KR100352116B1 - 열방출이용이한반도체패키지구조 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 열방출이 용이한 반도체 패키지 구조로서, 전자회로가 집적되어있는 반도체칩과, 상기의 반도체칩의 신호를 전기적으로 접속시키는 와이어와, 상기의 와이어에 연결되어 반도체칩의 신호를 외부로 전달하는 리드와, 상기 반도체칩의 외측 둘레로 위치되며, 상기한 리드의 상면에 부착되는 링(Ring)형태의 리드히트싱크와, 상기 리드히트싱크의 장면에 접착제로 부착되어 반도체칩의 상면을 덮는 히트싱크와, 상기의 반도체칩, 와이어, 리드를 외부환경으로 부터 보호하기 위하여 감싸진 수지봉지재를 포함하며, 상기한 리드는 수지봉지재의 저면으로 다수의 열과 행을 가지고 배열되도록 노출되고, 상기한 히트싱크는 그 일면이 수지봉지재의 외부로 노출된 것으로, 회로동작시 발생되는 열을 효율적으로 방출하도록 된 것이다.

Description

열방출이 용이한 반도체 패키지 구조
본 발명은 열방출이 용이한 반도체 패키지의 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 패키지의 회로동작시 발생되는 열을 효율적으로 외부로 방출함과 동시에, 실장밀도를 높이고, 패키지를 고집적화 및 고성능화 할 수 있는 열방출이 용이한 반도체 패키지의 구조에 관한 것이다.
최근에 다핀화의 추세에 따른 기술적 요구를 해결하기 위해서 등장한 반도체패키지는 입출력 수단을 패키지의 일면으로 노출시켜 이를 입출력 수단으로 사용함으로서 보다 많은 수의 입출력 신호를 수용할 수 있음은 물론, 그 크기도 작게 형성한 것이다.
이러한 반도체 패키지의 구성은 도 1에 도시된 바와같이 전자회로가 집적되어 있는 반도체칩(1)과, 상기 반도체칩(1)을 지지함과 아울러 반도체칩(1)의 신호를 외부로 전기적 접속 경로를 이루는 리드(2)와, 상기 반도체칩(1)을 전기적으로 연결시키는 와이어(3)와, 상기의 반도체칩(1), 리드(2) 및 와이어(3)를 외부환경으로 부터 보호하기 위한 수지봉지재(4)를 포함하며, 상기의 리드(2)는 내측으로 수지봉지재(4)의 저면에 노출되도록 리드(2)를 절곡 형성하여서 된 것이다.
그러나, 이러한 반도체 패키지는 회로동작시 발생되는 열을 효율적으로 외부로 방출시키지 못함으로서, 패키지의 불량을 초래하고, 신뢰성을 저하시키는 등의 문제점이 있었던 것이다.
본 발명의 목적은 이와같은 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 반도체 패키지의 회로동작시 발생되는 열을 효율적으로 외부로 방출시키도록 히트싱크를 내장함과 동시에, 실장밀도를 높이고, 패키지를 고집적화 및 고성능화 할 수 있는 열방출이 용이한 반도체 패키지의 구조를 제공함에 있다.
도 1은 종래의 반도체 패키지에 대한 구조를 나타낸 단면도
도 2는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 구조를 나타낸 단면도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 구조를 나타낸 단면도
도 4는 본 발명에 따른 히트싱크의 일예를 나타낸 단면도
- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -
10 - 반도체칩 20 - 리드
30 - 와이어 40 - 수지봉지재
51 - 히트싱크 52 - 리드히트싱크
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 구성을 나타낸 단면도로서, 그 구조는 전자회로가 집적되어 있는 반도체칩(10)과, 상기의 반도체칩(10)의 신호를 전기적으로 접속시키는 와이어(30)와, 상기의 와이어(30)에 연결되어 반도체칩(10)의 신호를 외부로 전달하는 리드(20)와, 상기 반도체칩(10)의 외부로 위치되며 상기 리드(20)의 상면에 부착되는 링(Ring)형태의 리드히트싱크(52)와, 상기 리드히트싱크(52)의 상면에 접착제(60)로 부착되어 반도체칩(10)의 상면을 덮는 히트싱크(51)와, 상기의 반도체칩(10), 와이어(30), 리드(20) 및 리드히트싱크(52)를 외부환경으로 부터 보호하기 위하여 감싸진 수지봉지재(40)를 포함하며, 상기의 리드(20)는 수지봉지재(40)의 저면으로 다수의 열과 행을 가지고 배열되도록 노출되고, 상기의 히트싱크(51)는 그 일면이 수지봉지재(40)의 외부로 노출되는 것을 특징으로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 구조를 나타낸 것으로서, 본 발명의 구성과 동일하나, 상기의 리드히트싱크(52) 상면에 부착되는 히트싱크(51)를 수지봉지재(40)의 외부로 돌출되도록 형성하여 열방출의 효과를 극대화한것이다.
