KR100341082B1 - 반도체 자기 및 그 제조 방법 - Google Patents

반도체 자기 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100341082B1
KR100341082B1 KR1019960022930A KR19960022930A KR100341082B1 KR 100341082 B1 KR100341082 B1 KR 100341082B1 KR 1019960022930 A KR1019960022930 A KR 1019960022930A KR 19960022930 A KR19960022930 A KR 19960022930A KR 100341082 B1 KR100341082 B1 KR 100341082B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
temperature
semiconductor porcelain
resistance value
porcelain
Prior art date
Application number
KR1019960022930A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970003722A (ko
Inventor
요시아키 아베
야스히로 나비카
다카요 가츠키
노리미츠 기토
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR970003722A publication Critical patent/KR970003722A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100341082B1 publication Critical patent/KR100341082B1/ko

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F21V19/0075—Fastening of light sources or lamp holders of tubular light sources, e.g. ring-shaped fluorescent light sources
    • F21V19/008—Fastening of light sources or lamp holders of tubular light sources, e.g. ring-shaped fluorescent light sources of straight tubular light sources, e.g. straight fluorescent tubes, soffit lamps
    • F21V19/0085—Fastening of light sources or lamp holders of tubular light sources, e.g. ring-shaped fluorescent light sources of straight tubular light sources, e.g. straight fluorescent tubes, soffit lamps at least one conductive element acting as a support means, e.g. resilient contact blades, piston-like contact
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/06—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being coupling devices, e.g. connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 높은 전압이 인가되더라도 자기 파괴가 일어나기 어려우며 돌입 전류에 대한 파괴 특성이 우수한 반도체 자기 및 그 제조 방법을 제공한다.
(Ba0.536Pb0.08Sr0.20Ca0.18Er0.004)TiO3＋0.0004Mn＋0.02SiO2의 조성이 되도록, BaCO3, SrCO3, Pb3O4, CaCO3, TiO2, Er2O3, MnCO3및 SiO2를 칭량하였다. 이들을 분쇄 혼합한 후, 탈수 건조하고, 1150℃에서 2시간 가소(假燒)하여 가소분을 얻었다. 이 가소분을 분쇄하고, 바인더를 혼합하여 조립하고, 건식 프레스로 직경 18mm, 두께 3.6mm의 성형체를 제작하고, 1360℃에서 1시간 소성하고, 표 1에 나타낸 조건에 의해 냉각하고, 반도체 자기를 얻었다. 얻어진 반도체 자기의 양면에 단자 전극이 되는 옴성을 나타내는 니켈층을 무전해 도금에 의하여 형성하고, 가장 외측에 은페이스트를 도포하여 600℃에서 30분간 베이킹하였다. 얻어진 정특성 서미스터로 반도체 자기의 특성을 측정하였다.

Description

반도체 자기 및 그 제조 방법 { SEMICONDUCTOR CERAMICS AND METHOD FOR PRODUCING SAME }
본 발명은 티탄산바륨계의 반도체 자기 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
정(正)의 저항 온도 특성을 갖는 티탄산바륨계의 반도체 자기(이하, 반도체 자기라 함)는, 퀴리점(curie point) 이상에서 저항값이 급격히 증가하는 특성을 가지고 있으며, 모터 기동용, 컬러텔레비전 수상기의 브라운관의 소자(消磁)용, 히터용, 및 그 외의 용도에 폭넓게 사용되고 있다.
그런데, 이러한 종류의 반도체 자기에 관해서는, 전압 인가시의 돌입 전류에 대한 파괴 특성(이하, 돌입 내전압 특성이라 함) 이상의 돌입 전류가 흐르면 층형상으로 파괴된다는 문제가 발생하고 있다.
이와 같은 현상이 생기는 것은, 반도체 자기의 외측 부분은 외기에 접촉하고 있기 때문에 열확산이 빠르고 그 부분의 온도가 낮아져서 저저항이 되는 반면, 한편 반도체 자기의 내측 부분은 외측 부분에 비하여 열확산이 느려서 고저항이 됨에 따라, 반도체 자기가 불균일하게 발열하기 때문이다.
그러므로, 이와 같은 자기 파괴를 일으키지 않는 반도체 자기의 제조 방법으로서, 일본국 특허공개 평4-154661호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 공기중에서 소성한 후, 환원 처리하고 대기중에서 재산화 처리하는 방법이 제안되어 있다.
그러나, 반도체 자기를 환원 처리 및 재산화 처리하는 방법에서는, 재산화 처리가 불충분하면 내전압이 낮고, 재산화 처리가 진행되면 실온에서의 비저항이 높아진다고 하는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 돌입 내전압 특성이 우수하고, 자기 파괴가 일어나기 어려운 반도체 자기 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
제 1도는 본 발명의 반도체 자기에 의해 얻어지는 정특성 서미스터의 일측의 주면에서 타측의 주면으로 단위두께당의 저항값의 변화를 모식적으로 나타낸 도면이다.
제 2도는 본 발명의 반도체 자기의 저항값비와 돌입 내전압 특성의 관계에 관하여 나타낸 도면이다.
제 3도는 본 발명의 반도체 자기의 강온과정의 온도와 돌입 내전압 특성의 관계에 관하여 나타낸 도면이다.
특허청구범위의 제 1 항에 관한 발명은, 정(正) 저항 온도 특성을 갖는 티탄산 바륨계의 반도체 자기에 있어서, 반도체 자기의 표면부와 중심부 사이의 저항값이 반도체 자기의 표면부 또는 중심부의 저항값보다도 높은 반도체 자기이다.
특허청구범위의 제 2 항에 관한 발명은, 반도체 자기의 표면부와 중심부 사이의 저항값이 표면부 또는 중심부의 저항값보다도 15∼68% 높은 반도체 자기이다.
특허청구범위의 제 3 항에 관한 발명은, 반도체 자기가, 산화납, 산화스트론튬, 산화칼슘을 포함하는 티탄산바륨계의 반도체 자기이다.
특허청구범위의 제 4 항에 관한 발명은 정(正) 저항 온도 특성을 갖는 티탄산바륨계의 반도체 자기를 소성하는 공정에 있어서, 최고 소성 온도 도달후의 강온 과정에서, 1100∼1200℃ 사이에서 0.4∼10시간 유지하는 반도체 자기의 제조 방법이다.
특허청구범위의 제 5 항에 관한 발명은, 정(正) 저항 온도 특성을 갖는 티탄산바륨계의 반도체 자기를 소성하는 공정에 있어서, 최고 소성 온도 도달후의 강온 과정에서 1100∼1200℃ 사이에서 강온 속도를 1.0℃／분 이하로 서냉(徐冷)하는 반도체 자기의 제조 방법이다.
본 발명의 반도체 자기에 의하면, 두께방향에 있어서 저항값의 분포를 상이하게 함으로써, 돌입 파괴 전압 특성의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명의 반도체 자기의 제조 방법에 의하면, 강온 과정에서 서냉 혹은 유지함으로써 반도체 자기의 두께 방향에 있어서 저항값의 분포를 상이하게 할 수 있으며, 그 결과 돌입 내전압 특성의 향상을 도모할 수 있다.
먼저, (Ba0.536Pb0.08Sr0.20Ca0.18Er0.004)TiO3＋0.0004Mn＋0.02SiO2의 조성이 되도록, BaCO3, SrCO3,Pb3O4, CaCO3, TiO2, Er2O3, MnCO3및 SiO2를 칭량하였다. 이들을순수 및 지르코니아 볼과 함께 폴리에틸렌제 포트에 넣어, 5시간 분쇄 혼합한 후, 탈수, 건조하고, 1150℃에서 2시간 가소(假燒)하여 가소분을 얻었다. 이 가소분을 순수 및 지르코니아 볼과 함께 폴리에틸렌제 포트에 넣어 5시간 분쇄하였다. 그 후, 그것에 초산비닐계의 바인더를 혼합하여 조립(造粒)하였다.
이어서, 건식 프레스로 직경 18mm, 두께 3.6mm의 성형체를 제작하고, 1360℃에서 1시간 소성하고, 표 1에 나타낸 조건에 의해 냉각하고, 반도체 자기를 얻었다. 얻어진 반도체 자기의 양면에 단자 전극이 되는 옴성을 나타내는 니켈층을 무전해도금에 의하여 형성하고, 가장 외측에 은페이스트를 도포하여 600℃에서 30분간 베이킹하고, 정특성 서미스터를 얻었다.
표 1에 나타낸 냉각 조건은 최고 소성 온도로부터 실온까지 냉각하는 조건을 나타내고 있으며, 시료 번호 1∼26은, 최고 소성 온도로부터 유지 온도까지 강온 속도의 비율로 냉각하고, 유지 온도에서 유지 시간동안 유지 온도를 유지하고, 유지 온도에서부터 실온까지 냉각한다.
또, 시료 번호 27∼30은, 최고 소성 온도로부터 1200℃까지 강온 속도로 냉각하고, 1200∼1100℃의 사이에서 서냉 속도의 비율로 냉각하고, 1100℃에서부터 실온까지 냉각한다.
또한, 시료 번호 31, 32는 최고 소성 온도로부터 실온까지 강온 속도를 일정하게하여 냉각한다.
시료 번호 강온 속도℃／min 서냉 조건
유지 온도℃ 유지 시간hrs 서냉 속도℃／min
1* 3 1300 1 -
2* 3 1280 1 -
3* 3 1260 1 -
4* 3 1240 1 -
5* 3 1220 1 -
6* 3 1200 0.2 -
7 3 1200 0.4 -
8 3 1200 1 -
9 3 1200 10 -
10* 3 1200 15 -
11 3 1180 1 -
12 3 1170 1 -
13* 3 1160 0.2 -
14 3 1160 0.4 -
15 3 1160 1 -
16 3 1160 10 -
17* 3 1160 15 -
18 3 1140 1 -
19 3 1120 1 -
20* 3 1100 0.2 -
21 3 1100 0.4 -
22 3 1100 1 -
23 3 1100 10 -
24* 3 1100 15 -
25* 3 1150 1 -
26* 3 1000 1 -
27 3 - - 0.1
28 3 - - 0.5
29 3 - - 1.0
30* 3 - - 2.0
31* 1.6 - - -
32* 3 - - -
이 정특성 서미스터를 사용하여, 비저항, 단위 두께당의 저항값, 돌입 내전압 특성 및 저항값비를 측정하였다. 여기서, 돌입 내전압 특성이란, 하기에 나타내는 식으로부터 얻어지는 값이며, 저항값비란, 정특성 서미스터의 표면부와 중심부 사이에서 최대가 되는 저항값(최대 저항값)와 정특성 서미스터의 중심부의 최소가 되는 저항값(최소 저항값)의 비로부터 얻어지는 값이다.
돌입 내전압 특성 ＝ (파괴 전압)2／ 상온 저항값
상기의 측정 결과를 표 2에 나타낸다. ＊표시가 있는 것은, 본 발명의 청구범위 외의 것이며, ＊표시가 없는 것은, 본 발명의 범위내의 것이다.
시료 번호 비저항Ω·cm 돌입 내전압특성(kW) 저항값비
1* 50.86 13.00 1.05
2* 49.13 12.00 1.02
3* 51.44 15.00 1.08
4* 47.97 16.00 1.08
5* 51.44 28.00 1.11
6* 29 20.00 -
7 35 40.00 -
8 53.75 42.00 1.15
9 70 44.00 -
10* 100 28.00 -
11 58.96 43.00 1.36
12 54.91 51.00 1.41
13* 20 18.00 -
14 25 46.00 -
15 31.79 48.00 1.53
16 48 48.00 -
17* 58 29.00 -
18 23.12 48.00 1.68
19 26.01 47.00 1.52
20* 18 21.00 -
21 20 39.00 -
22 28.90 48.00 1.45
23 40 46.00 -
24* 44 25.00 -
25* 31.79 23.00 1.06
26* 30.06 24.00 1.08
27 100 45.00 -
28 60 48.00 -
29 40 45.00 -
30* 35 30.00 -
31* 57.80 22.00 1.02
32* 28.90 21.00 1.05
제 1 도는, 본 발명의 정특성 서미스터의 일측의 주면에서 타측의 주면으로 단위 두께당의 저항값의 변화를 모식적으로 나타낸 것이다. 제 1 도에서 알 수 있듯이, 중심부와 양 표면부의 저항값이 낮고, 중심부와 표면부 사이에서 저항값이 높은 정특성 서미스터인 것을 알 수 있다.
또, 제 2 도는, 저항값비와 돌입 내전압 특성의 관계에 관하여 나타낸 것이다. 제 2 도에서, 표면부와 중심부 사이의 저항값이 중심부의 저항값보다 15∼68% 높은 영역(저항값비 ＝ 1.15에서 1.68)을 갖는 반도체 자기에 관하여 돌입 내전압 특성이 우수하다는 결과를 나타내고 있다.
또한, 제 3 도는, 강온 과정에서의 유지 온도와 돌입 내저항 특성의 관계에 관하여 나타낸 것이다. 제 3 도에서, 강온 과정의 유지 온도 1100∼1200℃의 영역에서 돌입 내전압 특성이 양호하다. 또, 상술한 온도 범위에 있어서 서냉하더라도 돌입 내전압 특성이 우수한 것이 얻어지고 있다.
본 발명의 반도체 자기는, 단위 두께당의 저항값 분포를 상이한 것으로 함으로써, 돌입 내저항 특성이 우수하며, 높은 전압에 대해서도 파괴되지 않는다는 효과를 발휘한다.
또, 본 발명의 반도체 자기는, 반도체 자기의 표면부와 중심부 사이의 저항값이 표면부 또는 중심부의 저항값보다도 15∼68% 높기 때문에, 높은 전압에 대하여 자기 파괴가 발생하지 않으며, 회로의 과전류 보호의 용도에 적합하다.
또한, 본 발명의 반도체 자기는, 산화납, 산화스트론튬, 산화칼슘을 포함하는 티탄산바륨계의 반도체 자기로 이루어지기 때문에, 반도체 자기의 표면부와 중심부 사이의 저항값이 표면부 또는 중심부의 저항값보다도 15∼68% 높아진다는 효과를 보다 현저하게 할 수 있으며, 종래의 반도체 자기에 비해 상대적으로 높은 전압에 대해서도 자기 파괴가 발생하지 않으며, 회로의 과전류 보호용이나 소자용 등에 폭넓게 이용할 수 있다.
본 발명의 반도체 자기의 제조 방법에 의하면, 강온 과정에서 서냉 혹은 유지하여, 반도체 자기의 단위 두께당의 저항값 분포를 상이한 것으로 함으로써, 높은 전압을 인가하더라도 자기 파괴가 일어나기 어려우며, 돌입 내전압 특성이 우수한 반도체 자기를 얻을 수 있다.

