KR100334852B1

KR100334852B1 - 스테이지제어방법, 노광방법, 노광장치 및 디바이스제조방법

Info

Publication number: KR100334852B1
Application number: KR1020000011908A
Authority: KR
Inventors: 후지타이타루
Original assignee: 미다라이 후지오; 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 1999-03-09
Filing date: 2000-03-09
Publication date: 2002-05-03
Also published as: EP1037114A3; KR20000062808A; DE60025306D1; JP3796367B2; JP2000260696A; EP1037114A2; EP1037114B1; US6809798B1

Abstract

본 발명의 노광방법은, 패턴을 가진 원판과 감광성을 가진 기판을 투명광학계에 대해서 주사이동시켜서, 패턴을 기판에 투영하는 것이다. 이 방법은 원판 또는 기판을 유지한 스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과; 이 스테이지를 소정속도로 주행시키고, 주사방향으로 이 스테이지의 주행동안 패턴을 기판에 노광하는 제 2공정과; 소정속도로 주행하는 기판을 정지시키는 제 3공정을 포함하고, 상기 제 3공정 전에 이 스테이지를 가속하는 가속공정을 가지는 것을 특징으로 한다.

Description

스테이지제어방법, 노광방법, 노광장치 및 디바이스제조방법{STAGE CONTROL METHOD, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 고속 및 고정밀도의 위치결정성능이 요구되는 스테이지장치의 스테이지제어방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 기판을 주사노광하는 분야, 특히 포토리소그래피기술에 의해서 반도체 또는 액정표시소자 등의 패턴을 기판에 전사하는 주사노광장치의 스테이지제어방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 이와 같은 스테이지제어방법을 이용한 노광방법, 노광장치 및 디바이스제조방법의 범주에도 들어간다.

반도체 및 액정표시소자의 제조에 있어서 소자기판상에 미세패턴을 형성하는 공정은 일반적으로 포토리소그래피기술을 이용한다. 전사를 행하는 원패턴은 레티클 또는 마스크라고 하는 글라스기판의 도광면에 볼록 또는 오목패턴으로서 형성된다. 조명광에 의해 노광된 원판상의 패턴이 투영광학계를 개재해서 감광성을 가진 포토레지스트가 도포된 반도체웨이퍼(이하 웨이퍼라고함) 또는 결정용 글라스기판상에 투영노광되어 레지스트상에 패턴의 잠상이 전사된다. 피노광기판자신의 가공은 현상에 의해 형성된 레지스트상에 대해 가공면과의 선택비가 높은 에칭을 행해서 실현된다.

특히 반도체소자제조의 포토리소그래피공정에 있어서는 스테퍼라고 하는 광노광장치의 사용이 최근까지 주류를 이루었다. 이 노광방식은 웨이퍼상의 분할된 노광영역(숏트영역)이 순차 노광투영광학계의 노광필드내로 이동하고 웨이퍼를 위치결정하고 정지한 후 레티클상에 패턴노광을 행하는 스텝-앤드-리피트(step-and-repeat)방식을 채용한다.

최근 반도체소자에 대해서, 고속, 대용량화와 저코스트화의 요구가 증가하고, 제조라인으로부터는, 일층의 미세가공을 작은 칩면적에서 달성가능한 광노광장치가 구하도록 되었다. 따라서, 투영광학계의 해상력향상과 노광영역내의 패턴균일성을 높은 생산성에서 실현할 수 있는 스텝-앤드-스캔방식이 제안되어 있다.

이 방식은 투영광학계에 대해 레티클과 웨이퍼가 동기주행하고 노광필드의 숏트영역주사와 동시에 노광을 행하는 방식이다. 레티클과 웨이퍼는 길이방향과 폭방향의 양쪽의 비율을 투영광학계가 제공하는 축소비율을 가지도록 조정되어 레티클패턴이 축소비율로 웨이퍼상에 투영된다. 레지스트의 성질이나 막두께 및 레티클패턴 등에 맞추어서 노광량을 소정의 양으로 관리하기 위하여 노광영역의 주사속도를 일정한 속도로 제어할 필요가 있다. 그 때문에 레티클과 웨이퍼상에 노광되는 영역이 노광장치의 슬릿상의 노광영역내에 들어가기전에, 레티클과 웨이퍼가 각각 소정의 주사속도에 도달하지 않으면 안된다.

도 10a 및 도 10b는 레티클 또는 웨이퍼를 유지하는 스테이지장치의 제어스퀀스를 표시한다. 도 10a는 스테이지의 속도프로파일(시간에 대한 목표속도)을 표시하고 도 10b는 스테이지의 가속도프로파일(시간에 대한 목표가속도)을 표시한다.

도 10a 및 도 10b에 있어서, 주사개시시로부터의 경과시간은 횡축을 따라서 표시되어 있다. 종료시간은 1숏트노광에 관한 시간(숏트처리시간)을 표시하고 있다. 숏트처리시간은 1개 웨이퍼의 처리시간을 결정하는 중요한 지표이다.

도 10A에 표시된 바와 같이, 숏트처리시간은 5개의 구분으로 분할된다. 이들 구분과 관련해서 스테이지동작을 설명한다.

우선, 스테이지는 주사방향을 따라서, 정지위치로부터 목표주사속도에 도달할 때까지 가속된다. 이것이 가속시간이고 구분I에 상당한다. 가속종료후 동기편차가 허용치이하로 되도록 속도를 제어한다. 이것이 정정(整定)시간이고, 구분II에 상당한다. 가속시간과 정정시간의 전체시간동안 스테이지가 주행하는 거리를 조주(助走)거리라고 한다. 다음에 스테이지가 정속으로 주행하여 노광을 행한다. 이것이 노광시간이고 구분III에 상당한다. 다음에 주사속도를 일정하게 유지하면서 스테이지가 정정시간과 대략 동등한 시간을 주행한다. 이것이 후정정시간이고 구분IV에 상당한다. 다음에 스테이지의 감속을 개시하고 주사방향에 대해서 스테이지를 정지한다. 이것이 감속시간이고 구분V에 상당한다. 후정정시간과 감속시간의 전체시간동안 스테이지가 주행하는 거리를 오버런거리라고 한다. 이 조주거리와 오버런거리는 거의 동등하다.

상기 언급한 스테이지동작의 대부분의 경우에 스테이지의 감속정지후에 주사방향이 반전되고 구분I 내지 V의 동작이 반복된다. 드물게는 동일한 방향을 반복하는 경우도 있다.

