JPH04251579A - 静電モータ - Google Patents
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- JPH04251579A JPH04251579A JP41679590A JP41679590A JPH04251579A JP H04251579 A JPH04251579 A JP H04251579A JP 41679590 A JP41679590 A JP 41679590A JP 41679590 A JP41679590 A JP 41679590A JP H04251579 A JPH04251579 A JP H04251579A
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Landscapes
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロマシンニング
により作製され静電力により駆動制御される静電モータ
に関する。
により作製され静電力により駆動制御される静電モータ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来における静電モータとしては、例え
ば、その第一の従来例として、図２０に示すようなもの
がある。図２０（ａ）は平面図であり、図２０（ｂ）は
縦断側面図を示すものである。この場合、基板１上には
ベアリング２が設けられており、その周囲にはロータ電
極３が配設され、さらに、そのロータ電極３の外周には
ステータ電極４が配設されている。このようにロータ電
極３とステータ電極４とは同じ高さの位置に設けられて
おり、ロータ電極３を挾んで対向するステータ電極４間
に電圧を順次印加していくことにより、ロータ電極３と
ステータ電極４との間に発生する静電引力によりロータ
電極３側が回転するような構成となっている。
ば、その第一の従来例として、図２０に示すようなもの
がある。図２０（ａ）は平面図であり、図２０（ｂ）は
縦断側面図を示すものである。この場合、基板１上には
ベアリング２が設けられており、その周囲にはロータ電
極３が配設され、さらに、そのロータ電極３の外周には
ステータ電極４が配設されている。このようにロータ電
極３とステータ電極４とは同じ高さの位置に設けられて
おり、ロータ電極３を挾んで対向するステータ電極４間
に電圧を順次印加していくことにより、ロータ電極３と
ステータ電極４との間に発生する静電引力によりロータ
電極３側が回転するような構成となっている。
【０００３】また、第二の従来例として、図２１に示す
ように、静電モータの印加電圧の制御方法について述べ
たものがある。この場合、駆動電圧は、ロータ電極３の
軸を中心として対向するステータ電極４の間に、それぞ
れφ１ とφ１０、φ２ とφ２０、φ３ とφ３０の
電極が一定の位相をもって印加される。図２１（ｂ）は
その印加される電圧波形の様子を示すものであり、φ１
、φ２ 、φ３ の電極は一定の位相をもって印加さ
れる。従って、ここでは、１位相（例えば、Ｔ１ ）の
間に生じる静電引力は、図２１（ａ）中のハッチングで
示したステータ電極４とロータ電極３との間で生じるこ
とになる。
ように、静電モータの印加電圧の制御方法について述べ
たものがある。この場合、駆動電圧は、ロータ電極３の
軸を中心として対向するステータ電極４の間に、それぞ
れφ１ とφ１０、φ２ とφ２０、φ３ とφ３０の
電極が一定の位相をもって印加される。図２１（ｂ）は
その印加される電圧波形の様子を示すものであり、φ１
、φ２ 、φ３ の電極は一定の位相をもって印加さ
れる。従って、ここでは、１位相（例えば、Ｔ１ ）の
間に生じる静電引力は、図２１（ａ）中のハッチングで
示したステータ電極４とロータ電極３との間で生じるこ
とになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】第一の従来例の場合、
ステータ電極４がロータ電極３の周辺に配置されている
ため、ロータ電極３が回転力を得ても、この回転力を実
際に用いる場所まで伝達するギヤ等をロータ電極３の周
辺に配置することができない。また、静電引力は、一般
に、電圧を印加する電極の面積に比例する。しかし、電
極端面の面積は、ロータ電極３、ステータ電極４の厚み
をむやみに厚くすることができない（電極材質の成膜時
間、内部応力、その後のＲＩＥのエッチング時間等によ
り制限される）ため、静電引力の大幅な増加は望むこと
ができない。従って、静電モータが生じる力（トルク）
も端面面積に制限され、これにより静電引力の著しい増
加を望むことができない。
ステータ電極４がロータ電極３の周辺に配置されている
ため、ロータ電極３が回転力を得ても、この回転力を実
際に用いる場所まで伝達するギヤ等をロータ電極３の周
辺に配置することができない。また、静電引力は、一般
に、電圧を印加する電極の面積に比例する。しかし、電
極端面の面積は、ロータ電極３、ステータ電極４の厚み
をむやみに厚くすることができない（電極材質の成膜時
間、内部応力、その後のＲＩＥのエッチング時間等によ
り制限される）ため、静電引力の大幅な増加は望むこと
ができない。従って、静電モータが生じる力（トルク）
も端面面積に制限され、これにより静電引力の著しい増
加を望むことができない。
【０００５】また、第二の従来例の電圧印加方法の場合
、静電引力をロータ電極３の軸を中心として対向するス
テータ電極４間に印加するため、静電引力を生じるのは
６個のステータ電極４のうちの２個と８個のロータ電極
３のうちの２個のみであり、これにより生じる静電引力
は小さくなり駆動効率が悪い。
、静電引力をロータ電極３の軸を中心として対向するス
テータ電極４間に印加するため、静電引力を生じるのは
６個のステータ電極４のうちの２個と８個のロータ電極
３のうちの２個のみであり、これにより生じる静電引力
は小さくなり駆動効率が悪い。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明では
、ステータ電極とロータ電極との間の静電引力により駆
動力を得る静電モータにおいて、基板の表面に前記ロー
タ電極を形成し、このロータ電極の直下の前記基板中に
前記ステータ電極を形成した。
、ステータ電極とロータ電極との間の静電引力により駆
動力を得る静電モータにおいて、基板の表面に前記ロー
タ電極を形成し、このロータ電極の直下の前記基板中に
前記ステータ電極を形成した。
【０００７】請求項２記載の発明では、ステータ電極と
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びその
ロータ電極の直下の前記基板中にそれぞれ前記ステータ
電極を形成した。
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びその
ロータ電極の直下の前記基板中にそれぞれ前記ステータ
電極を形成した。
【０００８】請求項３記載の発明では、ステータ電極と
