KR100430250B1 - 플라스마 디스플레이 패널 - Google Patents

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KR100430250B1
KR100430250B1 KR10-2001-0030534A KR20010030534A KR100430250B1 KR 100430250 B1 KR100430250 B1 KR 100430250B1 KR 20010030534 A KR20010030534 A KR 20010030534A KR 100430250 B1 KR100430250 B1 KR 100430250B1
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고시오지하루
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파이오니아 가부시키가이샤
파이오니아 디스플레이 프로덕츠 가부시키가이샤
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Abstract

전면(前面) 유리 기판(10)에 복수의 행(行)전극쌍(X, Y) 및 보호층(12)이 형성되어 있으며, 배면(背面) 유리 기판(13)에 행전극쌍(X, Y)과 교차하는 부분의 방전 공간(S)에 각각 방전셀(C)을 구성하는 복수의 열(列)전극(D)이 설치되어 있는 플라스마 디스플레이 패널에서, 전면 유리 기판(10)과 배면 유리 기판(13) 사이의 방전셀(C)을 향하는 위치에 0.1msec 이상의 파장을 가지는 자외선에 의해 여기되어 계속적으로 자외광을 방사하는 잔광 특성(persistence characteristics)을 가지는 자외역(紫外域) 발광층(17)이 형성되어 있다.

Description

플라스마 디스플레이 패널 {PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 매트릭스 표시 방식의 플라스마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
최근, 대형이면서도 박형인 컬러 화면 표시 장치로서 매트릭스 표시 방식의 플라스마 디스플레이 패널(이하 PDP(plasma display panel)라 함)이 주목을 받고 있다.
이와 같은 매트릭스 표시 방식의 플라스마 디스플레이 패널로는 AC형의 PDP가 알려져 있다.
이 AC형의 PDP는 전면(前面) 기판의 내면에 각각 하나의 표시 라인을 구성하도록 형성된 복수의 행전극쌍과, 방전 공간을 통해 전면 기판과 대향하는 배면(背面) 기판의 내면에 형성되어 행전극쌍과 직교하는 방향으로 배열된 복수의 열전극을 갖추고 있다. 행전극쌍(row electrode pairs)과 열전극(column electrode)의 각 교차점에서, 서로 매트릭스형으로 배열된 방전셀이 형성되는 구조로 되어 있다.
이들 행전극쌍과 열전극은 방전 공간을 향하는 각각의 표면이 유전체층으로 피복되며, 또한 배면 기판의 내면의 열전극 위에 형광체층이 형성되어 있다.
이와 같은 PDP에서 하프톤(halftone)을 표시하기 위한 방법으로서, 종래 1 필드의 표시 기간을 N 비트의 표시 데이터의 각 비트 자리수의 웨이트(weight)에 대응하는 회수만큼 발광하는 N 개의 서브-필드로 분할하는 소위 서브 필드법이 알려져 있다.
서브필드법에서 각 서브필드는 도 40에 도시된 바와 같이, 각각 동시 리셋 기간(Rc)과, 어드레스 기간(Wc), 유지 방전 기간(Ic)으로 구성되어 있다.
먼저, 동시 리셋 기간(Rc)에서는, 서로 쌍을 이루는 행전극 X1-n와 Y1-n사이에 리셋 펄스(RPx, RPy)가 동시에 인가됨으로써, 전체의 방전셀에서 동시에 방전이 행해지며, 이것에 의해 일단 각 방전셀 내에 소정량의 벽전하가 형성된다.
다음의 어드레스 기간(Wc)에서는 행전극쌍의 일방의 행전극(Y1-n)에, 순차적으로 주사 펄스(SP)가 인가됨과 동시에, 열전극(D1-m)에, 각 표시 라인마다 표시 데이터에 해당하는 표시 데이터 펄스(DP1-n)가 인가 되어 선택 방전(선택 소거 방전)이 야기된다.
이 때, 각 방전셀은 표시 데이터에 대응하여 소거 방전이 발생하지 않아 벽전하가 유지되는 발광셀과, 소거 방전이 발생하여 벽전하가 소멸된 비발광셀로 나누어진다.
후속의 유지 발광 기간(Ic)에서는, 서로 쌍을 이루는 행전극 X1-n와 Y1-n사이에 유지 펄스(IPx, IPy)가 각 서브 필드의 웨이트에 대응하는 수만큼 인가되며, 이것에 의해 벽전하가 잔류하는 발광셀만이, 인가되는 유지 펄스(IPx, IPy)의 수에 대응하는 수만큼 유지 방전을 반복한다.
전면 기판과 배면 기판 사이의 방전 공간 내에는, 크세논(Xe)을 5 vol% 만큼 포함하는 Ne-Xe 가스가 봉입되어 있어, 유지 방전에 의해 크세논(Xe)으로부터 파장 147nm의 진공 자외선이 방사된다.
PDP에서의 화상(畵像) 표시는 이 진공 자외선에 의해 배면 기판 위에 형성된 형광체층이 여기되어 가시광이 발생됨으로써 행해진다.
전술한 바의 PDP는 서브필드법의 동시 리셋 기간(Rc)에서 리셋 방전에 의해 전체 방전셀의 방전 공간 내에 프라이밍 입자(priming particle, 하전 입자)가 형성되지만, 이 프라이밍 입자는 시간의 경과와 더불어 감소되기 때문에, 동시 리셋이 동작된 후, 다음의 선택 동작이 행해질 때(주사 펄스(SP)가 인가될 때)까지의 시간 간격이 길어지는 표시 라인(예를 들면, 최종 주사 라인으로 되는 n번째의 표시 라인)만큼 프라이밍 입자가 감소한다.
따라서, 이와 같은 프라이밍 입자의 양이 적은 방전셀에 있어서는, 방전 지연 시간이 증대한다든지, 방전 지연 시간의 불균일이 증대하기 때문에, 어드레스 기간(Wc)에서 선택 방전 동작이 불안정해져 오방전이 생기기 쉽게 되고, 이로 인해 표시되는 화상의 품질이 악화된다는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 플라스마 디스플레이에서의 문제점을 해결하기 위한 것이다. 즉, 본 발명은 오방전을 방지하여 표시되는 화상의 품질을 향상시킬 수 있는 플라스마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
도 1은 본 발명의 제1 예를 모식적으로 도시하는 정면도이다.
도 2는 도 1의 V1-V1 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 V2-V2 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 W1-W1 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 1의 W2-W2 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 도 1의 W3-W3 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7a는 제1 예에서 자외역 발광층이 형성되어 있는 경우의 방전 지연 시간과 방전 지연 시간의 불균일을 도시하는 그래프이다.
도 7b는 제1 예에서 자외역 발광층이 형성되어 있지 않은 경우의 방전 지연 시간과 방전 지연 시간의 불균일을 도시하는 그래프이다.
도 8은 자외역 발광층의 다른 예를 도시하는 정면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 예를 모식적으로 도시하는 정면도이다.
도 10은 도 9의 V3-V3 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 11은 도 9의 W4-W4 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제3 예를 도시하는 종단면도이다.
도 13은 제3 예의 다른 부분에 대한 종단면도이다.
도 14는 2차 전자 방출층의 다른 예를 도시하는 정면도이다.
도 15는 본 발명의 제4 예를 모식적으로 도시하는 정면도이다.
도 16은 도 15의 V4-V4 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 17은 도 15의 W5-W5 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 18은 본 발명의 제5 예를 모식적으로 도시하는 정면도이다.
도 19는 도 18의 V5-V5 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 20은 도 18의 V6-V6 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 21은 도 18의 W6-W6 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 22는 도 18의 W7-W7 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 23은 도 18의 W8-W8 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 24는 본 발명의 제6 예의 격벽을 도시하는 정면도이다.
도 25A는 도 24의 Ⅱ-Ⅱ 선에 따라 절단한 종단면도이다.
도 25B는 도 24의 Ⅲ-Ⅲ 선에 따라 절단한 종단면도이다.
도 26은 도 24의 Ⅳ-Ⅳ 선에 따라 절단한 횡단면도이다.
도 27은 제6 예의 PDP를 모식적으로 도시하는 정면도이다.
도 28은 도 27의 V7-V7 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 29는 도 27의 V8-V8 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 30은 동시 리셋 방전으로부터 선택 방전까지의 방전 휴지 시간과 방전 지연 시간의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 31은 주사 펄스 폭과 스캔 전압의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 32는 제6 예에서의 격벽 구조의 다른 예를 도시하는 정면도이다.
도 33은 도 32의 Ⅷ-Ⅷ 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 34는 본 발명의 제7 예를 모식적으로 도시하는 정면도이다.
도 35는 도 34의 V9-V9 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 36은 도 34의 W9-W9 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 37은 본 발명의 제8 예를 모식적으로 도시하는 정면도이다.
도 38은 도 37의 V10-V10 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 39는 도 37의 W10-W10 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 40은 플라스마 디스플레이 패널의 서브-필드법을 도시하는 타임 차트이다.
제1의 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기의 목적을 달성하기 위하여 방전 공간을 사이에 두고 전면 기판과 배면 기판이 대향하며, 전면 기판에 행방향으로 뻗고 열방향으로 배열되어 각각 표시 라인을 형성하는 복수의 행전극쌍이 설치됨과 동시에, 이 전면 기판의 방전 공간을 향하는 쪽에 보호 유전체층이 형성되어 있으며, 배면 기판에 열방향으로 뻗고 행방향으로 배열되어 행전극쌍과 교차하는 부분의 방전 공간에 각각 단위 발광 영역을 구성하는 복수의 열전극이 설치됨과 동시에, 이 배면 기판의 방전 공간을 향하는 쪽에 형광체층이 형성되어 있는 플라스마 디스플레이 패널에서, 상기 전면 기판과 배면 기판 사이의 상기 각 단위 발광 영역을 향하는 위치에 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 동시 리셋 기간에, 서로 쌍을 이루는 행전극 간에 리셋 펄스가 동시에 인가됨으로써 전체 단위 발광 영역에서 동시에 방전이 일어나서, 각 단위 발광 영역 내에 소정량의 벽전하가 형성된다.
다음의 어드레스 기간에 행전극쌍의 일방의 행전극에 순차적으로 주사 펄스가 인가됨과 동시에, 각 표시 라인마다 표시 데이터에 대응한 표시 데이터 펄스가 열전극에 인가되어 선택 방전이 개시된다.
이 때, 각 방전셀은 표시 데이터에 대응하여, 소거 방전이 발생하지 않아 벽전하가 형성된 상태의 발광셀과, 소거 전하가 발생하여 벽전하가 소멸한 발광셀로 나누어진다.
다음의 유지 발광 기간에, 서로 쌍을 이루는 행전극 간에 유지 펄스가 인가되어 벽전하가 잔류한 상태의 발광셀만이 유지 방전을 함으로써 화상이 형성된다.
이 때, 상기 전면 기판과 배면 기판 사이의 상기 각 단위 발광 영역을 향하는 위치에 배치되어 있는, 예를 들면 자외역 발광 형광체로 형성되는 자외역 발광층이나, 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료로 형성된 2차 전자 방출층 등으로 구성되는 프라이밍 입자 생성 부재는, 화상이 형성되는 리셋 방전시에, 이 프라이밍 입자 생성 부재가 자외역 발광층으로 구성되어 있는 경우, 방전 공간에 봉입된 방전 가스로부터 방사되는 자외선에 의해 자외역 발광층이 여기되며, 이 자외역 발광층을 형성하는 자외역 발광 형광체의 잔광 특성에 의해 자외광을 계속적으로 방사한다.
그리고, 이 자외광에 의해 보호 유전체층으로부터 2차 전자가 방출됨으로써, 다음의 어드레스 기간 중 발광셀의 방전 공간 내로 프라이밍 입자가 재생성되어, 각 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제된다.
또한, 프라이밍 입자 생성 부재가 2차 전자 방출층으로 구성되는 경우, 화상이 형성되는 리셋 방전시에 프라이밍 입자 생성 부재로부터 2차 전자나 여기 입자, 이온 등의 프라이밍 입자가 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 방출되어, 보호 유전체층을 구성하는 유전체의 2차 전자 방출 계수가 낮은 경우에도, 프라이밍 입자 생성 부재로부터 방전 공간 내로 방출되는 프라이밍 입자의 양이 증가되어 어드레스 기간에서도 충분한 프라이밍 입자량이 확보된다.
이상과 같이, 상기 제1 발명에 의하면, 프라이밍 입자 생성 부재에 의해 어드레스 기간에서의 충분한 프라이밍 입자량이 확보되기 때문에, 동시 리셋 기간이 종료한 후, 다음의 어드레스 기간에서 주사 펄스가 인가될 때까지의 시간 간격이 길어져버리는 표시 라인에서도, 방전 지연 시간의 증대를 억제할 수 있을 뿐만 아니라 방전 지연 시간의 불균일의 발생도 억제할 수 있다. 따라서 주사 펄스나 표시 데이터 펄스의 펄스 폭이 좁아져도, 어드레스 기간 중 선택 방전 동작의 불안정으로 인한 오방전의 발생이 방지되어 고품질의 화상이 형성될 수 있다.
제2 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제1 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 소요의 파장을 가지는 자외선에 의해 여기되어 자외광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 형광체로 형성된 자외역 발광층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
제2 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은, 화상 형성시의 리셋 방전 때, 방전 공간에 봉입된 방전 가스로부터 방사되는 자외선에 의해 자외역 발광층이 여기됨으로써, 이 자외역 발광층으로부터 자외광이 방사된다.
상기 자외역 발광층은 이 자외역 발광층을 형성하는 자외역 발광 형광체의 잔광 특성에 의해 자외광을 계속적으로 방사하고, 이 자외광에 의해 보호 유전체층으로부터 2차 전자가 방출됨으로써, 다음의 어드레스 기간 중 발광셀의 방전 공간 내로 프라이밍 입자가 재생성되어 각 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제된다.
따라서, 상기 제2 발명에 의하면, 동시 리세트 기간이 종료한 후, 다음의 어드레스 기간에서 주사 펄스가 인가될 때까지의 시간 간격이 길어져버리는 표시 라인에서도, 방전 지연 시간의 증대가 억제될 뿐만 아니라 방전 지연 시간 불균일의 발생도 억제된다. 따라서 주사 펄스나 표시 데이터 펄스의 펄스 폭이 좁아져도 어드레스 기간에서의 선택 방전 동작의 불안정으로 인한 오동작의 발생이 방지됨으로써 고품질의 화상이 형성될 수 있다.
제3 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위해, 제2 발명의 구성 외에, 상기 자외역 발광층을 형성하는 자외역 발광 형광체가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 발광 재료인 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 동시 리셋 기간의 종료 후, 다음의 어드레스 기간 중 프라이밍 입자를 재생성하여 각 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소를 억제할 수 있다.
제4 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위해, 제2 발명의 구성 외에, 상기 자외역 발광층이 상기 행전극쌍과 대향하는 위치에서 행방향으로 뻗도록 형성되고, 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간을 향하는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 자외역 발광층으로부터 이 자외역 발광층이 열방향으로 서로 인접하는 발광셀인 단위 발광역 내로 자외광이 방사되고, 이 자외광에 의해 보호 유전체층으로부터 방출되는 2차 전자에 의해, 발광셀 내로 플라이밍 입자가 재생성되어, 이 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제된다.
