KR100294741B1 - 다수의초소형구조층들로제조된기계구조및이의제조방법 - Google Patents

Abstract

함께 적층(laminated)된 다수의 초소형 기계 슬라이스들의 스택으로 각각 이루어진 기계 구조물이 이의 제조 방법과 함께 제시되어 있다. 각 기계 구조물은 스택으로 이루어진 다수의 초소형 기계 슬라이스들 중 적어도 하나의 슬라이스의 초소형 구조물로 정의되는 가동형 부재(들)을 포함한다. 제조되는 중에, 초소형 기계 슬라이스들은 VLSI 기술을 이용하여 따로 따로 형성된 다음, 결과적으로 선택된 배치 형태로 스택 내에 함께 적층되어 기계 구조물을 정의한다.

Description

다수의 초소형 구조 층들로 제조된 기계 구조 및 이의 제조 방법

본 발명은 일반적으로 기계 구조(machine structures)를 제조하는 것에 관한 것으로, 특히 기계를 형성하기 위해서, 따로 따로 형성되고 이어서 선택된 스택 배치(stack arrangement)로 함께 적층된 (laminated together) 다수의 초소형 구조층(layer) 또는 슬라이스(slice)들로 이루어진 기계를 제조하는 것에 관한 것이다.

초소형 기계 기술이 계속적으로 급속히 발전하더라도, 전형적으로 그러한 기계들은 실제적으로 초소형 센서로서만 사용된다. 예를 들면, 가속도(acceleration)을 측정하기 위해서 기계적 진동을 감지하는 실리콘 초소형 센서 칩이 있고, 압력을 측정하는 실리콘 다이어프램(diaphragm) 압력 센서로서 알려진 다른 초소형 센서가 있다. 화학적 센서는 또한, 실리콘 기판 상에 제조되어, 이온농도, 물질의 유전체 성질, 유기적 증기 농도(organic vapor concentrations) 및 가스 농도 등을 감지한다.

다이어프램 및 초소형 브리지와 같은 대부분의 초소형 구조물은 상대적으로 부동성 소자(immovable elements)들 또는 부재들로 구성된다. 그러나, 최근에는 예를 들어, “Electrostatic Micromotor”라는 제하의 참고 문헌 미합중국 특허 제4,943,750호 및 제4,997,521호에 기재된 바와 같이, 초소형 기계 기술은 이동성 부재(moving members)를 갖는 초소형 작동기(microactuators)를 제조할 정도로 발전하였다.

기본적인 실리콘 기술을 사용하면, 기계와 같은 형태의 많은 가동형 초소형-오브젝트(movable micro-objects)들이 실리콘 기판 상에 제조될 수 있다. 이들 초소형 기계들은 종래의 대규모 집적(LSI) 또는 초대규로 집적(VLSI) 프로세싱을 이용하여 단일 기판 상에 한정된 초소형 구조로 구성된다. 유감스럽게도, 현존하는 초소형 기계의 큰 단점은 디바이스가 매우 작고, 실제 사용도 드물다는 것이다. 예를 들어, 1 ㎛ × 0.1 ㎛의 정전 모터(electrostatic motor)는 아마도 다른 초소형 기계 기어(micromachine gears)외에는 아무 것도 구동시킬 수 없을 것이다.

따라서, 본 명세서에서 제시된 것은 그러한 기술을 실제적 구현하는 것으로서 현존하는 초소형 기계 기술을 새롭게 확장시키는 것이다.

본 발명의 목적은 유용한 일을 할 수 있으며, 초소형 기계 기술로 제조되었고, 이러한 기술에서 실제로 사용되는 것보다 더 큰 기계를 제공하는 것이다.

