KR20040058756A - 시모스 이미지센서의 단위화소 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 시모스 이미지센서의 단위화소에 관한 것으로 특히, 저농도의 에피층에 형성되는 플로팅확산영역의 하부에 에피층 보다는 고농도인 이온주입영역을 형성하여 누설전류 특성을 개선한 시모스 이미지센서의 단위화소 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명에 따른 시모스 이미지센서의 단위화소는 포토다이오드용 도핑영역과 트랜스퍼 트랜지스터를 구비하는 시모스 이미지센서의 단위화소에 있어서, 상대적으로 고농도인 제 1 도전형의 기판과 상기 기판 상에 형성된 저농도인제 1 도전형의 에피층; 상기 에피층 상에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터; 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 일측에 형성된 포토다이오드용 도핑영역; 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 타측에 형성된 플로팅확산영역; 및 상기 플로팅확산영역 하부의 에피층에 형성되되 상기 에피층보다 고농도인 제 1 도전형의 제 1 이온주입영역을 포함하여 이루어진다.
Description
본 발명은 시모스 이미지센서에 관한 것으로 특히, 플로팅확산영역의 하부에 에피층보다는 고농도인 이온주입영역을 형성하여 누설전류 특성을 개선한 시모스 이미지센서의 단위화소 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 이중에서 전하결합소자(CCD : charge coupled device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스(Complementary MOS) 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수 만큼의 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
CCD(charge coupled device)는 구동 방식이 복잡하고 전력소모가 많으며, 마스크 공정 스텝 수가 많아서 공정이 복잡하고 시그날 프로세싱 회로를 CCD 칩내에 구현 할 수 없어 원칩(One Chip)화가 곤란하다는 등의 여러 단점이 있는 바, 최근에 그러한 단점을 극복하기 위하여 서브-마이크론(sub-micron) CMOS 제조기술을 이용한 CMOS 이미지센서의 개발이 많이 연구되고 있다. CMOS 이미지센서는 단위 화소(Pixel) 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 차례로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현하게 되는데, CMOS 제조기술을 이용하므로 전력 소모도 적고 마스크 수도 20개 정도로 30∼40개의 마스크가 필요한 CCD 공정에 비해 공정이 매우 단순하며 여러 신호 처리 회로와 원칩화가 가능하여 차세대 이미지센서로 각광을 받고 있다.
도1a는 통상의 CMOS 이미지센서에서 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 MOS 트랜지스터로 구성된 단위화소(Unit Pixel)를 도시한 회로도로서, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(100)와, 포토다이오드(100)에서 모아진 광전하를 플로팅확산영역(102)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(101)와, 원하는 값으로 플로팅확산영역의 전위를 세팅하고 전하를 배출하여 플로팅확산영역(102)를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터 (103)와, 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(104), 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(105)로 구성된다. 단위 화소 밖에는 출력신호(Output Signal)를 읽을 수 있도록 로드(load) 트랜지스터(106)가 형성되어 있다.
여기서, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와 리셋 트랜지스터(Rx)는 공핍형(depletion mode) 트랜지스터로 이루어지며, 드라이브 트랜지스터(Dx)와 셀렉트 트랜지스터(Sx)는 일반형(normal mode) 트랜지스터로 이루어진다. 이와같이 특성이 다른 두 종류의 트랜지스터를 동일한 에피층 상에 형성하기 위해서 웰 공정을 이용한다. 즉, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와 리셋 트랜지스터(Rx)는 에피층 상에 바로 형성하고, 드라이브 트랜지스터(Dx)와 셀렉트 트랜지스터(Sx)는 에피층 내에 형성된 p형 웰 내부에 형성된다.
도1b는 도1a에 도시된 이미지센서의 단위화소에서 포토다이오드와 트랜스퍼 트랜지스터(101)를 중심으로 그 단면구조를 도시한 도면으로, 단위화소를 구성하는 4개의 트랜지스터 중에서 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(13)만 도시하였으며 나머지 트랜지스터들은 도시하지 않았다.
