KR100536210B1 - 리소그래피 투영장치용 인티그레이팅 도파관 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 리소그래피 투영장치는, 약 50 nm 이하인 파장을 갖는 전자기방사선의 투영빔을 공급하는 조명시스템; 마스크를 고정하는 마스크 홀더를 굽한 마스크 테이블; 기판을 고정하는 기판 홀더를 구비한 기판 테이블; 및 기판의 목표부에 상기 마스크의 조사부를 묘화하는 투영시스템을 포함하여 이루어지는 리소그래피 투영장치에 있어서, 방사선시스템이 중공의 도파관을 포함하고, 방사의 경로에 배치되는 인티그레이팅 요소를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

리소그래피 투영장치용 인티그레이팅 도파관{INTEGRATING WAVEGUIDE FOR USE IN LITHOGRAPHIC PROJECTION APPARATUS}
본 발명은 약 50 nm 보다 작은 파장을 갖는 전자기방사선의 투영빔을 공급하는 조명시스템; 마스크를 고정하는 제 1대물 홀더를 구비한 제 1 대물 테이블; 기판을 고정하는 제 2대물 홀더를 구비한 제 2 대물 테이블; 상기 기판의 목표부에 상기 마스크의 조사부를 묘화(imaging)하는 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치용 인티그레이터(integrator)에 관한 것이다.
더욱 상세하게는, 본 발명은 전자기 방사선이 통상적으로 약 15nm 이하의 파장을 갖는 극자외선(EUV)인 장치에 관한 것이다. 리소그래피 산업에 있어서 상당한 관심을 얻고 있는 EUV 영역의 파장의 예시는, 비록 이러한 영역에서 예를 들어 11 nm 등의 다른 유망한 파장이 있을지라도, 13.4 nm이다.
간단히, 투영 시스템은 이후로 "렌즈"로 언급될 수 있다; 그러나, 이 용어는 예를 들어 굴절 광학기, 반사 광학기 및 카타디옵트릭 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영 시스템을 포함하는 것으로 넓게 이해될 수 있다. 방사선 시스템은 또한 투영 빔을 방향짓고, 정형하거나 제어하는 원리들중 하나에 따라 동작하는 소자를 포함할 수 있고, 이들 소자는 "렌즈"로서 집합적으로 또는 단독으로 아래에서 언급될 수 있다. 게다가 제 1과 제 2 대물 테이블은 각각 "마스크 테이블"과 "기판 테이블"로 언급될 수 있다. 더우기, 리소그래피 투영 장치는 두개 이상의 마스크 테이블 및/또는 두개 이상의 기판 테이블을 갖는 형태일 수 있다. 이와 같은 "다중 스테이지" 장치에서, 추가 테이블은 병렬로 사용될 수 있거나, 예비 단계가 하나 이상의 다른 테이블이 노광용으로 사용되는 동안 하나 이상의 테이블에 관하여 실행될 수 있다.
리소그래피 투영 장치는, 예를 들면, 집적회로(ICs)의 제조에 사용될 수 있다. 그와 같은 경우, 마스크(레티클)는 집적회로의 각 층에 대응하는 회로패턴을 포함하고, 이 패턴은 이 후에 감광물질(레지스트)층이 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)위의 노광영역(다이) 위로 묘화될 수 있다. 대개 단일 웨이퍼는 레티클을 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사되는 인접한 다이들의 전체적인 네트워크를 갖는다. 일 형태의 리소그래피 투영장치에서 전체 레티클 패턴을 다이 위로 한번에 노광함으로써 각 다이가 조사되며, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라 칭한다. 이와 달리, 통상 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)로 불리워지는 대체장치에서는 투영 빔 하에서 소정의 기준방향("주사(走査)"방향)으로 레티클 패턴을 점진적으로 주사하면서 상기 주사방향에 평행 또는 평행하지 않게 웨이퍼 테이블을 동시에 주사함으로써 각 다이가 조사되며, 일반적으로 투영 시스템은 배율인자 (magnification factor:Ｍ)(대개<1)를 가지므로 웨이퍼테이블이 주사되는 속도(v)는 레티클 테이블이 주사되는 속도의 Ｍ배가 된다. 여기에서 설명된 리소그래피 장치에 관한 상세한 정보는 국제특허출원 WO97/33205에서 찾을 수 있다.
최근까지 리소그래피 투영장치는 단일 마스크 테이블 및 단일 기판 테이블을 포함하고 있었다. 그러나, 적어도 2개의 독립적으로 이동가능한 기판테이블이 있는 기계가 이제 이용가능하게 되었다. 예를 들어, 국제특허출원 WO98/28665 및 WO98/40791에 개시된 다중 스테이지 장치를 참조하라. 이러한 다중 스테이지 장치의 기본 작동 원리는, 제 1기판 테이블이 이 테이블상에 위치된 제 1기판의 노광을 위하여 투영 시스템 아래의 노광 위치에 있는 동안, 제 2기판 테이블은 로딩 위치로 이동하고, 이전에 노광된 기판을 방출하고, 새로운 기판을 픽업하고, 새로운 기판상의 소정의 초기 측정을 행하고, 제 1기판의 노광이 종료되자마자 투영 시스템 아래의 노광 위치로의 새로운 기판의 이송을 대기할 수 있는 것이다. 그 후 이 사이클이 반복된다. 이러한 방식으로 기계 스루풋을 실질적으로 증가시키는 것이 가능하고, 이것은 기계 소유의 비용을 개선한다. 노광과 측정위치 사이에 이동하는 오직 하나의 기판 테이블만을 구비하여도 동일한 원리가 사용된다.