본 발명을 특징적으로 간단하게 요약하자면, 본 발명은 함께 적층된 다수의 층 또는 슬라이스들로 형성된 스택 구조 또는 스택 구조물로 이루어진 기계에 대하여 설명하고 있다. 상기 스택 구조는 스택내의 다수의 층을 구성하는 층 중에서 적어도 하나의 층의 초소형 구조로부터 정의되는 가동형 부재를 포함한다. 즉, 가동형 부재의 형태는 초소형 구조물에 의하여 결정된다. 정한 예를 들자면, 기계는 정전기 모터를 포함할 수 있는데, 여기서 스택은 스테이터 구조 또는 스테이터 구조물(stator structure) 및 이 스테이터 구조에 대해 서로 접촉하지 않고 이동할 수 있도록 위치한 로터 구조(rotor Structure)를 포함한다. 로터 구조는 스택을 이루는 다수의 층들 내에서 최소한 하나의 초소형 기계 층의 초소형 구조에 의하여 정의된다.

또 다른 측면으로서, 본 발명은 기계 제조 방법을 포함하는데, 이 기계 제조방법은 다수의 기판들을 제공하는 단계, 최소한 하나의 오프닝을 최소한 하나의 기판 내에 형성하고 그 오프닝은 상기 최소한 하나의 기판 내의 구조를 정의하는 단계, 최소한 하나의 오프닝에 의해 분리된 선택된 구조를 함께 일시적으로 고정하기 위해 희생 물질(sacrificial materials)로 최소한 하나의 오프닝의 최소한 일부를 채우는 단계, 스택 구조를 형성하기 위해 다수의 기판들을 선택된 배치 형태로 함께 적층하는 단계, 및 상기 최소한 하나의 오프닝에 의해 기판 내에 정의된 구조가 상기 스택 구조 내에 가동형 부재를 포함하도록 상기 최소한 하나의 오프닝으로부터 희생 물질을 제거함으로써 기계를 형성하는 단계를 포함한다.

또 다른 측면으로서, 본 발명의 기계 제조 방법은 최소한 하나의 오프닝을 최소한 2개의 기판들 각각 내에 형성하고, 그 오프닝은 선택된 배치 형태로 기판이 적층될 때 기계를 생성하는 기판 내에 초소형 구조를 한정하는 단계, 오프닝에 의해 분리된 선택된 초소형 구조를 함께 일시적으로 고정하기 위해 희생 물질로 기판내의 오프닝의 최소한 일부를 채우는 단계, 선택된 배치 형태로 기판들을 함께 적층하여, 스택을 형성하는 단계, 및 스택을 형성하는 최소한 2개의 기판의 적층된 초소형 구조에 의해 스택 내에 가동형 부재가 한정되도록, 기판 내의 오프닝으로부터 희생 물질을 제거함으로써 기계를 형성하는 단계를 포함한다.

본 명세서에서는 정전기 기계, 특히 정전기 모터에 대해서 참고로 기술하였지만, 본 분야에 숙련된 자들은 제시된 개념들이 하나 또는 그 이상의 부재들을 갖는 다양한 기계들을 제조하는데 똑같이 적용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 개념적으로, 본 발명에서는 기계를 구성하는 스택을 형성하기 위해 선택된 배치 형태로 나중에 조립되는 기판 또는 웨이퍼 상에 층 또는 슬라이스(slice)를 정의하기 위하여 일련의 마스크들을 사용한다. 희생 층들은 적층이 달성될 때까지 층 내에 가동형 부재(들)을 일시적으로 지탱한다. 스택형태로 기계를 제조함으로써, 마이크로미터에서 밀리미터까지 그리고 센티미터까지의 크기를 갖는 기계를 구현할 수 있다. 근본적으로, 제시된 개념을 통하여 매크로(macro; 센티미터)와 마이크로 사이즈의 기계들 사이에 존재하는 갭을 채을 수 있는 정도의 사이즈로 기계를 제조하도록 한다.

다시 말하면, 다양한 기계들을 제시된 기술을 이용하여 구성할 수 있다. 예를 들면, 스택의 개별 층들 각각은 상이한 초소형 기계 구조를 포함할 수 있고, 동일한 구조를 포함하는 경우에는 이들 구조들은 서로 다른 사이즈를 갖거나 서로 다르게 성형될 수 있다. 예를 들면, 피어 형태(pear-shaped)의 로터는 제시된 층쌓기(layering) 방법을 이용하여 쉽게 계획되고 구성될 수 있다. 제시된 발명의 기본 개념을 채택하여 행해질 수 있는 것에는 몇가지 제약이 존재한다.