이러한 점을 참조하면 설명하면 먼저, 상대적으로 고농도인 p형 반도체 기판(10) 상에 에피택셜 성장된 저농도의 p형 에피층(11)이 도시되어 있으며, p형 에피층(11)의 내부에는 활성영역과 필드영역을 정의하는 필드산화막(12)이 트렌치 구조를 이용하여 형성되어 있다. 그리고 p형 에피층 상에는 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(13)이 형성되어 있으며, 게이트 전극(13)의 양 측벽에는 스페이서(15)가 형성되어 있다.
p/n/p형 포토다이오드를 구성하는 p형 이온주입영역(16)은 일측은 스페이서(15)에 정렬되고 타측은 소자분리막(12)에 정렬되어 p형 에피층(11)의 표면으로부터 일정깊이에 형성되어 있으며, p형 이온주입영역(16)의 하부에는 n형 이온주입영역(14)이 깊숙히 형성되어 있는데, n형 이온주입영역(14)의 일측은 게이트전극(13)에 정렬되어 있으며 타측은 소자분리막(12)에 정렬되어 있다. 이와 같이, 반도체 기판 표면근처에 형성된 p형 이온주입영역(16)과 그 하부에 위치한 n형 이온주입영역(14) 그리고 p형 에피층(11)이 pn 접합을 이루면서 p/n/p포토다이오드 역할을 하게 된다.
그리고 트랜스퍼 트랜지스터의 타측의 에피층에는 n형 이온주입영역으로 구성된 플로팅확산영역(17)이 형성되어 있는데, 플로팅확산영역은 트랜스터 트랜지스터를 통해 포토다이오드로부터 이송된 전하가 이동하는 연결통로 역할을 하며, 전기적으로 드라이브 트랜지스터(Dx)의 게이트에 연결되어, 드라이브 트랜지스터를 구동한다.
이와같은 구조를 갖는 종래의 시모스 이미지센서 단위화소에서 플로팅확산영역(17)은 에피층(11)에 바로 형성되는데, 전술한 바와같이 에피층(11)은 기판(10)보다 농도가 작기 때문에, 저농도의 p형 에피층(11)에 형성된 플로팅확산영역(17)에서는 누설전류가 증가하는 단점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 플로팅확산영역의 하부에 에피층과 같은 도전형을 갖으며 에피층보다는 고농도인 이온주입영역을 추가로 형성하여 누설전류 특성을 향상시킨 시모스 이미지센서의 단위화소 및 그 제조방법을 제공함을 목적으로 한다.
도1a은 도1a는 4개의 트랜지스터와 1개의 포토다이오드로 구성된 통상적인 시모스 이미지센서의 단위화소의 구성을 도시한 회로도,
도1b는 종래기술에 따른 시모스 이미지센서에서 트랜스퍼 트랜지스터를 중심으로 단위화소의 구성을 도시한 단면도,
도2는 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 시모스 이미지센서의 단위화소에서 트랜스퍼 트랜지스터를 중심으로 구성을 도시한 단면도,
도3a 내지 도3d는 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지센서의 단위화소를 형성하기 위한 공정단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
20 : 기판
21 : 에피층
22 : 소자분리막
23 : 트랜스퍼 트랜지스터
24 : n형 이온주입영역
25 : 스페이서
26 : 제 1 p형 이온주입영역
27 : 이온주입마스크
28 : 제 2 p형 이온주입영역
29 : 플로팅확산영역
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 포토다이오드용 도핑영역과 트랜스퍼 트랜지스터를 구비하는 시모스 이미지센서의 단위화소에 있어서, 상대적으로 고농도인 제 1 도전형의 기판과 상기 기판 상에 형성된 저농도인제 1 도전형의 에피층; 상기 에피층 상에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터; 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 일측에 형성된 포토다이오드용 도핑영역; 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 타측에 형성된 플로팅확산영역; 및 상기 플로팅확산영역 하부의 에피층에 형성되되 상기 에피층보다 고농도인 제 1 도전형의 제 1 이온주입영역을 포함하여 이루어진다.
또한 본 발명은, 포토다이오드용 도핑영역과 트랜스퍼 트랜지스터를 구비하는 시모스 이미지센서의 단위화소 제조방법에 있어서, 상대적으로 고농도인 제 1 도전형의 기판 상에 저농도인 제 1 도전형의 에피층을 형성하는 단계; 상기 에피층 내부에 제 1 도전형의 웰을 형성하는 단계; 상기 에피층 상에 트랜스퍼 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 일측에 포토다이오드용 도핑영역을 형성하는 단계; 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 타측의 상기 에피층 내부에 상기 에피층보다 고농도인 제 1 도전형의 제 1 이온주입영역을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 이온주입영역 상에 플로팅확산영역를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명은 시모스 이미지센서의 단위화소에서 에피층에 형성되는 플로팅확산영역의 하부에 에피층과 같은 도전형을 갖으며, 에피층보다는 고농도인 이온주입영역을 추가로 형성하여 누설전류를 감소시킨 발명이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도2는 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지센서의 단위화소를 트랜스퍼 트랜지스터를 중심으로 도시한 단면도이고, 도3a 내지 도3d는 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지센서의 단위화소를 제조하기 위한 공정을 도시한 공정단면도이다.
