JPH05217860A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH05217860A JPH05217860A JP4308706A JP30870692A JPH05217860A JP H05217860 A JPH05217860 A JP H05217860A JP 4308706 A JP4308706 A JP 4308706A JP 30870692 A JP30870692 A JP 30870692A JP H05217860 A JPH05217860 A JP H05217860A
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- rays
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シンクロトロン放射光やアンジュレーター放
射光やウイグラー放射光を有効に集光することにより露
光面上のＸ線強度を充分に大きくでき、さらに露光領域
にわたって限りなく直入射に近い状態の露光Ｘ線を照射
することができるＸ線露光装置を得る。 【構成】 適当な曲率をもって曲げた細管の内壁面での
反射によってＸ線を曲げる作用を有する複数の細管８を
光源点２から放射するＸ線を取り込むことができるよう
に上記各細管のＸ線入射端部が電子ビームの軌道１近傍
に沿うと共にＸ線出射端部がＸ線光学系の主光軸３に並
行になるように配置した細管束を備える。
射光やウイグラー放射光を有効に集光することにより露
光面上のＸ線強度を充分に大きくでき、さらに露光領域
にわたって限りなく直入射に近い状態の露光Ｘ線を照射
することができるＸ線露光装置を得る。 【構成】 適当な曲率をもって曲げた細管の内壁面での
反射によってＸ線を曲げる作用を有する複数の細管８を
光源点２から放射するＸ線を取り込むことができるよう
に上記各細管のＸ線入射端部が電子ビームの軌道１近傍
に沿うと共にＸ線出射端部がＸ線光学系の主光軸３に並
行になるように配置した細管束を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線露光装置、特に
シンクロトロン放射光やアンジュレーター放射光やウイ
グラー放射光等を利用したＸ線露光装置に関するもので
ある。
シンクロトロン放射光やアンジュレーター放射光やウイ
グラー放射光等を利用したＸ線露光装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ストレージリングから放射するシンクロ
トロン放射光は、硬Ｘ線から可視光まで広がる広帯域の
波長域を持ち、水平方向には大きな発散角、垂直方向に
は小さな発散角を持つシート状のＸ線を放射するＸ線源
である。このようなシンクロトロン放射をＸ線源として
利用するＸ線露光装置として、例えば雑誌（Ｎｕｃｌｅ
ａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
ｓ ｉｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａ２４
６，１９８６年，第６５８頁〜第６６７頁）に掲載され
たものの構成を図８に示す。図において、１はストレー
ジリング内を周回する電子ビームの軌道、２は水平方向
及び垂直方向の発散角を持つＸ線を放射する光源点、３
はＸ線光学系の主光軸、４は平面Ｘ線反射ミラー、５は
例えばベリリウム膜等でできた真空窓、６はＸ線マス
ク、７は露光面である。
トロン放射光は、硬Ｘ線から可視光まで広がる広帯域の
波長域を持ち、水平方向には大きな発散角、垂直方向に
は小さな発散角を持つシート状のＸ線を放射するＸ線源
である。このようなシンクロトロン放射をＸ線源として
利用するＸ線露光装置として、例えば雑誌（Ｎｕｃｌｅ
ａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
ｓ ｉｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａ２４