웨이퍼스테이지의 경우, 구분III에서의 노광이 종료한 후에 다음회의 노광숏트의 주사개시위치를 향해서 노광필드의 이동을 개시한다. 이 이동동작은 스텝동작이라고 한다. 주사방향과 직교방향에 대한 웨이퍼스테이지의 스텝이동개시는 노광종료직후에 행해진다. 그러나, 주사방향에 대해서는 특히 스텝이동이 없거나 또는 구분V에서의 동작의 종료후에 스텝이동을 개시한다. 그 이유는 다음과 같다. 많은 경우에 다음회의 노광숏트는 주사방향과 직교하는 방향에 인접하고, 결국에는 구분V에서 스테이지의 종료위치가 다음회주사의 개시위치이므로, 스텝동작을 행할 필요가 없다. 즉, 구분IV와 V의 동작이 다음의 노광숏트까지 주사방향의이동동작의 대체동작으로 되어도 된다.

종래기술에서는 다음과 같은 문제점이 있다.

(1) 웨이퍼단위면적당 노광에너지 Ed는, 슬릿광의 조도에 비례하고, 주사속도에 반비례한다. 상술한 종래기술의 예에서는 후정정시간중에, 주사속도가 거의 일정하게 유지된다. 따라서, 포토레지스트가 낮은 감도를 가지고, 주사속도가 느리면 오버런시간이 증대하고, 스루풋(throughput)이 악화된다. 노광시에 동기정밀도를 향상시키기 위해 정정시간이 연장되면, 이 경향이 더욱 현저하게 된다.

(2) 종래기술에서는, 구분 I 내지 V의 동작은 모든 숏트영역에서 반복된다. 따라서, 숏트열을 변경할 때 초회열의 최종 숏트의 주사방향이 정방향이고, 다음열의 초회숏트로의 스텝 및 주사방향이 역방향이면, 열의 최종숏트노광종료후, Y축방향에 대해서 웨이퍼스테이지는 소정의 오버런거리를 주행해서 반전하고 더욱이, 오버런거리와 스텝거리의 전체거리를 스테이지가 주행할 필요가 있었다. 따라서, 불필요한 2배의 오버런거리의 주행량은 스루풋을 저하시켰다. 또한, 웨이퍼의 최종숏트의 노광후에 당연히 다음회숏트노광하기 위한 오버런동작은 확실히 불필요하고 상기와 마찬가지로 이것도 스루풋의 악화를 초래하였다. 이외에 특수한 예로서 웨이퍼의 일부 혹은 전체영역에 인접한 숏트사이의 주사방향을 일치시키는 경우가 있다. 이것의 목적은 주사방향의 차이에 의해서 발생하는 화상왜곡의 숏트사이의 차이를 저감하는 것이다. 그러나 그때 오버런방향과 스텝방향이 항상 서로 다르기 때문에 이러한 문제는 매번 쇼트의 노광에서 발생한다.

도 1은 본 발명에 따른 주사형 노광장치의 구성을 표시한 도면

도 2a, 2b 및 2c는 본 발명의 제 1실시예에 따른 주사스테이지의 속도 및 가속도프로파일을 표시하는 도면

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제 2실시예에 따른 주사스테이지의 속도 및 가속도프로파일을 표시하는 도면

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제 3실시예에 따른 노광필드의 궤적을 표시하는 도면

도 5는 본 발명의 제 3실시예에 따른 주사스테이지의 속도프로파일을 표시하는 도면

도 6은 본 발명의 제 4실시예에 따른 노광필드의 궤적을 표시하는 도면

도 7은 본 발명의 제 3실시예에 따른 주사스테이지의 속도프로파일을 표시하는 도면

도 8은 반도체디바이스의 제조플로우를 표시하는 도면

도 9는 웨이퍼공정의 플로우를 표시하는 도면

도 10a 및 도 10b는 종래기술에 따른 주사스테이지의 속도 및 가속도프로파일을 표시하는 도면

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1: 광원 2: 조명계

3: 가동마스킹스테이지 4: 슬릿광(레티클상)

5: 레티클 6: 레티클스테이지

7: 레티클스테이지가이드 8: 스테이지구동계

9: 투영광학계 10: 웨이퍼포커스센서

11: 웨이퍼 12: 웨이퍼스테이지

13: 웨이퍼스테이지가이드 14: 슬릿광(웨이퍼상)

15: 웨이퍼스테이지Y간섭계 16: 동기제어계

17: 주제어계 18: 동기계측계

19: 레티클스테이지Y간섭계 51∼53: 숏트영역

54, 57: 주사노광궤적 55, 56: 공통의 노광궤적

58, 59, 61, 62: 종래의 궤적 60, 63, 68, 69: 제 3실시예의 궤적

70: 제 4실시예의 궤적

상기의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 스테이지 제어방법은 스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과; 이 스테이지를 이 소정속도로 주행시키는 제 2공정과; 이 스테이지를 감속해서 정지시키는 제 3공정을 가지고, 이 제 3공정전에 이 스테이지를 가속하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.

상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 다른 스테이제어방법은 소정의 속도로 주행하는 스테이지를 감속하는 감속스텝과 이 감속스텝이전에 스테이지를 가속하는 가속스텝을 구비한다.

상기 문제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 스테이지장치는 이동가능한 스테이지와; 이 스테이지를 구동하기 위한 액추에이터와; 스테이지의 감속이전에 스테이지를 소정속도로 가속하는 프로파일을 기억 및 설정하는 제어시스템을 구비한다.

상기 문제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 노광방법은 원판 또는 기판을 유지한 스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과; 이 스테이지를 소정속도로 주행시켜서 주사방향으로 스테이지의 주행동안 패턴을 기판에 노광시키는 제 2공정과; 이 소정속도로 주행하는 스테이지를 정지하는 제 3공정을 가지고, 이 제 3공정이전에, 이 스테이지를 가속하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.

상기 문제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 다른 노광방법은 기판을 유지한 스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과; 이 스테이지를 소정속도로 주행시키고, 주사방향으로 기판의 주행동안 원판상에 형성된 패턴을 기판에 노광하는 제 2공정과; 소정속도로 주행하는 스테이지를 정지시키는 제 3공정을 구비하고, 이 기판은 상기 노광방법이 구비하는 제 1내지 제 3공정을 반복해서 복수의 패턴이 노광되고, 스테이지가 제 3공정에서 정지되는 위치는 다음회에 기판을 노광하기 위한 제 1공정의 개시위치와 거의 동일하다.

