KR100215340B1 - Wire bonder for semiconductor package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체칩의 본딩 패드와 리드프레임의 내부 리드를 전기적으로 연결시키기 위하여 사용되는 도전성 와이어의 본딩 상태를 용이하게 점검할 수 있는 와이어 본딩 장치에 관하여 기재하고 있다. 이는, 도전성 와이어가 권선되어 있는 와이어 스풀과, 상기 와이어 스풀로부터 공급되는 도전성 와이어를 반도체칩의 본딩 패드 및 리드프레임의 내부 리드에 본딩시킬 수 있도록 안내하는 캐필러리와, 상기 와이어 스풀 및 캐필러리사이에 설치되어서 상기 도전성 와이어의 공급을 제어하는 와이어 클램프와, 반도체칩의 본딩 패드 및 리드프레임의 내부 리드에 대한 상기 도전성 와이어의 본딩 상태를 점검하기 위한 와이어 본딩 모니터링 시스템과, 상기 와이어 본딩 모니터링 시스템으로부터 상기 와이어 스풀에 권선된 도전성 와이어에 미세 전류을 인가시킬 수 있도록 상기 와이어 스풀을 구동시키기 위한 회전축에 접촉된 브러시 모터로 이루어져 있는 와이어 본딩 장치에 의해서 달성된다. 따라서, 본 발명에 따르면, 도전성 와이어의 본딩 상태를 점검하기 위하여 도전성 와이어가 권선되어 있는 와이어 스풀을 회전시키기 위한 회전축에 접촉되는 브러시를 구비한 통전 수단을 제공함으로서 와이어 본딩 모니터링 시스템으로부터 미세 전류가 도전성 와이어에 양호하게 인가되며 그 결과 반도체칩 패키지의 생산량을 증대시킬 수 있다.The present invention relates to a wire bonding apparatus capable of easily checking a bonding state of a conductive wire used for electrically connecting a bonding pad of a semiconductor chip and an internal lead of a lead frame. A capillary for guiding a conductive wire supplied from the wire spool so as to be bonded to a bonding pad of the semiconductor chip and an inner lead of the lead frame; A wire bonding monitoring system for checking the bonding state of the conductive wire to the bonding pads of the semiconductor chip and the inner leads of the lead frame; And a brush motor which is in contact with a rotary shaft for driving the wire spool so as to apply a minute current to the conductive wire wound on the wire spool. Therefore, according to the present invention, by providing the energizing means having a brush that contacts the rotating shaft for rotating the wire spool on which the conductive wire is wound in order to check the bonding state of the conductive wire, It can be favorably applied to the wire, and as a result, the production amount of the semiconductor chip package can be increased.
Description
본 발명은 반도체 패키지에 있어서 반도체칩의 본딩 패드를 리드프레임의 내부 리드에 전기적으로 연결시키는 와이어 본딩 장치에 관한 것으로, 특히 반도체칩의 본딩 패드와 리드프레임의 내부 리드를 전기적으로 연결시키는 도전성 와이어의 본딩 상태를 용이하게 점검할 수 있는 반도체 패키지용 와이어 본딩 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wire bonding apparatus for electrically connecting a bonding pad of a semiconductor chip to an inner lead of a lead frame in a semiconductor package and more particularly to a wire bonding apparatus for electrically connecting a bonding pad of a semiconductor chip and an inner lead of a lead frame To a wire bonding apparatus for a semiconductor package which can easily check the bonding state.
