JP2626460B2 - 静電マイクロモータ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、微小機構の駆動源とし
て用いることのできる電気的に制御可能なモータ、特に
静電マイクロモータに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】微小な静電モータの技術として、特開平
３−２２８８５号公報「静電マイクロモータの駆動力伝
達装置」がある。この従来技術は、基板に固定されたス
テータおよび基板上を動くことのできるロータからなる
回転モータにおいて、ロータの外周部に配置されたステ
ータの一部領域を除去して、ここに他の機械要素を設け
てモータの回転を伝達させるというものであった。以
下、この従来例の構造を図１０を用いて説明する。図１
０は、一個の伝達要素６１１が静電モータ６１０に連結
されている構造の平面図を示したものである。モータ６
１０は、ロータ６０１とこの外周部に配置されたステー
タ６０４からなっている。ロータ６０１は、下側の基板
の上に固定されていないために、ベアリング６０２を軸
にして回転することができる。また、キャップ６０３
は、ロータ６０１の上側に設けられており、ロータ６０
１を基板の上に保持している。ステータ６０４に順次に
電圧を印加することによって、ロータ６０１とステータ
６０４の間に静電気力が働き、ロータ６０１の回転が生
じる。

【０００３】一方、伝達部６１１は、先のモータ６１０
のステータ６０４が無い構造と似た構造を持っており、
ロータ６０４がベアリング６０６を軸にして回転できる
ように作製されている。また、キャップ６０７は、ロー
タ６０５の上側に設けられており、ロータ６０５を基板
の上に保持している。モータ部のロータ６０１と伝達部
のロータ６０５は基板上で同じ高さになるように作製さ
れているために、ロータ６０１が回転するとき、ロータ
６０５に接触して、これを回転させることができる。図
１０に示したような構造は、良く知られた酸化膜の選択
エッチングを利用したポリシリコン三次元薄膜構造体の
作製方法を利用することによって作製することが可能で
ある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来例の
構造ではモータの発生できる駆動力の大きさに大きな制
限が設けられるという欠点があった。すなわち、 １）作製された構造において、モータ６１０のステータ
６０４およびロータ６０１と伝達部のロータ６０５の基
板上の高さがほぼ同じとなるので、モータのロータ６０
１を伝達部のロータ６０５に連結させるためには、図１
０に示すようにロータ６０１の外周部に設けられたステ
ータ６０４の一部を除去する必要があった。このため
に、ステータ６０４からロータ６０１に作用する静電気
力の大きさが減少した。 ２）さらに、複数の伝達部を同一のモータに連結すると
きには、ステータの除去される数がますます増加するの
で、駆動力の著しい減少が起こった。 ３）また、伝達部６１１のロータ６０５の近くに置かれ
たステータ６０４に電圧を印加するとき、ロータ６０５
に望ましくない静電気力が働く。このため、ステータ６
０４をロータ６０５から充分離れた距離に設ける必要が
あった。しかし、このために、ステータ６０４の数がま
すます少なくなった。

【０００５】このように従来の構造は、モータの駆動力
の大きさを犠牲にしてモータの回転の伝達を行うことを
可能とするものであった。しかし、ミクロの領域では、
機械の寸法が小さくなるに従って表面に働く摩擦力の力
が相対的に大きくなるために、モータに大きな駆動力を
与えることが、実用上非常に重要である。

【０００６】本発明の目的は、以上の欠点を解決するた
めのものであり、モータの駆動力を減少させることな
く、他の機械要素にモータの動きを伝達させることを可
能とする静電マイクロモータを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の静電マイクロモ
ータでは、静電気の力を利用してロータが基板上を平行
に動くことのできるマイクロモータにおいて、少なくと
も二層からなる一体構成されたロータの下層部の周囲に
ステータを設けるとともに、上層部のロータをステータ
よりも上に位置するように設け、表面に電極が形成され
るステータパターンと下層部のロータを同一の半導体か
ら、上層部のロータを金属材料、有機材料、あるいはセ
ラミック材料から作製したことを特徴とするもの、ある
いは、表面に電極が形成されるステータパターンを半導
体基板から、下層部のロータをこれと異なる半導体ある
いは金属材料から、上層部ロータが金属材料、有機材
料、あるいはセラミック材料から作製したことを特徴と
するものが与えられる。