제5 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여, 제2 발명의 구성 외에, 상기 자외역 발광층이 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광역 사이의 위치에 열방향으로 뻗도록 형성되고, 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간을 향하는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 자외역 발광층으로부터 이 자외역 발광층이 행방향으로 서로 인접하는 발광셀인 단위 발광역 내로 자외광이 방사되고, 이 자외광에 의해 보호 유전체층으로부터 방출되는 2차 전자에 의해 발광셀 내로 플라이밍 입자가 재생성되어, 이 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제된다.
제6 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제2 발명의 구성 외에, 상기 전면 기판의 행방향 또는 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이의 비발광 영역에 대향하는 부분에 상기 자외역 발광층에 대해 배면 기판과 반대측 위치에 광흡수층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 전면 기판을 통해 입사되어 오는 외광의 반사를 방지하여, 표시 화면의 콘트라스트(contrast)를 향상시킬 수 있다.
제7 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제2 발명의 구성 외에, 행방향으로 뻗어 있는 횡벽부와 열방향으로 뻗어 있는 종벽부로 이루어지며 상기 전면 기판과 배면 기판 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되며, 상기 자외역 발광층이 전면 기판과 격벽의 횡벽부 사이에 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 자외역 발광층으로부터 이 자외역 발광층이 열방향으로 서로 인접하는 발광셀인 격벽에 의해 구획된 단위 발광 영역 내로 자외광이 방사되고, 이 자외광에 의해 보호 유전체층으로부터 방출되는 2차 전자에 의해 발광셀 내로 플라이밍 입자가 재생성되어, 이 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제된다.
제8 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제2 발명의 구성 외에, 행방향으로 뻗어 있는 횡벽부와 열방향으로 뻗어 있는 종벽부로 이루어지며 상기 전면 기판과 배면 기판 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되며, 상기 자외역 발광층이 전면 기판과 격벽의 종벽부 사이에 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 자외역 발광층으로부터 이 자외역 발광층이 행방향으로 서로 인접하는 발광셀인 격벽에 의해 구획된 단위 발광 영역 내로 자외광이 방사되고, 이 자외광에 의해 보호 유전체층으로부터 방출되는 2차 전자에 의해 발광셀 내로 플라이밍 입자가 재생성되어, 이 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제된다.
제9 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제2 발명의 구성 외에, 상기 전면 기판과 배면 기판 사이에 배치된 열방향으로 뻗어 있는 스트라이프(stripe, 帶) 형상의 격벽에 의해 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역이 구획되어 있고, 상기 행전극쌍의 각 행전극이 행방향으로 뻗어 있는 본체부와, 이 본체부로부터 단위 발광 영역마다 열방향으로 돌출하는 돌출부로 이루어지며, 상기 자외역 발광층이 행전극의 본체부와 대향하는 위치에서 행방향으로 뻗도록 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 자외역 발광층으로부터 이 자외역 발광층이 열방향으로 서로 인접하는 발광셀인 단위 발광 영역 내로 자외광이 방사되고, 이 자외광에 의해 보호 유전체층으로부터 방출되는 2차 전자에 의해 발광셀 내로 프라이밍 입자가 재생성되어 이 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제될 뿐만 아니라, 행전극쌍의 각 행전극이 행방향으로 뻗어 있는 본체부와 이 본체부로부터 단위 발광 영역마다 열방향으로 돌출하는 돌출부로 이루어지며, 이 돌출부에서 방전이 행해짐으로써 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이에 생기는 방전의 간섭이 억제된다.
제10 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제1 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 소정의 파장을 가지는 자외선에 의해 여기되어 가시광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 가시역 발광 형광체로 형성된 가시역 발광층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
제10 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 화상이 형성되는 리셋 방전시에, 방전 공간에 봉입된 방전 가스로부터 방사되는 자외선에 의해 가시역 발광층이 여기됨으로써, 이 가시역 발광층으로부터 가시광이 방사된다.
이 가시역 발광층은 이 가시역 발광층을 형성하는 가시역 발광 형광체의 잔광 특성에 의해 가시광을 계속적으로 방사하며, 이 자외선에 의해 보호 유전체층으로부터 2차 전자가 방출됨으로써, 다음의 어드레스 기간 중, 발광셀의 방전 공간 내로 프라이밍 입자가 재생성되어 각 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제된다.
따라서, 상기 제10 발명에 의하면, 동시 리셋 기간이 종료한 후, 다음의 어드레스 기간에서 주사 펄스가 인가될 때까지의 시간 간격이 길어져버리는 표시 라인에서도, 방전 지연 시간의 증대가 억제될 뿐만 아니라 방전 지연 시간의 불균일의 발생도 억제되기 때문에, 주사 펄스나 표시 데이터 펄스의 펄스 폭이 좁아져도 어드레스 기간에서 선택 방전 동작의 불안정으로 인한 오방전의 발생이 방지되어 고품질이 화상이 형성될 수 있다.
제11 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제1 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료로 형성된 2차 전자 방출층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
제11 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널에 의하면, 화상이 형성되는 리셋 방전시에 각 단위 발광 영역의 형광체층으로부터 방사되는 가시광선에 의해 , 2차 전자 방출층을 형성하는 2차 전자 방출 계수가 높은(일함수가 낮은) 재료가 여기되고, 이 2차 전자 방출층으로부터 2차 전자가 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 방출되기 때문에, 보호 유전체층을 구성하는 유전체의 2차 전자 방출 계수가 낮은 경우에도, 2차 전자 방출층이 설치되어 있음으로써, 방전 공간 내로 방출되는 2차 전자의 양이 증가되어, 어드레스 기간 중, 충분한 프라이밍 입자량이 확보된다.
제12 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제11 발명의 구성 외에, 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 상기 형광체층에 함유됨으로써, 상기 2차 전자 방출층이 형광체층과 일체적으로 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 화면이 형성되는 리셋 방전시에 각 단위 발광 영역의 형광체층에서, 이 형광체층을 형성하는 형광 재료로부터 방사되는 가시광선에 의해, 이 형광체층에 함유된 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 여기되어, 2차 전자가 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 방출됨으로써 어드레스 기간 중에도 충분한 프라이밍 입자량이 확보된다.
제13 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제11 발명의 구성 외에, 상기 전면 기판과 배면 기판 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되며, 상기 2차 전자 방출층이 격벽의 측벽면에 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 격벽의 측벽면에 형성된 2차 전자 방출층으로부터, 이 2차 전자 방출층이 격벽에 의해 구획된 열방향 또는 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 2차 전자가 방출됨으로써 이 단위 발광 영역 내에 충분한 프라이밍 입자량이 확보된다.
제14 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제11 발명의 구성 외에, 상기 전면 기판과 배면 기판 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되며, 격벽에 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 함유됨으로써 상기 2차 전자 방출층이 격벽과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 격벽과 일체로 형성된 2차 전자 방출층으로부터 이 2차 전자 방출층이 격벽에 의해 구획된 열방향 또는 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 2차 전자가 방출됨으로써, 이 단위 발광 영역 내에 충분한 프라이밍 입자량이 확보된다.
제15 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제11 발명의 구성 외에, 상기 2차 전자 방출층이 상기 배면 기판과 형광체층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하며, 이 배면 기판과 형광체층 사이에 위치하는 2차 전자 방출층으로부터 각각의 단위 발광 영역 내로 2차 전자가 방출된다.
제16 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제11 발명의 구성 외에, 상기 전면 기판과 형광체층 사이에 열전극을 피복하는 유전체층이 형성되고, 이 유전체층에 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 함유됨으로써, 상기 2차 전자 방출층이 유전체층과 일체적으로 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 유전체층과 일체로 형성된 2차 전자 방출층으로부터 각각의 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 2차 전자가 방출된다.
제17 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제1 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료로 형성된 2차 전자 방출층과, 소정의 파장을 가지는 자외선에 의해 여기되어 자외광을 계속적으로 방사하 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 형광체로 형성된 자외역 발광층, 또는 소정의 파장을 가지는 자외선에 의해 여기되어 가시광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 가시역 발광 형광체로 형성된 가시역 발광층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
제17 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널에 의하면, 화상이 형성되는 리셋 방전시에, 방전 공간에 봉입된 방전 가스로부터 방사되는 자외선에 의해 자외역 발광층 또는 가시역 발광층이 여기되어 자외광 또는 가시광이 방사된다.
이 자외역 발광층 또는 가시역 발광층은 이 자외역 발광층을 형성하는 자외역 발광 형광체 또는 가시역 발광층을 형성하는 가시역 발광 형광체의 잔광 특성에 의해 자외선 또는 가시광을 계속적으로 방사하기 때문에, 이 자외선 또는 가시광에 의해 보호 유전체층 및 2차 전자 방출층으로부터 2차 전자가 어드레스 기간 중 방출되어, 각 단위 발광 영역에서 프라이밍 입자량의 감소가 억제되고 이것에 의해 방전 지연 시간의 증대가 억제됨과 동시에 방전 지연 시간 불균일의 발생이 억제된다.
제18 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제17 발명의 구성 외에, 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 상기 자외역 발광층 또는 가시역 발광층에 함유됨으로써, 상기 2차 전자 방출층이 자외역 발광층 또는 가시역 발광층과 일체적으로 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 자외역 발광층 또는 가시역 발광층과 일체로 형성된 2차 전자 방출층으로부터 각각의 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 2차 전자가 방출된다.
제19 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제17 발명의 구성 외에, 상기 자외역 발광 형광체가 상기 형광체층에 함유됨으로써, 상기 자외역 발광층이 형광체층과 일체적으로 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 형광체층과 일체적으로 형성된 자외역 발광층으로부터 각각의 단위 발광 영역의 방전 공간 내로, 이 자외역 발광층을 형성하는 자외역 발광 형광체가 가지는 잔광 특성에 의해 자외광이 계속적으로 방사된다.
제20 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제17 발명의 구성 외에, 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료 및 자외역 발광 형광체가 상기 형광체층에 함유됨으로써, 상기 2차 전자 방출층 및 자외역 발광층이 형광체층과 일체적으로 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 화상이 형성되는 리셋 방전시에 각 단위 발광 영역의 형광체에서, 이 형광체층을 형성하는 형광 재료로부터 방사되는 가시광선에 의해 이 형광체층에 함유되는 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 여기되어, 2차 전자가 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 방출됨과 동시에, 이 형광체층과 일체적으로 형성된 자외역 발광층으로부터, 이 자외역 발광층을 형성하는 자외역 발광 형광체가 가지는 잔광 특성에 의해 자외광이 계속적으로 방사됨으로써 형광체층과 일체적으로 형성된 2차 전자 방출층으로부터 2차 전자가 어드레스 중에 계속적으로 방출된다.
제21 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제17 내지 제21 발명의 구성 외에, 상기 자외역 발광층을 형성하는 자외역 발광 형광체 또는 가시역 발광층을 형성하는 가시역 발광 형광체가, 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 발광 재료인 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 동시 리셋 기간의 종료 후, 다음의 어드레스 기간 중, 프라이밍 입자를 재생성하여 각 단위 발광 영역에서의 프라이밍 입자량의 감소를 억제할 수 있다.
제22 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여제1 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 행전극쌍과 대향하는 위치에서 행방향으로 뻗도록 형성되며, 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간을 향하는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 프라이밍 입자 생성 부재로부터 이 프라이밍 입자 생성 부재가 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 프라이밍 입자가 방출되기 때문에, 이 단위 발광 영역 내에 충분한 프라이밍 입자량이 확보된다.
제23 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제1 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이의 위치에 열방향으로 뻗도록 형성되며, 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간을 향하는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 프라이밍 입자 생성 부재로부터 이 프라이밍 입자 생성 부재가 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 프라이밍 입자가 방출되기 때문에, 이 단위 발광 영역 내에 충분한 프라이밍 입자량이 확보된다.
제24 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제1 발명의 구성 외에, 행방향으로 뻗어 있는 횡벽부와 열방향으로 뻗어 있는 종벽부로 이루어지며 상기 전면 기판과 배면 기판과의 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되고, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 전면 기판과 격벽의 종벽부 사이에 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 프라이밍 입자 생성 부재로부터 이 프라이밍 입자 생성 부재가 열방향으로 서로 인접하는 격벽에 의해 구획된 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 프라이밍 입자가 방출되기 때문에, 이 단위 발광 영역 내에 충분한 프라이밍 입자량이 확보된다.
제25 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제1 발명의 구성 외에, 행방향으로 뻗어 있는 횡벽부와 열방향으로 뻗어 있는 종벽부로 이루어지며 상기 전면 기판과 배면 기판과의 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되고, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 전면 기판과 격벽의 종벽부 사이에 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 프라이밍 입자 생성 부재로부터 이 프라이밍 입자 생성 부재가 행방향으로 서로 인접하는 격벽에 의해 구획된 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 프라이밍 입자가 방출되기 때문에, 이 단위 발광 영역 내에 충분한 프라이밍 입자량이 확보된다.
제26 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제1 발명의 구성 외에, 상기 전면 기판과 배면 기판 사이에 배치된 열방향으로 뻗어 있는 스트라이프 형상의 격벽에 의해 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역이 구획되어 있고, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 행전극의 본체부와 대향하는 위치에서 행방향으로 뻗도록 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 프라이밍 입자 생성 부재로부터 이 프라이밍 입자 생성 부재가 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 프라이밍 입자가 방출되기 때문에, 이 단위 발광 영역 내에 충분한 프라이밍 입자량이 확보된다.
제27 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제17 발명의 구성 외에, 상기 전면 기판의 행방향 또는 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이의 비발광 영역에 대향하는 부분에, 상기 자외역 발광층 또는 가시역 발광층에 대해 배면 기판과 반대측 위치에 광흡수층이 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 전면 기판을 통해 입사되어 오는 외광이 화상의 비표시역에서 반사되는 것을 방지하여 표시 화면의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
제28 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여, 전면 기판의 뒷면 측에 행방향으로 뻗고 열방향으로 배열되어 각각 표시 라인을 형성하는 복수의 행전극쌍과, 이 행전극쌍을 피복하는 유전체층과, 이 유전체층을 피복하는 보호 유전체층이 설치되며, 배면 기판의 전면 기판과 방전 공간을 통해 대향하는 측에, 열방향으로 뻗고 행방향으로 배열되어 행전극쌍과 교차하는 위치에서, 각각 방전 공간에 단위 발광 영역을 구성하는 복수의 열전극이 설치된 플라스마 디스플레이 패널에서, 열방향 또는 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이에, 방전 공간을 향하는 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는 것을 특징으로 한다.
제28 발명에 의하면, 프라이밍 입자 생성 부재가 설치됨으로써, 동시 리셋 기간 다음에 이어지는 어드레스 기간에서 프라이밍 입자량이 충분히 확보되며, 이것에 의해 오방전의 발생이 방지되어 표시 화상의 품질 향상을 꾀할 수 있다.
제29 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제28 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 동시 리셋 기간 다음의 어드레스 기간 동안 프라이밍 입자의 발생이 계속되기 때문에, 오방전의 발생 방지와 표시 화상의 품질 향상이 충분히 도모된다.
