KR100483465B1 - 실리콘의 에칭방법 및 장치 - Google Patents
실리콘의 에칭방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100483465B1 KR100483465B1 KR10-2000-0040103A KR20000040103A KR100483465B1 KR 100483465 B1 KR100483465 B1 KR 100483465B1 KR 20000040103 A KR20000040103 A KR 20000040103A KR 100483465 B1 KR100483465 B1 KR 100483465B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etching
- liquid
- circulation tank
- silicon
- gas
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 262
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 98
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 97
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 152
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 39
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 36
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 36
- -1 hexafluorosilicic acid Chemical compound 0.000 claims description 10
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 150000004761 hexafluorosilicates Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 64
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
질산과 불화수소산을 함유하는 에칭액을 실리콘 웨이퍼에 적용해서 실리콘을 에칭하는 에칭방법 및 장치. 에칭에 사용한 에칭액은 회수되고 에칭액에 대해서 불활성인 기체에 접촉하게 되어 재생된다. 재생된 에칭액의 적어도 일부는 에칭에 재사용된다.
Description
본 발명은 질산과 불화수소산을 함유하는 에칭액을 실리콘에 적용하여 실리콘을 에칭하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조에 있어서 널리 알려진 바와 같이 실리콘 웨이퍼의 표면상의 격자형태로 배열된 다수의 영역에 회로를 형성하고, 그리고 실리콘웨이퍼를 다이싱하는 것에 의해 각각의 영역을 분리해서 소위 반도체 칩을 제조하고 있다. 통상, 실리콘 웨이퍼를 다이싱하기에 앞서서 반도체칩의 방열성의 개량 및/또는 박편화를 위해 실리콘웨이퍼의 이면의 전역을 연삭하고, 이어서 실리콘에이퍼의 이면 전역을 에칭해서 연삭에 의해 생성된 변형을 제거하고 있다. 에칭은 질산과 불화수소산을 함유하는 에칭액을 실리콘웨이퍼의 이면에 적용하는 것에 의해 수행된다.
새로운 에칭액을 사용해서 실리콘웨이퍼의 이면을 에칭하면 실리콘웨이퍼의 이면을 원하는 대로 거울면으로 하는 것이 가능하다. 그러나 에칭액을 반복해서 사용하면 에칭액이 갈색으로 탁해짐과 동시에 에칭한 실리콘웨이퍼의 이면이 거친 면으로 되는 경향이 발생한다. 따라서 고에칭품질을 유지하기 위해서는 에칭액을 반복사용하는 일 없이 새로운 에칭액을 사용하는 것이 필요하고, 에칭처리 비용이 상당히 고가가 된다.
본 발명의 목적은 에칭품질을 저하시키는 일 없이 에칭액을 적어도 부분적으로 반복해서 사용하고, 이것에 의해 에칭처리 비용을 대폭으로 저감할수 있고, 이것에 한정되는 것은 아니지만 특히 실리콘웨이퍼의 이면을 에칭하는데 적당한 신규하고 개량된 에칭방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 예의연구 결과, 질산과 불화수소산을 함유한 에칭액을 사용해서 실리콘을 에칭하면 NO2 또는 NO와 같은 NOX (x는 양의 정수)가 생성되고, 이와 같은 NOX 가 상당량 존재하는 것에 기인해서 에칭액이 갈색으로 탁해짐과 동시에 실리콘의 에칭 품질이 저하하는 것을 알았다. 그래서 에칭에 사용하고, 따라서 상당량의 NOX를 포함하고 있는 에칭액을, 에칭액에 대해서 불활성인 기체와 접촉시키면 NOX가 기체에 동반하게되어 에칭액에서 제거되고, 따라서 에칭품질을 저하시키는 일 없이 에칭액을 재사용하는 것이 가능하게 된다는 것을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명에 의하면, 상기 목적을 달성하는 에칭방법으로서 질산과 불화수소산을 함유하는 에칭액을 실리콘에 적용하여 실리콘을 에칭하는 공정을 포함하는 에칭방법에 있어서, 상기 에칭공정에서 사용된 에칭액을 회수하고 회수한 에칭액에, 에칭액에 대해서 불활성인 기체를 접촉시켜 에칭액을 재생시키는 회수·재생공정을 포함하고, 상기 회수·재생공정에서 회수·재생된 재생 에칭액의 적어도 일부가 상기 에칭공정에서 재사용되는 것을 특징으로 하는 에칭방법이 제공된다.
상기 회수·재생공정에서 회수된 에칭액에 접촉시키는 기체는 공기인 것이 바람직하다. 바람직한 실시형태에 다르면, 상기 에칭공정에 있어서는 순환탱크 내에 수용되어 있는 에칭액에서 소정량의 에칭액을 송출해서 실리콘에 적용하고, 상기 에칭공정에서 재사용되는 재생된 에칭액은 상기 순환탱크로 되돌아오고, 그리고 재생된 에칭액이 상기 순환탱크 내로 되돌아온 후, 다음 에칭공정을 위해 순환탱크에서 에칭액을 송출하기 전에 순환탱크내에 질산과 불화수소산을 함유하는 보급액을 보급하고, 이것에 의해 순환탱크내의 에칭액에서의 적어도 불화수소산의 비율을 소정값으로 하게 한다. 바람직하게는 상기 회수·재생공정에서 재생된 에칭액의 소정비율을 폐기하고 잔부를 상기 에칭공정에서 재사용한다. 상기 회수·재생공정에서 재생된 에칭액의 파기되는 비율은 상기 에칭공정에서 생성되는 헥사플루오로규산의 양과 파기되는 재생 에칭액에 함유되어 있는 헥사플루오로규산의 양이 평형되도록 설정되는 것이 바람직하다. 상기 에칭공정에 있어서 실리콘에 적용하는 에칭액의 온도를 소정온도로 조절하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면 상기 목적을 달성하는 에칭장치로서, 질산과 불화수소산을 함유하는 에칭액을 실리콘에 적용하여 실리콘을 에칭하기 위한 에칭장치에 있어서, 에칭될 실리콘을 지지하기 위한 지지수단과, 에칭될 실리콘을 상기 지지수단에 반입하고, 에칭된 실리콘을 상기 지지수단에서 반출하기 위한 반송수단과, 질산과 불화수소산을 함유하는 에칭액을 수용하는 순환탱크와, 상기 순환탱크 내에 수용되어있는 에칭액을 상기 지지수단에 지지되어 있는 실리콘에 적용하기 위한 에칭액 적용수단과, 상기 지지수단에 지지되어 있는 실리콘에 적용된 에칭액을 회수하기 위한 회수수단과, 상기 회수수단에 의해서 회수된 에칭액에, 에칭액에 대해서 불활성인 기체를 접촉시켜 에칭액을 재생하기 위한 재생수단과, 상기 재생수단에 의해 재생된 에칭액의 적어도 일부를 상기 순환탱크로 되돌아오게 하는 순환수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치가 제공된다.