제1도는 본 발명에 따라 제조된 정전형(electrostatic) 초소형 기계 층의 평면도.

제2도는 선 A-A을 따라 제1도의 초소형 기계 층을 절취하여 도시한 단면도.

제3도는 정의된 오프닝 내로 희생 재료(sacrificial material)를 피착 및 평면화시킨 후의 제2도의 초소형 기계 층의 단면도.

제4도는 초소형 기계 층 내에 이미 형성된 오프닝과 정렬된 오프닝을 가지고 있는 패턴된 마스크를 배치하고 제3도의 초소형 기계 층을 뒤집어서 도시한 단면도.

제5도는 패턴된 표면 내에 오프닝을 형성하고, 이들 오프닝을 희생 재료로 채운 후의 제4도의 초소형 기계 층의 단면도.

제6도는 제5도의 구조로 각각 이루어진 다수의 초소형 기계 층들을 라미네이팅하여 형성된 스택의 부분 단면도.

제7도는 아직 존재하는 희생 재료와 함께 도시된, 제6도의 스택으로부터 본 발명에 따라 제조된 기계의 부분 단면도.

제8도는 다수의 초소형 기계 층들에 의해 정의된 가동형 부재를 기계가 포함하도록 희생 재료를 제거한 후의 제7도의 기계의 부분 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 초소형 기계 층 12 : 기판

14, 20 : 오프닝 16 : 스테이터 구조

18 : 로터 구조 22 : 허브

제1도 및 제2도는 기판(12) 내에 부분적으로 정의된 초소형 기계 층(10) 또는 슬라이스의 한 실시예를 도시한다 층(10)은 제1 마스크(13)(점선으로 표시됨)을 사용하여 패턴된, 기판(12) 내의 오프닝 또는 트렌치(14)에 의해 정의된다. 초소형 기계 층은 스테이터 구조(16) 및 로터 구조(18)을 포함한다. 이 실시예에서, 마스크(13)은 허브(hub;22)를 정의하는 제2 오프닝(20)을 기판 내에 역시 형성하고, 종래 공지된 방식으로 스테이터 구조(16)에 적절한 전위를 인가함에 따라 결국 허브(22) 주위를 로터 구조(18)가 회전한다. 따라서, 초소형 기계 층(10)은 정전기 초소형 모터를 포함하는데, 이를 초대규모 집적(VLSI) 기술을 이용하여 정의하는 것이 바람직하다. 오프닝(14 및 20)에 의해 정의되는 기판 구조(16, 18 및 22)를 여기서는 초소형 기계 층(10) 내의 “초소형 구조”라 부르겠다. 또한, 이 실시예에서 로터(18)만이 초소형 기계 내의 가동형 부재를 포함함을 주지해야 한다.

하나의 실시예로서, 기판(12)는 방향성 습식 에칭을 사용하여 오프닝을 형성하도록 결정 구조적으로 배향된(oriented crystolographically) 실리콘 기판 또는 실리콘 웨이퍼를 포함할 수 있다. 양호하게는, 오프닝(14 및 20)은 기판(12)를 뚫고 최소한 절반이 시간 에칭(time etched at least half way)된다. 따라서, 원하는 깊이를 달성하기 위해서 습식 에칭이 필요할 수 있다. 실리콘의 습식 에칭은 이 분야에 공지되어 있는데, 예를 들면 “Accelerated Etching of Silicon in Anisotropic Ethylene Diamine-Water-Pyrazine-Ppyrocathecol Bath”(Vol. 31, No. 7, 1988년 12월)라는 제하의 IBM Technical Disclosure Bulletin에서 그 변형을 참조할 수 있다.

본 발명에 의하면, 다음에는 희생 층(sacrificial layer, 24)(도 3)이 기판(12)의 상부면(15) 위에 등각적으로 피착되며(conformally deposited), 오프닝(14 및 20)은 상부면(15)를 가로지른다 오프닝을 채운 후, 희생 층(24)는 희생 재료가 오프닝(14 및 20) 내에만 남아 있도록 소정의 적절한 방식으로 다시 평면화된다. 적절한 희생 물질은 소정의 금속 및 다결정 물질(polycrystalline materials)뿐만 아니라, 폴리이미드(polyimide), 파라린(paralyene), 질화물 또는 산화물과 같은 재료를 포함한다. 재료의 조건은 선택된 희생 재료가 습식 전해조(wet bath) 내에서 깨끗이 벗겨지는 반면, 내부에 형성된 실리콘 기판 또는 초소형 구조(예를 들면, 스테이터, 로터 및 허브)를 에칭하지 못한다는 것이다. 제1도에 도시되지는 않았지만, 본 분야의 숙련자들은 각각의 스테이터 구조(16)에서 로터 (18)로부터 멀리 떨어진 3 측면들은 오프닝의 나머지 부분(balance)을 채우는 희생 재료와는 다른 재료를 포함하는 것이 분명한, 단단한 제거불능 절연층을 통해 기판(12)로부터 떨어져 있을 수 있음을 알 수 있다.

그 뒤에 기판(12)는 뒤집어져서(flipped), 그 하부면(17)이 최상부가 고, 제1도 내지 제3도의 프로세싱은 반복된다. 특히, 제2 마스크(26)은 기판(12)의 표면(17) 위에 형성되고 제1 오프닝(28) 및 제2 오프넝(30)으로 패턴된다. 이들 오프닝들은 기판(12) 내에 이미 형성된 상부면(15)를 가로지르는 오프닝 또는 트렌치와 정렬되도록 위치한다. 적외선 광을 기판(12) 내에 이미 형성되어 있는 것에 제2 마스크의 오프닝을 정렬하기 위해 사용할 수 있다. 표면(17)로부터 기판(12) 내에 까지 오프닝의 에칭은 시간 제한 없이 진행될 수 있는데, 그 이유는 내부의 층전된 오프닝이 이러한 제2 에칭 동작에 대해 에치 스톱(etch stops)으로서 기능하기 때문이다. 그 후, 표면(17)을 가로지르는 오프닝은 표면(15)을 가로지르는 오프닝을 채우는데 사용된 것과 같은 희생 재료로 채워진다. 그 결과, 기판 또는 웨이퍼의 주 평면(15 및 17)들 사이에서 연장되는 스루홀(throughholes) 또는 오프닝(14′ 및 20′)이 채워진다. 이들 오프닝 내에 배치된 희생 재료가 로터, 허브 및 스테이터 구조들을 고정된 관계로 유지한다는 것을 주지해야 한다. 이러한 물질이 이 시점에서 제거되면, 허브 및 로터는 기판으로부터 분리된다. 또한, 구성되는 기계에 적절하도록 오프닝(14′ 및 20′) 내에 제거되지 않는 절연성 재료를 선택적으로 채택할 수 있음을 주지해야 한다.

제6도를 참조하면, 동일한 초소형 기계 층(10′)이 제조된 다음, 선택된 배치 형태로 라미네이팅되어 스택 구조(40)을 형성한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, “스택”은 각각의 층의 최소한 하나의 주 평면이 인접 층의 주 평면에 라미네이팅되는 모놀리식 구조를 포함한다 이 실시예에서는, 스택 내의 각각의 초소형 기계 층을 통하여 오프닝(14′ 및 20′)들이 정렬되도록 배치된다. 기판 또는 칩들의 적층은 공지되어 있는데, 참고적으로 예를 들자면, 공동 양도된 미국 특허 5,202,754호; 5,270,261호 및 5,426,566호에 공지되어 있다.

스택을 형성하는 동안에, 다양한 방법들이 층(10′)들을 함께 라미네이팅하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 접착성 물질이 각각의 층의 주변에만 사용될 수 있다. 접착 프로세싱에서 초소형 구조들(예를 들면, 허브, 로터 및 스테이터 구조)의 접촉을 방지할 수 있는 정도의 두께가 생성된다면, 추가 마스크를 프로세싱 중에 사용하여 접착성 물질을 수용할 수 있을 정도로 충분한 양만큼 각각의 층의 주변을 리세스한다(recess). 그 대신, 내부에 오프닝을 형성하기 이전에 각각의 기판의 주 평면 상에 티타늄 또는 텅스텐과 같은 층을 형성시켜, 티타늄 또는 텅스텐 층이 일단 형성된 후에 오프닝에 자기-정렬되고(self-aligned), 나중에 초소형 기계 층들이 스택 구조 내에 정렬될 때 사용될 수 있도록 할 수도 있다. 스택 내에 티타늄 또는 텅스텐 층들이 배치되면, 스택 내의 여러 층들의 정렬된 초소형 구조들 사이에서의 전기적 및 기계적 본딩을 열처리를 통하여 향상시키게 된다.

제7도 및 제8도는 본 발명에 따라 완성된 기계(70)을 도시한다. 기계(70)은 제6도의 스택 구조(40)을 사용하며, 도시된 바와 같이, 기계의 단부층(end layer)으로서 엔드캡(endcap) 초소형 기계 층(50)을 사용한다. 스택의 각각의 단부에 배치될 엔드캡 층(50)은 기계 내의 가동형 부재를 제 위치에 유지시키도록 기능한다. 그러한 캡핑 구조가 없으면, 로터 및 허브 구조는 층(10′) 내의 오프닝으로부터 희생 재료를 제거함에 따라 스택의 나머지 부분으로부터 간단히 분리될 수 있다. 본 분야의 당업자들은 칩(50)이 초소형 기계 층(10′)과 관련하여 상술된 바와 동일한 또는 유사한 프로세스에 의해 생성될 수 있음을 주지해야 한다; 그러나, 사용되는 마스크는 분명히 다르다.

엔드캡 층(50)은 초소형 기계 층(10′)의 적층된 스테이터 초소형 구조에 전기적으로 접속된 구조(54)를 전기적으로 절연시키기 위해 질화물과 같은 단단한 절연체(56)을 포함한다. 로터의 영역 내에 있는 인접한 초소형 기계 층(10′)와 엔드캡 초소형 기계 층(50) 사이에 갭(60)이 제공되어, 로터가 엔드캡 층과 접촉되지 않고 자유롭게 회전하도록 한다. 이 실시예에서, 고정된 허브 구조(58)은 인접 초소형 기계 층(10′)의 허브 구조와 접촉하도록 배치된다. 그러나, 허브 구조는 초소형 기계 층 내의 로터 구조에 연결되거나 연결되지 않을 수 있다는 것을 주지해야 한다. 허브 구조가 로터에 연결된다면, 엔드캡 층(50)의 구성은 명백히 달라진다. 예를 들어, 허브가 기계 외부의 메카니즘을 구동할 필요가 있는 경우에는, 허브가 로터 구조에 부착되어야 하고, 엔드캡 층은 외부 샤프트를 구동하도록 지정될 것이다.

제8도는 여러 층들로부터 희생 재료를 제거하기 위해 에천트(etchant) 내에 딥펑(dipping)시킨 이후의 제7도의 구조를 포함한다. 희생 재료의 전달 및 이의 에칭은 엔드캡 층(50) 내의 액세스 모프닝(도시안됨)을 통해 달성될 것이다. 최종 패키징 이전에, 전기적 신호선이 로터 구조에 연결된다. 또한, 현재의 VLSI 기술이 여기서 제시된 기본적인 정전기 모터의 성능 개선(enhancement; 도시안됨)을 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 부싱(bushings), 베어링(bearings), 초소형-미끄럼-윤활제(micro-slippery-lubricants), 타이밍 디바이스(timing devices) 등이 추가될 수 있다.

여기서는 정전기 기계, 특히 정전기 모터를 참조하여 기술하였지만, 본 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 제시된 개념은 1개 이상의 가동형 부재를 갖는 다양한 기계의 제조에 똑같이 적용될 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 정전기 기계에서, 회전 부재를 포함하는 층들이 서로 연결되지 않고 서로 다른 두께로 가늘게 되어서 서로 다른 속도로 회전되도록 할 수도 있으며, 원하는 경우에는 서로 다른 방향으로 회전하도록 제어될 수도 있다. 라미네이팅된 스택의 각 단부에서 각각의 스테이터 구조가 개별적으로 연결되고 중앙 근처에서 분리된 경우에는, 2개의 로터 세그먼트로 이를 구현할 수 있다. 또한, 적어도 하나의 스테이터 구조가 속도 센서로서 사용되는 경우에는, 피드백을 사용하여 로터 구조의 속도를 제어할 수 있다. 예를 들어, 회전 속도는 로터 내의 에칭된 그루브(groove)에 관련될 수 있다.

개념적으로, 본 발명은 일련의 마스크를 사용하여 기판 또는 웨이퍼 상에 층 또는 슬라이스를 정의하고, 그 뒤에 결정된 배치 형태로 이들을 조립하여 스택을 형성하고 따라서 기계를 형성한다. 희생 층은 가동형 부재를 적층이 ′달성될 때까지 층 내에 일시적으로 유지한다. 기계를 스택으로서 제조함으로써, 마이크로미터에서 밀리미터까지 밀리미터에서 센티미터까지의 크기를 갖는 기계가 달성될 수 있다. 근본적으로, 제시된 개념은 매크로(센티미터)와 마이크로 사이즈의 기계들 사이에 이미 존재하는 갭을 채우는 사이즈의 기계를 제조하는 것을 가능하게 한다.

다시 말하면, 다양한 기계들이 본 명세서에서 제시된 기술을 이용하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 스택의 개별 층들은 각각 서로 다른 초소형 기계 구조들을 가질 수 있고, 또는 동일한 구조를 갖는 경우에 이들 구조들은 서로 다른 사이즈를 갖고/또는 다르게 성형될 수 있다. 예를 들면, 피어-형태의 로터는 본 명세서에서 제시된 층쌓기 방법을 이용하여 쉽게 계획될 수 있고 구성될 수 있다. 제시된 발명의 기본 개념을 사용하여 행해질 수 있는 것에는 거의 제약이 없다.

본 발명이 양호한 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 이에 제한되지 않고, 첨부된 특허청구 범위에 의해 본 발명의 범위 및 정신을 벗어나지 않는 한도에서 다양하게 변형될 수 있음을 본 분야의 숙련자들이라면 알 수 있을 것이다.

Claims (19)

