c를 참조하면, 본 발명의 커넥터 어셈블리의 두 번째 실시예가 설명된다. 두 번째 실시예(300)에서, 이전에 설명된 도2a-2c의 커넥터어셈블리는 (ⅰ)정상에서 바닥에 이르는 노이즈실드요소(305), 및 (ⅱ)전자노이즈전달을 더 완화하기 위해서 다수의 전후방 실드 요소(307)를 포함하도록 적응된다. 종래 실시예의 기판실드(260)와 외부실드(272)가 커넥터 어셈블리(200)의 6개의 외부면을 가로질러 전달되는 노이즈를 완화하거나 제거하는 반면, 도3의 실시예의 정상에서 바닥에 이르는 노이즈실드요소(305)와 전후방 실드요소(307)는 하부 열(310)로부터 커넥터(308)의 상부열과, 하부열 패키지(232)로부터 상부열 구성요소패키지(230)를 실드함에 의해 노이즈전달을 더 감소시킨다. 이러한 형태로, 노이즈는 상기 어셈블리내에서 모든 중요한 인터페이스를 효율적으로 가로질러 완화된다.
여기서 사용되는 용어 "정상에서 바닥에 이르는"과 "전후방"은 상기 커넥터 어셈블리의 플레인(379)에 관해 각각이 순수하게 수평 또는 수직이 아닌 방향을 포함하고 있음을 의미한다. 예를들면, (도시되지 않은) 발명의 커넥터 어셈블리의 일 실시예는 평면표면에 대해 구부러지거나 비선형인 배열로 배열되는 다수의 개개 커넥터들을 포함하여, 정상에서 바닥에 이르는 노이즈실드도 연속되는 커넥터 열들 사이에 실드를 제공하도록 구부러지거나 비선형이 될 수 있도록 한다. 비슷한 방법으로, 전후방 실드요소도 수직에 대해 각을 이룬 방향으로 배치되거나, 또는 커텍터 하우징(202)의 측면에 평행한 커넥터내에 배치되어, 상기 구성요소 패키지(230,232)의 방향에 의존한다. 그러므로, 상기의 용어들은 표현된 실드요소(305,307)가 취하는 방향 및/또는 모양을 결고 제한하지 않는다.
비슷하게, 그러한 실드요소(305,307)가 단일의, 유일한 구성요소에 의해 여기에서 설명되지만, 실드요소 둘 다 또는 어느 하나는 서로에 대해 물리적으로 분리될 수 있는 2개 이상의 하부구성요소를 포함한다는 것은 명백하다. 그러므로, 본 발명은 "다중부(multi-part)"실드의 사용을 예견한다.
설명된 실시예(도3b 와 도3c)에서 정상에서 바닥에 이르는 실드요소(305)는 경도가 H04이고 두께가 대략 0.008 inch인 구리아연합금(260)으로부터 형성되며, 일 마트 니켈(대략 두께가 0.00005-0.00012 inch)위에 선명한 93%/7%의 주석-납 합금(대략 두께가 0.00008-0.00015)으로 도금된다. 그러나, 다른 재료, 구조, 및 두께 값은 특별한 응용에 따라 대체될 수 있다. 상기 실드요소(305)는 그 끝단에 위치된 두개의 접합부(394)를 더 포함하며, 상기 커넥터 어셈블리(300)가 충분히 어셈블된 후에 외부실드(272)에 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드요소(305)를 결합 하도록 외부실드(272)내의 두개의 측면 슬롯(397)과 협조한다. 상기 접합부(394)는 선택적으로 접합되거나 그렇지 않으면 외부 실드내의 상기 측면 슬롯의 끝단부와 접촉하므로서, 요구되는 전기 전도통로를 형성한다. 상기 실드요소(또는 그 부분들)도 단일층의 켑톤 폴리마이드 테입(Kapton polymide tape)과 같은 유전체 코팅이 선택적으로 제공될 것이다.
상기 정상에서 바닥에 이르는 실드요소(305)는 일정깊이로 상기 커넥터 하우징 요소(302)의 정면부(313)에 형성된 그루브 또는 슬롯(311)내에 수용되어 상기 어셈블리(300)의 정상열(308)과 바닥열(310) 사이에 실딩이 완성되도록 한다. 설명된 실시예에서, 상기 실드요소(305)는 요구되는 위치에서 상기 실드요소의 플레인(319)에 관해 일정각도로 상기 실드요소(305)는 요구되는 위치에서, 상기 실드요소의 플레인(319)에 관해 일정각도로 상기 실드요소(305)의 외부 끝단부(317)를 구부림으로써 형성되는 리테니너 탭(retainer tab)(392)을 포함한다. 이러한 배열은 상기 실드요소(305)가 예정된 깊이까지 슬롯(311)내에 삽입되는 것을 허용하며, 그럼으로서 제조하는 동안 상기 실드요소가 어셈블리로부터 어셈블리까지 관통하는 깊이에 있어서의 변동에 대해 포템셜을 감소시킨다. 그러나, 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드요소(305)를 위치시키기 위한 다른 배열들이 예를들면 핀, 데탄트, 점착제, 등등, 본 기술분야에서 잘 알려진 모든 것들을 이용할 것임은 이해된다.