상기 재생수단은 회수된 에칭액에 공기를 접촉시키는 것이 바람직하다. 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 재생수단은 다수의 충전요소가 충전된 주부, 상기 주부의 상방에서 재생될 에칭액을 상기 주부에 도입하는 에칭액 도입수단, 상기 주부의 하방에서 상기 주부로 기체를 도입하는 기체도입수단, 및 상기 주부의 상방에서 기체를 배출하는 기체배출수단을 포함하는 기액접촉탑으로 구성되어 있다. 상기 기액접촉탑은 상기 주부를 통해 하방으로 흐른 에칭액을 수집하는 수집탱크를 포함하고, 상기 에칭액 도입수단은 상기 회수수단에 의해 회수된 에칭액을 상기 주부에 도입함과 동시에 상기 수집탱크에 수집된 에칭액을 반복해서 상기 주부에 도입한다. 상기 에칭액 적용수단은 상기 순환탱크에서 소정량의 에칭액을 송출해서 상기 지지수단에 지지되어 있는 실리콘에 적용하고, 재생된 에칭액이 상기 순환수단에 의해 상기 순환탱크에 되돌아오게된 후, 다음의 에칭공정을 위해서 상기 에칭액 적용수단이 상기 순환 탱크에서 에칭액을 송출하기 전에 상기 순환탱크 내에 질산과 불화수소산을 함유하는 보급액을 보급하고, 이것에 의해서 상기 순환탱크내의 에칭액에서의 적어도 불화수소산의 비율을 소정값으로 하게하는 보급수단이 배설되어 있다. 상기 재생수단에 의해서 재생된 에칭액의 소정비율을 파기하기 위한 파기수단을 구비한다. 상기 순환탱크 내의 에칭액을 소정온도로 조정하는 온도조정수단을 구비하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부도면을 참조해서 본 발명의 에칭방법 및 장치의 바람직한 실시형태에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.
도 1에는 본 발명에 따라 구성된 에칭장치의 전체가 간략하게 도시되어 있다. 에칭장치는 에칭해야할 실리콘을 지지하기 위한 지지수단(2)을 구비하고 있다. 상기 지지수단(2)은 회전자재로 장착되어 있고, 그 상단에는 실질상 수평인 평탄한 원형지지면(4)을 갖는다. 지지수단(2)에는 적절한 구동연결수단(도시하지 않음)을 통해서 구동원(6)이 접속되어 있다. 전동모터인 구동원(6)이 에너지를 받으면 지지수단(2)이 소요 회전속도로 회전하게 된다.
지지수단(2)에 관련해서, 도 1에 간략하게 나타낸 반송수단(8)이 배설되어 있다. 도시된 실시형태에 있어서, 에칭해야 할 실리콘은 거의 원판형상의 실리콘웨이퍼(10)이고, 반송수단(8)은 가동암의 선단에 실리콘웨이퍼(10)를 진공흡착해서 소요 경로를 통해서 반송하는 것이 가능한 널리 알려진 형태의 것으로 좋다. 이와 같은 반송수단(8)은 예를 들면 연삭장치에서 배출된 1장의 실리콘웨이퍼(10)를 지지수단(2) 위에 반입하고, 또 에칭되고, 린스되고, 건조된 실리콘웨이퍼(10)를 지지수단(2) 위에서 소요 장소로 반출한다(실리콘웨이퍼(10)의 에칭, 린스 및 건조에 대해서는 나중에 언급한다). 지지수단(2) 위에 반입되는 실리콘웨이퍼(10)는 뒤집힌 상태, 즉 그 이면을 상방으로 향한 상태로 지지수단(2) 위에 반입된다. 실리콘웨이퍼(10)의 표면 즉 지지수단(2) 위에 배치된 상태에서 하면에는 격자형태로 배열된 다수의 영역의 각각에 회로(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 그리고 또 실리콘웨이퍼(10)의 표면에는 적절한 합성수지 필름으로 형성할 수 있는 보호필름 (도시하지 않음)이 점착되어 있다. 실리콘웨이퍼(10)의 이면, 즉 지지수단(2) 위에 배치된 상태에 있어서 상방을 향하도록 하고 있는 상면은 실리콘웨이퍼(10)가 지지수단(2)에 반입되기 전에 백그라인더로도 불리는 연삭장치(도시하지않음)에 의해 연삭되고 그러한 이유로 연삭에 기인한 변형을 갖는다. 에칭은 이러한 변형을 제거하는 것을 목적으로 수행된다. 지지수단(2) 위에 적재되는 실리콘웨이퍼(10)의 외경은 지지수단(2)의 원형지지면(4)의 외경보다 다소 크다.