EUV 범위의 전자기 방사선을 포함하는 본 발명의 경우에, 투영 시스템은 통상적으로 미러의 어레이로 구성되고 마스크는 반사형이다. 예를 들어 WO 99/57596 (P-0111)에 기재된 장치를 참조하라. 이 경우의 방사선은
- 기체, 액체 또는 고체의 적당한 레이저 조사에 의해;
- 플라즈마 소스에 기초하여,
- 싱크로트론 또는 저장링내의 전자빔의 경로 주위에 배치된 파동기/위글러에 의하는 등의 여러가지 공지의 수단에 의해 생성될 수 있다.
조명 시스템에 포함되고 이러한 방사과 함께 사용하기에 적합한 조명기의 예시가 유럽특허출원 제 98204237.6 호(P-0122)에 기재되어 있는 반면, EUV와 함께 사용하기 위한 적당한 콘덴서는 유럽특허출원 제 00300784.6 호(P-0129)에 기재되어 있다.
일반적으로, 조명 시스템내에 인티그레이팅 요소(integrating element)를 포함하는 것이 바람직하고, 이 요소는 마스크에 앞서 투영빔의 단면 전체에 걸친 강도 균일성을 개선하도록 작용한다. UV 리소그래피의 경우에, 이러한 인티그레이팅 요소("인티그레이터(integrator)")는 소위 플라이-아이 렌즈 또는 (수정 로드 등의) 굴절 바아를 포함할 수 있다. 그러나, 이러한 인티그레이터는 EUV 범위내의 방사선과 함께 사용하기에 적합하지 않고, 따라서 대안을 탐색하여 왔다. 현재까지 리플 플레이트, 다층 미러 및 위글러 등의 사용을 대안으로서 제안되었다.
본 발명의 목적은 50 nm 이하의 파장을 갖는 전자기 방사선과 함께 사용을 위하고 특히 EUV와 함께 사용을 위한 대안적인 인티그레이터를 제공하는 것이다.
이들 및 다른 목적은
약 50 nm 보다 작은 파장을 갖는 전자기방사선의 투영빔을 공급하는 조명시스템;
마스크를 고정하는 제 1대물 홀더를 구비한 제 1 대물 테이블;
기판을 고정하는 제 2대물 홀더를 구비한 제 2 대물 테이블; 및
상기 기판의 목표부에 상기 마스크의 조사부를 묘화(imaging)하는 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치에 있어서,
중공의 도파관을 포함하고 조명 시스템내의 방사선 경로내에 배치된 인티그레이팅 요소를 특징으로 하는 리소그래피 투영장치에서 달성될 수 있다.
본 발명자들은 이러한 인티그레이터가 매우 높은 효율성과 투과성을 가질 수 있고 많은 변형된 적용예에 적합하다는 것을 증명하였다. 본 발명의 실시예가 청구범위에서 더욱 특정되고, 이들 많은 실시예가 실시예와 도면에서 이하에 설명된다.
본 발명은
약 50 nm 보다 작은 파장을 갖는 전자기방사선의 투영빔을 공급하는 조명시스템;
마스크를 고정하는 제 1대물 홀더를 구비한 제 1 대물 테이블;
기판을 고정하는 제 2대물 홀더를 구비한 제 2 대물 테이블; 및
상기 기판의 목표부에 상기 마스크의 조사부를 묘화하는 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치를 사용하여 디바이스를 제조하는 방법으로서,
패턴을 지니는 마스크를 상기 제 1대물 테이블에 제공하는 단계;
방사선 감지층을 갖는 기판을 상기 제 2대물 테이블에 제공하는 단계;
마스크의 부분들을 상기 투영 빔으로 조사하는 단계; 및
마스크의 조사부를 기판의 목표부상으로 묘화하는 단계를 포함하고,
투영빔은 마스크 상으로 인도되기 전에 중공 도파관을 포함하는 인티그레이팅 요소를 통과하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 리소그래피 투영장치를 사용하는 제조 공정에서, 마스크의 패턴은 에너지 감지 물질(레지스트)층에 의하여 적어도 부분적으로 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화단계(imaging step)에 앞서, 기판은 준비작업(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크와 같은 다양한 공정을 거친다. 노광후에, 기판은 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처의 측정/검사와 같은 다른 공정을 거칠 수 있다. 공정의 이러한 배열은 예를 들어 IC와 같은 소자의 개별 층을 패턴화하는 기초로서 사용된다. 그와 같은 패턴화된 층은 식각, 이온 주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 연마등 개별 층을 마무리하는 데 의도된 모든 다양한 공정을 거친다. 여러 층이 요구된다면, 전체 공정 또는 그 변형은 각 새로운 층에 반복되어야만 할 것이다. 결국, 소자의 배열이 기판(웨이퍼)에 존재하게 될 것이다. 이들 소자는 다이싱(dicing) 또는 소잉(sawing) 등의 기술에 의해 서로로부터 분리되어 개별소자가 캐리어에 장착되고 핀에 접속될 수 있다. 그와 같은 공정에 관한 추가 정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing (3판, 저자 Peter van Zant, 맥그로힐출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)" 으로부터 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 장치의 사용에 대해 본 명세서에서 집적회로의 제조에 대해서만 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 곳에 적용될 수도 있음은 명백히 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학 시스템, 자기영역 메모리용의 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막 자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 전술한 기타 응용분야들을 고려할 때, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 "마스크", "기판" 및 "노광 영역" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 각각 대체될 수 있음이 이해될 것이다.