전후방 실드요소(307)는 도 3d에서 보여주는 것처럼 일반적으로 "T"자 형으로 제조된다. 각 요소의 연장부(321)는 상기 하우징(302)을 정상열(308)과 바닥열(310)로 양분하는 수평면내의 대개는 상기 하우징(302)위에서 전후로 작동하는 대응하는 슬롯(323)내에 수용된다. 상기 실드요소가 설치될 때, 그 평면 구성요소(331)는 수직방향으로 위치되고 상기 정상열 구성요소 패키지(230)의 정면부와 상기 바닥열 구성요소 패키지(232)의 후방면(327)사이에서 접촉이 유지되어, 발산된 전자노이즈에 관해 상기 두개의 패키지를 효율적으로 분리한다. 각 실드요소(307)의 연장부(321)는 평면구성요소(331)로부터 대략 90°정도 변형되며 그 말단부(333)에서 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드요소(305)에, 마치 접합에 의한 것처럼 결합되며, 그럼으로서 상기 두개의 요소사이에 전기적 커넥션과 공동 포텐셜을 형성한다.
비록 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드(305)를 가지고 한 것과 마찬가지로, 다른 재료와 두께값이 사용될 지라도, 설명된 실시예의 상기 전후방 실드요소(307)는 본 발명 기술분야에서 잘 알려진 타입인 두께가 대략 0.002-0.003 inch 인 구리박(foil)으로부터 제조된다.
상기 기판실드(260), 외부실드(272), 정상에서 바닥에 이르는 실드(305), 및 전후방 실드(307)에 덧붙여, 본 발명의 커넥터 어셈블리(300)는 상기 정상열(308)과 바닥열(310)내의 개개의 커넥터들(304) 사이에 측면으로 위치된(도시되지 않은) 커넥터간 실드로 더 배열된다. 그러한 커넥터간 실드는 (수직방향을 제외한)상기 정상에서 바닥에 이르는 실드(305)에 대한 것과 비슷하게 상기 커넥터 하우징(302)내에 형성된 슬롯내로 삽입된 별개의 분리요소로써, 또는 변경적으로 상기 하우징(302)의 제조동안에 형성되는 주어진 열(308,310)내의 개개의 인접한 커넥터(304)의 벽 사이에 위치된 박막 코팅 또는 층으로써 형성된다. 여기서 표현되는 본 발명을 만족하는 상기 커넥터(304)를 측면으로 실드하는 다른 배열도 가능하다.
도4a-4c를 참조하면, 본 발명의 커넥터 어셈블리의 또 다른 실시예가 설명된다. 도 4a-4c에서 보여주는 것처럼, 커넥터 어셈블리(400)는 본 기술분야에서 잘 알려진 타입의 광발산 다이오드 LEDs의 형태인, 다수의 광원을 더 포함한다. 광원(403)은, 잘 알수 있는 바와 같이, 각 커넥터내의 전자 커넥션의 현 상태를 나타내는데 사용된다. 도4a-4c의 실시예의 LEDs(403)는 상기 바닥열(410)의 바닥끝단(409)과 상기 정상열(408)의 정상끝단(414)에 위치되며, 커넥터당 두개의 LEDs가 상기 커넥터 어셈블리(400)의 정면으로부터 볼 수 있도록 모듈과 플러그 래치메카니즘(450)의 각 면에 인접하게 위치된다. 현재의 실시예에서, 개개의 LEDs(403)는 하우징요소(402)의 정면에 형성된 리셋(444)내에 수용된다. 각 LEDs(403)는 상기 하우징요소(402)내에 형성된 리드채널(447)내에서 대개는 수평방향으로 상기 LED의 후방으로부터 상기 커넥터 하우징요소(402)의 후방부까지 작동하는 두개의 전도체(411)를 포함한다. 상기 LED 전도체(411)들은 그들의 말단부(417)를 향해 그러한 각도로 변형되거나 구부러져 그들이 상기 정상열과 바닥열 구성요소 패키지(230,232)로부터 하부 전도체(220b)에 대개는 평행한, 상기 실드기판(460)에 형성된 대응되는 구멍(419)으로부터 나타나거나 관통할 수 있도록 함으로서, PCB 또는 다른 외부구성요소에서 종단을 촉진하는 전도체 배열을 형성한다. 도4c에서 보여주는 것처럼, 상기 LED 전도체(411)는 상기 상부열 커넥터와 관 련된 상기 구성요소 패키지(230)의 후면에 형성된 보완 수직 그루브(497)내에 마찰을 일으키도록 수용된다. 이 그루브들(497)은 상기 패키지(230)의 하부전도체(220b)에 상대적인 위치내에 상기 전도체(411)를 보유하는 것을 도움으로서, 상기 기판실드(460)를 통한 삽입을 촉진한다.
비슷하게, 보완 그루브 세트(499)는 커넥터 바닥열의 LEDs를 위한 상기 전도체(411)와 일치하는 상기 하우징(402)의 바닥면위에서 종단하도록 형성된다. 이들은 상기 LED 전도체로 하여금 그들의 각 리셋(444)내에 수용되도록 하고, 상기 리셋(444)의 후단으로부터 나타나도록 함으로써, 도4b에서 보여주는 것처럼 각 그루브(499)내에 마찰을 일으키며 수용되도록 아래쪽으로 변형되게 한다. 상기 하부 구성요소 패키지(232)가 상기 하우징(402)으로 삽입된 다음에, 하부 패키지(232)의 정면부는 상기 그루브(499) 벽의 후방향 돌출부와 접촉함으로서, 상기 하부열 커넥터 LEDs의 전도체(411)를 위한 밀폐채널을 형성하고, (리셋(444)과 그루브(499)의 마찰효과에 따라) 적절한 위치에 그들을 유지한다.
