KR100304401B1 - 능동픽셀센서셀디바이스및그제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이중 두께의 p- 영역을 갖는 이중 epi 능동 픽셀 센서 셀과 그 제조 방법에 관한 것이다. 이중 epi 능동 픽셀 센서 셀은 래치업을 향상시키고 노이즈를 감소시키는 동시에 적색광 흡수를 향상시킨 센서를 생성시킨다. 얇은 p- epi 영역은 래치업 면역성을 향상시키기 위해 논리 영역 내에 위치한다. 두꺼운 p- epi 영역은 적색광 흡수력을 향상시키기 위해 픽셀 영역 내에 위치한다.
Description
본 발명은 능동 픽셀 센서(active pixel sensor)에 관한 것으로, 특히 적색광 흡수를 향상시키는 한편 래치업(latch-up) 향상 및 노이즈 감소를 향상시킨 능동 픽셀 센서에 관한 것이다.
통상의 능동 픽셀 센서(APS) 셀은 p- 타입 기판내의 np 다이오드, NFET 전송 디바이스, 소스 팔로워 증폭 트랜지스터, 프리챠지 트랜지스터(pre-charge transistor), 비트 스위치 트랜지스터(bit switch transistor)로 구성된다. 다이오드내에서는 광자들의 충돌에 의해 전자-정공 쌍들이 생성된다. 전자들은 다이오드의 프리챠지된 n 영역에 축적되며, 궁극적으로 증폭을 위해 소스 팔로워 게이트에 전송된다. 다이오드의 표면에는 종종 p- 타입 핀층(p- type pinning layer)이 포함된다.
도 1a는 포토다이오드와 전송 게이트의 단면도를 개략적으로 도시하고 있다. 도 1b는 각각의 능동 픽셀 센서 디바이스(10)에 구현된 회로를 개략적으로 도시하고 있다. 축적된 전자의 수는 소스 팔로워 트랜지스터(12)상의 게이트 구동 레벨을 결정한다. 소스 전위는 비트 스위치(14)를 통해 컬럼(column) 아래로 전송되어, 비디오 촬상용으로 적절히 처리될 수 있다.
광자들은 다이오드의 프리챠지된 n 영역의 실리콘에 의해 다양한 깊이로 흡수되는데, 이 깊이는 광자 에너지에 따라 달라진다. 긴 파장의 광자들은 그 흡수 깊이가 5 마이크로미터 또는 그 이상으로 된다. 광자들이 흡수될 때 전자-정공 쌍이 생성되며, 만약 이 전자-정공 쌍이 포토다이오드 공핍 영역의 확산 길이내에서 발생되면, 이 전자-정공 쌍은 포토다이오드에 의해 축적되어 광신호에 기여한다.
강하게 도핑된 실리콘은 짧은 확산 거리를 가지므로, 긴 파장의 적색광에 의해 발생된 전자-정공 쌍의 축적을 가능하게 하기 위해서는 약하게 도핑된 재료의 깊은 영역이 보다 더 바람직하다. 그러나, 포토다이오드의 외부의 논리 영역용으로 보다 더 선호되는 타입의 고성능 CMOS 기법은 래치업 면역성을 위해, 또한 안정한 기판(quiet substrate)을 제공하기 위해 약하게 도핑된 얕은 영역을 사용하고 있다. 이로 인해 고성능 CMOS 논리 영역에 필요한 제조 공정과 APS 디바이스에 필요한 제조 공정을 통합할 경우에 문제가 발생한다.
따라서 본 발명의 목적은 종래 기술의 문제점과 결함을 고려하여, 적색광 응답과 래치업을 동시에 최적화하는 능동 픽셀 셀 디바이스를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기존의 내장형 마이크로프로세서 및, APS 기법을 사용한 제품이 요구하는 높은 수준의 집적도에 필요한 아날로그 설계와의 통합을 용이하게 하는 능동 픽셀 센서를 제공하는데 있다.
본 발명의 또다른 목적및 장점들은 본 명세서로부터 명백히 이해될 것이다.
본 발명은 제 1 측면에서, 제 1 농도로 도핑된 기판과, 다수의 감광성 디바이스 및 논리 디바이스와, 상기 기판의 상부면으로부터 적어도 일부 상기 논리 디바이스 하의 상기 기판 내부로 제 1 거리만큼 제 2 농도로 도핑된 층을 포함하되, 상기 제 2 농도로 도핑된 층이 상기 기판의 상부면으로부터 적어도 일부 상기 감광성 디바이스 하의 상기 기판 내부로 상기 제 1 거리보다 더 긴 제 2 거리만큼 연장되는 능동 픽셀 센서 셀에 관한 것으로, 본 기술 분야의 당업자라면 본 발명의 능동 픽셀 센서 셀로부터 전술한 본 발명의 목적 및 장점들과 그 외 다른 목적 및 장점들을 명확히 이해할 수 있을 것이다.
