KR100387407B1

KR100387407B1 - 현상처리방법 및 액처리방법

Info

Publication number: KR100387407B1
Application number: KR1019970039183A
Authority: KR
Inventors: 구니에 오가타
Original assignee: 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 1996-08-20
Filing date: 1997-08-18
Publication date: 2003-10-04
Also published as: SG65673A1; JP3227595B2; TW350980B; US5845170A; KR19980018735A; JPH1064802A

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야

반도체 웨이퍼와 같은 기판을 스핀 회전시키면서 현상액을 비산시켜 포토레지스트를 현상하는 방법에 관한 것이다.

2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제

현상액의 소비량을 저감시킬 수 있으며, 현상처리시간을 단축시킬 수 있는 현상처리방법을 제공한다.

3. 발명의 해결방법의 요지

기판에 도포된 포토 레지스트를 현상액으로 현상하는 현상처리방법은,

(a) 레지스트 도포면이 위로 되도록 기판을 실질적으로 수평으로 유지하고,

(b) 제 1 회전속도(N1)로 기판의 회전을 개시하고, 기판의 회전중에, 현상액이 기판에 묻지 않도록 떨어진 위치에서 노즐로부터 현상액의 토출을 개시하며, 그대로 현상액의 토출을 계속하면서 노즐을 기판을 따라 이동시키는 스캔 이동을 개시하고,

(c) 이 노즐의 스캔 이동중에 기판의 회전을 감속시키는 제 1 감속을 개시하며,

(d) 이 제 1 감속중에서, 기판의 회전속도가 제 2 회전속도(N2)에 도달할 때에, 노즐을 기판의 중앙영역의 바로 위에서 정지시키고,

(e) 기판의 회전속도가 제 3 회전속도(N3)에 도달하였을 때 제 1 감속을 종료하고,

(f) 제 3 회전속도(N3)로 기판을 회전시킨 후에, 또 기판의 회전을 제 3 회전속도(N3)에서 제 4 회전속도(N4)까지 감속시키는 제 2 감속을 개시하고, 기판의 회전속도가 제 4 회전속도(N4)에 도달하였을 때 제 2 감속을 종료하며, 제 4 회전속도(N4)로 기판을 회전시키면서 현상액을 기판상에 연속적으로 공급함으로써 기판상에 실질적으로 일정한 두께의 현상액의 액막을 형성하여, 이것에 의해 기판에 도포된 레지스트를 현상한다.

4. 발명의 중요한 용도

기판에 현상액을 비산시켜 포토 레지스트를 현상하는 데 이용한다.

Description

현상처리방법 및 액처리방법

본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 스핀 회전시키면서 현상액을 비산시켜 포토레지스트를 현상하는 현상처리방법 및 액처리방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스 제조의 포토리소크라피 프로세스에서는, 반도체 웨이퍼의 표면에 포토레지스트를 도포하고, 도포레지스트를 패턴노광하며, 패턴노광 레지스트를 현상한다. 현상공정에서는 스핀 회전중인 웨이퍼에 노즐로부터 현상액을 연속하여 공급하고, 현상액의 공급량과 자연낙하량을 균형있게 하여 웨이퍼(W)상에 거의 일정한 두께의 현상액(2)의 액막(液膜)을 형성한다.

미국 특허등록번호 5,625,433 호에 기재된 현상처리방법에서는, 제 1 도에 나타낸 바와같이, 노즐(70)을 홈위치(대기위치)(P0)에서 제 1 위치(P1)로 이동시켜, 드레인컵 내에 현상액(2)을 더미 디스펜스하고, 또한 노즐(70)로부터 현상액(2)을 토출(吐出)시키면서 제 1 위치(P1)에서 제 2 위치(P2)까지 스캔 이동시키고, 고속 회전중인 웨이퍼(W)에 현상액(2)을 공급한다. 또 노즐(70)이 제 2 위치(P2)에 도착하면 웨이퍼(W)의 스핀 회전을 감속시키고, 웨이퍼(W)상에 대략 일정한 두께의 현상액(2)의 액막을 형성한다. 이 감속시에 있어서의 가속도가 커지게 되면, 웨이퍼(W)상의 형성에 의해 반동력(구심력)이 작용하여, 제 1 도에서 나타낸 바와 같이 현상액(2)이 웨이퍼(W)의 중앙영역으로 몰리는 소위 풀백현상이 발생하여 현상결함이 발생하기 쉽다.

그런데, 이러한 풀백현상을 방지하기 위하여, 웨이퍼의 회전속도를 고속도에서 중속도로 일단 감속시키고, 또 중속도에서 저속도로 감속시키고 있다. 그러나, 이러한 단계적인 웨이퍼 회전속도의 감속을 이용하면 연속 공급되고 있는 현상액의 소비량이 증대하여 코스트가 높아진다. 또한 현상처리에 요구되는 시간이 길어지고 전체적으로 효율이 떨어지게 된다.

본 발명의 목적은 현상액의 소비량을 저감시킬 수 있으며, 현상처리시간을 단축시킬 수 있는 현상처리방법을 제공하는 데 있다.

제 12 도는 가로축을 웨이퍼 회전수(rpm)로 하고, 세로축을 현상결함수(개구불량갯수)로 하여, 노즐의 스캔 이동속도를 40∼150rpm의 범위내에서 임의로 변경하고 양자의 상관에 미치는 영향에 대하여 조사한 결과를 나타낸 특성선도이다. 도면에서 곡선(E,F,G,H)은 노즐의 스캔 이동속도 조건을 각각 40mm/sec, 60mm/sec, 100mm/sec, 150mm/sec으로 하였을 때의 결과를 나타낸다. 도면에서 알 수 있듯이 현상결함은 웨이퍼 회전속도가 500rpm 이상 1000rpm 이하의 범위에서 매우 작아진다는 것이 판명되었다. 또한 웨이퍼 회전속도가 300rpm 이상 500rpm미만의 범위에서 현상결함은 허용할 수 있을 정도로 매우 작다는 것이 판명되었다. 그리고 300rpm미만의 저속 회전영역 및 1000rpm을 초과하는 고속 회전영역에서는 무시할 수 없을 정도로 현상결함이 증대한다는 것이 판명되었다.

또 현상결함수가 최소로 되는 웨이퍼 회전수는 1000rpm부근이라는 결과를 얻었다.

