KR100439945B1 - 수퍼커패시터용 카본 나노 화이버 전극의 제조방법 - Google Patents

수퍼커패시터용 카본 나노 화이버 전극의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100439945B1
KR100439945B1 KR10-2001-0086262A KR20010086262A KR100439945B1 KR 100439945 B1 KR100439945 B1 KR 100439945B1 KR 20010086262 A KR20010086262 A KR 20010086262A KR 100439945 B1 KR100439945 B1 KR 100439945B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
powder
supercapacitor
carbon nanofiber
manufacturing
Prior art date
Application number
KR10-2001-0086262A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030056101A (ko
Inventor
박수길
최원경
김한주
Original Assignee
박수길
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박수길 filed Critical 박수길
Priority to KR10-2001-0086262A priority Critical patent/KR100439945B1/ko
Publication of KR20030056101A publication Critical patent/KR20030056101A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100439945B1 publication Critical patent/KR100439945B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32Carbon-based
    • H01G11/36Nanostructures, e.g. nanofibres, nanotubes or fullerenes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/05Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

본 발명은 수퍼커패시터용 전극 제조방법에 관한 것으로, 원료물질인 카본나노화이버 분말과 도전제인 케젠블랙 분말을 혼합한 후, 결착제로 테프론 분말을 첨가하여 시트를 제조한 다음, 제조된 시트를 압착하고 이를 집전체인 니켈 메쉬에 압착하여 전극으로 제조하므로서, 내부저항이 적으며 안정하여 성능이 향상된 수퍼커패시터용 전극을 제공할 수 있으며, 국내 생산이 가능하여 경제적 효과가 크며, 기존의 수입에 의존 EDLC(Electric Double Layer Capacitor)와 비교하여 성능 및 수명이 향상된 수퍼커패시터용 전극을 제공한다.