본 발명은 또한 p- 층이 가변 두께를 갖는 능동 픽셀 센서 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다. 논리 영역에서 p- 층은 제 1 두께를 가지며, 인접한 픽셀 영역에서의 p- 층은 논리 영역에서의 p- 층의 두께보다 더 두꺼운 제 2 두께를 갖는다.
능동 픽셀 센서 디바이스를 제조하는 방법은
(a) p+ 영역과 p- epi 영역을 갖는 p 타입 웨이퍼 기판을 마련하는 단계―상기 p+ 영역 및 p- 영역의 일부분은 논리 영역을 규정하고 상기 영역의 다른 부분은 픽셀 영역을 규정함―와,
(b) 상기 논리 영역에 위치한 p- 에피택시 영역에 p+ 영역을 주입하는 단계와,
(c) 상기 논리 영역 및 픽셀 영역 위의 기판 상에 p- 에피택셜층을 생성시키는 단계를 포함한다.
다른 측면에서의 본 발명의 방법은
(a) p+ 웨이퍼 기판을 마련하는 단계―상기 p+ 영역의 일부분은 논리 영역을 규정하고 p+ 영역의 다른 부분은 픽셀 영역을 규정함―와,
(b) 상기 픽셀 영역을 에칭하고 상기 픽셀 영역에 p- 실리콘을 성장시키는 단계와,
(c) 상기 논리 영역 및 픽셀 영역 위의 기판 상에 p- 에피택셜층을 생성시키는 단계를 포함한다.
도 1a는 기존의 능동 픽셀 센서 셀의 단면도.
도 1b는 도 1a의 능동 픽셀 센서 셀의 개략도.
도 2a는 본 발명의 능동 픽셀 센서 셀의 단면도.
도 2b는 도 2a의 능동 픽셀 센서 셀의 개략도.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 이중 epi 능동 픽셀 센서 셀을 제조하기 위한 마스크 주입 및 에피택시 공정을 도시한 도면.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 이중 epi 능동 픽셀 센서 셀을 제조하기 위한 트렌치 에칭 및 에피택시 공정을 도시한 도면.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 이중 epi 능동 픽셀 센서 셀을 제조하기 위한 깊은 주입 공정(deep implant steps)을 도시한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10; 능동 픽셀 센서 디바이스 12; 소스 팔로워 트랜지스터
14; 비트 스위치 20'; 픽셀 영역
20"; 논리 영역 24; 기판
26; p+ 층 28; p- 에피택셜층
30; 제 2 에피택셜층
본 발명의 신규하고 특징적인 구성요소는 첨부되는 특허청구범위에 기재된다. 도면들은 예시용으로만 사용되며, 실척으로 도시되지는 않는다. 그러나 본 발명의 구성과 동작 방법은 첨부되는 도면을 참조하여 후술되는 상세한 설명으로부터 명확히 이해될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예는 본 발명의 특징과 동일한 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 병기한 도 1 내지 도 5를 참조하여 기술된다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예(20)의 단면도를 도시하고 있다. 다이오드 영역에서는 대략 5 미크론 혹은 그 이상의 두꺼운 p- epi 영역(34)이 사용되며,논리 영역에서는 대략 2 미크론의 얇은 p- 영역(36)이 사용된다. 상기 두꺼운 p- epi 영역은 5 내지 10 미크론의 흡수 길이를 갖는 적색광의 흡수력을 향상시킬 수 있다. 두꺼운 영역(34)은 픽셀 영역(20')내에 존재하고, 얇은 영역(36)은 논리 영역(20")내에 존재한다. 논리 영역(20")과 픽셀 영역(20')은 동일 웨이퍼 상에 제공되어야 하지만, 그 영역들 간의 거리는 중요하지 않다. 또한, 논리 영역은 디코더들, 내장형 마이크로프로세서들, 신호처리 소자들을 비롯한 논리 디바이스들을 몇 개라도 포함할 수 있지만, 여기에 국한되는 것은 아니다.