하우징요소(402) 각각내에 형성된 리셋(444)은 각 LED가 내부에 삽입될 때 그들을 둘러싸며, LED(403)와 (도시되지 않은) 리셋의 내부벽 사이의 마찰에 관하여 제 위치에 상기 LED를 안전하게 유지한다. 변경적으로, 헐거운 끼워맞춤과 점착제가 사용되거나, 또는 마찰과 점착제 둘 다가 사용될 것이다. 또 다른 변형으로서, 상기 리셋(444)은 그들의 전도체(411)에 의해 주로 제위치에 보유되는 LEDs를 구비한 단 2개의 내부벽을 포함하여, 상기 커넥터 하우징의 인접한 표면안에 형성된(예를들면, 커넥터 바디(body)내에서 전후방으로 방향지어진) 그루브내에 마찰을 일으키도록 수용된다. 이러한 접근은 상기 리셋의 외부 2개의 벽의 부재(absence)가 부가적인 커넥터 너비와 높이를 필요로하기 때문에, 상기 커넥터의 프로필(profile)을 최소화시키는이점이 있다.
또 다른 변형으로서, 외부실드요소(272)는 상기 리셋(444)내에 LEDs의 지지와 보유를 제공하는데 사용되며, 상기 리셋(444)은 LEDs(403)가 맞춰지는 3면 채널을 포함한다. 상기 하우징요소(402)에 관해 LEDs를 제 위치에 위치시키고 보유하기 위한 많은 다른 배열이 사용될 것이며, 그런 배열은 본 발명과 관련된 기술분야에서 잘 알려진 사실이다.
각 커넥터(404)에 사용되는 두개의 LEDs는 비록(예를 들면 "백색광" LED와 같은) 멀티 크로마틱장치, 또는 다른 타입의 광원이 요구될 때는 언제든지 대체될지라도, 하나의 LED로부터 녹색광 및 나머지로 부터 적색광과 같은 요구되는 파장의 가시광성을 방사한다. 예를 들면 거리가 먼 광원으로부터 커넥터 어셈블리(400)의 정면까지 빛을 전송하는데 광섬유 또는 광파이프를 사용하는 것과 같은 광파이프 배열이 도입된다. 백색광 또는 액체 크리스탈(LCD) 또는 박막 트랜지스터(TFT)장치와 같은 많은 다른 변형이 가능하나, 이들 모두는 전자분야에서 잘 알려진 사실이다.
LEDs(403)를 구비한 커넥터 어셈블리(400)는 요구될 때는 언제나 개개의 LEDs를 위한 노이즈실딩을 포함하도록 더 배열된다. 도 4a-4b의 실시예에서, 상기 LEDs(403)가 외부 노이즈실드(272)의 내부(즉, 커넥터 하우징면에)에 위치되는 것을 주목하라. 상기 LEDs에 의해 발산되는 노이즈로부터 개개의 커넥터와 관련된 전 도체 및 구성요소 패키지를 실드하는 것이 요구된다면, 그러한 실딩은 많은 다른 방법으로 상기 커넥터 어셈블리(400)내에 포함될 것이다. 일 실시예에서, 상기 LED실딩은 각 LED의 삽입에 앞서 LED리셋(444)의 내부 벽 (또는 LED자체의 비전도부분)에 얇은 금속 (예를들면, 구리, 니켈, 또는 구리-아연합금)층을 형성함으로서 완성된다. 두 번째 실시예에서, 커넥터 하우징(402)으로부터 분리가능한 (도시되지 않은) 별개의 실드 요소가 사용될 수 있으며, 각 실드요소는 그 각각의 LED를 수용하고 또한 그 각각의 리셋(444)내에 맞추지도록 형성된다. 또 다른 실시예에서, 외부노이즈 실드(272)는 상기 실드의 외부표면에 LEDs(403)를 수용하도록 상기 리셋(444)내에서 제조되고 변형되며, 그럼으로서 상기 LEDs와 개개의 커넥터(404)사이에 노이즈 분리를 제공한다. 상기 LEDs로부터 커넥터(404)를 실드하기 위한 무수히 많은 다른 접근이 전기 단락을 피하기 위해 LED 전도체와 커넥터 어셈블리상의 다른 금속 구성요소 사이에 충분한 전기적 분리가 있어야 한다는 제한만을 가진 채, 요구될 때는 언제나 마찬가지로 사용될 수있다.
