KR100344698B1 - 배기 가스의 처리방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

실리콘계가스를 사용하는 CVD 장치로부터 배출되는 배기 가스에 포함되는 원료가스나 고비점중간생성물을, 소정온도로 가열한 니켈 등의 전이금속 혹은 그 규소화합물에 배기 가스를 접촉시킴으로써, 안정된 할로겐화물로 분해 혹은 전화시키고 나서, 배기 가스 중의 유해성분을 무해화처리하는 배기 가스의 처리방법 및 장치이다.

Description

배기 가스의 처리방법 및 장치{METHOD AND DEVICE FOR TREATING EXHAUST GAS}

본 발명은, 배기 가스의 처리방법 및 장치에 관한 것으로, 상세하게는 반도체 제조공정에 있어서, 실리콘계가스(Silane Halide Gases)를 사용하여 실리콘의 에피텍셜막이나 다결정막, 혹은 아몰파스막을 형성하는 화학기상성장(CVD: Chemical Vapor Deposition)장치로부터 배출되는 배기 가스를 무해화하기 위한 처리방법 및 장치에 관한 것이다. 상기 실리콘계가스는, 토리클로로실란(TCS: SiHC1₃)이나 지클로로실란(DCS: SiH₂C1₂) 등의 할로겐화수소규소가스 및 사염화규소 등의 할로겐화규소가스를 말한다.

실리콘 CVD공정의 하나인 에피텍셜(단결정성장)공정은, 전계효과형 M0S (Metal-Oxide-Semiconductor) 트랜지스터의 기판 제작이나 바이폴라 트랜지스터의 에미터층의 형성에 사용되고 있다. 에피텍셜공정은, 통상, TCS나 DCS 등의 실리콘계가스를 원료가스로 하고, 이것을 수소로 희석하여 프로세스챔버내에 도입함과 동시에, 프로세스챔버내에 설치한 기판을 1100℃정도로 가열함으로써 상기 원료가스를 열분해시켜, 기판상에서 실리콘을 퇴적시킴으로써 행하여지고 있다. 이 때의 프로세스조건은, 통상, 대기압으로부터 1OOPa(파스칼) 정도의 압력범위 내에서 행하여지고 있다.

한편 다결정성장공정은, 전계효과형 M0S(Metal-Oxide-Semiconductor)트랜지스터의 게이트전극이나 캐퍼시터의 기초층의 형성에 사용되고 있다. 다결정성장공정은 통상, 상기 TCS나 DCS 등의 실리콘계가스를 수소로 희석하여, 800℃정도 가열한 기판을 설치한 프로세스챔버내에 도입하고, 원료가스를 열분해시켜 기판상에 퇴적시킴으로써 행하여지고 있다. 이 때의 프로세스조건은, 통상 100Pa 정도의 감압하에서 행하여지고 있다.

또한 이러한 공정에서는, 프로세스챔버내로의 웨이퍼의 반입에 따른 웨이퍼 흡착 수분의 관리를 위해, 배기배관계에 수분계측장치(광학적계측을 하는 광학분석장치: 예컨대 푸리에변환적외분광장치(FTIR: Fourier Transformation Infrared)등을 설치하는 경우도 있다.

상술과 같은 결정성장공정에서, 실리콘의 퇴적을 위해 프로세스챔버내에 도입된 원료가스중에서 실제로 기판으로의 실리콘 퇴적을 위해 기여하는 가스량은 5%정도이며, 나머지 대부분의 원료가스는, 퇴적에 기여하지 않고, 중간생성물(전량의 수% 정도)로 함께 배기 가스로서 챔버로부터 배출된다. 챔버로부터 배출된 배기 가스는, 제해장치(除害裝置)에 의해서 원료가스나 중간생성물이 제거되어 무해화된 후, 캐리어가스의 수소나 퍼지가스의 질소만이 대기에 방출된다.

그런데 에피텍셜공정에서는, 그 공정에서 발생하는 중간생성물(부생성물)이배기계 배관의 내면에 부착·퇴적한다는 문제가 있어, 퇴적물에 의해서 배기계 배관이 막히는 경우가 있었다. 또한, 광학분석장치의 광투과창문이 퇴적물에 의해서 흐려지고 정확한 계측이 곤란하게 되는 경우도 있다. 이 중간생성물은, 실리콘과 염소와의 화합물, 혹은 실리콘과 수소와의 화합물이며, 배기계 배관의 내면에 상온에서 중합물을 형성한다. 형성된 중합물은 대기중의 수분에 의해서 반응성(자연 발화성 혹은 폭발성)이 높은 물질, 예컨대 포리실록산으로 변화한다. 따라서, 배기배관계의 내면에 부착한 중합물을 제거하기 위해서 배기배관계를 분해하여 대기로 개방할 때는, 여러가지 준비와 연구가 필요하고 CVD 장치에 있어서의 가동효율을 저하시키는 하나의 원인 있었다.