도 1과 함께 도 2를 참조해서 설명을 계속하면 도시된 실시형태에 있어서, 지지수단(2)에는 공기송출수단(12)이 부설되어 있다. 이 공기송출수단(12)은 지지수단(2)의 하방에서 외주까지 미치고, 이어서 지지수단(2) 위에 놓인 실리콘 웨이퍼(10)의 하면을 따라 뻗은 유로(14)를 갖는다. 압축 공기원(도시하지 않음)에서 공급되는 공기는 지지수단(2)의 외주에서 실리콘웨이퍼(10)의 하면을 따라 유동하고, 실리콘웨이퍼(10)의 상면으로 가해지는 에칭액이 실리콘웨이퍼(10)의 하면으로 유동하는 것을 방지한다(실리콘웨이퍼(10)의 상면으로의 에칭액 적용에 대해서는 나중에 더욱 상술한다). 지지수단(2)에는 지지수단(2) 위의 실리콘웨이퍼(10)의 상면으로 가해진 에칭액을 회수하기 위한 회수수단(16)도 부설되어 있다. 이 회수수단(16)은 협동해서 회수탱크를 형성하는 정지부재(20) 및 가동부재(22)로 구성된다. 정지부재(20)는 원통상외벽(24), 환상저벽(26) 및 원통상내벽(28)을 갖는다. 가동부재(22)는 원통형상의 하부와 단면형상이 호상(弧狀)인 상부를 갖는다. 지지수단(2) 위의 실리콘웨이퍼(10)의 상면에 에칭액이 적용되는 동안 가동부재(22)는 도 2에 실선으로 나타낸 상승위치에 위치하게 되고, 실리콘웨이퍼(10)의 상면을 방사상으로 유동한 에칭액은 정지부재(20)의 내벽(28)의 상단과 가동부재(22)의 상단의 사이에 규정된 환상입구(30)에서 회수수단(16) 내에 유입시키게 된다. 실리콘웨이퍼(10)에 순수(純水)이어도 되는 세정액을 적용해서 린스할 때에는 가동부재(22)가 도 2에 이점쇄선으로 나타낸 하강위치에 위치되어 환상입구(30)가 닫히고, 회수수단(16)내에 세정액이 세정액이 유입하는 것이 방지된다.
도 1을 참조하여 설명하면, 에칭장치는 순환탱크(32)를 포함하고 있다. 이 순환탱크(32)내에는 상기 지지수단(2) 위에 배치되어 있는 실리콘웨이퍼(10)의 상면에 적용될 에칭액(34)을 수용하고 있다. 이 에칭액(34)은 질산과 불화수소산을 함유하는 수용액이다. 순환탱크(32)에는 여기에 수용되어 있는 에칭액의 액면이 소정의 위치가 되면 이것을 검출하는 레벨센서(36)가 부설되어 있다. 순환탱크(32)내의 에칭액(34)을 지지수단(2) 위의 실리콘웨이퍼(10)의 이면에 적용하기 위한 에칭액 적용수단(38)이 배설되어 있다. 도시된 실시형태에서의 에칭액 적용수단(38)은 유로(40)를 통해서 순환탱크(32)에 접속되어 있는 분사노즐(42)을 포함하고 있다. 이 분사노즐(42)는 지지수단(2) 위에 배치되어 있는 실리콘웨이퍼(10)의 상방에 위치하는 작용위치(도 1에 도시한 위치)와 실리콘웨이퍼(10)의 상방에서 퇴각하게 되어있는 비작용위치에 선택적으로 위치하게 된다. 유로(40)에는 펌프(43) 및 개폐밸브(44)가 배설되어 있다.
펌프(43)의 하류측에서 유로(40)를 순환탱크(32)에 접속하는 분기로(46)가 배설되어 있다. 이 분기점(46)에는 개폐밸브(48)와 함께 온도조정수단(50)이 배설되어 있다. 온도조정수단(50)은 그 자체가 널리 알려진 열교환기로 구성하는 것이 가능하다. 순환탱크(32)에는 또한 보급액 탱크에서 구성된 보급수단(52)이 부설되어 있다. 이 보급수단(52)은 유로(54)를 통해서 순환탱크(32)에 접속되어 있다. 보급수단(52) 내에는 질산과 불화수소산을 함유한 보급액(56)이 수용되어 있고, 유로(54)에는 보급액탱크(52)에서 순환탱크(32)로 보급액의 보급을 제어하는 개페밸브(58)가 배설되어 있다.
본 발명에 따라 구성된 에칭장치에 있어서는 재생수단(60)이 배설되어 있는 것이 중요하다. 도시된 실시형태에서의 재생수단(60)은 기액접촉탑(62)으로 구성되어 있다. 이 기액접촉탑(62)은 직립원통형상이어도 좋고, 그 주부(64)에는 기액접촉을 촉진시키기 위한 다수의 충전요소(도시하지 않음)가 충전되어 있다. 기액접촉탑(62)의 상단부에는 분사노즐로 구성하는 것이 가능한 에칭액 도입수단(66)과 배기관이어도 되는 기체배출수단(68)이 배설되어 있다. 또, 기액접촉탑(62)의 하단부에는 도입관이어도 되는 기체도입수단(70)이 배설되어 있고, 이 기체도입수단(70)에는 기체공급원(72)이 접속되어 있다. 기액접촉탑(62)의 하방에는 수집탱크(74)가 배설되어 있다. 이 수집탱크(74)의 상단은 기액접촉탑(62)의 하단과 직접적으로 연통하게 되어있다. 필요하면 다수의 충전요소가 충전된 기액접촉탑(62)으로 구성된 재생수단(60) 대신에 다수의 플레이트를 갖는 기액접촉탑(소위 플레이트 탑)과 같은 다른 형태의 기액접촉탑으로 구성된 재생수단을 사용하는 것이 가능하다. 또 재생해야 할 에칭액(34)을 수용하는 개방된 탱크와 이 탱크내에 직접적으로 기체를 도입하는 기체도입수단으로 구성된 재생수단을 사용하는 것도 가능하다.
상기 회수수단(16)은 유로(76)에 의해 기액접촉탑(62)의 에칭액 도입수단(66)에 접속되어 있다. 유로(76)에는 펌프(78)가 배설되어 있다. 기액접촉탑(62)하방에 배설되어 있는 상기 수집탱크(74)는 유로(80)를 통해서 펌프(78)의 상류측에서 유로(76)에 접속되어 있다. 유로(80)에는 개폐밸브(82)가 배설되어 있다. 수집탱크(74)는 더욱이 유로(84)를 통해서 상기 순환탱크(32)에 접속되어 있다. 또한 수집탱크(74)에는 배액로(86)도 부설되어 있다. 순환수단을 구성하는 유로(84)에는 개폐밸브(88)가 배설되어 있다. 파기수단을 구성하는 배액로(86)에는 개폐밸브(90)가 배설되어 있다.