도5는 도2a-2c, 도3a-3b, 및 도4a-4b의 실시예와 관련하여 사용된 전자구성요소 패키지(230,232)의 표준 실시예를 설명한다. 설명된 실시예에서, 구성요소 패키지(230,232) 각각은 연동장치 베이스(502)내에 위치된 상하부 전도체세트(220a,220b), 연동장치 베이스 어셈블리(502), 및 하나 이상의 전자 구성요소(504)를 일반적으로 포함한다. 상기 패키지(230,232)내에서 사용되는 전자구성요소(504)는 많은 다른 장치 예를 들면 환형 코아변압기, 유도반응기(즉, "초크코일")와 같은 필터링 구성요소, 인덕터, 캐퍼시터, 또는 집적회로(IC) 장치와 같 은 것을 포함하며, 그들은 전자신호가 관련된 커넥터에 의하여 전송되도록 하는데 사용된다. 여기서 사용되는 것처럼, 용어 "컨디션(condition)"은 다음 사항에 제한되는 것은 아니나, 시그널 전압변환, 필터링, 전류제한, 샘플링, 프로세싱, 및 시간지연을 포함하는 것으로 이해된다. 양수인에 의해 제조된 표준 환형 코아변압기는 도5a에서 보여준다. 상세하게는, 일 표준 실시예에서, 환형변압기는 자기장이 침투할 수 있는 재료로 만들어진 코아(591)와; 층모양으로 상기 트로이드 둘레에 감긴 제1와인딩(예를들면, 첫 번째의)(592)과; 제1와인딩(592)의 정상에 형성된 단일층 또는 다중층 폴리메릭 절연재(예를들면, 파릴렌(parylene))(593)와; 상기 토로이드 둘레와 상기 절연재의 정상에 감겨있는 적어도 하나의 제2와인딩(즉, 두 번째의)(594)을 포함한다. 절연재 적용은 조절되어 요구되는 유전체 특성이 상기요소에서 외부가 종단하는 자유단을 포함하는 상기 와인딩의 길이에 대해 얻어지도록 한다. 진공증착 프로세스는 파릴렌(또는 다른 절연재)의 적용에 대해 사용되며 그럼으로서 재료 두께의 최대 균일도를 제공하는 이점이 있으며, 차례로 상기 장치의 가능한 한 가장 작은 물리적 프로필을 허용한다. 하나 이상의 갭(gap)(595)이 에너지 저장과 온도에 대한 최소변화와 같은 전자기 매개변수를 충족하도록 상기 환형코아에 선택적으로 제공될 수도 있다.
전자 구성요소 기술분야에서 잘 이해되는 것처럼, 연동장치베이스(502)는 내부에 하나 이상의 구성요소 리셋(510)이 형성되어 있는 절연 베이스 요소(506), 뿐만아니라 상기 베이스 요소(506)의 측면벽 영역(514)내에 형성된 다수의 리드채널(512)을 포함한다. 전자 구성요소(504)는 리셋(510)내에 위치되며, 상기 구성요소(504)의 전도체(522)들은 상기 구성요소(504)를 통하여 전기 연속성을 얻기위해 요구되는 것처럼 상기 상하부 전도체(220a,220b)에 전기적 종단을 위해 상기 리드 채널 중 선택된 것에 루트가 정해진다. 전자분야에서 잘 알려진 바와 같이, 베이스 어셈블리(502)는 역학적 안정성과 보호를 위해 에팍시(epaxy) 또는 다른 적절한 재료내에 더 선택적으로 쌓인다. 도5에서 보여주는 바와 같은 연동장치 베이스 어셈블리의 구조는, 특히, 양수인에게 양도되고 1991.05.14일에 발행된, "전자 초소형 패키징 과 방법" 이라는 제목의 미국 특허번호 5,105,981에서 상세하게 설명된다. 그러나, 연동장치 베이스가 도5의 실시예에서 설명되는 반면에, 그러한 전자 구성요소를 전기적으로 연결하고 역학적으로 지지하기 위한 다른 접근이 본 발명에 맞추어 사용될 수 있다. 예를들면, 전자구성요소(504)의 전도체(522)는, 예를들면 전도체(220a,220b)내에 형성된 노치(notch)내로 와이어 랩핑에 의해 또는 와이어 랩핑과 접합에 의해 상기 패키지의 상하부 전도체(220a,220b)에서 직접 종단될 수 있다. 그 다음에 전자 구성요소(504)와 전도체(522)는 구성요소들의 물리적 관계를 보존하도록 에팍시 또는 다른 절연 앤캡슐런트(encapsulant)로 과주조된다. 또 다른 변형으로서, 구성요소 패키지(230,232)는 패키지리드가 도2a-2c의 커넥터 어셈블리의 상하부 전도체(220a,220b)의 형태로 형성되고 사이즈를 갖는 IC장치를 포함한다. 이러한 모양에서, 각 IC장치는 상기 커넥터 하우징(202)에 직접 플러그되며, 동시에 상기 IC장치의 리드는 상하부 전도체(220a,220b)로써 작동한다.
도6은 외부기판, 이 경우에는 PCB에 탑재된 도2a-2c의 커넥터 어셈블리를 설명한다. 도6에서 보여주는 것처럼, 상기 커넥터 어셈블리(200)는 하부전도체(220b) 가 PCB(606)내에 형성된 각 구멍들(602)을 관통하도록 탑재된다. 하부 전도체는 상기 구멍(602)을 즉각적으로 에워싸는 전도 트레이스(608)에 접합되며, 그럼으로서 그 사이에 영구적인 전기 접촉을 형성한다. 전도체/구멍 접근 방법이 도6에서 보여지는 반면에, 다른 탑재하는 기술과 배열이 사용됨을 주목하라. 예를들면, 하부전도체(220b)가 PCB(606)에 상기 커넥터 어셈블리(200)의 표면 탑재를 허용하도록 하는 그런 배열로 형성되어, 그것에 의해 구멍에 대한 필요성을 제거한다. 다른 변형으로서, 상기 커넥터 어셈블리(200)는 (도시되지 않은) 매개 기판에 탑재되고, 상기 매개 기판은 블그리드 배열(BGA), 핀그리드 배열(PGA), 또는 다른 비표면 탑재 기술과 같은 표면 탑재 종단배열에 의해 PCB(606)에 탑재된다. 종단배열의 접지면은 상기 커넥터 어셈블리(200)의 접지면에 관하여 감소되며, 상기 PCB(606)와 매개 기판사이의 수직 간격은 다른 구성요소들이 상기 매개 기판 종단 배열의 접지면 외부지만 상기 커넥터 어셈블리(200)의 접지면내의 PCB(606)에 탑재되도록 조정된다.
