KR100562412B1 - Circuit for monitoring a state of wire bonding - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 모니터링 회로는, 와이어 본더 내의 제어기에 의하여 동작하여, 집적회로소자의 다이패드와 리드의 본딩을 수행하는 동안에 각 본딩 상태를 모니터링하여 그 결과 신호를 제어기에 입력시키는 모니터링 회로이다. 이 모니터링 회로는 인가 전압 공급부, 스위칭부 및 신호 검출부를 포함한다. 인가 전압 공급부는 제어기로부터의 극성 선택 신호에 따라 양극성 또는 음극성 인가 전압을 출력한다. 스위칭부는, 본딩에 사용될 와이어와 인가 전압 공급부의 출력단 사이에 연결되어, 제어기로부터의 인에이블 신호에 따라 인가 전압 공급부로부터의 인가 전압을 와이어에 인가한다. 신호 검출부는, 인가 전압이 와이어에 인가되어, 다이패드와 리드의 본딩을 수행하는 동안에 변화하는 인가 전압에 따른 각 모니터링 신호를 발생시켜, 제어기에 입력시킨다.The monitoring circuit according to the present invention is a monitoring circuit which is operated by a controller in a wire bonder and monitors each bonding state while performing bonding of a die pad and a lead of an integrated circuit device and inputs a signal to the controller as a result. This monitoring circuit includes an applied voltage supply part, a switching part and a signal detector. The applied voltage supply outputs a positive or negative applied voltage in accordance with the polarity selection signal from the controller. The switching unit is connected between the wire to be used for bonding and the output terminal of the applied voltage supply unit to apply the applied voltage from the applied voltage supply unit to the wire in accordance with the enable signal from the controller. The signal detection unit applies an applied voltage to the wire, generates each monitoring signal according to the applied voltage that changes during bonding of the die pad and the lead, and inputs it to the controller.

Description

와이어 본딩 상태를 모니터링하는 회로{Circuit for monitoring a state of wire bonding}Circuit for monitoring a state of wire bonding

도 1은 본 발명에 따른 모니터링 회로를 보여주는 도면이다.1 shows a monitoring circuit according to the invention.

도 2는 도 1의 회로의 인터럽트 발생부를 보여주는 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an interrupt generator of the circuit of FIG. 1.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1...인가 전압 공급부, 2...스위칭부, 1 ... applied voltage supply, 2 ... switching part,

3...신호 검출부,4...EFO신호 발생기,3 ... signal detector, 4 ... EFO signal generator,

5...와이어 감개,6...EFO 접촉부,5 ... wire reel, 6 ... EFO contacts,

7...다이패드,9...칩-프레임,7 ... Diap, 9 ... Chip-Frame,

11...캐필러리,12...리드,11 ... capillary, 12 ... lead,

33...인터럽트 발생부,51...와이어,33 Interrupt generator, 51 wire,

V2...인가 전압,V2 ... applied voltage,

R13, R14, OP1, 32...패드저항 검출부, R13, R14, OP1, 32 ... pad resistance detector,

31, OP3, 35...패드본딩 검출부, 31, OP3, 35 ... pad bonding detection unit,

31, R17, R18, OP2, 34...리드본딩 검출부.31, R17, R18, OP2, 34 ... lead bonding detector.

본 발명은, 와이어 본딩 상태를 모니터링하는 회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 와이어 본더 내의 제어기에 의하여 동작하여, 집적회로소자의 다이패드와 리드의 본딩을 수행하는 동안에 각 본딩 상태를 모니터링하여 그 결과 신호를 제어기에 입력시키는 모니터링 회로에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit for monitoring a wire bonding state, and more particularly, to operate by a controller in a wire bonder to monitor each bonding state while bonding die pads and leads of an integrated circuit device. And a monitoring circuit for inputting the resulting signal to the controller.