제30 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제29 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수가 낮은 재료를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 프라이밍 입자 생성 부재가 여기되어 방사되는 자외광 또는 가시광이, 보호 유전체층 및 프라이밍 입자 생성 부재에 함유되어 있는 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수가 낮은 재료를 여기하여 프라이밍 입자를 방출시키기 때문에, 어드레스 기간에서의 프라이밍 입자량이 충분히 확보된다.
제31 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제28 발명의 구성 외에, 상기 전면 기판과 상기 배면 기판 사이에 배치되어 열방향으로 뻗어 있는 종벽부와 행방향으로 뻗어 있는 횡벽부에 의해 상기 방전 공간을 상기 단위 발광 영역마다 행방향과 열방향으로 구획하는 격벽을 구비하고, 열방향으로 서로 인접하는 상기 단위 발광 영역 사이의 횡벽부가 행방향과 평행한 간극(間隙)에 의해 분리되어 있으며, 상기 간극 내부와 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간 내부가 연통부에 의해 서로 연통되며, 상기 간극 내에 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는 것을 특징으로 한다.
제31 발명에 따른 플라스마 디스플레이 패널은 열방향으로 뻗어 있는 종벽부와 행방향으로 뻗어 있는 횡벽부를 가지는 격벽에 의해, 전면 기판과 배면 기판 사이의 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획된다.
서로 인접하는 행에 따라 배열된 단위 발광 영역 사이의 횡벽부가 행방향과 평행한 간극에 의해 분리되고, 이 분리된 횡벽 간의 간극 내부가 연통부에 의해 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간 내로 각각 연통됨과 동시에, 이 간극 내에 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되어 있고, 이 프라이밍 입자 생성 부재가 연통부를 통해 단위 발광 영역의 방전 공간 내부와 접해 있다.
따라서, 제31 발명에 의하면, 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이가 격벽의 횡벽부에 의해 폐쇄되는 경우에도, 단위 발광 영역에서 발생하는 방전에 동반된, 횡벽 간의 간극 내에서의 방전에 의해 생긴 프라이밍 입자가, 연통부를 통해 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 내로 확산되어 방전을 유발하고, 이것에 의해 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이에서의 프라이밍 효과가 확보된다.
또한 리셋 조작시의 리셋 방전이 행해질 때, 방전 공간 내에 봉입된 방전 가스에 포함되는 크세논으로부터 방사되는 진공 자외선이, 횡벽간의 간극 내에 형성된 프라이밍 입자 생성층을 여기하며, 이 프라이밍 입자 생성층으로부터 방사되는 자외광 또는 가시광에 의해 보호 유전체층을 여기하여, 프라이밍 입자를 방출시키기 때문에 어드레스 기간에서의 프라이밍 입자량이 충분히 확보되고, 이것에 의해 오방전의 발생이 방지되어 표시 화상의 품질 향상을 꾀할 수 있다.
제32 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제31 발명의 구성 외에, 상기 격벽의 횡벽부 및 간극에 대향하는 유전체층 부분에, 횡벽부측으로 돌출하는 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역에서의 오방전이 방지된다.
제33 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제32 발명의 구성 외에, 상기 돌출부에 상기 연통부가 형성되는 것을 특징으로 하며, 이 연통부를 통해 횡벽 간의 간극 내에 형성된 프라이밍 입자 생성층이 단위 발광 영역 내의 방전 공간과 접촉하여, 리셋 방전시에 방사되는 진공 자외선에 의해 여기된다.
제34 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제31 발명의 구성 외에, 상기 연통부가 격벽의 횡벽부에 형성되는 것을 특징으로 하며, 이 연통부를 통해 횡벽 사이의 간극 내에 형성된 프라이밍 입자 생성층이 단위 발광 영역 내의 방전 공간과 접촉하여 리셋 방전시에 방사되는 진공 자외선에 의해 여기된다.
제35 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제28 발명의 구성 외에, 상기 유전체층의 상기 간극에 대향하는 부분에 광흡수층이 설치되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 비표시 라인에서 외광의 반사가 방지되어 콘트라스트가 향상됨과 동시에, 간극 내에서 열전극과 행전극 사이에 프라이밍을 위한 방전이 발생해도, 그 광이 화상의 콘트라스트에 악영향을 미칠 염려는 없다.
제36 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제31 발명의 구성 외에, 상기 격벽의 횡벽부의 상기 전면 기판측이 부분적으로 종벽부의 높이보다 높게 되어 있어, 이 횡벽부의 종벽부 높이보다 높아지는 부분 사이에 홈이 형성되어 상기 연통부가 구성되는 것을 특징으로 하며, 이 홈에 의해 격벽 간의 간극 내의 공간이 단위 발광 영역의 방전 공간 내부와 연통된다.
제37 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제36 발명의 구성 외에, 상기 횡벽부의 종벽부 높이보다 높은 부분의 적어도 상기 홈에 접촉하는 부분에 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 리셋 조작시의 리셋 방전이 행해질 때, 횡벽부의 종벽부 높이보다 높은 부분에 배치된 프라이밍 입자 생성 부재가, 방전 가스에 포함되는 크세논(xenon)으로부터 방사되는 진공 자외선에 의해 여기되고, 이 프라이밍 입자 생성 부재로부터 방사되는 자외광 또는 가시광에 의해 보호 유전체층이 여기되어 프라이밍 입자가 방출된다.
제38 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제37 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 동시 리셋 기간 다음에 이어지는 어드레스 기간 동안 프라이밍 입자의 발생이 계속되기 때문에, 오방전의 방지와 표시 화상의 품질의 향상이 충분히 꾀해진다.
제39 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제38 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수가 낮은 재료를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 프라이밍 입자 생성 부재가 여기되어 방사되는 자외광 또는 가시광이, 보호 유전체층과 함께 프라이밍 입자 생성 부재에 함유되어 있는 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수가 낮은 재료를 여기하여 프라이밍 입자를 방출하기 때문에, 어드레스 기간에서의 프라이밍 입자량이 보다 충분히 확보된다.
제40 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제28 발명의 구성 외에, 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 경계 부분과 대향하는 상기 유전체층 부분에 방전 공간 내로 돌출하도록 형성된 돌출부가 설치되고, 이 돌출부의 방전 공간에 접촉하는 부분에 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는 것을 특징으로 하며, 이 돌출부에 의해 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이에서 오방전이 발생하는 것이 방지됨과 동시에, 이 돌출부에 배치된 프라이밍 입자 생성 부재가, 리셋 조작시의 리셋 방전 때에 방전 가스에 포함되는 크세논으로부터 방사되는 진공 자외선에 의해 여기되고, 이 프라이밍 입자 생성 부재로부터 방사되는 자외광 또는 가시광에 의해 보호 유전체층이 여기되어 프라이밍 입자가 방출된다.
제41 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제40 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재에 대향하는 유전체층 부분에 광흡수층이 설치되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 비표시 라인에서의 외광의 반사가 방지되어 콘트라스트의 향상이 도모된다.
제42 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제28 발명의 구성 외에, 상기 전면 기판과 상기 배면 기판 사이에 배치되어 적어도 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이를 구획하는 격벽을 구비하며, 이 격벽의 전면 기판과 대향하는 전면측에, 방전 공간을 향하는 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는 것을 특징으로 하며, 이 격벽에 의해 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이의 오방전의 발생이 방지됨과 동시에, 이 격벽에 배치된 프라이밍 입자 생성 부재가 리셋 조작시의 리셋 방전 때에 방전 가스에 포함된 크세논으로부터 방사되는 진공 자외선에 의해 여기되며, 이 프라이밍 입자 생성 부재로부터 방사되는 자외광 또는 가시광에 의해 보호 유전체층이 여기되어 프라이밍 입자가 방출된다.
제43 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제40 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 동시 리셋 기간 다음에 이어지는 어드레스 기간 동안 프라이밍 입자의 발생이 계속되기 때문에, 오방전의 발생의 방지와 표시 화상의 품질의 향상이 충분히 도모된다.
제44 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제43 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수가 낮은 재료를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 프라이밍 입자 생성 부재가 여기되어 방사되는 자외광 또는 가시광이, 보호 유전체층과 함께 프라이밍 입자 생성 부재에 함유되어 있는 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수가 낮은 재료를 여기하여 프라이밍 입자를 방출시키기 때문에, 어드레스 기간에서 프라이밍 입자량이 보다 충분히 확보된다.
제45 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제31 발명의 구성 외에, 상기 격벽의 횡벽부의 상기 전면 기판측이 부분적으로 종벽부의 높이보다 높게 되어 있어, 이 횡벽부의 종벽부 높이보다 높은 부분 사이에홈이 형성되며, 이 홈 내에 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는 것을 특징으로 하며, 이 홈 내에 배치된 프라이밍 입자 생성 부재에 의해 생성되는 프라이밍 입자에 의해 어드레스 기간에서의 프라이밍 입자량이 충분히 확보된다.
제46 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제45 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 동시 리셋 기간 다음의 어드레스 기간 동안 프라이밍 입자의 발생이 계속되기 때문에, 오방전 발생의 방지와 표시 화상의 품질 향상이 충분히 도모된다.
제47 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제46 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수가 낮은 재료를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 프라이밍 입자 생성 부재가 여기되어 방사되는 자외광 또는 가시광이, 보호 유전체층 및 프라이밍 입자 생성 부재에 함유된 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수가 낮은 재료를 여기하여 프라이밍 입자를 방출시키기 때문에, 어드레스 기간에서의 프라이밍 입자량이 보다 충분히 확보된다.
제48 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제28 발명의 구성 외에, 상기 방전 공간에 봉입되는 방전 가스가, 크세논 가스를 10% 이상 포함하는 혼합 희가스(inert gas)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
제48 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널에 의하면, 프라이밍 입자 생성 부재를 설치함으로써 크세논 가스의 분압의 상승에 의해 선택 방전의 지연 시간이 길어지는 것을 억제하면서, 이 크세논 가스의 분압을 10% 이상으로 설정함으로써, 크세논으로부터 방사되는 진공 자외선량의 증가에 의한 발광 효율의 증대를 도모할 수 있다.
제49 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제29 또는 제38, 제43, 제46 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가, 일함수가 4.2eV 이하의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
제49 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널에 의하면, 프라이밍 입자 생성 부재를 설치함으로써 프라이밍 효과가 더욱 발휘되어, 리셋 방전으로부터의 휴지 시간의 경과에 동반되는 선택 방전 지연이나 방전 확률의 악화가 방지된다.
제50 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제42 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성되는 것을 특징으로 하며, 이것에 의해 동시 리셋 기간 다음의 어드레스 기간 동안 프라이밍 입자의 발생이 계속되기 때문에, 오방전 발생의 방지와 표시 화상의 품질 향상이 충분히 도모된다.
제51 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널은 상기 목적을 달성하기 위하여 제50 발명의 구성 외에, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가, 일함수가 4.2eV 이하의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
제51 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널에 의하면, 프라이밍 입자 생성 부재를 설치함으로써 프라이밍 효과가 더욱 발휘되어, 리셋 방전으로부터의 휴지 시간의 경과에 동반되는 선택 방전 지연이나 방전 확률의 악화가 방지된다.
본 발명의 전술한 및 기타의 목적 및 특징들은 도면을 참조한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 분명해질 것이다.
이하 본 발명의 가장 적합하다고 생각되는 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1 내지 도 6은, 본 발명에 의한 플라스마 디스플레이 패널(이하 PDP라 함) 실시 형태의 제1 예를 도시한 것이며, 도 1은 이 제1 예에서의 PDP를 모식적으로 도시하는 정면도이다. 도 2는 도 1의 V1-V1 선을 따라 절단한 단면도, 도 3은 도 1의 V2-V2 선을 따라 절단한 단면도, 도 4는 도 1의 W1-W1 선을 따라 절단한 단면도, 도 5는 도 1의 W2-W2 선을 따라 절단한 단면도, 도 6은 도 1의 W3-W3 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 6에 도시된 PDP는, 표시면인 전면 유리 기판(10)의 뒷면에, 복수의 행전극쌍(X, Y)이 전면 유리 기판(10)의 행(行)방향(도 1의 좌우 방향)으로 뻗어 평행하게 배열되어 있다.
행전극(X)은 T자 형상으로 형성된 ITO 등의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극(Xa)과, 전면 유리 기판(10)의 행방향으로 뻗어 투명 전극(Xa)의 좁은 기단부(基端部)에 접속된 금속막으로 이루어진 버스 전극(Xb)으로 구성되어 있다.
행전극(Y)도 마찬가지로 T자 형상으로 형성된 ITO 등의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극(Ya)과, 전면 유리 기판(10)의 행방향으로 뻗어 투명 전극(Ya)의 좁은 기단부에 접속된 금속막으로 이루어진 버스 전극(Yb)으로 구성되어 있다.
이 행전극(X 및 Y)은 전면 유리 기판(10)의 열(列)방향(도 1의 상하 방향)으로 교대로 배열되어 있으며, 버스 전극(Xb 및 Yb)에 따라 병열로 배열된 각각의 투명 전극(Xa 및 Ya)이 서로 쌍을 이루는 상대 행전극 측으로 뻗어, 투명 전극(Xa 및 Ya)의 광폭부의 꼭대기 변(邊)이 각각 소정의 폭을 가지는 방전갭(g)을 통해 서로 마주보고 있다.
버스 전극(Xb, Yb)은 각각 표시면 측의 흑색 도전층(Xb', Yb')와 배면 측의 주도전층(Xb", Xb")의 2층 구조로 되어 있다.
전면 유리 기판(10)의 뒷면에는, 열방향으로 서로 인접하는 각 행전극쌍(X, Y)의 각각 서로 등을 맞대고 있는 버스 전극(Xb, Yb) 사이에, 이 버스 전극(Xb, Yb)을 따라 행방향으로 뻗어 있는 흑색의 광흡수층(18A, 차광층)이 형성되어 있으며, 또한 격벽(19)의 종벽(19a, 縱壁)에 대향하는 부분에 광흡수층(18B, 차광층)이 형성되어 있다.
전면 유리 기판(10)의 뒷면에는 또한 행전극쌍(X, Y)을 피복하는 유전체층(11)이 형성되어 있으며, 이 유전체층(11)의 뒷면에는, 서로 인접하는 행전극쌍(X, Y)의 이웃하는 버스 전극(Xb, Yb)과 대향하는 위치, 및 이웃하는 버스 전극(Xb) 및 버스 전극(Yb) 사이의 영역과 대향하는 위치에, 유전체층(11)의 뒷면 쪽으로 돌출한 유전체층(11A)이, 버스 전극(Xb, Yb)과 평행하게 뻗어 있다.
이 유전체층(11)과 돌출 유전체층(11a)의 뒷쪽에는 MgO로 이루어진보호층(12, 보호 유전체층)이 형성되어 있다.
한편, 전면 유리 기판(10)과 평행하게 배치된 배면 유리 기판(13)의 표시측 면 위에는 열전극(D)이, 각 행전극쌍(X, Y)의 서로 쌍을 이룬 투명 전극(Xa 및 Ya)에 대향하는 위치에서 행전극쌍(X, Y)과 직교하는 방향(열방향)으로 뻗도록, 서로 소정의 간격을 유지하며 평행하게 배열되어 있다.