또한 중합물의 퇴적을 방지하기 위해서, 삼불화염소(ClF₃)등의 에칭가스를 배기배관계에 통기(通氣)하는 것도 행하여지고 있지만, 이 방법으로서는 배관의 내면에 퇴적한 중간생성물을 제거할 수 있기는 하지만, 강한 에칭성 때문에 배기계배관 그 자체가 부식하고, 경우에 따라서는 배관에 구멍이 뚫린다는 문제가 있었다.

또한 ClF₃같은 에칭가스와 에피텍셜공정에 사용하는 원료가스와는 통상, 1개의 제해장치로 처리할 수가 없기 때문에, 각각의 가스를 통기하는 경우에 따라 제해장치를 전환하여 사용해야 하였다.

한편 배기계배관으로의 중간생성물 부착·퇴적을 방지하기 위해서, 배관을 항상 150℃ 정도의 온도로 가열하는 방법이 제안되어 있다. 그러나 이 방법으로서는 일부의 배관온도가 낮은 경우, 저온부에 중간생성물이 선택적으로 퇴적하게 된다. 통상, 제해장치와 CVD장치 사이의 배관은, 설치면적의 삭감 요구에 의해 복잡한 굴곡부를 가지고 있어 배관계를 균일하게 가열·보온하는 것이 어려우며, 실제로는 상술한 바와 같이, 배관을 떼내어 저온부에 퇴적한 중간생성물을 제거하는 유지관리가 실시되고 있었다.

또한 TCS나 DCS를 무해화하는 경우, 물을 사용한 스크러버가 많이 사용되고 있지만, 물과 TCS 혹은 DCS와의 반응에 의해서 고체의 이산화규소(SiO₂)가 생성되기 때문에, 스크러버에 사용되는 순환수에 SiO₂를 제거하는 수단을 설치하고 있었다. 그러나 제거된 SiO2₂는 그 내부에 수소를 함유하기 때문에 그대로는 배출할 수 없고, SiO₂와 불화수소(HF)를 반응시켜 처리하는 것이 행하여지고 있었다. 이들 작업은 제해장치의 정기유지관리로서 행해지기 때문에, CVD장치의 가동율이 저하할 뿐 아니라, 생성한 SiO₂를 제거하기 위한 약품이나 인건비 등, 많은 비용이 발생하고 있었다.

도 1은, CVD 장치에 본 발명의 배기 가스의 처리장치를 적용한 일형태예를 나타내는 계통도이다.

도 2는 실험예1에 있어서의 가스성분의 계측결과를 나타낸 도면이다.

도 3은 실험예2에 있어서의 가스성분의 계측결과를 나타낸 도면이다.

도 4는 실험예3에 있어서의 가스성분의 계측결과를 나타낸 도면이다.

도 5는 실험예4에 있어서의 가스성분의 계측결과를 나타낸 도면이다.

도 6은 실험예5에 있어서의 가스성분의 계측결과를 나타낸 도면이다.

도 7은 실험예6에 있어서의 가스성분의 계측결과를 나타낸 도면이다.

본 발명의 목적은 결정성장공정에서 사용하는 원료가스나 이 때 발생하는 중간생성물(부생성물)을 휘발성이 높은 할로겐화물로 반응전화(反應轉化)시켜, 배기배관계로 부착 퇴적시키는 일없이 제해장치나 회수장치까지 배기하고, 배기배관계나 제해장치가 정기적인 유지관리가 절감 혹은 필요 없어지는 배기 가스의 처리방법 및 장치를 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 실리콘계가스를 사용하여 실리콘박막을 형성하는 CVD 장치로부터 배출되는 배기 가스의 처리방법은, 상기 배기 가스 중에 포함되는 미반응의 원료가스 및 중간생성물을 분해 혹은 반응전화 처리한 후, 배기 가스 중에 포함되는 유해성분의 제해처리를 하는 것에 있다. 상기 분해 혹은 반응전화처리는, 400℃ 이상으로 가열한 전이금속 또는 전이금속의 규소화합물에 배기 가스를 접촉시킴으로써 행한다. 또한 상기 배기 가스에 수소가스를 첨가하고 나서 상기 분해 혹은 반응전화 처리를 한다.