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極の直下の前記基板中に前記ステータ電極を形
成し、前記ロータ電極の長手方向の長さを前記ステータ
電極の外周端よりも長く形成した。
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極の直下の前記基板中に前記ステータ電極を形
成し、前記ロータ電極の長手方向の長さを前記ステータ
電極の外周端よりも長く形成した。
【０００９】請求項４記載の発明では、ステータ電極と
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びその
ロータ電極の直下の前記基板中に前記ステータ電極を形
成し、前記ロータ電極の長手方向の長さを前記ステータ
電極の外周端よりも長く形成した。
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びその
ロータ電極の直下の前記基板中に前記ステータ電極を形
成し、前記ロータ電極の長手方向の長さを前記ステータ
電極の外周端よりも長く形成した。
【００１０】請求項５記載の発明では、ステータ電極と
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極の直下の前記基板中に前記ステータ電極を形
成し、前記基板上の前記ロータ電極と噛み合う位置に力
伝達ギヤを形成した。
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極の直下の前記基板中に前記ステータ電極を形
成し、前記基板上の前記ロータ電極と噛み合う位置に力
伝達ギヤを形成した。
【００１１】請求項６記載の発明では、ステータ電極と
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びその
ロータ電極の直下の前記基板中に前記ステータ電極を形
成し、前記基板上の前記ロータ電極と噛み合う位置に力
伝達ギヤを形成した。
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びその
ロータ電極の直下の前記基板中に前記ステータ電極を形
成し、前記基板上の前記ロータ電極と噛み合う位置に力
伝達ギヤを形成した。
【００１２】
【作用】請求項１記載の発明においては、ステータ電極
がロータ電極の直下に設けられているので、ロータ電極
の周辺にそのロータ電極に生じる静電引力による回転力
を伝達するギヤを配設することが可能となる。
がロータ電極の直下に設けられているので、ロータ電極
の周辺にそのロータ電極に生じる静電引力による回転力
を伝達するギヤを配設することが可能となる。
【００１３】請求項２記載の発明においては、上下のス
テータ電極がロータ電極を挾むように形成されているの
で、電極面積を大きくとることができ、これにより発生
する回転力を一段と大きくとることが可能となる。
テータ電極がロータ電極を挾むように形成されているの
で、電極面積を大きくとることができ、これにより発生
する回転力を一段と大きくとることが可能となる。
【００１４】請求項３記載の発明においては、請求項１
記載の発明の効果に加え、さらに、ロータ電極の外周が
ステータ電極の外周より外側に出るように形成し、ステ
ータ電極がロータ電極の外側に存在しないので、これに
よりロータ電極の回転力を実際に使用する場所まで伝達
することが可能となる。
記載の発明の効果に加え、さらに、ロータ電極の外周が
ステータ電極の外周より外側に出るように形成し、ステ
ータ電極がロータ電極の外側に存在しないので、これに
よりロータ電極の回転力を実際に使用する場所まで伝達
することが可能となる。
【００１５】請求項４記載の発明においては、請求項２
記載の発明の効果に加え、さらに、ロータ電極の外周が
ステータ電極の外周より外側に出るように形成し、ステ
ータ電極がロータ電極の外側に存在しないので、これに
よりロータ電極の回転力を実際に使用する場所まで伝達
することが可能となる。
記載の発明の効果に加え、さらに、ロータ電極の外周が
ステータ電極の外周より外側に出るように形成し、ステ
ータ電極がロータ電極の外側に存在しないので、これに
よりロータ電極の回転力を実際に使用する場所まで伝達
することが可能となる。
【００１６】請求項５記載の発明においては、請求項１
記載の発明の効果に加え、さらに、力伝達ギヤを配設し
たことにより、ロータ電極の回転力を効率良く外部に伝
達させることが可能となる。
記載の発明の効果に加え、さらに、力伝達ギヤを配設し
たことにより、ロータ電極の回転力を効率良く外部に伝
達させることが可能となる。
【００１７】請求項６記載の発明においては、請求項２
記載の発明の効果に加え、さらに、力伝達ギヤを配設し
たことにより、ロータ電極の回転力を効率良く外部に伝
達させることが可能となる。
記載の発明の効果に加え、さらに、力伝達ギヤを配設し
たことにより、ロータ電極の回転力を効率良く外部に伝
達させることが可能となる。
【００１８】
【実施例】本発明の第一の実施例を図１〜図４に基づい
て説明する。まず、図１において、基板としての単結晶
Ｓｉ基板５（以下、Ｓｉ基板と呼ぶ）の表面には、Ｓｉ
３ Ｎ４ 膜６がＬＰ−ＣＶＤ法により作製され、この
Ｓｉ３Ｎ４膜６上には周知の技術によりベアリング７と
ロータ電極８が形成されている。ロータ電極８の直下の
Ｓｉ基板５中にはステータ電極９（Ｐ型）が単結晶Ｓｉ
内に埋め込まれている。また、ロータ電極８と同一面上
には力伝達ギヤ１０が形成されている。この力伝達ギヤ
１０の中心にはベアリング１１が設けられている。
て説明する。まず、図１において、基板としての単結晶
Ｓｉ基板５（以下、Ｓｉ基板と呼ぶ）の表面には、Ｓｉ
３ Ｎ４ 膜６がＬＰ−ＣＶＤ法により作製され、この
Ｓｉ３Ｎ４膜６上には周知の技術によりベアリング７と
ロータ電極８が形成されている。ロータ電極８の直下の
Ｓｉ基板５中にはステータ電極９（Ｐ型）が単結晶Ｓｉ
内に埋め込まれている。また、ロータ電極８と同一面上
には力伝達ギヤ１０が形成されている。この力伝達ギヤ
１０の中心にはベアリング１１が設けられている。
【００１９】次に、本実施例の作製プロセスを図３及び
図４に基づいて説明する。図３において、ｎ型単結晶の
Ｓｉ基板５を熱酸化してＳｉＯ２ 膜１２を作製する（
ａ）。次に、ステータ部分と配線部分の窓開け１３を、
フォトリソ、エッチングにより行う（ｂ）。次に、その
窓開けされた部分にイオン注入法、固相拡散法等により
不純物を拡散し、これによりＳｉ基板５の一部を低抵抗
にしてステータ電極９や図示しない配線部分を作製する
（ｃ）。次に、ＳｉＯ２ 膜１２を除去した後、ＬＰ−
ＣＶＤ法等によりＳｉ３Ｎ４膜６を作製する（ｄ）。次
に、低酸化シリコン膜１４（ＬＴＯ膜）をＬＰ−ＣＶＤ
法等により約１μｍ厚だけデポジションし、ブッシング
のためのディンプル１５をＢＨＦによりエッチングして
形成する（ｅ）。次に、図４において、ロータ電極８や
力伝達ギヤ１０となるｐｏｌｙ−Ｓｉ１６をＬＰ−ＣＶ
Ｄ法等によりデポジションし、ＲＩＥにてエッチングを