배면 유리 기판(13)의 표시측 면 위에는 또한 열전극(D)을 피복하는 백색의 유전체층(14)이 형성되고, 이 유전체층(14) 위에 격벽(19)이 형성되어 있다.
격벽(19)은 서로 평행하게 배열된 각 열전극(D) 사이의 위치에서 열방향으로 뻗어 있는 종벽(19a)과, 돌출 유전체층(11A)과 대향하는 위치에서 행방향으로 뻗어 있는 횡벽(19b)에 의해 사다리꼴로 형성되어 있다.
이 사다리꼴 격벽(19)에 의해 전면 유리 기판(10)과 배면 유리 기판(13) 사이의 공간이 각 행전극쌍(X, Y)에서 쌍을 이룬 투명 전극(Xa와 Ya)에 대향하는 부분 마다 구획되어 각각 사각형의 방전 공간(S)이 형성되어 있다.
격벽(19)의 종벽(19a)의 표시측 면은 보호층(12)과 접촉되지 않고(도 3 및 4 참조), 그 사이에 간극(r)이 형성되어 있으며, 또한 횡벽(19b)의 표시측 면도 보호층(12)의 돌출 유전체층(11A)을 피복하는 부분에 직접 접촉되어 있지 않다(도 2, 3 및 5 참조)
방전 공간(S)에 면하는 격벽(19)의 종벽(19a) 및 횡벽(19b)의 측면과 유전체층(14)의 표면에는, 이들 5개의 면 전체를 덮는 형광체층(16)이 각각 차례로 형성되어 있다.
이 형광체층(16)의 색은, 각 방전 공간(S) 마다 R, G, B의 색이 행방향으로 차례로 나란히 형성되어 있다(도 4 참조).
방전 공간(S) 내에는 크세논(Xe)을 포함하는 방전 가스가 봉입되어 있다.
이 방전 공간(S)을 구획하는 사다리꼴의 각 격벽(19)의 횡벽(19b)에는 표시 라인 사이의 광흡수층(18A)과 겹치는 위치에 설치된 간극(SL)에 의해 열방향으로 서로 인접하는 타 격벽(19)의 횡벽(19b)과 이간(離間)되어 있다.
즉, 각각 사다리꼴로 형성된 격벽(19)은 표시 라인(L, 행) 방향을 따라 뻗어 있으며, 또한 인접한 격벽(19)은 표시 라인(L)을 따라 뻗어 있는 간극(SL)을 통해 서로 평행하도록 열방향으로 배열되어 있다.
각 횡벽(19b)의 폭은, 각각 종벽(19a)의 폭과 대략 동일하도록 설정된다.
이 PDP에는 또한 도 2, 3 및 6에 도시된 바와 같이, 보호층(12)의 뒷면 쪽에서 각 격벽(19)의 횡벽(19b)의 표시측 면과 대향하는 부분에, 자외역 발광층(17, 프라이밍 입자 생성 부재)이 형성되어 있고, 이 자외역 발광층(17)이 횡벽(19b)의 표시측 면과 접촉됨으로써, 각 방전 공간(S)과 간극(SL)과의 사이가 차폐되어 있다.
또한, 이 자외역 발광층(17)은 격벽(19)의 횡벽(19b)의 표시측 면 위에 형성되어도 좋다.
이 자외역 발광층(17)은, 방전에 의해 방전 공간(S) 내에 봉입된 방전 가스에 포함되는 크세논(Xe)으로부터 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선에 의해 여기됨으로써, 0.1msec 이상, 바람직하게는 1msec 이상(즉, 어드레스 기간 Wc의 시간 길이 정도)의 자외광을 계속적으로 방사하 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 형광체로 형성된다.
이와 같은 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 형광체로는, 예를 들면, BaSi2O5:Pb2+(발광 파장:350nm)나 SrB4O7F:Eu2+(발광 파장:360nm), (Ba, Mg, Zn)3Si2O7:Pb2+(발광 파장:295nm), YF3:Gd, Pr 등을 들 수 있다.
상기 PDP는 행전극쌍(X, Y)이 각각 매트릭스 표시 화면의 1 표시 라인(L, 행)을 구성하며, 또한 사다리꼴의 격벽(19)에 의해 구획된 방전 공간(S)이 각각 하나의 방전셀(C)을 구획하고 있다.
이 PDP에서의 화상 표시는 도 40에 설명된 바와 같이 서브필드법에 의해 행해진다.
즉, 동시 리셋 후, 어드레스 조작에 의해 각 방전셀(C)에서 행전극쌍(X, Y)과 열전극(D) 사이에서 선택적으로 방전이 행해져, 전체 표시 라인(L)에 발광셀(유전체층(11)에 벽전하가 형성된 방전셀(C))과 비발광셀(유전체층(11)에 벽전하가 형성되지 않은 방전셀(C))이, 표시하는 화상에 대응하여 패널 위에 분포된다.
이 어드레스 조작 후, 전체 표시 라인(L)에서 동시에, 행전극쌍(X, Y)에 대해 방전 유지 펄스가 교대로 각 서브필드의 웨이트에 대응하는 수만큼 인가되며, 이 방전 유지 펄스가 인가될 때마다 각 발광셀에서 면방전(面放電)이 일어나서 자외광이 발생되며, 이 자외광에 의해 방전 공간(S) 내의 R, G, B의 각 형광체층(16)이 각각 여기되어 발광함으로써 표시 화면이 형성된다.
이상과 같이 하여 PDP에서 화상이 형성되지만, 이 화상이 형성되는 리세트 방전 때에, 방전 가스 중의 크세논(Xe)으로부터 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선에 의해, 보호층(12)의 뒷면 쪽에 형성된 자외역 발광층(17)이 여기되어 자외광이 방사된다.
이 자외역 발광층(17)으로부터 방사되는 자외선은 보호층(12, MgO 층)으로부터 2차 전자를 방출시켜, 1 서브필드에서의 어드레스 기간(Wc, 도 40 참조) 사이, 프라이밍 입자를 방전셀(C)의 방전 공간 내로 계속적으로 재생성하기 때문에, 각 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제된다.
따라서, 이 발광셀에서의 프라이밍 입자량 감소의 억제에 의해 동시 리셋 기간(Rc)의 종료 후, 다음의 어드레스 기간(Wc)에서의 주사 펄스(SP)가 인가될 때까지의 시간 간격이 길어져버리는 표시 라인(도 40 참조)에서도, 방전 지연 시간의 증대가 억제되며, 또한 방전 지연 시간 불균일의 발생도 억제되기 때문에 주사 펄스나 표시 데이터 펄스의 펄스 폭이 좁아져도, 어드레스 기간(Wc)에서의 선택 방전 동작의 불안정으로 인한 오방전이 방지되며, 이것에 의해 고품질 화상의 형성이 가능하게 된다.
도 7a는 상기 PDP에서의 방전 지연 시간과 방전 발광의 불균일을 오실로그래프에 의해 측정한 결과를 도시한 그래프이며, F가 방전 발광이며, T1이 방전 지연 시간이며, Fu가 방전 발광의 불균일을 각각 도시하고 있다.
이 도 7a의 그래프를 자외역 발광층(17)이 설치되어 있지 않은 경우의 방전 지연 시간 T1'와 방전 발광의 불균일 Fu'를 도시하는 도 7b의 그래프와 비교하면, 방전 지연 시간 및 방전 발광의 불균일이 모두 감소하고 있음을 알 수 있다.
또한, 상기 PDP는 열방향에서 서로 인접해 있는 격벽(19)의 횡벽(19b)이 행방향으로 뻗어 있는 간극(SL)에 의해 서로 이간되어 있음과 동시에, 이 횡벽(19b)의 폭이 각각 종벽(19a)의 폭과 대략 동일하도록 설정됨으로써, 격벽(19)의 소성(燒成)시에 전면(前面) 유리 기판(10)이나 배면 유리 기판(13)에 휨이 발생한다거나 또는 격벽(19)의 파손 등에 의한 방전셀 형상의 변형이 생길 염려가 없다.
또한 상기 PDP는 전면 유리 기판(10) 뒷면의 방전 공간(S)에 대향하는 부분 이외의 부분이 광흡수층(18A, 18B) 및 2층 구조로 형성된 버스 전극(Xb, Yb)의 흑색 도전층(Xb', Yb')에 의해 덮혀있기 때문에, 전면 유리 기판(10)을 통해 입사되어 오는 외광의 반사를 방지하여, 표시 화면의 콘트라스트를 향상시킬 수가 있다.
제1 예에서 광흡수층(18A) 및 (18B) 중 어느 쪽이든 한 쪽만 형성해도 좋다.
또한 전면 유리 기판(10)의 뒷면에, 대향하는 방전 공간(S) 내의 형광체층(16)의 색(R, G, B)에 대응하는 색의 컬러 필터층(도시 안됨)을, 각 방전셀(C)마다 형성할 수도 있다.
이 경우, 광흡수층(18A, 18B)은 각 방전 공간(S)에 대향하도록 섬(島) 모양으로 형성된 컬러 필터층의 간극 또는 이 간극에 대응하는 위치에 형성된다.
제1 예에 있어서, 자외역 발광층(17)이 보호층(12)의 배면측 면과 격벽(19)의 횡벽(19b)의 표시측 면 사이에만 배치되어 있지만, 도 8에 도시된 바와 같이, 자외역 발광층(17')을 격벽(19)의 종벽(19a)의 표시측 면 위에 형성한다든지, 또는그 종벽(19a)에 대향하는 보호층(12)의 배면측에 형성하여, 종벽(19a)과 보호층(12) 사이의 각 방전셀(C)의 방전 공간 내부로 향하는 위치에 배치해도 좋다.
이것에 의해 방전셀(C)의 방전 공간에 접해 있는 자외역 발광층(17')의 면적이 증가하여, 1 서브필드의 어드레스 기간(Wc)에서의 프라이밍 입자량의 감소가 더욱 억제된다.
또한 제1 예에서, 자외역 발광 재료를 1 내지 10 중량%의 비율로 형광체층(16)에 함유시켜 형광체층(16)이 자외역 발광층을 겸하도록 해도 좋다. 즉, 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료가 형광체층(16)에 함유됨으로써, 자외역 발광층(17)이 형광체층(16)과 일체적으로 형성되도록 해도 좋다.
도 9 내지 11은 본 발명에 의한 PDP 실시 형태의 제2 예를 도시한 것이며, 도 9는 이 제2 예에서의 PDP를 모식적으로 도시한 정면도이며, 도 10은 도 9의 V3-V3 선을 따라 절단한 단면도, 도 11은 도 9의 W4-W4 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9 내지 11에 도시된 PDP는 상기 제1 예의 격벽이 종벽과 횡벽에 의해 방전셀의 사방을 에워싸서 구획하는 구성으로 되어 있음에 비해, 이 예에서의 PDP는 전면 유리 기판(10)과 배면 유리 기판(13) 사이의 방전 공간(S)이 열방향으로 뻗어 있는 스트라이프(stripe) 형상의 격벽(21)에 의해 구획된다.
이 PDP의 다른 구성은 행전극쌍(X1, Y1)의 투명 전극(X1a, Y1a)의 형상 및 유전체층(11)에 돌출 유전체층이 형성되어 있지 않는 것을 제외하고는 제1 예의 PDP와 마찬가지이며, 행전극쌍(X1, Y1)의 버스 전극(X1b, Y1b)이 각각 표시면 측의 흑색 도전층(X1b', Y1b')과 배면측의 주도전층(X1b", Y1b")의 2층 구조로 형성되어 있음과 동시에, 전면 유리 기판(10)의 뒷면에 열방향으로 서로 인접하는 행전극쌍(X1, Y1)의 각각 서로 등을 맞대고 있는 버스 전극(X1b, Y1b) 사이에, 이 버스 전극(X1b, Y1b)에 따라 행방향으로 뻗어 있는 흑색의 광흡수층(28A, 차광층)이 형성되어 있다.
유전체층(11')의 배면측에 서로 등을 맞대고 있는 버스 전극(X1b, Y1b), 및 버스 전극(X1b, Y1b) 사이에 형성된 광흡수층(28A)에 대향하는 부분에, 자외역 발광층(27, 프라이밍 입자 생성 부재)이, 행방향을 따라 뻗어 있음과 동시에 방전 공간(S')을 향하도록 형성되어 있다.
이 예에서도, 제1 예의 경우와 마찬가지로, 화상이 형성되는 리셋 방전 때에, 방전 가스 중의 크세논(Xe)으로부터 방사되는 진공 자외선에 의해 보호층(12')의 뒷면 쪽에 형성된 자외역 발광층(27)이 여기되어 자외광을 방사한다.
이 자외광이 1 서브필드에서의 어드레스 기간 동안, 프라이밍 입자를 발광셀의 방전 공간 내로 계속적으로 재생성함으로써, 각 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제되고, 이것에 의해 다음의 어드레스 기간에서의 방전 지연 시간의 증대가 억제되며, 또한 방전 지연 시간의 불균일도 억제된다.
이 예에서의 PDP는 열방향에서는 각 방전셀(C')을 구획하는 격벽이 존재하지 않지만, 행전극쌍(X1, Y1)의 각각의 투명 전극(X1a, Y1a)이 버스 전극(X1b, Y1b)으로부터 열방향으로 돌출하여 서로 대향하도록 형성되기 때문에 열방향에서의 서로인접하는 방전셀(C') 사이의 방전의 간섭이 억제된다.
도 12 및 13은 본 발명에 의한 PDP 실시 형태의 제3 예를 도시한 것이며, 도 12는 제1 예의 도 2와 동일 부분의 종단면도를 도시하며, 도 13은 제1 예의 도 3과 동일 부분의 종단면도를 각각 도시하고 있다.
제3 예는 전술한 제1 예의 자외역 발광층(17)과 동일한 위치에 이 자외역 발광층(17) 대신에, 유전체(11) 및 돌출 유전체층(11A)을 피복하는 보호층(12)을 형성하는 MgO 보다 2차 전자 방출 계수가 높은(일함수가 낮은) 재료를 포함하는 2차 전자 방출층(37, 프라이밍 입자 생성 부재)이 형성되어 있다.
이 2차 전자 방출층(37)이 방전 공간(S) 내부로 향한 상태에서 횡벽(19b)의 표시측 면에 접촉됨으로써, 각 방전 공간(S)과 간극(SL) 사이의 공간이 차폐되어 있다.
타 부분의 구성은 도 1 내지 도 6의 PDP와 동일하며, 동일한 도면 번호가 붙여져 있다.
이 2차 전자 방출층(37)은 격벽(19)의 횡벽(19b)의 표시측 면 위에 형성되어도 좋다.
2차 전자 방출층(37)이 설치되는 이유는 다음과 같다.
즉, MgO로 형성된 보호층(12)은 유전체층(11) 및 돌출 유전체층(11A)을 이온 충격으로부터 보호하는 기능과, 방전에 의해 방전 공간(S) 내부로 2차 전자를 방출함으로써 프라이밍 입자를 생성하는 기능을 담당한다. MgO 보다 2차 전자 방출 계수가 높은(일함수가 낮은) 재료로 형성된 2차 전자 방출층(37)을 설치함으로써, 방전 공간(S) 내부로의 2차 전자 방출량을 증가시키도록 한 것이다.