Description

수퍼커패시터용 카본 나노 화이버 전극의 제조방법{Manufacturing method of carbon nanofiber electrode for supercapacitor}
본 발명은 수퍼커패시터용 전극의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 카본 나노화이버(carbon nanofiber)를 사용하여 내부저항이 적고 경제성이 있으며 성능 및 수명이 향상된 수퍼커패시터용 카본나노화이버 전극을 제조하는 방법에 관한 것이다.
현재 수퍼커패시터용 전극재료로서 사용되는 물질은 활성탄, 탄소, 전도성 고분자, 전이금속 산화물 등이 있다.
이들중 탄소재료 등은 제조가 용이하나 원료물질로서 사용되는 탄소는 국내에서 생산되는 것이 불순물이 많고 비표면적이 작아서 대부분 수입에 의존하고 있는 실정이다. 따라서, 경제적인 비용이 많이 드는 단점이 있다.
그리고 일반적인 금속산화물은 전기적인 성질은 우수하나 비 표면적이 작기 때문에 용량이 크지 않은 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 내부저항이 적으며 안정하여 성능이 향상된 수퍼커패시터용 전극을 제조하는 방법을 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.
또한 본 발명의 목적은 국내 생산이 가능하여 경제적 효과가 크며, 기존의 수입에 의존하던 EDLC(Electric Double Layer Capacitor)와 비교하여 성능 및 수명이 향상된 수퍼커패시터용 전극을 제조하는 방법을 제공하고자 하는데 있다.
상기한 바와 같은 본 발명은 원료물질인 카본나노화이버 분말과 도전제인 케젠블랙 분말을 혼합한 후, 결착제로 테프론 분말을 첨가하여 시트를 제조한 다음, 제조된 시트를 압착하고 이를 집전체인 니켈 메쉬에 압착하여 전극으로 제조함으로써 달성된다.
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
본 발명에서는 카본 나노 화이버를 전극 활물질로 사용하며, 도전제로 케젠블랙(Ketjen Black)을 채택하고 결착제로 테프론 파우더를 채택한다.
본 발명에서는 먼저 원료물질인 카본나노화이버(carbon nanofiber) 분말에 도전제 분말을 첨가하여 혼합한다. 도전제로는 케젠블랙(ketjen black)을 사용한다. 첨가되는 도전제인 케젠 블랙의 양은 원료 활물질인 카본나노화이버의 질량을 100wt%로 하였을 경우 0 ~ 30 wt% 범위가 되도록 함이 바람직한데, 그 이유는 도전성이 좋은 케젠 블랙이지만, 그 함량이 30 wt%를 초과할 경우에는 단위 그램(g)당 에너지 밀도가 감소하기 때문이다. 카본나노화이버 분말에 도전제 분말을 첨가한후에는 서로 균일하게 혼합되도록 지르코니아 볼에서 믹싱을 수행한다.
카본나노화이버 분말에 도전제 분말을 첨가한후에는 시트로 제조하기 위해 균일하게 혼합된 분말에 결착제인 테프론 분말을 첨가한다. 첨가되는 결착제인 테프론 분말은 카본나노화이버를 100wt% 기준으로 하였을 때 3 ~ 10 wt% 범위로 첨가됨이 바람직한데, 그 이유는 3 wt% 미만일 경우에는 결착력이 너무 약하며, 10 wt%를 초과할 경우에는 결착력이 강한 반면에 저항이 심해지기 때문이다.
이어 결착제인 테프론 분말이 전극을 견고하게 결착하도록 압착을 수행한다. 이때 압착은 25 ~ 80 ℃ 의 온도 범위에서 4000 psi로 20 ~ 40 분간의 조건으로 압착함이 바람직한데, 그 이유는 결착제인 테프론 분말이 상기 조건이 전극활물질과 도전제 사이에 테프론 파우더가 성장해가는 조건에 가장 적합하기 때문이다.
시트를 압착을 수행한 후에는 시트를 집전체인 니켈 메쉬에 압착하여 전극으로 제조한다.
이와 같이 제조된 전극을 수퍼커패시터용 전극으로 활용한다.
이하, 본 발명에 대하여 실시예를 통하여 보다 구체적으로 설명한다.
(실시예)
먼저 원료물질인 카본나노화이버(carbon nanofiber) 분말 1g에 도전제 분말 0.1g을 첨가하여 혼합한다. 첨가되는 도전제의 양은 10wt% 이었으며, 카본나노화이버 분말에 도전제 분말을 첨가한 후에는 서로 균일하게 혼합되도록 지르코니아 볼에서 믹싱을 수행하였다.
이와 같이 혼합된 분말을 시트로 제조하기 위하여 결착제인 테프론 분말을 0.1g 첨가한다.
이어 결착제인 테프론 분말이 전극을 견고하게 결착하도록 압착을 수행한다. 이 때, 압착은 60℃에서 4000psi로 40분간 조건으로 수행하였다.
시트를 압착을 수행한 후에는 시트를 집전체인 니켈 메쉬에 압착하여 전극으로 제조한다.
이와 같이 제조된 전극을 수퍼커패시터용 전극으로 활용한다. 전해질로는 30wt%의 황산 수용액을 사용하였다. 그리고 산화피막을 형성하기 위해 피막 전위는 1.1V에서 1시간 동안 피막을 형성하였다.
위와 같이 제조된 전극의 성능을 확인한 결과, 본 발명에 의해 제조된 수퍼커패시터 전극은 전극재료로서 기존의 활성탄소를 이용하여 제조한 기존의 전극에 비하여 내부저항이 적으며 안정하여 2∼10배 이상의 성능 향상을 보였다. 또한, 본 발명에 따라 제조된 수퍼커패시터는 기존의 수입에 의존 EDLC와 비교하여 성능 및 수명이 2배 이상 증가한 것을 확인할 수 있었다.
이상에서 상술한 바와 같이, 본 발명은 카본나노화이버를 사용하여 분말의 비표면적 향상, 기공의 크기 조절, 구조적 안정성 등을 통해서 수퍼커패시터의 전극활물질로 이용할 수 있다.
본 발명은 내부저항이 적으며 안정하여 성능이 향상된 수퍼커패시터용 전극을 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명은 국내 생산이 가능하여 경제적 효과가 크며, 기존의 수입에 의존 EDLC(Electric Double Layer Capacitor)와 비교하여 성능 및 수명이 향상된수퍼커패시터용 전극을 제공하는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 원료물질인 카본나노화이버 분말과 도전제인 케젠블랙 분말을 혼합한 후, 결착제로 테프론 분말을 첨가하여 시트를 제조한 다음, 제조된 시트를 압착하고 이를 집전체인 니켈 메쉬에 압착하여 전극으로 제조하는 것을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 카본 나노화이버 전극의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 도전제인 케젠블랙 분말은 카본나노화이버 분말에 대하여 0 ~ 30 wt% 첨가되어 혼합되는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 카본 나노화이버 전극의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 결착제인 테프론 분말은 카본나노화이버 분말에 대하여 3 ~ 10 wt% 첨가됨을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 카본 나노화이버 전극의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 결착제인 테프론 분말이 첨가된 시트는 25 ~ 80℃에서 4000psi로 20 ~ 40분간 압착되는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 카본 나노화이버 전극의 제조방법.
KR10-2001-0086262A 2001-12-27 2001-12-27 수퍼커패시터용 카본 나노 화이버 전극의 제조방법 KR100439945B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0086262A KR100439945B1 (ko) 2001-12-27 2001-12-27 수퍼커패시터용 카본 나노 화이버 전극의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0086262A KR100439945B1 (ko) 2001-12-27 2001-12-27 수퍼커패시터용 카본 나노 화이버 전극의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030056101A KR20030056101A (ko) 2003-07-04
KR100439945B1 true KR100439945B1 (ko) 2004-07-12