도 4는 본 발명에 따른 히트싱크의 일예를 나타낸 도면으로서, 상기의 리드히트싱크(52)와 그 상면에 부착되는 히트싱크(51)를 일체형으로 형성한 것이다. 즉, 리드히트싱크(52)와 히트싱크(51)로 분리하여 접착제(60)로 부착할 수 있고, 또는 리드히트싱크(52)와 히트싱크(51)를 일체형으로 제작 가능한 것이다.
이와같이 구성된 본 발명의 반도체 패키지는 반도체칩(10)의 회로동작시 발생되는 열을 상기 히트싱크(51)와 리드(20)의 상면에 부착된 리드히트싱크(52)에서 외부로 효율적으로 방출시킴으로서 패키지의 성능을 향상시키고, 신뢰성을 확보할수 있는 것이다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 패키지는 내부에 히트싱크를 외부로 노출되도록 제작함으로서 반도체칩의 회로동작시 발생되는 열을 보다 효율적으로 방출시켜 패키지의 성능을 향상시키고, 신뢰성을 높이며, 패키지를 고집적화 및 고성능화 할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 전자회로가 집적되어 있는 반도체칩과;
    상기 반도체칩의 하면에 다수의 열과 행을 가지며 배열된 다수의 리드와;
    상기 반도체칩과 리드를 상호 전기적으로 연결하는 다수의 와이어와;
    상기 반도체칩의 외주연으로서, 상기 리드의 상면에 부착된 링(Ring) 형태의 리드히트싱크와;
    상기 리드히트싱크의 상면에 접착제로 부착되어 반도체칩의 상면을 덮는 히트싱크와;
    상기의 반도체칩, 와이어, 리드, 리드히트싱크 및 히트싱크를 감싸되, 상기 리드의 하면이 하부로 노출되고, 상기 히트싱크의 상면은 상부로 노출되도록 형성된 수지봉지재를 포함하여 이루어진 열방출이 용이한 반도체패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 리드히트싱크 상면에 부착되는 히트싱크는 수지봉지재 외부로 돌출된 것을 특징으로 하는 열방출이 용이한 반도체 패키지 구조.
  3. 제1항에 있어서, 상기 리드히트싱크와 그 상면에 부착되는 히트싱크는 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 열방출이 용이한 반도체 패키지 구조.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431443A (en) * 1987-07-27 1989-02-01 Nec Corp Semiconductor device
KR900004005A (ko) * 1988-08-15 1990-03-27 미다 가쓰시게 반도체장치
JPH03248449A (ja) * 1990-02-26 1991-11-06 Nec Corp ヒートシンク搭載型半導体装置
KR930014949A (ko) * 1991-12-24 1993-07-23 김광호 반도체 장치
JPH0653390A (ja) * 1992-06-03 1994-02-25 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431443A (en) * 1987-07-27 1989-02-01 Nec Corp Semiconductor device
KR900004005A (ko) * 1988-08-15 1990-03-27 미다 가쓰시게 반도체장치
JPH03248449A (ja) * 1990-02-26 1991-11-06 Nec Corp ヒートシンク搭載型半導体装置
KR930014949A (ko) * 1991-12-24 1993-07-23 김광호 반도체 장치
JPH0653390A (ja) * 1992-06-03 1994-02-25 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法

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