[제조방법]
도7, 도7a 와 도2a를 참조하면, 상기커넥터 어셈블리(200)를 제조하는 방법(700)이 상세하게 설명된다. 도7의 제조방법(700)에 대한 다음의 설명이 두개의 열 커넥터 어셈블리에 의해 정리되는 반면에, 본 발명의 더 넓은 방법은 다른 배열에서도 동등하게 적용가능하다.
도7의 실시예에서, 상기 방법(700)은 일반적으로 702 단계내에 도2a의 어셈블리 하우징요소(202)를 처음으로 형성하는 것을 포함한다. 상기 하우징은, 비록 다른 프로세스가 사용될지라도 본 기술분야에서 잘 알려진 타입의 주입몰딩 프로세 스를 사용함으로서 형성된다. 상기 주입몰딩프로세서는 상기 몰드의 작은 디테일(details)을 정확하게 복사하는 능력, 저렴한 비용, 및 용이한 프로세싱을 위해 선택된다. 다음으로, 서너개의 전도체 세트가 단계704 내에 제공된다. 이전에 설명된 바와 같이, 전도체 세트는 대체로 정사각형 또는 직사각형의 단면을 구비하고 상기 하우징(202)안의 커넥터 슬롯내에 적합하게 맞춰지는 사이즈인 금속(예를들면, 구리 또는 알루미늄 합금) 스트립을 포함한다.
단계 706에서, 전도체들은 다음의 세트로 분할된다; 상기 하우징(202)내에서 커넥터 제1열과 사용하기 위한 제1세트와 그들의 각 캐리어(293)내에 주조되고 각각 이들 적용에 요구되는 형태로 형성된 제2열과 사용하기 위한 제2세트, 상기 전도체들은 본 기술분야에서 잘 알려진 타입의 포밍다이(forming die) 또는 기계를 사용함으로써 요구되는 형태로 형성된다.
변경적으로, 단계 707에서, 구성요소 패키지(230,232)가 어셈블된다. 도7a의 실시예에서 보여주는 것처럼, 상기 구성요소 패키지를 어셈블하는 프로세스(730)는 연동장치 베이스요소(506)를 첫 번째로 형성하는 것을 포함한다.(단계732). 다수의 제1전도체와 제2전도체를 구비한(도시하지 않은) 리드 프레임 어셈블리는 단계 734에서 다음으로 형성되며, 상기 리드프레임은 연동장치 베이스 요소(506)의 리드채널(512)과 결합하도록 적응된다. 상기의 환형코일과 같은 하나 이상의 전자구성요소는 다음으로 형성되어 단계 736에서 준비되며, 상기 베이스 요소(506)로 로드되며(단계 738), 동시에 상기 구성요소 전도체의 자유단은 리드채널(512)에 위치된다. 그 다음에 상기 리드 프레임은 단계 740에서 상기 베이스 요소(506)에 탑재되 며, 상기 구성요소 전도체들은 예를들면 단계 742에서 접합프로세스에 의하여 상기 리드 프레임에 접착된다. 그 다음에 상기 연동장치 베이스 어셈블리는 에팍시 또는 다른 앤캡슐런트 재료내에 싸인다.(단계 744). 그 다음에 상기 리드 프레임은 단계 746에서 다듬어지며, 상기 패키지의 각 면에 있는 전도체는 요구되는 형태로 변형된다(단계 748). 상기 패키지(230,232)의 양 면에 있는 리드 프레임 전도체는 각각 상하부 전도체(220a,220b)를 포함한다.
다음으로, 단계 708에서, 기판실드(260)가 제조된다. 일 실시예(도7b)에서 제조 프로세스(760)는 단계 762에서 요구되는 형태로 부도체 물질(예를들면, 섬유유리)로부터 첫 번째 층을 형성하고, 다음에 이어서 섬유유리층의 한 면에 구리나 합금의 얇은 금속층을 형성하는 것을 포함한다(단계 764). 단계 763에서, 상기 기판은 금속층을 구비한 영역내에서 기판의 코팅을 방지하도록 서너개의 예정영역에서 차폐된다; 이것이 커넥터 전도체가 상기 기판(260)의 두께를 통해 궁극적으로 루트가 정해질 때 금속실드층과 커넥터 전도체 사이에서 단락의 가능성을 방지한다.
그 다음으로 부도체 물질의 또 다른 층이 요구될 때는 언제든지 단계 766의 상기 금속층의 노출면위에 선택적으로 형성된다. 그러므로 상기 프로세스(760)에 기인한 기판(260)은 섬유유리층의 한면에 형성된 금속층, 또는 변경적으로 두개의 섬유유리층이 이용될 때 두개의 비전도층 사이에 "샌드위치된" 금속층을 포함한다.
다음으로, 다중층 기판은 단계 768에서 이전에 차폐된 영역내에 예정된 사이즈의 다수의 구멍을 구비한 그 두께를 통해 관통된다. 상기 구멍들은 일정간격(즉, 피치(pitch))을 가지고 일렬로 배열되어 그들의 위치가 요구되는 종단 패턴에 대응하도록 한다. 상기 기판을 뚫는 많은 다른 방법이 회전하는 드릴비트, 펀치, 가열된 프로브, 또는 심지어 레이저 에너지를 포함하여 사용될 수 있다. 변경적으로, 상기 구멍은 비전도층이 형성되는 동안에 그 층내에 만들어진다(단계 762와 766).