６，１９８６年，第６５８頁〜第６６７頁）に掲載され
たものの構成を図８に示す。図において、１はストレー
ジリング内を周回する電子ビームの軌道、２は水平方向
及び垂直方向の発散角を持つＸ線を放射する光源点、３
はＸ線光学系の主光軸、４は平面Ｘ線反射ミラー、５は
例えばベリリウム膜等でできた真空窓、６はＸ線マス
ク、７は露光面である。
【０００３】次にこの装置の動作を説明する。硬Ｘ線を
遮断する平面Ｘ線反射ミラー４及び数１０オングストロ
ーム以上の長波長域を遮断するためのベリリウム膜等で
できた真空窓５でＸ線光学系を構成し、露光に適当な波
長である１０オングストローム近傍の波長帯のＸ線を取
り出すことができる。
遮断する平面Ｘ線反射ミラー４及び数１０オングストロ
ーム以上の長波長域を遮断するためのベリリウム膜等で
できた真空窓５でＸ線光学系を構成し、露光に適当な波
長である１０オングストローム近傍の波長帯のＸ線を取
り出すことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線露光装置は
以上のように構成されており、シンクロトロン放射光の
光源点２は電子ビームの軌道１上に分布しているが、真
空窓５の大きさによって決まるＸ線光学系のアパーチャ
ーの制約から電子ビームの軌道１上のごく一部の光源点
からのＸ線しか露光面７上に取り出すことができない。
特に、半導体装置用の小型ストレージリングからのシン
クロトロン放射光を利用した場合、シンクロトロン放射
光強度があまり強くないため、露光面７上のＸ線強度を
充分に大きくすることができないという問題点があっ
た。
以上のように構成されており、シンクロトロン放射光の
光源点２は電子ビームの軌道１上に分布しているが、真
空窓５の大きさによって決まるＸ線光学系のアパーチャ
ーの制約から電子ビームの軌道１上のごく一部の光源点
からのＸ線しか露光面７上に取り出すことができない。
特に、半導体装置用の小型ストレージリングからのシン
クロトロン放射光を利用した場合、シンクロトロン放射
光強度があまり強くないため、露光面７上のＸ線強度を
充分に大きくすることができないという問題点があっ
た。
【０００５】また、シンクロトロン放射光の持つ放射発
散角度がそのまま保存されて露光面７に照射される。こ
のため、Ｘ線光学系の主光軸３と露光面７の交点によっ
て定義される露光面の原点から離れれば離れるほど、Ｘ
線の露光面７への入射は直入射から大きくずれていく。
従って露光面７上に形成される転写パターンは、露光面
７の原点から離れるにしたがいＸ線マスクパターンとの
位置ずれが大きくなるという問題点もあった。
散角度がそのまま保存されて露光面７に照射される。こ
のため、Ｘ線光学系の主光軸３と露光面７の交点によっ
て定義される露光面の原点から離れれば離れるほど、Ｘ
線の露光面７への入射は直入射から大きくずれていく。
従って露光面７上に形成される転写パターンは、露光面
７の原点から離れるにしたがいＸ線マスクパターンとの
位置ずれが大きくなるという問題点もあった。
【０００６】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたもので、例えば電子ビームの軌道上に分布す
る光源点から水平方向及び垂直方向に発散角を持って放
射するシンクロトロン放射光を有効に集光することによ
り露光面上のＸ線強度を充分に大きくすることができ、
さらに露光領域にわたって限りなく直入射に近い状態の
Ｘ線の照射を可能にするＸ線光学系を有するＸ線露光装
置を得ることを目的としている。
になされたもので、例えば電子ビームの軌道上に分布す
る光源点から水平方向及び垂直方向に発散角を持って放
射するシンクロトロン放射光を有効に集光することによ
り露光面上のＸ線強度を充分に大きくすることができ、
さらに露光領域にわたって限りなく直入射に近い状態の
Ｘ線の照射を可能にするＸ線光学系を有するＸ線露光装
置を得ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるＸ線露