본 발명의 실리콘계가스를 사용하여 실리콘박막을 형성하는 CVD 장치로부터 배출되는 배기 가스의 처리장치는, 상기 배기 가스중에 포함되는 미반응의 원료가스 및 중간생성물을 분해 혹은 반응전화하는 분해반응수단과, 상기 분해반응수단으로부터 도출한 배기 가스중에 포함되는 유해성분을 무해화하는 제해수단과, 상기 CVD 장치로부터 상기 분해반응수단에 이르는 배기가스경로를 소정온도로 가열 또는 보온하는 수단을 구비하고 있다. 또한 상기 배기 가스경로에는, 배기 가스 중에 수소가스를 첨가하는 수소가스첨가수단이 설치된다. 상기 분해반응수단은 전이금속 또는 전이금속의 규소화합물을 충전한 반응기와, 상기 전이금속 또는 전이금속의 규소화합물을 소정온도로 가열하는 가열수단을 구비하고 있다.

본 발명에 의하면 미반응의 원료가스 등을 처리가 용이한 염화수소(HC1)에 분해 혹은 전화할 수가 있기 때문에, 배관내면에 퇴적물이 부착하는 일이 없어질 뿐만 아니라, 퇴적물을 제거하기 위한 정기적인 유지관리가 필요없어지므로, CVD장치의 가동률이 향상한다. 또한, 제해처리에 있어서 SiO₂가 발생하지 않기 때문에, 제해처리에 있어서 장치의 부담이 줄고, 종래에 설치된 SiO₂의 제거기구가 필요없어지므로, 제해처리장치의 비용절감을 도모할 수 있다. 또한 ClF₃등에 의한 배기계배관내의 크리닝이 필요없어지므로, 크리닝에 필요한 비용을 절감할 수 있고, 배기계배관을 단순화할 수도 있다. 또한, 광학적계측장치를 배기계배관에 설치하여 모니터링을 행하더라도 빛의 감쇠가 없고, 정확한 측정이 행해짐과 동시에 계측장치의 광학창문의 유지관리도 불필요하여 진다.

「발명을 실시하기 위한 최선의 형태」

도 1은 CVD 장치에 본 발명의 배기 가스의 처리장치를 적용한 일형태예를 나타내는 계통도이다. 이 CVD 장치는, 일반적으로 매엽저항가열식 실리콘 에피텍셜장치라고 불리고 있는 것이며, 기판(웨이퍼)(11)을 설치하는 프로세스챔버(12)와, 원료가스나 세정용가스를 상기 챔버(12)내에 공급하는 원료가스공급원(13)과, 프로세스챔버(12)내를 소정의 분위기로 유지하는 분위기가스를 공급하는 분위기가스공급원(14)과, 퍼지가스를 상기 챔버(12)내에 공급하는 퍼지가스공급원(15)과, 이들 가스의 유량제어 등을 하는 가스공급장치(16)와, 프로세스챔버(12)로부터 가스를 배출하기 위한 배기 펌프(17)(터보분자 펌프), (18)(드라이 펌프)를 구비하고 있다. 상기 분위기가스는, 원료가스를 반송하는 캐리어가스와 같은 것이다.

상기 프로세스챔버(12)는, 게이트밸브(19)를 통해 로딩챔버(도시하지 않음)에 연이어 설치하고 있다. 또한 프로세스챔버(12)에는, 웨이퍼(11)를 얹어 놓은 서셉터(20)나 웨이퍼(11)를 소정온도에 가열하는 가열수단(도시하지 않음)이 설치된다.

상기 배기 펌프(17,18)를 포함하는 배기계배관(21)에는, 배기 가스 중에 포함되는 미반응의 원료가스나 고비점중간생성물을 분해 혹은 반응전화하는 수단인 반응기(22)와, 배기 가스 중에 포함되는 유해성분의 무해화처리를 하는 수단인 제해장치(23)가 연이어 설치되어 있다.