이 2차 전자 방출층(37)을 형성하는 2차 전자 방출 계수가 높은, 절연성을 가지는 재료로는 알카리 금속의 산화물(예를 들면, Cs2O)이나 알카리 토류 금속의 산화물(예를 들면, CaO, SrO, BaO), 불화물(CaF2, MgF2) 등을 들 수 있다.
이들 재료는 2차 전자 방출 계수가 MgO 보다 크지만, 이온 충격에 대한 강도는 MgO 보다 작다. 따라서 유전체층(11)의 보호라는 관점에서는 열등하기 때문에, 보호층(12)을 별도로 설치하는 것이 바람직하다.
또한, 결정 결함이나 불순물 등에 의해 결정 내에 불순물 순위를 도입하여 2차 전자 방출 계수를 높인 재료로 2차 전자 방출층(37)을 형성해도 좋다.
예를 들면, MgOx 처럼 1:1의 조성비를 변화시킴으로써 결정 결함을 도입하여 2차 전자 방출 계수를 높인 재료로 2차 전자 방출층(37)을 형성할 수 있다.
상기 PDP에 있어서의 화상의 형성은 제1 예의 경우와 동일하게 행하지만, 이 화상이 형성되는 리셋 방전 때에, 각 방전셀(C)의 R, G, B 형광체층(16)으로부터 방사되는 가시광에 의해, 2차 전자 방출층(37)을 형성하는 2차 전자 방출 계수가 높은(일함수가 낮은) 재료가 여기되어, 이 2차 전자 방출층(37)으로부터 2차 전자가 방전셀(C) 내로 방출된다.
이 때, 적색 R((Y,Gd)BO3: Eu) 및 녹색 G(Zn2SiO4: Mn)의 형광체층(16)은 각각 리셋 방전에 의해 수 msec 이상 동안 가시광을 계속적으로 방출하기 때문에, 이 가시광에 의해 1 서브필드의 어드레스 기간(Wc, 도 40 참조) 동안, 2차 전자 방출층(37)으로부터 2차 전자가 방출되며, 다시 이 2차 전자에 의해 프라이밍 입자가 재생성됨으로써 방출셀(C)에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제된다.
따라서, 이 프라이밍 입자량 감소의 억제에 의해 어드레스 기간(Wc)에서 방전 지연 시간의 증대가 억제됨과 동시에, 방전 시간 불균일의 증가도 억제되기 때문에, 주사 펄스(SP, 도 40 참조) 및 표시 데이터 펄스의 펄스 폭을 좁혀도 어드레스 기간(Wc)에서의 선택 방전 동작의 불안정으로 인한 오방전의 발생이 방지되어, 고품질의 화상 형성이 가능해짐과 동시에 어드레스 기간을 단축할 수 있다.
상기 도 12, 도 13의 예에서, 2차 전자 방출층(37')이 보호층(12)의 배면측 면과 격벽(19)의 횡벽(19b)의 표시측 면 사이에만 배치되어 있지만, 도 14에 도시된 바와 같이, 2차 전자 방출층(37')을 격벽(19)의 종벽(19a)의 표시측 면 위에 형성한다든지, 또는 이 종벽(19a)에 대향하는 보호층(12)의 배면 측에 형성하여, 종벽(19a)과 보호층(12) 사이의 각 방전셀(C)의 방전 공간(S) 내부를 향하는 위치에 배치해도 좋다.
이것에 의해 방전셀(C)의 방전 공간에 접해 있는 2차 전자 방출층(37')의 면적이 증가하여 2차 전자의 방출량이 증가되며, 따라서 1 서브필드의 어드레스 기간(Wc)에서 프라이밍 입자량이 충분히 확보된다.
또한 상기 예에서, 2차 전자 방출 계수가 높은(일함수가 낮은) 재료를 형광체층(16)에 함유시켜, 형광체층(16)에 2차 전자 방출층을 겸하도록 해도 좋다.
또한, 2차 전자 방출층을 격벽(19)의 내벽면(형광체층(16)과 격벽(19)의 측벽면 사이)에 도포 형성하든가, 2차 전자 방출 계수가 높은 재료를 격벽(19)에 함유시켜도 좋다.
또한, 2차 전자 방출층을 전면 유리 기판(10) 측의 보호층(12) 위의 행전극쌍(X1, Y1)과 대향하지 않는 부분에 도포 성형해도 좋다.
또한, 2차 전자 방출층을 배면 유리 기판(13) 측의 유전체층(14) 위(유전체층(14)과 형광체층(16) 사이)에 도포 형성하든가, 2차 전자 방출 계수가 높은 재료를 유전체층(14)에 함유시켜도 좋다.
상기 각 예의 PDP에 있어서, 2차 전자 방출 계수가 높은 재료를 여기하는 여기광을 방사함으로써, 보호층(12) 및 2차 전자 방출층(37) 또는 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 함유된 형광체층(16)으로부터 방출되는 2차 전자를 증가시키기 위한 발광층을, 각 방전셀(C)의 방전 공간(S) 내부를 향하도록 형성해도 좋다.
이와 같은 발광층에는 자외역 발광층과 가시역 발광층이 있다.
자외역 발광층은, 방전에 의해 방전 공간(S) 내에 봉입된 방전 가스에 포함되는 크세논(Xe)으로부터 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선에 의해 여기됨으로써, 0.1msec 이상, 바람직하게는 1msec 이상(즉, 어드레스 기간(Wc)의 시간 길이 정도)의 자외광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 형광체로 형성된다.
이와 같은 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 형광체로는, 예를 들면, BaSi2O5:Pb2+(발광 파장:350nm)나 SrB4O7F:Eu2+(발광 파장:360nm), (Ba, Mg,Zn)3Si2O7:Pb2+(발광 파장:295nm), YF3:Gd, Pr 등을 들 수 있다.
또한, 가시역 발광층은 방전에 의해 크세논(Xe)으로부터 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선에 의해 여기되어 0.1msec 이상, 바람직하게는 1msec 이상(즉, 어드레스 기간(Wc)의 시간 길이 정도)의 가시광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 가시역 발광 형광체로 형성된다.
이와 같은 잔광 특성을 가지는 가시역 발광 형광체로는, 적색 R((Y,Gd)BO3: Eu) 및 녹색 G(Zn2SiO4: Mn)의 형광체 재료 등을 들 수 있다.
이들 자외역 발광층 및 가시역 발광층은, 방전 가스 속의 크세논(Xe)으로부터 방전에 의해 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선에 의해 여기되어 자외광 및 가시광을 각각 방사한다.
이 자외역 발광층 또는 가시역 발광층으로부터 방사되는 자외광 또는 가시광은 보호층(12, MgO층) 및 2차 전자 방출층(37), 또는 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 함유된 형광체층(16)으로부터 2차 전자를 방출시켜, 1 서브필드에서의 어드레스 기간(Wc, 도 40 참조) 동안, 프라이밍 입자를 방전셀(C)의 방전 공간 내로 계속적으로 재생성하기 때문에, 각 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제된다.
따라서, 이 자외역 발광층 또는 가시역 발광층으로부터 방사되는 자외광 또는 가시광에 의해 2차 전자의 방출량이 증가하여, 발광셀에서의 프라이밍 입자량 감소가 더욱 억제됨으로써, 어드레스 기간(Wc)에서의 방전 지연 시간의 증대나 방전 시간 불균일의 발생이 억제된다.
이 자외역 발광층 및 가시역 발광층은 2차 전자 방출층(37)과는 별도로 전면 유리 기판(10)과 격벽(19) 사이의 간극 내에서 방전 공간을 향하는 부분에 설치할 수가 있지만, 2차 전자 방출 계수가 높은(일함수가 낮은) 재료를 자외역 발광층 또는 가시역 발광층에 함유시킴으로써, 2차 전자 방출층(37)과 자외역 발광층 또는 가시역 발광층을 일체화시킬 수도 있다.
또한, 자외역 발광층 또는 가시역 발광층을 2차 방출 계수가 높은(일함수가 낮은) 재료와 함께 형광체층(16)에 함유시켜도 좋다.
상기 PDP에서 전면 유리 기판(10)의 뒷면에, 대향하는 방전 공간(S) 내의 형광체층(16)의 색(R, G, B)에 대응하는 색의 컬러 필터층(도시 안됨)을 각 방전셀(C)마다 형성할 수도 있다.
이 경우, 광흡수층(18A, 18B)은, 각 방전 공간(S)에 대향하도록 섬 모양으로 형성된 컬러 필터층의 간극 또는 이 간극에 대응하는 위치에 형성된다.
도 15 내지 17은 본 발명에 의한 PDP 실시 형태의 제4 예를 도시한 것이며, 전술한 제2 예와 마찬가지로, 스트라이프 형상의 격벽(21)을 가지는 PDP에서, 자외역 발광층(27)과 동일한 위치에, 이 자외역 발광층(27) 대신에 2차 전자 방출층(47, 프라이밍 입자 생성 부재)이, 행방향을 따라 뻗어 있음과 동시에 방전 공간(S')을 향하도록 형성된다.
이 예에서도, 제3 예의 경우와 마찬가지로, 화상이 형성되는 리셋 방전 때에, 각 방전 셀의 형광체층(16')으로부터 방사되는 가시광에 의해, 2차 전자 방출층(47)을 형성하는 2차 방출 계수가 높은(일함수가 낮은) 재료가 여기되고, 이 2차전자 방출층(47)로부터 2차 전자가 각 방전셀의 방전 공간(S') 내로 방출된다.
이렇게 하여, 보호층(12')으로부터 방출되는 2차 전자 외에 2차 전자 방출층(47)으로부터도 2차 전자가 방출됨으로써, 방전 공간(S') 내에서의 프라이밍 입자의 양이 충분히 확보되며, 이것에 의해 어드레스 기간에서의 방전 지연 시간의 증대나 방전 지연 시간 불균일의 발생이 더욱 억제된다.
이 예에서 2차 전자 방출층은 스트라이프 형상의 격벽(21)의 표시측 면의 방전 공간(S')에 접하는 부분에 설치되어도 좋다.
또한 이 예에서도 상기 제3 예의 경우와 마찬가지로 자외역 발광층 또는 가시역 발광층을 형성해도 좋다.
도 18 내지 도 23은 본 발명에 의한 PDP 실시 형태의 제5 예를 도시한 것이며, 도 18은 제5 예에서의 PDP를 모식적으로 도시하는 정면도이며, 도 19는 도 18의 V5-V5 선을 따라 절단한 단면도, 도 20은 도 18의 V6-V6 선을 따라 절단한 단면도, 도 21은 도 18의 W6-W6 선에 따라 절단한 단면도, 도 22는 도 18의 W7-W7 선에 따라 절단한 단면도, 도 23은 도 18의 W8-W8 선에 따라 절단한 단면도이다.
도 18 내지 23에 도시된 PDP는 표시면인 전면 유리 기판(10)의 뒷면에, 복수의 행전극쌍(X, Y)이, 전면 유리 기판(10)의 행방향(도 18의 좌우 방향)으로 뻗도록 평행하게 배열되어 있다.
행전극(X)은 T자 형상으로 형성된 ITO 등의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극(Xa)과, 전면 유리 기판(10)의 행방향으로 뻗어 투명 전극(Xa)의 좁은 기단부에 접속된 금속막으로 이루어진 버스 전극(Xb)으로 구성되어 있다. 행전극(Y)도 마찬가지로 T자 형상으로 형성된 ITO 등의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극(Ya)과, 전면 유리 기판(10)의 행방향으로 뻗어 투명 전극(Ya)의 좁은 기단부에 접속된 금속막으로 이루어진 버스 전극(Yb)으로 구성되어 있다.
이 행전극(X, Y)은 전면 유리 기판(10)의 열방향(도 18의 상하 방향)으로 교대로 배열되어 있으며, 버스 전극(Xb, Yb)에 따라 병열로 배열된 각각의 투명 전극(Xa, Ya)이 서로 쌍을 이루는 상대의 행전극측으로 뻗어, 투명 전극(Xa, Ya)의 광폭부의 꼭대기 변이 각각 소정의 폭의 방전갭(g)을 통해 서로 대향하고 있다.
버스 전극(Xb, Yb)은 각각 표시면 측의 흑색 도전층(Xb', Yb')과 배면 측의 주도전층(Xb", Y"b)의 2층 구조로 형성되어 있다.
전면 유리 기판(10)의 뒷면에는, 열방향으로 서로 인접하는 각 행전극쌍(X, Y)의 각각 서로 등을 맞대고 있는 버스 전극(Xb, Yb) 사이에, 이 버스 전극(Xb, Yb)을 따라 행방향으로 뻗어 있는 흑색의 광흡수층(18A, 차광층)이 형성되어 있으며, 또한 후술하는 격벽(19)의 종벽(19a)과 대향하는 부분에 광흡수층(18B, 차광층)이 형성되어 있다.
전면 유리 기판(10)의 뒷면에는 또한 행전극쌍(X,Y)을 피복하는 유전체층(11)이 형성되어 있으며, 이 유전체층(11)의 뒷면에는, 서로 인접하는 행전극쌍(X, Y)의 이웃하는 버스 전극(Xb, Yb)과 대향하는 위치, 및 이웃하는 버스 전극(Xb) 및 버스 전극(Yb) 사이의 영역과 대향하는 위치에, 유전체층(11)의 뒷면 쪽으로 돌출한 유전체층(11A')이, 버스 전극(Xb, Yb)과 평행하게 뻗어 있다.
이 유전체층(11)과 돌출 유전체층(11A')의 뒷면측에는 MgO로 이루어진 보호층(12)이 형성되어 있다.
한편, 전면 유리 기판(10)과 평행하게 배치된 배면 유리 기판(13)의 표시측 면 위에는 열전극(D)이, 각 행전극쌍(X, Y)의 서로 쌍을 이룬 투명 전극(Xa 및 Ya)과 대향하는 위치에서 행전극쌍(X, Y)과 직교하는 방향(열방향)으로 뻗도록, 서로 소정의 간격을 유지하며 평행하게 배열되어 있다.
배면 유리 기판(13)의 표시측 면 위에는 또한 열전극(D)을 피복하는 백색의 유전체층(14)이 형성되고, 이 유전체층(14) 위에 격벽(19)이 형성되어 있다.
격벽(19)은 서로 평행하게 배열된 각 열전극(D) 사이의 위치에서 열방향으로 뻗는 종벽(19a)과, 돌출 유전체층(11A')과 대향하는 위치에서 행방향으로 뻗는 횡벽(19b)에 의해 사다리꼴로 형성되어 있으며, 이 사다리꼴 격벽(19)에 의해 전면 유리 기판(10)과 배면 유리 기판(13) 사이의 방전 공간(S)이, 각 행전극쌍(X, Y)에서 쌍을 이룬 투명 전극(Xa와 Ya)에 대향하는 부분 마다 구획되어 각각 사각형의 방전셀(C)이 형성되어 있다.
이 방전 공간(S)을 구획하는 격벽(19)의 횡벽(19b)은 표시 라인 사이의 광흡수층(18A)과 겹치는 위치에 형성된 간극(SL)에 의해 열방향으로 분리되어 있다.
즉, 격벽(19)은 표시 라인(L, 행) 방향을 따라 사다리꼴로 형성되며, 열방향에서 표시 라인(L)을 따라 뻗어 있는 간극(SL)을 통해 서로 평행하도록 열방향으로 배치되어 있다.