光装置は、ストレージリングを周回する電子ビームによ
って水平方向及び垂直方向に発散角を持ってＸ線を放射
する光源点が上記電子ビームの軌道上に分布するＸ線
源、並びに適当な曲率をもって曲げた細管の内壁面での
反射によってＸ線を曲げる作用を有する複数の細管を上
記光源点から放射するＸ線を取り込むことができるよう
に上記各細管のＸ線入射端部が上記電子ビームの軌道近
傍に沿うと共にＸ線出射端部がＸ線光学系の主光軸に並
行になるように配置した細管束を備えるものである。
光装置は、ストレージリングを周回する電子ビームによ
って水平方向及び垂直方向に発散角を持ってＸ線を放射
する光源点が上記電子ビームの軌道上に分布するＸ線
源、並びに適当な曲率をもって曲げた細管の内壁面での
反射によってＸ線を曲げる作用を有する複数の細管を上
記光源点から放射するＸ線を取り込むことができるよう
に上記各細管のＸ線入射端部が上記電子ビームの軌道近
傍に沿うと共にＸ線出射端部がＸ線光学系の主光軸に並
行になるように配置した細管束を備えるものである。
【０００８】また、本発明の別の発明に係わるＸ線露光
装置は、電子ビームが周回するストレージリング内の直
線部分に多数の磁極を周期的に配列し、周期的な磁場中
で上記電子ビームを蛇行させることによって放射角度広
がりの小さいアンジュレーター光またはウイグラー光を
得るＸ線源、並びに適当な曲率をもって曲げた細管の内
壁面での反射によってＸ線を曲げる作用を有する複数の
細管を上記Ｘ線源から放射するＸ線を取り込むことがで
きるように上記各細管のＸ線入射端部が上記周期的な磁
場中を蛇行する電子ビームの軌道近傍に沿うと共にＸ線
出射端部がＸ線光学系の主光軸に並行になり、しかも上
記各細管から放射するＸ線がＸ線露光領域全体をカバー
するように配置した細管束を備えるものである。
装置は、電子ビームが周回するストレージリング内の直
線部分に多数の磁極を周期的に配列し、周期的な磁場中
で上記電子ビームを蛇行させることによって放射角度広
がりの小さいアンジュレーター光またはウイグラー光を
得るＸ線源、並びに適当な曲率をもって曲げた細管の内
壁面での反射によってＸ線を曲げる作用を有する複数の
細管を上記Ｘ線源から放射するＸ線を取り込むことがで
きるように上記各細管のＸ線入射端部が上記周期的な磁
場中を蛇行する電子ビームの軌道近傍に沿うと共にＸ線
出射端部がＸ線光学系の主光軸に並行になり、しかも上
記各細管から放射するＸ線がＸ線露光領域全体をカバー
するように配置した細管束を備えるものである。
【０００９】
【作用】この発明におけるＸ線露光装置では、Ｘ線源は
シンクロトロン放射光の光源サイズはストレージリング
を周回する充分に小さい電子ビームサイズに等しい点光
源が電子ビーム軌道上に分布したものとみなすことがで
きる。一方、適当な曲率をもって曲げた細管内に入射し
たＸ線は、内壁面での非常に小さい斜入射角の反射を繰
り返し、Ｘ線強度をあまり大きく減衰することなく、細
管の曲率に沿って曲げられる作用を受けるため、細管の
束を細管のＸ線が入射する端部が電子ビーム軌道近傍に
沿うように適当に配置することによって、Ｘ線光学系の
アパーチャーの大きさに関係なく、電子ビーム軌道上に
分布した光源点から放射するＸ線を全て細管束内の細管
に取り込むことができ、各細管においてＸ線が出射する
端部がＸ線光学系の主光軸に並行になるように各細管を
適当に曲げることによって、細管束内の各細管を出たＸ
線はＸ線光学系の主光軸に並行にコリメートされ、真空
窓を通ったＸ線は露光領域にわたって直入射に限りなく
近い状態で入射する。
シンクロトロン放射光の光源サイズはストレージリング
を周回する充分に小さい電子ビームサイズに等しい点光
源が電子ビーム軌道上に分布したものとみなすことがで
きる。一方、適当な曲率をもって曲げた細管内に入射し
たＸ線は、内壁面での非常に小さい斜入射角の反射を繰
り返し、Ｘ線強度をあまり大きく減衰することなく、細
管の曲率に沿って曲げられる作用を受けるため、細管の