일반적으로, 반도체 패키지는 리드프레임에 장착되는 반도체칩을 외부 환경으로부터 보호하기 위하여 에폭시 몰딩 콤파운드 등과 같은 밀봉 수지로 밀봉된 소자이다. 이러한 반도체 패키지를 제조하기 위한 공정은 반도체 웨이퍼를 소정 크기로 절단하여서 복수개의 본딩 패드가 일면에 형성된 반도체칩을 준비하는 소윙 공정과, 반도체칩을 리드 프레임에 부착시키는 다이 본딩 공정과, 반도체칩의 본딩 패드와 리드프레임의 리드를 전기적으로 연결시키는 와이어 본딩 공정과, 반도체칩을 외부 환경으로부터 보호하기 위하여 밀봉 수지로 봉합하는 몰딩 공정과, 리드 프레임을 외부 단자와 전기적으로 연결시키기 위한 외부 리드를 소정 형상으로 절곡시키는 포밍 공정 등으로 이루어진다.Generally, the semiconductor package is an element sealed with a sealing resin such as an epoxy molding compound or the like to protect the semiconductor chip mounted on the lead frame from the external environment. The process for manufacturing such a semiconductor package includes a soaking process for preparing a semiconductor chip having a plurality of bonding pads formed on one side by cutting a semiconductor wafer to a predetermined size, a die bonding process for attaching the semiconductor chip to the lead frame, A molding step of sealing the semiconductor chip with a sealing resin in order to protect the semiconductor chip from the external environment; an outer lead for electrically connecting the lead frame to the external terminal; And a foaming process for bending it into a shape.
이때, 와이어 본딩 공정은 본딩 패드 또는 내부 리드에 도전성 와이어를 접합시키기 위한 에너지를 가하는 방식에 따라서 초음파(ultra-sonic) 방식, 열압착(thermo-compression) 방식 또는 열음파(thermo-sonic) 방식 등으로 구분된다. 또한, 와이어를 본딩시키는 기술에 따라서 볼본딩 기술 및 웨지 본딩 기술 등으로 구분된다. 실질적으로, 와이어 본딩 공정의 수행은 상기된 바와 같은 다수의 본딩 방식 및 본딩 기술이 복합적으로 혼용된 상태로 와이어 본딩 장치의 작동에 의하여 수행된다. 그리고, 이러한 와이어 본딩 공정에 사용되는 도전성 와이어는 금 또는 알루미늄 재질로 이루어진다.In this case, the wire bonding process may be an ultra-sonic method, a thermo-compression method, a thermo-sonic method or the like in accordance with a method of applying energy for bonding a conductive wire to a bonding pad or an internal lead . In addition, it is classified into a ball bonding technique and a wedge bonding technique according to a technique of bonding a wire. Practically, the execution of the wire bonding process is performed by the operation of the wire bonding apparatus in a state where a plurality of bonding methods and bonding techniques as described above are mixed and mixed. The conductive wire used in the wire bonding process is made of gold or aluminum.
한편, 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 볼본딩 기술에 의한 와이어 본딩 공정을 수행하기 위한 와이어 본딩 장치(100)는 도전성 와이어(111)가 권선되어 있는 와이어 스풀(spool)(110)과, 도전성 와이어(111)를 안내하여서 반도체칩의 본딩 패드(10) 또는 리드 프레임의 내부 리드(20)상에 접합시키는 캐필러리(130)와, 와이어 스풀(110)과 캐필러리(130)사이에 설치되어서 도전성 와이어(111)의 공급을 선택적으로 제어하는 와이어 클램프(120)로 이루어져 있다. 이때, 캐필러리(130)의 노즐을 통하여 노출된 상기 도전성 와이어(111)의 단부는 도시되어 있지 않은 토치 전극을 통하여 발산되는 방전 에너지에 의하여 볼 형태로 형성된다. 따라서, 도전성 와이어(111)의 단부는 캐필러리(130)의 안내 작용과 압착 작용에 의하여 반도체칩의 본딩 패드(10) 및 리드 프레임의 내부 리드(20)에 본딩된다.1, a wire bonding apparatus 100 for performing a wire bonding process by a ball bonding technique includes a wire spool 110 in which a conductive wire 111 is wound, A capillary 130 for guiding the wire 111 to be bonded onto the bonding pad 10 of the semiconductor chip or the inner lead 20 of the lead frame and a capillary 130 for bonding the wire 111 between the wire spool 110 and the capillary 130 And a wire clamp 120 installed to selectively control supply of the conductive wire 111. At this time, the ends of the conductive wires 111 exposed through the nozzles of the capillary 130 are formed in a ball shape by discharge energy emitted through a torch electrode (not shown). The ends of the conductive wires 111 are bonded to the bonding pads 10 of the semiconductor chip and the internal leads 20 of the lead frame by the guiding action and the pressing action of the capillary 130.