그리고, 표시 라인(L) 사이에 설치된 간극(SL)에 의해 분할된 횡벽(19b)의 각 부분(19b')의 폭은, 각각의 종벽(19a)의 폭과 대략 동일하도록 간극(SL)의 폭이 설정된다.
방전 공간(S)을 향하는 격벽(19)의 종벽(19a) 및 횡벽(19b)의 측면과 유전체층(14)의 표면에는, 이들 5개의 면 전체를 덮도록 형광체층(16)이 각각 차례로 형성되어 있으며, 이 형광체층(16)의 색은, 각 방전셀(C)마다 R, G, B의 색이 행방향으로 차례로 나란히 형성되어 있다(도 21 참조).
그리고 방전셀(C) 내에는 크세논 가스를 10% 이상 포함하는 혼합 희가스(mixed inert gas)로 이루어지는 방전 가스가 봉입되어 있다.
돌출 유전체층(11A')은 이 돌출 유전체층(11A')을 피복하고 있는 보호층(12)이 격벽(19)의 횡벽(19b')의 표시측 면에 접촉됨으로써(도 22 참조), 열방향에서 서로 인접하는 방전셀(C) 사이를 각각 폐쇄하고 있지만, 이 돌출 유전체층(11A')에는 도 18에서의 격벽(19)의 종벽(19a)과 일치하는 위치에, 열방향으로 뻗어 양단부가 돌출 유전체층(11A')의 상하 벽면에 개구되도록 함과 동시에 배면 측이 해방된 홈(11Aa, 도 22 및 도 23 참조)이 형성되어 있어, 이 홈(11Aa)를 통해 방전셀(C)은 행방향으로 배치된 격벽(19)의 횡벽(19b') 사이의 간극(SL)과 각각 연통된다.
또한 격벽(19)의 종벽(19a)의 표시측 면은 보호층(12)에 접촉되지 않고(도 21 참조), 그 사이에 간극(r)이 형성되어 있어, 행방향으로 서로 인접하는 방전셀(C)이 간극(r)을 통해 서로 연통되어 있다.
격벽(19)의 횡벽(19b')에 형성된 간극(SL) 내에는 그 내벽면을 덮는 프라이밍 입자 생성층(50, 프라이밍 입자 생성 부재)이 형성되어 있다.
이 프라이밍 입자 생성층(50)은, 예를 들면, 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성되어 있다.
이 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성된 프라이밍 입자 생성층(50)에는, 보호층(12)을 형성하는 유전체(MgO)와 2차 전자 방출 계수가 동일하든가 그것보다 2차 방출 계수가 높은(일함수가 낮은) 재료(높은 γ의 재료), 즉 일함수가 4.2V 이하의 재료를 함유시켜도 좋다.
일함수가 낮은 절연성을 가지는 재료로는, 알카리 금속의 산화물(예를 들면, Cs2O: 일함수 2.3eV)이나 알카리 토류 금속의 산화물(예를 들면, CaO, SrO, BaO), 불화물(예를 들면, CaF2, MgF2), 결정 결함이나 불순물 등에 의해 결정 내에 불순물 순위를 도입하여 2차 전자 방출 계수를 높인 재료(예를 들면, MgOx 처럼 Mg:O의 조성비를 1:1로부터 변화시켜 결정 결함을 도입한 것), TiO2, Y2O3등을 들 수 있다.
방전에 의해 방전 가스에 포함되는 크세논으로부터 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선에 의해 여기됨으로써, 0.1msec 이상, 바람직하게는 1msec 이상(즉, 어드레스 기간(Wc)의 시간 길이 이상)의 자외광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료로는, BaSi2O5:Pb2+(발광 파장:350nm)나 SrB4O7F:Eu2+(발광 파장:360nm), (Ba, Mg, Zn)3Si2O7:Pb2+(발광 파장:295nm), YF3:Gd, Pr 등을 들 수 있다.
또한, 방전에 의해 방전 가스에 포함되는 크세논으로부터 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선에 의해 여기됨으로써, 0.1msec 이상, 바람직하게는 1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 가시역 발광 재료로는, 적색((Y,Gd)BO3: Eu) 및 녹색(Zn2SiO4: Mn)의 형광체 재료 등을 들 수 있다.
이 PDP에서의 화상의 형성은 전술한 제1 예 등의 경우와 동일하게 행한다.
상기 PDP는 격벽(19)의 종벽(19a)의 표시측 면과 유전체층(11)을 피복하는 보호층(12) 사이에 형성된 간극(r)에 의해, 각 방전셀(C)로의 방전 가스의 봉입이나 각 방전셀(C)로부터의 방전 가스의 배기가 행해지며, 또한 행방향으로 서로 인접하는 방전셀(C) 사이에서 연쇄적으로 방전을 일으키는 프라이밍 효과가 확보된다.
그리고, 열방향으로 서로 인접하는 방전셀(C) 사이는, 돌출 유전체층(11A')에 의해 폐쇄됨으로써, 화상 형성을 위한 방전이 열방향으로 서로 인접하는 타 방전셀(C)로의 확산으로 인한 오방전이 방지되지만, 각 방전셀(C)은, 이 돌출 유전체층(11A')에 형성되어 있는 홈(11Aa)에 의해 각각 격벽(19)에 형성된 간극(SL)과 연통되어 있으며, 이 홈(11Aa)을 통해 간극(SL)으로부터 열방향으로 인접해 있는 방전셀(C)로 프라이밍 입자(pilot flame, 種火)가 도입됨으로써, 열방향에서의 상기 행방향에서와 같은 프라이밍 효과가 확보된다.
즉, 열전극(D)과 행전극(X 또는 Y) 사이에 리셋 조작시의 리셋 방전(전체 방전셀(C)에 일단 벽전하를 형성시키기 위한 방전)과, 어드레스 조작시의 선택 방전(리셋 방전에 의해 형성된 벽전하를 표시 화상 데이터에 따라 선택적으로 소거하는 방전)을 발생시키기 위한 구동 펄스(도 40의 리셋 조작시에 열전극(D)과 행전극(X 또는 Y)에 인가되는 리셋 펄스(RPx, RPy); 및 어드레스 조작시에 행전극(X 또는 Y)의 일방에 인가되는 주사 펄스(SP); 및 열전극(D)에 인가되는 표시 데이터펄스(DP1-n))가 인가될 때, 돌출 유전체층(11A)이 형성되어 있는 부분에는 열전극(D)과 행전극(X 또는 Y) 사이의 방전 거리가 짧아져 방전이 생기기 쉬워짐으로써, 간극(SL) 내에서 열전극(D)과 행전극(X 또는 Y) 사이에 방전이 발생한다.
이 간극(SL) 내에서의 방전에 의해 생긴 프라이밍 입자가 홈(11Aa)을 통해 열방향으로 인접해 있는 방전셀(C) 내로 확산됨으로써, 서로 인접하는 방전셀(C) 간에 방전을 유발하는 프라이밍 효과를 발생시킨다.
리셋 방전시에 방전 가스에 포함되는 크세논으로부터 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선이 홈(11Aa)를 통해 간극(SL) 내로 안내되고, 이 간극(SL) 내에 형성된 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료에 의한 프라이밍 입자 생성층(50)을 여기하여, 이 프라이밍 입자 생성층(50)으로부터 자외광 또는 가시광을 방사시켜고, 이 자외광 또는 가시광이 보호층(12, MgO층)을 여기하여 프라이밍 입자를 방출시킨다.
이 프라이밍 입자 생성층(50)을 형성하는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료에 유전체(MgO)와 동일한 정도 또는 유전체보다 일함수가 낮은 재료(일함수가 4.2V 이하인 재료)가 함유된 경우, 리셋 방전시에 방전 가스에 10% 이상 포함된 크세논으로부터 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선이, 홈(11Aa)을 통해 간극(SL) 내로 안내되어 프라이밍 입자 생성층(50)을 여기함으로써 자외광 또는 가시광을 방사시키고, 이 자외광 또는 가시광이 프라이밍 입자 생성층(50)에 함유되어 있는 높은 γ 재료와 보호층(12, MgO층)을 여기시켜 프라이밍 입자를 방출시킨다.
이렇게 하여, 간극(SL) 내의 프라이밍 입자 생성층(50)을 형성하는 자외역발광 재료 또는 가시역 발광 재료의 잔광 특성에 의해, 적어도 0.1msec 이상 동안 자외광 또는 가시광이 계속적으로 방사되기 때문에, 동시 리셋 기간(Rc) 다음에 이어지는 어드레스 기간(Wc, 도 40 참조)에서의 프라이밍 입자량이 충분히 확보된다.
이 제1 예에 있어서, 방전 가스로서 크세논 가스를 10% 이상 포함하는 혼합 희가스가 사용되며, 이 크세논 가스의 분압을 높임으로써 크세논으로부터 방사되는 진공 자외선량의 증가에 의해 발광 효율이 증대됨과 동시에 자외역 발광 재료를 함유한 프라이밍 입자 생성층(50)이 만들어지며, 이로 인해 크세논 가스의 분압의 상승에 동반하여 방전 전압이 높아짐으로써 선택 방전의 지연 시간의 증대가 억제된다.
위에서는 방전셀(C) 내의 방전 공간과 간극(SL) 내의 방전 공간을 연통하는 홈이 돌출 유전체층(11A')에 형성되어 있는 예에 대해 설명하였지만, 이 외에도 홈을 격벽의 횡벽부에 형성하여 방전셀(C) 내의 방전 공간과 간극(SL) 내의 방전 공간을 연통하도록 해도 좋다.
상기 예에서는 비표시 라인인 버스 전극(Xb, Yb) 사이에 끼인 영역에 흑색 또는 암갈색의 광흡수층(18A)이 설치되어 있으며, 버스 전극(Xb, Yb)의 표시면 측이 각각 흑색 도전층(Xb', Yb')으로 구성됨으로써, 비표시 라인에서의 외광의 반사가 방지되어 콘트라스트가 향상됨과 동시에, 간극(SL) 내에서의 열전극(D)과 행전극(X, Y) 간에 프라이밍을 위한 방전이 발생해도 그 광이 화상의 콘트라스트에 악영향을 끼칠 염려는 없다.
다음에 이 발명의 실시 형태의 제6 예를, 도 24 내지 도 29를 참조하여 설명한다.
도 24 내지 도 26은 제6 예에 따른 PDP에서의 격벽 구조를 도시한 것이며, 도 24는 이 예의 격벽의 정면도이며, 도 25A는 도 24의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 절단한 종단면도, 도 25B는 도 24의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 절단한 종단면도, 도 26은 도 24의 Ⅳ-Ⅳ 을 따라 절단한 횡단면도, 도 27은 이 예의 PDP를 모식적으로 도시한 정면도이며, 도 28은 도 27의 V7-V7 선을 따라 절단한 단면도, 도 29는 도 27의 V8-V8 선을 따라 절단한 단면도이다.
이 예의 격벽(60)은 등간격으로 서로 평행하게 배열된 종방향으로 뻗어 있는 복수의 종벽(60a)과, 이 각각의 종벽(60a) 상단 부분 및 하단 부분에 각각 수평 방향으로 걸쳐 있는 한 쌍의 횡벽(60b)에 의해 소위 사다리꼴로 형성되어 있다.
이 격벽(60)의 각 횡벽(60b)은, 그 종벽(60a)의 상단부 또는 하단부와 대향하는 부분(종벽(60a)과 횡벽(60b)의 연결 부분(60b1))의 폭(a)이 종벽(60a)의 폭과 동일하도록 형성되며, 종벽(60a)의 상단부 또는 하단부 사이에 각각 위치하는 부분(종벽(60a) 사이의 가교 부분(60b2))의 상하 방향의 폭(b)이 연결 부분(60b1)의 폭(a)보다 크도록 형성되어 있다.
또한 도 25A 및 25B, 도 26 중 도면 번호 14는 배면 유리 기판 위에 형성되는 유전체층이다.
이 격벽(60)은 유전체층(14) 위에 형성된 소요 두께의 유리 재료층이 소정의 패턴을 가지는 마스크를 통한 샌드블라스트(sandblast) 처리에 의해 절삭된 후, 패터닝된 유리 재료층이 소성(燒成)됨으로써 형성된다.
이 때, 각 횡벽(60b)은 그 형상이 연결 부분(60b1)의 폭(a)보다 가교 부분(60b2)의 폭(b)이 크게 형성되기 때문에, 이 가교 부분(60b2)에 의해 횡벽(60b)이, 종벽(60a)의 소성시의 수축으로 인해 생기는 인장력에 대해 내구성을 구비하게 되고, 이것에 의해 유전체층(14)에 의해 지지되는 측과 반대측의 단부가, 종벽(60a)의 소성시의 수축에 의한 인장력에 의해 인장되어 내측으로 기울어지는 것이 방지된다.
또한, 횡벽(60b)의 연결 부분(60b1)의 폭(a)이 종벽(60a)의 폭과 크기가 같도록 형성됨으로써, 소성시의 수축에 의해 종벽(60a)에 발생하는 인장 내부 응력이 완화되기 때문에, 종벽(60a)이 절단되는 것이 방지된다.
또한, 횡벽(60b)에서의 연결 부분(60b1)의 폭(a)과 가교 부분(60b2)의 폭(b)의 크기의 차이에 의해, 각 부분의 두께 방향에서의 수축에 차이가 생겨, 도 26에 도시된 바와 같이 횡벽(60b)의 연결 부분(60b1)의 두께가 폭이 큰 가교 부분(60b2)의 두께보다 작기 때문에, 연결 부분(60b1) 위에 가교 부분(60b2) 사이에 끼인 홈(60b3)이 각각 형성된다.
가교 부분(60b2)의 전면측(도 25A 및 25B, 26의 상방측)에 제5 예와 동일하게, 예를 들면 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료에 의한 프라이밍 입자 생성층(60b2', 프라이밍 입자 생성 부재)이 형성됨으로써, 이 가교 부분(60b2)의 연결 부분(60b1) 전면보다 전방측으로 돌출하는 부분이 프라이밍 입자 생성층(60b2')에 의해 구성된다.
이 프라이밍 입자 생성층(60b2')에는 후술하는 보호층(12)을 형성하는 유전체(MgO)와 2차 전자 방출 계수가 같거나 높은 2차 전자 방출 계수를 가지는(일함수가 낮은) 재료(높은 γ 재료), 즉 일함수가 4.2V 이하인 재료를 함유시켜도 좋다.
일함수가 낮은, 절연성을 가지는 재료의 예로는 제5 예에서 설명한 바와 같다.
이 격벽(60)의 횡벽(60b) 위에 형성되는 홈(60b3) 및 프라이밍 입자 생성층(60b2')에 의해, 이하의 설명과 같이 PDP의 열방향으로 배열된 방전셀(C) 간에 방전을 유발시키는 프라이밍 효과가 확보된다.