이 CVD 장치는, 희석가스로 희석한 원료가스를 흘리면서 배기하고 프로세스챔버(12)내의 압력을 1기압으로 유지하여 웨이퍼의 에피텍셜처리를 하는 것이다.예컨대, p형 에피텍셜성장을 행할 때의 전형적인 시퀀스를 설명하면 우선 퍼지가스인 질소가스를 매분 2리터로 프로세스챔버(12)내에 공급하면서, 게이트밸브(19)를 통해 웨이퍼(11)를 반입하고, 서셉터(20)상에 얹어 놓는다. 게이트밸브(19)를 닫은 후, 공급가스를 질소가스로부터 매분 15리터의 수소가스(분위기가스)로 전환하고, 프로세스챔버(12)내를 수소분위기에 치환함과 동시에, 웨이퍼(11)를 1200℃로 가열한다.

1200℃, 1기압의 수소분위기에서 웨이퍼의 평탄화처리를 30초간 행한 후, 웨이퍼(11)의 가열온도를 1150℃로 하고, 1기압의 상태로 에피텍셜반응가스의 공급을 시작하여, 90초간 처리를 행한다. 이 에피텍셜반응가스의 조성은 통상, 매분 7리터의 수소중에 매분 15g의 비율로 TCS를 포함하는 가스와 매분 14.6리터의 수소 중에 매분 150cc의 비율로 디보란을 포함하는 가스와의 혼합가스가 사용된다. 또 TCS 대신에 DCS를 사용하는 경우는, DCS의 공급량을 매분 10g으로 하고, 웨이퍼의 온도를 1080℃로 한다. 또한 p형 대신에 n형을 만들 때에는, 디보란 대신에 포스핀을 공급한다(유량은 디보란과 같음).

처리종료후, 공급가스를 에피텍셜반응가스로부터 매분 10리터의 질소가스로 전환하고, 소정의 처리를 끝낸 웨이퍼를 반출한다. 다음에 공급가스를 질소가스와 염화수소가스와의 혼합가스로 전환하여, 매분 7∼15리터를 흘려 혼합가스분위기를 유지하면서, 1150℃, 1기압을 유지하고, 프로세스챔버내의 부착물이나 퇴적물을 제거한다.

최후에 공급가스를 매분 10리터의 질소가스로 되돌림과 동시에, 프로세스챔버안에서도 상온부근까지 강온시킨다. 이에 따라 1싸이클의 처리공정이 종료하고, 최초의 웨이퍼 반입으로 되돌아간다.

이상의 시퀀스와 같이 CVD 장치로부터는, 각 스텝에 의해서 여러가지 성분의 가스가 배기계배관(21)로 배출되어 반응기(22)에 유입한다. 이 반응기(22)는, 전술한 바와 같이 배기가스 중에 포함되는 미반응의 원료가스나 중간생성물을 분해 혹은 반응전화 처리하는 것이며, 대상이 되는 가스성분에 의해서 적당한 처리를 할 수 있지만, 전이금속촉매, 예컨대 철(Fe), 니켈(Ni), 백금(Pt), 파라듐(Pd), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 동(Cu) 등, 혹은 이들 전이금속의 규소화물을 충전하여 400℃ 이상으로 가열해 놓는 것이 바람직하다.

상기 촉매를 가열하기 위한 가열수단(24)은, 전기 히터 등의 임의의 것을 사용할 수 있다. 이 가열수단(24)에 의한 가열온도는, 대상으로 하는 성분이나 사용하는 촉매에 의해서도 다르지만, 통상은 400℃이상, 예컨대 400∼500℃로 하는 것이 적당하다. 또한 반응기(22)를 형성하는 소재나 촉매의 내열온도 등에 의한 제한까지 가열할 수도 있으나, 필요이상으로 가열하더라도 처리효율의 향상효과는 적고, 에너지 낭비가 될 뿐이다. 또한 촉매에 따라서는 500℃ 이상으로 가열하면, 생성한 HC1이 해리(解離)하여, 활성인 수소 래디컬을 발생시켜 반응기(22)의 소재 취약화를 조장하는 경우가 있다.

