KR100307527B1 - 반도체다이본딩용에폭시공급노즐 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 중공형의 노즐 몸체와, 이 노즐 몸체의 하부에 연통 연결되어 하면에 에폭시 투출구가 형성된 에폭시 투출부와, 상기 노즐 몸체와 에폭시 투출부의 내부에 상대적으로 승강 가능하게 설치되며 하단측 외주면이 하방으로 갈수록 점차 굵어지는 테이퍼형으로 형성되며 끝단에 에폭시 토출구가 형성된 에폭시 토출관과, 상기 에폭시 토출관의 외주에 끼워짐과 아울러 상기 에폭시 투출부와 일체로 승강되며 내주면이 상기 에폭시 토출관의 하단측 외주면의 테이퍼부에 대응하는 테이퍼형으로 형성된 에폭시 토출량 조절부재를 포함하여 구성됨에 따라 에폭시 토출관의 동일한 진행거리 등에 의해 항상 일정량의 에폭시가 리드프레임의 패드 위에 도포됨으로써 에폭시 도포의 과다 또는 부족으로 인한 공정 불량을 방지할 수 있다.

Description

반도체 다이본딩용 에폭시 공급노즐{EPOXY SUPPLY NOZZLE FOR SEMICONDUCTOR DIE BONDING}
본 발명은 반도체 다이본딩용 에폭시 공급노즐에 관한 것으로, 특히 필요한 양의 에폭시를 정확히 도포할 수 있도록 한 반도체 다이본딩용 에폭시 공급노즐에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 패키지를 제조하기 위해서는 우선 스템핑 또는 에칭 공정에 의해 리드프레임을 제조하는데, 상기 리드프레임은 금속을 적당한 패턴으로 포토 에칭 또는 프레스 가공한 금속 프레임으로서 트랜지스터나 IC 펠릿의 조립에 사용된다.
그리고 수개의 반도체 칩이 부착된 웨이퍼를 스크라이브 레인을 따라 칩 단위로 절단하는 소잉(Sawing)공정을 진행하고, 상기 리드프레임의 패들 상면에 접착제를 이용하여 반도체 칩을 고정 부착하는 다이본딩공정을 진행하며, 상기 반도체 칩의 패드와 리드프레임에 일정 간격으로 나열 설치되어 있는 리드를 금속와이어로 연결하여 전기적 도전경로를 형성하는 와이어본딩공정을 진행하고, 상기 반도체 칩과 리드의 일정 부분을 보호하기 위해 그 외부를 플라스틱 수지로 밀봉하는 몰딩 공정을 진행하며, 상기 리드프레임의 정크와 댐바를 제거하는 트리밍(Trimming) 공정 및 패키지의 형태별로 리드를 형성하는 포밍(Forming) 공정을 포함하여 진행함으로써 완성된다.
이와 같은 반도체 제조공정 중에 다이본딩공정을 진행하기 위한 에폭시 노즐이 도 1에 도시되어 있는 바, 이에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 의한 에폭시 노즐을 보인 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이, 종래 에폭시 노즐은 내부에 소정량의 에폭시 수지가 유입 저장되는 노즐 몸체(1)와, 이 노즐 몸체(1)의 상단부에 연결되어 상기 노즐 몸체(1)로 압력을 공급하는 압력공급라인(2)으로 구성된다.
상기 노즐 몸체(1)의 하단부에는 리드프레임의 패드에 에폭시 수지를 도포하기 위한 에폭시 토출구(1a)가 형성되어 있다.
따라서, 다이본딩을 진행하기 위한 리드프레임(L)의 상부에 노즐 몸체(1)를 위치시키면, 도 1에 도시한 바와 같이 상기 노즐 몸체(1)의 상단부에 연결된 압력공급라인(2)을 통해 공급된 압력에 의해 노즐 몸체(1) 내부에 담긴 에폭시 수지(E)는 리드프레임(L)의 패드 상면에 도포된다.
그후, 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 에폭시 수지(E)가 도포된 리드프레임(L)의 상면에 반도체 칩(C)이 접착되며, 일정 시간동안 상기 에폭시(E)가 경화된 후 다음 공정을 진행하게 된다.
그러나, 상기와 같은 종래 기술은 에폭시가 노즐을 통해서 도포될 때 노즐 자체에서는 에폭시의 도포량을 조절할 수 있는 수단이 없으며, 단지 외부에서 공급되는 압력에 의해 에폭시의 도포량이 결정되는데, 이와 같은 방법으로는 정확한 양의 에폭시를 도포하기가 어려우므로 에폭시의 부족 또는 과다 도포에 의해 공정 불량을 유발하게 된다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 에폭시의 도포량을 정확히 결정할 수 있도록 함으로써 공정 불량을 방지하기 위한 반도체 다이본딩용 에폭시 공급노즐을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 에폭시 도포 노즐을 보인 단면도.
도 2는 에폭시가 도포된 리드프레임의 상면에 반도체 칩이 접착된 상태를 보인 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 에폭시 도포 노즐을 보인 단면도.
도 4는 본 발명에 의한 에폭시 도포 노즐의 작동을 보인 단면도.
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **
11 ; 노즐 몸체 12 ; 에폭시 토출관
12a ; 에폭시 토출구 13 ; 보호케이스
14 ; 누름 가압부 15 ; 에폭시 투출부
16 ; 에폭시 토출량 조절부재 17 ; 복귀스프링
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 중공형의 노즐 몸체와, 이 노즐 몸체의 하부에 연통 연결되어 하면에 에폭시 투출구가 형성된 에폭시 투출부와, 상기 노즐 몸체와 에폭시 투출부의 내부에 상대적으로 승강 가능하게 설치되며 하단측 외주면이 하방으로 갈수록 점차 굵어지는 테이퍼지도록 형성되며 끝단에 에폭시 토출구가 형성된 에폭시 토출관과, 상기 에폭시 토출관의 외주에 끼워짐과 아울러 상기 에폭시 투출부와 일체로 승강되며 내주면이 상기 에폭시 토출관의 하단측 외주면의 테이퍼부에 대응하는 테이퍼형으로 형성된 에폭시 토출량 조절부재를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 의한 반도체 다이본딩용 에폭시 공급노즐을 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 에폭시 공급노즐은 도 2에 도시한 바와 같이, 중공형(中空形) 노즐 몸체(11)와, 이 노즐 몸체(11)의내부에 삽입되며 그 내부에 소정량의 에폭시 수지가 충전되는 에폭시 토출관(12)과, 이 에폭시 토출관(12)의 외측에 설치되어 에폭시 토출관(12)을 보호하는 보호케이스(13)와, 상기 에폭시 토출관(12) 및 보호케이스(13)의 상단부에 결합 설치되어 상기 에폭시 토출관(12) 및 보호케이스(13)를 가압하는 누름 가압부(14)와, 상기 노즐 몸체(11)의 하단부에 고정 설치되어 상기 보호케이스(13)의 지속적인 진행을 방지함과 아울러 상기 에폭시 토출관(12)에 내재되어 있는 에폭시를 리드프레임에 투출하기 위한 에폭시 투출구(15a)가 형성된 에폭시 투출부(15)로 구성된다.
상기 에폭시 토출관(12)은 노즐 몸체(11)와 에폭시 투출부(15)에 대하여 상대적으로 승강가능하게 설치된다.
상기 누름 가압부(14)는 상기 에폭시 토출관(12) 및 보호케이스(13)로부터 탈착 가능하도록 결합하여 상기 에폭시 토출관(12)에 내재된 에폭시를 모두 소비하였을 때 새로운 에폭시를 주입할 수 있도록 한다.
그리고 상기 노즐 몸체(11)의 외주연에는 상기 보호케이스(13)가 에폭시 투출부(15)까지 가압되었을 때 상기 에폭시 토출관(12) 및 보호케이스(13)가 원상복귀 되도록 복귀스프링(17)이 설치된다.
또한, 상기 에폭시 투출부(15)는 테이퍼지도록 형성되며, 상기 에폭시 토출관(12)의 끝단에는 상기 에폭시 투출부(15)의 내주면에 걸려 진행이 방지되면서 에폭시 토출관(12)의 에폭시 토출구(12a)가 개방되도록 하는 에폭시 토출량 조절부재(16)가 설치되는데, 이 에폭시 토출량 조절부재(16)는 상기 에폭시 토출관(12)의 하단 외주연에 설치되어 상기 에폭시 분사구(12a)를 압입 폐쇄하는 상태를 유지하다가 상기 누름 가압부(14)에 압력을 가할 때 상기 에폭시투출부(15)에 지지되면서 에폭시 토출관(12)의 단부가 관통 돌출되어 에폭시가 토출되도록 한다.
즉, 상기 에폭시 토출관(12)의 하단부 외주면은 하방으로 갈수록 점차 굵어지는 테이퍼형으로 형성되며, 에폭시 토출량 조절부재(16)의 내주면은 상기 에폭시 토출관(12)의 하단측 테이퍼부에 대응하는 테이퍼형으로 형성되어 에폭시 토출관(12)에 대한 에폭시 토출량 조절부재(16)의 상대 위치에 따라 에폭시 토출관(12)의 하단부 직경이 조절되도록 되어 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 의한 에폭시 노즐의 작동 과정을 설명하면 다음과 같다.
에폭시 토출관(12)에 일정량의 에폭시를 주입한 상태에서 누름 가압부(14)를 가압하면, 상기 에폭시 토출관(12) 및 보호케이스(13)가 하강하게 된다.
이때, 상기 보호케이스(13)는 테이퍼지도록 형성된 에폭시 투출부(15)에 걸려 진행이 방지되고 에폭시 토출관(12)만이 계속 하강하게 된다.
상기 에폭시 토출관(12)은 계속 하강하다가 그 끝단에 결합된 에폭시 토출량 조절부재(16)가 테이퍼지도록 형성된 에폭시 투출부(15)의 내주면에 걸리게 되면, 에폭시 토출관(12)의 끝단이 상기 에폭시 토출량 조절부재(16)를 관통하여 돌출하게 됨과 동시에 에폭시 투출부(15)의 에폭시 투출구(15a)를 통해 일정량의 에폭시가 리드프레임의 패드 상면에 토출된다.
이때, 상기 에폭시 토출관(12)의 진행거리 또는 에폭시 토출관(12)에서 에폭시 토출구(12a)의 직경을 조절함으로써 상기 에폭시의 도포량을 조절할 수 있다. 즉, 에폭시 토출량 조절부재(16)가 에폭시 토출관(12)의 하방으로 내려갈수록 에폭시 토출관(12)의 하단측 외주면과 에폭시 토출량 조절부재(16)의 내주면의 테이퍼형상에 의하여 에폭시 토출관(12)의 하단부가 조여지면서 그 하단부 직경이 작아지고, 반대로 에폭시 토출량 조절부재(16)가 에폭시 토출관(12)의 상방으로 올라갈수록 반대의 작용으로 에폭시 토출관(12)의 하단부 직경이 커지게 되는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 에폭시 도포 노즐은 에폭시 토출관의 동일한 진행거리 등에 의해 항상 일정량의 에폭시가 리드프레임의 패드 위에 도포됨으로써 에폭시 도포의 과다 또는 부족으로 인한 공정 불량을 방지할 수 있다.

Claims (3)

  1. 중공형의 노즐 몸체와, 이 노즐 몸체의 하부에 연통 연결되어 하면에 에폭시 투출구가 형성된 에폭시 투출부와, 상기 노즐 몸체와 에폭시 투출부의 내부에 상대적으로 승강 가능하게 설치되며 하단측 외주면이 하방으로 갈수록 점차 굵어지는 테이퍼지도록 형성되며 끝단에 에폭시 토출구가 형성된 에폭시 토출관과, 상기 에폭시 토출관의 외주에 끼워짐과 아울러 상기 에폭시 투출부와 일체로 승강되며 내주면이 상기 에폭시 토출관의 하단측 외주면의 테이퍼부에 대응하는 테이퍼형으로 형성된 에폭시 토출량 조절부재를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 다이본딩용 에폭시 공급노즐.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 에폭시 저장수단의 외주연에는 상기 에폭시 저장수단을 보호하도록 보호케이스가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이본딩용 에폭시 공급노즐.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 노즐 몸체의 외주연에는 가압수단에 가해지던 압력을 제거하면 상기 에폭시 저장수단 및 보호케이스가 원상복귀 되도록 복귀스프링이 권선되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이본딩용 에폭시 공급노즐.
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