제 13 도는 가로축을 프리웨이트 시간(초)로 하고, 세로축을 현상결함수(개구 불량갯수)로 하여, 노즐의 스캔 이동속도를 60rpm 및 150rpm으로 하였을 때의 양자의 상관에 미치는 영향에 대하여 조사한 결과를 나타낸 특성선도이다. 이 도면에서 곡선(J)은 노즐의 스캔 이동속도가 40mm/초일 때의 결과를, 곡선(K)은 노즐의 스캔 이동속도가 100mm/초일 때의 결과를 나타낸다. 도면에서 알 수 있는 바와 같이 각 스캔 이동속도에서의 현상결함수에 차이가 있음을 볼 수 없었다.

상기의 결과에서 다음과 같은 점을 짐작할 수 있다. 제 11A 도 및 제 11B 도에 나타낸 바와 같이 노즐(70)이 바깥쪽의 제 1 위치(P1)에서 웨이퍼(W)의 위쪽으로 스캔 이동하는 동안에, 현상액(2)으로 도포되는 영역과 도포되지 않은 영역이혼재(混在)하는데, 이때 웨이퍼 회전의 감속을 행하여도 그 감속치가 상술한 300∼500rpm의 회전속도 영역의 범위내에 머물러 있는한, 현상결함이 적은 양호한 현상처리가 가능하다. 그리고 제 11C 도에서와 같이 노즐(70)이 제 2 위치(P2)에 도착한 후에도 계속하여 웨이퍼의 회전이 속행되고, 신속히 고속회전에서 중속회전으로 이행한다.

본 발명자는 상기한 지식에 의거하여 본 발명을 완성하였다. 즉 노즐 이동의 전반에 있어서는 웨이퍼(W)의 회전속도를 고속의 제 1 회전속도(N1)인 1000rpm으로 유지하지만, 노즐이동의 후반에 있어서는 웨이퍼 상면의 면적의 약 60%를 프리웨이트 한 시점(약 0.5초후)에서 감속을 개시한다. 단 그 감속의 하한치는 제 2 위치(P2)(1.0초후)에 있어서, 현상결함이 적은 제 2 회전속도(N2)의 범위 300rpm∼500rpm으로 안정되도록 한다. 제 10 도의 특성선(A)으로 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는 노즐(70)이 위치(PX)에 있을 때 웨이퍼(W)의 회전속도는 500rpm으로 되도록 제어된다. 한편 제 10 도의 특성선(B)으로 나타낸 바와 같이, 종래방법을 사용한 비교예에서는 노즐(70)이 제 2 위치(P2)에 도착할 때까지 1000rpm의 회전속도를 그대로 유지한다.

여기에서 중요한 것은, 고속의 제 1 회전속도(N1)에서 중간의 제 2 회전속도(N2)로 감속할 때의 가속도 크기이다. 이때의 가속도가 커지게 되면 웨이퍼(W)상의 현상액(2)에 걸리는 구심력(반동)이 지나치게 커져, 현상액이 웨이퍼의 중심부로 모이는 풀백현상이 발생할 염려가 있다. 풀백이 발생하면 웨이퍼 중앙 영역에서 현상액(2)의 액층에 기포가 생기게 되어 현상결함이 발생하기 쉬워진다. 한편 감속시의 가속도가 작아지면 감속 소요시간이 길어져 현상액의 토출시간이 길어지고, 현상액의 소비량이 증대한다.

이 문제에 대하여 본 발명자는 실험을 거듭하여 예의 검토한 결과, 이 감속의 가속도값을 고속의 제 1 회전속도에 대응한 값으로 선택하면, 예를 들어 제 1 회전속도가 1000rpm인 경우는 1000rpm/초 부근으로 선택하면 가장 짧은 감속시간에 풀백 내지 현상결함을 효과적으로 방지할 수 있다는 것을 확실히 알아내었다. 제 10 도에서와 같이 감속시의 가속도를 1000rpm/초 부근으로 선택하고, 그 감속곡선(A)에서 공정(S5)의 개시로부터 1초경과 후에 웨이퍼 회전속도가 정속도 500rpm으로 되도록 감속의 개시시간[스캔 이동중의 노즐위치(PX)]을 결정하고 있다.

제 1 도는, 종래의 현상처리방법을 이용한 경우의 현상액의 상태를 나타낸 모식도,

제 2 도는 본 발명의 실시형태에 따른 현상처리방법에 이용되는 레지스트 도포현상 처리시스템의 전체 개요를 나타낸 평면도,

제 3 도는 도포현상 처리시스템을 나타낸 정면도,

제 4 도는 도포현상 처리시스템을 나타낸 배면도,

제 5 도는 본 발명의 실시형태에 따른 현상처리방법에 이용되는 장치의 일부를 절취하여 나타낸 블록 단면도,

제 6A 도는 현상액이 토출을 개시할 때의 노즐과 웨이퍼의 위치관계를 나타낸 평면도,

제 6B 도는 스캔 이동 종료시에 있어서의 노즐과 웨이퍼의 위치관계를 나타낸 평면도,

제 7 도는 현상액 공급용 노즐을 나타낸 종단면도,

제 8 도는 본 발명의 실시형태에 따른 현상처리방법을 나타낸 플로우챠트,

제 9A 도 ∼ 제 9F 도는 일련의 현상처리공정을 설명하기 위한 각각 현상 장치를 옆쪽에서 본 종단면도,

제 10 도는 본 발명의 실시형태에 따른 현상처리방법을 설명하기 위한 타이밍챠트,

제 11A 도 ∼ 제 11C 도는 현상처리방법의 공정마다 각각 노즐 및 웨이퍼의 상태를 모식적으로 나타낸 평면 모식도,

제 12 도는 노즐의 스캔 이동속도마다 웨이퍼의 스핀 회전수와 현상결함수의 상관을 조사한 결과를 나타낸 특성선도,

제 13 도는 프리웨이트 시간과 현상결함수의 상관을 조사한 결과를 나타낸 특성선도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

2 : 현상액 8:컵

10 : 카세트 스테이션 12 : 프로세스 스테이션

14 : 인터페이스부 20 : 카세트 재치대

22 : 로보트 24 : 주 웨이퍼 반송기구

26 : 로보트 28 : 노광장치

60 : 스핀척 62 :모터

64 : 내측벽면 65 : 버퍼실

66 : 링부재 67 : 간극

68 : 상자체 69 : 드레인 통로

70 : 노즐 72 : 수직지지봉

74 : 조인트부재 76 : 수평아암

80 : 토출구멍 82 : 노즐 하단부

84 : 온도조절부 86,88 : 배관접속부

86a,88a : 온도조절수 포트 86b,88b : 현상액 포트

90,92 : 한쌍의 이중관 90a, 92a : 안쪽관

90b,92b: 바깥쪽관 94,96,98 : 제 2 계통의 통로

100,102,104 : 제 1 계통의 통로 106 : 정류판

108 : 액저장부 140 : 구동기구

142 : 벨트 144 : 블록

146,148 : 풀리 150 : 모터

160 : 가스공급원 165 : 현상액 공급원

180 : 콘트롤러

본 발명에 따른 현상처리방법은, 기판에 도포된 포토 레지스트를 현상액으로 현상하는 현상처리방법으로서,

(a) 레지스트도포면이 위로 되도록 기판을 실직적으로 수평으로 유지하고,

(b) 제 1 회전속도(N1)로 기판의 회전을 개시하고, 기판의 회전중에 현상액이 기판에 묻지 않도록 떨어진 위치에서 노즐로부터 현상액의 토출을 개시하며 그대로 현상액의 토출을 계속하면서 노즐을 기판을 따라 이동시키는 스캔 이동을 개시하고,