束を細管のＸ線が入射する端部が電子ビーム軌道近傍に
沿うように適当に配置することによって、Ｘ線光学系の
アパーチャーの大きさに関係なく、電子ビーム軌道上に
分布した光源点から放射するＸ線を全て細管束内の細管
に取り込むことができ、各細管においてＸ線が出射する
端部がＸ線光学系の主光軸に並行になるように各細管を
適当に曲げることによって、細管束内の各細管を出たＸ
線はＸ線光学系の主光軸に並行にコリメートされ、真空
窓を通ったＸ線は露光領域にわたって直入射に限りなく
近い状態で入射する。
【００１０】また、本発明の別の発明におけるＸ線露光
装置では、蛇行する電子ビーム軌道から放射する強度は
上記シンクロトロン放射光より大きいが放射角度広がり
の小さいアンジュレーター放射光またはウイグラー放射
光を有効に取り込み、Ｘ線露光領域全体にＸ線の照射エ
リアを広げ、直入射に限りなく近い露光Ｘ線をＸ線露光
面に提供することができる。
装置では、蛇行する電子ビーム軌道から放射する強度は
上記シンクロトロン放射光より大きいが放射角度広がり
の小さいアンジュレーター放射光またはウイグラー放射
光を有効に取り込み、Ｘ線露光領域全体にＸ線の照射エ
リアを広げ、直入射に限りなく近い露光Ｘ線をＸ線露光
面に提供することができる。
【００１１】
実施例１．図１は請求項１の発明の一実施例によるＸ線
露光装置を示す構成図である。図において、１はストレ
ージリング内を周回する電子ビームの軌道、２は水平方
向及び垂直方向の発散角を持つＸ線を放射する光源点、
３はＸ線光学系の主光軸、４は平面Ｘ線反射ミラー、５
は例えばベリリウム膜等でできた真空窓、６はＸ線マス
ク、７は露光面、８は適当な曲率をもって曲げることに
より内壁面での反射によってＸ線を曲げる作用を有する
細管である。各細管８のＸ線入射端部が電子ビームの軌
道１近傍に沿うと共にＸ線出射端部がＸ線光学系の主光
軸３に並行になるように配置されており、電子ビーム軌
道１上に分布した光源点２から放射するＸ線を全て細管
８に取り込むことができる。
露光装置を示す構成図である。図において、１はストレ
ージリング内を周回する電子ビームの軌道、２は水平方
向及び垂直方向の発散角を持つＸ線を放射する光源点、
３はＸ線光学系の主光軸、４は平面Ｘ線反射ミラー、５
は例えばベリリウム膜等でできた真空窓、６はＸ線マス
ク、７は露光面、８は適当な曲率をもって曲げることに
より内壁面での反射によってＸ線を曲げる作用を有する
細管である。各細管８のＸ線入射端部が電子ビームの軌
道１近傍に沿うと共にＸ線出射端部がＸ線光学系の主光
軸３に並行になるように配置されており、電子ビーム軌
道１上に分布した光源点２から放射するＸ線を全て細管
８に取り込むことができる。
【００１２】また、図２は図１に示した適当な曲率をも
って曲げた細管８の一部分を拡大して示す断面図であ
る。図において、９は細管内に入射したＸ線、θKはＸ
線９が細管の内壁面を反射する時の斜入射角度、Ｒは適
当に曲げた細管の曲率半径、ｄは細管の内径である。細
管の形状が数１で与えられる条件を満足する時、細管内
に入射したＸ線９は、図２に示すように曲がった細管８
の曲率に沿って、反射を繰り返していく。 Ｒ＞ｄ／θK 2 （数１）
って曲げた細管８の一部分を拡大して示す断面図であ
る。図において、９は細管内に入射したＸ線、θKはＸ
線９が細管の内壁面を反射する時の斜入射角度、Ｒは適
当に曲げた細管の曲率半径、ｄは細管の内径である。細
管の形状が数１で与えられる条件を満足する時、細管内
に入射したＸ線９は、図２に示すように曲がった細管８
の曲率に沿って、反射を繰り返していく。 Ｒ＞ｄ／θK 2 （数１）
【００１３】また、図３は図１のＸ線露光装置をＸ線光
学系の主光軸３を含む上から見た断面図、図４は図１の
Ｘ線露光装置のＸ線光学系の主光軸３を含む縦断面図で
ある。図３、４に示すように、各細管８においてＸ線が
出射する端部がＸ線光学系の主光軸３に並行になるよう
に細管８を曲げることによって、細管束を出たＸ線をＸ
線光学系の主光軸３に並行にコリメートすることができ
る。