【０００８】本発明では、個々のステータ電極の絶縁の
方法として、ステータパターンとこの表面に形成された
電極がこの間に設けられた絶縁膜によって電気的に絶縁
されていることを特徴とするもの、あるいは、ステータ
パターンとこの表面に形成された電極がｐｎ接合分離に
よって電気的に絶縁されていることを特徴とするもの、
あるいは、ステータパターンとこれが設けられる半導体
基板とが両者の間に設けられた絶縁膜によって電気的に
絶縁されていることを特徴とするものがある。

【０００９】また、本発明の一例の構造として、上記記
載の静電マイクロモータにおいて、ステータの上部にガ
ード電極を設け、上層部のロータにステータの静電気力
が直接に及ばないようにしたことを特徴とするもの、あ
るいは、ステータの側壁および上側に印加された電圧に
よって、上層部および下層部のロータに静電気力が作用
することを特徴とするもの、あるいは、上層部のロータ
と下層部のロータの平面寸法を異なるようにしてモータ
のトルクを変化させたことを特徴とするもの、あるい
は、上層部のロータと下層部のロータの歯の数を異なる
ようにしたことを特徴とするもの、あるいは、上層部の
ロータの歯の位置を下層部のロータの歯の位置に対して
回転した状態に設けたことを特徴とするものがある。

【００１０】また、本発明の静電マイクロモータの駆動
方法として、ステータの歯に順次電圧を印加することに
よって、下層部のロータの側壁および上層部ロータの下
側表面に同時に静電気力を発生させてモータを駆動させ
るもの、あるいは、ステータの歯に順次電圧を印加する
ことによって、下層部ロータの側壁および上層部ロータ
の下側表面に交代に静電気力を発生させてモータを駆動
させるものがある。

【００１１】さらに、本発明の静電マイクロモータの製
造方法として、半導体基板に不純物を拡散し、溝を作製
する工程と、溝を埋め込む工程と、半導体基板の上にレ
ジストパターンを形成した後に前記レジストパターンを
埋め込む工程と、この後、レジストパターンと溝の埋め
込み層を除去するとともに、ロータを基板から分離した
後にロータをステータ部の突起形状であるベアリングに
はめ込む工程とを含むことを特徴とするもの、あるい
は、半導体基板に溝を作製する工程と、溝に犠牲層を形
成した後に溝を埋め込む工程と、半導体基板の上にレジ
ストパターンを形成した後にレジストパターンを埋め込
む工程によってロータおよびステータを作製する工程
と、この後、レジストパターンと犠牲層を除去すること
によってロータを基板から分離する工程とを含むことを
特徴とするものが与えられる。

【００１２】

【作用】本発明の静電マイクロモータでは、ロータが複
数の層から構成されており、上層部のロータがステータ
よりも高い位置になるように、一方、下層部のロータ
は、ステータとほぼ同じ高さに位置するように作製され
る。本発明では、ロータの駆動力は、下層部のロータの
側壁とステータの側壁との間に働く静電気力と、上層部
のロータの下側表面とステータの上表面の間に働く静電
気力の二通りの方法によって得られる。モータの動きを
伝達する機械要素は、モータの上層部とほぼ同じ高さに
なるように作製されるために、ステータと衝突すること
なしに、モータの動きを伝達させることができる。この
ため、ロータの下層部でモータの駆動力を発生させ、ロ
ータの上層部を利用してこの力を他の機械要素に伝達さ
せることが可能である。ロータの下層部と上層部の歯の
数や寸法を変えることによって、モータのトルクおよび
これに連結された伝達部の速度を変化させることが可能
である。また、ロータ上層部を駆動力の発生源として下
層部とともに用いるとき、大きな駆動力を得ることが可
能である。本発明の構造は、半導体プロセスを利用して
作製することができる。このため、微小な構造を正確
で、かつ多数個を一度に作製することが可能である。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を示して詳しく
説明する。

【００１４】図１は、本発明の静電マイクロモータの一
実施例を示す構造図であり、図１（ａ）は平面の構造
を、また、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａの断面構造
を示したものである。ここでは、ロータは、上部ロータ
１０６と下部ロータ１０８の二層から一体に構成されて
おり、下部ロータ１０８は４枚の歯を、上部ロータ１０
６は８枚の歯をもっている。この二層構造のロータは、
シリコン基板１０１上に設けられた上部ベアリング１０
９と下部ベアリング１１０から構成されたベアリングを
軸に、回転することが可能である。また、ブッシング１
０７が、上部ロータ１０６とシリコン基板１０１との摩
擦を小さくするために設けられている。下部ロータ１０
８の外周部には、下部ロータ１０８とほぼ同じ高さにス
テータ電極１０４がステータパターン１１２の側壁およ
び上側表面に設けられている。ステータパターン１１２
は、シリコン基板１０１と一体に形成されており、図１
（ａ）に示すステータ電極１０４の下側に４５度刻みで
下部ロータ１０８を取り囲むように設けられている。個
々のステータ電極１０４は、絶縁膜１１１を介してステ
ータパターン１１２に設けられており、互いに電気的に
絶縁されている。金属電極１０３は、絶縁膜１０２に設
けられた窓を通して個々のステータ電極１０４と電気的
に結ばれている。この金属電極１０３は、個々のステー
タ電極１０４に電圧を印加するためのものである。ステ
ータ電極１０４の上側表面には、絶縁膜１０２を介して
ガード電極１０５が設けられている。ガード電極１０５
には、ロータ１０６および１０８と同じ電位が与えられ
ており、ステータ電極１０４に印加された電圧によって
上部ロータ１０６がステータパターン１１２の上側表面
に引き寄せられないようにしている。これは、ロータの
摩擦を減少させるのに役立つものである。このように、
図１に示したモータ構造においては、ステータ電極１０
４に電圧を印加するとき、下部ロータ１０８の側壁に静
電気力を作用させることによってロータの駆動力が得ら
れることが特徴である。

【００１５】図２は、本発明の静電マイクロモータの他
の実施例を示す構造図であり、図２（ａ）は平面の構造
を、また、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂの断面構造
を示したものである。図２に示した構成要素において、
図１の構成要素と同じ番号をもつものは、図１と同一の
構成要素であることを示している。図２の構造は、図１
の構造からガード電極１０５を除いたこと以外は同一で
ある。図２の静電マイクロモータは、ガード電極１０５
がないために、金属電極１０３に印加された電圧は下部
ロータ１０８の側壁の他に上部ロータ１０６の下側表面
にも静電気力を作用させる。先に述べたように、上部ロ
ータ１０６の下側表面に作用する力は、ロータをシリコ
ン基板１０１に押しつけるように働くためにロータに大
きな摩擦が発生する。しかし、ロータの駆動力として、
下部ロータ１０８の側壁に働く力の他に上部ロータ１０
６の下側表面に働く力を利用することが可能となる。上
部ロータ１０６の歯の長さを下部ロータ１０８に比べて
大きくするとき、上部ロータ１０６とステータ電極１０
４の重なる面積が大きくなるので、上部ロータ１０６に
働く駆動力の大きさを著しく増加させることができる。
ブッシング１０７の構造とステータ電極１０４の上に設
けられる絶縁膜１０２の材料を最適に選択することによ
って摩擦の増大を小さく抑えるとき、図２の構造によっ
てモータに大きな駆動力を与えることが可能である。

【００１６】本発明の静電マイクロモータの他の実施例
の断面の構造を図３に示す。図３に示した構成要素にお
いて、図１の構成要素と同じ番号をもつものは、図１と
同一の構成要素であることを示している。本実施例で
は、ステータ電極１３４は、ステータパターン１３２の
表面に直接形成され、互いにｐｎ接合分離によって電気
的に絶縁される。この構造は、図１に比べて、モータの
構造が簡略化されるという特徴がある。

【００１７】本発明の静電マイクロモータの他の実施例
の構造を図４に示す。図４に示した構成要素において、
図３の構成要素と同じ番号をもつものは、図３と同一の
構成要素であることを示している。図４の構造は、図３
の構造とステータ電極１４４とステータパターン１４２
および下部ベアリング１１０が絶縁膜１４１の上に形成
されたことが異なる。本実施例では、ステータパターン
１４２の表面に形成されたステータ電極１４４は、ステ
ータパターン１４２と同じ、あるいは異なる型の不純物
を高濃度に含んだ導電層によって形成される。また、ス
テータパターン１４２が絶縁膜１４１の上に設けられた
ために、個々のステータパターン１４２は、電気的に絶
縁されている。図３の構造に比べて、ステータ電極１４
４の電気的な分離が完全に行われること、シリコンと絶
縁膜のエッチングの大きな選択比を利用することができ
るためにモータの製作が簡略化されるという特徴があ
る。

【００１８】本発明の静電マイクロモータの他の実施例
の平面の構造を図５に示す。図５に示した構成要素にお
いて、図２の構成要素と同じ番号をもつものは、図２と
同一の構成要素であることを示している。図５では、上
下ロータ３０６および３０８が８極、ステータ電極１０
４が１２極（Ｘ１〜Ｘ４，Ｙ１〜Ｙ４，Ｚ１〜Ｚ４）の
歯をもった構造を示したが、図２に示した構造とは上部
ロータ３０６と下部ロータ３０８の相互の位置関係が異
なることが本質的な相違である。本実施例では、上部ロ
ータ３０６は、下部ロータ３０８に対しベアリング１０
９を軸にして２２．５度右方向に回転させた構造となっ
ている。

【００１９】図５のモータの駆動方法を以下に述べる。
図５には、上部ロータ３０６の４つの歯が４つのステー
タ電極１０４の歯Ｘ１〜Ｘ４の位置と合致した状態が示
されている。ステータ電極１０４の歯Ｙ１〜Ｙ４に電圧
を印加するとき、歯Ｙ１〜Ｙ４の近くに位置する下部ロ
ータ３０８の側壁に静電気力が働き、モータが右側に回
転する。続いて、ステータ電極１０４の歯Ｚ１〜Ｚ４に
電圧を印加すると、この近くに位置する上部ロータ３０
６の下側表面に静電気力が働き、モータは右側の回転を
続ける。同様にして、ステータ電極１０４に順次に電圧
を印加することによって、モータの下部ロータ３０８お
よび上部ロータ３０６に次々に駆動力が発生する。図２
に示したように、上部ロータと下部ロータの位置を合致
させて作製した構造では、モータの最小の回転角度は、
ステータ電極１０４の配置される角度によって決められ
る。図５のように１２個のステータ電極１０４を設けた
例では、この最小角度は３０度である。一方、図５の実
施例では、モータの最小の回転角度がステータ電極の間
隔（３０度）と上下ロータの間隔（２２．５度）の差と
なり、この実施例では７．５度となる。このように、図
５に示した構造を用いると、モータを小さな角度で精度
良く回転させることが可能である。

【００２０】本発明の静電マイクロモータの構造の作製
方法の一実施例を図６に示す。ここでは、本質的な部分
のみを述べ、細部の作製プロセスの描写を除くことにす
る。まず、シリコン基板４０１に酸化膜４０３を形成し
て窓を設けた後、シリコン基板４０１に高濃度ボロンを
拡散して拡散層４０２の作製を行う（図６（ａ））。次
に、酸化膜４０３を除いて、再び酸化膜４０４を基板４
０１上に形成する。この後、酸化膜４０４をパターニン
グし、酸化膜４０４をマスクにして溝４０５をＲＩＥ
（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ−ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｅｔ
ｃｈｉｎｇ）ドライエッチング装置を用いて作製する
（図６（ｂ））。続いて、ポリシリコン、有機材料、絶
縁膜等を用いて溝４０５の中に埋め込み層４０６を形成
した後、基板４０１の表面に金属層４０７を作製する。
この後、厚膜のレジストを塗布して、紫外線あるいはＸ
線等でレジストパターン４０８を形成する（図６
（ｃ））。この後、レジストパターン４０８の中に金属
パターン４０９をメッキあるいは塗布等の方法を用いて
形成した後、レジストパターン４０８を除去する（図６
（ｄ））。次に、図６（ｄ）に示すロータ部４１１をス
テータ部４１０から切り離して、ロータ部４１１をシリ
コンエッチング液の中に浸し、拡散層４０２、金属層４
０７および金属パターン４０９からなるロータ基板４０
１から分離させる。このとき、アルカリ系のエッチング
液を使用すると、ボロンが高濃度に拡散された拡散層４
０２を残してシリコン基板４０１を除去することができ
る。最後に、このロータをステータ部４１０の埋め込み
層４０６が除去された領域にはめ込むことによって、本
実施例の静電モータが作製される。

【００２１】なお、本実施例ではレジスト４０８のパタ
ーンに金属層４０９を形成したが、この他に有機材、セ
ラミック等の材料を用いることも可能である。また、ボ
ロンが高濃度に拡散された拡散層４０２を用いる他に、
基板４０１と不純物濃度あるいは不純物の型が異なる拡
散層に電圧を印加することによってもシリコンの選択的
なエッチングを行うことができる。図４に示すような絶
縁膜１４１を間に含むシリコン基板（ＳＯＩ基板）を用
いるとき、絶縁膜のエッチングによってロータを基板か
ら切り離すことができ、作製方法が容易となる。

【００２２】図７は、本発明の静電マイクロモータの作
製方法の他の実施例を示す。シリコン基板５０１に酸化
膜５０２をマスクにして、溝５０３をドライエッチング
装置を用いて作製する（図７（ａ））。次に、この溝を
含む領域中に絶縁膜５０４を形成し、この上にポリシリ
コン、アモルファスシリコン、有機材、あるいは、金属
材料からなる埋め込み層５０５を作製する（図７
（ｂ））。次に、金属層５０６を形成した後、厚膜のレ
ジスト５０７を塗布し、紫外線あるいはＸ線のリソグラ
フィーを利用してパターニングする（図７（ｃ））。続
いて、金属パターン５０８をレジスト５０７のパターン
の中に作製し、レジスト５０７を除去する。金属層５０
６も、この金属パターン５０８を利用してパターニング
する（図７（ｄ））。この試料を絶縁膜のエッチング液
の中に浸すことによって、図７（ｄ）に示す構造から、
絶縁膜５０４を除去する。このため、絶縁膜５０４は犠
牲層とも呼ばれる。この結果、ロータ部は基板から切り
離されて軸を中心にして回転できるようになる。

【００２３】以上述べた作製方法では、ブッシング、ス
テータ電極、および金属あるいはガード電極の作製方法
を除いたが、通常のシリコンＩＣプロセス技術を利用し
て容易に作製することが可能である。また、本実施例の
構造および作製方法では、ロータをベアリングから離れ
ないようにするベアリングキャップの記述を除いたが、
上部プロセスを作製した後にさらにレジストで型どるこ
とによってキャップを設けることが可能である。シリコ
ン半導体プロセスを利用した作製方法は、１μｍ以下の
微小なパターンを容易に作製できることと、同時に多数
個のモータを作製できることから従来の機械的な方法に
比べて有利である。さらに、本実施例の構造ならびに作
製方法は、モータの厚さを１μｍ以下の薄いものから数
百μｍの厚いものまで大きな範囲で提供できる特徴があ
り、図１０に述べたポリシリコンからなるモータ（１〜
数μｍ厚）に比べて大きな自由度をもったモータが作製
できるという著しい特徴があることも特筆されるもので
ある。

【００２４】以上述べたモータの構造は、ロータやステ
ータの数が実施例に示したものに限られるものでないこ
とは明らかである。特に、上層と下層のロータの歯の数
と大きさをそれぞれ変えることができることが本発明の
特徴である。これらを最適にすることによって、モータ
のトルクや速度を任意に設定することが可能である。さ
らに、本発明は、回転運動を行うモータに限られるもの
でなく、直線的に動くモータにおいても同様のことが実
現できる。

