KR100749270B1 - 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents
시모스 이미지센서 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (10)
- 포토다이오드와 드라이버게이트를 구비한 시모스 이미지센서에 있어서,반도체 기판;상기 반도체 기판상에 형성된 게이트전극;상기 게이트전극의 양 측벽에 형성된 스페이서;상기 게이트전극의 양측에지에 정렬되어 상기 반도체 기판내부에 형성된 제2도전형의 제1 도핑영역;상기 스페이서에 정렬되어 상기 제1 도핑영역 상에 형성된 제2도전형의 제2 도핑영역; 및상기 스페이서 하부의 상기 제1 도핑영역과 상기 반도체 기판표면사이에 형성된 제1 도전형의 제3 도핑영역을 포함하는 시모스 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 제2 도핑영역의 농도는 상기 제1 도핑영역의 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 제1 도핑영역의 농도는 1E15 ∼ 1E17/cm3 인 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 제3 도핑영역의 농도는 1E15 ∼ 1E17/cm3 인 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 제1 도전형 내지 제2 도전형은 상보적인 n형 또는 p형인 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
- 포토다이오드와 드라이버게이트를 구비한 시모스 이미지센서의 제조방법에 있어서,반도체 기판상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극의 양측 엣지에 정렬된 제2 도전형의 제1 도핑영역을 상기 반도체 기판내부에 형성하는 단계;상기 제1 도핑영역과 상기 반도체 기판의 표면 사이에 제1 도전형의 제3 도핑영역을 형성하는 단계;상기 게이트전극의 양 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 및상기 게이트전극의 스페이서에 정렬된 제2 도전형 제2 도핑영역을 형성하는 단계를 포함하는 시모스 이미지센서의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1 도핑영역의 농도는 상기 제2 도핑영역의 농도보다 적은 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 제조방법.
- 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 제1 도핑영역과 상기 제3 도핑영역은 1E15 ∼ 1E17/cm3의 농도로 형성하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1 도전형 내지 제2 도전형은 상보적인 n형 또는 p형인 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 제조방법.
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