또한, 상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 노광방법은 기판을 유지한 스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과; 소정속도로 스테이지를 주행시키고 주사방향으로 스테이지의 주행동안 원판상에 형성되어진 패턴을 기판에 노광하는 제 2공정과; 소정속도로 주행하는 스테이지를 정지시키는 제 3공정을 가지고, 기판은 상기 노광방법이 구비하는 제 1내지 제 3공정을 반복해서 복수의 패턴에 노광되고, 제 2공정후에, 다음의 제 1공정의 개시위치까지 스테이지를 이동한 때의 스테이지의 주사방향에 관한 이동방향이 다음회의 노광을 행하는 때의 제 2공정의 스테이지의 주사방향과 일치하고 있는 때는 제 1공정의 개시위치에서 스테이지를 정지시키지 않고서 제 2공정으로 들어가는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 문제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 스테이지제어방법은 기판을 유지하는 스테이지를 소정속도로 가속하는 제 1공정과; 스테이지를 소정속도로 주행시키고 주사방향으로 스테이지의 주행동안 원판상에 형성되어진 패턴을 기판에 노광하는 제 2공정과; 소정속도로 주행하는 스테이지를 감속해서 정지시키는 제 3공정을 가지고, 제 2공정을 행하기 위해 제 2공정의 오버런동작후에 다음회의 제 1공정의 개시위치를 이동하는 공정과, 오버런동작을 행하지 않고서 다음회의 제 1공정의 개시위치를 이동하는 공정을 비교하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 다른 구성과 효과는 첨부도면과 연관된 다음의 명세서로부터 명백해지고, 도면에 걸쳐서 동일한 도시부호는 동일하거나 유사한 부분을 표시한다.

(실시예)

본 발명의 바람직한 실시예는 첨부도면을 참조해서 구체적으로 설명될 것이다.

(제 1실시예)

도 1은 스텝-앤드-스캔 노광장치를 표시한다. Y축방향 스텝-앤드-스캔노광을 예로, 슬릿의 길이방향이 X방향, 폭방향이 Y방향으로서 각각 설명된다.

도 1에 표시된 바와 같이 광원(1)으로부터의 노광광은 조명계(2)내에서 조도와 입사각이 균일화되고, 직각형 또는 원호형상의 슬릿광(4)으로 변환된다. 이 슬릿광은 미세패턴이 형성된 레티클(5)상에 입사된다. 광원으로는 초고압수은램프 또는 엑시머레이저가 사용되지만, 본 발명에서는 이것에 한정되지 않는다. 레티클(5)은 레티클스테이지(6)에 의해서 유지되어 있다. 레티클(5)을 통과한 슬릿광(4)은 투영광학계(9)를 통과하고, 레티클(5)의 패턴면과 광학적공역면상의 노광필드내에 슬릿광(14)으로서 결상된다. 노광시에는 웨이퍼스테이지(12)에 유지된 웨이퍼(11)가 그 노광면을 노광필드와 일치시키도록 제어된다. 레티클스테이지(6)와 웨이퍼스테이지(12)는 투영광학계(9)에 대해서 동기를 취하면서 주행하고, 슬릿광(14)에 의해서 웨이퍼(11)상의 포토레지스트층에 패턴이 전사된다. 웨이퍼(11)와 웨이퍼스테이지(12)와 마찬가지로, 조명계(2)내에는 레티클패턴면과 광학공역면에 가동마스킹스테이지(3)가 위치되고, 조명계(2)의 광축에 대해서 레티클스테이지(6)와 동기주행하고 있다. 가동마스킹스테이지(3)의 개구영역은 레티클(4)의 소정노광영역만이 노광되도록 광학배율비에 의해 상이형상으로 되어 있다. 웨이퍼(11)상에서 노광필드가 숏트영역으로부터 벗어난 영역에서는 슬릿광이 도광되기 때문에 다른 숏트영역의 노광이 방지될 수 있다.

레티클스테이지(6) 및 웨이퍼스테이지(12)는 주사방향인 Y방향으로 위치 및 속도제어가능한 동시에 전자는 X, θ축위치결정제어가능하고, 후자는 Y방향을 포함한 6축위치결정제어가 가능하다. 또한 가동마스킹스테이지(3)는 마스킹개구영역이 Y방향 2축, X방향 2축으로 제어된다. 전체스테이지의 액추에이터는, 리니어모터와 같은 비접촉액추에이터이고, 스테이지구동계(8)에 의해 전력이 공급된다.

스테이지 위치계측계는 레티클스테이지쪽이 XYθ3축간섭계(Y축간섭계만 표시함, 즉, Y축을 따른 레티클위치의 계측을 위한 간섭계(19)만 표시함), 웨이퍼스테이지(12)쪽이 XYZθ 및 틸트(tilt)(ωx, ωy)6축간섭계(Y축간섭계만 표시함, 즉 Y축을 따른 웨이퍼위치의 계측을 위한 간섭계(15)만 표시함), 포커스센서(10)를 포함한다. 가동마스킹스테이지(3)는 4축엔코더(도시생략)를 가진다. 이들은 동기계측계(18)에 의해서 제어된다. 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지의 Y방향의 동기제어를 행하기 위해 레티클Y계측용 간섭계(19)와 웨이퍼Y계측용 간섭계(15)의 계측값에 의해 동기화편차로 되는 편차를 산출하고, 레티클스테이지(6) 혹은 웨이퍼스테이지(12)중 하나를 원판으로, 다른 하나를 종속판으로해서 동기화편차를 보정한다. 이 경우에, 레티클스테이지(6)의 이동이 웨이퍼스테이지(12)의 이동보다 더욱 제어가능하기 때문에 레티클스테이지(6)를 종속판으로, 웨이퍼스테이지(12)를 원판으로해서 동기화편차를 보정하는 것이 바람직하다. 또한 레티클스테이지(6)및 웨이퍼스테이지(12)의 X, θ방향의 제어도 Y방향의 제어와 마찬가지로 행해진다.

레티클스테이지(6)는 레티클스테이지가이드(7)의 주행기준면과 대략 평행하도록 지지되어 있다. 결과적으로 레티클패턴면의 위치를, z, ωx, ωy 방향에서 보증되어 있다. z, ωx, ωy방향에서 웨이퍼스테이지를 제어하기 위해 웨이퍼의 노광면과 웨이퍼스테이지의 주행면은 웨이퍼포커스센서(10)에 의해서 계측되고, 상기 레티클패턴면과, 웨이퍼노광면 또는 상기 레티클스테이지주행면과 웨이퍼스테이지주행면이 투영광학계를 개재해서 서로 공역면에 위치하도록 웨이퍼스테이지(12)에서 웨이퍼위치를 보정한다.

상기 언급한 동기제어 및 웨이퍼의 면위치제어는 스테이지구동계(8)와 동기계측계(18)의 상위에 위치하는 동기제어계(16)에 의해서 행해진다. 주제어계(17)는 동기제어이외의 시퀀셜제어(예를 들면, 광원의 출력제어나, 웨이퍼, 레티클의 교환 등의 제어)를 행하는 동시에 동기제어계(16)에 대해서 전체 스테이지의 주행조건(예를 들면, 웨이퍼스테이지(12)의 주행궤적이나, 속도, 가속도 등)의 정보를 주고받는다. 이후에 언급하는 속도프로파일을 사용하는 스테이지를 제어하기 때문에 주제어계(17)는 웨이퍼(11)상에 숏트의 레이아웃에 따라서 메모리내에 속도프로파일을 기억시키거나 설정시킨다.

계측기준인 스테이지위치계측계와 위치기준인 레티클스테이지가이드(7)는 투영광학계를 유지하고 있는 정반(도시생략)에 고정되어 있다. 즉, 투영광학계를 기준으로서 위치계측을 행하고 있다. 또한, 웨이퍼스테이지(12)는 방진마운트(도시생략)에 의해서 지지된 웨이퍼스테이지가이드(13)상에 위치되어 있다.

다음에 이 장치의 시퀀스를 설명한다. 이하의 설명에서는 위치결정기준은 투영광학계(9)이다. 레티클스테이지(6)는 미리 위치결정되어 있다. 웨이퍼(11)는 웨이퍼반송계(도시생략)로부터 웨이퍼스테이지(12)로 반송된다. 웨이퍼(11)는 웨이퍼스테이지(12)에 의해서 제어된다. 웨이퍼(11)의 위치는 웨이퍼얼라이먼트계(도시생략)에 의해서 검출되고, 노광필드와 웨이퍼(11)상의 제 1노광숏트영역의 주사개시위치를 일치시킨후, 주사노광이 행해진다. 노광종료후에 웨이퍼를 바로 다음의 숏트영역으로 이동시키고, 다음의 주사노광개시위치에 웨이퍼를 위치결정한 후, 마찬가지로 주사노광을 반복한다. 숏트영역은 웨이퍼상에 2차원격자상으로 배열되어 있다. 통상 X방향으로 동일열의 숏트가 순차적으로 노광되고, 하나의 열의 종료후에 웨이퍼가 Y방향으로 스텝하여 노광대상숏트열을 바꾸어서 노광을 계속한다. 이 동작을 반복해서 전체노광이 완료후 다음의 노광웨이퍼와 교환된다.

도 2a, 2b 및 2c는 본 발명에 따른 스테이지제어방법의 제 1실시예를 설명하는 도면이다. 도 2a 및 도 2b는 전술한 도 10a와 마찬가지로 웨이퍼스테이지(12)의 속도프로파일과 가속도프로파일을 각각 표시한다.

도 2a 및 도 2b는 1숏트주사의 개시로부터 종료까지를 표시한다. 도 2a, 도 2b 및 도 10a, 도 10b에서, 주사속도 V, 가감속도a, 가속시간 Ta, 정정시간 Ts, 노광시간Tex는 모두 동일하다. 또한, 도 10a의 속도프로파일은 도 2A에 첨가되어 진다. 도 2a에서 스테이지의 최대속도는 Vmax이다.

본 발명의 스테이지제어방법은, 종래의 스테이지제어방법과 비교해서 노광종료이후의 속도프로파일이 다르다. 종래의 스테이지제어방법인 도 10a에서는 노광종료후에도 후정정시간 Ts동안 스테이지가 주행하고, 다음에 감속을 개시해서 감속시간Ta에서 정지한다. 한편, 본 발명의 제어방법을 표시하는 도 2a에서는 노광종료후 스테이지가 최고속가속시간 Taa에서 가속해서 스테이지최고속도 Vmax에 도달하고 스테이지최고속도로 시간 Tvmax로 주행한 후, 감속을 개시해서 감속시간 Taa에서 V로 복귀하고 또 감속을 계속해서 정지한다.

도 2a의 해칭으로 표시된 면적D는 오버런거리를 표시한다. 따라서 주행속도가 V이상인 굵은선 사다리꼴의 면적A1과 종래의 제어방법과 중첩되지 않는 부분(해칭부)의 면적B1사이의 관계는 다음과 같다.

A1=B1 (1)

A1=(Vmax-V)×(Taa+Tvmax) (2)

B1=T_d1×V (3)

여기서, T_d1은 본 발명에 따른 처리시간을 감소시킬 수 있는 감소시간이다.

따라서 본 발명의 스테이지제어방법에 의해 얻은 감소시간 Td1은 다음과 같이 표시될 수 있다.

Td1=(Vmax-V)×(Taa+Tvmax)/V (4)

Td1은 이미 알려진 V와 Vmax의 값을 사용해서 산출되면,

Ta1=(1-V/Vmax)×{Ts-(Vmax-V)/a} (5)

그러나 이때의 Vmax는 (1)∼(5)의 식을 만족하는 상한값을 가진다.

Vmax={V×a×(Ts+V)}^0.5

Vmax=a×{Ta×(Ts+Ta)}^0.5(6)

여기서 Ta=V/a (7)

(6) 식을 만족하지 않는 경우의 속도프로파일은 도 2c에 표시된 바와 같다. Tvmax=0이면 A1은 삼각형상이 된다. 이때 Vmax는 다음과 같다.

Vmax=a×{Ta×(Ts+Ta)}^0.5(8)

도 2a의 예와 마찬가지로 Td1은 (5)식으로부터 산출될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 스루풋향상성을 웨이퍼 1매당의 처리시간을 예로 비교하면, 웨이퍼내의 전체숏트수를 N이라고 하면, 약 Td×N정도의 처리시간의 삭감이 가능하다.

본 실시예의 스테이지제어방법은 웨이퍼스테이지에 한정되지 않고 레티클스테이지에도 적용할 수 있다.

(제 2실시예)

도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 스테이지제어방법의 제 2실시예를 표시한다.

제 1실시예는 3가지 타입의 오버런주행이, 즉, 등속도주행, 등가속주행, 등감속주행이 설정되어 있다. 결과적으로, 주행가속도는 불연속적으로 변화한다. 그러므로, 본 실시예에서는 노광전 및 노광종료직후에 스테이지에 부여되는 가속도가 연속적으로 변화하도록 스테이지주행을 제어한다.

도 3a는 속도프로파일을 표시하고, 도 3b는 가속도프로파일을 표시한다. 도 3a 및 도 3b는 1숏트의 주사의 개시로부터 종료까지의 프로파일을 표시한다.

우선, 정지상태의 스테이지가 목표주사속도에 도달할 때까지 가속도가 연속적으로 변화하도록 가속된다(I'). 스테이지의 가속종료후, 동기편차가 허용값이하로 될때까지 속도제어한다(II'). 주사속도로 동기제어를 행하면서 노광을 행한다(III'). 노광종료후 가속도가 연속적으로 변화하도록 스테이지를 가속하고 그후에, 스테이지의 가속도가 연속적으로 변화하도록 감속을 행하여 스테이지를 정지시킨다.(실선)

도 3a에서, 노광종료후 종래와 같이 스테이지를 가속시키지 않고, 스테이지를 후정정시간만 주사시키고, 그후에, 가속도가 연속적으로 변화하도록 스테이지를 감속정지시킨 경우의 속도프로파일을 점선으로 표시한다.

이 경우에는 전술의 실시예의 기본적인 사고는 마찬가지로 적용할 수 있다. 즉, 이미 알려진 값에 의해 면적A2(상승하는 해칭)와 면적B2(하강하는 해칭)을 산출하고, (1)식 내지 (8)식에 따라서 계산할 수 있다.

또한, 노광종료후는, 가속도변화가 전체 오버런시간에서 연속일 필요가 없기때문에 도 3c 및 도 3d에 표시된 바와 같이, 감속영역에서만, 가속도변화를 연속으로해서 오버런시간을 저감할 수 있다. 혹은, 정지직전에 감속시에만, 연속적으로 (도 3e 및 도 3f참조)할 수 있다. 이 경우에도 계산방법은 마찬가지이다.

본 실시예의 주행제어는 불연속한 가속도변화를 억제한다. 그 결과, 주행중의 스테이지에 발생하는 진동에 기인하는 레지스트상의 왜곡, 콘트라스트저하나스테이지 자신의 내구성악화를 저감할 수 있다.

(제 3실시예)

도 4a 내지 도 4c는, 본 발명의 제 3실시예에 따른 노광동작을 표시한다.

도 4a 내지 도 4c에서 웨이퍼상의 노광숏트에 대한 노광필드의 스텝동작 및 주사의 이동량과 이동방향을 화살표로 표시한다. 2중선화살표는 노광주사를 표시한다. 이들 도면에서 화살표는 실제로 이동하는 쪽의 웨이퍼에서 본 고정쪽 노광필드의 중심위치의 궤적을 표현하고 있다. 본래, 노광필드의 Y방향, 즉, 단길이방향폭은 0이상의 길이를 가지지만, 도면에서는 0으로 설명을 행한다. 스텝동작의 화살표는 굵은선, 세선, 파선으로 표시되어 있다. 굵은선은 본 발명을 적용한 경우의 궤적을 표시하고, 파선이 종래의 궤적을 표시한다. 세선은 양자의 공통궤적이다.

도 4a는 숏트의 주사방향이 노광순으로 정·역을 반복하면서, 동일열의 숏트노광을 종료해서 다음열의 숏트에 Y스텝이동할때 Y스텝방향과 그 직전의 주사방향이 반대인 경우이다.

노광필드는 주사노광(54)에 의해서 숏트(51)를 노광한다. 이후에 X방향의 스텝이동과 Y방향의 오버런의 동시이동(55)을 행하고 소정의 주사속도에 도달할때까지 조주(56)를 행하고, 주사노광(57)을 행한다.

종래에는 오버런(58)종료후에, XY스테이지이동(59)을 행한다. 그러나, 본 발명의 스테이지제어방법에서는 동일열의 숏트의 노광이 종료할 때는 통상의 오버런동작을 행하지 않고서 다음열의 숏트의 조주개시위치까지 스텝이동(60)을 행한다. 또한, (58),(59)의 공정과 오버런을 행하지 않는 이동(60)의 비교를 행해서 보다 이동시간이 짧은 이동을 선택하도록 할 수 있다. 혹은, 이동시간이 동일한 경우는 어느것도 선택할 수 있다. 본 실시예의 X방향의 스텝시간은 비교대상의 이동거리에 차이는 없기 때문에 Y스텝이동시간의 차이만으로 판단하면 된다.

도 5는 이동(58),(59) 및 이동(60)의 Y방향속도프로파일을 표시한 것이다. 여기서 Y의 정방향을 속도축의 정으로하고, 이동(58),(59)가 파선으로 표시되고, 이동(60)이 실선으로 표시된다. 여기서는 제 1실시예에서 사용한 기호를 그대로 사용한다. 그러나, 이 실시예에서는 설명을 간략화하기 위해 전술한 실시예에서와 같은 주사노광후의 스테이지의 가속동작은 행하지 않는다. 이동 (58),(59),(60)에 관한 이동시간을 각각 T58, T59, T60으로 한다. Y방향의 오버런거리 Lor은 다음식과 같다.

Lor=V×(Ts+0.5×Ta) (9)

또한, 노광숏트의 Y방향 길이를 Lex라고 하면, 다음의 관계식이 성립한다.

T58=Ts+Ta (10)

T59=Lex/Vmax+Vmax/a (11)

T60=(Lex-Lor)/Vmax+Vmax/a+(1+0.5×V/Vmax)Ta (12)

따라서, (59),(59)의 이동과 (60)의 이동사이의 시간차는 다음과 같다.

T58+T59-60=Lor/Vmax+Ts+Ta-(1+0.5×V/Vmax)Ta=(1+V/Vmax)Ts＞0 (13)

그러므로, 이동(60)을 선택하는 것이 바람직하다고 판단할 수 있다. 따라서, 노광영역의 궤적은 이동(60)의 경로를 따라서 이동한다. X스텝시간이 Y스텝시간보다 짧은 경우, 본 실시예에 의한 스테이지제어방법은 종래의 스테이지이동방법에 비해서 상기의 시간차이분만큼 처리시간이 단축된다.

도 4b는 Y스텝방향과 그 직전의 주사방향이 반대인 경우의 본 발명의 실시동작을 표시한다. 전술한 도 4a의 경우와 마찬가지로 본 실시예에서는 종래의 오버런(61)과 XY스텝이동(62)을 행하지 않고서 이동(63)에만 의해, 다음열의 숏트의 조주개시위치로 이동한다. 또한, Y스텝시간을 비교해서 이동시간이 이동(63)의 쪽이 짧아지면 이동(63)을 행하도록 해도 된다. 이에 의해 전술한 도 4a와 마찬가지로 웨이퍼처리시간이 단축된다.

도 4c는 연속노광을 행하는 인접숏트의 주사방향이 동일한 경우의 예를 표시한다. 이와 같은 숏트의 주행방향지정은 웨이퍼의 전체영역은 물론 일부영역의 숏트에 적용해도 된다. 전술한 도 4a 및 도 4b의 경우와 마찬가지로, 종래에는 필요한 이동(64),(65)를 행하지 않고 이동(68)에만 의해서 다음의 숏트의 조주개시위치로 이동한다. 또한 Y스텝이동시간을 비교해서 Y스텝시간의 이동시간이 짧아지는 이동을 선택해도 된다. 이와 같은 경우도 웨이퍼처리시간이 대폭으로 단축될 수 있다.

이상의 예에서와 같이 Y스텝시간을 오버런이동의 유·무에서 비교하면, 그 결과에 따라 작은 스텝시간에서 완료하는 스텝이동을 판별하고, 경우에 따라 오버런이동동작을 생략하여 스루풋의 향상이 가능하게 된다.

본 실시예에서는, 스텝시의 속도프로파일에 등속주행, 등가속주행과 등감속주행의 3종류의 주행만 설정되어 있지만, 제 2실시예와 마찬가지로 가속도가 연속적으로 변화하도록, 스텝이동을 행하는 경우도 또한 마찬가지로 본 발명의 적용이 가능하다. 또한 진동 등의 문제가 발생하지 않는 한 스텝이동의 일부 예를 들면, 스텝이동의 정지직전에만, 가속도를 연속적으로 제어할 수 있다. 이것은 전술의 실시예와 마찬가지이다.

또한, 본 실시예에서는 설명을 간략화하기 위해 전술의 실시예와 같은 주사노광종료후에 가속시켜서 오버런시간을 단축하는, 동작을 행하지 않는다. 그러나 이와 같은 동작을 본 실시예에 적용해도 되는 것을 말할 나위도 없다.

(제 4실시예)

도 6은, 전술의 실시예의 스테이지제어방법을 개량한 것을 표시한다.

본 실시예에 따르면, 전술의 실시예의 도 4a와 마찬가지로, 동일열의 숏트의 노광이 종료하고, 다음열 숏트에 Y스텝이동할 때에 Y스텝방향과 그 직전의 주사방향이 반대이다.

노광필드는 주사노광(54)에 의해 숏트(51)를 노광한다. 이후에 X방향의 스텝이동과 Y방향의 오버런의 동시이동(55)을 행하고, 소정의 주사속도의 도달할 때 조주(56)를 행하고, 주사노광(57)을 계속한다.

전술한 실시예에서 동일열의 숏트의 노광이 종료한 때는, 통상의 오버런동작을 행하지 않고 다음 열의 숏트의 조주개시위치까지 스텝이동(60)을 행한다. 본 실시예에서는 스텝이동중에 스테이지를 주사속도로 속도제어하고(이동 70), 노광영역까지의 조주를 생략하고 있다.

도 7은 이동(60) 및 이동(70)의 Y방향의 속도프로파일을 표시한다. Y의 정방향을 속도축의 정으로 하고, 이동(60)은 파선으로 표시하고, 이동(70)은 실선으로 표시한다. 여기에서는 제 1실시예에서 사용한 기호를 그대로 사용한다. 또, 본 실시예에서는 설명을 간략화하기 위해 전술의 실시예와 같은 주사노광후의 스테이지의 가속동작은 행하지 않는다. 여기서, 이동(70)의 이동시간을 T70으로 한다.

이동(60)에서는, 숏트(57)의 노광주사종료후, 바로 감속하고, -Y방향으로 스테이지를 가속하고 있다. 그래서 -Y방향의 가속이 종료한 후 다음의 숏트의 조주개시위치에서, 정지시키기 위해 스테이지의 감속이 개시된다. 이 때의 시각을 t1으로한다. 시각 t1으로부터 시간 Ta후, 스테이지는, 다음 회의 숏트의 조주개시위치에서 정지하고, 조주를 위한 가속이 개시된다. 시각 t1으로부터 시간 Ta+Ta후 가속이 종료하고 정정동작이 개시된다. 그러면 시각 t1으로부터 시간 Ta+Ta+Ts후 동기편차가 허용치이하로 될때까지 속도를 제어하여 노광이 개시된다.

본 실시에의 이동(70)에서도 숏트(57)의 주사노광종료후 바로 감속하고 -Y방향으로 스테이지를 가속하고 있다. 그러나 시각 t1에 있어서, 스테이지는 감속되지 않고, 그대로의 속도로 노광개시위치까지 이동한다. 노광개시위치까지 소정의 속도로 유지한 채 이동하기 때문에 노광개시위치에 도달한 후 즉시 노광동작으로의 이전이 행해질 수 있다.

본 실시예의 이동(70)은, 이동(60)과 비교해서 스테이지의 감속동작을 행하지 않는 시간만큼 노광개시위치에 조속히 도달할 수 있다. 그 때문에, 도 7로부터 이해할 수 있는 바와 같이 이동(70)은 이동(60)에 비해서 시간 Ta만큼 처리시간을 단축할 수 있다.

본 실시예에서는 스텝시의 속도프로파일에 등속주행, 등가속주행과 등감속주행의 3종류의 주행만 설정되어 있다. 그러나 제 2실시예와 마찬가지로 가속도가 연속적으로 변화하도록 스텝이동을 행하는 경우도 마찬가지로 본 발명의 적용이 가능하다. 또한 진동등의 문제가 발생하지 않는 한, 스텝이동의 일부, 예를 들면 스텝이동의 정지직전에만 가속도를 연속으로 제어할 수 있다. 이것은 전술의 실시예와 마찬가지이다.

또한, 본 실시예에서는 설명을 간략화하기 위해 제 1 및 제 2실시예와 같은 주사노광종료후에 가속시켜서 오버런시간을 단축하는 동작을 행하지 않는다. 그러나 이와 같은 동작을 본 실시예에서 적용해도 되는 것은 말할 나위도 없다.

(제 5실시예)

다음에 상기 설명한 노광장치를 이용한 반도체디바이스이 제조방법의 실시예를 설명한다.

도 8은 반도체디바이스(IC 나 LSI등의 반도체칩, 혹은 액정패널이나 CCD등)의 제조플로우를 표시한다. 스텝 1(회로설계)에서는, 반도체디바이스의 회로설계를 행한다. 스텝 2(마스크제작)에서는 설계한 회로패턴을 형성한 마스크를 제작한다. 스텝 3(웨이퍼제조)에서는 실리콘 등의 재료를 사용해서 웨이퍼를 제조한다. 스텝 4(웨이퍼프로세스)는 전공정이라고하며, 상기 준비한 마스크와 웨이퍼를 사용해서 리소그래피기술에 의해 웨이퍼상에 실제의 회로를 형성한다. 스텝 5(조립)은 후공정이라고하며, 스텝 4에서 제작된 웨이퍼를 사용해서 반도체칩화하는 공정이다. 이 스텝은 실제의 조립(다이싱 및 본딩), 포장(칩봉입)등의 공정을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는 스텝 5에서 제작된 반도체디바이스의 동작확인테스트, 내구성테스트 등의 검사를 행한다. 이러한 스텝을 거쳐서 반도체디바이스가 완성되고 다음에 출하(스텝 7)된다.

도 9는 상기 언급한 웨이퍼프로세스의 상세한 플로우를 표시한다. 스텝 11(산화)에서는 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 12(CVD)에서는 웨이퍼표면에 절연막을 형성한다. 스텝 13(전극형성)에서는 웨이퍼상에 전극을 증착에 의해 형성한다. 스텝 14(이온주입)에서는 웨이퍼에 이온을 주입한다. 스텝 15(레지스트처리)에서는 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 스텝 16(노광)에서는 상기 설명한 노광장치에 의해 마스크의 회로패턴을 웨이퍼에 노광해서 인쇄한다. 스텝 17(현상)에서는 노광한 웨이퍼를 현상한다. 스텝 18(에칭)에서는 현상한 레지스트상이외의 부분을 에칭한다. 스텝 19(레지스트박리)에서는 에칭후 잔류된 불필요한 레지스트를 제거한다. 이들 스텝을 반복함으로써 웨이퍼상에 다중회로패턴이 형성된다.

이 실시예의 제조방법이 사용되면, 고집적도의 반도체디바이스를 저가로 제조할 수 있다. 종래의 기술을 사용해서 이러한 반도체디바이스를 제조하는 것은 어려웠다.

본 발명의 스테이지제어방법에 의하면, 스테이지를 감속정지하기 전에 스테이지가 가속된다. 이로 인하여 오버런거리를 주행하는 시간을 단축할 수 있다.

또한, 본 발명의 노광방법에 따르면 스테이지를 감속정지하기 전에 스테이지가 가속된다. 이에 의하여 오버런거리를 주행하는 시간을 단축할 수 있다.

또한, 본 발명의 노광방법에 따르면, 소정의 경우에, 제 1공정의 개시위치에서 스테이지를 정지시키지 않고서 제 2공정을 행할 수 있다. 이에 의해 노광장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.

본 발명의 많은 다양한 실시예는 그 사상과 범위를 벗어나지 않고서 이루어질 수 있으므로, 본 발명이 첨부한 청구항에서 규정한 바를 제외하고서 그 구체적인 실시예에 한정되지 않는다고 이해해야 한다.

Claims

스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과;

이 스테이지를 이 소정속도로 주행시키는 제 2공정과;

이 스테이지를 감속해서 정지시키는 제 3공정을 구비하고,

이 제 3공정 전에 이 스테이지를 가속하는 가속공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3공정을 반복적으로 행하여 상기 스테이지가 왕복운동하는 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 3공정 전에 이 스테이지의 가속시간을 산출하는 산출공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서, 이 스테이지가 상기 제 1공정에 의해서 정지위치로부터 이 소정속도에 도달할 때까지의 조주(助走)거리와, 상기 제 2공정의 실행후 스테이지가 정지할 때까지 스테이지가 이동하는 오버런거리가 거의 동등한 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 1항 내지 제 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2공정의 실행후 스테이지가 정지할 때까지 스테이지가 이동하는 오버런거리와, 다음에 스테이지를 구동할 때 제 1공정에 필요한 조주거리가 거의 동등한 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 1항 내지 제 5항중 어느 한 항 있어서, 상기 제 1공정의 스테이지의 가속은 연속적으로 가속도가 변화하도록 행하는 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 1항 내지 제 6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 3공정의 스테이지의 감속은 연속적으로 가속도가 변화하도록 행하는 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 1항 내지 제 7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 3공정 전의 스테이지의 가속은 연속적으로 가속도가 변화하도록 행하는 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
소정속도로 주행하는 스테이지를 감속하는 감속공정과;

이 감속공정 전에 스테이지를 가속하는 가속공정을 구비한 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 9항에 있어서, 스테이지의 가속시간을 산출하는 산출공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 감속공정에서 정지된 스테이지의 위치와, 다음에 소정속도는 주행하는 스테이지의 조주위치가 거의 동등한 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
이동할 수 있는 스테이지와;

이 스테이지를 구동하는 액추에이터와;

이 스테이지의 감속 전에 소정속도로 주행하는 스테이지를 가속하는 프로파일에 따라서 액추에이터를 제어하는 제어계를 구비한 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 12항에 있어서, 상기 제어계는 이 스테이지를 왕복운동시키는 프로파일을 가지는 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 제어계는 스테이지의 가속시간을 산출하는 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 12항 내지 제 14항중 어느 한 항에 있어서, 이 스테이지가 소정속도에 도달하는 조주거리와, 스테이지가 소정속도로 주행한 후의 오버런거리가 거의 동등한것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 12항 내지 제 15항중 어느 한 항에 있어서, 이 스테이지가 소정속도로 주행한 후 오버런거리와, 다음에 소정속도로 이 스테이지를 주행시키는 조주거리가 거의 동등한 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 12항 내지 제 16항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어계는 연속적으로 가속도가 변화하도록 소정속도로 스테이지의 가속을 행하는 프로파일을 가지는 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 12항 내지 제 17항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어계는 연속적으로 가속도가 변화하도록 소정속도에서 스테이지의 감속을 행하는 프로파일을 가지는 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 12항 내지 제 18항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어계는 연속적으로 가속도가 변화하도록 스테이지의 감속 전에 스테이지의 가속을 행하는 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
기판에 감광제를 도포하는 도포공정과;

패턴을 가진 원판과 감광성을 가진 기판을 주사이동시켜서 패턴을 이 기판상에 투영하는 노광방법에 의해서 기판을 노광하는 노광공정과;

상기 노광방법은,

원판이나 기판을 유지하는 스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과;

이 스테이지를 소정속도로 주행시켜서 이 스테이지가 주사방향으로 주행중

에 패턴을 이 기판에 노광하는 제 2공정과;

이 소정속도로 주행하는 스테이지를 정지시키는 제 3공정을 포함하고;

상기 제 3공정 전에 스테이지를 가속하는 가속공정을 가지고;

노광되어진 기판을 현상하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 20항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3공정을 반복적으로 행하여 상기 스테이지가 왕복운동하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 20항 또는 제 21항에 있어서, 이 스테이지의 가속시간을 산출하는 산출공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 20항 내지 제 22항중 어느 한 항에 있어서, 이 스테이지가 상기 제 1공정에 의해서 정지위치로부터 이 소정속도에 도달할 때까지 주사방향으로 조주주행을 행하는 거리와, 상기 제 2공정의 실행후 스테이지가 정지할 때까지 주사방향으로 스테이지가 이동하는 오버런거리가 거의 동등한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 20항 내지 제 23항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2공정의 실행후 스테이지가 정지할 때까지 스테이지가 이동하는 오버런거리와, 다음에 스테이지를 구동할 때 제 1공정에 필요한 주사방향의 조주거리가 거의 동등한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 20항 내지 제 24항중 어느 한 항에 있어서, 이 스테이지는 패턴을 가진 레티클을 유지하는 레티클스테이지인 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 20항 내지 제 24항중 어느 한 항에 있어서, 이 스테이지는 기판을 유지하는 기판스테이지인 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 26항에 있어서, 기판스테이지는 주사방향을 수직으로 교차하는 방향으로 이동할 수 있는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 27항에 있어서, 제 3공정은 주사방향을 수직으로 교차하는 방향으로 스테이지를 이동시키는 이동공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 28항에 있어서, 상기 제 3공정에 의해서 스테이지가 정지되는 위치는 다음에 기판을 노광하는 상기 제 1공정의 개시위치와 대략 동일한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 20항 내지 제 29항중 어느 한 항 있어서, 상기 제 1공정의 스테이지의 가속은 연속적으로 가속도가 변화하도록 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 20항 내지 제 30항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 3공정의 스테이지의 감속은 연속적으로 가속도가 변화하도록 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 20항 내지 제 31항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 3공정 전의 스테이지의 가속은 연속적으로 가속도가 변화하도록 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
기판에 감광제를 도포하는 공정과;