【００２５】

【発明の効果】以上記述した本発明の構造、動作方法お
よび作製方法を用いると、先に述べた従来例の欠点が解
決された静電マイクロモータが提供される。図８および
図９を参照して本発明のモータの効果を説明する。図８
は本発明の静電マイクロモータと伝達部との平面図を、
図９は図８のＣ−Ｃ断面の構造を示す図である。図８お
よび図９の構成要素において、図１と同じ番号をもつも
のはこれと同一の構成要素であることを示している。図
８および図９の例では、図１と同一の構造をもつモータ
７１０に一個の伝達部７１１が連結された状態が示され
ている。伝達部７１１はシリコン基板１０１の上に作製
されており、モータ７１０の上部ロータ１０６とほぼ等
しい高さに形成されたロータ７０１が、ベアリング７０
２の周りに回転できるように構成されている。このロー
タ７０１は、上部ロータ１０６の歯と噛み合わされてお
り、モータ７１０の駆動力が伝達されるようになってい
る。モータ７１０の駆動力は、先に述べたように上部ロ
ータ１０６の下の位置に設けられたステータ電極１０４
に印加された電圧によって得られる。この例では、下部
ロータ１０８の側壁に静電気力が働くことによって、モ
ータ７１０の駆動力が得られる。

【００２６】この例に示すように、本発明の構造は、ロ
ータの外周部に配置されたステータを除去する必要がな
いために、大きな駆動力を得ることが可能である。さら
に、本発明の実施例の説明で述べたように、ロータの厚
さを大きな範囲で変化させることができるために、種々
のロータの噛み合わせの構造を作製することができる。
さらに、下部ロータの厚さを厚くしたり、上部ロータと
ステータとの駆動力を利用したりすることにによって、
従来例に比べて著しく大きなモータの駆動力と効率的な
伝達を実現することが可能である。

【００２７】以上の効果は著しいものであり、本発明は
非常に有効なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構造の平面図と断面図であ
る。

【図２】本発明の一実施例の構造の平面図と断面図であ
る。

【図３】本発明の他の実施例の断面図である。

【図４】本発明の他の実施例の断面図である。

【図５】本発明の他の実施例の平面図である。

【図６】本発明の作製方法の一実施例を示す図である。

【図７】本発明の作製方法の一実施例を示す図である。

【図８】本発明の効果の一例を説明するための平面図で
ある。

【図９】本発明の効果の一例を説明するための断面図で
ある。

【図１０】従来例の構造を示す平面図である。

【符号の説明】

１０１，４０１，５０１ シリコン基板 １０２，１１１，１３１，１４１，５０４ 絶縁膜 １０３ 金属電極 １０４，１３４，１４４ ステータ電極 １０５ ガード電極 １０６，３０６ 上部ロータ １０７ ブッシング １０８，３０８ 下部ロータ １０９ 上部ベアリング １１０ 下部ベアリング １１２，１３２，１４２ ステータパターン ４０２ 拡散層 ４０３，４０４，５０２ 酸化膜 ４０５，５０３ 溝 ４０６，５０５ 埋め込み層 ４０７，５０６ 金属層 ４０８，５０７ レジスト ４０９，５０８ 金属パターン ４１０ ステータ部 ４１１ ロータ部 ６０１，６０５，７０１ ロータ ６０２，６０６，７０２ ベアリング ６０３，６０７ キャップ ６０４ ステータ ６１０，７１０ モータ ６１１，７１１ 伝達部