学系の主光軸３を含む上から見た断面図、図４は図１の
Ｘ線露光装置のＸ線光学系の主光軸３を含む縦断面図で
ある。図３、４に示すように、各細管８においてＸ線が
出射する端部がＸ線光学系の主光軸３に並行になるよう
に細管８を曲げることによって、細管束を出たＸ線をＸ
線光学系の主光軸３に並行にコリメートすることができ
る。
【００１４】なお、細管８の内壁面をｍ回反射したＸ線
は、細管８に入射した方向から数２で与えられる角度θ
まで曲げられることになる。 θ＝ｍ×θK （数２）
は、細管８に入射した方向から数２で与えられる角度θ
まで曲げられることになる。 θ＝ｍ×θK （数２）
【００１５】図５は、例えば石英（ＳｉＯ2）でできた
細管に入射したＸ線が斜入射角度θK；０.１°で細管８
の内壁面での反射を１０回繰り返したときのＸ線の反射
率を示したものである。この図が示すようにＸ線露光に
は適当ではない５オングストローム以下の硬Ｘ線領域の
反射率が高いため、図１に示したようにＸ線光学系の適
当な位置に配置したＸ線反射ミラー４によって硬Ｘ線を
遮断することができる。なお、５オングストローム以下
の硬Ｘ線も使用したい場合にはＸ線反射ミラー４は不要
である。
細管に入射したＸ線が斜入射角度θK；０.１°で細管８
の内壁面での反射を１０回繰り返したときのＸ線の反射
率を示したものである。この図が示すようにＸ線露光に
は適当ではない５オングストローム以下の硬Ｘ線領域の
反射率が高いため、図１に示したようにＸ線光学系の適
当な位置に配置したＸ線反射ミラー４によって硬Ｘ線を
遮断することができる。なお、５オングストローム以下
の硬Ｘ線も使用したい場合にはＸ線反射ミラー４は不要
である。
【００１６】上記のように構成されたＸ線露光装置で
は、Ｘ線源はシンクロトロン放射光はストレージリング
を周回する充分に小さい電子ビームサイズに等しい点光
源が電子ビーム軌道上に分布したものとみなすことがで
きる。一方、適当な曲率をもって曲げた細管内に入射し
たＸ線は、内壁面での非常に小さい斜入射角の反射を繰
り返し、Ｘ線強度をあまり大きく減衰することなく、細
管の曲率に沿って曲げられる作用を受けるため、細管の
束を各細管のＸ線が入射する端部が電子ビーム軌道近傍
に沿うように適当に配置することによって、Ｘ線光学系
のアパーチャーの大きさに関係なく、電子ビーム軌道上
に分布した光源点から放射するＸ線を全て細管束内の細
管に取り込むことができ、細管束の各細管においてＸ線
が出射する端部がＸ線光学系の主光軸に並行になるよう
に各細管を適当に曲げることによって、細管束の各細管
を出たＸ線はＸ線光学系の主光軸に並行にコリメートさ
れる。さらにＸ線光学系の適当な位置に配置したＸ線反
射ミラーによって硬Ｘ線を遮断し、真空窓を通ったＸ線
は露光領域にわたって直入射に限りなく近い状態で入射
し、極めて強度の大きい露光Ｘ線になる。
は、Ｘ線源はシンクロトロン放射光はストレージリング
を周回する充分に小さい電子ビームサイズに等しい点光
源が電子ビーム軌道上に分布したものとみなすことがで
きる。一方、適当な曲率をもって曲げた細管内に入射し
たＸ線は、内壁面での非常に小さい斜入射角の反射を繰
り返し、Ｘ線強度をあまり大きく減衰することなく、細
管の曲率に沿って曲げられる作用を受けるため、細管の
束を各細管のＸ線が入射する端部が電子ビーム軌道近傍
に沿うように適当に配置することによって、Ｘ線光学系
のアパーチャーの大きさに関係なく、電子ビーム軌道上
に分布した光源点から放射するＸ線を全て細管束内の細
管に取り込むことができ、細管束の各細管においてＸ線
が出射する端部がＸ線光学系の主光軸に並行になるよう
に各細管を適当に曲げることによって、細管束の各細管
を出たＸ線はＸ線光学系の主光軸に並行にコリメートさ
れる。さらにＸ線光学系の適当な位置に配置したＸ線反
射ミラーによって硬Ｘ線を遮断し、真空窓を通ったＸ線
は露光領域にわたって直入射に限りなく近い状態で入射
し、極めて強度の大きい露光Ｘ線になる。
【００１７】実施例２．図６は請求項２の発明に係わる
