KR100333724B1 - 티타늄알루미늄나이트라이드반사방지막을이용한반도체소자의금속배선형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 관한 것으로, 종래의 반사방지막으로 사용되던 TiN막 보다 반사율 및 투과도가 낮은 (TiAl)N막을 반사방지막으로 사용하여, DUV와 같은 짧은 파장의 광으로 실시하는 노광공정에서 효과적으로 반사를 방지함으로써 미세 금속배선을 보다 정확하게 형성하는데 그 특징이 있다.

Description

티타늄알루미늄나이트라이드 반사방지막을 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성 방법{Mehod for forming metal wire of semiconductor device by using TiAlN antireflection layer}
본 발명은 반도체 장치 제조 분야에 관한 것으로, 특히 고집적 반도체 소자 의 금속배선 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 집적도가 향상됨에 따라 패턴의 폭과 패턴간의 간격이 작아지고 있다. 이와 같이 폭이 좁은 패턴을 형성하기 위해서는 보다 짧은 파장을 노광원으로 이용하여야 한다. 즉, 소자의 집적도 향상에 따라 노광장비인 스텝퍼 (stepper)에서 이용되는 파장이 점점 짧아져서 현재 DUV(deep ultraviolet) 파장의 광을 사용하게 되었다.
DUV와 같이 짧은 파장의 광을 사용함에 따라, 종래에 알루미늄막 등의 금속막 상에 형성되는 TiN 반사방지막은 효과적으로 반사를 방지하지 못하여, 노광시 난반사가 일어나 미세 금속배선 패턴을 정확하게 형성하기가 어렵다. 이러한, 난반사의 문제를 해결하기 위하여 TiN막 상에 산화질화막을 형성하는 방법이 있으나, 공정 단계가 증가함은 물론이고 층간의 금속을 연결하는 비아(via) 콘택의 형성이 용이하지 않고, 금속배선의 저항이 증가하는 단점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 DUV와 같은 짧은 파장의 광을 이용한 노광공정에서 효과적으로 반사를 방지하여 미세 금속배선 패턴을 보다 정확하게 형성할 수 있는, 티타늄알루미늄나이트라이드 반사방지막을 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도1 및 도2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성 공정 단면도
* 도면의 주요 부분에 대한 도면 부호의 설명
1: 반도체 기판 2: 접합 영역
3: 층간절연막 4: 콘택홀
5: 확산방지막 6: 금속막
7: (TiAl)N막 8: 감광막 패턴
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 반도체 기판 상에 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막 상에 (TiAl)N 반사방지막을 형성하는 단계; 상기 (TiAl)N 반사방지막 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 (TiAl)N 반사방지막 및 상기 금속막을 선택적으로 식각하여 금속배선을 형성하는 단계; 및 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법을 제공한다.
본 발명은 종래의 반사방지막으로 사용되던 TiN막 보다 반사율 및 투과도가 낮은 (TiAl)N막을 반사방지막으로 사용하여 미세 금속배선을 형성하는데 그 특징이 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면 도1 및 도2를 참조하여 설명한다.
먼저, 도1에 도시한 바와 같이 반도체 기판(1) 상에 형성된 층간절연막(3)을 선택적으로 식각하여 반도체 기판(1)의 접합 영역(2)을 노출시키는 콘택홀(4)을 형성하고, 전체 구조 상에 확산방지막(5) 및 금속막(6)을 차례로 형성한다.
이어서, 금속막(6) 상에 반사방지막으로서 100 Å 내지 1000 Å 두께의 (TiAl)N막(7)을 형성한다. (TiAl)N막(7)은 TiAlx를 타겟(target)으로 질소 분위기에서 2kw 내지 20kw의 전력을 인가하여 스퍼터링(sputtering)법으로 형성하며, 전기 전도도가 크지 않으면서 반사도가 낮은 박막을 형성하기 위하여 TiAlx 타겟은 Al의 조성이 5 % 내지 70%인 것을 이용한다.
또한, (TiAl)N막(7)은 TiCl4, AlCl3및 N2를 이용한 플라즈마 화학기상증착법 (PECVD, plasma enhanced chemical vapor deposition)으로 형성할 수도 있다. 상기 가스에 H2를 첨가하기도하며, 인가되는 전력의 크기는 10 W 내지 1000 W이고, 온도는 300 ℃ 내지 450 ℃이다. 이와 같이 플라즈마 화학기상증착법으로 형성된 (TiAl)N막 내의 Al/(Ti+Al)의 비율은 5 % 내지 80 %가 되도록 한다.
다음으로, (TiAl)N막(7) 상에 감광막 패턴(8)을 형성한다.
이어서, 도2에 도시한 바와 같이 감광막 패턴(8)을 식각마스크로, (TiAl)N막 (7), 금속막(6) 및 확산방지막(5)을 선택적으로 식각하여 금속배선을 형성하고, 감광막 패턴(8)을 제거한다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 (TiAl)N막으로 반사방지막을 형성하여 DUV 파장을 이용한 노광공정에서 반사를 효과적으로 방지함으로써, 금속배선 패턴의 임계 치수 변화(critical dimension)를 작게 할 수 있으며, 미세 패턴을 비교적 정확하게 형성할 수 있다. 또한, 반사방지막을 단일막으로 형성함으로써 공정 단계를 줄일 수 있다.

Claims (9)

  1. (TiAl)N 반사방지막을 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 있어서,
    반도체 기판 상에 금속막을 형성하는 단계;
    상기 금속막 상에 (TiAl)N 반사방지막을 형성하는 단계;
    상기 (TiAl)N 반사방지막 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 (TiAl)N 반사방지막 및 상기 금속막을 선택적으로 식각하여 금속배선을 형성하는 단계; 및
    상기 감광막 패턴을 제거하는 단계
    를 포함하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (TiAl)N막을 100 Å 내지 1000 Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (TiAl)N막을 스퍼터링법 또는 플라즈마 화학기상증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 (TiAl)N막을,
    TiAlx 타겟을 이용하여, 질소 분위기에서 스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 (TiAl)N막을 2kw 내지 20kw의 전력을 인가하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 TiAlx 타겟은 Al의 조성은 5 % 내지 70%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 (TiAl)N막을 TiCl4,AlCl3및 N2를 이용한 플라즈마 화학기상증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 (TiAl)N막을,
    10 W 내지 1000 W의 전력을 인가하고, 300 ℃ 내지 450 ℃ 온도 조건에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 (TiAl)N막 내의 Al/(Ti+Al)의 비율은 5 % 내지 80 %인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
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