기판을 유지한 스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과;

이 스테이지를 소정속도로 주행시키고, 주사방향으로 이 스테이지를 주행

시키는 동안 원판상에 형성된 패턴을 기판에 노광시키는 제 2공정과;

소정속도로 주행하는 스테이지를 정지시키는 제 3공정을 포함하고,

상기 제 1 내지 제 3공정을 반복해서 기판이 복수의 패턴에 노광되고, 제

3공정에서 스테이지가 정지되는 위치는 다음의 기판을 노광하는 제 1공

정의 개시위치와 대략 동일한,

노광방법에 의해서 기판을 노광하는 노광공정과;

노광된 기판을 현상하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 33항에 있어서, 상기 제 2공정에서 스테이지의 주사방향은 전에 노광을 행할 때의 주사방향과 반대인 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제 33항에 있어서, 상기 제 2공정에서 스테이지의 주사방향은 전에 노광을 행할때의 주사방향과 동일한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
기판에 감광제를 도포하는 도포공정과;

기판을 유지한 스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과;

소정속도로 이 스테이지를 주행시키고, 주사방향으로 이 스테이지의 주

행동안 원판상에 형성된 패턴을 기판에 노광하는 제 2공정과;

소정속도로 주행하는 스테이지를 정지시키는 제 3공정을 포함하고, 상기

제 1 내지 제 3공정을 반복하여 기판이 복수의 패턴에 노광되고, 상기 제

2공정후에 다음의 제 1공정의 개시위치까지 스테이지를 이동한 때의 스

테이지의 주사방향에 관한 이동방향이 다음의 노광을 행할 때의 제 2공정

의 스테이지의 주사방향과 일치하는 때는 제 1공정의 개시위치에서 스

테이지를 정지시키지 않고, 제 2공정을 행하는

노광방법에 의해 기판을 노광하는 노광공정과;

노광된 기판을 현상하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
기판에 감광제를 도포하는 도포수단과;

패턴을 가진 원판과 감광성을 가진 기판을 주사이동시켜서 이 패턴을 기판상에 투영하는 노광방법에 의해서 기판을 노광하는 노광수단과;

상기 노광방법은

기판을 유지한 스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과;

소정속도로 이 스테이지를 주행시키고, 주사방향으로 스테이지의 주행동

안 패턴을 기판에 노광하는 제 2공정과;

소정속도로 주행하는 스테이지를 정지시키는 제 3공정을 포함하고,

상기 제 3공정 전에 스테이지를 가속하는 가속공정을 가지고,

노광된 기판을 현상하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
기판을 유지한 스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과;

소정속도로 이 스테이지를 주행시키고 주사방향으로 스테이지의 주행동안 원판상에 형성된 패턴을 기판에 노광하는 제 2공정과;

소정속도로 주행하는 스테이지를 감속정지하는 제 3공정과,

제 3공정을 행하기 위해 제 2공정의 오보런 동작후에 다음의 제 1공정의 개시위치를 이동하는 공정과, 오버런동작없이 다음의 제 1공정의 개시위치를 이동하는 공정을 비교하는 비교공정을 구비한 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 38항에 있어서, 기판은 상기 제 1 내지 제 3공정을 반복해서 복수의 패턴에 노광되어 있는 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 38항 또는 제 39항에 있어서, 상기 비교공정에서 비교된 공정중 어느 하나를 선택하는 공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 39항에 있어서, 복수의 패턴은 기판상에 2차원격자형상으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 38항 내지 제 41항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2공정에서 스테이지의 주사방향은 전에 노광이 행해진 주사방향과 반대인 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
제 38항 내지 제 41항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2공정에서 스테이지의 주사방향은 전에 노광이 행해진 주사방향과 동일한 것을 특징으로 하는 스테이지제어방법.
이동가능한 스테이지와;

이 스테이지를 구동하는 액추에이터와;

소정속도를 이 스테이지를 주행시키고, 주사방향으로 스테이지의 주행동안 원판상에 형성된 패턴을 기판에 노광하는 노광수단과;

소정속도로 주행하는 스테이지를 감속정지 시키기 위하여 제 1프로파일과 제 2프로파일을 비교하는 제어계를 구비하고,

이 제 1프로파일은 상기 노광수단에 의해 행해진 오버런동작후에 다음의 스테이지의 가속의 개시위치를 이동하는기 위해 사용되고, 이 제 2프로파일은 오버런동작없이 다음의 스테이지의 가속의 개시위치를 이동하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 44항에 있어서, 상기 제어계는 상기 노광수단이 복수의 패턴을 기판에 노광하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 44항 또는 제 45항에 있어서, 상기 제어계는 비교결과에 의거해서 제 1프로파일이나 제 2프로파일을 선택하는 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 45항에 있어서, 복수의 패턴은 기판상에 2차원 격자형상으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 44항 내지 제 47항중 어느 한 항에 있어서, 스테이지의 주사방향은 상기 노광수단이 전에 노광을 행한 주사방향과 반대인 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
제 44항 내지 제 47항중 어느 한 항에 있어서, 스테이지의 주사방향은 상기 노광수단이 전에 노광을 행한 주사방향과 동일한 것을 특징으로 하는 스테이지제어장치.
스테이지에 의해 유지된 기판에 감광제를 도포하는 도포공정과;

기판을 유지한 스테이지를 소정속도까지 가속하는 제 1공정과;

소정속도로 이 스테이지를 주행시키고 주사방향으로 스테이지의 주행동안

원판상에 형성된 패턴을 기판에 노광하는 제 2공정과;

소정속도로 주행하는 스테이지를 감속정지시키는 제 3공정과;

제 3공정을 행하기 위해 제 2공정의 오버런동작후에 다음의 제 1공정의

개시위치를 이동하는 공정과, 오버런동작없이 다음의 제 1공정의 개시위

치를 이동하는 공정을 비교하는 비교공정을 포함한

스테이지제어방법에 의해서 스테이지를 제어하는 제어공정과;

노광된 기판을 현상하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.