アンジュレーター放射光およびウィグラー放射光の説明
図である。図において、１９はストレージリングの直線
部分のビームダクト、１０はビームダクト１９内に周期
的な磁場を発生させる多数の磁極の周期的な配列、１１
は周期的な磁場中を蛇行する電子ビームの軌道、１２は
蛇行する電子ビーム軌道１１から放射するアンジュレー
ター放射光或いはウイグラー放射光を示している。
アンジュレーター放射光およびウィグラー放射光の説明
図である。図において、１９はストレージリングの直線
部分のビームダクト、１０はビームダクト１９内に周期
的な磁場を発生させる多数の磁極の周期的な配列、１１
は周期的な磁場中を蛇行する電子ビームの軌道、１２は
蛇行する電子ビーム軌道１１から放射するアンジュレー
ター放射光或いはウイグラー放射光を示している。
【００１８】周期的な磁極の配列１０によって数３に示
すような周期的磁場をビームダクト１９内に発生させる
と、電子ビーム軌道１１は蛇行し、磁場と同じ周期長を
持つ正弦波状の軌道になる。 Ｂy＝Ｂ0×ｓｉｎ（２πｚ／λu） （数３）
数３においてλuは周期的な磁場の周期長である。この
時、数４で定義するパラメーター：Ｋが、Ｋ≦１の場
合、電子ビーム軌道の中心軸のＺ軸を軸とする円錐状の
角度広がりを持ち実施例１で示した通常のシンクロトロ
ン放射光よりも強度の大きいアンジュレーター光が放射
する。 Ｋ＝９３．４×Ｂ0（テスラ）×λu（ｍ） （数４） またＫ≧場合、上記のアンジュレーター光よりも放射角
度広がりの大きいウイグラー光が放射する。
すような周期的磁場をビームダクト１９内に発生させる
と、電子ビーム軌道１１は蛇行し、磁場と同じ周期長を
持つ正弦波状の軌道になる。 Ｂy＝Ｂ0×ｓｉｎ（２πｚ／λu） （数３）
数３においてλuは周期的な磁場の周期長である。この
時、数４で定義するパラメーター：Ｋが、Ｋ≦１の場
合、電子ビーム軌道の中心軸のＺ軸を軸とする円錐状の
角度広がりを持ち実施例１で示した通常のシンクロトロ
ン放射光よりも強度の大きいアンジュレーター光が放射
する。 Ｋ＝９３．４×Ｂ0（テスラ）×λu（ｍ） （数４） またＫ≧場合、上記のアンジュレーター光よりも放射角
度広がりの大きいウイグラー光が放射する。
【００１９】図７は請求項２の発明の一実施例によるＸ
線露光装置を示す構成図である。各細管８のＸ線入射端
部が蛇行する電子ビーム軌道１１近傍に沿うと共にＸ線
出射端部がＸ線光学系の主光軸３に並行になるように
し、しかも各細管８からから放射するＸ線がＸ線露光領
域全体をカバーするように細管束を配置することによっ
て蛇行する電子ビーム軌道１１から放射する放射角度広
がりは小さいが強度は大きいアンジュレーター光或いは
ウイグラー光１２を有効に取り込み、Ｘ線露光領域全体
にＸ線の照射エリアを広げ、直入射に限りなく近い露光
Ｘ線をＸ線露光面に提供することができる。
線露光装置を示す構成図である。各細管８のＸ線入射端
部が蛇行する電子ビーム軌道１１近傍に沿うと共にＸ線
出射端部がＸ線光学系の主光軸３に並行になるように
し、しかも各細管８からから放射するＸ線がＸ線露光領
域全体をカバーするように細管束を配置することによっ
て蛇行する電子ビーム軌道１１から放射する放射角度広
がりは小さいが強度は大きいアンジュレーター光或いは
ウイグラー光１２を有効に取り込み、Ｘ線露光領域全体
にＸ線の照射エリアを広げ、直入射に限りなく近い露光
Ｘ線をＸ線露光面に提供することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、スト
レージリングを周回する電子ビームによって水平方向及
び垂直方向に発散角を持ってＸ線を放射する光源点が上
記電子ビームの軌道上に分布するＸ線源、並びに適当な
曲率をもって曲げた細管の内壁面での反射によってＸ線
を曲げる作用を有する複数の細管を上記光源点から放射
するＸ線を取り込むことができるように上記各細管のＸ
線入射端部が上記電子ビームの軌道近傍に沿うと共にＸ
線出射端部がＸ線光学系の主光軸に並行になるように配
置した細管束を備えるので、上記光源点から水平方向及