한편, 리드 프레임의 내부 리드(20)에 도전성 와이어(111)가 본딩되는 것을 도시한 도 2 및 도 3을 참조하면, 와이어 클램프(120)가 체결 해제 상태(open)로 유지됨과 동시에 캐필러리(130)의 안내 작용에 의하여 도전성 와이어(111)는 연장되어서 리드 프레임의 내부 리드(20)에 공급된다. 그리고 캐필러리(130)의 압착 작용에 의하여 도전성 와이어(111)는 내부 리드(20)에 전기적으로 연결된다. 와이어 클램프(120)의 체결 상태(close)에 의하여 도전성 와이어(111)의 공급을 제한시킴으로서 내부 리드(20)에 본딩된 도전성 와이어(111)를 스티치 형태로 절단시킨다.2 and 3 showing that the conductive wire 111 is bonded to the inner lead 20 of the lead frame, the wire clamp 120 is maintained in the unlocked state (open) The conductive wire 111 is extended and fed to the inner lead 20 of the lead frame by the guiding action of the lead wire 130. The conductive wire 111 is electrically connected to the inner lead 20 by the pressing action of the capillary 130. The conductive wire 111 bonded to the inner lead 20 is cut into a stitch form by restricting the supply of the conductive wire 111 by closing the wire clamp 120. [
한편, 상기된 바와 같은 와이어 본딩 공정에 의하여 반도체칩의 본딩 패드(10)와 리드프레임의 내부 리드(20)가 도전성 와이어(111)에 의해서 전기적으로 양호하게 연결되었는지 여부를 점검하기 위하여 와이어 본딩 모니터링 시스템(WBMS; wire bond monitering system)(140)이 사용된다. 이러한 시스템(140)은 와이어 클램프(120)의 페이스(face)에 전기적으로 연결되어 있다. 따라서, 시스템(140)으로부터 와이어 클램프(120)를 통하여 도전성 와이어(111)에 인가되는 미세 전류의 도통 상태에 따라서 본딩 패드(10)와 내부 리드(20)에 대한 도전성 와이어(111)의 본딩 상태를 파악할 수 있다.In order to check whether the bonding pads 10 of the semiconductor chip and the inner leads 20 of the lead frame are electrically connected by the conductive wires 111 by the wire bonding process as described above, System (WBMS) 140 is used. The system 140 is electrically connected to the face of the wire clamp 120. The conductive wires 111 are bonded to the bonding pads 10 and the internal leads 20 according to the conduction state of the minute currents applied to the conductive wires 111 from the system 140 through the wire clamps 120. [ .
즉, 도 1 및 도 3에 도시되어 있는 바와 같이 와이어 클램프(120)가 체결 상태에 유지될 때, 와이어 클램프(120)를 통하여 시스템(140)으로부터 도전성 와이어(111)에 미세 전류가 인가되고 이러한 미세 전류는 도전성 와이어(111)를 통하여 본딩 패드(10) 및 내부 리드(20)에 인가된다. 따라서, 이러한 미세 전류의 도통 상태에 따라서 본딩 패드(10) 및 내부 리드(20)의 본딩 상태를 점검한다.That is, when the wire clamp 120 is held in the fastened state as shown in FIGS. 1 and 3, a fine current is applied from the system 140 to the conductive wire 111 through the wire clamp 120, The fine current is applied to the bonding pad 10 and the inner lead 20 through the conductive wire 111. [ Therefore, the bonding state of the bonding pad 10 and the internal lead 20 is checked according to the conduction state of the minute current.