단계 710에서, 정상에서 바닥에 이르는 실드요소가 선택적으로 형성된다. 본 실시예에서, 상기 실드요소(305)는 이전에 설명된 타입의 구리에 근거한 금속합금 박판으로부터 상기 실드를 스탬프함으로서 제조되며, 그 다음에 상기 스탬프된 실드는 상기 실드 리테이너(392)를 형성하고 접합부(394)를 종단하기 위해 일끝단과 그 단부들에서 변형된다.
다음으로, 단계 716에서, 전후방 실드요소(307)는 선택적으로 제조된다. 이들 실드요소에 대한 제조프로세스는 요구되는 두께로 구리합금 박편을 제공하며, 그 다음에 그 박편을 요구되는 형태로(예를들면, 상기의 "T"형) 스탬프 하거나 구멍 뚫는 것을 포함한다.
외부실드(272)가 단계 718에서 다음으로 형성된다. 이전에 설명된 것처럼, 상기 외부 실드는 인-청동(phospor bronze) 또는 "탄피용황동(cartridge brass)" 26000 물질을 포함하며, 그 제조는 야금기술분야에서 잘 알려진 사실이다. 상기 실드(272)는 어셈블 될때, 상기 커넥터 하우징의 외부표면 영역의 대부분을 덮는 다수의 연동장치, 대체로 평면부내에 제조된다.
그 다음에 바닥 구성요소 패키지(232)는 단계 720에서 하우징요소(202)내로 삽입되어, 상기 패키지가 캐버티(234)내로 수용되고, 상기 패키지의 상부 전도체(220a)가 어셈블리하우징(200) 내에 형성된 각 커넥터의 각 그루브(222)내에 수용되도록 한다.
만약 상기 전후방 실드요소(307)가 단계 716에 의해 제조된다면, 이들 실드요소(307)는 단계 722에서 상기 하우징요소(202) 내와 설치된 구성요소 패키지의 후면에 다음순서로 설치되며, "T"자형의 연장부(321)도 이전에 설명된 것처럼 상기 하우징요소(202) 내에 존재하는 슬롯(323)내에 수용된다. 상기 실드요소(307)는 변형되어 상기요소(307)가 설치된 바닥 구성요소 패키지(232)의 후면에 대향하여 편편하게 놓여지도록 대략 90°구부러지게 형성하도록 한다.
다음으로 정상구성요소 패키지(230)가 단계 724에서 상기 하우징요소(202)내로 삽입되어, 상기 패키지들이 바닥열 패키지(232) 바로 밑의 캐버티(234)내로 수용되도록하고, 상기 패키지들의 상부 전도체(220a)는 상기 어셈블리하우징(202)안에 형성된 각 커넥터의 각각의 그루브(222)내로 수용되도록 한다. 상기 정상열패키지(230)의 정면부(front side)는 각 리셋내의 설치된 전후방실드(307)의 노출면에 접촉하며, 상기 실드는 충분히 어셈블될 때 상기 2개의 패키지(230,232)사이의 위치에 확고하게 유지된다.
다음으로 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드요소(305)는 단계 726에서 하우징요소(202)내에 설치되며, 상기 실드(305)의 평면부(319)는 상기 하우징(202)의 정면내에 형성된 슬롯(311)내에 수용된다.
다음으로, 단계 727에서, 단계 708에서 제조된 상기 기판실드(260)는 커넥터 어셈블리(200)상에 설치되어, 양 패키지(230,232)의 하부 전도체(220b)가 상기 기 판실드(260)내에 형성된 관련된 구멍 배열내에 수용되어 그것을 통해 연장되도록 한다.
마지막으로, 단계 728에서, 외부실드(272)는 커넥터 어셈블리의 외부에 어셈블되고, (상기 정상에서 바닥에 이르는 실드요소(305)에 전후방 실드요소(307)의 접합, 및 단계 729에 의해, 외부실드(272)상의 대응되는 위치에 상기 정상에서 바닥에 이르는 실드요소 접합부(394)의 접합을 포함하여) 접합된다. 상기 기판실드는 또는 결합이 형성되는 구성요소들 사이에 충분한 오버랩이 있는 외부실드(272)의 하단의 주변을 따라 하나 이상의 위치에서 접합, 점착제, 또는 다른 기술에 의해 외부실드에 안전하게 고정된다.
본 발명의 명백한 측면이 한 방법의 특별한 연속단계에 의해 설명되는 반면에, 이들 설명은 본 발명의 더 넓은 방법의 일례일 뿐이며, 특별한 적용을 위해 요구되는 대로 수정될 수 있음은 이해될 수 있다. 명백한 단계는 명백한 상황하에서는 불필요하고 선택적이다. 부가적으로, 명백한 단계 또는 기능성이 상기의 실시예에 더해질 수 있으며, 또는 2개 이상의 단계의 실행순서가 치환될 수 있다. 그러한 모든 변형이 여기서 주장되고 표현된 본 발명내에 포함된다고 여겨진다.
상기의 상세한 설명에서 여러 가지 실시예에 적용됨에 따른 본 발명의 우수한 특성을 보이고, 설명하고, 지적한 반면에, 예시된 장치나 프로세스의 세부사항과 형태에 있어서의 변화, 다수의 생략, 치환이 본 발명의 범주를 벗어남이 없이 본 기술분야의 당업자에 의해 만들어 질 수 있다. 상기의 설명은 본 발명을 실행하는데에 있어서 예상되는 최고의 형태이다. 본 설명은 결코 제한이 아닌,본 발명의 일반적인 원리의 일 예로서 받아들여져야 한다. 본 발명의 권리범위는 청구범위에 따라 결정되어야 한다.