본 명세서에서, 본 발명은 직교하는 X, Y 및 Z의 기준 시스템을 사용하여 기술되고 I방향에 대해 평행한 축에 대한 회전은 Ri로 표시된다. 또한, 문맥이 달리 요구하지 않는다면, 여기서 사용되는 용어 "수직"(Z)은 장치의 임의의 특정 배향을 암시한다기 보다는 기판 또는 마스크 표면에 대해 수직인 방향을 나타낸다.
도면에 있어서, 동일한 부분은 동일한 참조부호로 나타낸다.
(실시예 1)
도 1은 본 발명에 따른 리소그래피 투영 장치를 개략적으로 도시한다. 이 장치는
(예를 들어, 자외선(UV) 또는 극자외선(EUV))의 방사선 투영 빔(PB)을 공급하는 방사선 시스템(LA, IL);
마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 고정하는 마스크(또는 제 1대물)홀더를 구비하고 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확하게 위치시키는 제 1 위치결정 수단에 접속되는 제 1 대물 테이블(마스크 테이블)(MT);
(예를 들어, 레지스트 도포된 실리콘 웨이퍼와 같은) 기판(W)을 고정하는 기판(또는 제 2대물)홀더를 구비하고, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확하게 위치시키는 제 2 위치 결정 수단에 접속되는 제 2 대물 테이블(기판 또는 웨이퍼 테이블)(WT);
기판 테이블(WT)에 고정된 기판(W)의 노광 영역(C)(다이)상에 마스크(MA)의 조사부를 묘화하는 투영 시스템("렌즈")(PL)(특히, 굴절 또는 카타디옵트릭 시스템, 미러군 또는 필드 편향기의 배열)을 포함한다.
여기서 설명된 바와 같이, 본 장치는 반사형이다(즉, 반사 마스크를 갖는다). 그러나, 통상적으로 이것은 예를 들어 투과형일 수 있다.
방사선 시스템은 EUV 방사선 빔을 생성하는 소스(LA)(특히, 저장 링 또는 싱크로트론의 전자 빔의 경로주위에 제공되는 파동기 또는 위글러, 레이저 플라즈마 소스)를 포함한다. 이 빔은 방사 시스템에 포함된 조명 시스템(IL) 내에 포함된 다양한 광학 구성요소(예를 들면, 빔 성형 광학기, 인티그레이터 및 콘덴서)를 따라 통과하여, 최종적인 빔(PB)이 그것의 단면에서 소정의 형상 및 강도 분포를 갖도록 한다.
그 후, 빔(PB)은 마스크 테이블(MT)위의 마스크 홀더에 고정되어 있는 마스크(MA)로 충돌한다. 마스크(MA)를 통하여 통과하여, 빔(PB)은 기판(W)의 노광영역(C) 위로 빔(PB)을 집속하는 "렌즈"(PL)를 통과한다. 간섭계 변위 측정 수단(IF)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들면, 빔(PB)의 경로에 상이한 노광영역(C)을 위치시키도록 제 2위치결정수단에 의해 정확하게 움직일 수 있다. 유사하게, 제 1위치 결정 수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)의 기계적 회수후 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확하게 위치하는 데 사용될 수 있다. 일반적으로, 대물 테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지 않았지만 긴 스트로크 모듈(대략적인 위치결정)과 짧은 스트로크 모듈(미세한 위치 결정)의 도움으로 이루어진다. (스텝 앤드 스캔 장치와는 반대로) 웨이퍼 스텝퍼의 경우, 레티클 테이블은 마스크 배향 및 위치에 있어서의 미세한 조정을 행하기 위하여 짧은 스트로크 위치결정 장치에만 연결될 수 있다.
예시된 장치는 두 개의 다른 모드로 이용될 수 있다:
1. 스텝 앤드 리피트 (스텝) 모드에서는, 마스크 테이블(MT)이 기본적으로 고정되어 있으며, 전체 마스크 이미지가 노광영역(C) 위로 한번(즉, 단일 "플래쉬")에 투영된다. 그 다음, 기판 테이블(WT)이 X 및/또는 Y 방향으로 이동하여 다른 노광 영역(C)이 빔(PB)에 의해 조사될 수 있다;
2. 스텝 앤드 스캔 (스캔) 모드에서는, 소정의 노광영역(C)이 단일 "플래쉬"에 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 스텝 모드와 동일한 방법이 적용된다. 대신에, 마스크 테이블(MT)이 소정방향(소위 "스캔 방향", 예를 들면 Y 방향)으로 속도(υ)로 이동이 가능하기 때문에 투영 빔(PB)이 마스크 이미지를 스캔하게 된다; 이와 병행하여, 기판 테이블(WT)은 V = Mυ 의 속도로 동일한 방향 혹은 반대 방향으로 동시에 이동하고, 이때의 M은 렌즈(PL)의 배율 (일반적으로, M = 1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 비교적 큰 목표영역(C)이 해상도에 구애받지 않고 노광될 수 있다.
도 2는 조명 시스템(IL)에 내장된 인티그레이터(10)를 나타낸다. 이것은, Mo, W, Ru, Al 및 이들의 합금 등의 금속으로 만들어진, 도 2에 도시된 서로 대향하는 방향으로 배치된 2쌍의 평행 미러(11, 12)를 포함한다. 금속의 선택은 적어도 부분적으로는 인티그레이터가 사용되는 파장에 따른다. 예를 들어, W는 파장 13.4 nm의 방사선에 대해 최선이고, Ru는 11.4 nm에 적합한 반면, Al은 40nm에 바람직하다. EUV소스(LA)가 예를 들어 도 2에서와 같이 방사하고, 도입되는 EUV 방사선(PB)은 그레이징 입사(grazing incidence)로 미러상에 떨어진다. 결과적인 다중 반사는 제 3에 도시된 바와 같이, (표준 UV 리소그래피에서의 수정 로드(quartz rod)와 유사한) 가상 소스(LA')를 생성한다. 이것은 아래의 2가지 요소에 기인한 인티그레이터의 출구 단부에서의 도즈 균일성(dose uniformity)의 증가를 초래한다.
a. 이 단부는 소스로부터 멀리 위치된다.
b. 소스의 효과적인 수가 증가된다.
특정의 경우에 있어서, 상술된 인티그레이터는 (마스크 레벨에서의 조명 슬릿의 치수에 대응하는) 치수 10 cm x 0.6 cm의 균일한 직사각형 단면을 갖고, 소스로부터 13.7 cm의 거리를 두고 위치된다. 이것은 20°의 최대 입사각에 대응한다. 만일 인티그레이터 벽이 (적어도 표면에서) Mo로 구성되면, 0°에서 20°까지의 입사각(θ)의 범위에서의 반사율(R)은 도 4에 도시된 바와 같이 1 에서 0.75까지 변화한다. 만일 인티그레이터의 길이가 최대 3번의 반사를 허용하여 12개의 부가 소스를 생성하도록 선택된다면, 시스템의 총 투과(integral transmission)가 본래의 값의 78%이 되는 것이 예상된다. 도 5는 도즈 비균일성(U) 대 노광 슬릿을 따른 거리(X)를 나타내고 스캔된 선 A, 및 스캔되지 않은 선 B, 시스템의 출구에서의 도즈 분포와 본래의 (입구) 도즈 분포(선 C)의 비교를 나타낸다. 10% 이상의 초기 비균일성은 1% 이하의 더욱 바람직한 레벨로 개선된다. 만일 초기의 비균일성이 보다 높으면, 통상적으로 더 많은 반사가 필요할 것이다.
이러한 방식으로, 시스템은 인티그레이터로서 뿐아니라 콜렉터로서도 사용된다. 만일 입사각이 10°로 제한된다면, 시스템의 총 투과는 약 90%가 될 것이다.
인티그레이터의 단면은 (임의의 측면 비율을 갖는) 직사각형인 것외에 원형이거나 타원형일 수 있다. 이것은 결과적인 가상 소스의 형상(configuration)을 변화시킬 것이다. 시스템은 또한 수렴(converge)할 수 있을 것이고, 이는 방출 슬릿(emergence slit)의 형상을 변화시킨다. 게다가, 이 시스템은 콘덴서로서 사용될 수 있고, 통상적으로 다층 콜렉터 보다 (예를 들어, 레지스트 파편(resist debris)에 의한) 오염에 덜 민감할 것이다.
언급된 그레이징 입사 시스템의 가격은 다층 베이스 시스템의 그레이징 입사 시스템보다 훨씬 더 저렴할 수 있다. 일반적으로 말해서, 임의의 종류의 재료가 본 발명에 따른 인티그레이터에 사용될 수 있다. Mo는 그것의 높은 반사율로 인해 바람직한 선택이지만, SiO2도 1°이하의 입사각에 대해 90% 보다 많은 반사를 낳을 수 있다.
입사각이 더 작으면 작을수록 시스템 투과는 더 높고, 더 많은 반사가 허용될 수 있고, 나타나는 도즈 균일성은 더 높다.
(실시예 2)
파이버 광학(fiber optics)이 X-선 시스템에 있어서 X-선의 포커싱(focusing) 및 시준(collimation)을 위해 사용될 수 있고, 여기서는 중공 파이버(hollow fiber)가 이용된다. 이들 미세한 모세관들(fine capillaries)의 크기는 통상적으로 약 3 에서 50 ㎛ 까지의 범위에 있지만, 다른 크기의 모세관의 생산도 가능하다. 통상적으로 이들 모세관은 SiO2로 만들어진다.
본 발명에 따르면, 이러한 파이버는 EUV를 적용하는 경우에 사용될 수 있다.
만일 입사각이 충분히 작다면(다시 말해서 만일 작은 입사각을 초래하기에 충분할 정도로 모세관 직경이 작다면), 높은 반사율의 그레이징 입사 내부 반사가 발생한다. 도 6은 반사율(R)의 그래프를 SiO2(유리 또는 수정) 및 Mo에 대한 입사각(θ)의 함수로서 나타낸다. 입사각이 더 작으면 작을수록, 반사율은 더 높다. 또한, 모세관이 더 길면 길수록 동일한 총 손실에 대해 허용될 수 있는 내부 반사는 더 많다. 원칙적으로, 광범위한 재료가 이러한 파이버에 사용될 수 있다. 특히, 이러한 파이버의 내부 표면은 금속 층, 예를 들어 Mo, W, Ru, Al 및 이들의 합금으로 코팅될 수 있다.
발생하는 강도 손실의 특정 소스는 통상적으로 원형인 단면의 결과로서, 모세관을 함께 패킹하는데 있어서의 데드 볼륨(dead volume)에 기인하는 것이다. 이 경우의 손실은 (패키징 및 벽 두께에 종속되어) 약 5 내지 25 %일 수 있다. 이러한 문제를 완화시키기 위하여, 패킹 밀도를 개선하도록 여러가지 단면형상(예를 들어 벌집(honeycomb) 형상)의 모세관을 만들 수 있다.
시스템의 총 투과(T)는 반사의 수(nrefl), 모세관 직경(d), 입사각의 함수로서의 반사율(R(θ)), 및 집속각(collection angle)(α)의 함수이다. 반사의 수(nrefl)는 파이버의 길이(L), d 및 α의 함수로서 표현될 수 있다. 총 투과는
로서 쓰여질 수 있다.
예를 들어, 만일 Mo에 대하여 d=0.1 mm, α= 1°및 R(0.5°)= 0.996 이고, SiO2에 대하여 R(0.5°) = 0.963이고, 모두 파장이 13.4이라면, 도파관의 길이(L(m))의 함수로서의 총 투과(T)는 도 7에 도시된 바와 같다. 유리 파이버에 대하여, 50%의 총 손실은 약 22cm 에서 도달된다. Mo의 경우에 1m 이후에서 조차도 총 투과는 여전히 약 70%이다. 더 작은 각도에서, 파이버는 수 미터 길이로 만들어질 수 있고 동일한 총 투과 값(유리에 대하여 0.2°-> 5.5 m)을 제공할 수 있다.
소정의 적용에 있어서, 모세관을 구부리는 것이 유용할 수 있고, 이것에 의해 부가적인 그레이징 각이 도입될 것이다. 이러한 굽힘은
- 많은 반사와 함께 반사 당 작은 굴곡부를 부드럽게 생성하면서,
- 적은 반사와 함께 반사 당 큰 굴곡부를 급격하게 생성하면서,
실행될 수 있다.
총 굽힘 투과(Tbend)는 다음과 같이 표현될 수 있다.
여기서 는 각각의 입사각에서의 반사각이다. 도 8은 각각의 입사각에서의 각도(θ)의 함수로서 (10°의 굴곡부에 대한) 모세관의 굽힘 투과(Tbend)를 나타낸다. 도 8에 도시된 바와 같이, 부드러운 굽힘이 바람직하다. 비록 유리의 사용이 물론 가능하더라도, Mo(또는 대부분의 다른 금속 또는 금속 코팅을 갖는 유리)은 통상적으로 평범한 유리보다 훨씬 더 양호하게 실행한다.
소스로부터의 본래의 방사선 분포(I)가 균일하지 않다면, 도 9에 도시된 바와 같이 일 세트의 섞어 짠 파이버내로 집속될 수 있다. 파이버는 소정의 방사선 분포(I')를 생성하도록 하는 패턴으로 섞어 짜여진다. 분리된 파이버내로의 본래의 방사선의 분리에 의해 도입되는 높은 공간주파수 도즈 변화는 도 10에 도시된 바와 같은 서로 다른 파이버로부터 기원된 방사선 콘(30)의 교차에 기인하여 파이버 출구 단부로부터 소정 거리 떨어진 곳에서 부드럽게 될 수 있다. 스텝 앤드 스캔 장치의 경우의 다른 가능성은 파이버(21)를 패킹하여 각각의 행이 도 11에 도시된 바와 같은 스캔 방향에 수직인 방향, 예를 들어 Y방향으로 약간 이동된다. 이러한 방식으로, 비직교 패킹 구성이 얻어진다.
만일 소스 에땅뒤(etendue)('에땅뒤'라는 용어는 소스의 크기와 솔리드 방사각과의 곱을 지칭한다)가 리소그래피 시스템에 의해 필요로 하는 것보다 훨씬 작으면, 동일한 종류의 수개의 소스(LA1 - LA4)는 도 12에 도시된 바와 같이, 파이버(22)를 사용하여 멀티플렉스될 수 있고, 섞어 짜여질 수 있다. 파이버(22)의 시스템은 도 13에 도시된 바와 같이 콜렉터로서 사용될 수 있다. 이러한 콜렉터는 파이버의 출구 단부에서 파편이 없을 것이고, 만일 가격이 충분히 저렴하다면, 소스 단부에서 용이하게 대체가능할 수 있다. 그러나, 만일 소스가 파편이 없다면, 이러한 교환은 전혀 필요치 않을 것이다.
상술된 파이버는 차동 펌프를 사용하여 용이하게 배기될 수 있다.
(실시예 3)
아래에 기술되는 것을 제외하고는 제 1실시에와 동일한, 본 발명의 제 3실시예에 있어서, 도파관은 스캐닝 방향, 예를 들어 Y방향, 또는 그것에 수직인 방향, 예를 들어 X방향 중 어느 한 방향에서 조정가능하다. 제 3실시예의 이러한 2가지 변형은 (단면에 있어서) 아치 형상 투영빔을 생성하도록 만곡한 한 쌍의 미러와 함께 본 발명에 따른 인티그레이팅 도파관을 나타내는 도 14 및 도 15에 도시된다. 제 3실시예의 원리는 인티그레이터의 다른 형상, 예를 들면 직사각형으로 사용될 수 있다.
XY평면에서의 도파관의 단면인 도 14에 도시된 바와 같이, 제 3실시예의 제 1변형에 있어서, 중공의 도파관을 형성하는 4개의 미러(31 내지 34)는 쌍으로 함께 결합된다. 통상적으로 XZ평면에 평행인 미러(31)는 YZ 평면에 평행인 미러(32)에 결합되는 반면 미러(33)에 대향하는 미러(33)는 미러(32)에 대향하는 미러(34)에 결합된다. 미러(31)의 자유 가장자리(free edge)는 미러(34)의 반사 표면에 대해 접촉하여 슬라이딩 가능하고 미러(33)의 자유 가장자리도 마찬가지로 미러(32)에 접촉하여 슬라이딩 가능하다. 따라서, 결합된 미러(31, 32)는 결합된 미러(33, 34)에 대하여 Y방향으로 이동될 수 있다. 스캐닝 방향에서의 투영빔의 폭은 이에 따라 변화될 것이다.
도 15는 도 14와 유사한, 제 3실시예의 제 2변형예의 단면도이다. 또한, 미러는 36에 35가, 38에 37이 쌍으로 함께 결합된다. 그러나, 제 2변형예에 있어서, YZ 평면에 대체로 평행인 미러(36)의 자유 가장자리는 XZ 평면에 대체로 평행인 미러(37)의 반사 표면에 접촉하여 슬라이딩한다. 유사하게 미러(38)의 자유 가장자리는 미러(35)에 접촉하여 슬라이딩한다. 제 2변형예에 있어서, 결합된 미러 쌍(35, 36 및 37, 38)은 대체적으로 X 방향으로 미러(35, 37)의 평면에 평행인 아크를 따라 서로에 대해 이동가능하다. 이러한 방식으로, 도파관의 폭, 따라서 스캐닝 방향에 수직인 방향으로의 조명 빔이 조정된다.
제 3실시예의 2개의 변형예에 있어서는, 결합된 미러쌍 중 하나 또는 양자는 적합한 액추에이터(도시하지 않음)로 이동될 수 있어 노광 사이에 또는 노광중에 원하는대로 조명빔의 크기를 제어한다. 수반하는 제어시스템의 상세 뿐아니라 액추에이터의 형태, 수 및 용량은 미러의 크기 및 질량, 이동의 요구되는 범위와 정확도 및 응답의 요구되는 속도와 같은 인자에 따라 본 발명의 특정 적용을 위해 선택될 수 있다.
상술된 바와 같이 여기서는 본 발명의 특정의 실시예를 기술하였지만, 본 발명은 기술된 것과 달리 실시될 수 있다. 명세서는 본 발명을 제한하지 않는다.