이와 같은 모니터링 회로에 있어서, 종래에는, 집적회로소자의 다이패드에 와이어가 본딩된 후 그 접촉 여부만을 검출하고, 와이어가 리드에 본딩된 후 절단되었는지의 여부만을 검출하도록 구성되어 있다. 다시 말하면, 집적회로소자의 다이패드에 와이어가 본딩된 후 그 접촉 저항을 측정할 수 없고, 와이어가 리드에 본딩된 후 그 접촉 여부를 검출할 수 없도록 구성되어 있다. 이에 따라, 와이어 본딩 상태를 정밀하게 모니터링하지 못하여, 집적회로소자의 품질 및 신뢰도를 떨어뜨리는 원인을 제공하고 있다.In such a monitoring circuit, conventionally, only a wire is bonded to a die pad of an integrated circuit device, and then only a contact is detected, and only a wire is bonded to a lead and then configured to detect only a cut. In other words, the contact resistance cannot be measured after the wire is bonded to the die pad of the integrated circuit device, and the contact cannot be detected after the wire is bonded to the lead. Accordingly, it is not possible to accurately monitor the wire bonding state, thereby providing a cause for reducing the quality and reliability of the integrated circuit device.

본 발명의 목적은, 보다 정밀하게 와이어 본딩 상태를 모니터링할 수 있는 회로를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a circuit capable of monitoring wire bonding conditions more precisely.

상기 목적을 이루기 위한 본 발명의 모니터링 회로는, 와이어 본더 내의 제어기에 의하여 동작하여, 집적회로소자의 다이패드와 리드의 본딩을 수행하는 동안에 각 본딩 상태를 모니터링하여 그 결과 신호를 상기 제어기에 입력시키는 모니터링 회로이다. 이 모니터링 회로는 인가 전압 공급부, 스위칭부 및 신호 검출부를 포함한다. 상기 인가 전압 공급부는 상기 제어기로부터의 극성 선택 신호에 따라 양극성 또는 음극성 인가 전압을 출력한다. 상기 스위칭부는, 본딩에 사용될 와이어와 상기 인가 전압 공급부의 출력단 사이에 연결되어, 상기 제어기로부터의 인에이블 신호에 따라 상기 인가 전압 공급부로부터의 인가 전압을 상기 와이어에 인가한다. 상기 신호 검출부는, 상기 인가 전압이 상기 와이어에 인가되어, 상기 다이패드와 리드의 본딩을 수행하는 동안에 변화하는 상기 인가 전압에 따른 각 모니터링 신호를 발생시켜, 상기 제어기에 입력시킨다.
또한, 상기 신호 검출부는 패드저항 검출부, 패드본딩 검출부, 및 리드본딩 검출부를 포함한다. 상기 패드저항 검출부는 상기 다이패드에 상기 와이어가 본딩됨에 따라 변화하는 접촉 저항에 상응하는 상기 인가 전압의 데이터를 발생시켜 상기 제어기에 입력시킨다. 상기 패드본딩 검출부는 상기 다이패드에 상기 와이어가 본딩됨에 따라 변화하는 상기 인가 전압을 제1 기준 전압과 비교하여, 상기 다이패드와 와이어 사이의 접촉 여부를 알리는 신호를 발생시킨다. 상기 리드본딩 검출부는 상기 다이패드 및 리드에 상기 와이어가 본딩됨에 따라 변화하는 상기 인가 전압을 제2 기준 전압과 비교하여, 상기 리드와 와이어 사이의 접촉 여부를 알리는 신호를 발생시킨다.The monitoring circuit of the present invention for achieving the above object is operated by a controller in the wire bonder to monitor each bonding state while performing bonding of the die pad and the lead of the integrated circuit device and input the resulting signal to the controller. Monitoring circuit. This monitoring circuit includes an applied voltage supply part, a switching part and a signal detector. The applied voltage supply unit outputs a positive or negative applied voltage in accordance with a polarity selection signal from the controller. The switching unit is connected between the wire to be used for bonding and the output terminal of the applied voltage supply unit to apply the applied voltage from the applied voltage supply unit to the wire in accordance with an enable signal from the controller. The signal detection unit generates the respective monitoring signals according to the applied voltage which is changed while the applied voltage is applied to the wire and changes the bonding between the die pad and the lead and inputs them to the controller.
The signal detector may include a pad resistance detector, a pad bonding detector, and a lead bonding detector. The pad resistance detector generates data of the applied voltage corresponding to the contact resistance that changes as the wire is bonded to the die pad and inputs the data to the controller. The pad bonding detector may generate a signal indicating whether the die pad is in contact with the wire by comparing the applied voltage which changes as the wire is bonded to the die pad with a first reference voltage. The lead bonding detection unit generates a signal indicating whether the lead is in contact with the wire by comparing the applied voltage that changes as the wire is bonded to the die pad and the lead with a second reference voltage.