먼저 도2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지센서의 단위화소는, 고농도인 p형 반도체 기판(20)과, 기판(20) 상에 형성된 p형 에피층(21)과, 에피층의 일정영역에 형성되어 활성영역과 필드영역을 정의하는 소자분리막(22)과, 에피층 상에 형성된 트랜스터 트랜지스터의 게이트 전극(23)과, 게이트 전극(23)의 양 측벽에 형성된 스페이서(25)와, 일측은 소자분리막(22)에 정렬되고 타측은 스페이서(25)에 정렬되어 에피층의 표면으로부터 에피층 내부로 일정거리 확장되어 형성된 제 1 p형 이온주입영역(26)과, 제 1 p형 이온주입영역(26) 하부에 형성되되 일측은 게이트 전극(23)에 정렬되며 타측은 소자분리막(22)에 정렬된 n형 이온주입영역(24)과, 트랜스퍼 트랜지스터의 타측에 형성된 플로팅확산영역(29)과, 플로팅확산영역(29)의 하부에 형성되며 에피층보다는 고농도를 갖는 제 2 p형 이온주입영역(28)을 포함하여 이루어진다.
제 2 p형 이온주입영역(28)은 에피층(21)보다는 고농도를 갖게 형성되어 플로팅확산영역의 누설전류를 방지해 주는 역할을 하며 또한, 바람직하게는 p형 웰(미도시)보다는 낮은 농도를 갖게 형성된다. 여기서 p형 웰(well)은 일반형 트랜지스터를 형성하기 위한 p형 웰을 가리킨다.
즉, 시모스 이미지센서의 단위화소를 구성하는 4개의 트랜지스터 중에서 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와 리셋 트랜지스터(Rx)는 공핍형 트랜지스터로 이루어지며, 드라이브 트랜지스터(Dx)와 셀렉트 트랜지스터(Sx)는 일반형 트랜지스터로 이루어지는데, 이와같이 특성이 다른 두 종류의 트랜지스터를 동일한 에피층 상에 형성하기 위해서 p형 웰 공정을 이용함은 전술한 바와 같다.
만일, 제 2 p형 이온주입영역의 농도가 p형 웰의 농도보다 높게 형성되면, p형 웰에 형성되는 일반형 트랜지스터들의 특성을 변화시킬 수도 있기 때문에 제 2 p형 이온주입영역의 농도는 p형 웰 보다는 낮은 농도를 갖게 한다.
다음으로 도3a 내지 도3d를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지센서의 단위화소 제조공정을 설명한다. 먼저, 도3a에 도시된 바와같이 상대적으로 고농도인 p형 기판(20) 상에 p형 에피층(21)을 형성한다. 이후에 도3a에는 도시되어 있지 않지만, 일반형 트랜지스터가 형성될 p형 웰을 에피층에 형성한다.
다음으로, 활성영역과 필드영역을 정의하는 트렌치 소자분리막(22)을 에피층의 일정영역에 형성한다. 여기서 트렌치 구조의 소자분리막 대신에 국부실리콘산화막(Local Oxidation of Silicon : LOCOS) 구조를 이용한 소자분리막을 사용할 수도 있다.
다음으로 에피층 상에 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(23)을 형성하고 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24)을 게이트전극과 소자분리막(22) 사이에 형성한다.
이어서 도3b에 도시된 바와같이 게이트전극(23)의 양 측벽에 스페이서(25)를 형성한 뒤, 포토다이오드용 제 1 p형 이온주입영역(26)을 에피층(21)의 표면과 n형 이온주입영역(24) 사이에 형성하는데, 제 1 p형 이온주입영역(26)의 일측은 스페이서(25) 정렬되고 타측은 소자분리막(22)에 정렬되어 형성된다. 이와같이 형성된 제 1 p형 이온주입영역(26), n형 이온주입영역(24), p형 에피층(21)이 pn 접합되어 p/n/p 포토다이오드를 구성한다.