Claims (24)

  1. 커넥터 어셈블리에 있어서,
    다수의 커넥터를 포함하는 커넥터 하우징을 포함하며, 상기 커넥터 각각은;
    상부에 위치된 다수의 제1 전도체를 구비한 모듈라 플러그(modular plug)의 적어도 일부분을 수용하도록 적응된 리셋;
    상기 리셋내에 적어도 부분적으로 위치되며, 상기 모듈라 플러그가 상기 리셋내에 수용될 때 각각의 상기 제1 전도체와 전기적 접촉을 형성하도록 배열되며, 상기 제1 전도체와 외부 장치 사이에 전기통로를 형성하도록 배열된 다수의 제2 전도체; 및
    상기 다수의 커넥터에 근접하게 위치되며, 상기 제2 전도체 각각에 대응하는 다수의 구멍을 구비하여, 상기 제2 커넥터는 상기 구멍 각각에 수용되며, 상기 커넥터의 적어도 하나의 작동 동안에 관통하는 전자노이즈의 전달을 완화하도록 더 배열된 기판 실드를 구비하는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 커넥터 중 인접한 것과 결합되는 상기 제2전도체는 함께 군을 이루어 상기 인접한 커넥터의 상기 제2전도체가 적어도 하나의 유일한 패키지(package)를 형성하도록 하며, 상기 패키지는 상기 커넥터 하우징 내에 적어도 부분적으로 수용되는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  3. 제 1 항에 있어서, 다수의 전자구성요소를 더 포함하며, 상기 전자구성요소 각각은 전자신호가 상기 통로를 따라 전송되도록 상기 전자통로 각각에 위치되는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 전자구성요소가 적어도 하나의 환형 코아(toroid core)장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 환형코아 장치는 적어도 두개의 다중 윈딩(multiple winding) 사이에 절연층을 구비한 다중윈딩 장치를 포함하며, 상기 장치가 더우기 연동장치(interlock) 베이스 어셈블리 내에 위치되는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 리셋내에 위치된 적어도 하나의 윤곽선 요소를 더 포함하며, 상기 제2 전도체 중 적어도 하나는 상기 적어도 하나의 윤곽선 요소와 관련되어 형성되며, 그럼으로서 상기 커넥터 하우징에 관련한 위치에 상기의 제2 전도체를 보유하는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 커넥터들이 일열로(in an array) 상기 커넥터 하우징의 일부로서 위치되며, 상기 열은 상기 커넥터의 횡 및 종배열을 포함하는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기의 횡 및 종배열은 적어도;
    나란한 배열로 위치된 다수의 커넥터를 포함하는 제1열; 및
    나란한 배열로 위치된 다수의 커넥터를 포함하는 제2열을 포함하며;
    상기 제1열은 상기 제2열의 대체로 꼭대기에 위치되며, 제1열과 제2열의 커넥터의 상기 제2 전도체의 적어도 일부는 예정된 배열로 상기 기판실드를 관통하는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  9. 제 8 항에 있어서, 다수의 전자성분을 더 포함하며, 상기의 각 전자성분은 전자신호가 상기 통로를 따라 전송되도록 상기 전기통로 각각에 위치되는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  10. 제 8 항에 있어서, 각각의 상기 개개의 커넥터와 결합되는 다수의 광원을 더 포함하며, 상기 광원은 상기 기판실드를 관통하는 전도체를 구비하는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기의 각 커넥터와 결합되는 상기 광원의 전도체가 상기 예정된 배열의 일부로서 상기 기판실드를 관통하는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  12. 제 7 항에 있어서, 개개의 커넥터의 상기 횡 및 종배열의 상기 열 중 적어도 두개 사이에 위치된 적어도 하나의 노이즈 수평실드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  13. 제 12 항에 있어서, 다수의 전자구성요소을 더 포함하며, 상기 전자구성요소 각각은 전자신호가 상기 통로를 따라 전송되도록 상기 전기통로 각각에 위치되는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  14. 제 13 항에 있어서, 커넥터 제1열과 결합된 상기 전자구성요소와 커넥터 제2열과 결합된 상기 전자구성요소 사이에 위치된 다수의 노이즈 실드요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 노이즈 실드요소의 적어도 하나가 상기 적어도 하나의 수평 노이즈 실드와 전기적으로 접촉해 있는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기의 배열로 커넥터의 주어진 열(row)내의 상기의 커넥터 중 인접한 것들 사이에 위치된 적어도 하나의 측면 노이즈 실드요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  17. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 다수의 커넥터들은 상기 하우징 내에 제1열 커넥터와 제2열 커넥터를 형성하도록 위치되며, 상기 제1열은 상기 제2열의 꼭대기에 위치되어 상기 제1열의 커넥터 중 적어도 일부가 대체로 상기 제2열과 결합된 것 뒤에 위치되는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
  18. 일열로(in an array) 형성된 다수의 전자 커넥터를 포함하는 전자 장치 제조방법에 있어서;
    각각이 모듈라 플러그의 적어도 일부분을 수용하도록 적응된 리셋을 구비하고, 제1열과 제2열로 배열된 다수의 개개의 커넥터를 구비한 커넥터 하우징을 형성하며;
    제1단부와 제2단부를 포함하는 제1 예정된(predetermined)형태를 구비한 제1 전도체 세트를 제공하며;
    제1단부와 제2단부를 포함하는 제2 예정된(predetermined)형태를 구비한 제2 전도체 세트를 제공하며;
    상기 제1 열로 상기 커넥터 각각의 상기 리셋내에 적어도 부분적으로 상기 제1 전도체 세트의 상기 제1단부가 위치되며;
    상기 제2 열로 상기 커넥터 각각의 상기 리셋내에 적어도 부분적으로 상기 제2 전도체 세트의 상기 제1단부가 위치되며;
    가로지르는 전자노이즈의 전달을 완화하도록 적응된 기판을 제공하며;
    상기 기판에 다수의 구멍을 형성하며; 및
    상기 제1 전도체 세트와 제2 전도체 세트의 상기 제2단부가 상기 구멍 각각에 수용되도록 상기 기판이 상기 하우징에 근접하게 위치되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    제1 실드요소를 제공하며;
    상기 제1열과 제2열을 지어 상기 커넥터의 적어도 일부 사이에 상기 제1 실드요소의 적어도 일부가 위치되며;
    상기 커넥터 하우징의 외부 표면적의 적어도 일부분을 커버하도록 적응된 제2 실드요소를 제공하며;
    상기 제2 실드요소가 상기 커넥터 하우징 위에 위치되는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치 제조방법.
