KR100269440B1 - 반도체 장치의 평가방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 장치의 확산층영역의 형상평가를 재현성이 좋게 행하기 위한 기술을 제공한다.
P형 실리콘 기판4과 N형 확산층영역6의 각각에 알루미늄전극5, 7을 접속한 뒤, P형 실리콘 기판4과 N형 확산층영역6의 단면을 각각 노출시킨다. 다음에, P형 실리콘 기판4에 접속된 알루미늄전극5과 백금전극1을 직류전원3a의 음극측에 공통으로 접속시켜서, N형 확산층영역6에 접속된 알루미늄전극7을 직류전원3a의 양극측에 접속시킨다. 다음에, 이 시료중 P형 실리콘 기판4과 N형 확산층영역6의 단면을 노출시킨 부분을 알코올과 불산의 혼합액2중에 담그고, 직류전원3a에 의해 임계전압 이상의 전압을 인가한다.
Description
본 발명은, 반도체 기판내에 형성된 확산층영역의 형상을 평가하는 기술에 관계되는 것이다.
디바이스의 한 구성요소인 확산층은, 트랜지스터의 특성에 큰 영향을 미치기 때문에, 그 이차원적, 또는 삼차원적인 구조를 아는 것은 중요하다. 확산층영역의 형상을 평가하는 기술의 예로서는, 벽개(劈開)한 시료에 질틀(sirtl)액(河東田隆 편저, 반도체평가기술, pp. 136,137, 산업도서, 1989)에 의한 전처리를 함으로써 현재화한 확산층을, 주사형 전자현미경법(SEM : Scanning Electron Microscopy)에 의해서 평가하는 방법이 있다. 이것은, 질틀액의 실리콘에 대한 에칭레이트가 실리콘중의 불순물 농도에 의존하여, 불순물 농도가 높아질수록 에칭되기 쉽다고 하는 성질을 이용한 것이며, 이 방법에 의하면, 불순물 농도가 1019atms/cm3레벨이상의 확산층영역을 현재화할 수 있다.
그러나 최첨단의 디바이스에서는, 전계완화를 위해 반도체 기판내에 저농도의 확산층영역을 형성하는 일이 많아지고 있고, 위에 말한 질틀액에 의한 전처리에서는 이러한 저농도의 확산층영역은 현재화되지 않기 때문에, 확산층영역의 형상평가를 정밀하게 행할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
또한 질틀액에 의한 전처리를 실행한 경우는, 층간 절연막으로서 일반적으로 사용되는 실리콘 산화막도 크게 에칭되어 버리고, 디바이스전체의 구조평가를 재현성이 좋게 행하는 일이 곤란하다고 하는 문제도 있었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제를 해소하기 위해서 이루어진 것으로, 반도체 기판내에 형성된 확산층영역의 형상평가를 재현성이 좋게 행할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관계되는 반도체 장치의 평가방법은, (a) N형의 제 1영역과 P형의 제 2영역을 가지는 반도체 장치를, 적어도 제 1영역을 노출시켜서 불산과 알코올의 혼합액에 담그는 공정과, (b) 제 2영역에 대한 고전위 또는 같은 전위의 혼합액에 대하여, 제 1영역을 고전위로 하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
바람직하기로는, 공정(a)에서는 제 2영역도 노출되면 좋다.
또한 바람직하기로는, 제 1영역은 반도체 기판, 제 2영역은 확산층영역이고, (c) 반도체 기판을 확산층영역과 혼합액과의 사이에서 박막화하는 공정을 더 구비하면 좋다.
또한, 본 발명에 관계되는 다른 반도체 장치의 평가방법은, (a) N형의 제 1영역과 P형의 제 2영역이 함께 나타나는 반도체 장치를 금속이온용액에 담그는 공정과, (b) 제 1영역에 대한 저전위 또는 같은 전위의 금속이온 용액에 대하여, 제 2영역을 저전위로 하는 공정을 구비하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시의 형태 1에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 실시의 형태 2에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 실시의 형태 2에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 실시의 형태 3에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명의 실시의 형태 3에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도.
도 7은 본 발명의 실시의 형태 4에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도.
도 8은 본 발명의 실시의 형태 4에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도.
도 9는 본 발명의 실시의 형태 5에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도.
도 10은 본 발명의 실시의 형태 6에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도.