(d) 이 제 1 감속중에 기판의 회전속도가 제 2 회전속도(N2)에 도달할 때에 노즐을 기판의 중앙영역의 바로 위에서 정지시키고,

그리고, 제 2 회전속도(N2)는 300rpm 이상 500rpm 이하의 범위로 하는 것이 바람직하고, 500 ± 5rpm으로 하는 것이 더욱 바람직하다.

또, 제 3 회전속도(N3)는 100 ± 5rpm의 범위로 하는 것이 바람직하고, 제 4 회전속도(N4)는 30 ± 2rpm으로 하는 것이 바람직하다.

또, 제 1 감속의 가속도는 매초 1000 ± 1000rpm의 범위로 하는 것이 바람직하다.

또, 기판의 회전이 제 2 회전속도(N2)에 도달하였을 때 기판의 레지스트 도포면의 60∼80%의 면적이 현상액과 접촉하고 있는 것이 바람직하다.

또, 노즐에서 기판상으로 현상액의 공급을 개시하여 제 1 감속을 개시할 때까지의 프리웨이트 시간은 0.3∼0.5초간의 범위로 설정하는 것이 바람직하다.

또, 노즐의 스캔 이동시간은 0.8∼1.0초간의 범위로 설정하는 것이 바람직하다.

또, 노즐의 스캔 이동속도는 60∼100rpm/초간의 범위로 설정하는 것이 바람직하다.

또, 제 1 감속에 요구되는 소요시간은 0.9초간으로 설정하는 것이 바람직하다.

그리고, 제 4 회전속도(N4)에서의 처리시간을 2.5초간으로 설정하는 것이 바람직하다.

또한 본 발명의 액처리방법은,

(A) 제 1 회전속도로 회전하는 피처리기판의 바깥쪽 위치에서 노즐로부터 처리액을 모의(模擬)토출시켜 이 노즐의 액통로내에 체류하는 처리액을 폐기하고, 이 노즐을 이동시켜 이 노즐로부터 피처리기판의 제 1 부위를 향하여 처리액을 토출공급하는 공정과,

(B) 상기 제 1 회전속도보다 작은 제 2 회전속도로 피처리기판을 회전시킴과 동시에, 상기 노즐을 이동시켜 상기 제 1 부위보다도 더 피처리기판의 회전 중심에 가까운 제 2 부위를 향하여 이 노즐로부터 처리액을 토출공급하는 공정을 구비한다.

그리고, 상기 공정 (B)의 후에, 상기 제 2 회전속도보다 작은 제 3 회전 속도로 피처리기판을 회전시킴과 동시에, 노즐을 이동시켜 상기 제 2 부위보다도 더 피처리기판의 회전중심에 가까운 제 3 위치를 향하여 이 노즐로부터 처리액을 토출공급하는 공정 (C)을 더욱 가진다.

또 상기 공정 (C)의 후에, 상기 제 3 회전속도보다 작은 제 4 회전속도로 피처리기판을 회전시킴과 동시에, 상기 노즐을 이동시켜 상기 제 3 부위보다도 더 피처리기판의 회전중심에 가까운 제 4 위치를 향하여 이 노즐로부터 처리액을 토출공급하는 공정 (D)을 더욱 가진다.

또, 상기 제 2 회전속도 및 제 3 회전속도는 항상 감속하고 있는 것이 바람직하다.

또, 상기 제 4 회전속도는, 일정한 속도로 유지되는 것이 바람직하다.

또, 상기 제 1 회전속도는, 상기 노즐이 상기 제 1 부위를 향하여 처리액을 공급하고 있을 때는 일정한 속도로 유지되고, 상기 노즐이 상기 제 1 부위에서 다른쪽으로 이동하거나 또는 소정시간경과후에 감속하는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 공정 (B)에서는, 피처리기판의 회전중심측에서 둘레가장자리측으로 향하도록 상기 노즐로부터 피처리기판에 대하여 피처리액이 공급되는 것이 바람직하다.

(실시형태)

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태에 대하여 설정한다. 본 실시형태에서는 본 발명의 현상처리방법과 반도체 웨이퍼에 도포한 레지스트막을 현상처리하는 경우에 대하여 설명한다.

레지스트 도포현상 처리시스템은 클린룸 내에 설치되어 있고, 또 시스템내에 있어서도 효율적인 수직층류 방식에 의해 각 부의 청정도(淸淨度)가 높아지도록 되어 있다. 이 처리시스템은 카세트 스테이션(10)과 프로세스 스테이션(12)과, 인터페이스부(14)를 구비하고 있다. 카세트 스테이션(10)은 웨이퍼 카세트(CR)를 시스템으로 반입/반출하기 위한 반송기구를 가지고 있다. 웨이퍼 카세트(CR)에는 1로트가 25매인 반도체 웨이퍼(W)가 수납되어 있다. 프로세스 스테이션(12)은 레지스트 도포현상처리에 필요한 각종 처리유니트를 구비하고 있다. 각 처리유니트에는 1매씩 웨이퍼(W)가 처리되도록 되어 있다. 이들의 처리 유니트는 다단(多段)으로 적층되어 있다. 인터페이스부(14)는 인접하는 노광장치(도시하지 않음)와 프로세스 스테이션(12)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 받아 넘기기 위한 기구를 가지고 있다.