1. 별도로 형성된 다수의 슬라이스(slices)를 함께 적층한(laminated together) 스택 구조물(stack structure)을 포함하는 기계장치(machine)에 있어서, 상기 스택 구조물은 가동형 부재(movable member) 및 이에 인접한 고정 부분을 포함하며, 상기 다수의 슬라이스 중 적어도 하나의 슬라이스로 구성된 초소형 구조물(microstructure)은 상기 가동형 부재 및 고정 부분을 정의하고(defined), 상기 다수의 슬라이스 중 적어도 일부의 슬라이스는 동일한 구조를 갖는 슬라이스(identically-structured slices)인 기계장치(machine).
2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 슬라이스는 상기 다수의 슬라이스 중에서 여러 개의 슬라이스(multiple slices)를 포함하며, 상기 여러 개의 슬라이스 각각은 초소형 기계 슬라이스를 이루며, 상기 초소형 기계 슬라이스 각각은 상기 스택 구조물 내에서 인접하여 배치되어 상기 가동형 부재를 정의하며, 상기 여러 개의 초소형 기계 슬라이스는 상기 가동형 부재를 정의하고 상기 동일한 구조를 갖는 슬라이스를 포함하는 기계.
3. 제1항에 있어서, 상기 동일하게 구성된 슬라이스를 포함하는 상기 적어도 일부의 슬라이스는 상기 스택 내에서 인접하게 배치되고 함께 적층되어 상기 기계를 적어도 부분적으로 정의하는 기계.
4. 제1항에 있어서, 상기 다수의 슬라이스 중 적어도 2개의 슬라이스는 서로 상이한 구조를 갖는(differently structured) 기계.
5. 제1항에 있어서, 상기 다수의 슬라이스 각각은 적어도 부분적으로는 고정형 구조물(stationary structure)을 포함하는 기계.
6. 제1항에 있어서, 상기 다수의 슬라이스 각각은 실리콘 기판을 포함하는 기계.
7. 다수의 슬라이스를 별도로 형성하여 스택 내에 함께 적층한 모놀리식 구조물(monolithic structure)을 포함하는 정전 기계(electrostatic machine)에 있어서, 상기 모놀리식 구조물은 스테이터 구조물(Stator Structure); 및 상기 스테이터 구조물과 접촉없이 상기 스테이터 구조물에 대해 이동하도록 위치하는 가동형 부재를 포함하며, 적어도 하나의 초소형 기계 슬라이스로 형성된 초소형 구조물- 상기 초소형 기계 슬라이스는 상기 다수의 슬라이스 중 하나의 슬라이스를 포함함- 은 상기 가동형 부재 및 이에 인접한 고정 부분을 정의하며, 상기 다수의 슬라이스 중 적어도 일부의 슬라이스는 동일한 구조를 갖는 슬라이스인 정전 기계.
8. 제7항에 있어서, 상기 스테이터 구조물 및 상기 가동형 부재는 여러 개의 초소형 기계 슬라이스의 초소형 구조물로부터 각각 정의되고, 각각의 초소형 기계 슬라이스는 상기 다수의 슬라이스 중 하나의 슬라이스를 포함하는 정전 기계.
9. 제7항에 있어서, 상기 다수의 슬라이스는 2개의 엔드캡 슬라이스(endcap slices)를 포함하고, 상기 각각의 엔드캡 슬라이스는 상기 모놀리식 구조물의 서로 다른 단부에 배치되며, 상기 엔드캡 슬라이스는 상기 모놀리식 구조물 내에 상기 가동형 부재를 유지하도록 구성되는 정전 기계.
10. 제9항에 있어서, 상기 정전 기계는 정전 모터(electrostatic motor)를 포함하고, 상기 가동형 부재는 로터(rotor)를 포함하며, 상기 로터는 상기 스택 내에 함께 적층된 상기 다수의 슬라이스 중 여러 개의 슬라이스를 포함하는 정전 기계.
11. 제10항에 있어서, 상기 2개의 엔드캡 슬라이스 중 적어도 하나의 엔드캡 슬라이스는 상기 스테이터 구조물에 대한 전기적 접점을 포함하는 정전 기계.
12. 제10항에 있어서, 상기 모놀리식 구조물은 상기 로터가 그 주위를 회전하는 허브(hub)를 더 포함하고, 상기 허브는 상기 로터를 포함하는 상기 여러 개의 슬라이스에 의하여 적어도 부분적이라도 정의되는 기계.