상술한 에칭장치의 작용을 설명하면 다음과 같다. 에칭조작 개시에 앞서서 순환탱크(32)내에는 레벨센서(36)가 액면을 검출하기 까지 에칭액(34)이 충전된다. 이 에칭액(34)은 소정 비율의 질산과 소정 비율의 불화수소산을 함유하고 있다. 질산의 함유율은 20 내지 60중량% 정도로 좋고, 불화수소산의 함유율은 5 내지 15중량% 정도로 좋다. 더욱이 필요에 따라 유로(40)에 배설되어 있는 개폐밸브(44)를 닫고, 분기로(46)에 배설되어 있는 개폐밸브(48)을 열은 상태에서 펌프(43)를 동작시키는 것에 의해 순환탱크(32)내의 에칭액(34)을 온도조정수단(50)을 통해서 순환시켜, 이것에 의해 에칭액(34)을 예를 들면 20℃이어도 되는 소요 온도로 한다. 지지수단(2) 위에 반입한 실리콘웨이퍼(10)의 이면 즉 상면을 에칭하는 에칭공정은 분기로(46)에 배설되어 있는 개폐밸브(48)를 닫고, 유로(40)에 배설되어 있는 개폐밸브(44)를 연 상태에서 펌프(43)를 작동시키고, 이렇게 하여 분사노즐(42)에서 에칭액(34)을 실리콘웨이퍼(10)의 상면으로 향하게 분사시키는 것에 의해 수행된다. 당업자에게는 널리 알려진 바와 같이 실리콘웨이퍼(10)의 상면에 질산과 불화수소산을 함유하는 에칭액(34)을 분사시키면 제 1단계로서,
Si + 2HNO3 →SiO2 + NO2 + NO + H2O
로 표시되는 산화반응이 생성되고, 그리고 제 2단계로서,
SiO2 + 6HF →H2SiF6 + 2H2O
로 나타낸 용해반응이 생성된다. 따라서 실리콘웨이퍼(10)의 에칭은
Si + 2HNO3 + 6HF → H2SiF6 + 3H2O + NO2 + NO
로 표시할 수 있다. 충분한 양의 질산이 존재하는 상황하에 있어서는 에칭 속도는 불화수소산의 농도와 에칭액(34)의 온도에 의해 정해진다. 따라서 소요 에칭속도를 설정하기 위해서는 에칭액(34)의 온도를 소정값으로 설정하고, 그리고 에칭액(34)에서의 질산 함유량을 과잉으로 설정함과 동시에 불화수소산의 함유량을 소정값으로 설정하는 것이 중요하다. 지지수단(2) 위에 배치된 1장의 실리콘웨이퍼(10)의 상면을 소요대로 에칭하기 위해서는 예를 들면 2.0리터 정도여도 되는 소정량의 에칭액이 분사노즐(42)에서 분사하게 된다.
지지수단(2) 위의 실리콘웨이퍼(10)의 상면에 에칭액(34)을 적용해서 실리콘웨이퍼(10)를 에칭할 때에는 지지수단(2)는 600rpm 정도의 속도로 회전하게 되고, 이것에 의해 분사된 에칭액(34)이 실리콘웨이퍼910)의 상면 전체에 걸쳐 충분히 균일하게 유동하게 된다. 지지수단(2)에 부설되어 있는 공기송출수단(12)은 지지수단(2)의 외주에서 실리콘웨이퍼(10)의 하면을 따라 공기를 유동시키고 이것에 의해 실리콘웨이퍼(10)의 하면 즉 표면에 에칭액(34)이 접촉하는 것을 방지한다. 회수수단(16)의 가동부재(22)는 도 2에 실선으로 나타낸 상승위치에 위치시켜져 있고, 실리콘웨이퍼(10)의 상면을 유동시킨 에칭액(34)은 회수수단(16) 내에 회수된다.
상술한 에칭공정의 개시와 동시에 혹은 에칭공정을 수행하고 있는 가운데 또는 에칭공정의 종료후에 에칭액(34)의 회수·재생공정이 수행된다. 회수·재생공정에 있어서는 유로(84)에 배설되어 있는 개폐밸브(88)를 닫고, 배액로(86)에 배설되어 있는 개폐밸브(90)을 닫고, 유로(80)에 배설되어 있는 개폐밸브(82)를 열은 상태에서 펌프(78)을 작동시킨다. 이렇게 하여 회수수단(16)내에 회수된 에칭액(34)을 유로(76)를 통해서 기액접촉탑(62)의 에칭액 도입수단(66)에 급송하고, 기액접촉탑(62)의 주부(64)에 흘러내린다. 기액접촉탑(62)에서는 기체 공급원(72)에서 공급되는 기체가 주부(64)의 하방으로 유입하게 되고, 주부(64)를 통해서 상방으로 유동하게 된다. 따라서, 다수의 충전요소가 충전되어 있는 주부(64)에서는 흘러내리는 에칭액(34)과 상승하는 기체가 효과적으로 접촉하게 된다. 상술한 대로 실리콘웨이퍼(10)의 상면을 에칭하면, NOx(NO2 및 NO)가 생성되지만, 에칭액(34)이 기체에 접촉하게 되면 NOx가 기체에 동반하게 되어 에칭액(34)에서 제거된다. 주부(64)를 통해 상승되는 NOx를 동반한 기체는 기체배출수단(68)을 통해서 기액접촉탑(62)에서 배출되고, 소요 처리를 받은 후에 방출된다. 에칭액(34)에 접촉하게 되는 기체는 에칭액(34)에 대해서 불활성인 것이 중요하다. 바람직한 기체로는 공기를 들 수 있다. 필요하면 질소 또는 아르곤, 헬륨같은 불활성기체를 사용하는 것도 가능하다. 기액접촉탑(62)의 주부(64)를 통해 흘러내린 에칭액(34)은 수집탱크(74)내에 수집되고, 그리고 유로(80)를 통해서 에칭액 도입수단(66)으로 돌아오게 된다. 회수된 에칭액(34)에서 NOx를 충분히 제거하기 위해서는 회수수단(16)으로 회수된 에칭액(34)을 여러회 반복해서 기액접촉탑(62)의 주부(64)를 통해 흘러내리게 하는 것이 바람직하다.