그러나, 와이어 클램프(120)는 도전성 와이어(111)의 공급을 제어하기 위하여 도전성 와이어(111)에 대한 체결 작용(close) 및 체결 해제 작용(open)을 반복적으로 수행하므로 와이어 클램프의 페이스에 오염 물질이 축적되어 있거나 또는 페이스는 마모되어 있으며 그 결과 온/오프 타이밍의 정도에 따라 와이어 본딩 상태를 점검하는 정도가 변하게 됨으로서 심각한 오검출을 야기시킨다. 특히 이러한 오검출은 정상 상태로 유지되어 있는 와이어 본딩 상태를 불량 상태로 검출시킴으로서 반도체 패키지의 생산성을 저하시키는 문제점을 발생시킨다.However, since the wire clamp 120 repeatedly performs the close operation and the open operation for the conductive wire 111 to control the supply of the conductive wire 111, Is accumulated or the face is worn, and as a result, the degree of checking the wire bonding state changes depending on the degree of the on / off timing, thereby causing serious erroneous detection. Particularly, such erroneous detection results in a problem of deteriorating the productivity of the semiconductor package by detecting the wire bonding state, which is maintained in a steady state, as a defective state.
상기된 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 기술적 과제는 도전성 와이어에 의하여 반도체칩의 본딩 패드와 리드 프레임의 내부 리드를 전기적으로 연결시킬 때, 본딩 패드 및 내부 리드에 대한 도전성 와이어의 본딩 상태를 와이어 본딩 모니터링 시스템에 의해서 정확하게 점검할 수 있도록 와이어 본딩 모니터링 시스템으로부터 도전성 와이어에 미세 전류를 인가시키기 위하여 도전성 와이어가 권선되어 있는 와이어 스풀을 구동시키기 위한 회전축에 접촉되는 브러시를 구비한 통전 수단을 부가적으로 포함한 반도체 패키지용 와이어 본딩 장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method of bonding a conductive wire to a bonding pad and an inner lead, An energizing means having a brush contacting the rotating shaft for driving the wire spool on which the conductive wire is wound so as to apply a minute current to the conductive wire from the wire bonding monitoring system so that the state can be accurately checked by the wire bonding monitoring system The present invention provides a wire bonding apparatus for a semiconductor package.
도 1은 일반적인 반도체 패키지용 와이어 본딩 장치를 도시한 구성도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic view showing a wire bonding apparatus for a general semiconductor package. Fig.
도 2 및 도 3은 종래 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 작동 상태를 도시한 작동도.FIG. 2 and FIG. 3 are operation diagrams showing operation states of a wire bonding apparatus according to a conventional example.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 패키지용 와이어 본딩 장치를 도시한 구성도.4 is a schematic view showing a wire bonding apparatus for a semiconductor package according to the present invention.
도 5는 도 4에 표시된 'A'영역을 확대 도시한 단면도.5 is an enlarged cross-sectional view of an area 'A' shown in FIG. 4;
도 6은 도 5에 표시된 'B' 영역을 확대 도시한 단면도.FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of the 'B' region shown in FIG. 5; FIG.