즉, 도 27 내지 도 29에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 격벽(60)은 제5 예의 PDP와 마찬가지로, 유전체층(14) 위에 각각 행방향으로 뻗어 있는 간극(SL')에 의해 서로 소정의 간격을 유지한 상태에서 열방향으로 배열되어 있으며, 이 사다리꼴의 각 격벽(60)에 의해, 전면 유리 기판(10)과 배면 유리 기판(13) 사이의 방전 공간(S)이 각 행전극쌍(X, Y)에서 쌍으로 된 투명 전극(Xa, Yb)에 대향하는 부분마다 방전셀(C)이 구획되어 있다.
도 27 내지 도 29의 PDP의 다른 부분의 구성은 제5 예의 PDP와 동일하며, 동일한 도면 번호가 붙어 있다.
이 PDP는 도 28에서 알 수 있듯이, 격벽(60)의 횡벽(60b)은 그 두께가 두꺼운 가교 부분(60b2)의 표시측 면(도 28에서 상측의 면)이, 돌출 유전체층(11A)을 피복하고 있는 보호층(12)에 접촉되어 있어 방전셀(C)과 간극(SL') 사이를 폐쇄시키고 있지만, 연결 부분(60b1)의 두께가 가교 부분(60b2)보다 얇음으로써, 도 29에서 알 수 있듯이, 이 연결 부분(60b1)의 표시측 면(도 29에서 상측의 면)은 돌출유전체층(11A)을 피복하고 있는 보호층(12)에 접촉되지 않음으로써, 이 연결 부분(60b1)의 표시측 면 위에 형성된 홈(60b3)을 통해 방전셀(C)이 각각 서로 인접하는 간극(SL')과 연통되어 있다.
이러한 구성에 의해 열전극(D)과 행전극(X 또는 Y)에 리셋 조작시의 리셋 방전과, 어드레스 조작시의 선택 방전을 발생시키기 위한 구동 펄스(리셋 조작시에 열전극(D)과 행전극(X 또는 Y)에 인가되는 리셋 펄스, 및 어드레스 조작시에 행전극(X 또는 Y)의 일방에 인가되는 주사 펄스(SP), 열전극(D)에 인가되는 표시 데이터 펄스)가 인가될 때, 돌출 유전체층(11A)이 형성되어 있는 부분에서는 열전극(D)과 행전극(X 또는 Y) 사이의 방전 거리가 짧아져, 방전이 생기기 쉽게됨으로써, 이 간극(SL') 내에서의 열전극(D)과 행전극(X 또는 Y) 사이에 방전이 발생하고, 이 방전에 의해 생긴 프라이밍 입자가 홈(60b3)을 통해 열방향으로 인접한 방전셀(C) 내로 확산됨으로써, 인접한 방전셀(C) 사이에 방전을 유발시키는 프라이밍 효과가 발생된다.
또한 리셋 방전시에 방전 가스에 10% 이상 포함되는 크세논으로부터 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선이, 가교 부분(60b2)에 형성된 프라이밍 입자 생성층(60b2')을 여기하고, 이 프라이밍 입자 생성층(60b2')으로부터 자외광 또는 가시광을 방사시키며, 이 자외광 또는 가시광이 보호층(12, MgO층)을 여기하여 2차 전자(프라이밍 입자)를 방출시킨다.
이 프라이밍 입자 생성층(60b2')을 형성하는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료에 유전체(MgO)보다 일함수가 낮은 재료(일함수가 4.2V 이하인 재료)가함유된 경우, 리셋 방전시에 방전 가스에 포함된 크세논으로부터 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선이, 홈(60b3)을 통해 간극(SL') 내로 안내되어, 프라이밍 입자 생성층(60b2')을 여기함으로써 자외광 또는 가시광을 방사시키고, 이 자외광 또는 가시광이 프라이밍 입자 생성층(60b2')에 함유되어 있는 높은 γ 재료와 보호층(12, MgO층)을 여기시켜 2차 전자(프라이밍 입자)를 방출시킨다.
이렇게 하여, 프라이밍 입자 생성층(60b2')을 형성하는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료의 잔광 특성에 의해, 적어도 0.1msec 이상 동안 자외광 또는 가시광이 계속적으로 방사되기 때문에, 동시 리셋 기간(Rc) 다음에 이어지는 어드레스 기간(Wc, 도 40 참조)에서의 프라이밍 입자량이 충분히 확보된다.
도 30 및 도 31은 제6 예에서, 프라이밍 입자 생성층(60b2')에 잔광 특성을 가지는 UV 형광체((Ba, Mg, Zn)3Si2O7:Pb2+(발광 파장:295nm))에 일함수가 낮은 재료(MgO)가 10 ~ 20 중량% 포함된 자외역 발광 재료를 함유시킨 경우의 프라이밍 효과를 도시한 그래프이다.
도 30은 동시 리셋 방전으로부터 선택 방전까지의 방전 휴지 시간과 방전 지연 시간의 관계를, 프라이밍 입자 생성층(60b2')을 형성한 경우와 형성하지 않은 경우를 비교한 데이터를 도시하고 있다.
도 30에서, 라인 α는 프라이밍 입자 생성층(60b2')이 형성되어 있는 경우를 도시하며, 라인 β는 프라이밍 입자 생성층(60b2')이 형성되어 있지 않은 경우를 도시하고 있다.
전술한 바와 같이, 어드레스 기간에는 라인 순서로 데이터의 읽혀지기 때문에, 최초에 주사 펄스에 의한 주사가 행해지는 표시 라인(L)에 비해, 최후에 주사가 행해지는 표시 라인(L)은, 동시 리셋 방전으로부터의 시간이 경과하고 있어 방전 지연 시간이 발생하기 때문에, 주사 펄스의 펄스 폭을 약 2 μsec, 주사 라인의 수를 약 400이라 하면 어드레스 기간 동안 전체 표시 라인을 주사하여 데이터를 읽는데는 약 1msec의 시간이 필요하다.
이것은 동시 리셋 방전으로부터 시간이 경과됨과 더불어 프라이밍 입자의 양이 감소해 가서 방전이 어려워지기 때문이며, 이로 인해 방전 확률의 악화와 더불어 주사 펄스 및 데이터 펄스의 인가로부터 방전이 생길 때까지의 방전 지연 시간이 증대한다.
도 30에서, 이와 같은 프라이밍 입자량의 감소에 따른 방전 확률의 악화와 방전 지연 시간의 증대가, 프라이밍 입자 생성층(60b2')이 형성되어 있는 경우인 라인 α와, 프라이밍 입자 생성층(60b2')이 설치되어 있지 않는 경우인 라인 β를 비교하면 현격히 개선되어 있는 것을 알 수 있다.
도 31은 주사 펄스의 폭과 그 전압치(스캔 전압)를, 프라이밍 입자 생성층(60b2')을 형성한 경우와 형성하지 않은 경우를 비교한 데이터를 도시한 것이다.
도 31에서, 라인 α1은 프라이밍 입자 생성층(60b2')가 형성되어 있는 경우의 방전 개시 전압(Vf, 직전에 방전이 없어 프라이밍 입자가 생성되어 있지 않을 때의 전압)을 도시하며, 라인 α2는 방전 유지 최소 전압(Vsm, 직전에 방전이 있어프라이밍 입자가 생성되어 있을 때의 전압)을 도시하고 있다.
또한 라인 β1은 프라이밍 입자 생성층(60b2')이 형성되어 있지 않은 경우의 방전 개시 전압(Vf)을 도시하며, 라인 β2는 방전 유지 최소 전압(Vsm)을 도시하고 있다.
도 31에서, 프라이밍 입자 생성층(60b2')이 형성됨으로써 주사 펄스의 폭을 작게 해도, 프라이밍 입자 생성층(60b2')을 형성하지 않은 경우에서 주사 펄스의 폭을 크게 한 것과 거의 동일한 어드레스 마진(ΔV, address margin; 방전 개시 전압(Vf, Vf')과 방전 유지 최소 전압(Vsm, Vsm')의 차)이 얻어지는 것을 알 수 있다.
또한 어드레스 마진이 커질수록 오방전이 줄어들어 고속 어드레스화가 가능해질 뿐만 아니라 표시 품질이 향상된다.
상기에서는, 방전 가스로서 크세논 가스를 10% 이상 포함하는 혼합 희가스가 사용되며, 이 크세논 가스의 분압을 높임으로써 크세논으로부터 방사되는 진공 자외선 양이 증가하여 발광 효율도 증대하지만, 크세논 가스의 분압이 높아짐에 따라 방전 전압이 상승되며, 이로 인해 방전 지연 시간도 길어지기 때문에, 자외역 발광 재료를 함유한 프라이밍 입자 생성층(60b2')을 형성함으로써, 크세논 가스를 10% 이상 포함한 방전 가스의 사용에 따라 방전 지연 시간이 길어지는 것을 억제할 수 있다.
제6 예에서는, 비표시 라인인 버스 전극(Xb, Yb)에 끼인 영역에 흑색 또는 암갈색의 차광층(18A)이 형성되어 있고, 또한 버스 전극(Xb, Yb)의 표시면 측이 각각 흑색 도전층(Xb', Yb')으로 구성되어 있음으로써, 외광의 반사가 방지되기 때문에 콘트라스트(contrast)가 향상됨과 동시에, 간극(SL') 내에서 열전극(D)과 행전극(X 또는 Y) 사이에 프라이밍을 위한 방전이 발생해도 그 광이 화상의 콘트라스트에 악영향을 끼칠 염려는 없다.
상기 PDP에서는, 도 29에서 알 수 있듯이, 종벽(60a)이 유전체층(11)의 돌출 유전체층(11A)이 형성되어 있지 않는 부분과 대향해 있어 보호층(12)과는 접촉되지 않음으로써, 그 사이에 형성되는 간극(r)에 의해 행방향으로 서로 인접하는 방전셀(C) 사이가 서로 연통되기 때문에, 이 간극(r)을 통해 프라이밍 입자가 행방향으로 확산됨으로써 행방향에서의 프라이밍 효과가 확보된다.
또한, 제6 예에서는, 가교 부분(60b2, 종벽보다 높은 횡벽 부분)의 전면측에 프라이밍 입자 생성층이 배치되어 있는 예를 도시하지만, 가교 부분(60b2) 사이에 끼인 홈(60b3) 내에 프라이밍 입자 생성층이 배치되어도 좋다.
도 32 및 33은 상기 제6 예의 PDP 격벽 구조의 다른 예를 도시하는 정면도이다.
도 32에서 격벽(61)은 그 PDP의 각 행마다 방전셀을 구획하는 각 벽부분(61A)이, 종벽(61Aa)과 수평 방향으로 걸쳐진 한 쌍의 횡벽(61Ab)에 의해 상기 예의 격벽(60)과 마찬가지로 각각 사다리꼴로 형성되어 있으며, 이 벽부분(61A)이 소요의 폭의 간극(SL1)을 사이에 두고 열방향으로 평행하게 배열되어 있다.
이 격벽(61)의 열방향으로 서로 인접하는 벽부분(61A)은, 그 종벽(61Aa)의 상단부 또는 하단부 사이에 위치하는 부분이 서로 연결됨으로써 일체적으로 형성되어 있으며, 이로 인해 이 가교 부분(61Ab2)의 폭(b')이 벽부분(61A)의 횡벽(61Ab)의 연결 부분(61Ab1, 종벽(61Aa)의 상단부 또는 하단부에 대향하는 부분)의 종벽(61Aa)과 동일하도록 설정된 폭(a)보다 크게 되어 있다.
따라서 이 격벽(61)은 상기 예의 격벽(60)과 마찬가지로, 각 벽부분(61A)의 가교 부분(61Ab2)에 의해, 횡벽(61Ab)이 종벽(61Aa) 소성시의 수축으로 인한 인장력에 대해 내구성을 가지므로, 횡벽(61Ab)이 종벽(61Aa)의 소성시의 수축에 의한 인장력에 의해 인정되어 변형되는 것이 방지되고, 또한 횡벽(61Ab) 연결 부분(61Ab1)의 폭(a)이 종벽(61Aa)의 폭과 동일한 크기가 되도록 성형됨으로써, 소성시의 수축에 의해 종벽(61Aa)에 발생하는 인장 내부 응력이 완화되며, 이에 따라 종벽(61Aa)의 절단이 방지된다.
또한, 이 횡벽(61Ab)에서 연결 부분(61Ab1) 폭(a)과 가교 부분(61Ab2) 폭(b')의 크기 차이에 의해, 각 부분의 두께 방향 수축에 차이가 발생하며, 횡벽(61Ab)의 연결 부분(61Ab1)의 두께가 폭이 큰 가교 부분(61Ab2)의 두께보다 작게 되어 도 33에 도시된 바와 같이, 연결 부분(61Ab1) 위에는 가교 부분(61Ab2) 사이에 끼인 홈(61Ab3)이 각각 형성되기 때문에, 상기 예의 격벽(60)의 경우와 마찬가지로 이 격벽(61)이 PDP를 구성한 때에, 간극(SL1) 내에서의 방전에 의해 생긴 프라이밍 입자가 홈(61Ab3)을 통해 열방향으로 인접해 있는 방전셀(C) 내로 확산됨으로써, 서로 인접하는 방전셀(C) 사이에 방전을 유발시키는 프라이밍 효과가 발생한다.
이 격벽(61)도 상기 예(60)와 마찬가지로, 가교 부분(61Ab2)의 연결 부분(61Ab1)보다 전방측(도 33의 상방측)으로 돌출해 있는 부분이, 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료에 의한 프라이밍 입자 생성층(61Ab2', 프라이밍 입자 생성 부재)으로 구성됨으로써, 리셋 방전시에 방전 가스에 포함되는 크세논으로부터 방사되는 파장 147nm의 진공 자외선이, 프라이밍 입자 생성층(61Ab2')을 여기함으로써 자외광 또는 가시광을 방사시키고, 이 자외광 또는 가시광이 보호층(MgO층)을 여기하며, 또한 프라이밍 입자 생성층(61Ab2')에 높은 γ 재료가 함유되어 있는 경우에는 이 높은 γ 재료도 여기하여 프라이밍 입자를 방출시킨다.
전술한 바와 같이, 프라이밍 입자 생성층(61Ab2')을 형성하는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료의 잔광 특성에 의해, 적어도 0.1msec 이상 동안, 자외광 또는 가시광이 계속적으로 방사되기 때문에, 동시 리셋 기간(Rc)의 다음에 이어지는 어드레스 기간(Wc, 도 40 참조)에서의 프라이밍 입자량이 충분히 확보된다.
이어서, 본 발명의 실시 형태의 제7 예를 도 34 내지 도 36을 참조하여 설명한다.
도 34는 제7 예의 PDP를 모식적으로 도시한 정면도이며, 도 35는 도 34의 V9-V9 선에 따라 절단한 단면도, 도 36은 도 34의 W9-W9 선에 따라 절단한 단면도이다.
이 도 34 내지 도 36에 도시된 PDP는 상기 제6 예의 격벽이 종벽과 횡벽에 의해 방전셀의 사방을 에워싸서 구획하는 구성임에 비해, 전면 유리 기판(10)과 배면 유리 기판(13) 사이의 방전 공간(S')이 전술한 제2 예와 마찬가지로, 열방향으로 뻗어 있는 스트라이프 형상의 격벽(21)으로 구획되는 것이다.
열방향으로 서로 인접하는 행전극쌍(X1, Y1)의 등을 맞대어 위치하는 행전극(X1, Y1)에 대향하는 유전체층(71)의 뒷면 쪽에 돌출 유전체층(71A)이 형성되어 있다.