또한 상기 반응기(22)는, 유지관리(촉매의 교환이나 활성화) 등을 고려하면, 반응기(22)를 병렬로 복수설치하여, 전환사용이 가능하게 형성해 두는 것이 바람직하다. 또한, 반응기(22)까지의 배기계배관, 즉 프로세스챔버(12)의 출구부분으로부터 배기 펌프(17,18)를 지나서 반응기(22)에 이르는 배기 가스경로(25)는, 해당 경로 내에서의 부착물의 발생을 방지하기 때문에, 가열수단(26) 등을 설치하여 적당한 온도, 예컨대 150℃ 정도로 가열해 놓는 것이 바람직하다. 단지 프로세스 챔버(12)에서의 가스온도가 높기 때문에, 고용량의 히터를 감을 필요는 없고, 단열재를 감아 보온하는 것만으로도 충분한 경우도 있다. 따라서 배기 가스경로길이나 재질 등에 따라 적당한 가열수단이나 보온수단을 사용하면 좋고, 배기 가스경로가 짧고, 반응기(22)에 충분한 온도의 가스가 유입하는 경우는, 이들을 생략할 수가 있다.

이와 같이 형성한 반응기(22)에 CVD 장치로부터의 배기 가스를 도입함으로써, TCS, DCS나 그 부생성물(Si_xCl_y) 그 자체가 반응하여 분해 혹은 전화하여, 염소(Cl)의 대부분이 HC1가 되고, Si는 촉매의 전이금속에 결합하거나, 휘발성이 높은 할로겐화물인 사염화규소(SiC1₄)를 생성한다. 마찬가지로, 디보란이나 포스핀 중의 붕소(B)나 인(P)도 촉매와의 결합에 의해서 제거된다.

이 반응에는 수소가 필요하게 되는데, TCS나 DCS 자체가 수소를 가지고 있고 또한 전술한 바와 같이, 통상의 에피텍셜처리로서는, 분위기가스나 희석가스로서 수소를 사용하고 있기 때문에, 반응의 진행에는 전혀 문제가 없고, HC1으로의 분해를 용이하게 행할 수 있다. 그러나 성장반응의 보조에 플라즈마를 사용하는 경우 등, 배기 가스 중의 수소분이 부족하는 경우 등은, 반응기(22)의 전단의 배기 가스경로(10a)에, 배기 가스 중에 수소가스를 첨가하는 수소가스첨가수단(경로)(27)을설치하여 적당량의 수소를 더하면 된다. 특히, 수소량을 적당히 유지함으로써 생성한 SiC1₄도 완전히 분해·전화할 수가 있고, 반응기(22)로부터 유출하는 가스중의 유해성분을 처리가 지극히 용이한 HC1만으로 할 수 있다. 또한 반응기(22)는, 프로세스 챔버(12)와 배기 펌프(17)와의 사이나 배기 펌프(17)와 배기 펌프(18)와의 사이에 설치하더라도 동일한 효과를 얻을 수 있다.

이와 같이 반응기(22)에서 배기 가스 중에 포함되는 미반응의 원료가스나 부생성물을 분해 혹은 반응전화함으로써, 반응기(22)의 2차측 이후는 TCS나 DCS, 그 밖의 부생성물 등이 존재하지 않기 때문에, 제해장치(23)에 도달할 때까지, 이들 가스성분이 배관내 등에 부착·퇴적하는 일이 없어지고, 반응기(22)에서 생성한 HC1나 SiC₄는, 제해장치(23)에서 물에 흡수시킴으로써 배기 가스 중에서 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 제해장치(23)에 HC1의 회수기능을 부가함으로써 HC1을 회수하고, 전술한 프로세스챔버 안의 부착물이나 퇴적물을 제거하는 공정 등에 재이용할 수가 있다.

(실험예1)

도 1에 기재한 구성의 장치에 있어서, 니켈촉매를 충전한 반응기(22)의 하류에 FTIR를 설치하고, 반응기(22)로부터 유출하는 가스성분의 분석을 행하였다. CVD 장치에, 질소가스 중에 2300ppm의 TCS를 포함하는 시험가스를 공급하여 성막처리를 하면서, 반응기의 가열온도를 시간과 동시에 상승시켜, 반응기로부터 유출하는 가스 중의 성분 변화를 계측하였다. 그 결과를 도 2에 나타낸다.

도 2로부터 명백한 바와 같이, 400℃에서 TCS는 완전히 분해되고, HC1과 SiC1₄가 생성되었다. 또한 휘발성이 낮고, 반응성이 높은 부생성물(SiCl₂)은 전혀 검출되지 않았다.

(실험예2)

도 1에 나타내는 장치에 있어서, 시험가스를 질소가스 중에 2000 ppm의 DCS를 포함하는 가스로 대신하여 실험예1과 같은 조작을 행하였다. 그 결과, 도 3에 나타낸 바와 같이, 약 150℃에서 DCS가 완전히 분해되고, 약 360℃에서 DCS에서 생성한 TCS도 분해되었다. 400℃ 에서 검출된 것은, HC1 및 SiC1₄이었다. 또한 이 경우도 다른 부생성물은 검출되지 않았다.