에칭액(34)의 회수·재생공정이 완료하면, 유로(80)에 배설되어 있는 개폐밸브(82)을 닫는다. 그리고, 배액로(86)에 배설되어 있는 개폐밸브(90)을 소정시간 열고, 회수되어 재생된 에칭액(34)의 소정량을 소요 처리를 적용한 후에 파기한다. 실리콘웨이퍼(10)의 에칭을 수행하면 상술한 바와 같이 헥사플루오로규산(H2SiF6)이 생성된다. 따라서 에칭을 반복 수행하면 에칭액(34) 중의 헥사플루오로규산이 점차 증대한다. 그러나 각 에칭공정마다 회수·재생한 에칭액(34)의 소정량을 파기하면 소정 횟수의 에칭공정이 수행된 후에, 1회의 에칭공정에서 생성된 헥사플루오로규산의 양과 파기된 에칭액(34) 중에 포함되어 있는 헥사플루오로규산의 양이 동일하게 되고, 이후 에칭액(34) 중의 헥사플루오로규산은 일정양으로 유지된다. 본 발명자들의 경험에 의하면 에칭액(34) 중의 헥사플루오로규산의 양이 10중량% 정도 이하라면 헥사플루오로규산의 존재에 의해 에칭공정에 악영향을 미칠 우려는 실질상 없다. 도시된 실시형태에 있어서는 회수해 재생한 에칭액(34)의 일부를 파기하고 있지만, 필요하면 재생 전에 회수한 에칭액(34)의 일부를 파기할 수도 있다.
배액로(86)의 개폐밸브(90)를 열어 에칭액(34)의 파기를 개시함과 동시에 또는 그 후에 유로(84)의 개폐밸브(88)을 열어 회수되어 재생된 에칭액(34)의 잔부, 즉 파기한 일부 이외의 전부를 재사용을 위해서 순환탱크(32)로 되돌아 간다. 회수되고, 재생된 에칭액(34)의 일부를 파기하는 것, 그리고 에칭공정시에 다소의 에칭액(34)이 소실되는 것에 기인해서, 재생된 에칭액(34)이 순환탱크(32)로 되돌아간 후에 있어서도 순환탱크(32) 내의 에칭액(34)의 액면은 레벨센서(36)가 검출하는 레벨보다도 하방이다. 따라서 유로(54)의 개폐밸브(58)를 열고, 순환탱크(32) 내의 에칭액(34)의 액면을 레벨센서(36)가 검출하기까지, 보급수단(52)에서 순환탱크(32)로 보급액(56)을 보급한다. 1장의 실리콘웨이퍼(10)의 에칭마다 소실되는 에칭액(34)은 실질상 일정하고, 따라서 1장의 실리콘웨이퍼(10)의 에칭마다 순환탱크(32)로 보급되는 보급액(56)의 양도 실질상 일정하다. 보급액(56) 중의 질산 및 불화수소산의 함유율은 에칭에 의해 소실된 질산 및 불화수소산의 양과 에칭액(34)의 일부를 파기하는 것에 의해 소실된 질산 및 불화수소산의 양이 소정량의 보급액(56)을 보급하는 것에 의해 보전되고, 따라서 순환탱크(32) 내의 에칭액(34)의 질산 및 불화수소산의 함유율이 실질상 일정하게 유지되도록 설정되는 것이 바람직하다. 이어서 유로(40)에 배설되어 있는 개폐밸브(44)를 닫고, 분기로(46)에 배설되어 있는 개폐밸브(48)를 열은 상태에서 펌프(43)을 작동시키는 것에 의해 순환탱크(32) 내의 에칭액(34)을 온도조정수단(50)을 통해서 순환시키고, 이것에 의해 에칭액(34)을 예를 들면 20℃이어도 되는 소요 온도로 되게 하고 다음의 에칭공정에 대비한다. 널리 알려진 바와 같이 에칭공정을 수행하면 에칭액(34)의 온도가 상승하게 되고, 따라서 에칭액(34)을 소요 온도로 되게 하기 위해서는 온도조정수단(50)에 의해 에칭액(34)을 냉각하는 것이 필요하다.
지지수단(2) 위에 배치된 실리콘웨이퍼(10)의 상면에 에칭액(34)을 적용해서 에칭하는 에칭공정이 완료한 후에 있어서는 필요에 따라 지지수단(2) 위의 실리콘웨이퍼(10)을 린스하고, 건조하는 것이 가능하다. 린스공정은 에칭액(34)을 위한 분사노즐(42)을 실리콘웨이퍼(10) 위의 작용위치에서 비작용위치로 후퇴시키고, 순수이어도 되는 세정액을 분사하는 분사노즐(도시하지 않음)을 실리콘웨이퍼(10)의 상방에 위치시켜 실리콘웨이퍼(10)의 상면에 세정액을 분사하는 것에 의해 바람직하게 수행할 수 있다. 이때에는 회수수단(16)의 가동부재(22)를 도 2에 이점쇄선으로 나타낸 하강위치로 하강시키고, 회수탱크(18)의 환상입구(30)을 닫고, 세정액이 회수수단(16)으로 진입하는 것을 방지한다. 실리콘웨이퍼(10)의 건조는 지지수단(2)을 예를 들면 2000 내지 3000rpm 정도의 고속으로 회전시키는 소위 스핀건조에 의해서 수행하는 것이 가능하다.
이상 첨부도면을 참조해서 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위를 벗어나는 일 없이 다양한 변형 내지 수정이 가능하다는 것이 이해되어야 한다.
