KR100223156B1 - 접착상태 검사용 테스트범프와 테스트패드 - Google Patents

Abstract

일반적으로 반도체IC를 액정표시장치의 유리기판 위에 직접 실장시키는 COG(Chip On Glass)방식에서 중요한 것은 상기 반도체IC의 각 출력전극과 상기 유리기판 위의 패드 사이가 전기적으로 양호한 접속을 이루어야 한다는 것이다. 그런데, 상기 출력전극과 상기 패드 사이의 전기적인 접속이 양호하기 위해서는 이방성 도전필름(ACF:Anisotropic Conductive Film)과 같은 접착수단에 의해 접착된 상기 출력전극과 상기 패드 사이의 접착도가 충분히 높아야 한다는 것이다. 그래서, 상기 접착수단에 의해 상기 출력전극과 상기 패드 사이를 접착시킬 때, 상기 출력전극과 상기 패드 사이의 접착부위를 검사해야 하는데, 상기 검사를 위해 종래에는 출력전극과 접착되는 부분의 패드를 ITO와 같은 투명전극으로 사용했었다. 그러나, 상기 투명전극은 저항이 높아 상기 출력전극과 상기 패드 사이의 전기적인 특성이 좋지 못했다.

본 발명은 상기 반도체IC에 상기 출력전극과 별도의 더미전극을 형성하는 방법 또는, 상기 출력전극에 형성하는 범프 이외의 더미범프를 형성하는 것을 포함한다. 그래서, 상기 반도체IC와 상기 유리기판을 접착시킬 때, 상기 더미전극과 상기 유리기판 사이 또는, 상기 더미범프와 상기 유리기판 사이의 접착상태를 검사함으로써 상기 패드를 투명전극으로 사용하지 않고도 상기 유리기판의 접착상태를 관찰할 수 있는 접착방법과 상기 더미전극이 있는 반도체IC 또는, 상기 더미범프가 형성된 반도체IC의 구조에 관한 것이다.

Description

접착상태 검사용 테스트 범프와 테스트 패드를 포함하는 반도체 장치 및 그 실장방법.

본 발명은 COG(Chip On Glass)방식으로 IC칩과 기판을 직접 접착시킬 때, IC의 전극과 기판 사이의 접착상태를 검사하는 것에 관한 것이다. 특히 IC의 전극을 형성할 때, 동시에 IC의 전기적신호와 상관없는 위치에 여분의 더미전극을 형성함으로써 상기 기판과 상기 IC를 합착시키면서 상기 IC의 전극과 기판과의 접착상태를 검사할 때, 상기 여분의 더미전극을 관찰함으로써 용이하게 접착상태를 검사하도록 하는 것에 목적이 있다.

현재 표시장치로써 가장 많이 사용되고 있는 CRT 브라운관은 색상구현이 쉽고, 동작속도가 빨라 TV와 컴퓨터모니터를 포함한 표시장치로서 각광을 받아 왔다. 그러나, CRT 브라운관은 전력소비가 크고, 전자총과 화면 사이의 거리를 어느정도 확보해야 하는 구조적 특성으로 인하여 두께가 두꺼울 뿐만 아니라, 게다가 무게도 상당히 무거워 휴대성이 떨어지는 단점이 있다. 이러한 CRT 브라운관의 단점을 극복하고자 여러 가지 다양한 표시장치가 고안되고 있는데, 그 중 가장 실용화 되어 있는 장치가 바로 액정표시장치이다.

상기 액정표시장치는 CRT 브라운관에 비해 화면이 어둡고 동작속도가 다소 느리지만, 전자총과 같은 장치를 갖추지 않아도 각각의 화소를 평면 상에서 주사되는 신호에 따라 동작시킬 수 있으므로, 얇은 두께로 제작될 수 있어 장차 벽걸이 TV와 같은 초박형(超薄形) 표시장치로 사용될 수 있다. 뿐만 아니라, 액정표시장치는 무게가 가볍고, 전력소비도 CRT 브라운관에 비해 상당히 적어 배터리로 동작하는 노트북 컴퓨터의 디스플레이로 사용되는 등, 휴대용 표시장치로서 가장 적합하다는 평도 받고 있다.