도 11은 본 발명의 실시의 형태 6에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호설명
1 : 백금전극2 : 혼합에쳔트
3a∼3g : 직류전원4 : P형 실리콘 기판
5,7 : 알루미늄전극6 : N형 확산층영역
8 : 층간 절연막10 : N형 실리콘 기판
11 : P형 확산층영역9 : 박막화영역
12 : 금속이온용액
(실시의 형태 1)
먼저, 확산층영역을 현재화하는 원리를 설명한다.
불산과 알코올의 혼합액(이하 「r 혼합에쳔트」라고 표기한다)속에서 실리콘을 양극화하면, 다공성 실리콘의 형성반응 또는 실리콘의 전계연마 반응이 발생한다.
다공성 실리콘의 형성반응
·Si + 2F-+ 4HF + λh → H2SiF6+ H2+ (2 - λ) e
(λ < 2, h : 정공, e : 전자)
실리콘의 전계연마반응
·Si + 4OH-+ λh → Si (OH)4+ (4 - λ) e
(λ < 4, h : 정공, e : 전자)
·Si(OH)4→ SiO2+ 2H20
·SiO2+ 6HF → H2SiF6+ 2H2O
여기서, 다공성 실리콘의 형성반응 또는 실리콘의 전계연마반응의 어느 쪽이 발생할까는 실리콘을 양극화할 때에 인가하는 전압에 의존하며, 임계전압이 존재한다. 즉, 임계전압보다 높은 전압을 인가한 경우는 실리콘의 전계연마반응이 일어나고, 낮은 전압을 인가한 경우는 다공성 실리콘의 형성반응이 일어난다. 또, 이 임계전압은 실리콘의 불순물 농도에 의존하여, 불순물 농도가 낮을수록 임계전압은 높아진다.
예를 들면 P형 실리콘 기판내에 N형 확산층영역이 형성되어 있는 시료를 혼합에쳔트에 담가서, P형 실리콘 기판 및 혼합에쳔트에 비하여 N형 확산층영역이 고전위가 되도록, 임계전압이상의 직류전압을 인가한다. 그렇게 하면, N형 확산층영역은 양극으로서 기능하여 정공이 공급되기 때문에 전계연마되지만, P형 실리콘 기판은 양극으로서 기능하지 않고 전계연마되지 않는다. 따라서, 전계연마의 유무에 의해 N형 확산층영역을 현재화할 수 있다.
도1은 본 발명의 실시의 형태 1에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도이다. 먼저, P형 실리콘 기판4내에 N형 확산층영역6을 형성한 뒤, P형 실리콘 기판4상 및 N형 확산층영역6상에, 예를 들면 실리콘 산화막을 퇴적하여 층간 절연막8을 형성하여, 이것을 선택적으로 개구한다. 다음에, 알루미늄전극5, 7을 각각 P형 실리콘 기판4, N형 확산층영역6에 접속되도록 형성한다. 다음에 P형 실리콘 기판4과 N형 확산층영역6의 단면을 각각 노출시켜서 시료가 완성된다.
다음에, P형 실리콘 기판4에 접속된 알루미늄전극5과 혼합에쳔트(예를 들면 알코올과 불산의 혼합액을 사용할 수 있다)2중에 설치된 백금전극l을 직류전원3a의 음극측에 공통으로 접속시켜서, N형 확산층영역6에 접속된 알루미늄전극7을 직류전원3a의 양극측에 접속시킨다. 다음에, 이 시료중 P형 실리콘 기판4과 N형 확산층영역6의 단면을 노출시킨 부분을 혼합에쳔트2중에 담가서, 직류전원3a에 의해 임계전압 이상의 전압을 인가한다.
그렇게 하면, N형 확산층영역6은 양극으로서 기능하여 전계연마되는데 대해서, P형 실리콘 기판4내에 형성된 PN 접합이 직류전원3a에 의해서 역바이어스 되어 있기 때문에, P형 실리콘 기판4은 양극으로서 기능하지 않고 전계연마되지 않는다.
따라서, 전계연마의 유무에 의해 N형 확산층영역6이 현재화되어, 본처리를 행한 뒤의 시료의 단면을 SEM등에 의해서 관찰함으로써, N형 확산층영역6의 이차원적인 평가를 할 수 있다.
또, N형 확산층영역6에 임계전압이상의 고전압을 인가한 경우는, 저농도의 확산층영역이 현재화되기 때문에, 종래의 기술로서는 불가능하던 저농도 N형 확산층영역의 형상평가를 행할 수가 있다.
또한, 이 때 알코올이 완충제로서의 역할을 수행하기 때문에, 층간 절연막8과 불산과의 화학반응이 억제되고, 또한 절연물인 실리콘 산화막으로 이루어지는 층간 절연막8은 전해반응에 기여하지 않기 때문에, 층간 절연막8의 에칭량이 종래의 방법보다도 적고, 확산층영역의 형상평가를 하기가 좋다.
이상, P형 실리콘 기판4내에 N형 확산층영역6이 형성되어 있는 시료에 관해서 설명하였지만, 도2에 나타나는 바와 같이 N형 실리콘 기판10내에 P형 확산층영역11이 형성되어 있는 시료에 관해서도, 혼합에쳔트2 및 P형 확산층영역11에 대해서 N형 실리콘 기판10이 고전위가 되도록 직류전원3b을 접속하여, 단면을 노출시킨 시료에 관해서 전계연마반응을 일으키게 함으로써, P형 확산층영역11의 이차원적인 형상평가를 할 수 있다.
(실시의 형태 2)
실시의 형태 1에서는 단면을 노출시킨 시료에 대하여 이차원적인 형상평가를 하기 위한 방법을 나타냈지만, 더욱 적합한 평가를 하기 위해서 삼차원적인 형상평가를 행할 수도 있다.
도3은, 본 발명의 실시의 형태2에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도이다. 먼저, N형 실리콘 기판10내에 P형 확산층영역11을 형성한 뒤, N형 실리콘 기판10상 및 P형 확산층영역11상에, 예를 들면 실리콘 산화막을 퇴적해서 층간 절연막8을 형성하여, 이것을 선택적으로 개구한다. 다음에, 알루미늄전극5, 7을, 각각 N형 실리콘 기판10, P형 확산층영역11에 접속되도록 형성한다.
다음에, P형 확산층영역11의 바로 밑의 영역에 있는 N형 실리콘 기판10을 연마함으로써, N형 실리콘 기판10의 박막화영역9을 형성하여 시료가 완성된다. 또, 본 실시의 형태2에서는, P형 확산층영역11을 노출시킬 필요는 없다.
다음에, P형 확산층영역11에 접속된 알루미늄전극7과, 혼합에쳔트2중에 설치된 백금전극1을 직류전원3b의 음극측에 공통으로 접속시키고, N형 실리콘 기판10에 접속된 알루미늄전극5을 직류전원3b의 양극측에 접속시킨다. 다음에, 이 시료중 박막화영역9 및 P형 확산층영역11을 포함하는 N형 실리콘 기판10을 혼합에쳔트2중에 담가서, 직류전원3b에 의해 임계전압 이상의 전압을 인가한다.
도4는, 이 반응 후의 시료의 상태를 나타내는 단면도이다. 실시의 형태1과 마찬가지로, N형 실리콘 기판10은 양극으로서 기능하기 위해서 전계연마되지만, 더욱 전계연마가 진행하면 P형 확산층영역11이 삼차원적으로 노출된다. 한편, N형 실리콘 기판10과 P형 확산층영역11과의 접합면인 PN 접합이 직류전원3b에 의해서 역바이어스되어 있기 때문에, P형 확산층영역11은 양극으로서 기능하지 않고, 전계연마되지 않는다.
이 때, P형 확산층영역11이 형성되어 있는 영역의 바로 밑에 있는 N형 실리콘 기판10이 미리 박막화되어 있기 때문에, P형 확산층영역11의 주변에 있던 N형 실리콘 기판10이 전계연마되어 P형 확산층영역11이 노출되더라도, 알루미늄전극5의 바로 아래에 있는 N형 실리콘 기판10은 완전히는 전계연마되어 있지 않아, P형 확산층영역11이 완전히 노출할 때까지 계속해서 전압을 인가할 수 있다. 따라서, 본처리를 행한 뒤의 시료를 이면측으로부터 SEM, 원자간력 현미경법(AFM : Atomic Force Micr oscopy)등에 의해서 관찰함으로써, P형 확산층영역11의 삼차원적인 평가를 행할 수가 있다.
(실시의 형태 3)
먼저, 확산층영역을 현재화하는 또 하나의 원리를 설명한다. 금속이온(예를 들면 동이온)용액속에서 실리콘을 음극으로서 기능시키면, 이것에 전자가 공급되어 실리콘의 표면에 금속(예를 들면 동)이 석출된다.
·Cu2++ 2e → Cu
(e : 전자)
예를 들면, P형 실리콘 기판내에 N형 확산층영역이 형성되어 있는 시료에 대하여, P형 실리콘 기판의 전위가 금속이온용액 및 N형 확산층영역의 전위보다도 낮게 되도록 전압을 인가하여 이것을 금속이온 용액중에 담그면, P형 실리콘 기판은 음극으로서 기능하기 때문에 표면에 금속이 석출되지만, N형 확산층영역은 음극으로서 기능하지 않고, 금속은 석출되지 않는다. 따라서, 금속의 석출의 유무에 의해 N형 확산층영역을 현재화할 수 있다.
도 5는, 본 발명의 실시의 형태 3에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도이다. 먼저, P형 실리콘 기판4내에 N형 확산층영역6을 형성한 뒤, P형 실리콘 기판4상 및 N형 확산층영역6상에, 예를 들면 실리콘 산화막을 퇴적하여 층간절연막8을 형성하고, 이것을 선택적으로 개구한다. 다음에, 알루미늄전극5, 7을, 각각 P형 실리콘 기판4, N형 확산층영역6에 접속되도록 형성하여, P형 실리콘 기판4과 N형 확산층영역6의 단면을 각각 노출시켜서 시료가 완성된다.
다음에, P형 실리콘 기판4에 접속된 알루미늄전극5을 직류전원3c의 음극측에 접속시켜서, N형 확산층영역6에 접속된 알루미늄전극7과 금속이온용액(예를 들면 유산동수용액, 초산동수용액)12중에 설치된 백금전극1을 직류전원3c의 양극측에 공통으로 접속시킨다. 다음에, 이 시료중의 P형 실리콘 기판4과 N형 확산층영역6의 단면을 노출시킨 부분을 금속이온용액12중에 담가서, 직류전원3c에 의해 전압을 인가한다.
그렇게 하면, P형 실리콘 기판4은 음극으로서 기능하기 때문에 표면에 금속이 석출하는데 대하여, P형 실리콘 기판4과 N형 확산층영역6의 접합면인 PN 접합이 직류전원3c에 의해서 역바이어스 되고 있기 때문에, N형 확산층영역6은 음극으로서 기능하지 않고, 표면에 금속은 석출되지 않는다. 따라서, 본 처리를 한 후의 시료의 단면을 SEM 또는 반사형전자현미경법(REM : Reflection Electron Microscopy)등에 의해서 관찰하면, 실리콘과 금속과의 콘트라스트의 차에 의해, N형 확산층영역6의 이차원적인 형상평가를 행할 수가 있다.
또, 실리콘과 금속과의 콘트라스트의 차는 원자 번호의 차이에 의한 것으로, 예를 들면 금속이 동인 경우는 원자 번호가 큰 동의 쪽이 밝게 관찰된다. 또한, 오제(Auger)전자분광법, X선 마이크로 아나리시스(micro analysis)등의 분석장치로 실리콘과 동을 맵핑하더라도, 확산층의 이차원적인 평가를 행할 수가 있다.
이상, P형 실리콘 기판4내에 N형 확산층영역6이 형성되어 있는 시료에 관해서 설명하였지만, 도6에 도시한 바와 같이 N형 실리콘 기판10내에 P형 확산층영역11이 형성되어 있는 시료에 관해서도, P형 확산층영역11의 전위가 N형 실리콘 기판10 및 금속이온용액12의 전위보다도 낮아지도록 직류전원3e을 접속하여, 단면을 노출시킨 시료에 관해서 금속의 석출반응을 일으키게 함으로써, P학원확산층영역11의 이차원적인 형상평가를 할 수 있다.
(실시의 형태 4)
실시의 형태 1에서는 P형 실리콘 기판4과 혼합에쳔트2를 같은 전위로 하고 있기 때문에, P형 실리콘 기판4이 불산에 의해서 약간 에칭될 수 있으나, 확산층영역의 형상평가를 재현성이 좋게 행하기 위해서는, P형 실리콘 기판4의 에칭을 완전히 막는 것이 바람직하다.
도7은, 본 발명의 실시의 형태4에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도이다. 도7에 도시한 바와 같이, 혼합에쳔트2중에 설치된 백금전극1과 P형 실리콘 기판4과의 사이에, 백금전극1의 전위 즉 혼합에쳔트2의 전위가 P형 실리콘 기판4의 전위보다도 높아지도록 직류전원3d을 삽입하여, P형 실리콘 기판4을 음극으로서 기능시킴으로써, P형 실리콘 기판4이 불산에 의해서 에칭되는 것을 완전히 막을 수 있다.
따라서, 예를 들면 P형 실리콘 기판4과 N형 확산층영역6과의 접합면인 PN 접합에서, 리이크전류가 생긴 경우라도 직류전원3a이 P형 실리콘 기판4을 양극으로서 기능시켜서, P형 실리콘 기판4이 전계연마되는 것을 완전히 막을 수 있고, N형 확산층영역6의 이차원적인 형상평가를 더욱 정밀하게 행할 수 있다.
이상, P형 실리콘 기판4내에 N형 확산층영역6이 형성되어 있는 시료에 관해서 설명하였지만, 도8에 도시한 바와 같이, N형 실리콘 기판10내에 P형 확산층영역11이 형성되어 있는 시료에 관해서도, P형 확산층영역11 및 N형 실리콘 기판10을 혼합에쳔트2에 대하여 각각 저전위, 고전위가 되도록 직류전원3e, 3b를 접속하여, 단면을 노출시킨 시료에 관해서 전계연마반응을 일으키게 함으로써, P형 확산층영역11의 이차원적인 형상평가를 정밀하게 행할 수 있다.
(실시의 형태 5)
실시의 형태 2에서는 P형 확산층영역11과 혼합에쳔트2를 같은 전위로 했었기 때문에, P형 확산층영역11이 불산에 의해서 약간 에칭될 수 있으나, 확산층영역의 형상평가를 재현성이 좋게 행하기 위해서는, P형 확산층영역11의 에칭을 완전히 막는 것이 바람직하다.
도 9는, 본 발명의 실시의 형태 5에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도이다. 도9에 도시한 바와 같이, 혼합에쳔트2중에 설치된 백금전극1과 P형 확산층영역11과의 사이에 백금전극1의 전위, 즉 혼합에쳔트2의 전위가 P형 확산층영역11의 전위보다도 높아지도록 직류전원3e를 삽입하여, P형 확산층영역11을 음극으로서 기능시킴으로써, P형 확산층영역11이 불산에 의해서 에칭되는 것을 완전히 막을 수 있다.
따라서, 예를 들면 N형 실리콘 기판10과 P형 확산층영역11과의 접합면인 PN 접합에서 리이크전류가 생긴 경우라도, 직류전원3b이 P형 확산층영역11을 양극으로서 기능시켜서 P형 확산층영역11이 전계연마되는 것을 완전히 막을 수 있고, P형 확산층영역11의 삼차원적인 형상평가를 더욱 정밀하게 행할 수 있다.
(실시의 형태 6)
실시의 형태 3에서는 N형 확산층영역6과 금속이온용액12을 같은 전위로 하고 있었기 때문에, N형 확산층영역6의 표면에 약간의 금속이 석출되었으나, 확산층영역의 형상평가를 재현성이 좋게 행하기 위해서는, N형 확산층영역6의 표면에서의 금속의 석출을 완전히 막는 것이 바람직하다.
도10은, 본 발명의 실시의 형태6에 관계되는 반도체 장치의 평가방법을 나타내는 단면도이다. 도10에 도시한 바와 같이, 금속이온용액12중에 설치된 백금전극1과 N형 확산층영역6과의 사이에, N형 확산층영역6의 전위가 백금전극1의 전위, 즉 금속이온용액12의 전위보다도 높아지도록 직류전원3f을 삽입하여, N형 확산피부영역6을 양극으로서 기능시킴으로써, N형 확산층영역6의 표면에 금속이 석출되는 것을 완전히 막을 수 있다.
따라서, 예를 들면 P형 실리콘 기판4과 N형 확산층영역6과의 접합면인 PN 접합의 접합면에서 리이크전류가 생긴 경우라도, 직류전원3c이 N형 확산층영역6을 음극으로서 기능시켜서, N형 확산층영역6의 표면에 금속이 석출되는 것을 완전히 막을 수 있고, N형 확산층영역6의 이차원적인 형상평가를 더욱 정밀하게 행할 수 있다.
이상, P형 실리콘 기판4내에 N형 확산층영역6이 형성되어 있는 시료에 관해서 설명하였지만, 도11에 도시한 바와 같이, N형 실리콘 기판10내에 P형 확산층영역11이 형성되어 있는 시료에 관해서도, P형 확산층영역11 및 N형 실리콘 기판10을 금속이온용액12에 대해서 각각 저전위, 고전위가 되도록 직류전원 3e, 3g을 접속하여, 단면을 노출시킨 시료에 관해서 금속의 석출반응을 일으키게 함으로써, P형 확산층영역11의 이차원적인 형상평가를 더욱 정밀하게 행할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명처럼 확산층영역을 현재화하기 위한 수단으로서 전기화학반응을 사용하는 것에 의해, 확산층영역의 불순물 농도가 저농도라도 그 형상평가를 정밀하게 행할 수가 있다.
청구항1에 관계되는 본 발명에 의하면, 제 1영역은 양극으로서 기능하며, 또한 적어도 제 1영역은 노출되어 있기 때문에 불산에 의해 전계연마된다. 한편, 반도체 장치에서 제 1영역과 제 2영역이 이루는 PN 접합이 역바이어스 되기 때문에, 제 2영역은 양극으로서 기능하지 않고 전계연마되지 않는다. 따라서, 전계연마의 유무를 관찰함에 의해, 제 1영역과 제 2영역과의 경계에 관해서의 형상평가를 행할 수가 있다.
더구나, 전위차를 상승시킴에 의해 저농도의 확산층영역이 전계연마되어, 종래 불가능하던 저농도 확산층영역의 형상평가도 행할 수 있다.
청구항2에 관계되는 본 발명에 의하면, 함께 노정된 제 1영역 및 제 2영역 중에서 제 1영역만이 양극으로서 기능하여 전계연마된다. 따라서, 전계연마의 유무를 관찰함에 의해, 제 1영역과 제 2영역과의 경계에 관해서의 이차원적인 형상평가를 행할 수가 있다.
청구항3에 관계되는 본 발명에 의하면, 양극으로서 기능하는 반도체 기판만이 전계연마되어, 이 때, 확산층영역의 바로 아래에 있는 반도체 기판이 미리 박막화되어 있기 때문에, 확산층영역이 완전히 노출할 때까지 전계연마를 실행할 수 있다. 따라서, 확산층영역이 완전히 노출한 뒤의 구조를 관찰함에 의해, 확산층영역의 삼차원적인 형상평가를 행할 수 있다.
청구항 4에 관계되는 본 발명에 의하면, 반도체 장치에서 제 1영역과 제 2영역이 이루는 PN 접합이 역바이어스 되기 때문에, 함께 노정된 제 1 및 제 2영역 중의 제 2영역만이 음극으로서 기능하여, 그 표면에 금속이 석출한다. 따라서, 금속의 석출의 유무를 관찰함에 의해, 제 1영역과 제 2영역의 경계에 관해서의 이차원적인 형상평가를 할 수가 있다.
Claims (4)
- (a) N형의 제 1영역과 P형의 제 2영역을 가지는 반도체 장치를, 적어도 상기 제 1영역을 노출시켜서 불산과 알코올의 혼합액에 담그는 공정과,(b) 상기 제 2영역에 대하여 고전위 또는 동전위의 상기 혼합액에 대하여, 상기 제 1영역을 고전위로 하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 평가방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정(a)에서는 상기 제 2영역도 노출시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 평가방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1영역은 반도체 기판, 상기 제 2영역은 확산층영역이고,(c) 상기 반도체 기판을 상기 확산층영역과 상기 혼합액과의 사이에서 박막화하는 공정을 더 구비하는 반도체 장치의 평가방법.
- (a) N형의 제 1영역과 P형의 제 2영역이 동시에 노출되는 반도체 장치를 금속이온용액에 담그는 공정과,(b) 상기 제 1영역에 대하여 저전위인 상기 금속이온 용액에 대해서, 상기 제 2영역을 저전위 또는 동전위로 하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 평가방법.
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