[실시예]
도 1 및 도 2를 참조해서 설명한 바와 같은 에칭장치를 사용해서, 명목상 직경 8인치인 실리콘웨이퍼의 연삭된 이면을 에칭했다. 에칭 개시에 앞서 순환탱크 내에는 20리터의 에칭액을 수용했다. 에칭액은 59중량%의 질산과 7중량%의 불화수소산을 함유한 수용액이었다. 순환탱크에 부설되어 있는 레벨센서는 순환탱크 내의 에칭액이 20리터로 되었을 때 에칭액의 액면을 검출하도록 설정했다. 순환탱크 내의 에칭액을 온도조정수단이 배설되어있는 분기로를 통해 순환시켜 에칭액의 온도를 약 20℃가 되게 했다. 그런 후에 지지수단을 600r.p.m.의 속도로 회전하면서 지지수단 위의 실리콘웨이퍼의 상면의 중앙영역을 향해 분사노즐에서 에칭액을 분사하고, 실리콘웨이퍼의 상면 즉 이면을 에칭했다. 에칭액의 단위시간당 분사량은 3.0리터/분이고, 분사시간은 40초이고, 분사량은 2.0리터이고, 실리콘웨이퍼의 이면은 전체에 걸쳐 충분히 균일하게 20㎛의 두께에 걸쳐 에칭되었다. 회수수단에 회수된 에칭액의 온도는 약 70℃였다.
분사노즐에서의 에칭액의 분사개시와 동시에 회수된 에칭액의 재생을 위해서 회수수단과 재생수단 사이의 유로에 배설되어 있는 펌프를 작동시키고, 이것에 의해 회수수단에 회수된 에칭액을 기액접촉탑의 에칭액 도입수단으로 급송해서 기액접촉탑의 주부에 흘러내리게 하고, 그리고 수집탱크에 수집된 에칭액을 반복해서 에칭액 도입수단에 급송해서 기액접촉탑의 주부에 흘러내리게 하였다. 사용한 기액 접촉탑의 주부는 반투명 염화비닐수지제의 원통부재로 규정되어 있고, 내경은 110mm이고, 높이는 500mm였다. 이러한 주부에는 그 하면에서 400mm의 높이까지 일니테츠 가코키 가부시키가이샤에서 상품명 「테라레트」로 판매하고 있는 폴리프로필렌제 충전요소가 충전되어 있다. 에칭액의 재생시에는 기액접촉탑의 기체도입수단에는 2000리터/분의 공기를 공급했다. 재생수단의 운전시간은 110초(따라서 에칭공정의 개시와 함께 회수·재생공정을 개시하고, 에칭공정의 종료 후 70초 경과 후에 회수·재생공정을 종료했다). 회수수단에서 기액접촉탑에 급송한 에칭액은 최초에는 옅은 갈색이었는데, 회수·재생공정의 종료시에는 에칭공정에서 사용하기 전과 같이 투명하게 되었다.
상기 회수·재생공정의 종료 후에 60cc의 에칭액을 배액로를 통해서 파기하고, 남은 에칭액은 순환탱크로 되돌아갔다. 이어서 보급수단에서 순환탱크로 보급액을 레벨센서가 에칭액의 액면을 검출하기까지 보급했다. 보급수단에서 순환탱크로 보급된 보급액의 양은 78cc였다. 따라서 에칭공정시에 18cc의 에칭액이 소실된 것으로 된다. 보급액은 50중량%의 질산과 14중량%의 불화수소산을 함유하는 수용액이고, 보급액이 보급된 후의 순환탱크 내의 에칭액에서의 불화수소산의 온도는 7중량%로 복원되었다. 이어서 에칭액의 온도를 20℃로 조정한 후에 다음의 에칭공정을 수행했다. 이렇게 해서 500장의 실리콘웨이퍼의 이면을 에칭했다. 에칭액에서의 질산의 농도는 당초는 에칭을 반복 수행하는 것에 의해 점차 감소했는데, 45중량%까지 감소한 후에 있어서는 더 감소하는 일 없이 45중량%로 유지되었다. 질산의 농도 45중량%는 불화수소산의 농도 7중량%에 관해서 소위 과잉이다. 에칭후의 실리콘웨이퍼의 이면을 검사한 바, 500장의 실리콘웨이퍼 모두에 있어서 에칭된 이면은 원하는 대로의 경면으로 되었다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 실리콘의 에칭방법 및 장치에 의하면 에칭액을 반복해서 사용하여도 에칭액이 갈색으로 탁해짐과 동시에 에칭한 실리콘웨이퍼의 이면이 거칠어지지 않고 거울면과 같이 유지되어 고에칭품질을 얻을 수 있고, 에칭액을 반복사용함으로써 에칭처리 비용을 대폭으로 절감할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라 구성된 에칭장치의 바람직한 실시형태를 나타내는 개략도.
도 2는 도 1의 에칭장치의 지지수단 및 이것에 부설된 수단을 나타내는 개략단면도.