び垂直方向に発散角を持って放射するシンクロトロン放
射光を有効に集光することにより露光面上のＸ線強度を
充分に大きくでき、さらに露光領域にわたって限りなく
直入射に近い状態の露光Ｘ線を照射することができ、Ｘ
線露光におけるスループット及び高精度の転写パターン
に多大の効果がある。
レージリングを周回する電子ビームによって水平方向及
び垂直方向に発散角を持ってＸ線を放射する光源点が上
記電子ビームの軌道上に分布するＸ線源、並びに適当な
曲率をもって曲げた細管の内壁面での反射によってＸ線
を曲げる作用を有する複数の細管を上記光源点から放射
するＸ線を取り込むことができるように上記各細管のＸ
線入射端部が上記電子ビームの軌道近傍に沿うと共にＸ
線出射端部がＸ線光学系の主光軸に並行になるように配
置した細管束を備えるので、上記光源点から水平方向及
び垂直方向に発散角を持って放射するシンクロトロン放
射光を有効に集光することにより露光面上のＸ線強度を
充分に大きくでき、さらに露光領域にわたって限りなく
直入射に近い状態の露光Ｘ線を照射することができ、Ｘ
線露光におけるスループット及び高精度の転写パターン
に多大の効果がある。
【００２１】また、本発明の別の発明によれば、電子ビ
ームが周回するストレージリング内の直線部分に多数の
磁極を周期的に配列し、周期的な磁場中で上記電子ビー
ムを蛇行させることによって放射角度広がりの小さいア
ンジュレーター光またはウイグラー光を得るＸ線源、並
びに適当な曲率をもって曲げた細管の内壁面での反射に
よってＸ線を曲げる作用を有する複数の細管を上記Ｘ線
源から放射するＸ線を取り込むことができるように上記
各細管のＸ線入射端部が上記周期的な磁場中を蛇行する
電子ビームの軌道近傍に沿うと共にＸ線出射端部がＸ線
光学系の主光軸に並行になり、しかも上記各細管から放
射するＸ線がＸ線露光領域全体をカバーするように配置
した細管束を備えるので、上記効果に加えてより強度の
大きいＸ線が得られる効果がある。
ームが周回するストレージリング内の直線部分に多数の
磁極を周期的に配列し、周期的な磁場中で上記電子ビー
ムを蛇行させることによって放射角度広がりの小さいア
ンジュレーター光またはウイグラー光を得るＸ線源、並
びに適当な曲率をもって曲げた細管の内壁面での反射に
よってＸ線を曲げる作用を有する複数の細管を上記Ｘ線
源から放射するＸ線を取り込むことができるように上記
各細管のＸ線入射端部が上記周期的な磁場中を蛇行する
電子ビームの軌道近傍に沿うと共にＸ線出射端部がＸ線
光学系の主光軸に並行になり、しかも上記各細管から放
射するＸ線がＸ線露光領域全体をカバーするように配置
した細管束を備えるので、上記効果に加えてより強度の
大きいＸ線が得られる効果がある。
【図１】請求項１の発明の一実施例によるＸ線露光装置
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図２】図１に示す細管の１部を拡大して示す断面図で
ある。
ある。
【図３】図１に示すＸ線露光装置のＸ線集光光学系の主
光軸を含む上から見た図である。
光軸を含む上から見た図である。
【図４】図１に示すＸ線露光装置のＸ線集光光学系の主
光軸を含む縦断面図である。
光軸を含む縦断面図である。
【図５】石英（ＳｉＯ2）でできた細管に入射したＸ線
が反射を１０回繰り返したときの波長と反射率の関係を
示す特性図である。
が反射を１０回繰り返したときの波長と反射率の関係を
示す特性図である。
【図６】アンジュレーター放射光およびウィグラー放射
光の説明図である。
光の説明図である。
【図７】請求項２の発明の一実施例によるＸ線露光装置
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図８】従来のＸ線露光装置を示す構成図である。
１ 電子ビームの軌道 ２ 光源点 ３ Ｘ線光学系の主光軸 ４ Ｘ線反射ミラー ５ 真空窓 ６ Ｘ線マスク ７ 露光面 ８ 細管 ９ 細管内に入射したＸ線 １１ 蛇行した電子ビームの軌道 １２ アンジュレーター放射光またはウイグラー放射光