다음으로 도3c에 도시된 바와같이, 제 2 p형 이온주입영역(28)을 형성하기 위한 이온주입마스크(27)를 형성하고 이를 패터닝한다. 이온주입마스크(27)는 게이트 전극(23)의 중앙과 소자분리막(22)에 정렬되어 플로팅확산영역이 형성될 영역을 오픈시키도록 패터닝된다. 이와같은 이온주입마스크를 사용하여 제 2 p형 이온주입영역(28)을 에피층 내부에 형성하는데, 제 2 p형 이온주입영역(28)은 에피층(21) 보다 고농도를 갖게 형성하며, 바람직하게는 일반형 트랜지스터가 형성되는 p형 웰(미도시) 보다는 저농도를 갖게 형성한다. p형 웰보다 저농도를 갖게 제 2 p형 이온주입영역을 형성하는 이유는 일반형 트랜지스터의 특성을 변화시키지 않기 위함임은 전술한 바와같다.
이어서 동일한 이온주입마스크를 이용하여 n형 이온주입공정을 수행하여 제 2 p형 이온주입영역(28) 상에 플로팅확산영역(29)을 형성한다. 이와같이 본 발명에서는 플로팅확산영역(29)의 하부에 에피층(21) 보다 고농도인 p형 이온주입영역(28)이 형성되어 있으므로, 누설전류가 종래에 비해 감소하는 장점이 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명이 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.
상기한 바와같은 본 발명에서는 플로팅확산영역의 하부에 에피층보다 고농도인 p형 이온주입영역이 형성되어 있으므로 누설전류가 감소시킬 수 있어, 경쟁력있는 저전력 시모스 이미지센서를 제조할 수 있는 장점이 있다.
Claims (4)
- 포토다이오드용 도핑영역과 트랜스퍼 트랜지스터를 구비하는 시모스 이미지센서의 단위화소에 있어서,상대적으로 고농도인 제 1 도전형의 기판과 상기 기판 상에 형성된 저농도인제 1 도전형의 에피층;상기 에피층 상에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터;상기 트랜스퍼 트랜지스터의 일측에 형성된 포토다이오드용 도핑영역;상기 트랜스퍼 트랜지스터의 타측에 형성된 플로팅확산영역; 및상기 플로팅확산영역 하부의 에피층에 형성되되 상기 에피층보다 고농도인 제 1 도전형의 제 1 이온주입영역을 포함하는 시모스 이미지센서의 단위화소.
- 제 1 항에 있어서,상기 시모스 이미지센서의 단위화소는 제 1 도전형의 웰을 더 포함하여 형성되며, 상기 제 1 이온주입영역은 상기 제 1 도전형의 웰보다 저농도를 갖는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 단위화소.
- 포토다이오드용 도핑영역과 트랜스퍼 트랜지스터를 구비하는 시모스 이미지센서의 단위화소 제조방법에 있어서,상대적으로 고농도인 제 1 도전형의 기판 상에 저농도인 제 1 도전형의 에피층을 형성하는 단계;상기 에피층 내부에 제 1 도전형의 웰을 형성하는 단계;상기 에피층 상에 트랜스퍼 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 트랜스퍼 트랜지스터의 일측에 포토다이오드용 도핑영역을 형성하는 단계;상기 트랜스퍼 트랜지스터의 타측의 상기 에피층 내부에 상기 에피층보다 고농도인 제 1 도전형의 제 1 이온주입영역을 형성하는 단계; 및상기 제 1 이온주입영역 상에 플로팅확산영역를 형성하는 단계를 포함하는 시모스 이미지센서의 단위화소 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 이온주입영역은 상기 제 1 도전형의 웰보다 저농도를 갖게 형성되는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 단위화소 제조방법.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100705214B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2007-04-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서의 핀드 포토다이오드 제조방법 |
| CN100463141C (zh) * | 2005-06-07 | 2009-02-18 | 东部电子有限公司 | 制造cmos图像传感器的方法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100463141C (zh) * | 2005-06-07 | 2009-02-18 | 东部电子有限公司 | 制造cmos图像传感器的方法 |
| KR100705214B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2007-04-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서의 핀드 포토다이오드 제조방법 |
| US7755154B2 (en) | 2006-08-01 | 2010-07-13 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Image sensor |
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