[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]
2 : 지지수단 4 : 원형 지지면
6 : 구동원 8 : 반송수단
10 : 실리콘웨이퍼 12 : 공기 송풍수단
14 : 유로 16 : 회수수단
20 : 정지부재 22 : 가동부재
24 : 원통상 외벽 26 : 환상 저벽
28 : 원통상 내벽 30 : 환상 입구
32 : 순환탱크 34 : 에칭액
36 : 레벨센서 38 : 에칭액 적용수단
40 : 유로 42 : 분사 노즐
44 : 개폐밸브 46 : 분기로
48 : 개폐밸브 50 : 온도조정수단
52 : 보급수단 54 : 유로
56 : 보급액 58 : 개폐밸브
60 : 재생수단 62 : 기체액체접촉탑
64 : 주부 66 : 에칭액 도입수단
68 : 기체배출수단 70 : 기체도입수단
72 : 기체공급원 74 : 수집탱크
76 : 유로 78 : 펌프
80 : 유로 82 : 개폐밸브
84 : 유로 86 : 배액로
88 : 개폐밸브 90 : 개폐밸브
Claims (13)
- 질산과 불화수소산을 함유하는 에칭액을 실리콘에 적용하여 실리콘을 에칭하는 에칭공정을 포함하는 에칭방법에 있어서,상기 에칭공정에서 사용된 에칭액을 회수하고, 회수한 에칭액을 에칭액에 대해서 불활성인 기체와 접촉시켜 에칭액을 재생시키는 회수·재생공정을 포함하고,상기 회수·재생공정에서 회수·재생된 재생 에칭액의 일부가 상기 에칭공정에서 재사용되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 회수·재생공정에서 회수된 에칭액에 접촉시키는 기체는 공기인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 에칭공정에서 순환탱크 내에 수용되어 있는 에칭액에서 일정량의 에칭액을 송출하여 실리콘에 적용하고,상기 에칭공정에서 재사용되는 재사용된 에칭액은 상기 순환탱크로 되돌아가고,다음 에칭공정을 위해 상기 순환탱크에서 에칭액을 송출하기 전에 상기 순환탱크내에 질산과 불화수소산을 함유하는 보급액을 보급하고, 이것에 의해 상기 순환탱크 내의 에칭액에서의 적어도 불화수소산의 비율을 일정값이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 회수·재생공정에서 재생된 에칭액의 일정비율을 폐기하고, 잔부를 상기 에칭공정에서 재사용하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 회수·재생공정에서 재생된 에칭액의 파기되는 비율은 상기 에칭공정에서 생성되는 헥사플루오로규산의 양과 파기되는 재생 에칭액에 함유되어 있는 헥사플루오로규산의 양이 평형되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 에칭공정에서 실리콘에 적용되는 에칭액의 온도를 일정 온도로 조정하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 질산과 불화수소산을 함유하는 에칭액을 실리콘에 적용하여 실리콘을 에칭하기 위한 에칭장치에 있어서,에칭되기 위한 실리콘을 지지하는 지지수단과,에칭되기 위한 실리콘을 상기 지지수단에 반입하고, 에칭된 실리콘을 상기 지지수단에서 송출하기 위한 반송수단과,질산과 불화수소산을 함유하는 에칭액을 수용하는 순환탱크와,상기 순환탱크 내에 수용되어 있는 에칭액을 상기 지지수단에 지지되어 있는 실리콘에 적용하기 위한 에칭액 적용수단과,상기 지지수단에 지지되어 있는 실리콘에 적용된 에칭액을 회수하기 위한 회수수단과,상기 회수수단에 의해서 회수된 에칭액을 에칭액에 대해서 불활성인 기체와 접촉시켜 에칭액을 재생하기 위한 재생수단과,상기 재생수단에 의해서 재생된 에칭액의 일부를 상기 순환탱크로 되돌아가게하는 순환수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 재생수단은 회수된 에칭액에 공기를 접촉시키는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 재생수단은 다수의 충전요소가 충전된 주부,상기 주부의 상방에서 재생되기 위한 에칭액을 상기 주부에 도입하는 에칭액 도입수단,상기 주부의 하방에서 상기 주부에 기체를 도입하는 기체도입수단, 및상기 주부의 상방에서 기체를 배출하는 기체배출수단을 포함하는 기액접촉탑으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 기액접촉탑은 상기 주부를 통해 하방으로 흐른 에칭액을 수집하는 수집탱크를 포함하고,상기 에칭액 도입수단은 상기 회수수단에 의해서 회수된 에칭액을 상기 주부에 도입하고, 또한 상기 수집탱크에 수집된 에칭액을 반복해서 상기 주부에 도입하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 에칭액 적용수단은 상기 순환탱크에서 일정량의 에칭액을 송출하여 상기 지지수단에 지지되어 있는 실리콘에 적용하고,다음 에칭공정을 위해서 상기 에칭액 적용수단이 상기 순환탱크에서 에칭액을 송출하기 전에 상기 순환탱크내에 질산과 불화수소산을 함유하는 보급액을 보급하고, 이것에 의해 상기 순환탱크 내의 에칭액에서의 적어도 불화수소산의 비율을 일정값으로 되게 하는 보급수단이 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 재생수단에 의해 재생된 에칭액의 일정비율을 파기하기 위한 파기수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 순환탱크 내의 에칭액을 일정온도로 조정하는 온도조정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP?11-199869 | 1999-07-14 | ||
| JP19986999 | 1999-07-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010021073A KR20010021073A (ko) | 2001-03-15 |
| KR100483465B1 true KR100483465B1 (ko) | 2005-04-14 |
Family
ID=16414997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0040103A KR100483465B1 (ko) | 1999-07-14 | 2000-07-13 | 실리콘의 에칭방법 및 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6444589B1 (ko) |
| EP (1) | EP1069598B1 (ko) |
| KR (1) | KR100483465B1 (ko) |
| DE (1) | DE60034274T2 (ko) |
| SG (1) | SG92720A1 (ko) |
| TW (1) | TW460932B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102075784B1 (ko) | 2019-10-28 | 2020-02-10 | 조순관 | 다기능 허리 벨트 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6516816B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-dryer |
| SG92720A1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-11-19 | Nisso Engineering Co Ltd | Method and apparatus for etching silicon |
| TW511180B (en) * | 2000-07-31 | 2002-11-21 | Mitsubishi Chem Corp | Mixed acid solution in etching process, process for producing the same, etching process using the same and process for producing semiconductor device |
| US20030036273A1 (en) * | 2001-08-14 | 2003-02-20 | Applied Materials, Inc. | Shield for capturing fluid displaced from a substrate |
| DE10248481B4 (de) * | 2002-10-17 | 2006-04-27 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung von Silicium |
| DE10320212A1 (de) * | 2003-05-07 | 2004-12-02 | Universität Konstanz | Verfahren zum Texturieren von Oberflächen von Silizium-Scheiben |
| US7077974B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-07-18 | International Business Machines Corporation | Fine-dimension masks and related processes |
| US20050266694A1 (en) * | 2004-05-27 | 2005-12-01 | Brask Justin K | Controlling bubble formation during etching |
| EP1724824A3 (en) * | 2005-05-17 | 2010-08-25 | Apprecia Technology Inc. | Equipment and method for measuring silicon concentration in phosphoric acid solution |
| JP5122731B2 (ja) * | 2005-06-01 | 2013-01-16 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP2007115728A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Sumco Corp | ウェーハの枚葉式エッチング装置及びウェーハの枚葉式エッチング方法 |
| JP2008108792A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| DE102007039626A1 (de) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zum Reinigen von polykristallinem Silicium |
| JP2009117653A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN102798260A (zh) * | 2011-05-25 | 2012-11-28 | J.T股份有限公司 | 电子部件蚀刻剂冷却装置 |
| WO2014173788A1 (en) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | Solvay Sa | Reverse osmosis for purifying mixtures of hydrofluoric acid and nitric acid |
| DE102014013591A1 (de) | 2014-09-13 | 2016-03-17 | Jörg Acker | Verfahren zur Herstellung von Siliciumoberflächen mit niedriger Reflektivität |