Claims (2)
- 【請求項１】 ストレージリングを周回する電子ビーム
によって水平方向及び垂直方向に発散角を持ってＸ線を
放射する光源点が上記電子ビームの軌道上に分布するＸ
線源、並びに適当な曲率をもって曲げた細管の内壁面で
の反射によってＸ線を曲げる作用を有する複数の細管を
上記光源点から放射するＸ線を取り込むことができるよ
うに上記各細管のＸ線入射端部が上記電子ビームの軌道
近傍に沿うと共にＸ線出射端部がＸ線光学系の主光軸に
並行になるように配置した細管束を備えることを特徴と
するＸ線露光装置。 - 【請求項２】 電子ビームが周回するストレージリング
内の直線部分に多数の磁極を周期的に配列し、周期的な
磁場中で上記電子ビームを蛇行させることによって放射
角度広がりの小さいアンジュレーター光またはウイグラ
ー光を得るＸ線源、並びに適当な曲率をもって曲げた細
管の内壁面での反射によってＸ線を曲げる作用を有する
複数の細管を上記Ｘ線源から放射するＸ線を取り込むこ
とができるように上記各細管のＸ線入射端部が上記周期
的な磁場中を蛇行する電子ビームの軌道近傍に沿うと共
にＸ線出射端部がＸ線光学系の主光軸に並行になり、し
かも上記各細管から放射するＸ線がＸ線露光領域全体を
カバーするように配置した細管束を備えることを特徴と
するＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30870692A JP3145809B2 (ja) | 1991-12-12 | 1992-11-18 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-328616 | 1991-12-12 | ||
| JP32861691 | 1991-12-12 | ||
| JP30870692A JP3145809B2 (ja) | 1991-12-12 | 1992-11-18 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217860A true JPH05217860A (ja) | 1993-08-27 |
| JP3145809B2 JP3145809B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=26565662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30870692A Expired - Fee Related JP3145809B2 (ja) | 1991-12-12 | 1992-11-18 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145809B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100536210B1 (ko) * | 1999-06-04 | 2005-12-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 투영장치용 인티그레이팅 도파관 |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP30870692A patent/JP3145809B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100536210B1 (ko) * | 1999-06-04 | 2005-12-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 투영장치용 인티그레이팅 도파관 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3145809B2 (ja) | 2001-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |