KR970003722A - 반도체 자기 및 그 제조 방법 - Google Patents

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야스히로 나비카
다카요 가츠키
노리미츠 기토
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무라따 야스따까
가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼
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Abstract

본 발명은 높은 전압이 인가되더라도 자기 파괴가 일어나기 어려우며 돌입 전류에 대한 파괴 특성이 우수한 반도체 자기 및 그 제조 방법을 제공한다.
(Ba0.536Pb0.08Sr0.20Ca0.18Er0.004)TiO3+0.0004Mn+0.02SiO2의 조성이 되도록, BaCO3, SrCO3, Pb3O4, CaCO3, TiO2, Er2O3, MnCO3, 및 SiO2를 칭량하였다. 이들을 분쇄 혼합한 후, 탈수 건조하고, 1150℃에서 2시간 가소(假燒)하여 가소분을 얻었다. 이 가소분을 분쇄하고, 바인더를 혼합하여 조립하고, 건식 프레스로 직경 18㎜, 두께3.6㎜의 성형체를 제작하고, 1360℃에서 1시간 소정하고, 표 1에 나타낸 조건에 의해 냉각하고, 반도체 자기를 얻었다. 얻어진 반도체 자기의 양면에 단자 전극이 되는 음성을 나타내는 니켈층을 무전해 도금에 의하여 형성하고, 가장 외측에 은페이스트를 도포하여 600℃에서 30분간 베이킹하고, 정특성 서미스터로 하였다.

Description

반도체 자기 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 자기에 의해 얻어지는 정특성 서미스터의 일측의 주면에서 타측의 주면으로 단위 두께당의 저항값의 변화를 모식적으로 나타낸 도면이다.

Claims (5)

  1. 정(正)의 저항 온도 특성을 갖는 티탄산바륨계의 반도체 자기에 있어서, 상기 반도체 자기의 표면부와 중심부 사이의 저항값이 상기 반도체 자기의 표면부 혹은 중심부의 저항값보다도 높은 것을 특징으로 하는 반도체 자기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 자기의 표면부와 중심부 사이의 저항값이 상기 표면부 혹은 상기 중심부의 저항값보다도 15~68% 높은 것을 특징으로 하는 반도체 자기.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반도체 자기는, 산화납, 산화스트론튬, 산화칼슘을 포함하는 티탄산바륨계인 것을 특징으로 하는 반도체 자기.
  4. 정의 저항 온도 특성을 갖는 티탄산바륨계의 반도체 자기를 소성하는 공정에 있어서, 최고 소성 온도 도달후의 강온 과정에서 1100~1200℃ 사이에서 0.4~10시간 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 자기의 제조 방법.
  5. 정의 저항 온도 특성을 갖는 티탄산바륨계의 반도체 자기를 소성하는 공정에 있어서, 최고 소성 온도 도달후의 강온 과정에서 1100~1200℃ 사이에서 강온 속도를 1.0℃/분 이하로 서냉하는 것을 특징으로 하는 반도체 자기의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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