| CN108604547B (zh) * | 2016-02-03 | 2022-08-16 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| KR102244118B1 (ko) * | 2016-12-01 | 2021-04-26 | 오씨아이 주식회사 | 식각 후 식각 용액의 후처리 방법 |
| JP7486372B2 (ja) * | 2020-07-29 | 2024-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747907A (en) * | 1986-10-29 | 1988-05-31 | International Business Machines Corporation | Metal etching process with etch rate enhancement |
| US4971654A (en) * | 1987-08-27 | 1990-11-20 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Electronik-Grundstoffe Mbh | Process and apparatus for etching semiconductor surfaces |
| US5470421A (en) * | 1993-09-17 | 1995-11-28 | Nisso Engineering Co., Ltd. | Method for purification of etching solution |
| US5632866A (en) * | 1994-01-12 | 1997-05-27 | Fsi International, Inc. | Point-of-use recycling of wafer cleaning substances |
| KR0129924Y1 (ko) * | 1992-05-13 | 1999-02-01 | 문정환 | 반도체 식각장치 |
| EP1069598A1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-01-17 | Nisso Engineering Co., Ltd. | Method and apparatus for etching silicon |
| JP2001085385A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-03-30 | Nisso Engineering Co Ltd | シリコンのエッチング方法及び装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025668A (ja) | 1984-01-25 | 1985-02-08 | 岡田 国夫 | Ｖ溝切削用回転刃 |
| JPS61186488A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-20 | Daido Steel Co Ltd | 硝酸−弗酸液の回生方法 |
| JPH07112558B2 (ja) * | 1987-11-18 | 1995-12-06 | 神鋼パンテック株式会社 | 硝フッ酸廃液の再生回収処理方法 |
| JP3077304B2 (ja) * | 1991-10-09 | 2000-08-14 | 日産自動車株式会社 | エッチング装置 |
| JPH05121390A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Koujiyundo Silicon Kk | 酸の除去方法 |
-
2000
- 2000-07-10 SG SG200003820A patent/SG92720A1/en unknown
- 2000-07-12 TW TW089113888A patent/TW460932B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-07-13 EP EP00114188A patent/EP1069598B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-13 DE DE60034274T patent/DE60034274T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-13 KR KR10-2000-0040103A patent/KR100483465B1/ko active IP Right Grant
- 2000-07-13 US US09/615,775 patent/US6444589B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747907A (en) * | 1986-10-29 | 1988-05-31 | International Business Machines Corporation | Metal etching process with etch rate enhancement |
| US4971654A (en) * | 1987-08-27 | 1990-11-20 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Electronik-Grundstoffe Mbh | Process and apparatus for etching semiconductor surfaces |
| KR0129924Y1 (ko) * | 1992-05-13 | 1999-02-01 | 문정환 | 반도체 식각장치 |
| US5470421A (en) * | 1993-09-17 | 1995-11-28 | Nisso Engineering Co., Ltd. | Method for purification of etching solution |
| US5632866A (en) * | 1994-01-12 | 1997-05-27 | Fsi International, Inc. | Point-of-use recycling of wafer cleaning substances |
| EP1069598A1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-01-17 | Nisso Engineering Co., Ltd. | Method and apparatus for etching silicon |
| JP2001085385A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-03-30 | Nisso Engineering Co Ltd | シリコンのエッチング方法及び装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102075784B1 (ko) | 2019-10-28 | 2020-02-10 | 조순관 | 다기능 허리 벨트 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60034274T2 (de) | 2007-12-20 |
| TW460932B (en) | 2001-10-21 |
| KR20010021073A (ko) | 2001-03-15 |
| SG92720A1 (en) | 2002-11-19 |
| US6444589B1 (en) | 2002-09-03 |
| EP1069598B1 (en) | 2007-04-11 |
| DE60034274D1 (de) | 2007-05-24 |
| EP1069598A1 (en) | 2001-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100483465B1 (ko) | 실리콘의 에칭방법 및 장치 | |
| KR100935977B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| TWI447799B (zh) | 基板洗淨方法及基板洗淨裝置 | |
| JP3322853B2 (ja) | 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法 | |
| KR100417040B1 (ko) | 웨이퍼를 건조시키기 위한 방법 및 이를 수행하기 위한웨이퍼 건조장치 | |
| JP2003502840A (ja) | 半導体ウェハを洗浄するための方法及びシステム | |
| US7077585B2 (en) | Developing method and apparatus for performing development processing properly and a solution processing method enabling enhanced uniformity in the processing | |
| CN108604547B (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
| US20020066717A1 (en) | Apparatus for providing ozonated process fluid and methods for using same | |
| KR100271764B1 (ko) | 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법 | |
| JP2010080584A (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
| JP7128099B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| TW202013491A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| JP2008130835A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2001085385A (ja) | シリコンのエッチング方法及び装置 | |
| US11798801B2 (en) | Apparatus including light source supplying light to wafer and window protector receiving a portion of chemical liquid | |
| JP2006181426A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2003224102A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2004056046A (ja) | Ｓｏｉ基板の加工方法 | |
| JPH0774140A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2009110984A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| TWI791956B (zh) | 基板處理裝置以及基板處理方法 | |
| JP3892787B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH11145100A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH10308378A (ja) | 基板表面の乾燥方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130128 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140312 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150116 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160308 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180209 Year of fee payment: 14 |