행전극(X1, Y1)의 버스 전극(X1b, Y1b)은 각각 표시면 측의 흑색 도전층과 배면 기판측의 주도전층의 2층 구조로 형성되어 있음과 동시에, 전면 유리 기판(10)의 뒷면에, 열방향으로 서로 인접하는 각각의 행전극쌍(X1, Y1)의 서로 등을 맞대고 있는 버스 전극(X1b, Y1b) 사이에, 이 버스 전극(X1b, Y1b)에 따라 행방향으로 뻗어 있는 흑색의 광흡수층(28A, 차단층)이 형성되어 있다.
또한, 돌출 유전체층(71A)을 피복하는 보호층(72)의 뒷면 쪽에, 전술한 각 예와 동일한 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료에 의한 프라이밍 입자 생성층(77, 프라이밍 입자 생성 부재)이 형성되어 있다.
이것에 의해, 화상이 형성되는 리셋 방전시에, 방전 가스 속의 크세논으로부터 방사되는 진공 자외선에 의해, 보호층(72)의 뒷면 쪽에 형성된 자외역 발광층(77)이 여기되어 자외광 또는 가시광을 방사한다.
이 자외광 또는 가시광이 보호층(72)을 여기하여, 1 서브필드에서의 어드레스 기간 동안 프라이밍 입자를 발광셀의 방전 공간 내로 계속적으로 재생성함으로써, 각 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제되며, 이것에 의해 다음의 어드레스 기간에서의 방전 지연 시간의 증가가 억제되며, 또한 방전 지연 불균일의 발생도 억제된다.
또한 이 제7 예에서의 PDP는 열방향으로는 각 방전셀을 구획하는 격벽이 존재하지만, 각각의 행전극(X1, Y1)의 투명 전극(X1a, Y1a)이 버스 전극(X1b, Y1b)으로부터 열방향으로 돌출하여 서로 대향하도록 형성되어 있기 때문에, 열방향으로서로 인접하는 방전셀 사이의 방전의 간섭이 억제된다.
이어서 본 발명의 실시 형태에서의 제8 예를, 도 37 내지 도 39를 참조하여 설명한다.
도 37은 제8 예에서 PDP를 모시적으로 도시한 정면도이며, 도 38은 도 37의 V10-V10 선을 따라 절단한 단면도, 도 39는 도 37의 W10-W10 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 37 내지 도 39에 도시된 PDP는 상기 제7 예의 프라이밍 입자 생성층(77)이 보호층(72) 위의 돌출 유전체층(71A)에 대향하는 부분에 형성되어 있음에 비해, 프라이밍 입자 생성층(87, 프라이밍 입자 생성 부재)이 전면 유리 기판(10)과 배면 유리 기판(13) 사이의 방전 공간(S')을 구획하는 열방향으로 뻗어 있는 스트라이프 형상(21)의 격벽(21)의 전면측에 형성되어 있다.
다른 부분의 구성은 상기 제7 예의 PDP와 동일하며, 동일한 부호가 붙어 있다.
이 예의 PDP도 화상이 형성되는 리셋 방전시에 방전 가스 중의 크세논으로부터 방사되는 진공 자외선에 의해, 격벽(21) 위에 형성된 프라이밍 입자 생성층(87)이 여기되어 자외광을 방사한다.
이 자외광이 1 서브필드에서의 어드레스 기간 동안 프라이밍 입자를 발광셀의 방전 공간 내로 계속적으로 재생성함으로써, 각 발광셀에서의 프라이밍 입자량의 감소가 억제되며, 이것에 의해 다음의 어드레스 기간에서의 방전 지연 시간의 증가가 억제되며, 또한 방전 지연 불균일의 발생도 억제된다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 의하면 오방전을 방지하여 표시되는 화상의 품질을 향상시킬 수 있는 플라스마 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.

Claims (51)

  1. 방전 공간을 사이에 두고 전면 기판과 배면 기판이 대향하며, 행방향으로 뻗고 열방향으로 배열되어 각각 표시 라인을 이루는 복수의 행전극쌍이 상기 전면 기판에 설치되고, 상기 전면 기판의 방전 공간을 향하는 쪽에 보호 유전체층이 형성되어 있으며, 열방향으로 뻗고 행방향으로 배열되어 상기 행전극쌍과의 각 교차점에 위치한 상기 방전 공간에 각각 단위 발광 영역을 이루는 복수의 열전극이 상기 배면 기판이 설치되고, 상기 배면 기판의 상기 방전 공간을 향하는 쪽에 형광체층이 형성되어 있는 플라스마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 전면 기판과 상기 배면 기판 사이의 상기 각 단위 발광 영역을 향하는 위치에 배치되고, 자외선에 의해 여기되어 자외광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 자외역 발광재, 자외선에 의해 여기되어 가시광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 가시역 발광재 및 상기 보호 유전체층보다도 2차 전자방출 계수가 높은 2차전자 방출재 중 적어도 하나를 포함하는 프라이밍 입자 생성 부재를 포함하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 소정의 파장을 가지는 자외선에 의해 여기되어 자외광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 형광체로 이루어진 자외역 발광층을 포함하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 자외역 발광층을 이루는 자외역 발광 형광체가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 발광 재료인
    플라스마 디스플레이 패널.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 자외역 발광층이 상기 행전극쌍과 대향하는 위치에서 행방향으로 뻗도록 형성되어, 열방향으로 서로 인접하는 상기 단위 발광 영역의 상기 방전 공간을 향하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 자외역 발광층이 행방향으로 서로 인접하는 상기 단위 발광 영역 사이의 위치에 열방향으로 뻗도록 형성되어, 행방향으로 서로 인접하는 상기 단위 발광 영역의 상기 방전 공간을 향하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 전면 기판의 행방향 또는 열방향으로 서로 인접하는 상기 단위 발광 영역 사이의 비발광 영역에 대향하는 부분에, 상기 자외역 발광층에 대해 상기 배면 기판과 반대 쪽 위치에 형성된 광흡수층을 더 포함하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  7. 제2항에 있어서,
    행방향으로 뻗어 있는 횡벽부와 열방향으로 뻗어 있는 종벽부를 포함하고 상기 전면 기판과 상기 배면 기판 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되며, 상기 자외역 발광층이 상기 전면 기판과 상기 격벽의 횡벽부 사이에 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  8. 제2항에 있어서,
    행방향으로 뻗어 있는 횡벽부와 열방향으로 뻗어 있는 종벽부로 이루어지고, 상기 전면 기판과 배면 기판 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되며, 상기 자외역 발광층가 전면 기판과 격벽의 종벽부 사이에 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 전면 기판과 배면 기판 사이에 배치된 열방향으로 뻗어 있는 스트라이프(stripe) 형상의 격벽에 의해 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역이 구획되며, 상기 행전극쌍의 각 행전극이 행방향으로 뻗어 있는 본체부와 상기 본체부로부터 단위 발광 영역마다 열방향으로 돌출하는 돌출부로 이루어지고, 상기 자외역 발광층이 행전극의 본체부와 대향하는 위치에서 행방향으로 뻗도록 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 소정의 파장을 가지는 자외선에 의해 여기되어, 가시광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 가시역 발광 형광체로 형성된 가시역 발광층으로 구성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료로 형성된 2차 전자 방출층으로 구성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 상기 형광체층에 함유됨으로써, 상기 2차 전자 방출층이 형광체층과 일체적으로 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 전면 기판과 배면 기판 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되며, 상기 2차 전자 방출층이 격벽의 측벽면에 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 전면 기판과 배면 기판 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되고, 격벽에 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 함유됨으로써 상기 2차 전자 방출층이 격벽과 일체적으로 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출층이 상기 배면 기판과 형광체층 사이에 배치되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 배면 기판과 형광체층 사이에 열전극을 피복하는 유전체층이 형성되며, 이 유전체층에 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 함유됨으로써, 상기 2차 전자 방출층이 유전체층과 일체적으로 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 2차 전자 방출 계수가 높은 재료로 형성된 2차 전자 방출층과, 소정의 파장을 가지는 자외선에 의해 여기되어 자외광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 형광체로 형성된 자외역 발광층 또는 소정의 파장을 가지는 자외선에 의해 여기되어 가시광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 가시역 발광 형광체로 형성된 가시역 발광층으로 구성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 계수가 높은 재료가 상기 자외역 발광층 또는 상기 가시역 발광층에 함유됨으로써, 상기 2차 전자 방출층이 자외역 발광층 또는 상기 가시역 발광층과 일체적으로 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 자외역 발광 형광체가 상기 형광체층에 함유됨으로써, 상기 자외역 발광층이 상기 형광체층과 일체적으로 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 계수가 높은 재료 및 상기 자외역 발광 형광체가 상기 형광체층에 함유됨으로써, 상기 2차 전자 방출층 및 상기 자외역 발광층이 상기 형광체층과 일체적으로 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  21. 제17항 내지 제20항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 자외역 발광층을 형성하는 상기 자외역 발광 형광체 또는 상기 가시역 발광층을 형성하는 상기 가시역 발광 형광체가, 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 발광 재료인
    플라스마 디스플레이 패널.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 행전극쌍과 대향하는 위치에서 행방향으로 뻗도록 형성되어 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간을 향하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이의 위치에 열방향으로 뻗도록 형성되어 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간을 향하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  24. 제1항에 있어서,
    행방향으로 뻗어 있는 횡벽부와 열방향으로 뻗어 있는 종벽부로 이루어지며, 상기 전면 기판과 배면 기판 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되고, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 전면 기판과 격벽의 횡벽부 사이에 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  25. 제1항에 있어서,
    행방향으로 뻗어 있는 횡벽부와 열방향으로 뻗어 있는 종벽부로 이루어지며, 상기 전면 기판과 상기 배면 기판 사이에 배치된 격벽에 의해 방전 공간이 단위 발광 영역마다 구획되고, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 전면 기판과 상기 격벽의 종벽부 사이에 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  26. 제1항에 있어서,
    상기 전면 기판과 상기 배면 기판 사이에 배치된 열방향으로 뻗어 있는 스트라이프 형상의 격벽에 의해 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역이 구획되며, 상기 프라이밍 입자 생성 부재가 행전극의 본체부와 대향하는 위치에서 행방향으로 뻗도록 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  27. 제17항에 있어서,
    상기 전면 기판의 행방향 또는 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이의 비발광 영역에 대향하는 부분에, 상기 자외역 발광층 또는 상기 가시역 발광층에 대해 배면 기판과 반대측 위치에 광흡수층이 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  28. 전면 기판의 뒷면 쪽에 행방향으로 뻗고 열방향으로 배열되어 각각 표시 라인을 형성하는 복수의 행전극쌍과 상기 행전극쌍을 피복하는 유전체층과 상기 유전체층을 피복하는 보호 유전체층이 형성되며, 배면 기판의 전면 기판과 방전 공간을 통해 대향하는 쪽에, 열방향으로 뻗고 행방향으로 배열되어 행전극쌍과 교차하는 위치에서 각각 방전 공간에 단위 발광 영역을 구성하는 복수의 열전극이 설치된 플라스마 디스플레이 패널에 있어서,
    열방향 또는 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이에 자외선에 의해 여기되어 자외광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 자외역 발광재, 자외선에 의해 여기되어 가시광을 계속적으로 방사하는 잔광 특성을 가지는 가시역 발광재 및 상기 보호 유전체층보다도 2차 전자 방출 계수가 높은 2차 전자 방출재 중 적어도 하나를 포함하는 방전 공간과 접촉하는 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는 것을 특징으로 하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수가 낮은 재료를 포함하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  31. 제28항에 있어서,
    상기 전면 기판과 상기 배면 기판 사이에 배치되어 열방향으로 뻗어 있는 종벽부와 행방향으로 뻗어 있는 횡벽부에 의해 상기 방전 공간을 상기 단위 발광 영역마다 행방향과 열방향으로 구획하는 격벽을 구비하며,
    열방향으로 서로 인접하는 상기 단위 발광 영역 사이의 횡벽부가 행방향과 평행한 간극에 의해 분리되어 있으며,
    상기 간극 내부와 열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 방전 공간 내부가 연통부에 의해 서로 연통되며,
    상기 간극 내에 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되어 있는
    플라스마 디스플레이 패널.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 격벽의 횡벽부 및 간극에 대향하는 유전체층 부분에, 횡벽부측으로 돌출하는 돌출부가 형성되어 있는
    플라스마 디스플레이 패널.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 돌출부에 상기 연통부가 설치되는 플라스마 디스플레이 패널.
  34. 제31항에 있어서,
    상기 연통부가 격벽의 횡벽부에 형성되는 플라스마 디스플레이 패널.
  35. 제28항에 있어서,
    상기 유전체층의 상기 간극에 대향하는 부분에 광흡수층이 설치되는 플라스마 디스플레이 패널.
  36. 제31항에 있어서,
    상기 격벽의 횡벽부의 상기 전면 기판측이 부분적으로 종벽부의 높이보다 높게 되어 있어, 이 횡벽부의 종벽부 높이보다 높은 부분 사이에 홈이 형성되어 상기 연통부가 구성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 횡벽부의 종벽부 높이보다 높게 되어 있는 부분의, 적어도 상기 홈에 접촉하는 부분에 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  38. 제37항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수가 낮은 재료를 포함하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  40. 제28항에 있어서,
    열방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역의 경계 부분과 대향하는 상기 유전체층 부분에 방전 공간 내로 돌출하는 돌출부가 설치되고, 상기 돌출부의 방전 공간에 접촉하는 부분에 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  41. 제40항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재에 대향하는 유전체층 부분에 광흡수층이 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  42. 제28항에 있어서,
    상기 전면 기판과 상기 배면 기판 사이에 배치되어 적어도 행방향으로 서로 인접하는 단위 발광 영역 사이를 구획하는 격벽을 구비하며, 상기 격벽의 전면 기판과 대향하는 전면측에, 방전 공간을 향하는 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  43. 제40항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  44. 제43항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수 낮은 재료를 포함하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  45. 제31항에 있어서,
    상기 격벽의 횡벽부의 상기 전면 기판측이 부분적으로 종벽부의 높이보다 높아져 있고, 이 횡벽부의 종벽부 높이보다 높은 부분 사이에 홈이 형성되고, 이 홈 내에 프라이밍 입자 생성 부재가 배치되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  46. 제45항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  47. 제46항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 상기 보호 유전체층을 형성하는 유전체보다 일함수가 낮은 재료를 포함하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  48. 제28항에 있어서,
    상기 방전 공간에 봉입되는 방전 가스가 크세논 가스를 10% 이상 포함하는 혼합 희가스로 이루어지는
    플라스마 디스플레이 패널.
  49. 제29항, 제38항, 제43항 및 제46항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 일함수가 4.2eV 이하인 재료를 포함하는
    플라스마 디스플레이 패널.
  50. 제42항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 0.1msec 이상의 잔광 특성을 가지는 자외역 발광 재료 또는 가시역 발광 재료로 형성되는
    플라스마 디스플레이 패널.
  51. 제50항에 있어서,
    상기 프라이밍 입자 생성 부재가 일함수가 4.2eV 이하인 재료를 포함하는
    플라스마 디스플레이 패널.
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