Family

ID=32214322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0086262A KR100439945B1 (ko) 2001-12-27 2001-12-27 수퍼커패시터용 카본 나노 화이버 전극의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100439945B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100558171B1 (ko) * 2003-06-27 2006-03-10 (주)에스와이하이테크 탄소나노튜브를 이용한 분극성 전극의 제조방법 및 이를 이용한 전기 이중층 커패시터

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250380A (ja) * 1995-03-07 1996-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分極性電極およびその製造方法
JP2000124079A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Tokin Corp 電気二重層キャパシタ
KR20010107049A (ko) * 2000-05-24 2001-12-07 오승모 무기질 주형 입자를 이용하여 제조한 나노기공을 갖는탄소재료를 전극으로 사용한 전기이중층 캐패시터
KR20030043176A (ko) * 2001-11-27 2003-06-02 일진나노텍 주식회사 탄소 나노튜브를 이용하는 마이크로 수퍼 커패시터 및이를 제조하는 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250380A (ja) * 1995-03-07 1996-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分極性電極およびその製造方法
JP2000124079A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Tokin Corp 電気二重層キャパシタ
KR20010107049A (ko) * 2000-05-24 2001-12-07 오승모 무기질 주형 입자를 이용하여 제조한 나노기공을 갖는탄소재료를 전극으로 사용한 전기이중층 캐패시터
KR20030043176A (ko) * 2001-11-27 2003-06-02 일진나노텍 주식회사 탄소 나노튜브를 이용하는 마이크로 수퍼 커패시터 및이를 제조하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030056101A (ko) 2003-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100569188B1 (ko) 탄소-다공성 지지체 복합 전극 및 그 제조방법
Yu et al. Redox-active alkaline electrolyte for carbon-based supercapacitor with pseudocapacitive performance and excellent cyclability
KR101060828B1 (ko) 하이브리드 슈퍼캐패시터
KR101079317B1 (ko) 슈퍼커패시터용 그라핀 전극의 제조방법 및 이에 의해 제조된 슈퍼커패시터용 그라핀 전극
KR101486429B1 (ko) 전극의 초기저항을 낮출 수 있는 슈퍼커패시터 전극용 조성물, 이를 이용한 슈퍼커패시터 전극의 제조방법 및 상기 제조방법에 의해 제조된 슈퍼커패시터 전극을 이용한 슈퍼커패시터
CN110993884A (zh) 锂离子电池负极浆料、制备方法、负极极片以及电池
KR20180092532A (ko) 보론 도핑된 탄소-실리콘 산화물(C-SiOx) 복합체 및 이의 제조 방법
KR101375623B1 (ko) 슈퍼커패시터 전극의 제조방법
KR101095863B1 (ko) 고출력 슈퍼 커패시터의 전극 및 그의 제조방법
CN114497555A (zh) 用复合粘结剂干法制造电极
KR100567393B1 (ko) 다공성의 3차원 집전체로 구성된 전극을 포함하는 캐패시터
KR100439945B1 (ko) 수퍼커패시터용 카본 나노 화이버 전극의 제조방법
JP3652061B2 (ja) 電気二重層コンデンサ
KR20180115974A (ko) 구리 도핑된 탄소-실리콘 산화물(C-SiOx) 복합체 및 이의 제조 방법
JP3602933B2 (ja) 活性炭基板
KR100917408B1 (ko) 전기화학 커패시터용 전극 및 이의 제조방법
KR102013173B1 (ko) 울트라커패시터 전극용 조성물, 이를 이용한 울트라커패시터 전극의 제조방법 및 상기 제조방법을 이용하여 제조된 울트라커패시터
KR100731338B1 (ko) 수퍼커패시터 전극활물질용 활성탄의 koh 처리방법 및이를 이용한 수퍼커패시터용 전극 제조방법
KR101220036B1 (ko) 전기화학소자 전극, 이의 제조 방법 및 전기화학소자
KR101494622B1 (ko) 전극 밀도가 개선되는 슈퍼커패시터 전극용 조성물 및 이를 이용한 슈퍼커패시터 전극의 제조방법
KR100334241B1 (ko) 전기 이중층 캐패시터 및 그 제조방법
KR101120504B1 (ko) 전기화학 커패시터용 전극 및 이의 제조방법
KR100342069B1 (ko) 왕겨활성탄을 원료로한 분극성 전극의 제조방법 및 그분극성 전극을 적용한 전기이중층 캐패시터
KR20190028951A (ko) 구리 도핑된 탄소-실리콘 산화물(C-SiOx) 복합체 및 이의 제조 방법
KR100587963B1 (ko) 저저항 전기 이중층 커패시터 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110630

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee