KR100359220B1 - 포토레지스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토레지스트 (photoresist) 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (1)분자량 5000~50000인 히드록시스티렌/t-부틸아크릴레이트 공중합체 또는 히드록시스티렌/t-부틸메타크릴레이트 공중합체 분자간에 비스페놀-A 디에탄올디비닐에테르 또는 1,4-시클로헥산디메탄올디비닐에테르를 가교제로 도입하여 가교결합시켜 얻어진, 하기 화학식 1의 구조를 갖는 분자량 7000~100000인 고분자 화합물 100중량부, (2)하기 화학식 5의 구조를 갖는 감광제 0.1~20중량부, (3)유기염기 0.01~10중량부 및 (4)유기용매 500~1000중량부를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이며, 본 발명에 의하여 리소그라피 특성의 저하없이 저온에서 경화시켜도 우수한 잔막율을 유지하는 포토레지스트 조성물을 제공할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 화학식중 R1은 수소원자 또는 메틸기이고, R2는 t-부틸기 또는 메틸기이며, R3는 메틸기이고, X는또는이며, m 및 n은 각각 0.05≤n/m≤0.5를 만족시키는 정수임)
[화학식 5]
(상기 화학식중 Q-는 노나플레이트(nonaflate) 또는 10-캄파술포네이트(10-camphorsulfonate)이고, Me는 메틸기임)

Description

포토레지스트 조성물{Photoresist composition}
본 발명은 반도체, LCD, 회로판 등의 전자산업, 인쇄제판 등의 인쇄분야에 활용되는, 포지티브 이미지(Positive image)를 구현하는 포토레지스트 (photoresist) 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 가교결합이 도입된 고분자 화합물, 감광제, 유기염기 및 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
포토레지스트(photoresist)란 반도체 초미세 가공시 노광, 현상, 에칭 등의 과정을 거칠 때 레지스트(resist)로 작용하여 기질에 미세 패턴을 형성하게 하는 고분자 재료를 말한다. 반도체의 고집적화가 진행되면서 고해상도의 포토레지스트가 요구되어 사용되는 광원의 파장이 g-line(436nm)부터 i-line(365nm), KrF 엑시머 레이져(248nm), ArF 엑시머 레이져(193nm)까지 발전하고 있다.
포토레지스트 조성물은 주로 고분자 수지와 감광제로 이루어지고, 이 조성물은 유기용매에 용해되어 사용된다. 고분자 수지로는 감광제로부터 발생한 산의 촉매작용으로 알칼리 수용액에 용해될 수 있게 변화가능한 반응성기를 함유한 노볼락 (novolac)계 수지, 폴리히드록시스티렌계 수지, 폴리메타크릴레이트계 수지 등이 사용되고, 감광제로는 술포늄(sulfonium)염, 요오드늄(iodonium)염 또는 유기계 화합물 등이 사용되며, 유기용매로는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 에틸 셀로솔브 아세테이트(ECA) 또는 에틸 락테이트(EL) 등이 사용된다.
레지스트 피막구조는 크게 비가교형 레지스트(보호-탈보호형)와 가교형 레지스트로 구분된다.
종래의 비가교형 레지스트 조성물은 산을 발생시킬 수 있는 감광제와 그 감광제로부터 발생한 산에 의하여 탈착될 수 있는 보호기를 함유하는 고분자 수지로 이루어진 것으로, 이들 두 물질간에는 어떠한 화학결합도 존재하지 않기 때문에 레지스트 가공중에 감광제의 손실이 일어나고, 외계로부터의 오염물질에 의하여 발생산이 중화되며, 바람직하지 못한 패턴(pattern)이 형성되는 등 여러가지 문제점이 있다.
한편, 종래의 가교형 레지스트 조성물은 고분자 수지, 가교제 및 비가교형 감광제로 이루어진 것으로 고분자와 고분자간에 가교결합을 도입하였다. 이 경우 통상 프리베이크(prebake) 과정중에 가교제가 고분자와 반응하여 고분자와 고분자간에 가교결합을 형성시켜 준다. 그 후 노광에 의하여 발생한 산에 의하여 가교결합을 파괴시켜서 노광부와 비노광부 간의 용해도 차이를 발생시켜서 화상을 발현해준다. 이와 같은 레지스트는 가교에 의하여 비노광부의 열안정성이 증대되는 점이기대된다. 그러나 이 경우에는 가교결합 과정중 분자량이 증가함에 따라 감광제가 레지스트 피막으로부터 분리될 가능성이 높아 감광제를 고충전하기 어렵고, 노광부에서도 발생산이 가교된 막질을 확산해 나가야함에 따라 신속하고 효과적인 탈가교를 일으키기 어렵게 된다. 이에 따라 환경안정성과 성능의 저하가 일어날 수 있다.
최근의 가교형 레지스트 조성물은 상기와 같은 단점을 개선하기 위해 가교형 감광제를 사용함으로써 고분자 수지와 감광제 사이의 가교결합을 도입하였다(참조: 대한민국 특허공개 제 99-31039호, 대한민국 특허출원 제 2000-40202호). 그러나 이 경우 유기용매에 대한 용해성이 떨어지거나, 또는 감광제의 증발현상, 노광시 산의 확산속도 및 포토스피드(photospeed) 등의 개선이 충분하지 않다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 가교결합이 도입된 고분자 화합물을 사용함으로써 별도의 가교제를 필요로 하지 않으며 비교적 저온에서 가공 가능한 포토레지스트 조성물을 제공함을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은 (1)하기 화학식 1의 고분자 화합물 100중량부, (2)하기 화학식 5의 감광제 0.1~20중량부, (3)유기염기 0.01~10중량부 및 (4)유기용매 500~1000중량부를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공한다.
(상기 화학식중 R1은 수소원자 또는 메틸기이고, R2는 t-부틸기 또는 메틸기이며, R3는 메틸기이고, X는또는이며, m 및 n은 각각 0.05≤n/m≤0.5를 만족시키는 정수임)
(상기 화학식중 Q-는 노나플레이트 또는 10-캄파술포네이트이고, Me는 메틸기임)
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명하고자 한다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은 고분자 화합물, 감광제, 유기염기 및 유기용매를 포함하는데, 각 구성성분을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에서 사용된 고분자 화합물은 하기 화학식 1의 구조를 갖는 분자량 7000~100000인 고분자 화합물이다.
[화학식 1]
(상기 화학식중 R1은 수소원자 또는 메틸기이고, R2는 t-부틸기 또는 메틸기이며, R3는 메틸기이고, X는또는이며, m 및 n은 각각 0.05≤n/m≤0.5를 만족시키는 정수임)
상기 화학식 1의 고분자 화합물은 구체적으로 히드록시 스티렌 100중량부, 및 t-부틸 아크릴레이트 또는 t-부틸 메타크릴레이트 5~50중량부를 공중합시켜 얻어진, 하기 화학식 2의 구조를 갖는 분자량 5000~50000인 히드록시스티렌/t-부틸아크릴레이트(HS/TBA) 공중합체 또는 히드록시스티렌/t-부틸메타크릴레이트(HS/TBMA) 공중합체를 하기 화학식 3의 비스페놀-A 디에탄올디비닐에테르(bisphenol-A diethanoldivinylether) 또는 하기 화학식 4의 1,4-시클로헥산디메탄올디비닐에테르(1,4-cyclohexanedivinylether)와 같은 폴리비닐에테르계 가교제를 사용하여 상기 공중합체 분자간의 가교반응을 유도함으로써 얻어지며, 이때 가교정도를 달리함으로써 최종적으로 생성되는 고분자 화합물의 분자량과 유기용매에 대한 용해성을조절할 수 있다.
(상기 화학식중 R1은 수소원자 또는 메틸기이고, m 및 n은 각각 0.05≤n/m≤0.5를 만족시키는 정수임)
본 발명에서 사용된 감광제는 하기 화학식 5의 구조를 갖는 화합물이다.
[화학식 5]
(상기 화학식중 Q-는 노나플레이트 또는 10-캄파술포네이트이고, Me는 메틸기임)
상기 감광제의 함량은 상기 고분자 화합물 100중량부 대비 0.1~20중량부인 것이 바람직하다. 상기 함량이 0.1중량부 미만인 경우에는 노광시 생성되는 산의 양이 부족하여 노광부의 현상속도가 현저하게 저하되고, 20 중량부를 초과하는 경우에는 자외선을 조사할 때 흡수도가 높아져 바닥에 있는 부분은 충분히 노광되지 않아 현상했을 때 깨끗한 패턴을 얻을 수 없다.
본 발명에서는 감광 성능을 보다 향상시키고자 필요에 따라 상기 화학식 5에서 Q-가 트리플레이트(triflate), 토실레이트(tosylate) 및 오르쏘-(또는 파라-)트리플루오르메틸벤젠술포네이트(o-,p-trifluoromethylbenzene sulfonate)로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 상기 감광제와 혼용할 수 있다.
또한, 본 발명의 조성물에는 감광 성능을 최적화시키고자 트리페닐술포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate), 트리페닐술포늄 노나플레이트(triphenylsulfonium nonaflate), 트리페닐술포늄 캄파술포네이트(triphenylsulfonium camphorsulfonate) 등의 술포늄염; 파라-(t-부틸)페닐요오드늄 트리플레이트(p-(t-butyl)phenyliodonium triflate), 파라-(t-부틸)페닐요오드늄 노나플레이트(p-(t-butyl)phenyliodonium nonaflate), 파라-(t-부틸)페닐요오드늄 캄파술포네이트(p-(t-butyl)phenyliodonium camphorsulfonate), 파라-(t-부틸)페닐요오드늄 토실레이트(p-(t-butyl)phenyliodonium tosylate) 등의요오드늄염; 및 비스(디시클로헥실술포닐)디아조메탄(bis(dicyclohexylsulfonyl)diazomethane), 비스(디페닐술포닐)디아조메탄(bis(diphenylsulfonyl)diazomethane) 등의 디아조메탄화합물과 같은 통상의 비이온성 감광제중 1종 이상을 추가로 첨가할 수 있다.
본 발명에서 사용된 유기염기는 대기중에 포함되어 있는 아민 등의 염기성 화합물이 노광후 얻어지는 패턴에 끼치는 영향을 줄이거나 패턴의 모양을 조절하는 역할을 하며, 테트라부틸암모늄 락테이트(tetrabutylammonium lactate) 또는 테드라부틸암모늄 히드록사이드(tetrabutylammonium hydroxide)와 같은 암모늄염을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 유기염기의 함량은 상기 고분자 화합물 100중량부 대비 0.01~10중량부인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 조성물에는 보다 나은 패턴 모양을 얻기 위해서 필요에 따라 상기 암모늄염 이외에도 유기염기로서 트리헥실아민(trihexylamine), 트리이소부틸아민(triisobutylamine), 트리에탄올아민(triethanolamine), 트리옥틸아민(trioctylamine), 트리이소데실아민(triisodecylamine), 트리메틸렌 디피페리딘(trimethylene dipiperidine) 등의 삼차 아민류; 디시클로헥실아민(dicyclohexylamine), 디데실아민(dideclamine), 피페리딘(piperidine), 피페라진(piperazine), 1,3,5-트리메틸헥사히드로-1,3,5-트리아진(1,3,5-trimethylhexahydro-1,3,5-triazine), 1,3,5-트리에틸헥사히드로-1,3,5-트리아진(1,3,5-triethylhexahydro-1,3,5-triazine), 1-피페리딘 에탄올(1-piperidine ethanol) 등의 이차 아민류; 1-헥사데실아민(1-hexadecylamine), 옥타데실아민(octadecylamine), 4-(2-아미노에틸)페놀(4-(2-aminoethyl)phenol) 등의 일차 아민류; 및 4-아미노벤조산(4-aminobenzoic acid), 3,4-디메틸아닐린(3,4-dimethylaniline), 4-아미노벌라트롤(4-aminoveratrole), 디페닐아민(diphenylamine), 트리페닐아민(triphenylamine) 등의 방향족 아민류 중 1종 이상의 화합물을 추가로 첨가할 수 있다.
본 발명에서 사용된 유기용매는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한 특별히 제한받는 것은 아니며, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 에틸 셀로솔브 아세테이트(ECA) 또는 에틸 락테이트(EL)를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 유기용매의 함량은 상기 고분자 화합물 100중량부 대비 500~1000중량부인 것이 바람직하다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다.
제조예 1: 비스페놀-A 디에탄올디비닐에테르(BPVE)의 제조
반응기에 DMSO(dimethyl sulfoxide) 4L, 비스페놀-A 666g(3몰), 95% NaOH 255g(6몰) 및 2-클로로에틸 비닐에테르 639g(2몰)을 투입하고 80∼100℃로 승온하여 2시간 동안 교반한 반응용액을 물 15L에 첨가하여 하얀색 고체를 생성시켰다.여과하여 얻어진 젖은 고형분을 60℃에서 6시간 동안 건조시켰다. 건조된 고형분에 메탄올 3L를 가하고 승온하여 완전하게 용해시킨 다음, 상온에서 24시간 동안 방치하여 얻어진 고체 화합물을 여과하고 건조시켜 상기 BPVE를 수득하였다(수율 90%).
제조예 2: BPVE로 가교된 히드록시스티렌/t-부틸메타크릴레이트(HS/TBMA)
=85/15인 고분자 합성
반응기에 THF(tetrahydrofuran) 800mL, HS/TBMA=85/15인 공중합체(VPA-99, Mw=12440; NIPPON SODA Co. Ltd) 100g 및 상기 제조예 1에 의한 BPVE 23g을 투입하고 1시간 동안 교반시켰다. 반응물이 모두 용해됐음을 확인한 후, 다시 말론산 500mg을 약 10mL THF에 녹여 서서히 투입하고 상온에서 계속 교반시켰다. 9시간 후 반응용액을 500mL의 THF로 희석하고 염기성 알루미나 100g이 충진된 칼럼으로 여과하였다. 여과물을 강하게 교반중인 5L의 증류수에 서서히 투입하고 약 30분 동안 교반시켜 얻어진 침전물을 여과하고 진공건조기에서 24시간 동안 건조시켜 상기 고분자를 수득하였다(수율 80%). 상기 고분자의 GPC 측정결과 Mw은 12440에서 17240으로, 그리고 Mn은 10581에서 12610으로 각각 증가한 것으로 확인되었다.
제조예 3: BPVE로 가교된 히드록시스티렌/t-부틸메타크릴레이트(HS/TBMA)
=77/23인 고분자 합성
반응기에 THF(tetrahydrofuran) 800mL, HS/TBMA=77/23인 공중합체(VPA-124,Mw=10300; NIPPON SODA Co. Ltd) 100g 및 상기 제조예 1에 의한 BPVE 5g을 투입하고 1시간 동안 교반시켰다. 반응물이 모두 용해됐음을 확인한 후, 다시 말론산 500mg을 약 10mL THF에 녹여 서서히 투입하고 상온에서 계속 교반시켰다. 12시간 후 반응용액을 500mL의 THF로 희석하고 염기성 알루미나 100g이 충진된 칼럼으로 여과하였다. 여과물을 강하게 교반중인 5L의 증류수에 서서히 투입하고 약 30분 동안 교반시켜 얻어진 침전물을 여과하고 진공건조기에서 24시간 동안 건조시켜 상기 고분자를 수득하였다(수율 83%). 상기 고분자의 GPC 측정결과 Mw은 10300에서 15340으로, 그리고 Mn은 8970에서 10580으로 각각 증가한 것으로 확인되었다.
제조예 4: 비스(4-히드록시페닐)술폭사이드의 제조
반응기에 아세톤 100ml과 비스(4-히드록시페닐)설파이드 218.27g(1.0몰)을 투입한 후, 상온에서 교반하여 용해시켰다. 교반하에 아세트산 1g을 투입 후 5℃로 냉각시키고, 계속 교반시키면서 30% H2O2114g(1.0몰)을 첨가하되 반응온도가 30℃ 초과시 부반응물 생성 촉진 가능성이 있기 때문에 반응온도를 25℃ 이하로 유지하며 서서히 적하하였다. 그 후 상온에서 40시간 정도 교반하여 숙성시켰다. 그런 다음, 열매온도를 상온에서부터 60℃로 서서히 증가시키면서 반응용액을 약 50토르에서 감압증류하고, 반응기 내에 남겨진 흰색 고체에 메탄올:물을 1:2로 혼합한 용액 2L를 투입한 후 교반하에 약 70℃로 승온시켜 용해시켰다. 저속교반하에 상온으로 자연냉각하여 재결정시킨 다음, 여과하고 진공건조기에서 60℃로 5∼10시간 동안 건조시켜 비스(4-히드록시페닐)술폭사이드를 제조하였다(수율 90%).
