KR100383541B1 - 티에프티 어레이 검사방법 및 장치 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 160
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
- G01R27/2605—Measuring capacitance
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
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Abstract
Description
Claims (15)
- TFT 어레이의 화소를 구성하는 화소용량 CP를 기지의 화소전압 VP로 충전함과 동시에, 적어도 미지의 라인용량 CS(CS≫CP)를 포함하고 상기 화소의 검사시에 상기 화소용량 CP에 병렬로 접속되는 부가용량 CT(CT≫CP)를 기지의 세트전압 VS(VP≠VS)로 충전하는 단계;상기 화소용량 CP및 부가용량 CT를 모두 충전한 후에, 상기 화소용량 CP와 부가용량 CT를 병렬접속하고, 기지의 적어도 하나의 기준용량 △CS를 사용하여 상기 부가용량 CT의 값을 변화시키는 것에 의하여 병렬접속한 후의 부가용량 CT의 전압 Va와 상기 기지의 세트전압 VS와의 차전압 △VS를 측정을 적어도 2회 실시함으로써 서로 다른 값을 갖는 적어도 2개의 차전압 △VS를 측정하는 단계; 및상기 적어도 2개의 측정된 차전압 △VS및 식 △VS=Va-VS≒(CP/CT)ㆍ(VP-VS)에 기초하여 상기 화소를 검사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 제1항에 있어서,상기 화소용량 CP를 상기 화소전압 VP로 충전함과 동시에, 상기 라인용량 CS를 포함하는 상기 부가용량 CT를 상기 세트전압 VS로 충전하고, 양자를 모두 충전한 후에 상기 화소용량 CP와 상기 부가용량 CT를 병렬접속하여, 병렬접속한 후의 부가용량 CT의 전압 Va1과 상기 세트전압 VS와의 차전압 △VS1을 측정한 후,상기 화소용량 CP를 상기 화소전압 VP로 충전함과 동시에, 상기 라인용량 CS에 상기 기준용량 △CS을 병렬접속하고 이 병렬접속회로를 포함하는 상기 부가용량 CT를 상기 세트전압 VS로 충전하고, 양자 모두 충전한 후에 상기 부가용량 CT에 상기 화소용량 CP을 병렬접속하여, 이 병렬접속 후의 부가용량 CT의 전압 Va2와 상기 세트전압 VS와의 차전압 △VS2를 측정하며, 측정한 2개의 차전압 △VS1, △VS2중 적어도 하나의 차전압에 기초하여 화소 파라미터의 불량을 검사하고,상기 측정한 2개의 차전압 △VS1, △VS2및 식 CP=△CSㆍ△VS1ㆍ△VS2/{(VP-VS)ㆍ(△VS1-△VS2)}에 기초하여 상기 화소용량 CP의 값을 구하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 제2항에 있어서, 상기 화소 파라미터는 적어도 상기 화소용량 CP의 리크양을 포함하는 복수의 화소 파라미터를 포함하고;상기 복수의 화소 파라미터는 상기 리크양 및 리크양 이외의 화소 파라미터로 분리되며;상기 리크양은 상기 2개의 차전압 △VS1, △VS2중 하나의 차전압에 기초하여 검사하고, 상기 리크양 이외의 화소 파라미터는 다른 차전압에 기초하여 검사하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 화소전압 VP와 세트전압 VS(VP≠VS)의 두 개의 전압을 선택적으로 부가할 수 있는 전원;화소용량 CP와 이 화소용량 CP에 직렬로 접속되는 TFT 스위치 SW1을 포함하는 TFT 어레이의 화소;상기 화소에 상기 전원을 접속하기 위한 라인;상기 화소의 검사시에 상기 화소용량 CP에 병렬접속 되는 라인용량 CS(CS≫CP);기지의 기준용량 △CS;상기 라인용량 CS에 대해 상기 기준용량 △CS를 병렬접속하거나 또는 절연하기 위한 스위치 SW2;상기 라인을 온/오프하기 위한 스위치 SW3와; 및상기 TFT 스위치 SW1, SW2, SW3의 온/오프를 제어하는 것에 의하여 상기 화소를 검사하는 연산제어회로를 구비하며, 상기 연산제어회로는상기 전원을 상기 라인에 접속하여 상기 화소용량 CP를 상기 화소전압 VP로 충전하며, 상기 화소용량 CP를 상기 라인으로부터 절연하여 상기 세트전압 VS로 상기 라인용량 CS를 충전하고, 양자 모두 충전한 후 상기 전원과 상기 화소를 절연하여 상기 화소용량 CP와 상기 라인용량 CS를 병렬접속시키며, 병렬접속 후의 상기 라인용량 CS의 전압 Va1과 상기 세트전압 VS와의 차전압 △VS1를 측정한 후;상기 기준용량 △CS와 상기 라인용량 CS를 병렬접속하고, 상기 전원을 상기 라인에 접속하여 화소용량 CP를 화소전압 VP로 충전함과 동시에, 상기 화소용량 CP를 라인으로부터 절연시킴으로써 상기 병렬접속한 상기 기준용량 △CS와 상기 라인용량 CS를 세트전압 VS로 충전하고, 양자 모두 충전한 후에 규정시간 동안 상기 화소용량 CP에 충전한 화소전압 VP를 유지시키며, 규정시간이 경과한 후 화소용량 CP를 상기 병렬접속한 상기 기준용량 △CS와 상기 라인용량 CS에 더욱 병렬접속시키는 것에 의하여 병렬접속 후의 상기 라인용량 CS의 전압 Va2와 상기 세트전압 VS와의 차전압 △VS2를 측정하며;이에 의하여 상기 TFT 스위치 SW1및 상기 스위치 