13. 제10항에 있어서, 상기 모놀리식 구조물은 함께 회전하도록 상기 로터에 접속된 허브를 더 포함하고, 상기 2개의 엔드캡 슬라이스 중 적어도 하나의 엔드캡 슬라이스는 상기 허브와 함께 회전하며 상기 정전 기계 외부의 구조를 구동하기 위하여 상기 허브에 연결된 가동형 구조물을 포함하는 정전 기계.
14. 제7항에 있어서, 상기 가동형 부재는 상기 다수의 슬라이스 중의 슬라이스를 포함하는 적어도 2개의 초소형 기계 슬라이스의 초소형 구조물로부터 정의되고, 상기 적어도 2개의 초소형 기계 슬라이스의 상기 초소형 구조물은 서로 연결되지 않는 기계.
15. 기계를 제조하는 방법에 있어서, (a) 다수의 기판을 제공하는 단계; (b) 적어도 하나의 기판 내에 적어도 하나의 오프닝(opening)을 형성하는 단계-상기 적어도 하나의 오프닝은 상기 적어도 하나의 기판 내의 구조를 정의함-; (c) 상기 적어도 하나의 오프닝에 의해 정의되고 분리된 선택된 구조물을 함께 일시적으로 고정(temporarily securing)하기 위한 희생 재료(sacrificial material)를 상기 적어도 하나의 기판 내의 상기 적어도 하나의 오프닝의 적어도 일부에 채우는(filling) 단계; (d) 스택 구조물을 형성하기 위해서 선택된 배치 형태(selected arrangement)로 상기 다수의 기판들을 함께 쌓는(stacking) 단계; 및 (e) 상기 적어도 하나의 오프닝으로부터 상기 희생 재료를 제거하여 상기 적어도 하나의 오프닝에 의해 상기 적어도 하나의 기판 내에 정의된 상기 구조가 상기 스택 구조 내에 가동형 부재를 형성하도록 함으로써, 상기 기계를 형성하는 단계를 포함하는 기계 제조 방법.
16. 제15항에 있어서, 상기 형성 단계 (b)는 상기 단계 (a)에서 제공된 상기 다수의 기판 중 여러 개의 기판 내에 상기 적어도 하나의 오프닝을 형성하여, 상기 선택된 배치 형태로 상기 다수의 기판을 쌓으면 상기 여러 개의 기판 내에 정의 된 구조물이 함께 상기 스택 구조물 내에 상기 가동형 부재를 정의하는 기계 제조 방법.
17. 제16항에 있어서, 상기 단계 (b)에서 내부에 형성된 상기 적어도 하나의 오프닝을 갖는 상기 여러 개의 기판 각각은 가동형 초소형 구조를 갖는 초소형 기계층을 포함하고, 상기 여러 개의 초소형 기계 층의 상기 가동형 초소형 구조는 상기 단계 (e)에서 상기 희생 재료를 제거한 후에 상기 가동형 부재를 형성하는 기계 제조 방법.
18. 제17항에 있어서, 상기 다수의 기판은 실리콘 기판을 포함하고, 상기 쌓는 단계 (d)는 상기 스택 구조물을 형성하기 위해 상기 선택된 배치 형태로 상기 다수의 기판을 함께 적층하는 단계를 포함하며, 상기 적층 단계는 상기 다수의 기판 중 인접 기판 사이에 텅스텐 또는 티타늄 층을 만드는 단계 및 상기 인접 기판을 함께 결합시키기 위해 상기 텅스텐 또는 티타늄 층을 통해 상기 스택 구조물을 열 처리(heat treatment)하는 단계를 포함하는 기계 제조 방법.
19. 기계를 제조하는 방법에 있어서, (a) 적어도 2개의 기판 각각 내에 적어도 하나의 오프닝을 형성하는 단계 -상기 적어도 하나의 오프닝은 상기 적어도 2개의 기판 내에 초소형 구조물을 정의하며, 상기 적어도 2개의 기판들을 선택된 배치 형태로 쌓아서 상기 기계를 제작함 -; (b) 상기 오프닝들에 의해 분리된 선택된 초소형 구조물들을 일시적으로 함께 고정시키기 위한 희생 재료를 상기 적어도 2개의 기판 내의 상기 적어도 하나의 오프닝의 적어도 일부에 채우는 단계; (c) 상기 선택된 배치 형태로 상기 적어도 2개의 기판을 함께 쌓아서 스택을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 적어도 2개의 기판 각각 내의 상기 적어도 하나의 오프닝으로부터 상기 희생 물질을 제거하는 단계 -상기 적어도 2개의 기판이 쌓인 초소형 구조물들에 의해 가동형 부재가 상기 스택 내에 정의되어 상기 기계가 형성됨-을 포함하는 기계 제조 방법.