본 발명은, 상기 신호 검출부가 변화되는 상기 인가 전압에 따라 각 모니터링 신호를 발생시키므로, 보다 정밀하게 와이어 본딩 상태를 모니터링할 수 있다.According to the present invention, since the signal detection unit generates each monitoring signal according to the applied voltage to be changed, the wire bonding state can be monitored more precisely.

바람직하게는, 상기 신호 검출부는 인터럽트 발생부를 더 포함한다. 상기 인터럽트 발생부는, 상기 리드본딩 검출부로부터의 출력 신호의 논리 상태를 검출하여, 상기 와이어가 상기 리드에 본딩된 후 절단되었는지의 여부를 알리는 인터럽트 신호를 상기 제어기에 입력시킨다.Preferably, the signal detector further includes an interrupt generator. The interrupt generator detects a logic state of an output signal from the read bonding detector and inputs an interrupt signal to the controller informing whether the wire is disconnected after being bonded to the read.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

도 1 및 2를 참조하면, 본 발명에 따른 모니터링 회로는, 와이어 본더 내의 제어기(도시되지 않음)에 의하여 동작하여, 캐필러리(11)에 의하여 칩-프레임(9) 위의 다이패드(7)와 리드(12)의 본딩을 수행하는 동안에 각 본딩 상태를 모니터링하여 그 결과 신호를 제어기에 입력시키는 모니터링 회로이다. 이 모니터링 회로는 인가 전압 공급부(1), 스위칭부(2), 신호 검출부(3) 및 EFO신호 발생기(4)를 포함한다. 1 and 2, the monitoring circuit according to the invention is operated by a controller (not shown) in a wire bonder, which is caused by the capillary 11 to die pad 7 on the chip-frame 9. ) Is a monitoring circuit that monitors each bonding state while inputting a signal to the controller while bonding the lead and the lead 12. This monitoring circuit comprises an applied voltage supply unit 1, a switching unit 2, a signal detector 3 and an EFO signal generator 4.

인가 전압 공급부(1)는 제어기로부터의 극성 선택 신호에 따라 양극성 또는 음극성의 인가 전압(V2)을 출력한다. 스위칭부(2)는, 본딩에 사용될 와이어(51)와 인가 전압 공급부(1)의 출력단 사이에 연결되어, 제어기로부터의 인에이블 신호에 따라 인가 전압 공급부(1)로부터의 인가 전압을 와이어(51)에 인가한다. 신호 검출부(3)는, 인가 전압(V2)이 와이어(51)에 인가되어, 다이패드(7)와 리드(12)의 본딩을 수행하는 동안에 변화하는 인가 전압(V2)에 따른 각 모니터링 신호 즉, 접촉 저항 데이터, 인터럽트 신청 신호(도 2의 IRQ) 및 본딩 상태 신호를 발생시켜, 제어기에 입력시킨다. The applied voltage supply unit 1 outputs an applied voltage V2 of positive or negative polarity according to the polarity selection signal from the controller. The switching unit 2 is connected between the wire 51 to be used for bonding and the output terminal of the applied voltage supply unit 1 so as to transfer the applied voltage from the applied voltage supply unit 1 in accordance with the enable signal from the controller. ) Is applied. The signal detection unit 3 applies each monitoring signal according to the applied voltage V2 that is applied while the applied voltage V2 is applied to the wire 51 and changes while bonding the die pad 7 and the lead 12. The contact resistance data, the interrupt request signal (IRQ in FIG. 2) and the bonding status signal are generated and input to the controller.