SW2, SW3를 온/오프 제어하고, 상기 차전압 △VS1, △VS2의 적어도 하나의 차전압에 기초하여 화소 파라미터를 검사함과 동시에, 상기 차전압 △VS1, △VS2및 식 CP=△CSㆍ△VS1ㆍ△VS2/{(VP-VS)ㆍ(△VS1-△VS2)}에 기초하여 상기 화소용량 CP의 값을 구하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 2개의 차전압 △VS와 적어도 하나의 차전압 △VS에 기초하여 화소 파라미터의 불량을 검사함과 동시에,상기 적어도 2개의 차전압 △VS와 상기 공식에 기초하여 상기 화소용량 CP의 값을 구하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 화소의 검사시에 TFT 어레이의 화소를 구성하는 화소용량 CP에 병렬로 접속되며 적어도 미지의 라인용량 CS를 포함하는 부가용량 CT의 값을 기지의 적어도 하나의 기준용량 △CS를 사용하여 변경시킴으로써 상기 부가용량 △CT의 값으로서 적어도 2개의 값을 설정하는 용량치 설정단계;상기 용량치 설정단계에 의해 상기 부가용량 CT의 상기 적어도 2개의 값의 각각이 설정되며, 상기 화소용량 CP를 기지의 화소전압 VP로 충전함과 동시에, 상기 부가용량 CT를 상기 화소전압 VP와는 값이 상이한 기지의 세트전압 VS로 충전하는 충전단계;상기 충전단계가 종료한 후에 상기 화소용량 CP와 상기 부가용량 CT를 병렬접속하고, 병렬접속 후의 부가용량 CT의 전압 Va와 상기 세트전압 VS와의 차전압 △VS를 측정함으로써 서로 다른 값을 가진 적어도 2개의 차전압 △VS를 측정하는 차전압 측정단계; 및상기 차전압 측정단계에 의해 측정된 상기 적어도 2개의 차전압 △VS에 기초하여 상기 화소를 검사하는 화소 검사단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 제6항에 있어서, 상기 용량치 설정단계는 상기 부가용량 CT의 값으로 2개의 값을 설정하는 것에 의하여 설정되고, 상기 차전압 측정단계는 상기 적어도 2개의 차전압 △VS를 측정하는 것에 의해 설정되는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 제6항에 있어서, 상기 화소전압 VP의 값이 상기 세트전압 VS의 값보다 작은 값으로 설정되고, 상기 충전단계는 상기 화소전압 VP로 상기 화소용량 CP와 상기 부가용량 CT를 동시에 충전한 후, 상기 세트전압 VS로 상기 부가용량 CT를 충전함으로써 상기 화소용량 CP를 상기 화소전압 VP로 충전하고 상기 부가용량 CT를 상기 세트전압 VS로 충전하는 것으로 설정하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 제6항에 있어서, 상기 화소검사단계는 상기 적어도 2개의 차전압 △VS와 상기 적어도 2개의 차전압 △VS를 도출하는 소정의 식에 기초하여, 상기 화소용량 CP의 값을 구하는 것으로 설정되는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 제9항에 있어서, 상기 소정의 식은 △VS=Va-VS≒(CP/CT)ㆍ(VP-VS)인 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 제9항에 있어서, 상기 소정의 식은 △VS=Va-VS={CP/(CP+CT)}ㆍ(VP-VS)인 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 제6항에 있어서, 상기 화소검사단계는 상기 적어도 2개의 차전압 VS의 적어도 하나의 차전압 △VS에 기초하여, 화소 파라미터의 불량을 검사하는 것에 의하여 설정되는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 제12항에 있어서, 상기 화소 파라미터는 상기 화소용량 CP의 리크양을 포함하는 복수의 화소 파라미터를 포함하고, 상기 화소검사단계는 상기 복수의 화소 파라미터를 상기 리크양과 이 리크양 이외의 화소 파라미터로 분리하고, 이에 의해 상기 리크양 및 상기 리크양 이외의 화소 파라미터는 서로 다른 각각의 차전압 △VS에 기초하여 검사하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 제6항에 있어서, 상기 화소검사단계는상기 적어도 2개의 차전압 △VS와 이 차전압 △VS를 도출하는 소정의 식에 기초하여 상기 화소용량 CP의 값을 검출하는 화소용량 검출단계; 및상기 적어도 2개의 차전압 △VS의 적어도 하나의 차전압 △VS에 기초하여 화소 파라미터의 불량을 검출하는 화소 파라미터 검출단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사방법.