본 발명에 의하면 50 nm 이하의 파장을 갖는 전자기 방사선과 함께, 특히 EUV와 함께 사용될 수 있는 대안적인 인티그레이터를 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 나타내는 도면,
도 2는 본 발명에서 인티그레이터로서 사용가능한 중공 튜브를 나타내는 도면,
도 3은 도 2의 인티그레이터와 같은 인티그레이터에 의해 생성된 가상 소스 형상을 나타내는 도면,
도 4는 그레이징 입사각의 함수로서 13.4 nm의 Mo의 반사율을 나타내는 그래프,
도 5는 도 2에 도시된 실시예를 사용하여 얻을 수 있는 도즈 균일성(dose uniformity)의 개선을 나타내는 그래프,
도 6은 Mo 또는 SiO2 내부표면을 갖는 광파이버의 경우, 그레이징 입사각의 함수로서 13.4 nm의 Mo 및 SiO2의 반사율을 나타내는 그래프,
도 7은 도 6에 관련되고, 이러한 인티그레이터의 총 투과를 그것의 길이의 함수로서 나타낸 도면,
도 8은 도 6에 관련되고, 구부러진 파이버의 경우에 관련되는 도면,
도 9는 섞어 짠 광파이버를 사용하는, 본 발명에 따른 인티그레이터의 실시예를 나타내는 도면,
도 10은 한 다발의 광파이버의 출구단부로부터 소정 거리에 있는 광의 혼합 효과를 나타내는 도면,
도 11은 본 발명에 따른 인티그레이터의 다른 실시예의 광파이버의 비직교 패킹 구성을 나타내는 도면,
도 12는 멀티플렉서로서 작용하는 인티그레이터를 나타내는 도면,
도 13은 콜렉터로서 작용하는 인티그레이터를 나타내는 도면,
도 14는 본 발명에 따른 다른 인티그레이터의 단면도, 및
도 15는 본 발명에 따른 다른 인티그레이터의 단면도이다.

Claims (18)

  1. 50 nm 보다 작은 파장을 갖는 전자기방사선의 투영빔을 공급하는 조명시스템;
    마스크를 고정하는 제 1대물 홀더를 구비한 제 1 대물 테이블;
    기판을 고정하는 제 2대물 홀더를 구비한 제 2 대물 테이블; 및
    상기 기판의 목표부에 상기 마스크의 조사부를 묘화하는 투영 시스템을 포함하여 이루어지는 리소그래피 투영장치에 있어서,
    도입되는(incoming) 방사선 빔에 대하여 배치되어, 상기 방사선이 그 내벽에서 그레이징 입사를 겪는 중공의 도파관을 포함하는 인티그레이팅요소가 조명 시스템내의 방사선의 경로에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 도파관은 적어도 부분적으로 금속 층을 포함하는 적어도 하나의 내벽을 갖는 중공의 원통형 파이프를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 도파관은 대향하는 벽의 쌍들을 갖는 직사각형의 단면을 가지고, 상기 파이프의 전체 내표면은 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 도파관은 L자 형상 구성으로 결합된 두 쌍의 미러를 포함하고, 각각의 쌍의 하나의 미러의 자유 가장자리가 다른 쌍의 미러의 반사 표면에 수직으로 접촉하고 그것에 대해 슬라이딩 가능하여 상기 도파관의 단면을 조정하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 도파관은 중공의 광파이버인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 인티그레이팅요소는 복수의 중공의 광파이버를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 파이버는 나란히 밀집(cluster)되어 이들의 길이방향 축이 서로 평행한 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 방사선이 나오는 인티그레이팅 요소의 단부에, 상기 파이버의 단부가 비직교 매트릭스로 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 파이버는 적어도 부분적으로 섞어 짜여진 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  11. 제 7항에 있어서,
    방사선이 나오는 파이버의 단부는 나란히 배치되지만, 방사선이 들어가는 파이버의 단부는 공간적으로 둥글게 배치되고 공통 방사선 소스를 향하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  12. 제 7항에 있어서,
    방사선이 나오는 파이버의 단부는 나란히 배치되지만, 방사선이 들어가는 파이버의 단부는 개별 방사선 소스에 근접하여 배치되고 상기 개별 방사선 소스를 향하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  13. 제 6항에 있어서,
    각각의 파이버의 벽은 SiO2, 수정 및 플라스틱에 의해 형성된 그룹으로부터 선택되는 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  14. 제 6항에 있어서,
    상기 파이버 또는 파이버 각각의 내벽의 적어도 일부는 적어도 부분적으로 금속으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  15. 제 3항에 있어서,
    상기 금속은 Mo, W, Ru, Al 및 이들의 합금에 의해 형성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 조명 시스템은, 예를 들어 8 내지 20 nm의 범위의 파장을 갖는 극자외선 방사선의 투영빔을 생성하도록 하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  17. 50 nm 보다 작은 파장을 갖는 전자기방사선의 투영빔을 공급하는 조명시스템;
    마스크를 고정하는 제 1대물 홀더를 구비한 제 1 대물 테이블;
    기판을 고정하는 제 2대물 홀더를 구비한 제 2 대물 테이블; 및
    상기 기판의 목표부에 상기 마스크의 조사부를 묘화하는 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치를 사용하여 디바이스를 제조하는 방법으로서,
    패턴을 지니는 마스크를 상기 제 1대물 테이블에 제공하는 단계;
    방사선 감지층을 갖는 기판을 상기 제 2대물 테이블에 제공하는 단계;
    마스크의 부분을 상기 투영 빔으로 조사하는 단계; 및
    마스크의 조사부를 기판의 목표부상으로 묘화하는 단계를 포함하여 이루어지고,
    상기 마스크 상으로 지향되기 전에 상기 투영빔은 중공 도파관을 포함하는 인티그레이팅 요소를 통과하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  18. 제 17항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6771870B2 (en) * 2001-03-20 2004-08-03 Eele Laboratories Components and methods for manufacturing hollow integrators and angle converters
US7564552B2 (en) * 2004-05-14 2009-07-21 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light
US7067819B2 (en) * 2004-05-14 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement or analysis of a specimen using separated spectral peaks in light
US7359052B2 (en) * 2004-05-14 2008-04-15 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light
US7349079B2 (en) * 2004-05-14 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for measurement or analysis of a nitrogen concentration of a specimen
US7453645B2 (en) * 2004-12-30 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7408641B1 (en) 2005-02-14 2008-08-05 Kla-Tencor Technologies Corp. Measurement systems configured to perform measurements of a specimen and illumination subsystems configured to provide illumination for a measurement system
NL1035979A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Spectral filter, lithographic apparatus including such a spectral filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby.