EFO(Electronic Flame-Off)신호 발생기(4)는, 본딩시의 최대 방전 전압 및 와이어(51)의 두께에 상응하는 EFO 신호를 본딩 부위(7, 12) 및 스위칭부(2)에 인가한다. 본딩 부위(7, 12)에 인가되는 EFO 신호는 저항기 R20 및 EFO 접촉부(6)를 통하여 인가된다. 이에 따라, 본딩 상태에 있어서, 구멍(crater)을 줄이고 양호한 입자(grain)들이 형성되게 한다. 또한, 캐필러리(11의 수명을 연장시킨다.The electronic flame-off (EFO) signal generator 4 applies an EFO signal corresponding to the maximum discharge voltage during bonding and the thickness of the wire 51 to the bonding portions 7, 12 and the switching unit 2. The EFO signal applied to the bonding sites 7, 12 is applied via the resistor R20 and the EFO contact 6. Thus, in the bonded state, the craters are reduced and good grains are formed. In addition, the life of the capillary 11 is extended.

이와 같이, 신호 검출부(3)가 변화되는 인가 전압(V2)에 따라 각 모니터링 신호 즉, 접촉 저항 데이터, 인터럽트 신청 신호(도 2의 IRQ) 및 본딩 상태 신호를 발생시켜 제어기에 입력시키므로, 보다 정밀하게 와이어 본딩 상태를 모니터링할 수 있다.In this way, the signal detector 3 generates and inputs each monitoring signal, that is, the contact resistance data, the interrupt request signal (IRQ in FIG. 2), and the bonding state signal according to the applied voltage V2 to be changed, thereby providing more precise accuracy. The wire bonding state can be monitored.

+12 V(볼트)의 전압은 저항기 R6 및 R7에 의하여 강하되어 상부 아날로그스위치 Q3에 인가된다. 여기서, 제1 제너 다이오드(ZD1)는, 저항기 R6 및 R7 사이에 걸리는 전압이 안정된 +5 V가 되게 한다. -12 V(볼트)의 전압은 저항기 R9 및 R8에 의하여 강하되어 하부 아날로그스위치 Q4에 인가된다. 여기서, 제2 제너 다이오드(ZD2)는, 저항기 R9 및 R8 사이에 걸리는 전압이 안정된 -5 V가 되게 한다. 극성 선택 신호가 하이(High) 상태이면, 하부 아날로그스위치 Q4가 턴-온 되어 음극성의 전압 V1을 출력한다. 이와 반대로, 극성 선택 신호가 로우(Low) 상태이면, 상부 아날로그스위치 Q3이 턴-온 되어 양극성의 전압 V1을 출력한다. 이 양극성의 전압 V1은 아래의 수학식 1에 따라 설정된다.A voltage of +12 V (volts) is dropped by resistors R6 and R7 and applied to the upper analog switch Q3. Here, the first zener diode ZD1 causes the voltage across resistors R6 and R7 to become stable + 5V. A voltage of -12 V (volts) is dropped by resistors R9 and R8 and applied to the lower analog switch Q4. Here, the second zener diode ZD2 causes the voltage applied between the resistors R9 and R8 to be stable -5V. When the polarity selection signal is high, the lower analog switch Q4 is turned on to output the negative voltage V1. On the contrary, if the polarity selection signal is in the low state, the upper analog switch Q3 is turned on to output the bipolar voltage V1. This bipolar voltage V1 is set according to the following expression (1).

Figure 112005067910260-pat00035
Figure 112005067910260-pat00035

이와 마찬가지로, 음극성의 전압 V1은 아래의 수학식 2에 따라 설정된다.Similarly, the voltage V1 of the negative polarity is set according to Equation 2 below.

Figure 112005067910260-pat00036
Figure 112005067910260-pat00036

본 실시예의 경우, R10이 50

Figure 112005067910260-pat00003
(킬로오옴), R7 및 R9가 각각 100
Figure 112005067910260-pat00004
이므로, 전압 V1은 약
Figure 112005067910260-pat00037
V이다.In this example, R10 is 50
Figure 112005067910260-pat00003
(Kiloohms), R7 and R9 are each 100
Figure 112005067910260-pat00004
Therefore, the voltage V1 is about
Figure 112005067910260-pat00037
V.