제 2 도에 나타낸 바와 같이, 카세트 스테이션(10)의 카세트 재치대(20)상에는 4개의 돌기(20a)가 형성되고, 돌기(20a)부분에 웨이퍼 카세트(CR)가 각각 재치되도록 되어 있다. 카세트 재치대(20)는 Y 축방향으로 연이어지고, 웨이퍼 카세트(CR)는 웨이퍼 출입용의 개구가 프로세스 스테이션(12) 쪽으로 향해있다. 웨이퍼 반송용의 로보트(22)가 카세트 재치대(20)를 따라 이동가능하도록 설치되어 있다. 로보트(22)는 Y축방향 및 Z축방향으로 이동가능하며, 또한 수직축 주위로 θ 회전이 가능하고, 콘트롤러(도시하지 않음)로부터의 지령을 받아 소망의 카세트(CR)로 억세스할 수 있도록 되어 있다. 또 로보트(22)는 제 3 도에 나타낸 얼라이먼트 유니트(ALIM) 및 익스텐션 유니트(EXT)에도 억세스할 수 있도록 되어 있다.

제 2 도에 나타낸 바와 같이, 프로세스 스테이션(12)의 중앙에는 수직반송형의 주 웨이퍼 반송기구(24)가 설치되어 있다. 주 웨이퍼 반송기구(24)의 주위에는5조의 유니트 어셈블리(G1,G2,G3,G4,G5)가 배치되어 있다. 각 유니트 어셈블리(G1,G2,G3,G4,G5)는 복수의 각종 유니트를 구비하고 있다. 제 3 도에서와 같이 제 1 및 제 2 유니트 어셈블리(G1,G2)는 시스템의 정면쪽에 나란히 설치되어 있다. 제 4 도에서와 같이 제 3 유니트 어셈블리(G3)는 카세트 스테이션(10)에 인접하여 배치되고, 제 4 유니트 어셈블리(G4)는 인터페이스부(14)에 인접하여 배치되어 있다. 제 2 도에서와 같이 제 5 유니트 어셈블리(G5)는 시스템의 배면쪽에 배치되어 있다.

제 3 도에서와 같이, 제 1 유니트 어셈블리(G1)의 레지스트 도포유니트(COT) 및 현상유니트(DEV)에서는, 컵(8) 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척(60)으로 유지하여 스핀 회전시키도록 되어 있다. 레지스트 도포유니트(COT)는 현상유니트(DEV)의 아래쪽에 설치되어 있다. 제 2 유니트 어셈블리(G2)에 있어서도 마찬가지로 레지스트 도포유니트(COT)는 현상유니트(DEV)의 아래쪽에 설치되어 있다.

제 4 도에 나타낸 바와 같이, 제 3 유니트 어셈블리(G3)는, 아래에서 차례로 8단으로 적층된 쿨링유니트(COL), 어드히젼 유니트(AD), 얼라이먼트 유니트(ALIM), 익스텐션 유니트(EXT), 프리베이킹 유니트(PREBAKE) 및 포스트베이킹 유니트(POBAKE)을 구비하고 있다. 제 4 유니트 어셈블리(G4)도 마찬가지로 아래에서부터 8단으로 적층된 쿨링유니트(COL), 익스텐션·쿨링유니트(EXTCOL), 익스텐션 유니트(EXT), 쿨링유니트(COL), 프리베이킹 유니트(PREBAKE) 및 포스트 베이킹 유니트(POBAKE)를 구비하고 있다.

이와 같이 처리온도가 낮은 쿨링유니트(COL),(EXTCOL)를 하단에 배치하고,처리온도가 높은 베이킹 유니트(PREBAKE), 포스트베이킹 유니트(POBAKE) 및 어드히젼 유니트(AD)를 상단에 배치함으로써, 유니트 간의 열적인 상호 간섭을 적게 할 수 있다.

인터페이스부(14)는 X축방향의 크기는 처리스테이션(12)의 그것과 실질적으로 같지만, Y축방향의 크기는 처리스테이션(12)의 그것보다 작다. 인터페이스부(14)의 정면부에는 가반성의 픽업카세트(CR)와 정치형의 버퍼 카세트(BR)가 2단으로 배치되어 있다. 또한 인터페이스부(14)의 배면부에는 주변노광장치(28)가 배설되고, 중앙부에는 웨이퍼 반송용의 로보트(26)가 설치되어 있다. 이 로보트(26)의 X축방향 및 Z축방향으로 각각 이동가능하게 설치되고, 양 카세트(CR,BR) 및 주변 노광장치(28)에 억세스하도록 되어 있다. 그리고, 로보트(26)는 Z축 둘레로 θ회전이 가능하도록 설치되고, 프로세스 스테이션(12) 측의 익스텐선 유니트(EXT) 및 노광장치 측의 웨이퍼 받아 넘김부(도시하지 않음)로 억세스할 수 있도록 되어 있다.

다음에, 제 6 도∼제 10 도를 참조하여 현상유니트(DEV)에 대하여 설명한다.

제 6 도에 나타낸 바와 같이 현상유니트(DEV)의 내부에는 고리형상의 컵(8)이 설치되고, 이 고리형상의 컵(8)의 안쪽 중앙에 스핀척(60)이 배치되어 있다. 웨이퍼(W)는 로보트(24)에 의해 유니트(DEV) 내로 반입되고, 또, 스핀척(60) 위에 재치된다. 스핀척(60)은 웨이퍼(W)를 진공 흡착에 의해 유지하며, 구동모터(62)에 의해 회전되도록 되어 있다. 모터(62)의 전원은 콘트롤러(180)의 출력부에 접속되어 있고, 그 회전수가 처리조건에 따라 제어되도록 되어 있다. 또한, 컵(8) 내에서발생한 폐약 및 폐가스는 드레인통로(69)를 통하여 트랩탱크(도시하지 않음)로 배출되도록 되어 있다. 드레인통로(69)는 배기펌프(170)의 흡입측으로 연이어 통해 있다.

컵(8)의 내측벽면(64)의 상단에는 링부재(66)가 부착되어 있다. 이 링부재(66)와 웨이퍼(W)의 이면과의 사이에는 좁은 간극(67)이 형성되어 있다. 이 링부재(66)의 내측에서, 또 스핀척(60)의 하측에는 바닥이 있는 통형상의 상자체(68)가 부착되고, 버퍼실(65)이 형성되어 있다. 상자체(68)의 저면에는 1개 또는 복수의 기체도입구(68a)가 형성되고, 가스공급원(160)으로부터 버퍼실(65) 내부로 가스가 도입되도록 되어 있다. 가스공급원(160)에는 N₂가스 또는 청정공기가 수용되어 있다. 버퍼실(65) 내부로 도입된 기체는 좁은 간극(67)을 통하여 드레인통로(69)로 흐르도록 되어 있다. 이와 같이 하여 웨이퍼 둘레 가장자리부의 이면을 따라 웨이퍼(W)의 내측에서 외측으로 향하여 기류가 형성된다.