US8749179B2 (en) * 2012-08-14 2014-06-10 Kla-Tencor Corporation Optical characterization systems employing compact synchrotron radiation sources
DE102014219112A1 (de) 2014-09-23 2016-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie sowie Hohlwellenleiter-Komponente hierfür

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5175755A (en) * 1990-10-31 1992-12-29 X-Ray Optical System, Inc. Use of a kumakhov lens for x-ray lithography
JPH0582419A (ja) * 1991-09-20 1993-04-02 Fujitsu Ltd Ｘ線透過窓およびその製造方法
JPH05217860A (ja) * 1991-12-12 1993-08-27 Mitsubishi Electric Corp Ｘ線露光装置
US5812631A (en) * 1996-02-17 1998-09-22 China Aerospace Corporation And Beijing Normal University Method for manufacturing monolithic capillary X-ray lens, a monolithic capillary X-ray lens and apparatus using same
KR19990022785A (ko) * 1996-04-10 1999-03-25 더블유 디 마리스 포토리소그라픽 장치
JPH11111609A (ja) * 1997-10-02 1999-04-23 Ball Semiconductor Kk 球状半導体用照明装置
US5902033A (en) * 1997-02-18 1999-05-11 Torch Technologies Llc Projector system with hollow light pipe optics

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5059013A (en) * 1988-08-29 1991-10-22 Kantilal Jain Illumination system to produce self-luminous light beam of selected cross-section, uniform intensity and selected numerical aperture
DE4301716C2 (de) * 1992-02-04 1999-08-12 Hitachi Ltd Projektionsbelichtungsgerät und -verfahren
US5601733A (en) * 1993-09-30 1997-02-11 Cymer, Inc. Full field mask illumination enhancement methods and apparatus
US5406351A (en) * 1993-12-30 1995-04-11 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Photolithography system with improved illumination
US5473408A (en) * 1994-07-01 1995-12-05 Anvik Corporation High-efficiency, energy-recycling exposure system
DE19626176A1 (de) * 1996-06-29 1998-01-08 Deutsche Forsch Luft Raumfahrt Lithographie-Belichtungseinrichtung und Lithographie-Verfahren
JPH11271619A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
US6396067B1 (en) 1998-05-06 2002-05-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system
US6142641A (en) * 1998-06-18 2000-11-07 Ultratech Stepper, Inc. Four-mirror extreme ultraviolet (EUV) lithography projection system
US6151155A (en) * 1998-07-29 2000-11-21 The Regents Of The University Of Michigan Guided wave methods and apparatus for nonlinear frequency generation
US6118577A (en) * 1998-08-06 2000-09-12 Euv, L.L.C Diffractive element in extreme-UV lithography condenser
US6031598A (en) * 1998-09-25 2000-02-29 Euv Llc Extreme ultraviolet lithography machine

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5175755A (en) * 1990-10-31 1992-12-29 X-Ray Optical System, Inc. Use of a kumakhov lens for x-ray lithography
JPH0582419A (ja) * 1991-09-20 1993-04-02 Fujitsu Ltd Ｘ線透過窓およびその製造方法
JPH05217860A (ja) * 1991-12-12 1993-08-27 Mitsubishi Electric Corp Ｘ線露光装置
US5812631A (en) * 1996-02-17 1998-09-22 China Aerospace Corporation And Beijing Normal University Method for manufacturing monolithic capillary X-ray lens, a monolithic capillary X-ray lens and apparatus using same
KR19990022785A (ko) * 1996-04-10 1999-03-25 더블유 디 마리스 포토리소그라픽 장치
US5902033A (en) * 1997-02-18 1999-05-11 Torch Technologies Llc Projector system with hollow light pipe optics
JPH11111609A (ja) * 1997-10-02 1999-04-23 Ball Semiconductor Kk 球状半導体用照明装置

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Publication number Publication date
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