본 발명의 능동 픽셀 센서 셀 디바이스(20)는 이온 주입법 및 에피택시 기법을 비롯하여 CMOS 제조시에 이용되는 기법들을 조합함으로써 제조될 수 있다. 전술한 기법들은 픽셀 영역(20')에서 적색광의 흡수력을 향상시키기 위한 두꺼운 p- 영역과, 논리 영역(20")에서 래치업을 향상시키고 노이즈를 감소시키기 위한 얇은 p- 영역을 갖는 픽셀 영역(20')을 구비한 능동 픽셀 센서 셀 디바이스를 생성시킬 수 있다.
도 3a 내지 도 3c에 도시된 한 방법은 p+ 층(26)과 p- 에피택셜층(28)으로 이루어지는 기판(24) 내로 붕소 혹은 p 타입의 이온을 주입하는 이온 주입법이다. 이온 주입 후, 도 3b에 도시한 바와 같이 기판(24) 상에 제 2 에피택셜층(30)이 성장된다. 도 3c에 도시한 최종의 기판(32)은 얇은 p- 영역(34), 두꺼운 p- 영역(36), p+ 영역(42)을 포함한다.
도 4a 내지 도 4d에 도시한 다른 방법은 p+ 기판(26)으로부터 개시된다. 픽셀 영역에서 실리콘 에칭이 수행되며, 에칭된 영역은 도 4b에 도시한 바와 같이 p-실리콘층(38)으로 채워진다. 잘 알려진 방법으로 처리 조건을 조절함으로써 논리 영역 내에 남겨진 산화물 위에 실리콘이 형성되는 것을 차단한다. 기판은 연마되어 평탄화되며, 이 기판상에 p- epi 층(28)이 성장된다. 도 4d에 도시한 최종의 기판(32)은 얇은 p- 영역(34), 두꺼운 p- 영역(36), p+ 영역(42)을 포함한다.
도 3a 내지 도 3d에 도시한 방법과 유사한 또 다른 방법이 도 5a 내지 도 5d에 도시된다. 이 방법은 p+ 층(26)과 p- 에피택셜층(28)으로 이루어지는 기판(24)으로부터 개시된다. p- 타입 이온을 주입하는 깊은 이온 주입(deep ion implantation)이 도 5b 내지 도 5c에 도시한 바와 같이 수행된다. 도 5d에 도시한 최종의 기판(32)은 얇은 p- 영역(34), 두꺼운 p- 영역(36), p+ 영역(42)으로 이루어진다.
적색 주파수 응답을 위해 약하게 도핑된 두꺼운 영역이 요구된다. 논리용으로는 약하게 도핑된 얇은 영역이 요구된다. 또한, 각각의 방법에 있어서, p- 타입의 기판이 보다 바람직하지만, 본 기술 분야의 당업자라면 능동 디바이스가 적절히 변형될 수 있는 한 n- 타입 기판이 대용으로 사용될 수 있음을 알 수 있을 것이다.
본 발명의 능동 픽셀 센서 셀 디바이스에 따르면, 적색광 응답과 래치업을 동시에 최적할 수 있으며, 또한 기존의 내장형 마이크로프로세서, 및 제조품이 요구하는 높은 수준의 집적도에 필요한 아날로그 설계품과의 통합을 용이하게 할 수있다.
본 발명을 특정의 바람직한 실시예를 참조하여 기술하였지만 본 기술 분야의 당업자라면 이 실시예에 비추어 다양한 대체, 변형, 변경을 가할 수 있을 것이므로, 첨부되는 특허청구범위는 본 발명의 사상과 범위 내에서의 다양한 대체, 변형, 변경을 포함할 수 있을 것이라는 것을 예상할 수 있다.
Claims (7)
- 능동 픽셀 센서 셀에 있어서,① 제 1 농도로 도핑되며 상부면을 갖는 기판과,② 다수의 감광성 디바이스 및 논리 디바이스와,③ 상기 상부면으로부터 적어도 일부 상기 논리 디바이스 하의 상기 기판 내부로 제 1 거리만큼 제 2 농도로 도핑된 층을 포함하며,상기 제 2 농도로 도핑된 층은 상기 상부면으로부터 적어도 일부 상기 감광성 디바이스 하의 상기 기판 내부로 상기 제 1 거리보다 더 긴 제 2 거리만큼 연장되는능동 픽셀 센서 셀.
- 능동 픽셀 센서 셀 디바이스에 있어서,① 가변 두께의 p- 층과,② 상기 p- 층이 제 1 두께를 갖는 논리 영역과,③ 상기 논리 영역에 인접하는 픽셀 영역―상기 p- 층이 상기 제 1 두께보다더 두꺼운 제 2 두께를 가짐―을 포함하는능동 픽셀 센서 셀 디바이스.
- 제 2 항에 있어서,상기 픽셀 영역은 적어도 하나의 감광성 디바이스를 포함하는 능동 픽셀 센서 셀 디바이스.
- 제 3 항에 있어서,상기 논리 영역은상기 감광성 디바이스와 직렬로 연결되어 상기 감광성 디바이스로부터 전자들을 전송하기 위한 적어도 하나의 전송 디바이스와,상기 전송 디바이스를 통해 흐르는 전자들을 축적하기 위한 적어도 하나의 프리챠지 디바이스와,상기 프리챠지 디바이스에 의해 축적된 전자들을 증폭하기 위한 적어도 하나의 소스 팔로워 디바이스와,출력 신호를 제어하기 위한 적어도 하나의 비트 스위치 디바이스를 포함하는 능동 픽셀 센서 셀 디바이스.
- 제 3 항에 있어서,상기 논리 영역은 디코더, 내장형 마이크로프로세서, 신호 처리 소자, 또는유사한 회로로 구성되는 그룹으로부터 적어도 하나의 논리 디바이스를 포함하는 능동 픽셀 센서 셀 디바이스.
- 능동 픽셀 센서 디바이스 제조 방법에 있어서,(a) p+ 영역과 p- 에피택시 영역을 갖는 p 타입 웨이퍼 기판을 마련하는 단계―상기 p+ 영역 및 p- 영역의 일부분은 논리 영역을 규정하고 상기 영역의 다른 부분은 픽셀 영역을 규정함―와,(b) 상기 논리 영역에 위치한 p- 에피택시 영역에 p+ 영역을 주입하는 단계와,(c) 상기 논리 영역 및 픽셀 영역 위의 기판 상에 p- 에피택셜층을 생성시키는 단계를 포함하는능동 픽셀 센서 디바이스 제조 방법.
- 능동 픽셀 센서 디바이스 제조 방법에 있어서,(a) p+ 웨이퍼 기판을 마련하는 단계―상기 p+ 영역의 일부분은 논리 영역을 규정하고 p+ 영역의 다른 부분은 픽셀 영역을 규정함―와,(b) 상기 픽셀 영역을 에칭하고 상기 픽셀 영역에 p- 실리콘을 성장시키는 단계와,(c) 상기 논리 영역 및 픽셀 영역 위의 기판 상에 p- 에피택셜층을 생성시키는 단계를 포함하는능동 픽셀 센서 디바이스 제조 방법.
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| US6127697A (en) * | 1997-11-14 | 2000-10-03 | Eastman Kodak Company | CMOS image sensor |
| JP3874135B2 (ja) * | 1997-12-05 | 2007-01-31 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
| US6340826B1 (en) * | 1998-03-30 | 2002-01-22 | Agisilaos Iliadis | Infra-red light emitting Si-MOSFET |
| JP3554483B2 (ja) | 1998-04-22 | 2004-08-18 | シャープ株式会社 | Ｃｍｏｓ型固体撮像装置 |
| US6259145B1 (en) * | 1998-06-17 | 2001-07-10 | Intel Corporation | Reduced leakage trench isolation |
| US6215165B1 (en) * | 1998-06-17 | 2001-04-10 | Intel Corporation | Reduced leakage trench isolation |
| JP2000049237A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6825878B1 (en) * | 1998-12-08 | 2004-11-30 | Micron Technology, Inc. | Twin P-well CMOS imager |
| US6590242B1 (en) * | 1999-02-25 | 2003-07-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving element and photoelectric conversion device |
| KR100384836B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2003-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
| US6853044B1 (en) * | 1999-06-29 | 2005-02-08 | Hynix Semiconductor Inc. | Image sensor with improved dynamic range by applying negative voltage to unit pixel |
| DE19933162B4 (de) * | 1999-07-20 | 2004-11-11 | Institut für Mikroelektronik Stuttgart Stiftung des öffentlichen Rechts | Bildzelle, Bildsensor und Herstellungsverfahren hierfür |
| US6593607B1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-07-15 | Pictos Technologies, Inc. | Image sensor with enhanced blue response and signal cross-talk suppression |
| EP1109229A3 (en) * | 1999-12-14 | 2008-03-26 | Fillfactory N.V. | Buried, fully depletable, high fill factor photodiodes |
| JP2002043557A (ja) | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子を有する半導体装置およびその製造方法 |
| US6512280B2 (en) * | 2001-05-16 | 2003-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Integrated CMOS structure for gate-controlled buried photodiode |
| US6545303B1 (en) * | 2001-11-06 | 2003-04-08 | Fillfactory | Method to increase conversion gain of an active pixel, and corresponding active pixel |
| EP1355360B1 (en) * | 2002-04-18 | 2006-11-15 | STMicroelectronics Limited | Semiconductor structure |
| US7102184B2 (en) * | 2003-06-16 | 2006-09-05 | Micron Technology, Inc. | Image device and photodiode structure |
| US20050045927A1 (en) * | 2003-09-03 | 2005-03-03 | Jin Li | Microlenses for imaging devices |
| WO2005036646A1 (de) * | 2003-10-07 | 2005-04-21 | Institut Für Mikroelektronik Stuttgart | Halbleiterschaltungsanordnung mit einer photodiode |
| US20050145915A1 (en) * | 2004-01-06 | 2005-07-07 | Badredin Fatemizadeh | Selective epi-region method for integration of vertical power MOSFET and lateral driver devices |
| US7205627B2 (en) * | 2005-02-23 | 2007-04-17 | International Business Machines Corporation | Image sensor cells |
| TWI302754B (en) * | 2005-02-28 | 2008-11-01 | Magnachip Semiconductor Ltd | Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and method for fabricating the same |
| US7750958B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-07-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Pixel structure |
| US7808022B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-10-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Cross talk reduction |
| US7115924B1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-10-03 | Avago Technologies Sensor Ip Pte. Ltd. | Pixel with asymmetric transfer gate channel doping |
| KR100746222B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2007-08-03 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 제조방법들 |
| JP2007036034A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子 |
| US20070069260A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-03-29 | Eastman Kodak Company | Photodetector structure for improved collection efficiency |
| US7875916B2 (en) * | 2005-09-28 | 2011-01-25 | Eastman Kodak Company | Photodetector and n-layer structure for improved collection efficiency |
| US7728277B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-06-01 | Eastman Kodak Company | PMOS pixel structure with low cross talk for active pixel image sensors |
| KR101534544B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2015-07-08 | 삼성전자주식회사 | 에피 층을 갖는 픽셀 셀을 구비한 이미지 센서, 이를 포함하는 시스템, 및 픽셀 셀 형성 방법 |
| US8476567B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-07-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | Active pixel with precharging circuit |
| DE102013018789A1 (de) | 2012-11-29 | 2014-06-05 | Infineon Technologies Ag | Steuern lichterzeugter Ladungsträger |
| US10225498B2 (en) * | 2017-05-16 | 2019-03-05 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | pMOS/nMOS pixel design for night vision imaging sensor |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4613895A (en) * | 1977-03-24 | 1986-09-23 | Eastman Kodak Company | Color responsive imaging device employing wavelength dependent semiconductor optical absorption |
| JPS61234070A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Fuji Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
| FR2623664B1 (fr) * | 1987-11-20 | 1990-03-09 | Labo Electronique Physique | Procede de realisation d'un photodetecteur infrarouge integre |
| US4847210A (en) * | 1988-08-05 | 1989-07-11 | Motorola Inc. | Integrated pin photo-detector method |
| US5239193A (en) * | 1990-04-02 | 1993-08-24 | At&T Bell Laboratories | Silicon photodiode for monolithic integrated circuits |
| JPH07115184A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-05-02 | Canon Inc | 積層型固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH07142761A (ja) * | 1993-11-18 | 1995-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 受光素子ならびに受光素子アレイおよび画像検出装置ならびに画像検出方法 |
| US5631704A (en) * | 1994-10-14 | 1997-05-20 | Lucent Technologies, Inc. | Active pixel sensor and imaging system having differential mode |
| US5567971A (en) * | 1995-06-07 | 1996-10-22 | Xerox Corporation | Variable size light sensor element |
| US5854656A (en) * | 1995-11-15 | 1998-12-29 | Logitech, Inc. | Non-uniform clocking system for area imaging device |
| US5739592A (en) * | 1996-01-31 | 1998-04-14 | Grote Industries, Inc. | Power and communications link between a tractor and trailer |
| US5837995A (en) * | 1996-11-25 | 1998-11-17 | Alan Y. Chow | Wavelength-controllable voltage-phase photodiode optoelectronic switch ("opsistor") |
-
1997
- 1997-10-10 US US08/948,739 patent/US5898196A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-09-22 TW TW087115767A patent/TW424337B/zh not_active IP Right Cessation
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-
1999
- 1999-01-21 US US09/234,809 patent/US6333204B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR19990036736A (ko) | 1999-05-25 |
| US6333204B1 (en) | 2001-12-25 |
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