인가 전압 V2는 음극성 또는 양극성의 전압 V1이 저항기 R11을 통하여 강하된 전압으로서, 저항기 R12를 통하여 강하되어 스위칭부(2)를 통하여 와이어(51)에 인가된다. 다이패드(7)에 와이어(51)가 본딩된 후, 음극성의 인가 전압 V2를 와이어(51)에 인가하고 다이패드(7)를 접지시키는 경우, 다이패드(7)와 연결된 접지단자로부터 음극 전원 단자로 화살표 방향의 전류 Iwbms가 흐른다. 이와 반대로, 양극성의 인가 전압 V2를 와이어(51)에 인가하고 다이패드(7)를 접지시키는 경우, 양극 전원 단자로부터 다이패드(7)측으로 화살표 반대 방향의 전류 Iwbms가 흐른다. 여기서, 다이패드(7)의 본딩 후 다이패드(7)의 저항값을 Zp라 하면, 인가 전압 V2는 아래의 수학식 3에 따라 변화한다.The applied voltage V2 is a voltage at which the negative or positive voltage V1 is dropped through the resistor R11, and is dropped through the resistor R12 and applied to the wire 51 through the switching unit 2. After the wire 51 is bonded to the die pad 7, the negative voltage is applied to the wire 51 and the die pad 7 is grounded. The cathode power is supplied from the ground terminal connected to the die pad 7. Current Iwbms in the direction of the arrow flows to the terminal. On the contrary, when the bipolar application voltage V2 is applied to the wire 51 and the die pad 7 is grounded, the current Iwbms in the direction opposite to the arrow flows from the positive power supply terminal to the die pad 7 side. Here, if the resistance value of the die pad 7 after bonding of the die pad 7 is Zp, the applied voltage V2 changes according to Equation 3 below.

Figure 112005067910260-pat00038
Figure 112005067910260-pat00038

또한, 다이패드(7)의 본딩 후 다이패드(7)에 인가되는 전압 Vp는 아래의 수학식 4에 의하여 결정된다.In addition, the voltage Vp applied to the die pad 7 after the bonding of the die pad 7 is determined by Equation 4 below.

Figure 112005067910260-pat00039
Figure 112005067910260-pat00039

스위칭부(2)에서, 인에이블 신호가 하이 상태이면, 아날로그스위치 Q1이 턴-온된다. 이에 따라, 인가 전압 V2는 본딩되는 와이어(51)에 인가된다. In the switching section 2, when the enable signal is high, the analog switch Q1 is turned on. Accordingly, the applied voltage V2 is applied to the wire 51 to be bonded.

신호 검출부(3)는 패드저항 검출부(R13, R14, OP1, 32), 패드본딩 검출부(31, OP3, 35), 리드본딩 검출부(31, R17, R18, OP2, 34) 및 인터럽트 발생부(33)를 포함한다. The signal detector 3 includes pad resistance detectors R13, R14, OP1 and 32, pad bonding detectors 31, OP3 and 35, lead bonding detectors 31, R17, R18, OP2 and 34 and an interrupt generator 33 ).

패드저항 검출부(R13, R14, OP1, 32)는, 캐필러리(11)에 의하여 다이패드(7)에 와이어 감개(5)로부터의 와이어(51)가 본딩됨에 따라 변화하는 접촉 저항에 상응하는 인가 전압(V2)의 데이터를 발생시켜 제어기에 입력시킨다. 패드본딩 검출부(31, OP3, 35)는, 제1 연산증폭기(OP1)의 출력 전압(V3)을 제1 기준 전압(Vref1)과 비교하여, 다이패드(7)와 와이어(51) 사이의 접촉 여부를 알리는 신호(NSOP)를 발생시킨다. 리드본딩 검출부(31, R17, R18, OP2, 34)는, 제1 연산증폭기(OP1)의 출력 전압(V3)을 제2 기준 전압(Vref2)과 비교하여, 리드(12)와 와이어(51) 사이의 접촉 여부를 알리는 신호(NSOL)를 발생시킨다. The pad resistance detectors R13, R14, OP1, 32 correspond to contact resistances that change as the wire 51 from the wire reel 5 is bonded to the die pad 7 by the capillary 11. The data of the applied voltage V2 is generated and input to the controller. The pad bonding detectors 31, OP3, and 35 compare the output voltage V3 of the first operational amplifier OP1 with the first reference voltage Vref1 to contact the die pad 7 with the wire 51. Generate a signal (NSOP) indicating whether or not. The lead bonding detection units 31, R17, R18, OP2, and 34 compare the output voltage V3 of the first operational amplifier OP1 with the second reference voltage Vref2, and thus the lead 12 and the wire 51. It generates a signal (NSOL) indicating whether the contact between.

디지털/아날로그 변환부(31)는 제어기로부터의 기준 전압 데이터에 따라 제1 기준 전압(Vref1)을 발생시킨다. 제2 기준 전압(Vref2)은 제1 기준 전압(Vref1)이 저항기 R17의 저항값에 반비례하고 저항기 R18의 저항값에 비례하도록 강하된 전압이다. The digital / analog converter 31 generates the first reference voltage Vref1 according to the reference voltage data from the controller. The second reference voltage Vref2 is a voltage dropped such that the first reference voltage Vref1 is inversely proportional to the resistance value of the resistor R17 and proportional to the resistance value of the resistor R18.

한편, 제1 연산증폭기(OP1)의 출력 전압 V3은 아래의 수학식 5에 의하여 결정된다.Meanwhile, the output voltage V3 of the first operational amplifier OP1 is determined by Equation 5 below.

Figure 112005067910260-pat00040
Figure 112005067910260-pat00040

본 실시예의 경우, R14는 10

Figure 111999000009818-pat00009
(킬로오옴)이고 R13이 20
Figure 111999000009818-pat00010
이므로, 아래의 수학식 6을 얻을 수 있다.In this example, R14 is 10
Figure 111999000009818-pat00009
(Kiloohms) and R13 is 20
Figure 111999000009818-pat00010
Therefore, Equation 6 below can be obtained.

Figure 112005067910260-pat00041
Figure 112005067910260-pat00041

따라서, 상기 수학식 2로부터 계산된 음극성의 전압 V1 = 1.67 V와, 상기 수학식 3, 4, 6을 사용하여, 제1 연산증폭기(OP1)의 출력 전압 V3에 대한 다이패드(7)의 저항값 Zp의 관계식을 설정할 수 있다. 아래의 표 1은 이러한 관계식 및 실험에 의하여 구해진 값들의 관계를 보여준다.Accordingly, the resistance of the die pad 7 with respect to the output voltage V3 of the first operational amplifier OP1 using the voltage of the negative voltage V1 = 1.67 V calculated from Equation 2 and Equations 3, 4, and 6 above. You can set the relation of the value Zp. Table 1 below shows the relationship between the values obtained by the relationship and the experiment.

ZpZp 1

Figure 111999000009818-pat00012
One
Figure 111999000009818-pat00012
100
Figure 111999000009818-pat00013
100
Figure 111999000009818-pat00013
 1
Figure 111999000009818-pat00014
One
Figure 111999000009818-pat00014
 10
Figure 111999000009818-pat00015
10
Figure 111999000009818-pat00015
 20
Figure 111999000009818-pat00016
20
Figure 111999000009818-pat00016
 30
Figure 111999000009818-pat00017
30
Figure 111999000009818-pat00017
 VpVp 0.34
Figure 111999000009818-pat00018
0.34
Figure 111999000009818-pat00018
 0.03 V0.03 V 0.28 V0.28 V 1.11 V1.11 V 1.34 V1.34 V 1.43 V1.43 V Ip(Vp/Zp)Ip (Vp / Zp) 0.34
Figure 111999000009818-pat00019
0.34
Figure 111999000009818-pat00019
 0.3
Figure 111999000009818-pat00020
0.3
Figure 111999000009818-pat00020
 0.28
Figure 111999000009818-pat00021
0.28
Figure 111999000009818-pat00021
 0.11
Figure 111999000009818-pat00022
0.11
Figure 111999000009818-pat00022
 0.07
Figure 111999000009818-pat00023
0.07
Figure 111999000009818-pat00023
 0.05
Figure 111999000009818-pat00024
0.05
Figure 111999000009818-pat00024
 V2V2 33.7
Figure 111999000009818-pat00025
33.7
Figure 111999000009818-pat00025
 0.03 V0.03 V 0.28 V0.28 V 1.11 V1.11 V 1.34 V1.34 V 1.43 V1.43 V IwbmsIwbms 0.34
Figure 111999000009818-pat00026
0.34
Figure 111999000009818-pat00026
 0.3
Figure 111999000009818-pat00027
0.3
Figure 111999000009818-pat00027
 0.28
Figure 111999000009818-pat00028
0.28
Figure 111999000009818-pat00028
 0.11
Figure 111999000009818-pat00029
0.11
Figure 111999000009818-pat00029
 0.07
Figure 111999000009818-pat00030
0.07
Figure 111999000009818-pat00030
 0.05
Figure 111999000009818-pat00031
0.05
Figure 111999000009818-pat00031
 V3V3 101
Figure 111999000009818-pat00032
101
Figure 111999000009818-pat00032
 0.09 V0.09 V 0.84 V0.84 V 3.33 V3.33 V 4.0 V4.0 V 4.3 V4.3 V

인터럽트 발생부(33)는, 리드본딩 검출부(31, R17, R18, OP2, 34)의 제2 연산증폭기(OP2)로부터의 출력 신호의 논리 상태를 검출하여, 와이어(51)가 리드(12)에 본딩된 후 절단되었는지의 여부를 알리는 인터럽트 신청 신호(도 2의 IRQ)를 제어기에 입력시킨다. 도 2를 참조하면, 인터럽트 발생부(33)는 D형 플립플롭(331) 및 NAND 게이트(332)를 포함한다. 제어기로부터의 인터럽트 인에이블 신호(IRQ_EN)가 로우 상태에서 하이 상태로 반전된 상태에서, 와이어(51)가 리드(12)에 본딩된 후 절단되면, 제2 연산증폭기(도 1의 OP2)로부터의 클럭 신호(INT_CK)는 로우 상태에서 하이 상태로 반전된다. 이에 따라, D형 플립플롭(331)의 출력 신호(INT_Q)도 로우 상태에서 하이 상태로 반전되면, NAND 게이트(332)의 출력 신호(IRQ)는 하이 상태에서 로우 상태로 반전된다. 이에 따라, 제어기는 와이어(51)가 리드(12)에 본딩된 후 절단되었음을 인지한 후, 인터럽트 클리어 신호(INT_CLR) 신호를 하이 상태에서 로우 상태로 반전시켜서 D형 플립플롭(331)의 출력을 클리어시킨다.The interrupt generator 33 detects the logic state of the output signal from the second operational amplifier OP2 of the read bonding detectors 31, R17, R18, OP2, 34, so that the wire 51 reads the lead 12. An interrupt request signal (IRQ of FIG. 2) is input to the controller informing whether it is disconnected after being bonded to. Referring to FIG. 2, the interrupt generator 33 includes a D flip-flop 331 and a NAND gate 332. In the state where the interrupt enable signal IRQ_EN from the controller is inverted from the low state to the high state, when the wire 51 is disconnected after being bonded to the lead 12, the second operational amplifier (OP2 in FIG. 1) is disconnected. The clock signal INT_CK is inverted from a low state to a high state. Accordingly, when the output signal INT_Q of the D flip-flop 331 is also inverted from the low state to the high state, the output signal IRQ of the NAND gate 332 is inverted from the high state to the low state. Accordingly, after recognizing that the wire 51 has been cut after being bonded to the lead 12, the controller inverts the interrupt clear signal INT_CLR signal from the high state to the low state to reverse the output of the D-type flip-flop 331. Clear it.

이상 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 모니터링 회로에 의하면, 보다 정밀하게 와이어 본딩 상태를 모니터링할 수 있음에 따라, 집적회로소자의 품질 및 신뢰도를 높일 수 있다.As described above, according to the monitoring circuit according to the present invention, it is possible to monitor the wire bonding state more precisely, it is possible to increase the quality and reliability of the integrated circuit device.

본 발명은, 상기 실시예에 한정되지 않고, 청구범위에서 정의된 발명의 사상 및 범위 내에서 당업자에 의하여 변형 및 개량될 수 있다.
The present invention is not limited to the above embodiments, but may be modified and improved by those skilled in the art within the spirit and scope of the invention as defined in the claims.

Claims (2)

와이어 본더 내의 제어기에 의하여 동작하여, 집적회로소자의 다이패드와 리드의 본딩을 수행하는 동안에 각 본딩 상태를 모니터링하여 그 결과 신호를 상기 제어기에 입력시키는 모니터링 회로에 있어서,A monitoring circuit operated by a controller in a wire bonder to monitor each bonding state while performing bonding of a die pad and a lead of an integrated circuit device and input a signal to the controller as a result, 상기 제어기로부터의 극성 선택 신호에 따라 양극성 또는 음극성 인가 전압을 출력하는 인가 전압 공급부;An applied voltage supply unit configured to output a positive or negative applied voltage according to a polarity selection signal from the controller; 본딩에 사용될 와이어와 상기 인가 전압 공급부의 출력단 사이에 연결되어, 상기 제어기로부터의 인에이블 신호에 따라 상기 인가 전압 공급부로부터의 인가 전압을 상기 와이어에 인가하는 스위칭부; 및A switching unit connected between a wire to be used for bonding and an output terminal of the applied voltage supply unit to apply an applied voltage from the applied voltage supply unit to the wire according to an enable signal from the controller; And 상기 인가 전압이 상기 와이어에 인가되어, 상기 다이패드와 리드의 본딩을 수행하는 동안에 변화하는 상기 인가 전압에 따른 각 모니터링 신호를 발생시켜, 상기 제어기에 입력시키는 신호 검출부를 포함하고,And a signal detector configured to apply the voltage applied to the wire to generate each monitoring signal according to the voltage applied during the bonding of the die pad and the lead, and to input the monitoring signal to the controller. 상기 신호 검출부는,The signal detector, 상기 다이패드에 상기 와이어가 본딩됨에 따라 변화하는 접촉 저항에 상응하는 상기 인가 전압의 데이터를 발생시켜 상기 제어기에 입력시키는 패드저항 검출부;A pad resistance detector configured to generate data of the applied voltage corresponding to a contact resistance that changes as the wire is bonded to the die pad and input the data to the controller; 상기 다이패드에 상기 와이어가 본딩됨에 따라 변화하는 상기 인가 전압을 제1 기준 전압과 비교하여, 상기 다이패드와 와이어 사이의 접촉 여부를 알리는 신호를 발생시키는 패드본딩 검출부; 및 A pad bonding detector configured to generate a signal indicating whether the die pad is in contact with a wire by comparing the applied voltage which changes as the wire is bonded to the die pad with a first reference voltage; And 상기 다이패드 및 리드에 상기 와이어가 본딩됨에 따라 변화하는 상기 인가 전압을 제2 기준 전압과 비교하여, 상기 리드와 와이어 사이의 접촉 여부를 알리는 신호를 발생시키는 리드본딩 검출부를 포함한 것을 특징으로 하는 모니터링 회로.And a lead bonding detector configured to generate a signal indicating whether a contact between the lead and the wire is generated by comparing the applied voltage which changes as the wire is bonded to the die pad and the lead, with a second reference voltage. Circuit. 제1항에 있어서, 상기 신호 검출부는,The method of claim 1, wherein the signal detector, 상기 리드본딩 검출부로부터의 출력 신호의 논리 상태를 검출하여, 상기 와이어가 상기 리드에 본딩된 후 절단되었는지의 여부를 알리는 인터럽트 신호를 상기 제어기에 입력시키는 인터럽트 발생부를 더 포함한 것을 특징으로 하는 모니터링 회로.And an interrupt generator for detecting a logic state of an output signal from the read bonding detector and inputting an interrupt signal to the controller indicating whether the wire has been disconnected after being bonded to the lead.
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