(실험예3)

도 1의 장치에 있어서, 실험예1의 시험가스에 수소를 첨가하여 실험예1과 같은 조작을 행하였다. 그 결과를 도 4에 나타낸다. 이 결과로부터, 350℃에서 TCS가 완전히 분해되고, 400℃에서 SiC1₄도 분해되어 HC1만이 생성되는 것을 알 수 있다. 또한 이 경우도, 부생성물은 전혀 검출되지 않았다.

(실험예4)

도 1의 장치에 있어서, 실험예2의 시험가스에 수소를 첨가하여 실험예2와 같은 조작을 행하였다. 그 결과, 도 5에 나타낸 바와 같이, 약 150℃에서 DCS가 완전히 분해되고, 약 360℃에서 DCS에서 생성한 TCS도 분해되는 것, 약 400℃에서 생성한 SiC1₄도 분해되어 최종적으로 생성잔류하는 것이 HC1뿐인 것을 알 수 있다.이 경우도, 부생성물은 검출되지 않았다.

(실험예5)

도 1의 장치에 있어서, 반응기(22)에, 니켈대신에 니켈실리사이드를 충전한 것 외에는, 실험예3과 같은 조건으로 조작을 하였다. 그 결과 도 6에 나타낸 바와 같이, 350℃에서 TCS와 SiCl₄이 완전히 분해되고, HC1만이 생성되었다. 이 경우도, 부생성물은 전혀 검출되지 않았다.

(실험예6)

도 1의 장치에 있어서, 철촉매를 충전한 반응기(22)에 아르곤가스 중에 250ppm의 TCS를 포함하는 가스를 흘려, 실험예1과 같은 조작을 하였다. 단지, 반응기의 온도는 600℃를 상한으로 하였다. 그 결과를 도 7에 나타낸다. 도 7로부터 명백한 바와 같이, TCS는 약 300℃에서 분해를 시작하고, 약 500℃에서 완전히 분해되었다. DCS는 발생하지 않고, HC1만이 검출되었다.

이상의 각 실험예에 있어서, FTIR 장치의 광투과창문의 광투과량을 각각 계측하였지만, 광투과량의 저하는 전혀 관찰되지 않았다.

Claims (7)

1. 실리콘계가스를 사용하여 실리콘박막을 형성하는 CVD 장치로부터 배출되는 배기 가스를 처리하는 방법으로서, 상기 배기 가스 중에 포함되는 미반응의 원료가스 및 중간생성물을 분해 혹은 반응전화 처리한 후, 배기 가스 중에 포함되는 유해성분의 제해처리를 행하는 배기 가스의 처리방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 분해 혹은 반응전화 처리는, 상기 배기 가스를 가열한 전이금속 또는 전이금속의 규소화합물에 접촉시킴으로써 행하는 배기 가스의 처리방법.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 전이금속 또는 전이금속의 규소화합물을, 400℃ 이상으로 가열하는 배기 가스의 처리방법.
4. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 배기 가스에 수소가스를 첨가하고 나서 상기 분해 혹은 반응전화 처리를 행하는 배기 가스의 처리방법.
5. 실리콘계가스를 사용하여 실리콘박막을 형성하는 CVD 장치로부터 배출되는 배기 가스를 처리하기 위한 장치로서, 상기 배기 가스 중에 포함되는 미반응의 원료가스 및 중간생성물을 분해 혹은 반응전화하는 분해반응수단과, 상기 분해반응수단으로부터 도출한 배기 가스 중에 포함되는 유해성분을 무해화하는 제해수단와, 상기 CVD 장치로부터 상기 분해반응수단에 이르는 배기 가스경로를 소정온도로 가열 또는 보온하는 수단을 구비하고 있는 배기 가스의 처리장치.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 배기 가스경로에, 배기 가스 중에 수소가스를 첨가하는 수소가스첨가수단을 설치한 배기 가스의 처리장치.
7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 분해반응수단은 전이금속 또는 전이금속의 규소화합물을 충전한 반응기와, 상기 전이금속 또는 전이금속의 규소화합물을 소정온도로 가열하는 가열수단을 구비하고 있는 배기 가스의 처리장치.