Claims (3)

  1. 정(正)의 저항 온도 특성을 갖는 티탄산바륨계의 반도체 자기에 있어서, 상기 반도체 자기의 표면부와 중심부 사이의 저항값이 상기 반도체 자기의 표면부 혹은 중심부의 저항값보다도 높은 것을 특징으로 하는 반도체 자기.
  2. 정의 저항 온도 특성을 갖는 티탄산바륨계의 반도체 자기를 소성하는 공정에 있어서, 최고 소성 온도 도달후의 강온 과정에서 1100∼1200℃ 사이에서 0.4∼10시간 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 자기의 제조 방법.
  3. 정의 저항 온도 특성을 갖는 티탄산바륨계의 반도체 자기를 소성하는 공정에 있어서, 최고 소성 온도 도달후의 강온 과정에서 1100∼1200℃ 사이에서 강온 속도를 1.0℃／분 이하로 서냉하는 것을 특징으로 하는 반도체 자기의 제조 방법.
KR1019960022930A 1995-06-23 1996-06-21 반도체 자기 및 그 제조 방법 KR100341082B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7-157919 1995-06-23
JP15791995A JP3198876B2 (ja) 1995-06-23 1995-06-23 半導体磁器、およびその製造方法、ならびに正特性サーミスタ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000002816A Division KR100353592B1 (ko) 1995-06-23 2000-01-21 반도체 자기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970003722A KR970003722A (ko) 1997-01-28
KR100341082B1 true KR100341082B1 (ko) 2002-09-18

Family

ID=15660334

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960022930A KR100341082B1 (ko) 1995-06-23 1996-06-21 반도체 자기 및 그 제조 방법
KR1020000002816A KR100353592B1 (ko) 1995-06-23 2000-01-21 반도체 자기

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000002816A KR100353592B1 (ko) 1995-06-23 2000-01-21 반도체 자기

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP3198876B2 (ko)
KR (2) KR100341082B1 (ko)
CN (1) CN1065219C (ko)
TW (1) TW316985B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102145275B (zh) * 2011-01-19 2013-09-11 颜建平 管式聚合反应器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142207A (ja) * 1993-11-16 1995-06-02 Teika Corp チタン酸バリウム半導体磁器およびその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04154661A (ja) * 1990-10-17 1992-05-27 Murata Mfg Co Ltd 半導体磁器およびその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142207A (ja) * 1993-11-16 1995-06-02 Teika Corp チタン酸バリウム半導体磁器およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1065219C (zh) 2001-05-02
CN1142476A (zh) 1997-02-12
JPH0912355A (ja) 1997-01-14
JP3198876B2 (ja) 2001-08-13
TW316985B (ko) 1997-10-01
KR100353592B1 (ko) 2002-09-27
KR970003722A (ko) 1997-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08217536A (ja) 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器組成物及びその製造方法
JPS6257245B2 (ko)
JP2733667B2 (ja) 半導体磁器組成物
KR20170016805A (ko) 반도체 자기 조성물 및 ptc 서미스터
US3962146A (en) Ptc thermistor composition and method of making the same
KR100321913B1 (ko) 반도체 세라믹 및 이것을 이용한 반도체 세라믹 소자
KR100341082B1 (ko) 반도체 자기 및 그 제조 방법
JP3554786B2 (ja) 半導体セラミック、消磁用正特性サーミスタ、消磁回路、および半導体セラミックの製造方法
JPS5820133B2 (ja) 半導体磁器コンデンサ用磁器およびその製造方法
JPS6243522B2 (ko)
KR100340667B1 (ko) 반도체 세라믹과 반도체 세라믹 장치
KR0138673B1 (ko) 저온 소결에 의한 반도성 BaTiO₃세라믹스의 제조방법
US3506596A (en) Semiconducting ceramic compositions with positive temperature coefficient of resistance
JP2598907B2 (ja) 半導体磁器組成物
JP2940182B2 (ja) 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器の製造方法
JPH07220902A (ja) チタン酸バリウム系半導体磁器
JP3189231B2 (ja) 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器
KR100246298B1 (ko) 반도체세라믹
JP2838249B2 (ja) 粒界絶縁型半導体磁器の製造方法
JPH0561221B2 (ko)
JPH01230202A (ja) 正特性サーミスタ材料とその製造方法
JPH01228103A (ja) サーミスタ材料とその製造方法
JPH11139870A (ja) チタン酸バリウム系半導体磁器
JPS6258642B2 (ko)
JP2000003802A (ja) 正特性サーミスタの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20000121

Effective date: 20010730

S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130520

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140522

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150518

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160527

Year of fee payment: 15

EXPY Expiration of term