KR100272951B1 - 전압인가회로 - Google Patents

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KR100272951B1 KR1019970052710A KR19970052710A KR100272951B1 KR 100272951 B1 KR100272951 B1 KR 100272951B1 KR 1019970052710 A KR1019970052710 A KR 1019970052710A KR 19970052710 A KR19970052710 A KR 19970052710A KR 100272951 B1 KR100272951 B1 KR 100272951B1
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Abstract

귀환형 전압공급원의 전압출력단자의 전압의 변동을 고속도로 정상전압치로 복귀시킬 수 있는 전압인가회로를 제공한다. 귀환형 전압공급원(10)의 전압출력단자(TO)에 전류공급회로(30)와 전류흡수회로(40)를 접속한다. 전류공급회로(30)는 전압출력단자(TO)의 정상전압보다 약간 낮은 전압(VL)을 발생하는 전압원(31)과, 캐소드가 전압출력단자에 접속된 제1의 다이오드(33)와, 캐소드가 전압원(31)에 접속된 제2의 다이오드(34)와, 전류출력단자가 이들 제1 및 제2의 다이오드의 애노드의 접촉점에 접속된 전류원(32)으로 구성하고, 전류흡인회로(40)는 전압출력단자 정상전압보다 약간 높은 전압(VH)을 출력하는 전압원(41)과, 애노드가 전압출력단자에 접속된 제3의 다이오드(43)와, 애노드가 전압원(41)에 접속된 제4의 다이오드(44)와, 전류출력단자가 이들 제3 및 제4의 다이오드의 캐소드의 접속점에 접속된 전류원(42)으로 구성한다.

Description

전압인가회로{CIRCUIT FOR VOLTAGE APPLYING}
본 발명은 귀환형 전압공급원을 구비한 전압인가회로에 관한 것으로, 특히, 동작이 반전하였을 때에 정상시의 전류보다 첨두치가 큰 동작전류가 흐르는 부하에 소정의 전압을 공급하기 위하여 사용하기 적당한 전압인가회로에 관한 것이다.
종래부터 사용되고 있는 귀환형 전압공급원의 일예의 개략의 구성을 도 3에 도시한다. 예시한 귀환형 전압공급원(10)은 비반전입력단자가 공통전위점(접지)에 접속되고, 반전입력단자에 전압원(18)으로부터 일정전압(Vin)이 부여되는 제1의 연산증폭기(11)와, 이 연산증폭기(11)로부터 출력되는 전압(V0)가 전류측정용 저항기(13)를 통하여 공급되는 전압출력단자(TO)와, 이 전압출력단자(TO)와 연산증폭기(11)의 반전입력단자간에 접속된 제2의 연산증폭기(12)를 포함하는 부귀환회로와, 저항기(13)와 병열로 접속된 스위칭소자(14)와, 동일한 저항기(13)와 병열로 접속된 위상보상용 콘덴서(15)에 의하여 구성되어 있다.
전압출력단자(TO)에 출력된 전압(V0)은 소정의 동작전압으로서 부하(25)에 공급됨과 동시에, 제2의 연산증폭기(12)를 통하여 제1의 연산증폭기(11)의 반전입력단자로 부(負)귀환된다. 연산증폭기(11)의 반전압력단자에 일정전압(Vin)을 공급하는 전압원(18)에는, 일반으로 DA(디지털-아날로그) 변환기가 사용되고, 이의 DA 변환기에 부여되는 디지털값에 의하여 연산증폭기(11)의 반전입력단자에 부여되는 일정의 전압치(Vin)을 임의의 전압으로 설정할 수 있도록 구성되어 있다.
이와 같은 구성의 귀환형 전압공급원(10)은 예를 들면 반도체 집적회로(이하, IC라 칭함)에 의하여 구성된 IC 메모리와 같은 각종의 반도체 디바이스를 시험하기 위한 반도체 디바이스 시험장치(일반으로 IC 테스터라 불리운다)에 있어서, 피시험 반도체 디바이스를 테스트할 때에, 피시험 반도체 디바이스에 소정의 동작전압을 부여하기 위한 전원으로서, 자주 사용되고 있다. 더욱, 도 3에 도시한 귀환형 전압공급원(10)은 피시험 반도체 디바이스에 흐르는 전류를 측정하는 전류측정회로에 있어서 피시험 반도체 디바이스에 소정의 동작전압을 부여하기 위한 전원으로서 사용되고 있으므로, 제1의 연산증폭기(11)와 전압출력단자(TO)와의 사이에 접속된 전류측정용 저항기(13)에 발생하는 전압을 취출하는 차동증폭기(21)와, 이 차동증폭기(21)로 검출한 전압치를 디지털치로 변환하는 AD(아날로그-디지털) 변환기(22)를 포함하는 전류측정수단(20)이 설치되어 있지만, 이는 단순히 일예를 나타내는 것 뿐이고, 용도에 따라 귀환형 전압공급원(10)의 회로구성이 변경 또는 변형된다는 것은 말할 것도 없다.
상기 구성의 귀환형 전압공급원(10)의 전압출력단자(TO)와 공통전위점 사이에 접속된 부하(25)가, 예를 들면, 상보형 MOS 구조의 반도체 집적회로(이하, CMOS형 IC라 칭함)인 경우에는, CMOS형 IC내의 능동소자(전계효과 트랜지스터)가 반전동작할 때마다, CMOS형 IC에 흐르는 전류(IL)은 도 4A에 도시하는 바와 같이 변화한다. 즉 반전동작을 하지 않는 정상상태에 있어서는 극단으로 작은 정상전류(△I)가 흐르고, 반전동작을 하면 매우 큰 동작전류(IP)가 흐르고, 반전동작이 종료하면, 다시 극단으로 작은 정상전류(△I)로 되돌아간다. 동작전류(IP)와 정상전류(△I)와의 비는 예를 들면 1000:1 정도의 큰 비율을 갖는다.
CMOS형 IC에 한정되지 않고, 부하(25)가 그의 동작을 반전하였을 때에 정상시의 전류보다 첨두치가 큰 동작전류가 흐르는 부하인 경우에는, 부하(25)에 흐르는 전류는 같은 도 4A에 도시하는 바와 같이 변화한다. 따라서, 귀환형 전압공급원(10)의 전압출력단자(TO)에 출력되는 전압(V0)은 도 4B에 도시하는 바와 같이 변화하고, 처음의 정상상태의 전압(Vin)로 될 때까지 상당한 시간을 필요로 한다.
근년, IC는 그의 동작속도의 고속화가 요구되고 있고, 고속화된 IC에서는 그의 반전동작이 고속이므로, 큰 동작전류(IP)가 흐르는 주기가 상당히 짧게 된다. 동작전류(IP)가 흐르는 주기가 짧게 되면, 극단으로 작은 정상전류(△I)가 흐르는 시간(기간)이 짧게 되고, 정상전류(△I)가 안정하지 않는 중에 다음의 큰 동작전류(IP)가 흐르는 사태가 발생한다. 따라서, 예를 들면 고속동작의 IC의 경우에는 정상전류(△I)가 안정하지 않는 중에 전류측정을 행하는 것으로 되므로 정상전류(△I)를 정확히 측정하는 것은 곤란하게 된다. 또, 정상전류(△I)를 측정하는 이외에도, 고속동작의 IC를 안정하게 동작시키기(신뢰성을 높이기) 위하여는 귀환형 전압공급원(10)의 전압출력인자(TO)에 출력되는 전압(VO)를 신속히 처음의 정상상태의 전압(Vin)에 복귀시킬 필요가 있다.
이 때문에, 도 3에 도시하는 전류측정회로에서는 전압출력단자(TO)와 공통전위점간에(따라서, 부하(25)와 병렬로) 바이패스콘덴서(16)를 접속하고, 이 바이패스콘덴서(16)에 상기 정상상태에서의 전압(VO)(따라서, 정상전압(Vin))를 충전하여 두고, 동시에 동작전류(IP)가 부하(25)에 흐를 때, 스위칭소자(14)를 온으로 하여 전류측정용 저항기(13)를 바이패스하고, 대전류를 흐르게 한 상태로 하고 동작전류(IP)가 흐른후, 스위칭소자(14)를 오프로 하여 정상전류(△I)를 측정하도록 하고 있다.
그러나, 동작전류(IP)가 부하(25)에 흐를 때에 스위칭소자(14)를 온으로 하고, 동작전류(IP)가 흐른후, 스위칭소자(14)를 오프로 함에는 스위칭소자(14)의 온/오프를 부하(25)에 흐르는 전류(IL)의 변화에 따라 실시안으로 행할 필요가 있고, 복잡한 제어를 필요로 하는 난점이 있다.
부하(25)에 전류(IL)가 흐를 때, 귀환형 전압공급원(10)의 전압출력단자(TO)의 전압(VO)의 변화(부하변동특성)는 전류(IL)의 값, 바이패스콘덴서(16)의 용량치, 및 귀환형 전압공급원(10)의 특성으로 결정된다. 고속의 부하변동특성을 얻기 위하여는 귀환형 전압공급원(10)의 주파수특성을 높이 하고, 응답을 빨리 할 필요가 있다. 한편, 귀환형 전압공급원(10)의 주파수특성을 높게 하기 위하여는 바이패스콘덴서(16)의 용량치를 적게 설정할 필요가 있다.
동작전류(IP)가 흘렀을 경우에, 초기전류는 바이패스콘덴서(16)로부터 부하(25)에 공급되지만, 바이패스콘덴서(16)의 용량치가 작으면 충전전하가 적기 때문에, 전압출력단자(TO)의 전압(VO)의 초기변화전압(△VO)는 크게 된다. 다만, 귀환형 전압공급원(10)의 주파수특성이 높기 때문에 전압(VO)가 변화하고 있는 시간(전압(VO)가 변화하기 시작한 후 처음의 정상전압(Vin)로 복귀하기 까지의 시간)은 비교적 짧다. 그러나, 바이패스콘덴서(16)의 용량치는 적게 하는 것만으로 귀환형 전압공급원(10)의 응답을 빨리하는데에는 한도가 있고, 어떤 정도의 속도로 동작하는 부하에 대한 전원으로서밖에는 사용할 수가 없다.
이에 대하여, 바이패스콘덴서(16)의 용량치를 크게 설정하면, 동작전류(IP)가 흘렀을 경우에, 전압출력단자(TO)의 전압(VO)의 초기변화전압(△VO)를 적게 할 수가 있다. 그러나, 귀환형 전압공급원(10)의 주파수특성이 낮아지므로, 귀환형 전압공급원(10)의 응답이 늦어지고, 전압(VO)가 변화하고 있는 시간은 길어진다. 따라서, 고속동작하는 부하에 대한 전원으로서 사용할 수가 없다.
본 발명의 목적은, 귀환형 전압공급원의 전압출력단자의 전압의 변동을 고속도로 정상전압치로 복귀시킬 수 있는 전압인가회로를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 전압인가회로의 한 실시예를 도시하는 회로접속도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 전압인가회로의 동작을 설명하기 위한 파형도이다.
도 3은 종래의 전류측정회로에 있어서 사용된 귀환형 전압공급원의 1 예를 도시하는 회로접속도이다.
도 4는 도 3의 귀환형 전압공급원의 동작을 설명하기 위한 파형도이다.
본 발명에 의하면, 귀환회로를 구비하고, 부하에 소정의 전압을 공급하기 위한 귀환형 전압공급원과, 상기 귀환형 전압공급원의 전압출력단자에 접속되고, 이 전압출력단자의 전압이 정상치보다 저하한 것을 검출하여 상기 전압출력단자에 전류를 유입하는 전류공급회로와, 상기 귀환형 전압공급원의 전압출력단자에 접속되고, 이 전압출력단자의 전압이 정상치보다 높게 된 것을 검출하여 상기 전압출력단자로부터 전류를 흡인하는 전류흡인회로를 구비하는 전압인가회로가 제공되어 상기 목적은 달성된다.
본 발명에 의한 전압인가회로의 바람직한 일 실시예에 있어서는, 상기 전류공급회로는 상기 귀환형 전압공급원의 전압출력단자에 출력되는 정상시의 전압치보다 약간 낮은 전압을 출력하는 전압원과, 이 전압원의 전압이 애노드에 부여되고, 캐소드가 상기 전압출력단자에 접속된 다이오드와, 이 다이오드의 애노드와 상기 전압원과의 접속점에 접속되어, 상기 전압출력단자의 전압이 상기 전압원의 전압보다 낮아진 시점에서 상기 다이오드를 통하여 상기 전압출력단자에 전류를 흘러넣는 전류원에 의하여 구성된다.
상기 전류공급회로는 더욱, 상기 전압원의 전압이 캐소드에 부여되고, 애노득드가 상기 다이오드의 애노드와 상기 전압원과의 접속점에 접속된 제2의 다이오드를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 전압인가회로의 바람직한 다른 실시예에 있어서는, 상기 전류흡인회로는, 상기 귀환형 전압공급원의 전압출력단자에 출력되는 정상시의 전압치보다 약간 높은 전압을 출력하는 전압원과, 이 전압원의 전압이 캐소드에 부여되고, 애노드가 상기 전압출력단자에 접속된 다이오드와, 이 다이오드의 캐소드와, 상기 전압원과의 접속점에 접속되어 상기 전압출력단자의 전압이 상기 전압원의 전압보다 높아진 시점에서 상기 다이오드를 통하여 상기 전압출력단자로부터 전류를 흡인하는 전류원에 의하여 구성된다.
상기 전류흡인회로는 더욱, 상기 전압원의 전압이 애노드에 부여되고, 캐소드가 상기 다이오드의 캐소드와 상기 전압원과의 접속점에 접속된 제2의 다이오드를 포함하는 것이 바람직하다.
특허청구의 범위 제1항에 기재된 전압인가회로에 의하면, 부하로 되는 IC에 첨두치가 큰 동작전류(IP)가 흘렀기 때문에, 전압출력단자의 전압이 저하방향으로 변화하면, 그 전압의 저하를 귀환형 전압공급원과는 별도로 설치한 전류공급회로가 검출하고, 전압출력단자에 전류를 공급한다. 이 전류의 공급에 의하여, 종래는 귀환형 전압공급원으로부터만 공급되고 있던 전류가, 본 발명에서는 전류공급회로로부터도 공급되어 보충되기 때문에, 전압출력단자의 전압의 초기변화치를 적게 억제할 수가 있고, 그 결과, 전압출력단자의 전압의 변화시간을 적게 할 수가 있다. 따라서, 부하가 고속동작의 IC일지라도, 본 발명에 의한 전압인가회로는 이 고속동작하는 부하에 대한 전원으로서 높은 신뢰성을 갖고 사용할 수가 있다.
특허청구의 범위 제1항에 기재된 전압인가회로에 있어서는, 더욱, 귀환형 전압공급원의 전압출력단자에 이 전압출력단자의 전압이 정상전압보다 상승하였을 경우에, 그 전압의 상승을 검지하여 전류를 흡인하는 전류흡인회로가 접속되어 있다. 이 때문에, 부하에 동작전류가 흐르고, 그 동작전류가 OFF로 되어 정상전류로 되돌아 갈 때에 전압출력단자의 전압에 오버슈트가 발생하더라도, 이 오버슈트는 전류흡인회로에 의하여 검출되고, 전압출력단자로부터 전류를 흡인한다. 이 전류의 흡인에 의하여 오버슈트가 제한되기 때문에, 전압출력단자의 전압은 조기에 정상전압으로 복귀하고, 오버슈트가 발생하더라도 전압출력단자의 전압의 변화시간을 적게 할 수가 있다.
본 발명에 의한 전압인가회로에 의하면, 귀환형 전압공급원의 전압출력단자에 접속되는 전류공급회로 및 전류흡인회로는 각각 전류원이기 때문에, 높은 임피던스를 갖고 있다. 이 때문에, 귀환형 전압공급원의 특성에는 하등 영향을 부여하지 않는다. 따라서, 종래의 각종의 회로구성의 귀환형 전압공급원이 그대로 사용될 수 있어, 즉, 종래의 귀환형 전압공급원의 회로구성을 하등 변경 또는 변형할 필요없이 사용할 수 있고, 또한, 본 발명을 적용하는 것만으로 귀환형 전압공급원의 특성을 향상시킬 수가 있다.
바람직한 실시예의 상세한 설명
이하, 본 발명에 의한 전압인가회로의 한 실시예에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명에 의한 전압인가회로의 1 실시예를 도시한다. 도 1에 있어서, 도 3과 대응하는 부분에는 동일부호를 붙여 표시하고, 필요가 없는 한 그들의 설명을 생략한다.
귀환형 전압공급원(10)으로서는 종래의 각종 회로구성의 것이 사용될 수 있으므로 구체적인 회로구성은 도시하지 않는다. 또한, 본 발명에 의한 전압인가회로를 반도체 디바이스에 흐르는 미소한 정상전류를 측정하는 전류측정회로에 있어서 전원으로서 사용하는 경우에는, 귀환형 전압공급원(10)으로서 도 3에 도시한 회로구성의 귀환형 전압공급원을 사용할 수가 있다. 다만 스위칭소자(14)를 설치할 필요는 없다.
본 발명의 한 실시예에 있어서는, 귀환형 전압공급원(10)의 전압출력단자(TO)에 전류공급회로(30)와 전류흡인회로(40)가 접속되어 있다. 전류공급회로(30)는 귀환형 전압공급원(10)의 전압출력단자(TO)의 정상상태에 있어서 전압(VO=Vin)보다 약간 낮은 전압(VL)을 발생하는 전압원(31)과, 이 전압원(31)의 전압(VL)이 애노드에 인가되고, 캐소드가 전압출력단자(TO)에 접속된 제1의 다이오드(33)와, 이 제1의 다이오드(33)의 애노드에 애노드가 접속되고, 캐소드전압원(31)에 접속된 제2의 다이오드(34)와, 전류출력단자가 제1의 다이오드(33)의 애노드와 제2의 다이오드(34)의 애노드와의 접속점에 접속된 제1의 전류원(32)에 의하여 구성되어 있다.
전류흡인회로(40)는, 귀환형 전압공급원(10)의 전압출력단자(TO)의 정상상태에 있어서 전압(VO=Vin)보다 약간 높은 전압(VH)를 출력하는 전압원(41)과, 이 전압원(41)의 전압(VH)가 캐소드에 부여되고, 애노드가 전압출력단자(TO)에 접속된 제3의 다이오드(43)와, 이 제3의 다이오드(43)의 캐소드에 캐소드가 접속되고, 애노드가 전압원(41)에 접속된 제3의 다이오드(44)와, 전류출력단자가 제3의 다이오드(43)의 캐소드와 제2의 다이오드(44)의 캐소드와의 접속점에 제2의 전류원(42)에 의하여 구성되어 있다.
전압출력단자(TO)의 전압이(VO=Vin)의 상태에 있는 정상상태에서는 전류공급회로(30)의 제2의 다이오드(34)와 전류흡인회로(40)의 제4의 다이오드(44)는 도 2C 및 도 2D에 도시하는 바와 같이 온의 상태로 계속 유지되어, 전류공급회로(30)의 제1의 다이오드(33)와 전류흡인회로(40)의 제3의 다이오드(43)는 오프의 상태로 유지된다. 따라서, 전류공급회로(30)의 제1의 전류원(32)으로부터 공급되는 전류 I1은 제2의 다이오드(34)와 전압원(31)을 통하여 공통전위점(COM)에 흐른다. 또, 전류흡인회로(40)의 제2의 전류원(42)으로 흡인하는 전류(I2)는 공통전위점(COM)으로부터 전압원(41)과 제4의 다이오드(44)를 통하여 전류원(42)에 흡인된다.
이 상태에서 예를 들면 부하(25)의 반전동작에 의하여 도 2A에 도시하는 바와 같이 부하(25)에 큰 동작전류(IP)가 흐르면(예를 들면, 부하(25)가 CMOS형 IC이고, 그의 능동소자인 전계효과 트랜지스터의 동작이 반전하여 큰 동작전류(IP)가 흐르면), 전압출력단자(TO)의 전압(VO)가 도 2B에 도시하는 바와 같이 저하한다. 전압출력단자(TO)의 전압(VO)가 전압원(31)의 전압(VL)보다 낮게 되면, 도 2C에 도시하는 바와 같이 전류공급회로(30)의 제2의 다이오드(34)는 오프로 되고, 대신 제1의 다이오드(33)가 온으로 되기 때문에, 제1의 전류원(32)으로부터 공급되는 전류(I1)가 전압출력단자(TO)에 주입된다.
전류공급회로(30)로부터 전압출력단자(TO)에 주입됨으로서 바이패스콘덴서(16)는 이 전류(I1)에 의하여 충전되고, 초기변화전압(△VO)는 전압(VL) 이하로는 저하하지 않도록 클램프된다. 그 결과, 전압출력단자(TO)의 초기변화전압(△VO)의 크기는 도 2B에 도시하는 바와 같이, 전압원(31)의 전압(VL)에 의하여 결정되는 적은 전압치로 억제된다. 초기변화전압(△VO)가 적은 전압치에 억제되기 때문에, 전압출력단자(TO)의 전압은 동작전류(IP)가 흐른후, 급속히 처음의 정상전압(VO=Vin)로 복귀하므로, 초기변화시점에서 극히 짧은 시간내에 정상치(VO=Vin)로 복귀하게 된다. 따라서, 본 발명에 의한 전압인가회로는, 부하(25)가 고속동작하는 IC일지라도, 이 부하에 대한 전원으로서 높은 신뢰성을 갖고 사용할 수 있다.
여기서, 전류공급회로(30)로부터 전압출력단자(TO)에 전류가 주입되는 것으로 인하여, 전압출력단자(TO)의 초기변화전압(△VO)의 크기를 적은 값으로 억제하고, 전압출력단자(TO)의 전압을 초기변화시점에서 극히 짧은 시간내에 정상치(VO=Vin)로 복귀시킬 수 있기 때문에, 바이패스콘덴서(16)의 용량치를 적게 하는 것이 가능하게 되고, 귀환형 전압공급원(10)의 주파수특성을 높이 할 수 있다라는 이점도 얻어진다.
한편, 부하(25)에 흐르는 동작전류(IP)가 종료한 시점에서 전류공급회로(30)로부터의 전류의 주입량이 크면, 전압출력단자(TO)의 전압이 도 2B에 파선으로 도시하는 바와 같이 과도적으로 상승하는 소위 오버슈트가 발생할 수도 있다. 이 실시예에서는 오버슈트가 발생하고, 이 오버슈트의 전압이 전류흡인회로(40)의 전압원(41)의 전압(VH)를 초과하면, 도 2D에 도시하는 바와 같이 전류흡인회로(40)의 제4의 다이오드(44)가 오프로 되고, 대신 제3의 다이오드(43)가 온으로 되어, 전류흡인회로(40)의 전류원(42)의 전압출력단자(TO)로부터 전류(I2)를 흡인한다. 이 전류의 흡인에 의하여 오버슈트의 전압은 정상전압(Vin)보다 약간 높은 전압원(41)의 전압(VH)에 클램프되기 때문에, 오버슈트전압은 전압원(41)의 전압(VH) 이상으로 상승하는 일은 없다. 그 결과, 전압출력단자(TO)의 전압은 급속히 처음의 정상전압(VO=Vin)로 복귀하기 때문에, 초기변화시점에서 극히 짧은 시간내에 정상치(VO=Vin)로 복귀하게 된다. 따라서, 본 발명에 의한 전압인가회로는 오버슈트가 발생하더라도 고속으로 전압출력단자(TO)의 전압을 처음의 정상전압(Vin)으로 되돌릴 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 전류공급회로(30) 및 전류흡인회로(40)를 종래의 각종의 귀환형 전압공급원에 부가하는 것만으로, 이 귀환형 전압공급원의 성능을 바꾸는 일없이, 고속동작하는 부하에 대응할 수 있는 특성이 향상된 전압인가회로를 구성할 수 있다라는 현저한 효과가 있다.
전류공급회로(30) 및 전류흡인회로(40)는, 동작전류(IP)가 흐르고 있는 기간이 종료한 후, 다이오드(33 및 43)이 신속히 오프의 상태로 제어되기 때문에, 귀환형 전압공급원의 전압출력단자측에 전류를 출력하는 것, 또는 전압출력단자측에서 전류를 흡인하는 일은 없다. 따라서, 양 회로의 전류원(32, 42) 및 전압원(31, 41)에는 고속응답성만이 요구되고, 낮은 노이즈특성, 높은 정확도의 전압안정도는 요구되지 않기 때문에, 회로구성을 간단화할 수 있고, 제조도 용이하고, 동시에 염가로 된다. 더욱, 전류공급회로(30) 및 전류흡인회로(40)는 실질적으로 전류원이므로 높은 임피던스를 갖고, 귀환형 전압공급원의 특성에는 전혀 영향을 부여하지 않는다. 따라서, 본 발명에 의한 전압인가회로는 제조가 용이하고, 동시에 염가로 된다라는 이점도 있다.
더구나, 본 발명에 의한 전압인가회로에 사용된 전류공급회로(30) 및 전류흡인회로(40)의 전류공급 및 흡인능력은 필요에 따라 높일 수 있기 때문에, 반전동작시에 흐르는 전류가 크게 변화하는 각종의 부하에 대처할 수가 있다. 또, 부하에 대전류를 공급하기 위하여 귀환형 전압공급원에 복수의 전압출력단자가 있는 경우에는, 이 전압출력단자의 수에 대응하여 전류공급회로(30) 및 전류흡인회로(40)의 수를 증가시키는 것만으로 충분하므로 각종의 귀환형 전압공급원에 대처할 수가 있다.
이리하여, 본 발명에 의한 전압인가회로는, 예를 들면 각종의 반도체 디바이스를 시험하기 위한 IC 테스터에 있어서 피시험 반도체 디바이스를 테스트할 때에, 피시험 반도체 디바이스에 소정의 동작전압을 부여하기 위한 안정한 전원으로서, 또, 피시험 반도체 디바이스에 흐르는 미소한 정상전류를 측정하는 전류측정회로에 있어서 피시험 반도체 디바이스에 소정의 동작전압을 부여하기 위한 안정한 전원으로서, 이들 반도체 디바이스가 고속동작하는 것일지라도, 어떠한 종류의 반도체 디바이스일지라도, 사용할 수 있다라는 현저한 이점이 있다.

Claims (9)

  1. 부하가 연결되는 전압 출력 단자를 가지는 전압 인가 회로에 있어서,
    A. 상기 전압 출력 단자에 접속되고 상기 전압 출력 단자에 소정 레벨의 출력 전압을 공급하는, 귀환 회로를 구비한 귀환형 전압공급원;
    B. 상기 전압 공급회로의 상기 전압 출력 단자에 접속하고 있으며,
    a, 제 1 전류원;
    b, 상기 출력 전압의 소정의 레벨보다 낮은 저 기준 전압을 발생하는 수단; 및
    c, 상기 전압 출력 단자의 상기 출력 전압이 일시적으로 상기 저 기준 전압아래로 감소 하였을 때 상기 제 1 전류원으로부터 상기 전압 출력 단자로 전류를 흐르게 하는 수단;
    을 포함하는 전류 공급 회로; 및
    C. 상기 전압 공급 회로의 상기 전압 출력 단자에 접속하고 있으며,
    a, 제 2 전류원;
    b, 상기 출력 전압의 소정 레벨보다 높은 고 기준 전압을 발생하는 수단; 및
    c, 상기 전압 출력 단자의 상기 출력 전압이 일시적으로 상기 고 기준 전압위로 증가 하였을 때 상기 전압 출력 단자로부터 상기 제 2 전류원으로 전류를 흐르게 하는 수단;
    을 포함하는 전류 흡인 회로를 포함하고 있으며,
    부하를 흐르는 부하 전류에서 일시적인 첨두 전류흐름 또는 오버슈트에 의해 야기되는 상기 전압 출력 단자에서 출력 전압의 불규칙한 증가나 감소를 신속히 억제하여 소정치로 복귀하는 것을 특징으로 하는 전압인가회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 공급회로의 저 기준 전압을 발생하는 상기 수단은, 상기 전압 공급 회로의 상기 전압 출력 단자에 인가되는 소정의 출력 전압보다 약간 낮은 저 기준 전압을 출력하는 제 1 전압원을 포함하고,
    상기 제 1 전류원으로부터 상기 전류 공급회로의 전압 출력 단자로 전류를 흐르게 하는 상기 수단은, 제 1 전압원에 접속된 애노드와 전압 출력단자에 접속된 캐소드를 가지는 제1다이오드를 포함하고;
    상기 제1전류원은, 제1다이오드의 애노드와 제1전압원 사이의 접속점에 접속되고, 전압 출력 단자에서 출력 전압이 일시적으로 제1전압원의 저 기준 전압 아래로 감소할 때 제1다이오드를 통하여 제1전류원으로부터 전압출력단자로 전류를 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 전압 인가 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 전류 공급회로는, 제1전압원에 접속된 캐소드와, 제1다이오드의 애노드와 제1전류원 사이의 접합점에 접속되는 애노드를 가진 제2다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 인가 회로.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 전류 흡인 회로의 고 기준 전압을 발생하는 상기 수단은, 상기 전압 공급 회로의 상기 전압 출력 단자에 인가되는 소정의 출력 전압보다 약간 높은 상기 고 기준 전압을 출력하는 제 2 전압원을 포함하고;
    상기 전압 출력 단자로부터 상기 전류 흡인회로의 상기 제2전류원으로 전류를 흐르게 하는 상기 수단은, 제 2 전압원에 접속된 캐소드와 전압 출력단자에 접속된 애노드를 가지는 제3다이오드를 포함하고;
    상기 제 2 전류원은 상기 제 3 다이오드의 캐소드와 제2전압원 사이의 접속점에 접속되고, 전압 출력 단자에서 출력 전압이 일시적으로 제 2 전압원의 상기 고 기준 전압 위로 증가할때 제3다이오드를 통하여 전압출력단자로부터 전류를 흡인하는 것을 특징으로 하는 전압 인가 회로.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전류 흡인회로는, 제 2 전압원에 접속된 애노드와, 제3다이오드의 캐소드와 제 2 전류원 사이의 접합점에 접속된 캐소드를 가진 제 4 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 인가 회로.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 부하는, 동작이 반전되었을 때 소정의 레벨의 출력 전압보다 첨두치가 큰 동작 전류가 흐르는 반도체 집적 회로인 것을 특징으로 하는 전압 인가 회로.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 부하는 CMOS 구조의 반도체 집적 회로인 것을 특징으로 하는 전압 인가 회로.
  8. A. 귀환 회로를 구비하고, 전압 출력 단자로부터 부하에 소정레벨의 출력전압을 인가하는 귀환형 전압 공급원;
    B. 상기 전압 공급원의 전압 출력 단자에 접속되고, 상기 전압 출력 단자의 출력 전압이 소정 레벨보다 약간 낮은 저 기준 전압아래로 일시적으로 감소하였을 때 상기 전압 출력 단자에 전류를 흐르게 하며,
    a. 저 기준 전압을 출력하는 제1 전압원,
    b. 상기 제1전압원에 결합된 애노드와 전압 출력단자에 결합된 캐소드를 가지는 제 1 다이오드, 및
    c. 상기 제 1 다이오드의 애노드와 제 1 전압원 사이의 접속점에 접속되고, 전압 출력 단자에서 출력 전압이 제 1 전압원의 저 기준 전압 아래로 일시적으로 감소할 때 제1전류원으로부터 전압출력단자로 전류를 흐르게 하는 제1전류원을 포함하는 전류 공급회로; 및
    C. 상기 전압 공급원의 전압 출력 단자에 접속되어 있고, 상기 전압 출력 단자의 출력 전압이 소정의 레벨보다 약간 높은 고 기준 전압위로 일시적으로 증가할 때 상기 전압 출력단자로부터 전류를 흡인하는 전류 흡인회로;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 인가 회로.
  9. A. 귀환 회로를 구비하고, 전압 출력 단자로부터 부하에 소정레벨의 출력전압을 인가하는 귀환형 전압 공급원;
    B. 상기 전압 공급원의 전압 출력 단자에 접속되고, 상기 전압 출력 단자의 출력 전압이 소정의 레벨보다 약간 낮은 저 기준 전압아래로 일시적으로 감소할 때 상기 전압 출력단자로 전류를 흐르게하는 전류 공급회로; 및
    C. 상기 전압 공급원의 전압출력단자에 접속되어 있고, 상기 전압 출력 단자의 출력 전압이 소정의 레벨보다 약간 높은 고 기준 전압위로 일시적으로 증가 하였을 때 상기 전압 출력 단자로부터 전류를 흡인하며,
    a. 상기 고 기준 전압을 출력하는 제1전압원,
    b. 상기 제1전압원에 접속된 캐소드와 상기 전압 출력단자에 접속된 애노드를 가지는 제 1 다이오드, 및
    c. 상기 제 1 다이오드의 캐소드와 제 1 전압원 사이의 접속점에 접속되고, 전압 출력 단자의 출력 전압이 일시적으로 제 1 전압원의 상기 고 기준 전압 위로 증가할 때 제 1 다이오드를 통하여 상기 전압 출력 단자로부터 제1전류원으로 전류를 흐르게 하는 제1전류원을 포함하는 전류흡인회로;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 인가 회로.
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