제 2 도에서와 같이, 현상액 공급용 노즐(70)이 제 2 유니트 어셈블리(G2)의 현상유니트(DEV) 내부에 설치되어 있다. 노즐(70)은 현상유니트(DEV)내에서 X축방향으로 이동가능하게 설치되어 있다. 노즐(70)은 내식성이 뛰어나고, 또, 파티클이 발생하지 않는 불소계 수지로 만들어져 있다.

제 5 도에 나타낸 바와 같이, 노즈(70)은 수직지지봉(72) 및 조인트부재(74)를 개재하여 수평아암(76)에 지지되어 있다. 제 2 도에서와 같이 수평아암(76)은 벨트구동기구(140)의 블록(144)에 연결되고, 블록(144)은 벨트(142)에 고정되어 있다. 벨트(142)는 한쌍의 폴리(146,148)의 사이에 감겨지고, 구동풀리(146)는 모터(150)의 회전축에 연결되어 있다. 모터(150)를 회전구동시키면 벨트구동기구(140)에 의해 노즐(70)이 Y축방향으로 직선이동하도록 되어 있다. 노즐(70)의 이동 스트로크는 컵(8)의 바깥쪽 위치[홈포지션(P0)]에서 컵(8)의 중앙 근처위치까지이다.

제 7 도에 나타낸 바와 같이, 노즐(70)의 하단부(액토출부)(82)는 리니어로 형성되고, 이 하단부(82)에 다수의 가는 직경으 토출구멍(80)이 일렬로 나란하게 형성되어 있다. 토출구멍(80)의 피치간격은 약 6mm이고, 직경은 약 1.8mm 이다. 노즐 하단부(액토출부)(82)의 길이는 직경이 6인치인 웨이퍼용으로서 약 42mm이다. 직경이 8인치인 웨이퍼용은 약 60mm이고, 직경이 12인치인 웨이퍼용은 약 84mm이다. 그리고, 토출구멍(80)이 배열된 전체 길이는 웨이퍼 직경의 1/5∼1/2의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.

노즐(70)의 내부에는 2개 계통의 통로가 형성되어 있다. 제 1 계통 통로(100,102,104)는 안쪽관(90a,92a)을 통하여 현상액 공급원(165)에 연이어 통하여, 현상액(2)이 흘러 통하도록 되어 있다. 제 2 계통의 통로(94,96,98)은 바깥쪽관(90b,92b)을 통하여 온도조절수 공급부(도시하지 않음)로 연이어 통하여 온도가 조절된 물이 흘러 통하도록 되어 있다. 또, 토출부(82) 및 온도조절부(84)는 스텐레스 강 또는 알루미늄과 같은 금속으로 만들어져도 좋다.

토출부(82)에서 본 온도 조절부(84)의 이면쪽 양단부에는 한쌍의 통형상 배관접속부(86,88)이 돌출형성되어 있다. 이들의 배관접속부(86,88)에는안쪽관(90a,92b) 및 바깥쪽관(90b,92b)으로 이루어진 이중관(90,92)이 각각 접속된다. 바깥쪽관(90b,92b)은 배관접속부(86,88)의 개구 근처의 비교적 직경이 큰 온도조절수 포트(86a,88a)에 부착되어 있다. 안쪽관(90a,92a)은 배관접속부(86,88)의 현상액 포트(86b,88b)에 부착되어 있다.

온도조절부(84)의 내부에는 노즐(80)의 배열방향과 평행하게 연이어지는 온도조절수 통로(94)가 형성되어 있다. 이 온도조절수 통로(94)는 현상액 공급관(90) 및 현상액 포트(86b,88b)의 주위에 형성되는 통로(96,98)를 통하여 온도조절수 포트(86a,88a)와 연이어 통해 있다. 온도조절수는 통로(96,94,98)를 통하여 포트(86a)로 흐르며, 다른쪽의 온도 조절관(92)을 통하여 온도조절수 공급부로 되돌아 오도록 되어 있다.

토출부(80)의 내부에는 통로(100,102)를 통하여 현상액 포트(86b,88b)와 이어지는 통로(104)가 형성된다. 통로(104)의 하측에는 정류판(106)이 부착되어 있다. 이 정류판(106)에는 액저장부(108)로 통하는 다수의 구멍(107)이 형성되어 있다. 액저장부(108)는 각 토출구멍(80)으로 연이어 통해 있다. 현상액(2)은 통로(104)로 도입된 후에 그 일부가 정류판(106)의 구멍(107)을 통하여 액저장부(108)로 유입되고, 다른쪽 일부가 안쪽관(92a)을 통하여 현상액 공급원(165)으로 리턴되도록 되어 있다.

노즐(70)로 공급되는 현상액(2)은 관(90a)내부나 토출부(80) 내부에서 각각 온도조절관(90b) 및 온도조절부(84)로서 일정 온도로 유지되기 때문에 양호한 상태로 토출되도록 되어 있다. 그리고, 노즐대기부(홈위치)(P0)에서는 노즐(70)의 선단에서 건조 열화(劣化)한 현상액을 폐기하기 위하여 정기적 또는 필요에 따라 더미 디스펜스가 행해지도록 되어 있다. 또 제 5 도에서와 같이 노즐(70)의 토출구멍(80)은 경사져 아래쪽을 향하고, 현상액(2)은 토출구멍(80)에서 웨이퍼(W)에 대해 각도(θ1)를 이루어서 토출되도록 되어 있다. 본 실시예에서는, 액 토출각도(θ1)를 45°로 설정하고 있다.

제 6A 도 및 제 6B 도에 나타낸 바와 같이, 노즐(70)은 수평아암(76)과 평행하지 않고, 수평면 내에서 수평아암(76)에 대하여 각도(θ2)를 이루어 부착되어 있다. 이것에 의해 일렬의 토출구멍(80)은 X축에 대하여 각도(θ2)만큼 경사져 변위된다. 이 변위 부착각도(θ2)는 본 실시예에서는 약 10°로 설정되어 있다. 또한, 각도(θ2)는 5∼24°의 범위 내로 설정되는 것이 바람직하다.

다음에, 제 8 도, 제 9A 도 ∼ 제 9B 도, 제 10 도, 제 11A 도 ∼ 제 11C 도를 참조하면서 상기 현상유니트(DEV)를 이용하여 반도체 웨이퍼(W)에 도포된 포토 레지스트를 현상처리하는 방법에 대하여 설명한다.

직경이 8인치인 실리콘 웨이퍼(W)에 화학증폭형 포토 레지스트를 도포하고, 이것을 베이킹하며, 또 패턴 노광한다. 웨이퍼(W)를 노광기(도시하지 않음)에서 반출하여, 이것을 현상유니트(DEV)로 반송한다(공정 S1). 제 9A 도에서와 같이 스핀척(60)에 의해 웨이퍼(W)를 진공흡착하여 유지한다. 이때 노들(70)은 홈위치(P0)에 있다.

드레인통로(69)를 통하여 컵(8) 내부를 배기시킴과 동시에, N₂가스를통로(68a)를 통하여 버퍼실(65)로 공급한다(공정 S2). 이로써 버퍼실(65)에서 간극(67)을 통하여 통로(69)로 향하는 N₂가스 기류를 발생시킨다. 이 가스기류는 간극(67) 부분에서 안쪽으로부터 바깥쪽으로 향하여 흐르게 되고, 웨이퍼(W)의 이면쪽으로 현상액(2)이 돌아들어가는 것을 저지한다. 특히, 간극(67)의 부위에서는 오리피스효과에 의해 가스기류가 빨라지므로, 웨이퍼(W) 표면으로의 현상액(2)의 침입이 완전히 저지된다. 스핀척(60)을 기동시켜 웨이퍼(W)를 제 1 회전속도(N1)(약 1000rpm)로서 고속회전시킨다(공정S3).

제 9B 도에서 나타낸 바와 같이, 노즐(70)을 홈위치(P0)에서 제 1 위치(P1)로 이동시키고, 노즐(70)로부터 드레인통로(69)를 향하여 현상액(2)을 0.3~0.5초간 더미 디스펜스한다(공정 S4). 현상액(2)은 2.38중량%인 테트라 메틸 암모늄 하이드로 옥사이드를 포함하는 수용액이다. 또, 본 발명에서는 2.38중량% TMAH 수용액에 적당량의 활성제를 첨가한 것을 헌상액(2)으로서 사용하는 경우도 있다.

제 9C 도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 고속회전 중에 현상액(2)의 토출을 개시함과 동시에 노즐(70)의 스캔이동을 개시한다(공정 S5). 또한 제 6A 도에서와 같이 스캔이동의 개시 직후에, 노즐(70)의 양단의 토출구[80(1), 80(n)]로부터 토출되는 현상액(2)이 거의 동시에 웨이퍼(W)의 둘레 끝단부에 접촉하도록 하는 것이 바람직하다. 노즐(70)의 스캔이동속도 40mm/sec~150mm/sec의 범위 내로 설정한다. 이와 같은 노즐(70)의 스캔 영역은 토출구멍(80)의 개수 및 피치에도 의존하지만, 통상은 웨이퍼(W)의 약 1/4 영역 내에 설정된다. 이 경우에, 토출구멍(80)의열이 웨이퍼(W)의 회전방향과 거의 직교하도록 스캔시키는 것이 바람직하다. 그리고, 노즐(70)과 웨이퍼(W) 사이의 간극을 2∼10mm의 범위로 설정한다. 또, 공정 S4에서 공정 S12까지의 사이는 노즐(70)로부터 현상액(2)을 계속 토출시킨다. 현상액(2)의 토출유량은 예를들어 0.8리터/초로 설정된다.

제 5 도에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)에 대하여도 각도(θ1)를 가지고 현상액(2)을 토출시키면, 제 6B 도에서와 같이 현상액(2)의 운동백터(J1)가 웨이퍼(W)의 회전운동 벡터(R1)와 실질적으로 같은 방향으로 되며, 공급현상액(2)이 웨이퍼(W)의 움직임에 추종(追從)하도록 된다. 이로써, 공급현상액(2)은 웨이퍼(W) 상에서 비산하는 일 없이 소프트 랜딩한다. 이 경우에 현상액(2)의 토출각도(θ1)는 웨이퍼 회전속도가 30rpm일 때에는 30°∼ 60°의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 또한 현상액(2)의 토출각도(θ1)는 웨이퍼 회전속도가 30rpm보다 빨라지면 45° 보다 작게 하는 편이 바람직하고, 15∼45°의 범위로 설정하는 것이 바람직하다.

이 노즐(70)의 스캔 이동중에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전 감속을 개시한다(공정 S6). 이 제 1 감속의 개시(공정 S6)로부터 현상액의 토출정지(공정 S13)까지의 일련의 공정에 대하여 제 10 도를 참조하면서 상세히 설명한다. 제 10 도는 가로축을 웨이퍼(W)로의 현상액을 토출개시로부터의 경과시킨(초)으로 하고, 세로축을 웨이퍼 회전수(rpm)로 하여, 현상처리중에 있어서의 웨이퍼의 회전제어를 나타낸 타이밍챠트이다. 도면중에서 특성선(A)는 본 발명의 현상처리방법을 이용하여 직경이 8인치인 웨이퍼를 현상처리한 실시예를 나타내며, 특성선(B)은 종래의 현상처리방법을 이용하여 직경이 8인치인 웨이퍼를 현상처리한 비교예를 나타낸다.

도면에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예[특성선(A)]의 현상액 토출시간(TA)(4.2초)은 비교예[특성선(B)]의 현상액 토출시간(TB)(4.7초)보다도 0.5초 단축되었다. 종래에는 노즐의 스캔 이동 완료 후[웨이퍼로의 현상액 토출개시로부터 1.0초 후: 노즐위치(P2)]에 웨이퍼 회전의 감속을 개시하였으나, 본 발명에서는 노즐의 스캔 이동중[웨이퍼로의 현상액 토출개시로부터 0.5초 후: 노즐위치(PX)]에 웨이퍼 회전의 감속을 개시한다. 즉, 노즐 이동위치(PX)까지는 웨이퍼(W)의 회전속도를 제 1 회전속도(1000rpm)로 유지하고, 위치(PX)에서 감속을 개시하여 노즐정지위치(P2)에서는 제 2 회전속도(N2)(약 500rpm)로 되도록 스핀척(60)을 구동제어한다. 또한, 상기 정속회전 프리웨이트 시간은 0.5초에서 0.3초까지 단축시킬 수 있으며, 현상액 토출시간(TA)을 4.0초로 할 수 있으므로, 더욱 종래의 현상액 토출시간(TB)보다 0.7초 단축이 가능하다.

제 6B 도에 나타낸 바와 같이, 안쪽 가장 끝단부의 토출구멍(80)이 웨이퍼 회전축을 약간 오버하는 위치에서 노즐(70)을 정지시킨다(공정 S7). 또한, 노즐(70)의 스캔 이동중에 있어서는 현상액(2)은 웨이퍼(W)상에 액막을 만들지 않으며, 원심분리에 의해 웨이퍼(W)상에서 완전히 제거해 버린다.

노즐(70)의 스캔 이동이 정지한 후에, 웨이퍼 회전속도가 100rpm까지 떨어졌을 때 제 1 감속을 종료시킨다(공정 S8). 이 제 1 감속의 종료시 각은 웨이퍼(W)로의 현상액 토출개시로부터 약 1.4초 후이다. 웨이퍼(W)를 100rpm의 회전 속도로서 약 0.3초 동안 정속 회전시킨다(공정 S9). 이 제 3 회전속도(N3)에서 현상액(2)을도포 레지스트에 융합시키기 위한 처리는 약 0.3초 동안 행하고, 이로써 웨이퍼 중앙영역에서 둘레가장자리영역에 이르기까지의 현상액(2)의 액층의 두께가 두꺼워진다. 또 제 1 회전속도(N1)(1000rpm)로부터 제 3 회전속도(N3)(100rpm)로의 이행(移行)은 일정한 감속속도로 행해진다. 이 제 1 감속의 가속도는 1000±100rpm/초의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 그리고, 제 3 회전속도(N3)(1000rpm)에서 제 4 회전속도(N4)(30rpm)로의 감속폭은 작기 때문에 그 감속의 가속도는 임의로 선택하여도 좋고, 예를들면, 1000∼1500rpm/초의 범위로 설정할 수 있다.

이어서, 웨이퍼 회전의 제 2 감속을 개시하여(공정 S10), 웨이퍼 회전속도가 30rpm[제 3 회전속도(N3)]에 도달하였을 때 제 2 감속을 종료시킨다(공정 S11). 이와 관련하여서 상기의 제 1 단계의 감속(1000rpm에서 100rpm까지)의 소요시간은 약 0.9초간이며, 제 2 단계의 감속(100rpm에서 30rpm까지)의 소요시간은 약 0.05∼0. 10초간이다. 그리고, 웨이퍼 회전속도를 2단계로 나누어 단계적으로 감속시키는 이유는, 웨이퍼(W)의 회전속도를 1000rpm에서 30rpm까지 일시에 다운시키면 제 1 도에 나타낸 바와 같이 현상액(2)이 웨이퍼(W)의 중앙부에 집중해 버리는 중대한 현상결함이 발생하기 쉬어지기 때문이다. 또한, 제 9D 도에 나타낸 바와같이 이 제 1 단계의 감속에 있어서도 웨이퍼(W) 상의 현상액(2)의 액막 두께에 약간의 불균일은 생기지만, 중대한 현상결함은 생기지 않는다.

제 9E 도에 나타낸 바와 같이, 노즐(70)로부터 0. 8리터/초로 현생액(2)을 토출시키면서 웨이퍼 회전속도를 30rpm[제 4 회전속도(N4)]으로 유지하면, 웨이퍼(W)로의 현상액(2)의 공급량과 웨이퍼(W)로부터의 현상액(2)의 자연낙하량이균형을 유지하여, 웨이퍼(W)상에는 거의 일정한 두께의 현상액(2)의 액막이 형성된다(공정 S12). 약 2.5초 동안에 걸쳐 30rpm의 정상속도로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 거의 일정한 두께의 액막의 현상액(2)에 의해 도포 레지스트를 현상한다.

제 9F 도에 나타낸 바와 같이, 노즐(70)로부터의 현상액(2)의 토출을 정지시키고(공정 S10), 노즐(70)을 제 1 위치(P1)로 일단 퇴피(退避)시킨다. 그리고, 홈위치(P2)로 노즐(70)을 되돌린다(공정 S15).

웨이퍼(W)의 회전속도를 30rpm에서 1000rpm까지 일시에 상승시켜, 웨이퍼(W)를 고속회전시킨다(공정 S16). 그리고, 린스노즐(도시하지 않음)을 웨이퍼(W)의 위쪽에 위치시키고, 린스노즐로부터 웨이퍼(W)에 세정액을 소정시간 스프레이하여 현상액(2)을 웨이퍼(W)에서 완전히 제거한다(공정 S17).

린스 후에 웨이퍼의 회전을 정지시킴과 동시에, 버퍼실(65)로의 백가스 공급을 정지시킨다(공정 S18). 단 드레인(69)내부의 배기는 그대로 속행한다. 스핀척의 진공흡착유지를 해제하고, 웨이퍼(W)를 현상유니트(DEV)로부터 반출한다(공정 S19), 상기 공정 S1에서 S19까지의 1 사이클의 처리시간은 약 12∼14초 동안이다.

이번에, 현상액 토출시간(TA)의 단축을 목적으로 하여 상기 공정 S5에서 공정 S6 까지의 시간(프리웨이트 시간)을 더욱 단축시키고, 노즐(70)을 스캔이동하면서 웨이퍼의 회전을 감속시킨 경우의 현상결함수에 대하여 조사하였다. 프리웨이트 시간은 직경이 8인치인 웨이퍼의 반경(100mm)의 약 80%를 스캔하는 시간을 표준으로 하였다(예:노즐스캔이동속도가 100mm/초인 경우에 프리웨이프 시간은 0.8초). 또한 노즐(70)의 스캔 이동속도를 웨이퍼 회전속도 보다 크게 설정하면 풀백이 생기고, 이것을 웨이퍼 회전속도 보다 작게 설정하면 현상액(2)의 토출시간이 길어지기 때문에, 양자를 같은 속도로 설정하였다.

회전수(N1)가 1000rpm인 경우, 노즐의 스캔이동속도가 60mm/초에서는 프리웨이트 시간을 1.0초까지 단축 가능(웨이퍼 반경의 60%)하며, 노즐의 스캔 이동속도가 100mm/초에서는 프리웨이트 시간을 0.3초까지 단축가능(웨이퍼반경 30%)하다는 것이 판명되었다. 어느 경우에도 노즐(70)이 웨이퍼(W)의 중앙부에 도달하였을 때에 웨이퍼 회전수(N2)가 300rpm까지 떨어지지만, 현상결함은 발생하지 않았다. 따라서 설정된 웨이퍼 회전수 및 노즐의 스캔 이동속도에 있어서, 노즐(70)이 웨이퍼 중앙부에 도달하였을 때의 회전수(N2)가 300rpm까지 감속하는 것과 같은 범위 내에서 프리웨이트 시간을 단축시킬 수 있다는 것이 판명되었다.

또한, 상기 실시형태에서는, 제 1 회전속도(N1)=1000rpm, 제 2 회전속도(N2)=500rpm, 제 3 회전속도(N3)=100rpm, 제 4 회전속도(N4)=30rpm으로 설정하였다. 이 중에서 중간의 제 2 회전속도(N2)는 300rpm∼500rpm의 범위 내에 있으면, 다른 회전속도 값으로 여러 번형이 가능하다.

그리고, 상기 실시형태에서는 레지스트 도포된 반도체 웨이퍼를 처리 대상으로 한 경우에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이것에만 한정하는 것이 아니라 LCD용 유리기판에도 적용시킬 수 있다.

본 발명에 의하면 다음의 뛰어난 효과가 얻어진다.

현상액 토출시간이 종래보다 단축되므로, 현상액의 소비량을 큰 폭으로 저감시킬 수 있는 동시에, 효율이 향상한다.

Claims

가판에 도포된 포토 레지스트를 현상액으로 현상하는 현상처리방법으로서,

(a) 레지스트 도포면이 위로 되도록 기판을 실질적으로 수평으로 유지하고,

(b) 제 1 회전속도(N1)로 기판의 회전을 개시하고, 기판의 회전중에, 현상액이 기판에 묻지 않도록 떨어진 위치에서 노즐로부터 현상액의 토출을 개시하며, 그대로 현상액의 토출을 계속하면서, 노즐을 기판을 따라 이동시키는 스캔 이동을 개시하고,

(c) 이 노즐의 스캔 이동중에 기판의 회전을 감속시키는 제 1 감속을 개시하며,

(d) 이 제 1 감속중에서, 기판의 회전속도가 제 2 회전속도(N2)에 도달할 때에, 노즐을 기판의 중앙영역의 바로 위에서 정지시키고,

(e) 기판의 회전속도가 제 3 회전속도(N3)에 도달하였을 때 제 1 감속을 종료하고,

(f) 제 3 회전속도(N3)로 기판을 회전시킨 후에, 또 기판의 회전을 제 3 회전속도(N3)에서 제 4 회전속도(N4)까지 감속시키는 제 2 감속을 개시하고, 기판의 회전속도가 제 4 회전속도(N4)에 도달하였을 때 제 2 감속을 종료하며, 제 4 회전속도(N4)로 기판을 회전시키면서 현상액을 기판상에 연속적으로 공급함으로써 기판상에 실질적으로 일정한 두께의 현상액의 액막을 형성하여, 이것에 의해 기판에 도포된 레지스트를 현상하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(d)에서는, 제 2 회전속도(N2)를 300rpm이상 500rpm이하의 범위로 하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(d)에서는, 제 2 회전속도(N2)를 500 ± 5rpm 으로 하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(c)에서 공정(e)까지에 있어서의, 제 1 감속의 가속도를 매초 1000 ± 100rpm의 범위로 하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(d)에서는, 기판의 회전이 제 2 회전속도(N2)에 도달하였을 때, 기판의 레지스트 도포면의 60∼80%의 면적이 현상액과 접촉하고 있는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(d)에서는, 기판의 회전이 제 2 회전속도(N2)에 도달하였을 때, 기판의 레지스트 도포면이 60 ±5%의 면적이 현상액과 접촉하고 있는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(b) 및 공정(c)에서는, 노즐에서 기판상으로의 현상액의 공급개시로부터 제 1 감속을 개시할 때까지의 프리웨이트 시간을0.3∼0.5초간의 범위로 설정하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(b)에서 공정(d)까지에 있어서의, 노즐의 스캔 이동시간을 0.8∼1.0초간의 범위로 설정하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(b)에서 공정(d)까지에 있어서의, 노즐의 스캔 이동속도를 60∼100rpm/초의 범위로 설정하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(c)에서 공정(e)까지에 있어서의, 제 1 감속에 요구되는 소요시간을 0.9초간으로 설정하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(f)에서는, 제 4 회전속도(N4)에서의 처리시간을 2.5초간으로 설정하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(e)에서는, 제 3 회전속도(N3)를 100 ± 5rpm으로 하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(f)에서는, 제 4 회전속도(N4)를 30 ± 2rpm으로 하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(f) 후에, 노즐로부터의 현상액의 공급을 정지시키고, 제 1 회전속도(N1)로 기판을 회전시킴으로써 기판상의 현상액을 원심 분리하는 현상처리방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정(b)에서 공정(f)까지의 사이는, 노즐과 기판 사이의 간극을 2∼10mm의 범위로 설정하는 현상처리방법.
(A) 제 1 회전속도로 회전하는 피처리기판의 바깥쪽 위치에서 노즐로부터 처리액을 모의(模擬)토출시켜 이 노즐의 액통로내에 체류하는 처리액을 폐기하고, 이 노즐을 이동시켜 이 노즐로부터 피처리기판의 제 1 부위를 향하여 처리액을 토출공급하는 공정과,

(B) 상기 제 1 회전속도보다 작은 제 2 회전속도로 피처리기판을 회전시킴과 동시에, 상기 노즐을 이동시켜 상기 제 1 부위보다도 더 피처리기판의 회전 중심에 가까운 제 2 부위를 향하여 이 노즐로부터 처리액을 토출공급하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
제 16 항에 있어서, 상기 공정 (B)의 후에, 상기 제 2 회전속도보다. 작은 제 3 회전속도로 피처리기판을 회전시킴과 동시에, 노즐을 이동시켜 상기 제 2 부위보다도 더 피처리기판의 회전중심에 가까운 제 3 위치를 향하여 이 노즐로부터 처리액을 토출공급하는 공정 (C)을 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
제 17 항에 있어서, 상기 공정 (C)의 후에, 상기 제 3 회전속도보다 작은 제 4 회전속도로 피처리기판을 회전시킴과 동시에, 상기 노즐을 이동시켜 상기 제 3 부위보다도 더 피처리기판의 회전중심에 가까운 제 4 위치를 향하여 이 노즐로부터 처리액을 토출공급하는 공정 (D)을 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
제 16 항에 있어서, 상기 제 2 회전속도는 항상 감속하고 있는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
제 17 항에 있어서, 상기 제 3 회전속도는 항상 감속하고 있는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
제 18 항에 있어서, 상기 제 4 회전속도는, 일정한 속도로 유지되는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
제 16 항에 있어서, 상기 제 1 회전속도는, 상기 노즐이 상기 제 1 부위를 향하여 처리액을 공급하고 있을 때는 일정한 속도로 유지되고, 상기 노즐이 상기 제 1 부위에서 다른쪽으로 이동하거나 또는 소정시간경과후에 감속하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
제 16 항에 있어서, 상기 공정 (B)에서는, 피처리기판의 회전중심 측에서 둘레가장자리측으로 향하도록 상기 노즐로부터 피처리기판에 대하여 피처리액이 공급되는 것을 특징으로 하는 액처리방법.