제조예 5: 비스(4-히드록시페닐)-3,5-디메틸-4-메톡시페닐술포늄 클로라이드(MPSC)의 제조
반응기에 P2O5고체 60.8g을 투입한 후 MSA(methane sulfonic acid) 용액 608g을 투입하고 교반하에 50℃로 승온하고 약 5시간 동안 유지하여 P2O5를 완전용해시켰다. 반응온도를 약 30℃로 냉각한 후 온도를 유지하면서 상기 제조예 3에 의한 비스(4-히드록시페닐)술폭사이드 234g(1몰)을 투입하고, 30분 정도 교반하여 반응시켰다. 반응온도를 10∼15℃로 낮추고, 반응온도가 25℃를 넘지않게 유지하면서 2,6-디메틸아니졸 137.4g(1.01몰)을 서서히 투입한 후, 상온에서 10시간 동안 숙성시켰다. 반응 종료후 상기 반응용액을 과량(반응액 부피의 약 5배)의 포화 NaCl 수용액에 서서히 부어준 다음, 층분리된 반응액을 8시간 정도 교반없이 상온방치해 흰색 고체를 생성시켰다. 여과 후에 얻어진 젖은 고형분을 에탄올 3∼4L에 투입하고 약 1시간 동안 상온에서 교반하여 용해시켰다. 용해된 후 에탄올의 약 1.5배 부피의 포화 NaCl 수용액을 투입하고, 교반없이 1일 정도 상온에 방치하여 재결정시킨 다음, 여과하고 진공건조기에서 24시간 동안 진공건조시켜 상기 MPSC를 수득하였다(수율 80%).
제조예 6: 디(4-비닐옥시에톡시페닐)-2,6-디메틸-4-메톡시페닐술포늄 노나플레이트의 제조
반응기에 DMSO 2L, 상기 제조예 4에 의한 MPSC 384.5g(1몰), 95% NaOH 85g(2몰) 및 2-클로로에틸 비닐에테르 213g(2몰)을 투입한 후, 80∼100℃로 승온시키고 2시간 동안 교반하여 얻어진 반응물을 1몰의 포타슘 노나플레이트가 함유된 0℃의 수용액 10L에 첨가하여 이틀간 방치하였다. 이때 생성된 고체를 여과하여 얻어진 젖은 고형분을 메탄올 2.5L에 녹인 후, 상기 메탄올과 동일 부피의 에틸 에테르를 투입하고 1일간 방치하여 재결정시킨 다음, 여과하고 진공건조기에서 24시간 동안 건조시켜 디(4-비닐옥시에톡시페닐)-2,6-디메틸-4-메톡시페닐술포늄 노나플레이트를 수득하였다(수율 43%).
실시예 1~2 및 비교예 1~2:
하기 표 1의 조성에 의한 포토레지스트 조성물을 제조하여 Rmin 측정 및 리소그라피 테스트를 실시하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
고분자 화합물(mg) 감광제(mg) 가교제(mg) 유기염기(mg) 유기용매(g)
실시예 1 제조예 2(3690) 제조예 6(150) - TBAL(1.5) 에틸 락테이트(20.7)
실시예 2 제조예 3(3150) 〃 - 〃 〃
비교예 1 VPA-99(3000) 〃 제조예 1(690) 〃 〃
비교예 2 VPA-124(3000) 〃 제조예 1(150) 〃 〃
*: 70% 테트라-n-부틸암모늄 락테이트 수용액(Sigma Aldrich Co., Ltd.)
Rmin(110℃ 베이킹) 리소그라피
도스(mJ) 해상도(㎛) 패턴유형 형태
실시예 1 7.5Å/초 50 0.22 선과 공간 정방형
실시예 2 1.83Å/초 54 0.22 〃 〃
비교예 1 8.09Å/초 52 0.24 〃 〃
비교예 2 8.1Å/초 52 0.24 〃 〃
[물성 평가 방법]
1) Rmin 측정: 상기 포토레지스트 조성물을 각각 실리콘 웨이퍼 위에 도포하고 1500rpm에서 70초간 스핀코팅한 다음, 110℃에서 90초간 베이킹하여 0.6∼0.7㎛ 두께의 피막을 형성시켰다. 상기 피막의 두께를 측정하고, 23℃ TMAH 수용액(2.38중량%)으로 90초간 현상한 다음 다시 피막 두께를 측정하고, 이때 얻어진 두께차를 90으로 나눈값을 구하였다.
2) 리소그라피 테스트: 상기 Rmin 측정시와 동일한 방법으로 실리콘 웨이퍼 위에 피막을 형성시켰다. 상기 웨이퍼를 KrF Stepper(NA 0.45)를 사용하여 노광시킨 다음, 110℃에서 90초간 베이킹한 후 22.5℃에서 TMAH 수용액(2.38중량%)으로 60초간 현상하였다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하여 리소그라피 특성의 저하없이 저온에서 경화시켜도 우수한 잔막율을 유지하는 포토레지스트 조성물을 제공할 수 있다.

Claims (6)

  1. (1)분자량 5000~50000인 히드록시스티렌/t-부틸아크릴레이트 공중합체 또는 히드록시스티렌/t-부틸메타크릴레이트 공중합체 분자간에 비스페놀-A 디에탄올디비닐에테르 또는 1,4-시클로헥산디메탄올디비닐에테르를 가교제로 도입하여 가교결합시켜 얻어진, 하기 화학식 1의 구조를 갖는 분자량 7000~100000인 고분자 화합물 100중량부, (2)하기 화학식 5의 구조를 갖는 감광제 0.1~20중량부, (3)유기염기 0.01~10중량부 및 (4)유기용매 500~1000중량부를 포함하는 포토레지스트 조성물.
    [화학식 1]
    (상기 화학식중 R1은 수소원자 또는 메틸기이고, R2는 t-부틸기 또는 메틸기이며, R3는 메틸기이고, X는또는이며, m 및 n은 각각 0.05≤n/m≤0.5를 만족시키는 정수임)
    [화학식 5]
    (상기 화학식중 Q-는 노나플레이트(nonaflate) 또는 10-캄파술포네이트(10-camphorsulfonate)이고, Me는 메틸기임)
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 조성물이 감광제로서 상기 화학식 5에서 Q-가 트리플레이트, 토실레이트, 오르쏘-트리플루오르메틸벤젠술포네이트 및 파라-트리플루오르메틸벤젠술포네이트로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 조성물이 트리페닐술포늄 트리플레이트, 트리페닐술포늄 노나플레이트 및 트리페닐술포늄 캄파술포네이트로 구성되는 술포늄염군; 파라-(t-부틸)페닐요오드늄 트리플레이트, 파라-(t-부틸)페닐요오드늄 노나플레이트, 파라-(t-부틸)페닐요오드늄 캄파술포네이트 및 파라-(t-부틸)페닐요오드늄 토실레이트로 구성되는 요오드늄염군; 및 비스(디시클로헥실술포닐)디아조메탄 및 비스(디페닐술포닐)디아조메탄으로 구성되는 디아조메탄군으로부터 선택되는 1종 이상의 비이온성 감광제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 유기염기가 테트라부틸암모늄 락테이트 또는 테드라부틸암모늄 히드록사이드인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 조성물이 유기염기로서 트리헥실아민, 트리이소부틸아민, 트리에탄올아민, 트리옥틸아민, 트리이소데실아민 및 트리메틸렌 디피페리딘으로 구성되는 삼차 아민군; 디시클로헥실아민, 디데실아민, 피페리딘, 피페라진, 1,3,5-트리메틸헥사히드로-1,3,5-트리아진, 1,3,5-트리에틸헥사히드로-1,3,5-트리아진 및 1-피페리딘 에탄올로 구성되는 이차 아민군; 1-헥사데실아민, 옥타데실아민 및 4-(2-아미노에틸)페놀로 구성되는 일차 아민군; 및 4-아미노벤조산, 3,4-디메틸아닐린, 4-아미노벌라트롤, 디페닐아민 및 트리페닐아민으로 구성되는 방향족 아민군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 유기용매가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 에틸 셀로솔브 아세테이트(ECA) 또는 에틸 락테이트(EL)인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
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