行い、これによりロータやギヤの形状に加工する（ａ）
。次に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ１６の表面にＬＴＯ膜１７をデ
ポジションし、この状態でエッチングを行いアンカー１
８を形成する（ｂ）。これにより、ベアリング７がＳｉ
３Ｎ４膜６に接触すべく形成することが可能となった。 次に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ１９をデポジションしてＲＩＥに
よりベアリング７の形状に加工する（ｃ）。次に、ＬＴ
Ｏ膜１７をＢＨＦ等によりエッチングして、ロータ電極
８、力伝達ギヤ１０を回転できるようにすることにより
、静電モータを作製することができる（ｄ）。
図４に基づいて説明する。図３において、ｎ型単結晶の
Ｓｉ基板５を熱酸化してＳｉＯ２ 膜１２を作製する（
ａ）。次に、ステータ部分と配線部分の窓開け１３を、
フォトリソ、エッチングにより行う（ｂ）。次に、その
窓開けされた部分にイオン注入法、固相拡散法等により
不純物を拡散し、これによりＳｉ基板５の一部を低抵抗
にしてステータ電極９や図示しない配線部分を作製する
（ｃ）。次に、ＳｉＯ２ 膜１２を除去した後、ＬＰ−
ＣＶＤ法等によりＳｉ３Ｎ４膜６を作製する（ｄ）。次
に、低酸化シリコン膜１４（ＬＴＯ膜）をＬＰ−ＣＶＤ
法等により約１μｍ厚だけデポジションし、ブッシング
のためのディンプル１５をＢＨＦによりエッチングして
形成する（ｅ）。次に、図４において、ロータ電極８や
力伝達ギヤ１０となるｐｏｌｙ−Ｓｉ１６をＬＰ−ＣＶ
Ｄ法等によりデポジションし、ＲＩＥにてエッチングを
行い、これによりロータやギヤの形状に加工する（ａ）
。次に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ１６の表面にＬＴＯ膜１７をデ
ポジションし、この状態でエッチングを行いアンカー１
８を形成する（ｂ）。これにより、ベアリング７がＳｉ
３Ｎ４膜６に接触すべく形成することが可能となった。 次に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ１９をデポジションしてＲＩＥに
よりベアリング７の形状に加工する（ｃ）。次に、ＬＴ
Ｏ膜１７をＢＨＦ等によりエッチングして、ロータ電極
８、力伝達ギヤ１０を回転できるようにすることにより
、静電モータを作製することができる（ｄ）。
【００２０】次に、本発明の第二の実施例を図５ないし
図７に基づいて説明する。前述した第一の実施例におい
て、ロータ電極８を回転させるためにステータ電極９（
図２中の配線２０）に電圧を印加した場合、その配線２
０の部分と力伝達ギヤ１０間に存在する寄生容量により
、力伝達ギヤ１０が受ける静電引力（ロータ８から機械
的に受ける力ではなく、配線２０から直接受ける静電引
力）を低減させるような構成となっている。このような
静電引力はかならずしも回転力を高める方向には働かな
い（一種のノイズ）ので、この値を小さくする必要があ
る。そこで、本実施例では、これを実現するために、Ｓ
ｉ基板５（ｎ型）とＳｉ３Ｎ４膜６との間にエピタキシ
ャル層２１（ｎ型）を形成し、このエピタキシャル層２
１の領域にステータ電極９を形成し、その配線２０は下
部のＳｉ基板５の表面に形成するようにしたものである
。従って、配線２０の領域と力伝達ギヤ１０との間には
、エピタキシャル層２１が存在することになる。
図７に基づいて説明する。前述した第一の実施例におい
て、ロータ電極８を回転させるためにステータ電極９（
図２中の配線２０）に電圧を印加した場合、その配線２
０の部分と力伝達ギヤ１０間に存在する寄生容量により
、力伝達ギヤ１０が受ける静電引力（ロータ８から機械
的に受ける力ではなく、配線２０から直接受ける静電引
力）を低減させるような構成となっている。このような
静電引力はかならずしも回転力を高める方向には働かな
い（一種のノイズ）ので、この値を小さくする必要があ
る。そこで、本実施例では、これを実現するために、Ｓ
ｉ基板５（ｎ型）とＳｉ３Ｎ４膜６との間にエピタキシ
ャル層２１（ｎ型）を形成し、このエピタキシャル層２
１の領域にステータ電極９を形成し、その配線２０は下
部のＳｉ基板５の表面に形成するようにしたものである
。従って、配線２０の領域と力伝達ギヤ１０との間には
、エピタキシャル層２１が存在することになる。
【００２１】前述した第一の実施例においては、配線２
０と力伝達ギヤ１０との間のギャップはディンプル１５
の凹みの段差とＳｉ３Ｎ４膜６の厚みとの和である。こ
のギャップが大きくなると、ロータ電極８の発生する回
転力が小さくなるため、約１μｍ以上には設定できず、
このため力伝達ギヤと配線２０とのギャップも１μｍに
なる。一方、本実施例における図５では、エピタキシャ
ル層２１は２０μｍ程度の厚さに設定することができ、
これにより、配線２０と力伝達ギヤ１０との間隔は約２
０μｍに設定するため、第一の実施例の場合に比べ、配
線２０と力伝達ギヤ１０との間に生じる寄生容量も約１
／２０になる。従って、この寄生容量の減少により、配
線２０と力伝達ギヤ１０との間の静電引力も小さくなる
。 また、この場合、ステータ電極９とロータ電極８との間
のギャップは約１μｍのままであるから、発生する回転
力は第一の実施例に比べて小さくなることはない。
０と力伝達ギヤ１０との間のギャップはディンプル１５
の凹みの段差とＳｉ３Ｎ４膜６の厚みとの和である。こ
のギャップが大きくなると、ロータ電極８の発生する回
転力が小さくなるため、約１μｍ以上には設定できず、
このため力伝達ギヤと配線２０とのギャップも１μｍに
なる。一方、本実施例における図５では、エピタキシャ
ル層２１は２０μｍ程度の厚さに設定することができ、
これにより、配線２０と力伝達ギヤ１０との間隔は約２
０μｍに設定するため、第一の実施例の場合に比べ、配
線２０と力伝達ギヤ１０との間に生じる寄生容量も約１
／２０になる。従って、この寄生容量の減少により、配
線２０と力伝達ギヤ１０との間の静電引力も小さくなる
。 また、この場合、ステータ電極９とロータ電極８との間
のギャップは約１μｍのままであるから、発生する回転
力は第一の実施例に比べて小さくなることはない。
【００２２】次に、本実施例の作製プロセスを図６及び
図７に基づいて説明する。まず、図６において、単結晶
のＳｉ基板５（ｎ型）上に熱酸化膜であるＳｉＯ２ 膜
２２を形成する（ａ）。次に、ＳｉＯ２ 膜２２の配線
部分となる領域２３をフォトリソ、エッチングにより除
去し窓開けを行う（ｂ）。次に、ＳｉＯ２ 膜２２を除
去した部分に不純物の拡散された低抵抗の部分を形成し
、これにより配線２０の部分を作成する（ｃ）。次に、
表面のＳｉＯ２ 膜２２を全面除去する（ｄ）。次に、
Ｓｉ基板５上の全面に渡って厚さ２０μｍのｎ型のエピ
タキシャル層２１を成長させる（ｅ）。次に、図７にお
いて、エピタキシャル層２１を通過してＳｉ基板５の表
面に到達するように、イオン注入法や固相拡散法等を用
いて接続領域２４に不純物（Ｐ型）を拡散する（ａ）。 次に、ステータ電極９となる部分にイオン注入法や固相
拡散法により不純物を拡散する（ｂ）。これ以後のプロ
セスは、図３の（ｄ）以降と同じなので、ここでの説明
は省略する。
図７に基づいて説明する。まず、図６において、単結晶
のＳｉ基板５（ｎ型）上に熱酸化膜であるＳｉＯ２ 膜
２２を形成する（ａ）。次に、ＳｉＯ２ 膜２２の配線
部分となる領域２３をフォトリソ、エッチングにより除
去し窓開けを行う（ｂ）。次に、ＳｉＯ２ 膜２２を除
去した部分に不純物の拡散された低抵抗の部分を形成し
、これにより配線２０の部分を作成する（ｃ）。次に、
表面のＳｉＯ２ 膜２２を全面除去する（ｄ）。次に、
Ｓｉ基板５上の全面に渡って厚さ２０μｍのｎ型のエピ
タキシャル層２１を成長させる（ｅ）。次に、図７にお
いて、エピタキシャル層２１を通過してＳｉ基板５の表
面に到達するように、イオン注入法や固相拡散法等を用
いて接続領域２４に不純物（Ｐ型）を拡散する（ａ）。 次に、ステータ電極９となる部分にイオン注入法や固相
拡散法により不純物を拡散する（ｂ）。これ以後のプロ
セスは、図３の（ｄ）以降と同じなので、ここでの説明
は省略する。
【００２３】なお、上述したプロセスにおいて、不純物
の型（ｎ型、Ｐ型）は反対であってもよい。また、ステ
ータ電極９とＳｉ基板５又はエピタキシャル層２１との
間が逆バイアスとなるように、駆動電圧とＳｉ基板５と
の間の電位を決める。さらに、配線２０と図示しない外
部回路との間は、接続領域２４と同様の拡散領域を介し
て、エピタキシャル層２１の表面に取り出され、図示し
ないメタルのボンディングパッドを通して接続される。
の型（ｎ型、Ｐ型）は反対であってもよい。また、ステ
ータ電極９とＳｉ基板５又はエピタキシャル層２１との
間が逆バイアスとなるように、駆動電圧とＳｉ基板５と
の間の電位を決める。さらに、配線２０と図示しない外
部回路との間は、接続領域２４と同様の拡散領域を介し
て、エピタキシャル層２１の表面に取り出され、図示し
ないメタルのボンディングパッドを通して接続される。
【００２４】次に、本発明の第三の実施例を図８ないし
図１１に基づいて説明する。本実施例では、図８に示す
ように、ロータ８は、Ｓｉ基板５（ｎ型）中に形成され
る下側のステータ電極９と上側のステータ電極２５との
間に挾まれた形となって形成されている。この場合、下
側のステータ電極９及び上側のステータ電極２５の配線
は、下地のＳｉ基板５に不純物を高濃度にドーピングし
て低抵抗化して形成される。図１０は、図９における上
側のステータ電極２５の各電極φ１ 、φ２ 、φ３
と、下側のステータ電極９の各電極φａ 、φｂ 、φ
ｃ に電圧が印加された場合の様子を示すものである。 今、Ｔ１ の時間において、φ１ とφａ との間に電
圧が印加された場合、φ１ 、φａ 間の容量が大きく
なるように、ロータ電極８に静電引力が加わる。すなわ
ち、ロータ電極８がφ１ とφａ との間に入り込むよ
うな回転力が生じる（ロータ電極８は、低抵抗のｐｏｌ
ｙ−Ｓｉで構成されているため、ロータ電極８がφ１
とφａ との間に入れば両者間のギャップが小さくなる
、すなわち、容量が大きくなる）。以後、順次、φ２
とφｂ 、φ３ とφｃ との間に電圧を印加していけ
ば、ロータ電極８は回転を続ける。このように本実施例
では、φ１ とφａ （同様に、φ２ とφｂ 、φ３
とφｃ ）の間で構成されるコンデンサの電極面積は
、基板の上部から見た平面形状、すなわち、作製工程で
用いるマスクパターンにより決定されるため、設計の自
由度を高めることができる。また、従来例がロータ電極
８の端面に生じる静電引力を利用していたのに対して、
ここでは、静電引力の生じる電極面積をはるかに大きく
することができ、これにより発生する回転力を大きくと
ることができる。
図１１に基づいて説明する。本実施例では、図８に示す
ように、ロータ８は、Ｓｉ基板５（ｎ型）中に形成され
る下側のステータ電極９と上側のステータ電極２５との
間に挾まれた形となって形成されている。この場合、下
側のステータ電極９及び上側のステータ電極２５の配線
は、下地のＳｉ基板５に不純物を高濃度にドーピングし
て低抵抗化して形成される。図１０は、図９における上
側のステータ電極２５の各電極φ１ 、φ２ 、φ３
と、下側のステータ電極９の各電極φａ 、φｂ 、φ
ｃ に電圧が印加された場合の様子を示すものである。 今、Ｔ１ の時間において、φ１ とφａ との間に電
圧が印加された場合、φ１ 、φａ 間の容量が大きく
なるように、ロータ電極８に静電引力が加わる。すなわ
ち、ロータ電極８がφ１ とφａ との間に入り込むよ
うな回転力が生じる（ロータ電極８は、低抵抗のｐｏｌ
ｙ−Ｓｉで構成されているため、ロータ電極８がφ１
とφａ との間に入れば両者間のギャップが小さくなる
、すなわち、容量が大きくなる）。以後、順次、φ２
とφｂ 、φ３ とφｃ との間に電圧を印加していけ
ば、ロータ電極８は回転を続ける。このように本実施例
では、φ１ とφａ （同様に、φ２ とφｂ 、φ３
とφｃ ）の間で構成されるコンデンサの電極面積は
、基板の上部から見た平面形状、すなわち、作製工程で
用いるマスクパターンにより決定されるため、設計の自
由度を高めることができる。また、従来例がロータ電極
８の端面に生じる静電引力を利用していたのに対して、
ここでは、静電引力の生じる電極面積をはるかに大きく
することができ、これにより発生する回転力を大きくと
ることができる。
【００２５】また、本実施例においては、摩耗、摩擦の
問題にも対処させることができる。その理由を図１１図
に基づいて説明する。そこで、今、ロータ電極８と上側
のステータ電極２５との間に存在する容量をＣ１ とし
、ロータ電極８と下側のステータ電極９との間に存在す
る容量をＣ２ とする。また、ロータ電極８とステータ
電極９，２５とが重なる面積をＳとする（この場合、上
下のロータ電極８とステータ電極９，２５との重なる面
積は等しい）。
問題にも対処させることができる。その理由を図１１図
に基づいて説明する。そこで、今、ロータ電極８と上側
のステータ電極２５との間に存在する容量をＣ１ とし
、ロータ電極８と下側のステータ電極９との間に存在す
る容量をＣ２ とする。また、ロータ電極８とステータ
電極９，２５とが重なる面積をＳとする（この場合、上
下のロータ電極８とステータ電極９，２５との重なる面
積は等しい）。
【数１】
ただし、ε：空気の比誘電率、ε０ ：真空の誘電率、
ｄ１ ：ロータ電極と上側のステータ電極との間の距離
、ｄ２ ：ロータ電極と下側のステータ電極との間の距
離図１１（ｂ）は、Ｃ１ 、Ｃ２の接続を等価回路で示
したものである。これにより、電圧が印加される容量Ｃ
は、
ｄ１ ：ロータ電極と上側のステータ電極との間の距離
、ｄ２ ：ロータ電極と下側のステータ電極との間の距
離図１１（ｂ）は、Ｃ１ 、Ｃ２の接続を等価回路で示
したものである。これにより、電圧が印加される容量Ｃ
は、
【数２】
ｄ１ ＝Ｄ−ｄｒ−ｄ２Ｄ：上下のステータ電極間の距
離、ｄｒ：ロータ電極の厚みとなる。
離、ｄｒ：ロータ電極の厚みとなる。
【数３】
すなわち、Ｃは、ロータ電極８が上下のステータ電極９
，２５間のどこにあっても一定である。従って、ロータ
電極９が上側又は下側のステータ電極９，２５に静電引
力により引き寄せられ、くっついてしまうことはなく、
これにより従来に比べ摩耗、摩擦を一段と小さくするこ
とができる。
，２５間のどこにあっても一定である。従って、ロータ
電極９が上側又は下側のステータ電極９，２５に静電引
力により引き寄せられ、くっついてしまうことはなく、
これにより従来に比べ摩耗、摩擦を一段と小さくするこ
とができる。
【００２６】次に、本発明の第四の実施例を図１２及び
図１３に基づいて説明する。本実施例は、前述した第三
の実施例の簡易型の例を示すものである。すなわち、こ
こでは、上側の円盤状をしたステータ電極は配設せず、
図１３（ｂ）に示すような直流の負電圧を印加する電極
を配設する。一方、下側のステータ電極９には、φａ
、φｂ 、φｃ と順次電圧を印加することにより、ロ
ータ電極８は回転する。この場合、ロータ電極８が回転
してもロータ電極８と上側ステータ電極間の容量は変化
しないので、回転力に寄与する静電引力はロータ電極８
と下側ステータ電極９との間に生じるものだけとなり、
回転力は前述した第三の実施例の１／２となるが、しか
し、その回転力や摩耗、摩擦に対する優位性は変わらな
い。
図１３に基づいて説明する。本実施例は、前述した第三
の実施例の簡易型の例を示すものである。すなわち、こ
こでは、上側の円盤状をしたステータ電極は配設せず、
図１３（ｂ）に示すような直流の負電圧を印加する電極
を配設する。一方、下側のステータ電極９には、φａ
、φｂ 、φｃ と順次電圧を印加することにより、ロ
ータ電極８は回転する。この場合、ロータ電極８が回転
してもロータ電極８と上側ステータ電極間の容量は変化
しないので、回転力に寄与する静電引力はロータ電極８
と下側ステータ電極９との間に生じるものだけとなり、
回転力は前述した第三の実施例の１／２となるが、しか
し、その回転力や摩耗、摩擦に対する優位性は変わらな
い。
【００２７】次に、本発明の第五の実施例を図１４に基
づいて説明する。ここでは、ロータ電極８の長手方向Ｔ
の長さを上下に配設されたステータ電極９，２５の外周
端よりも長く形成したものである。このようにロータ電
極８は長く形成され、しかも、ステータ電極９，２５は
ロータ電極８の外側には配設されていないので、そのロ
ータ電極８の外周端に位置して力伝達ギヤ２６を配設す
ることができる。これにより、ロータ電極８と力伝達ギ
ヤ２６（中央部にはベアリング２７が設けられている）
とが直接噛み合うことができるため、回転力を実際に用
いる場所にまでその力を効率良く伝達することが可能と
なる。また、本実施例の場合にも、摩耗、摩擦に対して
従来例よりも有利となる。
づいて説明する。ここでは、ロータ電極８の長手方向Ｔ
の長さを上下に配設されたステータ電極９，２５の外周
端よりも長く形成したものである。このようにロータ電
極８は長く形成され、しかも、ステータ電極９，２５は
ロータ電極８の外側には配設されていないので、そのロ
ータ電極８の外周端に位置して力伝達ギヤ２６を配設す
ることができる。これにより、ロータ電極８と力伝達ギ
ヤ２６（中央部にはベアリング２７が設けられている）
とが直接噛み合うことができるため、回転力を実際に用
いる場所にまでその力を効率良く伝達することが可能と
なる。また、本実施例の場合にも、摩耗、摩擦に対して
従来例よりも有利となる。
【００２８】次に、本発明の第六の実施例を図１５ない
し図１９に基づいて説明する。ここでは、上下のステー
タ電極９，２５は、その配置が一対一に対向しておらず
、上側のステータ電極２５は下側のステータ電極９の２
つの極に股がって配置されている。図１６に示すように
、各ステータ電極９に電圧を印加すると、ロータ電極８
が回転する。その動作は図１７に示すようになる。ここ
では、回転体を展開して示している。まず、（ａ）に示
すように、φ１ を＋、φａ を−に電圧を印加すると
、ロータ電極８はφ１ 、φａ の中間の位置に引き寄
せられる。次に、（ｂ）に示すように、φ１ を＋、φ
ｂ を−にすると、ロータ電極８は、φ１ 、φｂ の
中間位置に移動する。以下、同様な動作を（ｃ）、（ｄ
）、（ｅ）について行うことによって、ロータ電極８は
回転する。
し図１９に基づいて説明する。ここでは、上下のステー
タ電極９，２５は、その配置が一対一に対向しておらず
、上側のステータ電極２５は下側のステータ電極９の２
つの極に股がって配置されている。図１６に示すように
、各ステータ電極９に電圧を印加すると、ロータ電極８
が回転する。その動作は図１７に示すようになる。ここ
では、回転体を展開して示している。まず、（ａ）に示
すように、φ１ を＋、φａ を−に電圧を印加すると
、ロータ電極８はφ１ 、φａ の中間の位置に引き寄
せられる。次に、（ｂ）に示すように、φ１ を＋、φ
ｂ を−にすると、ロータ電極８は、φ１ 、φｂ の
中間位置に移動する。以下、同様な動作を（ｃ）、（ｄ
）、（ｅ）について行うことによって、ロータ電極８は
回転する。
【００２９】ここで、本実施例の構成と前述した従来例
（図２１参照）との比較を行ってみる。その従来例の場
合、８個のロータ電極３（ステータ電極４とコンデンサ
を構成する）に対して各位相において、静電引力を生じ
ているのは２つにすぎない。これに対して、本実施例で
は、全てのロータ電極８が静電引力すなわち回転力の発
生に寄与している。また、ステータ電極９，２５につい
ても、従来例の場合が６個のうちの２個（１／３）しか
静電引力が生じていなかったのに対して、本実施例では
、８個のうちの４個（１／２）が回転力の発生に寄与し
ている。すなわち、本実施例では、ロータ電極８、ステ
ータ電極９，２５のコンデンサ電極の面積が大きいのみ
ならず、静電引力を生じる電極の数においても従来例よ
りも優れており、これにより回転力を一段と大きく取り
出すことが可能となる。さらに、図１７（ａ）に示すよ
うに、ロータ電極８の幅Ｗｒをステータ電極９，２５の
幅Ｗｓよりも少し大きくすることによって、ロータ電極
８が次に電圧を印加されるステータ電極９，２５（図１
７（ａ）ではφｂ ）に少し重なっているため、位相が
切り変わる（例えば、ａ→ｂ）際のトルクムラを少なく
することができる。
（図２１参照）との比較を行ってみる。その従来例の場
合、８個のロータ電極３（ステータ電極４とコンデンサ
を構成する）に対して各位相において、静電引力を生じ
ているのは２つにすぎない。これに対して、本実施例で
は、全てのロータ電極８が静電引力すなわち回転力の発
生に寄与している。また、ステータ電極９，２５につい
ても、従来例の場合が６個のうちの２個（１／３）しか
静電引力が生じていなかったのに対して、本実施例では
、８個のうちの４個（１／２）が回転力の発生に寄与し
ている。すなわち、本実施例では、ロータ電極８、ステ
ータ電極９，２５のコンデンサ電極の面積が大きいのみ
ならず、静電引力を生じる電極の数においても従来例よ
りも優れており、これにより回転力を一段と大きく取り
出すことが可能となる。さらに、図１７（ａ）に示すよ
うに、ロータ電極８の幅Ｗｒをステータ電極９，２５の
幅Ｗｓよりも少し大きくすることによって、ロータ電極
８が次に電圧を印加されるステータ電極９，２５（図１
７（ａ）ではφｂ ）に少し重なっているため、位相が
切り変わる（例えば、ａ→ｂ）際のトルクムラを少なく
することができる。
【００３０】次に、前述した第三の実施例ないし第六の
実施例に共通する構成の作製プロセスを図１８及び図１
９に基づいて説明する。まず、図１８において、単結晶
のＳｉ基板５の表面を熱酸化し、熱酸化膜（ＳｉＯ２）
２７を形成する（ａ）。次に、上下のステータ電極の配
線部分となる拡散領域２８をフォトリソ、エッチングに
より除去し窓開けを行う（ｂ）。次に、上側ステータ電
極用配線部となる拡散領域２８に固相拡散法等により不
純物としてボロンをドーピングする（ｃ）。次に、Ｓｉ
Ｏ２ ２７を除去し、ＬＰ−ＣＶＤ法等によりＳｉ３Ｎ
４膜６をデポジションする。その後、Ｓｉ３Ｎ４膜６の
フォトリソエッチングを行い、これによりコンタクトホ
ール３０を形成する（ｄ）。次に、ＬＴＯ３１をＬＰ−
ＣＶＤ法等によりデポジションする。その後、ブッシン
グを形成するために、ディンプル３２をフォトリソ、エ
ッチングにより形成する（ｅ）。次に、図１９において
、不純物をドーピングした低抵抗のｐｏｌｙ−Ｓｉ３３
を例えば２μｍ以上にデポジションする。その後、ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ３３をフォトリソ、ＲＩＥによりロータ電極
の形状に加工する（ａ）。次に、犠牲層となるＬＴＯ３
４をデポジションする。そして、上側ステータ電極のア
ンカー部３５をフォトリソ、エッチングにより形成した
後、上側ステータ電極とロータ電極との間の絶縁のため
に、ＬＴＯ３４上にＳｉ３Ｎ４膜３６をデポジションし
、フォトリソエッチングにより埋め込み配線へのコンタ
クトホールを開ける（ｂ）。次に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ３７
をデポジションした後、そのｐｏｌｙ−Ｓｉ３７とＳｉ
３Ｎ４膜３６とをＲＩＥにより上側ステータ電極の形状
に加工する（ｃ）。次に、犠牲層のＬＴＯ３１，３４を
バッファードフッ酸等のウェットエッチングにより除去
する。これにより、ロータ電極８と上側のステータ電極
２５とを作製することができる（ｄ）。なお、ここでは
、下側のステータ電極９の作製方法についての説明は省
略する。
実施例に共通する構成の作製プロセスを図１８及び図１
９に基づいて説明する。まず、図１８において、単結晶
のＳｉ基板５の表面を熱酸化し、熱酸化膜（ＳｉＯ２）
２７を形成する（ａ）。次に、上下のステータ電極の配
線部分となる拡散領域２８をフォトリソ、エッチングに
より除去し窓開けを行う（ｂ）。次に、上側ステータ電
極用配線部となる拡散領域２８に固相拡散法等により不
純物としてボロンをドーピングする（ｃ）。次に、Ｓｉ
Ｏ２ ２７を除去し、ＬＰ−ＣＶＤ法等によりＳｉ３Ｎ
４膜６をデポジションする。その後、Ｓｉ３Ｎ４膜６の
フォトリソエッチングを行い、これによりコンタクトホ
ール３０を形成する（ｄ）。次に、ＬＴＯ３１をＬＰ−
ＣＶＤ法等によりデポジションする。その後、ブッシン
グを形成するために、ディンプル３２をフォトリソ、エ
ッチングにより形成する（ｅ）。次に、図１９において
、不純物をドーピングした低抵抗のｐｏｌｙ−Ｓｉ３３
を例えば２μｍ以上にデポジションする。その後、ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ３３をフォトリソ、ＲＩＥによりロータ電極
の形状に加工する（ａ）。次に、犠牲層となるＬＴＯ３
４をデポジションする。そして、上側ステータ電極のア
ンカー部３５をフォトリソ、エッチングにより形成した
後、上側ステータ電極とロータ電極との間の絶縁のため
に、ＬＴＯ３４上にＳｉ３Ｎ４膜３６をデポジションし
、フォトリソエッチングにより埋め込み配線へのコンタ
クトホールを開ける（ｂ）。次に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ３７
をデポジションした後、そのｐｏｌｙ−Ｓｉ３７とＳｉ
３Ｎ４膜３６とをＲＩＥにより上側ステータ電極の形状
に加工する（ｃ）。次に、犠牲層のＬＴＯ３１，３４を
バッファードフッ酸等のウェットエッチングにより除去
する。これにより、ロータ電極８と上側のステータ電極
２５とを作製することができる（ｄ）。なお、ここでは
、下側のステータ電極９の作製方法についての説明は省
略する。
【００３１】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、ステータ電極と
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極の直下の基板中にステータ電極を形成したの
で、ステータ電極がロータ電極の直下に設けられている
ので、ロータ電極の周辺にそのロータ電極に生じる静電
引力による回転力を伝達するギヤを配設することができ
るものである。
ロータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モ
ータにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、この
ロータ電極の直下の基板中にステータ電極を形成したの
で、ステータ電極がロータ電極の直下に設けられている
ので、ロータ電極の周辺にそのロータ電極に生じる静電
引力による回転力を伝達するギヤを配設することができ
るものである。
【００３２】請求項２記載の発明は、ステータ電極とロ
ータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モー
タにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、このロ
ータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びそのロ
ータ電極の直下の基板中にそれぞれステータ電極を形成
したので、上下のステータ電極がロータ電極を挾むよう
に形成されているので、電極面積を大きくとることがで
き、これにより発生する回転力を一段と大きくとること
ができるものである。
ータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モー
タにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、このロ
ータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びそのロ
ータ電極の直下の基板中にそれぞれステータ電極を形成
したので、上下のステータ電極がロータ電極を挾むよう
に形成されているので、電極面積を大きくとることがで
き、これにより発生する回転力を一段と大きくとること
ができるものである。
【００３３】請求項３記載の発明は、ステータ電極とロ
ータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モー
タにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、このロ
ータ電極の直下の基板中にステータ電極を形成し、ロー
タ電極の長手方向の長さをステータ電極の外周端よりも
長く形成したので、請求項１記載の発明の効果に加え、
さらに、ロータ電極の外周がステータ電極の外周より外
側に出るように形成し、ステータ電極がロータ電極の外
側に存在しないため、ロータ電極の回転力を実際に使用
する場所まで伝達することができるものである。
ータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モー
タにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、このロ
ータ電極の直下の基板中にステータ電極を形成し、ロー
タ電極の長手方向の長さをステータ電極の外周端よりも
長く形成したので、請求項１記載の発明の効果に加え、
さらに、ロータ電極の外周がステータ電極の外周より外
側に出るように形成し、ステータ電極がロータ電極の外
側に存在しないため、ロータ電極の回転力を実際に使用
する場所まで伝達することができるものである。
【００３４】請求項４記載の発明は、ステータ電極とロ
ータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モー
タにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、このロ
ータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びそのロ
ータ電極の直下の基板中にステータ電極を形成し、ロー
タ電極の長手方向の長さをステータ電極の外周端よりも
長く形成したので、請求項２記載の発明の効果に加え、
さらに、ロータ電極の外周がステータ電極の外周より外
側に出るように形成し、ステータ電極がロータ電極の外
側に存在しないので、これによりロータ電極の回転力を
実際に使用する場所まで伝達することができるものであ
る。
ータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モー
タにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、このロ
ータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びそのロ
ータ電極の直下の基板中にステータ電極を形成し、ロー
タ電極の長手方向の長さをステータ電極の外周端よりも
長く形成したので、請求項２記載の発明の効果に加え、
さらに、ロータ電極の外周がステータ電極の外周より外
側に出るように形成し、ステータ電極がロータ電極の外
側に存在しないので、これによりロータ電極の回転力を
実際に使用する場所まで伝達することができるものであ
る。
【００３５】請求項５記載の発明は、ステータ電極とロ
ータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モー
タにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、このロ
ータ電極の直下の基板中にステータ電極を形成し、基板
上のロータ電極と噛み合う位置に力伝達ギヤを形成した
ので、請求項１記載の発明の効果に加え、さらに、力伝
達ギヤを配設したことにより、ロータ電極の回転力を効
率良く外部に伝達させることができるものである。
ータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モー
タにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、このロ
ータ電極の直下の基板中にステータ電極を形成し、基板
上のロータ電極と噛み合う位置に力伝達ギヤを形成した
ので、請求項１記載の発明の効果に加え、さらに、力伝
達ギヤを配設したことにより、ロータ電極の回転力を効
率良く外部に伝達させることができるものである。
【００３６】請求項６記載の発明は、ステータ電極とロ
ータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モー
タにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、このロ
ータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びそのロ
ータ電極の直下の基板中にステータ電極を形成し、基板
上のロータ電極と噛み合う位置に力伝達ギヤを形成した
ので、請求項２記載の発明の効果に加え、さらに、力伝
達ギヤを配設したことにより、ロータ電極の回転力を効
率良く外部に伝達させることができるものである。
ータ電極との間の静電引力により駆動力を得る静電モー
タにおいて、基板の表面にロータ電極を形成し、このロ
ータ電極を挾むようにそのロータ電極の上部及びそのロ
ータ電極の直下の基板中にステータ電極を形成し、基板
上のロータ電極と噛み合う位置に力伝達ギヤを形成した
ので、請求項２記載の発明の効果に加え、さらに、力伝
達ギヤを配設したことにより、ロータ電極の回転力を効
率良く外部に伝達させることができるものである。
【図１】本発明の第一の実施例を示す縦断側面図である
。
。
【図２】本発明の第一の実施例の平面図である。
【図３】本発明の第一の実施例の作製プロセスを示す工
程図である。
程図である。
【図４】本発明の第一の実施例の作製プロセスを示す工
程図である。
程図である。
【図５】本発明の第二の実施例を示す縦断側面図である
。
。
【図６】本発明の第二の実施例の作製プロセスを示す工
程図である。
程図である。
【図７】本発明の第二の実施例の作製プロセスを示す工
程図である。
程図である。
【図８】本発明の第三の実施例を示す縦断側面図である
。
。
【図９】本発明の第三の実施例を示す平面図である。
【図１０】本発明の第三の実施例における電極部に印加
される電圧波形の様子を示す波形図である。
される電圧波形の様子を示す波形図である。
【図１１】（ａ）は本発明の第三の実施例の構成におい
て作られる容量分布の様子を示す原理説明図、（ｂ）は
その容量分布の回路構成を示す回路図である。
て作られる容量分布の様子を示す原理説明図、（ｂ）は
その容量分布の回路構成を示す回路図である。
【図１２】本発明の第四の実施例を示す平面図である。
【図１３】本発明の第四の実施例における電極部に印加
される電圧波形の様子を示す波形図である。
される電圧波形の様子を示す波形図である。
【図１４】本発明の第五の実施例を示す平面図である。
【図１５】本発明の第六の実施例を示す平面図である。
【図１６】本発明の第六の実施例における電極部に印加
される電圧波形の様子を示す波形図である。
される電圧波形の様子を示す波形図である。
【図１７】本発明の第六の実施例における電極部を展開
した場合における印加電圧の制御方法を示す動作説明図
である。
した場合における印加電圧の制御方法を示す動作説明図
である。
【図１８】本発明の第三の実施例ないし第六の実施例ま
でにおける電極部の基本的な作製プロセスを示す工程図
である。
でにおける電極部の基本的な作製プロセスを示す工程図
である。
【図１９】本発明の第三の実施例ないし第六の実施例ま
でにおける電極部の基本的な作製プロセスを示す工程図
である。
でにおける電極部の基本的な作製プロセスを示す工程図
である。
【図２０】（ａ）は第一の従来例を示す平面図、（ｂ）
はその縦断側面図である。
はその縦断側面図である。
【図２１】（ａ）は第二の従来例を示す平面図、（ｂ）
はその電極部に印加される電圧波形の様子を示す波形図
である。
はその電極部に印加される電圧波形の様子を示す波形図
である。
５ 基板
８ ロータ電極
９ ステータ電極
１０ 力伝達ギヤ
２５ ステータ電極
２６ 力伝達ギヤ
Claims (6)
- 【請求項１】ステータ電極とロータ電極との間の静電引
力により駆動力を得る静電モータにおいて、基板の表面
に前記ロータ電極を形成し、このロータ電極の直下の前
記基板中に前記ステータ電極を形成したことを特徴とす
る静電モータ。 - 【請求項２】ステータ電極とロータ電極との間の静電引
力により駆動力を得る静電モータにおいて、基板の表面
にロータ電極を形成し、このロータ電極を挾むようにそ
のロータ電極の上部及びそのロータ電極の直下の前記基
板中に前記ステータ電極を形成したことを特徴とする静
電モータ。 - 【請求項３】ステータ電極とロータ電極との間の静電引
力により駆動力を得る静電モータにおいて、基板の表面
にロータ電極を形成し、このロータ電極の直下の前記基
板中に前記ステータ電極を形成し、前記ロータ電極の長
手方向の長さを前記ステータ電極の外周端よりも長く形
成したことを特徴とする静電モータ。 - 【請求項４】ステータ電極とロータ電極との間の静電引
力により駆動力を得る静電モータにおいて、基板の表面
にロータ電極を形成し、このロータ電極を挾むようにそ
のロータ電極の上部及びそのロータ電極の直下の前記基
板中に前記ステータ電極を形成し、前記ロータ電極の長
手方向の長さを前記ステータ電極の外周端よりも長く形
成したことを特徴とする静電モータ。 - 【請求項５】ステータ電極とロータ電極との間の静電引
力により駆動力を得る静電モータにおいて、基板の表面
にロータ電極を形成し、このロータ電極の直下の前記基
板中に前記ステータ電極を形成し、前記基板上の前記ロ
ータ電極と噛み合う位置に力伝達ギヤを形成したことを
特徴とする静電モータ。 - 【請求項６】ステータ電極とロータ電極との間の静電引
力により駆動力を得る静電モータにおいて、基板の表面
にロータ電極を形成し、このロータ電極を挾むようにそ
のロータ電極の上部及びそのロータ電極の直下の前記基
板中に前記ステータ電極を形成し、前記基板上の前記ロ
ータ電極と噛み合う位置に力伝達ギヤを形成したことを
特徴とする静電モータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41679590A JPH04251579A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 静電モータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41679590A JPH04251579A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 静電モータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04251579A true JPH04251579A (ja) | 1992-09-07 |
Family
ID=18524985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41679590A Pending JPH04251579A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 静電モータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04251579A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5493156A (en) * | 1991-09-05 | 1996-02-20 | Nec Corporation | Equipment using a micro-actuator |
| WO2007110928A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Fujitsu Limited | 可動素子 |
| JP2013503346A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-31 | アナログ ディヴァイスィズ インク | 電気容量を測定するためのシステム及び方法 |
| US8455928B2 (en) | 2006-07-19 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP41679590A patent/JPH04251579A/ja active Pending
Cited By (8)
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| US7602097B2 (en) | 2006-03-28 | 2009-10-13 | Fujitsu Limited | Movable device |
| JP5051123B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-10-17 | 富士通株式会社 | 可動素子 |
| US8455928B2 (en) | 2006-07-19 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof |
| US8759887B2 (en) | 2006-07-19 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof |
| JP2013503346A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-31 | アナログ ディヴァイスィズ インク | 電気容量を測定するためのシステム及び方法 |
| US8866499B2 (en) | 2009-08-27 | 2014-10-21 | Analog Devices, Inc. | System and method for measuring capacitance |
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