- 화소의 검사시에 TFT 어레이의 각 화소를 구성하는 화소용량 CP에 병렬로 접속되고 적어도 미지의 라인용량 CS를 포함하는 부가용량 CT의 값을 기지의 적어도 하나의 기준용량 △CS를 사용하여 변경하고 부가용량 CT의 값으로서 적어도 2개의 값을 설정하는 용량치 설정부;상기 용량치 설정부에 의해 상기 부가용량 CT의 상기 적어도 2개의 값이 설정되고, 상기 화소용량 CP를 기지의 화소전압 VP로 충전함과 동시에, 상기 부가용량 CT를 상기 화소전압 VP와 값이 상이한 기지의 세트전압 VS로 충전하는 충전부;상기 충전부에 의한 충전단계가 종료한 후, 상기 화소용량 CP와 상기 부가용량 CT를 병렬로 접속하고, 병렬접속 후의 부가용량 CT의 전압 Va와 상기 세트전압 VS와의 차전압 △VS를 측정함으로써 서로 값이 다른 적어도 2개의 차전압 △VS를 측정하는 차전압 측정부; 및상기 차전압 측정부에 의해 측정된 상기 적어도 2개의 차전압 △VS에 기초하여 상기 화소를 검사하는 화소 검사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 검사장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-142663 | 1998-05-25 | ||
JP10142663A JP2931975B1 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | Tftアレイ検査方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990088515A KR19990088515A (ko) | 1999-12-27 |
KR100383541B1 true KR100383541B1 (ko) | 2003-05-12 |
Family
ID=15320609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-1999-0018710A KR100383541B1 (ko) | 1998-05-25 | 1999-05-24 | 티에프티 어레이 검사방법 및 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6262589B1 (ko) |
JP (1) | JP2931975B1 (ko) |
KR (1) | KR100383541B1 (ko) |
TW (1) | TW473622B (ko) |
Families Citing this family (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100596965B1 (ko) * | 2000-03-17 | 2006-07-04 | 삼성전자주식회사 | 구동신호 인가모듈, 이를 적용한 액정표시패널 어셈블리 및 이 액정표시패널 어셈블리의 구동신호 검사 방법 |
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-
1998
- 1998-05-25 JP JP10142663A patent/JP2931975B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-05-24 KR KR10-1999-0018710A patent/KR100383541B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-05-24 US US09/317,202 patent/US6262589B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-25 TW TW088108530A patent/TW473622B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW473622B (en) | 2002-01-21 |
KR19990088515A (ko) | 1999-12-27 |
US6262589B1 (en) | 2001-07-17 |
JPH11337895A (ja) | 1999-12-10 |
JP2931975B1 (ja) | 1999-08-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19990524 |
|
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19990709 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 19990524 Comment text: Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20010730 Patent event code: PE09021S01D |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20020731 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20030226 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20030428 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20030429 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20060316 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20070208 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20080211 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090106 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100107 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100107 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |