KR100273881B1 - 와이어본딩방법 - Google Patents

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KR100273881B1
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모또히사 모리
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가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

복수열 배열된 반도체 펠릿을 인식 카메라로 인식하여 와이어 본딩할때에 생기는 본딩 헤드의 리턴에 의한 로스 시간을 없애 생산성을 향상시킨다.
반도체 펠릿 (8)을 화상 인식하는 인식 카메라 (18, 19)를 와이어 본딩 헤드부의 본딩 툴 (17) 의 양사이드측에 각각 부착, 와이어 본딩 헤드부의 일방향의 이동 및 그와 역방향 이동의 양자에서, 반도체 펠릿의 와이어 본딩중에 다른 반도체 펠릿의 인식을 행한다.

Description

와이어 본딩 방법 {WIRE BONDING METHOD}
본 발명은 와이어 본딩 방법 및 그 장치에 관한 것이며, 특히 복수열로 이루어지는 후프 프레임의 와이어 본딩 및 그 장치에 관한 것이다.
종래의 와이어 본딩 방법 및 그 장치를 도 9, 도 10, 및 도 11을 사용하여 설명한다.
도 9 는 본딩 툴 (17) 및 전기 토치 (20)를 갖는 와이어 본딩 헤드부 (45) 에 있어서, 본딩 툴 (17) 의 한쪽에만 인식 카메라 (48)를 설치한 종래 기술을 나타내는 사시도이다.
도 10 은 소정 길이로 절단하지 않고 연속적으로 이송되어 오는 장척의 리드프레임 (이하, 후프 프레임이라고 한다) 의 아일랜드 (28) 에 다이 본딩 (마운트)된 반도체 칩 (8) 의 전극과 리드 (29) 의 본딩부를 본딩하는 모양을 나타내는 사시도이며, 본딩 툴 (17) 및 전기 토치 (20) 에 의해 어떤 반도체 칩 (8) 의 와이어 본딩을 행하고 있는 사이에, 즉 와이어 본딩과 동시에, 동일열에서 1개 선행하고 있는 반도체 칩 (8)을 인식 카메라 (48) 로 인식하고 있다.
도 11 은 와이어 본딩 헤드부 (45) 의 이동, 즉 본딩 툴 (17) 과 인식 카메라 (48) 의 이동을 나타내는 도면이며, (A) 는 평면도이고 (B) 는 측면도이다.
도 10 에 나타내는 본딩과 인식의 동시 수행을 순차적으로 행하면서, 와이어 본딩 헤드부 (45) 가 도 11(A) 의 최초열을 파선 (41) 으로 나타내는 우방향으로 간헐 이송을 한다.
최초의 열이 완료하고 와이어 본딩 헤드부가 우측에 위치하면, 도 11(A)에 실선 (42) 으로 나타내는 바와 같이, 도면에서 좌하방향으로 이동하여 2열째의 반도체 펠릿에 대하여 좌측으로부터 인식 및 와이어 본딩을 동시에 행하면서 파선 (41) 으로 나타내는 우방향으로 간헐 이송하고, 이를 복수열 (도면에서는 4열) 반복하고, 최종열의 우단의 반도체 칩 (8) 에 대한 본딩이 완료하면, 도 11(A) 에 실선 (43) 으로 나타내는 바와 같이 도면에서 좌상방향으로 이동하여 최초 위치로 복귀하고, 다음에 이송되어 오는 후프 프레임의 새로운 부분의 본딩을 행한다.
또 다른 종래 기술로는, 도 12 및 도 13 에 나타내는 와이어 본딩 방법 및 그 장치가 특개평 5-136195 호 공보에서 개시되어 있다. 도 12에서, 한쌍의 직사각형 프레임 공급부 (25,25)에서 직사각형 프레임이 한쌍씩 순차 공급되어, X-Y 테이블 (14) 에 설치된 와이어 본딩 헤드부 (55) 에 의해 와이어 본딩을 행한 후, 한쌍의 직사각형 프레임 수납부 (26, 26) 에 순차적으로 수납된다. 도 12 의 A 부를 확대한 도 13에 있어서, 이동 방향과 직각 방향으로 배열된 제 1 인식 카메라 (58) 와 제 2 인식 카메라 (59) 에 의해 복수열의 직사각형 프레임상의 반도체 펠릿 (8) 의 동시 인식을 행한 후, 와이어 본딩 헤드부가 최초열의 직사각형 프레임 (27) 상의 반도체 펠릿 (8) 상으로 이동하여 와이어 본딩을 행하고 와이어 본딩 완료 후, 다음 열의 직사각형 프레임 (27) 의 반도체 펠릿 (8) 상에 와이어 본딩 헤드부가 이동하여 와이어 본딩을 행하고 있다.
도 9 내지 도 11에 나타낸 종래 기술에서는 복수열로 이루어진 후프 프레임의 반도체 펠릿을 화상인식하는 인식 카메라가 본딩 헤드부의 본딩 툴에 대해 일방향으로만 부착되어 있기 때문에, 일정 방향의 와이어 본딩밖에 할 수 없다. 이 때문에 와이어 본딩 후의 본딩 헤드부가 매회 다음 열의 원점 위치까지의 리턴을 각 열마다 반복하여 행하므로, 장치 인덱스를 느리게 하는 문제점이 있다.
또한, 도 12 및 도 13 에 나타난 종래 기술에서는 복수개의 인식 카메라로 직사각형 프레임을 복수열 반송하여 반도체 펠릿을 복수개 동시 인식만을 행한후, 각 직사각형 프레임상의 반도체 펠릿을 와이어 본딩하고 있기 때문에, 와이어 본딩 헤드부의 이동 및 리턴량이 많아지고 장치 인덱스가 늦어지는 문제점이 있다.
도 1 은 본 발명의 실시형태에서 사용하는 다이 및 와이어 본딩 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태의 와이어 본딩부의 제어 회로를 나타내는 블록도이다.
도 3 은 본 발명이 대상으로 하는 후프 프레임을 나타내는 평면도이다.
도 4 는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 와이어 본딩 헤드부 및 그 근방을 나타내는 사시도이다.
도 5 는 본 발명의 제 1 실시형태의 와이어 본딩 헤드부의 이동을 나타내는 도면이며, (A) 는 평면도, (B) 는 측면도이다.
도 6 은 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 인식 카메라의 위치를 확대하여 나타내는 사시도이다.
도 7 은 본 발명의 제 2 실시형태의 와이어 본딩 헤드부의 이동을 나타내는 도면이며, (A) 는 평면도, (B) 는 측면도이다.
도 8 은 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 인식 카메라의 위치를 확대하여 나타내는 사시도이다.
도 9 는 종래 기술의 와이어 본딩 헤드부 및 그 근방을 나타내는 사시도이다.
도 10 은 종래 기술의 인식 카메라의 위치를 나타내는 사시도이다.
도 11 은 종래 기술의 와이어 본딩 헤드부의 이동을 나타내는 도면이며, (A) 는 평면도, (B) 는 측면도이다.
도 12 는 다른 종래 기술을 나타내는 평면도이다.
도 13 은 도 12 의 A 부를 확대하여 나타내는 평면도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: 다이 및 와이어 본딩 장치
2: 후프프레임
3: 후프 프레임 공급부
4: 다이 본딩부
5: D/B (다이 본딩) 반송부
6: 다이 본딩 헤드부
7: 웨이퍼 스테이지
8: 반도체 펠릿
9: D/B (다이 본딩) X-Y 테이블
10: 버퍼부
11: 와이어 본딩부
12: W/B (와이어 본딩) 반송부
13: 와이어 본딩 헤드부
14: W/B (와이어 본딩) X-Y 테이블
15: 모니터
16: 조작패널부
17: 본딩 툴
18: 제 1 인식 카메라
19: 제 2 인식 카메라
20: 전기 토치
21: 카메라콘트롤
22: 초음파 발진기
23: 전원부
24: 제어 회로부
25: 직사각형 프레임 공급부
26: 직사각형 프레임 수납부
27: 직사각형 프레임
28:아일랜드
29:리드부분
31, 31A, 32, 33, 33A, 34: 이동 방향
41,42,43: 이동 방향
45: 와이어 본딩 헤드부
48: 인식 카메라
58: 제 1 인식 카메라
59: 제 2 인식 카메라
본 발명의 특징은 후프 프레임상에 다이 본딩되어 일정 피치로 배열되고, 또한 이 배열이 복수열로 되어 있는 다수의 반도체 펠릿의 각각의 전극과 상기 리드 프레임의 리드를 배선하는 와이어 본딩 방법에 있어서, 반도체 펠릿을 화상 인식하는 인식 카메라를 와이어 본딩 헤드부의 본딩 툴의 이동 방향의 전방측 및 후방측에 각각 그 본딩 툴로부터 소정의 피치수만큼 이간한 위치에 부착하여, 상기 와이어 본딩 헤드부의 일방향의 이동 및 그와 역방향 이동의 양자에 있어서 반도체 펠릿의 와이어 본딩중에 다른 반도체 펠릿의 인식을 행하는 와이어 본딩 방법에 있다. 여기에서 상기 본딩 툴에 의해 와이어 본딩되어 있는 반도체 펠릿이 속하는 열과는 다른 열, 바람직하게는 다음 열의 반도체 펠릿을 상기 인식 카메라의 일방에서 인식하는 것이 가능하다.
다음에 본 발명에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1 은 본 발명의 실시형태에서 사용하는 다이 및 와이어 본딩 장치의 평면도, 도 2 는 본 발명의 실시형태의 와이어 본딩부의 제어 회로의 블록도이다.
먼저, 도 1 에 나타내는 다이 및 와이어 본딩 장치 (l) 에 있어서 후프 프레임 공급부 (3)에서 공급된 후프 프레임 (2) 은, 다이 본딩부 (4) 의 D/B (다이 본딩) 반송부 (5) 에 의해 피치 반송되면서 다이 본딩 헤드부 (6) 에 의해 웨이퍼 스테이지 (7) 상에 세트된 반도체 펠릿 (8)을 인식 카메라 (도시생략) 및 D/B X-Y 테이블 (9) 에 의해 위치결정한 후, 콜릿 (도시생략) 으로 흡착하여 후프 프레임 (2) 상에 다이 본딩 (마운트) 시킨다.
그리고, 피치 반송된 후프 프레임 (2) 은 버퍼 (10)을 통하여 와이어 본딩부 (11) 의 W/B (와이어 본딩) 반송부 (12) 에 의해 반송 피치 반송되어, 와이어 본딩 구역내로 반송되어 정지한다.
정지후, 프레임 클램퍼 (도시생략) 로 후프 프레임 (2)을 고정한 후, W/B X-Y 테이블 (14) 에 의해 위치 결정되는 와이어 본딩 헤드부 (13) 에 의해 와이어 본딩된다. 그리고 이들의 조작은 조작 패널부 (16)에서 행해지고, 각각이 모니터 (15) 로 감시된다.
다음에, 도 2를 참조하여 W/B 반송부 (12), 와이어 본딩 헤드부 (13) 및 W/B X-Y 테이블 (14) 은 각각 제어 회로부 (24) 와 전원부 (23) 에 접속하고, 각각의 동작을 모터 (M) 에 의해 행한다. 또, 제어 회로 (24) 에 접속한 초음파 발진기 (22) 에 의해 본딩시에 초음파를 가하고, 또 모니터 (15) 가 제어 회로부 (24) 에 접속하고 있다. 또한, 본 발명의 특징이 되는 제 1 및 제 2 인식 카메라 (18, 19) 가 각각 카메라 콘트롤 (21)을 통하여 제어 회로부 (24) 에 접속하고 있다.
도 3 은 본 발명이 대상으로 하는 후프 프레임 (2) 의 평면도이고, 반도체 펠릿을 다이 본딩 (마운트) 하는 아일랜드 (28) 과 반도체 펠릿의 전극과 와이어 본딩하는 복수의 리드 부분 (29) 으로 이루어지는 구역이 일정 피치로 도면에서 횡방향 (반송 방향) 으로 배열하여, 이 배열이 복수열 (이예에서는 4열) 로 형성되어 있다.
다음에, 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 제 1 실시형태를 설명한다.
도 4 는 제 1 실시형태에 있어서의 와이어 본딩 헤드부 및 그 근방을 나타내는 사시도이며, 본딩 툴 (17) 및 전기 토치 (20)를 가지는 와이어 본딩 헤드부(13) 의 이동 방향, 즉, 본딩 툴의 이동 방향의 전방측 및 후방측의 각각에 본딩툴로부터 이간하여 제 1 인식 카메라 (18) 및 게 2 인식 카메라 (19)를 부착하고 있다.
도 5 는 제 1 실시형태의 와이어 본딩 헤드부의 이동을 나타내는 도면이며, (A) 는 평면도,(B) 는 측면도이다. 또, 도 6 은 제 1 실시형태에 있어서의 인식 카메라의 위치를 확대하여 나타내는 사시도이다. 또한, 도면이 번잡해지는 것을 피하기 위해 이들 도면에서는 와이어 본딩후의 와이어 (배선) 의 도시를 생략하고 있다.
본딩 툴 (17) 의 좌우 제 1 및 제 2 인식 카메라 (18,19) 중, 도면에서 우측의 제 1 인식 카메라 (18) 에 의해 도 5 에 나타내는 바와 같이, 최초의 열을 파선 (31) 의 방향 (우방향) 으로 반도체 펠릿 (8) 의 인식 및 와이어 본딩을 동시에 행한다. 즉, 최초의 열이 있는 반도체 펠릿 (8) 의 와이어 본딩을 본딩 툴 (17) 과 전기 토치 (20) 에 의해 행하고 있을때에 그보다 앞선 반도체 펠릿 (8) 의 본딩 위치를 제 1 인식 카메라 (18) 로 인식한다. 그 데이터를 장치의 메모리에 격납하고 그 반도체 펠릿 (8) 의 와이어 본딩을 이 데이터를 사용하여 행한다. 실제는 와이어 본딩 시간보다 인식하는 시간이 짧으므로, 와이어 본딩하고 있는 시간에 포함되도록 인식하는 것을 본 명세서에서는 동시에 행한다고 칭한다. 또, 이 실시형태에서는 1개 전의 반도체 펠릿, 즉 같은 배열의 1 피치 전의 반도체 펠릿을 인식하고 있지만, 같은 배열의 수 피치전에 인식 카메라를 위치시켜, 수개전의 반도체 펠릿을 인식하도록 해도 된다.
최초의 열을 인식 및 와이어 본딩하면서 파선 (31) 의 방향 (우방향) 에 간헐 이송하여 우단에 위치한 후, 실선 (32) 에 나타내는 바와 같이 다음열 (도에서 아래열) 로 이동하고, 이번에는 좌측의 제 2 인식 카메라 (19) 에 의한 반도체 펠릿 (8) 의 인식과 본딩 툴 (17) 및 전기 토치에 의한 다음의 반도체 펠릿 (8) 의 와이어 본딩을 동시에 행하면서 파선 (33) 의 방향 (좌방향) 으로 간헐 이송하고, 좌단에 위치한 후, 실선 (32) 으로 나타내는 바와 같이 다음의 3열째로 이동하여 3 열째를 최초의 1열째와 동일하게 처리하고, 이상 복수열 반복 시행하고, 완료후 실선 (34) 의 방향으로 이동하여 원점 위치로 복귀하여 정지하고, 프레임 클램퍼 (도시생략) 의 고정을 해제하여 와이어 본딩 처리가 행해진 복수 피치분 만큼 후프 프레임 (2) 이 반송되어 다음 공정에 이송되고, 후프 프레임 (2) 의 다른 복수 피치분이 이 와이어 본딩 처리를 위해 이송되어 온다.
다음에 도 7 및 도 8을 참조하여 본 발명의 제 2 실시형태를 설명한다.
도 7 은 제 2 실시형태의 와이어 본딩 헤드부의 이동을 나타내는 도면이며, (A) 는 평면도, (B) 는 측면도이다. 또, 도 8 은 제 2 실시형태에서의 인식 카메라의 위치를 확대하여 나타내는 사시도이다. 또한, 도 7 및 도 8 에 있어서, 도 5 및 도 6 과 동일 혹은 유사한 부분은 같은 부호를 붙이고 있으므로 중복하는 설명은 생략한다. 또, 도 7 및 도 8 에서도 와이어 본딩 후의 와이어 (배선) 의 도시를 생략하고 있다.
본딩 툴 (17) 의 좌우의 제 1, 제 2 인식 카메라 (18,19) 중 도면에서 우측의 제 1 인식 카메라 (18) 에 의해 최초의 열을 파선 (31) 의 방향 (우방향) 으로 반도체 펠릿 (8) 의 인식 및 와이어 본딩을 동시에 행한다. 즉, 최초열이 있는 반도체 펠릿 (8) 의 와이어 본딩을 본딩 툴 (17) 과 전기 토치 (20) 에 의해 행하고 있을때에 그보다 앞선 반도체 펠릿 (8) 의 인식을 행하는 것은 제 1 실시형태와 동일하다. 그러나, 이 제 2 실시형태에서는 이때에 제 2 인식 카메라 (19) 가 일점쇄선 (31A) 으로 나타내는 바와 같이 다음의 열 (2열째) 상을 우방향으로 이동하고, 다음 일의 반도체 펠릿 (8) 의 인식도 상기 와이어 본딩과 동시에 행하여 그 데이터를 메모리 격납하여, 파선 (33) 으로 나타내는 바와 같이 좌방향으로 간헐 이송하면서 2열째를 와이어 본딩할 때에 이 데이터를 사용한다. 그리고 그 2열째의 와이어 본딩을 함과 동시에 3일째의 반도체 펠릿의 인식을 일점쇄선 (33A) 으로 나타내는 바와 같이 이동하는 제 2 인식 카메라 (19) 에 의해 행한다. 이렇게 다음의 열의 반도체 펠릿 (8) 의 인식만을 일점쇄선 (31A,33A) 으로 나타내는 바와 같이 와이어 본딩과 동시에 행해가고, 이상을 반복하여 이 구역의 와이어 본딩이 완료하면 제 1 실시형태와 동일하게 실선 (34) 으로 나타내는 바와 같이 원점위치로 복귀하여 정지한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 복수열로 이루어지는 후프 프레임상에 다이 본딩된 반도체 펠릿을 화상 인식하는 인식 카메라를 와이어 본딩 헤드부의 본딩 툴 좌우에 반도체 펠릿 위치에 대하여 소정의 피치수 이동시킨 위치에 부착하고, 복수열로 이루어지는 후프 프레임의 좌우에서의 반도체 펠릿의 인식 및 와이어 본딩을 동시에 행하는 기구로 하였기 때문에, 다음 열의 와이어 본딩 헤드의 이동이 최단 거리로 이동하고, 리턴 동작을 행하지 않기 때문에 장치의 인덱스가 빨라지고, 생산성이 향상하는 효과를 갖는다.

Claims (3)

  1. 장척의 리드 프레임상에 다이 본딩되어, 일정 피치로 배열되고, 또한 그 배열이 복수열로 되어 있는 다수의 반도체 펠릿의 각각의 전극과 상기 리드 프레임의 리드를 배선하는 와이어 본딩 방법에 있어서,
    반도체 펠릿을 화상인식하는 인식 카메라를 와이어 본딩 헤드부의 본딩 툴의 이동 방향의 전방측 및 후방측에 각각 그 본딩 툴로부터 소정의 피치수만큼 이간한 위치에 부착하여, 상기 와이어 본딩 헤드부의 일방향의 이동 및 그와 역방향 이동의 양자에서, 반도체 펠릿의 와이어 본딩중에 다른 반도체 펠릿의 인식을 행하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 본딩 툴에 의해 와이어 본딩되어 있는 반도체 펠릿이 속하는 열과는 다른 열의 반도체 펠릿을 상기 인식 카메라의 일방에서 인식하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 다른 열은 와이어 본딩되어 있는 반도체 펠릿이 속하는 열의 다음 열인 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
KR1019970027584A 1996-06-27 1997-06-26 와이어본딩방법 KR100273881B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH04372142A (ja) * 1991-06-21 1992-12-25 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンディング装置

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