도면의 주요 부분에 대한 부호 설명DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
210. 와이어 스풀 211. 도전성 와이어210. Wire spool 211. Conductive wire
220. 와이어 클램프 230. 캐필러리220. Wire Clamp 230. Capillary
240. 와이어 본딩 모니터링 시스템240. Wire bonding monitoring system
250. 통전 수단 252. 브러시250. Energizing means 252. Brush
254. 탄성체254. Elastomer
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 구동 모터에 축연결된 회전축이 결합되고 도전성 와이어가 권선되어 있는 와이어 스풀과; 상기 와이어 스풀로부터 공급되는 도전성 와이어를 반도체칩의 본딩 패드 및 리드프레임의 내부 리드에 본딩시킬 수 있도록 안내하는 캐필러리와; 상기 와이어 스풀 및 캐필러리사이에 설치되어서 상기 도전성 와이어의 공급을 제어하는 와이어 클램프와; 상기 와이어 스풀의 회전축의 일단에 접촉되어 있는 브러시를 구비하는 통전 수단; 및 상기 통전 수단의 브러시와 도선으로 전기적으로 연결되어 있는 와이어 본딩 모니터링 시스템;을 포함하며, 상기 와이어 본딩 모니터링 시스템은 상기 도선으로부터 상기 통전 수단의 브러시를 통하여 상기 도전성 와이어로 미세전류를 인가하여 상기 미세전류의 통전 상태를 확인함으로써 상기 반도체칩의 본딩 패드 및 리드프레임의 내부 리드에 대한 도전성 와이어의 본딩 상태를 점검하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 와이어 본딩 장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wire spool comprising: a wire spool having a rotation shaft connected to a driving motor and coupled with a conductive wire; A capillary for guiding the conductive wire supplied from the wire spool so as to be bonded to a bonding pad of the semiconductor chip and an internal lead of the lead frame; A wire clamp installed in the wire spool and the capillary to control supply of the conductive wire; Energizing means having a brush which is in contact with one end of a rotary shaft of the wire spool; And a wire bonding monitoring system electrically connected to the brush of the energizing means by a wire, wherein the wire bonding monitoring system applies a minute current from the wire to the conductive wire through the brush of the energizing means, And checking the current conduction state to check the bonding state of the conductive wire to the bonding pads of the semiconductor chip and the internal leads of the lead frame.
본 발명에 따른 통전 수단은 회전축에 대한 브러시의 접촉 상태를 양호하게 유지시킬 수 있는 탄성체를 구비하는 것이 바람직하다.It is preferable that the energizing means according to the present invention has an elastic body capable of satisfactorily maintaining the contact state of the brush with respect to the rotating shaft.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지용 와이어 본딩 장치를 도시한 구성도이고, 도 5는 도 4에 표시된 'A' 영역을 확대 도시한 구성도이고, 도 6은 도 5에 표시된 'B' 영역을 확대 도시한 구성도이다.FIG. 4 is a configuration diagram showing a wire bonding apparatus for a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is an enlarged view of the 'A' region shown in FIG. 4, B 'region of FIG.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 와이어 본딩 장치는 구동 모터에 연결된 회전축(214)에 결합되어 있고 도전성 와이어(211)가 권선되어 있는 와이어 스풀(210)과, 와이어 스풀(210)로부터 공급되는 도전성 와이어(211)를 반도체칩의 본딩 패드 및 리드프레임의 내부 리드에 본딩시킬 수 있도록 안내하는 캐필러리(230)와, 와이어 스풀(210) 및 캐필러리(230)사이에 설치되어서 도전성 와이어(211)의 공급을 제어하는 와이어 클램프(220)와, 반도체칩의 본딩 패드 및 리드프레임의 내부 리드에 대한 도전성 와이어(211)의 본딩 상태를 점검하기 위한 와이어 본딩 모니터링 시스템(240)과, 와이어 본딩 모니터링 시스템(240)에 전기적으로 연결되고 회전축(212)에 접촉되어 있는 브러시(252)를 구비한 통전 수단(250)으로 이루어져 있다.That is, the wire bonding apparatus according to the embodiment of the present invention includes a wire spool 210 coupled to a rotation shaft 214 connected to a driving motor and having a conductive wire 211 wound thereon, A capillary 230 for guiding the wire 211 to be bonded to a bonding pad of the semiconductor chip and an inner lead of the lead frame and a conductive wire 230 installed between the wire spool 210 and the capillary 230, A wire bonding monitoring system 240 for checking the bonding state of the conductive wire 211 to the bonding pads of the semiconductor chip and the inner leads of the lead frame, And an energizing means 250 electrically connected to the monitoring system 240 and having a brush 252 in contact with the rotating shaft 212.
이때, 와이어 스풀(210)은 도시되어 있지 않은 구동 모터에 축연결된 회전축(214)에 결합되어 있다. 구동 모터의 구동에 의하여 회전축(214)이 회전하게 되고 이에 연동하여서 와이어 스풀(210)은 회전하게 된다. 한편, 회전축(214)은 와이어 스풀(210)의 단부 라인을 통하여 와이어 스풀(210)에 권선된 도전성 와이어(211)와 전기적으로 연결되어 있다. 따라서, 와이어 본딩 모니터링 시스템(240)으로부터 인가되는 미세 전류는 통전 수단(250)의 브러시(252)를 경유하여 도전성 와이어(211)에 공급된다. 한편, 통전 수단(250)은 일방향으로 탄성력을 작용하여서 회전축(212)에 대한 브러시(252)의 접촉 상태를 양호하게 유지시키기 위한 탄성체(254)를 구비하고 있으며, 브러시(252)는 도선(251) 등에 의하여 와이어 본딩 모니터링 시스템(240)에 전기적으로 연결된다.At this time, the wire spool 210 is coupled to a rotation shaft 214 that is connected to a driving motor (not shown). The rotation shaft 214 is rotated by driving of the driving motor, and the wire spool 210 rotates in conjunction therewith. The rotary shaft 214 is electrically connected to the conductive wire 211 wound on the wire spool 210 through the end line of the wire spool 210. Therefore, the fine current applied from the wire bonding monitoring system 240 is supplied to the conductive wire 211 via the brush 252 of the energizing means 250. On the other hand, the energizing means 250 has an elastic body 254 for exerting an elastic force in one direction to maintain a good contact state of the brush 252 with respect to the rotating shaft 212. The brush 252 is connected to the lead 251 And the like to the wire bonding monitoring system 240.
한편, 통전 수단(250)은, 도 5 및 도 6에 도시되어 있는 바와 같이, 와이어 스풀(210)을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 케이스(212)의 일측면에 형성된 관통 구멍에 삽입 고정된다. 또한, 브러시(252)는 통전 수단(250)을 구성하는 브러시 홀더에 지지되어 있으며 또한 회전축(212)의 회전 작용에 의한 내마모성이 우수하고 또한 와이어 본딩 모니터링 시스템(240)으로부터 회전축(212)에 미세 전류를 양호하게 인가시킬 수 있도록 도통 특성이 양호하다.On the other hand, the energizing means 250 is inserted and fixed in a through hole formed in one side of the case 212 for protecting the wire spool 210 from the external environment, as shown in Figs. The brush 252 is supported by a brush holder constituting the energizing means 250 and is excellent in abrasion resistance due to the rotation action of the rotation shaft 212 and is also provided with fine The conduction characteristic is good so that the current can be satisfactorily applied.
따라서, 탄성체(254)의 탄성 작용에 의하여 브러시(252)는 회전축(214)에 양호하게 접촉되어 있으므로, 와이어 본딩 모니터링 시스템(240)으로부터 도선(251)을 통하여 미세 전류가 도전성 와이어(211)에 인가된다. 이때, 캐필러리(230)의 안내 작용 및 압착 작용에 의하여 볼 형태로 형성된 도전성 와이어(211)의 단부는 반도체칩의 본딩 패드(10)에 전기적으로 연결된다. 여기에서, 미세 전류가 도전성 와이어(211)에 인가된 상태로 유지되어 있으므로, 도전성 와이어(211)를 통하여 본딩 패드(10)에 미세 전류가 인가된다.Therefore, the brush 252 is in good contact with the rotation shaft 214 due to the elastic action of the elastic body 254, so that a fine current flows from the wire bonding monitoring system 240 through the lead 251 to the conductive wire 211 . At this time, an end portion of the conductive wire 211 formed in a ball shape by the guiding action and the pressing action of the capillary 230 is electrically connected to the bonding pad 10 of the semiconductor chip. Here, a fine current is applied to the bonding pad 10 through the conductive wire 211 since the fine current is maintained in a state of being applied to the conductive wire 211.
본딩 패드(10)에 대한 도전성 와이어(211)의 본딩 상태가 불량한 경우에 도전성 와이어(211)를 통하여 반도체칩의 본딩 패드(10)에 인가되는 미세 전류의 통전 상태가 불량하게 되며 이와는 반대로 도전성 와이어(211)의 본딩 상태가 양호한 경우에 본딩 패드(10)에 인가되는 미세 전류의 통전 상태는 양호하게 유지된다. 그리고, 상기된 바와 같은 미세 전류의 통전 상태는 와이어 본딩 모니터링 시스템(240)에서 인식된다.The conductive state of the microcurrent applied to the bonding pad 10 of the semiconductor chip is poor through the conductive wire 211 when the conductive wire 211 is in a poor bonding state with respect to the bonding pad 10, When the bonding state of the bonding pad 211 is good, the energized state of the fine current applied to the bonding pad 10 is kept good. The current conduction state of the fine current as described above is recognized by the wire bonding monitoring system 240.
또한, 도전성 와이어(211)에 대한 와이어 클램프(220)의 체결 상태가 해제된 상태(open)에서, 캐필러리(230)의 안내 작용에 의하여 도전성 와이어(211)는 리드 프레임의 내부 리드(20)에 공급되도록 연장된다. 그리고, 도전성 와이어(211)의 일단부가 반도체칩의 본딩 패드(10)에 본딩된 상태에서 도전성 와이어(211)는 캐필러리(230)의 압착 작용에 의하여 내부 리드(20)에 본딩된다. 이때, 내부 리드(20)에 대한 도전성 와이어(211)의 본딩 상태가 불량한 경우에 도전성 와이어(211)를 통하여 리드프레임의 내부 리드(20)에 인가되는 미세 전류의 통전 상태가 불량한 반면에 도전성 와이어(211)의 본딩 상태가 양호한 경우에 내부 리드(20)에 인가되는 미세 전류의 통전 상태는 양호하게 유지된다. 그리고, 상기된 바와 같은 미세 전류의 통전 상태는 와이어 본딩 모니터링 시스템(240)에서 인식된다.The conductive wire 211 is guided by the inner lead 20 of the lead frame 20 by the guiding action of the capillary 230 when the clamping state of the wire clamp 220 to the conductive wire 211 is released As shown in Fig. The conductive wire 211 is bonded to the inner lead 20 by the pressing action of the capillary 230 in a state where one end of the conductive wire 211 is bonded to the bonding pad 10 of the semiconductor chip. At this time, when the bonding state of the conductive wire 211 to the inner lead 20 is poor, the energized state of the fine current applied to the inner lead 20 of the lead frame through the conductive wire 211 is poor, The state of energization of the microcurrent applied to the inner lead 20 is kept good when the bonding state of the inner lead 211 is good. The current conduction state of the fine current as described above is recognized by the wire bonding monitoring system 240.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 첨부된 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지 및 사상을 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined by the appended claims. .
따라서, 본 발명에 따르면, 반도체칩의 본딩 패드 및 리드프레임의 내부 리드를 전기적으로 연결시킬 수 있도록 사용되는 도전성 와이어의 본딩 상태를 점검하기 위하여 도전성 와이어가 권선되어 있는 와이어 스풀을 회전시키기 위한 회전축에 접촉되는 브러시를 구비한 통전 수단을 제공함으로서 와이어 본딩 모니터링 시스템으로부터 미세 전류가 도전성 와이어에 양호하게 인가되며 그 결과 반도체칩 패키지의 생산량을 증대시킬 수 있다.Therefore, according to the present invention, in order to check the bonding state of the conductive wire used for electrically connecting the bonding pads of the semiconductor chip and the inner leads of the lead frame, the wire spool on which the conductive wire is wound By providing an energizing means with a brush to be contacted, fine current from the wire bonding monitoring system can be well applied to the conductive wire, resulting in increased production of the semiconductor chip package.
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