Claims (15)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】静電気力を利用する静電マイクロモータに
   おいて、 少なくとも二層からなる一体構成されたロータと、 ステータパターンと、ステータパターンの表面に形成さ
   れたステータ電極とからなるステータとを備え、 前記ロータの下層部の周囲に前記ステータを設けるとと
   もに、上層部のロータを前記ステータよりも上に位置す
   るように設けたことを特徴とする静電マイクロモータ。
2. 【請求項２】前記ステータの側壁および上側に印加され
   た電圧によって、前記上層部および下層部のロータに静
   電気力が作用することを特徴とする請求項１記載の静電
   マイクロモータ。
3. 【請求項３】前記ステータの上部にガード電極を設け、
   前記上層部のロータに前記ステータの静電気力が直接及
   ばないようにしたことを特徴とする請求項１記載の静電
   マイクロモータ。
4. 【請求項４】前記ステータパターンと前記ステータ電極
   とは、その間に設けられた絶縁膜によって電気的に絶縁
   されていることを特徴とする請求項１または３記載の静
   電マイクロモータ。
5. 【請求項５】前記ステータパターンと前記ステータ電極
   とは、ｐｎ接合分離によって電気的に絶縁されているこ
   とを特徴とする請求項１または３記載の静電マイクロモ
   ータ。
6. 【請求項６】前記ステータパターンと前記下層部のロー
   タとは同一の半導体から構成され、前記上層部のロータ
   は金属材料、有機材料、あるいはセラミック材料から構
   成されることを特徴とする請求項４または５記載の静電
   マイクロモータ。
7. 【請求項７】前記ステータパターンは半導体基板から構
   成され、前記下層部のロータは前記半導体と異なる半導
   体あるいは金属材料から構成され、前記上層部のロータ
   は金属材料、有機材料、あるいはセラミック材料から構
   成されることを特徴とする請求項４または５記載の静電
   マイクロモータ。
8. 【請求項８】前記下層部のロータはポリシリコン、アモ
   ルファスシリコン、あるいは金属材料から構成され、前
   記ステータパターンはシリコン単結晶から構成されるこ
   とを特徴とする請求項７記載の静電マイクロモータ。
9. 【請求項９】前記上層部のロータと下層部のロータの平
   面寸法を異なるようにしてモータのトルクを変化させた
   ことを特徴とする請求項２，６，７または８記載の静電
   マイクロモータ。
10. 【請求項１０】前記上層部のロータと下層部のロータの
    歯の数を異なるようにしたことを特徴とする請求項９記
    載の静電マイクロモータ。
11. 【請求項１１】前記上層部のロータの歯の位置を前記下
    層部のロータの歯の位置に対して回転した状態に設けた
    ことを特徴とする請求項１０記載の静電マイクロモー
    タ。
12. 【請求項１２】請求項２記載の静電マイクロモータにお
    いて、 前記ステータの歯に順次電圧を印加することによって、
    前記下層部のロータの側壁および前記上層部ロータの下
    側表面に同時に静電気力を発生させてモータを駆動させ
    ることを特徴とする静電マイクロモータの駆動方法。
13. 【請求項１３】請求項４記載の静電マイクロモータにお
    いて、 前記ステータの歯に順次電圧を印加することによって、
    前記下層部のロータの側壁および上層部のロータの下側
    表面に交代に静電気力を発生させてモータを駆動させる
    静電マイクロモータの駆動方法。
14. 【請求項１４】前記半導体基板に不純物を拡散し、溝を
    作製する工程と、 前記溝を埋め込む工程と、 前記半導体基板の上にレジストパターンを形成した後に
    前記レジストパターンを埋め込む工程と、 前記レジストパターンと前記溝の埋め込み層を除去し
    て、ロータとステータ部を形成する工程と、 前記ロータを基板から分離した後にロータを前記ステー
    タ部の突起形状であるベアリングにはめ込む工程と、 を含むことを特徴とする静電マイクロモータの製造方
    法。
15. 【請求項１５】前記半導体基板に溝を作製する工程と、 前記溝に犠牲層を形成した後に前記溝を埋め込む工程
    と、 前記半導体基板の上にレジストパターンを形成した後に
    前記レジストパターンを埋め込む工程によってロータお
    よびステータを作製する工程と、 前記レジストパターンと前記犠牲層を除去することによ
    ってロータを基板から分離する工程と、 を含むことを特徴とする静電マイクロモータの製造方
    法。