  20. 전자노이즈로부터 전자 커넥터 일열을 실드하는 방법으로서,상기 열은 적어도 제1커넥터 열과 제2 커넥터 열을 구비하고 전자장치위에 탑재되며, 상기 커넥터중 적어도 일부는 전도체와 이와 결합된 전자신호 조절요소를 구비하며;
    제1 노이즈실드를 제공하며;
    상기 커넥터의 적어도 일부와 상기의 전자장치 사이에 상기의 제1 노이즈실드가 위치되어, 상기 전도체의 말단부가 상기의 제1 노이즈실드 내에 형성된 구멍을 관통하며;
    상기 제2 노이즈실드가 상기 열의 외부표면 둘레에 위치되며;
    상기 열(array)이 상기 전도체의 상기 말단부를 사용하는 상기 전자장치에서 종단되는 것을 포함하며;
    상기 제1 노이즈실드와 제2 노이즈실드는 상기 열의 모든 상기 외부표면을 관통하는 노이즈의 전달을 완화하도록 결합하는 것을 특징으로 하는 전자노이즈로부터 전자 커넥터 배열(an array)을 실드하는 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    적어도 1/3 노이즈실드를 제공하며;
    상기의 적어도 1/3 노이즈실드가 각각의 상기 전자신호 조절요소 사이에 위치되며;
    적어도 1/4 노이즈실드를 제공하며;
    상기의 적어도 1/4 노이즈실드가 각각의 상기 전자신호 조절요소 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 전자노이즈로부터 전자 커넥터 배열을 실드하는 방법.
  22. 다중 커넥터 배열로 사용하기 위한 전자노이즈실드에 있어서, 기판을 포함하며:
    기판은 적어도:
    전자노이즈 전달을 완화하도록 적응된 금속재를 대체로 포함하고 있는 제1층;
    상기 제1층 위에 위치되며, 전기 부도체 재료를 포함하고 있는 제2층; 및
    상기 기판 위에 형성되어 상기 커넥터들의 각각의 전도체를 수용하도록 적응된 다수의 구멍들을 구비하며;
    상기 구멍을 즉각적으로 둘러싸는 상기 기판영역은 상기 제1층을 구비하지 않는 것을 특징으로 하는 다중 커넥터 배열로 사용하기 위한 전자노이즈실드.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 기판은 제3층을 더 포함하며, 상기 제3층은 전기 부도체 재료를 포함하고 상기 제2층의 반대편에 있는 상기 제1층 위에 위치되는 것을 특징으로 하는 다중 커넥터 배열로 사용하기 위한 전자노이즈실드.
  24. 다수의 커넥터를 포함하는 커넥터 하우징을 포함하며,
    각각의 상기 커넥터는:
    상부에 위치된 다수개의 제1 전도체를 구비한 모듈라 플러그(modular plug)의 적어도 일부분을 수용하도록 적응된 리셋;
    상기 리셋내에 적어도 부분적으로 위치되며, 상기 모듈라 플러그가 상기 리셋내에 수용될 때 각각의 상기 제1 전도체와 전기적 접촉을 형성하도록 배열되며, 상기 제1 전도체와 외부 장치 사이에 전기통로를 형성하도록 배열된 다수의 제2 전도체; 및
    상기 다수의 커넥터에 근접하게 위치되며, 상기 제2 전도체 각각에 대응하는 다수개의 구멍을 구비하여, 상기 제2 전도체는 상기 구멍 각각에 수용되며, 상기 커넥터의 적어도 하나의 작동 동안에 관통하는 전자노이즈의 전달을 완화하도록 더 배열된 기판 실드를 구비하며;
    상기 기판실드는;
    대체로 부도체 재료를 포함하고 있는 제1층; 및
    상기 제1층 위에 위치되며, 금속재를 대체로 포함하고 있는 제2층을 포함하며;
    상기 구멍을 즉각적으로 둘러싸는 상기 기판실드의 영역은 상기 제2층을 구비하지 않는 것을 특징으로 하는 커넥터 어셈블리.
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