이러한 액정표시장치는 도1에서와 같이 영상을 표시하는 액정패널(130)과 영상신호를 발생하는 신호선구동회로(112)와 박막트랜지스터를 동작시키는 주사선구동회로(110)로 구성되어 있다. 상기 액정패널은 복수개의 주사선(104)과 복수개의 신호선(106)이 매트릭스 형태로 형성되어 있고, 그 교차점에는 화소(108)와 박막트랜지스터(109)(Thin Film Transistor:이하 TFT)가 형성되어 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 화소는 화소전극과 상기 공통전극 사이에 액정이 채워져 있는 구조로 되어 있다.

상기 액정표시장치는 상기 주사선구동회로(110)로부터 주사전압을 인가받은 주사선에 연결된 액정패널(130의 TFT(109)가 도통되면, 상기 신호선구동회로(112)로부터 신호전압을 인가받은 신호선에 연결된 상기 도통된 TFT를 통하여 화소로 상기 신호전압이 인가되는 방식으로 작동된다. 이 때, 상기 주사선구동회로(110)와 신호선 구동회로(112)에서 발생된 신호를 액정패널에 전달하기 위해서 상기 액정패널의 주위에는 도2에서와 같이 주사선 혹은 신호선에서 연장된 패드(120)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 패드는 주사전압 혹은 신호전압을 발생시키는 드라이버IC(140)와 연결되어 있다. 상기 주사전압은 주사선(104)에 인가되고, 신호전압은 신호선(106)에 인가된다.

상기 액정표시장치가 제대로 작동되기 위해서는 상기 드라이버IC의 신호를 상기 액정패널에 정확히 전달할 수 있도록 해야한다. 즉, 상기 액정패널과 상기 드라이버IC가 올바르게 접속되어야 한다는 것이다. 일반적으로 상기 패드와 상기 드라이버IC를 전기적으로 접속하기 위한 접착 공정을 하기 위해서 상기 드라이버IC의 신호가 출력되는 출력전극에 범프(도면미도시)를 형성시킨다.

일반적인 범프를 형성하는 공정은 도3과 같다. 상기 범프를 형성하기 위해 출력전극(141)을 제외하고 보호막(145)이 증착된 드라이버IC의 표면(140)에 금속(142)을 증착하고, 출력전극에 해당하는 부분만 제외하고 포토레지스트(143)를 도포한다. (도3a) 즉, 상기 드라이버IC의 표면(140)에서 출력전극(141)에 해당하는 부분은 노출되고, 출력전극에 해당하지 않는 부분은 포토레지스트(143)가 덮이게 하는 것이다. 상기 금속(142)을 추가로 증착하는 이유는 추후 전기도금시, 금의 전착을 용이하게 해주기 때문이다.

상기 공정에서 포토레지스트가 도포된 상기 드라이버IC를 금(Au)으로 전기도금하여 출력전극(141)에 금이 전착되도록 한다.(도3b) 상기 포토레지스트는 절연성 물질이므로 상기 전기도금공정을 하여도 상기 포토레지스트에 금이 전착되지 않고, 상기 드라이버IC의 출력전극에 해당하는 부분에만 금이 도금되면서 범프(144)가 형성된다. 이 때, 형성되는 범프의 높이가 상기 포토레지스트의 높이보다 높게 되면, 상기 포토레지스트의 경계면으로 넘치게 된다. 상기 범프의 재료로는 주로 금(Au)이 쓰이나, 금 대신에 구리(Cu) 등, 전기전도도가 높은 금속을 채용해도 된다.

마지막으로 포토레지스트를 식각하여 제거하면, 상기 출력전극 위의 금도금층이 남게 되어 범프가 완성된다.(도3c)

상기 패드와 상기 드라이버IC를 연결하는 방법에는 필름과 같은 접착리드의 양단에 상기 범프와 상기 패드를 각각 접착시켜 연결하는 TAB(Tape Automated bonding)방식과 상기 드라이버IC와 상기 패드를 직접 접착시키는 COG(Chip On Glass)방식 등, 여러 가지가 있다. 그런데, 과거에는 접속성이 좋고 개량하기 쉬운 TAB방식을 많이 사용했었으나, 미세실장기술이 발전함에 따라 소형화가 쉽고 제조단가가 낮은 COG방식으로 옮겨가는 추세이다.

상기 COG방식은 상기 드라이버IC의 출력전극을 상기 패드에 직접 연결하여 기판과 드라이버IC를 일체화시키는 방법이다. 이 COG방식은 상기 TAB방식에서 사용했던 필름 같은 접착리드테이프가 필요없어 제조단가는 낮아지지만, 도전성입자(Conductive Particle)가 산포된 이방성도전필름(ACF:Anisotropic Conductive Film)을 이용하므로, 상기 범프와 상기 패드를 접착하는 접착공정시, 상기 범프와 패드 사이에 위치한 도전성입자를 관찰하여 상기 드라이버IC와 기판과의 접착상태를 검사하는 검사공정이 반드시 필요하다. 종래에는 상기 검사공정을 위해서 상기 드라이버IC의 전극 위에 범프를 형성하여 상기 패드 위에 상기 범프를 녹여 접착시키는 방법과, 도전볼(Conductive Ball)을 이용하여 패드와 범프를 접속시키는 방법 그리고, 도4와 같이 ACF 같은 도전성입자(160)가 산포된 필름이나, 합성수지(150)를 매개체로 사용하여 접속시키는 방법으로 상기 드라이버IC의 전극과 상기 기판 위의 패드를 접착시켰다. 도전성입자는 일반적으로 금속볼과 상기 금속볼을 둘러싸고 있는 얇은 절연막으로 이루어져 있다. 상기 도정성입자가 패드와 범프 사이에서 압착되면, 상기 절연막이 깨어지면서 금속볼에 의해 패드와 범프는 전기적으로 연결된다.

상기에서와 같이 전극과 직접 연결된 범프와 패드의 접착부위를 관찰하려면, 상기 기판이 유리기판 같이 투명해야 한다. 그러나, 기판이 투명해도 상기 패드가 불투명하면, 상기 접착면(170)의 관찰이 불가능하다.(도5)

일반적으로 상기 패드는 액정패널의 주사선이나, 신호선과 동일한 물질일 경우가 많은데, 상기 주사선이나 신호선은 상기 드라이버IC의 신호를 빠르게 전송할 수 있도록 하기 위하여 일반적으로 저항이 낮은 금속을 사용하여 형성하는 경우가 많으므로, 패드는 일반적으로 불투명하게 된다. 때로, 상기 패드에서 상기 드라이버IC의 전극이 접착되는 부위에만 ITO와 같은 투명전극을 사용하는 경우도 있으나, 이러한 방법은 상기 투명전극을 따로 패터닝해야 하므로 기판의 제조공정이 상당히 번거롭다. 게다가, 상기 투명전극의 높은 저항으로 인하여 상기 전극과 패드 사이의 전기적인 특성이 떨어지는 문제도 있다.

그러므로, 상기 드라이버IC의 전극과 패드 사이의 전기적인 특성을 낮추지 않고도 접착부위를 관찰할 수 있는 방법이 필요하다.

제 1 도는 일반적인 액정표시장치의 액정패널과 드라이버IC를 나타낸 개략도이다.

제 2 도는 드라이버IC와 액정패널의 패드가 접착된 모습을 나타낸 도면이다.

제 3 도는 IC의 전극에 범프를 형성하는 공정을 나타낸 단면도이다.

제 4 도는 IC의 전극에 형성된 범프와 패드 사이를 ACF같은 도전성수지를 이용하여 접속한 접속부를 나타낸 단면도이다.

제 5 도는 기판의 패드가 불투명하여 접착부위의 관측이 불가능한 범프와 패드 사이의 접속부를 나타낸 도면이다.

제 6 도는 더미전극의 범프와 출력전극의 범프가 기판의 패드에 정렬된 모습을 나타낸 단면도이다.

제 7 도는 IC에 출력전극와 더미전극을 형성하고, IC와 패드를 접착하는 공정을 나타낸 도면이다.

제 8 도는 유리기판의 반대면에서 관찰된 출력전극의 범프와 패드 사이의 접착부 및 더미전극의 범프와 기판 사이의 접착부를 나타낸 투시도이다.

제 9 도는 전극과 무관한 부분에 더미범프가 형성된 IC를 기판에 접착하는 공정을 나타낸 평면도이다.

제 10 도는 기판의 일부분에 형성된 더미패드와 IC의 표면에 형성된 더미범프와의 접착부를 나타낸 평면도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

106 : 신호선 108 : 화소

109 : 박막트랜지스터 110:주사선구동회로

112 : 신호선구동회로 120 : 패드

130 : 액정패널 140 : 드라이버IC

141 : 출력전극 142 : 금속

143 : 포토레지스트 144 : 범프

145 : 보호막

150 : 합성수지 160 : 도전성입자

170 : 출력전극의 범프와 패드 사이의 접착면

171 : 더미전극의 범프와 기판 사이의 접착면

200 : 더미전극 300 : 더미범프

305 : 더미패드 310 : 더미범프와 더미패드 사이의 접착면

[실시예 1]

본 발명의 드라이버IC는 상기 드라이버IC의 표면에 전기적인 신호가 출력되는 출력전극 외에 전기적 신호와 관계없는 더미(dummy)전극(200)을 형성하고, 그 위에 상기 출력전극 위와 동일한 범프를 형성하여 투명유리기판에 접착시킨 것이다. 그래서, 상기 더미전극의 범프와 상기 투명유리기판 사이의 접착부위(171)를 관찰함으로써 출력전극의 범프와 상기 패드 사이의 접착도를 관찰하는 것과 동일한 효과를 낼 수 있다. 그 이유는 상기 범프와 상기 패드 사이의 접착물질은 접착도가 균일한 물질로 되어 있고, 더미전극(200)과 상기 투명유리기판 사이의 거리보다 출력전극(141)과 패드(120) 사이의 거리가 더 짧으므로, 만약 상기 더미전극(200)의 범프와 상기 투명유리기판이 충분히 접착되면, 상기 출력전극(141)의 범프(144)와 상기 패드(120) 사이도 충분히 접착되기 때문이다.(도6)

상기 드라이버IC의 더미전극은 상기 출력전극과 외형상 동일하므로, 같은 공정에서 동시에 형성시킬 수 있다.(평면도 도7a, 단면도 도7b) 그리고, 상기 더미전극과 출력전극 위에 동시에 범프를 형성시킨다.(평면도 도7c, 단면도 도7d) 그 후, 상기 공정에서 범프가 형성된 드라이버IC와 상기 패드 사이에 ACF와 같은 접착수단을 삽입하고, 압력을 가하여 상기 범프와 상기 패드를 접착시킨다.(도7e) 이 때, ACF의 도전성 입자는 도전물질이 얇은 절연막으로 둘러싸인 구조의 도전볼을 사용할 수도 있다.

상기 드라이버IC와 상기 투명유리기판 사이에 ACF와 같은 접착수단을 삽입한 후, 상기 투명유리기판의 반대면에서 상기 더미전극의 범프와 상기 유리기판 사이의 접착부위를 관찰하여 접착도를 측정하여 충분히 접착될 때까지 압력을 가한다.(도8)

[실시예 2]

상기 드라이버IC에 상기 더미전극을 형성하지 않고, 상기 출력전극 위에 범프를 형성할 때, 상기 출력전극이 형성되지 않은 상기 드라이버IC의 표면에 여분의 더미범프(300)를 형성한다.(도9) 즉, 출력전극의 범프와 동일한 크기의 더미범프을 형성하여 상기 투명유리기판의 상기 패드(120) 또는, 기판에 접착하는 것이다.

그리고, 실시예1에서와 같이 상기 범프가 형성된 드라이버IC를 상기 투명유리기판에 ACF와 같은 접착수단으로 접착한다. 이 때, ACF의 도전성 입자는 도전물질이 얇은 절연막으로 둘러싸인 구조의 도전볼을 사용할 수도 있다. 이 때에도 상기 실시예1에서와 같이 상기 출력전극의 범프에만 상기 패드를 접착시키고, 상기 더미범프에는 상기 패드르 접착시키지 않는다. 그 이유는 불투명한 패드가 더미전극의 범프와 접착되면, 접착면을 관찰할 수 없기 때문이다.

[실시예 3]

실시예1과 실시예2에 덧붙여 상기 기판 위에 전기적 신호를 전달하는 패드(120)이외의 더미패드(305)를 형성시킬 수도 있다.(도10) 그리고, 상기 더미패드와 상기 더미범프 또는, 상기 더미전극에 형성된 범프와 접착시킨다. 이 때에는 더미패드로 ITO와 같은 투명전극을 사용할 수 있다. 왜냐하면, 더미패드로 사용되는 투명전극은 신호전달과는 상관없고, 단지 접착부위를 관찰할 수 있도록 투명하면 되기 때문이다.

또, 상기 더미패드는 상기 신호를 전달하는 패드를 형성할 때, 동시에 형성시킬 수 있으므로, 상기 패드와 더미패드는 그 높이가 비슷하다. 즉, 상기 더미패드와 상기 범프 사이의 거리가 상기 출력전극의 범프와 상기 신호를 전달하는 패드 사이의 거리와 같기 때문에 접착부위의 관찰 결과가 동일하게 나올 확률이 더 높다는 것이다. 다시 말해, 상기 출력전극의 범프와 신호를 전달하는 패드 사이의 접착도 결과를 더욱 정확하게 검사할 수 있다는 것이므로, 접착검사의 신뢰도를 높일 수 있다.

종래에는 빠른 신호전송을 위해 금속으로 주사선과 신호선을 만든 후, 접착부위의 관찰을 위해 패드부위만 따로 투명전극으로 형성함으로 인해 전기적인 특성저하를 감수해야 했다. 그러나, 본 발명과 같이 드라이버IC에 더미전극 또는, 더미범프를 형성시켜 투명유리기판에 접착하면, 종래와 같이 출력전극을 직접 패드에 접착하는 방식과 달리 상기 패드를 불투명한 금속으로 형성시킬 수 있다. 그래서, 주사선과 신호선을 형성할 때, 패드부를 ITO같은 투명전극으로 따로 패터닝할 필요가 없어 전체적인 마스크 공정의 절감효과가 있을 뿐만 아니라, 투명전극보다 저항이 낮은 금속을 패드로 사용함으로써 전기적인 특성도 개선시킬 수 있다.

실시예1 또는, 실시예2에서 형성한 더미범프 또는, 더미전극의 범프는 패드와 접착되지 않는다. 그리고, 패드가 형성되지 않은 투명유리기판 위에 접착된다. 그래서, 상기 더미범프 또는, 더미전극의 범프와 투명유리기판 사이의 거리가 상기 패드와 출력전극의 범프 사이의 거리보다 더 멀다. 그러므로, 상기 더미전극의 범프와 상기 투명유리기판 사이의 접착도에 비해 상기 출력전극의 범프 사이의 접착도가 더 높게 된다. 즉, 상대적으로 짧은 거리를 가진 접착부위가 안정적으로 접착되면, 자연히 먼 거리를 가진 접착부위는 더 안정적으로 접착된다는 것이다. 다시 말해, 출력전극과 패드 사이보다 짧은 거리의 더미전극과 패드사이 또는, 더미범프와 패드사이의 거리의 접착도를 검사함으로써 종래보다 접착도의 신뢰도를 높일 수 있다.

Claims (26)

1. 전기적 신호를 출력하는 복수 개의 전극이 표면 일부에 섬모양으로 형성된 IC와;

   상기 전극과 대향하는 위치에 상기 전기적 신호를 인가받을 수 있는 복수 개의 패드가 형성된 기판과;

   상기 전극에 형성되어 접착수단에 의해 상기 기판 위의 상기 패드와 접착되는 제1범프와;

   상기 IC의 표면에서 상기 전극 이외의 부분에 형성되어 상기 접착수단에 의해 상기 기판의 일부에 접착되는 제2범프가 포함된 반도체장치.
2. 1항에 있어서, 상기 접착수단은 동일한 크기의 도전성입자가 균일한 밀도로 산포된 이방성도전필름(Anisotropic Conductive Film:ACF)으로 구성된 반도체장치.
3. 1항에 있어서, 제1범프와 제2범프의 높이가 동일한 반도체장치.
4. 1항에 있어서, 상기 제2범프가 복수개인 반도체장치.
5. 1항, 2항, 3항, 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판이 투명한 기판으로 구성된 반도체장치.
6. 5항에 있어서 상기 제2범프에 대향하는 기판의 일부분에 더미패드가 형성되어 상기 제2범프와 상기 더미패드가 접착된 반도체장치.
7. 6항에 있어서 상기 더미패드는 투명전극으로 형성된 반도체장치.
8. 7항에 있어서 상기 더미패드는 ITO로 형성된 반도체장치.
9. 전기적 신호를 출력하는 복수개의 전극을 갖추고, 상기 전극에 제1범프가 형성되어 있는 IC와;

   상기 신호를 인가받는 패드가 형성된 기판을 접착수단으로 접착하는 방법에 있어서,

   상기 IC에 전극과 무관한 위치에 제2범프를 형성하는 공정과;

   상기 제2범프를 상기 기판에 접착하는 공정과;

   상기 제2범프와 상기 기판의 접착상태를 검사하는 공정이 포함된 반도체장치 실장방법.
10. 9항에 있어서 상기 제1범프와 제2범프가 동시에 형성되는 반도체장치 실장방법.
11. 9항 또는 10항에 있어서, 상기 접착수단으로 동일한 크기의 도전성입자가 균일한 밀도로 산포된 이방성도전필름(Anisotropic Conductive Film:ACF)을 채용한 반도체장치 실장방법.
12. 11항에 있어서, 상기 도전성입자는 도전물질이 얇은 절연막으로 둘러싸여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치 실장방법.
13. 12항에 있어서, 상기 접착하는 방법은 상기 제2범프와 상기 기판 사이의 상기 도전성입자의 상기 절연막이 깨어져 상기 도전물질로 상기 제1범프와 상기 패드 사이가 전기적으로 도통해지도록 압착하는 공정이 포함되는 반도체장치 실장방법.
14. 전기적 신호를 출력하고 IC 표면의 일부에 섬모양으로 형성된 복수 개의 출력전극과;

    전기적 신호를 출력하지 않고 상기 IC 표면의 일부에 섬모양으로 형성된 복수 개의 더미전극과;

    상기 출력전극과 대향하는 위치에 패드가 형성된 기판과;

    상기 출력전극과 더미전극에 형성된 범프와;

    상기 범프와 패드가 접착수단에 의해 접착된 반도체장치.
15. 14항에 있어서, 상기 접착수단을 동일한 크기의 도전성입자가 균일한 밀도로 산포된 이방성도전필름(Anisotropic Conductive Film:ACF)으로 구성된 반도체장치.
16. 14항에 있어서, 출력전극과 더미전극의 높이가 동일한 반도체장치.
17. 14, 15, 16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판이 투명한 기판으로 구성된 반도체장치.
18. 17항에 있어서 상기 범프에 대향하는 기판의 일부분에 더미패드가 형성되어 상기 범프와 상기 더미패드가 접착된 반도체장치.
19. 17항에 있어서 상기 범프에 대향하는 기판의 일부분에 더미패드가 형성되어 상기 범프와 상기 더미패드가 접착된 반도체장치.
20. 19항에 있어서 상기 더미패드는 투명전극으로 형성된 반도체장치.
21. 22항에 있어서 상기 더미패드는 ITO로 형성된 반도체장치.
22. IC에 전기적신호가 입, 출력되는 출력전극을 형성하는 공정과;

    상기 IC에 전기적신호가 입, 출력되지 않는 더미전극을 형성하는 공정과;

    상기 출력전극 및 더미전극에 범프를 형성하는 공정과;

    상기 범프를 상기 기판에 접착하는 공정과;

    상기 범프와 상기 기판의 접착상태를 검사하는 공정이 포함된 반도체장치 실장방법.
23. 상기 22항에 있어서 상기 출력전극과 상기 더미전극을 동시에 형성하는 반도체장치 실장방법.
24. 22항 또는 23항에 있어서, 상기 접착수단으로 동일한 크기의 도전성입자가 균일한 밀도로 산포된 이방성도전필름(Anisotropic Conductive Film:ACF)을 채용한 반도체장치 실장방법.
25. 24항에 있어서, 상기 도전성입자는 도전물질이 얇은 절연막으로 둘러싸여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치 실장방법.
26. 25항에 있어서, 상기 접착하는 방법은 상기 더미전극과 상기 기판 사이의 상기 도전성입자의 상기 절연막이 깨어져 상기 도전물질로 상기 출력전극과 상기 패드 사이가 전기적으로 도통해지도록 압착하는 공정이 포함되는 반도체장치 실장방법.